2023-700696

特許第７２０８１９４号発明「導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２０８１９４号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 特許第７２０８１９４号の請求項１、２、４～７に係る特許を維持する。 特許第７２０８１９４号の請求項３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２０８１９４号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～７に係る特許についての出願は、令和２年７月１６日に出願され、令和５年１月１０日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１８日に特許掲載公報が発行された。 その後、請求項１～７に係る特許について、同年７月６日に特許異議申立人黒田泰（以下、「申立人１」という。）により特許異議の申立てがされ、同年同月１２日に特許異議申立人本間裕美（以下、「申立人２」という。）により特許異議の申立てがされた。 特許異議の申立て後の経緯は、次のとおりである。 令和５年１１月 １日付け 取消理由通知 令和５年１２月２８日 訂正請求書・意見書（特許権者）の提出 令和６年 ２月１９日 意見書（申立人１）の提出 令和６年 ２月２１日 意見書（申立人２）の提出 令和６年 ３月２９日付け 訂正拒絶理由通知 令和６年 ４月３０日 手続補正書・意見書（特許権者）の提出 令和６年 ６月２５日付け 取消理由通知（決定の予告） 令和６年 ８月２７日 訂正請求書・意見書（特許権者）の提出 令和６年１０月２１日 意見書（申立人２）の提出 令和６年１０月２２日 意見書（申立人１）の提出 第２ 訂正の適否 令和６年８月２７日提出の訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正（以下、「本件訂正」という。）について検討する。なお、令和５年１２月２８日提出の訂正請求書は、本件訂正請求書の提出により、取り下げられたものとみなす。 １ 本件訂正の趣旨 本件訂正の請求の趣旨は、特許第７２０８１９４号の明細書、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正した明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～７について訂正することを求める、とするものである。 ２ 訂正の内容 本件訂正の内容は、訂正事項１～１３よりなるものであって、以下のとおりである（下線は当審にて付した）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に記載された「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部の外表面に複数の突起を有し」を、 「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、 前記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み、 前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２、４～７も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、 導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上であり」を、 「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、 前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれているか、または、芯物質は用いられず、前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み、 導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上であり」と訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２、４～７も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に記載された「樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である」を、 「樹脂粒子又はコアシェル型以外の有機無機ハイブリッド粒子である」と訂正する。 （請求項４の記載を引用する請求項５～７も同様に訂正する。） （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項４に記載された「請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性粒子」を、 「請求項１または２に記載の導電性粒子」と訂正する。 （請求項４の記載を引用する請求項５～７も同様に訂正する。） （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項５に記載された「請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性粒子」を、 「請求項１～２または４のいずれか１項に記載の導電性粒子」と訂正する。 （請求項５の記載を引用する請求項６及び７も同様に訂正する。） （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項６に記載された「請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性粒子」を、 「請求項１～２または４～５のいずれか１項に記載の導電性粒子」と訂正する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項７に記載された「請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性粒子」を、 「請求項１～２または４～５のいずれか１項に記載の導電性粒子」と訂正する。 （９）訂正事項９ 明細書の段落００９５に記載された「［導電部］ 上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。」を、 「［導電部］ 上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。上記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含む。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。」と訂正する。 （１０）訂正事項１０ 明細書の段落００９８に記載された「上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。」を、 「上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末を含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。」と訂正する。 （１１）訂正事項１１ 明細書の段落０１６４に記載された「（実施例２）」を、 「（参考例１）」と訂正する。 （１２）訂正事項１２ 明細書の段落０２１１に記載された「（実施例１１）」を、 「（参考例２）」と訂正する。 （１３）訂正事項１３ 明細書の段落０２４６の表１の最左列に記載された「実施例２」および「実施例１１」を、 それぞれ、「参考例１」及び「参考例２」と訂正する。 （１４）一群の請求項について 訂正前の請求項１～７について、請求項２～７は、請求項１を引用するものであって、訂正事項１および２によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１～７に対応する訂正後の請求項１～７は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１に記載された「導電部」について、「ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」むことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の請求項３に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 さらに、訂正事項１は、上記のとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、訂正前の請求項１に記載された「導電部の外表面に複数の突起を有」することについて、「前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれているか、または、芯物質は用いられず、前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」むことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項２は、本件明細書等の段落０１１２、段落０１１４及び請求項３に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 さらに、訂正事項２は、上記のとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項３は、請求項を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項４に記載された「有機無機ハイブリッド粒子」について、「コアシェル型以外」であることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項４は、本件明細書等の段落００８９、段落０２１３及び段落０２１４に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 さらに、訂正事項４は、上記のとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項５～８について 訂正事項５～８は、訂正事項３により訂正前の請求項３が削除されたことに伴い、この請求項を引用していた請求項４～７について、引用する請求項の数を減少させて、引用形式を整理したものであるから、特許請求の範囲の減縮、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項５～８は、特許請求の範囲の減縮、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項９及び１０について 訂正事項９及び１０は、訂正事項１による訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図ることを目的とする訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、訂正事項９及び１０は、本件明細書等の請求項３に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、さらに、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （７）訂正事項１１～１３について 訂正事項１１～１３の「実施例２」を「参考例１」とし、「実施例１１」を「参考例２」とする訂正は、訂正事項２および４に係る訂正に伴い、明細書の記載を明瞭なものとする訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、訂正事項１１～１３は、「実施例」を「参考例」とするものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ４ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の請求項１～７について特許異議の申立てがされているので、訂正前の請求項１～７に係る訂正事項１～８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ５ まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正した明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～７に係る発明（以下、「本件発明１～７」という。）は、訂正した特許請求の範囲の請求項１～７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、 前記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み、 前記導電部の外表面に複数の突起を有し、 前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれているか、または、芯物質は用いられず、前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み、 導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上であり、 前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む、導電性粒子。 【請求項２】 前記導電部のビッカース硬度が２００以上である、請求項１に記載の導電性粒子。 【請求項３】（削除） 【請求項４】 前記基材粒子が、樹脂粒子又はコアシェル型以外の有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１または２に記載の導電性粒子。 【請求項５】 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１～２または４のいずれか１項に記載の導電性粒子。 【請求項６】 請求項１～２または４～５のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。 【請求項７】 第１の接続対象部材と、 第２の接続対象部材と、 前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、 前記接続部の材料が、請求項１～２または４～５のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）で通知した取消理由について １ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～７に係る特許に対して、当審が令和６年６月２５日付けの取消理由通知（決定の予告）で通知した取消理由（以下、「取消理由」という。）の概要は、次のとおりである。 （１）取消理由１－１（実施可能要件） 導電性粒子の無機材料からなる導電部の突起を、無機材料からなる芯物質を用いて形成した場合、本件明細書等の発明の詳細な説明（以下、「発明の詳細な説明」という。）に記載された方法では、導電部のみの単位重量当たりの水素原子の含有量を得ることはできないから、「導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成を実施することができない。 よって、発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （２）取消理由１－２（実施可能要件） 導電性粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子を備える場合、発明の詳細な説明に記載された方法では、導電部のみの単位重量当たりの水素原子の含有量を得ることはできないから、「導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成を実施することができない。 よって、発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項４～７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （３）取消理由２－１（サポート要件） 請求項１に記載された「導電部」が錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、金属粉末とバインダーとを含むペースト、又は導電性高分子を含む任意の材料からなる場合、導電部に割れを生じ難くするという、発明の詳細な説明に記載した課題が解決されるとはいえない。 よって、請求項１、２、４～７に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１、２、４～７に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （４）取消理由２－２（サポート要件） 請求項３には、「導電部」がリン又はボロンの単体からなる構成を含むが、リン又はボロンの単体により導電部を構成できないことは技術常識であるから、発明の詳細な説明に記載された内容を、リン又はボロンの単体からなる導電部を含む構成に拡張、一般化できるとはいえない。 よって、請求項３～７に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項３～７に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないものである。 ２ 取消理由についての当審の判断 （１）取消理由１－１（実施可能要件）について ア 本件発明１において、「導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み」、「導電部中に芯物質が埋め込まれているか、または、芯物質は用いられず」、「芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」むものである。 イ 発明の詳細な説明の段落００９６には、「導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、」「金、白金又は錫を少なくとも含む」と記載され、同じく段落０１２６には、「本発明に係る導電性粒子の製造方法は」「導電部を有する導電性粒子（アニール処理前導電性粒子）を用いて、上記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備える。」「上記アニール処理によって、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る。」と記載されている。 よって、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含む導電部は、２００℃以上のアニール処理によって、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むものとなるといえる。 ウ 発明の詳細な説明の段落０２２４には「導電性粒子をジルコニアボールによるボールミルを用いて粉砕し、導電部を基材粒子から完全に剥離した。導電部と基材粒子から完全に剥離した試料を篩により、導電部と基材粒子とに分離し、導電部のみを採取した。」と記載され、同じく段落０２２５には「水素原子の含有量の測定には、昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」）を用いた。昇温脱離装置で導電部を昇温加熱し、発生する微量水素をセンサガスクロマトグラフで測定した。３ＧＰａの一定圧力下で、５０℃から４００℃まで昇温速度５℃／分で、真空引きされた導電部を徐々に加熱した。放出された水素原子を検出器で測定した。」と記載され、同じく段落０２２６に「導電部の水素原子の含有量は、５０℃から４００℃までに放出された水素原子の量の総量とした。」と記載されている。 よって、発明の詳細な説明には、導電性粒子の導電部の水素原子の含有量の測定方法として、導電性粒子をジルコニアボールによるボールミルを用いて粉砕し、導電部を基材粒子から完全に剥離し、剥離した試料を篩により導電部と基材粒子とに分離して、導電部のみを採取し、昇温脱離装置で導電部を３ＧＰａの一定圧力下で５０℃から４００℃まで昇温速度５℃／分で加熱し、発生する微量水素をセンサガスクロマトグラフで測定し、５０℃から４００℃までに放出された水素原子の量の総量を、導電部の水素原子の含有量とすることが記載されている。 エ 上記アによれば、本件発明１の「芯物質」は、「金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」むものであり、上記イの導電部が含む材料からなる金属を含むものであるから、２００℃以上のアニール処理によって、「芯物質」の水素原子の含有量も、「導電部」の水素原子の含有量と同程度になると認められる。 オ 上記エによれば、上記ウの方法により導電部と芯物質とを分離することができないとしても、「芯物質」に含まれる水素原子の含有量は「導電部」と同程度になるから、「芯物質」と「導電部」との水素原子の含有量が８０μｇ／ｇ以下であれば、「導電部」の水素原子の含有量も８０μｇ／ｇ以下であるといえるから、本件発明１の「導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成を実施することができるといえる。 また、請求項２、４～７の記載は、請求項１の記載を引用し、本件発明２、４～７は、上記アにおいて説示した本件発明１の構成を備えるものであることを踏まえると、本件発明２、４～７についても、同様に、「導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成を実施することができるといえる。 よって、取消理由１－１は解消した。 （２）取消理由１－２（実施可能要件）について 本件訂正により、本件発明４は、「基材粒子が、樹脂粒子又はコアシェル型以外の有機無機ハイブリッド粒子である」「導電性粒子」となり、コアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子を含まないものとなった。 したがって、取消理由１－２は解消した。 （３）取消理由２－１（サポート要件）について ア 本件発明１は、「前記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」むものである。 イ 発明の詳細な説明の段落００１２には「本発明の目的は、導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる導電性粒子及び導電性粒子の製造方法を提供することである。」と記載されている。 よって、本件発明が解決しようとする課題は、導電部に割れを生じ難くし、耐酸性を高めることである。 ウ 発明の詳細な説明の段落００２８には「本発明に係る導電性粒子では、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、上記導電部が水素原子を含まないか、又は、上記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むので、導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」と記載され、段落００９６には、「導電部の割れをより一層抑え、耐酸性をより一層高める観点からは、上記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン」「金、白金又は錫を少なくとも含むことが好ましく」と記載され、段落０２４６に示された表１には、実施例１～５、７～１５の「第１の導電部」として「ＮｉＰ」が記載され、実施例６の「第１の導電部」として「ＮｉＢ」が記載され、実施例４の「第２の導電部」として「Ａｕ」が記載され、実施例５、６、１３、１４の「第２の導電部」として「Ｐｄ」が記載され、実施例５、６、１３、１４の「第３の導電部」として「Ａｕ」が記載され、実施例１～１５において、「接続構造体Ａ」及び「接続構造体Ｂ」における「導電部の割れ」の評価が「○」、「○○」又は「○○○」であり、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が５０個中２０個未満であったことが記載されている。 よって、発明の詳細な説明には、基材粒子の表面上に配置された、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含む導電部が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むことにより、導電部に割れを生じ難くすることができることが記載され、実施例において、ニッケル、パラジウム又は金を含む導電部の水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む場合に、導電部の割れが少なかったことが示されている。 エ 上記アの「ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン」、「白金又は錫」は、「ニッケル、パラジウム」又は「金」と、金属である点で共通し、同様の特性を有することが予想されるから、上記ウを踏まえると、当業者であれば、本件発明１は、「ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含」む「導電部」が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むことにより、導電部の割れを生じ難くできる点で、上記イの課題を解決できることを理解できる。 したがって、本件特許の請求項２、４～７の記載は、請求項１の記載を引用し、本件発明２、４～７は、上記アの本件発明１の構成を備えるものであることを踏まえると、本件発明１、２、４～７は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなっていない。 よって、取消理由２－１は解消された。 （４）取消理由２－２（サポート要件） 請求項３は削除されたため、取消理由２－２は解消した。 第５ 取消理由で採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立人１による特許異議申立理由の概要 取消理由において採用しなかった、申立人１が主張する特許異議申立理由（以下、「申立理由１」という。）は、以下の申立理由１－１～申立理由１－１０のとおりのものである。なお、申立人１が提出した甲第１号証～甲第９号証、甲第１１号証～甲１３号証を、以下、「甲１－１」～「甲１－９」、「甲１－１１」～「甲１－１３」という。（申立人１が提出した甲第１０号証は、当審において、採用しなかった。） （申立理由１－１）（新規性、進歩性）請求項１～７に係る発明は、甲１－１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－１に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－２）（新規性、進歩性）請求項１～７に係る発明は、甲１－２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－２に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－３）（新規性、進歩性）請求項１～７に係る発明は、甲１－３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－３に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－４）（新規性、進歩性）請求項１～７に係る発明は、甲１－４に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－４に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－５）（新規性、進歩性）請求項１～７に係る発明は、甲１－５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－５に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－６）（新規性、進歩性）請求項１～４に係る発明は、甲１－６に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１－６に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～４に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－７）（進歩性）請求項５～７に係る発明は、甲１－６に記載された発明と、甲１－１～甲１－５に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項５～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由１－８）（サポート要件）請求項１～７に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （申立理由１－９）（明確性要件）請求項１～７に係る発明は、明確でないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定される要件を満たさないものである。 （申立理由１－１０）（実施可能要件）発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定される要件を満たさないものである。 ＜申立人１が提出した証拠＞ 甲１－１：特開２０１４－２４１２７８号公報 甲１－２：韓国公開特許２００８－００６１８８８号公報 甲１－３：特開２０１３－８４７４号公報 甲１－４：国際公開第２０１３／０８５０３９号 甲１－５：国際公開第２０１３／０４２７８５号 甲１－６：表面技術、Ｖｏｌ．４８、Ｎｏ．４、４２９－４３２頁（１９９７） 甲１－７：マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（２０１０年９月発行）第１０３～１０６頁 甲１－８：表面技術、Ｖｏ１．７０、Ｎｏ．３、３９－４３頁（２０１９） 甲１－９：表面技術、Ｖｏｌ．５３、Ｎｏ．１、第７－１４頁（２００２） 甲１－１１：三新化学工業株式会社ホームページ（https://www.sanshin-ci.co.jp/products-cat/cation）、２０２２年掲載 甲１－１２：昇温脱離水素分析装置「ＰＤＨＡ－１０００」のパンフレット、ＮＩＳＳＨＡエフアイエス株式会社、２０１８年１月発行 甲１－１３：特開２０１４－２０７２２３号公報 ２ 申立人２による特許異議申立理由の概要 取消理由において採用しなかった、申立人２が主張する特許異議申立理由（以下、「申立理由２」という。）は、以下の申立理由２－１～申立理由２－４のとおりのものである。なお、申立人２が提出した甲第１号証は、申立人１が提出した甲１－４であり、また、申立人２が提出した甲第２号証～甲第１４号証を、以下、「甲２－２」～「甲２－１４」という。 （申立理由２－１）（新規性、進歩性）請求項１～４、６、７に係る発明は、甲１－４に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件発明１～７は、甲１－４に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１～７に係る特許は、同法同条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由２－２）（実施可能要件）発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （申立理由２－３）（サポート要件）請求項１～７に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないものである。 （申立理由２－４）（明確性要件）請求項１～７に係る発明は、明確でないから、本件の請求項１～７に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさないものである。 ＜申立人２が提出した証拠＞ 甲１－４：国際公開第２０１３／０８５０３９号 甲２－２：特開２０１１－０２９１７９号公報 甲２－３：特開２０１１－０６６０１５号公報 甲２－４：「無電解ニッケルめっき皮膜の耐摩耗性」金属表面技術Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．１１，６６５－６７０頁（１９８６） 甲２－５：「無電解めっき技術」第２章第３節無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき技術、発行所：サイエンス＆テクノロジー株式会社、発行日：２０１２年１１月２９日 甲２－６：「無電解ニッケルめっきによる異方性導電微粒子の作製」表面技術Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．４，４２９－４３２（１９９７） 甲２－７：特開平１１－３４３５９２号公報 甲２－８：特開２０００－１９８７０９号公報 甲２－９：特開２００１－１５２３６６号公報 甲２－１０：「無電解ニッケルめっき－機能分類と応用」表面技術Ｖｏｌ．５３，Ｎｏ．１，７－１４（２００２） 甲２－１１：「Ｘ線リソグラフィを利用した高効率高精度微細ふるいの研究」精密工学会誌Ｖｏｌ．７８，Ｎｏ．１，７７－８０（２０１２） 甲２－１２：ＮＩＳＳＨＡエフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」のカタログ、２０１８年１月発行 甲２－１３：「無電解ニッケル－リンめっき皮膜の初期析出における微細構造について」金属表面技術Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．１，１２－１７（１９７７） 甲２－１４：特開２００６－３０２７１６号公報 ３ 申立理由についての当審の判断 （１）申立理由１－１について ア 甲１－１について （ア）甲１－１には、以下の記載がある。（下線は、当審にて付した。以下、同じ） 「【００２１】 （導電性粒子） 本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える。上記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は１０００Ｎ／ｍｍ２以上である。上記導電層は、外表面側にパラジウム層を有する。上記パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量は９９．９重量％以上である。」 「【００４３】 以下、本発明に係る導電性粒子の他の詳細を説明する。 【００４４】 ［基材粒子］ 上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。」 「【００６２】 ［導電層］ 上記導電層は外表面側にパラジウム層を有する。上記導電層は、パラジウム層以外の導電層（第１の導電層）と、パラジウム層（第２の導電層）とを有していてもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００６７】 なお、特に無電解めっきによりパラジウム層を形成する場合には、パラジウム層を形成する前の粒子の表面に触媒を多く付ける必要がある場合がある。従って、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、一般に上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量は９９．９重量％未満になり、９９．９重量％以上にはならない。また、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、パラジウム層中に触媒残渣が多く含まれやすい。 【００６８】 上記パラジウム層の内表面（上記基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域において、上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又は上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつ上記パラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。この場合に、上記パラジウム以外の成分としては、例えば触媒残渣等が挙げられる。また、上記パラジウム以外の成分としては、硫黄、塩素、及びスズ等が挙げられる。 【００６９】 上記導電層の厚み（導電層が多層である場合には、導電層全体の厚み）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記パラジウム層の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。」 「【００７６】 ［芯物質］ 上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって、上記導電層が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電層の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００７９】 上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。 【００８０】 上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫－鉛合金、錫－銅合金、錫－銀合金、錫－鉛－銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１－１には、次の発明（以下、「甲１－１発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－１発明＞ 「基材粒子と、 基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える導電性粒子であって、（段落００２１） 基材粒子は、樹脂粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子のいずれかであり、（段落００４４） 導電層は、外表面側にパラジウム層を有し、（段落００６２） パラジウム層の内表面（基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域において、パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又はパラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつパラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下であり、（段落００６８） 上記導電層の厚みは、５ｎｍ以上であり、 パラジウム層の厚みは、５ｎｍ以上であり、（段落００６９） 芯物質が導電層中に埋め込まれていることによって、導電層が外表面に複数の突起を有し、（段落００７６） 上記芯物質は、金、銅、白金、錫又はニッケルからなる金属粒子である、（段落００７９、段落００８０） 導電性粒子。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１－１発明との対比 ａ 甲１－１発明の「基材粒子」は、本件発明１の「基材粒子」に相当する。 ｂ 甲１－１発明の「導電層」は、「基材粒子の表面上に配置された」ものであるから、本件発明１の「前記基材粒子の表面上に配置された導電部」に相当する。 ｃ 甲１－１発明の「導電層は、外表面側にパラジウム層を有」することは、本件発明１の「前記導電部は」「パラジウム」「を少なくとも含」むことに相当する。 ｄ 甲１－１発明の「芯物質が導電層中に埋め込まれていることによって、導電層が外表面に複数の突起を有」することは、本件発明１の「前記導電部は」「パラジウム」「を少なくとも含み、前記導電部の外表面に複数の突起を有し、前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれている」ことに相当する。 ｅ 甲１－１発明の「上記芯物質は、金、銅、白金、錫又はニッケルからなる金属粒子である」ことは、本件発明１の「前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、銅、金、白金又は錫を少なくとも含む」ことに相当する。 ｆ 甲１－１発明の「基材粒子と、基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える導電性粒子」は、上記ａ～ｃによれば、本件発明１の「基材粒子」及び「前記基材粒子の表面上に配置された導電部」を備える点で、本件発明１の「導電性粒子」と一致する。 ｇ 上記ａ～ｆによれば、本件発明１と甲１－１発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「 基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、 前記導電部は、パラジウムを少なくとも含み、 前記導電部の外表面に複数の突起を有し、 前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれ、前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、銅、金、白金又は錫を少なくとも含む、 導電性粒子。」 ＜相違点１＞ 本件発明１が、「導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上であ」るのに対し、甲１－１発明は、導電性粒子の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１が、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」のに対し、甲１－１発明は、「導電層の厚み」が「５ｎｍ」であり、「パラジウム層の厚み」が「５ｎｍ」であり、「パラジウム層の内表面（基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域において、パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又はパラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつパラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下で」ある構成を含むものの、「導電層」が含む水素原子の含有量について特定されていない点。 （イ）相違点についての検討 事案に鑑み、相違点２から検討する。 ａ 甲１－１発明において、「導電層の厚み」が「５ｎｍ」であり、「パラジウム層の厚み」が「５ｎｍ」であり、「パラジウム層の内表面（基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域において、パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又はパラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつパラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下で」ある場合、「導電層」は、「パラジウム層」からなり、「パラジウム以外の成分」を含まないか、５０ｐｐｍ以下で含むものであるといえる。 ｂ ここで、甲１－１の段落００６７には「無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、一般に上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量は９９．９重量％未満になり、９９．９重量％以上にはならない。また、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、パラジウム層中に触媒残渣が多く含まれやすい。」と記載され、同じく段落００６８には、「パラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。この場合に、上記パラジウム以外の成分としては、例えば触媒残渣等が挙げられる。また、上記パラジウム以外の成分としては、硫黄、塩素、及びスズ等が挙げられる。」と記載されており、無電解めっき法によって形成したパラジウム層は、パラジウムの含有量が９９．９重量％未満になり、パラジウム以外の成分として硫黄、塩素、及びスズ等の触媒残渣等が５０ｐｐｍ以下の含有量で含まれるといえる。 ｃ 上記ｂによれば、パラジウム層には、９９．９重量％未満のパラジウムと、硫黄、塩素、及びスズ等の触媒残渣等である５０ｐｐｍ以下の「パラジウム以外の成分」と、０．０９５重量％以上（＝「１００重量％」－「９９．９重量％未満」－「５０ｐｐｍ以下」）のその他の成分が含まれるといえる。そして、上記「０．０９５重量％以上」「のその他の成分」に、水素原子が含まれないとも、８０μｇ／ｇ以下で含まれるともいえないから、甲１－１発明において、「導電層」が水素原子を含まないか、又は、「導電層」が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むとはいえない。よって、相違点２は、実質的なものである。 ｄ そして、導電性粒子の導電部が水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むことは、甲１－２～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３のいずれにも記載されていないから、甲１－１発明において、相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは、甲１－２～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、当業者が容易に想到し得たことではない。 （ウ）小括 上記（イ）によれば、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１－１発明ではない。また、本件発明１は、甲１－２～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－１発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 請求項２、４～７の記載は、請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２、４～７は、本件発明１の構成をすべて備えるものであるから、上記イ（ア）の相違点２と同様の点で、甲１－１発明と相違する。したがって、上記イ（イ）における検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－１発明ではない。また、本件発明２、４～７は、甲１－２～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－１発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （２）申立理由１－２について ア 甲１－２について （ア）甲１－２には、以下の記載がある。なお、甲１－２の記載は、当審の訳文で示す。 「【請求項１】 （Ｓ１）高分子粉体を準備する段階； （Ｓ２）リン系還元剤を用いた無電解メッキを実施して前記高分子粉体の表面にニッケル薄層が形成されたニッケル被覆粉体を製造する段階；及び （Ｓ３）前記ニッケル被覆粉体を熱処理してニッケル薄層に含有されたリンの含量をニッケル薄層の総重量を基準として２重量％以下に減少させる段階を含む導電性粒子の製造方法。」 「＜１９＞次に、得られたニッケル被覆粉体を熱処理してニッケル薄層に含有されたリンの含量をニッケル薄層の総重量を基準として２重量％以下に減少させる（Ｓ３段階）。ニッケル被覆粉体の熱処理は窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気で２００乃至２５０℃の温度にすることが好ましいが、２００℃以上で熱処理時ニッケルの結晶化が進行されながらリンの含量が減少すると判断される。熱処理は１時間以上実施することが好ましい。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１－２には、次の発明（以下、「甲１－２発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－２発明＞ 「（Ｓ１）高分子粉体を準備する段階； （Ｓ２）リン系還元剤を用いた無電解メッキを実施して前記高分子粉体の表面にニッケル薄層が形成されたニッケル被覆粉体を製造する段階；及び （Ｓ３）前記ニッケル被覆粉体を熱処理してニッケル薄層に含有されたリンの含量をニッケル薄層の総重量を基準として２重量％以下に減少させる段階を含み、 熱処理は、窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気で２００乃至２５０℃の温度とし、熱処理時ニッケルの結晶化が進行されながらリンの含量が減少する、 製造方法により製造された導電性粒子。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１－２発明との対比 ａ 甲１－２発明は、「高分子粉体の表面にニッケル薄層が形成されたニッケル被覆粉体を製造」し、「ニッケル被覆粉体を熱処理して」「リンの含量を」「減少させ」たものであるから、「高分子粉体」の表面に「ニッケル薄層」が形成されたものである。よって、甲１－２発明の「高分子粉体」は、本件発明１の「基材粒子」に相当する。また、甲１－２発明の「ニッケル薄層」は、「前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部は」「ニッケル」「を少なくとも含」む点で、本件発明１の「導電部」と共通する。 ｂ また、甲１－２発明の「導電性粒子」は、上記ａを踏まえると、本件発明１の「導電性粒子」と、「基材粒子」及び「導電部」を備える点で、一致する。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲１－２発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、 前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、 導電性粒子。」 ＜相違点３＞ 本件発明１が、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、前記導電部の外表面に複数の突起を形成するために、前記導電部中に芯物質が埋め込まれているか、または、芯物質は用いられず、前記芯物質は金属粒子であり、この金属としてニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含み、導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上で」あるのに対し、甲１－２発明は、「ニッケル薄層」の外表面に突起を形成したものではない点。 ＜相違点４＞ 本件発明１が、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」のに対し、甲１－２発明は、「ニッケル薄層」が含む水素原子の含有量が、そのようなものではない点。 （イ）相違点についての検討 事案に鑑み、相違点４から検討する。 ａ 甲１－２発明は、「ニッケル薄層」が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むものではなく、また、甲１－２には、ニッケル薄層の水素含有量について何ら記載されていない。よって、相違点４は、実質的なものである。 ｂ そして、相違点４に係る本件発明１の構成は、甲１－１、甲１－３～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３のいずれにも記載されておらず、また、本件特許の出願時の技術常識であるとも言えないから、本件発明１は、甲１－１、甲１－３～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３を参酌しても、甲１－２発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ｃ 申立人１は、提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書１」という。）の第３２頁下から４行～最下行において、本件明細書等の段落０１２６には、基材粒子表面の導電部を２００℃以上の温度でアニール処理することにより導電部の水素原子を８０μｇ／ｇ以下にすることが記載されているところ、甲１－２発明は、２００℃以上の温度でアニール処理するものであるから、「ニッケル薄層」の水素原子は８０μｇ／ｇ以下である蓋然性が高い旨主張している。 ｄ 上記ｃの申立人１の主張について検討する。 （ａ）本件明細書等の段落０１２６には、「上記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備える。本発明に係る導電性粒子の製造方法では、上記アニール処理によって、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る。」と記載されている。 しかし、アニール処理による被処理体の状態の変化は、処理温度の他に、処理時間に依存することが技術常識であるところ、本件明細書等には、アニール処理の温度が２００℃以上であれば、任意の処理時間により、導電部が水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むものとなることは、記載も示唆もされていない。 （ｂ）また、本件明細書等には実施例として、段落０１５９に「導電性粒子を１００ＫＰａの気圧雰囲気下、温度３００℃で４時間（アニール処理条件）アニール処理を行い」と記載され、段落０２０７に「導電性粒子を１０ＫＰａの気圧雰囲気下、温度３００℃で４時間アニール処理するようにアニール処理条件を変更した」と記載され、段落０２０８に「導電性粒子を１００ＫＰａの気圧雰囲気下、温度２００℃で４時間アニール処理するようにアニール処理条件を変更した」と記載され、段落０２１２に「導電性粒子を１００ＫＰａの気圧雰囲気下、温度４００℃で４時間アニール処理するようにアニール処理条件を変更した」と記載され、段落０２１４に「導電性粒子を１００ＫＰａの気圧雰囲気下、温度５００℃で４時間アニール処理するようにアニール処理条件を変更した」と記載されており、導電性粒子は、２００℃以上の所定の温度、所定の時間でアニール処理されるものである。 しかし、甲１－２発明の「２００乃至２５０℃の温度」の「熱処理」は、本件明細書等に記載された実施例の上記所定の温度と所定の時間を満たすものではないから、「ニッケル薄層」が水素原子を含まないか、水素原子を８０μｇ／ｇ以下含むものとする条件であるともいえない。 （ｃ）また、申立人１が特許異議申立書１の第３３頁第１行～第８行で引用する甲１－７及び甲１－８の記載は、上記（ａ）及び（ｂ）の判断を左右するものではない。 （ｄ）上記（ａ）～（ｃ）のとおりであるから、上記ｃの申立人１の主張を採用することはできない。 （ウ）小括 上記（イ）によれば、本件発明１は、相違点３について検討するまでもなく、甲１－２発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１、甲１－３～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－２発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 請求項２、４～７の記載は、請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２、４～７は、本件発明１の構成をすべて備えるものであるから、上記イ（ア）の相違点４と同様の点で、甲１－２発明と相違する。したがって、上記イ（イ）における検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－２発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１、甲１－３～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－２発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （３）申立理由１－３について ア 甲１－３について （ア）甲１－３には、以下の記載がある。 「【請求項１】 樹脂粒子の表面にニッケルを含む導電性金属層を形成して金属被覆粒子を製造する被覆工程、及び、 この金属被覆粒子を、非酸化性雰囲気下で１８０℃～３５０℃の温度で加熱処理を行う熱処理工程を含むことを特徴とする導電性微粒子の製造方法。」 「【０００７】 本発明の製造方法は、被覆工程及び熱処理工程を含み、樹脂粒子の表面にニッケルを含む導電性金属層を形成した金属被覆粒子を、非酸化性雰囲気下で１８０℃～３５０℃の温度で加熱処理を行うことを要旨とする。非酸化性雰囲気下で熱処理することにより、導電性金属層の硬度が上昇し、得られる導電性微粒子の圧痕形成能が向上する。」 「【００５１】 前記熱処理の温度は１８０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上、さらに好ましくは２６０℃以上、特に好ましくは２８０℃以上である。熱処理温度が高いほど、得られる導電性微粒子の圧痕形成能が向上する。一方、熱処理温度が高くなり過ぎると、樹脂粒子が劣化してしまうため、熱処理温度は３５０℃以下が好ましく、より好ましくは３３０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１－３には、次の発明（以下、「甲１－３発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－３発明＞ 「樹脂粒子の表面にニッケルを含む導電性金属層を形成して金属被覆粒子を製造する被覆工程、及び、 この金属被覆粒子を、非酸化性雰囲気下で１８０℃～３５０℃の温度で加熱処理を行う熱処理工程を含む導電性微粒子の製造方法により製造され、（請求項１） 熱処理の温度は１８０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上、さらに好ましくは２６０℃以上、特に好ましくは２８０℃以上である、（段落０００７及び段落００５１） 導電性微粒子。」 イ 本件発明１について 本件発明１と甲１－３発明とを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点４と同じ点で相違し、当該相違点についての判断は、上記（２）イ（イ）において説示したとおりである。 よって、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１－３発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１、甲１－２、甲１－４～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－３発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 上記（２）ウにおける検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－３発明ではない。また、本件発明２、４～７は、甲１－１、甲１－２、甲１－４～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－３発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （４）申立理由１－４、申立理由２－１について ア 甲１－４について （ア）甲１－４には、以下の記載がある。 「［００５４］１－４．導電性微粒子の製法 前記導電性微粒子は、無電解めっき法により製造でき、この微粒子中の二ッケル層において（２００）面に垂直な方向に結晶を成長させるには、無電解めっき工程で特有の処理が必要となる。すなわち無電解めっき工程におけるめっき液（ニッケル塩含有めっき液）がグリシンと酢酸ナトリウムを含むこと、言い換えればニッケルめっき時にグリシンと酢酸ナトリウムが共存することが重要である。さらに、（ｉ） グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合（酢酸ナトリウム／グリシン）を１．８以下（好ましくは１．７以下、さらに好ましくは１．６以下）にすること、又は（ｉｉ） グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合が１．８を超える場合（好ましくは１．９以上、さらに好ましくは２．０以上の場合）には、めっき後に、窒素などの不活性雰囲気下、２７０℃以上（好ましくは２７５℃以上、さらに好ましくは２８０℃以上）で熱処理することによって、本発明の導電性微粒子を得ることができる。」 「［００６６］２．突起を有する導電性微粒子 導電性微粒子はその表面が平滑であっても凹凸状であっても良いが、バインダー樹脂を効果的に排除して電極との接続を行える点で複数の突起を有することが好ましい。突起を有することで、導電性微粒子を電極間の接続に用いた際の接続信頼性を高めることができる。」 「［００６９］ 前記突起の数は特に限定されないが、高い接続信頼性を確保する点から導電性微粒子の表面を電子顕微鏡で観察したときの任意の正投影面において、少なくとも１個以上の突起を有することが好ましく、より好ましくは５個以上、さらに好ましくは１０個以上である。」 「［請求項１］ 基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、 前記導電性金属層がニッケル層を含み、 前記導電性微粒子を粉末X線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観測されることを特徴とする導電性微粒子。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１－４には、次の発明（以下、「甲１－４発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－４発明＞ 「基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、 前記導電性金属層がニッケル層を含み、 前記導電性微粒子を粉末X線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、（請求項１） 導電性微粒子はその表面が複数の突起を有し、（段落００６６） 無電解めっき法により製造され、めっき液であるニッケル塩含有めっき液がグリシンと酢酸ナトリウムを含み、グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合が１．８を超え、めっき後に、窒素などの不活性雰囲気下、２７０℃以上で熱処理することによって得られる、（段落００５４） 導電性微粒子。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１－４発明とを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点４と同じ点で相違し、当該相違点についての判断は、上記（２）イ（イ）において説示したとおりである。 なお、申立人２は、提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書２」という。）の第１５頁第１１行～最下行において、甲２－４～甲２－９の記載によれば、無電解ニッケルめっき皮膜は皮膜中に水素を必然的に含むこと、皮膜中の水素により水素脆化が起こること、熱処理により皮膜中の水素は容易に放出されること、及び、皮膜中の水素による脆化を防ぐために皮膜中の水素を５０ｐｐｍ（５０μｇ／ｇ）以下にすることは、周知技術であるから、甲１－４発明において、「導電性金属層」の水素原子含有量は８０μｇ／ｇ以下である蓋然性が高く、仮にそうでないとしても、甲１－４発明において、「導電性金属層」の水素原子含有量を８０μｇ／ｇ以下とすることは、当業者が容易になし得たことである旨主張している。 上記の申立人２の主張について検討する。 甲２－４～甲２－９を含む甲２－２～甲２－１０のいずれにも、導電性粒子における基材の表面上に配置された導電部の水素原子の含有量について記載されていない。そうすると、申立人２が主張する周知技術における「無電解ニッケルめっき皮膜」は、導電性粒子を構成するものではないから、申立人２が主張する周知技術を甲１－４発明に適用して、導電性粒子における基材の表面上に配置された導電部の水素原子の含有量を８０μｇ／ｇ以下とすることはできない。 よって、上記の申立人２の主張を採用することはできない。 （イ）小括 上記（ア）によれば、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１－４発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１～甲１－３、甲１－５～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３、甲２－２～甲２－１０の記載を参酌しても、甲１－４発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 上記（２）ウにおける検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－４発明ではない。また、本件発明２、４～７は、甲１－１～甲１－３、甲１－５～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３、甲２－２～甲２－１０の記載を参酌しても、甲１－４発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （５）申立理由１－５について ア 甲１－５について （ア）甲１－５には、以下の記載がある。 「［００６６］ 前記態様１、２の製造方法において、得られた導電性微粒子に熱処理を施すことにより、結晶子径を大きくすることができる。この手法は、特に結晶子径を１．５ｎｍ以上３ｎｍ以下（好ましくは１．７ｎｍ以上３ｎｍ以下）の範囲に制御したい場合に特に有効である。前記熱処理は、導電性微粒子に対して、非酸化性雰囲気下で熱処理を施す。前記非酸化性雰囲気としては、不活性雰囲気又は還元性雰囲気が挙げられる。前記不活性雰囲気としては窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気が挙げられる。 ［００６７］ 前記熱処理の温度は１８０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上、さらに好ましくは２６０℃以上、特に好ましくは２８０℃以上である。熱処理温度が高いほど、結晶子径が大きくなる。一方、熱処理温度が高くなり過ぎると、基材粒子の熱分解が進むため、熱処理温度は３５０℃以下が好ましく、より好ましくは３３０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。前記熱処理の時間は、０．３時間以上が好ましく、より好ましくは０．５時間以上、さらに好ましくは０．７時間以上である。熱処理時間が長いほど、結晶子径が大きくなる。一方、熱処理時間が長くなり過ぎると、ニッケルの酸化が進む傾向があるため、熱処理時間は、１０時間以下が好ましく、より好ましくは５．０時間以下、さらに好ましくは３．０時間以下である。 ［００６８］２．突起を有する導電性微粒子 導電性微粒子はその表面が平滑であっても凹凸状であっても良いが、バインダー樹脂を効果的に排除して電極との接続を行える点で複数の突起を有することが好ましい。突起を有することで、導電性微粒子を電極間の接続に用いた際の接続信頼性を高めることができる。」 「［請求項１］ 基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、 前記導電性金属層が、ニッケル層を含み、 粉末Ｘ線回折法により測定されるニッケルの［１１１］方向の結晶子径が、３ｎｍ以下であることを特徴とする導電性微粒子。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１－５には、次の発明（以下、「甲１－５発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－５発明＞ 「基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、 前記導電性金属層が、ニッケル層を含み、 粉末Ｘ線回折法により測定されるニッケルの［１１１］方向の結晶子径が、３ｎｍ以下であり、（請求項１） 熱処理を施すことにより、結晶子径が大きくされ、 前記熱処理は、導電性微粒子に対して、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で施され、（段落００６６） 熱処理の温度は１８０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上、さらに好ましくは２６０℃以上、特に好ましくは２８０℃以上であり、３５０℃以下が好ましく、より好ましくは３３０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下であり、熱処理の時間は、０．３時間以上が好ましく、より好ましくは０．５時間以上、さらに好ましくは０．７時間以上であり、１０時間以下が好ましく、より好ましくは５．０時間以下、さらに好ましくは３．０時間以下であり、（段落００６７） 導電性微粒子はその表面が複数の突起を有する、（段落００６８） 導電性微粒子。」 イ 本件発明１について 本件発明１と甲１－５発明とを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点４と同じ点で相違し、当該相違点についての判断は、上記（２）イ（イ）において説示したとおりである。 よって、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１－５発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１～甲１－４、甲１－６～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－５発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 上記（２）ウにおける検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－５発明ではない。また、本件発明２、４～７は、甲１－１～甲１－４、甲１－６～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－５発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （６）申立理由１－６、申立理由１－７について ア 甲１－６について （ア） 甲１－６には、以下の記載がある。 ａ 「この中で無電解めっきを適用することにより作製した導電微粒子は，高分子系の樹脂微粒子上に金属を成膜しているために，熱膨張や圧着接合時の寸法変化に対して弾性変形範囲が広く，接続部材として適している。」（第５７頁左欄第１９行～右欄第２行） ｂ 「本報では素材としてスチレン系の樹脂微粒子を用い，無電解ニッケルめっきによりニッケル導電膜を形成させ，その成膜状態や皮膜特性，また圧縮変形時の皮膜の柔軟性について評価した。 ・・・（中略）・・・ 2. 1 前処理 素材として，粒径が5～10μmのポリスチレン系樹脂微粒子（密度：1.02g/cm3）10gを使用した。この樹脂微粒子をノニオン系界面活性剤であるポリエチレングリコール（分子量：1000）を1OOppm添加した溶液で親水化し，次いでスズ－パラジウム二段法(SnCl，O.1g/L，PdCl2 0.05g/L)による触媒付与後，還元剤溶液(DMAB 0.005M) による活性化促進処理を行った。」（第５７頁右欄第３行～最下行） ｃ 「そこで本研究では滴下法５）.６）により樹脂微粒子上にニッケルを成膜した。めっき装置図を図2に，浴組成および操作条件を表1に示す。この滴下法は，あらかじめ金属塩溶液と還元剤溶液を別々に調製しておき，微粒子の分散液中に調製溶液を連続的に滴下することで無電解めっきを行う方法である。」（第５８頁左欄第７行～第１２行） ｄ 「3.1 めっき浴組成の検討 3.1.1 均一析出性におよぼす錯化剤，ｐＨの影響 錯化剤としてグリシン，酒石酸ナトリウム，酢酸アンモニウムを用いためっき浴を使用し，ｐＨを４～６の範囲で変化させニッケルめっきを行った。また浴温は７０℃とし，めっき膜厚はめっき時間を変化させて0.2μmに統一した。めっき後の微粒子のＳＥＭ像を図３に示す。ｐＨ６のめっき浴では，ニッケルの皮膜形態はいずれの錯化剤を用いてもニッケルの初期析出が急激に起こるため，こぶ状析出となった7)。」（第５８頁右欄第１３行～第５９頁左欄第２行） （イ）上記（ア）によれば、甲１－６には次の発明（以下、「甲１－６発明」という。）が記載されている。 ＜甲１－６発明＞ 「素材としてスチレン系の樹脂微粒子を用い、無電解ニッケルめっきによりニッケル導電膜を形成させた導電微粒子であって、（ａ、ｂ） 素材として、粒径が５～１０μｍのポリスチレン系樹脂微粒子（密度：１．０２ｇ／ｃｍ３）１０ｇを、ノニオン系界面活性剤であるポリエチレングリコールを１００ｐｐｍ添加した溶液で親水化し、次いでスズ－パラジウム二段法（ＳｎＣｌ、Ｏ．１ｇ／Ｌ、ＰｄＣｌ２ ０．０５ｇ／Ｌ）による触媒付与後、還元剤溶液（ＤＭＡＢ ０．００５Ｍ）による活性化促進処理を行い、（ｂ） 滴下法により樹脂微粒子上にニッケル導電膜を成膜し、 この滴下法は、あらかじめ金属塩溶液と還元剤溶液を別々に調製しておき、微粒子の分散液中に調製溶液を連続的に滴下することで無電解めっきを行う方法であり、（ｃ） 錯化剤としてグリシン、酒石酸ナトリウム、酢酸アンモニウムを用いためっき浴を使用し、ｐＨを６とし、浴温は７０℃とし、めっき膜厚はめっき時間を変化させて０．２μｍに統一したニッケルめっきを行い、ニッケル導電膜の皮膜形態はこぶ状析出となった、（ｄ） 導電性粒子。」 イ 本件発明１について 本件発明１と甲１－６発明とを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点４と同じ点で相違し、当該相違点についての判断は、上記（２）イ（イ）において説示したとおりである。 よって、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１－６発明ではない。また、本件発明１は、甲１－１～甲１－５、甲１－７～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－６発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２、４～７について 上記（２）ウにおける検討と同様の理由により、本件発明２、４～７は、甲１－６発明ではない。また、本件発明２、４～７は、甲１－１～甲１－５、甲１－７～甲１－９、甲１－１１、甲１－１３の記載を参酌しても、甲１－６発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （７）申立理由１－８（サポート要件）について ア 申立人１は、特許異議申立書１の第５２頁第１４行～第２４行において、本件発明１～７の「導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上」の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない旨主張している。 しかし、発明の詳細な説明の段落０１１１には、「上記突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。」と記載されている。そして、少なくとも一つの突起が酸化皮膜と接していれば、すなわち、「突起がある部分の表面積」がゼロでなければ、「酸化被膜を効果的に排除」する作用は生じうるから、「導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上」であれば、上記作用により、上記第４の２（３）イの課題を解決できることを理解できる。 よって、本件発明１～７は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなっておらず、上記主張を採用することはできない。 イ 申立人１は、特許異議申立書１の第５４頁第８行～第１８行において、発明の詳細な説明には、実施例１～２、７～１２、１５における芯物質となる「ニッケル粒子スラリー」及び「アルミナ粒子スラリー」の濃度（含有量）が記載されておらず、また、実施例３～６、１３～１４における析出突起を形成するための「ニッケルめっき液」の滴下量が記載されていないため、本件発明１～７の「導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積」を１０％以上にすることは記載されておらず、本件発明１～７は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨主張している。 しかし、発明の詳細な説明に記載された上記「ニッケル粒子スラリー」、「アルミナ粒子スラリー」又は「ニッケルめっき液」の濃度（含有量）を増減することにより、導電性粒子が備える芯物質又は析出突起の数を増減させ、「導電性粒子の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上」である構成とすることができることは、本件特許の出願時の技術常識を参酌すれば、明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 ウ 申立人１は、特許異議申立書１の第５４頁第１９行～第２３行において、発明の詳細な説明には、実施例として導電部のビッカース硬度が記載されていないから、本件発明２は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨主張している。 しかし、発明の詳細な説明の段落００９５～０１１１に記載された「導電部」の材料の組成を選択することにより、「導電部」のビッカース硬度を２００以上にできることは、当業者にとって明らかである。よって、本件発明２の「導電部のビッカース硬度が２００以上である」ことは、発明の詳細な説明に記載されており、上記主張を採用することはできない。 （８）申立理由１－９（実施可能要件）及び申立理由１－１０（明確性要件）について ア 申立人１は、特許異議申立書１の第５４頁下から３行～第５５頁第１５行において、発明の詳細な説明の段落０２２５には、「水素原子の含有量の測定には、昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」）を用いた。・・・（中略）・・・真空引きされた導電部を徐々に加熱した。放出された水素原子を検出器で測定した。」と記載されているが、「昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」）」は、真空チャンバーを不要とするものであるところ、上記「真空引きされた」状態でどのように測定するのか不明である旨主張している。 しかし、発明の詳細な説明の段落０１２９には、「導電部における水素原子の含有量を少なくするために、アニール処理は高圧雰囲気下で行うことが好ましい。アニール処理時の真空度は、好ましくは１０ｋＰａ以上、より好ましくは５０ｋＰａ以上、更に好ましくは１００ｋＰａ以上である。」と記載され、導電部における水素原子量の含有量を少なくするために、所定の真空度でアニール処理を行うことが記載されている。そうすると、上記段落０２２５の記載は、導電部における水素原子量の含有量を少なくするために、所定の真空度で、すなわち真空引きされた状態で、アニール処理を行った後の導電部を、昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」）を用いて、徐々に加熱して放出された水素原子を測定したことであると解され、真空引きされた状態で測定するものではないから、不明ではない。よって、上記主張を採用することはできない。 イ 申立人１は、特許異議申立書１の第５５頁第１６行～第５６頁第８行において、甲１－７及び１－甲８に記載されているように、無電解めっき後にめっき層中の水素量が経時的に低減することは周知の技術事項であり、本件発明１～７の「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成が、どの時点で測定したものであるのか不明である旨主張している。 しかし、めっき層中の水素量は経時的に低減するから、水素原子を測定する時点によらず、測定した導電部が水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むものであれば、その後の導電部の水素量は増加しないから、上記本件発明１～７の構成を有するといえる。よって、上記本件発明１～７の構成、及び、その測定方法は明確である。よって、上記主張を採用することはできない。 ウ 申立人１は、特許異議申立書１の第５６頁第９行～下から２行において、発明の詳細な説明の段落０２２５には「水素原子の含有量の測定には、昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ－１０００」）を用いた。」と記載されているが、甲１－１２に記載されているように、昇温脱離水素分析装置「ＰＤＨＡ－１０００」の測定濃度は、キャリアガス量に対する濃度として測定されるものであり、キャリアガス流量によって変動するものであるところ、発明の詳細な説明にはキャリアガスの流量について記載されていないため、導電部の水素量の測定方法が不明である旨主張している。 しかし、キャリアガス量に対する水素の濃度から、測定された水素の全体量を計算することにより、水素本件発明１～７の「導電部」が含む「水素原子」の量を求めることができることは、技術常識から明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 （９）申立理由２－２（実施可能要件）について ア 申立人２は、特許異議申立書２の第１９頁下から３行～第２０頁第１８行において、発明の詳細な説明の段落０１２９には「アニール処理は高圧雰囲気下で行うことが好ましい。アニール処理時の真空度は、好ましくは１０ｋＰａ以上、より好ましくは５０ｋＰａ以上、更に好ましくは１００ｋＰａ以上である。」と記載されているが、「１００ｋＰａ」が絶対圧力なのかゲージ圧なのか不明であり、「高圧雰囲気下で行うことが好ましい」との記載は、「大気圧より高い圧力下で行うことが好ましい」との意味に理解される一方で、「真空度は、好ましくは１０ｋＰａ以上」との記載は「絶対圧力１０ｋＰａ以上の低圧下が好ましい」の意味であると理解され、矛盾した記載となっている旨主張している。 しかし、上記「真空度は、好ましくは１０ｋＰａ以上」との記載によれば、「１０ｋＰａ」は、大気圧より低い圧力であると解されるから、上記記載において「ｋＰａ」は絶対圧力を意味することは明らかであり、また、「高圧雰囲気下」は、所定の圧力より高い圧力を意味すると解され、当該圧力として、「好ましくは１０ｋＰａ以上、より好ましくは５０ｋＰａ以上、更に好ましくは１００ｋＰａ以上」が記載されていると理解できるから、矛盾はない。よって、上記主張を採用することはできない。 イ 申立人２は、特許異議申立書２の第２０頁第１９行～第２１頁第１３行において、発明の詳細な説明の段落０２２４には、「導電性粒子をジルコニアボールによるボールミルを用いて粉砕し、導電部を基材粒子から完全に剥離した。導電部と基材粒子から完全に剥離した試料を篩により、導電部と基材粒子とに分離し、導電部のみを採取した。」と記載されているところ、数μｍ程度の微粒子の分級には、電成ふるいを用いる必要があるが、甲２－１１に記載されているように、電成ふるいのメッシュでは、発明の詳細な説明に記載された粒子径約３μｍの導電性粒子をふるい分けできないから、上記記載の方法では、導電部と基材粒子とを分離できない旨主張している。 しかし、当業者であれば、電成ふるい以外の、所望の開孔径のふるいを用いることにより、導電性粒子をふるい分けできることは明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 ウ 申立人２は、特許異議申立書２の第２１頁最下行～第２２頁第２０行において、上記（８）アにおける申立人１の主張と同様の主張をしているが、同項において検討したとおりであるから、当該主張を採用することはできない。 （１０）申立理由２－３（サポート要件）について ア 申立人２は、特許異議申立書２の第２３頁第１行～第９行において、発明の詳細な説明には、導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができるという課題を解決できる導電性粒子として、導電部の結晶子サイズが５０ｎｍ以上である導電性粒子のみが具体的に記載されているが、上記課題を解決するためには、導電部の結晶子サイズを５０ｎｍ以上とする必要があるのは明らかであり、このような特定がない本件発明１～７は、課題を解決するための手段が反映されていないものである旨主張している。 しかし、上記第４の２（３）ウにおいて説示したとおり、発明の詳細な説明には、基材粒子の表面上に配置された、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、白金又は錫を少なくとも含む導電部が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含むことにより、導電部に割れを生じ難くすることができることが記載されている。そうすると、「導電部が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」ことが特定される本件発明１～７は、導電部に割れを生じ難くすることができ、従って接続信頼性を高めることができる点で、上記課題を解決できることを理解できる。よって、上記主張を採用することはできない。 （１１）申立理由２－４（明確性要件）について ア 申立人２は、特許異議申立書２の第２３頁第１１行～第２０行において、請求項１では、水素原子の量の測定方法が特定されていないところ、測定方法によって検出される水素の量は異なるから、本件発明１～７の「導電部が、水素原子を含まないか、又は、水素原子２を８０μｇ／ｇ以下で含む」構成は明確でない旨主張している。 しかし、請求項１に記載された「導電部が、水素原子を含まないか、又は、水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」は、測定結果を特定するものではなく、「水素原子を含まない」、又は、「水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」という、「導電部」の構成を特定するものであり、「導電部」が上記構成を有するか否かは、当業者が最適な方法を選択して判別できるものであるから、明確である。よって、上記主張を採用することはできない。 イ 申立人２は、特許異議申立書２の第２３頁第２１行～第２４頁第１２行において、発明の詳細な説明には、突起がある部分と突起がない部分との境界を判別する方法が開示されていないから、「突起がある部分の表面積」が客観的に定まらず、本件発明１～７は不明確である旨主張している。 しかし、突起がある部分と突起がない部分との境界を判別する方法として、画像処理技術等の種々の方法を用いることができることは、本件特許の出願時の技術常識から明らかであり、請求項１に記載された「突起がある部分の表面積」を客観的に定めることはできるから、本件発明１～７は明確である。よって、上記主張を採用することはできない。 第６ まとめ 以上のとおりであるから、特許異議申立書に記載した申立理由及び当審から通知した取消理由によっては、本件の請求項１、２、４～７に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件の請求項１、２、４～７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項３が本件訂正により削除されたことにより、申立人１及び申立人２による請求項３に係る特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。