2023-700310

特許第７１４７３１３号発明「金属ベース基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１４７３１３号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１４７３１３号の請求項１ないし５に係る特許についての出願は、平成３０年７月１８日に出願され、令和４年９月２７日にその特許権の設定登録がなされ、同年１０月５日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１ないし５に係る特許に対して、令和５年３月２４日に特許異議申立人 古川 慎二により特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件特許 特許第７１４７３１３号の請求項１ないし５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし５にそれぞれ記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 「【請求項１】 金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された金属ベース基板であって、 前記絶縁層は、樹脂を含み、 前記回路層は、膜厚が１０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲内にあって、単位がμｍで表される平均結晶粒径と単位が質量％で表される純度とが下記の式（１）を満足することを特徴とする金属ベース基板。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞５・・・（１） 【請求項２】 前記回路層は、前記平均結晶粒径と前記純度とが下記の式（２）を満足することを特徴とする請求項１に記載の金属ベース基板。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞２０・・・（２） 【請求項３】 前記回路層は、前記平均結晶粒径が０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属ベース基板。 【請求項４】 前記回路層は、前記純度が９９．９９質量％以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の金属ベース基板。 【請求項５】 前記回路層は、アルミニウムからなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の金属ベース基板。」 第３ 申立理由の概要 １．申立理由１（新規性） 請求項１ないし４に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２．申立理由２（進歩性） 請求項１ないし５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３．申立理由３（進歩性） 請求項１ないし５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 甲第１号証：特開２００９－２８９３１２号公報 甲第２号証：間瀬一夫，“銅箔”，サーキットテクノロジ，１９９３年，Ｖｏｌ．８，Ｎｏ．３，ｐ．２３４－２４２ 甲第３号証：特開２０１１－２４９６０６号公報 甲第４号証：特開平８－１３９４２０号公報 第４ 甲第１号証ないし甲第４号証の記載事項 １．甲第１号証 甲第１号証（特開２００９－２８９３１２号公報）には、「配線一体型サスペンション」について、以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 （１）「【請求項１】 電解銅箔により形成された銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層が、この順で積層された金属張積層体であって、 前記銅箔層を構成する銅の結晶粒における粒径の平均値が０．５μｍ～３．０μｍの範囲内にあり、 且つ前記結晶粒の中に、柱形をなす柱状粒が存在し、前記柱状粒における短径が２．０μｍ以下で、前記短径に対する長径の比が２以上９以下の範囲内にあり、 前記柱状粒における長径方向と、前記銅箔層の面方向とのなす角度が７０°以上９０°以下（又は９０°以上１１０°以下）の範囲内であることを特徴とする金属張積層体。 ・・・・（中 略）・・・・ 【請求項６】 前記銅箔層の厚みが５～５０μｍの範囲内にあり、前記ポリイミド樹脂層の厚みが５～７５μｍの範囲内にあり、前記ステンレス箔層の厚みが１０～５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の金属張積層体。【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の金属張積層体からなることを特徴とするＨＤＤサスペンション用金属張積層体。 【請求項８】 請求項７に記載のＨＤＤサスペンション用金属張積層体を加工して得られることを特徴とする配線一体型ＨＤＤサスペンション。」 （２）「【００１９】 本発明の金属張積層体は、電解銅箔により形成された銅箔層が柱状粒を有する特定の結晶構造を有していることにより、配線形成をした場合の十分な強度（例えば超音波耐性）と共に、エッチング時のアンダーカットの発生が少ない良好なエッチング特性を備えている。従って、この金属張積層体をＨＤＤサスペンション用途に適用することにより、配線の微細回路化における細線の断線、例えばフライングリード状の配線の断線、の発生を効果的に防止・抑制できるとともに、エッチングの際のアンダーカットの生成を抑制できる。・・・・（以下、略）」 （３）「【００２３】 本実施の形態の金属張積層体は、銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層の順で積層されている。 【００２４】 本実施の形態の金属張積層体における銅箔層は電解銅箔により形成されている。電解銅箔は、公知の方法に従い、硫酸銅を主成分とする電解液から電気分解によって銅箔を析出させることにより製造することが可能である。本発明の金属張積層体の銅箔層を構成する結晶粒における粒径の平均値（以下、「平均結晶粒径」という）は、０．５μｍ～３．０μｍの範囲内、好ましくは０．５μｍ～２．５μｍの範囲内、さらに好ましくは０．５μｍ～２．０μｍの範囲内にあることがよい。本発明では、フライングリードを形成したときの配線（銅箔由来）の超音波耐性を向上させる検討を行う中で、銅箔の結晶粒に着目した。結晶粒の各々は単位セル構造とみなすことができる。この独立した単位セル構造は、超音波のキャビテーション効果による銅箔への衝撃によって生じる亀裂進展の障壁となり得る。したがって、単位面積あたりの単位セル構造は多い方が好ましく、言い換えれば平均結晶粒径が小さい方が好ましい。このような観点から平均結晶粒径を上記範囲に特定した。なお、本発明において定義する銅箔の平均結晶粒径は、後記実施例に記載する方法により得られる値をいう。」 （４）「【００３２】 電解銅箔は、導体層として高導電率であるという利点に加えて、その厚みも自由に設定できるので有利である。銅箔層の厚みは５～５０μｍの範囲内が好ましく、より好ましくは７～３０μｍの範囲内、更に好ましくは８～１２μｍの範囲内とすることがよい。電解銅箔は高導電性のものが多く、特に、銅箔層の厚みが５～１０μmの範囲内にある場合に生じる傾向にある電気抵抗による熱発散を低く抑えることができ、この結果としてインピータンスを制御しやすい。」 （５）「【００７５】 実施例１ 合成例１で得たポリイミド前駆体樹脂溶液Ａを、ステンレス箔１（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、Ｈ－ＴＡ、厚み２０μｍ、ＣＴＥ１７×１０－６／Ｋ）にイミド化後の厚みが２μｍとなるようにアプリケータを用いて塗布し、１３０℃で５分間乾燥した後、さらにその上に合成例２で得たポリイミド前駆体樹脂溶液Ｂを、イミド化後の厚みが２５μｍとなるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥して、ポリアミド酸層を形成した。このポリアミド酸層の上に、合成例３で得たポリイミド前駆体樹脂液Ｃを、イミド化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥し、１５分かけて３６０℃まで昇温させてイミド化を完了し、ステンレス箔、ポリイミド樹脂層で構成されるポリイミド積層体１を得た。 得られたポリイミド積層体１の樹脂層側と、銅箔１（三井金属鉱業株式会社製、ＮＳ－ＶＬＰ箔、銅箔厚み９μｍ、導電率１００％、熱圧着前の平均結晶粒径１．２μｍ、ＳＩＭＳによる炭素ピーク強度８．３、樹脂層側の表面粗度Ｒｚ１．０μｍ）とを重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５０ｋｇｆ／ｃｍ２、温度３２０℃、プレス時間１００分の条件で熱圧着することで、金属張積層体１を得た。得られた金属張積層体１について、銅箔層の引張強度及び結晶粒を評価した。また、ポリイミド樹脂層としての線熱膨張係数及びそれぞれの金属箔層との接着強度を測定した。結果を表１に示す。 ・・・・（中 略）・・・・ 【００８０】 配線一体型サスペンションは、上記フライングリード積層体の製造と同様の方法で作製した。まず、金属張積層体１のステンレス箔層及び銅箔層上の両方の面に所定のレジストパターンを形成した。ここで、銅箔層の上には５０μｍピッチ{配線幅／配線間隔（Ｌ／Ｓ）＝２０／３０}のレジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄水溶液を用いてステンレス箔と銅箔層を同時にエッチングして、それぞれの層を所定の形状とし、その後レジストを剥離することで、金属エッチング積層体１を得た。この積層体に所定の絶縁層加工レジストパターンを形成し、ポリイミドエッチング液にてポリイミド樹脂層をエッチングし、所定の形状とした後、絶縁層加工レジストパターンを剥離し、配線一体型サスペンション１を得た。このサスペンション１における配線部の腐食係数を算出した。結果を表１に示す。銅箔層のエッチング形状は良好であり、またサスペンション１は実用上問題となるような反りやうねりの発生は認められなかった。」 （６）「【０１０３】 ［図：0001399418000001.jpg］ 」 上記（１）ないし（６）から以下のことがいえる。 ・甲第１号証に記載の「配線一体型サスペンション」は、上記（１）、（３）、（５）の記載によれば、電解銅箔により形成された銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層が、この順で積層された金属張積層体を加工して得られるものであり、上記（２）、（３）、（５）の記載によれば、金属張積層体の加工（エッチング）によって銅箔層は配線形成されると解される。 ・上記（１）の【請求項１】、（３）の記載によれば、銅箔層を構成する結晶粒の平均結晶粒径は０．５μｍ～３．０μｍの範囲内にあり、上記（６）の表１によると、実施例１では１．７μｍである。 ・上記（１）の【請求項６】、（４）の記載によれば、銅箔層の厚みは５～５０μｍの範囲内にあり、上記（５）の記載によれば、実施例１では９μｍである。 以上のことから、特に実施例１に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 「電解銅箔からなり配線形成された銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層が、この順で積層された配線一体型サスペンションであって、 前記銅箔層は、厚みが９μｍであり、 前記銅箔層を構成する結晶粒の平均結晶粒径は１．７μｍである配線一体型サスペンション。」 ２．甲第２号証 甲第２号証（間瀬一夫，“銅箔”，サーキットテクノロジ，１９９３年，Ｖｏｌ．８，Ｎｏ．３，ｐ．２３４－２４２）には、以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 （１）「１．１ 日本工業規格の定義 ＪＩＳ Ｃ ５６０３－１９８７プリント配線板用語は次のような定義をしている。 ・銅箔：絶縁基板の片面または両面を覆い、導体パターンを形成するための銅の箔。 ・銅張積層板：片面または両面を銅箔で覆ったプリント配線板用の積層板。 ・プリント配線：回路設計に基づいて、部品間を接続するために導体パターンを絶縁基板の表面または表面とその内部に、プリントによって形成する配線またはその技術。 これらの定義を総合して理解されるように、銅箔はプリント配線板の導体を構成する基礎的な材料である。現在行われている最も一般的なプリント配線板は、銅箔と絶縁基板を張り合わせた銅張積層板に導体パターンをプリントし、不要部分をエッチングで除去して形成される。」（２３４頁左欄） （２）「４．４ 純度 銅箔は９９．８％以上の純度をもつものとする。」（２３８頁左欄） 上記（１）及び（２）の記載を総合勘案すると、甲第２号証には、次の技術事項が記載されている。 「銅箔と絶縁基板を張り合わせた銅張積層板における銅箔に導体パターンを形成してなるプリント配線板において、銅箔の純度は９９．８％以上であること。」 ３．甲第３号証 甲第３号証（特開２０１１－２４９６０６号公報）には、「金属ベース回路基板」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 （１）「【請求項１】 金属基板と、 前記金属基板上に設けられ、液晶ポリエステルと５０体積％以上の無機充填材とを含有し、前記無機充填材は窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と窒化硼素とからなり、前記無機充填材に占める前記窒化硼素の割合は３５乃至８０体積％の範囲内にある絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられた金属箔と を具備した回路基板用積層板。 ・・・・（中 略）・・・・ 【請求項４】 請求項１乃至３の何れか１項に記載の回路基板用積層板の前記金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板。」 （２）「【００１４】 上記の通り、本発明者らは、液晶ポリエステルと無機充填材とを含んだ樹脂組成物を使用すると、絶縁層に占める無機充填材の割合を高めた場合に、必ずしも期待されるほどの性能を達成できない可能性があることを見出している。本発明者らは、その理由について鋭意検討した結果、液晶ポリエステルはエポキシ樹脂などの他の樹脂と比較して高粘度であるため、液晶ポリエステル溶液と無機充填材とを含んだ分散液は気泡を含み易く、この分散液から得られる塗膜から気泡を十分に除去することは難しいことを見出した。そして、本発明者らは、この塗膜から得られる絶縁層の気孔率が、回路基板用積層板及びこれから得られる金属ベース回路基板の性能、特には耐電圧に大きな影響を及ぼすことを見出した。 【００１５】 そして、本発明者らは、無機充填材の少なくとも一部として窒化硼素を使用することによって絶縁層の気孔率を低減できることを見出した。更に、本発明者らは、無機充填材として窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と窒化硼素との組み合わせを使用し且つ無機充填材に占める窒化硼素の割合を所定の範囲内とすると、十分なピール強度と、高い耐電圧と、低い熱抵抗とを同時に達成できることを見出した。本発明は、以上の知見に基いて発明されたものである。」 （３）「【００８０】 金属箔４は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属箔４の材料としては、例えば、銅又はアルミニウムを使用することができる。金属箔４の厚さは、例えば、１０乃至５００μｍの範囲内にある。」 （４）「【００９３】 次に、上述した回路基板用積層板１から得られる金属ベース回路基板１’について説明する。 図３は、図１及び図２に示す回路基板用積層板１から得られる金属ベース回路基板１’の一例を概略的に示す断面図である。 【００９４】 図３に示す金属ベース回路基板１’は、金属基板２と、絶縁層３と、回路パターン４’とを含んでいる。回路パターン４’は、図１及び図２を参照しながら説明した回路基板用積層板１の金属箔４をパターニングすることにより得られる。このパターニングは、例えば、金属箔４の上にマスクパターンを形成し、金属箔４の露出部をエッチングによって除去することにより得られる。金属ベース回路基板１’は、例えば、先の回路基板用積層板１の金属箔４に対して上記のパターニングを行い、必要に応じて、切断及び穴あけ加工などの加工を行うことにより得ることができる。 【００９５】 この金属ベース回路基板１’は、上述した回路基板用積層板１から得られるので、放熱性及び耐熱性に優れている。加えて、この金属ベース回路基板１’は、絶縁層３に占める無機充填材の割合が高いにも拘らず、回路パターン４’は十分なピール強度を有している。」 （５）「【図３】 ［図：0001399418000002.jpg］ 」 上記（１）ないし（５）から以下のことがいえる。 ・甲第１号証に記載の「金属ベース回路基板」は、上記（１）、（４）の記載、及び（５）の図３によれば、金属基板と、金属基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられパターニングされた金属箔からなる回路パターンとを具備するものである。 ・上記（１）、（２）の記載によれば、絶縁層は、十分なピール強度と、高い耐電圧と、低い熱抵抗とを同時に達成するために、液晶ポリエステルと、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と所定割合の窒化硼素とからなる無機充填材とを含有するようにしてなるものである。 ・上記（３）の記載によれば、金属箔は、厚さが１０乃至５００μｍの範囲内にあり、当該金属箔をパターニングして得られる回路パターンについても同様の厚さであると解される。 以上のことから、上記記載事項を総合勘案すると、甲第３号証には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されている。 「金属基板と、前記金属基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられパターニングされた金属箔からなる回路パターンとを具備した金属ベース回路基板において、 前記絶縁層は、十分なピール強度と、高い耐電圧と、低い熱抵抗とを同時に達成するために、液晶ポリエステルと、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と所定割合の窒化硼素とからなる無機充填材とを含有し、 前記回路パターンは、厚さが１０乃至５００μｍの範囲内にある金属ベース回路基板。」 ４．甲第４号証 甲第４号証（特開平８－１３９４２０号公報）には、「回路基板」について、以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 （１）「【請求項１】 セラミック基板の表面に銅回路が形成されてなるものであるか、又は該銅回路と共にセラミック基板の裏面に放熱銅板が形成されてなるものであって、上記銅回路と上記放熱銅板の銅の平均結晶粒子径が４００μｍ以上で平均サブ粒界密度が２０ｍｍ／ｍｍ２以下であることを特徴とする回路基板。」 （２）「【０００７】本発明者らは、以上の問題を解消するために銅結晶の微構造に着目して種々検討した結果、銅の平均結晶粒子径とサブ粒界と呼ばれる欠陥密度とを制御することによって銅の降伏強度を低下させることができ、このような銅によって回路基板の回路部分又は放熱板を形成させると、回路基板の反り、耐久性、抗接強度等が改善され高信頼性の回路基板が得られることを見いだし、本発明を完成させたものである。」 （３）「【００１７】銅の結晶粒子は、上記加熱接合によって大きくなるので接合前の銅板の結晶粒子の大きさには特別な配慮を払う必要はないが、不純物が多く含まれていると粒成長を阻害するので、本発明においては無酸素銅板等のように不純物の少ない銅板を使用することが好ましい。」 （４）「【００２６】 【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体的に説明する。 ・・・・（中 略）・・・・ 【００２９】ろう材ペーストの塗布された窒化アルミニウム基板の表裏両面に、銅の平均結晶粒子径と平均サブ粒界密度及び厚みの異なる各種の無酸素銅板を接触配置してから、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空下、温度９００℃で３０分加熱した後、１．６℃／分の降温速度で冷却を開始し、５００～７００℃の温度域を６時間で降下させてから１．０℃／分の速度で冷却して接合体を製造した。 【００３０】接合体の銅板上にＵＶ効果タイプのエッチングレジストをスクリーン印刷で塗布後、塩化第２銅溶液を用いてエッチング処理を行い図１に示される形状の銅回路及び図２に示される形状の放熱銅板を形成させ、更にエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶液で剥離した。このエッチング処理後の基板には、銅回路間等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、それを除去するため、温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬して表１に示す回路基板を製作した。 ・・・・（中 略）・・・・ 【００３２】 【表１】 ［図：0001399418000003.jpg］ 」 特に実施例に係るものに着目し、上記（１）ないし（４）の記載及び図面を総合勘案すると、甲第４号証には、次の技術事項が記載されている。 「セラミックス基板の表面に銅回路が形成されるとともに裏面に放熱銅板が形成された回路基板において、 上記銅回路及び上記放熱銅板には無酸素銅板が用いられ、 回路基板の反り、耐久性、抗接強度等を改善するために、上記銅回路及び上記放熱銅板の銅の平均結晶粒径を５００μｍ～８００μｍとし、平均サブ粒界密度を１４～１８ｍｍ／ｍｍ２としたこと。」 第５ 当審の判断 １．申立理由１（新規性）及び申立理由２（進歩性）について （１）本件発明１について ア．対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）金属ベース基板について 甲１発明における「配線一体型サスペンション」は、電解銅箔からなり配線形成された銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層が、この順で積層されたものであるところ、甲１発明における「ステンレス箔層」は、その上面にポリイミド樹脂層を介して銅箔層からなる配線が形成された板状の金属部材であることから、本件発明１でいう「金属基板」に相当するとみることができる。また、甲１発明における「ポリイミド樹脂層」、電解銅箔からなり「配線形成された銅箔層」は、それぞれ本件発明１でいう「絶縁層」、「回路層」に相当する。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された金属ベース基板」である点で一致するといえる。 （イ）絶縁層について 甲１発明における「ポリイミド樹脂層」は樹脂からなるものである。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「前記絶縁層は、樹脂を含」むものである点で一致する。 （ウ）回路層について まず、その膜厚が、本件発明１では「１０μｍ以上１０００μｍ以下」の範囲内にあるのに対し、甲１発明では９μｍである点で相違する。 さらに、本件発明１では「単位がμｍで表される平均結晶粒径と単位が質量％で表される純度とが下記の式（１）を満足する」ことを特定するのに対し、甲１発明ではそのような特定を有していない点でも相違する。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞５・・・（１） よって、上記（ア）ないし（ウ）によれば、本件発明１と甲１発明とは、 「金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された金属ベース基板であって、 前記絶縁層は、樹脂を含むことを特徴とする金属ベース基板。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 回路層の膜厚について、本件発明１では「１０μｍ以上１０００μｍ以下」の範囲内にあるのに対し、甲１発明では９μｍである点。 ［相違点２］ 回路層について、本件発明１では「単位がμｍで表される平均結晶粒径と単位が質量％で表される純度とが下記の式（１）を満足する」ことを特定するのに対し、甲１発明ではそのような特定を有していない点。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞５・・・（１） イ．判断 上記のとおり、相違点があるから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではなく、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 次に、事案に鑑み、まず相違点２について検討する。 甲１発明における「配線形成された銅箔層」は、その結晶粒の平均結晶粒径が１．７μｍであるが、その純度についての特定はなく、式（１）を満足するか否かは不明である。 ここで、特許異議申立人は特許異議申立書において、甲第２号証に記載のとおり、当該分野で使用の銅箔の純度は９９．８％以上であることから、甲第１号証の実施例１で使用する銅箔は式（１）の左辺の値が１．７／（１００－９９．８）＝８．５以上となり、式（１）を満たす旨主張している。 しかしながら、甲第２号証には「銅箔と絶縁基板を張り合わせた銅張積層板における銅箔に導体パターンを形成してなるプリント配線板において、銅箔の純度は９９．８％以上である」技術事項が記載されているところ（上記「第４ ２．」を参照）、甲１発明に係る「配線一体型サスペンション」はＨＤＤのサスペンション用途のものであって、ステンレス箔層を基板（ベース）とするものであり、基板（ベース）が絶縁基板であるプリント配線板ではないから、甲第２号証を根拠に甲１発明における銅箔層の純度が９９．８％以上であるとまではいえない。そしてさらに言えば、本件発明１における式（１）の左辺における分子が「平均結晶粒径」であること、及び本件特許明細書の段落【００３２】に「回路層４０を構成する金属は、平均結晶粒径が大きくなるにしたがって、転位のすべりを抑制する結晶粒界が減少するため、金属結晶粒同士がすべりやすくなる傾向がある。このため、回路層４０は、平均結晶粒径が大きくなるにしたがって、変形しやすくなる。回路層４０をより確実に変形しやすくするためには、回路層４０の平均結晶粒径は、０．３μｍ以上であることが好ましく、１．０μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲にあることが特に好ましい。」と記載されていることからして、本件発明１は回路層の平均結晶粒径は大きいほどよいとするものであるのに対し、甲１発明は、甲第１号証の段落【００２４】に「・・この独立した単位セル構造は、超音波のキャビテーション効果による銅箔への衝撃によって生じる亀裂進展の障壁となり得る。したがって、単位面積あたりの単位セル構造は多い方が好ましく、言い換えれば平均結晶粒径が小さい方が好ましい。」と記載されているように銅箔層の平均結晶粒径は本件発明１とは逆に小さいほどよいとするものであることも踏まえると、甲１発明における銅箔層について、式（１）を満たすものとすること、すなわち相違点２に係る構成を導き出すことはできない。 よって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は、請求項１を引用する請求項であり、本件発明２ないし５は、本件発明１の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２ないし４は、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、本件発明２ないし５は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）まとめ 以上のとおり、本件の請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるということはできない。 また、本件の請求項１ないし５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということもできない。 ２．申立理由３（進歩性）について （１）本件発明１について ア．対比 本件発明１と甲３発明とを対比する。 （ア）金属ベース基板について 甲３発明における「金属ベース回路基板」は、金属基板と、前記金属基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられパターニングされた金属箔からなる回路パターンとを具備するものであるところ、甲３発明における「金属基板」、「絶縁層」、パターニングされた金属箔からなる「回路パターン」、これらを具備する「金属ベース回路基板」は、それぞれ本件発明１でいう「金属基板」、「絶縁層」、「回路層」、これらがこの順で積層された「金属ペース基板」に相当する。 よって、本件発明１と甲３発明とは、「金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された金属ベース基板」である点で一致する。 （イ）絶縁層について 甲３発明における「絶縁層」は、液晶ポリエステルと、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と所定割合の窒化硼素とからなる無機充填材とを含有するものであるところ、このうちの「液晶ポリエステル」は樹脂である。 したがって、本件発明１と甲３発明とは、「前記絶縁層は、樹脂を含」むものである点で一致する。 （ウ）回路層について 甲３発明における「回路パターン」の厚さは「１０乃至５００μｍ」であり、本件発明１で特定する「１０μｍ以上１０００μｍ以下」の範囲に含まれる。 したがって、本件発明１と甲３発明とは、「前記回路層は、膜厚が１０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲内」である点では一致する。 ただし、回路層について、本件発明１では「単位がμｍで表される平均結晶粒径と単位が質量％で表される純度とが下記の式（１）を満足する」ことを特定するのに対し、甲３発明ではそのような特定を有していない点で相違する。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞５・・・（１） よって、上記（ア）ないし（ウ）によれば、本件発明１と甲３発明とは、 「金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された金属ベース基板であって、 前記絶縁層は、樹脂を含み、 前記回路層は、膜厚が１０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする金属ベース基板。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 回路層について、本件発明１では「単位がμｍで表される平均結晶粒径と単位が質量％で表される純度とが下記の式（１）を満足する」ことを特定するのに対し、甲３発明ではそのような特定を有していない点。 平均結晶粒径／（１００－純度）＞５・・・（１） イ．判断 上記相違点について検討する。 甲第４号証には「セラミックス基板の表面に銅回路が形成されるとともに裏面に放熱銅板が形成された回路基板において、上記銅回路及び上記放熱銅板には無酸素銅板が用いられ、回路基板の反り、耐久性、抗接強度等を改善するために、上記銅回路及び上記放熱銅板の銅の平均結晶粒径を５００～８００μｍとし、平均サブ粒界密度を１４～１８ｍｍ／ｍｍ２とした」技術事項が記載されている（上記「第４ ４．」を参照）。ここで、無酸素銅板（ＪＩＳ Ｃ１０２０）は通常、純度が９９．９６％以上である。したがって、甲第４号証に記載の回路基板における銅回路は式（１）の左辺の値が５００／（１００－９９．９６）＝１２５００以上となり、式（１）を満たす。 しかしながら、甲３発明は基板が金属基板であり、当該金属基板と回路パターンとの間に絶縁層を備えた金属ベース基板に係るものであるのに対し、上記甲第４号証に記載の回路基板は、基板がセラミックス基板であって、「金属ベース」基板に係るものではなく、そもそも「絶縁層」を設ける必要性もないものである。そして、かかる構成上の違いに関連して解決しようとする課題も相違しており、甲３発明は、甲第４号証に記載のもののように回路基板の反りの改善などを解決すべき課題として含んでいるとは必ずしもいえない。 してみると、たとえ甲第４号証に銅回路として式（１）を満たす平均結晶粒径の値と純度とを有するものが記載されているとしても、かかる技術事項を甲３発明に適用すべき動機があるとまではいえない。 したがって、甲１発明において相違点る構成を導き出すことはできない。 よって、本件発明１は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は、請求項１を引用する請求項であり、本件発明２ないし５は、本件発明１の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２ないし５は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）まとめ 以上のとおり、本件の請求項１ないし５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし５に係る特許は、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に本件の請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。