2023-006843

特願２０２１－１０４２９１「複数のグリッドを有するＸ線源」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 １月１８日出願公開、特開２０２２－ １３７７７〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯の概要 本願は、令和３年（２０２１年）６月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０２０年６月３０日、欧州特許庁）の出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和４年 ５月３１日付け：拒絶理由通知書 同年 ９月 ７日 ：意見書・手続補正書の提出 同年１２月２６日付け：拒絶査定 令和５年 ４月２５日 ：審判請求書・手続補正書の提出 第２ 令和５年４月２５日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年４月２５日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正の内容 （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正されることになる（下線部は、補正箇所である。）。 「アノードと、 電子ビームを生成するように構成された電界エミッタと、 前記電界エミッタからの電界放出を制御するように構成された第１のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された第２のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された中間電極であって、前記第２のグリッドが、前記中間電極と前記アノードとの間に配置される、前記中間電極と、 前記第１のグリッドをグランド電圧とし、前記第１のグリッドの前記グランド電圧を基準として、前記電界エミッタに第１の電圧を印加し、前記第２のグリッドに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、 を備え、 前記第１の電圧が負電圧であり、前記第２の電圧が正電圧であり、 前記１または複数の電圧源は、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、前記電界エミッタに関して負となる電圧を前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するように構成される、Ｘ線源。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、令和４年９月７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「アノードと、 電子ビームを生成するように構成された電界エミッタと、 前記電界エミッタからの電界放出を制御するように構成された第１のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された第２のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された中間電極であって、前記第２のグリッドが、前記中間電極と前記アノードとの間に配置される、前記中間電極と、 前記電界エミッタまたは前記第１のグリッドのいずれかに第１の電圧を印加し、前記第１のグリッドまたは前記第２のグリッドにいずれかに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、 を備え、 前記１または複数の電圧源は、前記電界エミッタに関して負となる電圧を、前記第１のグリッド及び前記第２のグリッドの少なくとも１つに印加するように構成される、 Ｘ線源。」 ２ 本件補正の適否 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１の「電界エミッタ」、「第１のグリッド」及び「第２のグリッド」に電圧を印加する「１または複数の電圧」について、「前記電界エミッタまたは前記第１のグリッドのいずれかに第１の電圧を印加し、前記第１のグリッドまたは前記第２のグリッドにいずれかに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、を備え、前記１または複数の電圧源は、前記電界エミッタに関して負となる電圧を、前記第１のグリッド及び前記第２のグリッドの少なくとも１つに印加するように構成される」とあったのを「前記第１のグリッドをグランド電圧とし、前記第１のグリッドの前記グランド電圧を基準として、前記電界エミッタに第１の電圧を印加し、前記第２のグリッドに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、を備え、前記第１の電圧が負電圧であり、前記第２の電圧が正電圧であり、前記１または複数の電圧源は、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、前記電界エミッタに関して負となる電圧を前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するように構成される」として、「電界エミッタ」に印加される「第１の電圧」が「負電圧」であり、「第１のグリッドをグランド電圧」、「第２のグリッド」に印加される「第２の電圧が正電圧であり」、「前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく」第２の電圧を第２のグリッドに印加することを限定するものである。そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明の認定 本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、前記１（１）に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。 （２）本件補正発明の技術的意義 本件補正発明は、Ｘ線源に関する発明であるところ（【０００１】）、 電子ビームがＸ線を発生させる際に、アーク放電及びイオンバックボンバードメント事象によりナノチューブエミッタなどの電界エミッタがダメージを受ける可能性があることから（【００２３】）、 本件補正発明の構成を備えることによって、アーク放電及び／またはイオンボンバードメントの影響を低減させ得るものであって、１つ以上の追加のグリッドが、アークまたはイオンを遮断し、電界エミッタが損傷する可能性を減らし得るという効果を奏するものであり（【００２５】）、 また、電圧源１１８は、第２のグリッド１０８に印加される電圧が、所望の焦点サイズを達成するように調整され得、非常に小さな焦点サイズを有する固定焦点の代わりに、はるかに大きな面積を有する焦点軌跡においてアノード１１２に電力が分配され得、それによってＸ線管の電力限界を大幅に改善することができ（【００３４】、【００６１】）、 さらに、第２のグリッド１０８に印加される電圧が、アノード１１２よりも電界エミッタ１０４の電圧に近い電圧である場合に、第２のグリッド１０８は、電界エミッタ１０４以外の経路をアークに提供し得て、結果として、電界エミッタ１０４に損傷を与える可能性は、低減または排除され得（【００３５】）、 さらに、イオンは、アーク放電によって、及び／またはアノード１１２上の蒸発したターゲット材のイオン化によって、生成され得、これらのイオンは正に帯電しているため、電界エミッタ１０４などの最も負に帯電した表面に引き寄せられ得るところ、第２のグリッド１０８は、そのようなイオンに対する物理的バリアを提供し、電界エミッタ１０４の上に影を投じることにより、電界エミッタ１０４を保護することができ、さらに、第２のグリッド１０８は、電界エミッタ１０４に入射しまたは衝突するイオンによる損傷を、低減させまたは排除することができるように、イオンを十分に減速させることができる（【００３６】）、 という効果を奏する。 （３）引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 ア 引用文献１の記載事項 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である米国特許出願公開第２０１１／０１４２２０４号明細書（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている（翻訳は当審で作成し、下線は当審が付した。）。 ［０００１］ 本発明は、一般に電子エミッタに関し、より詳細には、ターゲット陽極上に所望のサイズ及びアスペクト比を有する焦点を形成するように電子ビームのアスペクト比を変更するための装置に関するものである。 ［０００７］ 本発明の実施形態は、電子ビームのアスペクト比を変更するためのターゲット陽極上に所望のサイズ及びアスペクト比を有する焦点を形成するようになっている装置を提供することにより上記欠点を克服する。 ［０００８］ 本発明の一態様によれば、電子発生ユニットは、第１のアスペクト比を有する電子ビームを生成するように構成されているエミッタ素子と、エミッタ素子に隣接して配置され、そこから電子ビームを引出すための引出し電極と、引出し電極を貫通する開口部を含む。また、電子発生ユニットは、ターゲット陽極上に所望のサイズ及びアスペクト比を有する焦点を形成するように、引出し電極を通過した電子ビームを受け取るために配置された少なくとも１つの成形電極を備え、当該成形電極は内部に非円形のアパーチャーを画定し、第１アスペクト比と異なる第２アスペクト比の形状に少なくとも電子ビームの成形及び集束の一方を提供するように構成されている。 ［００２７］ 本発明の実施形態の動作環境は、電界エミッタベースの陰極を含む電子発生ユニット及びＸ線源に関して記載されている。すなわち、本発明の電子ビーム放出及び電子ビーム集束及び再成形方式は、電子発生ユニット及び電界エミッタベースのＸ線源について提供されるものとして記載されている。しかし、このような電子ビーム放出及び電子ビームの集束並びに再成形方式についての本発明の実施形態は、ディスペンサ陰極及び他の熱電子陰極などの他の陰極技術での使用にも同様に適用可能であることが、当業者に理解されるであろう。本発明は電界エミッタユニットに関して説明されるが、他の冷陰極及び／又は熱電子陰極構造に等しく適用可能である。 ［００２８］ 図１を参照すると、本発明の一実施形態による、電子発生ユニット１０(すなわちカソード・アセンブリ)の断面図が描かれている。以下でより詳細に説明されるように、一実施形態では、電子発生ユニット１０は冷陰極型カーボンナノチューブ(CNT)電界エミッタである。しかしながら、本明細書で説明する特徴及び改変はまた、スピント型エミッタのような他の形式の電界エミッタ、又は他の熱陰極又はディスペンサ陰極型電子発生器などに適用可能であることが理解される。図１に示すように、電子発生ユニット１０は、ドープされたシリコンベースの物質のような導電性または半導電性材料、あるいは銅又はステンレス鋼から形成されるのが好ましい基材層１２を含む。したがって、基板層１２は、好ましくは剛性である。誘電体フィルム１４は、基板１２上に形成又は堆積され、絶縁層１６(例えば、セラミックスペーサ)を基板から分離する。誘電体フィルム１４は、二酸化ケイ素(SiO2)または窒化シリコン(Si3N4)、あるいは同様な誘電体特性を有するその他の材料のような、非導電性物質又は極めて高い電気抵抗の物質で形成されることが好ましい。チャネル又はアパーチャー１８は、いくつかの既知の化学的又はエッチング加工処理のいずれかにより誘電フィルム１４の中に形成されている。 ［００２９］ 図１に示すように、基板層１２は、絶縁層１６の上に位置合わせされ、当該絶縁層１６は、一実施形態では、所望の絶縁特性と、電界エミッタユニットの変換(例えば、電界エミッタユニットは、CTガントリの周りで回転するＸ線源の一部を形成している場合)によって生じる負荷を吸収するための圧縮特性とを有するセラミックスペーサ要素である。絶縁層１６は基板層１２を引出し電極２０(すなわち、ゲート電極、ゲート層)から分離するために用いられ、コントローラ２１から供給される電圧によって引出し電極２０と基板１２との間に電位を印加できるようになっている。チャネルまたはキャビティ２２が絶縁層１６に形成され、対応する開口部２４が引出し電極２０に形成される。図示のように、開口２４は、キャビティ２２に実質的に重なり合っている。他の実施形態では、キャビティ２２及び開口２４はほぼ同じ直径であってもよいし、キャビティ２２は引出し電極２０の開口２４よりも狭くてもよい。 ［００３０］ 電子エミッタ素子２６(すなわち、陰極素子)は、キャビティ２２内に配置されて、基板層１２上に貼り付けられる。基板１２を介してエミッタ素子２６に制御電圧が印加されるとき、開口部２２での電場(引出し電極２０によって生成される)とエミッタ素子２６との相互作用は、種々の機能のために用いることができる電子ビーム２８を生成する。一実施形態では、エミッタ素子２６は、カーボンナノチューブベースのエミッタであるが、このエミッタ素子は、ディスペンサーカソードまたは他の熱陰極の形態であってもよいことが企図される。 ［００３２］ 再び図１を参照すると、エミッタ素子２６が電界エミッタ素子として形成される本発明の例示的な実施形態によれば、絶縁層１６のキャビティ２２と引出し電極２０の開口部２４との間に、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を引き出すのに必要な電圧を減少させるために配置された、メッシュグリッド３２を備えている。これにより、エミッタ素子２６に近接してメッシュグリッド３２が配置され、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を引き出すのに必要な電圧が低減される。すなわち、効率的な引き出しのために、メッシュグリッド３２とエミッタ素子２６との間の隙間は、エミッタ素子２６の周囲の電界を増強し電子ビーム２８を引き出すためにコントローラ２１により供給される全引き出し電圧を最小限に抑えるために、所望の間隔(例えば、０．１mm～２mm)に維持される。メッシュグリッド３２のキャビティ２２の上の位置は、引出し電極２０に印加される引出し電圧を約１－３kVの範囲とすることを許容するが、それはメッシュ状の格子３２とエミッタ素子２６間の距離に依存する。全引き出し電圧をこのような範囲に低減することによって、電子発生ユニット１０の高電圧安定性が改善され、電子ビーム２８の放出流をより高くすることが可能となる。エミッタユニット１０における高電圧不安定性を低減し且つその中の複雑な駆動/制御設計の必要性を簡単化するために、エミッタ素子２６と引出し電極２０との間の電位差は最小化される。 ［００３３］ 図１にさらに示すように、エミッタンス補償電極(ECE)３４は、電子発生ユニット１０に含まれ、引出し電極２０からの電子ビーム２８を受けるために、エミッタ素子２６とは反対側にメッシュグリッド３２に隣接して配置される。ECE３４はメッシュグリッド３２に隣接して配置され、メッシュグリッド３２をビームが通過することによって引き起こされる電子ビーム２８におけるビームエミッタンスの増大を最小限にするように機能する。すなわち、電子ビーム２８の電子によって占められる空間及び運動量の位相空間の広がり(すなわち、エミッタンス)がECE３４によって制御され、最小化される。ECE３４は、電子ビーム２８が通過するアパーチャー３６が形成されている。静電界は、コントローラ５４を介して、ECE３４に電圧(すなわち、圧縮電圧)を印加することによって、アパーチャー３６にわたって生成される。電子ビーム２８中の電子が横方向において小さい距離に閉じ込められ、ほぼ同じ運動量を持つように(すなわち、圧縮電子ビーム２８)、静電界は、電子ビーム２８と相互作用する。電子のこのような空間的閉じ込め及び運動量の一様性は、電子ビーム２８におけるエミッタンス増大を低減する。コントローラ２１によってECE３４に印加される電圧は、典型的には約４kV～２０kVの範囲であるが、それより低い又は高い電圧も適用することができると想定される。さらに、ECE３４に印加される電圧は、定電圧であり得るか、または変化させることができる。つまり、一実施形態において、ECE３４に印加される電圧は、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を引き出すために引出し電極２０及びメッシュグリッド３２(並びに基板１２) に印加される引出し電圧に対応する。したがって、ECE３４に印加される電圧は、メッシュグリッド３２の両側に存在する電場が互いに等しくなるように、電子ビーム２８のエミッタンス増大の最適化された制御を可能にするような量とすることができる。 ［００３４］ ECE３４はまた、電子発生ユニット１０における電子ビーム２８の増加されたビーム電流の変調を可能にするように機能する。すなわち、ECE３４は、電子ビーム２８における電流密度を、ビーム品質の劣化を被ることなく、より高いレベルに増加させることを可能にする。コントローラ２１によってメッシュグリッド３２に印加する引出し電圧が、電子ビーム流を変調するために変更された場合、ECE３４に印加される圧縮電圧もまた、電子ビーム２８におけるエミッタンス増大を最小限にするように変更することができる。すなわち、コントローラ２１によって引出し電極２０及びメッシュグリッド３２に増加した引出し電圧を印加することによって、電子ビーム２８における電流密度が増加される場合には、増加する電子ビーム２８の大きな圧縮を許容し、そのエミッタンス増大を最小限に抑えるようにECE３４に印加される圧縮電圧もまた増加される。ECE３４に供給される電圧を、引出し電極２０及びメッシュグリッド３２に供給される電圧と関連させることにより、ビーム品質を常に異なるビーム電流密度で保存することができる。しかしながら、ECE３４に印加される電圧を変化させるのではなく、ECE３４に印加される電圧を、引出し電極２０及びメッシュグリッド３２に印加される可変の電圧に対して固定にすることも可能であることが想定される。このような固定電圧をECE３４に印加することは、電子ビームエミッタンスの僅かな変更を許容し、その量はオペレータによって所望の値に制御されうる。 ［００３５］ 図１にさらに示されるように、電子発生ユニット１０に含まれる成形電極３８は、そこに形成されるアパーチャー４０を電子ビーム２８が通過する際に、電子ビームを集束させ、再成形するようにECE３４の下流に配置される。例示的な実施形態によれば、成形電極３８は、電子ビーム２８の集束を最適化することを可能にする距離(例えば、５－１５mm)だけ、スペーサ要素４２によってECE３４から分離される。成形電極３８は、ECE３４及び引出し電極２０を作動するコントローラ(即ち、コントローラ２１、５４)とは別のコントローラ４４により作動される。稼働において、コントローラ４４から成形電極３８に電圧が与えられるとき、アパーチャー４０にわたって静電界が発生する。静電場は、電子ビーム２８の電子が集束されるように、電子ビーム２８と相互作用し、電子ビームの断面が再成形される。例示的な実施形態によれば、成形電極３８に印加される電圧の量は、コントローラ４４によって制御される静電界の強度を変化させるために、電子ビーム２８の集束及び再成形を制御する。 ［００３６］ 電子ビーム２８は、電子ビーム２８がハウジングまたは外被４９により形成された電子発生ユニット１０とともに真空チャンバ４７内に配置されているターゲット陽極４８上の所望の焦点スポット４６(すなわち、所望のアスペクト比を有する焦点スポット)を形成するように、成形電極３８により発生する静電気力によって集光／再成形される。図１に示すように、ターゲット陽極４８は、ターゲットシールド５０によって囲まれた、傾斜した静止ターゲットの形をしている。ターゲットシールド５０は、一次電子ビームが、その上に衝突したときに、ターゲット陽極４８で発生した二次電子ビームおよびイオンの捕捉を可能にし、また高電圧安定性の改善を提供する。例示的な実施形態によれば、ターゲット陽極４８は、電子ビーム２８に対して約７－７０度傾斜される。ターゲット陽極４８に対する電子の衝突は、ターゲット陽極４８の背後に視認窓５２から出射するＸ線を生成する。検出器(図示せず)がターゲットのアノード４８の表面に対して浅い角度(７度)からのＸ線を観察する。ターゲット陽極４８は傾斜した静止ターゲットとして示されているが、ターゲット陽極は、高出力用途のための回転式ターゲットの形態であり得ることが認識される。 【図１】 ［図：0001415913000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001415913000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001415913000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001415913000004.jpg］ 【図５】 ［図：0001415913000005.jpg］ イ 引用文献１から当業者が把握できる事項 （ア） ［００２９］の「コントローラ２１から供給される電圧によって引出し電極２０と基板１２との間に電位を印加できる」との記載、［００３０］の「基板１２を介してエミッタ素子２６に制御電圧が印加される」との記載、［００３４］の「コントローラ２１によってメッシュグリッド３２に印加する引出し電圧」及び「コントローラ２１によって引出し電極２０及びメッシュグリッド３２に増加した引出し電圧を印加する」との記載を踏まえれば、コントローラ２１は、対向するエミッタ素子２６とメッシュグリッド３２に、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を生成するための引出し電圧を印加するものであるため、引用文献１には、「コントローラ２１によって、エミッタ素子２６とメッシュグリッド３２の間に引出し電圧が印加されている」ことが記載されていると認められる。 （イ） ［００２７］の「本発明の電子ビーム放出及び電子ビーム集束及び再成形方式は、電子発生ユニット及び電界エミッタベースのＸ線源について提供されるものとして記載されている」、［００２９］の「電界エミッタユニットの変換(例えば、電界エミッタユニットは、CTガントリの周りで回転するＸ線源の一部を形成している場合)」、［００３６］の「図１に示すように、ターゲット陽極４８は、ターゲットシールド５０によって囲まれた、傾斜した静止ターゲットの形をしている」及び「ターゲット陽極４８に対する電子の衝突は、ターゲット陽極４８の背後に視認窓５２から出射するＸ線を生成する」との記載から、引用文献１には「電子発生ユニット１０を備えるＸ線源」が記載されていると認められる。 ウ 引用発明の認定 上記ア及びイによれば、引用文献１には、一実施形態による電子発生ユニット１０を備えるＸ線源（図１）について、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明等の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 「電子発生ユニットは、第１のアスペクト比を有する電子ビームを生成するように構成されているエミッタ素子と、エミッタ素子に隣接して配置され、そこから電子ビームを引出すための引出し電極と、引出し電極を貫通する開口部を含み、電子発生ユニットは、ターゲット陽極上に所望のサイズ及びアスペクト比を有する焦点を形成するように、引出し電極を通過した電子ビームを受け取るために配置された少なくとも１つの成形電極を備え、当該成形電極は内部に非円形のアパーチャーを画定し、第１アスペクト比と異なる第２アスペクト比の形状に少なくとも電子ビームの成形及び集束の一方を提供するように構成され、（［０００８］） 電子発生ユニット１０を備えるＸ線源であって、（前記イ（イ）） 前記電子発生ユニット１０は、ドープされたシリコンベースの物質のような導電性または半導電性材料、あるいは銅又はステンレス鋼から形成されるのが好ましい基材層１２を含み、（［００２８］） エミッタ素子２６が電界エミッタ素子として形成され、（［００３２］） 電子エミッタ素子２６は、基板層１２上に貼り付けられ、（［００３０］） 絶縁層１６は基板層１２を引出し電極２０(すなわち、ゲート電極、ゲート層)から分離するために用いられ、コントローラ２１から供給される電圧によって引出し電極２０と基板１２との間に電位を印加できるようになっており、（［００２９］） 基板１２を介してエミッタ素子２６に制御電圧が印加されるとき、開口部２２での電場(引出し電極２０によって生成される)とエミッタ素子２６との相互作用は、種々の機能のために用いることができる電子ビーム２８を生成し、（［００３０］） 絶縁層１６のキャビティ２２と引出し電極２０の開口部２４との間に、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を引き出すのに必要な電圧を減少させるために配置された、メッシュグリッド３２を備えており、（［００３２］） エミッタンス補償電極(ECE)３４は、引出し電極２０からの電子ビーム２８を受けるために、エミッタ素子２６とは反対側にメッシュグリッド３２に隣接して配置され、（［００３３］） 成形電極３８は、そこに形成されるアパーチャー４０を電子ビーム２８が通過する際に、電子ビームを集束させ、再成形するようにECE３４の下流に配置され、（［００３５］） 電子ビーム２８は、電子ビーム２８がハウジングまたは外被４９により形成された電子発生ユニット１０とともに真空チャンバ４７内に配置されているターゲット陽極４８上の所望の焦点スポット４６(すなわち、所望のアスペクト比を有する焦点スポット)を形成するように、成形電極３８により発生する静電気力によって集光／再成形され、ターゲット陽極４８に対する電子の衝突は、ターゲット陽極４８の背後に視認窓５２から出射するＸ線を生成し、（［００３６］） コントローラ２１によって、エミッタ素子２６とメッシュグリッド３２の間に引出し電圧が印加されており、（前記イ（ア）） 引出し電圧が約１－３ｋＶの範囲であり、（［００３２］） コントローラ４４から成形電極３８に電圧が与えられる、（［００３５］） Ｘ線源。」 （４）本件補正発明と引用発明との対比 本件補正発明と引用発明を対比すると、以下のとおりである。 ア 引用発明の「ターゲット陽極４８」は、本件補正発明の「アノード」に相当する。 イ 引用発明の「エミッタ素子２６」は、「電界エミッタ素子として形成され」、「基板１２を介してエミッタ素子２６に制御電圧が印加され」、「電場(引出し電極２０によって生成される)とエミッタ素子２６との相互作用」によって電子ビーム２８が生成されるものであるため、本件補正発明の「電子ビームを生成するように構成された電界エミッタ」に相当する。 ウ 本件補正発明の「グリッド」について検討すると、本願の発明の詳細な説明の【００２９】に照らせば、「グリッド」とは、一般にカソードのエミッタとアノードとの間に設置される導電材料で作られた電極であって、電子ビームがエミッタからアノードに通過することを可能にするため、少なくとも１つの開口部で電子ビームを少なくとも部分的に取り囲む構造を含み得て、開口部がただ１つのグリッドであるアパーチャグリッドと、複数の開口部を有するメッシュグリッドを含むものであると解される。 そうすると、引用発明の「メッシュグリッド３２」は、本件補正発明の「第１のグリッド」に相当する。そして、引用発明の「メッシュグリッド３２」は、エミッタ素子２６から電子ビーム２８を引き出すのに必要な電圧を減少させるために配置されたものであって、コントローラ２１によって、エミッタ素子２６とメッシュグリッド３２の間に引出し電圧が印加されて電子ビーム２８を生成するためのものであるため、本件補正発明の「前記電界エミッタからの電界放出を制御するように構成された」ものであるといえる。 また、引用発明の「成形電極３８」は、そこに「アパーチャー４０」が形成されているから、本件補正発明の「第２のグリッド」に相当する。そして、引用発明の「エミッタンス補償電極(ECE)３４」は、「エミッタ素子２６とは反対側にメッシュグリッド３２に隣接して配置され」るものであり、電子ビーム２８の通過方向から見て「下流に」「成形電極３８」を備えるものであることから、引用発明では、電子ビーム２８がエミッタ素子２６、メッシュグリッド３２（本件補正発明の「第１のグリッド」）、ECE３４、成形電極３８（本件補正発明の「第２のグリッド」）を順に通過してターゲット陽極４８（本件補正発明の「アノード」）に至ることになるのであり、これを踏まえれば、引用発明の「成形電極３８」は、本件補正発明の「前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された」ものといえる。 エ 引用発明の「ECE３４」は、本件補正発明の「中間電極」に相当し、前記ウに記載の引用発明の各構成部材の位置関係を踏まえれば、本件補正発明でいう「前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された」ものであって、「前記第２のグリッドが、前記中間電極と前記アノードとの間に配置される」ものといえる。 オ 引用発明の「コントローラ２１」と「コントローラ４４」は、それぞれ、エミッタ素子２６及びメッシュグリッド３２、成形電極３８に電圧を印加するものであるため、いずれも、本件補正発明の「電圧源」に相当する。そして、引用発明は、「コントローラ２１によって、エミッタ素子２６（本件補正発明の「電界エミッタ」）とメッシュグリッド３２（本件補正発明の「第１のグリッド」）の間に引出し電圧が印加されており、引出し電圧が約１－３ｋＶの範囲であり、コントローラ４４から成形電極３８（本件補正発明の「第２のグリッド」）に電圧が与えられる」ものであるところ、「成形電極３８」に印加される「電圧」は、「電圧」である以上、当該「成形電極３８」と所定の部位との間に印加されるといえることから、本件補正発明の「前記第１のグリッドをグランド電圧とし、前記第１のグリッドの前記グランド電圧を基準として、前記電界エミッタに第１の電圧を印加し、前記第２のグリッドに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源」と引用発明とは、「前記第１のグリッドと前記電界エミッタ間に第１の電圧を印加し、所定の部位と前記第２のグリッド間に第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源」を備える点で共通する。 カ 引用発明のコントローラ４４は、成形電極３８「に形成されるアパーチャー４０を電子ビーム２８が通過する際に、電子ビームを集束させ、再成形する」ために成形電極３８に電圧を印加するものであって、当該電子ビームの集束、再成形は「ターゲット陽極上に所望のサイズ及びアスペクト比を有する焦点を形成する」ためのものであることから、本件補正発明と引用発明とは、「前記１または複数の電圧源は、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、」所定の電圧を「前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するように構成される」点で共通する。 キ 引用発明の「Ｘ線源」は、本件補正発明の「Ｘ線源」に相当する。 （５）本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点 上記（４）によれば、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点１～４は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「アノードと、 電子ビームを生成するように構成された電界エミッタと、 前記電界エミッタからの電界放出を制御するように構成された第１のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された第２のグリッドと、 前記第１のグリッドと前記アノードとの間に配置された中間電極であって、前記第２のグリッドが、前記中間電極と前記アノードとの間に配置される、前記中間電極と、 前記第１のグリッドと前記電界エミッタ間に第１の電圧を印加し、所定の部位と前記第２のグリッド間に第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、 を備え、 前記１または複数の電圧源は、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、所定の電圧を前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するように構成される、Ｘ線源。」 ＜相違点１＞ 電圧源の接地箇所について、本件補正発明では、「第１のグリッド」をグランド電圧とするのに対して、引用発明では、どの部位を接地するのか不明である点。 ＜相違点２＞ 第２のグリッドに印加する電圧について、本件補正発明では、「第１のグリッドを基準」としているのに対して、引用発明では、どの部位を基準として成形電極３８に電圧を印加するのか不明である点。 ＜相違点３＞ 電界エミッタに印加する第１の電圧について、本件補正発明では、「負電圧」であるのに対して、引用発明では、エミッタ素子２６とメッシュグリッド３２の間に印加する引出し電圧が約１－３ｋＶであるものの、エミッタ素子２６に印加する電圧が負電圧であるか不明である点。 ＜相違点４＞ 電子ビームの焦点サイズを調整すべく、第２のグリッドに印加する第２の電圧について、本件補正発明では、「正電圧であり」、「電界エミッタに関して負となる電圧」であるのに対して、引用発明では、成形電極３８に印加する電圧が正電圧であるかどうか、また電界エミッタに印加する電圧との関係が不明である点。 （６）検討 上記相違点１～４について、以下でまとめて検討する。 ア 引用発明は、エミッタ素子２６とメッシュグリッド３２間に電位差を生じさせるＸ線源であるところ、電位差を設けるにあたり、引用発明を構成する回路のどこかの部位を接地することが一般的であると認められる。 そして、引用発明においてどの部位を接地するかは当業者が適宜設計し得るものであるところ、電界エミッタとメッシュグリッドを用いて電子ビームを生成するようにしたＸ線源において、前記電界エミッタを負電圧とし、前記メッシュグリッドをグランド電圧とすることは、米国特許出願公開２０１１／０２８６５８１号明細書の［００１８］、［００３５］、図７Ｂ、特開２０１２－３８４７５号公報の【００２４】、【００２５】に記載されているように周知技術（以下、「周知技術１」という。）である。 イ また、電界エミッタから生成された電子ビームについて、電界エミッタとアノードの間に配置された成形電極によって電子ビームの焦点サイズを調整する際に、前記電界エミッタあるいはメッシュグリッドを基準として前記成形電極に正電圧を印加するようにすることは、中国実用新案第２０６３６３９８０号明細書の［００３８］、特開２０２１－３８４７５号公報の【００１９】、【００２６】、図３に記載されているように周知技術（以下、「周知技術２」という。）である。 ウ 引用発明と前記周知技術１、２とは、電界エミッタを用いてＸ線を発生させる装置に関するものであり共通の技術分野に属するものである。 エ そうすると、引用発明に接した当業者が、エミッタ素子２６、メッシュグリッド３２、成形電極３８に電圧を印加する回路を設計する際に、上記周知技術１、２を踏まえて、メッシュグリッド３２をグランド電圧にし、電界エミッタ２６に負電圧、成形電極３８に正電圧を印加するようにすることは容易になし得る事項である。 これにより、引用発明では、メッシュグリッド３２をグランド電圧とすることで、当該グランド電圧を基準としてエミッタ素子２６に負電圧、成形電極３８に正電圧が印加されることとなり、また、このときの成形電極３８はエミッタ素子２６に関して負となる電圧を印加するように構成されることとなる。 したがって、引用発明に上記周知技術１、２を適用して、相違点１～４に係る本件補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得るものである。 （７）本件補正発明の効果について 本件補正発明の効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明及び周知技術に基づいて当業者にとって予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということもできない。 すなわち、例えば周知例として挙げた米国特許出願公開２０１１／０２８６５８１号明細書には、［００３４］にイオン放出によるアーキングイベントによって陰極素子が損傷する可能性があること、陰極素子の保護のために周知技術１として認定する根拠となる［００３５］、図７Ｂの構成を採用することが記載されている。また、焦点サイズを適切に制御できるという効果については周知技術２から当業者が当然に把握し得る事項である。 （８）請求人の主張について 請求人は、令和４年４月２５日に提出された審判請求書において、引用発明には本件補正発明の第１のグリッドをグランド電圧とし、電界エミッタを負電圧とし、第２のグリッドを正電圧とする構成や、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、前記電界エミッタに関して負となる電圧を前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するという構成を開示していないこと、及び本件補正発明が上記構成により、第１のグリッドは、物理的な障壁を提供することにより電界エミッタをイオンボンバートメントから保護すると共に、電界エミッタに対して正の電圧を有することにより、電界エミッタからの電界放出を制御することができ、第２のグリッドは、正の電圧を有するので、アノードからアーク（陽イオン）が生じた場合に、陽イオンを減速させ、又は、遠ざけることができ、ファラデーゲージのように作用することで電界エミッタを保護することができ、電子ビームの焦点サイズを適切に変更することができる旨を主張するが、引用発明に周知技術を適用することにより相違点１～４に係る本件補正発明の構成とすることが当業者にとって容易に想到し得ることは前記（６）で説示したとおりであって、その効果については前記（７）で説示したとおりである。 （９）小括 したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明の認定 本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１～１４に係る発明は、令和４年９月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の［理由］１（２）において本件補正前の請求項１として記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、本願発明は、その優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献１に記載された引用発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。 ３ 引用文献の記載事項及び引用発明の認定 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項及び引用発明の認定は、上記第２の［理由］２（３）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、上記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「電界エミッタ」、「第１のグリッド」及び「第２のグリッド」に電圧を印加する「１または複数の電圧」について、「前記第１のグリッドをグランド電圧とし、前記第１のグリッドの前記グランド電圧を基準として、前記電界エミッタに第１の電圧を印加し、前記第２のグリッドに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、を備え、前記第１の電圧が負電圧であり、前記第２の電圧が正電圧であり、前記１または複数の電圧源は、前記電子ビームの焦点サイズを調整すべく、前記電界エミッタに関して負となる電圧を前記第２の電圧として前記第２のグリッドに印加するように構成される」とあったのを「前記電界エミッタまたは前記第１のグリッドのいずれかに第１の電圧を印加し、前記第１のグリッドまたは前記第２のグリッドにいずれかに第２の電圧を印加するように構成された１または複数の電圧源と、を備え、前記１または複数の電圧源は、前記電界エミッタに関して負となる電圧を、前記第１のグリッド及び前記第２のグリッドの少なくとも１つに印加するように構成される」として、「電界エミッタ」、「第１のグリッド」、「第２のグリッド」に印加される電圧に関する限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（６）に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるところ、同様の理由により、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。