2020-701007

特許第６７１２９４９号発明「金属銀、金属銀の製造方法及び積層体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７１２９４９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１、２、５－７］について訂正することを認める。 特許第６７１２９４９号の請求項１及び５ないし７に係る特許を維持する。 特許第６７１２９４９号の請求項２に係る特許に対する特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７１２９４９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１、２及び５ないし７に係る特許についての出願は、２０１５年（平成２７年）９月２４日（優先権主張 平成２６年９月２９日）を国際出願日とする出願であって、令和２年６月４日にその特許権の設定登録（請求項の数７）がされ、同年同月２４日に特許掲載公報が発行されたものである。 その後、その特許に対し、令和２年１２月２４日に特許異議申立人 安藤 宏（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立て（対象請求項：請求項１、２及び５ないし７）がされ、令和３年２月２６日付けで取消理由が通知され、同年４月２７日に特許権者 トッパン・フォームズ株式会社（以下、「特許権者」という。）より意見書の提出及び訂正の請求がされ、同年５月１４日付けで特許法第１２０条の５第５項に基づく訂正請求があった旨の通知を特許異議申立人に行ったところ、同年６月１７日に特許異議申立人より意見書の提出がされ、同年７月１６日付けで取消理由（決定の予告）が通知され、同年９月１７日に特許権者より意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年１０月１１日付けで特許法第１２０条の５第５項に基づく訂正請求があった旨の通知を特許異議申立人に行ったところ、特許権者より何ら応答がなかったものである。 なお、令和３年４月２７日に特許権者がした訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の可否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は、訂正箇所について合議体が付したものである。） （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を、「結晶子径が２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下のもので構成され、体積抵抗率が４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下である金属銀。」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項５ないし７も同様に訂正する。 （２） 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 訂正事項１について 訂正事項１に係る請求項１の訂正は、金属銀の「結晶子径」について、訂正前の「２２．１ｎｍ以上」から「２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下」と限定し、「体積抵抗率」について、訂正前の「８μΩ・ｃｍ以下」から「４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０１９３】の【表４】には、実施例７の金属銀の結晶子径が２４．１ｎｍ、銀層の体積抵抗率が４．１μΩ・ｃｍであること、実施例８の金属銀の結晶子径が２２．１ｎｍ、銀層の体積抵抗率が４．７μΩ・ｃｍであることが記載されている。 してみると、訂正事項１に係る請求項１に係る訂正は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことも明らかである。 請求項１を直接または間接的に引用する、請求項５ないし７についても、同様である。 （２） 訂正事項２について 訂正事項２に係る請求項２の訂正は、請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことも明らかである。 （３） まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１、２、５－７］について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおりであるから、本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明（以下、順に「本件発明１」のようにいう。また、本件発明１、２及び５ないし７を総称して、「本件発明」という場合がある。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１、２及び５ないし７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 結晶子径が２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下のもので構成され、体積抵抗率が４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下である金属銀。 【請求項２】 (削除) 【請求項５】 請求項１に記載の金属銀からなる層を基材上に備えた積層体。 【請求項６】 前記基材の厚さが０．５～５００μｍであり、前記金属銀からなる層の厚さが０．０１～５μｍである、請求項５に記載の積層体。 【請求項７】 前記基材は、ＡＳＴＭＤ６４８で規定される、１．８ＭＰａの曲げ応力でたわみ量が０．２５ｍｍとなるときの加重たわみ温度が１２０℃以下のものである、請求項５に記載の積層体。」 第４ 特許異議申立書に記載された特許異議申立理由について 特許異議申立人が特許異議申立書において、請求項１、２及び５ないし７に係る特許に対して申し立てた特許異議申立理由の要旨は、次のとおりである。 申立理由１（新規性） 本件特許の請求項１、２、５及び６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 申立理由２（進歩性） 本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 申立理由３（実施可能要件） 本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 なお、申立理由３は、概略次のとおりである。 本件発明１、２及び５ないし７は、「体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である」ことを発明特定事項とするものである。 しかしながら、粒径が大きい方が体積抵抗率が低いことが出願時の技術常識であるところ、銀の物質としての体積抵抗率は１．５９μΩ・ｃｍ（０℃）（『ウィキペディア（Wikipedia）』であるから、当業者の技術常識を参酌したとしても、体積抵抗率を測定したときに１．５９μΩ・ｃｍ以下の値は実現不可能であるため、そのような範囲までも含む「体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である」の発明特定事項を実現できると理解することはできない。 申立理由４（サポート要件） 本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 なお、申立理由４は、概略次のとおりである。 ・申立理由４－１（本件発明１、５について） 本件発明１は、「結晶子径が２２．１ｎｍ以上のもので構成され、体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である」ことを発明特定事項とするものであり、結晶子径の大きさの上限、体積抵抗率の下限は特定されていない。 具体的には、本件特許明細書の記載では、８０ｎｍ（具体的には実施例６で示されている２９．８ｎｍ）を超える結晶子径を有する金属銀を提供できる例は示されておらず、また製造方法について示唆もなされていない。すなわち、結晶子径の範囲は本件特許明細書には記載されていない実施が不可能な範囲を含んでいる。例えば、１ｍｍといった極めて大きな結晶子径を有する金属銀が、通信機器等の電子機器において、配線、電極、アンテナ等を構成するのに利用される積層体に用いることができないのは明らかである。 ・申立理由４－２（本件発明２について） 本件発明２は、「結晶子径が２２．１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である」ことを限定している。 本件特許明細書には本件発明２が、課題を解決できるものであることを理解するに足る理論的な説明は記載されていない。 そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、金属銀の結晶子径が１６．８ｎｍ（実施例２）～２６．４ｎｍ（実施例５）の範囲で示されているのみである。 ・申立理由４－３（本件発明６について） 本件発明６は、「前記基材の厚さが、０．５～５０００μｍ」であることを限定している。 しかしながら、本件特許明細書（段落【０１４１】、【０１４３】や実施例などの記載）には、本件発明６が、課題を解決できるものであることを理解するに足る理論的な説明は記載されていない。 また、本件発明６は、「前記基材の厚さが、０．５～５０００μｍ」であって、かつ金属銀からなる層の厚さが０．０１～５μｍである」ことを限定している。 しかしながら、本件特許明細書（段落【０１４６】、【０１６４】、【０１８０】や実施例などの記載）には、本件発明６が、これらの構成要件が課題を解決できるものであることを理解するに足る理論的な説明は記載されていない。 ・申立理由４－４（本件発明７について） 本件発明７は、「前記基材は、ＡＳＴＭＤ６４８で規定される、１．８ＭＰａの曲げ応力でたわみ量が０．２５ｍｍとなるときの荷重たわみ温度が１２０℃以下のもの」であることを限定している。 しかしながら、本件特許明細書の実施例として、段落【０１６４】に「ポリカーボネート／ＡＢＳ樹脂アロイからなる基材（厚さ２ｍｍ）・・・なお、前記基材は、ＡＳＴＭ Ｄ６４８で規定される、１．８ＭＰａの曲げ応力でたわみ量が０．２５ｍｍとなるときの荷重たわみ温度が、１２０℃以下となるものである。」と記載されているのみで、ＡＳＴＭＤ６４８で規定される、１．８ＭＰａの曲げ応力でたわみ量が０．２５ｍｍとなるときの荷重たわみ温度は具体的に記載されていない。さらに、この基材は実施例及び比較例で共通のものを用いており、本件発明７が、課題を解決できるものであることを理解するに足る理論的な説明は記載されていない。 そして、実施例には、ＡＳＴＭＤ６４８で規定される、１．８ＭＰａの曲げ応力でたわみ量が０．２５ｍｍとなるときの荷重たわみ温度が記載されていない。 申立理由５（明確性） 本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 なお、申立理由５は、概略次のとおりである。 本件発明１、２及び５ないし７は、「体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である」ことを発明特定事項とするものである。 しかしながら、粒径が大きい方が体積抵抗率が低いことが出願時の技術常識であるところ、銀の物質としての体積抵抗率は１．５９μΩ・ｃｍであるから、これよりも低い体積抵抗率を有する金属銀が具体的にどのようなものであるかを理解することは困難である。 したがって、かかる技術常識を考慮すると、上記体積抵抗率の下限が規定されていない金属銀は、技術的に十分特定されていないことが明らかである。 （証拠方法） 甲第１号証：特開２００９－１５８１２９号公報 第５ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について 請求項１、２及び５ないし７に係る特許に対して、当審が令和３年７月１６日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 取消理由３（サポート要件） 本件特許の請求項１、２及び５ないし７に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 なお、取消理由３は、概略次のとおりである。 「本件発明の課題は、明細書の段落【０００６】の記載から見て、「より低温での加熱処理によることが可能であり、十分な導電性を有する金属銀、その製造方法、及び前記金属銀からなる層を基材上に備えた積層体を提供すること」であると認める。 ・・・（略）・・・ しかしながら、請求項１には、「結晶子径が２２．１ｎｍ以上２７．５ｎｍ以下のもので構成され、体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である金属銀」と特定されるにとどまり、当該金属銀を得るための具体的な手段については何ら特定されるものではない。 すると、出発原料として、本件特許明細書で開示されているものと異なる材料を用い、より高温で処理することにより得られたものや、冶金的に得られたものも請求項１に係る発明に含むことになる（そもそも、銀の体積抵抗率は１．６μΩ・ｃｍ程度であり、結晶子径は熱処理条件で調整できることは自明である）から、請求項１に係る発明は、本件発明の課題を解決しないものを含むものであるといわざるを得ない。 請求項１の記載を引用する、請求項５ないし７に係る発明も同様である。」 第６ 取消理由（決定の予告）に対する当審の判断 １ サポート要件の判断規範 請求項の記載がサポート要件を満たすというためには、請求項に係る発明が、「発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載、技術常識により、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のもの」でなくてはならない。 ２ 本件発明の課題について 本件発明の課題は、本件特許の明細書の段落【０００６】の記載から見て、「より低温での加熱処理によることが可能であり、十分な導電性を有する金属銀、及び前記金属銀からなる層を基材上に備えた積層体を提供すること」であると認める。 ３ 検討・判断 本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「金属銀は、これを形成するための組成物を１３０℃未満という低い温度で、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理を行うことで形成しても、結晶子径が１５ｎｍ以上のもので構成されていることにより、体積抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下となり、十分に高い導電性を有する」（段落【００１６】）ものであって、「前記金属銀は、これを形成するための組成物（銀インク組成物）を調製し、これを後述する基材等の所望の箇所に付着させ、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理を適宜選択して行うことで製造できる」（段落【００２０】）こと、「前記金属銀の形成材料は、銀原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属銀を生じるものであればよく」（段落【００２２】）、「金属銀の形成材料としては、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀が例示でき、このようなカルボン酸銀は、結晶子径が１５ｎｍ以上の金属銀を形成するのに好適なものである」（段落【００２４】）こと、「β－ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。β－ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０～２１０℃、より好ましくは６０～２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。」（段落【００４３】及び【００４４】）こと、「カルボン酸銀（４）も、β－ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。」（段落【００４９】）ことが記載され、アセト酢酸銀、すなわちβ－ケトカルボン酸銀を用いた特定の「銀インク組成物」を用いて「銀層」を作製した実施例７、８の記載があり、金属銀の結晶子径がそれぞれ２４．１ｎｍ、２２．１ｎｍ、銀層の体積抵抗率が４．１μΩ・ｃｍ、４．７μΩ・ｃｍであることも記載されている。 そして、結晶子径と体積抵抗率の関係は、製法にも依存することであることをふまえるならば、当業者であれば、金属銀の結晶子径が２２．１～２４．１ｎｍ、体積抵抗率が４．１～４．７μΩ・ｃｍとなる銀層は、β－ケトカルボン酸銀であるアセト酢酸銀を用いて１３０℃未満の温度、即ち低い温度で加熱処理等を行うことで作製できるもの、すなわち、本件発明の課題を解決するものと認識できる。 してみれば、金属銀に関し、「結晶子径が２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下のもので構成され、体積抵抗率が４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下である」との特定事項を有する本件特許発明１は、本件発明の課題を解決できるものといえる。 請求項１の記載を直接又は間接的に引用する本件特許発明５ないし７についても同様である。 したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７の記載は、サポート要件を満たす。 ４ まとめ したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許は、特許法第３６条第６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないので、取消理由（決定の予告）によって取り消すことはできない。 第７ 特許異議申立書に記載された申立理由についての当審の判断 １ 申立理由１（新規性）及び２（進歩性）について （１） 甲第１号証の記載事項等 ア 甲第１号証の記載事項 甲第１号証には、「銀導電膜の製造方法」の発明に関し、次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、銀導電膜の製造方法に関し、特に、基板上に銀塗料を塗布して焼成することにより形成される銀導電膜の製造方法に関する。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 しかし、特許文献１の方法では、ペーストにシランカップリング剤を添加しているので、ペーストの粘度が経時変化するという問題がある。また、特許文献２の方法では、ペーストに熱硬化性樹脂を使用しているので、このペーストを使用して形成した導電膜上に有機物が残存して誘電体層を形成すると、この導電膜を真空雰囲気中に配置した場合に、有機成分の脱離による誘電体層の膨れや真空雰囲気の環境汚染などによる回路の信頼性が低下することが懸念され、また、ペーストが樹脂を含んでいるために、ペーストの粘度を低くすることが困難になるという問題がある。 【０００８】 したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、シランカップリング剤や熱硬化性樹脂を加えることなく、２００℃以下の比較的低温で焼成しても、基板との密着性が良好な銀導電膜の製造方法を提供することを目的とする。」 「【００３６】 （４）銀導電膜形成工程 次に、洗浄後の固形分（洗浄後の複合有機保護材で被覆された銀粒子）を有機媒体と混合して得られた銀塗料を基板に塗布した後、焼成して銀導電膜を作製する。 【００３７】 有機媒体としては、１２０℃程度で揮発して除去し易い媒体を使用するのが好ましい。また、基板としては、ロール・ツー・ロール方式に対応可能な強度を有し且つ高耐熱性を有するフィルム状の有機高分子基板を使用するのが好ましく、ポリイミド、ポリエチレンテレテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、アラミド、ポリカーボネイトなどの基板を使用することができる。 【００３８】 銀塗料を基板に塗布する方法としては、アプリケータ法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、インクジェット法などの各種の塗布方法を使用することができるが、焼成後に銀導電膜を形成することができる方法であればよい。 【００３９】 塗膜を焼成して銀粒子を焼結させることによって銀導電膜を得るための焼成雰囲気は、大気雰囲気のような常圧の酸化雰囲気でよい。塗膜中の銀粒子は極めて低温で焼結するので、焼成温度は１００～３００℃でよいが、使用可能な基板の種類を広げるとともに省エネルギーの観点から２００℃以下であるのが好ましい。塗膜を上記の温度領域で保持する焼成時間は、１０分間以上であるのが好ましく、６０分間以上であるのがさらに好ましい。また、生産性を考慮すると、バッチ式でなく、大量生産に適したロール・ツー・ロール方式に対応した連続焼成可能な装置を使用するのが好ましく、例えば、熱風循環式乾燥器、ベルト式焼成炉、ＩＲ焼成炉などを使用することができる。 【００４０】 銀導電膜は、低抵抗であるほど効率的に電気を流すことができるので、比抵抗が低い方がよい。銀導電膜の比抵抗は、５．０μΩ・ｃｍ以下であるのが好ましく、４．０μΩ・ｃｍ以下であるのがさらに好ましく、３．０μΩ・ｃｍ以下であるのがさらに好ましく、２．０μΩ・ｃｍ以下であるのが最も好ましい。また、銀導電膜の膜厚は、０．１～３．０μｍであるのが好ましく、０．２～１．０μｍであるのがさらに好ましい。」 「【実施例】 【００４２】 以下、本発明による銀導電膜の製造方法の実施例について詳細に説明する。 【００４３】 ［実施例１］ 反応媒体および還元剤としてのイソブタノール（和光純薬株式会社製の特級）３２１８．２７ｇと、第１の有機保護材（第１級アミン）としてのオレイルアミン（和光純薬株式会社製、分子量２６７）５５３２．９１ｇと、銀化合物としての硝酸銀結晶（関東化学株式会社製）６８８．５４ｇを混合し、マグネットスターラーで撹拌して、硝酸銀を溶解させた。 【００４４】 次に、この溶液を還流器付の容器に移し、この容器をオイルバスに載せ、容器内に不活性ガスとして窒素ガスを２Ｌ／分の流量で吹き込んでマグネットスターラーにより溶液を撹拌しながら、昇温速度１℃／分で８８℃まで昇温させた後、０．５℃／分で１０８℃まで昇温させた。 【００４５】 １００℃で５時間還流を行なった後、還元補助剤として第２級アミンであるジエタノールアミン（和光純薬株式会社製、分子量１０６）４３０．３５ｇ（Ａｇに対するモル比１．０）を添加し、１時間保持して反応を終了した。 【００４６】 反応終了後のスラリーを遠心分離機で固液分離し、分離された液を廃棄して固形分を回収した。その後、固形分の洗浄操作として、固形分をメタノールと混合した後、遠心分離機で固液分離し、分離された液を廃棄して固形分を回収した。この洗浄操作は２回行った。 【００４７】 次に、洗浄後の固形分を、液状有機媒体としてのテトラデカンに混合して分散させ、遠心分離機により３０分間固液分離し、分離された液を回収した。この液には第１の有機保護材（第１級アミン）で覆われた銀粒子が単分散していた。 【００４８】 このようにして得られた銀粒子分散液を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２０１０）により観察して、６０万倍に拡大した画像から、重なっていない独立した３００個の銀粒子を無作為に選択して、その粒径（画像上の長径）を計測し、個々の銀粒子の粒径を算術平均することによって平均粒径ＤＴＥＭを求めたところ、銀粒子の平均粒径ＤＴＥＭは８．７ｎｍであった。 【００４９】 また、ＴＧ－ＤＴＡ装置（示差熱・熱重量同時測定装置）を用いて、銀粒子とその表面を覆っている第１の有機保護材（第１級アミン）としてのオレイルアミンの合計に対する第１の有機保護材の存在割合（以下「第１の有機保護材被覆量」という）を求めた。第１の有機保護材被覆量を算出するために、図１に示すように、室温から２００℃まで１０℃／分で昇温し（ステージＩ）、２００℃で６０分間維持して（ステージＩＩ）、銀粒子分散液に含まれる有機媒体（テトラデカン）を揮発させた後、２００℃から７００℃まで１０℃／分で昇温し（ステージＩＩＩ）、７００℃で再度６０分間維持する（ステージＩＶ）ヒートパターンを採用した。ステージＩ～ＩＩでは、有機媒体が全部揮発するとともに第１の有機保護材（第１級アミン）が残留し、ステージＩＩＩ～ＩＶでは、第１の有機保護材（第１級アミン）が全部揮発するとみなすことができる。ＴＧ－ＤＴＡ装置を用いて図１のヒートパターンによって測定される重量変化をモニターし、ステージＩＩが終了（この時点では重量変化がほぼゼロになる）するまでに減少した重量分Ｗ１を有機媒体（分散媒）の重量とし、ステージＩＩＩ～ＩＶの間（ステージＩＩＩ開始後に再び重量が減少してステージＩＶの終了時に重量変化がほぼゼロになる）に新たに減少した重量分Ｗ２を第１の有機保護材（第１級アミン）の重量とし、残りの重量Ｗ３を銀の正味の重量として、第１の有機保護材被覆量（％）を、Ｗ２／（Ｗ２＋Ｗ３）×１００から算出したところ、銀粒子分散液中の銀粒子の第１の有機保護材被覆量は８.０質量％であった。 【００５０】 なお、上述したＴＧ－ＤＴＡ装置による測定は、第１の有機保護材被覆量を調べるために特殊なヒートパターンを用いて行ったが、得られた銀粒子分散液について通常の昇温（昇温速度１０℃／分）による示差熱分析（ＤＴＡ）も行ったところ、ＤＴＡ曲線は２００～３００℃の間に大きな山と３００～３３０℃の間にピークを有していた。このピークは、第１の有機保護材（第１級アミン）であるオレイルアミンに起因するものであると考えられる。 【００５１】 また、ＦＴ－ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）を用いて、銀粒子分散液中の粒子と試薬のオレイルアミンについて、有機化合物のスペクトルを測定したところ、銀粒子を被覆する有機保護材がオレイルアミンのみからなることが確認された。 【００５２】 次に、得られた銀粒子分散液（第１の有機保護材被覆量８.０質量％、銀濃度約６０質量％）２２３．７６ｇに、第２の有機保護材（第１級アミン）としての試薬のオクチルアミン（Ｃ８Ｈ１７－ＮＨ２、和光純薬株式会社製の特級）１１９５．５５ｇ（銀に対して１０当量に相当する量）を添加し、液温を１５℃に保持しながら４００ｒｐｍで５時間攪拌して、沈降粒子を生成させた。 【００５３】 次に、沈降粒子が生成した液を５分間遠心分離して固液分離し、得られた固形分を回収した。その後、この固形分の洗浄操作として、固形分にメタノール８８９．７１ｇを添加して４００ｒｐｍで３０分間攪拌した後、５分間遠心分離して固液分離することにより固形分を回収した。 【００５４】 洗浄後の固形分について、通常の昇温（昇温速度１０℃／分）による示差熱分析（ＤＴＡ）測定を行ったところ、ＤＴＡ曲線の１００～２００℃の間と３００～３３０℃の間にピークが観察された。前者のピークは第２の有機保護材としての第１級アミンであるオクチルアミンに起因するものであると考えられ、後者のピークは第１の有機保護材としての第１級アミンであるオレイルアミンに起因するものであると考えられる。 【００５５】 また、洗浄後の固形分についてＦＴ－ＩＲ測定を行ったところ、有機保護材がオレイルアミン（第１の有機保護材としての第１級アミン）とオクチルアミン（第２の有機保護材としての第１級アミン）で構成される複合有機保護材であることが確認された。 【００５６】 また、洗浄後の固形分（第１の有機保護材と第２の有機保護材の複合有機保護材で被覆された洗浄後のウエット状態の固形分）について、ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２０１０）により観察し、６０万倍に拡大した画像から、重なっていない独立した３００個の銀粒子を無作為に選択して、その粒径（画像上の長径）を計測し、個々の銀粒子の粒径を算術平均することによって平均粒径ＤＴＥＭを求めたところ、銀粒子の平均粒径ＤＴＥＭは９．４１ｎｍであった。 【００５７】 また、洗浄後の固形分（第１の有機保護材と第２の有機保護材の複合有機保護材で被覆された洗浄後のウエット状態の固形分）をガラス製セルに塗布してＸ線回折装置にセットし、Ａｇ（１１１）面の回折ピークを用いて、下記のＳｃｈｅｒｒｅｒの式（１）によりＸ線結晶粒径ＤＸを求めたところ、Ｘ線結晶粒径ＤＸは５．５０ｎｍであった。なお、Ｘ線にはＣｕ－Ｋαを用いた。 ＤＸ＝Ｋ・λ／（β・ｃｏｓθ） （１） 但し、ＫはＳｃｈｅｒｒｅｒ定数で０.９４を採用し、λはＣｕ－Ｋα線のＸ線波長、βは回折ピークの半価幅、θは回折線のブラッグ角である。 【００５８】 次に、洗浄後の固形分（第１の有機保護材と第２の有機保護材の複合有機保護材で被覆された洗浄後のウエット状態の固形分）にテトラデカンを少量加えた後、混練脱泡器によって混練および脱泡してペースト状の銀塗料を得た。 【００５９】 次に、得られた銀塗料を、アプリケータを用いて、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製の型番ＵＰＩＬＥＸ２５Ｓ）からなる基板上に塗布した。 【００６０】 このようにして塗膜を形成したポリイミドフィルムを、大気中においてホットプレート上で６０℃で３０分間予備焼成した後、そのホットプレート上で温度１８０℃で１時間保持することによって焼成膜（１８０℃焼成膜）を得た。 【００６１】 このようにして得られた焼成膜を基板（ポリイミドフィルム）とともに、カレンダー装置（由利ロール機械株式会社製の高温カレンダー装置）の２対のクロム溶射樹脂ロールからなるカレンダーロール間に、線圧５００ｋＮ／ｍ、速度１ｍ／分、ロール表面温度１００℃として通過させることによって、カレンダー処理による圧縮処理を行った。 【００６２】 このようにして圧縮処理した焼成膜について、表面抵抗測定装置（三菱化学製のＬｏｒｅｓｔａＨＰ）により表面抵抗を測定するとともに、蛍光Ｘ線膜厚測定器（ＳＩＩ製のＳＴＦ９２００）により膜厚を測定し、表面抵抗と膜厚から算出した体積抵抗値を焼成膜の比抵抗とした。その結果、焼成膜の表面抵抗は０．１２Ω／□、膜厚は０．３６μｍであり、比抵抗は４．２８μΩ・ｃｍであった。 【００６３】 また、基板上に形成された焼成膜の密着力として、ＪＩＳ Ｃ６４８１の引き離し強さに準じて、引張試験機のクロスヘッド速度を約５０ｍｍ／分に維持して、基板から焼成膜を引き剥がす際の力を測定したところ、焼成膜の密着力は１０．１９Ｎ／ｃｍであった。 【００６４】 さらに、焼成膜が形成された基板をＸ線回折装置にセットしてＸ線結晶粒径ＤＸを求めたところ、Ｘ線結晶粒径ＤＸは３８．２２ｎｍであった。 【００６５】 ［実施例２～５］ ロール表面温度をそれぞれ１２０℃（実施例２）、１５０℃（実施例３）、１８０℃（実施例４）および２００℃（実施例５）とした以外は実施例１と同様の方法によって基板上に形成された焼成膜について、実施例１と同様の方法により、表面抵抗および膜厚を測定し、比抵抗を求め、密着力を測定し、Ｘ線結晶粒径ＤＸを求めた。その結果、実施例２では、焼成膜の表面抵抗０．０５Ω／□、膜厚０．５２μｍ、比抵抗２．８６μΩ・ｃｍ、密着力１０．４５Ｎ／ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸ４３．９８ｎｍであり、実施例３では、焼成膜の表面抵抗０．０２Ω／□、膜厚１．４２μｍ、比抵抗３．０８μΩ・ｃｍ、密着力１０．０９Ｎ／ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸ３３．４７ｎｍであった。また、実施例４では、焼成膜の表面抵抗０．０３Ω／□、膜厚１．０１μｍ、比抵抗３．３０μΩ・ｃｍ、密着力９．２８Ｎ／ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸ４１．７６ｎｍであり、実施例５では、焼成膜の表面抵抗０．０５Ω／□、膜厚０．７３μｍ、比抵抗３．９９μΩ・ｃｍ、密着力４．７７Ｎ／ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸ３４．７１ｎｍであった。 【００６６】 ［比較例１］ カレンダー処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法によって基板上に形成された焼成膜について、実施例１と同様の方法により、表面抵抗および膜厚を測定し、比抵抗を求め、密着力を測定し、Ｘ線結晶粒径ＤＸを求めた。その結果、焼成膜の表面抵抗０．１５Ω／□、膜厚０．２７μｍ、比抵抗４．１６μΩ・ｃｍ、密着力０．２６Ｎ／ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸ２８．９２ｎｍであった。 【００６７】 実施例１～５および比較例１の焼成およびカレンダー処理条件を表１に示し、実施例１～５および比較例１の焼成膜の特性を表２に示す。また、実施例１～５の焼成膜の比抵抗および密着力をそれぞれ図２および図３に示す。」 「【００６９】 ［図：0001384043000001.jpg］ 」 イ 甲第１号証に記載された発明 アの記載、特に実施例１ないし５、比較例１それぞれの記載を中心に整理すると、甲第１号証には以下の発明が記載されていると認める。 「膜厚が０．３７μｍ、比抵抗が４．２８μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが３８．２２ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１実施例１発明」という。） 「膜厚が０．５２μｍ、比抵抗が２．８６μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが４３．９８ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１実施例２発明」という。） 「膜厚が１．４２μｍ、比抵抗が３．０８μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが３３．４７ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１実施例３発明」という。） 「膜厚が１．０１μｍ、比抵抗が３．３０μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが４１．７６ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１実施例４発明」という。） 「膜厚が０．７３μｍ、比抵抗が３．９９μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが３４．７１ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１実施例５発明」という。） 「膜厚が０．２７μｍ、比抵抗が４．１６μΩ・ｃｍ、Ｘ線結晶粒径ＤＸが２８．９２ｎｍの銀導電膜」（以下、「甲１比較例１発明」という。） （２） 対比・判断 ア 本件発明１について 本件発明１と甲１実施例１発明とを対比すると、甲１実施例１発明の「銀導電膜」は、本件発明１の「金属銀」に相当するから、両者は、「金属銀」である点で一致し、次の点で相違する。 ・相違点１ 結晶子径について、本件発明１は「２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下」と特定されるのに対し、甲１実施例１発明では「Ｘ線結晶粒径ＤＸが３８．２２ｎｍ」である点。 ・相違点２ 体積抵抗率について、本件発明１は「４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下」と特定されるのに対し、甲１実施例１発明にはそのような特定がない点。 上記相違点について検討する。 相違点１について検討するに、甲１実施例１発明の銀導電膜の銀の結晶粒径は「Ｘ線結晶粒径ＤＸが３８．２２ｎｍ」であるから、本件発明１の「２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下」との特定事項を満たさないものであって、この点は実質的にも相違点である。 したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は甲１実施例１発明ではない。 そして、甲１実施例１発明において、銀の結晶粒径を小さいものとし、「２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下」とする、すなわち、相違点１に係る本件発明１の特定事項を満たすものとする動機付けもない。 してみると、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は甲１実施例１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 なお、甲１実施例２発明ないし甲１実施例５発明及び甲１比較例１発明との対比・判断についても、甲１実施例１発明と同様である。 以下、「甲１実施例１発明」ないし「甲１実施例５発明」及び「甲１比較例１発明」を総称し、「甲１発明」として検討を進める。 イ 本件発明５ないし７について 本件発明５ないし７は、請求項１を直接又は間接的に引用する発明であり、本件発明１の特定事項を全て有するものである。 そして、上記アのとおり、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、本件発明１の特定事項を全て含む発明である本件発明５ないし７は甲１発明ではないし、また、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３） 申立理由１及び２についてのまとめ したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、また、同法同条第２項の規定に違反してなされたものであるとはいえないので、申立理由１及び２によって取り消すことはできない。 ２ 申立理由３（実施可能要件）について （１） 申立理由３についての判断 訂正により、体積抵抗率は「４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下」と特定された。 よって、銀の物質としての体積抵抗率である１．５９μΩ・ｃｍ以下の部分は実現不可能であるとする申立理由３は、理由がない。 （２） 申立理由３についてのまとめ したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許は、申立理由３によって取り消すことはできない。 ３ 申立理由４（サポート要件）について （１） 申立理由４－１についての判断 訂正により、結晶子径は「２２．１ｎｍ以上２４．１ｎｍ以下」、体積抵抗率は「４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下」とそれぞれ下限、上限が特定された。 よって、申立理由４－１は、理由がない （２） 申立理由４－２についての判断 本件発明２は訂正により削除された。 なお、本件発明１では、結晶子径の範囲が特定されているが、実施例７、８として記載されている範囲である。 （３） 申立理由４－３、４－４についての判断 特許異議申立人は、申立理由４－３、４－４でそれぞれ、基材の厚さや特定条件下における荷重たわみ温度について言及しているが、そもそも、本件発明の課題は、「より低温での加熱処理によることが可能であり、十分な導電性を有する金属銀、その製造方法、及び前記金属銀からなる層を基材上に備えた積層体を提供すること」であり、当該課題は本件発明１及び５ないし７も解決すると認識できるものであることは、上記第６ ３で検討したとおりであるから、申立理由４－３、４－４は採用しない。 （４） 申立理由４についてのまとめ したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許は、申立理由４によって取り消すことはできない。 ４ 申立理由５（明確性要件）について （１） 申立理由５についての判断 訂正により、体積抵抗率は「４．１以上４．７μΩ・ｃｍ以下」と特定された。 よって、銀の物質としての体積抵抗率である１．５９μΩ・ｃｍ以下の部分はどのようなものか理解することが困難であるから、明確性を欠くものとする申立理由５は、理由がない。 （２） 申立理由５についてのまとめ したがって、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許は、申立理由５によって取り消すことはできない。 第８ むすび 以上のとおりであるから、取消理由（決定の予告）、及び、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１及び５ないし７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、請求項２に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、特許異議申立人による特許異議の申立てについて、請求項２に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。