2023-700448

特許第７１６８７９６号発明「セラミック基板、複合基板及び回路基板並びにセラミック基板の製造方法、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法及び複数の回路基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１６８７９６号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１６８７９６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１２に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）１１月１３日（優先権主張 ２０１９年（令和１年）１１月１５日）を国際出願日とする出願であって、令和４年１０月３１日にその特許権の設定登録（特許掲載公報発行日 令和４年１１月９日）がされた。 その後、令和５年４月２８日に特許異議申立人佐々木毅（以下、「特許異議申立人」という。）により本件の請求項１～１２に係る特許に対する特許異議の申立てがなされ、甲第１号証ないし甲第７号証が提出された。 第２ 本件特許発明 本件特許の請求項１～１２に係る特許発明（以下「本件特許発明１」～「本件特許発明１２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～１２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 なお、本件特許発明１の各構成には、１Ａ～１Ｅの符号を当審で付した。以下、「構成１Ａ」～「構成１Ｅ」という。 「【請求項１】（本件特許発明１） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｂ その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、 １Ｃ 前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下であり、 １Ｄ 前記対角線は１５０ｍｍ以上であって １Ｅ 前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある １Ａ セラミック基板。 【請求項２】（本件特許発明２） 請求項１に記載のセラミック基板と、 前記セラミック基板の表面側に固定されている第１金属層と、 前記セラミック基板における裏面側に固定されている第２金属層と、 を備える複合基板。 【請求項３】（本件特許発明３） 請求項１又は２に記載のセラミック基板と、 前記セラミック基板の表面側に形成されている回路パターンと、 前記セラミック基板における裏面側に固定されている金属層と、 を備える回路基板。 【請求項４】（本件特許発明４） 請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であって、 セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、 焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、 を含み、 前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が６５０℃以下の温度になった場合に前記焼成室内の温度を急冷する、 セラミック基板の製造方法。 【請求項５】（本件特許発明５） 前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁側の部分を切断するセラミック基板の切断工程、 を含む、 請求項４に記載のセラミック基板の製造方法。 【請求項６】（本件特許発明６） 請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であって、 セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、 焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、 前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁を切断するセラミック基板の切断工程と、 を含む、 セラミック基板の製造方法。 【請求項７】（本件特許発明７） 前記セラミック粉末は、窒化珪素粉末又は窒化アルミニウム粉末を含む、 請求項４～６のいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法。 【請求項８】（本件特許発明８） 請求項４～７のいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法と、 前記セラミック基板の表面側に第１金属層を固定し、裏面側に第２金属層を固定する固定工程と、 を含む、 複合基板の製造方法。 【請求項９】（本件特許発明９） 請求項８に記載の複合基板の製造方法と、 前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、少なくとも１つの回路パターンを形成するパターン形成工程と、 を含む、 回路基板の製造方法。 【請求項１０】（本件特許発明１０） 請求項９に記載の複合基板の製造方法と、 前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、複数の回路パターンを形成するパターン形成工程と、 前記複数の回路パターンが形成された前記複合基板を、それぞれが１つの前記回路パターンを備える複数の回路基板に分割する分割工程と、 を含む、 複数の回路基板の製造方法。 【請求項１１】（本件特許発明１１） 前記焼成室内を冷却する工程は、 前記焼成室内が少なくとも１６００℃以上に加熱された状態から冷却する第１の冷却工程と、 前記焼成室内の温度が９００℃以上１１００℃以下の温度で前記焼成室内の温度を急冷する第２の冷却工程とを含み、 前記第２の冷却工程の時間は前記第１の冷却工程より短い、請求項４から７までのいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法。 【請求項１２】（本件特許発明１２） 前記焼成室内を冷却する工程における冷却速度は、５００℃／時間以上６００℃／時間である、請求項１１に記載のセラミック基板の製造方法。」 第３ 特許異議の申立ての理由の概要 特許異議申立人が申し立てた理由は、概略以下のとおりである。 １ 理由１ 本件特許明細書の発明の詳細な説明は、請求項１～１２に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、請求項１～１２に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 ２ 理由２ 請求項１～３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 ３ 理由３ 請求項１～１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 （なお、請求項２～４、７～１２に係る発明に関して、異議申立書には、「本件特許発明２は、甲1発明及び甲２発明に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５２頁１９、２０行）、「本件特許発明３は、甲1発明及び甲２発明に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５２頁２９、３０行）、「本件特許発明４は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５３頁２８、２９行）、「本件特許発明７は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５５頁８、９行）、「本件特許発明８は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５５頁１４、１５行）、「本件特許発明９は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５５頁２０、２１行）、「本件特許発明１０は、甲1発明、甲２発明、甲３記載事項、及び甲５記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５６頁８、９行）、「本件特許発明１１は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５７頁８、９行）、「本件特許発明１２は、甲1発明、甲２発明、及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５５頁１４、１５行）と記載されている。 しかし、請求項２～４、７～１２に係る発明は、請求項１を直接若しくは間接に引用する発明であるから、請求項２～４、７～１２に係る発明に対する特許異議の申立てには、甲第１号証ないし甲第５号証が引例として採用されたものと判断した。） ４ 理由４ 請求項１～３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項５に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明と、甲第４号証、甲第５号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項７～１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項７～１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 （なお、請求項７～１２に係る発明に関して、異議申立書には、「本件特許発明７は、甲２発明及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６２頁９、１０行）、「本件特許発明８は、甲２発明及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６２頁１５、１６行）、「本件特許発明９は、甲２発明、甲３記載事項及び甲５記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６２頁２４、２５行）、「本件特許発明１０は、甲２発明、甲３記載事項及び甲５記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６３頁１１、１２行）、「本件特許発明１１は、甲２発明及び甲３記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６３頁２９、３０行）、「甲第２号証の段落００４９には、冷却速度が５００℃／時間以上６００℃／時間であることが記載されている。したがって、本件特許発明１２は、甲２発明及び甲１発明に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６４頁２～５行）と記載されている。 しかし、請求項７～１１に係る発明は、請求項５を直接若しくは間接に引用する発明を含むものであるから、請求項７～１１に係る発明に対する特許異議の申立てには、甲第２号証ないし甲第５号証が引例として採用されたものと判断した。 また、請求項１２については、対比説明において、甲第１号証を使用しておらず、請求項５を直接若しくは間接に引用する発明を含むものであるから、甲第２号証ないし甲第５号証が引例として採用されたものと判断した。） ５ 理由５ 請求項１～１２に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 甲第１号証：特開２００９－２１５１４２号公報 甲第２号証：再公表特許ＷＯ２０１３／１４６７８９号 甲第３号証：特開２００２－６８８４９号公報 甲第４号証：特開２０１２－２５６７３１号公報 甲第５号証：特開２０１６－３４０３９号公報 甲第６号証：特開２００３－３４２０７８号公報 甲第７号証：再公表特許ＷＯ２０１６／１２５６３５号 第４ 各甲号証について １ 甲第１号証に記載された発明 （１）【００２４】より、窒化珪素基板は、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下に抑制されている。 （２）【００４１】より、窒化珪素基板の反り量は、適宜に設定したある面から基板表面Ｓまでの距離が最小となる２点間を結ぶ面を基準面として設定し、当該基準面からの高さ（距離）が最高となる最高点の高さＤを反りの大きさとし、上記反りの大きさを対角線の距離で除した値である。 （３）【００２６】～【００３０】より、窒化珪素基板の製造方法は、混合した原料スラリーを脱泡・増粘した後、所定厚さの板にシート成形し、上記シート成形体を焼結炉内で１８００～２０００℃の温度で０．５～１．０ＭＰａの窒素加圧雰囲気中で焼結し、窒化珪素基板とし、焼結後の窒化珪素基板を複数枚重ねた状態で０．５～６．０ｋＰａの荷重（圧力）を印加しながら１５５０～１７００℃で熱処理したものである。 （４）【図４】からみて、基板は、平面視にて矩形状であるといえ、基板の板圧方向の形状は、基板の四隅の内の１つから、対角線方向に向かって順に、凹状となり、凸状となり、凹状となって四隅の内の他の１つに至るものである。 （５）そうすると、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 なお、甲１発明の各構成には、１ａ～１ｆの符号を当審で付した。以下、 「構成１ａ」～「構成１ｆ」という。 （甲１発明） １ａ 反りが２．０μｍ／ｍｍ以下に抑制され、 １ｂ 反り量は、適宜に設定したある面から基板表面Ｓまでの距離が最小となる２点間を結ぶ面を基準面として設定し、当該基準面からの高さ（距離）が最高となる最高点の高さＤを反りの大きさとし、上記反りの大きさを対角線の距離で除した値であり、 １ｃ 混合した原料スラリーを脱泡・増粘した後、所定厚さの板にシート成形し、上記シート成形体を焼結炉内で１８００～２０００℃の温度で０．５～１．０ＭＰａの窒素加圧雰囲気中で焼結し、窒化珪素基板とし、焼結後の窒化珪素基板を複数枚重ねた状態で０．５～６．０ｋＰａの荷重（圧力）を印加しながら１５５０～１７００℃で熱処理することにより製造され、 １ｄ 平面視にて矩形状であり、 １ｅ 基板の板圧方向の形状は、基板の四隅の内の１つから、対角線方向に向かって順に、凹状となり、凸状となり、凹状となって四隅の内の他の１つに至る １ｆ 窒化珪素基板。 ２ 甲第２号証に記載された発明 （１）【０００７】より、反り及びうねりが小さく十分な機械的強度及び熱伝導率を有する窒化珪素焼結体基板に関するものである。 （２）【００２７】より、窒化珪素焼結体基板は、グリーンシートの積層体を用いて製造されるものである。 （３）【００４０】より、グリーンシートの焼成は、徐熱域Ｐ０を有する昇温域と、第一の温度保持域Ｐ１及び第二の温度保持域Ｐ２を有する温度保持域と、冷却域とからなる温度プロファイルＰに従って行うものである。 （４）【００４１】より、徐熱域Ｐ０の温度Ｔ０を、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低い１４００～１６００℃の範囲内とし、徐熱域Ｐ０における加熱速度を３００℃／時間以下とし、加熱時間ｔ０を０．５～３０時間とするものである。 （５）【００４２】より、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１を１６００～２０００℃の範囲内とし、保持時間ｔ１を約１～３０時間とし、１６００～２０００℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域Ｐ１内で加熱温度Ｔ１が変化しても良いものである。 （６）【００４４】より、第一の温度保持域Ｐ１の後にある第二の温度保持域Ｐ２の温度Ｔ２は１４００～１７００℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低く、第二の温度保持域Ｐ２の保持時間ｔ２は０．５～４５時間とするものである。 （７）【００４９】より、第二の温度保持域Ｐ２の後にある冷却域Ｐ３の冷却速度は１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が最も好ましく、実用的には、５００～６００℃／時間が好ましいものである。 （８）【００５０】より、窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度である。 （９）【００５１】より、窒化珪素焼結体基板の反りは、窒化珪素焼結体基板の表面に対して、三次元レーザ計測器により３本の走査線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）に沿ってレーザ光を走査し、各走査線Ｌ１～Ｌ３について、窒化珪素焼結体基板の表面の走査方向両端を結ぶ直線を水平にし、直線から最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものである。 （１０）【図９】からみて、基板の板圧方向の形状は、基板の１辺から、対向する他辺に向かって順に、凸状となり、凹状となり、他辺に至るものである。 （１１）【００５６】より、窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍである。 （１２）そうすると、甲第２号証には、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 なお、甲２発明の各構成には、２ａ～２ｌの符号を当審で付した。以下、 「構成２ａ」～「構成２ｌ」という。 ２ａ 反り及びうねりが小さく十分な機械的強度及び熱伝導率を有する窒化珪素焼結体基板に関するものであって、 ２ｂ グリーンシートの積層体を用いて製造され、 ２ｃ グリーンシートの焼成は、徐熱域Ｐ０を有する昇温域と、第一の温度保持域Ｐ１及び第二の温度保持域Ｐ２を有する温度保持域と、冷却域とからなる温度プロファイルＰに従って行い、 ２ｄ 徐熱域Ｐ０の温度Ｔ０を、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低い１４００～１６００℃の範囲内とし、徐熱域Ｐ０における加熱速度を３００℃／時間以下とし、加熱時間ｔ０を０．５～３０時間とし、 ２ｅ 第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１を１６００～２０００℃の範囲内とし、保持時間ｔ１を約１～３０時間とし、１６００～２０００℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域Ｐ１内で加熱温度Ｔ１が変化しても良く、 ２ｆ 第一の温度保持域Ｐ１の後にある第二の温度保持域Ｐ２の温度Ｔ２は１４００～１７００℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低く、第二の温度保持域Ｐ２の保持時間ｔ２は０．５～４５時間とし、 ２ｇ 第二の温度保持域Ｐ２の後にある冷却域Ｐ３の冷却速度は１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が最も好ましく、実用的には、５００～６００℃／時間が好ましく、 ２ｈ 窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度であり、 ２ｉ 窒化珪素焼結体基板の反りは、窒化珪素焼結体基板の表面に対して、三次元レーザ計測器により３本の走査線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）に沿ってレーザ光を走査し、各走査線Ｌ１～Ｌ３について、窒化珪素焼結体基板の表面の走査方向両端を結ぶ直線を水平にし、直線から最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものであり、 ２ｊ 基板の板圧方向の形状は、基板の１辺から、対向する他辺に向かって順に、凸状となり、凹状となり、他辺に至るものであり、 ２ｋ 窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍである ２ｌ 窒化珪素焼結体基板。 ３ 甲第３号証に記載された技術事項 （１）【０００６】、【０００７】には、撓みが生じているセラミックスは、変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などには使用することができないこと、本発明は、面積が大きく且つ厚みが薄い場合であっても、外部からの極めて小さな外力で変化する撓みのないセラミックス燒結体を製造する方法を提供することを目的とすることが記載されている。 すなわち、甲第３号証に記載されたセラミックス燒結体は、面積が大きく且つ厚みが薄い場合であっても、外部からの極めて小さな外力で変化する撓みのないものであるから、変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などに使用されるものである。 （２）【００１８】、【００１９】より、セラミックスは。焼結体が少なくとも１０００℃に冷却させるまでは、２０℃／分以下の冷却速度で冷却させ、変形能を有すると考えられる１０００℃以上の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができ、厚みが１.０ｍｍ以下のセラミックス燒結体においては、冷却速度を２０℃／分以下とする温度範囲を１２００℃以上にすることが可能である。 すなわち、甲第３号証に記載されたセラミックス燒結体は、変形能を有すると考えられる１０００℃以上（厚みが１.０ｍｍ以下の場合は１２００℃以上）の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができるものである。 （３）【００３０】、【００３１】、【表２】～【表６】より、以下の焼結の条件、寸法（８×８ｃｍと１０×１０ｃｍである場合を除く。）、冷却速度である場合に、セラミックス燒結体は撓みの発生がないものである。 ア 焼結条件が１６５０℃で５ｈｒとした焼結体○１（○１の実際の表記は、○の中に１である。以下、○２～○５についても同様。）では、 ア－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１０００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 ア－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 イ 焼結条件が１８５０℃で５ｈｒとした焼結体○２では、 イ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 イ－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 ウ 焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした焼結体○３－１では、 ウ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 エ 焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした後に１８００℃で１０ａｔｍで１ｈｒとした焼結体○３－２では、 エ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 エ－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 オ 焼結条件が２２５０℃で１０ｈｒとした焼結体○４では、 オ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 オ－２ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 カ 焼結条件が２２００℃で１０ｈｒとした焼結体○５では、 カ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 （４）また、【００３０】、【００３１】、【表２】～【表６】より、徐冷温度を５００℃以上とした場合で、セラミックス燒結体の撓みの発生がないものは、寸法が８×８ｃｍと１０×１０ｃｍである場合のみである。 （５）上記（１）～（４）の記載から、甲第３号証には、 「変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などに使用され、 変形能を有すると考えられる１０００℃以上（厚みが１.０ｍｍ以下の場合は１２００℃以上）の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができ、 以下の（ア）～（カ）の焼結の条件、寸法、冷却速度である場合に、撓みの発生がなく、 徐冷温度を５００℃以上とした場合で、セラミックス燒結体の撓みの発生がないものは、寸法が８×８ｃｍと１０×１０ｃｍである場合のみである セラミックス燒結体。 （ア）焼結条件が１６５０℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１０００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 （イ）焼結条件が１８５０℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 （ウ）焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、 （エ）焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした後に１８００℃で１０ａｔｍで１ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 （オ）焼結条件が２２５０℃で１０ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、 （カ）焼結条件が２２００℃で１０ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。」 とする技術事項（以下、「甲３技術事項」という。）が記載されている。 ４ 甲第４号証に記載された技術事項 （１）【００１５】より、多数個取り配線基板１は、セラミックからなり、平面視が正方形（矩形）の表面２および裏面３を有する複数の配線基板部５を縦横に隣接して併有する製品領域４と、上記と同じセラミックからなり、該製品領域４の周囲に位置し平面視が四角形枠状の表面２および裏面３を有する耳部６と、上記配線基板部５，５間の境界ｃｆおよび製品領域４と耳部６との境界ｃｆに沿って表面２で平面が格子状に形成された分割溝８と、を備えている。 （２）【００１６】より、個々の分割溝８は、製品領域４と耳部６との境界ｃｆと直角に交差して耳部６内に延在する一対の端部９を両端に有し、製品領域４と耳部６との境界ｃｆよりも該耳部６側に延在する端部９ごとの長さｓは、平面視および側面視において、０．５～５ｍｍの範囲とされている。 （３）上記（１）、（２）の記載から、甲第４号証には、 「セラミックからなり、平面視が正方形（矩形）の表面２および裏面３を有する複数の配線基板部５を縦横に隣接して併有する製品領域４と、 上記と同じセラミックからなり、該製品領域４の周囲に位置し平面視が四角形枠状の表面２および裏面３を有する耳部６と、 上記配線基板部５，５間の境界ｃｆおよび製品領域４と耳部６との境界ｃｆに沿って表面２で平面が格子状に形成された分割溝８と、を備え、 個々の分割溝８は、製品領域４と耳部６との境界ｃｆと直角に交差して耳部６内に延在する一対の端部９を両端に有し、製品領域４と耳部６との境界ｃｆよりも該耳部６側に延在する端部９ごとの長さｓは、平面視および側面視において、０．５～５ｍｍの範囲とされる 多数個取り配線基板１。」 とする技術事項（以下、「甲４技術事項」という。）が記載されている。 ５ 甲第５号証に記載された技術事項 （１）【００１９】より、セラミックス回路基板集合体１は、セラミックス回路基板２とダミー部３１、３２、３３、３４、３５とで構成され、セラミックス回路基板２とダミー部３１～３５を分割するための分割溝５が形成されている。 （２）【００４３】より、【図１】のダミー部３１におけるセラミックス基板の寸法は５ｍｍ×５ｍｍである。 そうすると、【図１】のダミー部３１を含む部分は、分割溝５により少なくとも５ｍｍの幅で分割されることが見て取れる。 （３）【００３６】より、セラミック回路基板集合体１の大きさは、１３０×８５ｍｍである。 （４）上記（１）～（３）の記載から、甲第５号証には、 「セラミックス回路基板２とダミー部３１、３２、３３、３４、３５とで構成され、セラミックス回路基板２とダミー部３１～３５を分割するための分割溝５が形成され、 ダミー部３１を含む部分は、分割溝５により少なくとも５ｍｍの幅で分割され、 大きさが１３０×８５ｍｍである セラミックス回路基板集合体１。」 とする技術事項（以下、「甲５技術事項」という。）が記載されている。 ６ 甲第６号証に記載された技術事項 （１）【０００３】～【０００９】より、セラミック基板は、セラミックグリーンシートを積層、熱圧着、カットを行い、未焼成状態の大型積層体を得て、この大型積層体を焼成処理し、大型セラミック基板を得て、得られた大型セラミック基板の各基板領域を区画する分離線に沿って分離処理を行い、抽出されるものであって、上記大型セラミック基板３０は、焼成時に大型積層体３０の４つの角部３２において、隣接する２つの側面３５a、３５ｂが接する稜線から離れる方向に収縮するとき、焼成後の大型セラミック基板３０に歪みや反りが発生するものである。 （２）上記（１）の記載から、甲第６号証には、 「セラミックグリーンシートを積層、熱圧着、カットを行い、未焼成状態の大型積層体を得て、 この大型積層体を焼成処理し、大型セラミック基板を得て、 得られた大型セラミック基板の各基板領域を区画する分離線に沿って分離処理を行い、抽出されるものであって、 上記大型セラミック基板３０は、焼成時に大型積層体３０の４つの角部３２において、隣接する２つの側面３５a、３５ｂが接する稜線から離れる方向に収縮するとき、焼成後の大型セラミック基板３０に歪みや反りが発生する セラミック基板。」 とする技術事項（以下、「甲６技術事項」という。）が記載されている。 ７ 甲第７号証に記載された技術事項 （１）【００１１】より、窒化珪素回路基板は、長手方向の反り量ＳＬ１と短辺方向の反り量ＳＬ２が共に０．０１～１．０ｍｍの範囲内となり、対角線方向の反り量ＳＬ３は、０．１≦ＳＬ３≦１．５ｍｍの範囲内である。 （２）上記（１）の記載から、甲第７号証には、 「長手方向の反り量ＳＬ１と短辺方向の反り量ＳＬ２が共に０．０１～１．０ｍｍの範囲内となり、 対角線方向の反り量ＳＬ３は、０．１≦ＳＬ３≦１．５ｍｍの範囲内である 窒化珪素回路基板。」 とする技術事項（以下、「甲７技術事項」という。）が記載されている。 第５ 当審の判断 １ 特許法第３６条第４項第１号（理由１：実施可能要件違反）について （１）判断 本件特許明細書の【００２０】～【００４１】には、セラミック基板の構成について記載されており、当該記載は、本件特許発明１のセラミック基板を含むものである。 また、本件特許明細書の【００４６】～【００８５】には、本実施形態のセラミック基板の製造方法が記載され、特に、スラリーの原料粉末の成分や割合（【００５１】～【００５５】）、セラミック基板の大きさや厚み（【００６４】）、焼結工程の前の堆積工程における重ねる枚数（【００６７】）、脱脂工程の温度と時間（【００７０】）、焼結工程における昇温域の温度と時間（【００７５】）、温度保持域の温度と時間（【００７６】）、冷却域の冷却速度（【００７８】）、急冷域の開始温度（【００７９】、【００８３】）、切断工程における切断幅（【００８１】、【００８４】）について具体的に記載されている。 そうすると、本件特許明細書の【００４６】～【００８５】に記載されたセラミック基板の製造方法により、本件特許明細書の【００２０】～【００４１】に記載されたセラミック基板、すなわち、本件特許発明１のセラミック基板が製造されるものであるから、発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものである。 さらに、請求項２～１２に係る発明についても同様である。 （２）特許異議申立人の主張について ア 特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、実施可能要件違反の具体的理由として、以下のような主張をしている。 「本件特許発明１では、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」ことが特定されている。 （中略） しかしながら、上記の通り、図３Ｃで冷却開始温度６５０℃における反り量は０．４～０．９μｍ／ｍｍ程度であるのに対して、図４Ｂで外周縁切断幅０ｍｍにおける反り量は（合議体注：異議申立書では、「はが」とあるが、「は」の誤記であると判断した。）４．５～６．８μｍ／ｍｍ程度であり、両者の測定結果は大きく乖離している。 （中略） 意見書の記載からは、冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することで、構成１～３が得られるものと読み取れる。しかしながら、本件明細書の段落００８４及び本件特許図面の図４Ｂの記載を踏まえると、急冷開始温度が４００℃から６５０℃との条件だけでは、反り量を２μｍ／ｍｍ以下にできないことが明らかである。 そうすると、セラミック基板の反り量を２μｍ／ｍｍ以下にするために必要な条件を、本件特許明細書及び本件特許図面から把握することができない。（以下、「主張１」という。） （中略） 一つの仮定として、本件特許図面の図３Ｃの結果は、外周縁切断幅が９ｍｍの場合における反り量の結果を示していると考えることもできる。 （中略） しかし、上述した仮定のもとにおいては、外周部分を少なくとも９ｍｍは鉄段する必要があると、本件特許明細書の記載から読み取れる。そうすると、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることにどのような技術的意義があるのか不明である。また、切断幅が３ｍｍ以下である場合にどのようにして反り量を２μｍ以下とするか、本件特許明細書には、何ら具体的な手段が記載されていない。（以下、「主張２」という。） 別の仮定として、図３Ｃの結果は、冷却直後におけるセラミック基板の反り量を測定した結果を示すものと考えることもできる。 （中略） この仮定のもとに本件特許明細書の記載を検討するに、特許明細書の段落００８３、段落００８４の記載からは、焼結工程を経たセラミック基板が、その後に外周部分を切断されることが分かる。 このため、冷却直後のセラミック基板の外周縁部分に最大凸量が存在する場合には、その部分は切断され、残ったセラミック基板には最大凸量を有する部分が存在しないこととなる。 つまり、外周部分を切断する前のセラミックス基板について、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下」であることを満たさないこととなり、外周部分を切断した後のセラミックス基板については、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」ことを満たさないことになる。（以下、「主張３」という。） また、上記の意見書では、構成１～３の補正の根拠は、本件特許明細書の段落００８３及び本件特許図面の図３Ｓ～３Ｖと記載されている。 しかし、本件特許図面の図３Ｓ～３Ｖを参照すると、位置が高い部分がセラミック基板の外周辺上に存在することが読み取れるが、最大凸量を有する部分は、セラミック基板の外周辺からは離れていることが看取できる。 この点からも、外周部分を切断した後のセラミックス基板については、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」ことを満たさないことが読み取れる。（以下、「主張４」という。） 以上を総括すると、本件特許明細書及び本件特許図面については、「反り量」及び「最大凸量を有する凸状部分がセラミック基板の外周縁部分にある」点に関する記載がいずれも多義的に解釈できるうえ、それらを互いに整合させて理解することが困難である。 このため、本件特許明細書の記載は、当業者が本件特許発明１を実施しようとした場合に、どのようにすれば実施できるかを見いだすために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等を強いるものである。 したがって、本件特許明細書は、当業者が本件特許発明１及びこれを引用する本件特許発明２－１２を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。」（１４頁２９行～２３頁９行） イ 特許異議申立人の主張に対する検討 上記主張について検討する。 図３Ｃは、急冷域の開始温度を変化させて、製造されたセラミック基板の反り量を測定したものであり、図４Ｂは、急冷開始温度を６５０℃にした場合に、外周部分の切断幅を変化させて、セラミック基板の反り量を測定したものである。 しかし、図３Ｃや図４Ｂの説明としてそれ以外の条件、例えば、スラリーの原料粉末の成分や割合、セラミック基板の大きさや厚みなどの限定はされていない以上、本件特許明細書の【００４６】～【００８５】に示された様々な条件の範囲内のいずれかの条件で、図３Ｃや図４Ｂは測定されたものであって、両者は、あくまで急冷域の開始温度もしくは外周部分の切断幅を変化させた際の、セラミック基板の反り量についての傾向を示しているものに過ぎない。 そして、本件特許明細書の【００４６】～【００８５】に示された様々な条件の範囲内で、冷却開始温度が６５０℃の場合に、外周縁切断幅を３ｍｍ以下にすると、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下」となるセラミック基板を作成することが可能である。 そうすると、「セラミック基板の反り量を２μｍ／ｍｍ以下にするために必要な条件を、本件特許明細書及び本件特許図面から把握することができない」との異議申立人の主張１を採用することはできない。 また、「本件特許図面の図３Ｃの結果は、外周縁切断幅が９ｍｍの場合における反り量の結果を示している」との仮定や「図３Ｃの結果は、冷却直後におけるセラミック基板の反り量を測定した結果を示す」との仮定に基づく異議申立人の主張２、３も採用することはできない。 更に、図３Ｓ～３Ｖは、「その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され」との構成に対する例示のために示されたものであって、「外周部分を切断した後のセラミックス基板については、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」ことを満たさないことが読み取れる。」との異議申立人の主張４も採用することはできない。 以上のように、特許異議申立人の主張をいずれも採用することはできない。 ２ 甲１発明を主引例とした場合の特許法第２９条第２項（理由３：進歩性）について （１）本件特許発明１について ア 甲１発明との対比 （ア）構成１Ａについて 構成１ｄ、１ｆより、甲１発明の「窒化珪素基板」は、「平面視にて矩形状で」あるから、本件特許発明１の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成１Ｂについて 構成１ｅより、甲１発明の窒化珪素基板の板圧方向の形状は、基板の四隅の内の１つから、対角線方向に向かって順に、凹状となり、凸状となり、凹状となって四隅の内の他の１つに至る形状である。 ここで、凸状の部分を「一方側に向けて凸状」と称すると、凹状の部分は「他方側に向けて凸状」といえる。 また、対角線方向に向かって順に、凹状となり、凸状となり、凹状となる構成であるから、いずれかは、「一対の対角線により形成される交差点とずれた位置」に形成されるといえる。 したがって、甲１発明は、本件特許発明１の「その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され」ている構成に相当する構成を有するものである。 （ウ）構成１Ｃについて 構成１ａ、１ｂより、甲１発明の反り量は、基準面からの高さが最高となる最高点の高さＤを対角線の距離で除した値であり、２．０μｍ／ｍｍ以下である。 そうすると、甲１発明は、本件特許発明１の「前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下」に相当する構成を有するものである。 （エ）構成１Ｄについて 本件特許発明１のセラミック基板は、「対角線は１５０ｍｍ以上」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （オ）構成１Ｅについて 構成１ｅより、甲１発明の窒化珪素基板の板圧方向の形状は、基板の四隅の内の１つから、対角線方向に向かって順に、凹状となり、凸状となり、凹状となって四隅の内の他の１つに至るものであり、基板の外周縁部分が最大凸量でない。 すなわち、本件特許発明１のセラミック基板は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」と特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明１と甲１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｂ その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、 １Ｃ 前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である １Ａ セラミック基板。 （相違点） （相違点１） 本件特許発明１のセラミック基板は、「対角線は１５０ｍｍ以上」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 （相違点２） 本件特許発明１のセラミック基板は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」と特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 ウ 検討 事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討する。 甲１発明の構成１ｅは、上記相違点２に係る構成とは相違するが、甲１発明の構成１ｅは図面から読み取った構成に過ぎないので、念のため、構成１ｅを除いた甲１発明により、上記相違点２に係る構成となるかについて検討する。 甲１発明の窒化珪素基板は、構成１ｃより、混合した原料スラリーを脱泡・増粘した後、所定厚さの板にシート成形し、上記シート成形体を焼結炉内で１８００～２０００℃の温度で０．５～１．０ＭＰａの窒素加圧雰囲気中で焼結し、窒化珪素基板とし、焼結後の窒化珪素基板を複数枚重ねた状態で０．５～６．０ｋＰａの荷重（圧力）を印加しながら１５５０～１７００℃で熱処理することにより製造されるものである。 それに対して、本件特許発明１のセラミック基板は、本件特許明細書の【００７７】～【００７９】の記載から見て、昇温域及び温度保持域により焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで焼成室内を加熱し、焼成室内を冷却する温度域である冷却域の冷却速度は、１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が更に好ましく、実用的な冷却速度は、５００℃～６００℃／時間が好ましいとされ、更に冷却速度を大きくする温度領域である急冷域は、焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるものである。また、本件特許明細書の【００８１】より、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断するものである。 そこで、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法と、甲１発明のセラミック焼結体を製造する方法とを対比する。 急冷域に関して、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼成室内の温度が６００℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるのに対し、甲第１号証には、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度については、何ら記載も示唆もされていない。 そして、本件特許明細書の【００８３】には、〔冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義〕として、急冷開始温度が低いほど、セラミック基板の反り量が小さくなること、反り量が２μｍ以下である場合、最大凸量（凸量または凹量の最大値）は、矩形形状を呈するセラミック基板の外周の辺上（すなわち外周縁部分）に発生する傾向が高いこと、急冷開始温度の極端な引き下げをすると、焼成時間の延長による生産性の低下に繋がるので、反り量と、焼成時間の短縮化とのバランスを考慮することが開示されている。 また、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断するのに対し、甲第１号証には、そのような切断工程を有することの記載も示唆もない。 そして、本件特許明細書の【００８４】には、〔外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義〕として、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなり、反り量のばらつきが小さくなるが、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることが好ましいことが開示されている。 以上のとおり、本件特許発明１では、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」セラミック基板が製造されるためには、冷却域における冷却速度が、１００℃／時間以上、より好ましいのは３００℃／時間以上、更に好ましいのは５００℃／時間以上、実用的な冷却速度は５００℃～６００℃／時間であり、急冷域の開始温度が、６００℃以下のいずれかの温度であり、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断することが必要であるといえるが、甲第１号証には、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度、外周部分切断工程のいずれについても記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明の窒化珪素基板は、本件特許発明１のように「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」とはいえない。 そして、甲第２号証、甲３技術事項には、外周部分切断工程に関する記載も示唆もない。 また、甲４技術事項には、製品領域と耳部との境界に沿って形成された分割溝を備えることが記載され、甲５技術事項には、セラミックス回路基板とダミー部を分割するための分割溝が形成されることが記載されているものの、甲４技術事項の耳部は製品領域以外の部分であり、甲５技術事項のダミー部はセラミックス回路基板以外の部分であるから、分割溝による切断幅は、不要な部分を切断する幅としているものといえる。 そうすると、甲４技術事項、甲５技術事項は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」セラミック基板が製造されるために、外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断することを考慮したものでなく、甲４技術事項、甲５技術事項を甲１発明に適用する動機がない。 したがって、相違点１について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明と甲３技術事項～甲５技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ 特許異議申立人の主張について （ア）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点２に関する以下のような主張をしている。 「相違点１ｅ（当審注：相違点２に対応）について検討するに、本件特許明細書の段落００８３には、「なお、本願発明者は、反り量が小さい場合、具体的には、反り量が２μｍ以下である場合、最大凸量（凸量または凹量の最大値）は、矩形形状を呈するセラミック基板４０の外周の辺上（すなわち外周縁部分）に発生する傾向が高いという知見を得た。」と記載されている この記載を踏まえると、甲１発明における窒化珪素基板の反り量は２μｍ以下であるため、その最大凸量は窒化珪素基板の外周の辺上に発生するものと解される。 このため、甲１発明は、相違点１ｅに係る特性を備える蓋然性が高い。 仮に、甲１発明において、最大凸量は窒化珪素基板の外周の辺上に発生しないとしても、矩形のセラミック基板を製造する際に、最大凸量を有する部分が基板の外周の辺上に発生することは、甲第６号証に記載されたように周知の事実である。」（５１頁２３行～５２頁５行） （イ）特許異議申立人の主張に対する検討 上記主張について検討する。 本件特許明細書の【００８３】の記載は、本件特許明細書に記載された製造方法によって製造されたセラミック基板についての知見であって、単に反り量が２μｍ／ｍｍ以下であることが共通するというだけで、甲１発明の窒化珪素基板の最大凸量が基板の外周縁部分に発生することと認めることはできない。 また、甲６技術事項の大型セラミック基板３０は、「焼成時に大型積層体３０の４つの角部３２において、」「焼成後の大型セラミック基板３０に歪みや反りが発生する」構成であるが、どのような条件で焼成した場合に、角部の歪みや反りがどの程度になるかについて記載も示唆もなく、外周部分を切断することの記載も示唆もない以上、当業者が甲６技術事項に接したとしても、甲１発明のセラミック基板が「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」と認めることができない。 したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 （２）本件特許発明２～１２について 本件特許発明２～１２は、本件特許発明１を直接若しくは間接に引用する発明であるから、少なくとも上記（１）イの相違点１、２を有するものである。 そうすると、上記（１）ウの検討と同様であって、請求項２～１２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明と甲３技術事項～甲５技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 甲２発明を主引例とした場合の特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項（理由２、４：新規性、進歩性）について （１）本件特許発明１について ア 甲２発明との対比 （ア）構成１Ａについて 甲２発明の「窒化珪素焼結体基板」は、本件特許発明１の「セラミック基板」に相当する。 また、構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、平面視では矩形状であるといえるので、甲２発明の窒化珪素焼結体基板は、本件特許発明１の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成１Ｂについて 構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の板圧方向の形状は、基板の１辺から、対向する他辺に向かって順に、凸状となり、凹状となり、他辺に至るものである。 ここで、凸状の部分を「一方側に向けて凸状」と称すると、凹状の部分は「他方側に向けて凸状」といえる。 また、対向する他辺に向かって順に、凸状となり、凹状となる構成であるから、いずれかは、「一対の対角線により形成される交差点とずれた位置」に形成されるといえる。 したがって、甲２発明は、本件特許発明１の「その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され」ている構成に相当する構成を有するものである。 （ウ）構成１Ｃについて 構成２ｈより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度である。 構成２ｉより、窒化珪素焼結体基板の反りは、最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものである。 ここで、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）は、本件特許発明１の「前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量」に相当する。 また、各走査線の長さＩは、窒化珪素焼結体基板の辺の長さに等しく、構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板のサイズは、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、その対角線の長さは、√２Ｉである。 そうすると、甲２発明において、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値」は、（Ｇ＋Ｈ）／Ｉを更に、√２で除した値であるから、２μｍ／ｍｍ以下となる。 したがって、甲２発明は、本件特許発明１の「セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下」である構成に相当する構成を有するものである。 （エ）構成１Ｄについて 構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、窒化珪素焼結体基板の対角線の長さは、それぞれ１５０ｍｍ以上である。 したがって、甲２発明は、構成１Ｄに相当する構成を有するものである。 （オ）構成１Ｅについて 構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の板圧方向の形状は、基板の１辺から、対向する他辺に向かって順に、凸状となり、凹状となり、他辺に至るものであり、基板の外周縁部分が最大凸量でない。 すなわち、本件特許発明１のセラミック基板は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」と特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明１と甲２発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｂ その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、 １Ｃ 前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下であり、 １Ｄ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である １Ａ セラミック基板。 （相違点３） 本件特許発明１のセラミック基板は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」と特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点。 ウ 検討 上記相違点３について検討する。 甲２発明の構成２ｊは、上記相違点３に係る構成とは相違するが、甲２発明の構成２ｊは図面から読み取った構成に過ぎないので、念のため、構成２ｊを除いた甲２発明により、上記相違点３に係る構成となるかについて検討する。 甲２発明の窒化珪素焼結体基板は、構成２ｃ～２ｇより、徐熱域Ｐ０を有する昇温域と、第一の温度保持域Ｐ１及び第二の温度保持域Ｐ２を有する温度保持域と、冷却域とからなる温度プロファイルＰに従って行い、徐熱域Ｐ０の温度Ｔ０を、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低い１４００～１６００℃の範囲内とし、徐熱域Ｐ０における加熱速度を３００℃／時間以下とし、加熱時間ｔ０を０．５～３０時間とし、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１を１６００～２０００℃の範囲内とし、保持時間ｔ１を約１～３０時間とし、１６００～２０００℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域Ｐ１内で加熱温度Ｔ１が変化しても良く、第一の温度保持域Ｐ１の後にある第二の温度保持域Ｐ２の温度Ｔ２は１４００～１７００℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低く、第二の温度保持域Ｐ２の保持時間ｔ２は０．５～４５時間とし、第二の温度保持域Ｐ２の後にある冷却域Ｐ３の冷却速度は１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が最も好ましく、実用的には、５００～６００℃／時間が好ましくとしたものである。 それに対して、本件特許発明１のセラミック基板は、本件特許明細書の【００７７】～【００７９】の記載から見て、昇温域及び温度保持域により焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで焼成室内を加熱し、焼成室内を冷却する温度域である冷却域の冷却速度は、１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が更に好ましく、実用的な冷却速度は、５００℃～６００℃／時間が好ましいとされ、更に冷却速度を大きくする温度領域である急冷域は、焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるものである。また、本件特許明細書の【００８１】より、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断するものである。 そこで、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法と、甲２発明のセラミック焼結体を製造する方法とを対比する。 急冷域に関して、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼成室内の温度が６００℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるのに対し、甲第２号証には、急冷域の開始温度については、何ら記載も示唆もされていない。 そして、本件特許明細書の【００８３】には、〔冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義〕として、急冷開始温度が低いほど、セラミック基板の反り量が小さくなること、反り量が２μｍ以下である場合、最大凸量（凸量または凹量の最大値）は、矩形形状を呈するセラミック基板の外周の辺上（すなわち外周縁部分）に発生する傾向が高いこと、急冷開始温度の極端な引き下げをすると、焼成時間の延長による生産性の低下に繋がるので、反り量と、焼成時間の短縮化とのバランスを考慮することが開示されている。 また、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断するのに対し、甲第２号証には、そのような切断工程を有することの記載も示唆もない。 そして、本件特許明細書の【００８４】には、〔外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義〕として、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなり、反り量のばらつきが小さくなるが、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることが好ましいことが開示されている。 以上のとおり、本件特許発明１では、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」セラミック基板が製造されるためには、急冷域の開始温度が、６００℃以下のいずれかの温度であり、外周部分切断工程により外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断することが必要であるといえるが、甲第２号証は、急冷域の開始温度、外周部分切断工程のいずれについても記載も示唆もされていない。 したがって、甲２発明の窒化珪素焼結体基板は、本件特許発明１のように「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」とはいえない。 そうすると、本件特許発明１と甲２発明とを対比すると、相違点３を有するので、本件特許発明１は甲第２号証に記載された発明ではなく、また、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ 特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点３に関して、上記（１）エ（ア）と同様の主張をしているが、上記（１）エ（イ）の検討と同様に、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 （２）本件特許発明２～１２について 本件特許発明２～１２は、本件特許発明１を直接若しくは間接に引用する発明であるから、少なくとも上記（１）イの相違点３を有するものである。 甲３技術事項には、外周部分切断工程に関する記載も示唆もない。 また、甲４技術事項には、製品領域と耳部との境界に沿って形成された分割溝を備えることが記載され、甲５技術事項には、セラミックス回路基板とダミー部を分割するための分割溝が形成されることが記載されているものの、甲４技術事項の耳部は製品領域以外の部分であり、甲５技術事項のダミー部はセラミックス回路基板以外の部分であるから、分割溝による切断幅は、不要な部分を切断する幅としているものといえる。 そうすると、甲４技術事項、甲５技術事項は、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」セラミック基板が製造されるために、外周部分のうちの３ｍｍ以下の幅の部分を切断することを考慮したものでなく、甲４技術事項、甲５技術事項を甲２発明に適用する動機付けがない。 よって、上記（１）ウの検討と同様であって、請求項２、３に係る発明は、甲第２号証に記載された発明でない。 また、請求項２、３に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 請求項４に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 請求項５に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 請求項６に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第４号証、甲第５号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 請求項７～１２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ４ 特許法第３６条第６項第１号（理由５：サポート要件違反）について （１）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、サポート要件違反の具体的理由として、以下のような主張をしている。 「本件特許明細書では、その段落００２５において「第１例～第６例のセラミック基板４０は、一例として、その長さが２０６ｍｍ、その幅が１４６ｍｍであるから、その対角線の長さは約２５２．５ｍｍである。また、凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２の凸量（平坦な場合（図中の基準）に比べて凸状又は凹状になっている部分の量）を、それぞれΔＺ１、ΔＺ２とする。そして、凸量ΔＺ１、ΔＺ２は、それぞれ、一例として４２０μｍ以下である。すなわち、第１例の場合、最大凸量は４２０μｍ以下である。」との一例が記載されているにすぎない。 出願時の技術常識に照らしても、本件特許発明１の範囲まで、本件特許明細書に記載された一例を拡張ないし一般化できるとはいえない。 したがって、本件特許発明１及びこれらを引用する本件特許発明２－１２は、本件特許明細書に記載されたものではない。」（６４頁１９行～６５頁２行）（以下、「主張５」という。） 「本件特許発明１１に記載された「前記焼成室内の温度が９００℃以上１１００℃以下の温度で前記焼成室内の温度を急冷する第２の冷却工程」は、本件特許明細書のいずこにも記載されていない。 （中略） したがって、本件特許発明１１及びこれを引用する本件特許発明１２は、本件特許明細書に記載されたものではない。」（６５頁５行～１３行）（以下、「主張６」という。） （２）判断 ア 主張５について 確かに、本件特許明細書の【００２５】には、その一例が記載されているにすぎない。 しかし、本件特許明細書の【００６４】、【００８３】、【００８４】には、 「セラミック基板４０の表面における対角線の長さが１５０ｍｍ以上であることが好ましく、２００ｍｍ以上であることがより好ましく、２３６ｍｍ以上であることが特に好ましい。上限には特に制限はないが、例えば２５４ｍｍ以下とすることができる。」 「なお、本願発明者は、反り量が小さい場合、具体的には、反り量が２μｍ以下である場合、最大凸量（凸量または凹量の最大値）は、矩形形状を呈するセラミック基板４０の外周の辺上（すなわち外周縁部分）に発生する傾向が高いという知見を得た。換言すると、回路パターンはセラミック基板４０の外周縁部分の所定幅には形成されないため、その部分に発生する最大凸量の影響を受けることが少なくなる。すなわち、回路パターンへ影響を与える反り量は実質的には小さくなる。 一方で、図３Ｃのグラフから分かるように、急冷開始温度が４００℃と６５０℃の場合、反り量のばらつきを考慮しても、セラミック基板４０の反り量は反り量の最大許容値未満（この場合は２μｍ未満）となる。また、急冷開始温度の極端な引き下げ（例えば４００℃以下）をすると、焼成時間の延長による生産性の低下に繋がる。 そこで、本実施形態では、反り量と、焼成時間の短縮化とのバランスを考慮し、急冷開始温度が４００℃～６５０℃が適切な範囲であるとしている。 なお、焼成時間の短縮化を考慮しなければ、急冷開始温度を４００℃未満としてもよい。」 「本願の発明者らは、急冷開始温度が６５０℃の場合を一例として、外周部分の切断幅を、０ｍｍ（切断無し）、３ｍｍ、６ｍｍ及び９ｍｍに設定した場合のセラミック基板４０の反り量を測定する試験を行った。図４Ｂは、その結果のグラフ、すなわち、外周部分切断工程Ｓ３における、外周部分の切断幅と、反り量との関係を示すグラフである。図４Ｂのグラフから分かるように、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなることが分かる。また、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量のばらつきが小さくなることが分かる。この理由は、セラミック基板４０における外周部分に近い部分ほど、冷却時の影響により圧縮応力又は引張応力がかかった状態であるため、このような部分を切断することでセラミック基板４０がこれらの応力から解放されると考えられる。そして、図４Ｂのグラフの結果を考慮すると、外周部分を切断する必要がある。ただし、セラミック基板４０の切断された外周部分は廃棄される、すなわち、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅は狭い方が好ましい。 そこで、本実施形態では、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることが好ましい。」 と記載されている。 当該発明の詳細な説明の記載から、対角線の長さが１５０ｍｍ以上であるセラミック基板において、急冷開始温度を４００℃～６５０℃とし、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることにより、セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下となるセラミック基板が製造され、反り量が２μｍ／ｍｍ以下であるから、最大凸量は、矩形形状を呈するセラミック基板の外周縁部分に発生するものといえる。 そうすると、発明の詳細な説明には、本件特許発明１のような、「対角線の長さが１５０ｍｍ以上」であり、「セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下」であり、「前記板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となっている前記凸状部分のうち、前記最大凸量を有する凸状部分が前記セラミック基板の外周縁部分にある」セラミック基板が記載されていないとはいえない。 したがって、特許異議申立人の主張５を採用することはできない。 本件特許発明２～１２についても同様である。 イ 主張６について 本件特許明細書の【００７９】、【００８３】には、 「本実施形態の急冷域Ｆ４は、一例として焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に開始される。」 「本実施形態では、一例として焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に、急冷域Ｆ４が開始される。」 と記載されている。 すなわち、焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に急冷域が開始されることは一例であって、【図３Ｃ】には、様々な温度を急冷開始温度とすることが記載されていることから、発明の詳細な説明に「前記焼成室内の温度が９００℃以上１１００℃以下の温度で前記焼成室内の温度を急冷する第２の冷却工程とを含み」という構成が記載されていないとはいえない。 したがって、特許異議申立人の主張６を採用することはできない。 本件特許発明１２についても同様である。 第６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～１２に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。