2025-700259

特許第７５４６１６０号発明「ウエハ載置台」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５４６１６０号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５４６１６０号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、令和４年１０月２５日を国際出願日とする出願であって、令和６年８月２８日にその特許権の設定登録がされ、同年９月５日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許に対し、令和７年３月３日に特許異議申立人 河原田隆（以下、「異議申立人１」という。）、同年３月５日に特許異議申立人 小澤一三（以下、「異議申立人２」という。また、「異議申立人１」と合わせて、「異議申立人ら」という。）は、それぞれ特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明６」といい、併せて「本件発明」ともいう。）は、特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ウエハを支持する多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置部を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、 冷媒流路を有する冷却プレートと、 前記セラミックプレートと前記冷却プレートとを接合する接合層と、 前記基準面に設けられ、底面が前記基準面よりも低い凹溝と、 前記セラミックプレートを厚さ方向に貫通し、前記凹溝の底面に開口するプラグ配置穴と、 前記プラグ配置穴に配置され、頂面が前記凹溝の底面と同じ高さであり、外周面が前記プラグ配置穴の内周面に接合され、ガスの流通を許容する多孔質プラグと、 前記多孔質プラグにガスを供給するガス供給経路と、 を備えたウエハ載置台。 【請求項２】 前記多孔質プラグの外周面は、前記プラグ配置穴の内周面に焼結により接合される、 請求項１に記載のウエハ載置台。 【請求項３】 前記接合層の耐久温度は、前記セラミックプレートの焼結温度よりも低い、 請求項２に記載のウエハ載置台。 【請求項４】 前記凹溝の底面から前記基準面までの距離は、０．００５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である、 請求項１～３のいずれか１項に記載のウエハ載置台。 【請求項５】 前記多孔質プラグの頂面は、多数の細孔を備えた保護蓋で覆われており、前記保護蓋の頂面は、前記小突起の頂面よりも低い位置にある、 請求項１～３のいずれか１項に記載のウエハ載置台。 【請求項６】 前記ガス供給経路は、前記冷却プレートの下面から前記接合層のうち前記多孔質プラグに面する位置に設けられた接合層貫通穴を介して前記多孔質プラグの下面に至る経路であり、 前記接合層貫通穴は、前記多孔質プラグが通過不能な大きさである、 請求項１～３のいずれか１項に記載のウエハ載置台。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人らの提出した証拠 （１） 異議申立人１の提出した証拠 異議申立人１は、次の甲第１号証～甲第４号証（以下、「甲１」～「甲４」という。）を証拠として提出している。 甲第１号証（甲１）：特開２０１９－１６５１９４号公報 甲第２号証（甲２）：特開平９－２３２４１５号公報 甲第３号証（甲３）：特開２０００－３１７７６１号公報 甲第４号証（甲４）：特開２０００－３３２０９１号公報 （２） 異議申立人２の提出した証拠 異議申立人２は、上記（１）の甲１の他、次の甲第５号証～甲第１１号証（以下、「甲５」～「甲１１」という。）を証拠として提出している（なお、異議申立人２が提出した甲第２号証～甲８号証については、異議申立人１が提出した甲号証の証拠番号との重複を避けるため、異議申立人１が提出した証拠番号からの通番とし、甲第５号証～甲第１１号証という。）。 甲第５号証（甲５）：特開２０２１－１５８２０号公報 甲第６号証（甲６）：特開２０１６－１３６５５４号公報 甲第７号証（甲７）：特開２０１１－２２２９７７号公報 甲第８号証（甲８）：国際公開第２０１９／１８８６８１号 甲第９号証（甲９）：特許第４９５９９０５号公報 甲第１０号証（甲１０）：特許第６７２２５１８号公報 甲第１１号証（甲１１）：特開２０１５－１３８８０７号公報 ２ 特許異議の申立理由 （１） 異議申立人１の主張する申立理由 異議申立人１の主張する特許異議の申立理由の概要は以下のとおりである。 ア 理由１－１（新規性欠如） 本件発明１～３は、甲１に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、本件特許の請求項１～３に係る特許は、特許法２９条１項の規定に違反してされたものである。 イ 理由１－２（進歩性欠如） 本件発明１～４は、甲１に記載された発明に基づいて、又は、甲１に記載された発明と甲２及び甲３のいずれかに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１～４に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。 （２） 異議申立人２の主張する申立理由 異議申立人２の主張する特許異議の申立理由の概要は以下のとおりである。 ア 理由２－１（進歩性欠如） （ア） 本件発明１～３は、甲１に記載された発明と甲５～甲１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１～３に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。 （イ） 本件発明４は、甲１に記載された発明と甲５～甲１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項４に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。 イ 理由２－２（サポート要件違反） 本件発明１～６は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件特許は、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第４ 異議申立人らの提出した証拠の記載 １ 甲１について （１） 甲１の記載 甲１には、以下の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「【００３５】 図１は、本実施形態に係る静電チャックを例示する模式的断面図である。 図１に表したように、本実施形態に係る静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、第１多孔質部９０と、を備える。 【００３６】 セラミック誘電体基板１１は、例えば焼結セラミックによる平板状の基材である。例えば、セラミック誘電体基板１１は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含む。例えば、セラミック誘電体基板１１は、高純度の酸化アルミニウムで形成される。セラミック誘電体基板１１における酸化アルミニウムの濃度は、例えば、９９原子パーセント（ａｔоｍｉｃ％）以上１００ａｔоｍｉｃ％以下である。高純度の酸化アルミニウムを用いることで、セラミック誘電体基板１１の耐プラズマ性を向上させることができる。セラミック誘電体基板１１は、吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂと、を有する。吸着の対象物Ｗは、例えばシリコンウェーハなどの半導体基板である。 【００３７】 セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられる。電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、の間に設けられる。電極１２は、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成されている。静電チャック１１０は、電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持する。」 「【００４１】 ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材である。セラミック誘電体基板１１は、図２（ａ）に表した接着部６０によってベースプレート５０の上に固定される。接着部６０は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものとすることができる。」 「【００４３】 ベースプレート５０は、静電チャック１１０の温度調整を行う役目も果たす。例えば、静電チャック１１０を冷却する場合には、入力路５１から冷却媒体を流入し、連通路５５を通過させ、出力路５２から流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート５０の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１１を冷却することができる。一方、静電チャック１１０を保温する場合には、連通路５５内に保温媒体を入れることも可能である。セラミック誘電体基板１１やベースプレート５０に発熱体を内蔵させることも可能である。ベースプレート５０やセラミック誘電体基板１１の温度を調整することで、静電チャック１１０によって吸着保持される対象物Ｗの温度を調整することができる。 【００４４】 また、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側には、必要に応じてドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられている。すなわち、第１主面１１ａは凹凸面であり、凹部と凸部とを有する。第１主面１１ａの凸部がドット１３に相当し、第１主面１１ａの凹部が溝１４に相当する。溝１４は、ＸＹ平面内において連続して延びている。静電チャック１１０に載置された対象物Ｗの裏面と溝１４を含む第１主面１１ａとの間に空間が形成される。 【００４５】 セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有する。貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられる。すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通する。 【００４６】 ドット１３の高さ（溝１４の深さ）、ドット１３及び溝１４の面積比率、形状等を適宜選択することで、対象物Ｗの温度や対象物Ｗに付着するパーティクルを好ましい状態にコントロールすることができる。 【００４７】 ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を例えば貫通するように設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通せず、他のガス導入路５３の途中から分岐してセラミック誘電体基板１１側まで設けられていてもよい。また、ガス導入路５３は、ベースプレート５０の複数箇所に設けられてもよい。 【００４８】 ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。すなわち、ガス導入路５３に流入したガス（ヘリウム（Ｈｅ）等）は、ガス導入路５３を通過した後に、貫通孔１５に流入する。」 「【００５０】 第１多孔質部９０は、例えば、Ｚ方向においてベースプレート５０と、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、の間であって、ガス導入路５３と対向する位置に設けることができる。例えば、第１多孔質部９０は、セラミック誘電体基板１１の貫通孔１５に設けられる。例えば、第１多孔質部９０は、貫通孔１５に挿入されている。」 「【００５９】 第１多孔質部９０は、複数の孔を有する多孔領域９１と、多孔領域９１よりも緻密な緻密領域９３と、を有する。緻密領域９３は、多孔領域９１に比べて孔が少ない領域、または、実質的に孔を有さない領域である。緻密領域９３の気孔率（パーセント：％）は、多孔領域９１の気孔率（％）よりも低い。そのため、緻密領域９３の密度（グラム／立方センチメートル：ｇ／ｃｍ３）は、多孔領域９１の密度（ｇ／ｃｍ３）よりも高い。緻密領域９３が多孔領域９１に比べて緻密であることにより、例えば、緻密領域９３の剛性（機械的な強度）は、多孔領域９１の剛性よりも高い。」 「【００６１】 第１多孔質部９０は、柱状（例えば円柱状）である。また、多孔領域９１は、柱状（例えば円柱状）である。緻密領域９３は、多孔領域９１と接している、または、多孔領域９１と連続している。図２（ｂ）に示すように、Ｚ方向に沿って見たときに、緻密領域９３は、多孔領域９１の外周を囲む。緻密領域９３は、多孔領域９１の側面９１ｓを囲む筒状（例えば円筒状）である。言い換えれば、多孔領域９１は、緻密領域９３をＺ方向に貫通するように設けられている。ガス導入路５３から貫通孔１５へ流入したガスは、多孔領域９１に設けられた複数の孔を通り、溝１４に供給される。 【００６２】 このような多孔領域９１を有する第１多孔質部９０を設けることにより、貫通孔１５に流れるガスの流量を確保しつつ、アーク放電に対する耐性を向上させることができる。また、第１多孔質部９０が緻密領域９３を有することにより、第１多孔質部９０の剛性（機械的な強度）を向上させることができる。 【００６３】 例えば、第１多孔質部９０は、セラミック誘電体基板１１と一体化している。２つの部材が一体化している状態とは、２つの部材が例えば焼結などにより化学的に結合している状態である。２つの部材の間には、一方の部材を他方の部材に対して固定するための材料（例えば接着剤）が設けられない。すなわち、第１多孔質部９０とセラミック誘電体基板１１との間には、接着剤などの他の部材が設けられておらず、第１多孔質部９０とセラミック誘電体基板１１とが一体化している。」 「【００６５】 例えば、セラミック誘電体基板１１となる焼結前の基材に貫通孔を設け、その貫通孔に第１多孔質部９０を嵌め込む。この状態でセラミック誘電体基板１１（及び嵌合された第１多孔質部９０）を焼結することで、第１多孔質部９０とセラミック誘電体基板１１とを一体化させることができる。 【００６６】 このように、第１多孔質部９０は、セラミック誘電体基板１１と一体化することで、セラミック誘電体基板１１に対して固定されている。これにより、第１多孔質部９０を接着剤などによってセラミック誘電体基板１１に固定する場合に比べて、静電チャック１１０の強度を向上させることができる。例えば、接着剤の腐食やエロージョン等による静電チャックの劣化が生じない。」 「【０１５９】 図１１に示すように、第１多孔質部９０の上面９０Ｕの少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側へ露出している。例えば、第１多孔質部９０の上面９０ＵのＺ方向における位置は、溝１４の底のＺ方向における位置と同じである。」 「【図１】 ［図：0001424618000001.jpg］ 」 「【図１１】 ［図：0001424618000002.jpg］ 」 ア 上記【００３５】によれば、静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１、ベースプレート５０及び第１多孔質部９０とを備えている。 イ 上記【００３６】によれば、セラミック誘電体基板１１は、吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂとを有しており、吸着の対象物Ｗは、例えばシリコンウェーハなどの半導体基板である。 ウ 上記【００３７】によれば、セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられている。 エ 上記【００４１】によれば、ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材であって、セラミック誘電体基板１１は、接着部６０によってベースプレート５０の上に固定されている。 オ 上記【００４３】によれば、ベースプレート５０は、静電チャック１１０の温度調整を行う役目を果たすものであって、静電チャック１１０を冷却する場合には、入力路５１から冷却媒体を流入し、連通路５５を通過させ、出力路５２から流出させることにより、冷却媒体によってベースプレート５０の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１１を冷却することができる。 カ 上記【００４４】によれば、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側には、ドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられている。 キ 上記【００４５】によれば、セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有しており、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通する。 ク 上記【００５０】によれば、第１多孔質部９０は、貫通孔１５に挿入されている。また、上記【００６１】によれば、第１多孔質部９０は、円柱状である。 ケ 上記【００５９】によれば、第１多孔質部９０は、複数の孔を有する多孔領域９１と、多孔領域９１よりも緻密な緻密領域９３とを有する。 コ 上記【００６１】によれば、ガス導入路５３から貫通孔１５へ流入したガスは、多孔領域９１に設けられた複数の孔を通り、溝１４に供給される。 サ 上記【０１５９】によれば、第１多孔質部９０の上面９０Ｕの少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側へ露出しており、第１多孔質部９０の上面９０ＵのＺ方向における位置は、溝１４の底のＺ方向における位置と同じである。 シ 上記【図１１】によれば、吸着の対象物Ｗは、ドット１３により支持されていることが理解できる。 （２） 甲１発明 上記（１）によれば、甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。 ［甲１発明］ セラミック誘電体基板１１、ベースプレート５０及び第１多孔質部９０とを備える静電チャック１１０において、 セラミック誘電体基板１１は、吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂとを有しており、吸着の対象物Ｗは、例えばシリコンウェーハなどの半導体基板であり、 セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられており、 ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材であって、セラミック誘電体基板１１は、接着部６０によってベースプレート５０の上に固定されており、 ベースプレート５０は、静電チャック１１０の温度調整を行う役目を果たすものであって、静電チャック１１０を冷却する場合には、入力路５１から冷却媒体を流入し、連通路５５を通過させ、出力路５２から流出させることにより、冷却媒体によってベースプレート５０の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１１を冷却することができ、 セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側には、ドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられており、 セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有しており、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通し、 第１多孔質部９０は、円柱状であって、貫通孔１５に挿入されており、 第１多孔質部９０は、複数の孔を有する多孔領域９１と、多孔領域９１よりも緻密な緻密領域９３とを有し、 ガス導入路５３から貫通孔１５へ流入したガスは、多孔領域９１に設けられた複数の孔を通り、溝１４に供給され、 第１多孔質部９０の上面９０Ｕの少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側へ露出しており、第１多孔質部９０の上面９０ＵのＺ方向における位置は、溝１４の底のＺ方向における位置と同じであり、 吸着の対象物Ｗは、ドット１３により支持されている、 静電チャック１１０。 ２ 甲２について 甲２には、以下の記載がある。 「【符号の説明】 ・・・ ５２ セラミック盤 ・・・ ６２ ウェハ ７２ 円形部分 ７２′円形部分の表面 ７４ ガス分配溝 ７４′ガス分配溝 ７８ 環状リング ７８′環状リングの表面 ・・・」 「【図１０】 ［図：0001424618000003.jpg］ 」 「【図１１】 ［図：0001424618000004.jpg］ 」 ３ 甲３について 甲３には、以下の記載がある。 「【符号の説明】 １ 静電チャック ２ ドット ３ 外周シールリング ４ 溝 ５ ガス供給口 ６ 金属プレート ７ 内部電極 ８ 冷媒流路 ・・・」 「【図１】 ［図：0001424618000005.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001424618000006.jpg］ 」 ４ 甲４について 甲４には、以下の記載がある。 「【符号の説明】 １…静電チャック １a…誘電体基板 １b…絶縁性支持基盤 ２…ドット ３…外周シールリング ４…溝 ５…ガス供給口 ６…金属製プレート ７…電極 ８…媒体流路 ・・・」 「【図１】 ［図：0001424618000007.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001424618000008.jpg］ 」 ５ 甲５について 甲５には、以下の記載がある。 「【００１７】 （基板載置台の構造） 図３は、第１実施形態に係る基板載置台５を示す平面図である。図４は、第１実施形態に係る基板載置台５を示す縦断面図であり、図３におけるＡ－Ａ線に沿う縦断面図である。図３及び図４に示すように、基板載置台５は、基板３が載置される載置面２１ａを有する基部２１と、基板３の外周側に沿って基板３を支持する環状の支持部材としてのシールバンド２２と、載置面２１ａに載置される基板３の径方向（以下、単に基板３の径方向とも称する。）において載置面２１ａを外側領域Ｆ１と内側領域Ｆ２とを隔てる環状の隔壁としてのコンダクタンスバンド２３と、を備える。また、基板載置台５は、コンダクタンスバンド２３の上端面２３ａと基板３との間に空隙Ｇをあけて基板３を支持する複数の第１突起２４及び複数の第２突起２５と、を備える。」 「【００２３】 また、基板載置台５は、基板３と載置面２１ａとの間の閉空間に供給される伝熱ガスが流れる外側流路２６と、伝熱ガスが流れる内側流路２７と、載置面２１ａに載置された基板３を保持する静電チャック（図示せず）と、を備える。また、基板載置台５は、基板載置台５の内部に冷媒を循環させるための冷媒流路（図示しない）を備える。冷媒流路は、冷媒を供給するためのホースを介して外部のチラー（図示せず）に接続される。基板３及び基板載置台５には、基板３の処理中に処理室６内に発生するプラズマからの熱が流入するが、基板載置台５の内部に冷媒を流通させることにより、プラズマから流入した熱を除去し、処理中の基板３及び基板載置台５の温度を所定の温度に制御する。」 「【００２６】 図示しないが、静電チャックは、絶縁体と電極を有しており、基部２１に配置されている。静電チャックは、電極に電圧が加えられることで、載置面２１ａに載置された基板３を保持する。基板３を基板載置台５に保持するためのチャックとしては、静電チャックに限定されず、基板３を機械的に保持するチャックが用いられてもよい。 【００２７】 （拡散部の構造） そして、基板載置台５は、図３及び図４に示すように、伝熱ガスをコンダクタンスバンド２３の周方向に沿って拡散させる環状の拡散部２８を備える。拡散部２８は、基部２１の載置面２１ａに開口する凹部として設けられており、断面形状が角溝状に形成されている。拡散部２８は、外側領域Ｆ１と連通して設けられた外側拡散部２８ａと、内側領域Ｆ２と連通して設けられた内側拡散部２８ｂと、を含む。」 「【図４】 ［図：0001424618000009.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001424618000010.jpg］ 」 ６ 甲６について 甲６には、以下の記載がある。 「【００２５】 試料台１１１上面の誘電体膜とウエハ１２１裏面との間には伝熱ガス流路１１２が設けられており、伝熱ガス供給元１１５から伝熱ガス供給配管１２２を介して、Ｈｅ等の熱伝達性を有するガスが供給される。伝熱ガスの圧力値は圧力制御要素１２３の設置位置においてモニタリングされる。」 「【００３１】 図２は、図１に示す実施例に係るプラズマ処理装置の試料台の構成を拡大して模式的に示す縦断面図である。試料台１１１は円筒形または円板形状であり、Ｔｉ、セラミクス含有のアルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属で構成される基材部２０１、基材部２０１の上面に接合されて配置され、内部にヒータ２０４を備えたＡｌ２Ｏ３等の誘電体で形成された誘電体膜部２０２、該誘電体膜部２０２の上方に配置され、内部にタングステン等の金属から構成される静電吸着用電極２０５を備えたＡｌ２Ｏ３等の誘電体で形成された誘電体膜部２０６を備える。また、試料台１１１には、ウエハリフト用のピン２１０が貫通する貫通孔２０８が配置されている。」 「【００３９】 しかし、処理室１０１は減圧されているため、試料台１１１にウエハを載置しただけでは熱伝達が不十分である。このため、伝熱ガス流路１１２を通してガス供給部１１５より、伝熱ガスを誘電体膜部２０６と誘電体膜部２０６表面に形成された凸部と載置されたウエハ１２１の間に導入する。これにより、ウエハと誘電体膜部２０６間に必要な熱伝達率が確保され、ウエハの温度上昇が抑制される。」 「【００４５】 誘電体膜２０６の表面には、ウエハ１２１を載置する吸着面３０１、および伝熱ガスを流通させる伝熱ガス流路１１２を具備する。吸着面３０１は、通常平坦化処理を施されるが、表面粗さでＲａ０．１μｍ程度の凹凸が生じるため、吸着面３０１においても伝熱ガスの流通が生じる。上記により、図３に示すように試料台半径方向の伝熱ガスの流れ３０２が生じ、伝熱ガスは誘電体膜２０６外周側端部より処理室１０１側に流出し、ターボ分子ポンプ１１８により排気される。」 「【図２】 ［図：0001424618000011.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001424618000012.jpg］ 」 ７ 甲７について 甲７には、以下の記載がある。 「【０００８】 第１の発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第１主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第１主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第１主面とは反対側の前記セラミック基板の第２主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第１主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャックである。」 「【００４５】 静電チャック１においては、セラミック基板１０と、セラミック基板１０の上側に設けられ、被処理基板５０が第１主面２０ｓに載置されるセラミック誘電体２０と、セラミック基板１０とセラミック誘電体２０との間に設けられた電極３０と、を備える。セラミック誘電体２０の材質は、セラミック焼結体であり、セラミック誘電体２０の第１主面（表面側）２０ｓには、複数の突起部２１が設けられている。また、第１主面２０ｓには、第１主面２０ｓと被処理基板５０との間に伝熱用ガスを供給するための溝２２が少なくとも１つ設けられている。 【００４６】 溝２２の底面２２ｂには、第１主面２０ｓとは反対側のセラミック基板１０の第２主面（裏面側）１０ｓにまで貫通する貫通孔２３が少なくとも１つ設けられている。電極３０と溝２２との間の第１の距離ｄ１は、電極３０とセラミック誘電体２０の第１主面２０ｓとの間の第２の距離ｄ２と同じか、もしくは大きい。セラミック誘電体２０の外周には、リング状突起部２４が設けられている。セラミック基板１０の下側には、温調プレート４０が設けられている。 【００４７】 セラミック基板１０、セラミック誘電体２０、および電極３０は、一体焼結されたものである。セラミック基板１０、セラミック誘電体２０は、例えば、アルミナ焼結体である。」 「【００５９】 溝２２の深さは、０．１ｍｍである。溝２２は、対向する電極３０間の中心に配置されている。溝２２と電極３０の溝２２側の端部３０ｅとの間の第１の距離ｄ１は、（（１ｍｍ）２＋（０．２ｍｍ）２）の平方根から、１．０２０ｍｍになる。」 「【００６８】 セラミック基板１０と温調プレート４０とは、シリコーン接着剤によって接着されている。本実施の形態に係るシリコーン接着剤は、２液付加型である。従って、シリコーン接着剤を硬化しても、気体の発生が少ない。また、触媒と加熱によって硬化するため、深部の硬化性に優れている。シリコーン接着剤を室温で硬化できるタイプもあるが、この接着剤は、深部の硬化性が弱く、硬化の際に気体が発生し、ボイド発生の原因となるので好ましくない。さらに、硬化に長時間（７２時間以上）かかるので好ましくない。」 「【図１】 ［図：0001424618000013.jpg］ 」 ８ 甲８について 甲８には、以下の記載がある。 「[0017] 静電チャックヒータ１０は、ＣＶＤなどにより導電膜をウエハＷに形成するのに用いられるものであり、セラミック基体２０と、中空シャフト４０とを備えている。 [0018] セラミック基体２０は、窒化アルミニウム製の円板である。セラミック基体２０の直径は特に限定されるものではないが、例えば３００ｍｍ程度である。セラミック基体２０は、ウエハＷを載置するウエハ載置面２０ａと、ウエハ載置面２０ａとは反対側の裏面２０ｂとを有する。セラミック基体２０は、ウエハ載置面２０ａに最外周突起群２２を有している。最外周突起群２２は、ウエハ載置面２０ａのうちウエハＷの直径よりも外径が小さい環状領域２１（図２の２点鎖線で囲まれた領域）においてセラミック基体２０の同心円に沿って並べられた複数の突起２３からなっている。複数の突起２３は、扁平な円柱形状であり、セラミック基体２０と一体に形成されている。突起２３の直径は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。突起２３の高さは１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。突起２３のピッチ（隣合う突起２３の中心間距離）は５ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。ウエハ載置面２０ａのうち最外周突起群２２のすぐ内側には、円周溝２４が設けられている。円周溝２４の幅は２ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。円周溝２４の深さは５０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。ウエハ載置面２０ａのうち円周溝２４の内側の領域（円周溝内側領域）２０ｃには、扁平な円柱形状の凸部２５が間隔を空けて多数設けられている。凸部２５は、最外周突起群２２の突起２３と共に、ウエハＷの裏面と接触してウエハＷを支持するものである。凸部２５は突起２３と同形状、同サイズとしてもよい。突起２３や凸部２５は例えばエンボス加工により形成することができる。」 「[0020] 中空シャフト４０は、セラミック基体２０と同じく窒化アルミニウムで形成され、上端面がセラミック基体２０の裏面２０ｂに固相接合又は拡散接合により取り付けられている。中空シャフト４０の周壁には、周方向に沿って等間隔に４つの貫通穴４２が設けられている。貫通穴４２は、中空シャフト４０の下端から上下方向に沿ってセラミック基体２０の円周溝内側領域２０ｃまで貫通している。貫通穴４２は、円周溝内側領域２０ｃのうち、中空シャフト４０の周壁の直上に開口している。貫通穴４２の開口４２ａは、円周溝内側領域２０ｃのうち凸部２５と干渉しない位置に設けられている。貫通穴４２には、図示しないガス供給源が接続されている。 [0021] 次に、静電チャックヒータ１０の使用例について説明する。図示しないＣＶＤ用のチャンバ内に静電チャックヒータ１０を配置し、最外周突起群２２をなす複数の突起２３及び円周溝内側領域２０ｃに設けられた多数の凸部２５にウエハＷを載置する。このとき、ウエハ載置面２０ａと最外周突起群２２とウエハＷとによって囲まれる空間を、ウエハ下方空間Ｓと称する。そして、静電電極２６に電圧を印加することにより、ウエハＷをジョンソン・ラーベック力によりチャッキングする。また、図示しない熱電対の検出信号に基づいてウエハＷの温度を求め、その温度が目標温度になるように抵抗発熱体２８へ印加する電圧を制御する。更に、ガス供給源から貫通穴４２にガスを供給する。ガスとしては、例えば、Ｎ2，Ａｒ，Ｈｅなどが挙げられる。これにより、貫通穴４２に供給されたガスは、円周溝内側領域２０ｃの開口４２ａからウエハ下方空間Ｓに入り込み、凸部２５と凸部２５との間を通って外周に向かって流れる（図３の１点鎖線矢印）。円周溝２４は、このガスの流れを均一化する役割を果たす。この状態で、ＣＶＤによりウエハＷの上面に導電膜Ｆ（図４参照）を形成する。」 「[0030] 上述した実施形態において、図５に示すように、貫通穴４２のうちウエハ載置面の円周溝内側領域２０ｃに開口している開口部には、貫通穴４２よりも径の小さい複数の小穴５２を備えたプラグ５０が嵌め込まれていてもよい。その場合、貫通穴４２の開口部は、複数の小穴５２で構成されることになる。こうすれば、貫通穴４２を通過してきたガスは小穴５２によってウエハＷの裏面に分散して当たるため、ガスがウエハＷの裏面に集中して当たる場合に比べて、より安定的にウエハＷをチャッキングすることができるし、ガスによるウエハＷの温度低下を抑制することもできる。 [0031] 上述した実施形態において、図６に示すように、セラミック基体２０の円周溝内側領域２０ｃに、貫通穴４２の開口４２ａに繋がる放射状の４本の溝２４ａを、各溝２４ａの外周端が円周溝２４に繋がるように設けてもよい。図６では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付したが、凸部２５を省略した。こうすれば、溝２４ａによりウエハ下方空間内のガス流がより均一化しやすくなるため、最外周突起群２２をなす複数の突起２３とウエハとの隙間に導電膜になる成分がより一層入り込みにくくなる。」 「【図４】 ［図：0001424618000014.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001424618000015.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001424618000016.jpg］ 」 ９ 甲９について 甲９には、以下の記載がある。 「【００１６】 図１は、静電チャック１０として示される本発明の１つの実施形態の断面図である。静電チャック１０は、例えば、クーロン型またはジョンソン・ラーベック型とすることができるが、後者の方が好ましい。静電チャック１０はチャック本体１２とこのチャック本体１２内の電極とを備える。」 「【００２７】 静電チャック１０は、裏面２４とチャック面２６との間で流体的に通じる管路３８を少なくとも１つ有する。一般的に、管路３８は、裏面２４から基材２０、電極１４、誘電層１６を通ってチャック面２６まで延びる。管路３８を通じさせるために、電極１４は、管路３８と整合し且つ好ましくは管路３８よりも直径が大きい開口を有し、これにより管路３８を流れる熱伝導ガスが電極１４と接するのが防止される。管路３８の断面は、例えば、円形、楕円形、環状またはその他の適切な形状である。」 「【００２９】 管路３８には、チャック本体１２内に一体化される多孔ゾーンまたは多孔領域４０が設けられる。多孔領域４０は、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ３、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2、ＳｉＣ等のセラミック材料を有する。さらに、多孔領域４０は、例えば添加剤、焼結助剤または結合剤等の１つまたはそれ以上の成分を任意に有してもよい。付加的成分の例としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、カルシウム塩、および酸化物、例えばフッ化カルシウム（すなわちＣａＦ2）、塩化カルシウム（すなわちＣａＣｌ2）、酸化カルシウム（すなわちＣａＯ）、炭酸カルシウム（すなわちＣａＣＯ3）、硝酸カルシウム（すなわちＣａ(ＮＯ3)2）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、窒化ホウ素（ＢＮ）およびこれらを任意に組合せたものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、多孔領域４０は、セラミック材料と付加的成分との間の反応によって形成される反応生成物（本願においては二次相とも呼ばれる）を有してもよい。好適な実施形態において、多孔領域４０は、ＡｌＮおよび例えばＹ3Ａｌ5Ｏ12、ＹＡｌＯ3、Ａｌ2Ｙ4Ｏ9またはこれらを組合せたもの等のアルミン酸イットリウムを有する。また、多孔領域４０は、Ａｌ2Ｏ3または酸窒化アルミニウム、例えばＡｌＯＮを有してもよい。別の実施形態において、多孔領域４０は、ＡｌＮおよびＹ2Ｏ3、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＯ、ＣａＣＯ3、Ｃａ（ＮＯ3)2、Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢＮまたはこれらを組合せたものを含む。多孔領域４０は、誘電層１６またはチャック本体１２を製造するために使用されるのと同じ材料から製造することができる。」 「【図１】 ［図：0001424618000017.jpg］ 」 １０ 甲１０について 甲１０には、以下の記載がある。 「【００２０】 静電チャックには、表面側に熱伝導用ガスを供給するためガス導管部が備えられている。ドライエッチング装置などに使用される静電チャックでは、ガス導管部での放電を防止するためにガス導管部を多孔質体から形成したものがある。そのような静電チャックでは、セラミック基板の厚み方向に多孔質体が貫通するように配置される。」 「【００５９】 セラミック基板１０の上面と多孔質体２０の上面とが面一になって平坦面となっている。また同様に、セラミック基板１０の下面と多孔質体２０の下面とが面一になって平坦面となっている。」 「【０１２２】 次に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）の焼結体１を使用する静電チャックについて説明する。図６に示すように、実施形態の静電チャック２は、アルミニウムなどから形成されるベース基板４０の上に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）と同様な構造の焼結体１が配置されている。」 「【０１２６】 ベース基板４０には、セラミック基板１０に形成された多孔質体２０に連通するガス供給穴４２が貫通して形成されている。また、ベース基板４０には、セラミック基板１０の下面に露出する配線端子３２に接続される中継配線４４が形成されている。」 「【図６】 ［図：0001424618000018.jpg］ 」 １１ 甲１１について 甲１１には、以下の記載がある。 「【００１２】 〔実施形態〕 実施形態に係るプラズマエッチング装置を、図１から図６に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構を一部断面で示す斜視図である。図３は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構のチャックテーブルの平面図である。図４は、図３中のＩＶ部を拡大して示す平面図である。図５は、図３に示されたチャックテーブルが剛性基板に貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。図６は、図３に示されたチャックテーブルが保護テープに貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。」 「【００１８】 静電チャックテーブル機構２０は、ハウジング１０の上部で、かつ、プラズマ処理室１１内に配設されている。静電チャックテーブル機構２０は、図２に示すように、被加工物Ｗを保持する保持面２１を備えたチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２の内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極２３と、電極２３に電圧を印加する電源２４（電圧印加手段に相当）と、テーブル基台２５とを備えている。」 「【００２２】 チャックテーブル２２の保持面２１には、図３及び図４に示すように、全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝４０と、ハニカム形状の正六角形の保持面２１に突出して形成された複数の凸部４１（図４に示す）とを備えている。溝４０は、保持面２１から凹に形成されている。溝４０は、図４に示すように、平面視において、内側に囲む保持面２１（以下、符号２１ａで示す）が正六角形となるようにハニカム形状に形成されており、隣り合う正六角形の保持面２１ａ間に一本のみ設けられている。なお、本実施形態では、溝４０は、内側に囲む正六角形の保持面２１ａの一辺の長さＬが２．８９ｍｍとなるようにハニカム形状に形成され、溝４０の幅Ｈが０．５ｍｍに形成されている。また、溝４０の保持面２１ａからの深さＤ（図５及び図６に示す）は、５～１０μｍに形成されている。このように、チャックテーブル２２には、多数の正六角形の保持面２１ａを備えている。なお、本発明では、溝４０が内側に囲む保持面２１ａが正六角形に限らずに種々の図形（円、多角形）となるように、溝４０がハニカム形状に形成されてもよい。」 「【図５】 ［図：0001424618000019.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 理由１－１（新規性欠如）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア） 本件発明１の「セラミックプレート」について ａ 甲１発明の「セラミック誘電体基板１１」は、「セラミックプレート」ということができる。 そして、甲１発明の「セラミック誘電体基板１１」は、「吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａ」を有しているところ、甲１発明の「吸着の対象物Ｗ」は、「例えばシリコンウェーハなどの半導体基板」であるから、甲１発明の「セラミック誘電体基板１１」は、ウエハ載置部を有しているということができる。 ｂ 甲１発明の「ドット１３」は、本件発明１の「小突起」に相当する。また、甲１発明では、「ドット１３の間に溝１４が設けられて」いるから、「ドット１３」は多数設けられている。そして、甲１発明では、「吸着の対象物Ｗは、ドット１３により支持されている」から、甲１発明のウエハ載置部には、「ウエハを支持する多数の小突起」が設けられている。 ｃ 本件発明１の「基準面」について、本件明細書の【００１７】をみると、「なお、ウエハ載置部２１のうちシールバンド２１ａや円形小突起２１ｂの設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。基準面２１ｃは水平な面である。」と記載されているから、甲１発明の「ドット１３の間」、すなわち、「ドット１３」の設けられていない部分に設けられた「溝１４」は、本件発明１の「基準面」に相当する。 そうすると、甲１発明の「ドット１３の間に溝１４が設けられて」いる構成は、本件発明１の「小突起が基準面に設けられ」ている構成に相当する。 ｄ 甲１発明の「セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられて」おり、その態様は、電極を内蔵しているといえる。 ｅ 上記ａ～ｄによれば、甲１発明の「セラミック誘電体基板１１」は、本件発明１の「ウエハを支持する多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置部を有し、電極を内蔵するセラミックプレート」に相当する。 （イ） 本件発明１の「冷却プレート」について 甲１発明の「ベースプレート５０」は、「入力路５１から冷却媒体を流入し、連通路５５を通過させ、出力路５２から流出させることにより、冷却媒体によってベースプレート５０の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１１を冷却すること」ができる。 そうすると、甲１発明の「ベースプレート５０」は、本件発明１の「冷媒流路を有する冷却プレート」に相当する。 （ウ） 本件発明１の「接合層」について 甲１発明では、「セラミック誘電体基板１１は、接着部６０によってベースプレート５０の上に固定されて」いるから、「接着部６０」は、「セラミック誘電体基板１１」と「ベースプレート５０」とを接着（接合）するもの、すなわち、接合層であるということができる。 そうすると、甲１発明の「接着部６０」は、本件発明１の「前記セラミックプレートと前記冷却プレートとを接合する接合層」に相当する。 （エ） 本件発明１の「プラグ配置穴」及び「多孔質プラグ」について ａ 甲１発明の「第１多孔質部９０」は、「円柱状」であって、その形状はプラグといえるから、本件発明１の「多孔質プラグ」に相当する。 また、甲１発明では、「第１多孔質部９０」は「貫通孔１５に挿入されて」いるところ、「貫通孔１５」は、プラグ形状の「第１多孔質部９０」が配置された穴といえるから、本件発明１の「プラグ配置穴」に相当する。 ｂ 甲１発明の「貫通孔１５」は、「（セラミック誘電体基板１１の）第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通」している。 そうすると、甲１発明の「貫通孔１５」は、本件発明１の「前記セラミックプレートを厚さ方向に貫通し、前記凹溝の底面に開口するプラグ配置穴」と、「前記セラミックプレートを厚さ方向に貫通するプラグ配置穴」で共通する。 ｃ 甲１発明の「第１多孔質部９０」は「円柱状」であり、「貫通孔１５に挿入されて」いるから、「第１多孔質部９０」の外周面は「貫通孔１５」の内周面に接合されているといえる。 そして、甲１発明では、「貫通孔１５へ流入したガスは、（第１多孔質部９０の）多孔領域９１に設けられた複数の孔」を通るから、「第１多孔質部９０」は、ガスの流通を許容しているということができる。 そうすると、甲１発明の「第１多孔質部９０」は、本件発明１の「前記プラグ配置穴に配置され、頂面が前記凹溝の底面と同じ高さであり、外周面が前記プラグ配置穴の内周面に接合され、ガスの流通を許容する多孔質プラグ」と、「前記プラグ配置穴に配置され、外周面が前記プラグ配置穴の内周面に接合され、ガスの流通を許容する多孔質プラグ」で共通する。 （オ） 本件発明１の「ガス供給経路」について 甲１発明では、「ガス導入路５３から貫通孔１５へ流入したガスは、（第１多孔質部９０の）多孔領域９１に設けられた複数の孔」を通る。 そうすると、甲１発明の「ガス導入路５３」は、本件発明１の「前記多孔質プラグにガスを供給するガス供給経路」に相当する。 （カ） 本件発明１の「ウエハ載置台」について 甲１発明の「静電チャック１１０」は、「セラミック誘電体基板１１」を備えているところ、上記（ア）のとおり、「セラミック誘電体基板１１」は、ウエハ載置部を有しているということができるから、本件発明１の「ウエハ載置台」に相当する。 以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ ウエハを支持する多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置部を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、 冷媒流路を有する冷却プレートと、 前記セラミックプレートと前記冷却プレートとを接合する接合層と、 前記セラミックプレートを厚さ方向に貫通するプラグ配置穴と、 前記プラグ配置穴に配置され、外周面が前記プラグ配置穴の内周面に接合され、ガスの流通を許容する多孔質プラグと、 前記多孔質プラグにガスを供給するガス供給経路と、 を備えたウエハ載置台。 ［相違点］ 本件発明１は、「前記基準面に設けられ、底面が前記基準面よりも低い凹溝」を備え、「プラグ配置穴」が「前記凹溝の底面に開口」し、「多孔質プラグ」の「頂面が前記凹溝の底面と同じ高さ」であるのに対し、甲１発明は、上記「凹溝」を備えておらず、「プラグ配置穴」が「前記凹溝の底面に開口」するものではなく、「多孔質プラグ」の「頂面が前記凹溝の底面と同じ高さ」でもない点。 イ 判断 上記アのとおり、本件発明１と甲１発明を対比すると、［相違点］を有する。 そして、当該［相違点］は、後記２（１）イで述べるように、本件発明１において、効果を奏する構成であって、実質的な相違点であるから、本件発明１は、甲１発明であるとはいえない。 ウ 異議申立人１の主張について （ア） 異議申立人１は、甲１の【００４４】の記載によれば、甲１の「セラミック誘電体基板１１」には、第１主面１１ａ側にある「特定の面」から上方に向けて突出するドット１３と、同じ「特定の面」から下方に向けて凹状に後退する溝１４の両方が設けられていることが理解されるから、甲１の【図１】や【図１１】は誤りであって、甲１に記載された発明は、本件発明１の「前記基準面に設けられ、底面が前記基準面よりも低い凹溝」が記載されている旨主張する。 しかしながら、甲１の【００４４】には、異議申立人１が主張するような「特定の面」は何ら記載されていないから、異議申立人１の主張は、甲１の記載に基づくものではない。 そして、甲１の【００４６】をみると、「ドット１３の高さ（溝１４の深さ）、ドット１３及び溝１４の面積比率、形状等を適宜選択することで、対象物Ｗの温度や対象物Ｗに付着するパーティクルを好ましい状態にコントロールすることができる。」と記載されているように、甲１においては、「ドット１３の高さ」と「溝１４の深さ」は同じである。 そうすると、甲１の「セラミック誘電体基板１１」の「第１主面１１ａ」は、「ドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられている」構成、すなわち、「第１主面１１ａ」に「ドット１３」が設けられていることにより、相対的に「溝１４」が設けられている構成であることが理解でき、異議申立人１が主張する「特定の面」が存在しないことは明らかである。 （イ） 異議申立人１は、甲１の【００４４】の「静電チャック１１０に載置された対象物Ｗの裏面と溝１４を含む第１主面１１ａとの間に空間が形成される。」との記載によれば、対象物Ｗの裏面と第１主面１１ａとの間の空間には、溝１４の内部空間のみならず、それ以外の位置にも空間が存在するはずであるから、甲１の【図１】や【図１１】は誤りであると主張する。 しかしながら、甲１の【００４４】の記載は、「対象物Ｗの裏面」と「溝１４を含む第１主面１１ａ」によって「空間」が形成されるというものであって、「溝１４を含む第１主面１１ａ」には、溝１４も含むが、それ以外にも「ドット１３のＺ方向の側面」が含まれるということを意味していると理解することができるから、甲１の【図１】や【図１１】が誤りである根拠にはなり得ない。 （ウ） 異議申立人１は、甲２～甲４を挙げ、シリコンウェハが載置される面にドット及び溝の両方を形成することはウエハ載置台（静電チャック）の分野における周知技術であるとか、「溝」とは、ドットの周囲にある空間の全体を示すのではなく、ドットが形成されている面（基準面）の一部のみに形成された凹部を示すものであることは、ウエハ載置台（静電チャック）の分野における当業者が当然に理解することであり、当該分野における技術常識といえるなどと主張する。 しかしながら、仮に、ウエハ載置台（静電チャック）の分野において、異議申立人１の主張する周知技術や技術常識があったとしても、上記（ア）のとおり、甲１には、異議申立人１が主張するような「特定の面」は記載されておらず、かえって、「特定の面」が存在しないことは明らかであるから、異議申立人１の主張は、甲１発明の認定に影響を及ぼすものではない。 したがって、異議申立人１の主張は採用できない。 （２） 本件発明２～４について 本件発明２～４は、本件発明１を限定した発明であるから、甲１発明と対比すると、少なくとも、上記（１）アの［相違点］を有する。 そうすると、上記（１）イと同様、本件発明２～４は、甲１発明であるとはいえない。 （３） 理由１－１のまとめ 以上によれば、本件特許は、特許法２９条１項の規定に違反してされたものではない。 したがって、異議申立人１の主張する理由１－１は理由がない。 ２ 理由１－２及び理由２－１（進歩性欠如）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と、甲１発明を対比すると、上記１（１）アの［一致点］及び［相違点］を有する。 イ 判断 異議申立人らが提出する甲２、甲３、甲５～甲１１は、上記第４の２、３、５～１１のとおりであるところ、甲２、甲３、甲５～甲１１には、相違点に係る構成は記載も示唆もされていないし、相違点に係る構成が周知技術であるということもできないから、甲１発明において、相違点に係る構成を採用することは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 そして、本件発明１は、相違点に係る構成を備えることにより、本件明細書の【０００７】に記載されているように、ウエハ載置台の製造工程において、多孔質プラグの頂面が研磨されることはなく、多孔質プラグに微細なごみが入り込むのを防止でき、ウエハ載置台の使用時において、ウエハのうち多孔質プラグに対向する領域が低温になりすぎるのを防止できる、という効果を奏するものである。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲２、甲３、甲５～甲１１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 異議申立人２の主張について （ア） 異議申立人２は、甲５～甲８に示されるように、「基準面に設けられ、底面が基準面よりも低い凹溝を備えること」は周知技術であるから、甲１に記載された発明において、「溝１４の底面」に凹溝を設け、かつ、第１多孔質部９０の頂面を凹溝の底面と同じ高さとなるように配置することは、当業者が容易に想到し得たものである旨主張する。 しかしながら、甲５～甲８には、甲１の「第１多孔質部９０」に相当する構成（本件発明１の「多孔質プラグ」）は記載されていないから、甲１発明において、第１多孔質部９０の頂面を凹溝の底面と同じ高さとなるように配置することは、当業者が容易に想到し得たものではない。 （イ） 異議申立人２は、甲９及び甲１０には、本件発明１の多孔質プラグに相当する多孔質体の頂面を特定の面（より具体的には、プラグ配置穴が開口する面）と同じ高さになるように配置することが示されているから、甲１に記載された発明と、甲５～甲８に示される周知技術とに基づくことで、甲１に記載された発明において、相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである旨主張する。 しかしながら、甲９及び甲１０をみても、多孔質プラグに相当する多孔質体の頂面と、プラグ配置穴が開口する面とが同じ高さであることが開示されているにとどまり、相違点に係る構成、すなわち、「前記基準面に設けられ、底面が前記基準面よりも低い凹溝」を備え、「プラグ配置穴」が「前記凹溝の底面に開口」し、「多孔質プラグ」の「頂面が前記凹溝の底面と同じ高さ」であることは記載されていないから、甲１に記載された発明において、相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものではない。 したがって、異議申立人２の主張は採用できない。 （２） 本件発明２～４について 本件発明２～４は、本件発明１を限定した発明であるから、甲１発明と対比すると、少なくとも、上記（１）アの［相違点］を有するところ、本件発明１が上記（１）イのとおり、甲１発明及び甲２、甲３、甲５～甲１１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本件発明２～４も甲１発明及び甲２、甲３、甲５～甲１１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 理由１－２及び理由２－１のまとめ 以上によれば、本件特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、異議申立人らの主張する理由１－２及び理由２－１は理由がない。 ３ 理由２－２（サポート要件違反）について （１） サポート要件の判断基準 特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである（知財高裁、平成１７年（行ケ）１００４２号判決参照）。 （２） 検討 本件明細書の【０００４】及び【０００５】の記載によれば、本件明細書の発明の詳細な説明には、従来のウエハ載置台について、（ｉ）多孔質プラグの突出部分を定盤を用いて研削して多孔質プラグの上端とセラミックプレートの上面とを面一にする場合、多孔質プラグから粒子が脱落してセラミックプレートの上面を傷つけるおそれがあったこと、（ｉｉ）ウエハの下面側にガスを封入する空間を設ける場合には、ブラスト加工等によりセラミックプレートの上面に多数の小突起を形成することになるが、多孔質プラグの上端とセラミックプレートの上面とが面一になっていると、微細なごみが多孔質プラグに入り込むという問題があったこと、（ｉｉｉ）ウエハのうち多孔質プラグに対向する位置は低温になりやすいという問題があったことから（【０００４】）、従来技術におけるこのような課題にかんがみ、本件発明の構成を採用することによって、製造時にセラミックプレートや多孔質プラグに不具合が発生するのを防止するとともに、使用時にウエハの均熱性が損なわれるのを防止すること（【０００５】）が記載されていると認められる。 そして、本件発明のウエハ載置台は、本件発明１で特定されているとおり、「前記基準面に設けられ、底面が前記基準面よりも低い凹溝」を備え、「プラグ配置穴」が「前記凹溝の底面に開口」し、「多孔質プラグ」の「頂面が前記凹溝の底面と同じ高さ」であるという構成を採用することによって、本件明細書の【０００７】に記載されているように、製造工程で、（ｉ）頂面が凹溝の底面と同じ高さである多孔質プラグがプラグ配置穴に接合されたセラミックプレートの表面（セラミックプレートの基準面より高い位置にある）を研磨することがあるが、多孔質プラグの頂面は基準面よりも低い位置にあるため、多孔質プラグの頂面が研磨されることはなく、（ｉｉ）セラミックプレートの表面に多数の小突起を形成することがあるが、各小突起を形成する位置をマスクすると共に凹溝内の多孔質プラグの頂面をマスクした上で、マスクされていない領域を削り取るようにすれば、多孔質プラグに微細なごみが入り込むのを防止でき、（ｉｉｉ）ウエハ載置台の使用時には、ガス供給経路から多孔質プラグにガスが供給され、ウエハのうち多孔質プラグに対向する位置はガスの圧力が高いため他の箇所よりも低温になりやすいが、多孔質プラグの頂面が基準面よりも低くなっているため、多孔質プラグの頂面が基準面と同じ高さの場合と比べて、ウエハのうち多孔質プラグに対向する領域からセラミックプレートへの熱伝導が抑制され、その領域が低温になりすぎるのを防止できる、という効果を奏するものであることが理解できる。 そうすると、本件発明は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。 したがって、本件発明は、サポート要件を満たしている。 （３） 異議申立人２の主張について 異議申立人２は、本件明細書には、凹溝について、平面視で円形である形状や、多孔質プラグとほぼ同じ大きさの記載しかないところ、本件発明では、凹溝の形状や大きさに関する記載はなく、例えば、平面視で長尺状の矩形形状なども含まれることになるから、本件発明は、サポート要件を満たしていない旨主張する（以下、「主張ア」という。）。 また、異議申立人２は、本件発明では、上述のように、凹溝の形状や大きさに関する記載はないところ、凹溝の形状や大きさはウエハの均熱性に影響を及ぼす恐れがあり、発明の課題を解決できない実施形態を含むことになるから、本件発明は、サポート要件を満たしていない旨主張する（以下、「主張イ」という。）。 しかしながら、異議申立人２の主張アについては、上記（１）のサポート要件の判断基準に基づく主張ではないから、主張の前提を欠いている。 また、異議申立人２の主張イについては、本件発明は、ウエハのうち多孔質プラグに対向する位置は低温になりやすいという問題（課題）に対し、本件発明の凹溝に関する構成を採用することで、従来よりも多孔質プラグの頂面を低くし、その結果、ウエハのうち多孔質プラグに対向する位置（領域）が「低温になりすぎるのを防止でき」、「使用時にウエハの均熱性が損なわれるのを防止」することができるというものであり、異議申立人２の主張する凹溝の形状や大きさは、上記問題（課題）を解決できる範囲で適宜設計すればよい事項であって、上記（２）の判断を左右するものではない。 したがって、異議申立人２の主張は採用できない。 （４） 理由２－２のまとめ 以上によれば、本件発明１～６は、発明の詳細な説明に記載したものであって、本件特許は、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえない。 したがって、異議申立人２の主張する理由２－２は理由がない。 第６ むすび 以上の次第であるから、特許異議の申立ての理由及び異議申立人らの提出した証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。