2023-020763

特願２０２１－５６７２８２「液晶表示装置および携帯型機器」拒絶査定不服審判事件〔令和３年７月１日国際公開、ＷＯ２０２１／１３１８６７〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）１２月１４日（優先権主張 ２０１９年（令和元年）１２月２３日。以下「優先日」という。）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和５年 ５月 ９日付け：拒絶理由通知書 同年 ７月 ４日 ：意見書及び手続補正書の提出 同年 ９月１２日付け：拒絶査定 同年１２月 ６日 ：審判請求書及び手続補正書の提出 第２ 令和５年１２月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年１２月６日にされた手続補正を却下する。 ［理由］ １ 本件補正の内容 （１） 本件補正後の特許請求の範囲の記載 令和５年１２月６日にされた手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりである（下線部は、補正箇所である。）。 「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型であり、 液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射層を有する液晶表示パネルと、 前記光反射層の下に位置し、前記光反射層に電気的に接続された薄膜トランジスタと、 前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、 前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある１／２波長板と、を備える、携帯型機器に用いられる液晶表示装置であって、 前記液晶層は、その位相差が前記１／２波長板の位相差の１／２よりも小さいとともに、複屈折率の波長分散が正分散性であり、前記１／２波長板は、その位相差の波長分散が正分散性であるとともに、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差しており、 前記第１の偏光板の吸収軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差し、前記液晶層を構成する液晶は、複屈折率が０．０５０以上０．０８０以下であり、 前記液晶の駆動電圧が、前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖであることを特徴とする液晶表示装置。」 （２） 本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の令和５年７月４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりである。 「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型であり、 液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射部を有する液晶表示パネルと、 前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、 前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある１／２波長板と、を備え、 前記液晶層は、その位相差が前記１／２波長板の位相差の１／２よりも小さいとともに、複屈折率の波長分散が正分散性であり、前記１／２波長板は、その位相差の波長分散が正分散性であるとともに、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差しており、 前記第１の偏光板の吸収軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差し、前記液晶層を構成する液晶の複屈折率が０．０５０以上０．０８０以下であることを特徴とする液晶表示装置。」 ２ 本件補正の適否 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１における「液晶表示装置」について、「携帯型機器に用いられる」という限定を付加し、「光反射層」について、「前記光反射層の下に位置し、前記光反射層に電気的に接続された薄膜トランジスタ」を限定し、「液晶」について、その駆動電圧を「前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖ」と限定するものである。そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。 （１） 本件補正発明の認定 本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、前記１（１）に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 （２） 各引用文献に記載された事項 ア 引用文献１の記載及び引用発明の認定 （ア） 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１９－８２３０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当合議体が付した。以下同じ。）。 「【請求項１】 ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型の液晶表示装置であって、 液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射部を有する液晶表示パネルと、 前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、 前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある第１の１／２波長板と、を備え、 前記液晶層は、その位相差が前記第１の１／２波長板の位相差の１／２よりも小さく、 前記第１の１／２波長板は、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差するとともに、その面内での互いに直交する方向の屈折率をそれぞれｎｘ，ｎｙとし、その厚み方向の屈折率をｎｚとした場合、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしている液晶表示装置。」 「【０００１】 本発明は、携帯電話機などの各種の電子機器の表示装置として好適に実施することができる液晶表示装置に関する。」 「【００２４】 本実施形態の液晶表示装置１は、ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型の反射型液晶表示装置である。この液晶表示装置１は、液晶層２を有するとともに、表示面３側から入射して液晶層２を通過した光を反射する光反射層４を有する液晶表示パネル５と、液晶表示パネル５の表示面３側に配置される第１の偏光板６と、液晶表示パネル５と第１の偏光板６との間に、第１の１／２波長板７を備える。 【００２５】 液晶層２は、その位相差が第１の１／２波長板７の位相差の１／２よりも小さく、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸とは交差している。 【００２６】 液晶表示パネル５は、第１の基板１０、遮光層１１、カラーフィルタ層１２、共通電極１３、第１の配向層１４、柱状部１５、液晶層２、第２の配向層１６、透明電極１７、第５の層間絶縁層１８、光反射層４、第４の層間絶縁層１９、ドレイン電極２０、ソース電極２１、層間接続部２２、第３の層間絶縁層２３、第２の層間絶縁層２４、第１の層間絶縁層２５、第２のゲート絶縁層２６、第１のゲート絶縁層２７、第２の基板２８、チャネル部２９、半導体層３０およびゲート電極３１を備える。 【００２７】 前述のドレイン電極２０、ソース電極２１、層間接続部２２、チャネル部２９、半導体層３０およびゲート電極３１は、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；略称ＴＦＴ）を構成する。ドレイン電極２０は、画素電極である光反射層４に層間接続部２２などによって接続される。ゲート電極３１に接続されるゲート信号線は、画素の行ごとに設けられ、ソース電極２１に接続されるソース信号線は、画素の列ごとに設けられ、ゲート信号線とソース信号線との各交差部に画素がそれぞれ形成される。 【００２８】 第１の基板１０および第２の基板２８は、ガラス基板によって実現される。遮光層１１は、ブラックマトリクスを構成し、図１の上方から見た平面視において画素間に設けられ、各画素を区画している。共通電極１３は、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；略称ＩＴＯ）等から成り、透明電極層を構成している。第１の配向層１４および第２の配向層１６は、ポリイミド等から成る。第４の層間絶縁層１９は、アクリル系樹脂等から成る。第１～第３の層間絶縁層２５，２４，２３ならびに第１および第２のゲート絶縁層２６，２７は、酸化珪素（ＳｉＯ）または窒化珪素（ＳｉＮ）から成る。光反射層４は、モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ）等から成り、例えば、Ｍｏ層上にＡｌ層を積層した構成等である。 【００２９】 薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、低温多結晶シリコン（Ｌｏｗ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＴＰＳ）などから成る半導体層３０を有し、ゲート電極３１、ソース電極２１、ドレイン電極２０の３端子素子であって、ゲート電極３１に所定電位の電圧（例えば、３Ｖ，６Ｖ）を印加することによって、ソース電極２１とドレイン電極２０との間の半導体層３０（チャネル）に電流を流す、スイッチング素子（ゲートトランスファ素子）として機能する。」 「【００４０】 図２、図３および図４をも参照して、液晶表示パネル５を表示面３側から見たとき、すなわち液晶分子の電界無印加時の初期配向方向（＝ラビング方向）に直交する方向を基準軸（＝０°）とし、その基準軸から各軸までの反時計まわりの角度を遅相軸等の角度とすると、例えば第１の偏光板６の吸収軸の角度θｐ１は１７１°である。第１の１／２波長板７の遅相軸の角度θｆ１は１５３°（位相差値Δｎｄ＝２７０ｎｍ）である。」 「【図１】 ［図：0001422031000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001422031000002.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001422031000003.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001422031000004.jpg］ 」 （イ） 引用発明の認定 前記（ア）によれば、引用文献１には、一実施形態の液晶表示装置（図１～４）について、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 ＜引用発明＞ 「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型の液晶表示装置１であって、 液晶層２を有するとともに、表示面３側から入射して前記液晶層２を通過した光を反射する光反射層４を有する液晶表示パネル５と、 前記液晶表示パネル５の前記表示面３側に配置される第１の偏光板６と、 前記液晶表示パネル５と前記第１の偏光板６との間にある第１の１／２波長板７と、を備え、 前記液晶層２は、その位相差が前記第１の１／２波長板７の位相差の１／２よりも小さく、 前記第１の１／２波長板７は、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差するとともに、その面内での互いに直交する方向の屈折率をそれぞれｎｘ，ｎｙとし、その厚み方向の屈折率をｎｚとした場合、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしており、（【請求項１】及び【００２４】） 液晶表示装置１は、携帯電話機の表示装置として実施され、（【０００１】） 液晶表示パネル５は、第１の基板１０、遮光層１１、カラーフィルタ層１２、共通電極１３、第１の配向層１４、柱状部１５、液晶層２、第２の配向層１６、透明電極１７、第５の層間絶縁層１８、光反射層４、第４の層間絶縁層１９、ドレイン電極２０、ソース電極２１、層間接続部２２、第３の層間絶縁層２３、第２の層間絶縁層２４、第１の層間絶縁層２５、第２のゲート絶縁層２６、第１のゲート絶縁層２７、第２の基板２８、チャネル部２９、半導体層３０およびゲート電極３１を備え、（【００２６】） ドレイン電極２０、ソース電極２１、層間接続部２２、チャネル部２９、半導体層３０およびゲート電極３１は、アクティブ素子としての薄膜トランジスタを構成し、 ドレイン電極２０は、画素電極である光反射層４に層間接続部２２などによって接続され、（【００２７】） 薄膜トランジスタは、ゲート電極３１に所定電位の電圧（３Ｖ，６Ｖ）を印加することによって、ソース電極２１とドレイン電極２０との間の半導体層３０（チャネル）に電流を流す、スイッチング素子（ゲートトランスファ素子）として機能し、（【００２９】） 液晶分子の電界無印加時の初期配向方向（＝ラビング方向）に直交する方向を基準軸（＝０°）とし、その基準軸から各軸までの反時計まわりの角度を遅相軸等の角度とすると、第１の偏光板６の吸収軸の角度θｐ１は１７１°である、（【００４０】） 液晶表示装置１。」 イ 引用文献２の記載及び引用文献２技術事項の認定 （ア） 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開２００６－１７１３７６号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。 「【００１９】 ＜第１実施形態＞ 図１（１）は第１実施形態の液晶表示装置の断面構成図であり、図１（２）はこの表示装置における要部の光学構成を説明する平面図である。また、図２および図３はこの表示装置における光学構成を示す模式図である。これらの図に示す液晶表示装置１は、１つの画素にそれぞれ透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとを有する半透過半反射型の液晶表示装置１であり、電圧無印加の際には黒表示が行われるノーマリーブラック（ＮＢ）モードとして、以下のように構成されている。 【００２０】 すなわち液晶表示装置１は、第１基板１０と、この第１基板１０の素子形成面側に対向配置された第２基板２０と、これらの第１基板１０と第２基板２０との間に狭持された液晶層３０とからなる液晶パネルを備えている。ここでは、液晶層３０が、ネマチック液晶で構成されていることとする。またこの液晶パネルにおいて、第１基板１０および第２基板２０の外側面には、偏光板４０，５０が密着状態で設けられている。これらの偏光板４０は、クロスニコル状態で設けられていることとする（図２参照）。また、第１基板１０側の偏光板４０のさらに外側には、透過表示を行うための光源となるバックライト６０が設けられている。 【００２１】 このうち第１基板１０は、ガラス基板のような透明基板からなり、その液晶層３０に向かう面上に、ここでの図示を省略した薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の駆動用素子およびこれに接続された電極や配線が設けられ、これらが層間絶縁膜で覆われている。またこの層間絶縁膜上には、反射表示領域Ｂのみを覆う状態で選択的に反射層１１がパターン形成されている。この反射層１１が絶縁膜１２で覆われている。この絶縁膜１２は、後に説明する液晶層３０の膜厚（セルギャップｇａ，ｇｂ）を調整するための凸パターン１２として形成されている。尚、ここでの図示は省略したが、反射層１１は、その表面で光散乱させるための凹凸形状に設けられていても良い。 【００２２】 また、透過表示領域Ａの層間絶縁膜上、および反射表示領域Ｂにおける凸パターン１２上には、上述した電極や配線を介して駆動用素子に接続された画素電極１４と共に、コモン電極１５が配置されている。 【００２３】 画素電極１４およびコモン電極１５は、透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂを挟んだ両端において、偏光板４０，５０の透過軸に対して４５°をなす方向に平行に延設配置されていることとする（図２参照）。これにより、画素電極１４－コモン電極１５間に電圧を印加した場合に、第１基板１０および第２基板２０の基板面に対して平行で、かつ偏光板４０，５０の透過軸に対して４５°をなす向きの電界（横電界）が、液晶層３０に対して印加される構成となっている。そして、この横電界により、液晶層３０を構成する液晶分子ｍが、偏光板４０，５０の透過軸に対して４５°なす向きに配向する構成となっている。尚、上述した反射層１１が、アルミニウムのような反射特性と導電性とを兼ね備えている場合、この反射層１１は、画素電極１４またはコモン電極１５の中継用電極として用いられていても良い。ただし、画素電極１４とコモン電極１５とは絶縁状態に保たれることとする。 【００２４】 そして、これらの画素電極１４およびコモン電極１５の上部には、配向膜１７が設けられている。図２中に矢印で透過軸の方向および配向方向を示したように、この配向膜１７は、第１基板１０側の偏光板４０の透過軸に平行で、かつ第２基板２０側の偏光板５０の透過軸に対して９０°となる向きにラビング処理または配向処理されたものであることとする。 【００２５】 尚、透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂにおける配向膜１７の配向方向は、それぞれが偏光板４０または偏光板５０の透過軸に対して９０°であれば良い。ただし各領域Ａ，Ｂにおける配向状態の長期的な安定性、信頼性を得ることを考慮すると、透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂにおける配向膜１７の配向方向は同一であることが好ましい。このため、以下の実施形態においては、各領域Ａ，Ｂにおける配向膜１７の配向方向が同一（第１基板１０側の偏光板４０の透過軸に平行）である場合を説明する。 【００２６】 以上により、画素電極１４およびコモン電極１５に電圧を印加しない電界ＯＦＦ（黒表示）の状態では、液晶分子ｍの配向軸は偏光板４０の透過軸と平行となる。一方、上記電極１４－１５間に電圧を印加することによりネマチック液晶からなる液晶層３０に横電界を印加した電界ＯＮ（白表示）の状態では、液晶分子ｍの配向軸と偏光板４０，５０の透過軸とのなす角度θ＝４５°となる。 【００２７】 一方、以上のような第１基板１０側の構成に対して、第２基板２０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第２基板２０の液晶層３０に向かう面には、後に詳しく説明する位相差層２１がパターン形成され、さらにここでの図示を省略したカラーフィルタが設けられ、これを覆う状態で配向膜２２が設けられている。この配向膜２２は、第１基板１０側に設けられた配向膜１７と反平行にラビング処理または配向処理されたものである。 【００２８】 これにより、電界ＯＦＦ（黒表示）の状態では、液晶層３０の膜厚方向にわたって、液晶分子ｍの配向軸は偏光板４０の透過軸と平行となる。一方、電界ＯＮ（白表示）の状態では、液晶層３０の膜厚方向にわたって液晶分子ｍの配向軸と偏光板４０，５０の透過軸とのなす角度θ＝４５°となる。 【００２９】 また位相差層２１は、反射表示領域Ｂに対してのみ選択的に設けられ、反射層１１に対向する状態で配置されていることとする。そして、この位相差層２１と上述した凸パターン１２との選択的な配置により、透過表示領域Ａのセルギャップｇａに対する反射表示領域Ｂのセルギャップｇｂが調整されている。 【００３０】 ここで、透過表示領域Ａのセルギャップｇａおよび反射表示領域Ｂのセルギャップｇｂは、図４および下記式（１）を参照して次のようにして設定されている。 【数１】 ［図：0001422031000005.jpg］ 【００３１】 まず、上記式（１）から、電界ＯＮ（白表示）時に、透過表示領域Ａにおける明るい白表示を実現するためには、液晶分子ｍの配向軸ｍｐと偏光板４０，５０の透過軸５０ｐ，４０ｐとのなす角度θ（θ’）＝４５°に設定された上記状態で、透過表示領域Ａにおける液晶層３０の位相差Δｎｄを、およそλ／２とすれば良いことがわかる。このため、透過表示領域Ａにおけるセルギャップｇａは、透過表示領域Ａにおける液晶層３０の位相差Δｎｄ（ａ）＝λ／２となるように調整されていることとする。 【００３２】 以上のように設定された透過表示領域Ａにおけるセルギャップｇａに対して、反射表示領域Ｂにおけるセルギャップｇｂは、液晶層３０の位相差Δｎｄ（ｂ）は、Δｎｄ（ｂ）＝Δｎｄ（ａ）／２＝λ／４となるように調整されていることとする。このため、反射表示領域Ｂにおけるセルギャップｇｂは、当該反射表示領域Ｂにおける液晶層３０の位相差Δｎｄ（ｂ）＝λ／４となるように、すなわちセルギャップｇａ＝２ｇｂに調整されていることとする。 【００３３】 そして、以上のように設定された反射表示領域Ｂにおける位相差Δｎｄ（ｂ）＝λ／４に基づき、反射表示領域Ｂにおいて良好なコントラストを得るためには、黒表示時に可視光領域全体にわたる光の反射を抑えることが重要である。そのためには、反射表示領域Ｂにおいては、位相差層２１と液晶層３０とをあわせて広帯域λ／４（可視光の波長帯域でλ／４となる）を形成する必要がある。このため、反射表示領域Ｂに設ける位相差層２１の位相差は、λ／２（５５０ｎｍの光に対して）であることとする。 【００３４】 尚、反射表示領域Ｂにおいて、位相差層２１と液晶層３０とで良好な広帯域λ／４条件とするためには、位相差層２１の波長分散と液晶層３０の波長分散とのバランスも重要となる。ここで、波長分散係数Ａ＝Δｎ（４００ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）とすると、好ましくは０．８＜Ａ（液晶層３０）／Ａ（位相差層２１）＜１．３となり、より好ましくは０．９＜Ａ（液晶層３０）／Ａ（位相差層２１）＜１．１５となるように、各波長分散係数Ａを調整しておく。 【００３５】 また、このλ／２の位相差層２１は、その遅相軸と偏光板４０，５０の透過軸４０ｐ，５０ｐとのなす角度が２０°～２５°度の範囲になるよう設けられていることとする。この値は、次のようなシミュレーション結果から得た。 【００３６】 図５には、上述したように条件設定された液晶表示装置において、位相差層２１の遅相軸２１ｐと偏光板４０，５０の透過軸４０ｐ，５０ｐとのなす角度θａを変化させた場合の、透過表示領域におけるコントラストのシミュレーション結果を示す。シミュレーション条件は、光入射角度０°、測定角度０°、偏光板偏光度９９．７％、光源Ｄ６５、波長分散係数Ａ（液晶層３０）＝１．０３、波長分散係数Ａ（位相差層２１）＝１．０２、反射層をミラー面として計算した。尚、光源Ｄ６５は、光源規格Ｄにおいて太陽光に近いスペクトルを示す。」 「【００７３】 ＜第４実施形態＞ 図１０は第４実施形態の液晶表示装置の断面構成図であり、図１１および図１２はこの表示装置における配向状態を示す模式図である。これらの図に示す液晶表示装置１ｃと、図１～３を用いて説明した第１実施形態の液晶表示装置と異なるところは、反射表示領域Ｂに縦電界を生じさせるように電極を設けた点にあり、透過表示領域Ａを含む他の構成は同様であることとする。尚、図１０～１２においては、上述した各実施形態と同様の構成については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。 【００７４】 すなわち、反射表示領域Ｂにおいては、第１基板１０側には、コモン電極を設けず、セルギャップｇｂ調整用の凸パターン１２の上部に画素電極１４ｂを設ける。そして、この画素電極１４ｂを覆う状態で、第１実施形態と同様の配向膜１７を設ける。また、第２基板２０側には、位相差層２１の上方に画素電極１４ｂに対向させて対向電極２７を設ける。そして、この対向電極２７を覆う状態で、第１実施形態と同様の配向膜２２を設ける。これにより、画素電極１４ｂ－対向電極１７間に電圧を印可した場合に、第１基板１０および第２基板２０の基板面に対して垂直な電界（縦電界）が、液晶層３０に対して印加される構成となっている。そして、この縦電界により、液晶層３０を構成する液晶分子ｍが、基板面に対して略垂直な向きに配向する構成となっている。 【００７５】 また反射表示領域Ｂにおけるセルギャップｇｂは、第１実施形態と同様にセルギャップｇａ＝２ｇｂに調整され、電界ＯＮ時における反射表示領域Ｂの液晶層３０がλ／４の位相差を有する構成となっている。」 「【図１】（１） ［図：0001422031000006.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001422031000007.jpg］ 」 （イ） 引用文献２の記載より把握できる技術事項 前記（ア）の【００３４】には、反射表示領域Ｂにおいて、位相差層と液晶層とで良好な広帯域λ／４条件とするためには、位相差層の波長分散と液晶層の波長分散とのバランスも重要となり、波長分散係数Ａ＝Δｎ（４００ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）とする（Δｎは、屈折率異方性である（【００３０】）。）と、０．８＜Ａ（液晶層３０）／Ａ（位相差層２１）＜１．３となるように、各波長分散係数Ａを調整することが記載されており、【００３６】には、前記の関係を満たす、波長分散係数Ａ（液晶層３０）＝１．０３、波長分散係数Ａ（位相差層２１）＝１．０２との条件でシミュレーションを行っていることが記載されている。そして、広帯域λ／４条件を満たすか否かは、位相差層及び液晶層によって定まるものであるから、これらの層が反射表示領域Ｂに属するかどうかに影響しないことが明らかである。そうすると、引用文献２には、以下の技術事項（以下「引用文献２技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用文献２技術事項＞ 「位相差層と液晶層とで良好な広帯域λ／４条件とするためには、位相差層の波長分散と液晶層の波長分散とのバランスも重要となり、波長分散係数Ａ＝Δｎ（４００ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）とする（Δｎは、屈折率異方性である。）と、０．８＜Ａ（液晶層３０）／Ａ（位相差層２１）＜１．３となるように、各波長分散係数Ａを調整するものであり、波長分散係数Ａ（液晶層３０）＝１．０３、波長分散係数Ａ（位相差層２１）＝１．０２との条件が例示されていること。」 （３） 本件補正発明と引用発明の対比、一致点及び相違点の認定 ア 本件補正発明と引用発明を対比すると、以下のとおりである。 （ア） 本件補正発明の「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型であり、液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射層を有する液晶表示パネルと、前記光反射層の下に位置し、前記光反射層に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある１／２波長板と、を備える、携帯型機器に用いられる液晶表示装置であって、」との特定事項について ａ 引用発明の「液晶表示装置１」は、本件補正発明の「液晶表示装置」に相当する。そして、引用発明の「液晶表示装置１」は、「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型の」ものであるから、本件補正発明でいう「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型」であるものといえる。 ｂ 引用発明の「液晶層２」、「光反射層４」及び「液晶表示パネル５」は、それぞれ本件補正発明の「液晶層」、「光反射層」及び「液晶表示パネル」に相当する。そして、引用発明は、「液晶層２を有するとともに、表示面３側から入射して前記液晶層２を通過した光を反射する光反射層４を有する液晶表示パネル５」「を備え」ているから、本件補正発明でいう「液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射層を有する」ものといえる。 ｃ 引用発明の「薄膜トランジスタ」は、本件補正発明の「薄膜トランジスタ」に相当する。そして、当該「薄膜トランジスタ」を構成する「ドレイン電極２０」は、「画素電極である光反射層４に層間接続部２２などによって接続され」ているから、当該「薄膜トランジスタ」は、本件補正発明でいう「前記光反射層に電気的に接続された」ものといえる。また、引用発明の「液晶表示パネル５」は、「光反射層４」及び「薄膜トランジスタ」を備えているところ、当該「光反射層４」は、「表示面３側から入射して前記液晶層２を通過した光を反射する」ものであり、当該「薄膜トランジスタ」が光の経路中に存在するとは考えにくいことから、当該「光反射層４」に接続された「薄膜トランジスタ（ドレイン電極２０）」は、当該「光反射層４」からみて当該「液晶層２」と反対の側にあるものと理解できる。そうすると、当該「薄膜トランジスタ」は、「液晶表示パネル５」を表示面３側から見たときに、「光反射層４」の裏側にある、言い換えれば、「光反射層４」の下にあるといえる。したがって、引用発明の「薄膜トランジスタ」は、本件補正発明でいう「前記光反射層の下に位置」するものといえる。 ｄ 引用発明は、「前記液晶表示パネル５の前記表示面３側に配置される第１の偏光板６と、前記液晶表示パネル５と前記第１の偏光板６との間にある第１の１／２波長板７と、を備え」ている。したがって、引用発明の「第１の偏光板６」及び「第１の１／２波長板７」は、それぞれ本件補正発明の「第１の偏光板」及び「１／２波長板」に相当し、引用発明は、本件補正発明でいう「前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある１／２波長板と、を備える」ものといえる。 ｅ 引用発明は、「携帯電話機の表示装置として実施され」るものであるから、本件補正発明でいう「携帯型機器に用いられる」ものといえる。 ｆ 以上によれば、引用発明は、本件補正発明の前記特定事項を満たしている。 （イ） 本件補正発明の「前記液晶層は、その位相差が前記１／２波長板の位相差の１／２よりも小さいとともに、複屈折率の波長分散が正分散性であり、」との特定事項について 引用発明の「液晶層２」は、「その位相差が前記第１の１／２波長板７の位相差の１／２よりも小さ［い］」ものである。したがって、本件補正発明の前記特定事項と引用発明とは、「前記液晶層は、その位相差が前記１／２波長板の位相差の１／２よりも小さい」点で共通する。 （ウ） 本件補正発明の「前記１／２波長板は、その位相差の波長分散が正分散性であるとともに、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差しており、」との特定事項について 引用発明の「第１の１／２波長板７」は、「その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差する」ものである。したがって、本件補正発明の前記特定事項と引用発明とは、「前記１／２波長板は、」「その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差して」いる点で共通する。 （エ） 本件補正発明の「前記第１の偏光板の吸収軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差し、前記液晶層を構成する液晶は、複屈折率が０．０５０以上０．０８０以下であり、」との特定事項について 引用発明は、「液晶分子の電界無印加時の初期配向方向（＝ラビング方向）に直交する方向を基準軸（＝０°）とし、その基準軸から各軸までの反時計まわりの角度を遅相軸等の角度とすると、第１の偏光板６の吸収軸の角度θｐ１は１７１°」である。したがって、本件補正発明の前記特定事項と引用発明とは、「前記第１の偏光板の吸収軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差」する点で共通する。 （オ） 本件補正発明の「前記液晶の駆動電圧が、前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖである」との特定事項について 引用発明の「液晶表示装置１は、携帯電話機の表示装置として実施され」るものであり、「薄膜トランジスタ」は、「ゲート電極３１に所定電位の電圧（３Ｖ，６Ｖ）を印加することによって、ソース電極２１とドレイン電極２０との間の半導体層３０（チャネル）に電流を流す、スイッチング素子（ゲートトランスファ素子）として機能」するものである。 したがって、本件補正発明の前記特定事項と引用発明とは、「前記液晶の駆動電圧」が所定の電圧である点で共通するが、所定の電圧について、本件補正発明は、「前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖである」のに対し、引用発明は、ゲート電圧が３Ｖ又は６Ｖであり、液晶表示装置１が、携帯電話機の表示装置として実施されるものである。 イ 前記アより、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、下記のとおりである。 ＜一致点＞ 「ノーマリブラックで表示を行う複屈折制御型であり、 液晶層を有するとともに、表示面側から入射して前記液晶層を通過した光を反射する光反射層を有する液晶表示パネルと、 前記光反射層の下に位置し、前記光反射層に電気的に接続された薄膜トランジスタと、 前記液晶表示パネルの前記表示面側に配置される第１の偏光板と、 前記液晶表示パネルと前記第１の偏光板との間にある１／２波長板と、を備える、携帯型機器に用いられる液晶表示装置であって、 前記液晶層は、その位相差が前記１／２波長板の位相差の１／２よりも小さく、前記１／２波長板は、その遅相軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差しており、 前記第１の偏光板の吸収軸が電界無印加時の液晶分子の配向軸と交差し、 前記液晶の駆動電圧が、所定の電圧である、液晶表示装置。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「液晶層」について、本件補正発明は、「複屈折率の波長分散が正分散性であ［る］」のに対し、引用発明は、その複屈折率の波長分散は不明である点。 ・相違点２ 「１／２波長板」について、本件補正発明は、「その位相差の波長分散が正分散性である」に対し、引用発明は、その位相差の波長分散は不明である点。 ・相違点３ 「前記液晶層を構成する液晶」について、本件補正発明は、「複屈折率が０．０５０以上０．０８０以下」であるのに対し、引用発明は、その複屈折率は不明である点。 ・相違点４ 「前記液晶の駆動電圧」である所定の電圧について、本件補正発明は、「前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖである」のに対し、引用発明は、ゲート電圧が３Ｖ又は６Ｖであり、液晶表示装置１が、携帯電話機の表示装置として実施されるものである点。 （４） 相違点の検討 ア 相違点１及び２について 相違点１及び２を併せて検討する。 引用発明の「液晶表示装置１」の「液晶層２」及び「第１の１／２波長板７」の分散特性について、引用文献１には明記がないものの、光学材料の波長分散は正分散性であるのが通常であるし、引用文献２技術事項において波長分散係数Ａとして正のものが例示されているのも、そのことが念頭に置かれていると解される。 そうすると、引用発明から出発した当業者は、引用文献２技術事項及び上記技術常識に基づいて、相違点１及び２に係る本件補正発明の構成に容易に至るといえる。 イ 相違点３及び４について （ア）引用発明から出発した当業者が、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成に至るためには、液晶層２の液晶として、駆動電圧が２．４Ｖ～３．６Ｖとされるもの（以下、液晶の駆動電圧が当該範囲である構成を「本件駆動電圧構成」という。相違点４関係。）であって、複屈折率が０．０５０以上０．０８０以下のもの（以下、液晶の複屈折率が当該範囲である構成を「本件複屈折率構成」という。相違点３関係。）を選択し、上記駆動電圧を上記の２．４Ｖ～３．６Ｖの範囲に含まれるものとすれば足りる。この点、相違点４に係る本件補正発明の構成のうち、「前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い」点については、上記のように駆動電圧を２．４Ｖ～３．６Ｖとすれば、必然的に満たされるのであり、このことは、引用発明のゲート電極３１に印加される所定電位の電圧（本件補正発明でいう「薄膜トランジスタのゲート電圧」に相当する。）が「３Ｖ」又は「６Ｖ」であることからみて明らかである。 （イ）検討に先立ち、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成を選択することによる技術的意義について確認する。 ａ 本件補正後の明細書及び図面（以下「本件補正後明細書等」という。）には、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成に関して、次の記載がある。 「・・・一方、液晶の波長分散は、液晶の物性値の観点からは、ネマティック状態から等方性液体への液晶転移温度Ｔｎｉ、複屈折率Δｎ及び駆動電圧を決めるΔε（誘電率異方性）の値により変化する。Ｔｎｉが高く、ΔｎやΔεが大きいほど、液晶の波長分散は大きくなる。低電圧駆動による低消費電力化が要求されるモバイル用途においては、Ｔｎｉは７５～１０５℃、Δｎは０．０５０～０．０８０、Δεは＋８～＋１８が好ましい。これにより、２．４Ｖ～３．６Ｖの低電圧駆動による低消費電力化が可能となる。」（［００２４］） 「・・・実施例１の液晶表示装置の液晶層２は、Ｔｎｉ＝８５℃、Δε＝＋１１．４であり、複屈折率Δｎの波長分散（Δｎ（４３６ｎｍ）／Δｎ（５８９ｎｍ））は、１．０６３（Δｎ（４３６ｎｍ）＝０．０７２７、Δｎ（５８９ｎｍ）＝０．０６８４）の正分散性であった。・・・比較例１の液晶表示装置の液晶層２は、Ｔｎｉ＝９５℃、Δε＝＋７．０であり、複屈折率Δｎの波長分散（Δｎ（４３６ｎｍ）／Δｎ（５８９ｎｍ））は、１．０７８（Δｎ（４３６ｎｍ）＝０．０９７０、Δｎ（５８９ｎｍ）＝０．０９００）の正分散性であった。・・・」（［００２５］） 「さらに、モバイル用途においては、Ｔｎｉを７５℃～１０５℃、Δｎを０．０５０～０．０８０、Δεを＋８～＋１８とすることにより、２．４Ｖ～３．６Ｖの低電圧駆動による低消費電力化が可能となる。」（［００３０］） ｂ 前記ａによれば、本件補正後明細書等には、低電圧駆動による低消費電力化が要求されるモバイル用途においては、Ｔｎｉは７５～１０５℃、Δｎは０．０５０～０．０８０（本件複屈折率構成）、Δεは＋８～＋１８が好ましく、これにより、２．４Ｖ～３．６Ｖ（本件駆動電圧構成）の低電圧駆動による低消費電力化が可能となることが記載されている。 他方、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成には、Δεが含まれていないところ、液晶が駆動電圧によって駆動するメカニズムに係る技術常識に照らせば、Δεの値が駆動電圧の値に大きく寄与することは明らかである一方、本件複屈折率構成がこれに寄与するとは考えにくい。そして、本件補正後明細書等には、Δεとは関わりなく、本件複屈折率構成のみで、低電圧駆動を可能にできることを明らかにする実施例及び比較例は記載されていないし、Δεの値とΔｎの値に一定の相関があるとの技術常識があるともいえない。 そうすると、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成を選択することによる技術的意義は、モバイル用などにおける低消費電力化にあり、そのためには、本件駆動電圧構成を可能にする液晶、具体的には、Δεが本件駆動電圧構成を可能にする程度のものを選択する必要があるものの、その際に本件複屈折率構成をも満たす液晶を選択することには、特段の技術的意義はないとみるのが相当である。 （ウ）以上を踏まえて、引用発明から出発した当業者が、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成に至るか否かについて検討する。 引用発明は、「液晶表示装置１は、携帯電話機の表示装置として実施され」るものであるから、当業者にとって低消費電力化が求められることは当然であるところ、引用発明のゲート電極３１に印加される所定電位の電圧が、３Ｖ又は６Ｖであることに鑑みて、当該電圧より高い電圧を必要としないようにすることが自然といえるから、それを実現するために、本件駆動電圧構成を採用した上で、液晶層２の液晶として本件駆動電圧構成を可能にするもの、具体的には、Δεが本件駆動電圧構成を可能にする程度の液晶を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。そして、Δεが本件駆動電圧構成を可能にする程度の液晶において、本件複屈折率構成をも満たす液晶は、周知（例えば、原査定の拒絶の理由で引用された国際公開第２０１０／１３１６１４号の［０１１３］（Δｎ＝０．０８０であり、Δε＝８．９である。）参照。）であることにも照らせば、液晶層２の液晶を選択する際に、本件複屈折率構成をも満たすものを採用することは、単なる設計的事項にすぎない。なお、仮に、ΔｎとΔεとの間に一定の相関関係があるとしても、その場合には、Δεと駆動電圧との間に関係があることから、２．４Ｖ～３．６Ｖの駆動電圧となるΔεが定まり、そのような液晶を選択した結果、Δｎが「０．０５０以上０．０８０以下」の範囲を満たす値を取り得ることになるはずであるから、上記のように、本件駆動電圧構成を可能にする液晶を選択した際に、本件複屈折率構成をも満たすものを選択することは、やはり設計的事項にすぎない。 このようにして、引用発明から出発した当業者が、相違点３及び４に係る本件補正発明の構成に至ることになる。 （５） 本件補正発明の効果について そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 （６） 請求人の主張について 請求人は、本件補正発明は、（ｉ）薄膜トランジスタが光反射層の下に位置し、当該光反射層に電気的に接続されていることにより、外光による光リーク電流が発生することを抑えることができる旨、（ｉｉ）液晶の駆動電圧が２．４Ｖ～３．６Ｖであり携帯型機器に用いられる液晶表示装置を提供できる旨を主張している。 しかしながら、（ｉ）は、前記（３）ア（ア）ｃに説示したとおり、引用発明も備えている。（ｉｉ）は、前記（４）イで説示したとおりである。 （７） 小括 以上によれば、本件補正発明は、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明の認定 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１～１５に係る発明は、令和５年７月４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２の［理由］１（２）において本件補正前の請求項１として記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、以下の理由を含むものである。 本願発明は、その出願の優先日前に頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である下記引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知技術に基づいて、その出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特開２０１９－８２３０号公報 引用文献２：特開２００６－１７１３７６号公報 引用文献３：国際公開第２０１０／１３１６１４号（周知技術を示す文献） ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び２に記載された事項及び引用発明等の認定は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比及び判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「液晶表示装置」について「携帯型機器に用いられる」という限定事項を削除し、「光反射層」について、「前記光反射層の下に位置し、前記光反射層に電気的に接続された薄膜トランジスタ」とを限定を削除し、「液晶」の駆動電圧について、「前記薄膜トランジスタのゲート電圧と略同じであるかまたは前記ゲート電圧よりも低い、２．４Ｖ～３．６Ｖ」との限定を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（４）に記載したとおり、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。