2023-701132

特許第７２６４６２７号発明「セラミック板、半導体装置および半導体モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２６４６２７号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３、４、６～１１〕、２、５について訂正することを認める。 特許第７２６４６２７号の請求項１、３、４、６～１１に係る特許を維持する。 特許第７２６４６２７号の請求項２、５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２６４６２７号の請求項１～１１に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、平成３０年１１月２９日（優先権主張 平成２９年１２月２１日）に出願され、令和 ５年 ４月１７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２５日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年１０月２３日 ：特許異議申立人小松茂夫（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ６年 １月１７日付け ：取消理由通知書 令和 ６年 ３月２５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ６年 ５月 ８日 ：申立人による意見書の提出 令和 ６年 ６月２６日付け ：取消理由通知書（決定の予告） 令和 ６年 ８月２３日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ６年１１月 １日 ：特許権者による令和 ６年８月２３日提出の訂正請求書についての手続補正書（方式）の提出 なお、令和 ６年１１月１３日付けで申立人に対して訂正請求があった旨を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から応答はなかった。 第２ 訂正の適否 令和 ６年１１月 １日提出の手続補正書（方式）により補正された令和 ６年 ８月２３日提出の訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正（以下、「本件訂正」という。）について検討する。 １ 本件訂正の趣旨 本件訂正の請求の趣旨は、特許第７２６４６２７号の明細書及び特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～１１について訂正することを求める、というものである。 なお、令和 ６年 ３月２５日提出の訂正請求書による訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 ２ 訂正の内容 本件訂正の内容は、訂正事項１～９よりなるものであって、以下のとおりである（下線は当審にて付した）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在し、前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく、断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上である」と記載されているのを、「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在し、前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく、断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上であり、前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍であり、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」に訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２～１１も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「前記第２結晶は、単結晶である、請求項１又は２に記載のセラミック板。」と記載されているのを、「前記第２結晶は、単結晶である、請求項１に記載のセラミック板。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「前記第１相は、多結晶である、請求項１～３のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「前記第１相は、多結晶である、請求項１又は３に記載のセラミック板。」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に「前記複数の第２結晶は柱状であり、前記第２結晶同士が互いに接している、請求項１～５のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「前記複数の第２結晶は柱状であり、前記第２結晶同士が互いに接している、請求項１、３、４のいずれかに記載のセラミック板。」に訂正する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に「前記第２結晶同士が互いに接している部分のうち中央部に、厚みが５ｎｍ以下のガラス層が存在する、請求項１～６のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「前記第２結晶同士が互いに接している部分のうち中央部に、厚みが５ｎｍ以下のガラス層が存在する、請求項１、３、４、６のいずれかに記載のセラミック板。」に訂正する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれかに記載のセラミック板と、前記セラミック板の表面に配置された半導体素子と、を備える半導体装置。」と記載されているのを、「請求項１、３、４、６、７、８のいずれかに記載のセラミック板と、前記セラミック板の表面に配置された半導体素子と、を備える半導体装置。」に訂正する。 （９）訂正事項９ 願書に添付した明細書の段落【０００６】に「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在し、前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく、断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上である」と記載されているのを、「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在し、前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく、断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上であり、前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍であり、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」に訂正する。 （１０）一群の請求項、及び別の訂正単位とする求めについて 訂正前の請求項２～１１が、本件訂正の請求の対象である請求項１の記載を引用する関係にあるから、本件訂正は、一群の請求項〔１～１１〕について請求されている。 また、訂正後の請求項２、５に係る訂正について、特許権者は、当該訂正が認められるときに請求項１とは別の訂正単位として扱われることを求めている。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１に記載された「第１結晶」及び「第２結晶」について、「第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍であり、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の請求項２及び５に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 さらに、訂正事項１は、上記のとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３及び４について 訂正事項３及び４は、訂正事項２により訂正前の請求項２が削除されたことに伴い、請求項３及び４の引用請求項から請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当し、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項５について 訂正事項５による訂正は、請求項５を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項６～８について 訂正事項６～８は、訂正事項２及び５により訂正前の請求項２及び５が削除されたことに伴い、請求項６、７及び９の引用請求項から請求項２及び５を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当し、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項９について 訂正事項９は、訂正事項１による訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図ることを目的とする訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当し、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （７）特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項１～１１に係る訂正事項１～９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （８）まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正した明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３、４、６～１１〕、２、５について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～１１に係る発明（以下、「本件発明１～１１」といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、訂正した特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、 前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、 前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在し、前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく、断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、 断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上であり、 前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍であり、 前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである、セラミック板。 【請求項２】（削除） 【請求項３】 前記第２結晶は、単結晶である、請求項１に記載のセラミック板。 【請求項４】 前記第１相は、多結晶である、請求項１又は３に記載のセラミック板。 【請求項５】（削除） 【請求項６】 前記複数の第２結晶は柱状であり、前記第２結晶同士が互いに接している、請求項１、３、４のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項７】 前記第２結晶同士が互いに接している部分のうち中央部に、厚みが５ｎｍ以下のガラス層が存在する、請求項１、３、４、６のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項８】 前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分のうち中央部に存在しているガラス厨よりも厚みが小さい、請求項７に記載のセラミック板。 【請求項９】 請求項１、３、４、６、７、８のいずれかに記載のセラミック板と、 前記セラミック板の表面に配置された半導体素子と、を備える半導体装置。 【請求項１０】 請求項９に記載の半導体装置と、 前記半導体素子と接している放熱体と、を備える半導体モジュール。 【請求項１１】 前記半導体素子と電気的に接続された外部接続導体、をさらに備える請求項１０に記載の半導体モジュール。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）で通知した取消理由について １ 取消理由の概要 （１）取消理由１ 請求項１、３、４、６～１１に係る発明は、「第１結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲と、「第２結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲が不明であり、また、それに伴い、「第１結晶を複数含む第１相」の範囲と、「第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相」の範囲が不明であり、さらに、ある具体的なセラミック板が、本件発明１、３、４、６～１１の「断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上である」構成を有するか否かを判断することができないから、明確ではない。 よって、請求項１、３、４、６～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 当審の判断 （１）取消理由１について ア 本件訂正により、本件発明１は、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」ものとなった。 したがって、本件発明１において、「第１結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲は、「長軸長さが０．１～１．０μｍであり」、「第２結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲は、「長軸長さが２～６μｍである」から、本件発明１は、「第１結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲と、「第２結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲が明確なものになった。 イ 上記アのとおり、本件発明１において、「第１結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲と、「第２結晶」に該当する複数の結晶の大きさの範囲が明確になったから、本件発明１は、「第１結晶を複数含む第１相」の範囲と、「第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相」の範囲も明確なものになった。 ウ 上記イのとおり、本件発明１において、「第１結晶を複数含む第１相」の範囲と、「第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相」の範囲が明確であるから、本件発明１は、ある具体的なセラミック板が、「断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上である」構成を有するか否かを判断することができるものとなり、明確になった。 エ 請求項３、４、６～１１の記載は、請求項１の記載を引用するものであり、本件発明３、４、６～１１は、本件発明１の構成をすべて有するものであるから、本件発明３、４、６～１１についても、上記ア～ウにおける検討と同様のことがいえる。 オ 上記ア～エのとおりであるから、本件発明１、３、４、６～１１は明確であり、本件特許の特許請求の範囲は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たすものであるから、取消理由１は解消した。 （２）小括 以上のとおりであるから、請求項１、３、４、６～１１に係る特許を、取消理由１によって取り消すことはできない。 第５ 取消理由（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許異議申立理由の概要 取消理由において採用しなかった、申立人が主張する特許異議申立理由（以下、「申立理由」という。）は、以下の申立理由１～申立理由４のとおりのものである。なお、申立人が提出した甲第１号証～甲第５号証を、以下、「甲１」～「甲５」という。 （１）申立理由１（実施可能要件） 本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、請求項１～１１に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）申立理由２（サポート要件） 請求項１、３～１１に係る発明は、本件特許に係る願書に添付した明細書の発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１、３～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （３）申立理由３（明確性要件） 請求項１～１１に係る発明は、明確でないから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （４）申立理由４（進歩性） 請求項１に係る発明は、甲１に記載された発明と、甲２又は甲３に記載された技術事項とに基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、請求項２～６に係る発明は、甲１に記載された発明と、甲２～甲４に記載された技術事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項７～１１に係る発明は、甲１に記載された発明と、甲２～甲５に記載された技術事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜甲号証＞ 甲１：特開平９－３２８３６５号公報 甲２：You Zhou et al.、“Development of high-thermal-conductivity silicon nitride ceramics”、Journal of Asian Ceramic Societies、２０１５年４月７日、第２２１頁～第２２９頁 甲３：平尾 喜代司 他３名、“組織制御による窒化ケイ素の高熱伝導化と放熱基板への展開”、Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy、Vol.64,No.8、２０１７年８月、第４３９頁～第４４４頁 甲４：特開平５－１０５５２２号公報 甲５：特開２００８－６３１８７号公報 ２ 当審の判断 （１）申立理由１（実施可能要件）について ア（ア）申立人は、特許異議申立書の第８頁第１５行～第９頁第５行において、請求項１には、「粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さく」と記載されているが、発明の詳細な説明からは、「弾性率」の測定方法が不明であるため、発明の詳細な説明の記載は、当業者が、請求項１～１１に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではない旨、主張している。 （イ）上記（ア）の主張について検討する。 例えば、特許権者が提出した乙第３号証（中上明光 他１名、“ナノインデンテーション法による薄膜の機械的特性評価”、神戸製鋼技報、Ｖｏｌ．５２、Ｎｏ．２、２００２年９月、第７４頁～第７７頁）の第７４頁左欄第８行～第１５行に「微小領域の硬さとヤング率の測定を、ナノインデンテーション（押込み）法によって、極低過重の押込み試験を高精度で行うことが可能となってきた。」「本手法の適用により」「セラミックス」「などの極薄膜や微小領域における硬さ，ヤング率が得られる。」と記載されているように、セラミックスの極微小領域のヤング率が、ナノインデンテーション法によって測定することができることは技術常識である。 そして、ヤング率が弾性率であることは技術常識であることを踏まえると、本件発明１、３、４、６～１１においてセラミックスの「第１結晶」、「第２結晶」、及び「粒界相」の「弾性率」が、ナノインデンテーション法によってヤング率を測定することによって得られるものであると理解できるから、発明の詳細な説明は、請求項１、３、４、６～１１に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。 よって、上記（ア）の主張を採用することはできない。 イ（ア）申立人は、特許異議申立書の第９頁第８行～第１８行において、請求項３には「前記第２結晶は、単結晶である」と記載され、請求項４には「前記第１相は、多結晶である」と記載されているが、発明の詳細な説明からは、どのようにして単結晶と多結晶を識別するのか、どのようにして単結晶および／または多結晶を含む構成を実現することができるのかが不明瞭であるから、発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項３及び４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでない旨、主張している。 （イ）上記（ア）の主張について検討する。 ａ 発明の詳細な説明の段落００１６に「第１結晶１および第２結晶２は」「柱状または長球状」「等の形状である。」及び「第１結晶１および第２結晶２の大きさは、例えば、柱状のものの長さまたは長球状のものの長軸の長さ（本明細書において両者を区別せずに長軸長さともいう。）によって特定する。これらの長軸長さは」「セラミック板１０の断面をＳＥＭなどの電子顕微鏡を用いた観察によって測定することができる。」と記載され、段落００２０に「第１結晶１および第２結晶２は柱状」「の結晶である」と記載されている。ここで、「柱状」「の結晶」が単結晶であることは技術常識から明らかであるから、上記発明の詳細な説明の記載から、ＳＥＭなどの電子顕微鏡を用いて、「第１結晶」及び「第２結晶」が柱状の結晶、すなわち単結晶であることを識別することができるといえる。 ｂ また、多結晶が複数の単結晶から構成されるものであることは技術常識であるところ、請求項１には「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相」と記載され、「第１相」は、「第１結晶」を複数含むものであるから、上記ａのとおり、ＳＥＭなどの電子顕微鏡を用いて「第１結晶」が単結晶であることを観察することにより、「第１相」が複数の単結晶を含む多結晶であることを識別することができることも、明らかである。 ｃ そして、発明の詳細な説明の段落００４０～段落００４４には、「第１結晶１」及び「第２結晶２」を有する「セラミック板１０」の製造方法が記載されているから、多結晶である「第１相」及び単結晶である「第２結晶」含む構成を実現する方法が記載されているといえる。 ｄ 上記ａ～ｃのとおりであるから、発明の詳細な説明は、当業者が本件発明３及び４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである。 上記（ア）の主張を採用することはできない。 ウ 上記ア及びイのとおりであるから、請求項１、３、４、６～１１に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえない。 よって、申立理由１は理由がない。 （２）申立理由２（サポート要件）について ア 申立人は、特許異議申立書の第９頁下から８行～第１０頁下から１０行において、請求項１には、「断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上」と記載され、第１相、第２相、粒界の面積の割合は定義されているが、第１結晶及び第２結晶の大きさは定義されていないところ、発明の詳細な説明に開示された「第１結晶１の大きさは、例えば０．１～１．０μｍ程度であり、第２結晶２の大きさは、例えば２～６μｍ程度である」場合の第１相、第２相、粒界相の面積の割合を、第１結晶及び第２結晶の大きさが定義されない場合の第１相、第２相、粒界相の面積の割合にまで拡張ないし一般化することはできないから、本件発明１～１１は、発明の詳細な説明に記載されたものではない旨、主張している。 イ 上記アの主張について検討する。上記第４の２（１）アのとおり、本件訂正により、本件発明１は、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０ｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」ものとなり、「第１結晶」及び「第２結晶」の大きさは定義されるものとなったから、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。 また、請求項３、４、６～１１の記載は、請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明３、４、６～１１は、本件発明１の構成をすべて備えるものであるから、本件発明３、４、６～１１も、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。 したがって、上記アの主張を採用することはできない。 イ よって、請求項１、３、４、６～１１に係る特許が、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、申立理由２は理由がない。 （３）申立理由３（明確性要件）について ア 申立人は、特許異議申立書の第１０頁下から４行～第１１頁第５行において、請求項１に記載された「弾性率」が、理論値を指しているものなのか、測定値を指しているものなのかが不明であるから、本件発明１～１１は、明確ではない旨主張している。 イ 上記アの主張について検討する。 上記（１）ア（イ）の検討によれば、本件発明１、３、４、６～１１の「弾性率」が、ヤング率として測定されるものであることは明らかである。 したがって、本件発明１、３、４、６～１１は明確であるから、上記アの主張を採用することはできず、請求項１、３、４、６～１１に係る特許が、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえない。 よって、申立理由３は理由がない。 （４）申立理由４（進歩性）について ア 甲号証の記載 （ア）甲１の記載と甲１発明について ａ 甲１には、以下の記載がある。 「【００１１】又、本発明は、焼結体の切断面の観察において中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子を含有する窒化珪素焼結体であって、前記中心部の短軸径が０．５μｍ以下の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の８０個数％以上含有することを特徴とする窒化珪素焼結体であり、焼結体の切断面の観察において中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子を含有する窒化珪素焼結体であって、前記中心部の短軸径が０．５μｍ以下の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の７０～９５個数％含有し、しかも短軸径が１．０μｍ以上の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の５～３０個数％含有することを特徴とする窒化珪素焼結体である。」 「【００４１】本発明の回路基板の製造方法としては、板状の窒化珪素焼結体又は研削加工等により板状に加工した窒化珪素焼結体と金属板とを接合した後、エッチング等の手法により回路を形成して製造することができる。・・・（中略）・・・ 【００４３】 【実施例】 〔実施例１～７、比較例１～５〕純度９８重量％で比表面積が２ｍ２／ｇの金属珪素粉末１００重量部にα率が９０重量％で比表面積が７ｍ２／ｇの窒化珪素粉末１０重量部を添加混合し、嵩密度が０．７ｇ／ｃｍ３に成形し、窒素分圧０．０９ＭＰａの窒素－アンモニアガス雰囲気下、温度１１００～１４５０℃に加熱して窒化珪素インゴット（インゴットＡ）を合成した。一方、純度９８重量％で比表面積が２ｍ２／ｇの金属珪素粉末１００重量部にα率が５重量％で比表面積が７ｍ２／ｇの窒化珪素粉末１００重量部を添加混合し、同様に成形、窒化して窒化珪素インゴット（インゴットＢ）を作製した。得られた窒化珪素インゴットについて粗砕後、乳鉢で粉砕して粉末Ｘ線回折法で測定したα率は、インゴットＡが９４重量％であり、インゴットＢが１０重量％であった。 【００４４】次に、それぞれの窒化珪素インゴットから、ジョークラッシャー及びロールクラッシャーで粗砕し、ボールミル及び振動ミルで粉砕して窒化珪素粉末Ａ及び窒化珪素粉末Ｂを製造した。窒化珪素粉末Ｂからは、更にメタノール中で窒化珪素製のポット及びボールを用いて遊星ミルで５０Ｈｒ粉砕して微粉末とした（以下窒化珪素微粉末Ｂという）。 【００４５】得られた窒化珪素粉末Ａ、Ｂ及び窒化珪素微粉末Ｂを表１に示す配合比で添加し、ボールミルで１Ｈｒ混合して窒化珪素粉末を製造した。これらの窒化珪素粉末は、粉末Ｘ線回折法によるα率、ＢＥＴ一点法による比表面積、レーザ回折散乱法による粒度分布及び酸素／窒素同時分析計（ＬＥＣＯ社：ＴＣ－４３６）による酸素量の測定を行った。 ・・・（中略）・・・ 【００４８】 【表１】 ［図：0001423440000001.jpg］ 【００４９】次に、前記窒化珪素粉末９１重量％に焼結助剤としてＹ2Ｏ3５重量％及びＡｌ2Ｏ3４重量％を添加し、媒体としてメタノールを用いた湿式ボールミルにより２０Ｈｒ混合し、濾過・乾燥し、メノウ乳鉢で解砕後、２００メッシュの篩い通しを行って混合粉末を作製した。次いで、これらの混合粉末を１０ＭＰａの圧力で金型成形した後、２００ＭＰａの圧力でＣＩＰ成形して３０×５０×８ｍｍの成形体を得た。これらの成形体は、カーボン容器中に窒化珪素粉末、焼結助剤及びＢＮ粉末の混合粉末に包埋して、カーボン発熱体の電気炉で、１ＭＰａの窒素加圧雰囲気下、１８００℃で８時間焼成して焼結体を作製した。 【００５０】得られた焼結体は所定の形状に研削加工し、ＪＩＳ－Ｒ１６０１に準じた４点曲げ及びＪＩＳーＲ１６０７に準じたＩＦ法による破壊靱性の測定を行った。この結果を表２に示す。 【００５１】次に、焼結体の表面を鏡面研磨した後、８％の酸素ガスを含むＣＦ4ガス中において５０Ｗの出力で高周波プラズマを発生させて、２分間エッチングを行った。そしてエッチングした焼結体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。得られたＳＥＭ写真より、窒化珪素粒子中で中心部と周辺部が識別できるか否か、並びに中心部の短軸径を測定し、その結果を表２にまとめた。また、これらのＳＥＭ写真より、各焼結体中の窒化珪素粒子の短軸径及び長軸径を測定し、平均粒子径及び平均アスペクト比を算出した。ここで、平均アスペクト比は、全窒化珪素粒子のアスペクト比を測定し、大きい方から１０個数％の平均値を平均アスペクト比として用いた。 【００５２】前記ＳＥＭ写真の一例として、図１に実施例２のＳＥＭ写真を示す。本発明のの窒化珪素焼結体の組織は、窒化珪素粒子中に中心部と周辺部とが識別できることが分かる。」 「【００７８】 ・・・（中略）・・・ 【図面の簡単な説明】 【図１】実施例２の窒化珪素焼結体を研磨・エッチングした面のＳＥＭ写真。白色部が粒界相であり、黒色部が窒化珪素粒子である。」 「【図１】 ［図：0001423440000002.jpg］ 」 ｂ 上記ａによれば、以下のことがいえる。 （ａ）段落００１３には、「その焼結機構は」「窒化珪素粒子の再配列が起こり、更に窒化珪素粒子が液相に溶解し、高温で安定な結晶相のβ型窒化珪素として析出することにより進行することが知られている。」と記載されている。 よって、窒化珪素粒子は結晶相のβ型窒化珪素であるといえる。 （ｂ）段落００４１には「本発明の回路基板の製造方法としては、板状の窒化珪素焼結体」「と金属板とを接合した後、エッチング等の手法により回路を形成して製造することができる。」と記載されている。 よって、甲１には、回路基板を製造するための、板状の窒化珪素焼結体が記載されている。 （ｃ）段落００４５には「得られた窒化珪素粉末Ａ、Ｂ及び窒化珪素微粉末Ｂを表１に示す配合比で添加し、ボールミルで１Ｈｒ混合して窒化珪素粉末を製造した。」と記載され、表１には、実施例２において窒化珪素粉末Ａ及び窒化珪素微粉末Ｂをそれぞれ９５ｗｔ％及び５ｗｔ％の配合比で添加することが記載されている。 （ｄ）段落００５２には「前記ＳＥＭ写真の一例として、図１に実施例２のＳＥＭ写真を示す。」と記載され、段落００７８には【図１】について「白色部が粒界相であり、黒色部が窒化珪素粒子である。」と記載され、図１から、窒化珪素焼結体は、長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子と、長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子と、すべての窒化珪素粒子同士の間の粒界相とを含み、長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子は互いに接することが見て取れる。 （ｅ）上記ａ及び上記（ａ）～（ｄ）によれば、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。（当審注：各段落の後の括弧内は根拠となる甲１の段落番号等である。） ＜甲１発明＞ 「回路基板を製造するための、板状の窒化珪素焼結体であって、（上記ｂ） 窒化珪素焼結体は、 純度９８重量％で比表面積が２ｍ２／ｇの金属珪素粉末１００重量部にα率が９０重量％で比表面積が７ｍ２／ｇの窒化珪素粉末１０重量部を添加混合し、嵩密度が０．７ｇ／ｃｍ３に成形し、窒素分圧０．０９ＭＰａの窒素－アンモニアガス雰囲気下、温度１１００～１４５０℃に加熱して窒化珪素インゴット（インゴットＡ）を合成し、 一方、純度９８重量％で比表面積が２ｍ２／ｇの金属珪素粉末１００重量部にα率が５重量％で比表面積が７ｍ２／ｇの窒化珪素粉末１００重量部を添加混合し、同様に成形、窒化して窒化珪素インゴット（インゴットＢ）を作製し、（段落００４３） それぞれの窒化珪素インゴットから、ジョークラッシャー及びロールクラッシャーで粗砕し、ボールミル及び振動ミルで粉砕して窒化珪素粉末Ａ及び窒化珪素粉末Ｂを製造し、窒化珪素粉末Ｂから、更にメタノール中で窒化珪素製のポット及びボールを用いて遊星ミルで５０Ｈｒ粉砕して微粉末とし（以下窒化珪素微粉末Ｂという）、（段落００４４） 窒化珪素粉末Ａ及び窒化珪素微粉末Ｂをそれぞれ９５ｗｔ％及び５ｗｔ％の配合比で添加し、ボールミルで１Ｈｒ混合して窒化珪素粉末を製造し、（上記ｃ、段落００４５） 前記窒化珪素粉末９１重量％に焼結助剤としてＹ2Ｏ3５重量％及びＡｌ2Ｏ3４重量％を添加し、媒体としてメタノールを用いた湿式ボールミルにより２０Ｈｒ混合し、濾過・乾燥し、メノウ乳鉢で解砕後、２００メッシュの篩い通しを行って混合粉末を作製し、次いで、これらの混合粉末を１０ＭＰａの圧力で金型成形した後、２００ＭＰａの圧力でＣＩＰ成形して３０×５０×８ｍｍの成形体を得て、これらの成形体を、カーボン容器中に窒化珪素粉末、焼結助剤及びＢＮ粉末の混合粉末に包埋して、カーボン発熱体の電気炉で、１ＭＰａの窒素加圧雰囲気下、１８００℃で８時間焼成して作製した窒化珪素焼結体であり、（段落００４９） 窒化珪素焼結体は、長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子と、長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子と、すべての窒化珪素粒子同士の間の粒界相とを含み、長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子は互いに接し、（上記ｄ） 窒化珪素粒子は結晶相のβ型窒化珪素である、（上記ａ） 板状の窒化珪素焼結体。」 （イ）甲２の記載について 甲２には、以下の記載がある。 「 ［図：0001423440000003.jpg］ 」（当審訳：「図７ １９００℃で２４時間焼結したＳＲＢＳＮ材料内の亀裂経路（左から右に伝播）の走査型電子顕微鏡写真」） 「 ［図：0001423440000004.jpg］ 」（当審訳：「図８ （ａ）Ｆ０、（ｂ）Ｆ０．１、（ｃ）Ｆ１、（ｄ）Ｆ５のさまざまな量のＦｅを添加したＳＲＢＳＮの説明材料の研磨およびプラズマエッチングされた表面のＳＥＭ画像」） 「 ［図：0001423440000005.jpg］ 」（当審訳：「図９ （ａ）Ａｌ－０、（ｂ）Ａｌ－１、（ｃ）Ａｌ－２、（ｄ）Ａｌ－３ さまざまな量のＡｌを添加したＳＲＢＳＮ材料の研磨およびプラズマエッチングされた表面のＳＥＭ画像」） （ウ）甲３の記載について 甲３には、以下の記載がある。 「 ［図：0001423440000006.jpg］ 」（当審訳：「図２は、窒化ケイ素セラミックの熱伝導率に影響を与える微細構造要因」） 「 ［図：0001423440000007.jpg］ 」（当審訳：「図５ （ａ）ＳＲＢＳＮと、（ｂ）従来のガス圧焼結Ｓｉ３Ｎ４（焼結条件：１９００℃、２４ｈ、０．９ＭＰａ Ｎ２）の走査型電子顕微鏡写真」） イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明において、「窒化珪素粒子は結晶相」であるから、「長軸長さが小さい」「窒化珪素粒子」及び「長軸長さが大きい」「窒化珪素粒子」は、それぞれ、本件発明１の「窒化ケイ素の第１結晶」及び「前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶」に相当する。 また、甲１発明の「長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子」は、「結晶相」である「窒化珪素粒子」を複数含むものであるといえるから、本件発明１の「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相」に相当する。 さらに、甲１発明の「長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子」は、「結晶相」である「窒化珪素粒子」を複数含むものであり、かつ、「長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子は互いに接」するから、本件発明１の「前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相」に相当する。 ｂ 甲１発明の「すべての窒化珪素粒子同士の間の粒界相」「を含」むことは、「長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子」と「長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子」との間に「粒界相」が存在することに他ならないから、本件発明１の「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在」することに相当する。 ｃ 甲１発明の「板状の窒化珪素焼結体」は、窒化珪素焼結体がセラミックスであることは技術常識であるから、上記ａ及びｂを踏まえると、本件発明１と甲１発明とは、「第１相」と、「第２相」とを備え、「前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在」する「セラミック板」である点で共通する。 ｄ 上記ａ～ｃによれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、 前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、 前記第１相および前記第２相の間に粒界相が存在する、 セラミック板。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「前記粒界相の弾性率は前記第１結晶および前記第２結晶よりも小さ」いのに対し、甲１発明は、「粒界相」、「長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子」及び「長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子」の弾性率が不明である点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下であり、断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上であり、前記第２相の面積の割合が２０％以上であり、前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍であり、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである」のに対し、甲１発明は、「粒界相」、「長軸長さが小さい複数の窒化珪素粒子」及び「長軸長さが大きい複数の窒化珪素粒子」が、そのような面積の割合及び長軸長さを有することが特定されていない点。 （イ）上記相違点について検討する。 ａ 事案に鑑み、相違点２から検討する。 相違点２に係る本件発明１の構成である「断面視における前記粒界相の面積の割合が５％以上２０％以下」であること、「断面視における、前記第１相の面積の割合が４０％以上」であること、「前記第２相の面積の割合が２０％以上」であること、「前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍」であること、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍ」であること、「前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍ」であることは、相互に関連する一体不可分の構成であるといえるところ、甲２～甲５のいずれにも、相違点２に係る本件発明１の相互に関連する一体不可分の構成は記載されていない。 そうすると、甲１発明に甲２～甲５に記載された事項を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。 ｂ したがって、甲２～甲５に記載された事項を参照しても、甲１発明を、相違点２に係る本件発明１の構成を備えたものとすることは、当業者が容易に想到し得たことではない。 （ウ）小括 上記（イ）のとおりであるから、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明と、甲２～甲５に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 本件発明３、４、６～１１について 請求項３、４、６～１１の記載は、請求項１の記載を直接又は間接的に引用するものであるところ、本件発明３、４、６～１１は、本件発明１の構成をすべて備えるものであるから、甲１発明と、少なくとも相違点２と同様の点で相違するものであり、上記イ（イ）と同様の理由により、甲１発明と、甲２～甲５に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 申立理由４についてのまとめ 上記イ及びウによれば、請求項１、３、４、６～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 よって、申立理由４は、理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、請求項１、３、４、６～１１に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された申立理由によっては取り消すことはできない。 また、請求項２、５は、本件訂正により削除されたため、請求項２、５に係る特許に対する特許異議の申立ては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。