2022-005136

特願２０１７－１７４２７１「電子部品搭載基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月２２日出願公開、特開２０１８－１８６２５８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２９年 ９月１１日（優先権主張 平成２９年 ３月２８日 平成２９年 ５月１６日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ３年 ６月 ２日付け：拒絶理由通知書 令和 ３年 ８月 ３日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ３年１２月２８日付け：拒絶査定 令和 ４年 ４月 ６日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和 ４年 ４月 ６日付けの手続補正についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 令和 ４年 ４月 ６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） 本件補正は、令和 ３年 ８月 ３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～２２を、本件補正による特許請求の範囲の請求項１～２０に補正するものであるところ、本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１７を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１５に変更する補正事項を含むものである。 （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１５の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。） 「【請求項１５】 第１面と、第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、 前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を形成する工程と、 前記貫通電極の内部に、有機材料を含有する有機層を形成する工程と、 前記第１面上に第１導電層を形成する工程と、 前記第１面上に電極が露出するように電子部品を搭載する工程と、 前記第１導電層および前記電子部品に対して絶縁性を有し、前記有機材料を含有する絶縁層を前記有機層に接するように少なくとも部分的に形成する工程と、 前記絶縁層に対して前記第１導電層および前記電子部品の前記電極に電気的に接続された第２導電層を少なくとも部分的に形成する工程と、を備え、 前記絶縁層の誘電正接は、０より大きく０．０１より小さく、 前記基板は、ガラスを含有する、電子部品搭載基板の製造方法。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和 ３年 ８月 ３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１７の記載は次のとおりである。 「【請求項１７】 第１面と、第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、 前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を形成する工程と、 前記貫通電極の内部に、有機材料を含有する有機層を形成する工程と、 前記第１面上に第１導電層を形成する工程と、 前記第１面上に電極が露出するように電子部品を搭載する工程と、 前記第１導電層および前記電子部品に対して絶縁性を有し、前記有機材料を含有する絶縁層を前記有機層に接するように少なくとも部分的に形成する工程と、 前記絶縁層に対して前記第１導電層および前記電子部品の前記電極に電気的に接続された第２導電層を少なくとも部分的に形成する工程と、を備える、電子部品搭載基板の製造方法。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１７に記載された発明を特定するために必要な事項である「絶縁層」及び「基板」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１７に記載された発明と補正後の請求項１５に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１５に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に示した事項により特定されるとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ （ア）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１０／１３４５１１号（２０１０年１１月２５日国際公開。以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「[0001]・・・。 本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に、半導体素子を配線基板に内蔵した半導体装置及びその製造方法に関する。」 「[0020] また、本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、図１２から図１８に示すように、第１面の表面と第１面の反対面である第２面の表面とにコア配線１２が設けられ、さらに第１面と第２面とのコア配線１２とを接続する貫通ビア１３が設けられたコア基板１１を用いる（図１２（ａ）等参照）。このコア基板１１の第１面に、電極端子１４ａ形成面を表にして半導体素子１４を搭載する工程（図１２（ｂ））と、第１面に半導体素子１４を覆う第１絶縁層を形成する工程（図１２（ｃ））と、第１絶縁層の表面に第１配線層１９ａを形成し、半導体素子１４の電極端子１４ａと接続部１５を介して接続された配線と、第１面に設けられたコア配線１２とビア１７を介して接続された配線と、を第１配線層１９ａに形成する第１配線形成工程（図１３（ａ））と、第２面に第２絶縁層１８－２を形成する工程と、第２絶縁層１８－２の表面に第２配線層２２を形成し、第２面に設けられたコア配線１２とビア２０を介して接続された配線を第２配線層に形成する第２配線形成工程（図１３（ｂ））と、を備えた半導体装置１０の製造方法であって、第１絶縁層１６を形成する工程及び前記第１配線（１９ａ、図１７の２１）の形成工程は、第２絶縁層１８－２を形成する工程及び第２配線（１９ｃ、１９ｄ、２２）形成工程とは、別工程で実施される。」 「[0036] コア基板１１は、例えば、樹脂基板、シリコン、セラミック、ガラス、ガラス－エポキシ複合体等を用いる。特に、コスト、反り制御の観点から有機系の樹脂基板やガラス－エポキシ複合体等が望ましい。本実施形態では、コア基板１１は、剛性のあるガラス－エポキシ複合体を用いた。・・・。」 「[0039] 内蔵層１６、絶縁層Ａ（１８－１）、絶縁層Ｂ（１８－２）は、例えば、感光性又は非感光性の有機材料で形成されており、・・・。」 「図１２ ［図：0001396011000001.jpg］ 」 「【図１３】 ［図：0001396011000002.jpg］ 」 ここで、[0020]、図１２（ｂ）を参照すると、「半導体素子１４を搭載する工程」では、半導体素子１４の電極端子１４ａがコア基板１１上において露出していることは明らかといえる。 （イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されている。 ａ 半導体素子を配線基板に内蔵した半導体装置及びその製造方法に関すること（[0001]）。 ｂ 第１面の表面と第１面の反対面である第２面の表面とにコア配線１２が設けられ、さらに第１面と第２面とのコア配線１２とを接続する貫通ビア１３が設けられたコア基板１１を準備する工程を備えること（[0020]、図１２（ａ））。 ｃ コア基板１１の第１面に、電極端子１４ａ形成面を表にして電極端子１４ａがコア基板１１上において露出するように半導体素子１４を搭載する工程を備えること（[0020]、図１２（ｂ））。 ｄ 第１面に半導体素子１４を覆う第１絶縁層１６を形成する工程を備えること（[0020]、図１２（ｃ））。 ｅ 第１絶縁層の表面に第１配線層１９ａを形成し、半導体素子１４の電極端子１４ａと接続部１５を介して接続された配線と、第１面に設けられたコア配線１２とビア１７を介して接続された配線と、を第１配線層１９ａに形成する第１配線形成工程を備えること（[0020]、図１３（ａ））。 ｆ コア基板１１に、ガラス－エポキシ複合体を用いること（[0036]）。 ｇ 上記（ア）[0020]に記載された第１絶縁層１６と[0039]に記載された内蔵層１６とは、同一の番号が付されていることから、両者は同じ層を示していると認められるところ、第１絶縁層１６を有機材料で形成すること（[0020]、[0039]）。 （ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「半導体素子を配線基板に内蔵した半導体装置の製造方法において、 第１面の表面と第１面の反対面である第２面の表面とにコア配線１２が設けられ、さらに第１面と第２面とのコア配線１２とを接続する貫通ビア１３が設けられたコア基板１１を準備する工程と、 コア基板１１の第１面に、電極端子１４ａ形成面を表にして電極端子１４ａがコア基板１１上において露出するように半導体素子１４を搭載する工程と、 第１面に半導体素子１４を覆う第１絶縁層１６を形成する工程と、 第１絶縁層の表面に第１配線層１９ａを形成し、半導体素子１４の電極端子１４ａと接続部１５を介して接続された配線と、第１面に設けられたコア配線１２とビア１７を介して接続された配線と、を第１配線層１９ａに形成する第１配線形成工程と を備え、 コア基板１１に、ガラス－エポキシ複合体を用い、 第１絶縁層１６を有機材料で形成する、半導体素子を配線基板に内蔵した半導体装置の製造方法。」 イ 引用文献４ （ア）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１２－１５６３６８号公報（平成２４年 ８月１６日出願公開。以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「【００１３】 図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がフリップチップ実装された配線基板３と、電子部品２および配線基板３に接続された導体バンプ４と、を含んでいる。 【００１４】 電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子として機能するものであり、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成することができる。・・・」 「【００１６】 配線基板３は、コア基板５と、該コア基板５の上下に形成された一対の配線層６と、を含んでいる。この配線基板３は、一主面に電子部品２が実装され、他主面がマザーボード（図示せず）に実装される。 【００１７】 コア基板５は、配線基板３の強度を高めるものであり、基体７と、該基体７を厚み方向に貫通するスルーホールＴに形成された筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８の内部に配された柱状の絶縁体９と、を含んでいる。」 「【００２５】 絶縁体９は、後述するビア導体１４の支持面を形成するものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。 【００２６】 一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、基体７上に積層された複数の絶縁層１２と、基体７上または絶縁層１２上に形成された導電層１３と、絶縁層１２を厚み方向に貫通するビア孔Ｖに形成され、導電層１３に接続されたビア導体１４と、を含んでいる。 【００２７】 絶縁層１２は、導電層１３を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１３同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料と、該樹脂材料により被覆された、酸化ケイ素等の粒子からなる無機絶縁フィラーとを含んでいる。」 「【００３０】 ここで、便宜上、絶縁層１２の内、基体７の電子部品２側の主面に配された絶縁層１２を第１絶縁層１２ａとし、基体７のマザーボード側の主面に配された絶縁層１２を第２絶縁層１２ｂとする。・・・ 【００３１】 また、導電層１３の内、基体７の第１絶縁層１２ａ側の主面に配された導電層１３を第１導電層１３ａとし、基体７の第２絶縁層１２ｂ側の主面に配された導電層１３を第２導電層１３ｂとし、第２絶縁層１２ｂの第２導電層１３ｂと反対側の主面に配された導電層１３を第３導電層１３ｃとする。なお、上述したスルーホールＴは、第２導電層１３ｂから第１導電層１３ａに向かって幅狭なテーパー状となっている。」 「【００５０】 次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図２から図３に基づいて説明する。」 「【００５２】 まず、図２（ａ）に示すように、例えば未硬化樹脂を含む前駆体シートを複数積層するとともに最外層に金属箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、金属箔からなる第１導電材料層１３ａｘおよび第２導電材料層１３ｂｘが上下に形成された基体７を作製する。次に、図２（ｂ）に示すように、第２導電材料層１３ｂｘにレーザ光を照射し（照射方向Ｌ）、第２導電材料層１３ｂｘ側から第１導電層１３ａｘ側に向かって基体７を貫通するスルーホールＴを形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、無電解めっき法、電解めっき法、スパッタリング法または蒸着法またはＣＶＤ法等を用いて、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させることによって、スルーホール導体８を形成する。次に、エッチング法およびフォトリソグラフィ技術を用いて、第１導電材料層１３ａｘをパターニングして第１導電層１３ａを形成し、第２導電材料層１３ｂｘをパターニングして第２導電層１３ｂを形成する。次に、スルーホール導体８に取り囲まれた領域に樹脂材料を充填して絶縁体９を形成する。」 「【００６２】 まず、図３（ａ）に示すように、未硬化の樹脂をコア基板５上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、コア基板５上に絶縁層１２を形成する。・・・」 「図１ ［図：0001396011000003.jpg］ 」 「図２ ［図：0001396011000004.jpg］ 」 「図３ ［図：0001396011000005.jpg］ 」 図３（ａ）から、コア基板５上に、絶縁層１２ａが形成されていることが見てとれる。 （イ）上記（ア）の【００５２】の「第１導電材料層１３ａｘをパターニングして第１導電層１３ａを形成し、・・・。次に、スルーホール導体８に取り囲まれた領域に樹脂材料を充填して絶縁体９を形成する。」との記載、及び【００６２】の「図３（ａ）に示すように、未硬化の樹脂をコア基板５上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、コア基板５上に絶縁層１２を形成する」との記載、並びに図２（ｃ）、図３（ａ）から、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。 第１導電層１３ａは、スルーホールＴが形成される部分において開口を有しており、当該開口部分を介して、第１絶縁層１２ａは絶縁体９と接していること。 （ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献４には、次の技術が記載されていると認められる。 「電子部品２と、電子部品２がフリップチップ実装された配線基板３と、を含む実装構造体１の製造方法であって、 コア基板５を準備する工程と、コア基板５の両側に一対の配線層６を形成する工程を含み、 コア基板５を準備する工程は、 第１導電材料層１３ａｘおよび第２導電材料層１３ｂｘが上下に形成された基体７を作製し、基体７を貫通するスルーホールＴを形成し、スルーホール導体８を形成し、第１導電材料層１３ａｘをパターニングして第１導電層１３ａを形成し、第２導電材料層１３ｂｘをパターニングして第２導電層１３ｂを形成し、スルーホール導体８に取り囲まれた領域に樹脂材料を充填して絶縁体９を形成することで、コア基板５を作製し、 一対の配線層６を形成する工程は、 未硬化の樹脂をコア基板５上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、コア基板５上に絶縁層１２を形成する工程を含み、 電子部品２は、半導体素子として機能し、 絶縁体９は、エポキシ樹脂材料により形成することができ、 絶縁層１２は、エポキシ樹脂を含んでおり、 第１導電層１３ａは、スルーホールＴが形成される部分において開口を有しており、当該開口部分を介して、第１絶縁層１２ａは絶縁体９と接している、 実装構造体１の製造方法。」 ウ 引用文献Ａ （ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００１－１５９２０号公報（平成１３年 １月１９日出願公開。以下「引用文献Ａ」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「【０００５】 【発明が解決しようとする課題】・・・。図１９及び図２０は、コアの配線基板に多層配線構造の基板を用いた従来例である。・・・。図１９に示すように、内部に多層の内部配線パターン２０３が形成された配線基板２００には、両面に第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５が形成されている。第１及び第２の配線パターン間は貫通孔２０２内に形成された導電路（接続配線）２０８により電気的に接続されている。接続配線２０８は、Ｃｕメッキなどにより形成される。 【０００６】そして貫通孔２０２にはこの内部の空間を埋めるようにエポキシ樹脂などからなる絶縁プラグ２０６が充填されている。第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５の上には層間絶縁膜２０７、２０９が形成され、その上にはそれぞれ第３の配線パターン２０１及び第４の配線パターン２１０が形成されている。・・・。」 「図１９ ［図：0001396011000006.jpg］ 」 「図２０ ［図：0001396011000007.jpg］ 」 図１９、図２０から、第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５は、配線基板２００上において開口部を有していることが見てとれ、図１９から、当該開口部を介して、第１の配線パターン２０４の上に形成された層間絶縁膜２０７と、貫通孔２０２に充填されたエポキシ樹脂などからなる絶縁プラグ２０６は、互いに接していることが見てとれる。 （イ）上記（ア）から、引用文献Ａには、次の技術が記載されていると認められる。 「多層配線構造の基板について、 配線基板２００には、両面に第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５が形成され、第１及び第２の配線パターン間は貫通孔２０２内に形成された導電路（接続配線）２０８により電気的に接続され、 貫通孔２０２にはこの内部の空間を埋めるようにエポキシ樹脂などからなる絶縁プラグ２０６が充填され、第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５の上には層間絶縁膜２０７、２０９が形成され、 第１の配線パターン２０４及び第２の配線パターン２０５は、配線基板２００上において開口部を有しており、当該開口部を介して、第１の配線パターン２０４の上に形成された層間絶縁膜２０７と、貫通孔２０２に充填されたエポキシ樹脂などからなる絶縁プラグ２０６は、互いに接している多層配線構造の基板。」 エ 引用文献Ｂ （ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１１－７１５５７号公報（平成２３年 ４月 ７日出願公開。以下「引用文献Ｂ」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「【０００１】 本発明は、誘電率が低く、剛性等の機械的特性に優れるシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板に関する。」 「【００１０】 本発明は、このような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、誘電率や誘電正接が小さく、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合にも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、また、剛性等の機械的特性にも優れるため、導体回路同士の接続の信頼性が高い層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板を提供することにある。」 「【００１８】 このような本発明の多層プリント配線板によれば、上記層間樹脂絶縁層がシクロオレフィン系樹脂により構成されているので、エポキシ樹脂等からなる層間樹脂絶縁層と比べて誘電率や誘電正接が大きく低下し、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。」 「【００２１】 上記シクロオレフィン系樹脂の種類は特に限定されるものではないが、１ＧＨｚにおける誘電率は、３．０以下であり、誘電正接は、０．０１以下であることが望ましい。」 「【００２７】」 次に、このようなシクロオレフィン系樹脂を用いた多層プリント配線板の製造方法について説明する。 【００２８】 （１）まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線基板を作製する。 ・・・。 【００２９】 通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホールを形成する。・・・。 この後、スルーホール内壁等に粗化処理を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その表面を覆う導電層を無電解めっきもしくは電気めっきにて形成してもよい。 「【００３１】 （３）次に、上記（２）で作製した下層導体回路を有する配線基板の両面に、上記シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成する。 ・・・。」 「【実施例】 【００４２】 （実施例１） （１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド－トリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路）４を形成した。」 「【００４４】 （３）シクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填剤１０を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路４間またはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填剤１０が下層導体回路４の間あるいはスルーホール９内に充填される（図１（ｃ）参照）。」 「【００４８】 （６）次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０～１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ２で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層２を設けた（図２（ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇであった。」 「図１ ［図：0001396011000008.jpg］ 」 「図２ ［図：0001396011000009.jpg］ 」 ここで、図１（ｂ）から、スルーホール９の上部及び下部には開口が設けられていることが見てとれる。 （イ）上記（ア）の【００４３】、【００４４】、【００４８】、図１（ｂ）～図２（ｂ）から、引用文献Ｂには、樹脂充填剤１０と層間樹脂絶縁層２は接していることが記載されているといえる。 （ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献Ｂには、次の技術が記載されていると認められる。 「多層プリント配線板の製造方法において、 ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合にも信号遅延や信号エラーが発生しにくくするために、 ガラスエポキシ樹脂からなる基板１に無電解銅めっき処理を施してスルーホール９を形成し、 シクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填剤１０をスルーホール９内に充填し、 基板の両面にシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層２を設け、 スルーホール９の上部及び下部には開口を設け、 当該開口を介して樹脂充填剤１０と層間樹脂絶縁層２は接しているものとし、 層間樹脂絶縁層をシクロオレフィン系樹脂により構成し、１ＧＨｚにおける誘電正接を０．０１以下とする多層プリント配線板の製造方法。」 オ 引用文献Ｃ （ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１６／１２９６５５号（２０１６年 ８月１８日国際公開。以下「引用文献Ｃ」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「【０００１】 本発明は、層間絶縁用樹脂フィルム、接着補助層付き層間絶縁用樹脂フィルム、及びプリント配線板に関する。」 「【０００４】 一方で、コンピュータ、情報通信機器は近年ますます高性能化及び高機能化し、大量のデータを高速で処理するために、扱う信号が高周波化する傾向にある。特に携帯電話及び衛星放送に使用される電波の周波数領域はＧＨｚ帯の高周波領域のものが使用されており、高周波数化による伝送損失を抑制するため、高周波領域で使用する有機材料には、比誘電率及び誘電正接が低い材料が望まれていた。」 「【０００６】 本発明は、このような状況に鑑みなされたものであり、加速環境試験後も回路基板との接着性に優れ、且つ低熱膨張性、耐熱性、及び誘電特性に優れる層間絶縁層を得ることができる層間絶縁用樹脂フィルム、接着補助層付き層間絶縁用樹脂フィルム、並びに該層間絶縁用樹脂フィルム、又は接着補助層付き層間絶縁用樹脂フィルムを用いてなるプリント配線板を提供することを目的とする。」 「【００５５】 ［層間絶縁用樹脂フィルムの作製］ 実施例１ ・・・。その後、ナノマイザー処理によって分散し、層間絶縁用樹脂フィルムを作製するためのワニス１を得た。 次に、このワニス１を、支持体であるＰＥＴフィルム（厚さ３８μｍ）上に、乾燥後の層間絶縁用樹脂フィルムの厚さが３７μｍとなるようにコンマコーターを用いて塗布した後、１０５℃で２分間乾燥した。なお、乾燥後の層間絶縁用樹脂フィルム中の揮発成分の量は６質量％であった。次いで、層間絶縁用樹脂フィルムの表面に保護フィルムとして厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取り、支持体及び保護フィルムを有する層間絶縁用樹脂フィルムを得た。 【００５６】 実施例２～５、比較例１ 実施例１において、ジシアンジアミド（関東化学株式会社製、固形分濃度０．８質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）の配合量を表１に示す配合量に変更した以外は実施例１と同様にして、層間絶縁用樹脂フィルムを作製するためのワニス２～６を得た。次に、このワニス２～６を使用して、実施例１と同様にして、支持体及び保護フィルムを有する層間絶縁用樹脂フィルムを得た。」 「【００６９】 【表１】 ［図：0001396011000010.jpg］ 」 （イ）上記（ア）の【００５５】、【００５６】には実施例１～５に関する支持体及び保護フィルムを有する層間絶縁用樹脂フィルムの作成方法が記載され、【表１】には各実施例における層間絶縁用樹脂フィルムの誘電正接が０．００７２～０．００８４であることが記載されている。 （ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献Ｃには、次の技術が記載されていると認められる。 「高周波数化による伝送損失を抑制するため、誘電正接が低いなどの誘電特性に優れる層間絶縁層を得ることができる接着補助層付き層間絶縁用樹脂フィルムを用いてなるプリント配線板であって、 層間絶縁用樹脂フィルムの誘電正接が０．００７２～０．００８４であるプリント配線板。」 カ 引用文献Ｄ （ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００６－１０４２２３号公報（平成１８年 ４月２０日出願公開。以下「引用文献Ｄ」という。）には、次の記載がある（下線は当審で付した。）。 「【０００１】 本発明は、樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板に関する。」 「【０００３】 これに対して、環状オレフィン系樹脂であるポリノルボルネンは、３００℃前後のガラス転移温度を有する高耐熱性樹脂であり、かつＧＨｚ帯の周波数領域において、誘電率が２．２～２．８、誘電正接が０．００１～０．００６であり、優れた誘電特性を示す（例えば、非特許文献１参照）。そのため、高周波数対応の多層配線板用の絶縁樹脂として期待されている。」 「【００４９】 この様にして得られた樹脂層３は、加工性と誘電特性に優れており、例えば０．５μｍ以下の表面凹凸の高低差、１０ＧＨｚにおいて３．０以下の誘電率、０．００６以下の誘電正接を達成することができる。 【００５０】 次に、回路基板について説明する。 図２は、本発明の回路基板の一例を示す断面図である。 図２に示すように、回路基板１０は、コア基板５と、コア基板５の両面に設けられた樹脂層３とで構成されている。 ・・・。」 「図２ ［図：0001396011000011.jpg］ 」 （イ）上記（ア）から、引用文献Ｄには、次の技術が記載されていると認められる。 「コア基板５と、コア基板５の両面に設けられた樹脂層３とで構成される回路基板であって、 樹脂層３は、１０ＧＨｚにおいて０．００６以下の誘電正接を有する回路基板。」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明は、「第１面の表面と第１面の反対面である第２面の表面とにコア配線１２が設けられ、さらに第１面と第２面とのコア配線１２とを接続する貫通ビア１３が設けられたコア基板１１を準備する」ことから、コア基板１１を準備する工程、コア基板１１に貫通ビアを設けるための貫通孔を設ける工程、コア基板１１にコア配線１２を設ける工程、コア基板１１の貫通孔に貫通ビア１３を設ける工程、をそれぞれ備える。 また、引用発明の「コア配線１２」及び「貫通ビア１３」は、それぞれ本件補正発明の「第１導電層」及び「貫通電極」に相当する。 さらに、引用発明の「コア基板１１」は「ガラス－エポキシ複合体」を用いていることから、本件補正発明の「基板」に相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明とは、「第１面と、第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程」、「前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を形成する工程」及び「前記第１面上に第１導電層を形成する工程」を備える点、「前記基板は、ガラスを含有する」点で一致する。 （イ）引用発明は、「コア基板１１の第１面に、電極端子１４ａ形成面を表にして電極端子１４ａがコア基板１１上において露出するように半導体素子１４を搭載する工程」を備える。 ここで、引用発明の「半導体素子１４」及び「電極端子１４ａ」は、本件補正発明の「電子部品」及び「電極」にそれぞれ相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記第１面上に電極が露出するように電子部品を搭載する工程」を備える点で一致する。 （ウ）引用発明は、「第１面に半導体素子１４を覆う第１絶縁層１６を形成する工程」を備え、「第１絶縁層１６に有機材料を用いる」ものである。 また、引用発明の「第１絶縁層１６」は、本件補正発明の絶縁性を有する「絶縁層」に相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記第１導電層および前記電子部品に対して絶縁性を有し、有機材料を含有する絶縁層を少なくとも部分的に形成する工程」を備える点で一致する。 （エ）引用発明は、「第１絶縁層の表面に第１配線層１９ａを形成し、半導体素子１４の電極端子１４ａと接続部１５を介して接続された配線と、第１面に設けられたコア配線１２とビア１７を介して接続された配線と、を第１配線層１９ａに形成する第１配線形成工程」を備えるものである。 また、引用発明の「コア配線１２」、「半導体素子１４」及び「第１配線層１９ａ」は、本件補正発明の「第１導電層」、「電子部品」及び「第２導電層」に相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記絶縁層に対して前記第１導電層および前記電子部品の前記電極に電気的に接続された第２導電層を少なくとも部分的に形成する工程」を備える点で一致する。 （オ）以上の（ア）～（エ）によれば、本件補正発明と引用発明とは、「電子部品搭載基板の製造方法」である点で共通するといえる。 イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「第１面と、第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、 前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を形成する工程と、 前記第１面上に第１導電層を形成する工程と、 前記第１面上に電極が露出するように電子部品を搭載する工程と、 前記第１導電層および前記電子部品に対して絶縁性を有し、有機材料を含有する絶縁層を少なくとも部分的に形成する工程と、 前記絶縁層に対して前記第１導電層および前記電子部品の前記電極に電気的に接続された第２導電層を少なくとも部分的に形成する工程と、を備え、 前記基板は、ガラスを含有する、電子部品搭載基板の製造方法。」 【相違点１】 本件補正発明は、「前記貫通電極の内部に、有機材料を含有する有機層を形成する工程」を備え、絶縁層を形成する工程において「前記有機材料を含有する絶縁層を前記有機層に接するように」絶縁層を形成するのに対し、引用発明では、本件補正発明の「前記貫通電極の内部に、有機材料を含有する有機層を形成する工程」に相当する構成を備えておらず、絶縁層を形成する工程において、「前記有機材料を含有する絶縁層を前記有機層に接するように」形成していない点。 【相違点２】 本件補正発明では、「前記絶縁層の誘電正接は、０より大きく０．０１より小さく」なるのに対し、引用発明では、第１絶縁層１６の誘電正接の値が特定されていない点。 （４）判断 以下、相違点について検討する。 ア 相違点１について 引用文献４、Ａ～Ｂには、上記（２）イ～エのとおり、基板上に形成された絶縁層及び貫通孔（スルーホール）を備える基板、又はその製造方法において、貫通孔内に形成される導電体の内部に樹脂を充填することや、充填された樹脂と絶縁層が接する技術が記載されている。 また、引用文献４、Ｂには、上記（２）イ、エのとおり、貫通孔内に形成される導電体の内部に充填された樹脂が、基板上に形成された絶縁層に用いられる樹脂と同じ樹脂材料を含有する技術が記載されている。 そうすると、上記技術を備えることは本願の優先日前において周知技術であるといえる。 そして、引用文献４、Ａ～Ｂの「貫通孔内に形成される導電体の内部に樹脂を充填すること」は、本件補正発明の「前記貫通電極の内部に、有機材料を含有する有機層を形成する工程」に相当する。また、引用文献４、Ａ～Ｂの「充填された樹脂と基板上に形成される絶縁層（膜）が接する」技術は、本件補正発明の「絶縁層を有機層に接するように形成する」ことに相当する。さらに、引用文献４、Ｂの絶縁層は「貫通孔内に形成される導電体の内部に充填された樹脂を含有する」ことから、本件補正発明の「前記有機材料を含有する絶縁層」に相当する。 ここで、引用発明と引用文献４、Ａ～Ｂに記載された技術は、基板上に形成された絶縁層を有する回路基板である点で技術分野の関連性を有していることから、引用発明のコア配線１２、貫通ビア１３及び第１絶縁層１６に代えて引用文献４、Ａ～Ｂに記載された上記周知技術を採用して、相違点１に係る本件補正発明の構成あるいは工程を備えるようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。 イ 相違点２について 引用文献Ｂ～Ｄには、絶縁層を有する回路基板において、絶縁層の誘電正接を「０．０１以下」、「０．００７２～０．００８４」及び「０．００６以下」とする技術が記載されている。また、引用文献Ｂ～Ｄに記載された絶縁層を構成する材料の誘電正接が０以上となることは自明といえる。そうすると、当該技術分野において誘電正接を「０より大きく０．０１より小さく」する技術は本願の優先日前において周知技術である。 ここで、引用発明と引用文献Ｂ～Ｄに記載された技術は、絶縁層を有する回路基板である点で技術分野の関連性を有していることから、引用発明に引用文献Ｂ～Ｄに記載された周知技術を適用して、第１絶縁層１６の誘電正接を「０より大きく０．０１より小さく」することは当業者であれば容易に想到し得ることである。 ウ そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献４、Ａ～Ｄに記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 エ したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献４、Ａ～Ｄに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和 ４年 ４月 ６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１～２２に係る発明は、令和 ３年 ８月 ３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～２２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１７に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１７に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献４に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１．国際公開第２０１０／１３４５１１号 引用文献４．特開２０１２－１５６３６８号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、４及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）、ア、イに記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記絶縁層の誘電正接は、０より大きく０．０１より小さく」及び「前記基板は、ガラスを含有する」に係る限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献４、Ａ～Ｄに記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、引用文献Ａ～Ｄは、引用文献４に記載されている技術、あるいは本件補正発明において限定された事項である「絶縁層の誘電正接は、０より大きく０．０１より小さく」する技術が本願の優先日前において周知技術であることを示すために引用された文献であり、本願発明の拒絶の理由を判断する際には必ずしも明示される必要がない文献といえることから、本願発明は、引用発明及び引用文献４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到することができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。