2022-008393

特願２０２０－２０３８４８「表示装置製造用フォトマスク、及び表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ３月２５日出願公開、特開２０２１－ ４７４４９〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成３０年１月２９日（優先権主張 平成２９年３月１０日）に出願した特願平２０１８－０１２７３４号（以下「原出願」という。）の一部を令和２年１２月９日に新たな特許出願したものであって、その手続の経緯の概要は、以下のとおりである。 令和 ２年１２月１７日 ：手続補正書の提出 令和 ３年 ９月２８日付け：拒絶理由通知書 令和 ４年 １月２４日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ４年 ３月２２日付け：拒絶査定 令和 ４年 ６月 ２日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年６月２日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年６月２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 「透明基板の主表面上に形成された光学膜をパターニングしてなる転写用パターンをもつ、表示装置製造用フォトマスクであって、 前記転写用パターンは、 前記主表面が露出してなる透光部からなる主パターン、 前記主パターンの周辺に配置された、位相シフト部からなる補助パターン、及び 前記主パターンと前記補助パターン以外の領域に形成された低透光部を含み、 前記補助パターンは、前記主パターンに付随して前記主パターンの周囲に前記低透光部を介在して配置され、 前記転写用パターンが含む複数の前記主パターンの１つを第１主パターンとするとき、前記第１主パターンと異なる第２主パターンが前記第１主パターンに接近した位置に配置され、 前記第１主パターンに付随する補助パターンは、前記第２主パターンに面する側に欠落を有し、且つ、 前記第２主パターンに付随する補助パターンは、前記第１主パターンに面する側に欠落を有し、 前記位相シフト部は、前記透明基板上に位相シフト膜が形成されてなり、 前記位相シフト膜は、露光光に含まれる代表波長において屈折率が１．５～２．９かつ透過率が２０～８０％かつ位相シフト量が１２０度～２４０度であり、 前記低透光部は、前記露光光に対する光学濃度ＯＤが３以上の遮光部であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、令和４年１月２４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「透明基板の主表面上に形成された光学膜をパターニングしてなる転写用パターンをもつ、表示装置製造用フォトマスクであって、 前記転写用パターンは、 前記主表面が露出してなる透光部からなる主パターン、 前記主パターンの周辺に配置された、位相シフト部からなる補助パターン、及び 前記主パターンと前記補助パターン以外の領域に形成された低透光部を含み、 前記補助パターンは、前記主パターンに付随して前記主パターンの周囲に配置され、 前記転写用パターンが含む複数の前記主パターンの１つを第１主パターンとするとき、前記第１主パターンと異なる第２主パターンが前記第１主パターンに接近した位置に配置され、 前記第１主パターンに付随する補助パターンは、前記第２主パターンに面する側に欠落を有し、且つ、 前記第２主パターンに付随する補助パターンは、前記第１主パターンに面する側に欠落を有し、 前記位相シフト部は、前記透明基板上に位相シフト膜が形成されてなり、 前記位相シフト膜は、露光光に含まれる代表波長において屈折率が１．５～２．９かつ透過率が２０～８０％かつ位相シフト量が１２０度～２４０度であり、 前記低透光部は、前記露光光に対する光学濃度ＯＤが２以上の遮光部であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。」 ２ 補正の適否 本件補正のうち請求項１についての補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「補助パターン」及び「低透光部」について、上記のとおり限定を付加するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ 原出願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１６－０７１０５９号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 「【請求項１】 透明基板上に形成された転写用パターンを備えるフォトマスクであって、前記転写用パターンは、 径Ｗ１（μｍ）の主パターンと、 前記主パターンの近傍に配置された、幅ｄ（μｍ）の補助パターンと、 前記主パターン及び前記補助パターンが形成される以外の領域に配置された低透光部と、を有し、 前記主パターンを透過するｉ線～ｇ線の波長範囲にある代表波長と、前記補助パターンを透過する前記代表波長との位相差が略１８０度であって、 前記補助パターンを透過する前記代表波長の光の透過率をＴ１（％）とし、 前記低透光部を透過する前記代表波長の光の透過率をＴ３（％）とし、 前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅方向の中心との距離をＰ（μｍ）とするとき、下記の式（１）～（４）を満たすことを特徴とする、フォトマスク。 ０．８ ≦ Ｗ１ ≦ ４．０ ・・・・・・・・・・・・・・（１） ０．５ ≦ √（Ｔ１／１００） × ｄ ≦ １．５ ・・・（２） １．０ ＜ Ｐ ≦ ５．０ ・・・・・・・・・・・・・・・（３） Ｔ３ ＜ Ｔ１ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４）」 「【００３４】 尚、表示装置製造用のフォトマスクは、周知のとおりサイズが大きく、フォトマスク製造工程におけるウェット処理（現像やウェットエッチング）においては、面内のあらゆる位置で、ＣＤ（線幅）の均一性を確保することは容易では無い。最終的なＣＤ精度を、規定された許容範囲内に収めるためにも、露光工程における充分な焦点深度（ＤＯＦ）の確保が肝要であり、またこれに伴って他の性能が劣化しないことが望ましい。 【００３５】 本発明は、透明基板上に成膜された、半透光膜及び低透光膜をそれぞれパターニングすることによって形成された転写用パターンを備えるフォトマスクである。本発明のフォトマスクがもつ転写用パターンの平面模式図を、図１に例示する。」 「【００５２】 このような位相差を形成するためには、主パターンは、透明基板主表面が露出してなる透光部とし、補助パターンは、透明基板上に半透光膜を形成してなる半透光部とし、この半透光膜の、上記代表波長に対する位相シフト量を、略１８０度とすれば良い。」 「【００５５】 本発明のフォトマスクにおいて、主パターン及び補助パターンが形成された以外の領域に配置され、主パターン及び補助パターンの周囲に形成された低透光部は、以下のような構成とすることができる。 【００５６】 低透光部は、露光光（ｉ線～ｇ線の波長範囲にある代表波長の光）を実質的に透過しないものであってもよい。この場合低透光膜単体で、上記代表波長を実質的に透過しないもの（すなわち遮光膜）であって、Ｔ３≦０．０１すなわち光学濃度ＯＤ≧２である低透光膜を適用してもよく、又は、低透光膜と半透光膜の積層膜で、実質的な遮光膜としてもよい。」 「【００７１】 あるいは、補助パターンの形状は、主パターンの周囲を完全に囲まずに、上記多角形帯又は円形帯の一部が欠落した形状であっても良い。補助パターンの形状は、例えば、図２（ｆ）のように、四角形帯の角部が欠落した形状であっても良い。」 「【００７６】 半透光膜は、透明基板の主表面上に、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを代表波長とするとき、その透過率が３０～８０（％）（Ｔ１（％）を透過率とするとき、３０≦Ｔ１≦８０）、より好ましくは、４０～７５（％）であり、かつ、この代表波長に対する位相シフト量が、略１８０度であるような膜である。このようは半透光膜により、透光部からなる主パターンと、半透光部からなる補助パターンとの間の透過光位相差を略１８０度とすることができる。そのような半透光膜は、ｉ線～ｇ線の波長範囲にある代表波長の光の位相を略１８０度シフトする。半透光膜の成膜方法としては、スパッタ法等公知の方法を適用することができる。」 「【００７８】 また、これらの条件を充足するためには、半透光膜材料は、露光光に含まれる代表波長（例えばｈ線）の屈折率が１．５～２．９であることが好ましい。より好ましくは、１．８～２．４である。」 「【００８４】 低透光膜の単独の性質としては、実質的に前記代表波長の光を透過しないものであるか、又は、３０（％）未満の透過率（Ｔ２（％））をもち（すなわち、０＜Ｔ２＜３０）、位相シフト量（φ２）が略１８０度であることが好ましい。略１８０度とは、１２０～２４０度を意味する。好ましくは、位相差φ１は１５０～２１０（度）である。」 図１及び図２（ｆ）は以下のとおりである。 【図１】 ［図：0001400079000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001400079000002.jpg］ したがって、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（以下、引用発明の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付した。）。 「透明基板上に半透光膜及び低透光膜をそれぞれパターニングすることによって形成された転写用パターンを備える表示装置製造用のフォトマスクであって、前記転写用パターンは、 主パターンと、 前記主パターンの近傍に配置された、補助パターンと、 前記主パターン及び前記補助パターンが形成される以外の領域に配置された低透光部と、を有し、（請求項１、【００３４】、【００３５】） 主パターンは、透明基板主表面が露出してなる透光部とし、補助パターンは、透明基板上に半透光膜を形成してなる半透光部とし、（【００５２】） 低透光部は、主パターン及び補助パターンが形成された以外の領域に配置され、主パターン及び補助パターンの周囲に形成され、（【００５５】） 半透光膜は、透明基板の主表面上に、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを代表波長とするとき、その透過率が３０～８０（％）であり、かつ、この代表波長に対する位相シフト量が、１２０～２４０度であるような膜であり、半透光膜材料は、露光光に含まれる代表波長の屈折率が１．５～２．９であり、（【００７６】、【００７８】、【００８４】） 低透光部は低透光膜と半透光膜の積層膜で、実質的な遮光膜としてもよい、（【００５６】） 表示装置製造用のフォトマスク。（請求項１、【００３４】）」 イ 引用文献２ 原出願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平８－０７６３５５号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。 「【００１９】 【作用】主パタンの周囲を半透明にして、かつ、半透明部を通過する光の位相を、透明な主パタンを通過する光の位相と反転させるようにしたホトマスクの主パタン周辺の最適化された位置に補助パタンを配置することにより、パタン転写の際、焦点がずれた場合でも主パタンの光強度低下を抑えることができ、焦点ずれによるパタン寸法の縮小や、解像不良を回避することができる。」 「【００３６】〈実施例４〉本発明の第４の実施例を図７、図８、図９、図１０を用いて説明する。ここでは、主パタンの配列や補助パタンの配置の種々の例を示す。図７は主パタンが横に並んで配列している場合の例を示す。３個の主パタン８は距離Ｄ’の２倍より小さいピッチで配置されているので、各主パタン８の間には補助パタンが配置できない。このような場合は、主パタン群の外周部のみに補助パタン９ｙ、９ｘを配置すればよい。このマスクを用いパタンの転写を行なった結果、中央の主パタンの焦点深度が周辺の主パタンに比べ僅かに低下したが、補助パタンを用いない場合に比べ、焦点深度は向上した。また、このような焦点深度の差をなくしたい場合は、補助パタン９ｙのみを配置すればよい。すなわち、主パタンの一方向のみに補助パタンを配置しても焦点深度向上効果は得られる。 【００３７】図８には主パタンが対角方向に配列された場合の補助パタンの配置例を示す。補助パタン９はそれぞれの主パタン８の中心線と補助パタンの中心が距離Ｄ’だけ離れた位置に配置するが、上記のように、一方の主パタンに対する補助パタンが、他方の主パタンから距離Ｄ’以内に配置されるとき、その補助パタンは削除した。この場合、補助パタン９はＬ字状になる場合があるが、前記したように、コーナ部で補助パタンが接しないように離してもよい。」 「【００３９】〈実施例５〉本発明の第５の実施例として補助パタンの自動配置について説明する。補助パタンの配置はコンピュータを用いたマスクパタン設計用装置を用いて行なった。補助パタンの配置手順を図１１及び図１２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。用いた装置及び処理動作は図１１に示すように、補助パタン自動発生部及びデータファイル部からなっており、その他の機能、例えばマスクパタン描画用データ変換部等との連結はデータファイルを介して行なうようになっている。まず、Ｓ１ステップにおいて、投影する主パタンを設計者の入力により配置する。データファイルからの入力も可能である。図１２（ａ）の例では、主パタン１１－１～１１－７を配置した。 【００４０】次に、Ｓ２ステップにおいて、補助パタンが必要なパタンと、不要なパタンを選別する。パタンの大きさが大きいとき、そのパタンの焦点深度が深いので、補助パタンを設けなくとも焦点位置ずれによる光強度への影響は小さいため、そのようなパタンには補助パタンを配置しなくてもよいようにする処理である。ここでは主パタンの短辺の長さがＬ以下の場合、補助パタンを配置した。Ｌは、 Ｌ＝ｂ1λ／ＮＡｕ（但し、ＮＡｕ：投影光学系のウエハ側の開口数、λ：露光波長、係数：ｂ1）で表わされ、係数ｂ1は予め設定できる。図１２（ａ）の場合は、主パタン１１－１～１１－６が補助パタンの配置対象となり、主パタン１１－７は対象外であった。主パタン１１－７の短辺の長さが、後述する主パタンの中心と補助パタンの中心間距離Ｄより大きいため、補助パタンを設ける適切な位置が主パタンと重なってしまうためである。なお、本実施例は、所定の大きさ又は長さ以下の主パタンに補助パタンを配置するものであるが、所定の大きさ又は長さを越える主パタンについても、本実施例の方法に従って、或は、他のルールに従って補助パタンを配置しても差し支えない。 【００４１】次に、Ｓ３ステップにおいて、主パタン１１－７を除いた各主パタンに対し、補助パタンの形状、その仮配置位置１２を決める。図１２（ａ）の例では、主パタンが方形パタンであるので、図６に示した場合と同様に、長方形の補助パタンを仮配置する。仮配置位置１２は、主パタンの中心又は中心線と補助パタンの中心間のマスク上の距離Ｄで決められる。距離Ｄは次式で表され、Ｄ＝ｂ2λ／ＮＡで（但し、投影光学系のマスク側の開口数をＮＡ、露光波長をλ、係数：ｂ2）係数ｂ2は設計者が設定できる。ｂ2の好ましい値は１．０≦ｂ2≦２．０の範囲であり、より好ましい値は１．３５＜ｂ2≦１．９の範囲である。補助パタンの幅は予め入力できる。例えば、実施例１に記載した式ｂ’λ／ＮＡ（０．０７≦ｂ’≦０．２５）により係数ｂ’をこの範囲内の所望の値に定めることができる。 【００４２】方形の主パタンの中心線は、図の縦方向と、横方向の２つを採る。縦方向の中心線に対して、主パタンの左右に補助パタンを仮配置し、横方向の中心線に対して、主パタンの上下に補助パタンを仮配置する。この実施例では、予め適切な形状や中心又は中心線をコンピュータに入力しておき、それに基づいて設定した。例えば、方形パタンであれば、この実施例と同様に設定し、円形パタンであれば、図３に示したように、輪帯状の補助パタンを設定し、また、所定の大きさ以下の方形パタンであれば、図９に示したように、その中心から所定の距離に補助パタン設定するようにする。さらに、矩形パタンであれば、その長手方向の中心線に対して、所定の距離に長方形の補助パタンを設定する。つまり、矩形パタンの長手方向の左右に補助パタンが配置されるようにする。 【００４３】次に、Ｓ４ステップにおいて、補助パタン配置の矛盾個所の判定を行なう。実際の場合、図１２（ａ）に示すように、主パタンが接近して配置されている場合が存在する。仮配置位置１２が互いに重なったり、隣の主パタンから距離Ｄ以内のエリアに侵入し、矛盾個所１３が発生する。この矛盾個所を判定する。 【００４４】次に、Ｓ５ステップにおいて、矛盾個所を削除する。また、補助パタンのコーナ部等もパタンを削除する。コーナ部からの削除幅は、例えば、補助パタンの幅の２倍の長さを削除するように予め定め、自動的に行なうようにする。 【００４５】次に、Ｓ６ステップにおいて、図１２（ｂ）に示すように補助パタン１４を配置する。このようにして補助パタン１４の配置が完了する。なお、この例では、補助パタンは長方形のパタンを用いたが、これに限らない。」 図７、図８及び図１２は、以下のとおりである。 【図７】 ［図：0001400079000003.jpg］ 【図８】 ［図：0001400079000004.jpg］ 【図１２】 ［図：0001400079000005.jpg］ したがって、引用文献２には、次の技術的事項（以下「引用文献２に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる（以下、引用文献２に記載された技術的事項の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付した。）。 「主パタン周辺の最適化された位置に補助パタンを配置するホトマスクであって、（【００１９】） 各主パタンに対し、補助パタンの形状、その仮配置位置を決め、（【００４１】） 主パタンが接近して配置されている場合が存在すると、仮配置位置が互いに重なったり、隣の主パタンから距離Ｄ以内のエリアに侵入し、補助パタン配置の矛盾個所が発生し、この矛盾個所を判定し、（【００４３】） 補助パタン配置矛盾位置の補助パタンは削除する（【００３７】、【００４３】及び図１２） ホトマスク。（【００１９】）」 （３）対比 ア 引用発明の「透明基板上に半透光膜及び低透光膜をそれぞれパターニングすることによって形成された転写用パターン」は、本件補正発明の「透明基板の主表面上に形成された光学膜をパターニングしてなる転写用パターン」に、 引用発明の「表示装置製造用のフォトマスク」は、本件補正発明の「表示装置製造用フォトマスク」に、 引用発明の「『透明基板主表面が露出してなる透光部とし』た『主パターン』」は、本件補正発明の「主表面が露出してなる透光部からなる主パターン」に、 引用発明の「『前記主パターンの近傍に配置され』、『透明基板上に』『代表波長に対する位相シフト量が、１２０～２４０度である』『半透光膜を形成してなる半透光部とし』た、『補助パターン』」は、本件補正発明の「前記主パターンの周辺に配置された、位相シフト部からなる補助パターン」に、 引用発明の「前記主パターン及び前記補助パターンが形成される以外の領域に配置された低透光部」は、本件補正発明の「前記主パターンと前記補助パターン以外の領域に形成された低透光部」に、 引用発明の「『半透光部』は、『透明基板上に半透光膜を形成してなる』」は、本件補正発明の「前記位相シフト部は、前記透明基板上に位相シフト膜が形成されてなり」に、 引用発明の「半透光膜は、透明基板の主表面上に、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを代表波長とするとき、その透過率が３０～８０（％）であり、かつ、この代表波長に対する位相シフト量が、１２０～２４０度であるような膜であり、半透光膜材料は、露光光に含まれる代表波長の屈折率が１．５～２．９であり」は、本件補正発明の「前記位相シフト膜は、露光光に含まれる代表波長において屈折率が１．５～２．９かつ 透過率が２０～８０％かつ位相シフト量が１２０度～２４０度であり」に、 それぞれ相当する。 イ 本件補正発明の「前記補助パターンは、前記主パターンに付随して前記主パターンの周囲に前記低透光部を介在して配置され」の構成について 引用発明の「補助パターン」は、「主パターンの近傍に配置され」ており、「低透光部は、主パターン及び補助パターンが形成された以外の領域に配置され、主パターン及び補助パターンの周囲に形成され」ていることから、補助パターンは、主パターンの近傍に配置され、主パターンの周囲に低透光部を介在して配置しているものといえる。 したがって、引用発明は、上記構成を満たす。 ウ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「透明基板の主表面上に形成された光学膜をパターニングしてなる転写用パターンをもつ、表示装置製造用フォトマスクであって、 前記転写用パターンは、 前記主表面が露出してなる透光部からなる主パターン、 前記主パターンの周辺に配置された、位相シフト部からなる補助パターン、及び 前記主パターンと前記補助パターン以外の領域に形成された低透光部を含み、 前記補助パターンは、前記主パターンに付随して前記主パターンの周囲に前記低透光部を介在して配置され、 前記位相シフト部は、前記透明基板上に位相シフト膜が形成されてなり、 前記位相シフト膜は、露光光に含まれる代表波長において屈折率が１．５～２．９かつ 透過率が２０～８０％かつ位相シフト量が１２０度～２４０度である、 表示装置製造用フォトマスク。」 【相違点１】 本件補正発明は、転写用パターンが含む複数の主パターンの１つを第１主パターンとするとき、前記第１主パターンと異なる第２主パターンが前記第１主パターンに接近した位置に配置され、前記第１主パターンに付随する補助パターンは、前記第２主パターンに面する側に欠落を有し、且つ、前記第２主パターンに付随する補助パターンは、前記第１主パターンに面する側に欠落を有しているのに対して、引用発明は、そのような構成を使用していない点。 【相違点２】 低透光部について、本件補正発明は、前記露光光に対する光学濃度ＯＤが３以上の遮光部であるのに対して、引用発明は、低透光膜と半透光膜の積層膜で、実質的な遮光膜である点。 （４）判断 以下、相違点について検討する。 ア 相違点１について 引用発明は、表示装置製造用のフォトマスクに関するものであるから、主パターンは通常複数形成されているといえ、主パターン同士が、近接配置されている事もあるといえる。 そして、引用文献１の請求項１では、主パターンの中心と、補助パターンの幅方向の中心との距離をＰ（μｍ）としているところ、２つの主パターンが近接して、主パターンの中心どうしの距離が、例えば２Ｐ未満となった場合、２つの主パターン間の、２つの主パターンにそれぞれ付随する２つの補助パターンは、それぞれ隣接する隣の主パターンとの距離がＰ未満となってしまい、当該隣の主パターンの被転写体への転写に悪影響を及ぼすことは明らかである。 ここで、引用文献２に記載された技術的事項によると、主パタンが接近して配置されている場合が存在するとき、隣の主パタンから距離Ｄ以内のエリアに侵入した補助パタンは、削除しており、複数の主パターンが近接した引用発明においては、上記の悪影響を排除するべく引用文献２に記載された技術的事項を適用する動機がある。 そうすると、引用発明の、２つの主パターンが近接して、主パターンの中心どうしの距離が２Ｐ未満となるものにおいて、当該２つの主パターン間の、２つの主パターンにそれぞれ付随する２つの補助パターンを欠落したものとすることは、当業者が容易に想到し得た事項といえる。 イ 相違点２について 引用発明の低透光部は、低透光膜と半透光膜の積層膜で、実質的な遮光膜であることから、ＯＤ値は３以上となっているといえる。 また、そこまで言えないとしても、低透光部を露光光に対する光学濃度ＯＤ値が３以上のものとすることは、当業者が適宜なし得た事項である。 ウ そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものとはいえない。 エ したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （５）審判請求人の主張について ア 本件審判請求人は、令和４年６月２日付けで提出された審判請求書において、 「本願の補正後の請求項１に係るフォトマスク上に２以上の主パターンを設ける場合、２つの補助パターンの距離が近いと、２つの補助パターンからぞれぞれ透過する露光光が合わさった光が、被転写体上のレジスト膜を感光させてしまい、現像後のレジスト膜の減膜が大きいという問題が生じます。これは、２つの補助パターンの間には、低透過部（ＯＤが３以上）が介在し、露光光はほとんど透過せず、補助パターンを透過した光の一部が、他方の補助パターン側に回り込むことを抑制できないためです。そこで、当該問題を解決するために２つの補助パターンの互いに近接する側を欠落させる構成を採用しています。引用文献２の図１２では、補助パタンの一部が欠落しており、一見すると、本願発明の補助パターンを欠落させているのと同じ態様であるように思えます。しかし、この引用文献２の図１２では、補助パタンを欠落させないと、主パターンに非常に近い位置に補助パタンが配置されることになります。このような配置がされたホトマスクだと、補助パタンを透過した露光光が、主パタンを透過する露光光に対して悪影響を及ぼしてしまいます。本願の補正後の請求項１に係るフォトマスクと引用文献２に記載の発明との技術思想の相違は、本願の請求項１に係るフォトマスクの主パターン、補助パターンおよび低透過部と、引用文献２のホトマスクの主パターン、補助パターンおよび半透明な領域の役割が大きく異なることに起因します。そして、引用文献１のフォトマスクにおける、主パターン、補助パターンおよび低透光部の各役割は、本願の補正後の請求項１に係るフォトマスクと同様です。よって、引用文献２のホトマスクに係る構成を、引用文献１のフォトマスクに組み合わせることには、阻害要因があるといえます。」と、主張している。 イ 上記主張について、以下検討する。 上記（４）で説示したとおりである。 仮に、本願の補正後の請求項１に係るフォトマスクと引用文献２に記載の発明との技術思想が相違するとしても、引用発明において、複数の主パターンを設け、隣り合う２つの主パターンが過度に接近すれば当該２つの主パターンの間に補助パターンが存在することは不具合になるという点で、引用文献２に記載の技術的事項と共通するから阻害要因にはならない。 以上から、審判請求人の上記主張は、採用することができない。 ３ 本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和４年６月２日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和４年１月２４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の請求項１に係る発明の拒絶の理由の概略は、この出願の請求項１に係る発明は、原出願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基いて、その原出願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１．特開２０１６－０７１０５９号公報 引用文献２．特開平８－０７６３５５号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項、並びに原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「補助パターン」について、「主パターンの周囲に前記低透光部を介在して配置され」との限定を「主パターンの周囲に配置され」とし、「遮光部」について、「露光光に対する光学濃度ＯＤが３以上」との限定を「露光光に対する光学濃度ＯＤが２以上」としたものである。 そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。