2022-701168

特許第７０７５８４７号発明「半導体装置および電力変換装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０７５８４７号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 特許第７０７５８４７号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０７５８４７号の請求項１～９に係る特許についての出願は、平成３０年８月２８日に出願され、令和４年５月１８日にその特許権の設定登録がされ、同年５月２６日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ４年１１月２５日 ：特許異議申立人安井健治（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ５年 ３月 ２日付け ：取消理由通知書 令和 ５年 ４月２８日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ５年 ７月 ５日 ：申立人による意見書の提出 令和 ５年１０月１８日付け ：取消理由通知書（決定の予告） 令和 ５年１２月２１日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（ 以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）の提出 令和 ６年 ２月１４日 ：申立人による意見書の提出 なお、令和５年４月２８日にされた訂正請求は、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 特許権者は、特許請求の範囲の請求項１～９を、以下の事項により特定されるとおりに訂正すること、及び、明細書の記載を訂正することを請求する（下線は訂正箇所を示すため当審が付した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に、「０％以上２０％以下である」と記載されているのを、 「０％以上２０％以下であり、前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」に訂正する。 （請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２、４～７、９も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」と記載されているのを、 「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」に訂正する。 （請求項２の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に、「請求項１に記載の半導体装置であって、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層を介して導電部材に接合されることを特徴とする半導体装置。」と記載されているのを、 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合されることを特徴とする半導体装置。」に訂正する。 （請求項３の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。） （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、かつ、前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」と記載されているのを、 「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」に訂正する。 （請求項４の記載を直接又は間接的に引用する請求項５～７、９も同様に訂正する。） （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」と記載されているのを、 「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」に訂正する。 （請求項５の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。） （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に、「銅焼結層を介して導電部材に接合される」と記載されているのを、 「銅焼結層により導電部材に接合される」に訂正する。 （請求項６の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。） （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項８に、「請求項４に記載の半導体装置であって、 前記第２電極は、ボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドであることを特徴とする半導体装置。」と記載されているのを、 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり、 前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、 前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され、 前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドであることを特徴とする半導体装置。」に訂正する。 （請求項８の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。） （８）訂正事項８ 願書に添付した明細書の段落【００１２】に、 「【特許文献１】特許第５００６０８１号公報 【特許文献２】特開２０１５－５６５３２号公報 【特許文献３】特許第５６６９７８０号公報」と記載されているのを、 「【特許文献１】特許第５００６０８１号公報 【特許文献２】特開２０１５－５６５３２号公報 【特許文献３】特許第５６６９７８０号公報 【非特許文献】 【非特許文献１】Ｎｏｒｉｈｉｋｏ Ｈａｓｅｇａｗａ ｅｔ．ａｌ．“Ｅｆｆｅｃｔ ｏｎ ｆｉｌｍ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｂｙ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ａｎｄ ｓｕｌｆｕｒ ｃｏｎｔｅｎｔ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ＮｉーＰ ｐｌａｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ”，ｐ．７８－８１，［ｏｎｌｉｎｅ］，２０１８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｓ Ｐａｃａｇｉｎｇ ａｎｄ ＩＭＡＰＳ Ａｌｌ Ａｓｉａ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＣＥＰ－ＩＡＡＣ ２０１８ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ），２０１８年６月７日，（米），ＩＥＥＥ，［令和５年２月６日検索］，インターネット， ＜URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8374674＞，＜URL: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8374674＞」に訂正する。 （９）訂正事項９ 願書に添付した明細書の段落【００１６】に、 「０％以上２０％以下である」と記載されているのを、 「０％以上２０％以下であり、前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」に訂正する。 なお、本件訂正は、一群の請求項１～９について請求されている。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無、独立特許要件 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正事項１は、訂正前の請求項１に係る発明の「第１無電解Ｎｉメッキ層」について、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」との構成を追加して限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項１の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１は、願書に添付した明細書の段落【００２５】、【００２７】及び願書に添付した図面の図１等に基づくものである。 よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正事項２は、訂正前の請求項２に係る発明の「第１無電解Ｎｉメッキ層」について、「Ｎｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」を「メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項２の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項２は、願書に添付した明細書の段落【００５８】～【００６３】及び願書に添付した図面の図１０～１５等に基づくものである。 よって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について （ア）訂正事項３のうち、請求項３の「請求項１に記載の半導体装置であって」との記載を、 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であり」とする訂正（以下「訂正事項３－１」という。）は、訂正前の請求項１に係る発明の「メッキ成膜後の熱処理後」における「前記第１Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率」について、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり」を「メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であり」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするとともに、訂正前の請求項３は請求項１の記載を引用するものであるところ、請求項３の記載を請求項１の記載を引用しないものとするものである。 したがって、訂正事項３－１は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするとともに、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 （イ）訂正事項３のうち、請求項３の「銅焼結層を介して導電部材に接合される」との記載を「銅焼結層により導電部材に接合される」とする訂正は、「介して」の意味が前記第１無電解Ｎｉメッキ層と導電部材との間に銅焼結層以外の何らかの別部材を挟む場合を含む余地があるので、この余地を排除しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮しようとするものである。 （ウ）よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び同法同条同項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項３の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項３は、願書に添付した明細書の段落【００２４】～【００２７】、【００５８】～【００６３】及び願書に添付した図面の図１０～１７等に基づくものである。 よって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について （ア）訂正事項４のうち、請求項４の「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」との記載を、 「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、」とする訂正は、訂正前の請求項４に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 （イ）訂正事項４のうち、請求項４の「前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」との記載を「メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」とする訂正は、訂正前の請求項４に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 （ウ）よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項４の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項４は、願書に添付した明細書の段落【００５８】～【００６３】及び願書に添付した図面の図１０～１５等に基づくものである。 よって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （５）訂正事項５ ア 訂正の目的について 訂正事項５は、訂正前の請求項５に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「Ｎｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」を「メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下である」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項５の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項５は、願書に添付した明細書の段落【００５８】～【００６３】及び願書に添付した図面の図１０～１５等に基づくものである。 よって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （６）訂正事項６ ア 訂正の目的について 訂正事項６は、請求項６の「銅焼結層を介して導電部材に接合される」との記載を「銅焼結層により導電部材に接合される」と訂正することにより、「介して」の意味が第１無電解Ｎｉメッキ層と導電部材との間に銅焼結層以外の何らかの別部材を挟む場合を含む余地があるので、この余地を排除しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮しようとするものである。 よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項６の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項６は、願書に添付した明細書の段落【００７１】及び願書に添付した図面の図１７等に基づくものである。 よって、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （７）訂正事項７ ア 訂正の目的について （ア）訂正事項７のうち、請求項８の「請求項４に記載の半導体装置であって」との記載を、 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり、 前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、 前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され」とする訂正（以下「訂正事項７－１」という。）は、訂正前の請求項４に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し」と限定し、さらに、請求項４の「前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」との記載を「メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」とすることで、訂正前の請求項４に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下である」と限定し、さらに、訂正前の請求項４に係る発明の「第２無電解Ｎｉメッキ層」について、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され」との構成を追加して限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするとともに、訂正前の請求項８は請求項４の記載を引用し、訂正前の請求項４は請求項１の記載を引用するものであるところ、請求項８の記載を請求項１及び４の記載を引用しないものとするものである。 したがって、訂正事項７－１は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするとともに、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 （イ）訂正事項７のうち、請求項８の「前記第２電極は、ボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」との記載を「前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」とする訂正は、訂正前の請求項８に係る発明の「第２電極」について、「ボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」を「前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 （ウ）よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び同法同条同項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正前の請求項８の発明特定事項を概念的により下位の内容とする訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項７は、願書に添付した明細書の段落【００２５】～【００２７】、【００５８】～【００６３】、【００６８】、【００７０】、【００７１】及び願書に添付した図面の図１０～１６等に基づくものである。 よって、訂正事項７は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （８）訂正事項８ ア 訂正の目的について 訂正事項８は、願書に添付した明細書の先行技術文献の欄に、特許異議申立書で提出された甲第１号証の文献名を追加するものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アのとおり、訂正事項８は、願書に添付した明細書の先行技術文献の欄に、特許異議申立書で提出された甲第１号証の文献名を追加するものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記のとおり、訂正事項８は、願書に添付した明細書の先行技術文献の欄に、特許異議申立書で提出された甲第１号証の文献名を追加するものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項８は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 （９）訂正事項９ ア 訂正の目的について 訂正事項９は、願書に添付した明細書の発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の欄の記載を訂正後の請求項１の記載に合わせて訂正するものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アから明らかなように、訂正事項９は、訂正事項１に対応して明細書の記載内容を明瞭にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記（１）ウで説明したとおり、訂正後の請求項１の記載は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載に基づくものであるから、訂正事項９も願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載に基づくものである。 よって、訂正事項９は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ３ 小括 上記のとおり、訂正事項１～訂正事項９に係る本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲を、令和５年１２月２１日に提出された訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲（以下、単に「訂正特許請求の範囲」という。）のとおり、本件訂正後の請求項〔１～９〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～９に係る発明（以下、順にそれぞれ「本件発明１」～「本件発明９」という。また、訂正後の請求項１～９に係る発明をまとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合されることを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置であって、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項３】 半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合されることを特徴とする半導体装置。 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置であって、 前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、 前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置であって、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、メッキ成膜後の熱処理後においてＮｉ（ニッケル）の結晶化率が７０％以上９５％以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項６】 請求項４に記載の半導体装置であって、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合されることを特徴とする半導体装置。 【請求項７】 請求項４に記載の半導体装置であって、 前記第１電極の積層構造と前記第２電極の積層構造は、前記半導体素子を挟んで対称に配置された積層構造であり、 前記第１電極の積層構造を構成する膜の膜厚は、対称となる前記第２電極の積層構造を構成する膜の膜厚と略同一であることを特徴とする半導体装置。 【請求項８】 半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり、 前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、 前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され、 前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドであることを特徴とする半導体装置。 【請求項９】 一対の直流端子と、 交流出力の相数と同数の交流端子と、 前記一対の直流端子間に接続され、スイッチング素子および逆極性のダイオードの並列回路が２個直列に接続された、交流出力の相数と同数のスイッチングレッグと、 前記スイッチング素子を制御するゲート回路と、を有する電力変換装置であって、 前記スイッチング素子は、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。」 第４ 令和５年１０月１８日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由の概要 当審が令和５年１０月１８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 理由１（進歩性） 令和５年４月２８日付け訂正請求により訂正された請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「訂正発明１」、「訂正発明２」という。また、令和５年４月２８日付け訂正請求により訂正された請求項３～９に係る発明を順に「訂正発明３」～「訂正発明９」という。）は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、その発明の技術の分野に属する通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、訂正発明１～７に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて、訂正発明８及び９は、甲第１～３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。 ＜引用文献等一覧＞ １．甲第１号証：Ｎｏｒｉｈｉｋｏ Ｈａｓｅｇａｗａ ｅｔ．ａｌ．“Ｅｆｆｅｃｔ ｏｎ ｆｉｌｍ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｂｙ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ａｎｄ ｓｕｌｆｕｒ ｃｏｎｔｅｎｔ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉ－Ｐ ｐｌａｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ”，ｐ．７８－８１，［ｏｎｌｉｎｅ］， ２０１８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｓ Ｐａｃａｇｉｎｇ ａｎｄ ＩＭＡＰＳ Ａｌｌ Ａｓｉａ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＣＥＰ－ＩＡＡＣ ２０１８ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ），２０１８年６月７日，（米），ＩＥＥＥ，［令和５年２月６日検索］，インターネット， ＜URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8374674＞，＜URL:https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8374674＞（前者のウェブサイトの「ＰＤＦ」ボタンのリンク先が、後者のウェブサイトで、申立人提出の甲第１号証にページ番号が付加されたもの） ２．甲第２号証：特開２０１６－１５７８８２号公報（申立人提出の甲第２号証） ３．甲第３号証：特開２０１０－２０５９９１号公報（申立人提出の甲第３号証） 第５ 当審の判断 １ 甲号証の記載と甲号証に記載された発明又は技術的事項 （１）甲第１号証の記載、甲１発明 ア 甲第１号証には、以下の事項が記載されている。（ページは上記＜引用文献一覧＞「１．」の後者のウェブサイトによる。翻訳文は合議体による。） （ア）７８ページ、Abstract 「Abstract－In this paper, we have investigated the effect of phosphorus and sulfur content in the electroless Ni-P plating deposits on the film properties. Our results demonstrate that the Ni-P plating films with low phosphorus and no sulfur indicates high solder wettability and high tolerance to embrittlement after heat treatment.」 （「要約－無電解 Ni-Pめっき皮膜について皮膜中のリン含有率および硫黄含有率が皮膜特性に与える影響について検討した。その結果皮膜中のリン含有率が低く、硫黄を含有しない皮膜では、優れたはんだ濡れ性に加えて熱処理時においても脆化しにくい特性が得られた。」） （イ）７８ページ、I. INTRODUCTION AND MOTIVATION 「I. INTRODUCTION AND MOTIVATION If we change phosphorus content of electroless Ni-P plating films, various film properties can be obtained from the films. For example, excellent film properties such as corrosion-, chemical-, mechanical-, wear-resistance as well as outstanding performances in magnetism, hardness and electrical resistance can be provided from the films by altering phosphorus content in the films. Therefore, electroless Ni-P plating is widespread to be one of the important and indispensable technologies in surface treatments and widely used for cars, industrial machine, electronic devices and semiconductors [1]. Recently, electroless Ni-P films are used to the components for power devices such as the electrodes of semiconductors, lead frames, heat sinks. Therefore, the Ni-P films are required high solder wettability and the tolerance to the ruptures and the embrittlement under a high temperature. This study is carried on for electroless Ni-P plating to secure high solder wettability and high tolerance to ruptures and embrittlement under a high temperature. The results demonstrate the effect on film properties by phosphorus and sulfur content.」 （「Ｉ．序章と動機 無電解 Ni-Pめっき皮膜は、リン含有率を変えると、様々な皮膜特性が皮膜から得られる。例えば、耐腐食性、耐薬品性、機械的抵抗、耐摩耗性などの優れた膜特性は、磁気、硬度、および電気抵抗における優れた性能と同様に、膜のリン含有量を変更することによって膜から得られる。したがって、無電解 Ni-P めっきは、表面処理における重要かつ不可欠な技術の１つとして広く普及しており、自動車、産業機械、電子機器、半導体に広く用いられている[1]。 近年、無電解Ni-Pめっき皮膜は、半導体の電極、リードフレーム、アルミヒートシンクなどパワーデバイス関連部品に使用されている。したがって、Ni-P皮膜は、高いはんだ濡れ性と、高温下での破断や脆化に対する耐性が求められている。 本研究は、無電解Ni-Pめっきについては、高いはんだ濡れ性と、高温下での破断や脆化に対する高い耐性を確保することを目的に進められている。この結果は、リンと硫黄の含有量が膜特性に及ぼす影響を示している。」） （ウ）７８ページ、 A. Composition of the Ni-P plating solutions and theNi-P plating films 「II. EXPERIMENTAL AND EVALUATION METHOD A. Composition of the Ni-P plating solutions and the Ni-P plating films The plating bathes, basically composed of sodium hypophosphite as a reducing agent: carboxylic acids, oxycarboxylic acids and amino acids as complexing agents, have been used for the Ni-P plating. We have altered the concentration of each component in the solution to obtain Ni-P films which have differ of phosphorus and sulfur content in the films. All of the plating has been conducted with the solutions of 90 ℃. Phosphorus content in each film has been analyzed using the energy dispersive X-ray micro analyzer (EMAX ENERGY EX-350 made by HORIBA, Ltd.).Sulfur content has been analyzed using the carbon and sulfur analyzer in inorganic materials by infrared absorption method after combustion (CS- 844 made by LECO JAPAN CORPORATION).The plating has been conducted onto stainless steel, then the films have been peeled to be shredded finely. In addition, the film containing 0.0185±0.0008 wt.% of sulfur has been used as the standard sample and granular-tungsten and -tin has been utilized to combustion improver.」 （「II．実験と評価手法 Ａ．Ni-Pめっき溶液の組成とNi-Pめっき皮膜 Ni-Pめっきには、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とし、カルボン酸、オキシカルボン酸、アミノ酸を錯化剤とするめっき浴が使用された。溶液中の各成分の濃度を変更して、膜中のリンと硫黄の含有量が異なるNi-P膜を得た。めっきはすべて90℃の溶液で行われた。 各フィルムのリン含有量は、エネルギー分散型X線マイクロアナライザー（堀場製作所製EMAX ENERGY EX-350）を使用して分析された。硫黄含有量は、燃焼後の赤外線吸収法による無機材料中の炭素・硫黄分析装置（レコジャパン株式会社製 CS-844）を用いて分析された。ステンレス鋼にメッキが施され、次に、フィルムが剥がされて細かく裁断された。また、0.0185±0.0008 wt.%の硫黄を含むフィルムが標準試料として使用され、粒状のタングステンとスズが助燃剤として利用された。」） （エ）７８ページ、D. Evaluation Procedure of the film embrittlement 「D. Evaluation Procedure of the film embrittlement We have fabricated Ni-P plating films of approximately 100 μm thickness onto the rolled copper foils of 50 mm length, 25 mm width, 0.3 mm thickness. We have evaluated the films as deposited and the films after the heat treatment at 350 ℃ for 25 h. We have evaluated the film embrittlement due to observe the indentations and the crack occurrences with the micro Vickers hardness tester (HM-220C made by Mitutoyo Corporation), using 14.7 N as the maximum load.」 （「Ｄ．皮膜脆性の評価手順 皮膜の脆性評価には、50 mm長、25 mm幅、0.3 mm厚の圧延銅板に100 μm程度めっき処理したものを用いた。めっき直後および 350℃で 25時間加熱処理を行った皮膜について評価を行った。熱処理前後の皮膜についてマイクロビッカース硬さ試験機（ミツトヨ製HM-220C)を使用し、最大14.7Nの荷重を掛けた時の圧痕周辺に発生するクラックの状態により皮膜の脆性を評価した。」） （オ）７９ページ、E. Evaluation method of the structure analysis of the films 「E. Evaluation method of the structure analysis of the films We have fabricated Ni-P plating films of approximately 10 μm thickness onto the rolled copper foils of 50 mm length, 25 mm width, 0.3 mm thickness in order to observe the film structures. We have analyzed the film structures with the X-ray diffraction instrument (UltimaIII, made by Rigaku Corporation) about the films as deposited and the films after the heat treatment at 350℃ for 25 h.」 （「Ｅ．皮膜の構造解析の評価手法 皮膜の構造解析には、50 mm長、25 mm幅、0.3 mm 厚の圧延銅板に10 μm程度めっき処理したもの用いた。めっき直後および 350 ℃で25 時間の加熱処理を行った皮膜について、X線回折装置（リガク製UltimaIII) を使用して皮膜の構造を解析した。」） （カ）７９ページ、A. Composition of the Ni-P plating films 「III. RESULTS AND DISCUSSION A. Composition of the Ni-P plating films We have been altered the concentration of each component in the solution. Phosphorus and sulfur content in the prepared films are described in Table 1. In the Sample A, the phosphorus content was 12.6 wt.%, and the sulfur was below the detection limit. In the Sample B, the phosphorus content was 3.8 wt.%, the sulfur was below the detection limit, the Sample C had a phosphorus content of 1.8 wt.%, and a sulfur content of 0.22 wt.%. ［図：0001412270000001.jpg］ 」 （「III．結果と検討 Ａ．Ni-Pめっき皮膜の組成 各種浴組成、添加剤濃度を変化させ、作成した皮膜の皮膜組成を表１に示す。試料Aはリン含有率が12.6wt％であり、硫黄は検出限界以下であった。試料Bはリン含有率が3.8wt％で硫黄は検出限界以下、試料Cはリン含有率が1.8wt％で、0.22wt％の硫黄含有率を示した。 ［図：0001412270000002.jpg］ 」） （キ）７９～８０ページ、C. Evaluation of the films embrittlement 「C. Evaluation of the films embrittlement Fig. 2 demonstrates the indentation figures with the micro Vickers hardness tester after the heat treatment at 350 ℃ for 25 h. Compared Sample A (Phosphorus content: high) with Sample B (Phosphorus content: low), Sample A had have several cracks; however, Sample B had have hardly cracks after the heat treatment. We have conducted an additional experiments in Fig. 3 to clarify the differences of the filmstructures.」 「 Fig.3 indicates X-ray diffraction pattern about sample A and B with different phosphorus contents for as deposited and after heat treatment at 350 ℃ for 25 h. Sample A (phosphorus content : high) has broad diffraction lines around 2θ=45° and it indicates amorphous structure. The diffraction line for sample B having phosphorus content as low as 3.8 wt.% is relatively sharp and Ni(111) (200) (220) diffraction line can be confirmed. With respect to Sample A (phosphorus content: high), many peaks were detected with crystallization when heat treatment at 350℃ for 25 h was performed. As a result of identifying the peak obtained after the h eat treatment, it was found that the diffraction line was Ni and Ni3P. It is known that the electroless Ni-P plating film is in an amorphous state in which phosphorus is supersaturatedly solidsolved and the equilibrium phase is Ni+Ni3P [3]. In the Sample B (phosphorus content : low), significant change is not observed in the X-ray diffraction instrument (XRD) pattern before and after the heat treatment. The Ni3P phase is considered that the higher the phosphorus content is, the higher the generation amount is. Because in the Sample B (phosphorus content : low), the Ni3P phase formed is small, or the Ni3P phase did not grow until it affect diffraction, it can be considered that the diffraction line of Ni3P could not be confirmed even after the heat treatment. In electroless Ni-P plating films, it is known that the film hardness increases by heat treatment, it is considered that the rise of the film hardness by the heat treatment is due to the formation of the intermetallic compound phase Ni3P in the film [3]. It is considered that the formation of Ni3P which is an intermetallic compound increases film hardness and causes embrittlement of the film. From XRD results it is clear that more Ni3P is produced in Sample A with higher phosphorus content compared with Sample B. It was considered that the reason why the Sample A became embrittled after the heat treatment was that Ni3P of a large amount was formed in the film. ［図：0001412270000003.jpg］ On the other hand, in the Sample C having a sulfur content as high as 0.22 wt.%, cracks have occurred after the heat treatment despite the low phosphorus content of 1.8 wt.%. Next, in order to investigate the influence of the sulfur content in the film on embrittlement, the sulfur concentration in the fracture surface part of the film was evaluated by an Auger electron spectroscopy (AES).」 (「Ｃ．皮膜の脆化の評価 図２に350℃、25時間での熱処理前後における皮膜のビッカース硬度測定による圧痕を示す。 試料A（リン含有量：高）と試料B（リン含有量：低）を比較すると、試料Aにいくつかの亀裂があった。しかしながら、試料Bは熱処理後にクラックがほとんど発生しなかった。膜構造の違いを明らかにするため、図３の追加の実験を行った。」 「図３は、堆積時と350℃で25時間の熱処理後のリン含有量が異なる試料AとBのX 線回折パターンを示している。試料A（リン含有量：高）は、2θ=45゜付近に広い回折線があり、アモルファス構造を示していることが分かる。リン含有量が3.8wt％と低い試料Bの回折線は比較的鋭く、Ni(l11) (200) (220)回折線が確認できる。試料A（リン含有量：高）については、350℃で25時間の熱処理を行ったところ、結晶化したピークが多く検出された。熱処理後に得られたピークを特定した結果、回折線はNiとNi3Pであることがわかった。 無電解Ni-Pめっき膜は、リンが過飽和に固溶し、平衡相がNi+Ni3Pであるアモルファス状態であることが知られている[3]。 試料B（リン含有量：低）では、熱処理前後のX線回折装置 (XRD) パターンに大きな変化は見られない。Ni3P相は、リン含有量が多いほど発生量が多いと考えられる。試料B（リン含有量：低）では、形成されるNi3P相が小さいか、回折に影響を与えるまでNi3P相が成長しなかったため、熱処理後もNi3Pの回折線が確認できなかったと考えられる。 無電解Ni-Pめっき膜では、熱処理により膜硬度が上昇することが知られており、熱処理による膜硬度の上昇は、膜中の金属間化合物の相Ni3Pの形成によるものと考えられる[3]。 金属間化合物であるNi3Pの生成は、ニッケル皮膜の硬度を高め、皮膜の脆化を引き起こすと考えられる。XRD の結果から、試料Bに比べてリン含有量の多い試料Aではより多くのNi3Pが生成されることが明らかである。試料Aが熱処理後に脆化したのは、膜中に多量のNi3Pが生成したためと考えられる。 ［図：0001412270000004.jpg］ 一方、硫黄含有量が0.22wt％と高い試料Cでは、リン含有量がl.8wt％と低いにもかかわらず、熱処理後にクラックが発生している。次に、膜中の硫黄含有量が脆化に及ぼす影響を調べるために、膜の破断面部分の硫黄濃度をオージェ電子分光法(AES)で評価した。」） イ 上記アから、甲第１号証には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「無電解ニッケルめっき皮膜であって、 半導体の電極などのパワーデバイス用部品に使用することができ、 試料Ｂの皮膜は、無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜で、リン含有率が３．８ｗｔ％であり、 Ｘ線回折パターンにおいて、試料Ｂの皮膜について、２θ＝４５°付近の回折線は相対的に鋭く、Ｎｉ（１１１）（２００）（２２０）回折線を有し、 試料Ｂの当該皮膜では、350℃で25時間の熱処理後にＮｉ３Ｐの回折線は確認できなかった、無電解ニッケルめっき皮膜。」 （２）甲第２号証の記載、甲２発明 ア 甲第２号証には、以下の事項が記載されている。（下線は当審において付した。） ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置に関する。」 ｂ 「【０００４】 パワー半導体チップのＮｉ電極は、Ａｌ金属の表面上に、例えば、無電解メッキ法によりＮｉ層を成長させるＮｉ電極形成方法がある。 特許文献２には、半田を介して導体部材が接合された構成の半導体装置が記載されている。特許文献２に記載の半導体装置は、半導体基板の表面上にＡｌ電極が形成され、Ａｌ電極は、第１のＡｌ金属層と、第２のＡｌ金属層とに分かれている。そして、第１のＡｌ金属層と第２のＡｌ金属層との間に異種材質層が配置され、Ａｌ表面の結晶方位が主に(１１１)面のとき、その上に形成するＮｉメッキ層は最も均質あるいは高密度になるとしている。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 しかしながら、本発明者らが検討したところ、特許文献２のＡｌ表面の結晶方位が主に(１１１)面となる安定した成膜は困難であることが判明した。Ａｌ表面の結晶方位が主に(１１１)面となる安定した成膜が得られないので、Ｎｉメッキ層の厚さや密度が不均質になり、ピンホール状のＮｉ膜欠損が発生する課題があった。 また、半導体チップのＮｉ電極にピンホール状のＮｉ膜欠損があると、銅焼結層からなる接合層を用いて、電気的に接続端子に接続した場合、接合層からパワー半導体チップに銅が拡散し、素子リーク電流の増大、素子耐圧の劣化、素子の特性が変動してしまう課題があった。 【０００７】 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、成膜された電極膜の膜欠損を低減できる半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置を提供することを目的とする。」 ｃ 「【００１１】 以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 （第１の実施形態） 図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。 本実施形態の半導体装置は、パワー半導体チップのフリーホイールダイオードに適用した場合の断面構造を示す。なお、ｎ型Ｓｉ基板を用いたダイオードをもとに説明するが、これに限定されるものではない。ｐ型Ｓｉ基板を用いた場合においても同様に、取り扱うことができる。また、縦方向に電流を流すＩＧＢＴの電極構造においても、同様に取り扱うことができる。 【００１２】 図１に示すように、半導体装置１００は、ｎ型Ｓｉからなる半導体基板１０８を備える。半導体基板１０８は、表面から順にｐ型半導体層１０８ａ、ｎ－ドリフト層１０８ｂ、高濃度のｎ型不純物領域からなるｎ＋型半導体層１０８ｃを備え、半導体層からなる半導体素子１５０を形成している。半導体基板１０８は、第１の半導体チップの電極構造体１５１が形成される第１表面１０８ｄと、アノード電極１０９が形成される第２表面１０８ｅと、を有する。 【００１３】 半導体装置１００は、半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８のｎ＋型半導体層１０８ｃの第１表面１０８ｄに、この半導体素子１５０と電気的に接続され、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４（金属層）がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１と、Ｎｉ層１０４の表面１０４ａに配置され、銅焼結層１０３を介して第１の半導体チップの電極構造体１５１と接合された導電部材１０２と、を備える。 特に、第２のＡｌ金属層１０６の表面１０６ａのＡｌ結晶粒の結晶面方位が主に（１１０）面となっている。 なお、第１の半導体チップは、半導体基板１０８と、第１の半導体チップの電極構造体１５１と、を含んで構成されている。 【００１４】 第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４は、この順に形成されて、半導体基板１０８の裏面側のカソード電極１１２を構成する。カソード電極１１２は、銅焼結層１０３を用いてセラミックス絶縁基板１０１上の導電部材１０２に接合されている。Ｎｉ層１０４は、例えば無電解Ｎｉメッキ層である。Ｎｉ層１０４は、接続電極を形成する金属層であり、ＮｉのほかＣｕまたはＣｕ合金でもよい。 半導体基板１０８の第２表面１０８ｅ側のアノード電極１０９は、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極構造を有し、一部は、半導体基板１０８のｐ型半導体層１０８ａと接しており、他の一部は、絶縁酸化膜１１０と接している。また、絶縁酸化膜１１０上には、パッシベーション膜１１１が形成されている。パッシベーション膜１１１は、例えばポリイミドで構成されている。 ・・・ 【００２５】 以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００は、半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８のｎ＋型半導体層１０８ｃの表面に、この半導体素子１５０と電気的に接続され、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４)がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１と、Ｎｉ層１０４の表面に配置され、銅焼結層１０３を介して第１の半導体チップの電極構造体１５１と接合された導電部材１０２と、を備え、第２のＡｌ金属層１０６の表面１０６ａでのＡｌ結晶粒の結晶面方位が主に（１１０）面となっている。 【００２６】 上述したように、第２のＡｌ金属層１０６が主に（１１０）面において、ＡｌＳｉの平均結晶粒の大きさが、０．５μｍ以上となる条件でスパッタリングを行う。これにより、無電解メッキ時のジンケート処理によるＡｌＳｉ電極の局所的な削れが抑制され、均一なＮｉ膜の成長が促進され、Ｎｉ電極膜のピンホール欠損が低減できる。したがって、Ａｌ電極の表面上に、無電界メッキ法により成膜されたＮｉ電極膜の膜欠損が低減できる。 また、従来技術ではＡｌ表面の結晶方位が主に(１１１)面となる安定した成膜は困難である。これに対して、本実施形態では、第２のＡｌ金属層１０６の表面１０６ａでのＡｌ結晶粒の結晶面方位が主に（１１０）面となっている。結晶面方位が主に（１１０）面を用いることができるので、安定した成膜を容易に作製することができる。」 ｄ 「【００２８】 （第２の実施形態） 図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置２００の断面図である。図１と同一構成部分には同一符号を付して重複箇所の説明を省略する。本実施形態の半導体装置２００は、パワー半導体チップのフリーホイールダイオードに適用した場合の例である。本実施形態の半導体装置２００は、縦方向に電流を流すＩＧＢＴの電極構造においても、同様に取り扱うことができる。 【００２９】 図５に示すように、半導体装置２００は、半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第２表面１０８ｅに、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４がこの順に形成されている第２の半導体チップの電極構造体１５２と、第２の半導体チップの電極構造体１５２のＮｉ層１０４の表面１０４ａに配置され、銅焼結層１０３を介して第２の半導体チップの電極構造体１５２と接合された導電部材１０２と、をさらに備え、第２のＡｌ金属層１０６の表面１０６ａでのＡｌ結晶粒の結晶面方位が主に（１１０）面となっている。 なお、第２の半導体チップは、半導体基板１０８と、第２の半導体チップの電極構造体１５２と、を含んで構成されている。 半導体基板１０８の第２表面１０８ｅ上の第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４は、この順に形成されて、半導体基板１０８の表面側のカソード電極１１３を構成する。Ｎｉ層１０４は、銅焼結層１０３を用いて導電部材１０２に接合されている。 【００３０】 このように、本実施形態の半導体装置２００は、第１の半導体チップの電極構造体１５１と第２の半導体チップの電極構造体１５２が、半導体基板１０８の両面に形成され、導電部材１０２は銅焼結層１０３を介して第１の半導体チップの電極構造体１５１および第２の半導体チップの電極構造体１５２に接合されている。 【００３１】 本実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて、半導体基板１０８の両面に同様な電極構成体を設け、ウエハ表裏対象性のよい電極膜を形成しているので、電極膜の応力によるウエハ反りを低減でき、製造性を向上させることができる。 本実施形態の半導体装置２００をパワー半導体モジュールに適用した場合、半導体基板１０８の両面に同様な電極構成体を設け、ウエハ表裏対象性のよい電極膜を形成しているので、高温環境で顕著になる各部材の熱膨張差に起因する熱応力を小さくすることができる。理想的には銅焼結層１０３の熱膨張係数を導電部材１０２のそれに一致させることで、銅焼結層１０３に生じる熱応力が最小になり、長期信頼性が向上する。」 ｅ 「【図１】 ［図：0001412270000005.jpg］ 」 ｆ 「【図５】 ［図：0001412270000006.jpg］ 」 イ 上記アから、甲第２号証には、以下の技術的事項が記載されている。 （ア）甲第２号証に記載の技術的事項は、半導体チップのＮｉ電極の膜欠損を低減できる半導体装置を提供することを目的とすること（段落【０００６】、【０００７】）。 （イ）図５に示される、第２の実施形態に係る半導体装置２００は、半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第１表面１０８ｄに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４（金属層）がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１を備える半導体装置２００であること（段落【００１２】、【００１３】、【００２８】）。 （ウ）図５に示される、第２の実施形態に係る半導体装置２００のＮｉ層１０４は、無電解Ｎｉメッキ層であること（段落【００１４】、【００２８】）。 （エ）図５に示される、第２の実施形態に係る半導体装置２００は、Ｎｉ層１０４の表面１０４ａに配置され、銅焼結層１０３により第１の半導体チップの電極構造体１５１と接合された導電部材１０２を備えること（段落【００１３】、【００２８】～【００３０】）。 （オ）図５に示される、第２の実施形態に係る半導体装置２００は、半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第２表面１０８ｅに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４がこの順に形成されている第２の半導体チップの電極構造体１５２を備え、半導体基板１０８の両面に同様な電極構成体を設け、ウエハ表裏対象性のよい電極膜を形成している半導体装置２００であること（段落【００１２】、【００２９】）、【００３１】）。 ウ 上記イから、甲第２号証には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第１表面１０８ｄに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４（金属層）がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１を備え、 Ｎｉ層１０４は、無電解Ｎｉメッキ層であり、 Ｎｉ層１０４の表面１０４ａに配置され、銅焼結層１０３により第１の半導体チップの電極構造体１５１と接合された導電部材１０２を備え、 半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第２表面１０８ｅに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４がこの順に形成されている第２の半導体チップの電極構造体１５２を備え、 半導体基板１０８の両面に同様な電極構成体を設け、ウエハ表裏対象性のよい電極膜を形成している半導体装置２００。」 （３）甲第３号証の記載、甲第３号証に記載の技術的事項 ア 甲第３号証には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。） ａ 「【００４９】 上記において製造された半導体チップ１６がブロック１４にはんだ１３によりはんだ付けされる。この際、半導体チップ１６のめっき膜１１がブロック１４にはんだ１３を介在して接合される。そして、基板部材１０の他方表面１ｂ側にはリード１２がはんだ１３を介在して接合される。またボンディングワイヤ１５が基板部材１０の他方表面１ｂ側にボンディングされる。このようにして、図１１に示す半導体装置が完成する。 ・・・ 【００５１】 次に図１１を参照して、半導体装置の構成を説明する。図６に示す半導体ウェハがダイシングされて基板部材１０が形成されている。基板１の他方表面１ｂ側の基板部材１０上にはめっき膜１１が形成されている。当該めっき膜１１にボンディングワイヤ１５がボンディングされており、またはんだ１３を介してリード１２が取り付けられている。基板１の一方表面１ａ側の基板部材１０上にはめっき膜１１が形成されている。当該めっき膜１１にはんだ１３を介してブロック１４が取り付けられている。Ｐ２部を拡大した図が図１３である。」 ｂ 「 ［図：0001412270000007.jpg］ 」 イ 上記アから、甲第３号証には、以下の技術的事項が記載されている。 「基板の一方表面１ａ側及び他方表面１ｂ側それぞれの基板部材１０上にメッキ膜１１が形成された半導体チップ１６において、 基板他方表面１ｂ側の基板部材１０上に形成された当該めっき膜１１にボンディングワイヤ１５がボンディングされていること。」 ２ 甲１発明を引用発明とする対比・判断 （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明の「半導体」、「電極」、「パワーデバイス」、「無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜」である「試料Ｂの皮膜」、「Ｎｉ」、「リン」、「リン含有率」、「Ｘ線回折パターン」は、それぞれ本件発明１の「半導体素子」、「第１電極」、「半導体装置」、「第１無電解Ｎｉメッキ層」、「Ｎｉ（ニッケル）」、「Ｐ（リン）」、「Ｐ（リン）濃度」、「Ｘ線回折プロファイル」に相当し、甲１発明の「回折線」は、本件発明１の「回折ピーク」に対応する。 （イ）甲１発明は、「無電解ニッケルめっき皮膜であって、半導体の電極などのパワーデバイス用部品に使用することができ」るものであるところ、パワーデバイスにおいて、電極を、半導体の表面に形成することは、普通に行われているから、本件発明１と甲１発明とは、「半導体素子と、前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む」点で一致する。 （ウ）甲１発明の「試料Ｂの皮膜は、無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜で、リン含有率が３．８ｗｔ％であり」は、本件発明１の「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」に含まれる。 （エ）甲１発明の「Ｘ線回折パターンにおいて、試料Ｂの皮膜について」、「Ｎｉ（１１１）（２００）（２２０）回折線を有し」は、本件発明１の「前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し」に含まれる。 （オ）以上のことから、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有する半導体装置。」 ＜相違点１Ａ＞ 「第１電極」について、本件発明１では、「積層構造」であるのに対し、甲１発明では、「電極」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点１Ｂ＞ 本件発明１は、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲１発明は、「試料Ｂの皮膜は、無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜で、リン含有率が３．８ｗｔ％であり」、「試料Ｂの当該皮膜では、350℃で25時間の熱処理後にＮｉ３Ｐの回折線は確認できなかった」ものであるが、「試料Ｂの当該皮膜」（第１無電解Ｎｉメッキ層）について、「Ｎｉ３Ｐの結晶化率」の数値範囲は不明である点。 ＜相違点１Ｃ＞ 本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」ものであるのに対し、甲１発明では、「無電解ニッケルめっき皮膜」について、そのような特定はなされていない点。 イ 判断 （ア）相違点１Ａ、１Ｃについて 上記相違点１Ａ、１Ｃについて、まとめて検討する。 本件発明１では、「前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり」、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」と特定されている、すなわち、「前記第１電極」において、「前記第１表面の反対側」（下面側）に配置された「前記第１無電解Ｎｉメッキ層」は、「銅焼結層により導電部材に接合される」という構成を有している。一方、甲第１号証には、電極の最表面（最下層）に無電解Ｎｉメッキ層を配置し、さらにその無電解Ｎｉメッキ層が銅焼結層により導電部材に接合されることについては、何ら記載されておらず、それを示唆するような開示もない。 （イ）まとめ したがって、甲１発明において、相違点１Ａ、１Ｃに係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到することができたものではない。 よって、相違点１Ｂについて判断するまでもなく、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明３について ア 対比 本件発明３と甲１発明とを対比する。 上記（１）アでの検討を踏まえれば、本件発明３と甲１発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有する半導体装置。」 ＜相違点１Ｄ＞ 「第１電極」について、本件発明３では、「積層構造」であるのに対し、甲１発明では、「電極」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点１Ｅ＞ 本件発明３は、「メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲１発明は、「試料Ｂの皮膜は、無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜で、リン含有率が３．８ｗｔ％であり」、「試料Ｂの当該皮膜では、350℃で25時間の熱処理後にＮｉ３Ｐの回折線は確認できなかった」ものであるが、「試料Ｂの当該皮膜」（第１無電解Ｎｉメッキ層）について、「Ｎｉ３Ｐの結晶化率」の数値範囲は不明である点。 ＜相違点１Ｆ＞ 本件発明３は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」ものであるのに対し、甲１発明では、「無電解ニッケルめっき皮膜」について、そのような特定はなされていない点。 イ 判断 上記（１）アのとおり、上記＜相違点１Ａ＞は、「「第１電極」について、本件発明１では、「積層構造」であるのに対し、甲１発明では、「電極」について、そのような特定はなされていない点。」であるから、相違点１Ｄは、上記相違点１Ａと同じ相違点である。 また、上記（１）アのとおり、上記＜相違点１Ｃ＞は、「本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」ものであるのに対し、甲１発明では、「無電解ニッケルめっき皮膜」について、そのような特定はなされていない点。」であるから、相違点１Ｆは、上記相違点１Ｃと同じ相違点である。 したがって、上記（１）イで示した理由と同様の理由により、本件発明３は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明８について ア 対比 本件発明８と甲１発明とを対比する。 上記（１）アでの検討を踏まえるとともに、甲１発明は、「無電解ニッケルめっき皮膜であって、半導体の電極などのパワーデバイス用部品に使用することができ」るものであるから、甲１発明の「電極」は、本件発明８の「第１電極」及び「第２電極」の両者に相当する。 そうすると、本件発明８と甲１発明は、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点１Ｇ＞ 本件発明８は、「前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であり、前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され、前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」のに対し、甲１発明は、「無電解ニッケルめっき皮膜であって、半導体の電極などのパワーデバイス用部品に使用することができ」るものの、「前記半導体素子の前記第１表面とは反対側」（上面側）の「第２表面に形成された第２電極」について、本件発明８では、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側」（上面側）に「配置され」、「前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」との特定はなされていない点。 イ 判断 甲第１号証には、パワーデバイスの上面側の電極の最表面（最上層）に無電解Ｎｉメッキ層を配置し、さらに、上面側の電極は、その無電解Ｎｉメッキ層にアルミノボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドであることについては、何ら記載されておらず、それを示唆するような開示もない。 したがって、甲１発明において、相違点１Ｇに係る本件発明８の構成を採用することは当業者が容易に想到することができたものではない。 よって、その他の相違点について判断するまでもなく、本件発明８は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明２、４～７、９について ア 本件発明２、４～７について 本件発明２、４～７は、本件発明１に対して、さらに発明特定事項を追加したものを含む発明である。 よって、上記（１）イで示した理由と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明９について 本件発明９は、本件発明１、３、８に対して、さらに発明特定事項を追加したものを含む発明である。 よって、上記（１）イ、（２）イ、（３）イで示した理由と同様の理由により、本件発明９は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）甲１発明を引用発明とする対比・判断についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１～９は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 甲２発明を引用発明とする対比・判断 （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲２発明とを対比する。 （ア）甲２発明は、「半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第１表面１０８ｄに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４（金属層）がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１を備え」、「Ｎｉ層１０４は、無電解Ｎｉメッキ層である」から、「半導体素子１５０と、半導体素子１５０の第１表面１０８ｄに形成された第１の半導体チップの電極構造体１５１と、を備え、第１の半導体チップの電極構造体１５１は、無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造である」といえる。 そして、甲２発明の「半導体素子１５０」、「第１表面１０８ｄ」、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」、「（第１の半導体チップの電極構造体１５１が含む）無電解Ｎｉメッキ層」である「Ｎｉ層１０４」、「半導体装置２００」は、それぞれ本件発明１の「半導体素子」、「第１表面」、「第１電極」、「第１無電解Ｎｉメッキ層」、「半導体装置」に相当する。 したがって、本件発明１と甲２発明とは、「半導体素子と、前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造である半導体装置」である点で一致する。 （イ）甲２発明は、「半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第１表面１０８ｄに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４（金属層）がこの順に形成されている第１の半導体チップの電極構造体１５１を備え」、「Ｎｉ層１０４の表面１０４ａに配置され、銅焼結層１０３により第１の半導体チップの電極構造体１５１と接合された導電部材１０２を備える」ものであるから、「Ｎｉ層１０４は、第１の半導体チップの電極構造体１５１において、第１表面１０８ｄの反対側に配置され、銅焼結層１０３により導電部材１０２に接合される」ものであるといえる。 そして、甲２発明の「（半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の）第１表面１０８ｄ」、「銅焼結層１０３」、「導電部材１０２」は、それぞれ本件発明１の「第１表面」、「銅焼結層」、「導電部材」に相当する。 したがって、本件発明１と甲２発明とは、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される」点で一致する。 （ウ）そうすると、本件発明１と甲２発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される半導体装置。」 ＜相違点２Ａ＞ 本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｂ＞ 本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有」するものであるのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 イ 判断 （ア）相違点２Ａ、２Ｂについて 上記相違点２Ａ、２Ｂについて、まとめて検討する。 本件発明１では、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有し、かつ、メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であり」と特定されている。 一方、甲第２号証には、Ａｌ金属の表面上に、例えば、無電解メッキ法によりＮｉ層を成長させるＮｉ電極形成方法において、Ｎｉメッキ層にピンホール状のＮi膜欠損が発生すること、及び、ピンホール状のＮi膜欠損があると、接合層から半導体チップに銅が拡散してしまうという課題があった（【０００６】を参照。）が、Ｎｉ層１０４の下地の第２のＡｌ金属層１０６の表面１０６ａでのＡｌ結晶粒の結晶面方位を主に（１１０）面とすることにより、Ｎｉ電極膜（Ｎiメッキ層）のピンホール欠損を低減させる旨（【００２５】、【００２６】、【００２９】、図１、５を参照。）が記載されているから、甲２発明において、上記の課題は解決されている。 そうすると、Ｎｉメッキ層についての上記課題が解決されている甲２発明において、さらに、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」である「Ｎｉ層１０４」の組成や結晶構造及び結晶化率などの膜質を変更すべく甲１発明を適用する動機付けは当業者にはない。 （イ）まとめ したがって、甲２発明において、相違点２Ａ、２Ｂに係る本件発明１の構成を採用することは、甲第１号証を参照した当業者であっても容易に想到することができない。 よって、本件発明１は、甲２発明及び甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）申立人の意見について ａ 申立人は、令和６年２月１４日に提出した意見書（以下「申立人意見書」という。）において、特許権者が令和５年１２月２１日に提出した意見書（以下「特許権者意見書」という。）における、「５（５）取消理由２について」の主張に対して、以下のような主張をする。 特許権者の「（Ａ）甲１ははんだによる電極と導電部材との接合を前提としているので、甲２のような銅焼結層を介して電極と導電部材とを接合する技術と結びつける動機は無い（特許権者の意見書第６頁の（５）（ａ））。」（申立人意見書１ページ）との主張に対する、申立人の意見は次のとおりである。 「甲第２号証では、半導体チップのＮｉ電極においてＮｉ膜欠損があると、素子リーク電流の増大、素子耐圧の劣化、素子の特性が変動してしまう課題があったことが、記載されています（段落０００６）。一方、甲第１号証には、パワーデバイス関連部品（半導体電極）への無電解ニッケルめっきについて、・・・。そうしてみると、甲第２号証に記載の図５の半導体装置２００の第１の電極構造体１５１のＮｉ層１０４として、高温動作環境下で脆化し難い（すなわち、膜欠損を生じ難い）甲１の皮膜Ｂを採用し、それにより甲第２号証における上記問題（素子リーク電流の増大、素子耐圧の劣化、素子の特性の変動）を抑制することは、当業者が容易になし得たことであるといえます。」（申立人意見書２～３ページ） ｂ しかしながら、甲第２号証における「Ｎｉ膜欠損」の課題は、上記（ア）で判断したとおり、甲２発明において解決されており、甲２発明において、さらに、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」である「Ｎｉ層１０４」の組成や結晶構造及び結晶化率などの膜質を変更する動機付けは当業者にはないから、甲２発明において、甲１発明の皮膜を採用することは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。 したがって、申立人のかかる主張は採用することはできない。 （２）本件発明３について ア 対比 本件発明３と甲２発明とを対比する。 上記（１）アでの検討を踏まえれば、本件発明３と甲２発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、前記第１電極において、前記第１表面の反対側に配置され、銅焼結層により導電部材に接合される半導体装置。」 ＜相違点２Ｃ＞ 本件発明３は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の４００℃以下（３５０℃を除く）の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は前記熱処理の熱負荷によるクラック発生の無い０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｄ＞ 本件発明３は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有」するものであるのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 イ 判断 上記（１）アのとおり、上記＜相違点２Ａ＞は、「本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。」であるから、相違点２Ｃは、上記相違点２Ａと同様な相違点である。 また、相違点２Ｄは、上記相違点２Ｂと同じ相違点である。 したがって、上記（１）イで示した理由と同様の理由により、本件発明３は、甲２発明及び甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明８について ア 対比 本件発明８と甲２発明とを対比する。 （ア）上記（１）ア（ア）での検討を踏まえれば、本件発明８と甲２発明とは、「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造である半導体装置。」の点で一致する。 （イ）甲２発明は、「半導体素子１５０が形成された半導体基板１０８の第２表面１０８ｅに、第１のＡｌ金属層１０５、Ｃｕ拡散防止層１０７、第２のＡｌ金属層１０６、およびＮｉ層１０４がこの順に形成されている第２の半導体チップの電極構造体１５２を備え」るから、「半導体素子１５０の第２表面１０８ｅに形成された第２の半導体チップの電極構造体１５２をさらに備え、第２の半導体チップの電極構造体１５２は、無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、無電解Ｎｉメッキ層は、第２の半導体チップの電極構造体１５２において、第２表面１０８ｅの反対側に配置され」るといえる。 そして、甲２発明の「第２表面１０８ｅ」、「第２の半導体チップの電極構造体１５２」、「（第２の半導体チップの電極構造体１５２が含む）無電解Ｎｉメッキ層」である「Ｎｉ層１０４」は、それぞれ本件発明８の「前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面」、「第２電極」、「第２無電解Ｎｉメッキ層」に相当する。 したがって、本件発明８と甲２発明とは、「前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり」、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置され」る点で一致する。 （ウ）そうすると、本件発明８と甲２発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体素子と、 前記半導体素子の第１表面に形成された第１電極と、を備え、 前記第１電極は、第１無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記半導体素子の前記第１表面とは反対側の第２表面に形成された第２電極をさらに備え、 前記第２電極は、第２無電解Ｎｉメッキ層を含む積層構造であり、 前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、前記第２電極において、前記第２表面の反対側に配置される半導体装置。」 ＜相違点２Ｅ＞ 本件発明８は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｆ＞ 本件発明８は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有」するものであるのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｇ＞ 本件発明８は、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第２無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率が０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第２の半導体チップの電極構造体１５２」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｈ＞ 本件発明８は、「前記第２無電解Ｎｉメッキ層のＸ線回折プロファイルにＮｉ（１１１）およびＮｉ（２００）の回折ピークを有」するものであるのに対し、甲２発明は、「第２の半導体チップの電極構造体１５２」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２Ｉ＞ 本件発明８では、「前記第２電極は、前記第２無電解Ｎｉメッキ層にアルミのボンディングワイヤが接合されるボンディングパッドである」のに対し、甲２発明では、「第２の半導体チップの電極構造体１５２」について、そのような特定はなされていない点。 イ 判断 （ア）相違点２Ｅ、２Ｆについて 上記相違点２Ｅ、２Ｆについて、まとめて検討する。 上記（１）アのとおり、上記＜相違点２Ａ＞は、「本件発明１は、「前記第１無電解Ｎｉメッキ層は、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（リン）を組成として含み、前記第１無電解Ｎｉメッキ層のＰ（リン）濃度は２．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下であり」、かつ、「メッキ成膜後の熱処理後において前記第１無電解Ｎｉメッキ層中のＮｉ３Ｐの結晶化率は０％以上２０％以下であ」るのに対し、甲２発明は、「第１の半導体チップの電極構造体１５１」が含む「無電解Ｎｉメッキ層」について、そのような特定はなされていない点。」であるから、相違点２Ｅは、上記相違点２Ａと同様な相違点である。 また、相違点２Ｆは、上記相違点２Ｂと同じ相違点である。 したがって、上記（１）イで示した理由と同様の理由により、甲２発明において、相違点２Ｅ、２Ｆに係る本件発明８の構成を採用することは、甲第１号証、甲第３号証を参照した当業者であっても容易に想到することができない。 （イ）まとめ よって、相違点２Ｇ～相違点２Ｉについて検討するまでもなく、本件発明８は、甲２発明及び甲１発明、又は、甲２発明並びに甲１発明及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）申立人の意見について ａ 申立人は、申立人意見書において、特許権者意見書における、「５（５）取消理由２について」の主張に対して、以下のような主張をする。 特許権者の「（Ｂ）ワイヤボンディングについて記載されている甲３では、Ｎｉ膜状に積層されたＡｕめっき膜にワイヤボンディングすることが記載されているものの、Ｎｉ層に直接ワイヤボンディングすること（訂正後の請求項８）は記載されていない（特許権者の意見書第６頁の（５）（ｂ））。また、ワイヤボンディング時の機械的ダメージに対する硬度の問題から、訂正後の請求項８のようにアルミのボンディングワイヤを従来のＮｉめっき膜に接合することはできない（特許権者の意見書第６頁の（５）（ｂ））。」（申立人意見書１～２ページ）との主張に対する、申立人の意見は次のとおりである。 「甲３では、電極としてＮｉ膜とＡｕ膜との２層構造を採用していますが、電極最表面をＮｉ膜とすることは公知です。例えば、甲２の図５でも電極構造体１５２の最表面側はＮｉ層１０４が配置されています。また、Ｎｉ膜に関して、甲１の皮膜Ｂは訂正後の請求項８のＮｉ膜と区別が付いていないので、甲１の皮膜Ｂとアルミのボンディングワイヤとを接合することができないのであれば、訂正後の請求項８のＮｉ膜とアルミのボンディングワイヤとの接合形態も実施不可能な形態であることになると考えます。よって、主張（Ｂ）は、自らにより、訂正後の請求項８の発明成立性、実施可能要件、及びサポート要件を否定するものであるといえます。 なお、ニッケル膜とアルミのボンディングワイヤとの接合自体は周知技術であり、・・・よって、アルミノボンディングワイヤを採用することには阻害要因はありません。」（申立人意見書３ページ） ｂ しかしながら、上記主張は、相違点２Ｉについての意見であるところ、上記（ア）、（イ）で判断したとおり、「相違点２Ｇ～相違点２Ｉについて検討するまでもなく、本件発明８は、甲２発明及び甲１発明、又は、甲２発明並びに甲１発明及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。」から、申立人のかかる主張は採用することはできない。 （４）本件発明２、４～７、９について ア 本件発明２、４～７について 本件発明２、４～７は、本件発明１に対して、さらに発明特定事項を追加したものを含む発明である。 よって、上記（１）イで示した理由と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲２発明及び甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明９について 本件発明９は、本件発明１、３、８に対して、さらに発明特定事項を追加したものを含む発明である。 よって、上記（１）イ、（２）イ、（３）イで示した理由と同様の理由により、本件発明９は、甲２発明及び甲１発明、又は、甲２発明並びに甲１発明及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）甲２発明を引用発明とする対比・判断についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１～７は、甲２発明及び甲１発明に基づいて、本件発明８、９は、甲２発明及び甲１発明、又は、甲２発明並びに甲１発明及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１～９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、請求項１～９に係る特許を取り消すことはできない。 第６ 取消理由通知書（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第２９条第１項第３号（新規性）について （１）申立人は、特許異議申立書において、登録時の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明（以下「本件特許発明１、２」という。）に関し、本件特許発明１、２は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件特許発明１、２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、特許を受けることができない旨を主張する。 ＜甲号証一覧＞ １．甲第１号証：Ｎｏｒｉｈｉｋｏ Ｈａｓｅｇａｗａ ｅｔ．ａｌ．“Ｅｆｆｅｃｔ ｏｎ ｆｉｌｍ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｂｙ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ａｎｄ ｓｕｌｆｕｒ ｃｏｎｔｅｎｔ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉ－Ｐ ｐｌａｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ”，ｐ．７８－８１，［ｏｎｌｉｎｅ］， ２０１８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｓ Ｐａｃａｇｉｎｇ ａｎｄ ＩＭＡＰＳ Ａｌｌ Ａｓｉａ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＣＥＰ－ＩＡＡＣ ２０１８ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ），２０１８年６月７日，（米），ＩＥＥＥ，［令和５年２月６日検索］，インターネット， ＜URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8374674＞，＜URL:https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8374674＞ （２）しかしながら、上記第５の２（１）ア（オ）で検討したとおり、本件発明１と甲１発明とは、上記相違点１Ａ～１Ｃを有するものであるところ、甲第１号証には、無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜である試料Ｂの皮膜中の「Ｎｉ３Ｐの結晶化率」の数値について記載も示唆もされておらず、また、甲第１号証には、試料Ｂの皮膜が、「銅焼結層により導電部材に接合される」ものであるとの構成について、記載も示唆もされていないから、相違点１Ｂ、１Ｃは実質的なものである。したがって、本件発明１、２は、甲１発明であるとはいえない。 よって、本件発明１、２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものとはいえない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書（決定の予告）及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１～９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。