2022-700821

特許第７０３３９９２号発明「セラミック板および電子装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０３３９９２号の明細書、特許請求の範囲及び図面を訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲及び訂正図面のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 特許第７０３３９９２号の請求項１～４、７に係る特許を維持する。 特許第７０３３９９２号の請求項５、６に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０３３９９２号の請求項１～７に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、平成３０年４月１１日（優先権主張 平成２９年４月２４日（以下、「本件特許出願の優先日」という。））に出願され、令和４年３月３日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１１日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和４年 ８月１９日：特許異議申立人 白井 美登里（以下、「申立人」という。）による請求項１～７に係る特許に対する特許異議の申立て 同年１１月１６日付け：取消理由通知 令和５年 １月２０日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 同年 ３月３１日 ：特許権者による手続補正書の提出 令和５年 ６月 ８日 ：申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和５年１月２０日に提出された訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」といい、本件訂正の請求を「本件訂正請求」という。）の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項７の「請求項１～６のいずれか」とあるのを、「請求項１～４のいずれか」に訂正する。 （４）訂正事項４ 明細書の【００４５】～【００５１】を削除する。 （５）訂正事項５ 図面の図５を削除する。 （６）訂正事項６ 明細書の【００４２】に「窒化ケイ素材料」とあるのを、「マグネシウムシリケート材料」に訂正する。 （７）訂正事項７ 明細書の【００１０】に「本発明の他の実施形態の電子装置の一部を拡大して示す断面図である」とあるのを削除する。 （８）訂正事項８ 明細書の【００１２】に「拡大してを示す」とあるのを、「拡大して示す」に訂正する。 （９）訂正事項９ 明細書の【００１５】に「また、電子部品２１は」とあるのを、「また、電子部品４は」に訂正する。 （１０）訂正事項１０ 明細書の【００３７】に「に位置にして」とあるのを、「に位置して」に訂正する（２箇所）。 （１１）訂正事項１１ 明細書の【００４３】に「応じた粒径までで混合し」とあるのを、「応じた粒径まで混合し」に訂正する。 （１２）訂正事項１２ 明細書の【００４４】に「シート作製する」とあるのを「シートを作製する」に訂正する なお、本件訂正請求は、一群の請求項〔１～７〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、請求項５を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、請求項６を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３による訂正は、訂正事項１、２による訂正により請求項５、６を削除したことに伴い、請求項７の引用請求項から請求項５、６を削除する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４ 訂正事項４による訂正は、訂正事項１、２による訂正により請求項５、６を削除したことに伴い、請求項５、６に関する記載である明細書の【００４５】～【００５１】を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項５ 訂正事項５による訂正は、訂正事項１、２による訂正により請求項５、６を削除したことに伴い、請求項５、６に関する記載である図面の図５を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項６ ア 訂正事項６による訂正は、本件明細書等の【００４２】に「窒化ケイ素材料」とあるのを、「マグネシウムシリケート材料」と訂正するものである。 本件明細書等の【００４２】には、「このような、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22は、焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、窒化ケイ素材料よりも微粉化しておけばよい。」と記載されており、この記載の主語は、「最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22」であるから、当該主語の後に続く内容は、マグネシウムシリケートと、エルビウムシリケート又はイットリウムシリケートについての内容であることが、その文脈からして自然であるといえるところ、その内容は、「焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、窒化ケイ素材料よりも微粉化しておけばよい」であり、窒化ケイ素材料とエルビウムシリケート材料との関係を説明するものとなっており不自然である。 そして、上記【００４２】の「最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22」との記載は、本件明細書等の請求項１の記載と整合しているから、正しい記載であるといえる。 そうすると、この記載に続く内容は、窒化ケイ素材料とエルビウムシリケート材料との関係を説明するものではなく、マグネシウムシリケート材料とエルビウムシリケート材料との関係を説明するものであることが理解できる。 したがって、上記【００４２】の「窒化ケイ素材料」は、「マグネシウムシリケート材料」が正しい記載であるといえる。 よって、上記【００４２】の「窒化ケイ素材料」は、「マグネシウムシリケート材料」の誤記であるから、訂正事項６による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。 そして、本件特許に係る願書に最初に添付した明細書には、本件明細書等の上記記載内容が記載されているから、訂正事項６による訂正は、本件特許に係る願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、同訂正は、誤記の訂正を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 申立人の主張について （ア）申立人は、訂正事項６について、意見書の１ページ１１行～３ページ７行において、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものではない旨主張しており、その理由は、以下のとおりである。 ａ 訂正後の「マグネシウムシリケート材料」は、当初明細書等に何ら記載されていないし、当初明細書等において、マグネシウムシリケート結晶に関する具体的な組成や構造は何ら特定されておらず、「マグネシウムシリケート材料」が指すものが明らかともいえないし、さらに、「マグネシウムシリケート材料」とは、マグネシウムシリケートからなる材料であるのか、マグネシウムシリケートを形成させるための材料であるのか、多義的に解釈できる点で、明細書に記載された内容を実質的に拡張又は変更するものである。 ｂ 特許権者が述べるとおり、本件明細書等の【００２４】、【００３０】、【００３１】、【００３３】、【００３７】～【００４０】は、いずれもセラミック板に関する説明であり、セラミック板の製造方法においては、希土類シリケートの材料の粒径とマグネシウムシリケートの材料の粒径とを対比する記載は存在しないため、【００４２】において、窒化ケイ素材料とエルビウムシリケート材料との対比が記載されていても、不自然さはない。 ｃ 本件明細書等の【００４２】の記載に不自然さがあったとしても、当初明細書等では、セラミック板の材料とセラミック板に存在する各結晶との間の具体的な関係が、何ら記載されておらず、言い換えると、当初明細書等には、製造方法の説明に記載された「窒化ケイ素」が「マグネシウムシリケート材料」の誤記であると推認させる記載が何ら存在しないから、「窒化ケイ素」は「マグネシウムシリケート材料」の明らかな誤記とは到底いえない。 ｄ 特許権者の説明では、「エルビウムシリケート材料などの希土類シリケート」と記載されているが、希土類シリケートがエルビウムシリケートの材料であることは、当初明細書等に何ら記載されていないし、セラミック板の原料としては、明細書の【００４３】に、「窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム」が挙げられているのみであり、意見書（当審注：「訂正請求書」の誤記である。）に記載された製造方法の説明と、本件明細書等に記載された製造方法の説明と、の間には齟齬が存在する。 （イ）検討 ａ 上記（ア）ａについて （ａ）当初明細書等には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００４２】 このような、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22は、焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、窒化ケイ素材料よりも微粉化しておけばよい。上記の粒径調整を含めたセラミック板３の製造方法の一例を次に示す。 【００４３】 まず、窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末と有機溶剤、バインダをミル等の粉砕手段で粉砕して原料粉末を作製する。この時に、それぞれの材料に応じた粒径までで混合し、スラリーを調整する。」 （ｂ）上記【００４２】及び【００４３】の記載によれば、粉砕により粒径を調整するのは窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末であるといえるから、上記「エルビウムシリケート材料」は、エルビウムシリケート結晶を形成させるための材料であることが理解できる。 そうすると、「マグネシウムシリケート材料」も同様に、マグネシウムシリケート結晶を形成させるための材料であるといえるから、訂正事項６による訂正は、当初明細書等に記載された内容を実質的に拡張又は変更するものではない。 ｂ 上記（ア）ｂについて 上記アで検討したように、本件明細書等の【００４２】に記載の「焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、窒化ケイ素材料よりも微粉化しておけばよい」は、エルビウムシリケート材料と窒化ケイ素材料との関係を説明するものとなっており、【００４２】において、請求項１の記載と整合している主語との関係からして不自然である。 ｃ 上記（ア）ｃ、ｄについて 上記アで検討したとおり、本件明細書等の請求項１、【００４２】、【００４３】の記載から、同【００４２】の「窒化ケイ素材料」は、「マグネシウムシリケート材料」が正しい記載であるといえる。 そして、訂正請求書に記載された製造方法の説明と、本件明細書等に記載された製造方法の説明との間に齟齬が存在しているとしても、このことは、上記アの検討における結論には影響しない。 ｄ したがって、申立人の上記主張は、いずれも採用できない。 （７）訂正事項７ 訂正事項７による訂正は、訂正事項５による訂正により図面の図５を削除したことに伴い、図５に関する記載である明細書の【００１０】の記載を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （８）訂正事項８ 本件明細書等の【００１２】の「拡大してを示す」は、「拡大して示す」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項８による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （９）訂正事項９ 本件明細書等の【００１５】の「また、電子部品２１は」は、「また、電子部品４は」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項９による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１０）訂正事項１０ 本件明細書等の【００３７】の「に位置にして」は、「に位置して」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項１０による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１１）訂正事項１１ 本件明細書等の【００４３】の「応じた粒径までで混合し」は、「応じた粒径まで混合し」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項１１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１２）訂正事項１２ 本件明細書等の【００４４】の「シート作製する」は、「シートを作製する」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項１２による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号～第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲及び図面を、訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲及び訂正図面のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～７に係る発明（以下、「本件発明１～７」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～７（以下、単に「請求項１～７」という。）に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相と前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相とを備え、 前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいるセラミック板。 【請求項２】 前記シリケート相の含有率が３～２０質量％である請求項１記載のセラミック板。 【請求項３】 前記シリケート相における前記マグネシウムシリケート結晶の含有率が２０～９０質量％である請求項１または２記載のセラミック板。 【請求項４】 前記マグネシウムシリケート結晶と前記希土類シリケート結晶とが、前記粒界のうち互いに異なる部分に位置している請求項１～３のいずれか１項記載のセラミック板。 【請求項５】（削除） 【請求項６】（削除） 【請求項７】 請求項１～請求項４のいずれか１項記載のセラミック板と、 該セラミック板に熱的に接続された電子部品とを備える電子装置。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 訂正前の請求項１～７に係る特許に対して、当審が令和４年１１月１６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由１（明確性要件） 本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）取消理由２（実施可能要件） 本件特許は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由１（明確性要件）について 取消理由１は、シリケート相に係る技術常識と、本件明細書等の【００４５】及び【００４７】のシリケート相に係る記載とが整合していないことから、請求項１、５の「シリケート相」との記載が明確でない、というものである。 しかし、本件訂正により、本件明細書等の請求項５、６、【００１０】、【００４５】～【００５１】、図５は削除され、請求項１の「シリケート相」との記載は明確となった。 そうすると、請求項１において、不明確な記載はない。 また、請求項２～４、７においても、不明確な記載はない。 したがって、本件発明１～４、７は、明確である。 よって、取消理由１には理由がない。 ３ 取消理由２（実施可能要件）について （１）本件訂正により訂正された明細書（以下、「訂正明細書」という。）の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００１２】 図１は、本発明の実施形態のセラミック板の一例における要部を拡大して示す断面図である。図２は図１に要部を示すセラミック板およびそのセラミック板を含む電子装置の全体を示す断面図である。窒化ケイ素結晶相１と窒化ケイ素結晶相１間に存在するシリケート相２とによってセラミック板３が基本的に構成されている。また、セラミック板３と電子部品４とが互いに熱的に接続されて電子装置30が基本的に構成されている。図２に示す電子装置は、本発明の実施形態の電子装置の一例である。 ・・・ 【００１７】 電子部品４のセラミック板３に対する搭載においては、前述したように、セラミック板３と電子部品４とが互いに熱的に接続されるようにする。そのためには、例えば、金－スズろう材等の、熱伝導率が約65Ｗ／ｍ・Ｋ以上の接合材を用いればよい。この場合の接合材の厚みは、例えば約100μｍ程度に設定される。また、例えば樹脂接着剤（熱伝導率が約20～23Ｗ／ｍ・Ｋ程度のもの）を接合材として用いたときに、その接合材の厚みが約30μｍ以下になるようにすればよい。 ・・・ 【００２３】 すなわち、実施形態のセラミック板３は、複数の窒化ケイ素結晶11およびこれらの窒化ケイ素結晶11間の粒界12を含む窒化ケイ素結晶相１を含んでいる。また、このセラミック板３は、粒界12に位置しているシリケート相２を備えている。シリケート相２は、窒化ケイ素結晶11よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶21および希土類シリケート結晶22を含んでいる。すなわち、マグネシウムシリケート結晶21の最大粒径が窒化ケイ素結晶21の最大粒径よりも小さく、希土類シリケート結晶22の最大粒径も、窒化ケイ素結晶21の最大粒径よりも小さい。また、この実施形態の電子装置30は、前述したように、上記構成のセラミック板３と、セラミック板３に熱的に接続された電子部品４とを含んでいる。 ・・・ 【００４１】 なお、窒化ケイ素結晶11は、例えば、粒径が約0.5～４μｍ程度であり、平均粒径が約2.4μｍである。また、このときに、複数のマグネシウムシリケート結晶21は、その最小粒径が約0.4～0.5μｍ程度である。また、複数の希土類シリケート結晶22は、その最小粒径が約0.2～0.3μｍ程度である。 【００４２】 このような、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22は、焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、マグネシウムシリケート材料よりも微粉化しておけばよい。上記の粒径調整を含めたセラミック板３の製造方法の一例を次に示す。 【００４３】 まず、窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末と有機溶剤、バインダをミル等の粉砕手段で粉砕して原料粉末を作製する。この時に、それぞれの材料に応じた粒径まで混合し、スラリーを調整する。 【００４４】 次に、調整したスラリーをドクターブレード法等の方法でシート状に成形して帯状のセラミックグリーンシートを作製する。作製したセラミックグリーンシートを、適当な寸法および形状に切断して複数のシートを作製する。その後、これらのシートを、メタライズインクを印刷後、複数上下に積層した後、約1400～1900℃の温度で焼成する。以上の工程によって、セラミック板３を製作することができる。」 （２）本件発明１の「セラミック基板」の製造方法について、上記（１）の【００４２】には、「最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含む希土類シリケート結晶22は、焼結助材として添加するエルビウムシリケート材料をあらかじめ粉砕して、マグネシウムシリケート材料よりも微粉化しておけばよい」と記載され、続けて、「上記の粒径調整を含めたセラミック板３の製造方法の一例を次に示す」と記載され、同【００４３】には、「まず、窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末と有機溶剤、バインダをミル等の粉砕手段で粉砕して原料粉末を作製する。この時に、それぞれの材料に応じた粒径まで混合し、スラリーを調整する」と記載され、同【００４４】には、「次に、調整したスラリーをドクターブレード法等の方法でシート状に成形して帯状のセラミックグリーンシートを作製する。作製したセラミックグリーンシートを、適当な寸法および形状に切断して複数のシートを作製する。その後、これらのシートを、メタライズインクを印刷後、複数上下に積層した後、約1400～1900℃の温度で焼成する。以上の工程によって、セラミック板３を製作することができる」と記載されている。 （３）上記（２）によれば、窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末と有機溶剤、バインダを含むシートを約1400～1900℃の温度で焼成することによって、シリカと酸化マグネシウムとが反応してマグネシウムシリケート結晶が生成され、シリカと酸化エルビウムとが反応してエルビウムシリケート結晶生成され、シリカと酸化イットリウムとが反応してイットリウムシリケート結晶生成されるものである。 そして、本件発明１の「最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶」を製造するには、エルビウムシリケート結晶の原料粉末である酸化エルビウム（エルビウムシリケート材料）をあらかじめ粉砕して、マグネシウムシリケート結晶の原料粉末である酸化マグネシウム（マグネシウムシリケート材料）よりも微粉化しておけばよいことが理解できる。 そうすると、本件発明１の「最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さい」「イットリウムシリケート結晶」を製造するには、上記「エルビウムシリケート結晶」を製造するのと同様に、イットリウムシリケート結晶の原料粉末である酸化イットリウムをあらかじめ粉砕して、マグネシウムシリケート結晶の原料粉末である酸化マグネシウム（マグネシウムシリケート材料）よりも微粉化しておけばよいといえる。 また、本件発明１の「窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶」を製造するには、上記「エルビウムシリケート結晶」及び「イットリウムシリケート結晶」を製造するのと同様に、マグネシウムシリケート結晶の原料粉末である酸化マグネシウムを、あらかじめ粉砕して、窒化ケイ素結晶の原料粉末である窒化ケイ素よりも微粉化しておくとともに、希土類シリケート結晶、すなわち、エルビウムシリケート結晶及びイットリウムシリケート結晶の原料粉末である酸化エルビウム（エルビウムシリケート材料）及び酸化イットリウムをあらかじめ粉砕して、窒化ケイ素結晶の原料粉末である窒化ケイ素よりも微粉化しておけばよいといえる。 （４）以上によれば、発明の詳細な説明には、本件発明１の「セラミック板」の製造方法が記載されているといえる。 （５）本件発明２は、本件発明１に特定されている「シリケート相」の含有率を「３～２０質量％」に限定するものであり、また、本件発明３は、本件発明１又は本件発明２に特定されている「シリケート相」における「マグネシウムシリケート結晶」の含有量を「２０～９０質量％」に限定するものであるところ、いずれの発明も、原料粉末である窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウムの含有量を調整することで製造できるといえる。 （６）本件発明４は、本件発明１～３のいずれかに特定されている「マグネシウムシリケート結晶」と「希土類シリケート結晶」とが、「粒界のうち互いに異なる部分に位置している」ことを限定するものであるところ、上記（３）の検討を参酌すると、本件発明４は、窒化ケイ素、シリカ、酸化マグネシウム、酸化エルビウム、酸化イットリウム等の原料粉末と有機溶剤、バインダを含むシートを約1400～1900℃の温度で焼成すると、シリカと酸化マグネシウムとが反応してマグネシウムシリケート結晶が生成され、シリカと酸化エルビウム及び酸化イットリウムとが反応してエルビウムシリケート結晶及びイットリウムシリケート結晶、すなわち、希土類シリケート結晶が生成されることによって製造されるものである。 そして、「マグネシウムシリケート結晶」と「希土類シリケート結晶」とが、「粒界のうち互いに異なる部分に位置している」ようにするためには、上記シート中において、マグネシウムシリケート結晶の原料粉末である酸化マグネシウムと、希土類シリケート結晶の原料である酸化エルビウム及び酸化イットリウムとが接触しないように分散させておくことで製造できるといえる。 （７）本件発明７は、「請求項１～請求項４のいずれか１項記載のセラミック板セラミック板と、該セラミック板に熱的に接続された電子部品とを備える電子装置。」であるところ、上記（１）の【００１７】には、「電子部品４のセラミック板３に対する搭載においては、前述したように、セラミック板３と電子部品４とが互いに熱的に接続されるようにする。そのためには、例えば、金－スズろう材等の、熱伝導率が約65Ｗ／ｍ・Ｋ以上の接合材を用いればよい」と記載されているから、本件発明７の「電子装置」は製造できるといえる。 （８）以上によれば、本件発明１～４、７について、発明の詳細な説明には、当業者が訂正明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されている。 （９）申立人の主張について ア 申立人は、意見書の５ページ８～１８行において、焼成した際に、焼結助剤の原料粉末が結晶を形成するか否かは、焼成の条件、原料粉末の割合などによって変化するから、焼成によってシリケート結晶が得られるとは限らないため、「小さいシリケート結晶」を形成する方法が、当初明細書等に十分に記載されているとは到底いえず、参考までに、甲第７号証（再公表特許ＷＯ２０１０／００２００１号）の【００４９】－【００５３】に記載された実施例１－１６及び比較例１－１８では、同じ原料が使用されているにもかかわらず、焼成の条件（焼結温度、昇温速度、冷却速度、焼結時間）や、原料粉末の割合などに応じて、粒界相が結晶構造かアモルファス構造に変化することが記載されている旨主張する。 しかし、同じ原料が使用されていても、焼成の条件（焼結温度、昇温速度、冷却速度、焼結時間）や、原料粉末の割合などに応じて、粒界相が結晶構造かアモルファス構造に変化することが、本件特許の出願当時において、当業者にとって技術常識であれば、本件発明１の「セラミック板」を製造する際にも、シリケート結晶が形成できるように焼成の条件（焼結温度、昇温速度、冷却速度、焼結時間）や、原料粉末の割合などの結晶性に影響する製造条件を調整すればよく、過度の試行錯誤を要するものとはいえない。 イ 申立人は、意見書の６ページ１４～１７行において、セラミックスを製造する際の粉末の粒径は、非常に広く分布していることが一般的であり、エルビウムシリケート材料をマグネシウムシリケート材料よりも微粉化するとは、エルビウムシリケート材料とマグネシウムシリケート材料との粒径の関係を具体的にどのように制御するか不明である旨主張する。 しかし、訂正明細書の【００３９】には、「希土類シリケート結晶22は、その粒径がマグネシウムシリケート結晶21の粒径よりも大きいものを含んでいる。この場合でも、最小粒径の希土類シリケート結晶22ａの粒径が、最小粒径のマグネシウムシリケート21ａの粒径よりも小さければ、上記のような焼結性の向上の効果を得ることができる。」と記載されているから、エルビウムシリケート結晶の原料粉末である酸化エルビウムの最小粒径を、マグネシウムシリケート結晶の原料粉末である酸化マグネシウムの最小粒径よりも小さくすればよいといえる。 ウ したがって、申立人の上記主張は、いずれも採用できない。 （１０）以上のとおりであるから、発明の詳細な説明には、本件発明１～４、７について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている。 よって、取消理由２には理由がない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった理由 １ 申立理由１（進歩性） （１）申立理由１－１ 本件請求項１～３、５～７に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１～３、５～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由１－２ 本件請求項１～７に係る発明は、甲第５号証に記載された発明、甲第３号証及び甲第４号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由１－３ 本件請求項１、５、７に係る発明は、甲第６号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１、５、７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲第３号証：特開２０００－３４１７２号公報 甲第４号証：特開平７－３３０４３４号公報 甲第５号証：特開２００１－１８１０５３号公報 甲第６号証：再公表特許ＷＯ２０１５／０６０２７４号 なお、本件訂正により請求項５、６は削除されたから、以下では、本件発明５、６については判断しない。 ２ 甲号証の記載及び甲号証に記載された発明等 （１）甲第３号証（特開２０００－３４１７２号公報） ア 本件特許出願の優先日前に公開された甲第３号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 希土類元素を酸化物に換算して２．０～１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３～３．０重量％、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。」 「【００１３】また、従来、焼結操作終了後に焼成炉の加熱用電源をＯＦＦとして焼結体を炉冷していた場合には、冷却速度が毎時４００～８００℃と急速であったが、本発明者の実験によれば、特に冷却速度を毎時１００℃以下に緩速に制御することにより、窒化けい素焼結体組織の粒界相が非結晶質状態から結晶相を含む相に変化し、高強度特性と高伝熱特性とが同時に達成されることが判明した。」 「【００２２】本発明は上記知見に基づいて完成されたものである。すなわち本願第１の発明に係る高熱伝導性窒化けい素焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して２．０～１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３～３．０重量％，不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であることを特徴とする。」 「【００３０】上記第２の発明に係る高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法は、酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０～１７．５重量％，Ｈｆを酸化物に換算して０．３～３．０重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３～３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１６００～１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することを特徴とする。」 「【００３７】また窒化けい素原料粉末に焼結助剤として添加する希土類元素としては、Ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌａ，Ｓｃ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｇｄなどの酸化物もしくは焼結操作により、これらの酸化物となる物質が単独で、または２種以上の酸化物を組み合せたものを含んでもよい。これらの焼結助剤は、窒化けい素原料粉末と反応して液相を生成し、焼結促進剤として機能する。」 「【００４２】また本願第２の発明において他の添加成分として使用するＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗは、酸化物，炭化物、窒化物、けい化物、硼化物として添加され、これらの化合物は、上記希土類元素の焼結促進剤としての機能を促進すると共に、結晶組織において分散強化の機能を果しＳｉ３Ｎ４焼結体の機械的強度を向上させるものであり、特に、Ｔｉ，Ｍｏの化合物が好ましい。これらの化合物の添加量が酸化物換算で０．１重量％未満の場合においては添加効果が不充分である一方、１．５重量％を超える過量となる場合には熱伝導率および機械的強度や電気絶縁破壊強度の低下が起こるため、添加量は０．１～１．５重量％の範囲とする。特に０．２～１．０重量％とすることが望ましい。 【００４３】また上記Ｔｉ，Ｍｏ等の化合物は窒化けい素焼結体を黒色系に着色し不透明性を付与する遮光剤としても機能する。そのため、特に光によって誤動作を生じ易い集積回路等を搭載する回路基板を上記焼結体から製造する場合には、上記Ｔｉ等の化合物を適正に添加し、遮光性に優れた窒化けい素基板とすることが望ましい。」 「【００５５】実施例１～３ 酸素を１．３重量％、不純物陽イオン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．１０重量％含有し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．４０μｍの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤として平均粒径０．７μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末５重量％，平均粒径０．５μｍのＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末１．５重量％を添加し、エチルアルコール中で７２時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を調製した。 【００５６】次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加して均一に混合した後に、１０００ｋｇ／ｃｍ２の成形圧力でプレス成形し、長さ５０ｍｍ×幅５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの成形体を多数製作した。次に得られた成形体を５００℃の空気気流中において２時間脱脂した後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中７．５気圧にて１８００℃で８時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温度が１５００℃まで降下するまでの間における焼結体の冷却速度がそれぞれ１００℃／ｈｒ（実施例１）、５０℃／ｈｒ（実施例２）、２５℃／ｈｒ（実施例３）となるように調整して焼結体を徐冷し、それぞれ実施例１～３に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。なお、焼結時の焼結ボードとしては表面粗さ（Ｒａ）が０．７μｍのものを使用した。」 「【００５９】比較例３ 酸素を１．７重量％、前記不純物陽イオン元素を合計で０．７重量％含有し、α相型窒化けい素９１％を含む平均粒径１．２μｍの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例１と同一条件で処理し、比較例３に係る窒化けい素焼結体を調製した。 【００６０】こうして得た実施例１～３および比較例１～３に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率（２５℃）、室温での三点曲げ強度の平均値を測定した。なお、三点曲げ強度は下記の２通りの場合について測定した。すなわち、焼結上がり面を、そのまま三点曲げ強度試験における引張り面にした場合と、焼結上がり面をダイヤモンド砥石で研削し、その表面粗さを０．８Ｓ（約０．１５μｍＲａ）にした研削加工面を引張り面にした場合とにおいて測定した。さらに、各焼結体をＸ線回折法によって粒界相に占める結晶相の割合（面積比）を測定し、下記表１に示す結果を得た。 【００６１】 【表１】 ［図：0001402748000001.jpg］ ・・・ 【００６４】さらに比較例３のように平均粒径が１．２μｍと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結において緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。」 「【００６５】実施例４～５８および比較例４～１１ 実施例４～５８として実施例１において使用した窒化けい素粉末とＹ２Ｏ３粉末と，ＭｇＯ粉末の他に表２～表４に示す各種希土類酸化物粉末およびＣａＯ粉末とＳｒＯ粉末とを表２～表４に示す組成比となるように調合して原料混合体をそれぞれ調製した。 【００６６】次に得られた各原料混合体を実施例１と同一条件で成形脱脂処理した後、表２～表４に示す条件で焼結処理してそれぞれ実施例４～５８に係る窒化けい素セラミックス焼結体を製造した。」 「【００７１】 【表３】 ［図：0001402748000002.jpg］ 【００７２】 【表４】 ［図：0001402748000003.jpg］ 」 「【００７５】実施例５９～６１ 酸素を１．３重量％、不純物陽イオン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．１０重量％含有し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．４０μｍの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤として平均粒径０．７μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末５重量％、平均粒径１μｍのＨｆＯ２（酸化ハフニウム）粉末２重量％、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末１．５重量％を添加し、エチルアルコール中で窒化けい素製ボールを用いて７２時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を調製した。 【００７６】次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加して均一に混合した後に、１０００ｋｇ／ｃｍ２の成形圧力でプレス成形し、長さ５０ｍｍ×幅５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの成形体を多数製作した。次に得られた成形体を５００℃の空気気流中において２時間脱脂した後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中０．１気圧にて１７５０℃で８時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温度が１５００℃まで降下するまでの間における焼結体の冷却速度がそれぞれ１００℃／ｈｒ（実施例５９）、５０℃／ｈｒ（実施例６０）、２５℃／ｈｒ（実施例６１）となるように調整して焼結体を徐冷し、それぞれ実施例５９～６１に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。」 イ 甲第３号証に記載された発明 上記アの【請求項１】及び【００４３】の記載によれば、甲第３号証には、以下の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「希土類元素を酸化物に換算して２．０～１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３～３．０重量％、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素基板。」 （２）甲第４号証（特開平７－３３０４３４号公報） 本件特許出願の優先日前に公開された甲第４号証には、以下の記載がある。 「【００１０】本発明の窒化珪素質焼結体は、組織的には、窒化珪素結晶相を主相とするものであり、そのほとんどは１～３０μｍの平均粒径のβ－Ｓｉ3Ｎ4からなる。また、その主相の粒界には少なくとも周期律表第３ａ族元素、Ｓｉ（珪素）、Ｏ（酸素）からなる結晶（以下、ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系結晶という場合がある。）が存在することが大きな特徴である。ここで、ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系結晶とは、ＲＥ2Ｓｉ2Ｏ7で表されるダイシリケート相やＲＥ2ＳｉＯ5で表されるモノシリケート相を示すものである。なお、粒界相には、上記の結晶相以外に結晶化が十分でない場合などにおいて窒素成分を含むオキシナイトライドガラスが存在することがある。このようなガラス相が存在すると、高温での機械的特性を若干低下させる場合があるが、耐酸化性および破壊靱性に与える影響は小さいため、Ｘ線回折などで前述した結晶相が明らかに検出されるレベルであれば特に問題はない。」 「【００１８】本発明によれば、これらの粉末を用いて、前述したような組成を満足するように調合する。調合に際して前述したＳｉＯ2／ＲＥ2Ｏ3比を制御する場合、窒化珪素中に不可避的に含まれる酸素をＳｉＯ2分あるいは製造過程で吸着される酸素分等を考慮してＬｕ2Ｏ3などの周期律表第３ａ族元素酸化物量を決定するが、場合によってはＳｉＯ2粉末を添加して調製すればよい。」 （３）甲第５号証（特開２００１－１８１０５３号公報） ア 本件特許出願の優先日前に公開された甲第５号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 窒化ケイ素粒子の結晶相９５～９８重量％と、残部の粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体であって、 窒化ケイ素以外に、第一の元素群である希土類元素を酸化物換算で１～３重量％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＣｒからなる第二の元素群から選ばれた少なくとも１種の元素を酸化物換算で０.２～１重量％、Ｍｇを酸化物換算で０.５重量％を越え１.７重量％以下含み、且つ不純物として含まれるＡｌが前記含有成分の総重量を１００重量％としたとき酸化物換算で０.１重量％以下であり、 前記粒界相は、第二の元素群の元素と希土類元素との複合酸化物からなる第一の粒界結晶相と、希土類元素のケイ酸塩からなる第二の粒界結晶相と、希土類元素とケイ素の酸窒化物とからなる第三の粒界結晶相とを含んでいて、 その第二の粒界結晶相の第三の粒界結晶相に対するＸ線回析線の強度比が１以下であると共に、焼結体のＸ線回折図形で確認される粒界結晶相のメイン回析線の強度の総和が前記窒化ケイ素結晶相の（２００）回析線の強度に占める２５℃での割合をＩ２５、その１５００℃での割合をＩ１５００としたとき、比率Ｉ１５００／Ｉ２５ が０.７以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 「【０００２】 【従来の技術】窒化ケイ素セラミックスは、低温から高温までの幅広い温度領域において機械的特性に優れ、また耐食性にも優れているため、自動車関連の部品、耐摩工具や切削工具、軸受けなどの摺動部品などとして幅広く使用されている。また最近では、半導体や家電機器などの電気及び電子部品にも用途が広がっている。」 「【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素粒子の結晶相９５～９８重量％と、残部の粒界相とからなり、その粒界相に含まれる結晶化成分とその量を制御することにより、特に高温での特性の向上を達成したものである。そのために、焼結助剤の組合せと共に、炭素源の添加を行い、脱脂での酸素量と炭素量の制御を含む新たな製造方法を採用している。 【００１６】本発明の窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素以外の成分として、第一の元素群である希土類元素を、その酸化物に換算して１～３重量％含む。ここで「希土類元素」とは、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド系及びアクチノイド系の周期律表の３Ａ族に属する元素の総称である。これら希土類元素は主に焼結体の緻密化に寄与する。その酸化物換算量が１重量％未満では焼結体の相対密度が９９％未満となり、また３重量％を越えると焼結体中の粒界相が増えるため、いずれの場合も優れた機械的特性及び熱的特性を得ることができない。 ・・・ 【００１８】また、本発明の窒化ケイ素焼結体には、Ｍｇが酸化物換算で０.５重量％を越え且つ１.７重量％以下含まれている。Ｍｇは焼結体の緻密化を促進すると共に、上記した第一及び第二の元素群の元素を含む化合物の形成を促して、焼結体の高温での機械的及び熱的特性の向上に寄与する。しかし、Ｍｇの酸化物換算量が０.５重量％以下ではその効果がほとんど無く、一方１.７重量％を越えると揮発し易いＭｇ含有成分が増えるため、焼結体中に空孔が増加し、機械的及び熱的な特性が低下する。 ・・・ 【００２０】本発明においては、上記の各成分量の制御と同時に、後述する製造方法によって、その粒界相の結晶化成分とその量が以下のように制御されている。即ち、粒界相には、上記したＴｉやＺｒなどの第二の元素群の元素と希土類元素との複合酸化物からなる第一の粒界結晶相、窒化ケイ素粉末粒子の表面酸化物と希土類元素化合物との間で生じる希土類元素のケイ酸塩からなる第二の粒界結晶相、及び希土類元素とケイ素との酸窒化物からなる第三の粒界結晶相（これは主に窒化ケイ素と希土類元素の化合物との間で生じる）が含まれる。 【００２１】これら粒界結晶相において、第一の粒界結晶相となる複合酸化物としては、例えば、Ｙ２Ｈｆ２Ｏ７、Ｙ２Ｈｆ７Ｏ１７、Ｙｂ６ＨｆＯ１１、Ｄｙ２Ｈｆ２Ｏ７、Ｙ２Ｚｒ２Ｏ７などが挙げられ、また第二の粒界結晶相となる希土類元素のケイ酸塩としては、例えば、Ｙ２Ｓｉ２Ｏ７、Ｙ２ＳｉＯ５、Ｙｂ２Ｓｉ２Ｏ７、Ｙｂ２ＳｉＯ５、Ｅｒ２Ｓｉ２Ｏ７、、Ｅｒ２ＳｉＯ５などが挙げられる。更に第三の粒界結晶相である酸窒化物としては、Ｄｙ４Ｓｉ２Ｏ７Ｎ２、Ｙ４Ｓｉ２Ｎ２Ｏ７、Ｙ８Ｓｉ４Ｎ４Ｏ１４、ＹＳｉＯ２Ｎなどや、主に希土類元素の酸化物と窒化ケイ素の化合物であるＹ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４などが挙げられる。また、上記以外の粒界結晶相として、Ｍｇ２ＳｉＯ４のようなＭｇのケイ酸化物が含まれていてもよい。 ・・・ 【００２９】次に、本発明の窒化ケイ素焼結体の製造方法について説明する。最初の工程である原料粉末を準備する工程では、α型窒化ケイ素を９０％以上含む窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の粉末、第一の元素群である希土類元素の化合物の粉末、第二の元素群であるＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＣｒからなる元素群から選ばれた少なくとも１種の元素の化合物の粉末、Ｍｇの化合物の粉末を用意する。 【００３０】第一の元素群の希土類元素の化合物粉末は、酸化物に換算して１.０～３.０重量％の範囲にて添加する。この添加量が１.０重量％よりも少ないときは、焼結体が十分に緻密化されず、低強度の焼結体しか形成されない。また、３.０重量％を越える場合には、過剰な粒界相が形成されるため、特に高温下での機械的及び熱的な特性の劣化が激しくなる。このため、希土類元素化合物粉末の添加量は上記１.０～３.０重量％の範囲とする。 【００３１】第二の元素群のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒの化合物、例えば酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、ケイ化物、硼化物は、上記希土類元素を添加した焼結体の特性、特に高温での機械的特性や熱的特性を向上させる働きがあり、これらの中から選択される少なくとも１種を酸化物換算で０.２～１.０重量％添加する。尚、Ｚｒの酸化物は、Ｙ２Ｏ３かＣｅ２Ｏ３などを添加した部分安定化あるいは安定化された酸化物でも良いし、Ａｌ２Ｏ３を添加していても構わない。ただし、Ａｌ２Ｏ３の添加量は、後述するように焼結体全体で０.１重量％以下とする必要があるため注意を要する。 これら第二の元素群の添加量は、酸化物換算で０.２重量％未満では添加の効果がないか又は極めて小さく、また１.０重量％を越えると焼結性を阻害し、特に高温での熱的及び機械的特性の劣化を引き起こすため、酸化物換算にて０.２～１.０重量％に設定される。 【００３２】また、焼結性を促進させるために、Ｍｇの化合物粉末を酸化物（ＭｇＯ）換算で０.５重量％を越え（即ち、元素換算では０.３重量％を越え）、１.７重量％以下の範囲で添加する。Ｍｇ化合物の添加量が酸化物換算で０.５重量％以下になると、焼結の促進効果が見られないか又は極めて低くなり、また１.７重量％よりも高ければ、焼結体に気孔が形成されるため、特に焼結体の高温での熱的及び機械的特性が劣化するからである。尚、Ｍｇは酸化物又は炭酸化物として添加するのが望ましい。Ｍｇ化合物は酸化アルミニウムのように窒化ケイ素粒子内に酸素やアルミニウムを固溶させて焼結体の熱伝導率を低下させることはなく、焼結促進剤としては好適である。 ・・・ 【００３７】炭素源粉末を添加した混合粉末は、通常のごとくＰＶＢ（ポリビニルブチラール）やＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のような有機バインダを混ぜて造粒した後、公知の手段によって成形する。得られた成形体は有機バインダを加熱除去するため、非酸化性雰囲気中で脱脂処理を行う。脱脂方法として具体的には、成形体を設置した炉内を拡散ポンプを用いて真空排気して炉内の酸素を極力除去した後、窒素ガスをフローして炉内を６０～９０ｋＰａの圧力になるように調整しながら、成形体を８００～１３００℃の温度範囲内にまで加熱する。 ・・・ 【００４０】得られた脱脂体は、窒素ガスを含む非酸化性ガス雰囲気中において、通常１ＭＰａ以下の圧力にて保持温度１８００～２０００℃で一次焼結する。保持温度が１８００℃未満だと緻密な焼結体が得られず、２０００℃を越えると焼結体の粒子が異常に成長したり、場合によっては窒化ケイ素の一部の分解昇華が顕著になるので好ましくない。一次焼結体は、更に緻密化させるために、同種のガス雰囲気中にて１０～１００ＭＰａに加圧して、１７００～１９００℃で二次焼結を行う。この二次焼結の圧力が１０ＭＰａ未満では更なる緻密化が起こりにくく、１００ＭＰａを越える圧力下で焼結しても効果は上がらない。 【００４１】窒化ケイ素焼結体の粒界相には、焼結後に非晶質の相が形成されるが、その割合が少なくなればなるほど、言い換えれば結晶相が多くなればなるほど、熱伝導率や焼結体の高温での機械的特性が向上する。そこで、非晶質相を結晶相に転換する結晶化処理が必要である。本発明では、結晶化処理として、上記焼結後の二次焼結体を９００℃以下に、例えば常温まで一旦冷却し、炉内から取り出すことなく再び加熱して熱処理を行なう。 【００４２】上記熱処理は、焼結体を非酸化性雰囲気中にて、９００℃～１５００℃の温度範囲内で保持することによって行う。保持温度が９００℃未満では粒界相のガラス相が十分に結晶化されず、１５００℃以上になると窒化ケイ素粒子が異常成長する。この熱処理は、９００～１５００℃の温度範囲内で粒界結晶相の核形成段階と、それよりも高い温度における核成長段階の二段階に分けて行ってもよく、又それぞれの段階を各温度範囲内で複数段設けても良い。」 「【００４６】 【実施例】実施例１ 表１の「原料粉末」欄に示すように、α型結晶粒子含有量（α率）、平均粒径及び酸素量が異なる各種窒化ケイ素粉末を用意した。また、焼結助剤としては、希土類元素化合物として平均粒径０.５μｍのＹ２Ｏ3粉末、第二群元素の化合物として平均粒径１μｍのＨｆＯ２粉末と平均粒径１μｍのＺｒＯ２粉末（Ｙ２Ｏ３で部分安定化されたＺｒＯ２）を併用し、更に平均粒径０.４μｍのＭｇＯ粉末を準備した。これらの原料粉末を、それぞれ表１に示す配合量に秤量した。 【００４７】 【表１】 ［図：0001402748000004.jpg］ ［図：0001402748000005.jpg］ 」 「【００５８】得られた各Ｓｉ３Ｎ４焼結体試料について、実施例１と同様に粒界結晶相の同定を行い、粒界相に含まれる主な粒界結晶相を下記表５に示した。尚、表５の「粒界相結晶相」欄に記載された略号は、Ｌ２ＴはＬａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＤＣｒはＤｙＣｒＯ３、ＹｂＨｆはＹｂ６ＨｆＯ１１、ＥＺｒはＥｒ４Ｚｒ３Ｏ１２、Ｙ３ＮｂはＹ３ＮｂＯ７、ＹＣｒはＹＣｒＯ３、Ｌ４ＳはＬａ４Ｓｉ３Ｏ１２、Ｄ３ＳはＤｙ４Ｓｉ３Ｏ１２、Ｙｂ２ＳはＹｂ２Ｓｉ２Ｏ７、Ｅ２ＳはＥｒ２Ｓｉ２Ｏ７、Ｙ２ＳはＹ２Ｓｉ２Ｏ７、ＬＳＮはＬａ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４、ＤＳＮはＤｙ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４、ＹｂＳＮはＹｂ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４、ＥＳＮはＥｒ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４、ＹＳＮはＹ２Ｏ３・Ｓｉ３Ｎ４をそれぞれ示す。」 イ 甲第５号証に記載された発明 上記アの【請求項１】の記載によれば、甲第５号証には、以下の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。 「窒化ケイ素粒子の結晶相９５～９８重量％と、残部の粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体であって、 窒化ケイ素以外に、第一の元素群である希土類元素を酸化物換算で１～３重量％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＣｒからなる第二の元素群から選ばれた少なくとも１種の元素を酸化物換算で０.２～１重量％、Ｍｇを酸化物換算で０.５重量％を越え１.７重量％以下含み、且つ不純物として含まれるＡｌが前記含有成分の総重量を１００重量％としたとき酸化物換算で０.１重量％以下であり、 前記粒界相は、第二の元素群の元素と希土類元素との複合酸化物からなる第一の粒界結晶相と、希土類元素のケイ酸塩からなる第二の粒界結晶相と、希土類元素とケイ素の酸窒化物とからなる第三の粒界結晶相とを含んでいて、 その第二の粒界結晶相の第三の粒界結晶相に対するＸ線回析線の強度比が１以下であると共に、焼結体のＸ線回折図形で確認される粒界結晶相のメイン回析線の強度の総和が前記窒化ケイ素結晶相の（２００）回析線の強度に占める２５℃での割合をＩ２５、その１５００℃での割合をＩ１５００としたとき、比率Ｉ１５００／Ｉ２５ が０.７以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 （４）甲第６号証（再公表特許ＷＯ２０１５／０６０２７４号） ア 本件特許出願の優先日前に公開された甲第６号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化珪素基板において、窒化珪素基板の断面組織は、窒化珪素基板の厚さＴ１に対し厚さ方向の粒界相の合計長さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．０１～０．３０であり、基板の表裏に電極を接触して４端子法で測定したときの絶縁耐力の平均値からのばらつきが２０％以下であることを特徴とする窒化珪素基板。」 「【背景技術】 【０００２】 近年、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板を半導体回路基板に適用することが試みられている。半導体回路基板としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板が使用されている。アルミナ基板は熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるが、低コスト化が可能である。また、窒化アルミニウム基板は熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となる高熱伝導化が可能である。一方、窒化珪素基板としては、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の基板が開発されている。」 「【０００８】 しかしながら、特許文献２のように電流リーク値が一定値以下であったとしても絶縁性が不十分となる場合があった。この原因を追究した結果、基板の厚さ方向の窒化珪素結晶粒子と粒界相との存在比が大きく関係することが判明した。窒化珪素基板は、窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する窒化珪素焼結体から構成されている。・・・」 「【００１４】 図１に実施形態に係る窒化珪素基板の断面組織の一例を示す。図中、符号１は窒化珪素基板、２は窒化珪素結晶粒子、３は粒界相、Ｔ１は窒化珪素基板の厚さ、である。また、図２は、実施形態に係る窒化珪素基板において、基板厚さＴ１に対する粒界相の合計の長さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）を説明するための断面図である。図中、２は窒化珪素結晶粒子、３は粒界相、Ｔ２－１～４は厚さ方向の粒界相の長さである。 【００１６】 また、粒界相は、焼結助剤を主として構成されるものである。また、焼結助剤としては、希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムから選択される１種以上が好ましい。また、焼結助剤はそれぞれ酸化物換算で合計２～１４質量％が含有されていることが好ましい。燒結助剤が酸化物換算で２質量％未満では、粒界相の存在比が少ない部分が生じるおそれがある。また、焼結助剤が酸化物換算で１４質量％を超えて過量であると、粒界相の存在比が多くなり過ぎるおそれがある。そのため、焼結助剤は酸化物換算で４．０～１２．０質量％の範囲で含有されることが好ましい。」 「【００３４】 室温（２５℃）での１０００Ｖ印加時の体積固有抵抗値が６０ ×１０１２Ωｍ以上であることが好ましい。窒化珪素基板に金属回路板を設けた窒化珪素回路基板は様々な半導体素子を搭載することが可能である。」 「【００６１】 まず、原料粉末として、窒化珪素粉末、焼結助剤粉末を用意する。窒化珪素粉末は、α化率が８０質量％以上であり、平均粒径が０．４～２．５μｍであり、不純物酸素含有量が２質量％以下であることが好ましい。また、不純物酸素含有量は２質量％以下、さらには１．０質量％以下、さらには０．１～０．８質量％であることが好ましい。不純物酸素含有量が２質量％を超えて多いと、不純物酸素と焼結助剤との反応が起きて、必要以上に粒界相が形成されてしまうおそれがある。 【００６２】 また、焼結助剤は、平均粒径が０．５～３．０μｍの金属酸化物粉末であることが好ましい。金属酸化物粉末としては、希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムなどの酸化物が挙げられる。焼結助剤を金属酸化物として添加することにより、焼結工程中に液相成分を形成し易くなる。 ・・・ 【００６４】 次に、窒化珪素粉末および焼結助剤粉末を所定量混合し、さらに有機バインダを添加して原料混合体を調製する。このとき、必要に応じて、非晶質炭素、可塑剤等を添加してもよい。非晶質炭素は脱酸剤として機能する。すなわち非晶質炭素は酸素と反応してＣＯ２やＣＯとして外部に放出されるため、焼結工程の液相反応を促進し易くなる。 【００６５】 次に、原料混合体を成形する成形工程を行う。原料混合体の成形法としては、汎用の金型プレス法、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）法、あるいはドクターブレード法、ロール成形法のようなシート成形法などが適用できる。また、必要に応じ、原料混合体を、トルエン、エタノール、ブタノールなどの溶媒と混合するものとする。 【００６６】 次に上記成形工程の後、成形体の脱脂工程を行う。脱脂工程は、非酸化性雰囲気中、温度５００～８００℃で１～４時間加熱して、予め添加していた大部分の有機バインダの脱脂を行うものとする。非酸化性雰囲気としては、窒素ガス雰囲気中、アルゴンガス雰囲気中などが挙げられる。 【００６７】 また、有機バインダとしては、ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレートなどが挙げられる。また、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末との合計量を１００質量部としたとき、有機バインダの添加量は３～１７質量部であることが好ましい。 ・・・ 【００６９】 次に脱脂処理された成形体は、焼成容器内に収容され焼成炉内において非酸化性雰囲気中で温度１４００～１６５０℃に加熱され、１～８時間保持される熱処理工程が実施される。この処理により、焼結助剤粉末の液相反応が促進される。液相反応の促進により、液相成分が窒化珪素結晶粒子の粒界への拡散が促進され、気孔が低減される。 ・・・ 【００７１】 次に、焼結工程を行う。焼結工程は、非酸化性雰囲気中で成形体を温度１８００～１９５０℃に８～１８時間加熱して実施されるものとする。非酸化性雰囲気としては、窒素ガス雰囲気、または窒素ガスを含む還元性雰囲気が好ましい。また、焼成炉内圧力は加圧雰囲気であることが好ましい。 ・・・ 【００７４】 また、焼結工程後における焼結体の冷却速度を１００℃／ｈ以下にすることが好ましい。冷却速度を１００℃／ｈ以下、さらには５０℃／ｈ以下とゆっくり冷却することにより、粒界相を結晶化することができる。粒界相中の結晶化合物の割合を大きくすることができる。前記熱処理工程により、粒界相の液相反応を促進している。 ・・・ 【００７６】 また、焼結工程後の冷却速度を１００℃／ｈ以下とすることにより、粒界相中の結晶化合物相の割合を面積率で２０％以上、さらには５０％以上とすることができる。粒界相を結晶化することにより、窒化珪素基板の熱伝導率を８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることができる。」 「【００８５】 次に脱脂処理した成形体に対し、表１および表２に示した熱処理工程および焼結工程を実施した。この工程を実施した後、表１および表２に示した条件で実施例および比較例の窒化珪素基板を作製した。また、熱処理工程および焼結工程は多段（１０段重ね）にして実施した。 【表１】 ［図：0001402748000006.jpg］ 」 「【図１】 ［図：0001402748000007.jpg］ 【図２】 ［図：0001402748000008.jpg］ 」 イ 上記アの【請求項１】の記載によれば、甲第６号証には、以下の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されていると認められる。 「窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化珪素基板において、窒化珪素基板の断面組織は、窒化珪素基板の厚さＴ１に対し厚さ方向の粒界相の合計長さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．０１～０．３０であり、基板の表裏に電極を接触して４端子法で測定したときの絶縁耐力の平均値からのばらつきが２０％以下であることを特徴とする窒化珪素基板。」 ３ 申立理由１－１（甲３発明を主引用発明とした理由）について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲３発明とを対比する。 （ア）甲３発明の「高熱伝導性窒化けい素焼結体」は、「窒化けい素結晶および粒界相から成る」ものであるから、複数の「窒化けい素結晶」及び「窒化けい素結晶」間の粒界を含む窒化けい素結晶を備えているといえる。 そうすると、甲３発明の「窒化けい素結晶」は、本件発明１の「窒化ケイ素結晶」に相当し、本件発明１と甲３発明とは、「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えている」点で一致する。 （イ）甲第３号証の【００５６】には、「窒化けい素セラミックス焼結体」と記載されているから、甲３発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」は、セラミック板であるといえる。 したがって、甲３発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」は、本件発明１の「セラミック板」に相当する。 （ウ）以上によれば、本件発明１と甲３発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えているセラミック板。」 ＜相違点＞ 相違点１－１：本件発明１は「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」を備えているのに対し、甲３発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点１－２：本件発明１は、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」のに対し、甲３発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 イ 相違点についての判断 （ア）相違点１－１及び相違点１－２は、いずれも、「マグネシウムシリケート結晶」及び「希土類シリケート結晶」について特定されているから、まとめて検討する。 甲第３号証及び甲第４号証のいずれにも、相違点１－１及び相違点１－２に係る本件発明１の構成、すなわち、「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」を備えていること、及び、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」ことは、記載も示唆もされていない。 したがって、甲３発明において、甲第４号証に記載された事項に基づいて、相違点１－１及び相違点１－２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （イ）申立人の主張について ａ 申立人は、相違点１－１及び１－２について、 （ａ）特許異議申立書の３１ページ最下行～３３ページ下から６行において、甲第３号証では、比較例３として、平均粒径０．７μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末に対して、平均粒径１．２μｍの窒化けい素原料粉末を用いており、本件発明１に係るセラミック板の製造方法（本件製造方法１）と、甲第３号証に記載された製造方法（甲３製造方法）とを比較すると、その相違点は、原料が「シリカ」を含むか否かのみであり、甲３製造方法において、甲第４号証に記載されているように窒化けい素に不可避に含まれる酸素をシリカ成分として作用させ、本件製造方法１とすることは、当業者が容易になし得たことである旨、 （ｂ）意見書の７ページ下から７行～８ページ３行において、甲第３号証の比較例３では、原料粉末の粒径が、窒化珪素＞Ｙ２Ｏ２＞ＭｇＯの関係であり、また、甲第３号証の【００５６】には、原料が１８００℃で焼結されることが記載されており、本件明細書における【００４４】に記載された熱処理条件と同じである旨主張している。 ｂ しかし、甲第３号証の比較例３（上記２（１）アの【００５５】、【００５９】）には、平均粒径１．２μｍの窒化けい素原料粉末、平均粒径０．７μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末を用いることが記載されており、Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末の平均粒径が、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末の平均粒径よりも大きいものである。 一方、本件発明１は、「最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」から、イットリウムシリケート結晶の最小粒径の方が、マグネシウムシリケート結晶の最小粒径よりも小さいものである。 そうすると、甲第３号証の比較例３における原料粉末を用いた甲３製造方法において、甲第４号証に記載されているように窒化けい素に不可避に含まれる酸素をシリカ成分として作用させたとしても、平均粒径がＭｇＯ粉末よりも大きいＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末が焼結された結果、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいイットリウムシリケート結晶が得られるとはいえない。 また、甲第３号証の【００６４】（上記２（１）ア）には、「比較例３のように平均粒径が１．２μｍと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結において緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した」と記載されているから、強度、熱伝導率ともに低下している比較例３の窒化けい素焼結体に、甲第４号証に記載されている事項を適用する動機付けはない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上から、本件発明１は、甲３発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２、３、７について 本件発明２、３、７は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様に、本件発明２、３、７は、甲３発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 申立理由１－２（甲５発明を主引用発明とした理由）について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲５発明とを対比する。 （ア）甲５発明の「窒化ケイ素焼結体」は、「窒化ケイ素粒子の結晶相９５～９８重量％と、残部の粒界相とからなる」ものであるから、複数の「窒化ケイ素粒子の結晶」及び「窒化ケイ素粒子の結晶」間の粒界を含む「窒化ケイ素粒子の結晶相」を備えているといえる。 そうすると、甲５発明の「窒化ケイ素粒子の結晶」は、本件発明１の「窒化ケイ素結晶」に相当し、本件発明１と甲５発明とは、「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えている」点で一致する。 （イ）甲第５号証の【０００２】（上記２（３）ア）には、「窒化ケイ素セラミックス」と記載されているから、甲５発明の「窒化ケイ素焼結体」は、セラミックであるといえる。 したがって、甲５発明の「窒化ケイ素焼結体」は、本件発明１の「セラミック」に相当する。 （ウ）以上によれば、本件発明１と甲５発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えているセラミック。」 ＜相違点＞ 相違点２－１：本件発明１は「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」備えているのに対し、甲５発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点２－２：本件発明１は、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」のに対し、甲５発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点２－３：本件発明１は、「板」であるのに対し、甲５発明は、板であるかどうか不明である点。 イ 相違点についての判断 （ア）相違点２－１及び相違点２－２は、いずれも、「マグネシウムシリケート結晶」及び「希土類シリケート結晶」について特定されているから、まとめて検討する。 甲第３号証～甲第５号証のいずれにも、相違点２－１及び相違点２－２に係る本件発明１の構成、すなわち、「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」を備えていること、及び、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」ことは、記載も示唆もされていない。 したがって、甲５発明において、甲第３号証及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、相違点２－１及び相違点２－２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （イ）申立人の主張について ａ 申立人は、相違点２－１及び２－２について、 （ａ）特許異議申立書の３８ページ９行～３９ページ１３行において、甲第５号証では、平均粒径０．５μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末に対して、試料４～２４では、平均粒径０．８～１．０μｍの窒化けい素原料粉末を用いることが記載されており、本件発明１と甲３発明との対比で説明した本件製造方法１と、甲第５号証に記載された製造方法（甲５製造方法）と、を比較すると、その相違点は、原料が「シリカ」を含むか否かのみであり、ここで、窒化けい素焼結体の材料としてシリカを用いること、窒化けい素に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として用いることは、甲第４号証に記載されたように、周知技術であり、また、甲第５号証では、窒化ケイ素粉末には、１．８重量％以下の酸素が含まれうることが記載されていから（【００３４】）、甲５製造方法において、窒化けい素に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として作用させ、本件製造方法１とすることは、当業者が容易になし得たことであり、また、その結果、相違点２－１、２－２に係る構成を備える窒化けい素焼結体を作製することは、当業者が容易になし得たことであり、また、その結果、相違点２－１、２－２に係る構成を備える窒化けい素焼結体を作製することは、当業者が容易になし得たことである旨、 （ｂ）意見書の８ページ４～１２行において、甲第５号証の実施例１では、原料粉末の粒径が、窒化珪素＞Ｙ２Ｏ３＞ＭｇＯの関係であり、また、甲第５号証の【００４０】には、原料が１８００～２０００℃で焼結されることが記載されており、本件明細書における【００４４】に記載された熱処理条件と重複する旨主張している。 ｂ しかし、甲第５号証の実施例１である【００４６】、【００４７】の【表１】（上記２（３）ア）には、平均粒径０．８μｍ又は１．０μｍの窒化ケイ素粉末（試料４、５等）、平均粒径０．５μｍのＹ２Ｏ３粉末、平均粒径０．４μｍのＭｇＯ粉末を用いることが記載されており、Ｙ２Ｏ３粉末の平均粒径が、ＭｇＯ粉末の平均粒径よりも大きいものである 一方、本件発明１は、「最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」から、イットリウムシリケート結晶の最小粒径の方が、マグネシウムシリケート結晶の最小粒径よりも小さいものである。 そうすると、甲第５号証の実施例１における原料粉末を用いた甲５製造方法において、甲第４号証に記載されているように窒化けい素に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として作用させたとしても、平均粒径がＭｇＯ粉末よりも大きいＹ２Ｏ３粉末が焼結された結果、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいイットリウムシリケート結晶が得られるとはいえない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上から、相違点２－３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲５発明及び甲第３号証及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明２～４、７について 本件発明２～４、７は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２～４、７は、甲５発明及び甲第３号証及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 申立理由１－３（甲６発明を主引用発明とした理由）について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲６発明とを対比する。 （ア）甲６発明の「窒化珪素基板」は、「窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する」ものであるから、複数の「窒化珪素結晶粒子」及び「窒化珪素結晶粒子」間の粒界を含む窒化珪素結晶相を備えているといえる。 そうすると、甲６発明の「窒化珪素結晶粒子」は、本件発明１の「窒化ケイ素結晶」に相当し、本件発明１と甲６発明とは、「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えている」点で一致する。 （イ）甲第６号証の【０００８】（上記２（４）ア）には、「窒化珪素基板は、窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する窒化珪素焼結体から構成されている」と記載されているから、甲６発明の「窒化珪素基板」は、窒化珪素焼結体である。 そして、甲第３号証の【００５６】（上記２（１）ア）の「窒化けい素セラミックス焼結体」と記載されていることからすると、窒化珪素焼結体はセラミックスである。 そうすると、甲６発明の「窒化珪素基板」は、セラミック板であるといえるから、本件発明１の「セラミック板」に相当する。 （ウ）以上によれば、本件発明１と甲６発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「複数の窒化ケイ素結晶および該窒化ケイ素結晶間の粒界を含む窒化ケイ素結晶相を備えているセラミック板。」 ＜相違点＞ 相違点３－１：本件発明１は「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」備えているのに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点３－２：本件発明１は、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」のに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 イ 相違点についての判断 （ア）相違点３－１及び相違点３－２は、いずれも、「マグネシウムシリケート結晶」及び「希土類シリケート結晶」について特定されているから、まとめて検討する。 甲第６号証、甲第４号証のいずれにも、相違点３－１及び相違点３－２に係る本件発明１の構成、すなわち、「前記窒化ケイ素結晶よりも最大粒径が小さいマグネシウムシリケート結晶および希土類シリケート結晶を含んでいるとともに前記粒界に位置しているシリケート相」を備えていること、及び、「前記希土類シリケート結晶が、最小粒径が前記マグネシウムシリケート結晶よりも小さいエルビウムシリケート結晶およびイットリウムシリケート結晶の少なくとも一方を含んでいる」ことは、記載も示唆もされていない。 したがって、甲６発明において、甲第４号証に記載された事項に基づいて、相違点３－１及び相違点３－２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （イ）申立人の主張について ａ 申立人は、相違点３－１及び３－２について、 （ａ）特許異議申立書の４３ページ１２行～４４ページ行において、甲第６号証では、窒化珪素基板の材料として、「窒化珪素」、「希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムなどの酸化物」が挙げられ、希土類元素の酸化物として、実施例２では、酸化イットリウム及び酸化エルビウムが用いられており、また、甲第６号証では、窒化珪素粉末の平均粒径は０．４～２．５μｍとされ、焼結助剤である金属酸化物粉末の平均粒径は０．５～３．０μｍとされている。すなわち、焼結助材として添加されるイットリウムシリケート材料を、窒化ケイ素材料よりも微粉化しておくことが記載されており、本件発明１と甲３発明との対比で説明した本件製造方法１と、甲第６号証に記載された製造方法（甲６製造方法）と、を比較すると、その相違点は、原料が「シリカ」を含むか否かのみであり、ここで、窒化珪素基板の材料としてシリカを用いること、窒化珪素粉末に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として用いることは、甲第４号証に記載されたように、周知技術であり、また、甲第６号証では、窒化珪素粉末に、２．０重量％以下の酸素が含まれうることが記載されている（【００６１】）から、甲６製造方法において、窒化珪素粉末に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として作用させ、本件製造方法１とすることは、当業者が容易になし得たことであり、また、その結果、相違点３－１、３－２に係る構成を備える窒化けい素焼結体を作製することは、当業者が容易になし得たことである旨、 （ｂ）甲第６号証の【００６１】には、平均粒径０．４～２．５μｍのＳｉＮ粉が記載され、同【００６２】には、焼結助剤として、平均粒径が０．５～３．０μｍの金属酸化物粉末が記載され、すなわち、粒径が窒化珪素＞ＭｇＯ＞Ｙ２Ｏ３となる原料粉末を選択しうることが記載されており、また、甲第６号証の【００７１】には、原料が１８００～１９５０℃で焼結されることが記載されており、本件特許明細書における【００４４】に記載された熱処理条件と重複する旨主張している。 ｂ 確かに、甲第６号証の【００６１】、【００６２】（上記２（４）ア）では、窒化珪素基板の材料として、「窒化珪素」、「希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムなどの酸化物」が挙げられ、また、窒化珪素粉末の平均粒径は０．４～２．５μｍ、焼結助剤である金属酸化物粉末の平均粒径は０．５～３．０μｍとされ、希土類元素の酸化物として、実施例２（【００８５】の【表１】）では、Ｙ２Ｏ（酸化イットリウム）及びＥｒ２Ｏ３（酸化エルビウム）が用いられている。 しかし、甲第６号証には、原料粉末である窒化珪素粉末、マグネシウム酸化物粉末、酸化イットリウム粉末の平均粒径の具体的な値は記載されていないから、各原料粉末の平均粒径の大小関係は不明である。 そうすると、甲第６号証の原料粉末を用いた甲５製造方法において、甲第４号証に記載されているように窒化けい素に不可避的に含まれる酸素をシリカ成分として作用させたとしても、最小粒径がマグネシウムシリケート結晶よりも小さいイットリウムシリケート結晶が得られるとはいえない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上から、本件発明１は、甲６発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明７について 本件発明７は、本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、本件発明７は、甲６発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ６ まとめ 以上のとおり、本件発明１～４、７は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、甲第５号証に記載された発明、甲第３号証及び甲第４号証に記載された事項に基いて、又は、甲第６号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 よって、申立理由１には理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１～４、７に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～４、７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、本件訂正により本件請求項５、６は削除されたため、本件請求項５、６に対して、申立人した特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。