2021-016191

第２ 令和３年１１月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和３年１１月２６日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１ 本件補正について

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正により、特許請求の範囲の請求項１０の記載は、次のとおり補正された（当審注：下線部は補正箇所である。）。

「【請求項１０】

回路構造であって、

半導体基板と、

前記半導体基板上の多数のトランジスタと、

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前記半導体基板に結合された第１の誘電体層と、

前記第１の誘電体層に結合された導電構造と、ここにおいて、前記導電構造は、第１の回路層と前記第１の回路層に結合された第２の回路層とを備える、

前記第１及び第２の回路層の間の第２の誘電体層と、

前記導電構造に結合され、前記第１及び第２の誘電体層に結合された絶縁層と、ここにおいて、前記絶縁層は、窒化物層を備え、ここにおいて、前記絶縁層中の第１の開口は、前記導電構造の接触ポイントを露出する、

前記接触ポイント上の、前記絶縁層に結合された第１の導電層と、ここにおいて、前記第１の導電層は、前記第１の開口を通して前記接触ポイントに接続され、ここにおいて、前記第１の導電層は、２マイクロメータと３０マイクロメータの間の厚さを有し、前記接触ポイントに結合され、前記絶縁層に結合される、

前記第１の導電層上の第１の導電柱体と、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層と接触し、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層を通して前記接触ポイントに接続される、

前記第１の導電層上の、前記絶縁層に結合された第１の重合物材と、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の側壁に接触し、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の第２の表面と同じ水平レベルにおける第１の表面を有する、

前記第１の重合物材上の第２の重合物材と、ここにおいて、前記第２の重合物材中の開口は、前記第１の導電柱体の前記第２の表面を露出する、

前記第２の表面に結合された、前記第２の重合物材の前記開口周辺の表面上、および前記開口内側壁上の第２の導電層と、ここにおいて、前記第２の導電層は、４００Åと７０００Åの間の厚さを有し、ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される、

を備える、回路構造。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載

本件補正前の、令和３年１月５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１１の記載は次のとおりである。

「【請求項１１】

回路構造であって、

半導体基板と、

前記半導体基板上の多数のトランジスタと、

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前記半導体基板に結合された第１の誘電体層と、

前記第１の誘電体層に結合された導電構造と、ここにおいて、前記導電構造は、第１の回路層と前記第１の回路層に結合された第２の回路層とを備える、

前記第１及び第２の回路層の間の第２の誘電体層と、

前記導電構造に結合され、前記第１及び第２の誘電体層に結合された絶縁層と、ここにおいて、前記絶縁層は、窒化物層を備え、ここにおいて、前記絶縁層中の第１の開口は、前記導電構造の接触ポイントを露出する、

前記接触ポイント上の、前記絶縁層に結合された第１の導電層と、ここにおいて、前記第１の導電層は、前記第１の開口を通して前記接触ポイントに接続され、ここにおいて、前記第１の導電層は、２マイクロメータと３０マイクロメータの間の厚さを有し、前記接触ポイントに結合され、前記絶縁層に結合される、

前記第１の導電層上の第１の導電柱体と、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層と接触し、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層を通して前記接触ポイントに接続される、

前記第１の導電層上の、前記絶縁層に結合された第１の重合物材と、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の側壁に接触し、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の第２の表面と同じ水平レベルにおける第１の表面を有する、

前記第１の重合物材上の第２の重合物材と、ここにおいて、前記第２の重合物材中の開口は、前記第１の導電柱体の前記第２の表面を露出する、

前記第２の表面に結合された、前記第２の重合物材の前記開口周辺の表面上、および前記開口内側壁上の第２の導電層と、ここにおいて、前記第２の導電層は、１マイクロメータと１００マイクロメータの間の厚さを有し、ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される、

を備える、回路構造。」

（３）補正事項

本件補正により、本件補正前の請求項１１の「前記第２の表面に結合された、前記第２の重合物材の前記開口周辺の表面上、および前記開口内側壁上の第２の導電層と、ここにおいて、前記第２の導電層は、１マイクロメータと１００マイクロメータの間の厚さを有し、ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される」との特定事項が、本件補正後の請求項１０の「前記第２の表面に結合された、前記第２の重合物材の前記開口周辺の表面上、および前記開口内側壁上の第２の導電層と、ここにおいて、前記第２の導電層は、４００Åと７０００Åの間の厚さを有し、ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される」と補正された（以下、「補正事項１」という。）。

２ 目的要件について

特許法第１７条の２第５項の規定によれば、拒絶査定不服審判の請求と同時にする特許請求の範囲についての補正は、請求項の削除（同項第１号）、特許請求の範囲の減縮（同項第２号）、誤記の訂正（同項第３号）、明りょうでない記載の釈明（同項第４号）のいずれかを目的とするものに限るとされている。

そこで、本件補正について、以下、検討する。

（１）補正事項１について

補正事項１により、「第２の導電層」の厚さが、「１マイクロメータと１００マイクロメータの間」から、「４００Åと７０００Åの間」に変更された。

ここで、「４００Åと７０００Åの間」は、「１マイクロメータと１００マイクロメータの間」に包含されるものではないから、「１マイクロメータと１００マイクロメータの間」を「４００Åと７０００Åの間」に変更することは、減縮には該当しない。

よって、当該補正事項１は、同項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。

また、補正事項１は、明らかに請求項の削除には該当せず、更に、本件補正前の「第２の導電層」について、誤記や明りょうでない記載があったものともいえないことからすれば、補正事項１が同条同項第１、３、４号の各号のいずれを目的とするものではないことは明らかである。

（２）まとめ

よって、補正事項１を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定を満たすものではない。

３ 本件補正についてのむすび

以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。

よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３ 本願発明について

１ 本願発明

令和３年１１月２６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年１月５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～２０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。

２ 原査定の拒絶の理由

本願発明に関する原査定（令和３年７月２７日付け拒絶査定）の拒絶の理由は、この出願の請求項１１に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１～２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。

３ 引用文献、引用発明

（１）引用文献１について

ア 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１には、次の記載がある（当審注：下線は当審による。）。

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、特にチップサイズパッケージ（Chip Size Package、以下ＣＳＰと称す。）と呼ばれる、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージ技術に関するものである。」

「【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置とその製造方法について説明する。

【００１７】図１０に於いて、図番１は、通常のワイヤボンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜を図番２で示す。

【００１８】また、このコンタクトホールＣの下層には、メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ（ＭＯＳ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジスタ）、拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコンタクトしている。

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・・・

【００２１】更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポキシ樹脂またはポリイミド層等でなり、更にこの上には、絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒは、後述するようにフラット性を実現し、半田ボールの高さを一定にしている。

【００２２】また、Ａｌ電極１上には、キャップメタルとして窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５が形成されている。

【００２３】パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５を露出する開口部Ｋが形成され、ここには、配線層のメッキ電極（シード層）としてＣｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキにより形成される配線層７が形成される。

【００２４】そして、配線層７を含むチップ全面には、樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面上では省略しているが、樹脂層Ｒと配線層７、樹脂層Ｒとメタルポスト８の界面には後述するように樹脂層ＲとＣｕとの反応を防止するためのシリコン窒化膜（以下、Ｓｉ３Ｎ４膜という。）を設けても良い。

・・・

【００２６】ここで、樹脂層Ｒは、液状のアミック酸を主材料として用意され、ウエハ全面にスピンコートされ、厚さ２０～６０μｍ程度で形成される。その後、この樹脂層Ｒは、熱硬化反応により重合される。温度は、３００℃以上である。しかし、熱硬化前のアミック酸より成る樹脂は、前記温度の基で非常に活性に成り、Ｃｕと反応し、その界面を悪化させる問題がある。しかし、配線層の表面に上記Ｓｉ３Ｎ４膜を被覆することにより、このＣｕとの反応を防止することができる。ここでＳｉ３Ｎ４膜の膜厚は、１０００～３０００Å程度である。

・・・

【００２８】そして、樹脂層Ｒから露出したメタルポスト８の頭部には、後述するようにＰｄ９やメッキ形成されたＮｉ１０及びＡｕ１１を介して半田ボール１２が形成されるわけであるが、本発明では、前記メタルポスト８の頭部以外の樹脂層Ｒ表層に感光性のポリイミド層Ｐを形成している。

・・・

【００３１】そして、このポリイミド層Ｐで被覆されていないメタルポスト８の頭部に、前述したＰｄ９，Ｎｉ１０及びＡｕ１１が形成されている。」

「【００４５】続いて全面にＣｕの薄膜層６を形成する。このＣｕの薄膜層６は、後に配線層７のメッキ電極となり、例えばスパッタリングにより約１０００～２０００Å程度の膜厚で形成される。

【００４６】続いて、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ１を塗布し、配線層７に対応するホトレジスト層ＰＲ１を取り除く（以上図３参照）。

【００４７】続いて、このホトレジスト層ＰＲ１の開口部に露出するＣｕの薄膜層６をメッキ電極とし、配線層７を形成する。この配線層７は機械的強度を確保するために２～５μｍ程度に厚く形成する必要がある。ここでは、メッキ法を用いて形成したが、蒸着やスパッタリング等で形成しても良い。」

「【００５１】そして、前記ホトレジスト層ＰＲ２を介して前記メタルポスト８を被覆するようにエポキシ樹脂層Ｒを形成した後に、当該樹脂層Ｒを所定量研磨して前記メタルポスト８の頭部を露出させる（以上図７参照）。」

「【図７】

［図：0001393683000001.jpg］

」

「【図１０】

［図：0001393683000002.jpg］

」

ウ 引用文献１に記載された発明

前記イの記載事項から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「ＩＣチップと、

前記ＩＣチップの最上層のメタルであるＡｌ電極１と、

前記Ａｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜２と、

前記コンタクトホールＣの下層に形成された複数層のメタルと、

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前記コンタクトホールＣの下層に形成されたトランジスタと、

前記Ａｌ電極１上の窒化Ｔｉ膜５と、

前記窒化Ｔｉ膜５上のパッシベーション膜３と、

前記パッシベーション膜３上の絶縁樹脂層ｒと、

前記パッシベーション膜３及び前記絶縁樹脂層ｒに形成され、窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部Ｋに形成されたＣｕの薄膜層６と、

前記Ｃｕの薄膜層６上に形成された配線層７と、

前記配線層７に接触して形成されたメタルポスト８と、

前記配線層７を含むチップ全面の上に形成された樹脂層Ｒであって、前記メタルポスト８の頭部を露出する樹脂層Ｒと、

前記メタルポスト８の頭部以外の前記樹脂層Ｒ上に形成されたポリイミド層Ｐと、

前記樹脂層Ｒから露出し、前記ポリイミド層Ｐで被覆されていない前記メタルポスト８の頭部に形成された、Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２と、

を備え、

前記パッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜からなり、

前記樹脂層Ｒは、研磨されることにより前記メタルポスト８の頭部を露出したものであり、

前記Ｃｕの薄膜層６の厚さは、約１０００～２０００Åであり、

前記配線層７の厚さは、２～５μｍ程度である、

半導体装置。」

（２）引用文献２について

ア 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献２には、次の記載がある（当審注：下線は当審による。）。

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップサイズパッケージとその製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用される半田バンプの高さと径をコントロールし、チップサイズパッケージの信頼性を向上させる技術に関する。」

「【発明の実施の形態】

・・・

【００１７】続いて第２の実施の形態について図３と図４を参照しながら説明する。本実施の形態は、図５のような配線層５３を採用したものであり、前者は図１に対応し、後者は図２に対応した傾斜を有するものである。図３に於いても、最上層のメタル（Ａｌ電極）を図番１で示し、このＡｌ電極１のコンタクトホールが形成される層間絶縁膜を図番２で示す。更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポキシ樹脂またはＰＩＸ等でなる。

【００１８】続いて、このパッシベーション膜３は、Ａｌ電極１を露出する開口部１３が形成され、ここには、バリアメタルとして、Ｃｒ、Ｔｉ、ＴｉＮ等から選択されて形成される。このバリアメタル１１は、開口部１３の中およびその周辺だけに形成されても良い。そしてこの上には、配線層１０が形成される。ここでは、バリアメタル１１をメッキ電極として活用し、Ｃｕが形成されている。続いて、ポリイミド等の絶縁樹脂から成る樹脂層１２が形成され、配線層１０の端部に開口部４が形成され、この開口部４に、下からＮｉ層５、Ｃｕ層６が形成されている。このバリアメタル５、６は、開口部の中およびその周辺に延在されるようにパターニングされている。

【００１９】また、このバリアメタル５、６の上には、メタルポスト７が形成されている。このメタルポスト７は、例えば半田ボール８と親和性の良いＣｕ等から成り、例えば電解メッキで形成される。しかし蒸着、スパッタリング等で形成されても良い。

【００２０】そして半田ボール８が形成される。ここで半田ボール８は、下地のＣｕに電解メッキにより形成される。」

「【図４】

［図：0001393683000003.jpg］

」

ウ 引用文献２に記載された発明

前記イの記載事項から、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

「開口部４と、

前記開口部４の中及びその周辺に延在されるようにパターニングされるバリアメタル５、６と、

前記バリアメタル５、６上に形成されたメタルポスト７であって、前記開口部４の中及びその周辺に延在しているメタルポスト７と、

前記メタルポスト７上に形成された半田ボール８であって、前記開口部４の中及びその周辺に延在している半田ボール８と、

を備えるチップサイズパッケージ。」

（３）周知技術

ア 本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０００－１６４６２２号公報（平成１２年６月１６日出願公開）には、次の記載がある（当審注：下線は当審による。）。

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップサイズパッケージとその製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用されるメッキ用の電極に対するバリアメタルに関する。」

「【発明の実施の形態】

・・・

【００２７】続いて第２の実施の形態について図６を参照しながら説明する。本実施の形態は、図９のような配線層５３を採用したものである。図６は、２層メタルのトランジスタを示し、１０、１１がソース、ドレイン領域、１２はゲートである。また１３は、ソース電極およびその配線、１４は、ドレイン電極およびその配線である。そして２層目のメタルとしてＡｌ電極１がドレイン電極１４とコンタクトしている。

【００２８】ここでも、通常のワイヤボンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタル（ボンディングパッドとしても機能する部分）を図番１で示し、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜を図番２で示す。更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポキシ樹脂またはＰＩＸ等でなる。

【００２９】ここでＡｌ電極１上には、本発明のポイントである窒化Ｔｉ膜５が形成されている。

【００３０】続いて、このパッシベーション膜３は、窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部１５が形成され、ここには、配線層のメッキ電極としてＣｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキによる配線層１６が形成される。

【００３１】続いて、ポリイミド等の絶縁樹脂から成る樹脂層１７が形成され、配線層１６の端部に開口部１８が形成され、この開口部１８には、メタルポスト７のメッキ電極としてＣｕの薄膜層１９が形成され、この上にメタルポスト７が形成されている。またメタルポスト７の上には、下からＮｉの薄膜層２０、Ｃｕの薄膜層（またはＡｕ層）２１が形成されている。これらのメタル１９、７、２０、２１は、開口部の中およびその周辺に延在されるようにパターニングされている。

【００３２】また、Ｃｕの薄膜層（またはＡｕの薄膜層）の上には、半田ボール８が形成される。ここで半田ボール８は、下地のＣｕの薄膜層２１を電極として電解メッキにより形成される。

【００３３】続いて図６の構造について図１より簡単にその製造方法について説明する。まず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成された半導体基板（ウエーハ）を準備する。ここでは、前述したように２層メタルのＩＣで、トランジスタのソース電極１３、ドレイン電極１４が一層目のメタルとして形成され、ドレイン電極１４とコンタクトしたＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されている。」

「【図６】

［図：0001393683000004.jpg］

」

イ 本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０００－１６４７０９号公報（平成１２年６月１６日出願公開）には、次の記載がある（当審注：下線は当審による。）。

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップサイズパッケージとその製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用されるメッキ用の電極に対するバリアメタルに関する。」

「【発明の実施の形態】

・・・

【００１５】図６は、２層メタルのトランジスタを示し、１０、１１がソース、ドレイン領域、１２はゲートである。また１３は、ソース電極およびその配線、１４は、ドレイン電極およびその配線である。そして２層目のメタルとしてＡｌ電極１がドレイン電極１４とコンタクトしている。

【００１６】ここで、通常のワイヤボンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタル（ボンディングパッドとしても機能する部分）を図番１で示し、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜を図番２で示す。更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポキシ樹脂またはＰＩＸ等でなる。

続きを表示（全13行）

【００１７】ここでＡｌ電極１上には、窒化Ｔｉ膜５が形成されている。

【００１８】続いて、このパッシベーション膜３は、窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部５が形成され、ここには、配線層のメッキ電極としてＣｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキによる配線層１６が形成される。

【００１９】続いて、配線層１６を含む全面に本発明のポイントであるＳｉ3Ｎ4膜ＳＮが被覆され、ポリイミド樹脂から成る樹脂層１７が形成される。

【００２０】ポリイミド樹脂１７は、液状のイミド樹脂で用意され、ウェハ全面にスピンオンされ、厚さ２０～６０μｍ程度で形成される。その後、このイミド樹脂は、熱硬化反応により重合される。温度は、３００～４００°Ｃ程度である。しかし熱硬化前のイミド樹脂は、非常に活性でありＣｕと反応するが、配線層の表面にはＳｉ3Ｎ4膜ＳＮが被覆されているため、このＣｕとの反応を防止することができる。ここでＳｉ3Ｎ4膜の膜厚は、１０００～３０００Å程度である。また膜ＳＮは、バリア性が優れた絶縁膜で良いが、ＳｉＯ２膜は、バリア性に劣り、もしＳｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ3Ｎ4膜よりもその膜厚を厚くする必要がある。またＳｉ3Ｎ4膜は、プラズマＣＶＤ法で形成できるので、そのステップカバレージも優れ、好ましい。

【００２１】続いて、配線層１６の端部に開口部１８が形成され、この開口部１８には、メタルポスト７のメッキ電極としてＣｕの薄膜層１９が形成され、この上にＣｕから成るメタルポスト７が形成されている。またメタルポスト７の上には、下からＮｉの薄膜層２０、Ｃｕの薄膜層（または酸化も考慮しＡｕ層の場合もある）２１が形成されている。これらのメタル１９、７、２０、２１は、開口部の中およびその周辺に延在されるようにパターニングされている。

【００２２】また、Ｃｕの薄膜層２１（またはＡｕの薄膜層）の上には、半田ボール８が形成される。ここで半田ボール８は、下地のＣｕの薄膜層２１を電極として電解メッキにより形成される。

【００２３】ここでＣｕの薄膜層１９とポリイミド樹脂１７との界面は、Ｓｉ3Ｎ4膜を形成する必要はない。つまりこのＣｕの薄膜層１９を形成する時点では、ポリイミド樹脂は、熱硬化反応が終了しており、Ｃｕとの反応は殆どない。

【００２４】続いて図６の構造について図１より簡単にその製造方法について説明する。

【００２５】まず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成された半導体基板（ウエーハ）を準備する。ここでは、前述したように２層メタルのＩＣで、トランジスタのソース電極１３、ドレイン電極１４が一層目のメタルとして形成され、ドレイン電極１４とコンタクトしたＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されている。」

「【図６】

［図：0001393683000005.jpg］

」

ウ 本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００５－１３６１８７号公報（平成１７年５月２６日出願公開）には、次の記載がある（当審注：下線は当審による。）。

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、薄型化及び高速動作化が図れる半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、複数の半導体装置を順次積層する積層型半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。」

「【実施例１】

・・・

【００３０】

第１の半導体装置２は、四角形状の半導体基板６ａを有している。半導体基板６ａは、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなり、その第１の主面（ＩＣ等の回路が形成される面であり、図１では上面）側には多層配線部７ａが形成され、かつこの多層配線部７ａ上には絶縁性樹脂からなる第１の絶縁層８ａが設けられている。絶縁層は、一般に半導体装置の製造に使用される樹脂、例えば、ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂等の絶縁性の有機樹脂で形成されている。半導体基板６ａは、例えば２０μｍ程度の厚さになっている。半導体基板６ａは５～５０μｍ程度の厚さとしてもよい。絶縁層は半導体装置を製造するときの強度部材となることから、比較的厚く、例えば５０μｍ程度である。なお、絶縁層は２０～１００μｍ程度であってもよい。

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【００３１】

また、第１の絶縁層８ａを貫通し、多層配線部７ａの所定の配線に電気的に接続される柱状の銅（Ｃｕ）からなるポスト電極９ａが設けられている。ポスト電極９ａは第１の絶縁層８ａの表面に露出している。ポスト電極９ａの露出部分には突起電極１０ａが設けられている。突起電極１０ａは、例えば、半田ボール，金ボール，表面が金メッキされた銅ボール等からなるバンプ電極である。

【００３２】

半導体基板６ａの第１の主面には、各種構造のトランジスタやダイオード等の能動素子や、抵抗素子，容量素子，インダクタ層等の受動素子が必要に応じて形成されている。ポスト電極９ａの直径は１０μｍ程度であり、厚さは５０μｍである。ポスト電極９ａは直径が１０～５０μｍ程度とし、厚さが２０～１００μｍ程度としてもよい。また、突起電極１０ａは接続前の大きさで、例えば、６０μｍ程度の直径のボールで形成され、厚さは４０μｍ程度となる。突起電極１０ａは直径が４０～８０μｍ程度のボールを使用して形成してもよい。

・・・

【００５５】

図７は前記充填電極及び多層配線部等を示す一部の模式的拡大断面図である。図７に示すように、半導体基板６ａの第１の主面には、絶縁層３０と配線層（配線）３１が所定パターンで交互に積層形成されて多層配線部７ａが形成されている。そして、最上層の配線層によって電極パッド３２が形成されている。この電極パッド３２の一部は露出する。露出する部分にはポスト電極９ａが形成されることになる。従って、露出する部分は直径１０μｍ程度の孔となっている。なお、図６は多層配線部７ａの最下層の絶縁層３０と配線層（配線）３１を示すものである。

・・・

【００６３】

図１０及び図１１は、電極パッド３２上に電極パッド３２と同程度の直径のポスト電極９ａを形成した例（変形例）である。」

「【図７】

［図：0001393683000006.jpg］

」

「【図１１】

［図：0001393683000007.jpg］

」

エ 前記ア～ウから、メタルポストが接続される配線層の下層において、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記半導体基板上の第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上の第１の回路層と、前記第１の回路層上の第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上の第２の回路層と、を備える半導体装置は、本願の優先日前において当業者にとって周知の技術（以下、「周知技術」という。）であったといえる。

４ 対比

本願発明と引用発明１とを対比する。

（１）引用発明１の「トランジスタ」は、本願発明の「トランジスタ」に相当する。よって、本願発明と引用発明１とは、「トランジスタ」を備える点で共通する。

（２）引用発明１の「Ａｌ電極１」及び「窒化Ｔｉ膜５」は、技術常識からすれば導電性を有する構造であるから、「導電構造」に当たる。

よって、引用発明１の「Ａｌ電極１」及び「窒化Ｔｉ膜５」は、本願発明の「導電構造」に対応するものといえ、本願発明と引用発明１とは、「導電構造」を備える点で共通する。

（３）引用発明１の「パッシベーション膜３」は、「Ａｌ電極１」及び「窒化Ｔｉ膜５」上に形成されるものであり、Ｓｉ窒化膜からなり、更に、「開口部Ｋ」により「窒化Ｔｉ膜５」を露出するものであり、この「開口部Ｋ」に「Ｃｕの薄膜層６」が形成されるものである。

また、上記（２）によれば、引用発明１の「Ａｌ電極１」及び「窒化Ｔｉ膜５」は、本願発明の「導電構造」に対応するものといえる。

そうすると、引用発明１の「パッシベーション膜３」と本願発明の「絶縁層」とは、共に、「導電構造」に結合された絶縁層であり、窒化物層を備え、「導電構造」の接触ポイントを露出する開口を有するものであるから、両者は対応するものである。

以上によれば、本願発明と引用発明１とは、「前記導電構造に結合され」た「絶縁層」であって、「ここにおいて、前記絶縁層は、窒化物層を備え、ここにおいて、前記絶縁層中の第１の開口は、前記導電構造の接触ポイントを露出する」という「絶縁層」を備える点で共通する。

（４）引用発明１の「Ｃｕの薄膜層６」及び「配線層７」は、「パッシベーション膜３」に形成された「開口部Ｋ」に形成されるものである。

そして、引用発明１の「Ｃｕの薄膜層６」の厚さは、「約１０００～２０００Å」であり、「配線層７」の厚さは、「２～５μｍ程度」であるところ、「Ｃｕの薄膜層６」及び「配線層７」の合計の厚さは、「２マイクロメータと３０マイクロメータの間の厚さ」に当たる。

そして、上記（３）によれば、引用発明１の「パッシベーション膜３」は、本願発明の「絶縁層」に対応する。

以上によれば、引用発明１の「Ｃｕの薄膜層６」及び「配線層７」は、本願発明の「第１の導電層」に相当する。

（５）引用発明１の「メタルポスト８」は、「配線層７」に接触して形成される。

また、引用文献１の【図１０】（上記３（１）ア）によれば、引用発明１の「メタルポスト８」は、「配線層７」及び「Ｃｕの薄膜層６」を介して、「パッシベーション膜３」に形成された「開口部Ｋ」により露出された「窒化Ｔｉ膜５」に結合するものであるといえる。

以上によれば、引用発明１の「メタルポスト８」は、本願発明の「第１の導電柱体」に相当する。

（６）引用発明１の「樹脂層Ｒ」は、引用文献１の【００２６】（上記３（１）ア）に、「ここで、樹脂層Ｒは、液状のアミック酸を主材料として用意され、ウエハ全面にスピンコートされ、厚さ２０～６０μｍ程度で形成される。その後、この樹脂層Ｒは、熱硬化反応により重合される。」と記載されているから、重合物材であるといえる。

また、引用発明１の「樹脂層Ｒ」は、「メタルポスト８」の頭部を露出するものであり、引用文献１の【図１０】（上記３（１）ア）によれば、当該「樹脂層Ｒ」は「メタルポスト８」の頭部以外を露出するものではない。

また、引用発明１の「樹脂層Ｒ」は、「メタルポスト８」を形成した後にチップ全面の上に形成されるものであり、上述のとおり「メタルポスト８」の頭部以外を露出するものではないことからすれば、当然、「樹脂層Ｒ」は「メタルポスト８」の側壁に接触しているといえる。

また、引用発明１の「樹脂層Ｒ」は、研磨されることにより「メタルポスト８」の頭部を露出したものであるところ、技術常識からすれば、研磨により露出を行う場合、その上面は面一になるといえるから、引用発明１の「樹脂層Ｒ」と「メタルポスト８」の上面の高さは同一であるといえる。

そして、上記（５）によれば、引用発明１の「メタルポスト８」は、本願発明の「第１の導電柱体」に相当する。

以上によれば、引用発明１の「樹脂層Ｒ」は、本願発明の「第１の重合物材」に相当する。

（７）引用発明１の「ポリイミド層Ｐ」は、「樹脂層Ｒ」上に形成される。

そして、引用発明１の「ポリイミド層Ｐ」は、「メタルポスト８」の頭部以外の部分に形成されるものであるから、「メタルポスト８」の頭部を露出するものである。

そして、上記（５）及び（６）によれば、引用発明１の「メタルポスト８」及び「樹脂層Ｒ」は、本願発明の「第１の導電柱体」及び「第１の重合物材」にそれぞれ相当する。

以上によれば、引用発明１の「ポリイミド層Ｐ」は、本願発明の「第２の重合物材」に相当する。

（８）引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」は、「ポリイミド層Ｐ」から露出した「メタルポスト８」の頭部に形成される。

また、引用文献１の【図１０】（上記３（１）ア）によれば、引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」は、「メタルポスト８」を介して「配線層７」及び「Ｃｕの薄膜層６」に接続されるものであるといえる。

さらに、上記（４）、（５）、（７）によれば、引用発明１の「配線層７」及び「Ｃｕの薄膜層６」は、本願発明の「第１の導電層」に相当し、引用発明１の「メタルポスト８」は、本願発明の「第１の導電柱体」に相当し、引用発明１の「ポリイミド層Ｐ」は、本願発明の「第２の重合物材」に相当する。

また、引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」は、技術常識からすれば、導電体である。

以上によれば、引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」と、本願発明の「第２の導電層」とは、「前記第２の表面に結合された」、「第２の導電層」であり、「ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される」点で共通する。

（９）引用発明１の「半導体装置」は、本願発明の「回路構造」に相当する。

（１０）以上の（１）～（９）によれば、本願発明と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞

「回路構造であって、

トランジスタと、

導電構造と、

前記導電構造に結合された絶縁層と、ここにおいて、前記絶縁層は、窒化物層を備え、ここにおいて、前記絶縁層中の第１の開口は、前記導電構造の接触ポイントを露出する、

前記接触ポイント上の、前記絶縁層に結合された第１の導電層と、ここにおいて、前記第１の導電層は、前記第１の開口を通して前記接触ポイントに接続され、ここにおいて、前記第１の導電層は、２マイクロメータと３０マイクロメータの間の厚さを有し、前記接触ポイントに結合され、前記絶縁層に結合される、

前記第１の導電層上の第１の導電柱体と、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層と接触し、ここにおいて、前記第１の導電柱体は、前記第１の導電層を通して前記接触ポイントに接続される、

前記第１の導電層上の、前記絶縁層に結合された第１の重合物材と、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の側壁に接触し、ここにおいて、前記第１の重合物材は、前記第１の導電柱体の第２の表面と同じ水平レベルにおける第１の表面を有する、

前記第１の重合物材上の第２の重合物材と、ここにおいて、前記第２の重合物材中の開口は、前記第１の導電柱体の前記第２の表面を露出する、

前記第２の表面に結合された第２の導電層と、ここにおいて、前記第２の導電層は、前記第１の導電柱体を通して前記第１の導電層に接続される、

を備える、回路構造。」

＜相違点１＞

本願発明は、「半導体基板と、前記半導体基板上の多数のトランジスタと、前記半導体基板に結合された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層に結合された導電構造と、ここにおいて、前記導電構造は、第１の回路層と前記第１の回路層に結合された第２の回路層とを備える、前記第１及び第２の回路層の間の第２の誘電体層と」を備えるのに対し、引用発明１がそのような構成を備えるか否かが不明である点。

＜相違点２＞

本願発明が、「前記導電構造に結合され、前記第１及び第２の誘電体層に結合された絶縁層と、ここにおいて、前記絶縁層は、窒化物層を備え、ここにおいて、前記絶縁層中の第１の開口は、前記導電構造の接触ポイントを露出する」という「絶縁層」を備えるのに対し、上記相違点１のとおり引用発明１が「第１の誘電体層」及び「第２の誘電体層」を備えるか否かが不明であるため、引用発明１の「パッシベーション膜３」が「前記第１及び第２の誘電体層に結合された」という構成を備えるか否かが不明である点。

＜相違点３＞

本願発明は、「第２の導電層」が、「前記第２の重合物材の前記開口周辺の表面上、および前記開口内側壁上」にあるのに対し、引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」がそのような構成を備えるか否かが不明である点。

＜相違点４＞

本願発明は、「前記第２の導電層は、１マイクロメータと１００マイクロメータの間の厚さを有」するのに対し、引用発明１の「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」の厚さが不明である点。

５ 判断

（１）相違点１及び２について

引用発明１の「ＩＣチップ」は、「メタルポスト８」が接続される「配線層７」の下層にある「Ａｌ電極１」を最上位のメタルとして含むから、「メタルポスト８」が接続される「配線層７」の下層に存在するものといえる。

また、引用発明１の「複数層のメタル」及び「トランジスタ」は、「コンタクトホールＣ」の下層に形成されるものであり、当該コンタクトホールＣ」は、「ＩＣチップ」の最上層のメタルである「Ａｌ電極１」が形成される場所であるから、引用発明１の「複数層のメタル」及び「トランジスタ」は、「ＩＣチップ」に含まれるものといえる。

ここで、引用文献１に、「ＩＣチップ」の具体的な構造が記載されておらず、引用発明１を当業者が実施する際には、周知の構造を適用する必要があることからすれば、引用発明１において、メタルポストが接続される配線層の下層に存在するＩＣチップであって、複数層のメタルとトランジスタとを備えるＩＣチップに係る周知の構造を適用する動機付けが存在するといえる。

一方、前記３（３）エに示したとおり、メタルポストが接続される配線層の下層において、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記半導体基板上の第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上の第１の回路層と、前記第１の回路層上の第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上の第２の回路層と、を備える半導体装置は、周知技術であった。

そうすると、引用発明１に上記周知技術を適用し、引用発明１において、「メタルポスト８」が接続される「配線層７」の下層に、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記半導体基板上の第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上の第１の回路層と、前記第１の回路層上の第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上の第２の回路層とを備えるようにすることは、当業者にとって格別の困難性を要するものではない。

なお、トランジスタを多数備えることは、ＩＣチップにおいて当然のことである。

また、上記のように引用発明１において、第１、第２の誘電体層を備えるようにすれば当然、引用発明１の「パッシベーション膜３」は、当該第１、第２の誘電体層に結合するものといえる。

以上のとおりであるから、引用発明１に上記周知技術を適用し、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことであるといえる。

（２）相違点３について

引用文献１の【０００１】に、「本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、特にチップサイズパッケージ（Chip Size Package、以下ＣＳＰと称す。）と呼ばれる、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージ技術に関するものである」と記載されており、引用文献２の【０００１】に、「本発明は、チップサイズパッケージとその製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用される半田バンプの高さと径をコントロールし、チップサイズパッケージの信頼性を向上させる技術に関する。」と記載されていることから、引用発明１及び２の技術分野は共通するといえる。

また、引用発明１の「半田ボール１２」と、引用発明２の「半田ボール８」とは、技術常識からすれば、半導体チップのパッケージにおけるバンプ電極として機能するものであるから、両者の作用・機能は共通するといえる。

以上によれば、引用発明１に引用発明２を適用する動機付けが存在するといえる。

よって、引用発明１に引用発明２を適用し、引用発明１において、「半田ボール１２」を、「メタルポスト８」の頭部を露出する「ポリイミド層Ｐ」の開口の中及びその周辺に延在するようにすることで、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことであるといえる。

（３）相違点４について

引用発明１において、「Ｐｄ９、Ｎｉ１０、Ａｕ１１及び半田ボール１２」の厚さを適宜定めることで、「１マイクロメータと１００マイクロメータの間の厚さ」とすることは、単なる設計事項に過ぎない。

（４）そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明１及び２の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

（５）したがって、本願発明は、引用発明１及び２並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

６ まとめ

よって、本願発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１～２に記載された発明及び本願の優先日前における周知の技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

第４ むすび

以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。