2024-005915

特願２０１９－１６０５０２「水晶素子及びその製造方法、並びに水晶素子を含む光発振装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ３月１１日出願公開、特開２０２１－ ３９２３６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和元年９月３日の出願であって、その手続の経緯の概略は次のとおりである。 令和 ５年 ８月 ４日付け：拒絶理由通知書 同年１０月１６日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１２月２２日付け：拒絶査定 （令和 ６年 １月 ９日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ４月 ８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年４月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年４月８日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和６年４月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする補正であって、本件補正前（令和５年１０月１６日にされた手続補正後）の特許請求の範囲の請求項１及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、それぞれ次の(１)及び(２)に示すとおりである。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子であって、 前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面であり、 前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間している、 水晶素子。」 (２) 本件補正後 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１における「に式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」」との記載は、明細書の【００２６】の記載から見て、「式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」」の誤記であることが明らかである。本審決では、請求項１でこの誤記を正した以下に示す記載に基づいて検討する。 「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子であって、 前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面であり、 前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間しており、 前記複数の極性反転領域は、式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」（ただし、λは基本波光の波長であり、Ｎｗは入力光の屈折率であり、Ｎ２ｗは波長変換光の屈折率である）にて導出される所定位置に配列される、 水晶素子。」 ２ 本件補正の適否についての当審の判断 (１) 本件補正の目的について 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「複数の極性反転領域」を、「前記複数の極性反転領域は、式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」（ただし、λは基本波光の波長であり、Ｎｗは入力光の屈折率であり、Ｎ２ｗは波長変換光の屈折率である）にて導出される所定位置に配列される」ものに限定するものである。 そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 (２) 独立特許要件について 前記(１)のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 ア 本件補正発明 本件補正後の請求項１に係る発明（本件補正発明）は、前記１(２)の本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 イ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定 ａ 引用文献１に記載された事項 原査定で引用され、本願の出願前に発行された特開２００４－１０７１８７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものであり、他の文献についても同様である。 (ａ) 従来の技術（【０００１】～【００１６】） 「【０００１】 【従来の技術】 常誘電体である水晶（ＳｉＯ２）に、そのα－β相転移温度付近で応力を印加することにより、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた擬似位相整合波長変換光学素子が提案されている（Ｓ．Ｋｕｒｉｍｕｒａ， Ｒ．Ｂａｔｃｈｋｏ， Ｊ．Ｍａｎｓｅｌｌ， Ｒ．Ｒｏｕｔｅ， Ｍ．Ｆｅｊｅｒ， ａｎｄ Ｒ．Ｂｙｅｒ：１９９８年春応用物理学会予稿２８ａ－ＳＧ－１８：非特許文献１）。これは、水晶のドフィーネ双晶を利用し、非線形光学定数ｄ１１の符号を周期的に反転させることにより水晶による擬似位相整合結晶を作製し、これを擬似位相整合波長変換光学素子として用いるものである。 【０００２】 水晶の場合、吸収端が波長１５０ｎｍ程度であり、波長２００ｎｍ以下での紫外光吸収は、従来の複屈折位相整合を用いた非線形光学素子（β―ＢａＢ２Ｏ４やＣｓＬｉＢ６Ｏ１０等）や強誘電体の擬似位相整合を用いた非線形光学素子（ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等）による場合に比べてほとんどない。さらに第二光高調波発生により、ＡｒＦエキシマレーザと同等の波長約１９３ｎｍの光を高効率に発生させる可能性があるという従来の非線形光学素子にはない特徴がある。双晶構造は、その周期を数μｍ～数十μｍ程度とすることにより実用的な波長変換デバイスとして用いることができる。この擬似位相整合水晶を用いた半導体露光装置が提案されている（特開平２００２－１２２８９８号公報：特許文献１）。 【０００３】 水晶の周期双晶構造の作製方法としては、リソグラフィ技術と薄膜形成技術により水晶基板上に周期的なＣｒ膜を製膜し、温度を５５０℃前後まで昇温させることにより、水晶とＣｒの線熱膨張率の差による面内応力を利用し、温度と応力を印加することが最初に提案された（Ｓ．Ｋｕｒｉｍｕｒａ， Ｒ．Ｂａｔｃｈｋｏ， Ｊ．Ｍａｎｓｅｌｌ， Ｒ．Ｒｏｕｔｅ， Ｍ．Ｆｅｊｅｒ， ａｎｄ Ｒ．Ｂｙｅｒ：１９９８年春応用物理学会予稿２８ａ－ＳＧ－１８：非特許文献１）。この方法においては、Ｃｒ膜が製膜された部分のみ結晶軸が反転し、周期双晶構造が生成される。 【０００４】 しかしながら、この方法では水晶基板面に平行な応力成分を用いるために、応力が結晶表面付近に局在し、結晶表面から数μｍ内部までしか結晶軸の反転が形成されなかった。このため、周期双晶構造が内部までできている、つまりアスペクト比の大きい周期双晶構造が得られないので、レーザ光の波長変換に用いるような、バルクの光学素子の実現は不可能であった。 【０００５】 このような問題点を解決する方法として、ホットプレス法が提案された（Ｓ．Ｋｕｒｉｍｕｒａ， Ｉ．Ｓｈｏｊｉ， Ｔ．Ｔａｉｒａ， Ｍ．Ｆｅｊｅｒ， Ｙ．Ｕｅｓｕ， ａｎｄ Ｈ．Ｎａｋａｊｉｍａ：２０００年秋応用物理学会予稿３ａ－Ｑ－１：非特許文献２）。この方法は、水晶基板の片面の表面上に周期的な段差構造を作製し、その水晶基板を上下方向からヒータブロックで挟み込み、水晶基板の温度を昇温して所望の温度に到達した時点で、圧力を印加するものである。このとき、段差構造のうち凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転する。この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができる。すなわち、凸部のみに応力が集中してそこから双晶が発生し、次第に内部へと成長し、アスペクト比の大きい双晶構造が作製される。 【０００６】 このような、片面の表面上に段差構造が形成された水晶基板の例を、図４を用いて説明する。水晶基板１の片側の表面には段差構造が形成され、その結果、直方体の形状を有する凸部２が、所定の間隔で形成されている。この凸部２は、図の左右方向に所定の幅を有し、その幅と同じ間隔で複数の凸部２が、図の左右方向に形成されている。凸部２は図の奥行き方向に長い直方体形状を有している。この長手方向に平行な方向をａ軸方向とする。当然、ａ軸は水晶基板１の法線に対して垂直となっている。 ・・・（中略）・・・ 【０００９】 以下、図４に示すような凸部２の作製方法の例を説明する。最初に水晶基板１上にＣｒ膜をスパッター法により厚さが１００ｎｍ程度となるように成膜する。この膜上にポジ型のレジストを塗布し、ｉ線ステッパーなどの半導体露光装置を用いて、凸部２となる部分以外の部分を露光し現像する。次に、残ったレジストをマスクとしてＣｒ膜を溶解除去する。そして、残ったレジスト膜とＣｒ膜をマスクとして、弗化水素酸にてウエットエッチングを行い数μｍ程度の深さの段差構造を作製する。これにより、図４に示すような凸部２を有する段差構造が表面に形成された水晶基板１が完成する。なお、Ｃｒ膜は、押圧の前にはがしてもはがさなくともどちらでもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００１５】 水晶基板５２は前述のような構造を有し、数ｍｍ～数十ｍｍ角程度の大きさである。また、直径数インチ程度のウエハを用いて双晶を一括生成した後により小さい断片に切り分けることもありうる。水晶基板５２の厚みは、バルクの光学素子として利用できるように、０．１ｍｍ～数ｍｍ程度とされている。 【００１６】 水晶基板５２は両面を精密研磨してあり、平均波面収差が約０．０３λ（λ＝０．６３８μｍ）程度に収まるように基板の両面平行度、各面の面精度を確保してある。これは水晶の場合、約０．０４５μｍの面精度に相当し、前述のような水晶表面に形成された段差に比べて十分小さい。」 「【図４】 ［図：0001427527000001.jpg］ 」 (ｂ) 発明が解決しようとする課題（【００１７】～【００２７】） 「【００１７】 ・・・（中略）・・・ 【発明が解決しようとする課題】 ・・・（中略）・・・ 【００２６】 さらに、従来のホットプレス法で水晶中に相転移型双晶を形成する場合、前述のようにフォトリソグラフィとウエットエッチング法により水晶基板の片面に段差構造を形成するという作業を、各水晶基板毎に行わなければならないという問題点があった。 【００２７】 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、上記のような種々の問題点を解決することができる水晶基板と押圧装置を提供することを課題とする。」 (ｃ) 課題を解決するための手段（【００２８】～【００４０】） 「【００２８】 【課題を解決するための手段】 ・・・（中略）・・・ 【００３４】 前記課題を解決するための第３の手段は、ホットプレス法により水晶中に相転移型双晶を形成するために用いられる押圧装置であって、加熱ブロックを有し、当該加熱ブロックに、当該加熱ブロックとは別の材料で構成された押圧部材が取り付けられていることを特徴とする押圧装置（請求項３）である。 【００３５】 本手段によれば、加熱される加熱ブロックを熱伝導率の良い部材で形成して熱伝達を良くすると共に、実際に水晶基板を押圧する押圧部材を、加熱ブロックとは別の、高温において硬質性を保つことができる部材とすることにより、押圧面が高温のために変形するという問題を低減することができる。 【００３６】 また、押圧部材として高精度の面加工が可能な材料を使用することにより、水晶基板に形成された表面段差に比べて小さな誤差で押圧面の加工を行うことができ、水晶基板を均一に押圧することが可能となる。 ・・・（中略）・・・ 【００３９】 前記課題を解決するための第４の手段は、前記第３の手段であって、前記押圧部材のうちの一つの押圧部材の表面のうち、前記水晶の、相転移を起こさせたい部分に当接する部分が、他の部分より凸状となるように加工されていることを特徴とするもの（請求項４）である。 【００４０】 本手段においては、押圧部材側に凸部が設けられているので、水晶基板については表面を研磨するだけでよく、段差構造を設けなくても、押圧部材の凸部に当接して加圧される部分が相転移を起こし、相転移型双晶が形成される。よって、従来のように、各水晶基板について、フォトリソグラフィとウエットエッチングにより段差構造を形成する工程が不要となる。 ・・・（後略）」 (ｄ) 実施の形態の１例（【００４５】～【００５６】、【図１】） 「【００４５】 【発明の実施の形態】 以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１例である押圧装置を使用して、本発明の実施の形態の１例である水晶基板を押圧している状態を示す概要図である。この押圧装置の基本的な構成は、図５に示した従来のものとほぼ同様であるので、図１においては、その主要部のみを概略的に図示している。 【００４６】 水晶基板１１は、上部ブロック１２と下部ブロック１３の間に挟まれた状態で加熱され、さらに押圧されて応力を加えられる。上部ブロック１２は、上部ヒータブロック１４と上部押圧プレート１５から構成されており、上部ヒータブロック１４と上部押圧プレート１５は、ねじや高温接着剤や、後述の方法により結合されている。下部ブロック１３は、下部ヒータブロック１６と下部押圧プレート１７から構成されており、下部ヒータブロック１６と下部押圧プレート１７は、ねじや高温接着剤や、後述の方法により結合されている。 【００４７】 上部ヒータブロック１４、下部ヒータブロック１６はＳＵＳ３０４で構成され、各々に設けられた２つの貫通孔にヒータ１８が埋め込まれている。上部押圧プレート１５と下部押圧プレート１７は、超硬金属やサファイア、セラミックス、石英ガラス、水晶等の、高温で硬度を保ち、十分な平面研磨ができる材料で構成され、その押圧面は研磨により、面精度が６０ｎｍ程度になるように仕上げられている。 【００４８】 下部ブロック１３は、下部プレート１９に結合されている。上部ブロック１２は、軸受ブロック２０に接しており、軸受ブロック２０は、上部プレート２１に結合されている。上部ブロック１２は、その上面に、半径Ｒ１に凸面加工された凸部２２を有し、軸受ブロック２０は、その下面に、半径Ｒ２（Ｒ２＞Ｒ１）に凹面加工された凹部２３を有している。このようにすることにより、首振り機構が構成され、その結果、押圧時には必ず水晶基板１１の面に対して上部押圧プレート１５の押圧面が倣うようになり、水晶基板１１に一様な荷重が印加されるようになる。 【００４９】 この機構は、フリーシャンク機構として周知のものであるが、この機構を使用する他、上部ブロック１２と軸受ブロック２０を球面軸受で結合しても、上部ブロック１２を上部プレート２１にジンバル機構を介して取り付けるようにしても、ほぼ同じ作用効果が得られる。 【００５０】 また、この実施の形態においては、水晶基板１１を加熱するためのヒータ１８は、上下の各ヒータブロック１４、１６に各２個づつ設けられている。この２つのヒータ１８は、互いに同一の形状と加熱力を有し、押圧面からの距離が等しくなるような位置に、図において各ヒータブロック１４、１６の中心軸に対して左右対称になるように設けられている。ヒータ１８としては、コイルヒータを採用しているが、その他の手段、例えば高周波加熱、電気炉による加熱を使用したヒータとしてもよい。 【００５１】 このようにすることにより、上部ブロック１２、下部ブロック１３の押圧面の中心部分では温度分布の一様性が良好となる。また更に、上部ブロック１２、下部ブロック１３の押圧面の大きさを水晶基板１１よりも大きくすると、上部ブロック１２、下部ブロック１３の押圧面中心部での温度分布ムラを、より小さくすることができる。 【００５２】 このようにして、図１に示した実施の形態においては、圧力と共に温度も水晶基板１１上に一様に印加され、水晶の双晶の生成条件の、基板上でのばらつきを小さくすることができる。 【００５３】 図１に示される水晶基板１１は、フォトリソグラフィ工程とドライエッチングにより、その片面に微細な凸部を周期的に有する段差構造が形成されたものである。 【００５４】 このような水晶基板１１は、例えば以下のような工程で製造される。最初に水晶基板上にＣｒ膜をスパッター法により厚さが１００ｎｍ程度となるように成膜する。この膜上にポジ型のレジストを塗布し、ｉ線ステッパーなどの半導体露光装置を用いて、凸部となる部分以外の部分を露光し現像する。そして、残ったレジストをマスクとしてＣｒ膜を除去する。そして、残ったレジスト膜とＣｒ膜をマスクとして、ＲＩＥあるいはＩＣＰなどのドライエッチングを行い、数μｍ程度の深さの段差構造を作製する。最後に、レジスト膜とＣｒ膜を除去することにより、図１に示すような凸部を有する段差構造が表面に形成された水晶基板１１が完成する。 【００５５】 しかしながら、このような方法で水晶基板中に相転移型双晶を形成する場合には、各水晶基板毎に、前記のような工程で段差構造を形成しなければならない。これに対し、図１に示す実施の形態において、例えば上部押圧プレートの表面を平面とせず、この部分に周期的な凸部を有する段差構造を形成して、表面が平面に研磨された水晶基板を加熱、押圧して、それにより水晶基板中に相転移型双晶を形成するようにしてもよい。これにより、各水晶基板毎に段差加工を行う工程を省略することができる。 ・・・（後略）」 「【図１】 ［図：0001427527000002.jpg］ 」 ｂ 引用文献１の記載から当業者が把握できる事項 (ａ) 【００５５】に記載された水晶基板中に相転移型双晶を形成した水晶基板について、引用文献１には、当該水晶基板の具体的な用途は記載されていないが、当業者は、当該水晶基板が、【０００１】に記載の従来技術と同様の用途を想定したものであることを把握することができる。してみると、当業者は、【００５５】の水晶基板を用いた、水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた擬似位相整合波長変換光学素子（【０００１】）を把握することができる。 (ｂ) 当業者は、実施の形態の１例についての記載である【００５５】の記載は、【００３９】～【００４０】の第４の手段に対応していることを把握することができる。そして、【００４０】の「押圧部材の凸部に当接して加圧される部分が相転移を起こし、相転移型双晶が形成される」との記載をみれば、「水晶基板の片面の表面上に周期的な段差構造を作製」した従来技術についての記載である【０００５】の「凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転する。この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができる。すなわち、凸部のみに応力が集中してそこから双晶が発生し、次第に内部へと成長し、アスペクト比の大きい双晶構造が作製される。」との記載は、【００５５】の水晶基板においても妥当する記載であることを把握できる。したがって、当業者は、【００５５】の水晶基板は、押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ、すなわち、凸部のみに応力が集中してそこから双晶が発生し、次第に内部へと成長し、アスペクト比の大きい双晶構造が作製されたものである（【０００５】・【００４０】）ことを把握することができる。 ｃ 引用発明の認定 前記ａの引用文献１に記載された事項及び前記ｂの引用文献１の記載から当業者が把握できる事項を総合すると、引用文献１には、図１に示す実施の形態の１例において、【００５５】に記載のように相転移型双晶形成した水晶基板を用いた擬似位相整合波長変換光学素子に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同様。）。 ＜引用発明＞ 「水晶基板を用いた、水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた擬似位相整合波長変換光学素子であって、（前記ｂ(ａ)） ホットプレス法により水晶中に相転移型双晶を形成するために用いられる押圧装置は、加熱ブロックを有し、当該加熱ブロックに、当該加熱ブロックとは別の材料で構成された押圧部材が取り付けられている押圧装置であり、（【００３４】） 前記押圧部材のうちの一つの押圧部材の表面のうち、前記水晶の、相転移を起こさせたい部分に当接する部分が、他の部分より凸状となるように加工されており、（【００３９】） 押圧部材側に凸部が設けられているので、水晶基板については表面を研磨するだけでよく、段差構造を設けなくても、押圧部材の凸部に当接して加圧される部分が相転移を起こし、相転移型双晶が形成され、よって、各水晶基板について、フォトリソグラフィとウエットエッチングにより段差構造を形成する工程が不要となり、（【００４０】） 水晶基板１１は、上部ブロック１２と下部ブロック１３の間に挟まれた状態で加熱され、さらに押圧されて応力を加えられ、上部ブロック１２は、上部ヒータブロック１４と上部押圧プレート１５から構成されており、（【００４６】） 上部押圧プレートの表面を平面とせず、この部分に周期的な凸部を有する段差構造を形成して、表面が平面に研磨された水晶基板を加熱、押圧して、それにより水晶基板中に相転移型双晶を形成するようにし、これにより、各水晶基板毎に段差加工を行う工程を省略することができ、（【００５５】） 水晶基板は、押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ、すなわち、凸部のみに応力が集中してそこから双晶が発生し、次第に内部へと成長し、アスペクト比の大きい双晶構造が作製されたものである、（前記(ｂ(ｂ)) 擬似位相整合波長変換光学素子」 (イ) 引用文献２に記載された事項及び技術常識の認定 ａ 引用文献２に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の出願前に発行された原田 昌樹 他、真空紫外発生をめざす水晶波長変換デバイス、光学、応用物理学会、２００７年５月、３６巻、５号、２５３～２５８頁（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。 「疑似位相整合（ＱＰＭ：ｑｕａｓｉ ｐｈａｓｅ ｍａｔｃｈｉｎｇ）は、周期的な非線形光学定数ｄの変調構造を要求するものの、透明領域内すべての波長で位相整合が可能で、ウォークオフのない波長変換を実現できる。」（２５４頁左欄２３～２６行） 「ＱＰＭ水晶波長変換デバイスに要求される１次の周期Λ（１）は、入射波波長λＦ、入射波に対する屈折率ｎＦ、第二高調波に対する屈折率ｎＳＨを用いてΛ（１）＝λＦ／２（ｎＳＨ－ｎＦ）と表される。」（２５５頁左欄２４～２７行） ｂ 技術常識の認定 前記ａの引用文献２に記載された事項によれば、次に示す技術は、本願の出願前の技術常識であると認められる。 ＜技術常識＞ 「疑似位相整合水晶波長変換デバイスに要求される１次の周期Λ（１）は、入射波波長λＦ、入射波に対する屈折率ｎＦ、第二高調波に対する屈折率ｎＳＨを用いてΛ（１）＝λＦ／２（ｎＳＨ－ｎＦ）と表されること」 ウ 対比 (ア) 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 ａ 本件補正発明の「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子であって、」及び「水晶素子。」との特定事項について (ａ) 引用発明の「擬似位相整合波長変換光学素子」は、「水晶基板を用いた、水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込［んだ］」ものであるから、本件補正発明の「水晶素子」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「擬似位相整合波長変換光学素子」が用いる「水晶基板１１」は、「上部ブロック１２と下部ブロック１３の間に挟まれた状態で加熱され、さらに押圧されて応力を加えられ［た］」ものであって、「表面が平面に研磨された水晶基板を加熱、押圧して、それにより水晶基板中に相転移型双晶を形成するようにし［た］」ものであるところ、その上部ブロック側の表面が、本件補正発明の「主面」に相当し、その下部ブロック側の表面が、本件補正発明の「裏面」に相当する。 (ｃ) 引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであり、「水晶基板は、押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるところ、引用発明の「結晶軸反転部分」は、「周期的な分極反転構造」をなすものであるから、本件補正発明の「複数の極性反転領域」に相当する。また、当該「周期的な分極反転構造」をなす当該「結晶軸反転部分」の間には、結晶軸非反転部分が存在することが理解でき、当該結晶軸非反転部分は、本件補正発明の「極性非反転領域」に相当する。 (ｄ) 引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであり、「水晶基板は、押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるところ、「上部押圧プレートの表面を平面とせず、この部分に周期的な凸部を有する段差構造を形成し［た］」ものであるから、その上部ブロック側の表面には、「結晶軸反転部分」と結晶軸非反転部分（前記(ｃ)参照。）が存在することが理解できる。したがって、引用発明の上部ブロック側の表面は、本件補正発明でいう「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる」ものであるといえる。 (ｅ) 引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるところ、その結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは明らかではないが、引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであることからみて、その下部ブロック側の表面には、少なくとも結晶軸非反転部分（前記(ｃ)参照。）が存在することが理解できる。したがって、引用発明の下部ブロック側の表面は、本件補正発明でいう「前記極性非反転領域が設けられる」ものであるといえる。 (ｆ) 前記(ａ)～(ｅ)をまとめると、本件補正発明と引用発明は、「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子」である点で一致する。 ｂ 本件補正発明の「前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面であり、」との特定事項について (ａ) 引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであって、「水晶基板は、押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるから、前記ａ(ｃ)も踏まえると、引用発明の「結晶軸反転部分」は、本件補正発明でいう「前記極性非反転領域を介して互いに離間［する］」ものであるといえる。 (ｂ) 引用発明は、「押圧部材側に凸部が設けられているので、水晶基板については表面を研磨するだけでよく、段差構造を設けなくても、押圧部材の凸部に当接して加圧される部分が相転移を起こし、相転移型双晶が形成され、よって、各水晶基板について、フォトリソグラフィとウエットエッチングにより段差構造を形成する工程が不要とな［る］」ものであるから、その表面は研磨され、段差構造が設けられていないことが理解できる。したがって、引用発明の上部ブロック側の表面は、本件補正発明でいう「平面であ［る］」といえる。 (ｃ) 前記(ａ)～(ｂ)をまとめると、本件補正発明と引用発明は、「前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面であ［る］」点で一致する。 ｃ 本件補正発明の「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間しており、」との特定事項について (ａ) 引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるところ、前記ａ(ｅ)でも説示したように、その結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは明らかではない。 (ｂ) したがって、前記複数の極性反転領域について、本件補正発明は、「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間して［いる］」のに対して、引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるが、その結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは明らかではない点で相違する。 ｄ 本件補正発明の「前記複数の極性反転領域は、式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」（ただし、λは基本波光の波長であり、Ｎｗは入力光の屈折率であり、Ｎ２ｗは波長変換光の屈折率である）にて導出される所定位置に配列される、」との特定事項について (ａ) 引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであるが、双晶構造の具体的な周期は不明である。 (ｂ) したがって、前記複数の極性反転領域について、本件補正発明は、「式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」（ただし、λは基本波光の波長であり、Ｎｗは入力光の屈折率であり、Ｎ２ｗは波長変換光の屈折率である）にて導出される所定位置に配列される」のに対して、引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであるが、双晶構造の具体的な周期は不明である点で相違する。 (イ) 一致点及び相違点 前記(ア)の対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点１＞ 「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子であって、 前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面である、 水晶素子」である点。 ＜相違点１＞ 前記複数の極性反転領域について、本件補正発明は、「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間して［いる］」のに対して、引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるが、その結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは明らかではない点。 ＜相違点２＞ 前記複数の極性反転領域について、本件補正発明は、「式「Λ＝（λ／２）／（Ｎ２ｗ－Ｎｗ）」（ただし、λは基本波光の波長であり、Ｎｗは入力光の屈折率であり、Ｎ２ｗは波長変換光の屈折率である）にて導出される所定位置に配列される」のに対して、引用発明は、「水晶（ＳｉＯ２）に、周期的な双晶構造を作り込み、周期的な分極反転構造を実現させた」ものであるが、双晶構造の具体的な周期は不明である点。 エ 相違点についての判断 前記相違点について検討する。 (ア) 相違点１について 引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播」するものであることから、当業者は、結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかを検討する契機をもつといえる。しかるに、結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは、擬似位相整合波長変換光学素子として機能するのに必要かつ十分な程度、換言すれば、波長変換される光の光路として必要な程度に押圧部材の凸部にあたる部分から結晶の内部まで結晶軸反転部分を形成する必要があり、それで足りることを当業者は当然に認識できる。 そして、引用発明を開示する引用文献１には、従来技術として、「水晶基板５２の厚みは、バルクの光学素子として利用できるように、０．１ｍｍ～数ｍｍ程度とされている」（【００１５】）と記載されており、この水晶基板の厚みを考慮すると、数ｍｍといった比較的厚い水晶基板を用いる場合には、結晶軸反転部分が、押圧部材の凸部にあたる部分から、下部ブロック側の表面まで伝播することは要しないことを当業者は理解できる。また、このように水晶基板の結晶軸反転部分がその基端側の面から裏面まで到達することは必ずしも要しないことは、本願の明細書【０００３】で従来技術文献として挙げられている特許第４６６６４４９号公報にも以下のとおり明記されていることからみて、技術常識であるとも認められる。 「【００２３】 なお、図３（ｃ）の図では、Ｙ軸方向に延びるツインが水晶基板３０の下面（段差構造３１と反対側の面）まで貫通している状態を示したが、図５に示すように、ツインを下面まで貫通させずに、途中まで成長させた状態でも良い。ツインはＹ軸方向に成長した後にＺ方向に成長するため、下面まで貫通させない方がツイン制御をし易くなる。ツインの長さは、Ｔ１，Ｔ２の温度条件によってコントロールすることができる。ツインの長さを短くする場合は、Ｔ２を200℃より低くし、ΔＴを175℃より大きくする。ツインを下面まで貫通させずに得たＱＰＭ水晶１０の使用に当たっては、ツインが形成されている領域に基本波光を通過させれば良い。」 「【図５】 ［図：0001427527000003.jpg］ 」 したがって、引用発明において、水晶基板の厚さや波長変換される光の径などに応じて、結晶軸反転部分が、押圧部材の凸部にあたる部分から、下部ブロック側の表面まで伝播することがない程度に結晶内部まで伝播させること、すなわち、相違点１に係る本件補正発明でいう「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間して［いる］」構成とすることは、当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。 (イ) 相違点２について 当業者は、引用発明の「擬似位相整合波長変換光学素子」がその機能を適切に発揮できるよう、「周期的な双晶構造」及び「周期的な分極反転構造」の周期を決定する必要があるところ、前記イ(イ)ｂで認定したとおり、「疑似位相整合水晶波長変換デバイスに要求される１次の周期Λ（１）は、入射波波長λＦ、入射波に対する屈折率ｎＦ、第二高調波に対する屈折率ｎＳＨを用いてΛ（１）＝λＦ／２（ｎＳＨ－ｎＦ）と表されること」は技術常識である。 したがって、引用発明において、当業者が「周期的な双晶構造」及び「周期的な分極反転構造」の周期を、前記技術常識に従い「入射波波長λＦ、入射波に対する屈折率ｎＦ、第二高調波に対する屈折率ｎＳＨを用いてΛ（１）＝λＦ／２（ｎＳＨ－ｎＦ）と表される」１次の周期Λ（１）とすることにより、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることには、何らの困難性もない。 オ 総合検討 相違点１～２を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明に基づいて当業者にとって予測可能なものであり、格別顕著な効果であるともいえない。 カ 請求人の主張について 請求人は、引用文献１には、複数の極性反転領域の間隔が、入射される光の波長や屈折率に応じて定められる旨については何らの記載も示唆もされておらず、このため、相違点２に係る本件補正発明の構成は記載も示唆もされておらず、引用発明１を知見した当業者が、相違点２を解消する設計変更を実施することは困難である旨を主張している。 しかしながら、前記エ(イ)で説示したとおりであるから、請求人の主張は採用できない。 キ 独立特許要件についての当審の判断のまとめ 以上のとおり、本件補正発明は、引用発明及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件補正発明は、同法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 (３) 本件補正の適否についての当審の判断のまとめ 前記(２)で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正で特許請求の範囲についてする補正は、特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に違反するものである。 したがって、本件補正は、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明についての理由２（進歩性）の概要は、次のとおりである。 理由２（進歩性） 本願発明は、その出願に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２００４－１０７１８７号公報 ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定は、前記第２の２(２)イ(ア)において示したとおりである。 ４ 対比 前記第２の２(２)ウの本件補正発明と引用発明の対比と同様にして本願発明と引用発明を対比すると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点２＞ 「複数の極性反転領域と、極性非反転領域とが設けられる主面、及び、前記極性非反転領域が設けられる裏面を有する水晶素子であって、 前記複数の極性反転領域は、前記極性非反転領域を介して互いに離間し、前記主面は、平面である、 水晶素子」である点。 である点。 ＜相違点３＞ 前記複数の極性反転領域について、本願発明は、「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間している」のに対して、引用発明は、「押圧部材の凸部にあたる部分にのみ応力が作用するので、この部分でのみ結晶軸成分が反転し、この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、深さ方向に大きく入った周期的な双晶の格子を作製することができ［る］」ものであるが、その結晶軸反転部分が押圧部材の凸部にあたる部分から結晶内部のどこまで伝播するのかは明らかではない点。 ５ 判断 前記相違点３について検討すると、前記第２の２(２)エ(ア)で検討したとおり、引用発明において、水晶基板の厚さや波長変換される光の径などに応じて、結晶軸反転部分が、押圧部材の凸部にあたる部分から、下部ブロック側の表面まで伝播することがない程度に結晶内部まで伝播させること、すなわち、相違点３に係る本願発明でいう「前記複数の極性反転領域の全ては、前記裏面に対して離間して［いる］」構成とすることは、当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。 ６ 小括 したがって、本願発明は、引用発明及び必要に応じて技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。