2025-700658

特許第７６６３７０９号発明「ウエハ載置台」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６６３７０９号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７６６３７０９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、令和５年（２０２３年）４月２４日を国際出願日とする出願であって、令和７年４月８日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１６日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許の請求項１～５に係る特許に対し、同年６月２３日に特許異議申立人 河原田隆（以下、「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～５に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明５」といい、併せて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、請求項１～５に記載された構成要件「Ａ．」、「Ｂ．」、・・・、「Ｕ．」等の符号は、異議申立人が特許異議申立書で付与したものであり、本決定でも採用した。 「【請求項１】 Ａ．上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、 Ｂ．冷媒流路を有し前記セラミックプレートの下面側に設けられた冷却プレートと、 Ｃ．前記セラミックプレートを上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第１セラミックプレート貫通部と、 Ｄ．前記セラミックプレートを前記上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第２セラミックプレート貫通部と、 Ｅ．少なくとも前記冷却プレートの内部に設けられ、前記第１セラミックプレート貫通部に連通する第１ガス通路と、 Ｆ．少なくとも前記冷却プレートの内部に設けられ、前記第２セラミックプレート貫通部に連通する第２ガス通路と、 を備え、 Ｇ．前記第１ガス通路は、前記上下方向と交差する方向に延びている第１ガス中間通路を有し、 Ｈ．前記第２ガス通路は、前記上下方向と交差する方向に延びている第２ガス中間通路を有し、 Ｉ．前記第２ガス中間通路は、前記第１ガス中間通路よりも上方に設けられ、 Ｊ．前記冷媒流路は、前記第１ガス中間通路よりも上方に設けられた第１流路部と、前記第２ガス中間通路よりも下方に設けられた第２流路部と、を有する、 ウエハ載置台。 【請求項２】 Ｋ．前記第１セラミックプレート貫通部及び前記第２セラミックプレート貫通部は、それぞれ複数設けられ、 Ｌ．前記第１ガス中間通路は、複数の前記第１セラミックプレート貫通部と連通し、 Ｍ．前記第２ガス中間通路は、複数の前記第２セラミックプレート貫通部と連通し、 Ｎ．前記第１ガス通路は、前記第１ガス中間通路に連通するように設けられ複数の前記第１セラミックプレート貫通部の数よりも少ない数の第１ガス導入通路を有し、 Ｏ．前記第２ガス通路は、前記第２ガス中間通路に連通するように設けられ複数の前記第２セラミックプレート貫通部の数よりも少ない数の第２ガス導入通路を有する、 請求項１に記載のウエハ載置台。 【請求項３】 Ｐ．前記ウエハ載置面から前記第１流路部の上底までの距離は、前記ウエハ載置面から前記第２流路部の上底までの距離よりも短い、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 【請求項４】 Ｑ．前記ウエハ載置面から前記第１流路部の上底までの距離は、前記ウエハ載置面から前記第２ガス中間通路の下底までの距離と同じか、もしくは短い、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 【請求項５】 Ｒ．前記冷却プレートは、ｎを２以上の整数として、ｎ個のプレート部を有し、 Ｓ．前記ウエハ載置台は、前記ｎ個のプレート部のうち隣り合う２個のプレート部が互いに直接又は接合層を介して接合された第１～第（ｎ－１）接合部と、前記セラミックプレートと前記冷却プレートとが直接又は接合層を介して接合された第ｎ接合部と、を備え、 Ｔ．前記第１ガス中間通路は、第１～第（ｎ－１）接合部のいずれかに設けられ、 Ｕ．前記第２ガス中間通路は、前記第１～第ｎ接合部のうち前記第１ガス中間通路より上方の接合部に設けられている、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人の提出した証拠 異議申立人は、次の甲第１～６号証（以下、それぞれ、「甲１」～「甲６」という。）を証拠として提出している。 甲第１号証（甲１）：特表２０２１－５１５３９２号公報 甲第２号証（甲２）：特開２０２２－１６７４８１号公報 甲第３号証（甲３）：特開２０１９－２９３７３号公報 甲第４号証（甲４）：特開２０１７－２０８５２７号公報 甲第５号証（甲５）：特開２００８－３０６２１２号公報 甲第６号証（甲６）：特開２０１４－１７５４９１号公報 ２ 特許異議の申立理由 異議申立人の主張する特許異議の申立ての理由は、次のとおりである。 （１） 申立理由１（新規性） 本件発明１～３、５は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件特許の請求項１～３、５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２） 申立理由２（進歩性） 本件発明１～３は、甲１に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４は、甲１に記載された発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明５は、甲１に記載された発明、又は、甲１に記載された発明及び甲４～６に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 第４ 異議申立人の提出した証拠の記載 １ 甲１について （１） 甲１の記載 甲１には、次の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「【背景技術】 ・・・ 【０００４】 基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板のエッチング、堆積、および／または、他の処理を実施するために用いられてよい。基板上で実施されうるプロセスの例は、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス、物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、イオン注入プロセス、ならびに／または、他のエッチングプロセス、堆積プロセス、および洗浄プロセスを含むが、それらに限定されない。例として、エッチングプロセスの間、基板は、基板処理システム内の静電チャック（ＥＳＣ）の上に配置されてよく、基板上の薄膜がエッチングされる。 【発明の概要】 【０００５】 基板処理システムのための静電チャックが提供される。静電チャックは、基板に静電気的にクランプするように構成され、セラミックで形成されたトッププレートと、トッププレートの下方に配置された中間層と、中間層の下方に配置され、セラミックで形成されたベースプレートとを含む。中間層は、トッププレートをベースプレートに結合する。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 ・・・ 【００４０】 基板処理システム１００は、処理チャンバ１０４を含む。ＥＳＣ１０１は、周囲を処理チャンバ１０４で囲まれている。処理チャンバ１０４は、上部電極１０５などの他の構成要素も取り囲み、ＲＦプラズマを含む。動作中に、基板１０７は、ＥＳＣ１０１のトッププレート１０２の上に配置され、静電気的にクランプされる。 ・・・ 【００５０】 次に図２を同様に参照すると、トッププレート２０２、中間層２０４、およびベースプレート（または、ボトムプレート）２０６を含むＥＳＣの部分２００が示されている。トッププレート２０２は、中間層２０４を介してベースプレート２０６に結合されている。図のように、ベースプレート２０６は、保護被膜（または、最上層）２０８を有してよい。上述のように、プレート２０２およびプレート２０６は、セラミックで形成されてよく、保護被膜２０８は、ＡＩＮ、イットリア（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）で形成されてよい。プレート２０２およびプレート２０６の両方、ならびに保護被膜２０８をセラミックおよび／または同じ材料で形成することによって、プレート２０２、プレート２０６、および保護被膜２０８の熱膨張係数間の差は最小になる。これにより、保護被膜２０８の高電圧ブレークダウンおよび／または割れが最小限になる、および／または解消される。つまり、対応するスタンドオフ電圧が増加する。 【００５１】 図の例では、トッププレート２０２は、電源１８０から電力を受信しうる静電クランプ電極２１０を含む。静電クランプ電極２１０は、電源１８０に接続されうる端子に接続されてよい。静電クランプ電極用の端子を含む絶縁タワー（「コラム」と呼ばれることもある）の例が図３に示されている。 ・・・ 【００５７】 ベースプレートに十分な強度および耐久性を提供し、優れた熱伝達特性を有する本明細書に開示の埋設流路を備えるために、ベースプレート２０６は、一体構造を形成するために共に積層焼結されたセラミック複合層で形成されてよい。各セラミック複合層は、セラミックおよび結合材の混合物を含む。例として、複数枚の薄い（例えば、１ミリメートル（ｍｍ）厚）セラミック複合材および結合層が積層されてよい。セラミック複合層は、積層されたときにガス流路２２０および冷媒流路２２２を形成するようにパターニングされてよい。結果として生じる積層は、次に炉において所定の期間に所定の温度で焼かれて、セラミック複合層のセラミック粒子が共に焼結できるようにする、ならびに、結合層および／または他の接着材が焼失するようにする。結果として生じるベースプレートは、その後、炉から取り除かれる。 【００５８】 ベースプレート２０６は、ガス流路２２０および冷媒流路２２２を含んでもよい。ガス流路２２０は、マニホルド１４０からガスを受け取ってよい。ガス流路２２０は、図のように、同一の径方向に延びる平面上に、および／または、ベースプレート２０６の同じ１つ以上の層に配置されてよい。あるいは、ガス流路２２０は、複数の径方向に延びる平面上に、および／または、ベースプレート２０６の異なる層に配置されてよい。ガス流路２２０は、基板の裏面に裏面ガスを提供するために用いられてよい。これは、図３および図４にさらに示されている。ガス流路の複数層の配置例は、図４に示されている。 ・・・ 【００６０】 図３は、トッププレート２５２、中間層２５４、およびベースプレート２５６を含むＥＳＣの部分２５０を示す。トッププレート２５２は、中間層２５４を介してベースプレート２５６に結合されている。環状シール２５７は、（ｉ）トッププレート２５２の外周とベースプレート２５６のベース層２５９の上面との間に配置されてよく、（ｉｉ）中間層２５４の外端２６１を覆う。 【００６１】 トッププレート２５２は、静電クランプ電極２５８およびガス出口２６０を含む。ガス出口２６０は、例えば、１つ以上のガス流路（図では１つのガス流路２６２）から裏面ガスを受け取る。１つ以上のガス流路は、それぞれ、１つ以上の多孔質媒体またはプラグ（例えば、多孔質プラグ２６４）を含んでよい。多孔質媒体および／またはプラグは、セラミックプレートと同時焼成されてよい。一実施形態では、ガス流路は、多孔質プラグを含まない。多孔質プラグは、小さい穴を含み、ガス流路におけるプラズマの生成を防止するために中間バッファとして機能する。図の例では、第１多孔質プラグ２６４ａは、ガス流路２６２の第１端にあり、ベースプレート２５６内および／またはベースプレート２５６の部分２６６内の領域から、中間層２５４を通ってトッププレート２６０（当審注；「２５２」の誤りであると認められる。）内の領域に延びる。第２多孔質プラグ２６４ｂは、ガス流路２６２の第２端にあり、ベースプレート２５６の底部に配置されている。 【００６２】 ベースプレート２５６は、上述のように、ガス流路２７０および冷媒流路２７２を含んでよい。各冷媒流路２７２は、ベースプレート２５６内で入力タワーおよびアウトレットタワーに接続されている。タワー２７４の例が図示されている。 ・・・ 【００６４】 図４は、トッププレート３０２、中間層３０４、およびベースプレート３０６を含むＥＳＣの部分３００を示す。例として、ベースプレート３０６は、リフトピン３１２、リフトピン流路３１３、およびガス流路３１６を含むリフトピンアセンブリ３１０を備える。本明細書に開示のＥＳＣには、任意の数のリフトピンアセンブリが含まれてよい。ベースプレート３０６は、ガス流路の１つ以上の層を含んでよい。ガス流路は、冷媒流路の上方または下方に設置されてよい。例として、第１ガス流路セット３１８は、冷媒流路３２０の上方に示され、第２ガス流路セット３２２は、冷媒流路３２０の下方に示されている。」 「【図１】 ［図：0001431155000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001431155000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001431155000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001431155000004.jpg］ 」 （２） 甲１発明 ア 上記（１）の【００６０】の「トッププレート２５２、中間層２５４、およびベースプレート２５６を含むＥＳＣ」における「ＥＳＣ」は、【０００４】の「半導体ウエハなどの基板・・・は、・・・静電チャック（ＥＳＣ）の上に配置され」るとの記載によれば、「半導体ウエハなどの基板を上に配置（載置）する静電チャック（ＥＳＣ）」のことであるといえる。 そうすると、甲１には、「トッププレート２５２、中間層２５４、およびベースプレート２５６を含み、半導体ウエハなどの基板を上に載置する静電チャック（ＥＳＣ）」が記載されているといえる。 イ 上記（１）の【００４０】によれば、「基板・・・は、・・・ＥＳＣ・・・のトッププレート・・・の上に配置され、静電気的にクランプされる」るものであるから、上記アの「トッププレート２５２」の上（上面）に半導体ウエハなどの基板が配置（載置）されるといえる。 ウ 上記（１）の【０００５】の「セラミックで形成されたトッププレート」によれば、上記アの「トッププレート２５２」は、セラミックで形成されているといえる。 エ 上記（１）の【００６０】の「図３は、トッププレート２５２、中間層２５４、およびベースプレート２５６を含むＥＳＣの部分２５０を示す。」との記載及び【図３】を参酌すると、ベースプレート２５６が、トッププレート２５２の下面側に配置されていることが見て取れる。 オ 上記（１）の【００６１】の「トッププレート２５２は、静電クランプ電極２５８およびガス出口２６０を含む。ガス出口２６０は、例えば、１つ以上のガス流路（図では１つのガス流路２６２）から裏面ガスを受け取る。ガス出口２６０は、例えば、１つ以上のガス流路（図では１つのガス流路２６２）から裏面ガスを受け取る。１つ以上のガス流路は、それぞれ、１つ以上の多孔質媒体またはプラグ（例えば、多孔質プラグ２６４）を含んでよい。・・・図の例では、第１多孔質プラグ２６４ａは、ガス流路２６２の第１端にあり、ベースプレート２５６内および／またはベースプレート２５６の部分２６６内の領域から、中間層２５４を通ってトッププレート２５２内の領域に延びる。」との記載及び【図３】を参酌すると、「第１多孔質プラグ２６４ａ」及び「ガス出口２６０」が、「トッププレート２５２」を上下方向に貫通していることが見て取れる。 カ 上記（１）の【００６１】の「図の例では、第１多孔質プラグ２６４ａは、ガス流路２６２の第１端にあり、ベースプレート２５６内および／またはベースプレート２５６の部分２６６内の領域から、中間層２５４を通ってトッププレート２６０内の領域に延びる。第２多孔質プラグ２６４ｂは、ガス流路２６２の第２端にあり、ベースプレート２５６の底部に配置されている。」との記載、【００６２】の「ベースプレート２５６は、上述のように、ガス流路２７０および冷媒流路２７２を含んでよい。」との記載及び【図３】を参酌すると、ガス流路２６２が、ベースプレート２５６の底部に配置されている第２多孔質プラグ２６４ｂの上面から冷媒流路２７２の上方の位置まで上下方向に延び、冷媒流路２７２の上方の位置で上記上下方向と交差する方向に曲がり、ガス流路２６２の、冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分の上に、第１多孔質プラグ２６４ａが位置していることが見て取れる。 キ 上記（１）及び上記ア～カによれば、甲１には、【図３】に示す「静電チャック（ＥＳＣ）」として、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 「トッププレート２５２、中間層２５４、およびベースプレート２５６を含み、半導体ウエハなどの基板を上に載置する静電チャック（ＥＳＣ）であって（上記ア）、 トッププレート２５２の上面に半導体ウエハなどの基板が載置され（上記イ）、 トッププレート２５２は、セラミックで形成されており（上記ウ）、 ベースプレート２５６は、トッププレート２５２の下面側に配置されており（上記エ）、 トッププレート２５２は、静電クランプ電極２５８およびガス出口２６０を含み、ガス出口２６０は、１つ以上のガス流路から裏面ガスを受け取り、１つ以上のガス流路は、それぞれ、１つ以上の多孔質プラグ２６４を含んでよく、第１多孔質プラグ２６４ａは、ガス流路２６２の第１端にあり、ベースプレート２５６内の領域から、中間層２５４を通ってトッププレート２６０内の領域に延び、第２多孔質プラグ２６４ｂは、ガス流路２６２の第２端にあり、ベースプレート２５６の底部に配置されており（【００６１】）、 第１多孔質プラグ２６４ａ及びガス出口２６０が、トッププレート２５２を上下方向に貫通しており（上記オ）、 ガス流路２６２は、ベースプレート２５６の底部に配置されている第２多孔質プラグ２６４ｂの上面から冷媒流路２７２の上方の位置まで上下方向に延び、冷媒流路２７２の上方の位置で上記上下方向と交差する方向に曲がり、ガス流路２６２の、冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分の上に、第１多孔質プラグ２６４ａが位置しており（上記カ）、 ベースプレート２５６は、冷媒流路２７２を含んでよい（【００６２】）、 静電チャック（ＥＳＣ）。」 ２ 甲２について （１） 甲２の記載 甲２には、次の記載がある。 「【００１３】 図１に示すように、第１実施形態に係る基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、静電吸着部材３０とを有している。 ・・・ 【００１５】 ベースプレート１０の内部には、水路１５が設けられている。水路１５は、一端に冷却水導入部１５Ａを備え、他端に冷却水排出部１５Ｂを備えている。水路１５は、基板固定装置１の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続されている。冷却水制御装置（図示せず）は、冷却水導入部１５Ａから水路１５に冷却水を導入し、冷却水排出部１５Ｂから冷却水を排出する。水路１５に冷却水を循環させベースプレート１０を冷却することで、静電吸着部材３０上に吸着された基板を冷却することができる。 ・・・ 【００２０】 誘電体部材４１は、第１面４１Ａと、第１面４１Ａとは反対側の第２面４１Ｂとを有する。第２面４１Ｂが接着層２０によりベースプレート１０に接着される。第１面４１Ａに基板が吸着される。誘電体部材４１には、第１面４１Ａから第２面４１Ｂまで貫通する複数の貫通孔１２０が形成されている。貫通孔１２０は、ベースプレート１０のガス路１６に連通する。各貫通孔１２０内に１個ずつ多孔質体１１０が設けられている。多孔質体１１０及び貫通孔１２０の形状については、後述する。」 「 ［図：0001431155000005.jpg］ 」 ３ 甲３について （１） 甲３の記載 甲３には、次の記載がある。 「【００２０】 一実施形態において、ステージ１４は、基台２０及び静電チャック２２を含んでいる。一実施形態では、冷媒流路１４ｆは、基台２０内に形成されている。基台２０は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。基台２０は、下部電極を構成している。 【００２１】 静電チャック２２は、基台２０の上面２０ｔの上に設けられている。基台２０の上面２０ｔは、鉛直方向に直交する方向に延在する略平坦な面であり得る。静電チャック２２は、絶縁体から形成された本体、及び、当該本体内に設けられた膜状の電極を有している。静電チャック２２の電極には、直流電源が電気的に接続されている。直流電源から静電チャック２２の電極に電圧が印加されると、静電チャック２２上に載置された基板Ｗと静電チャック２２との間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック２２に引き付けられ、当該静電チャック２２によって保持される。なお、基板処理装置１０には、ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を静電チャック２２と基板Ｗの裏面（下面）との間に供給するガス供給ラインが設けられていてもよい。また、静電チャック２２のエッジ及び基板Ｗのエッジを囲むように、フォーカスリングが配置されていてもよい。フォーカスリングは、例えばシリコンを含有する材料から形成される。 ・・・ 【００３７】 以下、ステージ１４の冷媒流路１４ｆに関する種々の実施形態について説明する。図３及び図４は、ステージの冷媒流路の別の実施形態を示す図である。図３に示すステージ１４の冷媒流路１４ｆは、基台２０内に形成されており、ステージ１４の中心から外縁に向けて渦巻状に延在している。ステージ１４は、入口１４ｉ及び出口１４ｅを有している。入口１４ｉは、冷媒流路１４ｆへの冷媒の入口である。出口１４ｅは、冷媒流路１４ｆからの冷媒の出口である。出口１４ｅは、入口１４ｉよりもステージ１４の外縁の近くに設けられている。図３に示すステージ１４の冷媒流路１４ｆは、入口１４ｉから出口１４ｅに近付くにつれて、ステージ１４の上面又は基台２０の上面２０ｔに近付くように傾斜している。なお、冷媒流路１４ｆが入口１４ｉから出口１４ｅに近付くにつれて、当該冷媒流路１４ｆを画成する壁面のうち上壁面１４ｕがステージ１４の上面又は基台２０の上面２０ｔに近付くように傾斜していればよい。」 「【図３】 ［図：0001431155000006.jpg］ 」 ４ 甲４について （１） 甲４の記載 甲４には、次の記載がある。 「【０１１９】 すなわち、この例では、第１の連通路５５ａは、第１の部分５０ａの下面に設けられた凹部（開口部）により形成され、かつ、第２の連通路５６は、第３の部分５０ｃの下面に設けられた凹部（開口部）により形成されている。」 「 ［図：0001431155000007.jpg］ 」 ５ 甲５について （１） 甲５の記載 甲５には、次の記載がある。 「【００７２】 上記下部電極４は、表面に陽極酸化処理（アルマイト処理）を施されたアルミニウム等の金属によって全体が略円板状になるよう形成されており、上部プレート１０１と、中間プレート１０２と、下部プレート１０３の３つの部材（いずれも略円板状に形成されている。）を接合して構成されている。そして、冷媒流路７ｃは、中間プレート１０２の上面側から穿設された溝の開口部を上部プレート１０１によって閉塞することによって構成されている。 ・・・ 【００７４】 上記ガス溜め部１２１は、下部プレート１０３の上面側から穿設された溝の開口部を中間プレート１０２によって閉塞することによって構成されており、このガス溜め部１２１と下部電極４の載置面とを連通するように、中間プレート１０２及び上部プレート１０１を通じて複数のガス供給用細孔部１２３が形成されている。したがって、上記のガス溜め部１２１は、下部電極４内において冷媒流路７ｃの下部に位置するように設けられている。」 「 ［図：0001431155000008.jpg］ 」 ６ 甲６について （１） 甲６の記載 甲６には、次の記載がある。 「【００２１】 プレート部３００は、ろう付けや溶接により、第２冷却板２００とヒータープレート３０１とが接合され、ヒータープレート３０１と第１冷却板１００とが接合され、第１冷却板１００と第３基材３０２とが接合された構成を備える。第１冷却板１００及び第２冷却板２００には流路となる溝が形成されており、図５に図示したように、第１冷却板１００と第３基材３０２との接合により第１流路１１０が形成され、第２冷却板２００とヒータープレート３０１との接合により第２流路２１０が形成される。なお、第１流路１１０及び第２流路２１０の断面形状は、図５に図示した方形状に限らず、円形状、三角形状等を有していてもよい。」 「 ［図：0001431155000009.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 本件発明１について （１） 甲１発明との対比 ア 構成要件Ａについて 甲１発明の「トッププレート２５２」の上面は、「半導体ウエハなどの基板が載置され」るものであるから、本件発明１の「ウエハ載置面」に相当する。 また、甲１発明の、「トッププレート２５２」が含む「静電クランプ電極２５８」は、本件発明１の「電極」に相当する。 そうすると、甲１発明の「セラミックで形成され」た「トッププレート２５２」は、本件発明１の「Ａ．上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレート」に相当する。 イ 構成要件Ｂについて 甲１発明の「冷媒流路２７２」は、本件発明１の「冷媒流路」に相当する。 また、甲１発明の「ベースプレート２５６」は、「トッププレート２５４の下面側に配置されて」いるものである。 さらに、甲１発明の「ベースプレート２５６」は、「冷媒流路２７２を含んでよい」ものである。 そうすると、本件発明１の「冷却プレート」と、甲１発明の「ベースプレート２５６」とは、「Ｂ．冷媒流路を有し」「プレートの下面側に設けられた冷却プレート」といえる点で共通する。 ウ 構成要件Ｄについて 甲１発明の「第１多孔質プラグ２６４ａ」及び「ガス出口２６０」は、「トッププレート２５２を上下方向に貫通」するものである。 そうすると、本件発明１の「前記セラミックプレートを前記上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第２セラミックプレート貫通部」と、甲１発明の「トッププレート２５２」の、「ガス出口２６０」及び「第１多孔質プラグ２６４ａ」が形成されている部分は、「Ｄ．」「プレートを上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第２」「プレート貫通部」といえる点で共通する。 エ 構成要件Ｆについて 甲１発明の「ガス出口２６０は、１つ以上のガス流路から裏面ガスを受け取り、１つ以上のガス流路は、それぞれ、１つ以上の多孔質プラグ２６４を含んでよ」いから、甲１発明の「ガス流路２６２」は、「ガス出口２６０」に連通しているといえる。 また、甲１発明では、「第１多孔質プラグ２６４ａは、ガス流路２６２の第１端にあり、ベースプレート２５６内の領域から、中間層２５４を通ってトッププレート２５２内の領域に延び、第２多孔質プラグ２６４ｂは、ガス流路２６２の第２端にあり、ベースプレート２５６の底部に配置されて」いるから、甲１発明の「ガス流路２６２」は「ベースプレート２５６」の内部に設けられているといえる。 そうすると、本件発明１の「第２ガス通路」と、甲１発明の「ガス流路２６２」は、「Ｆ．少なくとも前記冷却プレートの内部に設けられ、」「前記第２プレート貫通部に連通する第２ガス通路」といえる点で共通する。 オ 構成要件Ｈについて 甲１発明の「ガス流路２６２は、ベースプレート２５６の底部に配置されている第２多孔質プラグ２６４ｂの上面から冷媒流路２７２の上方の位置まで上下方向に延び、冷媒流路２７２の上方の位置で上記上下方向と交差する方向に曲がり、ガス流路２６２の、冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分の上に、第１多孔質プラグ２６４ａが位置して」いるから、甲１発明の「ガス流路２６２」のうち、「冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分」は、本件発明１の「前記上下方向と交差する方向に延びている第２ガス中間通路」に相当するといえる。 そうすると、甲１発明の「ガス流路２６２」は、本件発明１の「Ｈ．前記第２ガス通路は、前記上下方向と交差する方向に延びている第２ガス中間通路」に相当する。 カ 構成要件Ｊについて 甲１発明の「ガス流路２６２は、ベースプレート２５６の底部に配置されている第２多孔質プラグ２６４ｂの上面から冷媒流路２７２の上方の位置まで上下方向に延び、冷媒流路２７２の上方の位置で上記上下方向と交差する方向に曲がり、ガス流路２６２の、冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分の上に、第１多孔質プラグ２６４ａが位置し」ているから、甲１発明の「冷媒流路２７２」は、「冷媒流路２７２の上方の位置で上記交差する方向に延びる部分」の下方に位置しているといえる。 また、上記アで検討したように、甲１発明の「静電チャック（ＥＳＣ）」は、「ウエハ載置面」を有するから、「ウエハ載置台」であるといえる。 そうすると、本件発明１の「第２流路部」を有する「ウエハ載置台」と、甲１発明１の「冷媒流路２７２」を有する「静電チャック（ＥＳＣ）」は、「Ｊ．前記冷媒流路は、前記第２ガス中間通路よりも下方に設けられた第２流路部と、を有する、ウエハ載置台」といえる点で共通する。 以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 Ａ．上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、 Ｂ．冷媒流路を有し前記プレートの下面側に設けられた冷却プレートと、 Ｄ．前記プレートを上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第２プレート貫通部と、 Ｆ．少なくとも前記冷却プレートの内部に設けられ、前記第２プレート貫通部に連通する第２ガス通路と、を備え、 Ｈ．前記第２ガス通路は、前記上下方向と交差する方向に延びている第２ガス中間通路を有し、 Ｊ．前記冷媒流路は、前記第２ガス中間通路よりも下方に設けられた第２流路部と、を有する、ウエハ載置台。」 ［相違点］ 本件発明１は、「 Ｃ．前記セラミックプレートを上下方向に貫通して前記ウエハ載置面に至る第１セラミックプレート貫通部と、 Ｅ．少なくとも前記冷却プレートの内部に設けられ、前記第１セラミックプレート貫通部に連通する第１ガス通路と、 を備え、 Ｇ．前記第１ガス通路は、前記上下方向と交差する方向に延びている第１ガス中間通路を有し、 Ｉ．前記第２ガス中間通路は、前記第１ガス中間通路よりも上方に設けられ、 Ｊ．前記冷媒流路は、前記第１ガス中間通路よりも上方に設けられた第１流路部を有する、」のに対し、甲１発明は、そのような構成となっているのか明らかでない点。 （２） 申立理由１（新規性）について ア 判断 上記（１）のとおり、本件発明１と甲１発明は、上記相違点で相違している。 したがって、本件発明１は、甲１発明であるとはいえない。 イ 異議申立人の主張について 異議申立人は、甲１の【００６４】及び【図４】の記載を根拠とし、甲１の【図４】の断面において、第２ガス流路セット３２２は微少な矩形として描かれており、上下方向と交差する方向（紙面の奥行方向）に伸びるように形成されたガス流路であることが理解でき、第２ガス流路セット３２２のうち、【図４】に示されている部分が、構成要件Ｇの「第１ガス中間通路」に該当することは明らかであるから、構成要件Ｇは一致点である旨主張する（特許異議申立書１６頁中段）。 しかしながら、異議申立人が主張の根拠とする【００６４】をみても、冷媒流路３２０の下方に示されている「第２ガス流路セット３２２」について、具体的な形状や大きさについての記載はなく、【図４】をみても、微少な矩形が４つ記載されているにすぎない。 そうすると、甲１の【００６４】及び【図４】をみても、異議申立人の主張するように、第２ガス流路セット３２２のうち、【図４】に示されている部分が、構成要件Ｇの「第１ガス中間通路」に該当すると理解することはできないから、構成要件Ｇが一致点であるということはできない。 そして、甲１に、構成要件Ｇが記載されているとはいえない以上、構成要件Ｇの「第１ガス中間通路」を構成要素として含む構成要件Ｉ及び構成要件Ｊ、構成要件Ｇの「第１ガス通路」を構成要素として含む構成要件Ｅ、さらに構成要件Ｅの「第１セラミックプレート貫通部」を構成要素として含む構成要件Ｃは、いずれも甲１に記載されているということはできず、これらの構成要件も一致点であるということはできない。 したがって、異議申立人の主張は採用できない。 （３） 申立理由２（進歩性）について 上記（２）イのとおり、甲１には、構成要件Ｃ、Ｅ、Ｇ、Ｉ及びＪ、すなわち、上記相違点に係る構成は記載されていない。 そして、異議申立人の提出する甲２～甲６（上記第４の２～６）をみても、上記相違点に係る構成は記載されていないし、上記相違点に係る構成が周知技術であったとも認められない。 そうすると、甲１発明において、上記相違点に係る構成を採用し、本件発明１の構成とすることは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 したがって、本件発明１は、甲１に記載された発明、甲２～甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 本件発明２～５について 上記第２のとおり、本件発明２～５は、本件発明１の全ての構成要件を有するものであるから、いずれも上記相違点に係る本件発明１の構成要件を有している。 そうすると、本件発明２～５と甲１発明を対比すると、上記相違点の構成で相違するから、上記１と同様の理由により、本件発明２～５も、甲１発明であるとはいえないし、甲１に記載された発明、甲２～甲６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３ 小括 したがって、異議申立人の主張する申立理由１（新規性）及び申立理由２（進歩性）は理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び異議申立人の提出した証拠によっては、本件特許の請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。