2022-700507

特許第６９８７１６６号発明「ピクセル型温度制御式基板支持アセンブリ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９８７１６６号の特許請求の範囲を、令和５年８月２８日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６９８７１６６号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９８７１６６号の請求項１～１４に係る特許についての出願は、２０１５年（平成２７年）１月７日（パリ条約による優先権主張、外国庁受理 ２０１４年２月７日 米国（ＵＳ）、 ２０１４年５月２２日 米国（ＵＳ））を国際出願日とする特願２０１６－５６８７９２号の一部を、令和２年２月１７日に新たな特許出願としたものであって、令和３年１２月２日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２２日に特許掲載公報が発行された。 そして、その請求項１～５に係る特許について、令和４年６月１３日に特許異議申立人白井美登里（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審は、同年８月３１日付けで取消理由を通知した。 それに対し、特許権者は、その指定期間内である同年１１月２８日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、申立人は、令和５年２月９日に意見書を提出し、当審は同年３月８日付けで訂正拒絶理由を通知し、それに対し同年４月２７日に特許権者は意見書及び手続補正書を提出した。 その後、当審は、同年５月２４日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者はその指定期間内である同年８月２８日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、申立人は、同年１０月１９日に意見書を提出した。 申立人が提出した甲第１号証～甲第４号証は以下のとおりであり、以下、それぞれ「甲１」～「甲４」という。 甲第１号証 特表２０１３－５０８９６８号公報 甲第２号証 国際公開第２０１３／０３３３８１号 （翻訳文：特表２０１４－５２９９１０号公報） 甲第３号証 特開平１１－１１１８２３号公報 甲第４号証 特表平１１－５０２０６２号公報 第２ 訂正の適否についての判断 令和５年８月２８日にされた訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）について検討する。（本件訂正請求により令和４年１１月２８日にされた訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。） １ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。（下線は、訂正請求書の記載のとおり。） （１） 訂正事項１－１ 特許請求の範囲の請求項１に「１つ以上の主抵抗ヒータ」と記載されているのを、「３つ以上の主抵抗ヒータ」に訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項２～５も同様に訂正する。） （２） 訂正事項１－２ 特許請求の範囲の請求項１に「オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備えている誘電体を備える静電チャック（ＥＳＣ）。」と記載されているのを、「オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備え、個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する誘電体を備える静電チャック（ＥＳＣ）。」に訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２～５も同様に訂正する。） （３） 訂正事項１－３ 特許請求の範囲の請求項１に「２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータの数量よりも多く、」と記載されているのを、「２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータの数量よりも一桁多く、」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２～５も同様に訂正する）。 （４） 訂正事項２－１ 特許請求の範囲の請求項３に「極格子状にさらに配置されている」と記載されているのを、「極配列で配置されている」に訂正する。 （５） 一群の請求項、及び、独立特許要件について ア 本件訂正前の請求項１～５について、請求項２～５はそれぞれ請求項１を引用しているものであって、訂正事項１－１、１－２、及び１－３によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～５に対応する訂正後の請求項１～５は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 イ 本件特許異議申立事件においては、訂正前の請求項１～５が特許異議申立の請求の対象とされているので、訂正前の請求項１～５に係る訂正事項１－１、１－２、１－３、２－１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 請求項１に対する訂正について ア 訂正事項１－１について （ア） 訂正の目的の適否 訂正事項１－１は、令和４年８月３１日付け取消理由通知書の「第２ 理由２（明確性）の１」で通知した、複数の２次ヒータの制御について不合理を指摘した取消理由を解消することを目的としたものであって、それ自体の記載内容が他の記載との関係において不合理を生じている記載を正すものといえる。 よって、訂正事項１－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、請求項１に記載された主抵抗ヒータについて「１つ以上の」と記載されているのを「３つ以上の」と訂正する訂正事項１－１は、数値範囲の一部を削除する訂正といえる。 よって、訂正事項１－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものでもある。 （イ） 新規事項の有無 上記のとおり、訂正事項１－１は、それ自体の記載内容が他の記載との関係において不合理を生じている記載を正し、かつ、数値範囲の一部を削除する訂正であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 よって、訂正事項１－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ） 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記のとおり、訂正事項１－１は、それ自体の記載内容が他の記載との関係において不合理を生じている記載を正し、かつ、数値範囲の一部を削除する訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 イ 訂正事項１－２について （ア） 訂正の目的の適否 訂正事項１－２は、請求項１の「オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備えている誘電体」との発明特定事項に、「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との事項を直列的に付加する訂正といえる。 よって、訂正事項１－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の有無 本件明細書等の段落００２９の「ピクセルヒータ１４０は、温度プロファイルのばらつきを約＋／－０．３℃に低減することによって、主抵抗ヒータ１５４によって生成される基板１３４の表面の温度プロファイルを改善する。」、段落００５４の「例えば、ピクセルコントローラ２０２は、１つ又は複数のピクセルヒータ１４０に１０ワットの電力を、他のピクセルヒータ１４０に９ワットの電力を、またさらに、他のピクセルヒータに１ワットの電力を提供してもよい。」、段落００５６の「複数のピクセルヒータ１４０を有するピクセル型基板支持アセンブリ１２６は、その上で処理される基板１３４の温度均一性を約±０．３℃未満に制御する能力を実証した。」、段落００８７の「一実施形態では、主抵抗ヒータ１５４と共にピクセル型基板支持アセンブリ１２６における複数のピクセルヒータ１４０は、その上で処理される基板１３４の温度均一性を、約±０．３℃未満に制御する能力を実証している。」との記載によると、訂正事項１－２は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 よって、訂正事項１－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ） 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記のとおり、訂正事項１－２は、発明を特定するための事項を直列的に付加する訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 訂正事項１－３について （ア） 訂正の目的の適否 請求項１に記載された２次ヒータの数量について「主抵抗ヒータの数量よりも多く」と記載されているのを「主抵抗ヒータの数量よりも一桁多く」と訂正する訂正事項１－３は、数値範囲の一部を削除する訂正といえる。 よって、訂正事項１－３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の有無 本件明細書等の段落０００６の「ピクセルヒータの数量は、主抵抗ヒータの数量より一桁大きく、ピクセルヒータは、主抵抗ヒータと同様、互いに独立して制御可能である。」との記載によると、訂正事項１－３は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 よって、訂正事項１－３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ） 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記のとおり、訂正事項１－３は、数値範囲の一部を削除する訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （２） 請求項３に対する訂正（訂正事項２－１）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項２－１は、令和４年８月３１日付け取消理由通知書の「第２ 理由２（明確性）の２」で通知した、請求項３に記載された「極格子状」が、どのような２次ヒータの配置態様を特定しているのか明確でないとの取消理由を解消するための訂正事項である。 そして、「極格子状」とは、本件明細書等において、特許請求の範囲の請求項３と請求項１３に記載があるものの、明細書にはその記載はなく、それ自体ではどのような配列態様を意味しているのか明らかでない。 それに対し、２次ヒータ（ピクセルヒータ１４０）の配置について、本件明細書等の段落００７４及び図３Ｂには「格子状に構成され」ること、段落００７５及び図３Ｃには「極配列に配置された」こと、段落００７６及び図３Ｄには「同心チャネルに配置された」ことの開示がある。 そして、請求項３には「極・・・」と記載されていることから、本件明細書等において、特許請求の範囲の請求項３「極格子状」との記載は、段落００７５（図３Ｃ）に記載された「極配列」の誤記と認められる。 したがって、請求項３に「極格子状にさらに配置されている」と記載されているのを「極配列で配置されている」と訂正する訂正事項２－１は、誤記の訂正を目的としたものといえる。 よって、訂正事項２－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 「極配列に配置された」ことは、願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落００７５及び図３Ｃに開示された事項であるから、訂正事項２－１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 よって、訂正事項２－１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記のとおり、訂正事項２－１は本件明細書等のとおりに請求項３の誤記を訂正するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ３ 訂正の適否について 上記のとおり、請求項１に対する訂正事項１－１、１－２、１－３、及び、請求項３に対する訂正事項２－１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１～３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、令和５年８月２８日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正請求による訂正後の本件発明１～５ 本件訂正後の請求項１～５に係る発明（以下、順に「本件発明１」～「本件発明５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 セラミック材料の単一の一体塊から形成された誘電体であって、誘電体は、 上面及び下面と、 誘電体内に配置されたチャック電極と、 誘電体内に配置された３つ以上の主抵抗ヒータと、 主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータであって、 複数の２次ヒータは誘電体内に配置され、 ２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く、 複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備え、個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する誘電体を備える静電チャック（ＥＳＣ）。 【請求項２】 複数の２次ヒータは、誘電体の中心の周りに同心状に配置され、共通の半径に沿って２次ヒータのグループへ分けられている、請求項１に記載のＥＳＣ。 【請求項３】 複数の２次ヒータは、極配列で配置されている、請求項２に記載のＥＳＣ。 【請求項４】 チャック電極は、複数の２次ヒータと上面との間に配置されている、請求項１に記載のＥＳＣ。 【請求項５】 複数のスイッチをさらに備え 各スイッチは、２次ヒータのそれぞれと独自に対になって、２次ヒータの１つを、他の全ての２次ヒータのオン状態に対して独立に制御可能にしている、請求項１に記載のＥＳＣ。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 当審において、令和５年５月２４日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 （１） 取消理由１（明確性） 本件発明１～５に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 （２） 取消理由２（進歩性） 本件発明１～５は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲１、甲４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲２に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 当審の判断 （１） 取消理由１（明確性） 令和５年５月２４日付け取消理由通知（決定の予告）「第４の１」で、令和４年１１月２８日された訂正の請求（令和５年４月２７日付け手続補正書により補正）により訂正された特許請求の範囲の請求項１における、「横方向」及び「方位角方向」が、上面及び下面を備える誘電体についてのどの方向を意味しているのか明らかでないとの取消理由を通知したところ、本件訂正請求によって、上記令和４年１１月２８日にされた訂正の請求は特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなされ、本件発明１～５に「横方向」及び「方位角方向」は記載されていないため、取消理由１（明確性）は解消した。 （２） 取消理由２（進歩性）について ア 各甲号証の記載と引用発明等 （ア） 甲１の記載と引用発明１－１ ａ 甲１の記載 甲１（特表２０１３－５０８９６８号公報）には、次の記載がある（下線は、引用箇所を示すため当審が付加した。）。 （ａ） 「【０００２】 既存のプラズマ処理システムは、精度および再現性の向上への高まりつつある要求にさらされているそのような半導体製造装置の一つである。プラズマ処理システムの場合の一つの基準は、均一性の向上であり、それには半導体基板表面における処理結果の均一性だけではなく、名目的に同じ入力パラメータで処理された一連の基板の処理結果の均一性が含まれる。基板上の均一性の継続的な向上が望まれる。特に、プラズマ室に対して、均一性、一貫性、および自己診断機能の向上が求められる。 ・・・（中略）・・・ 【００２０】 基板上で所望の限界寸法（ＣＤ）均一性を達成するため、半導体処理装置での径方向および方位の基板温度制御についての要求がますます高まっている。半導体製造プロセスにおいて、特にＣＤがサブ１００ｎｍに近づくと、温度の小さな変化でも、容認できないほどＣＤに影響することがある。 【００２１】 基板支持アセンブリは、処理の際に、基板の支持、基板温度の調整、高周波電力の供給など、様々な機能のための設定を行うことができる。基板支持アセンブリは、処理中に基板を基板支持アセンブリ上に静電的に固定するのに役立つ静電チャック（ＥＳＣ）を備えることができる。ＥＳＣは、チューナブルＥＳＣ（Ｔ－ＥＳＣ）とすることができる。Ｔ－ＥＳＣは、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第６８４７０１４号および第６９２１７２４号に記載されており、これらは参照により本明細書に組み込まれる。基板支持アセンブリは、セラミックの基板ホルダと、流体冷却式ヒートシンク（以下、冷却プレートと呼ぶ）と、径方向の段階的な温度制御を実現するための複数の同心円状ヒータゾーンとを備えることができる。一般的には、冷却プレートは、０℃～３０℃の間に維持される。ヒータは、断熱材の層を間に挟んで冷却プレート上に配置されている。ヒータは、基板支持アセンブリの支持面を冷却プレートの温度よりも上の約０℃～８０℃の温度に維持することができる。複数のヒータゾーンの範囲内でヒータ出力を変化させることにより、基板支持温度プロファイルを、センターホット、センターコールド、均一の間で変更することができる。さらに、平均基板支持温度を、冷却プレート温度より上の０～８０℃の動作範囲内で段階的に変更することができる。半導体技術の進歩に伴ってＣＤが小さくなるにつれて、小さな方位温度変化が、ますます大きな課題となる。 ・・・（中略）・・・ 【００２３】 プラズマ処理装置における基板温度プロファイルは、プラズマ密度プロファイル、ＲＦ電力プロファイル、チャック内のいくつかの加熱および冷却エレメントの詳細な構造といった多くの要因に影響され、このため、基板温度プロファイルは、均一ではないことが多く、少数の加熱または冷却エレメントで制御することは難しい。この欠陥は、基板全体での処理速度の不均一性、および基板上の素子ダイの限界寸法の不均一性と言い換えることができる。 【００２４】 装置が所望の空間的および時間的温度プロファイルを能動的に作り出して維持することを可能にするため、また、ＣＤ均一性に影響を与える他の有害因子を補償するためには、温度制御の複雑性を考えると、独立に制御可能なヒータゾーンを基板支持アセンブリに組み込むことが効果的となる。 【００２５】 本明細書で記載するのは、半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の、複数の独立に制御可能なヒータゾーンを備えた加熱プレートである。この加熱プレートは、ヒータゾーンと電力供給ラインおよび電力リターンラインのスケーラブルな多重化レイアウト方式を含むものである。ヒータゾーンの出力を調整することで、処理中の温度プロファイルを、径方向と方位の両方に関して具現化することができる。この加熱プレートは、主にプラズマ処理装置について記載されるが、プラズマを使用しない他の半導体処理装置に、この加熱プレートを用いることもできる。 ・・・（中略）・・・ 【００２７】 この加熱プレートのヒータゾーンは、規定のパターンで配置されることが好ましく、例えば、矩形格子、六角格子、円形状、同心環状、または任意の望ましいパターンで配置される。各ヒータゾーンは、任意の適当なサイズとすることができ、１つまたは複数のヒータエレメントを備えることができる。１つのヒータゾーン内のすべてのヒータエレメントは、一緒にオン・オフされる。電気的接続の数を最小限にするため、電力供給ラインおよび電力リターンラインは、各電力供給ラインがヒータゾーンの異なるグループに接続され、各電力リターンラインがヒータゾーンの異なるグループに接続されて、各ヒータゾーンが、特定の電力供給ラインに接続されたグループの１つの中にあり、さらに特定の電力リターンラインに接続されたグループの１つの中にあるように、配置される。どの２つのヒータゾーンも、同じ電力供給ラインと電力リターンラインのペアには接続されていない。この場合、１つのヒータゾーンは、その特定のヒータゾーンが接続されている電力供給ラインと電力リターンラインのペアに電流を流すことにより、作動させることができる。ヒータエレメントの出力は、好ましくは２０Ｗ未満であり、より好ましくは５～１０Ｗである。ヒータエレメントは、ポリイミド・ヒータ、シリコーンラバー・ヒータ、マイカ・ヒータ、金属ヒータ（例えば、Ｗ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、Ｍｏ、またはＴａ）、セラミック・ヒータ（例えば、ＷＣ）、半導体ヒータ、またはカーボン・ヒータなどの抵抗ヒータとすることができる。ヒータエレメントは、スクリーン印刷、巻線、またはエッチドフォイルのヒータとすることができる。一実施形態では、各ヒータゾーンは、半導体基板上に作られる４つの素子ダイ以下の大きさであるか、または半導体基板上に作られる２つの素子ダイ以下の大きさであるか、または半導体基板上に作られる１つの素子ダイ以下の大きさであるか、または基板上の素子ダイに対応する２～３ｃｍ2の面積である。ヒータエレメントの厚さは、２マイクロメートルから１ミリメートル、好ましくは５～８０マイクロメートルとすることができる。ヒータゾーンの間、および／または電力供給ラインと電力リターンラインとの間にスペースを確保にするため、ヒータゾーンの総面積は、最大で基板支持アセンブリの上面の面積の９０％までとすることができ、例えば、その面積の５０～９０％とすることができる。電力供給ラインまたは電力リターンライン（まとめて、電力ライン）は、ヒータゾーン間の１～１０ｍｍの隙間に配置することができ、あるいはヒータゾーンの平面から電気絶縁層により分離された別々の平面に配置することができる。電力供給ラインおよび電力リターンラインは、大きな電流を運ぶと共にジュール熱を低減するため、スペースが許す限り幅を広くすることが好ましい。一実施形態では、電力ラインはヒータゾーンと同じ平面内にあり、電力ラインの幅は、好ましくは０．３ｍｍ～２ｍｍである。別の実施形態では、電力ラインはヒータゾーンとは異なる平面上にあり、電力ラインの幅は、ヒータゾーンと同じような大きさとすることができ、例えば３００ｍｍチャックの場合、その幅は１～２インチとすることができる。電力供給ラインおよび電力リターンラインの材料は、ヒータエレメントの材料と同じか、または異なるものとすることができる。電力供給ラインおよび電力リターンラインの材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、インコネル（登録商標）、またはＭｏなど、低抵抗率の材料であることが好ましい。 【００２８】 図１および図２は、基板支持アセンブリを示しており、これは、２つの電気絶縁層１０４Ａ、１０４Ｂに組み込まれたヒータゾーン１０１のアレイを有する一実施形態の加熱プレートを含んでいる。電気絶縁層は、ポリマー材料または無機材料、酸化ケイ素、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウムなどのセラミック、または他の適当な材料とすることができる。基板支持アセンブリは、さらに、（ａ）直流電圧で基板をセラミック層１０３の表面に静電的に固定するための、電極１０２（例えば、単極または双極）が埋め込まれたセラミック層１０３（静電固定層）を有するＥＳＣと、（ｂ）断熱層１０７と、（ｃ）冷却液流路１０６を含む冷却プレート１０５と、を備える。 【００２９】 図２に示すように、ヒータゾーン１０１のそれぞれは、電力供給ライン２０１の１つと電力リターンライン２０２の１つに接続されている。どの２つのヒータゾーン１０１も、同じ電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを共有してはいない。適切な電気的スイッチング構成により、電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを電源（図示せず）に接続することが可能であり、これにより、このライン・ペアに接続されているヒータゾーンのみがオンになる。各ヒータゾーンの時間平均加熱出力は、時間領域多重化により、個別に調整することができる。異なるヒータゾーン間のクロストークを防止するため、（図２に示すように）各ヒータゾーンとそれに接続された電力供給ラインとの間、または各ヒータゾーンとそれに接続された電力リターンラインとの間（図示せず）に、直列に整流器２５０（例えば、ダイオード）を接続してもよい。整流器は、物理的には、加熱プレート内またはいずれかの適当な場所に配置することができる。あるいはこれに代えて、固体スイッチなどの電流ブロック構成を用いてクロストークを防止することができる。 ・・・（中略）・・・ 【００３３】 基板支持アセンブリは、１つまたは複数の追加のヒータ（以下、主ヒータ６０１と呼ぶ）が組み込まれた追加の電気絶縁層６０４を含むことができる（図６）。主ヒータ６０１は、個別に制御される高出力ヒータであることが好ましい。主ヒータの出力は、１００～１００００Ｗの間であり、好ましくは１０００～５０００Ｗの間である。主ヒータは、矩形格子、同心環状ゾーン、放射状ゾーン、または環状ゾーンと放射状ゾーンの組み合わせとして配置することができる。主ヒータは、平均温度を変更するため、径方向の温度プロファイルを調整するため、あるいは基板上の段階的温度制御のために用いることができる。主ヒータは、加熱プレートのヒータゾーンの上方または下方に配置することができる。」 （ｂ） 「 ［図：0001407791000001.jpg］ 」 ｂ 引用発明１－１ （ａ） 段落００２３～００２５の記載によると、甲１は、基板温度プロファイルが均一ではないことに起因する課題を、独立に制御可能なヒータゾーンを基板支持アセンブリに組み込むことによって、装置が所望の空間的および時間的温度プロファイルを能動的に作り出して維持することを可能にし、ヒータゾーンの出力を調整することで、処理中の温度プロファイルを、径方向と方位の両方に関して具現化することによって解決する装置を開示しているといえる。 （ｂ） 甲１の図６には、セラミック層１０３（静電固定層）は、単一の部材として示され、また、段落００２８の記載を踏まえると、ＥＳＣのセラミック層１０３（静電固定層）は、直流電圧で基板を静電的に固定する表面である上面、及び下面を備えることが見てとれる。 （ｃ） 引用発明１－１ 以上を踏まえると、甲１には次の発明（以下「引用発明１－１」という。）が記載されているといえる。 「基板温度プロファイルが均一ではないことに起因する課題を、独立に制御可能なヒータゾーンを基板支持アセンブリに組み込むことによって、装置が所望の空間的および時間的温度プロファイルを能動的に作り出して維持することを可能にし、ヒータゾーンの出力を調整することで、処理中の温度プロファイルを、径方向と方位の両方に関して具現化することによって解決する装置であり（上記（ａ））、 直流電圧で基板をセラミック層１０３の表面に静電的に固定するための電極１０２が埋め込まれたセラミック層１０３（静電固定層）を有するＥＳＣを備え（段落００２８）、 ２つの電気絶縁層１０４Ａ、１０４Ｂに組み込まれたヒータゾーン１０１のアレイを有する加熱プレート（段落００２８）と、 １つまたは複数の主ヒータ６０１が組み込まれた追加の電気絶縁層６０４（段落００３３）と、を含む 基板支持アセンブリであって、 セラミック層１０３（静電固定層）は、単一の部材であって、上面及び下面を備え（上記（ｂ））、 電気絶縁層は、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウムなどのセラミックとすることができ（段落００２８）、 主ヒータは、平均温度を変更するため、径方向の温度プロファイルを調整するため、あるいは基板上の段階的温度制御のために用いることができ、また、加熱プレートのヒータゾーンの上方または下方に配置することができ（段落００３３）、 ヒータゾーンは、例えば、矩形格子、同心環状、または任意の望ましいパターンで配置され、各ヒータゾーンが備えることができる１つまたは複数のヒータエレメントの出力は、５～１０Ｗであり（段落００２７）、 ヒータゾーン１０１のそれぞれは、電力供給ライン２０１の１つと電力リターンライン２０２の１つに接続され、どの２つのヒータゾーン１０１も、同じ電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを共有しておらず、適切な電気的スイッチング構成により、電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを電源に接続することが可能であり、これにより、このライン・ペアに接続されているヒータゾーンのみがオンになる（段落００２９）、 基板支持アセンブリ。」 （イ） 甲２の記載と引用発明２－１ ａ 甲２の記載 甲２（国際公開第２０１３／０３３３８１号）には、次の記載がある。なお、甲２の記載は翻訳文として添付された特表２０１４－５２９９１０号公報の記載を参照して当審が作成した訳文で示す。（下線は、引用箇所を示すため当審が付加した。） （ａ） 「背景 ［０００３］ 本項における説明は本開示に関連する背景に関する情報を提供するためのみのものであり、先行技術を構成するものではない。 ［０００４］ 半導体処理技術において、例えば、処理中に基板（あるいはウェハ）を保持して基板に対し均一な温度プロファイルを設定するために、チャックまたはサセプタが用いられる。図１は静電チャック用支持アセンブリ１０を示す。支持アセンブリ１０は、電極１４を組み込んで備える静電チャック１２と、通常シリコン接着剤である接着剤層１８により静電チャック１２に対し接合したヒータプレート１６とを含む。ヒータプレート１６にはヒータ２０が固定されている。ヒータ２０は、例えばエッチドフォイルヒータであってもよい。このヒータアセンブリは、冷却板２２に対し、上記と同様に、通常はシリコン接着剤である接着剤層２４により接合されている。基板２６は静電チャック１２上に配置されており、また基板２６を適切な位置に保持する電極１４は、静電電力を生じるよう電圧源（図示せず）に接続されている。無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源またはマイクロ波電源（図示せず）が、支持アセンブリ１０を囲むプラズマリアクタチャンバ内において静電チャック１２と結合されていてもよい。このように、ヒータ２０は、プラズマ強化膜形成またはエッチングを含む、チャンバ内で行う種々の半導体処理工程中に基板２６の温度を維持するために必要な加熱を行う。 ［０００５］ 基板２６に対する処理のあらゆる段階において、処理中にエッチングする基板２６の変動を低減し総処理時間を短縮するためには、静電チャック１２に対する温度プロファイルを厳密に制御することが重要である。数ある適用の中でも特に半導体処理技術において、基板上の温度の均一性を向上する装置および方法の改良が現在も求められている。 ・・・（中略）・・・ 詳細な説明 ［００２９］ 以下の説明は、本質的に、単に説明のためのものであり、本開示、適用、または用途を限定するものではない。例えば、本開示の以下に示す形態は、半導体処理における使用、および、場合により静電チャックに用いることを目的とする。しかしながら、本開示に記載のヒータおよびシステムは半導体処理における適用に限らず、種々の適用に採用してよいことが理解されるべきである。 ［００３０］ 図２に示すように、本開示の一形態はヒータ５０である。ヒータ５０は、ベースヒータ層５２を含み、ベースヒータ層５２に少なくとも一つのヒータ回路５４が埋設されている。ベースヒータ層５２は、ベースヒータ層５２を通して形成した、ヒータ回路５４を電源（図示せず）に接続するための少なくとも一つの開口（またはビア）５６を有する。ベースヒータ層５２は主な加熱を行い、図に示すように、ヒータ層５２の近傍に設けたチューニングヒータ層６０は、ヒータ５０による熱分配の微調整を行う。チューニング層６０は、チューニング層６０に埋設した複数の個別の発熱体６２を含む。発熱体６２は個別に制御できるようになっている。チューニング層６０には、複数の個別の発熱体６２を電源およびコントローラ（図示せず）に接続するための少なくとも一つの開口６４が形成されている。更に、図に示すように、ベースヒータ層５２とチューニング層６０との間に内部キャビティ６８を規定するルーティング層６６を配している。ヒータ層開口５６を通り延伸する第１の電気リードセット７０は、ヒータ回路５４を電源に接続する。ベースヒータ層５２の開口５５に加えルーティング層６６の内部キャビティ６８を通り延伸する第２の電気リードセット７２は、複数の発熱体６２を電源に接続する。なお、ルーティング層６６は省略可能で、ヒータ５０は上述構成に替えてルーティング層６６を含まない構成を採用することができると理解すべきであり、この場合、ベースヒータ層５２およびチューニングヒータ層６０のみを含む。 ・・・（中略）・・・ ［００３４］ 一形態において、ベースヒータ回路５４はインコネル（登録商標）により形成されており、チューニング層発熱体６２はニッケル材料により形成されている。更に他の形態において、チューニング層発熱体６２は、素子がヒータおよび温度センサとして機能するように、十分な抵抗温度係数を有する材料により形成される。このような制御は、一般に「二線式制御」と呼ばれる。このようなヒータおよびそれらを形成する材料は、本明細書と同一の譲受人による、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７，１９６，２９５号および係属中の米国特許出願第１１／４７５，５３４号に開示されている。 ・・・（中略）・・・ ［００３８］ ここで、図３～図５に、（図２を参照して概要を上述した）ベースヒータ層とチューニング層との両方を備えるヒータの形態の一例を、参照番号８０を付して示す。ヒータ８０はベースプレート（冷却板とも呼ぶ）８２を含み、一形態におけるベースプレート８２は厚さ約１６ｍｍのアルミ板である。一形態において、ベースヒータ８４は、弾性接着層８６を用いてベースプレート８２に固定される。弾性接着は、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，０７３，５７７号に開示されるものでもよい。本開示の一形態において、基板８８は、ベースヒータ８４上に設けられており、厚さ約１ｍｍのアルミ材料である。基板８８は、必要な量だけ電力をベースヒータ８４から損失させるための熱伝導率を有するように設計されている。ベースヒータ８４が比較的高い電力を有するので、必要な熱伝導率を備えていない場合、このベースヒータ８４は、隣接する構成要素に「証拠」の印（抵抗性回路の痕跡から）を付与し、それによりヒータ系全体の効率を下げる。 ［００３９］ チューニングヒータ９０は、基板８８上に設けられ、上述のように弾性接着層９４を用いてチャック９２に固着されている。一形態において、チャック９２は、約２．５ｍｍの厚さを有する酸化アルミニウム材料である。本明細書に記載する材料および寸法は、単に例示のためのものであり、本開示は、本明細書に記載の特定の形態に限らないものであることが理解されるべきである。また、チューニングヒータ９０は、ベースヒータ８４より低い電力を有し、上述のように、基板８８は、チューニングヒータ９０に「証拠」の印が付されないように電力をベースヒータ８４から損失させる機能を備える。 ［００４０］ 図４はベースヒータ８４およびチューニングヒータ９０の更なる詳細を示し、図中、ベースヒータ８４は、例えば４つの領域を有し、チューニングヒータ９０は、例えば１８の領域を有する。一形態において、ヒータ８０は、寸法４５０ｍｍのチャックに用いるが、熱分配を高度に調整する能力を有することから、これより寸法の大きいまたは小さいチャックに用いてもよい。また、高精度ヒータ８０は、図に示すような積層／平面構成に替えて、チャックの（水平面上の）周辺部（図４中に領域Ｐとして示す。）、あるいは図３にチューニング層９０’として示す上下に平行な位置、またあるいはチャック上のもしくはチャックに沿った個別の所定位置、またあるいは他の構成要素の周辺部もしくは構成要素同士の組合せの周辺部に設けてもよい。また更に、高精度ヒータ８０は、半導体処理装置内の他の構成要素の内、プロセスキット、チャンバ壁、チャンバ蓋、ガスライン、およびシャワーヘッドに設けてもよい。また、本明細書および図に示すヒータおよび制御システムはいかなる数の装置に採用してもよく、そのため、ここに例示した半導体ヒータチャック装置は本開示の範囲を何ら限定しないと解釈されるべきことが理解されるべきである。 ・・・（中略）・・・ ［００５９］ 本願に記載のチューニング層およびヒータのそれぞれは制御システムにより制御されており、そのような制御システムの種々の形態は、本願と同時に出願され、本明細書と同一の譲受人による、「Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ Ａ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｒｒａｙ」と題した同時係属出願および「Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｒｒａｙ Ｓｙｓｔｅｍ」と題した出願において、その更なる詳細が記載されている。通常、この制御システムは、チューニング層と接続した複数のセットの電源ラインと、電源ラインとチューニング層とに電気的に接続した複数のアドレス可能制御素子とを備えており、この制御素子はチューニング層の領域に対し選択的制御を行う。この制御素子は、例えば閾値電圧スイッチング回路でもよく、この閾値電圧スイッチング回路は半導体スイッチでもよい。この閾値電圧スイッチング回路はパッケージとして実装されてよく、例えば特定用途ＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）として実装してよい。更に、制御素子は、上述のように、チャックなどの構成要素内に組み込まれていてもよい。これら制御システムおよび関連するアルゴリズムは、上述の同時係属出願においてその更なる詳細が図を参照して説明されているので、明確性のために本願には含めない。」 （ｂ） 「 ［図：0001407791000002.jpg］ 」 （ｃ） 「 ［図：0001407791000003.jpg］ 」 （ｄ） 「 ［図：0001407791000004.jpg］ 」 （ｅ） 「 ［図：0001407791000005.jpg］ 」 ｂ 引用発明２－１ （ａ） 段落０００５及び００２９の記載によると、甲２には、静電チャック１２に対する温度プロファイルを厳密に制御し、基板上の温度の均一性を向上させる、静電チャックに用いることを目的としたヒータが記載されているといえる。 （ｂ） 段落０００４及び段落００３９の記載によると、甲２の図３には、図１に示されるように電極１４を組み込んでいる静電チャック１２を構成する、酸化アルミニウム材料からなるチャック９２が示されているといえる。 また、図３には、チャック９２が上面及び下面を備える単一の部材として示されているといえる。 （ｃ） 段落００３８、００３９の記載によると、甲２の図３には、基板８８上に設けられ、チャック９２の下方に固着されたチューニングヒータ９０、及び、チューニングヒータ９０の下方に固着されたベースヒータ８４が示されているといえる。 また、段落００４０の記載によると、ベースヒータ８４は、例えば４つの領域を有し、チューニングヒータ９０は、例えば１８の領域を有する。 加えて、段落００３４の記載によると、ベースヒータ回路５４はインコネル（登録商標）により形成されている。 （ｄ） 段落００３０の記載によると、ベースヒータ層５２は主な加熱を行い、チューニングヒータ層６０は、ヒータ５０による熱分配の微調整を行い、チューニング層６０は、チューニング層６０に埋設した複数の個別の発熱体６２を含み、発熱体６２は個別に制御できるようになっているといえる。 （ｅ） 引用発明２－１ 以上を踏まえると、甲２には次の発明（以下「引用発明２－１」という。）が記載されているといえる。 「静電チャック１２に対する温度プロファイルを厳密に制御し、基板上の温度の均一性を向上させる静電チャックに用いることを目的としたヒータであって（上記（ａ））、 電極を組み込み、酸化アルミニウム材料からなり、上面及び下面を備える単一の部材であるチャック９２（上記（ｂ））と、 基板８８上に設けられ、チャック９２の下方に固着された、１８の領域を有するチューニングヒータ９０、及び、チューニングヒータ９０の下方に固着された、インコネル（登録商標）により形成され、４つの領域を有するベースヒータ８４を含み（上記（ｃ））、 ベースヒータ層５２は主な加熱を行い、チューニングヒータ層６０は、ヒータ５０による熱分配の微調整を行い、チューニング層６０は、チューニング層６０に埋設した複数の個別の発熱体６２を含み、発熱体６２は個別に制御でき（上記（ｄ））、 チューニングヒータ９０は、ベースヒータ８４より低い電力を有し（段落００３９）、 チューニング層と接続した複数のセットの電源ラインと、電源ラインとチューニング層とに電気的に接続した複数のアドレス可能制御素子とを備えており、例えば閾値電圧スイッチング回路でもよい、この制御素子はチューニング層の領域に対し選択的制御を行う（段落００５９）、 ヒータ。」 （ウ） 甲３の記載 甲３（特開平１１－１１１８２３号公報）には、次の記載がある。 ａ 「【００１２】本発明の目的は、基板の面内温度分布が均一な状態でかつ短時間で基板の温度を所定温度に設定可能な基板熱処理装置を提供することである。 ・・・（中略）・・・ 【００３６】図３に示すように、基板支持プレート１５の裏面の中央部には１個のペルチェ素子１６ａが配置され、外周部には複数、図示の例では８個のペルチェ素子１６ｂが配置されている。中央部のペルチェ素子１６ａと外周部のペルチェ素子１６ｂとはそれぞれ第１温度コントローラ（第１Ｔ．Ｃ．）２８および第２温度コントローラ（第２Ｔ．Ｃ．）２９により個別に制御される。その制御動作については後述する。 【００３７】図２において、主加熱部１７は、補助加熱部１６に接するように配置された中間プレート１７ａと、中間プレート１７ａの下面に接するように設けられたヒータ部１７ｂと、ヒータ部１７ｂの下面に接するように配置された放熱プレート１７ｃとを有する。ヒータ部１７ｂはマイカヒータにより構成されている。中間プレート１７ａはヒータ部１７ｂから発生した熱を均一化して基板支持プレート１５に伝えるために設けられている。また、放熱プレート１７ｃはヒータ部１７ｂの熱を冷却部１８側に排出するために設けられている。 ・・・（中略）・・・ 【００５４】上記の温度設定処理では、主加熱部１７のヒータ部１７ｂと補助加熱部１６のペルチェ素子１６ａ，１６ｂとにより基板支持プレート１５の温度設定が行われる。補助加熱部１６では、中央部のペルチェ素子１６ａと外周部のペルチェ素子１６ｂとが駆動される。そして、基板支持プレート１５の中央部および外周部が均一に昇温される。このため、短時間で基板支持プレート１５の温度を設定温度に設定することができる。 ・・・（中略）・・・ 【００７０】このように、第１の実施例による基板加熱装置では、基板支持プレート１５の中央部に配置したペルチェ素子１６ａと外周部に配置したペルチェ素子１６ｂとを異なる温度コントローラを用いて独立に制御している。そして、基板Ｗの昇降温時には、外周部のペルチェ素子１６ｂに加え、中央部のペルチェ素子１６ａも動作させることによって基板Ｗの中央部の温度変化が外周部に比べて遅れることを防止している。これにより、基板Ｗの面内温度を均一にかつ短時間で所定温度に昇降させることができる。特に、外径が３００ｍｍの大径の基板Ｗに対しても面内温度を均一にかつ短時間で所定温度に昇降させることができる。」 ｂ 「【図２】 ［図：0001407791000006.jpg］ 」 ｃ 「【図３】 ［図：0001407791000007.jpg］ 」 ｄ 「【図９】 ［図：0001407791000008.jpg］ 」 （エ） 甲４の記載と引用発明４ ａ 甲４の記載 甲４（特表平１１－５０２０６２号公報）には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すため当審が付加した。） （ａ） 「発明の名称 多層型の静電チャック及びその製造方法 発明の分野 本発明は、半導体デバイス及びフラットパネルディスプレイの製造に有用な静電チャック装置に関する。」（８ページ２～６行） （ｂ） 「本発明に係るチャックは、隣り合うセラミック層の間に１又は２以上のヒータ電極を組み込むんだり、他の組のセラミック層の間に配置することができる。・・・（中略）・・・このチャックは様々な方法で製造することができる。例えば、耐火金属の吸着電極／ＲＦ電極／ヒータ電極を有する全セラミック層を同時に焼結することができる。」（１４ページ７～１８行） ｂ 引用発明４ 上記ａの記載によると、甲４には次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されているといえる。 「吸着電極／ＲＦ電極／ヒータ電極を有する全セラミック層を同時に焼結する多層型の静電チャックの製造方法。」 イ 甲１を主引用例とした進歩性欠如について （ア） 対比 本件発明１と引用発明１－１とを対比する。 ａ 引用発明１－１のＥＳＣは、本件発明１の「静電チャック（ＥＳＣ）」に対応する。 ｂ 引用発明１－１のＥＳＣのセラミック層１０３（静電固定層）が、誘電体として機能することは技術常識である。 そうすると、引用発明１－１の、「セラミック層１０３（静電固定層）」は、「セラミック材料から形成された誘電体」といえる。 ｃ 引用発明１－１の上面及び下面を備えるセラミック層１０３（静電固定層）は、「上面及び下面」を備える点で本件発明１の誘電体と一致する。 ｄ 引用発明１－１のＥＳＣのセラミック層１０３（静電固定層）に埋め込まれた「直流電圧で基板をセラミック層１０３の表面に静電的に固定するための電極１０２」は、本件発明１の静電チャック（ＥＳＣ）が備える「誘電体内に配置されたチャック電極」に相当する。 ｅ 主抵抗ヒータについて 甲１には、「主ヒータ６０１」をどのようなヒータで構成するのかは開示されていない。 しかしながら、甲１の段落００２７に、ヒータゾーンのヒータエレメントとして「抵抗ヒータ」が例示されており、主ヒータ６０１とヒータゾーン１０１は、いずれも電気絶縁層に組み込まれていることからすると、引用発明１－１の主ヒータ６０１も抵抗ヒータで構成されているといえる。 また、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウムなどのセラミックは誘電率が高い材料であるから、「追加の電気絶縁層６０４」が誘電体といえることは技術常識である。 そうすると、引用発明１－１の追加の電気絶縁層６０４に組み込まれた「１つまたは複数の主ヒータ６０１」は、チャック電極が配置された誘電体に配置されたものとはいえず、３つ以上と特定されていないが、単に「誘電体内に配置された主抵抗ヒータ」といえる点で本件発明１の主抵抗ヒータと共通する。 ｆ ２次ヒータについて （ａ） 引用発明１－１において、主ヒータは、「加熱プレートのヒータゾーンの上方または下方に配置することができ」るから、「ヒータゾーン１０１のアレイ」は、本件発明１の「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータ」に対応する。 （ｂ） 上記ｅと同様に、「２つの電気絶縁層１０４Ａ、１０４Ｂに組み込まれたヒータゾーン１０１のアレイ」は、チャック電極が配置された誘電体に配置されたものとはいえないが、単に「誘電体内に配置され」ているといえる点で、本件発明１の「複数の２次ヒータ」と共通する。 （ｃ） 引用発明１－１において、「各ヒータゾーンが備えることができる１つまたは複数のヒータエレメントの出力は、５～１０Ｗ」であるから、引用発明１－１は、「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動」するといえる点で本件発明１と共通する。 ｇ 一致点、相違点１、相違点２ 以上を踏まえると本件発明１と引用発明１－１とは次の点で一致し、相違する。 （ａ） 一致点 「セラミック材料から形成された誘電体であって、誘電体は、 上面及び下面と、 誘電体内に配置されたチャック電極と、を備え 誘電体内に配置された主抵抗ヒータと、 主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータであって、 複数の２次ヒータは誘電体内に配置される複数の２次ヒータとを備え、 個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動する、 静電チャック（ＥＳＣ）。」 （ｂ） 相違点１ 本件発明１は、「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」ものであって、主抵抗ヒータの数量を「３つ以上」と特定し、２次ヒータの数量を「主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く」と特定し、「複数の２次ヒータ」の制御態様を、「複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である」と特定しているのに対し、引用発明１－１は、提供する温度均一性の程度について特定がなく、主ヒータ６０１の数量について「１つまたは複数」とのみ特定し、ヒータゾーン１０１の、主ヒータ６０１に対する数量の関係を特定しておらず、また、ヒータゾーンの制御態様について、ヒータゾーンは「独立に制御可能」であり、「ヒータゾーン１０１のそれぞれは、電力供給ライン２０１の１つと電力リターンライン２０２の１つに接続され、どの２つのヒータゾーン１０１も、同じ電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを共有しておらず、適切な電気的スイッチング構成により、電力供給ライン２０１と電力リターンライン２０２のペアを電源に接続することが可能であり、これにより、このライン・ペアに接続されているヒータゾーンのみがオンになる」と特定している点。 （ｃ） 相違点２ 本件発明１の「チャック電極」、「３つ以上の主抵抗ヒータ」及び「複数の２次ヒータ」が、「単一の一体塊から形成された誘電体」内に配置されるのに対し、引用発明１－１の「電極１０２」、「ヒータゾーン１０１のアレイ」及び「１つまたは複数の主ヒータ６０１」が、それぞれ、「セラミック層１０３（静電固定層）」、「追加の電気絶縁層６０４」及び「２つの電気絶縁層１０４Ａ、１０４Ｂ」内に配置されている点。 （イ） 相違点の検討 本件明細書等の段落００２９の記載によると、本件発明１は、「基板１３４の表面温度が０．５度ばらつくと、そこでの構造物の形成時、ナノメートルもの差異が生じ得る」という、基板の表面温度の０．５度のばらつきに基づく、構造物の形成時にナノメートル単位の差異が生じるという課題を、「ピクセルヒータ１４０は、温度プロファイルのばらつきを約＋／－０．３℃に低減することによって、主抵抗ヒータ１５４によって生成される基板１３４の表面の温度プロファイルを改善する」ことにより解決するという技術的意義を有する発明といえる。 そして、甲１～４のいずれにも、基板の表面温度の０．５度のばらつきに基づく、構造物の形成時にナノメートル単位の差異が生じるという課題は記載されていないから、引用発明１－１において、本件発明１の相違点１に係る「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成を採用する動機付けがあるとはいえない。 また、本件発明１の相違点１に係る「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成は、上記技術的意義を達成するための構成であるから、当業者が適宜設計し得る事項ともいえない。 したがって、引用発明１－１において、相違点１に係る構成とすることは、当業者にとって容易想到ではないから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１及び請求項１の記載を引用する本件発明２～５は、引用発明１－１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、甲１を主引用例とした進歩性欠如の取消理由２は理由がない。 ウ 甲２を主引用例とした進歩性欠如について （ア） 対比 本件発明１と引用発明２－１とを対比する。 ａ 誘電率の高いセラミック材料である酸化アルミニウム材料からなり、静電チャックとして用いられる、引用発明２－１のチャック９２は、誘電体として機能することは技術常識である。 そうすると、引用発明２－１の「酸化アルミニウム材料からなり、上面及び下面を備える単一の部材であるチャック９２」は、本件発明１の、上面及び下面を備える「セラミック材料から形成された誘電体」に相当する。 ｂ 引用発明２－１のチャック９２に組み込まれた「電極」は、本件発明１の「誘電体内に配置されたチャック電極」に相当する。 ｃ 引用発明２－１の、ニッケル合金であるインコネル（登録商標）により形成され、４つの領域を有するベースヒータ８４は、抵抗ヒータであることは技術常識であるから、本件発明１の「３つ以上の主抵抗ヒータ」に対応する。 ｄ 引用発明２－１のチューニングヒータ９０は、下方にベースヒータ８４を固着しているから、ベースヒータ８４と「列をなす」といえる。 そうすると、引用発明２－１の、４つの領域を有するベースヒータ８４に対して、１８の領域を有するチューニングヒータ９０は、本件発明１の「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータ」に対応し、「２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く」といえる点で本件発明１と一致する。 ｅ 引用発明２－１の、「チューニング層と接続した複数のセットの電源ラインと、電源ラインとチューニング層とに電気的に接続した複数のアドレス可能制御素子とを備えており、例えば閾値電圧スイッチング回路でもよい、この制御素子はチューニング層の領域に対し選択的制御を行う」ことにより、埋設した複数の個別の発熱体６２を個別に制御できるチューニングヒータ９０において、任意の発熱体の組み合わせは、他の発熱体とは独立して制御可能であるから、引用発明２－１のチューニングヒータ９０は、「複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である」といえる点で、本件発明１の「複数の２次ヒータ」と共通する。 ｆ 一致点、相違点３、相違点４ 以上を踏まえると、本件発明１と引用発明２－１とは次の点で一致し、相違する。 （ａ） 一致点 「セラミック材から形成された誘電体であって、誘電体は、 上面及び下面と、 誘電体内に配置されたチャック電極とを備え ３つ以上の主抵抗ヒータと、 主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータであって、 ２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く、 複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備える静電チャック（ＥＳＣ）。」 （ｂ） 相違点３ 本件発明１の「３つ以上の主抵抗ヒータ」と「複数の２次ヒータ」とが、チャック電極が配置された、セラミック材料の単一の一体塊から形成された誘電体内に配置されるのに対し、引用発明２－１の「ベースヒータ８４」と「チューニングヒータ９０」とが、「電極を組み込み、酸化アルミニウム材料からなり、上面及び下面を備える単一の部材であるチャック９２」内に配置されていない点。 （ｃ） 相違点４ 本件発明１が、「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」と特定されているのに対し、引用発明２－１は、「チューニングヒータ９０は、ベースヒータ８４より低い電力を有し」と特定されているものの、チューニングヒータ９０の個別に制御できる発熱体６２の作動電力、及び「ベースヒータ８４」と「チューニングヒータ９０」が提供する温度均一性についての特定がない点。 （イ） 相違点の検討 事案に鑑み相違点４について検討する。 上記イ（イ）のとおり、甲１～４のいずれにも、基板の表面温度の０．５度のばらつきに基づく、構造物の形成時にナノメートル単位の差異が生じるという課題が記載されていないから、引用発明２－１においても、本件発明１の相違点４に係る「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成を採用する動機付けがあるとはいえない。 また、本件発明１の相違点４に係る「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成は、上記技術的意義を達成するための構成であるから、当業者が適宜設計し得る事項ともいえない。 したがって、引用発明２－１において、相違点４に係る構成とすることは、当業者にとって容易想到ではないから、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１及び請求項１の記載を引用する本件発明２～５は、引用発明２－１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、甲２を主引用例とした進歩性欠如の取消理由２は理由がない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は、本件発明１の発明特定事項Ｃ（「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに 主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」）について次の主張をした。 「このように、甲第１、２号証には、基板の温度均一性を向上させることが課題であると記載されています。 そして、基板の温度均一性を向上させるために 誘電体の上面に配置された基板の温度変化を±０．３℃以下程度に調整することは、当業者が適宜設計しうる事項に過ぎません。 また、甲第１号証には、以下のことが記載されています。 「・・・ヒータエレメントの出力は、好ましくは２０Ｗ未満であり より好ましくは５～１０Ｗである。・・・」（甲第１号証の段落［００２７］） つまり甲第１号証には、個々の２次ヒータに相当するヒータエレメントを１０Ｗ以下で作動させることが記載されています。 このように、発明特定事項Ｃは、当業者が適宜設計しうる事項に過ぎず、甲第２号証に対する技術的な特徴ではありません。」（令和５年１０月１９日提出意見書４ページ下から５行～５ページ７行） しかしながら、上記（イ）のとおり、本件発明１の相違点４に係る「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成は、「基板１３４の表面温度が０．５度ばらつくと、そこでの構造物の形成時、ナノメートルもの差異が生じ得る」という、基板の表面温度の０．５度のばらつきに基づく、構造物の形成時にナノメートル単位の差異が生じるという課題を、「ピクセルヒータ１４０は、温度プロファイルのばらつきを約＋／－０．３℃に低減することによって、主抵抗ヒータ１５４によって生成される基板１３４の表面の温度プロファイルを改善する」（本件明細書等の段落００２９）ことにより解決するという技術的意義を達成するための構成であるから、このような課題の記載がない甲２に記載された引用発明２－１において、当業者が適宜設計し得る事項とはいえない。 また、相違点４に係る本件発明１の「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成は、「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているとき」との条件において「主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」ことを特定したものであるから、その容易想到性は、個々ではなく、一体で判断すべきものである。 そして、甲１、３、４のいずれにも、「個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との構成の開示はなく、相違点４に係る本件発明１の構成は甲１、３、４の開示に基づいて容易想到とはいえない。 したがって、申立人の主張は理由がない。 第５ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立理由 申立人は、特許異議申立書において、次の申立理由も主張した。 （１） 申立理由１（サポート要件） ア 「これに対し、本件特許発明１では、２次ヒータの数量を「複数」（すなわち、２以上）としか規定していない。 例えば、２次ヒータの数量が「２」の場合には、「静電チャックと加熱アセンブリとの間の熱伝達の横方向及び方位角方向双方の調整を可能」にならない。 つまり、本件特許発明２は、「静電チャックと加熱アセンブリとの間の熱伝達の横方向及び方位角方向双方の調整を可能にするピクセル型基板支持アセンプリを提供する」という課題が解決できない場合を含んでいる。 したがって、本件特許発明１には、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなる。」（特許異議申立書３２ページ最下行～３３ページ９行） イ 「これに対し、本件特許発明１は、「光制御回路２２０」及び「電力回路２１０」を含まないものも包含している。 つまり、本件特許１は、「静電チャックと加熱アセンプリとの間の熱伝達の横方向及び方位角方向双方の調整を可能にするピクセル型基板支持アセンブリを提供する」という課題が解決できない場合を含んでいる。 したがって、本件特許発明１には、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなる。」（特許異議申立書３３ページ下から２行～３４ページ６行） （２） 申立理由２（明確性要件） ア 「本件特許発明１に記載された「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータ」は、どのような状態なのかが不明確である。」（特許異議申立書３４ページ１０～１１行） イ 「本件特許発明１に記載された「複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、 １つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータ」は、「１つ以上の主抵抗ヒータと同様に」がどのように「同様」なのかが不明確である。」（特許異議申立書３４ページ下から２行～３５ページ３行） ２ 当審の判断 （１） 申立理由１（サポート要件）について ア 特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 イ（ア） 本件明細書等の発明の詳細な説明には、「基板１３４の表面温度が０．５度ばらつくと、そこでの構造物の形成時、ナノメートルもの差異が生じ得る」（段落００２９）と、基板の表面温度の０．５度のばらつきに基づく、構造物の形成時にナノメートル単位の差異が生じるという課題が記載され、本件発明１は、「２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く、 複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータとを備え、個々の２次ヒータが１０Ｗ以下で作動しているときに、主抵抗ヒータと複数の２次ヒータは、誘電体の上面に配置された基板に±０．３℃以下の温度均一性を提供する」との手段を備えることによって、当業者は、当該課題を解決できると認識できるから、本件発明１～５はサポート要件に適合する。 （イ） 上記１（１）アで申立人は、「例えば、２次ヒータの数量が「２」の場合には、「静電チャックと加熱アセンブリとの間の熱伝達の横方向及び方位角方向双方の調整を可能」にならない。」と主張する。 しかしながら、本件訂正前の請求項１の「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータであって、・・・２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータの数量よりも多く」との記載は、本件訂正請求によって、「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータであって、・・・２次ヒータの数量は、主抵抗ヒータ数量よりも一桁多く」と訂正されたことによって、当業者は、上記課題を解決できると認識できるから、申立人の主張は採用できない。 （ウ） したがって、上記１（１）アの申立理由は理由がない。 ウ 上記１（１）イで申立人は、「光制御回路２２０」及び「電力回路２１０」を含まない本件発明１はサポート要件に適合しない旨を主張した。 しかしながら、本件発明１～５において、２次ヒータに作動電力を供給する電力回路、及び当該電力回路を制御する制御回路が必要なことは技術常識であり、また、当該制御回路が光制御回路でなくても電力回路を制御できることは明らかであり、「光制御回路２２０」及び「電力回路２１０」を含まない本件発明１～５であっても、当業者は、上記課題を解決できると認識できるから、申立人の主張は採用できない。 したがって、上記１（１）イの申立理由は理由がない。 （２） 申立理由２（明確性要件）について ア 発明が明確であるか否かは、特許請求の範囲の記載だけではなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。 イ 本件発明１～５は、静電チャック（ＥＳＣ）の発明として、チャック電極、主抵抗ヒータ、２次ヒータ、誘電体について、それぞれ第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確な点はなく、また、これらの関係についても不明確とはいえないから、明確性要件に適合する。 特に、本件発明１の「主抵抗ヒータと列をなす複数の２次ヒータ」との発明特定事項については、図４Ａ及び段落００３４の記載のとおり、ピクセルヒータ１４０（２次ヒータ）が主抵抗ヒータ１５４の下又は上方に配置されることを意味することは明らかであるから、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確な点はない。 したがって、上記１（２）アの申立理由は理由がない。 ウ 訂正前の「複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、１つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータ」との記載は、本件訂正請求によって「複数の２次ヒータのうちの個々の２次ヒータの各組み合わせは、３つ以上の主抵抗ヒータと同様に、他の全ての個々の２次ヒータのオン状態を変更することなく、オン状態とオフ状態を独立して制御可能である複数の２次ヒータ」と訂正されたことによって、複数の２次ヒータは、同様に３つ以上、すなわち複数の主抵抗ヒータと同様に制御可能と理解でき、また、段落００８４の記載及び図９には、２次ヒータ１４０と主抵抗ヒータ１５４とが同様に制御されることの開示があるから、本件発明１の主抵抗ヒータと２次ヒータとの制御態様について第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確な点はない。 したがって、上記１（２）イの申立理由は理由がない。 第６ むすび 以上のとおり、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、本件請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。