2020-700591

特許第６６４５３１７号（以下「本件特許」という。）の請求項１～５に係る特許についての出願は，平成２８年３月３０日に出願され，令和２年１月１４日にその特許権の設定登録がされ，同年２月１４日に特許掲載公報が発行されたものである。

その後，令和２年８月１３日に，本件特許の請求項１～５に係る特許に対して，特許異議申立人である山下桂（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ，当審は，同年１１月３０日付けで取消理由を通知し，特許権者は，令和３年１月１３日に意見書及び訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）を提出した。

なお，令和３年２月１日付けで当審から申立人に対し，訂正の請求があった旨の通知をするとともに，相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，申立人から意見書は提出されなかった。

１　特許異議の申立ての理由の概要

申立人は，異議申立理由として以下（５）の証拠方法に基づき，以下（１）～（４）を概要とする理由を主張し，本件特許の請求項１～５に係る特許は取り消されるべき旨を申立てた。

（１）異議申立理由１（明確性）

本件特許の請求項１に係る発明及び本件訂正前の請求項４及び５に係る発明は，請求項１における「金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎからなり」の記載の意義が多義的で，中心核がＣｕ６Ｓｎ５等のＣｕ３Ｓｎ以外の相を含むものを包含するのか否かが不明であるから，同発明に係る特許は，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，同法１１３条４号に該当し，取り消されるべきものである。

（２）異議申立理由２（サポート要件）

下記ア及びイの申立理由２－１及び２－２により，本件特許の請求項１に係る発明及び本件訂正前の請求項２～５に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえないから，同発明に係る特許は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，同法１１３条４号に該当し，取り消されるべきものである。

ア　申立理由２－１

本件明細書の記載をふまえれば，中心核がＣｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５の２相で構成された接合用粉末は本件発明の課題を解決できず，Ｃｕ３Ｓｎを単相とすることによりはじめて当該課題を解決できると把握できるが，本件特許の請求項１では，中心核について「Ｃｕ３Ｓｎからなる」としか特定されておらず，その結晶構造がＣｕ３Ｓｎ単相により構成されていることや，他の結晶相を含まないことについては何も特定されていないから，同請求項１及び請求項１を直接又は間接的に引用する本件訂正前の請求項４及び５に係る発明は，本件明細書の記載から把握される接合用粉末の発明よりも広い範囲を含むものであって，本件発明が解決しようとする課題を解決できない態様を含み，この結果，同請求項１及び請求項１を直接又は間接的に引用する本件訂正前の請求項４及び５に係る発明において，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されていないため，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えたものとなっている。

イ　申立理由２－２

本件訂正前の請求項２及び３における「中心核となるＣｕ３Ｓｎ粉末」は，本件明細書の記載を参酌すれば，様々な原料の混合物であって，その構成元素の組成がモル比でＣｕ：Ｓｎ＝３：１である混合粉末を意味するものと把握できるが，本件明細書の記載を考慮すると，同請求項２及び３によって得られる接合用粉末は，本件明細書の記載から把握される接合用粉末よりも広い範囲を含むものであって，発明が解決しようとする課題を解決できない態様を含む結果，同請求項２及び３において，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されていないため，同請求項２及び３並びに同請求項２又は３を直接又は間接的に引用する本件訂正前の請求項４及び５に係る発明は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えたものとなっている。

（３）異議申立理由３（実施可能要件）

本件明細書は，本件特許の請求項１に係る発明のうちＣｕ３Ｓｎ相のみからなる中心核を備える態様について「作れるように」記載されていないし，本件明細書は，本件訂正前の請求項２及び３に係る発明のうちＣｕ３Ｓｎ相からなる中心核を備える態様について「その方法により物を作ることができるようにj 記載されていない。

よって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，当業者が同請求項１及び本件訂正前の請求項２～５に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえないから，同発明に係る特許は，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，同法１１３条４号に該当し，取り消されるべきものである。

（４）申立理由４（新規性）

ア　申立理由４－１

本件特許の請求項１及び本件訂正前の請求項２～５に係る発明は，甲第１号証に記載された発明であるから，同発明に係る特許は特許法２９条１項３号の規定に違反してされたものであり，同法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。

イ　申立理由４－２

本件特許の請求項１及び本件訂正前の請求項４，５に係る発明は，甲第２号証に記載された発明であるから，同発明に係る特許は特許法２９条１項３号の規定に違反してされたものであり，同法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。

（５）申立理由５（進歩性）

ア　申立理由５－１

本件特許の請求項１及び本件訂正前の請求項２～５に係る発明は，甲第１号証に記載された発明に基いて，あるいは甲第１号証に記載された発明に甲第２号証に記載された発明を適用することにより，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，同発明に係る特許は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであり，同法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。

イ　申立理由５－２

本件特許の請求項１及び本件訂正前の請求項２，４及び５に係る発明は，甲第２号証に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同発明に係る特許は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであり，同法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。

（６）証拠方法

以下，「甲第１号証」～「甲第７号証」を，それぞれ「甲１」～「甲７」という。

２　当審から通知した取消理由

当審は，上記１の特許異議の申立ての理由を検討した結果，いずれの理由も採用しなかったが，職権により明確性要件違反について，令和２年１１月３０日付けで取消理由を通知した。

（１）異議申立理由１（明確性）

ア　異議申立理由１（明確性）についての申立人の主張の概略は，上記第４の１（１）のとおりであるとともに，その根拠として以下（ア）及び（イ）が主張されている。

（ア）本件明細書において，「Ｃｕ３Ｓｎ」という用語は，金属相の種類ではなく構成元素の平均組成を表すものとしても用いられている（【００３３】，【００５０】）ことを踏まえると，請求項１の「金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ」という用語が，平均組成がＣｕ３Ｓｎである金属間化合物を特定しているのか，Ｃｕ３Ｓｎ単相からなる金属間化合物を特定しているのかを明確に把握することができない。

（イ）「Ｃｕ３Ｓｎからなり」という用語が，Ｃｕ３Ｓｎ相のみからなるものをいうのか，Ｃｕ６Ｓｎ５相などの他の相を含むものを包含するのかを明確に把握することができない。「からなり」という記載は，本件の如く対象が合金材料である場合，直前に列挙した要素以外の他の成分の存在を許容しないという解釈もあれば，他の成分を含んでもよいという解釈も考えられる。

イ　上記アの主張について検討すると，上記ア（ア）について，本件発明が属する技術分野において，「金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ」という記載は，ＣｕとＳｎが結合して化合物となったものを意味するのであって，構成元素の平均組成を表すものを意味するのでないことは，明らかなことであるといえる。

ウ　また，本件明細書の【００３３】には「Ｃｕ３Ｓｎ粉末は，アトマイズ法により製造し，この粉末を真空雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で５０～１００℃の温度で粉末全体がＣｕ３Ｓｎ相になるまで加熱」と記載され，同【００５０】には「アトマイズ法により製造したＣｕ３Ｓｎ組成の金属粉末２０ｋｇを，真空加熱炉に入れて８０℃で６時間加熱処理してＣｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末とした。」と記載されているところ，「Ｃｕ３Ｓｎ粉末」又は「Ｃｕ３Ｓｎ組成の金属粉末」は，加熱処理により「Ｃｕ３Ｓｎ相」又は「Ｃｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末」となる原料を意味するものとして区別されており，本件明細書において，「Ｃｕ３Ｓｎ」という用語が金属相の種類ではなく構成元素の平均組成を表すものとしても用いられているということはできない。

エ　さらに，上記ア（イ）について，含有する金属が一部異なると，特質が全く異なるものとなる合金における分野に係る本件発明においては，「中心核が銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎからなり」との記載が，中心核に「Ｃｕ３Ｓｎ」のみを含むものを意味することは明らかであり，本件明細書を参酌しても，【００２１】において「中心核を融点が６７６℃であるＣｕ３Ｓｎにより構成し，第１被覆層を銅により構成することにより，中心核を融点が４１５℃であるＣｕ６Ｓｎ５のような銅と錫との金属間化合物により構成し，被覆層を錫のみで構成した特許文献３の接合用粉末と比較して，接合後の耐熱性が高く接合強度も高くなる。」と記載されているように，融点を変化させることになる他の成分を中心核が含むものではないことが理解できる。

オ　よって，申立人の上記アの主張を採用することはできず，本件発明１，４及び５が明確でないとはいえない。

（２）異議申立理由２（サポート要件）

ア　申立理由２－１

（ア）異議申立理由２（サポート要件）における申立理由２－１についての申立人の主張の概略は，上記第４の１（２）アのとおりである。

（イ）上記第４の１（２）アにおける申立人の主張は，本件発明１では，中心核について「Ｃｕ３Ｓｎからなる」としか特定されておらず，その結晶構造がＣｕ３Ｓｎ単相により構成されていることや，他の結晶相を含まないことについては何も特定されていないことを前提とするものであるが，上記（１）のとおり，本件発明１の特定事項である「中心核が銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎからなり」は，中心核に「Ｃｕ３Ｓｎ」のみを含むものを意味することは明らかであるから，申立人の主張は，上記前提を誤ったものである。

（ウ）したがって，申立人による申立理由２－１の主張を採用することはできない。

イ　申立理由２－２

（ア）異議申立理由２（サポート要件）における申立理由２－２についての申立人の主張の概略は，上記第４の１（２）イのとおりである。

（イ）上記第４の１（２）イにおける申立人の主張は，本件訂正前の請求項２及び３における「中心核となるＣｕ３Ｓｎ粉末」の記載は，様々な原料の混合物であって，その構成元素の組成がモル比でＣｕ：Ｓｎ＝３：１である混合粉末を意味するものと把握できることを前提とするものであるが，本件訂正により，「中心核となるＣｕ３Ｓｎ粉末」は，「中心核となるＣｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末」とされ，「Ｃｕ３Ｓｎ粉末」が金属間化合物であると明らかになったことから，申立人の主張は，上記前提を誤ったものとなった。

（ウ）したがって，申立人による申立理由２－２の主張を採用することはできない。

ウ　よって，本件発明が発明の詳細な説明に記載したものでないということはできない。

（３）異議申立理由３（実施可能要件）

ア　異議申立理由３（実施可能要件）についての申立人の主張の概略は，上記第４の１（３）のとおりであるとともに，本件明細書の実施例には，中心核の粉末全体がＣｕ３Ｓｎ相で構成されたものを得たことについて，これを確認した実験事実は何ら記載されていないと主張している。

イ　上記主張について検討すると，本件明細書の【００３３】には「Ｃｕ３Ｓｎ粉末は，アトマイズ法により製造し，この粉末を真空雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で５０～１００℃の温度で粉末全体がＣｕ３Ｓｎ相になるまで加熱」と記載され，同【００５０】には「アトマイズ法により製造したＣｕ３Ｓｎ組成の金属粉末２０ｋｇを，真空加熱炉に入れて８０℃で６時間加熱処理してＣｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末とした。」と記載されているように，Ｃｕ３Ｓｎ粉末を所定の温度及び時間の条件で加熱処理することによりＣｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末が得られることが本件明細書に記載されている。

ウ　また，Ｃｕ３Ｓｎ粉末全体がＣｕ３Ｓｎ相で構成されたことを確認したことが明細書に示されていないとしても，上記加熱処理条件では粉末全体がＣｕ３Ｓｎ相とはならないという技術常識は認められないし，そのことを具体的な根拠をもって申立人が主張しているものでもない。

エ　よって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，当業者が本件発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないとはいえない。

（４）申立理由４－１（新規性）及び申立理由５―１（進歩性）

ア　甲１に記載された発明

（ア）甲１の請求項１の記載において，金属間化合物粉末に着目すると，同請求項１には「ソルダペーストを構成する金属粉末成分とフラックス成分のうち，該金属粉末成分がＣｕおよびＳｎからなる金属間化合物粉末であって，表面に金属バリア層が被覆されている金属間化合物粉末。」が記載されているといえる。

（イ）また，甲１には，ソルダペーストは基板接合に用いられること（［0001］），金属間化合物がＣｕ３Ｓｎを含むこと（［0043］），金属バリア層がＳｎであるか（［0053］），あるいはＳｎを含む２層以上の層であること（［0059］），金属間化合物粉末の平均粒径が０.１～３０μｍであること（［0047］），金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８であること（［0043］）がそれぞれ記載されている。

（ウ）してみると，上記（ア）及び（イ）から，甲1には以下の発明（以下「甲１Ａ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲１Ａ発明＞

基板接合に用いられるソルダペーストを構成する金属粉末成分とフラックス成分のうち，該金属粉末成分がＣｕおよびＳｎからなる金属間化合物粉末であり，表面に金属バリア層が被覆されている金属間化合物粉末であって，

前記金属間化合物がＣｕ３Ｓｎを含み，

前記金属バリア層がＳｎであるか，あるいはＳｎを含む２層以上の層であり，

前記金属間化合物粉末の平均粒径が０.１～３０μｍであり，

前記金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８である金属間化合物粉末。

（エ）また，甲１には，物の発明である甲１Ａ発明に係る金属間化合物粉末の製造方法であって，金属バリア層の形成を「溶融めっき法や電解めっき法，無電解めっき法など」で行うもの（［0061］）として，以下の発明（以下「甲１Ｂ発明」という。）が記載されているものと認められる

＜甲１Ｂ発明＞

基板接合に用いられるソルダペーストを構成する金属粉末成分とフラックス成分のうち，該金属粉末成分がＣｕおよびＳｎからなる金属間化合物粉末であり，表面に溶融めっき法や電解めっき法，無電解めっき法などで金属バリア層が被覆されている金属間化合物粉末の製造方法であって，

前記金属間化合物がＣｕ３Ｓｎを含み，　前記金属バリア層がＳｎであるか，あるいはＳｎを含む２層以上の層であり，

前記金属間化合物粉末の平均粒径が０．１～３０μｍであり，

前記金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８である金属間化合物粉末の製造方法。

（オ）さらに，甲１Ａ発明及び甲１Ｂ発明並びに甲１の請求項１の記載におけるソルダペーストに着目すると，甲１には，ソルダペーストの製造方法に関して以下の発明（以下「甲１Ｃ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲１Ｃ発明＞

甲１Ａ発明の金属間化合物粉末成分或いは甲１Ｂ発明で得られた金属間化合物粉末成分とから構成されるソルダペーストの製造方法。

（カ）そして，甲１には，ソルダペーストを用いて形成されたはんだ継手（請求項１０）と，はんだ継手を電子部品の製造時に用いることを想定した記載（[0084]）があることから，甲１には，以下の発明（以下「甲１Ｄ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲１Ｄ発明＞

甲１Ｃ発明で製造されたソルダペーストを用いて電子部品を実装する方法。

イ　本件発明１について

（ア）甲１Ａ発明との対比

ａ　本件発明１と甲１Ａ発明とを対比すると，甲１Ａ発明の「金属間化合物粉末」及び「金属バリア層」は，それぞれ本件発明１の「接合用粉末」及び「被覆層」に相当する。

ｂ　また，甲１Ａ発明の金属間化合物粉末において，表面に被覆された金属バリア層を除いたものが，本件発明１の「中心核」に相当し，いずれも銅と錫との金属間化合物からなるものである点で共通する。

ｃ　さらに，甲１Ａ発明における「金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８である」ことは，本件発明１と同様に，金属間化合物粉末の全体量に対するＣｕの含有割合として表せば，３０～８０質量％であることを意味するものである。

ｄ　してみると，両者は，以下の一致点及び相違点を有している。

＜一致点＞

「中心核と前記中心核を被覆する被覆層とにより構成される接合用粉末において，

前記中心核が銅と錫との金属間化合物からなり，前記被覆層が，錫からなる一層により構成されるか，或いは錫を含む二層により構成される接合用粉末。」である点。

＜相違点１Ａ－１＞

中心核となる銅と錫との金属間化合物について，本件発明１は，「Ｃｕ３Ｓｎからな」るものであるのに対し，甲１Ａ発明は，「Ｃｕ３Ｓｎを含」むものである点。

＜相違点１Ａ－２＞

接合用粉末の平均粒径について，本件発明１は，「１μｍ以上３０μｍ以下」であるのに対し，甲１Ａ発明は，「０．１～３０μｍ」である点。

＜相違点１Ａ－３＞

接合用粉末の全体量１００質量％に対する銅の含有割合について，本件発明１は，「５２質量％以上６０質量％以下」であるのに対し，甲１Ａ発明は，「３０～８０質量％」である点。

（イ）相違点についての判断

ａ　実質的な相違点であるか否かについて

（ａ）相違点１Ａ－１について検討すると，本件発明１における「Ｃｕ３Ｓｎからなり」は，上記（１）のとおり，他の成分を含まないことを意味するといえるから，相違点１Ａ－１は実質的な相違点である。

（ｂ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１と甲１Ａ発明とは実質的に相違するものである。

ｂ　容易想到性について

（ａ）相違点１Ａ－１について検討すると，甲１Ａ発明の金属間化合物は，Ｃｕ３Ｓｎを含むものであって，甲１の［0043］において，Ｃｕ３Ｓｎ以外には，Ｃｕ６Ｓｎ５が例示されているところ，これらの金属間化合物の中から，Ｃｕ３Ｓｎのみとする動機付けは，甲１のみならず，甲２～６においても認められない。

（ｂ）そして，本件発明１は，相違点１Ａ－１に係る特定事項を備えることにより，「接合後の耐熱性が高く接合強度も高くなる」（【００２１】）という顕著な効果奏するものである。

（ｃ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１は，甲１Ａ発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に想到し得るものでない。

（ｄ）相違点１Ａ－１に関して，申立人は特許異議申立書の６６頁４～１２行において，「甲第１号証の［0044］には，「本発明に係るソルダペーストでは，金属間化合物として，Ｃｕ３Ｓｎを含有することが好ましい。ソルダペースト中にＣｕ３Ｓｎが存在していると，リフローによるはんだ継手形成時にはんだ中のＳｎと，金属間化合物粉末中のＣｕ３Ｓｎが反応し，Ｃｕ３Ｓｎの一部がＣｕ６Ｓｎ５に変化して，この新たに形成されたＣｕ６Ｓｎ５が，予め添加されていた金属間化合物粉末の間および接続端子と金属間化合物粉末との問でＣｕ６Ｓｎ５の網目構造を形成するためである。」と記載されている。したがって，甲１Ａ発明において，好適な網目構造を形成する目的を追求して，中心核がＣｕ３Ｓｎ単相からなるものとすることは，当業者が容易に想到し得たことといえる。」旨主張している。

（ｅ）しかしながら，上記甲１の［0044］の記載は，リフロー前の金属間化合物がＣｕ３Ｓｎのみであることが好ましいとしているものではなく，Ｃｕ３Ｓｎを含有することが好ましいとするものであり，上記のとおり，甲１の［0043］において挙げられている，Ｃｕ３Ｓｎ以外のＣｕ６Ｓｎ５の含有を否定するものではないから，申立人の上記主張を採用することはできない。

（ウ）本件発明１についての小括

よって，本件発明１は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

ウ　本件発明２について

（ア）甲１Ｂ発明との対比

ａ　本件発明２と甲１Ｂ発明とを対比すると，甲１Ｂ発明の「金属間化合物粉末」及び「金属バリア層」は，それぞれ本件発明２の「接合用粉末」及び「被覆層」に相当する。

ｂ　また，甲１Ｂ発明の金属間化合物粉末において，表面に被覆された金属バリア層を除いたものが，本件発明２の「中心核」に相当し，いずれも銅と錫との金属間化合物からなるものである点で共通する。

ｃ　さらに，甲１Ｂ発明における「金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８である」ことは，本件発明２と同様に，金属間化合物粉末の全体量に対するＣｕの含有割合として表せば，３０～８０質量％であることを意味するものである。

ｄ　してみると，両者は，以下の一致点及び相違点を有している。

＜一致点＞

「中心核である銅と錫との金属間化合物からなる金属間化合物粉末に錫を被覆してこの錫を被覆層とする被覆粉末を得る接合用粉末の製造方法。」である点。

＜相違点１Ｂ－１＞

中心核の平均粒径について，本件発明２は，「０．９５μｍ以上２８．５８μｍ以下」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，平均粒径が不明な点。

＜相違点１Ｂ－２＞

中心核となる銅と錫との金属間化合物について，本件発明２は，「Ｃｕ３Ｓｎ」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，「Ｃｕ３Ｓｎを含」むものである点。

＜相違点１Ｂ－３＞

金属間化合物粉末への錫の被覆について，本件発明２は，「金属間化合物粉末を水に分散させて第１分散液を得る工程と，錫の金属塩と還元剤を前記第１分散液に添加混合して前記錫の金属塩が溶解して生成される錫イオンが前記還元剤で還元されることにより析出した錫が前記中心核を被覆してこの錫を被覆層とする一層被覆粉末を得る工程と，前記一層被覆粉末が分散した第２分散液を固液分離し，前記固液分離した固形分の一層被覆粉末を乾燥する工程」によるものであるのに対し，甲１Ｂ発明は，金属間化合物粉末の「表面に溶融めっき法や電解めっき法，無電解めっき法などで金属バリア層」を被覆するものである点。

＜相違点１Ｂ－４＞

接合用粉末の平均粒径について，本件発明２は，「１μｍ以上３０μｍ以下」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，「０．１～３０μｍ」である点。

＜相違点１Ｂ－５＞

接合用粉末の全体量１００質量％に対する銅の含有割合について，本件発明２は，「５２質量％以上６０質量％以下」であるのに対し，甲１Ａ発明は，「３０～８０質量％」である点。

（イ）相違点についての判断

事案に鑑み，相違点１Ｂ－２について検討する。

ａ　実質的な相違点であるか否かについて

（ａ）本件発明２における「Ｃｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末」は，Ｃｕ６Ｓｎ５等の他の銅と錫との金属間化合物を含まないことを意味するといえるから，相違点１Ｂ－２は実質的な相違点である。

（ｂ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明２と甲１Ｂ発明とは実質的に相違するものである。

ｂ　容易想到性について

（ａ）甲１Ｂ発明における銅と錫との金属間化合物は，Ｃｕ３Ｓｎを含むものであって，甲１の［0043］において，Ｃｕ３Ｓｎ以外には，Ｃｕ６Ｓｎ５が例示されているところ，これらの金属間化合物の中から，Ｃｕ３Ｓｎのみとする動機付けは，甲１のみならず，甲２～６においても認められない。

（ｂ）そして，本件発明２は，相違点２Ｂ－２に係る特定事項を備えることにより，「接合後の耐熱性が高く接合強度も高くなる」（【００２１】）という顕著な効果を奏するものである。

（ｃ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明２は，甲１Ｂ発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に想到し得るものでない。

（ウ）本件発明２についての小括

よって，本件発明２は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

エ　本件発明３について

（ア）甲１Ｂ発明との対比

ａ　本件発明３と甲１Ｂ発明とを対比すると，甲１Ｂ発明の「金属間化合物粉末」及び「Ｓｎを含む２層以上の層であ」る「金属バリア層」は，それぞれ本件発明３の「接合用粉末」及び「錫」と他の層との「二層被覆」に相当する。

ｂ　また，甲１Ｂ発明の金属間化合物粉末において，表面に被覆された金属バリア層を除いたものが，本件発明３の「中心核」に相当し，いずれも銅と錫との金属間化合物からなるものである点で共通する。

ｃ　さらに，甲１Ｂ発明における「金属間化合物粉末中のＳｎとＣｕとの質量比は，７：３～２：８である」ことは，本件発明３と同様に，金属間化合物粉末の全体量に対するＣｕの含有割合として表せば，３０～８０質量％であることを意味するものである。

ｄ　してみると，両者は，以下の一致点及び相違点を有している。

＜一致点＞

「中心核である銅と錫との金属間化合物からなる金属間化合物粉末に錫と他の層との二層被覆粉末を得る接合用粉末の製造方法。」である点。

＜相違点１Ｂ－６＞

中心核の平均粒径について，本件発明３は，「０．９５μｍ以上２８．５８μｍ以下」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，平均粒径が不明な点。

＜相違点１Ｂ－７＞

中心核となる銅と錫との金属間化合物について，本件発明３は，「Ｃｕ３Ｓｎ」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，「Ｃｕ３Ｓｎを含」むものである点。

＜相違点１Ｂ－８＞

金属間化合物粉末への錫と他の層との二層被覆粉末の被覆について，本件発明３は，「金属間化合物粉末を水に分散させて第１分散液を得る工程と，錫の金属塩と還元剤を前記第１分散液に添加混合して前記錫の金属塩が溶解して生成される錫イオンが前記還元剤で還元されることにより析出した錫が前記中心核を被覆してこの錫を被覆層の外層とする一層被覆粉末を得る工程と，前記一層被覆粉末が分散した第２分散液を固液分離して固形分を得る工程と，前記固液分離した固形分に高沸点溶媒を添加混合して不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより前記外層の内部が反応して銅と錫との金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５からなる内層を前記中心核と前記外層との間に形成」するものであるのに対し，甲１Ｂ発明は，金属間化合物粉末の表面に「Ｓｎを含む２層以上の層」を「溶融めっき法や電解めっき法，無電解めっき法などで」被覆するものである点。

＜相違点１Ｂ－９＞

接合用粉末の平均粒径について，本件発明３は，「１μｍ以上３０μｍ以下」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，「０．１～３０μｍ」である点。

＜相違点１Ｂ－１０＞

接合用粉末の全体量１００質量％に対する銅の含有割合について，本件発明３は，「５２質量％以上６０質量％以下」であるのに対し，甲１Ｂ発明は，「３０～８０質量％」である点。

（イ）相違点についての判断

事案に鑑み，相違点１Ｂ－７について検討する。

ａ　実質的な相違点であるか否かについて

（ａ）本件発明３における「Ｃｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末」は，Ｃｕ６Ｓｎ５等の他の銅と錫との金属間化合物を含まないことを意味するといえるから，相違点１Ｂ－７は実質的な相違点である。

（ｂ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明３と甲１Ｂ発明とは実質的に相違するものである。

ｂ　容易想到性について

（ａ）甲１Ｂ発明における銅と錫との金属間化合物は，Ｃｕ３Ｓｎを含むものであって，甲１の［0043］において，Ｃｕ３Ｓｎ以外には，Ｃｕ６Ｓｎ５が例示されているところ，これらの金属間化合物の中から，Ｃｕ３Ｓｎのみとする動機付けは，甲１のみならず，甲２～６においても認められない。

（ｂ）そして，本件発明３は，相違点１Ｂ－７に係る特定事項を備えることにより，「接合後の耐熱性が高く接合強度も高くなる」（【００２１】）という顕著な効果奏するものである。

（ｃ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明３は，甲１Ｂ発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に想到し得るものでない。

（ウ）本件発明３についての小括

よって，本件発明３は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

オ　本件発明４について

本件発明４と甲１Ｃ発明とを対比すると，本件発明４は，本件発明１，２又は３の特定事項を引用するものであるところ，両者は，少なくとも，上記相違点１Ａ１～５，相違点１Ｂ１～５又は相違点１Ｂ６～１０において相違し，その相違点についての判断は，上記イ（イ），ウ（イ）又はエ（イ）のとおりであるから，本件発明４は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

カ　本件発明５について

本件発明５と甲１Ｄ発明とを対比すると，本件発明５は，本件発明４の特定事項を引用するものであることから，上記オのとおりであって，本件発明５は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

キ　申立理由４－１（新規性）及び申立理由５―１（進歩性）についての小括

よって，本件発明１～５は，甲１に記載された発明でないし，甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

（５）申立理由４－２（新規性）及び申立理由５―２（進歩性）

ア　甲２に記載された発明

（ア）甲２の【００４３】，【００４４】及び表１に記載の比較例２に着目し，請求項１の記載を踏まえれば，甲２には，以下の発明（以下「甲２Ａ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲２Ａ発明＞

中心核と前記中心核を被覆する被覆層で構成され，前記中心核が銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からなり，前記被覆層が錫からなるハンダ粉末において，

前記ハンダ粉末の平均粒径が３．２μｍであり，

前記ハンダ粉末の全体量１００質量％に対し，銅の含有割合が６０質量％であるハンダ粉末。

（イ）また，甲２の上記比較例２の製造方法である【００４３】の記載に着目すると，甲２には，以下の発明（以下「甲２Ｂ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲２Ｂ発明＞

水５０ｍＬに塩化銅(II)を２．５２×１０-3ｍｏｌ，塩化錫(II)を２．５６×１０-2ｍｏｌ加え，スターラを用いて回転速度３００ｒｐｍにて５分間攪拌し，溶解液を調製し，この溶解液を塩酸にてｐＨを０．５に調整した後，分散剤としてポリビニルアルコール５００（平均分子量が５００のポリビニルアルコール）を０．５ｇ加え，更に回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌し，次いで，この溶解液にｐＨを０．５に調整した１．５８ｍｏｌ／Ｌの２価クロムイオン水溶液５０ｍＬを，添加速度５０ｍＬ／ｓｅｃにて加え，回転速度５００ｒｐｍにて１０分間攪拌して各金属イオンを還元し，液中に金属粉末が分散する分散液を得て，この分散液を６０分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後，上澄み液を捨て，ここに水１００ｍＬを加えて回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌する操作を４回繰返し，洗浄を行い，その後，エチレングリコール１００ｍＬを加えて分散させ，回転速度３００ｒｐｍにて攪拌しながら１２０℃で３０分加熱を行い，加熱後，再び分散液を６０分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後，上澄み液を捨て，ここに水１００ｍＬを加えて回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌する操作を４回繰返し，洗浄を行い，最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより，

中心核と前記中心核を被覆する被覆層で構成され，前記中心核が銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からなり，前記被覆層が錫からなるハンダ粉末の製造方法であって，

前記ハンダ粉末の平均粒径が３．２μｍであり，

前記ハンダ粉末の全体量１００質量％に対し，銅の含有割合が６０質量％である

ハンダ粉末の製造方法。

（ウ）さらに，甲２には，「フラックスと，・・・比較例１・・・で得られたハンダ粉末とを，フラックスを８８質量％，ハンダ粉末を１２質量％の割合で混合してハンダ用ペーストをそれぞれ調製」（【００４９】，なお，「・・・」は記載の省略を表すものであって，以下同様である。）することが記載されているから，甲２には，以下の発明（以下「甲２Ｃ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲２Ｃ発明＞

フラックスと，甲２Ａ発明のハンダ粉末成分或いは甲２Ｂ発明で得られたハンダ粉末を混合してハンダ用ペーストを調製する方法。

（エ）そして，甲２には，「調整したペーストを・・・コバール（Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金）基板の所定位置に転写し・・・転写されたペースト上に・・・ＬＥＤチップを搭載し・・・リフローし，ＬＥＤチップとコバール基板とを接合させる」（【００５０】）ことが記載されているから，甲２には，以下の発明（以下「甲２Ｄ発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜甲２Ｄ発明＞

甲２Ｃ発明で調整されたペーストをコバール（Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金）基板の所定位置に転写し，転写されたペースト上にＬＥＤチップを搭載してリフローし，ＬＥＤチップとコバール基板とを接合させる方法。

イ　本件発明１について

（ア）甲２Ａ発明との対比

ａ　本件発明１と甲２Ａ発明とを対比すると，甲２Ａ発明の「ハンダ粉末」は，本件発明１の「接合用粉末」に相当する。

ｂ　また，中心核について，甲２Ａ発明の「銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からな」ることと，本件発明１の「銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎからな」ることとは，中心核が「銅と錫との金属間化合物」を含むものである点で共通する。

ｃ　してみると，本件発明１と甲２Ａ発明とは，以下の一致点及び相違点を有している。

＜一致点＞

「中心核と前記中心核を被覆する被覆層とにより構成される接合用粉末において，

前記中心核が銅と錫との金属間化合物を含み，前記被覆層が，錫からなる一層により構成され，前記接合用粉末の平均粒径が１～３０μｍであり，前記接合用粉末の全体量１００質量％に対して前記銅の含有割合が５２質量％以上６０質量％以下である接合用粉末。」である点。

＜相違点２Ａ＞

中心核について，本件発明１は，「銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎからな」るのに対し，甲２Ａ発明は，「銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からな」るものである点。

（イ）相違点についての判断

ａ　実質的な相違点であるか否かについて

（ａ）相違点２Ａについて検討すると，本件発明１における「Ｃｕ３Ｓｎからなり」は，上記（１）のとおり，他の成分を含まないことを意味するといえるから，相違点２Ａは実質的な相違点である。

（ｂ）したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１と甲２Ａ発明とは実質的に相違するものである。

ｂ　容易想到性について

（ａ）相違点２Ａについて検討すると，甲２Ａ発明の中心核は，銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からなものであるところ，これらの中から，中心核をＣｕ３Ｓｎのみからなるものとする動機付けは，甲２のみならず，甲１及び３～６においても認められない。

（ｂ）そして，本件発明１は，相違点２Ａに係る特定事項を備えることにより，「接合後の耐熱性が高く接合強度も高くなる」（【００２１】）という顕著な効果奏するものである。

（ｃ）したがって，本件発明１は，甲２Ａ発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に想到し得るものでない。

（ウ）本件発明１についての小括

よって，本件発明１は，甲２に記載された発明でないし，甲２に記載された発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

ウ　本件発明２について

（ア）甲２Ｂ発明との対比

ａ　本件発明２と甲２Ｂ発明とを対比すると，甲２Ｂ発明の「ハンダ粉末」は，本件発明１の「接合用粉末」に相当する。

ｂ　また，甲２Ｂ発明の「中心核が銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からな」ることと，本件発明２の「中心核となるＣｕ３Ｓｎ金属間化合物」とは，「銅と錫との金属間化合物を含む中心核」である点で共通する。

ｃ　してみると，本件発明２と甲２Ｂ発明とは，以下の一致点及び相違点を有している。

＜一致点＞

銅と錫との金属間化合物を含む中心核と前記中心核を被覆する錫の被覆層とにより構成される接合用粉末の製造方法であって，

前記接合用粉末は，平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり，前記接合用粉末の全体量１００質量％に対して前記銅の含有割合が５２質量％以上６０質量％以下である接合用粉末の製造方法。

＜相違点２Ｂ－１＞

中心核の平均粒径について，本件発明２は，「０．９５μｍ以上２８．５８μｍ以下」であるのに対し，甲２Ｂ発明は，平均粒径が不明な点。

＜相違点２Ｂ－２＞

中心核について，本件発明２は，「Ｃｕ３Ｓｎ金属間化合物」であるのに対し，甲２Ｂ発明は，「銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からな」るものである点。

＜相違点２Ｂ－３＞

本件発明２は，「中心核となるＣｕ３Ｓｎ金属間化合物粉末を水に分散させて第１分散液を得る工程と，錫の金属塩と還元剤を前記第１分散液に添加混合して前記錫の金属塩が溶解して生成される錫イオンが前記還元剤で還元されることにより析出した錫が前記中心核を被覆してこの錫を被覆層とする一層被覆粉末を得る工程と，前記一層被覆粉末が分散した第２分散液を固液分離し，前記固液分離した固形分の一層被覆粉末を乾燥する工程とを含む」ものであるのに対し，甲２Ｂ発明は，「水５０ｍＬに塩化銅(II)を２．５２×１０-3ｍｏｌ，塩化錫(II)を２．５６×１０-2ｍｏｌ加え，スターラを用いて回転速度３００ｒｐｍにて５分間攪拌し，溶解液を調製し，この溶解液を塩酸にてｐＨを０．５に調整した後，分散剤としてポリビニルアルコール５００（平均分子量が５００のポリビニルアルコール）を０．５ｇ加え，更に回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌し，次いで，この溶解液にｐＨを０．５に調整した１．５８ｍｏｌ／Ｌの２価クロムイオン水溶液５０ｍＬを，添加速度５０ｍＬ／ｓｅｃにて加え，回転速度５００ｒｐｍにて１０分間攪拌して各金属イオンを還元し，液中に金属粉末が分散する分散液を得て，この分散液を６０分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後，上澄み液を捨て，ここに水１００ｍＬを加えて回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌する操作を４回繰返し，洗浄を行い，その後，エチレングリコール１００ｍＬを加えて分散させ，回転速度３００ｒｐｍにて攪拌しながら１２０℃で３０分加熱を行い，加熱後，再び分散液を６０分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後，上澄み液を捨て，ここに水１００ｍＬを加えて回転速度３００ｒｐｍにて１０分間攪拌する操作を４回繰返し，洗浄を行い，最後にこれを真空乾燥機にて乾燥する」ものである点。

（イ）相違点についての判断

ａ　事案に鑑み，相違点２Ｂ－２について検討すると，甲２Ｂ発明の中心核は，銅及び銅と錫との金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎ，Ｃｕ６Ｓｎ５からなものであるところ，これらの中から，中心核をＣｕ３Ｓｎのみからなるものとする動機付けは，甲２のみならず，甲１及び３～６においても認められない。

ｂ　そして，本件発明２は，相違点２Ｂ－２に係る特定事項を備えることにより，「接合後の耐熱性が高く接合強度の高くなる」（【００２１】）という顕著な効果奏するものである。

ｃ　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明２は，甲２Ｂ発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に想到し得るものでない。

（ウ）本件発明２についての小括

よって，本件発明２は，甲２に記載された発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

エ　本件発明４について

本件発明４と甲２Ｃ発明とを対比すると，本件発明４は，本件発明１又は２の特定事項を引用するものであるところ，両者は，少なくとも，上記相違点２Ａ又は相違点２Ｂ１～３において相違し，その相違点についての判断は，上記イ（イ）又はウ（イ）のとおりであるから，本件発明４は，甲２に記載された発明でないし，甲２に記載された発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

オ　本件発明５について

本件発明５と甲２Ｄ発明とを対比すると，本件発明５は，本件発明４の特定事項を引用するものであることから，上記エのとおりであって，本件発明５は，甲２に記載された発明でないし，甲２に記載された発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。

キ　申立理由４－２（新規性）及び申立理由５―２（進歩性）についての小括

よって，本件発明１，４及び５は，甲１に記載された発明でないし，本件発明１，２，４及び５は，甲２に記載された発明並びに甲１及び３～６に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明することができたものでもない。