2024-002326

特願２０１９－１５８０８５「パターンデータ、パターンデータの作製方法およびフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔令和３年３月４日出願公開、特開２０２１－３６２９５〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和元年８月３０日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和５年 ４月 ６日付け：拒絶理由通知書 同年 ６月 ６日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ７月１４日付け：最後の拒絶理由通知書 同年 ９月２１日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１１月 ２日付け：令和５年９月２１日の手続補正についての 補正の却下の決定、拒絶査定（以下「原査定」 という。） 令和６年 ２月 ９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年２月９日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年２月９日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和６年２月９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする補正であって、本件補正前（令和５年６月６日にされた手続補正後）の特許請求の範囲の請求項４及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項４の記載は、それぞれ次の（１）及び（２）に示すとおりである。下線は補正箇所を示す。 （１）本件補正前 「【請求項４】 レジストに三次元形状を形成するために用いられるフォトマスクであって、 前記フォトマスクは、レンズ、回折格子、インプリントモールド版またはエッチングモールド版を作製するためのフォトマスクであり、 前記フォトマスクは、前記三次元形状の単位領域に該当する領域として、矩形パターン集合により構成された単位パターン領域を有し、 前記単位パターン領域において、Ｘ軸方向に長いストライプ領域が、前記Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って複数配置され、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の矩形パターンは、前記Ｘ軸方向に沿って隙間をあけずに連続的に配置され、 前記ストライプ領域の前記Ｙ軸方向の長さが、等倍体換算で５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応している、フォトマスク。」 （２）本件補正後 「【請求項４】 レジストに三次元形状を形成するために用いられるフォトマスクであって、 前記フォトマスクは、レンズ、回折格子、インプリントモールド版またはエッチングモールド版を作製するためのフォトマスクであり、 前記フォトマスクは、前記三次元形状の単位領域に該当する領域として、矩形パターン集合により構成された単位パターン領域を有し、 前記単位パターン領域において、Ｘ軸方向に長いストライプ領域が、前記Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って複数配置され、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の矩形パターンは、前記Ｘ軸方向に沿って隙間をあけずに連続的に配置され、 前記ストライプ領域の前記Ｙ軸方向の長さが、等倍体換算で５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応しつつ、前記Ｘ軸方向に沿って変化している、フォトマスク。」 ２ 本件補正の適否について （１）本件補正の目的について 本件補正で請求項４についてする補正は、本件補正前の請求項４の発明特定事項である「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合」の「前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応している」「前記ＬＰ」について、「前記Ｘ軸方向に沿って変化している」ことを付加して限定するものといえる。 そして、本件補正前の請求項４に記載された発明と本件補正後の請求項４に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正で請求項４についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 （２）独立特許要件について 前記（１）のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の請求項４に係る発明（以下、「本件補正発明４」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下で検討する。 ア 本件補正発明４ 本件補正発明４は、前記１（２）の本件補正後の請求項４に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 イ 引用文献の記載及び引用発明 （ア）引用文献の記載 原査定に引用され、本願の出願前に発行された特開２００８－８９８１８号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当合議体が付した。）。 「【００２３】 （第１の実施形態：フォトマスク） ・・・（中略）・・・ 【００２４】 フォトマスク１０は、石英ガラス等の透明なマスク基板２０上に、複数の、同一の大きさの正方形状のマスクセル４０を備えている。このマスクセル４０は、マスク基板２０の一方の主表面に画成された複数の単位マスクセル領域に設定されている。これら単位マスクセル領域は、互いに直交するＸ方向（又は行方向）及びＹ方向（又は列方向）に引かれた直線である、複数の仮想格子状線４６で、マスク基板２０の一方の主表面に等間隔に仕切られて設定された領域である。従って、これら単位マスクセル領域は、直交マトリクス（行列）配列として、配列されている。 【００２５】 マスクセル４０には、光透過領域４４と遮光領域４２のいずれか一方又は双方が設定されている。マスク基板２０上の遮光領域４２には、例えば、クロムを蒸着するなどして遮光膜３０が形成されている。マスクセル４０が、フォトマスク１０を透過する光強度を制御する基本単位である。同じ面積のマスクセル４０の場合、マスクセル４０に対する光透過領域４４の面積比により、マスクセル４０を透過する光強度が与えられる。すなわち、マスクセル４０中の、光透過領域４４の面積が大きいほど、当該マスクセル４０を透過する光強度が大きくなる（図１（Ｃ））。 ・・・（中略）・・・ 【００２７】 尚、図１（Ａ）は、光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定されているマスクセル４０が、Ｙ方向の仮想二分線４８で二分され、仮想二分線４８の一方の側（図中、仮想二分線の右側）に光透過領域４４が設定され、他方の側（図中、仮想二分線の左側）に遮光領域４２が設定されている例を示している。各マスクセルについて、光透過領域４４が仮想二分線４８に対して同じ側に設定されているのが良い。これは、以下の理由による。 【００２８】 目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル４０が連続して設定されることがある。各マスクセル４０について、仮想二分線４８に対して、同じ側に光透過領域４４が設定される構成にすると、Ｙ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０については、遮光領域は、一つの矩形として構成される。マスクパターンを構成する矩形の数の増減に応じて、マスクパターンの生成に必要なデータも量も増減する。従って、各マスクセル４０の遮光膜３０を、一括して一つの矩形として形成すると、マスクパターンの生成に必要なデータ量を削減することができる。この結果、フォトマスクの製造にかかる時間を短縮するとともに、コストを削減することができる。 ・・・（中略）・・・ 【００３０】 マスクセル４０の一辺の長さ（以下、マスクピッチと称することもある。）Ｐは、このフォトマスク１０が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されている。このため、このフォトマスク１０を用いてレジストを露光した場合、フォトマスクのマスクパターンを解像できるだけのコントラストが得られない。このフォトマスク１０を用いてレジストを露光した後、現像すると、レジストは分離することなく、連続して膜厚が変化する。」 「【００４６】 （第２の実施形態：フォトマスクを用いたシリコンベンチの製造方法 その１） ・・・（中略）・・・ 【００４７】 以上のような形状を有するシリコンベンチ３００を作製する。使用したシリコン基板は、６インチ径である。塗布したレジスト厚みは３．５μｍで、レジストは、ポジ型レジスト（例えば、ＪＳＲ社製、商品名ＩＸ４１０）をスピンコータで塗布したものである。露光装置は、ｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）ステッパ（例えば、Ｎｉｋｏｎ社製、商品名ＮＳＲ－２２０５ｉ１１Ｄ）を用い、露光条件を投影レンズの開口数ＮＡ＝０．５、コヒーレンスファクタσ＝０．５、縮小投影倍率を５倍とした。又、図１（Ｂ）におけるマスクセル４０の一辺の長さ、すなわち、マスクピッチＰを４００ｎｍとする。」 「【図１】 ［図：0001425296000001.jpg］ 」 （イ）引用発明 前記（ア）によれば、引用文献１には、実施形態（図１（Ａ）～（Ｃ））に記載されたフォトマスクについて、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。なお、分説のためにａ等を付し、また、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載に係る段落番号等を括弧内に付してある。 ＜引用発明＞ 「ａ フォトマスク１０であって、（【００２４】） ｂ 石英ガラス等の透明なマスク基板２０上に、複数の、同一の大きさの正方形状のマスクセル４０を備え、このマスクセル４０は、マスク基板２０の一方の主表面に画成された複数の単位マスクセル領域に設定され、これら単位マスクセル領域は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向に引かれた直線である、複数の仮想格子状線４６で、マスク基板２０の一方の主表面に等間隔に仕切られて設定された領域であり、（【００２４】） ｃ マスクセル４０には、光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定され、マスク基板２０上の遮光領域４２には、例えば、クロムを蒸着するなどして遮光膜３０が形成され、マスクセル４０が、フォトマスク１０を透過する光強度を制御する基本単位であり、同じ面積のマスクセル４０の場合、マスクセル４０に対する光透過領域４４の面積比により、マスクセル４０を透過する光強度が与えられ、（【００２５】） ｄ 光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定されているマスクセル４０が、Ｙ方向の仮想二分線４８で二分され、仮想二分線４８の一方の側に光透過領域４４が設定され、他方の側に遮光領域４２が設定され、各マスクセルについて、光透過領域４４が仮想二分線４８に対して同じ側に設定され、（【００２７】） ｅ 目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル４０が連続して設定されることがあり、各マスクセル４０について、仮想二分線４８に対して、同じ側に光透過領域４４が設定される構成にすると、Ｙ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０については、遮光領域は、一つの矩形として構成され、マスクパターンを構成する矩形の数の増減に応じて、マスクパターンの生成に必要なデータも量も増減し、従って、各マスクセル４０の遮光膜３０を、一括して一つの矩形として形成すると、マスクパターンの生成に必要なデータ量を削減することができ、この結果、フォトマスクの製造にかかる時間を短縮するとともに、コストを削減することができ、（【００２８】） ｆ マスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）Ｐは、このフォトマスク１０が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されている、（【００３０】） フォトマスク１０。」 ウ 本件補正発明４と引用発明との対比 本件補正発明４と引用発明を対比する。 （ア）本件補正発明４の「レジストに三次元形状を形成するために用いられるフォトマスク」との特定事項について 引用発明の「フォトマスク１０」（ａ参照）は、本件補正発明４の「フォトマスク」に相当する。また、引用発明の「フォトマスク１０」は、レジストパターン（ｅ参照）を形成するためのものであることが理解できるところ、引用発明の「目標とされるレジストパターンの形状」である「連続的に膜厚が変化する曲面状」（ｅ参照）は、三次元形状といえるから、引用発明の「フォトマスク１０」は、本件補正発明４でいう「レジストに三次元形状を形成するために用いられる」ものであるといえる。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えている。 （イ）本件補正発明４の「前記フォトマスクは、レンズ、回折格子、インプリントモールド版またはエッチングモールド版を作製するためのフォトマスク」との特定事項について 引用発明の「フォトマスク１０」は、その用途が特定されておらず、本件補正発明４でいう「レンズ、回折格子、インプリントモールド版またはエッチングモールド版を作製するためのフォトマスク」といえるかどうか不明である。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えていない。 （ウ）本件補正発明４の「前記フォトマスクは、前記三次元形状の単位領域に該当する領域として、矩形パターン集合により構成された単位パターン領域を有し」との特定事項について 引用発明の「目標とされるレジストパターンの形状」である「連続的に膜厚が変化する曲面状」（ｅ参照）のうちの１つのまとまった形状を構成する曲面状の領域（以下「曲面状領域」という。）は、本件補正発明４の「単位領域」に相当し、前記（ア）でも説示したように、前記曲面状領域は、本件補正発明４でいう「前記三次元形状の」ものであるといえる。 そして、引用発明の「フォトマスク１０」は、前記曲面状領域に対応する領域（以下「曲面状領域対応マスク領域」という。）を有することが理解できるところ、当該曲面状領域対応マスク領域は、本件補正発明４の「単位パターン領域」に相当し、これは、本件補正発明４でいう「前記三次元形状の単位領域に該当する領域」である。 また、引用発明の「フォトマスク１０」は、「複数の、同一の大きさの正方形状のマスクセル４０を備え、このマスクセル４０は、マスク基板２０の一方の主表面に画成された複数の単位マスクセル領域に設定され」るものであり（ｂ参照）、「マスクセル４０には、光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定され」（ｃ参照）るものである。そして、「目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル４０が連続して設定されることがあり、各マスクセル４０について、仮想二分線４８に対して、同じ側に光透過領域４４が設定される構成にすると、Ｙ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０については、遮光領域は、一つの矩形として構成され」（ｅ参照）るところ、「マスクセル４０」の「単位マスクセル領域」が「互いに直交するＸ方向及びＹ方向に引かれた直線である、複数の仮想格子状線４６で、等間隔に仕切られて設定された領域であ」（ｂ参照）ることと、「目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状」（ｅ参照）からすれば、このＹ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０の遮光領域が形成する一つの矩形（以下「同一光強度矩形」という。）を含む異なる光強度に対応する複数の矩形が、膜厚が変化する方向に応じてＸ方向又はＹ方向に複数配置されることが理解でき、この複数の矩形の集合（以下「複数矩形集合」という。）が、本件補正発明４の「矩形パターン集合」に相当する。そうすると、引用発明の前記曲面状領域対応マスク領域は、前記複数矩形集合により構成されるものといえるから、本件補正発明４でいう「矩形パターン集合により構成された」ものといえる。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えている。 （エ）本件補正発明４の「前記単位パターン領域において、Ｘ軸方向に長いストライプ領域が、前記Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って複数配置され」との特定事項について 引用発明の「Ｘ方向」及び「Ｙ方向」はそれぞれ、本件補正発明４の「Ｙ軸方向」及び「Ｘ軸方向」に相当する。 そして、前記（ウ）における前記曲面状領域対応マスク領域において、「互いに直交するＸ方向及びＹ方向に引かれた直線である、複数の仮想格子状線４６で、マスク基板２０の一方の主表面に等間隔に仕切られて設定された領域」である「単位マスクセル領域」（ｂ参照）のうち、Ｙ方向に並ぶ複数の単位マスク領域からなる領域（以下「Ｙ方向マスク領域」という。）は、本件補正発明４の「ストライプ領域」に相当する。そして、当該Ｙ方向マスク領域は、Ｙ軸方向に長い形状となることが理解できるから、本件補正発明４でいう「Ｘ軸方向に長い」ものである。さらに、当該Ｙ方向マスク領域は、Ｘ方向に複数配置されることも理解できるから、本件補正発明４でいう「前記Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って複数配置され」るものである。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えている。 （オ）本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の矩形パターンは、前記Ｘ軸方向に沿って隙間をあけずに連続的に配置され」との特定事項について 引用発明における前記（ウ）の前記同一光強度矩形は、本件補正発明４の「矩形パターン」に相当する。そして、引用発明は、「目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル４０が連続して設定されることがあり、各マスクセル４０について、仮想二分線４８に対して、同じ側に光透過領域４４が設定される構成にすると、Ｙ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０については、遮光領域は、一つの矩形として構成され」（ｅ参照）ることから、前記（ウ）での検討も踏まえると、前記（エ）の前記Ｙ方向マスク領域において、Ｙ方向に膜厚が変化する場合は前記複数矩形集合を構成する異なる光強度に対応する複数の前記同一光強度矩形がＹ方向に連続的に配置されることになり、Ｙ方向に膜厚が変化しない場合は単一の前記同一光強度矩形が配置されることになる。さらに、引用発明は、「光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定されているマスクセル４０が、Ｙ方向の仮想二分線４８で二分され、仮想二分線４８の一方の側に光透過領域４４が設定され、他方の側に遮光領域４２が設定され、各マスクセルについて、光透過領域４４が仮想二分線４８に対して同じ側に設定され」（ｄ参照）るものであるから、前記Ｙ方向マスク領域において、各マスクセルの遮光領域４２はＹ方向に沿って連続的に配置され、この結果、Ｙ方向に膜厚が変化する場合、変化しない場合のいずれについても、前記複数矩形集合を構成する単一又は複数の前記同一光強度矩形もまたＹ方向に沿って連続的に配置されることも明らかである。そうすると、引用発明は、本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の矩形パターンは、前記Ｘ軸方向に沿って隙間をあけずに連続的に配置され」るとの特定事項を備えるといえる。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えている。 （カ）本件補正発明４の「前記ストライプ領域の前記Ｙ軸方向の長さが、等倍体換算で５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり」との特定事項について 引用発明は、本件補正発明４の「ストライプ領域」に相当する前記Ｙ方向マスク領域のＸ方向の長さは、正方形状のマスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）に等しいところ、「マスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）Ｐは、このフォトマスク１０が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されている」（ｆ参照）が、等倍体換算での具体的な寸法は不明である。 したがって、引用発明は、上記特定事項を備えているとはいえない。 （キ）本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応しつつ、前記Ｘ方向に沿って変化している」との特定事項について ａ 引用発明は、「光透過領域４４と遮光領域４２の双方が設定されているマスクセル４０が、Ｙ方向の仮想二分線４８で二分され、仮想二分線４８の一方の側に光透過領域４４が設定され、他方の側に遮光領域４２が設定され」（ｄ参照）るものであり、「マスクセル４０が、フォトマスク１０を透過する光強度を制御する基本単位であり、同じ面積のマスクセル４０の場合、マスクセル４０に対する光透過領域４４の面積比により、マスクセル４０を透過する光強度が与えられ」（ｃ参照）ることからすれば、各マスクセルを透過する光強度は、各マスクセルの遮光領域４２のＸ方向の幅に対応することが理解できる。そうすると、前記Ｙ方向マスク領域において、前記複数矩形集合内の各前記同一光強度矩形のＸ方向の幅が、フォトマスク１０を透過する光強度を制御し、この結果、この前記同一光強度矩形におけるレジストの膜厚に対応することは、技術的にみて明らかである。そして、引用発明の前記同一光強度矩形のＸ方向の幅は、本件補正発明４の「前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰ」に相当し、引用発明のレジストの膜厚は、前記（ア）も踏まえると、本件補正発明４の「前記三次元形状の高さ」に相当する。 したがって、引用発明は、本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応し」との特定事項を備えるといえる。 ｂ 本件補正発明４では「前記ＬＰが」「Ｘ軸方向に沿って変化している」のに対し、引用発明では、目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、Ｘ方向、Ｙ方向のいずれに膜厚が変化するのかは特定されておらず、膜厚の変化に対応してＹ方向に遮光領域４２のＸ方向の幅が異なるマスクセルが配置されることとなるかどうか不明である。 したがって、引用発明は、本件補正発明４でいう「前記ＬＰが」「Ｘ軸方向に沿って変化している」との特定事項を備えているかどうか不明である。 （ク）そうすると、本件補正発明４と引用発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「レジストに三次元形状を形成するために用いられるフォトマスクであって、 前記フォトマスクは、前記三次元形状の単位領域に該当する領域として、矩形パターン集合により構成された単位パターン領域を有し、 前記単位パターン領域において、Ｘ軸方向に長いストライプ領域が、前記Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って複数配置され、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の矩形パターンは、前記Ｘ軸方向に沿って隙間をあけずに連続的に配置され、 前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応している、フォトマスク。」である点。 ＜相違点１＞ フォトマスクが、本件補正発明４は「レンズ、回折格子、インプリントモールド版またはエッチングモールド版を作製するためのフォトマスクであ」るのに対し、引用発明はその用途が特定されていない点。 ＜相違点２＞ ストライプ領域のＹ軸方向の長さが、本件補正発明４は「等倍体換算で５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であ」るのに対し、引用発明は、前記Ｙ方向マスク領域のＸ方向の長さは、正方形状のマスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）に等しいところ、マスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）Ｐは、このフォトマスク１０が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されるが、等倍体換算での具体的な寸法は不明である点。 ＜相違点３＞ 本件補正発明４では「前記ＬＰが」「Ｘ軸方向に沿って変化している」のに対し、引用発明では、目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、Ｘ方向、Ｙ方向のいずれに膜厚が変化するのかは特定されておらず、膜厚の変化に対応してＹ方向に遮光領域４２のＸ方向の幅が異なるマスクセルが配置されることとなるかどうか不明である。 エ 判断 （ア）相違点１について 透過する光強度を制御することで３次元形状のレジストパターン形状を形成することができるフォトマスクをレンズの作製に用いることは、例えば、以下の各文献に記載されているように周知技術であり、この周知技術を引用発明に適用して、引用発明のフォトマスクにより連続的に膜厚が変化する曲面状のレジストパターンをレンズの作製に用いることで、相違点１に係る本件補正発明４の構成とすること当業者が容易に想到し得たことである。 ・原査定に周知技術として引用された特開２０１７－１４２３５７号公報 （階調露光用マスク１１１の各単位領域１１５における開口率は、各単位領域１１５における光透過部１１６Ｔのライン形状の幅により調整可能であり、予めレジスト残膜量と開口率との関係を求め、目的の三次元形状物の厚みのプロファイル、ここでは図１９に示すようなマイクロレンズ形状の厚みのプロファイルを得、この三次元形状物の厚みのプロファイルと、レジスト残膜量と開口率との関係から、図２０に実線で示すような、マイクロレンズの頂部から周縁部に至る三次元形状に必要な厚みを得るための開口率の分布を求める。【００２６】参照。 ［図：0001425296000002.jpg］ ［図：0001425296000003.jpg］ ） ・原査定に周知技術として引用された特表２０１８－５０８８３５号公報 （マイクロレンズアレイを製作するために、フォトレジスト２５４で覆われた加工材２５０が３層マルチトーンレベルフォトマスク１２０を通過したＵＶ光に露出され（図９ａ）、加工材２５０は溶融シリカのような材料からなり、現像後のフォトレジスト２５４は３層ピラミッド構造２５４’を有し（図９ｂ）、３層ピラミッド構造を有する加工材２５０を１５０℃程度に加熱して３層ピラミッド構造２５４’を溶融し、溶融シリカ加工材２５０上にレンズ型フォトレジスト区域２５４’’を形成し、レンズ型フォトレジスト区域２５４’’を有する加工材２５０を反応性イオンエッチングして溶融シリカ加工材２５０に変換させれば（図９ｄ）、加工材２５０上にマイクロレンズアレイ２５６が形成される。【００５７】～【００５９】参照。 ［図：0001425296000004.jpg］ ［図：0001425296000005.jpg］ ［図：0001425296000006.jpg］ ［図：0001425296000007.jpg］ ） ・原査定に周知技術として引用された特開２００１－２５５６６０号公報 （基板１０上に形成されたフォトレジスト層１１に対して、露光用マスクを用いて所定の方法で図示のような３次元的な光強度分布を持ったマスクパターンの光束ＬＦを露光する。この露光用マスクとしては、例えば所望の表面形状に対応して光透過率が段階的に変化するマスクパターンを有する濃度分布マスク（グラデーションマスク）、もしくは上記濃度分布マスクを所定の拡大率で拡大したレチクルマスクが用いられ、露光方法としては、所望の表面形状に対して等倍に作製された濃度分布マスクを用いてフォトレジスト層にステッパー露光する方法や、このマスクをフォトレジスト層に密着あるいは近接させて露光するアライメント露光法、あるいは所望の表面形状に対して所定の拡大率で作製されたレチクルマスクを用いて、ステッパー露光装置でマスクパターンをフォトレジスト層に縮小露光するステッパー露光法等がある。上記のマスクパターンの露光後、フォトレジスト層１１を現像、リンス後にポスト・エキスポージャー・ベーク（ＰＥＢ）処理して、所望の表面形状に応じてフォトレジスト層１１を３次元的にパターニングする。このパターニング工程が完了すると、図１（ｃ）に示すように、レジスト層１１により、露光時の光強度分布に対応した表面形状（露光量の少ない部分ほどレジスト層の層厚が厚い形状）が形成される。次に、エッチング工程を行い、所望のレジスト表面形状を形成されたレジスト層１１と基板１０に対して所定の選択比の異方性ドライエッチングを行って、レジスト層１１の表面形状を基板１０の表面形状として彫り移して転写することにより、図１（ｄ）に示すような３次元構造の表面形状が基板表面に形成される。ここで図１の例は、基板表面に球面または非球面からなる凸の曲面形状１２を形成した例であり、基板１０として透明なガラス基板や樹脂基板からなる光学基板を用いて上記曲面を屈折面とすることによりマイクロレンズ等の光学素子１３として利用することができ、この曲面形状を複数個、１次元あるいは２次元のアレイ配列に形成することによりマイクロレンズアレイを形成することができる。【００１６】～【００１９】参照。 【図１】 ［図：0001425296000008.jpg］ ） （イ）相違点２について 引用発明において、前記Ｙ方向マスク領域のＸ方向の長さは、正方形状のマスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）に等しく、マスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）Ｐは、このフォトマスク１０が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されている（ｆ参照）ところ、マスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）Ｐの等倍体換算での具体的な寸法は不明であるが、例えば、引用文献１の段落【００４７】に、露光装置は、ｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）ステッパを用い、縮小投影倍率を５倍とした場合の図１（Ｂ）におけるマスクセル４０の一辺の長さ、すなわち、マスクピッチＰを４００ｎｍとすることが記載されており、これを等倍体換算すれば、マスクピッチＰは５分の１の８０ｎｍとなる。したがって、相違点２に係るストライプ領域のＹ軸方向の長さは、引用文献１にも記載されているようにマスクセル４０の一辺の長さ（マスクピッチ）として引用発明が想定している値にすぎないものであり、引用発明において、相違点２に係る本件補正発明４の構成とすることは、当業者が適宜設定し得る設計事項にすぎない。 また、ここまでの説示は、相違点２に係る本件補正発明４の「前記ストライプ領域の前記Ｙ軸方向の長さが、等倍体換算で５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり」との特定事項を投影系の倍率も考慮して検討したものであるが、この特定事項は、フォトマスク自体の構成ではないから、相違点２は本件補正発明４と引用発明の実質的な相違点ではないともいえる。 したがって、相違点２は実質的な相違点ではないか、又は、引用発明において、相違点２に係る本件補正発明４の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 （ウ）相違点３について 引用発明において、目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する方向は特定されていないものの、引用発明を例えば前記（ア）で検討したレンズとして一般的な形状である、Ｙ方向にも膜厚が変化する形状に適用することに格別の困難性はなく、Ｙ方向に膜厚が変化する形状に適用すれば、前記ウ（エ）の前記Ｙ方向マスク領域において、前記複数矩形集合を構成する異なる光強度に対応する複数の前記同一光強度矩形がＹ方向に連続的に配置されること、すなわち、膜厚の変化に対応してＹ方向に遮光領域４２のＸ方向の幅が異なるマスクセルが配置されることとなることは、技術的にみて明らかである。なお、このことは、引用発明の「レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル４０が連続して設定されることがあり、各マスクセル４０について、仮想二分線４８に対して、同じ側に光透過領域４４が設定される構成にすると、Ｙ方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル４０については、遮光領域は、一つの矩形として構成され」るとの構成からみて、引用発明ではＹ方向に同一の光強度のマスクセルが設けられないこと（目標とされるレジストパターンの形状によってはそのようになることは当業者には明らかである。）も想定されているといえるし、引用発明を開示する引用文献１の図１（Ａ）において、左列と中央列のＹ方向に延びる遮光膜３０が階段状に図示されていることからみて、引用文献１に示唆されていることでもあるといえる。 そうすると、引用発明をＹ方向に膜厚が変化する形状に適用して、相違点３に係る本件補正発明４の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 （エ）請求人の主張について 請求人は、審判請求書において、 ａ 引用文献１に記載されたフォトマスクは、シリコンベンチ製造に用いられることを前提としており、一方、引用文献２～４には、シリコンベンチについて記載も示唆もされておらず、周知技術の認定にあたって、引用文献１の具体的な記載（シリコンベンチ）から離れて、抽象化されることは、妥当ではなく、また、仮に、周知技術の認定が妥当であると判断される場合であっても、それは、いわゆる想到性に関する判断であり、相違点に係る技術的構成に到達することが容易であるか否という判断構造（いわゆる容易性に関する判断構造）を省略して、容易であるとの結論を導くことは、妥当ではない旨、 ｂ 引用文献１には、本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応しつつ、前記Ｘ軸方向に沿って変化している」との発明特定事項について記載も示唆もされておらず、また、引用文献１の図１のうち、左側に、一見すると、前記発明特定事項により特定されるパターンと似たパターンが記載されているが、引用文献１には、（ｉ）当該パターンについて何ら説明されておらず、技術的意義を理解できないこと、（ｉｉ）当該パターンを構成する複数のマスクセルが、引用文献１の［００２８］に記載された「同一の光強度のマスクセル」に該当しないことは明らかであること、（ｉｉｉ）当該パターンが、遮光部の幅を任意に採用できることを概念的に示したものである可能性があること、から前記発明特定事項を開示ないし示唆するものには該当しない旨、 を主張する。 請求人の主張について検討する。 まず、前記ａの請求人の主張について検討すると、引用文献１において、引用発明の根拠となる「第１の実施形態：フォトマスク」に関する記載（【００２３】～【００４５】）並びにこれに対応する請求項１及び２には、その用途が何ら記載されておらず、「第２の実施形態：フォトマスクを用いたシリコンベンチの製造方法 その１」に関する記載【００４６】～【００５７】及び「第３の実施形態：フォトマスクを用いたシリコンベンチの製造方法 その２」に関する記載（【００５８】～【００６８】）並びに請求項３及び４においてシリコンベンチが記載されていることからすれば、引用発明のフォトマスク１０はその用途を何ら特定されるものではないと解するのが相当である。したがって、引用発明がシリコンベンチ製造に用いられることを前提とする請求人の主張は採用できない。そして、引用発明に周知技術を適用することにより、相違点１に係る本件補正発明４の構成とすることが当業者が容易に想到し得たことであることは、前記（ア）で説示したとおりである。 また、前記ｂの請求人の主張について検討すると、本件補正発明４の「前記ストライプ領域において、前記矩形パターン集合内の位置をＰとし、前記Ｐにおける前記矩形パターン集合の前記Ｙ軸方向の長さをＬＰとした場合に、前記ＬＰが前記Ｐにおける前記三次元形状の高さに対応し」との特定事項は、前記ウ（キ）ａで検討したとおり、引用発明も備えている。 そして、本件補正発明４の「前記ＬＰが」「Ｘ軸方向に沿って変化している」との特定事項は、前記エ（ウ）で検討したとおり、当業者が容易に想到し得たことである。 したがって、請求人の主張は採用できない。 オ 独立特許要件についての当審の判断のまとめ 以上のとおり、本件補正発明４は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 （３）本件補正についてのむすび したがって、本件補正は、特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下、「本願発明４」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項４（前記第２の１（１）参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明４についての理由（進歩性の欠如）は、次の内容を含むものである。 （進歩性）本願発明４は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に例示される周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２００８－８９８１８号公報 ２．特開２０１７－１４２３５７号公報（周知技術を示す文献） ３．特表２０１８－５０８８３５号公報（周知技術を示す文献） ４．特開２００１－２５５６６０号公報（周知技術を示す文献） ３ 引用文献の記載及び引用発明 特開２００８－８９８１８号公報（引用文献１）の記載及びこれに記載された発明（引用発明）は、前記第２の２（２）イにおいて示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明４は、本件補正発明４の「前記ＬＰ」について、「前記Ｘ軸方向に沿って変化している」との限定事項を削除したものである。 そして、本願発明４の発明特定事項をすべて含む本件補正発明４が、前記第２の２（２）において説示したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件補正発明４から前記限定事項を削除した本願発明４も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明４は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。