2022-701076

特許第７０６３３３４号発明「半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０６３３３４号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０６３３３４号の請求項１～５に係る特許についての出願は、２０１８年（平成３０年）６月６日（優先権主張 平成２９年６月１４日（以下、「本件特許出願の優先日」という。））を国際出願日としてして出願され、令和４年４月２５日にその特許権の設定登録がされ、令和４年５月９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和４年１１月２日に特許異議申立人 鈴木 裕子（以下、「特許異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件特許 特許第７０６３３３４号の請求項１～５の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体との接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、 前記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、 前記複数の発熱回路は、前記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路と、前記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路とからなり、 前記中央ゾーン発熱回路の直径よりも前記筒状支持体の内径の方が小さく、 前記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、前記中央ゾーンを通る共通する延長部分を介して接続され、 前記少なくとも２つの発熱回路は、前記外周ゾーン発熱回路である、半導体基板加熱用基板載置台。 【請求項２】 前記複数の発熱回路は各々個別に温度制御される、請求項１に記載の半導体基板加熱用基板載置台。 【請求項３】 前記中央ゾーン発熱回路は、前記載置面の中心を中心とする同心円状の複数の中央湾曲導電部と、隣接する前記中央湾曲導電部を接続する中央直線導電部とで構成され、 前記外周ゾーン発熱回路は、前記中央ゾーン発熱回路の周囲を囲む円環状の部分を周方向に区分した複数のゾーンにおいて、それぞれ前記載置面の中心を中心とする同心円状の複数の外周湾曲導電部と、隣接する前記外周湾曲導電部を接続する外周直線導電部とで構成されている、請求項２に記載の半導体基板加熱用基板載置台。 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板加熱用基板載置台と、筒状支持体とを有する、半導体基板加熱ヒータ。 【請求項５】 一方の面を半導体基板の載置面とするセラミックス製の基板載置台と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部に接続されたセラミックス製の筒状支持体とを有し、 前記基板載置台は、中央ゾーン発熱回路と、 前記中央ゾーン発熱回路とは前記基板載置台の厚み方向において異なる平面内に埋設された複数の外周ゾーン発熱回路と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、 前記外周ゾーン発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つの共用電極端子と、前記中央ゾーン発熱回路の領域を通る共通する延長部分を介して接続されている、半導体基板加熱ヒータ。」 第３ 申立理由の概要 １ 証拠方法 甲第１号証：特開２００５－３０３０１４号公報 甲第２号証：特開２００８－２４３９９０号公報 甲第３号証：特開２０１０－１７７５９５号公報 以下、「甲第１号証」～「甲第３号証」を、それぞれ「甲１」～「甲３」という。 ２ 特許異議申立書における特許異議申立人の主張の概要 （１）請求項１～４に係る発明は、甲１に記載された発明であるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 （２）請求項１～５に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２、３に記載された事項に基づいて、本件特許出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 甲号証の記載事項 （１）甲１（特開２００５－３０３０１４号公報）に記載された事項 甲１には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。以下、同じ。） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、 前記加熱面を複数ゾーンに分割して得られる各ゾーンに対応して前記セラミックス基体中に埋設された、独立した入出力端子を持つ複数の抵抗発熱体と、 各前記入出力端子に接続され、前記セラミックス基体の前記加熱面以外の外表面上に沿って配線される複数の引き出し線とを有する基板加熱装置。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体製造工程に用いられる半導体ウエハや液晶基板等を加熱する基板加熱装置に関し、特に、セラミックス基体に抵抗発熱体を埋設した基板加熱装置に関する。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 加熱面を複数ゾーンに分けて、ゾーンごとに独立した抵抗発熱体を備える従来のマルチゾーンヒータでは、各抵抗発熱体がそれぞれ独立に入出力端子を備え、さらに各入出力端子から引き出し線をとり出し、給電線に接続する必要がある。従来のセラミックスヒータでは、引き出し線もセラミックス基体中に埋設されており、セラミックス基体中で配線され、セラミックス基体の裏面中央で給電線と接続されていた。 【０００７】 しかしながら、引き出し線がセラミックス基体中に埋設されている場合は、埋設された引き出し線自体が欠陥となるため、応力発生の要因にならないよう、できるだけ細い線材を引き出し線として使用することが必要になる。また、セラミックス基体の製造プロセスにおいては、セラミックス成形体中に引き出し線を埋設した状態で焼成されるため、焼成温度に耐え得る高融点金属材料を使用する必要がある。 【０００８】 このため、従来は、ヒータエレメント材料と同様に体積抵抗率が高い高融点金属材料を引き出し線として使用していたが、その結果、ヒータエレメントと同様に引き出し線でも発熱が生じていた。各引き出し線をセラミック基材の中央まで配線する場合は、引き出し線が他のゾーンを通過せざるを得ないため、引き出し線の発熱の影響によりゾーンごとの独立した温度制御を精度よく行うことが困難であった。 【０００９】 本発明は、上記従来の課題に鑑み、加熱面を複数ゾーンに分割し、ゾーンごとに独立した抵抗発熱体を有するセラミックスヒータにおいて、引き出し線の発熱の影響を抑制し、ゾーンごとの温度制御をより精度よく行えるセラミックスヒータを提供することを目的とする。」 「【発明の効果】 【００１２】 本発明の第１の態様による基板加熱装置によれば、加熱面を複数のゾーンに分けて、ゾーンごとに独立した抵抗発熱体を備えたセラミックスヒータにおいて、各抵抗発熱体の入出力端子に接続される引き出し線は埋設させず、セラミックス基体の外表面上で配線するため、引き出し線として、より抵抗の低い材料を使用することができる。したがって、引き出し線の発熱を抑制できるため、引き出し線の影響を受けず、ゾーンごとにより正確な温度制御が可能になる。」 「【００１５】 （第１の実施の形態） 第１の実施の形態に係る基板加熱装置は、板状のセラミックス基体に複数の抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒータであり、加熱面を複数のゾーンに分割し、ゾーンごと独立した抵抗発熱体を有するマルチゾーンヒータである。そして、各抵抗発熱体の入出力端子に接続された引き出し線がセラミックス基体中に埋設されず、セラミックス基体の外表面上に沿って配線されていることを特徴とする。 【００１６】 図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１の構造を示す断面図である。図１（ｂ）は加熱面のゾーン分割例を示す平面図である。なお、便宜的にリフトピン等の貫通孔等については、図示を省略しているが、適宜必要に応じて配設されるものとする。 【００１７】 図１（ａ）に示すように、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１は、一方の面（表面）に基板を載置する加熱面１１を有する円盤状のセラミックス基体１０と、このセラミックス基体１０中に埋設された抵抗発熱体３０とを有するが、この抵抗発熱体３０は、図１（ｂ）に示すように、加熱面１１を６つにゾーン分割して得られたゾーンＡ～Ｆに対応する複数の抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆからなり、各抵抗発熱体３０は独立した入出力端子Ｔを有するものである（なお、抵抗発熱体３０というときは、不特定の抵抗発熱体もしくは抵抗発熱体全体を意味するものとする。また、入出力端子Ｔ、引き出し線Ｌについても同様とする）。 【００１８】 加熱面１１のゾーン分割の形態は特に限定されるものではないが、例えば、図１（ｂ）に示すように、加熱面１１を面内方向で、中心部の第１ゾーンＡと、第１ゾーンの外周囲に設けられた第２ゾーンＢと、第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｄとに分割する。すなわち、計６ゾーンに分割し、各ゾーンに独立した抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆを埋設し、各抵抗発熱体３０には各ゾーンＡ～Ｆに適した電圧、電流が供給し、発熱量を調整する。（当審注：「第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｄとに分割する」の記載は、「第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｆとに分割する」の誤記である。） ・・・中 略・・・ 【００２１】 図１（ｂ）に示すように、各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆは、独立に電流、電圧値を設定し、発熱量を制御するため、それぞれ２つの入出力端子（Ｔ３１，Ｔ３２）、（Ｔ３３，Ｔ３４）、（Ｔ３５，Ｔ３６）、（Ｔ３７，Ｔ３８）、（Ｔ３９，Ｔ４０）及び（Ｔ４１，Ｔ４２）を有している。さらに、図１（ａ）に示すように、各入出力端子Ｔに接続された引き出し線Ｌは、セラミックス基体１０中に埋設されることなく、セラミックス基体１０の外表面である、セラミックス基体１０の裏面に沿って配線され、例えば中央部にまとめられている。なお、ここでは、セラミックス基体１０の外表面としてセラミックス基体１０の裏面を使用しているが、加熱面１１以外の外表面、例えば側面に引き出し線Ｌを配線してもよい。 【００２２】 図２（ａ）は、各ゾーンＡ～Ｆに埋設された抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆのレイアウト例を示す平面図である。同図に示すように、抵抗発熱体３０は、線状の導体を屈曲させ、巻回体に加工したものを好ましく使用できる。なお、リフトピン等やパージガス用に設けられた貫通孔に隣接する部分では、抵抗発熱体を迂回させたりするなど、必要に応じてパターンの変形を行うことが望ましい。また、図１（ｂ）では、ゾーンごとに独立した２つの入出力端子を持つ例を示したが、隣接し合うゾーンの入出力端子のうち共通端子とできるものは、ひとつにまとめてもよい。引き出し線の配線レイアウトをより簡易にできる。図２（ａ）に示すように、隣接するゾーン３０Ｃと３０Ｄ、及び３０Ｅと３０Ｆとでは、一方の入出力端子を共通端子Ｔ５０、Ｔ５１としてよい。 【００２３】 図２（ｂ）は、セラミックス基体１０の裏面における各抵抗発熱体３０の端子に接続された引き出し線Ｌの配線例を示す平面図である。第１の実施の形態に係る基板加熱装置１では、各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆそれぞれの入出力端子Ｔは、ろう付けまたはねじ止め等により引き出し線Ｌに接続し、各引き出し線Ｌは基板裏面上に配線される。すなわち、引き出し線Ｌは、セラミックス基体１０中に埋設されず、加熱面以外のセラミックス基体１０の裏面に配線されている。例えば、各入出力端子Ｔ３１～４１及び５０、５１に接続された引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１は、セラミックス基体１０の裏面に這うように配線され、一箇所にまとめられる。なお、各引き出し線Ｌは必ずしも一箇所にまとめる必要はないが、このように一箇所にまとめると、給電線への接続もやりやすくなり、基板加熱装置１周囲が整理され、周辺に十分なスペースを設けることができる。」 「【００４０】 （第２の実施の形態） 図３に本発明の第２の実施の形態に係る基板加熱装置２の断面図を示す。第２の実施の形態に係る基板加熱装置２は、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１のセラミックス基体１０の裏面に補助部材である補助プレート６０を備えていることを特徴とする。補助プレート６０以外の構成は、第１の実施の形態にかかる基板加熱装置１と同様な構造を備える。すなわち、複数の抵抗発熱体３０を埋設したマルチゾーンヒータであり、各抵抗発熱体の入出力端子Ｔに接続された引き出し線Ｌがセラミックス基体１０中に埋設されず、セラミックス基体１０の裏面上に沿って配線されている。 ・・・中 略・・・ 【００４２】 したがって、補助プレート６０を備えたことにより、セラミックス基体１０の裏面上に配線される引き出し線Ｌを固定支持することができるとともに、引き出し線Ｌの露出を防止できるため、腐食性ガス中での使用が可能になる。したがって、腐食性ガスを使用する場合において、引き出し線Ｌとして耐腐食性材料にこだわることなく、種々の材料を使用できる。なお、補助プレート６０の中央部から引き出された引き出し線Ｌ、あるいはこれに接続される給電線は絶縁管９０に収納してもよい。また、補助プレート６０を使用することにより、引き出し線Ｌをセラミックス基体１０中に埋設させることなく、簡易な構造で周囲の環境から保護することができる。」 「【００４９】 （第３の実施の形態） 図６に第３の実施の形態に係る基板加熱装置３の断面図を示す。 【００５０】 第３の実施の形態に係る基板加熱装置３は、第２の実施の形態に係る基板加熱装置２の裏面中央部に、給電線等を収納する管状部材であるシャフト８０を備えていることを特徴とする。シャフト８０以外の構成は、第２の実施の形態にかかる基板加熱装置２と同様な構造を備える。すなわち、複数の抵抗発熱体３０を埋設したマルチゾーンヒータであり、各抵抗発熱体の入出力端子Ｔに接続された引き出し線Ｌがセラミックス基体１０の裏面上に沿って配線されており、さらにセラミックス基体１０の裏面上に補助プレート６０が配置されている。 【００５１】 シャフト８０は、給電線等を収納するとともに、セラミックス基体１０の支持体としての機能を有するため、セラミックスまたは金属材料等の剛体で形成することが好ましい。基板加熱装置３をドライエッチング装置等のチャンバ内に設置する場合は、シャフト８０をチャンバ壁に固定する。 ・・・中 略・・・ 【００５９】 成形方法としては、種々の方法を使用できるが、比較的複雑な形状の成形に適した、ＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）法やスリップキャスト等を使用することが好ましい。焼成工程では、上述する成形工程で得られた成形体を焼成するが、成形体形状が複雑なため、常圧焼成法を用いて焼成することが望ましい。セラミックス原料としてＡｌＮを使用する場合は、窒素中で１７００℃～２０００℃の温度で、約１時間～１０時間焼成する。加工工程では、焼結体表面及び接合面のラッピング加工等を行い、この後、補助プレート６０との接続を上述するねじ止め等で行う。このとき、セラミックス基体１０裏面に沿って配線され、セラミックス基板裏面中央部に引き出された引き出し線の先端は、シャフト内を通して外部に引き出し、そのまま給電線として使用することが好ましい。 ・・・中 略・・・ 【００６１】 以上に説明するように、本発明の第３の実施の形態に係る基板加熱装置３によれば、本発明の第１及び第２の実施の形態の場合と同様に、引き出し線Ｌをセラミックス基体１０に埋設させずにセラミックス基体１０の裏面に沿って配線させているので、引き出し線Ｌとして、抵抗発熱体とは異なる、より低抵抗な導体、例えばＮｉ等の細線を使用することができる。したがって、引き出し線自身の発熱を抑制できるため、ゾーンごとにより精度の高い温度制御が可能になるとともに、セラミックス基体１０の裏面上に補助プレート６０を配置し、これにより引き出し線Ｌを被覆するため、腐食性ガス中でも、引き出し線Ｌの露出が防止できるため、引き出し線の腐食を防止できる。さらに、シャフト８０を有しているため、基板加熱装置の支持体としてシャフト８０を使用できるとともに、シャフト８０内に引き出し線Ｌ及びこれに接続される給電線を収納することができる。シャフト８０内を不活性ガスでパージしたり、外部環境と遮断することにより、引き出し線及び給電線の腐食を防止できる。」 「【図１】 ［図：0001395249000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001395249000002.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001395249000003.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001395249000004.jpg］ 」 「【図７】 ［図：0001395249000005.jpg］ 」 段落【００４０】の記載から、甲１の「第２の実施の形態」に係る「基板加熱装置２」は、「第１の実施の形態」に係る「基板加熱装置１」のセラミックス基体１０の裏面に補助部材である補助プレート６０を備えていることを特徴としており、補助プレート６０以外の構成は、「第１の実施の形態」に係る「基板加熱装置１」と同様な構造を備え、段落【００５０】の記載から、甲１の「第３の実施の形態」に係る「基板加熱装置３」は、「第２の実施の形態」に係る「基板加熱装置２」の裏面中央部に、給電線等を収納する管状部材であるシャフト８０を備え、シャフト８０以外の構成は、「第２の実施の形態」に係る「基板加熱装置２」と同様な構造を備えていることがわかる。 また、【図１】（ａ）、【図３】から、抵抗発熱体３０は、同一平面内に形成されていることが見て取れる。 加えて、【図２】（ａ）から、「各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆ」のそれぞれが有する「２つの入出力端子（Ｔ３１，Ｔ３２）、（Ｔ３３，Ｔ３４）、（Ｔ３５，Ｔ３６）、（Ｔ３７，Ｔ３８）、（Ｔ３９，Ｔ４０）及び（Ｔ４１，Ｔ４２）」は、「各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆ」の両端部に設けられていることが見て取れる。 そうすると、上記記載から、甲１には第３の実施の形態として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「板状のセラミックス基体に複数の抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒータであって、加熱面を複数のゾーンに分割し、ゾーンごと独立した抵抗発熱体を有するマルチゾーンヒータであり、（【００１５】、【００５０】） 一方の面（表面）に基板を載置する加熱面１１を有する円盤状のセラミックス基体１０と、このセラミックス基体１０中に埋設された抵抗発熱体３０とを有し、（【００１７】） 加熱面１１を面内方向で、中心部の第１ゾーンＡと、第１ゾーンの外周囲に設けられた第２ゾーンＢと、第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｆとに分割し、（【００１８】） 各ゾーンに独立した抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆを同一平面内に埋設し、各抵抗発熱体３０には各ゾーンＡ～Ｆに適した電圧、電流を供給し、発熱量を調整するものであって、（【００１８】、【図１】（ａ）、【図３】） 各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆの両端部には、それぞれ２つの入出力端子（Ｔ３１，Ｔ３２）、（Ｔ３３，Ｔ３４）、（Ｔ３５，Ｔ３６）、（Ｔ３７，Ｔ３８）、（Ｔ３９，Ｔ４０）及び（Ｔ４１，Ｔ４２）を有し、（【００２１】、【図２】（ａ）） 引き出し線の配線レイアウトをより簡易にするために、隣接するゾーン３０Ｃと３０Ｄ、及び３０Ｅと３０Ｆとでは、一方の入出力端子を共通端子Ｔ５０（Ｔ３６／Ｔ３８）、Ｔ５１（Ｔ４０／Ｔ４２）とし、（【００２２】） 各入出力端子Ｔ３１～４１及び５０、５１に接続された引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１は、セラミックス基体１０の裏面に這うように配線され、一箇所にまとめられるものであって、（【００２３】） 引き出し線自身の発熱を抑制し、ゾーンごとにより精度の高い温度制御を可能にするために、引き出し線Ｌは、抵抗発熱体とは異なる、より低抵抗な導体を使用し、各抵抗発熱体の入出力端子に接続された引き出し線をセラミックス基体中に埋設せず、セラミックス基体の外表面上に沿って配線し、（【００６１】） 引き出し線Ｌの腐食を防止するために、引き出し線Ｌを被覆するセラミックス基体１０の裏面に補助部材である補助プレート６０を配置し、（【００６１】） 裏面中央部に、セラミックスで形成された、管状部材であるシャフト８０を備え、基板加熱装置の支持体としてシャフト８０を使用できるとともに、シャフト８０内に、セラミックス基体１０の裏面に沿って配線され、セラミックス基板裏面中央部に引き出された引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１及びこれに接続される給電線を収納する、（【００５０】、【００５１】、【００５９】、【００６１】） 基板加熱装置３。」 （２）甲２（特開２００８－２４３９９０号公報）に記載された事項 甲２には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板載置面を有する板状のセラミックス基体と、 このセラミックス基体の基板載置面とは反対の面に接合された中空の支持部材と、 このセラミックス基体の内部に埋設された高融点材料よりなる測温抵抗体と を備えることを特徴とする基板加熱装置。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、基板加熱装置、より詳しくは、半導体デバイスの製造工程で基板として用いられるウエハ又はその他の板状の被加熱材を加熱するための基板加熱装置に関する。」 「【００１２】 図１は、本発明に係る基板加熱装置の一実施例の模式的な縦断面図である。同図に示される基板加熱装置１は、円盤状のセラミックス基体１１を備えている。このセラミックス基体１１の一方の平面は、基板としてのウエハＷが載置されて加熱される基板載置面１１ａである。このウエハＷを加熱するために、図１に示した本実施例では、セラミックス基体１１の内部において、ウエハＷの外周部に抵抗発熱体１２Ａが、また、ウエハＷの中央部に抵抗発熱体１２Ｂが、それぞれ埋設されている。この抵抗発熱体１２Ａと抵抗発熱体１２Ｂとで、ウエハＷの加熱を、外周部と中央部との２領域で個別制御できるようになっている。もっとも、本発明の基板加熱装置は、２領域で加熱を個別制御する形式のものに限定されない。 【００１３】 この抵抗発熱体１２Ａは、セラミックス基体１１の直径方向中央部に延びるようにセラミックス基体１１の内部に埋設されたリード線１３と接続されている。このリード線１３は、セラミックス基体１１の直径方向中央部近傍で端子１４と接続されている。この端子１４は、セラミックス基体１１の基板載置面１１ａとは反対側の面（すなわち、裏面）１１ｂから当該基板載置面１１ａに向けて形成された穴に挿入されている給電棒１５Ａとロウ付けされている。また、抵抗発熱体１２Ｂも抵抗発熱体１２Ａと同様に、リード線１３を介して端子１４と接続されている。この端子１４は、セラミックス基体１１の裏面１１ｂから基板載置面１１ａに向けて形成された穴に挿入されている給電棒１５Ｂとロウ付けされている。これらの給電棒１５Ａ及び給電棒１５Ｂは、例えばニッケル製とすることができ、これらの給電棒１５Ａ及び給電棒１５Ｂのそれぞれに、図示しない電源から電力を個別に供給することにより、抵抗発熱体１２Ａ及び抵抗発熱体１２Ｂを発熱させ、これによりセラミックス基体１１の基板載置面１１ａに載置されたウエハＷを加熱する。 【００１４】 セラミックス基体１１の裏面１１ｂの中央部に、セラミックス基体１１を支持する中空の支持部材２０が固着されている。この支持部材２０は、例えばセラミックス基体１１と同種の材料のセラミックスからなる。給電棒１５Ａ及び給電棒１５Ｂは、この支持部材２０の中空部を通してセラミックス基体１１に設けられた穴に挿入されている。本発明の基板加熱装置１が半導体製造装置に取り付けられたとき、支持部材２０により支持部材２０の中空部内と基板載置面１１ａ近傍とは遮蔽されている。そのため、支持部材２０の中空部内に設けられている給電棒１５Ａ及び給電棒１５Ｂは、ウエハ加熱時の雰囲気により腐食されることが防止される。」 「【００３３】 図２～４に示された本実施例の基板加熱装置２は、基本的な構成は図１に示した基板加熱装置１と同じである。そして、セラミックス基体１１内に抵抗発熱体１２Ｃ、抵抗発熱体１２Ｄ、抵抗発熱体１２Ｅ及び抵抗発熱体１２Ｆの４つの抵抗発熱体が埋設されている。抵抗発熱体１２Ｃ、抵抗発熱体１２Ｄ、抵抗発熱体１２Ｅ及び抵抗発熱体１２Ｆが埋設されている領域は、図３の抵抗発熱体が埋設されている領域の切断面に示される。抵抗発熱体１２Ｃは、セラミックス基体１１の中央部に巻き回されて設けられている。抵抗発熱体１２Ｄは、セラミックス基体１１の半径方向中間部に、概略同心円状に巻き回されて設けられている。抵抗発熱体１２Ｅは、セラミックス基体１１の円盤平面形状が中心部を通る線分で二分された一方の半円における外周部の領域に、外周に沿って巻き回されて設けられている。抵抗発熱体１２Ｆは、セラミックス基体１１の円盤平面形状が中心部を通る線分で二分された他方の半円における外周部の領域に、外周に沿って巻き回されて設けられている。これらの抵抗発熱体１２Ｃ、抵抗発熱体１２Ｄ、抵抗発熱体１２Ｅ及び抵抗発熱体１２Ｆにより本実施形態の基板加熱装置２は、セラミックス基体１１の中央部、中間部、外周部の一方の半分、外周部の他方の半分をそれぞれ個別に加熱制御することが可能となっている。」 「【図１】 ［図：0001395249000006.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001395249000007.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001395249000008.jpg］ 」 上記記載から、甲２には、次の事項（以下、「甲２記載事項」という。）が記載されている。 「基板加熱装置１において、 円盤状のセラミックス基体１１を備え、（【００１２】） ウエハＷを加熱するために、セラミックス基体１１の内部において、ウエハＷの外周部に抵抗発熱体１２Ａが、また、ウエハＷの中央部に抵抗発熱体１２Ｂが、それぞれ埋設され、（【００１２】） 抵抗発熱体１２Ａは、セラミックス基体１１の直径方向中央部に延びるようにセラミックス基体１１の内部に埋設されたリード線１３と接続され、（【００１３】） このリード線１３は、セラミックス基体１１の直径方向中央部近傍で端子１４と接続され、（【００１３】） この端子１４は、セラミックス基体１１の基板載置面１１ａとは反対側の面（すなわち、裏面）１１ｂから当該基板載置面１１ａに向けて形成された穴に挿入されている給電棒１５Ａとロウ付けされ、（【００１３】） 抵抗発熱体１２Ｂも抵抗発熱体１２Ａと同様に、リード線１３を介して端子１４と接続され、この端子１４は、セラミックス基体１１の裏面１１ｂから基板載置面１１ａに向けて形成された穴に挿入されている給電棒１５Ｂとロウ付けされ、（【００１３】） ること。」 （３）甲３（特開２０１０－１７７５９５号公報）に記載された事項 甲３には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 ウエハを載置して加熱する加熱体と、この加熱体をチャンバー内で支持する管状支持部材とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、 前記加熱体は、そのウエハ載置面を複数の領域に分割して得られる各領域毎に、前記加熱体内に埋設されている発熱体と、当該発熱体に接続されている電極部と、当該発熱体が埋設されている領域の温度を測定する温度測定素子とを有しており、 前記管状支持部材は、前記電極部と前記温度測定素子とを全て内包し且つ前記ウエハ載置面に対してウエハを着脱するためのリフトピンを内包していないことを特徴とする半導体製造装置用ウエハ保持体。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、ウエハを保持した状態で該ウエハ上にＣＶＤ、スパッタ等で膜を形成したり、エッチングやレジスト膜の熱処理を行ったりする際に広く使用される半導体製造装置用ウエハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置に関する。」 「【０００７】 本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ウエハの大口径化及び配線の微細化に伴って要望される高い均熱性及び信頼性を有するウエハ保持体を提供することを目的としている。」 「【００７３】 内側発熱体５２ａにおいては、図１の加熱体１１と同様に、その両終端部に外部から給電するための１対の電極部５３ａが直接接続しているが、外側発熱体５２ｂの両終端部には、加熱体５１に埋設されている１対の導入部５７を介して１対の電極部５３ｂが接続している。この１対の導入部５７は、支持部材５５をまたぐようにして加熱体５１の半径方向に延在しているので、１対の電極部５３ｂを内側発熱体５２ａが形成されている領域に形成することができる。」 「【００７５】 内側発熱体５２ａ及び外側発熱体５２ｂは、図８（ａ）に示すように、加熱体５１内で互いに異なる層に埋設しても良いし、図８（ｂ）に示すように、加熱体５１内で同一の層に埋設しても良い。前者の場合は、隣接する発熱体同士の距離を大きくとれるため、特に高温で使用する際、発熱体同士の絶縁の信頼性を向上することができる。但し、導入部５７と内側発熱体５２ａとの距離が近くなり、その影響が無視できない場合は後者を採用するのが好ましい。」 「【図８】 ［図：0001395249000009.jpg］ 」 第４ 当審の判断 １ 請求項１に係る発明について （１）対比 請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。また、請求項２～５に係る発明を、「本件発明２～５」という。）と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「基板」、「基板を載置する加熱面１１」、「シャフト８０」、「セラミックス基体１０中に埋設された抵抗発熱体３０」は、それぞれ、本件発明１の「半導体基板」、「半導体基板の載置面」、「筒状支持体」、「前記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路」に相当する。 イ 引用発明の「セラミックス基板裏面中央部に引き出された引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」と「これに接続される給電線」に接続される部分の「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」に対応する部分は端子といえる。そして、この端子は、「シャフト８０内」にあるから、引用発明のこの端子と、本件発明１の「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」とは、「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の側の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」である点で共通する。 ウ 引用発明は、「加熱面１１を面内方向で、中心部の第１ゾーンＡと、第１ゾーンの外周囲に設けられた第２ゾーンＢと、第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｆとに分割し、各ゾーンに独立した抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆを同一平面内に埋設し」ていることから、引用発明の「抵抗発熱体３０Ａ」は、本件発明１の「前記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路」に相当し、引用発明の「抵抗発熱体３０Ｂ～Ｆ」は、本件発明１の「前記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路」に相当する。 そうすると、引用発明は、本件発明１の「前記複数の発熱回路は、前記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路と、前記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路とからな」ることと同様の構成を備えている。 エ 引用発明は「各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆの両端部には、それぞれ２つの入出力端子（Ｔ３１，Ｔ３２）、（Ｔ３３，Ｔ３４）、（Ｔ３５，Ｔ３６）、（Ｔ３７，Ｔ３８）、（Ｔ３９，Ｔ４０）及び（Ｔ４１，Ｔ４２）を有し、引き出し線の配線レイアウトをより簡易にするために、隣接するゾーン３０Ｃと３０Ｄ、及び３０Ｅと３０Ｆとでは、一方の入出力端子を共通端子Ｔ５０（Ｔ３６／Ｔ３８）、Ｔ５１（Ｔ４０／Ｔ４２）とし」ている。 そして、入出力端子（Ｔ３６／Ｔ３８）、（Ｔ４０／Ｔ４２）は、「抵抗発熱体３０Ｃ～Ｆ」の端部であるから、本件発明１の「発熱回路」の「片端部」に相当する。 また、引用発明の「引き出し線Ｌ５０、５１」は、「セラミック基板裏面中央部に引き出され」ているから、本件発明１の「前記中央ゾーンを通る共通する延長部分」に相当する。 そして、引用発明の「入出力端子（Ｔ３６／Ｔ３８）、（Ｔ４０／Ｔ４２）」は、それぞれ、「引き出し線Ｌ５０、Ｌ５１」に接続され、「引き出し線Ｌ５０、５１」は、給電線に接続されているから、「引き出し線Ｌ５０、５１」と「給電線」が接続される部分は、本件発明１の「共用電極端子」に対応する。 そうすると、引用発明は、本件発明１の「前記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、前記中央ゾーンを通る共通する延長部分を介して接続され」ることと同様の構成を備えている。 オ 引用発明の「入出力端子Ｔ３６、Ｔ３８、Ｔ４０、Ｔ４２」は、本件発明１の「外周ゾーン発熱回路」に相当する「抵抗発熱体３０Ｃ～Ｆ」の入出力端子であるから、引用発明は、本件発明１の「前記少なくとも２つの発熱回路は、前記外周ゾーン発熱回路である」ことと同様の構成を備えている。 カ そして、引用発明の「板状のセラミックス基体に複数の抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒータ」は、下記の相違点を除き、本件発明１の「セラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台」に対応する。 キ そうすると、本件発明１と引用発明との一致点、相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体との接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、 前記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の側の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、 前記複数の発熱回路は、前記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路と、前記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路とからなり、 前記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、前記中央ゾーンを通る共通する延長部分を介して接続され、 前記少なくとも２つの発熱回路は、前記外周ゾーン発熱回路である、半導体基板加熱用基板載置台。」 ［相違点１］ 本件発明１は、「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」を備えているのに対して、引用発明の「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」の「給電線」に接続される部分は、「板状のセラミックス基体」の「基板を載置する加熱面１１」の反対側の面の側の中央部に設けられているとはいえるものの、「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」が「セラミックス基体１０の裏面に這うように配線され」ているために、「板状のセラミックス基体」の「基板を載置する加熱面１１」の反対側の面の中央部に設けられているとはいえない点。 ［相違点２］ 本件発明１は、「前記中央ゾーン発熱回路の直径よりも前記筒状支持体の内径の方が小さ」いのに対して、引用発明の「抵抗発熱体３０Ａ」の直径と「シャフト８０」の直径について対応する特定がされていない点。 （２）相違点についての当審判断 相違点１について検討する。 引用発明は、「引き出し線自身の発熱を抑制し、ゾーンごとにより精度の高い温度制御を可能にするために、引き出し線Ｌは、抵抗発熱体とは異なる、より低抵抗な導体を使用し、各抵抗発熱体の入出力端子に接続された引き出し線をセラミックス基体中に埋設せず、セラミックス基体の外表面上に沿って配線」するものであるから、「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」を「セラミック基体中に埋設」することには、阻害要因があるといえる。 そして、たとえ、甲２記載事項にあるように、「リード線」を「セラミックス基体１１」の内部に埋設することが公知の技術であっても、上記阻害要因があるから、この技術を引用発明に適用し、本件発明１の相違点１に係る構成とすることはできない。 そうすると、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明及び甲２、３に記載された技術的事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 また、甲１は、相違点１に係る本件発明１の構成を備えていないから、本件発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 ２ 本件発明２～４について 本件発明２～４は、本件発明１に対して、更に技術的事項を追加したものである。 よって、上記１に示した理由と同じ理由により、本件発明２～４は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 加えて、上記１に示した理由と同じ理由により、当業者が、引用発明及び甲２、３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３ 本件発明５について （１）対比 ア 引用発明の「セラミックス基体１０」は、「一方の面（表面）に基板を載置する加熱面１１を有する」から、本件発明５の「一方の面を半導体基板の載置面とするセラミックス製の基板載置台」に相当する。 イ 引用発明の「裏面中央部に、セラミックスで形成された、管状部材であるシャフト８０」は、本件発明５の「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部に接続されたセラミックス製の筒状支持体」に相当する。 ウ 引用発明は、「加熱面１１を面内方向で、中心部の第１ゾーンＡと、第１ゾーンの外周囲に設けられた第２ゾーンＢと、第２ゾーンの外周領域を周回方向に４等分した第３ゾーン群Ｃ～Ｆとに分割し、各ゾーンに独立した抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆを埋設し」ていることから、引用発明の「抵抗発熱体３０Ａ」は、本件発明５の「中央ゾーン発熱回路」に相当する。 エ 引用発明の「抵抗発熱体３０Ｂ～Ｆ」と、本件発明５の「前記中央ゾーン発熱回路とは前記基板載置台の厚み方向において異なる平面内に埋設された複数の外周ゾーン発熱回路」とは、「複数の外周ゾーン発熱回路」である点で共通する。 オ 引用発明の「セラミックス基板裏面中央部に引き出された引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」と「これに接続される給電線」に接続される部分の「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」に対応する部分は端子といえる。そして、この端子は、「シャフト８０内」にあるから、引用発明のこの端子と、本件発明５の「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」とは、「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の側において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」である点で共通する。 カ 引用発明は「各抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆの両端部には、それぞれ２つの入出力端子（Ｔ３１，Ｔ３２）、（Ｔ３３，Ｔ３４）、（Ｔ３５，Ｔ３６）、（Ｔ３７，Ｔ３８）、（Ｔ３９，Ｔ４０）及び（Ｔ４１，Ｔ４２）を有し、引き出し線の配線レイアウトをより簡易にするために、隣接するゾーン３０Ｃと３０Ｄ、及び３０Ｅと３０Ｆとでは、一方の入出力端子を共通端子Ｔ５０（Ｔ３６／Ｔ３８）、Ｔ５１（Ｔ４０／Ｔ４２）とし」ている。 そして、入出力端子（Ｔ３６／Ｔ３８）、（Ｔ４０／Ｔ４２）は、本件発明５の「外周ゾーン発熱回路」に相当する「抵抗発熱体３０Ｃ～Ｆ」の端部であるから、この端部は、本件発明５の「前記外周ゾーンの発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路」の「片端部」に相当する。 また、引用発明の「引き出し線Ｌ５０、５１」は、「セラミック基板裏面中央部に引き出され」ており、「第１ゾーンＡ」を通っているといえるから、本件発明５の「前記中央ゾーン発熱回路の領域を通る共通する延長部分」に相当する。 加えて、引用発明の「入出力端子（Ｔ３６／Ｔ３８）、（Ｔ４０／Ｔ４２）」は、それぞれ、「引き出し線Ｌ５０、Ｌ５１」に接続され、「引き出し線Ｌ５０、５１」は、給電線に接続されているから、「引き出し線Ｌ５０、５１」と「給電線」が接続される部分は、本件発明５の「共用電極端子」に対応する。 そうすると、引用発明は、本件発明５の「前記外周ゾーン発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つの共用電極端子と、前記中央ゾーン発熱回路の領域を通る共通する延長部分を介して接続されている」ことと同様の構成を備えている。 キ そして、引用発明の「板状のセラミックス基体に複数の抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒータ」は、下記の相違点を除き、本件発明５の「半導体基板加熱ヒータ」に対応する。 キ そうすると、本件発明５と引用発明との一致点、相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「一方の面を半導体基板の載置面とするセラミックス製の基板載置台と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部に接続されたセラミックス製の筒状支持体とを有し、 前記基板載置台は、中央ゾーン発熱回路と、 複数の外周ゾーン発熱回路と、 前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の側において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、 前記外周ゾーン発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つの共用電極端子と、前記中央ゾーン発熱回路の領域を通る共通する延長部分を介して接続されている、半導体基板加熱ヒータ。」 ［相違点３］ 本件発明５は、「前記中央ゾーン発熱回路とは前記基板載置台の厚み方向において異なる平面内に埋設された複数の外周ゾーン発熱回路」を備えているのに対して、引用発明の「抵抗発熱体３０Ａ～３０Ｆ」は、「同一平面内に埋設」されている点。 ［相違点４］ 本件発明５は、「前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子」を備えているのに対して、引用発明の「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」の「給電線」に接続される部分は、「板状のセラミックス基体」の「基板を載置する加熱面１１」の反対側の面の側の前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられているとはいえるものの、「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」が「セラミックス基体１０の裏面に這うように配線され」ているために、「板状のセラミックス基体」の「基板を載置する加熱面１１」とは反対側の面において設けられているとはいえない点。 （２）相違点についての当審判断 事案に鑑み、上記相違点１に対応する相違点４について先に検討する。 引用発明は、「引き出し線自身の発熱を抑制し、ゾーンごとにより精度の高い温度制御を可能にするために、引き出し線Ｌは、抵抗発熱体とは異なる、より低抵抗な導体を使用し、各抵抗発熱体の入出力端子に接続された引き出し線をセラミックス基体中に埋設せず、セラミックス基体の外表面上に沿って配線」するものであるから、「引き出し線Ｌ３１～４１、５０及び５１」を「セラミック基体中に埋設」することには、阻害要因があるといえる。 そして、たとえ、甲２記載事項にあるように、「リード線」を「セラミックス基体１１」の内部に埋設することが公知の技術であっても、上記阻害要因があるから、この技術を引用発明に適用し、本件発明５の相違点４に係る構成とすることはできない。 そうすると、相違点３について検討するまでもなく、本件発明５は、引用発明及び甲２、３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第５ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。