2017-700178

特許第５９８０８６０号発明「ＬＥＤランプ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第５９８０８６０号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１－７〕について訂正することを認める。 特許第５９８０８６０号の請求項１ないし４及び６に係る特許を維持する。 特許第５９８０８６０号の請求項５及び７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第５９８０８６０号の請求項１ないし７に係る特許についての出願（以下「本件出願」という。）は，平成１９年３月１５日に出願した特願２００７－６７３６２号の一部を平成２１年９月１４日に新たな特許出願とした特願２００９－２１１８５５号の一部を，平成２２年６月４日に新たな特許出願とした特願２０１０－１２９０２４号の一部を，平成２３年８月２５日に新たな特許出願とした特願２０１１－１８３７７３号の一部を，平成２６年７月１日に新たな特許出願とした特願２０１４－１３６０３４号の一部を平成２６年８月２９日に新たな特許出願としたものであって，平成２８年８月５日にその特許権の設定登録がされ，同年８月３１日に特許掲載公報が発行された。 その後，請求項１ないし７に対し，平成２９年２月２４日に，特許異議申立人　アクシス国際特許業務法人により特許異議の申立てがされ，当審において平成３０年３月３０日付けで取消理由が通知され，同年５月３１日付けで意見書とともに訂正請求書が提出され，これに対し異議申立人からは意見書が提出されなかったものである。 第２　訂正の適否について １　訂正の内容 平成３０年５月３１日にされた訂正請求（以下「本件訂正請求」または「本件訂正」という。）は，明細書及び特許請求の範囲を，訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１～７について訂正することを求めるものであって，以下の訂正事項１～７からなる（下線部は訂正箇所を示す。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において， 「発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって， 前記発光装置は，基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え， 前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え， 前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され， 前記基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え， 前記基板は，該基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し， 前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ， 前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記基板上面に形成され，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドよりも幅の小さい外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており， 前記外部引き出し配線パターンは前記基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていないことを特徴とするＬＥＤランプ。」 と記載されているのを， 「発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって， 前記発光装置は，絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え， 前記半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであり， 前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え， 前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され， 前記絶縁基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え， 前記絶縁基板は，該絶縁基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し， 前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ， 前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記基板上面に形成され，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドよりも幅の小さい外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており， 前記外部引き出し配線パターンは前記絶縁基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていないことを特徴とするＬＥＤランプ。」 に訂正する（請求項１の記載を直接または間接に引用する請求項２～４，６も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項６において， 「前記絶縁基板が白色のセラミック基板であることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤランプ。」 と記載されているのを， 「前記絶縁基板が白色のセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ。」 に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項７を削除する。 （５）訂正事項５ 明細書の段落【０００９】において， 「本発明は，発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって，前記発光装置は，基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え，前記半導体発光素子は，前記基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであり，前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え，前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され，前記基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え，前記基板は，該基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部を挟んで対向して設けられ，前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記基板上面に形成された外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており，前記外部引き出し配線パターンは前記基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていないことを特徴とする。」 と記載されているのを， 「本発明は，発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって，前記発光装置は，絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え，前記半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであり，前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え，前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され，前記絶縁基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え，前記絶縁基板は，該絶縁基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ，前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記絶縁基板上面に形成され，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドよりも幅の小さい外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており，前記外部引き出し配線パターンは前記絶縁基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていないことを特徴とする。」 に訂正する。 （６）訂正事項６ 明細書の段落【００１３】において， 「本発明のＬＥＤランプにおいて，前記基板が絶縁基板であることが好ましく，白色のセラミック基板であることがより好ましい。」 と記載されているのを， 「本発明のＬＥＤランプにおいて，前記絶縁基板は白色のセラミック基板であることが好ましい。」 に訂正する。 （７）訂正事項７ 明細書の段落【００２８】において， 「本発明の発光装置１における絶縁基板３は，少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されていればよく，特に制限されるものではないが，熱膨張が小さく，熱伝導性が高く，かつ光反射率が高いことから，白色のセラミック基板であることが好ましい。ここで，「白色」とは，物体が全ての波長の可視光線をほぼ１００％反射するような物体の色を指す（ただし，１００％の反射率をもった理想的な白色の物体は存在しない。）。白色のセラミック基板を絶縁基板３として用いることで，発光素子５からの出射光のうち，特に下面方向への光を白色のセラミック基板にて反射することができ，発光素子５からの出射光をロスなく有効に活用できるとともに，高い放熱性および耐熱性が要求される駆動電流として大電流を供給する用途にも好適に適用することができる。さらに，発光素子５の信頼性を向上できるとともに，封止体６が蛍光体を含有する場合（後述）には，発光素子５からの熱による蛍光体の劣化を抑えることもでき，蛍光体により波長変換されて出光する光の色度ズレが生じにくい。またさらに，上述のように光反射率の高いセラミック基板を用いることで，基板材料および／または配線パターンの形成材料に光反射率９０％以上の銀を用いる必要がないため，銀マイグレーションの心配がなく，さらに銀が硫化してしまう問題もない。」 と記載されているのを， 「本発明の発光装置１における絶縁基板３は，絶縁性を有する材料で形成されていればよく，特に制限されるものではないが，熱膨張が小さく，熱伝導性が高く，かつ光反射率が高いことから，白色のセラミック基板であることが好ましい。ここで，「白色」とは，物体が全ての波長の可視光線をほぼ１００％反射するような物体の色を指す（ただし，１００％の反射率をもった理想的な白色の物体は存在しない。）。白色のセラミック基板を絶縁基板３として用いることで，発光素子５からの出射光のうち，特に下面方向への光を白色のセラミック基板にて反射することができ，発光素子５からの出射光をロスなく有効に活用できるとともに，高い放熱性および耐熱性が要求される駆動電流として大電流を供給する用途にも好適に適用することができる。さらに，発光素子５の信頼性を向上できるとともに，封止体６が蛍光体を含有する場合（後述）には，発光素子５からの熱による蛍光体の劣化を抑えることもでき，蛍光体により波長変換されて出光する光の色度ズレが生じにくい。またさらに，上述のように光反射率の高いセラミック基板を用いることで，基板材料および／または配線パターンの形成材料に光反射率９０％以上の銀を用いる必要がないため，銀マイグレーションの心配がなく，さらに銀が硫化してしまう問題もない。」 と訂正する。 ２　当審の判断 （１）訂正事項１ ア　訂正の目的の適否 訂正事項１は，訂正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基板」を「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」とし，構成を付加して限定し，これに伴い，以降，訂正前の請求項１に記載された「基板」を「絶縁基板」とし，また，訂正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載される」について，「前記半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであり」として，「半導体発光素子」とともにその搭載態様を限定する訂正であるから，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項１は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「本件特許明細書等」という。）の請求項５及び請求項７，並びに段落【００１６】，【００１７】，【００２８】及び【００５７】の記載から導き出されるものである。 よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 訂正事項１は，上記アのとおり，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （２）訂正事項２ ア　訂正の目的の適否 訂正事項２は，訂正前の請求項５を削除する訂正であるから，特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項２は，訂正前の請求項５を削除する訂正であるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合することは明らかである。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 訂正事項２は，上記アのとおり，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （３）訂正事項３ ア　訂正の目的の適否 訂正事項３は，訂正前の請求項６が訂正前の請求項５を引用していたところ，上記訂正事項１及び訂正事項２により，訂正前の請求項５が削除されるとともに，訂正前の請求項５に記載されていた事項が訂正後の請求項１に加入されたことに伴い，訂正後の請求項６においては，訂正後の請求項１を引用することとするものであるから，当該訂正事項は，特許法第１２０条の５第２項第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項３は，上記アのとおり，訂正前の請求項５に記載されていた事項が訂正後の請求項１に加入されたことに伴い，訂正後の請求項６においては，訂正後の請求項１を引用することとするものであるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 訂正事項３は，上記アのとおり，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）訂正事項４ ア　訂正の目的の適否 訂正事項４は，訂正前の請求項７を削除する訂正であるから，特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項４は，訂正前の請求項７を削除する訂正であるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合することは明らかである。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 訂正事項４は，上記アのとおり，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項４は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （５）訂正事項５ ア　訂正の目的の適否 訂正事項５は，訂正事項１～４による訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるためのものであるから，特許法第１２０条の５第２項第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 上記アのとおり，訂正事項５は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合することは明らかである。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 上記アのとおり，訂正事項５は，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 エ　明細書の訂正と関係する請求項について 訂正事項５は，訂正事項１～４に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるものであり，これは一群の請求項１～７に関係する請求であるから，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第４項の規定に適合する。 （６）訂正事項６ ア　訂正の目的の適否 訂正事項６は，訂正事項１～４による訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるためのものであるから，特許法第１２０条の５第２項第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 上記アのとおり，訂正事項６は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合することは明らかである。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 上記アのとおり，訂正事項６は，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 エ　明細書の訂正と関係する請求項について 訂正事項６は，訂正事項１～４に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるものであり，これは一群の請求項１～７に関係する請求であるから，訂正事項６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第４項の規定に適合する。 （７）訂正事項７ ア　訂正の目的の適否 訂正事項７は，明細書の段落【００２８】において，訂正前の「本発明の発光装置１における絶縁基板３は，少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されていればよく，」を「本発明の発光装置１における絶縁基板３は，絶縁性を有する材料で形成されていればよく，」と訂正するものである。 よって，訂正事項１～４による訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるためのものであるから，特許法第１２０条の５第２項第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ　新規事項追加の有無 上記アのとおり，訂正事項７は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合することは明らかである。 ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否 上記アのとおり，訂正事項７は，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項７は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 エ　明細書の訂正と関係する請求項について 訂正事項７は，訂正事項１～４に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と明細書の記載とを整合させるものであり，これは一群の請求項１～７に関係する請求であるから，訂正事項７は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第４項の規定に適合する。 （８）一群の請求項について 訂正前の請求項１～７は一群の請求項であるところ，訂正事項１～７に係る訂正は，前記一群の請求項ごとに請求されたものである。よって，本件訂正請求は特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。 （９）むすび 以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正請求書に添付された訂正明細書，特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項〔１～７〕について訂正を認める。 第３　訂正発明 上記のとおり，本件訂正が認められたので，本件特許の訂正後の請求項１～７に係る発明は，請求項１～７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって， 前記発光装置は，絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え， 前記半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであり， 前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え， 前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され， 前記絶縁基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え， 前記絶縁基板は，該絶縁基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し， 前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ， 前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記基板上面に形成され，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドよりも幅の小さい外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており， 前記外部引き出し配線パターンは前記絶縁基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていないことを特徴とするＬＥＤランプ。 【請求項２】 前記アノード用配線パターン，前記カソード用配線パターン，前記外部引き出し配線パターンの厚みは，前記半導体発光素子の厚みより薄いことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ。 【請求項３】 前記配線パターンは，前記アノード用，カソード用以外の配線パターンをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤランプ。 【請求項４】 前記配線パターンが，前記半導体発光素子との間の電気的接続の位置決め用のパターン，または，前記半導体発光素子の搭載位置の目安用のパターンをさらに有することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のＬＥＤランプ。 【請求項５】（削除） 【請求項６】 前記絶縁基板が白色のセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ。 【請求項７】（削除）」 （以下，上記請求項１～７に係る発明を，順に「訂正発明１」～「訂正発明７」といい，「訂正発明１」～「訂正発明７」を合わせて「訂正発明」という。また，本件特許の請求項１～７に係る発明を，以下それぞれ「本件特許発明１」～「本件特許発明７」といい，「本件特許発明１」～「本件特許発明７」を合わせて「本件特許発明」という。） 第４　取消理由の概要 訂正前の請求項１～７に係る特許に対して，平成３０年３月３０日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 １　理由１－１（第２９条第１項第３項）及び理由２－１（第２９条第２項） 本件特許発明１は，「基板」が，「絶縁基板」又は「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」に特定されていないが，本件特許に係る出願の原出願の明細書には，「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」以外の「基板」を備える発明は記載されていない。 よって，本件本件特許に係る出願は分割要件を満たしておらず，本件特許出願は，現実の出願日である平成２６年８月２９日に出願されたものというべきであるから，本件特許発明１～７は，刊行物１３に記載された発明であり，特許法第２９条第１項第３項に該当するか，仮にそうでないとしても，刊行物１３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 刊行物１３：　特開２００８－２２７４１２号公報 ２　理由１－２（第２９条第１項第３項）及び理由２－２（第２９条第２項） 本件特許発明１～６は，甲第１号証に記載された発明であり，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 甲第１号証　：特開２００５－１０９４３４号公報 ３　理由２－３（第２９条第２項） 本件特許発明１～７は，甲第１～１２号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 甲第１号証　：特開２００５－１０９４３４号公報　（再掲） 甲第２号証　：特開２００２－４９３２６号公報 甲第３号証　：特開２００６－２９５０８５号公報 甲第４号証　：「よくわかるプリント基板のできるまで」， 日刊工業新聞社，２００４年１月３０日発行，６～１５頁 甲第５号証　：トランジスタ技術　２００３年６月号１２３～１２４頁 甲第６号証　：DesignWaveMagazine2003April　６２～６３頁 甲第７号証　：ＪＩＳ工業用語大辞典（第５版）， ２００１年３月３０日発行，２３４１頁 甲第８号証　：特開平１０－１６３５８５号公報 甲第９号証　：特開２００１－４４６３９号公報 甲第１０号証：特開２００２－９３４９号公報 甲第１１号証：特開２００３－８０８３号公報 甲第１２号証：特開２００５－２６６１９号公報 ４　理由３（第３６条第４項第１号（委任省令要件）） 本件特許明細書には，「発明が解決しようとする課題」として，「充分な電気的絶縁が達成でき，かつ，製造工程が容易で安価に製造することができる発光装置を提供すること」と記載されている。 一方，本件特許発明１が備える「基板」は，「絶縁基板（又は『少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板』」とは特定されておらず，また，本件特許発明１が備える「複数の発光素子」が，「前記基板上に直に搭載された複数の発光素子」との特定もない。 しかしながら，基板が，「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板」以外の基板，例えば，「金属板からなる基板」である場合に，どのようにして，「充分な電気的絶縁が達成」できるのか理解することができず，また，「複数の発光素子」が，「前記基板上に直に搭載された複数の発光素子」以外である場合に，どのようにして，「充分な電気的絶縁が達成でき，かつ，製造工程が容易で安価に製造することができる発光装置を提供することができる」のか理解することができない。 よって，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載からは，本件特許発明１，及び本件特許発明１に従属する本件特許発明２～７によって，どのように前記課題が解決されるのかを理解することができない。 したがって，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は，経済産業省令で定めるところにより，当業者が本件特許発明１～７を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 ５　理由４（第３６条第６項第１号） 前記４のとおり，前記「発明の課題」のうち，「充分な電気的絶縁」を達成するためには，請求項１に記載された発明特定事項に加え，「基板」が「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板」であること，及び「複数の発光素子」が「前記基板に直に搭載された複数の発光素子」であることが，ともに必要と認められるところ，本件の請求項１，及び請求項１を引用する請求項２～７には，「基板」が，「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板」であって，かつ，「複数の発光素子」が，「前記基板上に直に搭載された複数の発光素子」であることが記載されていないから，本件の請求項１，及び請求項１を引用する請求項２～７の記載は，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されていないため，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものとなっている。 したがって，本件特許発明１～７は，発明の詳細な説明に記載されたものではない。 なお，上記「２　理由１－２（第２９条第１項第３項）及び理由２－２（第２９条第２項）」及び「３　理由２－３（第２９条第２項）」が，異議申立書に記載された理由である。 第５　取消理由についての判断 １　理由１－１および理由２－１について 上記「第３　訂正発明」のとおり，本件訂正請求により，訂正発明１は「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」を備えることが特定されたから，上記「第４　取消理由の概要」１に記載した，分割要件を満たしていないとの事由は解消された。 また，本件特許に係る出願の原出願およびそれより先代の各原出願である，特願２０１４－１３６０３４号，特願２０１１－１８３７７３号，特願２０１０－１２９０２４号，及び特願２００９－２１１８５５号は，それぞれ，訂正審判２０１７－３９００５６号，訂正審判２０１７－３９００５５号，訂正審判２０１７－３９００５４号，訂正審判２０１７－３９００５３号，において訂正することを認める審決が確定され，分割出願の要件を満たすものとなったので，本件特許出願は，最初の特許出願の時，すなわち，平成１９年３月１５日にしたものとみなすことができる。 よって，平成２０年９月２５日に公開された刊行物１３は，本件特許出願前に頒布された刊行物に該当しないから，訂正発明１ないし４及び６は，理由１－１および理由２－１によっては，特許法第２９条第１項第３項に規定する発明とはいえず，また，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものともいえない。 ２　理由１－２及び理由２－２について（訂正発明１に対して） （１）甲１発明 ア　甲第１号証（特開２００５－１０９４３４号公報）には以下の記載がある。 （ア）「【技術分野】 【０００１】 本発明は，半導体素子を利用した半導体装置およびその製造方法に関わり，特に発光効率が高く，高輝度に発光可能な信頼性の高い発光装置，およびその製造方法を提供することを目的とする。」 （イ）「【背景技術】 【０００２】 同一面側に正負両電極が設けられている半導体素子チップの電極形成面を支持基板の導体配線に対向させ，導電性部材を介して接合し，半導体素子と支持基板とを電気的および機械的に接続する実装方法がある。このような実装方法を本明細書中では「フリップチップ実装」と呼ぶこととする。 【０００３】 半導体素子は，通常，超音波を利用して支持基板の導体配線にフリップチップ実装される。…（略）… 【０００４】 このように，半導体発光素子がフリップチップ実装された発光装置の一例として，特開２００３－８０８３号公報に記載の発光装置が挙げられる。特許文献１に開示される半導体発光素子は，正負一対の電極を有する面の大部分を占める正電極上に多数のバンプが配列され，同一の支持基板（以下，「サブマウント」と呼ぶことがある。）の導体配線に複数の半導体発光素子がフリップチップ実装されている。これにより，発光輝度の高い発光装置とすることができる。 【０００５】 また，従来のフリップチップ実装において，半導体素子を支持基板と接合した後，半導体素子と支持基板との間に生じた隙間を埋めるように，その隙間に樹脂（以下，「アンダフィル樹脂」と呼ぶ。）が注入される（例えば，特開２００１－２４４２９９号公報参照。）。これにより，半導体装置の信頼性を向上させることができる。」 （ウ）「【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 しかしながら，半導体素子を大型化したとき，あるいは上述のように同一の支持基板に多数の半導体素子を実装したとき，発光装置の外部へ効率よく放熱を行うことができず，発光装置の高輝度化に限界がある。」 …（略）… 【課題を解決するための手段】 【００１１】 上述したような問題を解決するための本発明は，同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子と，該半導体素子の各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と，を有する半導体装置において，上記導体配線は，上記支持基板の主面に垂直な方向から見て，上記半導体素子の電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する第一の領域と，該第一の領域の少なくとも一部を包囲し上記半導体素子の他方の電極に接合する導電部材を有する第二の領域とを有することを特徴とする。これにより，半導体素子からの放熱を効率よく行うことができ，半導体装置の信頼性および発光装置の発光輝度を向上させることができる。 （エ）「【発明の効果】 【００２３】 上述したように，本発明は，同一の支持基板にフリップチップ実装された複数の半導体素子からの放熱を効率よく行うことができ，従来と比較して，発光装置の高輝度化を実現することができる。また，本発明は，硬化状態で柔らかく弾力性を有する部材を，発光素子と支持基板との間に有しており，放熱効果が向上するだけでなく，光取り出し効率が向上する。また，硬化状態で柔らかく弾力性を有する部材を樹脂層として，予め支持基板に成型した後，ＬＥＤチップの電極を支持基板の導体配線に接合することにより，従来のように接合した後に樹脂層を形成する場合と比較して作業性が向上する。」 （オ）「【発明を実施するための最良の形態】 【００２４】 同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子と，該電極が導電部材を介して対向される導体配線を有する支持基板と，を有する半導体装置において，本発明者は種々の検討の結果，支持基板の主面に垂直な方向から見て，導体配線が，半導体素子の電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する第一の領域と，該第一の領域の少なくとも一部を包囲し他方の電極に接合する導電部材を有する第二の領域とを有することにより上記課題を解決するに至った。 …（略）… 【００３２】 ［半導体素子］ 本発明における半導体素子は，発光素子，受光素子，およびそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子，あるいはそれらを組み合わせたものとすることができる。ここでは特に，発光素子として，ＬＥＤチップについて説明する。 …（略）… 【００３６】 ｐ型半導体層には，発光素子に投入された電流をｐ型半導体層の全面に広げるための拡散電極が設けられる。さらに，拡散電極およびｎ型半導体層には，バンプや導電性ワイヤのような導電部材と接続するｐ側台座電極およびｎ側台座電極がそれぞれ設けられる。本形態における導体配線は，支持基板に対して，正負一対の配線パターンが絶縁分離されて互いに一方を包囲するように形成される。 …（略）… 【００４６】 ［支持基板］ 本形態における支持基板とは，少なくとも発光素子の電極に対向する面に導体配線が施され，フリップチップ実装された発光素子を固定・支持するための部材である。さらに，支持基板をリード電極に導通させるときには，発光素子に対向する面からリード電極に対向する面にかけて導電部材により導体配線が施される。本形態における導体配線は，支持基板に対して，正負一対の配線パターンが絶縁分離されて互いに一方を包囲するように形成される。特に，本形態における導体配線は，支持基板の主面に垂直な方向（即ち，発光装置の発光観測面方向）から見て，発光素子の電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する第一の領域と，該第一の領域の少なくとも一部を包囲し発光素子の他方の電極に接合する導電部材を有する第二の領域とを有することを特徴とする。例えば，本形態における導体配線は，発光装置の発光観測面方向から見て，発光素子の正電極に接合するバンプを有する正の極性領域と，該正の極性領域の少なくとも一部を包囲し発光素子の負電極に接合するバンプを有する負の極性領域とを有し，正の極性領域内でバンプが載置されている領域は，負の極性領域内で導電部材が載置されている領域より広い。さらに，正の極性領域内におけるバンプの数は，負の極性領域内におけるバンプの数より多い。 【００４７】 導体配線の材料とする金属は，Ａｕや銀白色の金属であるＡｌなどとされる。反射率の高い銀白色の金属とすることにより，発光素子からの光が支持基板と反対側の方向に反射され，発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。ここで，導体配線の材料とする金属は，金属相互間の接着性の良さ，いわゆる濡れ性等を考慮して選択されることが好ましい。例えば，Ａｕバンプを介して，Ａｕを含むＬＥＤチップの電極とを超音波ダイボンドにより接合するとき，導体配線は，ＡｕまたはＡｕを含む合金とする。 【００４８】 支持基板の材料は，発光素子と熱膨張係数がほぼ等しいもの，例えば窒化物半導体発光素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。このような材料を使用することにより，支持基板と発光素子との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。あるいは，支持基板の材料は，静電保護素子の機能を備えさせることもでき安価でもあるシリコンが好ましい。 【００４９】 保護素子の機能を備えるサブマウントの一例として、例えば、Ｓｉダイオード素子のｎ型シリコン基板内に選択的に不純物イオンの注入を行うことによりｐ型半導体領域を形成し、逆方向ブレークダウン電圧が所定の電圧に設定する。このＳｉダイオード素子のｐ型半導体領域及びｎ型シリコン基板（ｎ型半導体領域）の上に、Ａｌよりなるｐ電極及びｎ電極が形成され、ｐ電極の一部がボンディングパッドとなり、ｎ電極の一部がボンディングパッドとなる。なお、ｎ電極の一部をボンディングパッドとせずに、ｎ型シリコン基板の下面の上には、パッケージ等の支持基板のリード電極と電気的に接続するためのＡｕよりなるｎ電極を形成してもよい。これにより、ｎ電極側はワイヤを用いることなく電気的接続を行うことができる。 【００５０】 保護素子の機能を備えるサブマウントの他の一例として、Ｓｉダイオード素子であり、複数のｎ型半導体領域およびｐ型半導体領域が一方の主面方向に形成されているサブマウントが挙げられる。さらに、銀白色の金属を材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ）とする反射膜が上記複数の半導体領域に電気的に接続するように形成される。また、上記反射膜の一部の領域は、金属材料が蒸着あるいはスパッタリングされることにより、電極とすることができる。その電極は、バンプが載置され、あるいは発光素子の電極と直接接合することができる。また、ｐ型半導体領域および反射膜が形成されていないｎ型半導体領域の一部は、例えば、ＳｉＯ２のような絶縁膜により被覆されている。また、サブマウントは、裏面に、金属材料が蒸着あるいはスパッタリングされた電極を有することができる。 【００５１】 半導体発光素子は、上記保護素子の機能を備えるサブマウントに対してフリップチップ実装される。すなわち、サブマウントのｎ型半導体領域の電極にＡｕバンプを載置した後、半導体発光素子のｐ側台座電極およびｎ側台座電極が、Ａｕバンプを介して対向される。次に、超音波、熱および荷重を加えることにより、半導体発光素子とサブマウント部材とが電気的および機械的に接続される。サブマウント部材のＳｉダイオード素子と半導体発光素子の回路構成は、２つのダイオードの直列接続による双方向ダイオードと、半導体発光素子との並列接続となる。これにより、半導体発光素子は、順方向・逆方向の過電圧から保護され、信頼性の高い半導体装置とすることができる。 【００５２】 さらに、支持基板に対し、発光素子の実装に悪影響を与えない箇所に、孔や凹凸形状を設けることが好ましい。このような形状を設けることにより、半導体素子からの熱は支持から効率よく放熱することができる。支持基板の厚さ方向に少なくとも一つ以上の貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導体配線が延材するように形成すると、放熱性がさらに向上するため好ましい。なお、本形態における支持基板の導体配線は、導電性ワイヤを介してリード電極と接続されるが、一方の主面から他方の主面に施された導体配線とリード電極とを接合部材により接続する構成としても構わない。…（略）… 【００５５】 ［樹脂層］ （第一の形態における樹脂層） …（略）… 【００６１】 （第二の形態における樹脂層） 同一の支持基板に対して複数の発光素子がフリップチップ実装されるとき，発光素子と，その発光素子に隣接する別の発光素子との間に間隙が生じる。仮に，それらの発光素子を波長変換部材にて被覆しようとすると，波長変換部材は，隙間にも入り込み，隙間に存在する蛍光体の量が他の発光素子の周辺と比較して相対的に多くなる。したがって，発光装置は，全方位に渡って色度が均一な発光を観測することができなくなる。 【００６２】 そこで，本形態においては，上記隙間を封止する透光性の樹脂層を形成した後，複数の発光素子の光出射面側を被覆するように波長変換部材を均一な厚みで形成する。これにより，発光素子からの光が照射される波長変換部材自体の厚み（実際には，含有される蛍光体の量）は，発光観測面側において，ほぼ等しくなる。したがって，本形態の発光装置は，発光観測方位によって色度が均一な光学特性に優れた発光装置とすることができる。以下，図面を参照しながら，第二の形態における樹脂層について詳細に説明する。 【００６３】 図１０および図１１は，本形態にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な断面図である。本形態において，フリップチップ実装された発光素子と発光素子との間に生じた間隙は，透光性の樹脂層１０４ａにより封止される。さらに，それらの発光素子の光出射面（例えば，ＬＥＤチップの透光性基板面）および樹脂層の上面は，該発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長を有する光を発する蛍光体を含有する波長変換部材１１５により被覆されている。 【００６４】 本形態における樹脂層１０４ａは，樹脂が発光素子とその発光素子に隣接する別の発光素子との間隙に充填され，硬化されることにより形成されることが好ましい。例えば，樹脂の充填方法は，孔版印刷，スクリーン印刷，ポッティングあるいはメタルマスク印刷法などによることができる。あるいは，このような形成方法に限定されることなく，上記隙間に嵌合するように別工程で成型された透光性の部材を樹脂層１０４ａの代わりに配置させてもよい。あるいは，上述したように，フリップチップ実装前に形成する樹脂層１０４（すなわち，第一の形態における樹脂層）を上記隙間が生じる箇所にも形成し，本形態における樹脂層１０４ａとしても構わない。 …（略）… 【００６６】 本形態における樹脂層１０４ａは，図１０に示されるように，上記発光素子の少なくとも側面を被覆することが好ましい。このように側面を被覆することにより，波長変換部材１１５が，その形成工程において発光素子の側面側に入り込むことを防ぐことができる。また，樹脂層１０４ａの上面は，発光素子の上面（例えば，ＬＥＤチップの透光性基板面）とほぼ同一平面とすることが好ましい。 【００６７】 さらに，透光性の樹脂層は，上記隙間を封止するだけでなく，さらに発光素子の光出射面となる主面側を均一な厚みで被覆しても構わない。図１１は，本形態にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な断面図である。図１１に示されるように，例えば，発光素子と発光素子の隙間を樹脂層１０４ａにて封止し，それらの発光素子の光出射面，例えばＬＥＤチップの透光性基板面を被覆する樹脂層１０４ｂを形成した後，樹脂層１０４ｂに対して波長変換部材１１５を均一な厚みで積層させる。これにより，発光観測方位によって色度が均一な光学特性に優れた発光装置とすることができる。また，発光素子と蛍光体とを樹脂層を介して離間させることにより，発熱による蛍光体の劣化およびその発光輝度低下を抑制し，発光効率の高い発光装置とすることができる。 【００６８】 ［封止部材］ 本発明において，封止部材は，半導体素子および樹脂層を封止し，半導体素子と樹脂層との隙間を埋め，さらに半導体素子などを外部環境からの外力，塵芥や水分などから保護するために設けることができる。封止部材は，形状を種々変化させることによって発光素子から放出される光の指向特性を種々選択することができる。即ち，封止部材の形状を凸レンズ形状，凹レンズ形状とすることによってレンズ効果をもたすことができる。そのため，所望に応じて，ドーム型，発光観測面側から見て楕円状，立方体，三角柱など種々の形状を選択することができる。 …（略）…」 （カ）「【実施例１】 【０１２５】 図１は，本実施例にかかる半導体装置について，図３のＸ－Ｘにおける模式的な断面図である。図２は，本実施例にかかる支持基板に導体配線を施した状態を示す模式的な上面図である。図３は，本実施例にかかる支持基板に発光素子をフリップチップボンディングした状態を示す模式的な上面図である。なお，図３は発光素子を発光観測面側から見た状態を示しており，ｐ側台座電極１０６，ｎ側台座電極１０７およびバンプ１０５が透光性基板から透けて見えている。さらに，図４は，実施例における発光装置の回路構成を模式的に示す。 【０１２６】 本実施例における発光装置１００は，２つの半導体発光素子１０１が同一のサブマウント１０３にバンプ１０５により，フリップチップ実装されてなる。本実施例における発光素子は，活性層として単色性発光ピークが可視光である４７５ｎｍのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ半導体を有する窒化物半導体素子を用いる。より詳細に説明すると，発光素子であるＬＥＤチップは，洗浄させたサファイア基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス，ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス，窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し，ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させることができる。ドーパントガスとしてＳｉＨ４とＣｐ２Ｍｇを切り替えることによってｎ型窒化物半導体やｐ型窒化物半導体となる層を形成させる。 …（略）… 【０１２９】 図１に示すように，本発明の一実施例に使用される支持基板１０３は，窒化アルミニウムのプレートにＡｕを材料とする導体配線１０８，１０９が施され，バンプ１０５を介してｐ側台座電極１０６およびｎ側台座電極１０７とそれぞれ対向する正負一対の電極が絶縁分離されている。ここで，本実施例における導体配線は，正負一対の電極が互いに一部を包囲するように櫛状に形成されている。このような形状とすることにより，フリップチップ実装された半導体発光素子からの放熱性を向上させることができる。さらに，ＬＥＤチップのｐ側台座電極１０６に対向する領域の面積は，ｎ側台座電極１０７に対向する領域の面積より大きい。また，本実施例における発光素子は，図４の回路図に示されるように二つの発光ダイオードが並列接続とされたものである。このように並列接続とすることにより，直列接続とした場合と比較して，導体配線が簡略化され，放熱性を向上させることができる。 【０１３０】 また，本実施例において樹脂層１０４とされるシリコーン樹脂は，貫通孔が設けられ，貫通孔の底面に導体配線が露出されている。そして，本実施例にかかる発光装置はＬＥＤチップの正負一対の両電極がフリップチップ実装により，Ａｕバンプを介してＡｕを材料とする導体配線とフリップチップボンディングされてなる。以下，本実施例における発光装置の製造方法を説明する。 【０１３１】 （工程１） 窒化アルミニウムを材料とするウエハの所定の位置に，導体配線となるＡｕ層をメッキにより形成する。本実施例における導体配線は，図２に示されるように，ＬＥＤチップの正電極が対向する正の導体配線，およびＬＥＤチップの負電極が対向する負の導体配線が絶縁分離され，互いに一部を包囲するように形成されている。例えば，図２に示される支持基板は，上述したＬＥＤチップが２つ隣接されてフリップチップ実装される支持基板である。支持基板に配される正（＋）極側の導体配線は，外部電極（図示せず）の正極側に接続される領域から，上記複数のＬＥＤチップのうち一方のＬＥＤチップ（Ａ）のｐ側台座電極に対向する位置を経由して他方のＬＥＤチップ（Ｂ）のｐ側台座電極に対向する位置まで延伸している。同様に，支持基板に配される負（－）極側の導体配線は，ＬＥＤチップ（Ａ）およびＬＥＤチップ（Ｂ）の一方のｎ側台座電極に対向する領域から，外部電極（図示せず）の負極側に接続される領域，およびＬＥＤチップ（Ｂ）の他方のｎ側台座電極に対向する領域を経由して，ＬＥＤチップ（Ａ）の他方のｎ側台座電極に対向する領域まで延伸している。…（略）… 【０１３６】 （工程５） 最後に，所望の数のＬＥＤチップが含まれるように，支持基板をカットし，パッケージに搭載して導電性ワイヤを介して外部電極と接続させ，発光装置とする。なお，カット後の支持基板の形状は，矩形の他，如何なる形状でも構わない。」 （キ）「【実施例５】 【０１４３】 図１２は，本実施例における発光装置に利用される発光素子の上面図であり，図１３は，サブマウントの上面図である。また，図１４は，サブマウントに発光素子がフリップチップ実装された本実施例にかかる発光装置の上面図である。 【０１４４】 本実施例にかかる発光装置は，上面から見て六角形のサブマウントに対し，四つの発光素子チップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装されてなる。以下，本実施例の発光装置における各構成部材について詳述する。 …（略）… 【０１４６】 本実施例におけるサブマウントは、Ｓｉダイオード素子であり、複数のｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が一方の主面方向に形成されている。さらに、ｎ型半導体領域の一部は、反射膜兼電極として、Ａｌが５０００Åの厚みで蒸着され、その上にさらに電極と してＴｉ／Ａｕが、それぞれ３０００Å／７０００Åの厚みで蒸着されている。また、反射膜が形成されている領域を除き、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域は、ＳｉＯ２からなる絶縁膜により被覆されている。また、サブマウントは、裏面に、Ａｌ／Ｔｉ／Ａｇが順に蒸着された電極を有する。 【０１４７】 発光素子がフリップチップ実装される側から本実施例にかかるサブマウントを見ると，反射膜兼電極（Ａｌ）の導電性パターンが正負一対配され，その上に，上記電極（Ｔｉ／Ａｕ）が楕円状に複数形成されている。本実施例において，楕円状の電極の個数は，一つの発光素子について，正電極の接合用に１２個，その１２個を挟むように負電極の接合用に６個それぞれ形成される。また，正負の導電性パターンは，上述の実施例１と同様，サブマウントの主面に垂直な方向から見て，互いにその一部を包囲するように対向して延伸する部分を有し，櫛状あるいは鍵状に形成されている。すなわち，サブマウントに配される導電性パターンは，発光素子２０１と対向する領域において，発光素子の正電極が対向する導体配線２０４ａが，発光素子の負電極が対向する導体配線２０４ｂの間となるように配されている。また，発光素子の正電極が対向する導電性パターンの面積は，発光素子の負電極が対向する導電性パターンの面積より広い。また，正負の導電パターンが絶縁分離され発光素子が対向する領域において，それら正負の導電パターンの外縁は，凹凸状あるいは波状になっている。」 ここで，図１１，１３及び１４は以下のものである。 イ　上記段落【００６６】の記載とともに図１１を参照すると，図１０と同様に，図１１に示されたものにおいても，樹脂層１０４は，発光素子１０１が搭載される配線パターンの部分のみならず，当該搭載される配線パターンの部分の周囲まで封止していることが見て取れる。 ウ　上記段落【００６６】及び【００６７】の記載とともに図１１を参照すると，複数の発光素子１０１は，樹脂層１０４ａ及び樹脂層１０４ｂが一体となった樹脂層により封止され，また，段落【０１２９】の記載も参照すると，正極の導体配線１０８及び負極の導体配線１０９が支持基板１０３の上面に配置されていることがわかる。さらに，図１１から，正極の導体配線１０８及び負極の導体配線１０９が一定の厚さを有するものの，発光素子１０１の厚みよりは薄いことが見て取れる。 エ　図１３及び図１４を参照すると，正極の導体配線２０４ａ及び負極の導体配線２０４ｂは，それぞれ発光素子を挟んで左右端に配置された，フリップチップ実装された発光素子により覆われない部分を有することが見て取れる。また，当該部分は，上記段落【００４９】，【００５０】及び【００５２】の記載から，導電性ワイヤを介してリード電極と接続されるものといえる。さらに，当該「リード電極」は，段落【０１３６】に記載された「外部電極」と同じものといえる。 オ　従って，甲第１号証の段落【００６１】～【００６７】に記載の，［樹脂層］として，「第二の形態における樹脂層」を採用し，発光装置の樹脂層以外の具体的な構成として，段落【０１４３】～【０１４８】に記載の【実施例５】にかかる構成を採用したものについて，他の記載も参照すると，甲第１号証には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「甲１発明」という。）。 「同一面側に正負一対の電極を有するＬＥＤチップと，該ＬＥＤチップの正負各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と，を有し，同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装された発光装置において， 上記導体配線は，上記支持基板の主面に垂直な方向から見て，上記ＬＥＤチップの正負電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する正極の導体配線と，該正極の導体配線の少なくとも一部を包囲し上記半導体素子の他方の電極に接合する導電部材を有する負極の導体配線とを有することを特徴し，これにより，前記ＬＥＤチップからの放熱を効率よく行うことができ，前記ＬＥＤチップの信頼性および発光装置の発光輝度を向上させることができるものであり， 前記支持基板は，Ｓｉダイオード素子であり， 前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線はともに一定の厚さを有するものの，その厚さは，前記ＬＥＤチップの厚みよりも薄いものであり， 前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線は，それぞれ左右端に配置された，フリップチップ実装された前記ＬＥＤチップにより覆われない部分を有し，前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線は，導電性ワイヤを介してリード電極と接続されるものであり， 前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線が絶縁分離され前記ＬＥＤチップが対向する領域において，それら正極の導体配線及び負極の導体配線の外縁は，凹凸状あるいは波状になっており， フリップチップ実装された複数の前記ＬＥＤチップは一体となった樹脂層により封止され，当該樹脂層は，前記ＬＥＤチップが搭載される前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線の部分のみならず，当該搭載される前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線の周囲まで封止するものであり， 前記ＬＥＤチップがフリップチップ実装された前記支持基板をパッケージに搭載して導電性ワイヤを介してリード電極と接続させ，発光装置とされたものである， 発光装置。」 （２）対比 訂正発明１と甲１発明とを対比する。 ア　甲１発明の「ＬＥＤチップ」は，訂正発明１の「半導体発光素子」に相当する。 イ　甲１発明の「ＬＥＤチップがフリップチップ実装された支持基板」は，訂正発明１の「発光装置」に相当する。 ウ　甲１発明の「ＬＥＤチップの正負各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と」「同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装された」ものと，訂正発明１の「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え」たものとは，「基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え」たものである点で一致する。 エ　甲１発明の「同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装された」ことと，訂正発明１の「前記半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであ」ることとは，「前記半導体発光素子は，前記基板上面に搭載された半導体ＬＥＤチップであ」る点で一致する。 オ　甲１発明の「上記導体配線は，上記支持基板の主面に垂直な方向から見て，上記ＬＥＤチップの正負電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する正極の導体配線と，該正極の導体配線の少なくとも一部を包囲し上記半導体素子の他方の電極に接合する導電部材を有する負極の導体配線とを有する」ことは，訂正発明１の「前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え」ることに相当する。 カ　甲１発明の「ＬＥＤチップの正負各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と，を有し，同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装された」ことは，甲１発明の「上記導体配線は，上記支持基板の主面に垂直な方向から見て，上記ＬＥＤチップの正負電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する正極の導体配線と，該正極の導体配線の少なくとも一部を包囲し上記半導体素子の他方の電極に接合する導電部材を有する負極の導体配線とを有する」構成も併せると，訂正発明１の「前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され」たことに相当する。 キ　甲１発明の「同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装され」，「フリップチップ実装された複数の前記ＬＥＤチップは一体となった樹脂層により封止され，当該樹脂層は，前記ＬＥＤチップが搭載される前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線の部分のみならず，当該搭載される前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線の周囲まで封止するものであ」ることは，訂正発明１の「前記絶縁基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え」ることとは，「前記基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え」る点で一致する。 ク　甲１発明は，「前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線は，四つのＬＥＤチップを挟んでそれぞれ左右端に配置された，フリップチップ実装された前記ＬＥＤチップにより覆われない部分を有」するところ，「前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線は，導電性ワイヤを介してリード電極と接続されるものである」ことから見て，前記「前記正極の導体配線及び前記負極の導体配線」の「それぞれ左右端に配置された，フリップチップ実装された前記ＬＥＤチップにより覆われない部分」は外部接続用のランドとなることは明らかであるから，甲１発明の当該構成と，訂正発明１の「前記絶縁基板は，該絶縁基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ」ることとは，「前記基板は，該基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられ」る点で一致する。 ケ　甲１発明の「ＬＥＤチップがフリップチップ実装された支持基板をパッケージに搭載して導電性ワイヤを介してリード電極と接続させ，発光装置とされたもの」は，訂正発明１の「発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプ」に相当する。 コ　従って，両者は以下の点で一致する。 「発光装置を照明用光源として用いたＬＥＤランプであって， 前記発光装置は，基板上面に，複数個の半導体発光素子が搭載されるとともに，配線パターンを備え， 前記半導体発光素子は，前記基板上面に搭載された半導体ＬＥＤチップであり， 前記配線パターンは，アノード用配線パターンと，カソード用配線パターンとを備え， 前記配線パターンの間に，それぞれ複数個の前記半導体発光素子が搭載され， 前記基板上面で，複数の列からなる前記半導体発光素子および前記配線パターンが１つの封止体で封止された発光部を備え， 前記基板は，該基板上面に，前記発光部の周囲全体を取り囲む，前記封止体で封止されていない領域を備えており，該領域は，外部接続配線を直接接続するための正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが設けられる広さを有し， 前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドは，前記発光部と重複しないように配置され，かつ，前記発光部を挟んで対向して設けられている， ＬＥＤランプ。」 サ　一方両者は以下の各点で相違する。 《相違点１》 訂正発明１は，「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」を備えるのに対して，甲１発明は，「Ｓｉダイオード素子であ」る「支持基板」は備えるものの，「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」は備えない点。 《相違点２》 訂正発明１は，「前記半導体発光素子は，」「基板上面に直に搭載された半導体ＬＥＤチップであ」る構成を備えるのに対して，甲１発明は「前記半導体発光素子は，前記基板上面に搭載された半導体ＬＥＤチップであ」る構成を備えるものの，「基板上面に直に搭載」されたものである構成までは備えない点。 《相違点３》 訂正発明１は，「前記正電極外部接続ランドは前記アノード用配線パターンに，前記負電極外部接続ランドは前記カソード用配線パターンに，前記基板上面に形成され，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドよりも幅の小さい外部引き出し配線パターンを通じてそれぞれ接続されており，前記外部引き出し配線パターンは前記絶縁基板上に段差を有し，前記外部引き出し配線パターンの前記アノード用配線パターンおよびカソード用配線パターンに近い部分は前記封止体で封止されており，前記正電極外部接続ランドおよび前記負電極外部接続ランドに近い部分は封止体で封止されていない」構成を備えるが，甲１発明は，そのような構成を備えることが明らかでない点。 （３）判断 まず，相違点２から検討する。 甲１発明は，「ＬＥＤチップの正負各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と，を有し，同一の支持基板に四つのＬＥＤチップが２×２のマトリックス状に近接されてフリップチップ実装された」ものであるところ，前記２（１）ア（イ），（エ）に摘記した甲第１号証の段落【０００２】～【０００５】，【００２３】を参照すると，甲第１号証に記載の技術的事項は，「フリップチップ実装」と呼ばれる「同一面側に正負両電極が設けられている半導体素子チップの電極形成面を支持基板の導体配線に対向させ，導電性部材を介して接合し，半導体素子と支持基板とを電気的および機械的に接続する実装方法」における課題を解決したものであることは明らかである。 また，前記２（１）ア（カ）に摘記した甲第１号証の段落【０１２９】に，「導体配線は，…。このような形状とすることにより，フリップチップ実装された半導体発光素子からの放熱性を向上させることができる。」と記載されているように，「導体配線」を，「ＬＥＤチップの正電極が対向する正の導体配線，およびＬＥＤチップの負電極が対向する負の導体配線が絶縁分離され，互いに一部を包囲するように形成されて」いる形状とすることで，放熱性を向上させることができるものである。 そうすると，甲１発明の発光装置は，ＬＥＤチップの電極を導体配線に対して，導電性部材を介して接合するフリップチップ実装することが前提であるところ，導電性部材及び導体配線がいずれも一定の厚さを有することを考慮すると，甲１発明において，発光素子を支持基板上に直に搭載されたもの，すなわち，支持基板のうち導体配線が形成されないで支持基板自体が表出している部分にＬＥＤチップを搭載することには阻害要因があるといえる。 よって，甲１発明において相違点２を備えることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。 （４）小括 以上のとおり，少なくとも相違点２は実質的な相違点であって，甲１発明が備えない構成であるから，訂正発明１が甲１発明であるということはできない。また，相違点１及び３について検討するまでもなく，訂正発明１が，甲１発明及び周知の技術事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （５）訂正発明２～４及び６について 訂正発明２～４及び６は，訂正発明１に係る構成を全て含むものであるから，訂正発明２～４及び６については，上記（３）と同様の理由によって，甲１発明であるとはいえず，また，甲１発明及び周知の技術事項に基づいて，当業者が容易に発明することができたものともいえない。 （６）まとめ 以上のとおりであるから，訂正発明１ないし４及び６は，理由１－２および理由２－２によっては，特許法第２９条第１項第３項に該当するとはいえず，また，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものともいえない。 ３　理由２－３について （１）甲１発明 甲第１号証に記載された事項，及び甲１発明は，前記２（１）に記載されたとおりである。 （２）対比 訂正発明１と甲１発明との対比，ならびに両者の一致点及び相違点は，前記２（２）に記載したとおりである。 （３）判断 ア　前記２（３）で検討したとおり，甲１発明の発光装置は，ＬＥＤチップの電極を導体配線に対して接合するフリップチップ実装することが前提であるから，甲１発明において，発光素子を支持基板上に直に搭載されたもの，すなわち，支持基板のうち導体配線が形成されないで支持基板自体が表出している部分にＬＥＤチップを搭載することには阻害要因があるといえる。 イ　特許異議申立人は，異議申立書の（４）（４－２）ウ ｇ（３０～３１ページ）において，相違点２に係る構成を備えている本件特許発明７について，以下のとおり主張する。 「フリップチップボンディング実装するかワイヤボンディング実装するかは発光素子の電極位置により決せられる設計事項であり，フリップチップボンディング実装の発光素子にかえてワイヤボンディング実装の発光素子を採用することは当業者が適宜になし得る事項であるから，本件特許発明７は甲第１号証記載の発明と実質的な相違点を構成しないと思量する。 たとえば，甲第４号証の１４頁には，半導体チップの接続方式として，「（ａ）ワイヤボンディング」と「（ｃ）フリップチップ」があることが開示されているところ，当業者が甲第１号証に記載されたフリップチップボンディング実装にかえてワイヤボンディング実装をすることは適宜になし得る事項である。 このことは，甲第２号証の図１，図７，【００１７】に，複数のＬＥＤチップ２を絶縁基板Ｉ上の磁化の搭載する構成が開示されていることとによっても裏付けることができると思量する。」 ウ　しかしながら，前記２（３）で検討したとおり，甲１発明の発光装置は，ＬＥＤチップの電極を導体配線に対して接合するフリップチップ実装することが前提であるから，ワイヤボンディングによる接続方式が周知ないし慣用の技術であるとしても，甲１発明において，ＬＥＤチップをワイヤボンディングにより接続して，相違点２に係る構成を備えるようにすることには阻害要因がある。 エ　したがって，甲第２号証及び甲第４号証の記載を参照しても，甲１発明において相違点２を備えることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。 （４）小括 よって，相違点１及び３について検討するまでもなく，訂正発明１が，甲１発明及び甲第２号証及び甲第４号証の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）訂正発明２～４及び６について 訂正発明２～４及び６は，訂正発明１に係る構成を全て含むものであるから，訂正発明２～４及び６については，上記（３）と同様の理由によって，甲１発明及び甲第２号証及び甲第４号証の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （６）まとめ 以上のとおりであるから，訂正発明１ないし４及び６は，理由２－３によっては，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。 ４　理由３について 前記第４「４　理由３（第３６条第４項第１号（委任省令要件））」に記載したとおり，理由３は，本件特許発明１～７について，基板が，「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板」以外の基板，例えば，「金属板からなる基板」である場合に，どのようにして，「充分な電気的絶縁が達成」できるのか理解することができず，また，「複数の発光素子」が，「前記基板上に直に搭載された複数の発光素子」以外である場合に，どのようにして，「充分な電気的絶縁が達成でき，かつ，製造工程が容易で安価に製造することができる発光装置を提供することができる」のか理解することができないことをその事由としていたところ，本件訂正により，訂正発明１，及び本件特許発明１に従属する訂正発明２ないし４及び６において，「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」であることが特定されたので，上記事由は解消された。 よって，訂正発明１ないし４及び６は，理由３によっては，特許法第３６条第４項第１号（委任省令要件）の規定に違反して特許されたものとはいえない。 ５　理由４について 前記第４「５　理由４（第３６条第６項第１号）」に記載したとおり，理由４は，本件訂正前の請求項１～７には，「基板」が，「少なくともその表面が絶縁性を有する材料で形成されている基板」であって，かつ，「複数の発光素子」が，「前記基板上に直に搭載された複数の発光素子」であることが記載されていないから，本件訂正前の請求項１～７の記載は，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されていないことをその事由としていたところ，本件訂正により，訂正後の請求項１，及び訂正後の請求項１に従属する訂正後の請求項２～４，６の記載において，「絶縁性を有する材料で形成されている絶縁基板」であること，及び「複数個の」「半導体発光素子は，前記絶縁基板上面に直に搭載された」ことが特定されたので，上記事由は解消された。 よって，訂正発明１ないし４及び６は，理由３によっては，特許法第３６条第６項第１号の規定に違反して特許されたものとはいえない。 第７　むすび よって，取消理由通知に記載した取消理由及び異議申立書に記載された理由によっては，訂正発明１ないし４及び６に係る特許を取り消すことはできない。 また，他に訂正発明１ないし４及び６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また，請求項５及び７は本件訂正により削除されたため，本件特許の請求項９に対して特許異議申立人がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。 よって，結論のとおり決定する。