2022-020460

第２ 本願発明

本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和４年４月１２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１の記載は、次のとおりのものである。

＜本願発明＞

「複数の感知素子を含む基板と、

第１の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、

を含む検出器であって、

前記複数の感知素子と、前記第１及び第２の出力と、前記第１及び第２のセクションと、は１つのダイで実装される、検出器。」

第３ 原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由の概要は、以下の内容を含むものである。

本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献１に記載された発明又は引用文献２に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

１．特表２０１８－５０８７８９号公報（以下「引用文献１」という。）

２．CHEN W et al.，"High resistivity silicon active pixel sensors for recording data from STEM"，NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESERCH A，2003年06月28日，Vol. 512，p. 368-377， https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900203019156（以下「引用文献２」という。）

第４ 各引用文献の記載及び引用発明

１ 引用文献１について

（１）引用文献１に記載された事項

原査定で引用された引用文献１には、次の記載がある。下線は当審が付した、以下同様。

「【００５７】

図１は、本発明の実施形態による放射線イメージセンサ１を示す。この放射線イメージセンサは、ピクセルの少なくとも２つのグループを含む放射線検出器アレイ２１を含む。放射線検出器アレイ２１に配置された複数のピクセルは、例えば、複数の電離箱検出器、シンチレーション検出器、チェレンコフ（Cerenkov）カウンター、及び／又は、例えば、シリコン、ゲルマニウム又はダイヤモンドカウンタの半導体検出器のような固体の検出器を含む。…（後略）…。」

「【００６４】

放射線イメージセンサ１は、さらに、少なくとも２つのグループのピクセルに対応する少なくとも２つの読み出しコネクタを有する。例えば、第１の読み出しコネクタが動作可能に第１の読み出し集積回路に接続するように適合され、第２の読み出しコネクタが動作可能に第２の読み出し集積回路に接続するように適合されてもよい。本発明の実施形態による放射線イメージセンサ１は、少なくとも１つのプラグイン可能な読み出しモジュール３１、３２を有してもよく、例えば、放射線イメージセンサ１は１つのプラグイン可能な読み出しモジュール３１を有してもよい、少なくとも２つの読み出しコネクタ１１、１２の各読み出しコネクタは、除去及び／又は交換を可能にするよう、対応するプラグイン可能な読み出しモジュール３１、３２の機械的な切断を可能にするために適合されてもよい。少なくとも２つの読み出しコネクタ１１、１２の各読み出しコネクタは、プラグイン可能な読み出しモジュールを受けるための少なくとも１つのソケットを有してもよい。少なくとも２つの読み出しコネクタ１１、１２は、これらのピクセルに入射する放射線に応答してアレイ２１のピクセルによって生成された電気信号を読み出すために適合されてもよい。プラグイン可能な読み出しモジュールは、電気信号を対応するデジタル信号に変換する電子読み出し装置であってもよい。例えば、各電子読み出し回路は、例えば、複数のピクセルの対応するピクセルにより提供される各電気信号のような複数の電気信号を受けるために適合され、例えば、例えば、電子読み出し回路の対応する複数の互いに独立した入力チャネルを介して入力される。各電子読み出し回路は、受信された電気信号のそれぞれを、増幅し、フィルタリングし、及び／又は、デジタル化するように適合されてもよい。各電子読み出し回路は、イメージセンサのフロントエンド読み出しチップであってもよい。プラグイン可能な読み出しモジュール、例えば、電子読み出し回路は、実質的に同一であってもよく、本質的に交換可能である。」

「【００６５】

放射線イメージセンサ１は、また、例えば、少なくとも２つの読み出しコネクタの対応する読み出しコネクタに少なくとも２つのピクセルのグループの各々からの電気信号をルーティングするように構成された電気ルーティング回路１０を有する。例えば、電気ルーティング回路１０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）又は、電子回路基板のような電気回路基板上の電気ルーティング手段を有してもよく、電気回路基板は、例えば、フレキシブル回路基板のような機械的に指示され電気的に接続する電子部品に対する既知の代替物のようなものでもよい。電気ルーティング回路は、基板上及び／又は基板内に設けられた導電性パスを有してもよく、その導電性パスは、２酸化ケイ素又は非導電性ポリマーのような電気絶縁材料の基板上に提供された導電性金属からなるストリップ、バンド、レイヤ及び／又はワイヤのようなものでもよい。これらの導電性パスは、例えば、炭素系導電性材料、例えば、基板上に印刷された導電性カーボンインクを含んでもよい。このような炭素系材料の利点は、良好な電波透明性を達成することができること、例えば、導電性経路が測定されるガンマ線分布のような関心領域の放射線場を大幅に減衰させないことにある。いくつかの実施形態では、電気回路基板の形態の電気ルーティング回路１０は、ボンドパッドのような複数のピクセルに電気回路基板を電気的に接続する接続手段１８を有してもよい。したがって、電気回路基板は、電気回路基板の接続手段１８を放射線撮像センサボード２１上の相補的接続手段に電気的に接続するように、放射線撮像センサ基板２１に電気回路基板を接触させることにより複数のピクセルに操作可能な接続するように適合されてもよい。しかしながら、他の実施形態では、放射線検出器アレイ２１と電気ルーティング回路１０は、単一の電気回路基板上に集積されてもよい。例えば、複数のピクセルは、ルーティング回路を含む電気回路基板上又は電気回路基板内で統合されてもよい。したがって、電気回路基板は、複数のピクセルと電気ルーティング回路を含む放射線イメージセンサ基板であってもよい。例えば、複数のピクセルは電気回路基板の第１の主面上に設けられていてもよく、一方、信号をピクセルに及びピクセルからルーティングする電気ルーティング手段は、電気回路基板の第２の主面上に設けられ、基板を通過するビアにより、それに接続されてもよい。」

「【００６９】

電気ルーティング回路１０がプラグイン可能な読み出しモジュール３１に動作可能に接続するための第１の読み出しコネクタ１１を有してもよい。例えば、複数のプラグイン可能な読み出しモジュール２２は、アレイ２１の粗い解像度読み出しを提供するための少なくとも１つの第１の集積回路３１を含んでもよい。電気回路基板１０は、また、第２のプラグイン可能な読み出しモジュール３２に動作可能に接続するための第２の読み出しコネクタ１２を有してもよい。例えば、粗い解像度読み出しと組み合わせた場合、複数の電子読み出し回路２２は、アレイ２１の詳細な読み出しを提供する少なくとも１つの第２のプラグイン可能な読み出しモジュール３２を有してもよい。」

「【００７３】

電気回路基板１０は、また、放射線検出器アレイの第１の複数のピクセル３３を第１の読み出しコネクタ１１に電気的に接続し、放射線検出器アレイの第２の複数のピクセルを第２の読み出しコネクタ１２に電気的に接続する電気ルーティング手段１９を有する。例えば、電気的なルーティング手段は、例えば、アレイの各ピクセルに接続するためのボンドパッドとそれに対応する読み出しコネクタから、各ピクセル間で信号をルーティングするために電気回路基板内に及び／又は電気回路基板上に設けられた導電路を有してもよい。…（後略）…。」

「図１

［図：0001411795000001.jpg］

」

（２）引用発明１

前記（１）によれば、引用文献１には、図１に係る放射線イメージセンサ１について、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。なお、参考までに、引用発明１の認定に用いた引用文献１の記載に係る段落番号等を括弧内に付してある。

＜引用発明１＞

「放射線イメージセンサ１であって、（【００５７】）

前記放射線イメージセンサは、ピクセルの少なくとも２つのグループを含む放射線検出器アレイ２１を含み、（【００５７】）

前記放射線検出器アレイ２１に配置された複数のピクセルは、半導体検出器のような固体の検出器を含み、（【００５７】）

前記放射線イメージセンサ１は、前記少なくとも２つのグループのピクセルに対応する少なくとも２つの読み出しコネクタを有し、（【００６４】）

前記放射線イメージセンサ１は、前記少なくとも２つの読み出しコネクタの対応する読み出しコネクタに前記少なくとも２つのピクセルのグループの各々からの電気信号をルーティングするように構成された電気ルーティング回路１０を有し、（【００６５】）

電気ルーティング回路１０は、電気回路基板上の電気ルーティング手段を有し、（【００６５】）

前記放射線検出器アレイ２１と前記電気ルーティング回路１０は、単一の電気回路基板上に集積され、前記電気回路基板は、前記複数のピクセルと前記電気ルーティング回路を含む放射線イメージセンサ基板である、（【００６５】）

前記電気ルーティング回路１０は、プラグイン可能な読み出しモジュール３１に動作可能に接続するための第１の読み出しコネクタ１１、第２のプラグイン可能な読み出しモジュール３２に動作可能に接続するための第２の読み出しコネクタ１２を有し、（【００６９】）

前記電気回路基板１０は、放射線検出器アレイの第１の複数のピクセル３３を第１の読み出しコネクタ１１に電気的に接続し、放射線検出器アレイの第２の複数のピクセルを第２の読み出しコネクタ１２に電気的に接続する電気ルーティング手段１９を有する、（【００７３】）

放射線イメージセンサ。」

２ 引用文献２について

（１）引用文献２に記載された事項

原査定で引用された引用文献２には、次の記載がある。日本語訳は当審によるものである。

ア 「Abstract

An X-ray Active Matrix Pixel Sensor (XAMPS) for recording Data from the Scanning Transmission Electron Microscope (STEM) was designed, produced and tested. The reason for measuring scattering angle of all STEM electrons is given together with the requirement on the performance of the XAMPS. Principles of the measurement of the number of STEM electrons scattered in a particular direction are summarized. Results of tests performed on a produced detector are described and the problem with the formation of an insulation layer between silicon and aluminum is identified. A change in the design of the pixel is proposed which results in a fully functioning XAMPS even with the insulation layer present.」（第１頁中段）

（日本語訳：

概要

走査型透過電子顕微鏡（STEM）からのデータを記録するためのＸ線アクティブマトリクスピクセルセンサー（XAMPS）を設計、製作、テストした。すべてのSTEM電子の散乱角を測定する理由と、XAMPSの性能に対する要求について述べる。特定の方向に散乱したSTEM電子の数を測定する原理をまとめる。製造された検出器で実施された試験の結果について説明し、シリコンとアルミニウムの間に絶縁層が形成される問題を特定する。絶縁層が存在しても完全に機能するXAMPSを実現する画素の設計変更を提案する。」

イ 「2. Active pixel sensors on high resistivity silicon

The readout architecture of XAMPS is shown schematically in Fig. 1. It consists of a silicon pixel array detector with matrix readout facilitated by integrated Junction Field Effect Transistor (JFET) switches. The XAMPS is conceptually similar to two other imaging devices: the CMOS passive pixel sensor used for visible light imaging [2,3] and the active-matrix flat panel imager (AMFPI) [4,5] which has applications in both visible light and Xray imaging. The XAMPS detector was conceived from the start as a device that addresses the needs of X-ray imaging for protein crystallography. It happened that the detector is also ideally suited for recording positions of electrons in STEM. The STEM application is somewhat less demanding than the application for X-ray imaging. Basically less pixels are needed and the charge produced by a single electron of STEM is larger than the charge produced by a single X-ray of energy of 12 keV typically used in protein crystallography. Moreover, the integration time in STEM is shorter than the integration time required for protein crystallography leading to less stringent limits of the leakage current of the detector.

Nine pixels, arranged in 3 rows and 3 columns are shown in Fig. 1. The vertical lines connected to the bottom of the array are the readout lines. Each line is bonded to an external charge sensitive preamplifier. The horizontal lines control the gates of the integrated JFET switches. Fig. 3 of Ref. [1] shows a 3D schematic of a single pixel in an XAMPS consisting of a 300?500 mm thick, high resistivity (several kΩ cm) n-type silicon. The volume of silicon is fully depleted of majority carriers (electrons) by applying relatively large negative potential (-100 to -200 V) to the rectifying junction at the bottom.」（第２頁右欄第１８行～第３頁左欄第２７行）

（日本語訳：

２．高抵抗シリコン上のアクティブピクセルセンサー

XAMPSの読み出しアーキテクチャを図１に模式的に示す。XAMPSの読み出しアーキテクチャは、JFET（Junction Field Effect Transistor：接合型電界効果トランジスタ）スイッチによってマトリクス読み出しを行うシリコンピクセルアレイ検出器で構成されている。XAMPSは、可視光イメージングに使用されるCMOSパッシブピクセルセンサー[2,3]や、可視光とＸ線の両方のイメージングに応用されるアクティブマトリクスフラットパネルイメージャ（AMFPI）[4,5]といった、他の２つのイメージングデバイスと概念的に類似している。XAMPS検出器は、当初からタンパク質結晶構造解析のためのＸ線イメージングのニーズに応えるデバイスとして考案された。その結果、この検出器はSTEMにおける電子の位置の記録にも最適であることが判明した。STEMのアプリケーションは、Ｘ線イメージングのアプリケーションよりも要求がやや低い。基本的に必要な画素数は少なく、STEMの１個の電子によって生成される電荷は、タンパク質結晶構造解析で一般的に使用される１２ｋｅＶのＸ線によって生成される電荷よりも大きい。さらに、STEMの積分時間はタンパク質結晶構造解析に必要な積分時間よりも短いため、検出器のリーク電流の制限もそれほど厳しくない。

３行３列に配列された９ピクセルを図１に示す。アレイの下部に接続された垂直ラインが読み出し線である。各ラインは外部の電荷検出プリアンプにボンディングされている。水平ラインは、集積JFETスイッチのゲートを制御する。参考文献[1]の図３に、３次元回路図を示す。参考文献[1]の図３は、厚さ３００～５００ｍｍ、高抵抗（数ｋΩｃｍ）のｎ型シリコンからなるXAMPSの単一ピクセルの３Ｄ回路図である。底部の整流接合に比較的大きな負電位（－１００～－２００Ｖ）を印加することで、シリコンの体積から多数キャリア（電子）が完全に枯渇する。）

ウ 「

［図：0001411795000002.jpg］

」

（日本語訳：

図１ XAMPS検出器の等価回路）

（３）引用発明２

前記（１）及び（２）によれば、引用文献２には、図１に係るＸ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器について、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。

＜引用発明２＞

「Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器であって、（第１頁中段Abstractの第１行）

Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器は、マトリクス（行列）に配列した複数のピクセル、各ピクセル毎に設けられた当該ピクセルのマトリクス読み出しを行う複数の接合型電界効果トランジスタスイッチ、各行の接合型電界効果トランジスタスイッチのゲートを制御する複数の水平ライン及び各列の接合型電界効果トランジスタスイッチのドレインに接続された読み出し線である複数の垂直ラインを有し、（前記（２））

複数の垂直ラインは、外部の電荷検出プリアンプにボンディングされており、（第３頁左欄第１７～１９行）

Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサーは、高抵抗シリコン上のアクティブピクセルセンサーである、（第２頁右欄第１８行）

Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器。」

第５ 対比・判断

１ 本願発明と引用発明１との対比・判断について

（１）対比

本願発明と引用発明１を対比すると、以下のとおりである。

ア 本願発明の「複数の感知素子を含む基板と、第１の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、を含む検出器であって」との特定事項について

（ア）引用発明１の「放射線イメージセンサ１」は、本願発明の「検出器」に相当する。

（イ）引用発明１の「放射線検出器アレイ２１」に配置された「複数のピクセル」は、本願発明の「複数の感知素子」に相当する。また、前記「放射線検出器アレイ２１」は、「放射線イメージセンサ基板」である「電気回路基板上に集積され」ているから、当該「放射線イメージセンサ基板」は、本願発明の「基板」に相当する。

よって、引用発明１は、本願発明の前記特定事項における「複数の感知素子を含む基板」「を含む」との特定事項を満たしている。

（ウ）ａ 引用発明１の「電気ルーティング手段１９」は、「放射線検出器アレイの第１の複数のピクセル３３を第１の読み出しコネクタ１１に電気的に接続し、放射線検出器アレイの第２の複数のピクセルを第２の読み出しコネクタ１２に電気的に接続する」ものであるところ、当該構成は、「第１の複数のピクセル３３」が、「第１の読み出しコネクタ１１」に「電気的に接続」されており、「第２の複数のピクセル」が、「第２の読み出しコネクタ１２」に「電気的に接続」されているものと理解でき、そうすると、引用発明１の「第１の複数のピクセル３３」、「第１の読み出しコネクタ」、「第２の複数のピクセル」及び「第２の読み出しコネクタ」は、それぞれ本願発明の「第１の複数の感知素子のうちの」「複数の感知素子」、「第１の出力」、「第２の複数の感知素子のうちの」「複数の感知素子」及び「第２の出力」に相当するといえる。

ｂ そして、「第１の複数のピクセル３３を第１の読み出しコネクタ１１に電気的に接続」し、「第２の複数のピクセルを第２の読み出しコネクタ１２に電気的に接続」するものは、「電気ルーティング手段１９」であるから、引用発明１の「第１の複数のピクセル３３を第１の読み出しコネクタ１１に電気的に接続［する］」「電気ルーティング手段１９」及び「第２の複数のピクセルを第２の読み出しコネクタ１２に電気的に接続［する］」「電気ルーティング手段１９」は、それぞれ本願発明の「第１のセクション」及び「第２のセクション」に相当するといえる。

ｃ 以上を踏まえると、引用発明１は、本願発明の前記特定事項における「第１の複数の感知素子のうちの」「複数の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの」「複数の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、を含む」との特定事項を満たすといえる。

（エ）以上より、引用発明１は、本願発明の前記特定事項を満たすといえる。

イ 本願発明の「前記複数の感知素子と、前記第１及び第２の出力と、前記第１及び第２のセクションと、は１つのダイで実装される」との特定事項について

引用発明１が、本願発明の前記特定事項を満たすかは、不明である。

ウ 以上によれば、本願発明と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞

「複数の感知素子を含む基板と、

第１の複数の感知素子のうちの複数の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの複数の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、を含む検出器。」

＜相違点１＞

本願発明は、「前記複数の感知素子と、前記第１及び第２の出力と、前記第１及び第２のセクションと、は１つのダイで実装される」のに対し、引用発明１は、「前記放射線検出器アレイ２１と前記電気ルーティング回路１０は、単一の電気回路基板上に集積され、前記電気回路基板は、前記複数のピクセルと前記電気ルーティング回路を含む放射線イメージセンサ基板である」点。

（２）判断

ア 相違点１について

引用発明１の「放射線イメージセンサ基板」である「電気回路基板」上には、「放射線検出器アレイ２１」及び「電気ルーティング回路１０」が「集積され」ているところ、「放射線検出器アレイに配置された複数のピクセル」は、「半導体検出器のような固体の検出器」であり、このような半導体検出器が、半導体ウェーハに集積され、分割により作成されることは文献を挙げるまでもない周知技術であるから、引用発明における「集積」を半導体ウェーハに行い、当該半導体ウェーハを分割して「放射線イメージセンサ」を得ることは、当業者であれば容易になし得たことといえる。

ここで、半導体ウェーハ上に集積された半導体デバイスを切り出した小片を、一般に「ダイ」と呼称することは技術常識といえるから、前記のように形成した引用発明１は、「放射線検出器アレイ２１」及び「電気ルーティング回路１０」が「１つのダイで実装される」ものということができる。

そして、引用発明１の「電気ルーティング回路１０」は、「第１の読み出しコネクタ１１」、「第２の読み出しコネクタ１２」及び「電気ルーティング手段１９」を有するのであるから、前記のように形成した引用発明１は結局、「放射線検出器アレイ２１」、「第１の読み出しコネクタ１１」、「第２の読み出しコネクタ１２」及び「電気ルーティング手段１９」が「１つのダイで実装される」ものとなる。

よって、引用発明１において、「放射線検出器アレイ２１」、「第１の読み出しコネクタ１１」、「第２の読み出しコネクタ１２」及び「電気ルーティング手段１９」が「１つのダイで実装される」ものとして、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことといえる。

イ 本願発明の効果について

本願発明の奏する作用効果は、引用発明１及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

（３）審判請求人の主張について

審判請求人は、引用文献１に記載された発明は、引用文献１の【００５８】の記載に照らして、システムの安易な保守、交換及び／又はアップグレードを可能にするものであるから、放射検出器アレイ２１と電気ルーティング回路１０とを単一の電気回路基板上に集積することはない旨を主張している。

しかしながら、引用文献１の【００５８】の記載は、読み出しモジュールがプラグイン可能であるようにされた場合に対応するものであり（【００６４】・【００６８】参照）、放射検出器アレイ２１と電気ルーティング回路１０とを単一の電気回路基板上に集積することを妨げるものではない。そして、引用文献１の【００６５】には、放射検出器アレイ２１と電気ルーティング回路１０とを単一の電気回路基板上に集積することが明示的に記載されているから、前記審判請求人の主張を採用することはできない。

（４）小括

以上によれば、本願発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

２ 本願発明と引用発明２との対比・判断について

（１）対比

本願発明と引用発明２を対比すると、以下のとおりである。

ア 本願発明の「複数の感知素子を含む基板と、第１の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの１つ又は複数の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、を含む検出器であって」との特定事項について

（ア）引用発明２は、「マトリクス（行列）に配列した複数のピクセル」を有する「Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器」であるから、当該「マトリクス（行列）に配列したピクセル」及び「Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー検出器」は、それぞれ本願発明の「複数の感知素子」及び「検出器」に相当する。

そして、引用発明２の「Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー」は、「高抵抗シリコン上のアクティブピクセルセンサー」であるところ、このようなアクティブピクセルセンサーが何らかの基板上に形成されることは技術常識であるから、引用発明２が本願発明の「基板」に相当する構成を含むことは自明である。

よって、引用発明２は、本願発明の前記特定事項における「複数の感知素子を含む基板」「を含む検出器」との特定事項を満たすといえる。

（イ）ａ 引用発明２は、「マトリクス（行列）に配列した複数のピクセル」、「各ピクセル毎に設けられた当該ピクセルのマトリクス読み出しを行う複数の接合型電界効果トランジスタスイッチ」、「各列の接合型電界効果トランジスタスイッチのドレインに接続された読み出し線である複数の垂直ライン」及び「複数の垂直ライン」がボンディングされる「外部の電荷検出プリアンプ」を有しているところ、「複数のピクセル」のうちの一のピクセルの出力は、当該一のピクセルに設けられた「接合型電界効果トランジスタスイッチ」（以下「ＪＦＥＴスイッチ」という。）によりマトリクス読み出しされ、当該「ＪＦＥＴスイッチ」を介して接続された「垂直ライン」へ出力されるものと理解できる。

そうすると、引用発明２の一のピクセルに設けられた「ＪＦＥＴスイッチ」及び当該「垂直ライン」は、それぞれ本願発明の「第１のセクション」及び「第１の出力」に相当するといえ、引用発明２は、本願発明の前記特定事項における「第１の複数の感知素子のうちの１つ」「の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクション」との構成を満たすといえる。

そして、前記「一のピクセル」とは異なる他の列の他のピクセルも、前記一のピクセルと同様の構成を備えるものであるから、前記一のピクセルについてと同様に、前記他のピクセルに設けられた「ＪＦＥＴスイッチ」及び前記他の列の「垂直ライン」は、それぞれ本願発明の「第２のセクション」及び「第２の出力」に相当するといえ、引用発明２は、本願発明の前記特定事項における「第２の複数の感知素子のうちの１つ」「の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクション」との構成を満たすといえる。

ｂ よって、引用発明２は、本願発明の前記特定事項における「第１の複数の感知素子のうちの１つ」「の感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの１つ」「の感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクション」「を含む検出器」との特定事項を満たすといえる。

（ウ）以上より、引用発明２は、本願発明の前記特定事項を満たすといえる。

イ 本願発明の「前記複数の感知素子と、前記第１及び第２の出力と、前記第１及び第２のセクションと、は１つのダイで実装される」との特定事項について

引用発明２が、本願発明の前記特定事項を満たしているといえるかは、不明である。

ウ 以上によれば、本願発明と引用発明２の一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞

「複数の感知素子を含む基板と、

第１の複数の感知素子のうちの１つの感知素子を第１の出力に接続する第１のセクションと、第２の複数の感知素子のうちの１つの感知素子を第２の出力に接続する第２のセクションと、を含む複数のセクションと、を含む検出器。」

＜相違点２＞

本願発明は、「前記複数の感知素子と、前記第１及び第２の出力と、前記第１及び第２のセクションと、は１つのダイで実装される」のに対し、引用発明２は、そのようにいえるか不明である点。

（２）判断

ア 前記（１）ア（ア）に説示とおり、引用発明２の「Ｘ線アクティブマトリクスピクセルセンサー」は、「高抵抗シリコン上のアクティブピクセルセンサー」であるところ、シリコン基板上にピクセル、スイッチ及び垂直ラインを集積することは、文献を挙げるまでもなく半導体の技術分野における周知技術であり、そのような周知技術を用いて引用発明２を構成する動機はあるといえる。

したがって、引用発明２の「複数のピクセル」、「接合型電界効果トランジスタスイッチ」及び「垂直ライン」を、シリコン基板上に集積して構成することは、当業者が容易になし得たことといえる。

そして、前記１（２）アに説示のとおり、半導体ウェーハ上に集積された半導体デバイスを切り出した小片を、一般に「ダイ」と呼称することに照らせば、シリコン基板上に集積して構成することは、相違点２に係る本願発明でいう「１つのダイで実装される」ものであると言うことができる。

よって、引用発明２において、「複数のピクセル」、「接合型電界効果トランジスタスイッチ」及び「垂直ライン」を「１つのダイで実装される」ものとして、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

イ 本願発明の効果について

本願発明の奏する作用効果は、引用発明２及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

（３）小括

以上によれば、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

第６ むすび

以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び周知技術に基づき、又は引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

よって、結論のとおり審決する。