2016-008995

特願２０１３－５５０３７０「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月　２日国際公開、ＷＯ２０１２／１０２４４９、平成２６年　２月　６日国内公表、特表２０１４－５０３１２５〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１１年（平成２３年）１０月６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１１年１月２５日、韓国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年９月２６日に手続補正がなされ、平成２７年６月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２８年２月１５日付けで拒絶査定（謄本送達日　同年同月２３日、以下「原査定」という。）がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 第２　平成２８年６月１６日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 本件補正を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 本件補正は、本件補正前（平成２７年９月１８日になされたもの）の特許請求の範囲を、以下のとおりに補正する内容を含むものである（下線は請求人が付したとおりである。）。 本件補正前の特許請求の範囲の請求項１につき、 「基板と、 前記基板の上に配置される裏面電極層と、 前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、 前記光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いバンドギャップを有するバッファ層と、 前記バッファ層の上に配置され、前記バッファ層より高いバンドギャップを有するウィンドウ層と、を含み、 前記バッファ層のバンドギャップは３．３ｅＶ乃至３．６ｅＶの値を有し、 前記バッファ層は（ＡｘＺｎ１－ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含むことを特徴とする、太陽電池。」 とあったものを、 「基板と、 前記基板の上に配置される裏面電極層と、 前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、 光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いエネルギーバンドギャップを有する亜鉛拡散層と、 前記亜鉛拡散層の上に配置され、前記亜鉛拡散層より高いエネルギーバンドギャップを有するバッファ層と、 前記バッファ層の上に配置され、前記バッファ層より高いエネルギーバンドギャップを有し、ガリウム(Ｇａ)がドーピングされたジンクオキサイド(ＺｎＯ：Ｇａ)で形成されるウィンドウ層と、を含み、 前記光吸収層、亜鉛拡散層、バッファ層及びウィンドウ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され、 前記バッファ層のバンドギャップは３．３ｅＶ乃至３．６ｅＶの値を有し、 前記バッファ層は（ＡｘＺｎ１－ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含むことを特徴とする、太陽電池。」 に補正。 ２　補正の目的 （１）本件補正は、補正前の請求項１において、下記の各補正を行うものである（下線は当審にて付した。以下同じ）。 ア　「前記光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いバンドギャップを有するバッファ層と、前記バッファ層の上に配置され、前記バッファ層より高いバンドギャップを有するウィンドウ層」を、「光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いエネルギーバンドギャップを有する亜鉛拡散層と、前記亜鉛拡散層の上に配置され、前記亜鉛拡散層より高いエネルギーバンドギャップを有するバッファ層」と補正して、光吸収層とバッファ層の間に、「亜鉛拡散層」が形成されることの限定を付加する。 イ　「前記バッファ層より高いバンドギャップを有するウィンドウ層」に関して、「前記バッファ層より高いエネルギーバンドギャップを有し、ガリウム(Ｇａ)がドーピングされたジンクオキサイド(ＺｎＯ：Ｇａ)で形成されるウィンドウ層」と補正して、「ウィンドウ層」に係る限定を付加する。 ウ　「バンドギャップ」に関して、「前記光吸収層、亜鉛拡散層、バッファ層及びウィンドウ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され」との限定を付加する。 （２）上記（１）アないしウの補正は、いずれも限定を付加する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 ３　独立特許要件について そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。 （１）本願補正発明の認定 本願補正発明は、上記１において、本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める。 （２）刊行物の記載及び引用発明 ア　原査定における拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３－２６４３０６号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。 （ア）「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】・・・ 【０００３】従来の高効率ＣＩＳ太陽電池および高効率ＣＩＧＳ太陽電池では、一般に、窓層としてＺｎＯ層が用いられている。近年、光吸収層と窓層のコンダクションバンドオフセットを最適値にするために、ＺｎＯの代わりにＺｎとＭｇとＯとを含む層（Ｚｎ1-xＭｇxＯ層）を用いた太陽電池が検討されている。また、Ｚｎ1-xＭｇxＯ層を用いることによって、従来の太陽電池に用いられていたバッファー層を不要としたＣＩＳおよびＣＩＧＳ太陽電池も開発されている。これらの太陽電池に用いられるＺｎ1-xＭｇxＯ層は、スパッタリングによって形成される。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＩＳ層（またはＣＩＧＳ層）上に、Ｚｎ1-xＭｇxＯ層を直接形成するとスパッタダメージによって太陽電池特性が低下するという問題があった。現在、太陽電池のさらなる高効率化が求められており、Ｚｎ1-xＭｇxＯ層を用いる太陽電池においてもさらなる高効率化を実現する必要がある。 【０００５】このような状況に鑑み、本発明は、ＺｎとＭｇとＯとを含む層を備えた太陽電池を、従来に比べてさらに高効率化できる製造方法を提供することを目的とする。」 （イ）「【００１０】上記製造方法では、前記第１の電極層がＭｏからなり、前記第２の電極層が透明電極であってもよい。・・・」 （ウ）「【００２０】第２の電極層１４は、透光性の導電性材料で形成でき、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）で形成できる。」 （エ）「【００２９】（実施例２）本実施例では、本発明の製造方法で太陽電池を製造した一例について説明する。 【００３０】まず、スパッタ法によって、ガラス基板上にＭｏ膜を形成し、その上に蒸着法によってＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜（膜厚：２μｍ）を形成した。その後、基板温度を３００℃にし、Ｚｎを３分間、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜上に蒸着した。このＺｎの蒸着によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の表面から５０ｎｍの深さまでＺｎを添加し、Ｚｎがドープされていないｐ形化合物半導体層と、Ｚｎがドープされたｎ形化合物半導体層とを形成した。 【００３１】次に、ＺｎＯおよびＭｇＯターゲットを用いた二元スパッタによって、ｎ形化合物半導体層上に、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜（膜厚：１００ｎｍ）を形成した。このとき、アルゴンガス圧が２．６６Ｐａ（２×１０-2Ｔｏｒｒ）であり、ＺｎＯターゲットに加えた高周波パワーは２００Ｗであり、ＭｇＯターゲットに加えた高周波パワーは１００Ｗであった。 【００３２】次に、透明導電膜であるＩＴＯ膜（膜厚：１００ｎｍ）をスパッタ法によって形成した。ＩＴＯ膜は、アルゴンガス圧が１．０６４Ｐａ（８×１０-3Ｔｏｒｒ）で、高周波パワーが４００Ｗの条件によって形成した。その後、ＮｉＣｒ膜とＡｇ膜とを電子ビーム蒸着法によって積層することによって、取り出し電極を形成した。」 （オ）引用発明 ａ　上記（ア）ないし（エ）によれば、引用文献１には、次の方法発明（以下「引用方法発明」という。）が記載されていると認められる。 「スパッタ法によって、ガラス基板上にＭｏ膜を形成し、その上に蒸着法によってＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜（膜厚：２μｍ）を形成し、 その後、基板温度を３００℃にし、Ｚｎを３分間、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜上に蒸着し、 このＺｎの蒸着によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の表面から５０ｎｍの深さまでＺｎを添加し、Ｚｎがドープされていないｐ形化合物半導体層と、Ｚｎがドープされたｎ形化合物半導体層とを形成し、 次に、ＺｎＯおよびＭｇＯターゲットを用いた二元スパッタによって、ｎ形化合物半導体層上に、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜（膜厚：１００ｎｍ）を形成し、 次に、透明導電膜であるＩＴＯ膜（膜厚：１００ｎｍ）をスパッタ法によって形成した、太陽電池の製造方法。」 ｂ　引用文献１には「太陽電池の製造方法」（引用方法発明）が記載されているから、引用文献には当該「太陽電池の製造方法」（引用方法発明）によって製造された次の「太陽電池」の発明（以下「引用発明」という。）も記載されていると認められる。 「ガラス基板と、 前記ガラス基板の上に形成されるＭｏ膜と、 前記Ｍｏ膜の上に形成されるＺｎがドープされていないｐ形化合物半導体層のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜と、 前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎがドープされたｎ形化合物半導体層のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜と、 前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜と、 前記Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜の上に形成される、ＩＴＯ膜である透明導電膜を含む、太陽電池。」 イ　同じく、原査定における拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４－１５８６１９号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。 （ア）「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、電子デバイスおよびその製造方法に関し、特にたとえば太陽電池およびその製造方法に関する。」 （イ）「【００２９】 （実施形態２） 実施形態２では、本発明の電子デバイスの一例として、太陽電池の一例について説明する。 【００３０】 実施形態２の太陽電池について、図２に断面図を示す。図２を参照して、実施形態２の太陽電池１０は、基板１１と、基板１１上に順に堆積された、裏面電極（第１の電極層）１２、半導体層１３、酸化物層１４および透明導電膜（第２の電極層）１５と、透明導電膜１５上に形成された取り出し電極１６とを含む。なお、これらの層の他に、さらに他の層を備えてもよい。たとえば、半導体層１３と酸化物層１４との間に、第２の半導体層を設けてもよい。・・・ 【００３８】 透明導電膜１５は、透光性を有する導電性の材料で形成でき、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＺｎＯ：Ｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、またはＺｎＯ：Ｇａからなる膜を用いることができる。また、これらの膜を２つ以上積層した積層膜を用いることもできる。」 （ウ）「【００６９】 （実施例３） 実施例３では、実施形態２の太陽電池を製造した一例について説明する。 【００７０】 図５を参照しながら形成方法を説明する。基板２１としてソーダライムガラスを用いた。この基板２１の上にスパッタ法で裏面電極（第１の電極層）２２となるＭｏ膜を形成した。Ｍｏ膜の膜厚は約０．４μｍとした。次に、光吸収層となる半導体層２３としてＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）薄膜を蒸着法で形成した。ＣＩＧＳ膜の膜厚は約２μｍとした。次に、このＣＩＧＳ膜を加熱しながらＣＩＧＳ膜の表面にＺｎを蒸着して拡散させ、ＣＩＧＳ膜の表面にＺｎをドープした。これによって、半導体層２３の表面に、第２の半導体層２３ｂとなるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２：Ｚｎ層を形成した。Ｚｎの拡散深さは約５０ｎｍであった。・・・このようにして、実施形態２の太陽電池を製造した。」 （エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用文献２には、次の事項（以下「引用文献２に記載の事項」という。）が記載されていると認められる。 「基板と、基板上に順に堆積された、裏面電極（第１の電極層）、半導体（ＣＩＧＳ）層、酸化物層及び透明導電膜（第２の電極層）からなる太陽電池において、前記透明導電膜は、透光性を有する導電性の材料で形成でき、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＺｎＯ：Ｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、またはＺｎＯ：Ｇａからなる膜を用いることができる点。」 ウ　同じく、原査定における拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１０－７４０６９号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。 （ア）「【００２９】 次に、図４に、ＭｇＸＺｎ１－ＸＯのバンドギャップエネルギーとＭｇ組成Ｘとの関係を示す。横軸がＭｇＸＺｎ１－ＸＯのＸ値を、縦軸がＭｇＸＺｎ１－ＸＯのバンドギャップエネルギーを示す。・・・ 【００３０】 アンドープＺｎＯは、図４ではＭｇ組成Ｘ＝０に相当し、図に示すようにＺｎＯのバンドギャップ３．３ｅＶに該当する。これに対してｐ型層となる窒素ドープＭｇＺｎＯ層３のＭｇ組成を０．１にすると、Ｍｇ０．１ＺｎＯのバンドギャップは、図４の点線で示されるように約３．５ｅＶとなる。したがって、アンドープＺｎＯ層２と窒素ドープＭｇＺｎＯ層３とのバンドギャップ差は、最低０．２ｅＶ開けておくことが望ましいことがわかる。 【００３１】 また、上限は、Ｍｇ組成Ｘ＝０．５であるので、Ｍｇ０．５ＺｎＯのバンドギャップは、約４．４ｅＶである。このときのアンドープＺｎＯと、Ｍｇ０．５ＺｎＯとのバンドギャップ差は１ｅＶ程度になることがわかる。以上より、半導体発光素子の発光輝度を大きくするためには、発光層のバンドギャップよりもアクセプタ層のうちの少なくとも１層のバンドギャップが大きく、かつ、そのバンドギャップ差は０．２ｅＶ以上とすることが好ましい。」 （イ）図４は次のものである。 （ウ）上記（ア）の記載を踏まえて、上記（イ）の図４をみると、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏのバンドギャップは、約３．５ｅＶであること、及び、ＺｎＯのバンドギャップは、３．３ｅＶであることが見てとれる（以下「引用文献３に記載の事項」という。）。 （３）対比・判断 ア　対比 本願補正発明と引用発明を対比する。 （ア）引用発明の「ガラス基板」、「（前記ガラス基板の上に形成される）Ｍｏ膜」、「（前記Ｍｏ膜の上に形成される）Ｚｎがドープされていないｐ形化合物半導体層のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」、「（前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成される）Ｚｎがドープされたｎ形化合物半導体層のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」、「（前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成される）Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」及び「太陽電池」は、本願補正発明の「基板」、「（前記基板の上に配置される）裏面電極層」、「（前記裏面電極層の上に配置される）光吸収層」、「（光吸収層の上に配置される）亜鉛拡散層」、「（前記亜鉛拡散層の上に配置される）バッファ層」及び「太陽電池」にそれぞれ相当する。 （イ）Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2のエネルギーバンドギャップは、一般に１ｅＶのオーダーである（例えば、特開２０１０－２８３３２２号公報　段落【００５６】「光電変換層のバンドギャップ値の例を挙げれば、ＣＩＧＳ層のバンドギャップ値は１．０５～１．７０ｅＶ程度・・・である。」、及び、特開２００６－１３０２８号公報　段落【０００８】「CIGSのバンドギャップエネルギー（Eg1）=1.16eV、・・・を用いている。」との記載参照）。 そして、エネルギーバンドギャップが１ｅＶのオーダーの化合物半導体であるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2にＺｎ（亜鉛）を拡散（ドープ）するとエネルギーバンドギャップが広がることは本願優先日当時周知の事項である。 したがって、Ｚｎが拡散（ドープ）されたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜は、（Ｚｎがドープされていない）Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜より高いエネルギーバンドギャップを有するといえる。 そうすると、引用発明の「前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」は、「前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成される、前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜より高いエネルギーバンドギャップを有するＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」であるということができる。 よって、引用発明の「前記ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」は、本願補正発明の「光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いエネルギーバンドギャップを有する」「亜鉛拡散層」に相当する。 （ウ）引用発明の「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」のエネルギーバンドギャップが、約３．５ｅＶであることは本願優先日当時公知の事項である（引用文献３に記載の事項）。 したがって、引用発明の約３．５ｅＶのエネルギーバンドギャップを有する「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」は、本願補正発明の「バンドギャップは３．３ｅＶ乃至３．６ｅＶの値を有」する「バッファ層」に相当する。 また、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2のエネルギーバンドギャップが１ｅＶのオーダーであること（上記（イ））、及び、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが３．３ｅＶであること（引用文献３に記載の事項）を踏まえると、ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2のエネルギーバンドギャップが約３．３ｅＶより低いことは明らかであるから、引用発明の「前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」は、「前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成される、前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜より高いエネルギーバンドギャップを有するＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」であるということができる。 そうすると、引用発明の「前記ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の上に形成されるＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」は、本願補正発明の「前記亜鉛拡散層の上に配置され、前記亜鉛拡散層より高いエネルギーバンドギャップを有する」「バッファ層」に相当する。 さらに、引用発明の「ＺｎがドープされていないＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」、「ＺｎがドープされたＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜」及び「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成されるものであるといえるから、引用発明は、本願補正発明の「前記光吸収層、亜鉛拡散層、バッファ層及びウィンドウ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され」る構成のうち、「前記光吸収層、亜鉛拡散層及びバッファ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され」るとの構成を備える点で一致する。 （エ）本願補正発明の「（ＡｘＺｎ１－ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含む」「バッファ層」と引用発明の「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」を対比する。 本願発明の段落【００２７】「本発明のバッファ層４００は（ＡｘＺｎ１－ｘ）０（０≦ｘ≦１）の物質で形成され、Ａは２族元素で構成されることができる。実施形態では、ＭｇＺｎＯでバッファ層を形成したが、その他に亜鉛を含む化合物で形成されることができ、マグネシウムの代わりにＣａ、Ｓｒなどの元素を使用して形成することができる。」の記載から、Ａはマグネシウム（Ｍｇ）であってよいといえる。 そうすると、両者は、「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ」の点で一致する。 したがって、引用発明の「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」は、本願補正発明の「（ＡｘＺｎ１－ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含む」「バッファ層」に相当する。 （オ）引用発明の「ＩＴＯ膜である透明導電膜」は、引用文献１によれば、「第２の電極層」であって、「第２の電極層１４は、透光性の導電性材料で形成でき、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）で形成できる」（上記「（２）」「ア」「（ウ）」参照）ものであるとされる。 したがって、引用発明の「ＩＴＯ膜である透明導電膜」は、透光性の導電性材料で形成された「第２の電極層」であると理解される。 これに対して、本願補正発明の「ウィンドウ層」は、本願明細書に、「上記ウィンドウ層５００は上記バッファ層４００の上に配置される。上記ウィンドウ層５００は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層５００の抵抗は上記裏面電極層２００の抵抗より高い。」「上記ウィンドウ層５００は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層５００はジンクオキサイド（zinc oxide）、インジウムチンオキサイド（induim tin oxide；ＩＴＯ）、またはインジウムジンクオキサイド（induim zinc oxide；ＩＺＯ）などを含むことができる。」（段落【００３２】～【００３３】）と記載されている。 したがって、本願補正発明の「ウィンドウ層」は、「バッファ層４００の上に配置され」、「透明で、導電層であ」り、「抵抗は上記裏面電極層２００の抵抗より高」く、ジンクオキサイド（zinc oxide）、インジウムチンオキサイド（induim tin oxide；ＩＴＯ）、またはインジウムジンクオキサイド（induim zinc oxide；ＩＺＯ）などの「酸化物を含む」ものであると理解される。 よって、引用発明の「透明導電膜」は、本願補正発明の「ウィンドウ層」と、「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜（バッファ層４００）の上に配置され」、「透明で、導電層であ」り、「抵抗は上記Ｍｏ膜（裏面電極層２００）の抵抗より高」く、「酸化物を含む」ものである点において、本願補正発明の「ウィンドウ層」に相当するものであるといえる。 以上によれば、引用発明の「前記Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜の上に形成される、ＩＴＯ膜である」「透明導電膜」は、本願補正発明の「前記バッファ層の上に配置され、前記バッファ層より高いエネルギーバンドギャップを有し、ガリウム(Ｇａ)がドーピングされたジンクオキサイド(ＺｎＯ：Ｇａ)で形成されるウィンドウ層」と、「前記バッファ層の上に配置されるウィンドウ層」である点で一致する。 （カ）上記（ア）ないし（オ）によれば、両者は、 「基板と、 前記基板の上に配置される裏面電極層と、 前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、 光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いエネルギーバンドギャップを有する亜鉛拡散層と、 前記亜鉛拡散層の上に配置され、前記亜鉛拡散層より高いエネルギーバンドギャップを有するバッファ層と、 前記バッファ層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、 前記光吸収層、亜鉛拡散層及びバッファ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され、 前記バッファ層のバンドギャップは３．３ｅＶ乃至３．６ｅＶの値を有し、 前記バッファ層は（ＡｘＺｎ１－ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含む、太陽電池。」 である点で一致し、下記点で相違する。 ・「ウィンドウ層」が、本願補正発明においては、「前記バッファ層より高いエネルギーバンドギャップを有し」、「ガリウム(Ｇａ)がドーピングされたジンクオキサイド(ＺｎＯ：Ｇａ)で形成され」ると特定されるのに対して、引用発明においては、「ＩＴＯ膜」であって、「Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ膜」（本願補正発明の「バッファ層」に相当する）より高いエネルギーバンドギャップを有するか明らかではない点（以下「相違点」という。）。 イ　判断 上記相違点について検討する。 （ア）ＣＩＧＳ太陽電池において、光吸収層に太陽光が届くように、バンドギャップの関係を入射側から順に小さくなるようにすることは本願優先日当時の技術常識である。 （例えば、「ＣＩＧＳ太陽電池の基礎とバッファ層」、ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ　２０１０年６月号　ｖｏｌ．２９　Ｎｏ．３４２　ｐ１１０～１１５、特に１１１頁左欄１９～２５行の「２　ＣＩＧＳ太陽電池の基本動作　（１）各層での光吸収と損失　図３（ａ）と（ｂ）に高効率デバイスのエネルギーバンド図（左側から光入射）と典型的な外部量子効率を示す。光入射側はＥｇが大きく、順に小さくなっている。光吸収層であるＣＩＧＳへ太陽光を到達させるために、このような構造となっている。」との記載参照。） （イ）ここで、透明導電膜としてのＺｎＯは本願優先日当時の周知の素材であり、引用発明のＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏのエネルギーバンドギャップである約３．５ｅＶより高いエネルギーバンドギャップを有するＺｎＯ：Ｇａ（ガリウムドープのＺｎＯ）も公知の素材である。 （例えば、鈴木晶雄他、「酸化亜鉛系ホモｐ－ｉ－ｎ接合の作成と光起電力特性」、真空、Vol.44(2001) No.3 p.236-239　「GZO film(ZnO:Ga2O3, Egopt=3.6eV)」（２３６頁上欄４行）、並びに、K. Maejima　他４名、「Characterization of Zn1-xMgxO transparent conducting thin films fabricated by multi-cathode RF-magnetron sputtering」　Thin Solid Films, vol.518(2010) 2949-2952, 「Fig.4のMg=0とMg=0.1 のEgopt(eV)をみれば、Zn0.9Mg0.1Oのバンドギャップエネルギー（Mg Content(x)=0.1 約3.5eV）よりもZnO:Gaののバンドギャップエネルギー（Mg Content(x)=0 約3.9eV）が大きいことが見てとれる。」（２９５１頁のFig.4）） （ウ）そして、引用発明の「透明導電膜」は「ＩＴＯ膜である」ところ、引用文献１の段落【００２０】によれば、「第２の電極層１４は、透光性の導電性材料で」あればよいとされる（上記「（２）」「ア」「（ウ）」）。 してみると、「透明導電膜」として、「ＩＴＯ膜」にかえて、上記（イ）の約３．５ｅＶより高いバンドギャップを有するＺｎＯ：Ｇａを採用して、エネルギーバンドギャップが窓層（Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ）＜コンタクト層（ＺｎＯ：Ｇａ）の関係となし、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。 （４）まとめ したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用文献２～３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ４　補正却下の決定についてのむすび 上記３の検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １　本願発明 上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、平成２７年９月１８日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、上記「第２」［理由］「１　補正の内容」において、本件補正前のものとして示したとおりのものである。 ２　刊行物の記載及び引用発明 上記「第２」［理由］「３　独立特許要件について」「（２）」のとおりである。 ３　対比・判断 本願発明について （１）上記「第２」［理由］「２　補正の目的」のとおり、本件補正は、補正前の請求項１において、下記アないしウの補正を行うものである。 ア　「前記光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いバンドギャップを有するバッファ層と、前記バッファ層の上に配置され、前記バッファ層より高いバンドギャップを有するウィンドウ層」を、「光吸収層の上に配置され、前記光吸収層より高いエネルギーバンドギャップを有する亜鉛拡散層と、前記亜鉛拡散層の上に配置され、前記亜鉛拡散層より高いエネルギーバンドギャップを有するバッファ層」と補正して、光吸収層とバッファ層の間に、「亜鉛拡散層」が形成されることの限定を付加する。 イ　「前記バッファ層より高いバンドギャップを有するウィンドウ層」に関して、「前記バッファ層より高いエネルギーバンドギャップを有し、ガリウム(Ｇａ)がドーピングされたジンクオキサイド(ＺｎＯ：Ｇａ)で形成されるウィンドウ層」と補正して、「ウィンドウ層」に係る限定を付加する。 ウ　「バンドギャップ」に関して、「前記光吸収層、亜鉛拡散層、バッファ層及びウィンドウ層は、順次高いエネルギーバンドギャップを有するように形成され」との限定を付加する。 （２）したがって、本願発明は、上記「第２」［理由］「３　独立特許要件について」で検討した本願補正発明を特定するための事項である限定を省いたものである。 （３）これに対して、上記「第２、［理由］　３（３）イ」で検討したとおり、本願発明の構成を含み、さらに上記限定を加えた本願補正発明が、引用発明及び引用文献２～３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記「第２」［理由］「３」での検討と同様の理由により、本願発明は、引用発明及び引用文献２～３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明し得るものである。 ４　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２～３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。