2023-700735

特許第７２０８１６１号発明「低アモルファス相を有するセラミック－金属基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２０８１６１号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２０８１６１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１１に係る特許についての出願は、２０１８年５月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１７年５月１６日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、令和５年１月１０日にその特許権の設定登録がされた（特許掲載公報令和５年１月１８日発行）。 本件特許異議の申立ての手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和５年 ７月１４日 ：特許異議申立人小松茂夫による請求項１～１１に係る特許に対する特許異議の申立て 令和５年１１月２０日付け：取消理由通知書 令和６年 ２月１５日 ：特許権者による意見書の提出 なお、特許権者は、訂正の請求を行っていない。 第２ 各請求項に係る発明 本件の請求項１～１１に係る発明（以下、「本件特許発明１」～「本件特許発明１１」という。また、これらを総称して「本件特許発明」という。）は、以下のとおりである。 なお、本件特許発明１の記号Ａ～Ｆは分説するために当審にて付した。以下、「構成Ａ」～「構成Ｆ」という。 【請求項１】（本件特許発明１） Ａ セラミック基板（２）と、当該セラミック基板の少なくとも一側面上にメタライゼーション（３）と、を含むセラミック－金属基板（１）であって、 Ｂ 前記セラミック基板（２）が少なくとも１つのスクライブライン（４）及び／又は切断エッジ（８）を有し、 Ｃ アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在し、 Ｄ 前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆し、 Ｅ 前記アモルファス相（５）は、 Ｅ１ 前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）のエッジ（６）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は Ｅ２ 前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）の中心線（７）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在するか、 又は Ｅ３ 前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から始まりかつ前記切断エッジ（８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は Ｅ４ 前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から始まりかつ前記切断エッジ（８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在するか、 Ｆ であることを特徴とするセラミック－金属基板（１）。 【請求項２】（本件特許発明２） 前記スクライブライン（４）及び／又は切断エッジ（８）は、レーザーアブレーションによって得られることを特徴とする請求項１記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項３】（本件特許発明３） 前記アモルファス相（５）の形成が、レーザーアブレーション中のレーザーの速度及び／又は出力によって制御されることを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項４】（本件特許発明４） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の層厚の５～５０％であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項５】（本件特許発明５） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の層厚の８～４５％であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項６】（本件特許発明６） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の層厚の１０～４０％であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項７】（本件特許発明７） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の層厚の２０～４０％であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項８】（本件特許発明８） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の平面に垂直に、少なくとも２０μｍであることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項９】（本件特許発明９） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の平面に垂直に、少なくとも３０μｍであることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項１０】（本件特許発明１０） 前記スクライブライン（４）がレーザスクライブラインであり、該レーザスクライブラインの深さは、前記セラミック基板（２）の平面に垂直に、少なくとも５０μｍであることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）。 【請求項１１】（本件特許発明１１） パワーエレクトロニクス用途のための回路キャリアとして請求項１～１０のいずれか１項に記載のセラミック－金属基板（１）の使用。 第３ 取消理由の概要 請求項１～１１に係る特許に対して、当審が令和５年１１月２０日付けの取消理由通知において特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 １ 請求項１について 請求項１の「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆し、」との構成が、【図１】のような構成を除外するのか否かが不明であり、どのような構成を含むのか、あるいは、請求項１でいう「メタライゼーション（３）を被覆せず」とは、メタライゼーション（３）のどの部分を被覆しないことを意味するのかが明確でない。 ２ 請求項２～１１について 請求項２～１１は、請求項１を直接若しく間接に引用する請求項であるから、上記１と同様の取消理由がある。 ３ まとめ 本件特許の請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第４ 当審の判断 １ 取消理由通知に記載した取消理由について 特許権者が令和６年２月１５日に提出した意見書での主張を踏まえて再検討する。 請求項１の「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆し、」との記載において、「被覆」とは、「おおいかぶせること」である。 つまり、請求項１の「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず」とは、メタライゼーション（３）にアモルファス相（５）が覆いかぶさっていない構成である。 【図１】に関して、発明の詳細な説明には、以下のように記載されている。（下線は、説明のために当審で付したものである。） 「【００３３】 以下に記載される全ての実施形態において、例えば、レーザアブレーションによって形成される溝は、セラミック基板にのみ形成され、セラミック基板上に形成されるメタライゼーションには形成されないことが好ましい。セラミック基板上に形成されたメタライゼーションは、例えば、レーザアブレーションによって形成された溝から凹んでいる。溝の領域におけるメタライゼーションの除去は、例えば、エッチングの前の処理工程によって行われる。その結果、セラミック基板のレーザアブレーションによって作成されたアモルファス相は、本質的にメタライゼーションを被覆せず、セラミック基板のみを被覆する。従って、メタライゼーションにおけるアモルファス相の凸部は本質的に存在しない。」 「【００３６】 図１は、スクライブライン４を有するセラミック－金属基板１を示す。セラミック－金属基板１は、セラミック基板２の少なくとも一側部上に適用されたメタライゼーション３を有するセラミック基板２を含む。通常、エッチング処理によって形成される凹部１０が、メタライゼーション３に導入される。凹部１０は、セラミック基板２まで延びている。スクライブライン４は、セラミック基板２の凹部１０の領域に設けられている。スクライブライン４は、セラミック－金属基板１を異なる領域に分割する。セラミック－金属基板１は、スクライブライン４に沿って破断されると考えられる。 【００３７】 アモルファス相５は、本発明のコンテクストでは、一般に、レーザアブレーションによって生成されるこのスクライブライン４と本質的に平行に、セラミック基板２の上及び／又は内部に延在する。（以下略）」 ［図：0001407847000001.jpg］ すなわち、【図１】の構成においては、まず、エッチング処理によって、メタライゼーション３の一部が除去されて凹部が形成される。（【００３３】、【００３６】） 次に、レーザアブレーションによってスクライブライン４が生成され、当該スクライブライン４と平行に、セラミック基板２にアモルファス相が延在する。（【００３７】） その際、メタライゼーション３の凹部は、その後にレーザアブレーションによって形成される溝よりも凹んだ位置であるため、レーザアブレーションによって形成される溝は、セラミック基板にのみ形成され、セラミック基板上に形成されるメタライゼーションには形成されない（【００３３】）こととなる。つまり、メタライゼーション３に形成された凹部には、アモルファス相５は存在しないこととなる。 そして、【図１】の構成において、セラミック基板（２）におけるアモルファス相（５）の部分とメタライゼーション（３）が接している箇所が存在するものの、当該箇所では、メタライゼーション（３）にアモルファス相（５）が覆いかぶさっているとはいえないので、アモルファス相（５）は、メタライゼーション（３）を被覆しているものではない。 また、メタライゼーション３に形成された凹部には、アモルファス相５は存在しないことから、当該凹部においても、メタライゼーション（３）にアモルファス相（５）が被覆しているものではない。 よって、請求項１の「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆し、」との構成は、【図１】のような構成を含むこと、メタライゼーション（３）部分にアモルファス相（５）が覆いかぶさっているような構成を除外する構成であると理解することができる。 したがって、請求項１記載の発明は明確であるといえ、請求項２～１１についても同様である。 ２ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について （１）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、本件特許発明について、以下のような主張をしている。 ア 理由１（実施可能要件） 「本件特許の発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件特許発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。 本件特許請求項１は、構成Ｃ、Ｆに記載されているように、「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在」する「セラミック－金属基板（１）」である。 （中略） セラミックス基板に対し同じ条件（出力、走査速度など）でレーザー照射を行っても、アモルファス相（中略）の厚さはセラミック基板の種類によって全く異なるものである。にもかかわらず、どのように出力や走査速度を変化させれば、酸化アルミニウムと同様に、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素において同様のアモルファス相の厚さを実現することができるのかが発明の詳細な説明からは不明瞭である。 以上のように、本件特許の発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件特許発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。 （中略） 本件特許の発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件特許発明２～１１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。」（特許異議申立書３．（４）イ．（ア）及び（イ）） イ 理由２（サポート要件） 「本件特許発明１は発明の詳細な説明に記載したものではない。 本件特許請求項１は、構成Ｃ、Ｆに記載されているように、「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在」する「セラミック－金属基板（１）」である。 （中略） どのように出力や走査速度を変化させれば、酸化アルミニウムと同様に、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素において同様のアモルファス相の厚さを実現することができるのかが発明の詳細な説明からは不明瞭である。したがって、出願時の技術常識を鑑みても、本件特許明細書の発明の詳細な説明に開示された「酸化アルミニウム基板」を、かのような構成Ｃ，Ｆの「セラミック－金属基板（１）」についてまで拡張ないし一般化することはできない。その結果、本件特許発明１は発明の詳細な説明に記載されたものではない。 （中略） 本件特許発明２～１１もまた、本件特許発明１と同様に発明の詳細な説明に記載されたものではない。」（特許異議申立書３．（４）イ．（ウ）及び（エ）） ウ 理由３（明確性要件） 「本件特許発明１が明確でない。 本件特許請求項１の構成Ｃは、「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在」（下線は申立人による）することを特徴とする。 当該特徴に関し、アモルファス相であるか否かについて、本件特許明細書においてＳＥＭ像における見た目の明らかな違いで判断している。（中略） 一方、甲第３号証においては（中略）アモルファスであるか否かを、ＴＥＭ像を用いて判断している。 （中略）ＳＥＭ像において見た目が明らかに異なる領域が存在するからと言って必ずしもその場所がアモルファス相であるか否かの境界であるとは言えないものである。 したがって、アモルファス相であるか否かはＳＥＭ像の見た目のみでは判断できない。 また、広辞苑第６版によると、「相」とは、次のように記載されている。 （中略） したがって、上記構成Ｃに記載の「相」は、すがたやかたち、外見を示すものと考えられる。さすれば、上記構成Ｃに記載の「相」とはどのような状態のものを指すのかが明確ではない。 （中略）上記構成Ｃに記載の「アモルファス相」とはどのような状態のものを指すのかが明確ではない。 本件特許明細書の段落００６７には、「本発明における幅ａの定義はアモルファス相がこの幅ａの範囲内にあることを意味すると理解されるべきであり、幅ａは、必ずしも、アモルファス相が幅ａ全体にわたって連続的に延在することを意味すると理解されるべきではない。アモルファス相が幅範囲のどこかにあれば十分である。また、幅ａを横切る不連続アモルファス相も本発明に包含される。」（下線は、申立人による）と記載されている。とすれば、一部でも、アモルファス相の幅の数値が規定されていることと延在することとの相関が不明瞭である。 さらには、ＳＥＭ像での見た目の明らかな違いと、その違いがアモルファス相を表すことの相関について裏付けがない点からも上記構成Ｃに記載の「アモルファス相」とはどのようなものであるのかが明確ではないし、ＳＥＭ像での見た目の異なる領域とは、どの程度見た目が異なればよいのかが明確ではない。 本件特許請求項１の構成Ｃは、「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在」（下線は申立人による）することを特徴とする。 当該特徴に関し、「延在」は、「延びて存在すること」（特許技術用語集－３版－、日刊工業新聞社、平成１８年８月３１日発行。乙１）との意味を有するものである。 （中略） 本件特許請求項１に係る発明は、どの程度長く広がったスクライブラインを有しているのか明確ではない。 さらに（中略）アモルファス相の厚みが非対称であった場合には、○１（申立書では、○の中に１）片方でもアモルファス相の厚みが条件を満たしていればよいのか、○２（申立書では、○の中に２）いずれもアモルファス相の厚みの条件を満たさなければならないのかが本件特許請求項１の記載からは明確ではない。 本件特許請求項１の構成Ｃは、「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆」（下線は申立人による）することを特徴とする。 当該特徴に関し、「メタライゼーション（３）を被覆せず」とはどのような状態を指すのかが本件特許請求項１では明らかではない。さらには、本件特許明細書を参酌しても、メタライゼーションを被覆しているか否かを判断する方法について何ら記載がない。とすれば、どのような観測・測定方法を用いればメタライゼーションを被覆しているか否かを区別できるのかについても不明瞭である。 （中略）セラミック由来によって生成した金属アルミニウムもメタライゼーションとするのか否かが明確ではない。つづいて、仮にメタライゼーションが前述のようなセラミックス由来の金属成分を含まない場合について考える。セラミックスが窒化アルミニウムで金属板がアルミニウムであって場合、観測される金属アルミニウムがセラミックス由来であったのか金属板由来であったのか区別することができない。したがって上記観点においても本発明のメタライゼーションはどのようなものであるのかが明確ではない。 （中略） 本件特許発明２～１１もまた明確ではない。 また、本件特許請求項３に記載の「出力」に関し、本件特許明細書では、エネルギー密度に関して制御していることがわかるが、その他を含むものであるのか否かが不明瞭である。（中略）前記内容を考慮すると出力とはどのようなものを指すのか、単なる加工エネルギーを含むのか否かが明確ではないため、本件特許発明３及びそれを引用する請求項に係る発明４～１１は明確ではない。」（特許異議申立書３．（４）イ．（オ）及び（カ）） エ 理由４（進歩性） 進歩性に関する特許異議申立人の主張（特許異議申立書３．（４）エ．（ア）～（ク）））をまとめると、以下のとおりである。 本件特許発明１は、甲１発明及び甲２記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 本件特許発明２は、甲１発明と甲２ないし甲４記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 本件特許発明３は、甲１発明と甲２及び甲３記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 本件特許発明４～１１は、甲１発明と甲２記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 甲第１号証：特開２０１６－１９５２４４号公報 甲第２号証：Laser Machining of Structural Ceramics: Computational and Experimental Analysis 甲第３号証：Enhanced Extraction Efficiency of InGaN-Based Light-Emitting Diodes Using 100-kHz Femtosecond-Laser-Scribing Technology 甲第４号証：絵とき「レーザ加工」基礎のきそ なお、甲第５号証（特開２０００－８２７６３号公報）は、明確性違反を説明するために提出された文献である。 （２）特許異議申立人の申立理由についての検討 ア 理由１（実施可能要件）について 特許異議申立人が主張するように、セラミック基板の種類が異なることにより、同じ条件でレーザー照射を行っても、アモルファス相の厚さが異なることがいえるかもしれない。 しかし、発明の詳細な説明の【００９６】～【０１２０】には、レーザー照射の条件として、レーザーの種類、パルス持続時間、パルスエネルギー、出力、加工速度、スポット径、周波数に関する具体的な数値の記載があり、当該記載の範囲内でレーザー照射を行うことにより、本件特許発明１で限定されたアモルファス相の厚さとすることは当業者であれば実施可能であるといえる。 したがって、本件特許の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件特許発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。 また、本件特許発明２～１１についても同様である。 よって、理由１（実施可能要件）についての特許異議申立人の主張を採用することはできない。 イ 理由２（サポート要件）について 本件特許掲載公報の【００７８】、【００７９】には、セラミック基板として、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等が挙げられており、発明の詳細な説明の【００９６】～【０１２０】には、レーザー照射の条件として、レーザーの種類、パルス持続時間、パルスエネルギー、出力、加工速度、スポット径、周波数に関する具体的な数値の記載があることから、当該記載の範囲内でレーザー照射を行うことにより、「酸化アルミニウム基板」だけでなく、「セラミック－金属基板（１）」まで拡張ないし一般化した基板を作製できるといえ、本件特許発明１～１１は発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、理由２（サポート要件）についての特許異議申立人の主張を採用することはできない。 ウ 理由３（明確性要件）について （ア）特許異議申立人の主張は、以下の主張に分けられる。 ａ 「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在」する構成（構成Ｃ）に関して （ａ）アモルファス相であるか否かについて、本件特許明細書においてＳＥＭ像における見た目の明らかな違いで判断しているが、アモルファス相であるか否かはＳＥＭ像の見た目のみでは判断できない。（以下、「主張１」という。） （ｂ）「相」とはどのような状態のものを指すのかが明確ではない。（以下、「主張２」という。） （ｃ）「アモルファス相」とはどのような状態のものを指すのかが明確ではない。（以下、「主張３」という。） （ｄ）一部でも、アモルファス相の幅の数値が規定されていることと延在することとの相関が不明瞭である。（以下、「主張４」という。） （ｅ）ＳＥＭ像での見た目の明らかな違いと、その違いがアモルファス相を表すことの相関について裏付けがなく、「アモルファス相」とはどのようなものであるのかが明確でなく、ＳＥＭ像での見た目の異なる領域とは、どの程度見た目が異なればよいのかが明確ではない。（以下、「主張５」という。） （ｆ）「延在」は、「延びて存在すること」であるが、本件特許請求項１に係る発明は、どの程度長く広がったスクライブラインを有しているのか明確ではない。（以下、「主張６」という。） （ｇ）アモルファス相の厚みが非対称であった場合には、片方でもアモルファス相の厚みが条件を満たしていればよいのか、いずれもアモルファス相の厚みの条件を満たさなければならないのかが本件特許請求項１の記載からは明確ではない。（以下、「主張７」という。） ｂ 「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆」する構成（構成Ｄ）に関して （ａ）「メタライゼーション（３）を被覆せず」とはどのような状態を指すのかが本件特許請求項１では明らかではない。（以下、「主張８」という。） （ｂ）どのような観測・測定方法を用いればメタライゼーションを被覆しているか否かを区別できるのかについて不明瞭である。（以下、「主張９」という。） （ｃ）セラミック由来によって生成した金属アルミニウムもメタライゼーションとするのか否かが明確ではない。（以下、「主張１０」という。） （ｄ）セラミックスが窒化アルミニウムで金属板がアルミニウムであった場合、観測される金属アルミニウムがセラミックス由来であったのか金属板由来であったのか区別することができず、本発明のメタライゼーションはどのようなものであるのかが明確ではない。（以下、「主張１１」という。） ｃ 請求項３の「出力」に関して 出力とはどのようなものを指すのか、単なる加工エネルギーを含むのか否かが明確ではない。（以下、「主張１２」という。） （イ）主張１～主張１２について検討する。 ａ 主張１～主張７について 特許異議申立人は、主張１～主張７を主張することにより、構成Ｃを含む本件特許発明１が明確でないことを主張しているものである。 （ａ）主張１について 本件特許発明１は、アモルファス相の幅をＳＥＭ像における見た目の違いで判断することを限定した発明ではなく、主張１は、構成Ｃが明確であるか否かに関する主張ではない。 よって、主張１を採用することはできない。 （ｂ）主張２、３について 「相」、「アモルファス相」に関して、特許異議申立人は、広辞苑第６版の記載を根拠として明確でない旨の主張をしているものであるが、当該広辞苑第６版には、「相」について、特許異議申立人が摘記した記載以外に、以下のような記載がある。 〔理〕(phase)物質系の一部がその内部で物理的・化学的に全く同一性質を示す時、その部分が同じ相にあるという。 また、大辞林には、「相」について以下のように記載されている。 〔phase〕物質系の中で，状態が均一でかつ明確な境界をもち，他と区別される領域。 以上の記載から、「相」は、状態が均一でかつ明確な境界をもち，他と区別される領域の状態を指し、「アモルファス相」は、アモルファスの領域と他の領域との境界が明確であり、区別できる状態を指すものであって、「相」、「アモルファス相」は、いずれもどのような状態のものを指すのかが明確である。 よって、主張２、３を採用することはできない。 （ｃ）主張４について 本件特許掲載公報の【００６７】の記載より、幅ａの範囲内において、アモルファス相が延在するように存在すればよく、「幅ａの範囲で延在」するとの記載は明確である。 よって、主張４を採用することはできない。 （ｄ）主張５について 本件特許発明１は、ＳＥＭ像での見た目の明らかな違いについて限定した発明ではなく、ＳＥＭ像での見た目の明らかな違いと、その違いがアモルファス相を表すことの相関について裏付けがないこと、ＳＥＭ像での見た目の異なる領域とは、どの程度見た目が異なればよいのかが明確ではないことについての主張は、構成Ｃが明確であるか否かに関する主張ではない。 また、「アモルファス相」とはどのようなものであるのかが明確でないとの主張については、上記（ｂ）で検討したとおりであり、採用することはできない。 よって、主張５を採用することはできない。 （ｅ）主張６について スクライブラインは、破断に必要な長さであれば良く、どの程度長く広がっているかについての限定がないことをもって、構成Ｃが明確でないということはできない。 よって、主張６を採用することはできない。 （ｆ）主張７について アモルファス相の厚みが対称であるか否かに関わらず、アモルファス相（５）が幅ａの範囲であればよいのであって、アモルファス相の幅に関する構成Ｃの記載は明確である。 よって、主張７を採用することはできない。 以上のように、主張１～主張７を採用することはできず、「アモルファス相（５）が、スクライブライン（４）及び／又は切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在し、」との記載（構成Ｃ）は、明確である。 ｂ 主張８～主張１１について 特許異議申立人は、主張８～主張１１を主張することにより、構成Ｄを含む本件特許発明１が明確でないことを主張しているものである。 （ａ）主張８について 主張８については、取消理由通知に記載した取消理由と同様であり、上記１で検討したとおりである。 （ｂ）主張９について メタライゼーションを被覆しているか否かがわかるような観測・測定方法であれば良いものであって、観測・測定方法を限定しなくても、「メタライゼーション（３）を被覆せず」との記載は明確である。 以上より、主張９を採用することはできない。 （ｃ）主張１０、１１について 発明の詳細な説明の【００３３】に「セラミック基板上に形成されるメタライゼーションには形成されないことが好ましい。」と記載されているように、メタライゼーションとは、セラミック基板上に形成されるものであって、「メタライゼーション」とはどのようなものであるかは明確であり、「メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆」する構成Ｄは明確である。 なお、セラミック由来によって生成した金属アルミニウムもメタライゼーションとするのか否かとの主張（主張１０）や、セラミックスが窒化アルミニウムで金属板がアルミニウムであった場合、観測される金属アルミニウムがセラミックス由来であったのか金属板由来であったのか区別することができない（主張１１）との主張は、構成Ｄが明確であるか否かとは関係がない主張である。 よって、主張１０、１１を採用することはできない。 ｃ 主張１２について 請求項３では、「出力」についての限定はないものの、発明の詳細な説明の【００９９】に、出力に関しての様々な例が開示されているように、「出力」として様々なものを想定すれば良く、「出力」の限定がないことをもって、本件特許発明３が明確でないということはできない。 よって、主張１２を採用することはできない。 以上のとおり、理由３（明確性要件）についての特許異議申立人の主張はいずれも採用することができない。 エ 理由４（進歩性）について （ア）各甲号証について ａ 甲第１号証（特開２０１６－１９５２４４号公報） （ａ）甲第１号証の記載事項 甲第１号証には、以下のような記載がある。 【請求項２】 請求項１に記載の窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法において、前記辺ブレークライン及び前記角ブレークラインをファイバレーザにより形成することを特徴とする窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法。 【００３１】 (2) 角ブレークラインの形成 窒化珪素系セラミックス焼結基板1を窒化珪素系セラミックス集合基板12と辺マージン部16とに分割する際に、窒化珪素系セラミックス集合基板12の四隅に亀裂や欠けが生じるのを防止するために、隣接する辺ブレークライン13の各交点15の近傍に、辺ブレークライン13の両方と交差する各角ブレークライン14を形成する。各角ブレークライン14は窒化珪素系セラミックス焼結基板1を貫通するスリットである。スリット状の角ブレークライン14を基板に形成することより、窒化珪素系セラミックス集合基板12の四隅での応力集中が緩和される。 【００４７】 実施例1 95質量％の窒化珪素粉末、2質量％のMgO粉末、及び3質量％のY2O3粉末からなるセラミック成分100質量部に対して、バインダ樹脂成分を質量部で20％含有するシート状成形体を最高温度1850℃で5時間焼結し、厚さ0.32 mmで、縦150 mm及び横200 mmの矩形状の窒化珪素系セラミックス焼結基板1を作製した。ファイバレーザ（波長：1.06μm、出力100W、発振周波数：50 kHz）を用いて、窒化珪素系セラミックス焼結基板1の外縁部10の内側に幅35μm及び深さ120μmの4本の辺ブレークライン13を形成した。辺マージン部16の幅は窒化珪素系セラミックス焼結基板の長手方向で5 mm、窒化珪素系セラミックス焼結基板の短手方向で6mmとした。さらに、同じファイバレーザを用いて以下の条件でスリット状の角ブレークライン14を形成した。 ファイバレーザビームスポットの直径：35μm ビームスポットの走査速度：200 mm/s ビームスポットの照射ピッチ：4μm ビームスポットの走査回数：10回 角ブレークラインの幅：35μm 角ブレークラインの全長：4.2 mm 角ブレークラインの進出長さL1：0.7 mm 角ブレークラインの辺ブレークラインに対する交差角：45° 【００４８】 窒化珪素系セラミックス焼結基板1を各辺ブレークライン13に沿って折り、面取り部22を有する窒化珪素系セラミックス集合基板12と辺マージン部16及び角マージン部17とに分割した。角マージン部17は辺マージン部16に付着した状態で分離され、別個の端材にならなかった。上記の分離作業の後、アルミナ砥粒を用いた湿式ブラスト処理により、窒化珪素系セラミックス集合基板12の表面および裏面のクリーニングと表面粗さ調整を行った。 【００５０】 窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面にろう材ペーストをスクリーン印刷法で塗布した。ろう材は、70質量％のAg、3質量％のIn、及び27質量％のCuからなる合金粉末（合計100質量部）に対して、0.3質量部のTiH2を添加し、さらに有機溶剤とバインダー成分を添加したペーストであった。ろう材を乾燥した後、窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に厚さ0.3 mmの第一及び第二の銅板を配置し、真空中で加圧しながら800℃で20分間加熱し、窒化珪素系セラミックス集合基板12に第一及び第二の銅板を接合した。接合後のろう材層の厚さは約30μmであった。 【図１】 ［図：0001407847000002.jpg］ 【図４（ａ）】 ［図：0001407847000003.jpg］ 【図５（ａ）】 ［図：0001407847000004.jpg］ 【図５（ｂ）】 ［図：0001407847000005.jpg］ （ｂ）甲１発明 （ｂ－１）【００５０】の記載から、窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に第一及び第二の銅板を配置し接合した構成が記載されている。 （ｂ－２）【請求項２】、【００４７】の記載から、窒化珪素系セラミックス集合基板は、ファイバレーザにより形成された辺ブレークライン及び角ブレークラインを有している。 （ｂ－３）【００４８】の記載から、辺ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を折るためのものである。 （ｂ－４）【００３１】、【図４（ａ）】の記載から、角ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を貫通するスリットである。 （ｂ－５）【００４７】、【００４８】、【００５０】の記載から、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を作製し、辺ブレークライン及び角ブレークラインを形成し、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を各辺ブレークラインに沿って折り、面取り部22を有する窒化珪素系セラミックス集合基板12と辺マージン部16及び角マージン部17とに分割し、窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に第一及び第二の銅板を接合するものである。 また、【図５（ａ）】、【図５（ｂ）】をみると、辺ブレークライン及び角ブレークラインよりも内側に第一及び第二の銅板が配置されていることが見て取れる。 そうすると、辺ブレークライン及び角ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス集合基板に形成されており、第一及び第二の銅板には形成されないものであるといえる。 上記（ｂ－１）～（ｂ－５）をまとめると、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 （甲１発明） 窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に第一及び第二の銅板を配置し接合した構成であって、 窒化珪素系セラミックス集合基板12は、ファイバレーザにより形成された辺ブレークライン及び角ブレークラインを有し、 辺ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を折るためのものであり、 角ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を貫通するスリットであり、 辺ブレークライン及び角ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス集合基板12に形成されており、第一及び第二の銅板には形成されないものである構成。 ｂ 甲第２号証（Laser Machining of Structural Ceramics: Computational and Experimental Analysis） （ａ）甲第２号証の記載事項 甲第２号証には、以下のような記載がある。なお、訳については、特許異議申立人が提出した訳を参考にした。 ［図：0001407847000006.jpg］ ［図：0001407847000007.jpg］ ［図：0001407847000008.jpg］ ［図：0001407847000009.jpg］ （９０～９３頁） （訳） 寸法２５．４ｍｍ×２５．４ｍｍ×４．５ｍｍの破片は、緻密なＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＭｇＯから製造された。ＪＫ７０１パルスＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ）を使用して、ｐ ０．５ｍｓ、ｆ ２０Ｈｚ、ｅ ４Ｊのレーザビームを、８０ｐｓｉ（５．５ｂａｒ）の圧力でカバーガスとして空気を使用しながら、５ｉｎ／ｍｉｎ（２．１１ｍｍ／ｓ）、１０ｉｎ／ｍｉｎ（４．２３ｍｍ／ｓ）、１２ｉｎ／ｍｉｎ（５．０８ｍｍ／ｓ）、１５ｉｎ／ｍｉｎ（６．３５ｍｍ／ｓ）で１回通過させて、これらのセラミックを機械加工（切断）した。これらの速度は、破損のない合理的な切断のために過去の経験に基づいて選択されており、この研究は、残りのレーザ加工パラメータを適切に組み合わせて、任意の希望の加工速度に拡張できる。（中略） これらの加工条件下で各セラミックの３つの試験片が機械加工され、さらなる分析に使用された。試験片はランダムな順序（最初の試験片で２．１１、５．０８、４．２３、６．３５ｍｍ／ｓ、続いて２番目の試験片で５．０８、６．３５、２．１１、４．２３ｍｍ／ｓ、そして３番目の試験片で４．２３、２．１１、６．３５、５．０８ｍｍ／ｓ）で処理され、（中略） 機械加工された試験片がＩｍａｇｅＪ（商標）のソフトウェアによって各試験片の３つの異なる位置で断面図（図４．１）から切り込みの深さを測定するために断面化され、平均値が各加工条件についてレポートされた。表面はＨｉｔａｃｈｉ Ｓ４３００Ｎ ＳＥＭによって特性評価され、これらのＳＥＭ画像は図４．１の挿入図に示されている。（後略） （ｂ）甲２技術 上記（ａ）より、甲第２号証には、以下の技術（以下、「甲２技術」という。）が記載されている。 （甲２技術） Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＭｇＯから製造された破片は、ＹＡＧレーザを使用して、レーザビームを１回通過させ、機械加工（切断）することにより製造され、 図４．１の挿入図に示されているようなＳＥＭ画像のものとなる技術。 ｃ 甲第３号証（Enhanced Extraction Efficiency of InGaN-Based Light-Emitting Diodes Using 100-kHz Femtosecond-Laser-Scribing Technology）の記載事項 甲第３号証には、以下のような記載がある。なお、訳については、特許異議申立人が提出した訳を参考にした。 ［図：0001407847000010.jpg］ ［図：0001407847000011.jpg］ ［図：0001407847000012.jpg］ ［図：0001407847000013.jpg］ （２１３頁右欄～２１５頁左欄） （訳） （前略）レーザスクライビング後のサファイア基板の表面状態を評価するために、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、制限視野電子回折パターン（ＳＡＤＰ）を使用して測定した。 （中略）レーザがウェハーに当たると、レーザ出力によって発生した熱が集束レーザビームスポット付近の温度を大幅に上昇させ、局所的にサファイア基板を溶かし、さらにパルス持続時間中に材料中に拡散する。（中略）アブレーションプロセス中に、蒸発したサファイアは通常、５０μｍよりはるかに大きな寸法の試験片や粒子を表面に生成する。図１（ｃ）と（ｄ）は、基板をスクライビングして分離した後のサファイアの断面光学画像とＳＥＭ画像を示している。かなりの量のサファイア液滴が残り、側壁に強く結合する。（中略） 図３は、ナノ秒レーザスクライビングを使用して準備され、集束イオンビーム（ＦＩＢ）リフトアウト技術を使用して空気にさらされたサンプルのＴＥＭ画像とＳＡＤＰ画像を示している。損傷領域近くのサファイア基板の回折パターンは、多結晶相及び／又はアモルファス相の組み合わせを示しますが、レーザによる損傷領域から遠く離れた回折パターンは依然として単結晶層を維持している。（後略） ｄ 甲第４号証（絵とき「レーザ加工」基礎のきそ）の記載事項 甲第４号証には、以下のような記載がある。 なお、アブレーションは一般にパルス幅がピコ秒、フェムト秒の場合に起こる現象ですが、高分子材料で、結合エネルギーより光子エネルギーが大きい場合には、必ずしも超短パルスでなくてもナノ秒の紫外線短パルスレーザでアブレーション現象は起こります。（９８頁） ｅ 甲第５号証（特開２０００－８２７６３号公報）の記載事項 甲第５号証には、以下のような記載がある。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】このような窒化アルミニウム基板表面に加工部を高密度エネルギー法により形成すると、高密度エネルギーにさらされた被処理表面近くに金属アルミニウムの析出が発見された。（後略） （イ）本件特許発明１について 特許異議申立人は、本件特許発明１について、甲１発明及び甲２記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであると主張しているので、この点について以下で検討する。 ａ 本件特許発明１と甲１発明との対比 （ａ）構成Ａ、Ｆについて 甲１発明の「窒化珪素系セラミックス集合基板12」は、本件特許発明１の「セラミック基板（２）」に相当する。 甲１発明の「銅板」は、窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に配置し接合したものであるから、本件特許発明１の「当該セラミック基板の少なくとも一側面上にメタライゼーション（３）」に相当する。 甲１発明の「窒化珪素系セラミックス集合基板12の両面に第一及び第二の銅板を配置し接合した構成」は、セラミック（窒化珪素系セラミックス集合基板12）と金属（銅板）からなる基板といえるから、本件特許発明１の「セラミック－金属基板（１）」に相当する。 以上より、甲１発明は、本件特許発明１の構成Ａ、Ｆに相当する構成を有している。 （ｂ）構成Ｂについて 甲１発明の「辺ブレークライン」は、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を折るためのものであるから、破断するためのラインといえる。また、「角ブレークライン」は、窒化珪素系セラミックス焼結基板1を貫通するスリットであり、切断されるラインであるといえる。 そうすると、甲１発明の「辺ブレークライン」、「角ブレークライン」は、それぞれ、本件特許発明１の「スクライブライン（４）」、「切断エッジ（８）」に相当する。 以上より、甲１発明は、本件特許発明１の構成Ｂに相当する構成を有している。 （ｃ）構成Ｃについて アモルファス相の形成に関して、本件特許掲載公報の【背景技術】の項には以下のような記載がある。 【０００７】 レーザアブレーションの両方の場合において、セラミック基板は、レーザビーム及び関連する熱エネルギーの導入によって溶融される。これにより、セラミック材料にスクライブラインに沿って、又はスクライブもしくは切断により生じたエッジ（以下、切断エッジと称する）に沿って、アモルファス相が形成される。 すなわち、セラミック基板に対して、レーザによりスクライブラインもしくは切断エッジを形成すると、スクライブラインもしくは切断エッジに沿ってアモルファス相が形成されることといえる。 そうすると、甲１発明の窒化珪素系セラミックス集合基板においても、ファイバレーザにより形成された辺ブレークライン及び角ブレークラインに沿ってアモルファス相が形成されるものといえる。 よって、本件特許発明１と甲１発明とは、「アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に」存在する点で共通する。 しかし、本件特許発明１は、アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在することを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （ｄ）構成Ｄについて 甲１発明は、「辺ブレークライン及び角ブレークラインは、窒化珪素系セラミックス集合基板に形成されており、第一及び第二の銅板には形成されないものである」。 上記（ｃ）で検討したように、甲１発明においても、辺ブレークライン及び角ブレークラインに沿ってアモルファス相が形成されるといえることから、当該アモルファス相は、窒化珪素系セラミックス集合基板に形成され、銅板には形成されないものといえる。 そうすると、甲１発明は、本件特許発明１の構成Ｄのように「前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆」する構成であるといえる。 （ｅ）構成Ｅ～Ｅ４について 本件特許発明１は、 「前記アモルファス相（５）は、 前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）のエッジ（６）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は 前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）の中心線（７）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在するか、 又は 前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から始まりかつ前記切断エッジ（８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は 前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から始まりかつ前記切断エッジ（８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在するか」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 ｂ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明１と甲１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） セラミック基板（２）と、当該セラミック基板の少なくとも一側面上にメタライゼーション（３）と、を含むセラミック－金属基板（１）であって、 前記セラミック基板（２）が少なくとも１つのスクライブライン（４）及び／又は切断エッジ（８）を有し、 アモルファス相（５）が、前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に存在し、 前記アモルファス相（５）が、メタライゼーション（３）を被覆せず、前記セラミック基板（２）のみを被覆する、 ことを特徴とするセラミック－金属基板（１）。 （相違点） 前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に存在するアモルファス相に関して、本件特許発明１は、 「前記スクライブライン（４）及び／又は前記切断エッジ（８）に平行に幅ａの範囲で延在し、」 「前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）のエッジ（６）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は 前記スクライブライン（４）から始まりかつ前記スクライブライン（４）に平行に延びると共に前記スクライブライン（４）の中心線（７）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在するか、 又は 前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から始まりかつ前記切断エッジ（８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の内縁（１１）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大５０μｍの範囲で延在するか、 又は 前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から始まりかつ前記切断エッジ８）に平行に延びると共に前記切断エッジ（８）の外縁（１２）から計算される幅ａが少なくとも２０μｍ且つ最大１００μｍの範囲で延在する」ことを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 ｃ 検討 上記相違点について検討する。 甲２技術は、セラミックをファイバレーザでなく、ＹＡＧレーザを使用して機械加工（切断）し、図４．１の挿入図に示されているようなＳＥＭ画像のものとなる技術であるが、そのうち、窒化珪素すなわちＳｉ３Ｎ４に係るＳＥＭ画像は図４．１の上から２段目の画像である。 そうすると、窒化珪素系セラミックス集合基板に関する発明である甲１発明において、そもそも甲２技術をあえて適用すべき動機は見当たらないが、甲２技術を適用したとしても、ファイバレーザに代えて、ＹＡＧレーザを使用し、レーザビームを１回通過させ、機械加工（切断）することにより、図４．１の上から２段目の画像に示されているようなＳＥＭ画像のものとなるものである。 本件特許掲載公報の【００６５】には、「結晶及びアモルファス構造、即ち、特にセラミックス相及びアモルファス相は、ＳＥＭ画像によって明確に決定することができる。アモルファス相の幅も、ＳＥＭ画像によって導き出すことができる。」と記載されているように、アモルファス相の幅はＳＥＭ画像によって決定できることが知られているといえる。 しかし、図４．１の上から２段目のＳＥＭ画像をみても、甲１発明に甲２技術を組み合わせた場合に、アモルファス相が生成されているとしても、その幅が構成Ｅ１～Ｅ４のような幅になるとまでは認めることはできず、当業者であっても、甲１発明において、相違点に係る構成（特に、構成Ｅ１～Ｅ４）を導き出すことはできない。 よって、本件特許発明１は、甲１発明及び甲２技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ｄ 特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は、甲第２号証に関して以下の主張をしている。 「甲２記載の技術は、セラミック基板であって（上記構成ａ２）、ＳＥＭ像において見た目が明らかに異なる領域が、スクライブライン及び／又は切断エッジに平行に延在し（上記構成ｃ２）、ＳＥＭ像での見え方に違いのある領域の厚みが約２３μｍであるセラミック基板である（上記構成ｅ２）。（中略）他方、本件特許発明１の上記Ｃ、Ｅの「アモルファス相」は、甲第２号証に直接的には記載されていない。 しかしながら、上述したように、上記構成Ｃの「アモルファス相」は、本件特許明細書においてＳＥＭ像の見た目が異なる領域と定義されているため、甲第２号証に記載の図４．１に記載のＳＥＭ像において見た目が異なる領域はアモルファス相であると特定することができる。そのため、本件特許請求項１の上記構成Ｃの「アモルファス相」は、甲第２号証に示唆されている。 また、本件特許請求項１の上記構成Ｅについて、甲第２号証の図４．１、特に、図４．１の最上左のＳＥＭ像の拡大図中の０．２５ｍｍ（申立人が矩形で示した）において、ＳＥＭ像での見え方に違いのある領域（白く見える）の厚みが約２３μｍである（図から看取）。そのため、甲第２号証は、本件特許請求項１の上記構成Ｅを示唆している。なお、０．２５ｍｍは２５０μｍである。」（特許異議申立書２２頁） 上記特許異議申立人の主張について検討すると、そもそも、甲第２号証の図４．１の最上左のＳＥＭ像の拡大図中の０．２５ｍｍ（申立人が矩形で示した）において、ＳＥＭ像での見え方に違いのある領域（白く見える）の厚みが約２３μｍであるか否かは、図を見ただけでは不明確である。 また、仮に、甲第２号証の図４．１の最上左のＳＥＭ像での見え方に違いのある領域（白く見える）の厚みが約２３μｍであり、さらに、その部分がアモルファス相であるとしても、特許異議申立人が提示する甲第２号証の図４．１の最上左のＳＥＭ像は、Ａｌ２Ｏ３から製造された破片であり、窒化珪素系セラミックス集合基板に関する発明である甲１発明に組み合わせても、甲１発明におけるアモルファス相の幅が構成Ｅ１～Ｅ４のような幅になると認めることはできない。 よって、甲第２号証に関する特許異議申立人の主張を採用することはできない。 （ウ）本件特許発明２～１１について 本件特許発明２～１１は、本件特許発明１を直接若しくは間接に引用する発明であるから、少なくとも、上記（イ）ｂの相違点を有するものである。 よって、本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件特許発明２～１１は、甲１発明及び甲２技術から容易に発明できたものでなく、また、甲第３号証及び甲第４号証を見ても、当該相違点に係る構成が容易に発明できたものではない。 したがって、本件特許発明２は、甲１発明と甲２ないし甲４記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件特許発明３は、甲１発明と甲２及び甲３記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 さらに、本件特許発明４～１１は、甲１発明と甲２記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第５ むすび したがって、請求項１～１１に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。 また、他に請求項１～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。