2025-701131

特許第７７０５４５６号発明「半導体製造装置用部材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７０５４５６号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７７０５４５６号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」ともいう。）についての出願は、２０２２年（令和４年）１２月１９日に国際出願され、令和７年７月１日にその特許権の設定登録がされ、令和７年７月９日に特許掲載公報が発行された。 その後、その特許に対し、令和７年１２月１１日に特許異議申立人 佐藤 義光（以下、「申立人Ａ」という。）により、令和８年１月８日に特許異議申立人 小澤 佳郎（以下、「申立人Ｂ」という。また、「申立人Ａ」と合わせて、「申立人ら」という。）により、それぞれ特許異議の申立てがされた。 （以下、申立人Ａが提出した異議申立書を「異議申立書Ａ」、申立人Ｂが提出した異議申立書を「異議申立書Ｂ」という。） 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ、前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上であり、 前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている、 半導体製造装置用部材。 【請求項２】 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ、前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の１００％以上である、 半導体製造装置用部材。 【請求項３】 前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上１０３％以下である、 請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 【請求項４】 前記内側ヒータ電極の外周縁と前記外側ヒータ電極の内周縁との間隔は、２ｍｍ以上１８ｍｍ以下である、 請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。 【請求項５】 前記セラミックプレートと前記冷却プレートとの間には、樹脂接着層が設けられている、 請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。 【請求項６】 前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の１００％以上１０３％以下である、 請求項２に記載の半導体製造装置用部材。」 第３ 申立理由の概要 １ 特許異議の申立理由 申立人らの主張は、概略、以下のとおりである。 （１） 申立理由１（甲Ａ１に基づく新規性欠如）（申立人Ａによる理由１） 本件発明２、５は、甲Ａ１に記載された発明であるから、請求項２、５に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 （２） 申立理由２（甲Ａ１を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）（申立人Ａによる理由２） 本件発明１～６は、甲Ａ１に記載された発明、甲Ａ２～甲Ａ４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３） 申立理由３（甲Ａ４を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）（申立人Ａによる理由３） 本件発明１～６は、甲Ａ４に記載された発明、甲Ａ１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （４） 申立理由４（甲Ｂ１を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）（申立人Ｂによる理由１） 本件発明１～６は、甲Ｂ１に記載された発明、甲Ｂ２～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 申立人らの提出した証拠 （１） 申立人Ａの提出した証拠 申立人Ａは、次の甲第１号証～甲第４号証（以下、それぞれ「甲Ａ１」～「甲Ａ４」という。）を証拠として提出している。 甲Ａ１：特開２０１６－１８９４２５号公報 甲Ａ２：特開２００３－３４７１７７号公報 甲Ａ３：特開２００７－３０００５７号公報 甲Ａ４：特開２０２０－４９２８号公報 （２） 申立人Ｂの提出した証拠 申立人Ｂは、次の甲第１号証～甲第５号証（以下、それぞれ「甲Ｂ１」～「甲Ｂ５」という。）を証拠として提出している。 甲Ｂ１：特開２０１５－１５９１８６号公報 甲Ｂ２：特開２０１７－１９５０６０号公報 甲Ｂ３：特開２０１８－１５７１８６号公報 甲Ｂ４：特開２０２０－４９２８号公報（甲Ａ４と同じ文献） 甲Ｂ５：特開２０２０－６１４０１号公報 第４ 申立人らの提出した証拠の記載 １ 甲Ａ１の記載及び甲Ａ１発明 （１） 甲Ａ１の記載 甲Ａ１には、以下の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えば半導体ウェハを加熱することができるセラミックヒータと、そのセラミックヒータの制御方法と、例えば半導体ウェハの固定、半導体ウェハの平面度の矯正、半導体ウェハの搬送などに用いられる静電チャックと、その静電チャックの制御方法に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 従来より、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対して、ドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが提案されている。 ・・・ 【０００６】 また、近年では、図１９（ａ）に示すように、セラミック基板Ｐ１のうち、半導体ウェハＰ２を載置する中心部Ｐ３を、上述のように複数の加熱ゾーンＰ４に区分するとともに、中心部Ｐ３の外周側を囲むように外周部Ｐ５を設け、その外周部Ｐ５に外周側発熱体Ｐ６を配置して、外周部Ｐ５の温度を独自に制御する技術が開発されている。 【０００７】 この技術では、半導体ウェハＰ２を加工する際には、外周部Ｐ５上に外周リング（フォーカスリング）Ｐ７を載置し、この外周リングＰ７を外周部Ｐ５により加熱することによって、外周リングＰ７を半導体ウェハＰ２より高温に加熱している。なお、外周リングＰ７を半導体ウェハＰ２より高温に加熱することにより、エッチング等の加工の際に、半導体ウェハＰ２に不純物等が付着することを低減できる。 ・・・ 【００１３】 本第１態様では、中心側発熱体は、第１層発熱体と第２層発熱体とを有しており、セラミックヒータを厚み方向から見た場合に（以下平面視と記すこともある）、第１層発熱体は、各ゾーン発熱体を有するとともに、第２層発熱体は、最外周の加熱ゾーンと重なるように配置された複数の補助発熱体を有している。 【００１４】 従って、外周側発熱体を発熱させることによって、セラミック基板の外周側を加熱した場合でも、第１層発熱体の最外周のゾーン発熱体と第２層発熱体の複数の補助発熱体の発熱状態を調節することにより、中心部の温度に対する外周側発熱体による影響を低減することができる。これによって、セラミック基板の中心部の温度（面内温度）を容易に均一化することができる。 ・・・ 【００４８】 ・静電チャックとしては、セラミック基板の厚み方向に金属ベースが積層され、セラミック基板に、被吸着物を吸着する吸着用電極を備えた構成を採用できる。つまり、セラミック基板の第１主面（被吸着物を吸着する側の面）と反対側の第２主面側に、板状の金属ベースを接着剤層によって接合した構成を採用できる。また、冷却用流体が流れる冷却路等の冷却部を、例えば金属ベースに備えた構成を採用できる。 ・・・ 【００５０】 ・金属ベースを使用する場合には、その材料として、銅、アルミニウム、鉄、チタンなどを挙げることができる。また、接着剤層にてセラミック基板と接合する場合には、その接着剤の材料として、セラミック基板と金属ベースとを接合させる力が大きい材料であることが好ましく、例えばインジウムなどの金属材料や、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの樹脂材料を選択することができる。しかし、セラミック基板の熱膨張係数と金属ベースの熱膨張係数との差が大きいため、接着剤は、緩衝材としての機能を有する弾性変形可能な樹脂材料からなることが特に好ましい。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 【００５２】 以下に、本発明を実施するための形態（実施例）について説明する。 【実施例１】 【００５３】 ここでは、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。 ａ）まず、本実施例１の静電チャックの構造について説明する。 図１に示す様に、本実施例１の静電チャック１は、図１の上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であり、第１主面（吸着面）５及び第２主面７を有する円盤状のセラミックヒータ９と、円盤状の金属ベース（クーリングプレート）１１とを、例えばインジウムからなる接合層１２（図４参照）を介して接合したものである。 【００５４】 本実施例１では、セラミックヒータ９は、後述する発熱体等を備えたセラミック基板１３から構成されている。このセラミック基板１３は、吸着面５側の構成として、セラミック基板１３の厚み方向（図１の上下方向）から見た場合に（以下平面視と記すこともある）、図２に示すように、中心（軸中心）側の円形の中心部１５と、中心部１５の径方向外側（外周側）にて中心部１５の周囲（全周）を囲むように配置された環状の外周部１７と、中心部１５と外周部１７との間に設けられて中心部１５と外周部１７とを一部分離する環状の断熱用溝１９を備えている。 ・・・ 【００５６】 更に、図１に示すように、金属ベース１１には、セラミック基板１３（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体が流される冷却路２３が設けられている。なお、金属ベース１１は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製であり、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。 【００５７】 また、半導体ウェハ３の加工時には、図３に示すように、セラミック基板１３の外周部１７の上面に、その上面全体を覆うように、例えばシリコン等からなる環状の外周リング２５が載置される。なお、図１～図３では、吸着面５等の構成を模式的に示している。 ・・・ 【００６０】 また、中心部１５の内部には、図４の上方より、吸着用電極３１、第２層発熱体３３、第１層発熱体３５が、各セラミック層２７により上下方向に分離されて配置されており、外周部１７の内部には、外周側発熱体３７が配置されている。 【００６１】 このうち、第２層発熱体３３及び第１層発熱体３５により構成される中心側発熱体３９によって、中心部１５（従って半導体ウェハ３）が加熱され、外周側発熱体３７によって、外周部１７（従って外周リング２５）が加熱される。 【００６２】 なお、第２層発熱体３３、第１層発熱体３５、外周側発熱体３７は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料（Ｗ等）からなり、後述するように、長尺（所定幅の線状）の発熱パターンにより構成されている。 ・・・ 【００６４】 ＜第１層発熱体３５＞ 図５（ａ）に示すように、セラミック基板１３の中心部１５には、セラミック基板１３の平面方向における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、複数の加熱ゾーン４１が設定されている。 【００６５】 具体的には、中心部１５に設けられた加熱ゾーン４１は、中心部１５の軸中心を含む１つの円形の第１加熱ゾーン４１ａと、第１加熱ゾーン４１ａの外周側を帯状に囲む円環状の第２加熱ゾーン４１ｂと、第２加熱ゾーン４１ｂの外周側を帯状に囲む円環状の第３加熱ゾーン４１ｃと、第３加熱ゾーン４１ｃの外周側を帯状に囲む円環状の第４加熱ゾーン４１ｄとから構成されており、それらは同心状に配置されている。なお、図５（ａ）の破線が各加熱ゾーン４１の境界を示している。 【００６６】 また、第２加熱ゾーン４１ｂは、同じ中心角（等ピッチ）となるように、３つの個別ゾーンに区分され、第３加熱ゾーン４１ｃは、等ピッチで、同様に３つの個別ゾーンに区分され、第４加熱ゾーン４１ｄ（即ち最外周の加熱ゾーン）は、等ピッチで、８つの個別ゾーンに区分されている。従って、各個別ゾーンの形状は、湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。 【００６７】 そして、図５（ｂ）に示すように、第１加熱ゾーン４１ａと、第２～第４加熱ゾーン４１ｂ～４１ｄの個別ゾーンには、第１層発熱体３５としてゾーン発熱体４３が配置されている。つまり、それぞれ第１～第４ゾーン発熱体４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄが配置されている。ここでは、第１加熱ゾーン４１ａも個別ゾーンと称する。なお、図５（ｂ）では実線で各ゾーン発熱体４３ａ～４３ｄを示している。 【００６８】 第２～第４ゾーン発熱体４３ｂ～４３ｄは、長尺の発熱パターンからなり、各個別ゾーンの形状に合わせて、例えばＵ字状に形成されている。詳しくは、各ゾーン発熱体４３ａ～４３ｄは、各加熱ゾーン４１の内周や外周の湾曲に沿うように湾曲した形状を有するとともに、周方向の一端にてＵ字状に曲がっている。なお、第１ゾーン発熱体４３ａは、第１加熱ゾーン４１ａの円形の形状に合わせて、長尺の発熱パターンが（一部が切り欠かかれた）円形となっている。 ・・・ 【００６９】 ＜第２層発熱体３３＞ ・・・ 【００７１】 そして、図６（ｂ）に示すように、第１～第３補助加熱ゾーン４５ａ～４５ｃには、第２層発熱体３３として、それぞれ長尺の発熱パターンからなる補助発熱体４７が、同心状に配置されている。つまり、第１補助加熱ゾーン４５ａに円環状の第１補助発熱体４７ａが配置され、第２補助加熱ゾーン４５ｂに円環状の第２補助発熱体４７ｂが配置され、第３補助加熱ゾーン４５ｃに円環状の第３補助発熱体４７ｃが配置されている。なお、図６（ｂ）では実線で補助発熱体４７を示している。 【００７２】 ＜外周側発熱体３７＞ 図６（ｂ）に示すように、セラミック基板１３の外周部１７には、円環状に外周側発熱体３７が配置されている。 ・・・ 【００８７】 ｅ）次に、本実施例１の静電チャック１の制御方法について説明する。 本処理は、電子制御装置５９により実施される処理である。 ここでは、静電チャック１により半導体ウェハ３を加熱する際に、セラミック基板１３の中心部１５の平面方向における温度（中心部１５の面内温度）を均一化するための処理について説明する。 【００８８】 図９及び図１０（ａ）に示すように、まず、ステップ（Ｓ）１００では、セラミックヒータ９による加熱が指示されたか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ１１０に進み、一方否定判断されると一旦本処理を終了する。 【００８９】 ステップ１１０では、外周リング２５を半導体ウェハ３より高温にするために、外周側発熱体３７に対して、所定の電圧を印加する処理（即ち通電（オン：ＯＮ）して発熱させる処理：以下同様）を行う。 【００９０】 続くステップ１２０では、半導体ウェハ３を加熱するために、中心側発熱体３９のうち、第１層発熱体３５に所定の電圧を印加する処理を行う。但し、第１層発熱体３５のうち、最外周の第４加熱ゾーン４１ｄの第４ゾーン発熱体４３ｄに印加する電圧は、他の第１～第３加熱ゾーン４１ａ～４１ｃの第１～第４ゾーン発熱体４３ａ～４３ｃに印加する電圧より低くする。 【００９１】 これにより、最外周の第４加熱ゾーン４１ｄの第４ゾーン発熱体４３ｄの発熱状態を、他の第１～第３加熱ゾーン４１ａ～４１ｃの第１～第３ゾーン発熱体４３ａ～４３ｃの発熱状態より低くする。従って、この状態では（但し外周側発熱体３７の影響を考慮しない場合）、第４加熱ゾーン４１ｄの温度は、他の第１～第３加熱ゾーン４１ａ～４１ｃの温度より低くなる。 【００９２】 なお、図１０（ａ）では、ゾーン発熱体４３において、高い発熱状態をＨで示し、高い発熱状態Ｈより低い発熱状態をＬで示している（以下同様）。 続くステップ１３０では、中心部１５の面内温度を均一にするために、第２層発熱体３３の第１～第３補助発熱体４７ａ～４７ｃに印加する電圧を制御し、その発熱状態を調節し、一旦本処理を終了する。 【００９３】 具体的には、電圧の高い方から順番に、第１補助発熱体４７ａの印加電圧、第２補助発熱体４７ｂの印加電圧、第３補助発熱体４７ｃの印加電圧とする制御を行う。これにより、第１補助発熱体４７ａの発熱状態は最も高く、第２補助発熱体４７ｂの発熱状態は中程度に、第３補助発熱体４７ｃの発熱状態は最も低くなる。つまり、外部からの影響を考慮しない場合には、温度の高い方から順番に、第１補助加熱ゾーン４５ａ、第２補助加熱ゾーン４５ｂ、第３補助加熱ゾーン４５ｃとなる。 【００９４】 なお、図１０（ａ）では、各補助発熱体４７において、最も高い発熱状態をＨで示し、中程度の発熱状態をＭで示し、最も低い発熱状態をＬで示している（以下同様）。従って、発熱状態は、Ｈ＞Ｍ＞Ｌとなる。 【００９５】 このような制御処理によって、セラミック基板１３の中心部１５の面内温度を均一化する。なお、前記ステップ１１０～１３０の処理の順番を入れ換えてもよい。」 「【図１】 ［図：0001436209000001.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001436209000002.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001436209000003.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001436209000004.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001436209000005.jpg］ 」 （２） 甲Ａ１に記載された事項 ア 上記（１）の【００５３】によれば、静電チャック１は、上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であり、第１主面５及び第２主面７を有する円盤状のセラミックヒータ９と、円盤状の金属ベース１１とを接合したものである。 また、上記（１）の【図１】によれば、セラミックヒータ９の第１主面５に半導体ウェハ３が載置され、第１主面５とは反対側の面である第２主面７に金属ベース１１が接合されることが見て取れる。 そうすると、静電チャック１は、上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であって、第１主面５に半導体ウェハ３が載置される円盤状のセラミックヒータ９と、セラミックヒータ９の第１主面と反対側の面である第２主面７に接合された円盤状の金属ベース１１とで構成されるといえる。 イ 上記（１）の【００５４】によれば、セラミックヒータ９は、セラミック基板１３から構成されており、セラミック基板１３は、セラミック基板１３の厚み方向から見た場合に、中心側の円形の中心部１５と、中心部１５の径方向外側にて中心部１５の周囲を囲むように配置された環状の外周部１７と、中心部１５と外周部１７との間に設けられて中心部１５と外周部１７とを一部分離する環状の断熱用溝１９を備えている。 ウ 上記（１）の【００５６】によれば、金属ベース１１には、セラミック基板１３を冷却するために、冷却用流体が流される冷却路２３が設けられている。 エ 上記（１）の【０００７】、【００５７】によれば、セラミック基板１３の外周部１７の上面に、その上面全体を覆うように、環状の外周リング（フォーカスリング）２５が載置される。 オ 上記（１）の【図４】（ａ）によれば、中心部１５の上面は、中心部１５の外周の位置にある突起（断熱用溝１９に最も近い突起）と、外周より内側に設けられた複数の突起を備え、中心部の外周の位置にある突起と外周より内側に設けられた複数の突起の上面には、半導体ウェハ３が載置されることが見て取れる。 カ 上記（１）の【図４】（ａ）によれば、外周リング２５が載置される外周部１７の上面は、中心部１５の上面より低いことが見て取れる。 キ 上記（１）の【００６０】～【００６２】によれば、中心部１５の内部には、吸着用電極３１、第２層発熱体３３、第１層発熱体３５が、上下方向に分離されて配置されており、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料からなる第２層発熱体３３及び第１層発熱体３５により構成される中心側発熱体３９によって、中心部１５が加熱される。 ク 上記（１）の【００６４】、【００６５】によれば、中心部１５には、平面視で、第１加熱ゾーン４１ａ～第４加熱ゾーン４１ｄが設定されおり、【００６７】によれば、第１加熱ゾーン４１ａ～第４加熱ゾーン４１ｄには、第１層発熱体３５として、第１～第４ゾーン発熱体４３ａ～４３ｄが配置されている。 また、上記（１）の【図５】（ｂ）によれば、中心部１５には、平面視で円形領域に、第１加熱ゾーン４１ａ～第４加熱ゾーン４１ｄが設定され、第１加熱ゾーン４１ａ～第４加熱ゾーン４１ｄに、第１～第４ゾーン発熱体４３ａ～４３ｄが配置されることが見て取れる。 更に、上記（１）の【００７１】によれば、第２層発熱体３３は、第１～第３補助発熱体４７ａ～４７ｃからなり、上記（１）の【図６】（ｂ）によれば、中心部１５には、平面視で円形領域に、円環状の第１～第３補助発熱体４７ａ～４７ｃが配置されることが見て取れる。 そうすると、中心部１５には、平面視で円形領域に、第１層発熱体３５及び第２層発熱体３３が配置されているといえる。 ケ 上記（１）の【図４】（ａ）によれば、中心側発熱体３９を構成する第２層発熱体３３と第１層発熱体３５とが、中心部１５の上面の外周の位置にある突起の一部と重なることが見て取れるから、中心側発熱体３９を構成する第２層発熱体３３と第１層発熱体３５は、平面視でも中心部１５の上面の外周の位置にある突起の一部と重なるように設けられているといえる。また、上記（１）の【図４】（ａ）によれば、第２層発熱体３３と第１層発熱体３５は、半導体ウェハ３が載置される中心部１５の上面と平行に配置されることが見て取れる。 コ 上記（１）の【００６０】、【００６１】、【００７２】によれば、外周部１７の内部には、円環状に外周側発熱体３７が配置されており、外周側発熱体３７によって、外周部１７が加熱される。 また、上記（１）の【図６】（ｂ）によれば、外周側発熱体３７が、中心部１５を取り囲むように外周部１７に配置されることが見て取れる。 （３） 甲Ａ１発明 上記（２）によれば、甲Ａ１には次の発明（以下、「甲Ａ１発明」という。）が記載されている。（各構成末尾の括弧内は、上記（２）の引用元を示す。） 「上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置である静電チャック１であって、 第１主面５に半導体ウェハ３が載置される円盤状のセラミックヒータ９と、セラミックヒータ９の第１主面と反対側の面である第２主面７に接合された円盤状の金属ベース１１とで構成され、（ア） セラミックヒータ９は、セラミック基板１３から構成されており、 セラミック基板１３は、セラミック基板１３の厚み方向から見た場合に、中心側の円形の中心部１５と、中心部１５の径方向外側にて中心部１５の周囲を囲むように配置された環状の外周部１７と、中心部１５と外周部１７との間に設けられて中心部１５と外周部１７とを一部分離する環状の断熱用溝１９を備えており、（イ） 金属ベース１１には、セラミック基板１３を冷却するために、冷却用流体が流される冷却路２３が設けられており、（ウ） セラミック基板１３の外周部１７の上面に、その上面全体を覆うように、環状の外周リング（フォーカスリング）２５が載置され、（エ） 中心部１５の上面は、中心部１５の外周の位置にある突起と、外周より内側に設けられた複数の突起を備え、中心部１５の外周の位置にある突起と外周より内側に設けられた複数の突起の上面には、半導体ウェハ３が載置され、（オ） 外周リング２５が載置される外周部１７の上面は、中心部１５の上面より低く、（カ） 中心部１５の内部には、吸着用電極３１、第２層発熱体３３、第１層発熱体３５が、上下方向に分離されて配置されており、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料からなる第２層発熱体３３及び第１層発熱体３５により構成される中心側発熱体３９によって、中心部１５が加熱され、（キ） 中心部１５には、平面視で円形領域に、第１層発熱体３５及び第２層発熱体３３が配置され、（ク） 中心側発熱体３９を構成する第２層発熱体３３と第１層発熱体３５は、平面視で中心部１５の上面の外周の位置にある突起の一部と重なるように設けられ、第２層発熱体３３と第１層発熱体３５は、半導体ウェハ３が載置される中心部１５の上面と平行に配置され、（ケ） 外周部１７の内部には、中心部１５を取り囲むように、円環状に外周側発熱体３７が配置されており、外周側発熱体３７によって、外周部１７が加熱される、（コ） 静電チャック１。」 ２ 甲Ａ２の記載 甲Ａ２には、以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、主にウェハを加熱する際に用いるウェハ加熱装置に関するものであり、例えば半導体ウェハや液晶装置あるいは回路基板等のウェハ上に薄膜を形成したり、前記ウェハ上に塗布されたレジスト液を乾燥焼き付けしてレジスト膜を形成する際に好適なウェハ支持部材に関するものである。 ・・・ 【００１８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明する。 【００１９】図１は本発明に係るウェハ支持部材１の１例を示す断面図で、炭化珪素または窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる板状セラミックス体２の一方の主面を、ウェハＷを載せる載置面３とするとともに、他方の主面に抵抗発熱体５を形成し、該抵抗発熱体５に電気的に接続する給電部６を具備し、給電部６に給電端子１１が接続している。これらの給電部６を囲む金属ケース１９が接続部材１７を介して板状セラミックス体２の他方の主面の周辺部に固定されている。 ・・・ 【００２４】本発明のウェハ支持部材１は、板状セラミックス体２の一方の主面において、前記抵抗発熱体５の外接円Ｃの直径ＤＣが前記板状セラミックス体２の直径Ｄの９０～９９％であることを特徴とする。」 「【図１】 ［図：0001436209000006.jpg］ 」 ３ 甲Ａ３の記載 甲Ａ３には、以下の記載がある。 「【背景】 【０００１】 本発明は、基板処理チャンバ内で基板を保持するための基板支持体に関する。 ・・・ 【００１０】 セラミックパック２４の基板受容面２６の中央と周辺の加熱帯４２ａ、ｂでの温度は、更に、セラミックパック２４の中に組み込まれた複数のヒータコイル５０、５２、例えば、第１ヒータコイル５０と第２ヒータコイル５２を用いて制御される。例えば、ヒータコイル５０、５２は、相互の周りに離れて同心に放射状に隔置され得る。一変形例においては、第１ヒータコイル５０はセラミックパック２４の中央部５４ａに位置し、第２ヒータコイル５２はセラミックパック２４の周辺部５４ｂに位置する。第１と第２のヒータコイル５０、５２はセラミックパック２４の中央部及び周辺部５４ａ、５４ｂの温度の独立した制御を可能にし、更に、セラミックパック２４の裏面２８上のメサ３０と協働して、セラミックパック２４の受容面２６上に配置された基板２５の温度プロファイルの調節を可能にする。」 「【図１】 ［図：0001436209000007.jpg］ 」 ４ 甲Ａ４（甲Ｂ４）の記載及び甲Ａ４発明 （１） 甲Ａ４の記載 甲Ａ４には、以下の記載がある。 「【０００１】 本明細書によって開示される技術は、静電チャックに関する。 【背景技術】 【０００２】 例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略垂直な表面（以下、「上面」という）を有する、例えばセラミックス部材等の板状部材と、板状部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、板状部材の上面にウェハを吸着して保持する。 ・・・ 【０００５】 上記静電チャックにおいて、ヒータ電極は、上記第１の方向視において、上記シールバンド領域に重なる部分を有している。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 静電チャックに保持される対象物は、板状部材の上面の内のシールバンド領域に形成された環状かつ凸状のシールバンドに接する。また、該対象物は、シールバンドに加えて、板状部材における上面の内の内側領域に形成された凸状の複数の突起にも接する。このため、ヒータ電極から、板状部材におけるシールバンドが形成されたシールバンド領域に伝達された熱および板状部材における内側領域の内の突起が形成された部分に伝達された熱は、該対象物に直接的に伝達される。 【０００８】 ここで、シールバンド領域に形成されたシールバンドは、板状部材の上面に環状に形成されている。一方、内側領域に形成された複数の突起は、それぞれ独立して形成されている。このため、シールバンドの単位体積当たりの表面積は、各突起の単位体積当たりの表面積と比較して小さい。このような違いにより、シールバンドは、各突起と比較して放熱しにくい構造となっているため、板状部材の上面におけるシールバンド領域は、高温の温度特異点となりやすい。特に、ヒータ電極が、板状部材における第１の方向視でシールバンド領域に重なる部分に配置されている場合には、ヒータ電極の発熱は、最短距離で板状部材の上面におけるシールバンド領域に伝達されるため、シールバンド領域は、更に高温の温度特異点となりやすい。このようなシールバンド領域は、各突起と比較して上記対象物と広範囲にわたって接触するため、シールバンド領域の温度が対象物の温度に与える影響は大きい。 【０００９】 そのため、従来の静電チャックでは、板状部材の上面の温度分布の制御性（ひいては、ウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。 ・・・ 【００１５】 本静電チャックでは、板状部材の内部に配置された複数のヒータ電極が、内側ヒータ電極と外側ヒータ電極とを備える。内側ヒータ電極は、第１の方向視において、内側領域に重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域に重なる部分を有しないヒータ電極である。外側ヒータ電極は、第１の方向視において、外側領域に重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域に重なる部分を有しないヒータ電極である。換言すれば、本静電チャックでは、内側ヒータ電極および外側ヒータ電極は、板状部材におけるシールバンド領域重なり部分以外の部分に配置されている。このため、本静電チャックによれば、内側ヒータ電極および外側ヒータ電極の発熱が、最短距離で板状部材の第１の表面におけるシールバンド領域に伝達されることを抑制することができ、ひいては、板状部材におけるシールバンド領域が高温の温度特異点となることを抑制することができる。従って、本静電チャックによれば、板状部材における第１の表面（より詳しくは、吸着面）における温度分布の制御性（ひいては、第１の表面（より詳しくは、吸着面）に保持された対象物の温度分布の制御性）を向上させることができる。 ・・・ 【００２５】 静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。なお、セラミックス部材１０は、特許請求の範囲における板状部材に相当する。 【００２６】 セラミックス部材１０は、略円板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１０の外周の上側には切り欠きが形成されている。このため、セラミックス部材１０の上面Ｓ１は、上段と下段とに分かれている。また、セラミックス部材１０の上面Ｓ１の内の上段の外周には、Ｚ軸方向視において環状、かつ、Ｚ軸方向において凸状のシールバンド１８０が形成されている。なお、シールバンド１８０の構成については、後に詳述する。 【００２７】 セラミックス部材１０の上面Ｓ１は、シールバンド領域ＳＲと、内側領域ＩＲと、外側領域ＯＲとから構成されている。より詳細には、上述した上面Ｓ１の上段は、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成されており、上面Ｓ１の下段は、外側領域ＯＲから構成されている。 【００２８】 セラミックス部材１０の上面Ｓ１におけるシールバンド領域ＳＲは、シールバンド１８０が位置する領域である。内側領域ＩＲは、Ｚ軸方向視においてシールバンド領域ＳＲの内側に接する領域である。内側領域ＩＲには、Ｚ軸方向において凸状の複数の突起１７０が形成されている。なお、突起１７０の構成については、後に詳述する。外側領域ＯＲは、Ｚ軸方向視においてシールバンド領域ＳＲの外側に接する領域である。 【００２９】 静電チャック１００は、セラミックス部材１０の上面Ｓ１、より詳しくは、当該上面Ｓ１の内の、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される吸着面Ｓｃに、対象物（例えばウェハＷ）を保持する。セラミックス部材１０の上面Ｓ１の内の吸着面ＳｃはＺ軸方向に略直交し、かつ、当該吸着面ＳｃのＺ軸方向視における形状は略円形である。また、セラミックス部材１０の上面Ｓ１の内の外側領域ＯＲには、例えば、静電チャック１００を固定するための治具（不図示）が係合する。なお、セラミックス部材１０の上面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」ということがある。 ・・・ 【００３５】 セラミックス部材１０の内部には、また、セラミックス部材１０の吸着面Ｓｃの温度分布の制御性（すなわち、吸着面Ｓｃに保持されたウェハＷの温度分布の制御性）のためのヒータ電極５０と、ヒータ電極５０への給電のための構成とが配置されている。ヒータ電極５０の構成については、後に詳述する。 ・・・ 【００４４】 ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着部材３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接着部材３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着部材３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍ程度である。 【００４５】 ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着部材３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓｃに保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。 ・・・ 【００４９】 図３に示すように、本実施形態において、複数のヒータ電極５０は、２つの内側ヒータ電極５１０（内側ヒータ電極５１０Ａおよび内側ヒータ電極５１０Ｂ）と、１つの外側ヒータ電極５３０とを含んでいる。各ヒータ電極５１０，５３０は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１１，５３１と、ヒータライン部５１１，５３１の両端部にそれぞれ接続されたヒータパッド部（第１のヒータパッド部５１３，５３３および第２のヒータパッド部５１５，５３５）とを有する。各ヒータ電極５１０，５３０のヒータライン部５１１，５３１は、Ｚ軸方向視で略円周状または略螺旋状に延びる形状である。また、Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５１３，５１５の幅は、ヒータライン部５１１の幅より大きく、ヒータパッド部５３３，５３５の幅は、ヒータライン部５３１の幅より大きい。 【００５０】 図３および図４に示すように、内側ヒータ電極５１０は、セラミックス部材１０における内側領域重なり部分ＩＰの内部に配置されている。換言すると、内側ヒータ電極５１０は、Ｚ軸方向視において、内側領域ＩＲに重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域ＳＲに重なる部分を有していない。内側ヒータ電極５１０は、吸着面Ｓｃの内の内側領域ＩＲを加熱するためのヒータである。 【００５１】 一方、外側ヒータ電極５３０は、外側領域重なり部分ＯＰの内部に配置されている。換言すると、外側ヒータ電極５３０は、Ｚ軸方向視において、外側領域ＯＲに重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域ＳＲに重なる部分を有していない。外側ヒータ電極５３０は、低温となりやすい吸着面Ｓｃ（すなわち、シールバンド領域ＳＲおよび内側領域ＩＲ）の外周付近を補助的に加熱するためのヒータである。」 「【図１】 ［図：0001436209000008.jpg］ 【図２】 ［図：0001436209000009.jpg］ 【図３】 ［図：0001436209000010.jpg］ 【図４】 ［図：0001436209000011.jpg］ 」 （２） 甲Ａ４に記載された事項 ア 上記（１）の【００２５】によれば、静電チャック１００は、セラミックス部材１０およびベース部材２０を備え、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３とが対向するように配置される。 イ 上記（１）の【００２６】、【００２７】によれば、セラミックス部材１０は、略円板状部材であり、上面Ｓ１が、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される上段と、外側領域ＯＲから構成される下段とに分かれている。 また、上記（１）の【００２９】によれば、吸着面Ｓｃは、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとからなる。 また、上記（１）の【図１】によれば、セラミックス部材１０の上面Ｓ１において、吸着面Ｓｃから構成される上段は円形であり、吸着面Ｓｃと比べて低い位置に外側領域ＯＲから構成される下段は環状であることが見て取れる。 そうすると、セラミックス部材１０は、略円板状部材であり、上面Ｓ１が、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとからなる吸着面Ｓｃから構成される円形の上段と、吸着面Ｓｃと比べて低い位置の外側領域ＯＲから構成される環状の下段とに分かれているといえる。 ウ 上記（１）の【００２６】、【００２８】によれば、上段の外周には、凸状のシールバンド１８０が形成され、シールバンド１８０が位置する領域がシールバンド領域ＳＲである。 また、上記（１）の【図１】によれば、上面Ｓ１における、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される上段の外周に、シールバンド領域ＳＲが設けられている。 そうすると、上段の外周に設けられたシールバンド領域ＳＲに、凸状のシールバンド１８０が形成されるものといえる。 エ 上記（１）の【００２９】によれば、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される吸着面ＳｃにウェハＷを保持し、外側領域ＯＲには、静電チャック１００を固定するための治具が係合する。 オ 上記（１）の【００３５】、【００４９】によれば、セラミックス部材１０の内部には、吸着面Ｓｃの温度分布の制御性のためのヒータ電極５０として、線状の抵抗発熱体を有する内側ヒータ電極５１０と外側ヒータ電極５３０が配置される。 また、上記（１）の【図３】によれば、内側ヒータ電極５１０は、平面視で円形の領域に設けられ、外側ヒータ電極５３０は内側ヒータ電極５１０を取り囲むように設けられた環状であることが見て取れる。 そうすると、セラミックス部材１０の内部には、吸着面Ｓｃの温度分布の制御性のためのヒータ電極５０として、平面視で円形の領域に設けられた線状の抵抗発熱体を有する内側ヒータ電極５１０と、内側ヒータ電極５１０を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極５３０が配置されているといえる。 カ 上記（１）の【００４９】によれば、内側ヒータ電極５１０は、ヒータライン部５１１を有し、外側ヒータ電極５３０は、ヒータライン部５３１を有するとされている。 また、上記（１）の【図４】によれば、ヒータライン部５１１とヒータライン部５３１は、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲから構成される面であって、高さＨ１のシールバンド１８０が形成される面に対して平行な同一平面に設けられることが見て取れる。 更に、上記（１）の【００２９】によれば、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとからなる面は、吸着面Ｓｃである。 そうすると、内側ヒータ電極５１０と外側ヒータ電極５３０は、シールバンド１８０が形成される吸着面Ｓｃに対して平行な同一平面に設けられている。 キ 上記（１）の【００４５】によれば、ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成され、冷媒流路２１に冷媒が流されると、ベース部材２０が冷却され、セラミックス部材１０が冷却される。 ク 上記（１）の【００５０】によれば、内側ヒータ電極５１０は、内側領域ＩＲに重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域ＳＲに重なる部分を有していない。 （３） 甲Ａ４発明 上記（２）によれば、甲Ａ４には次の発明（以下、「甲Ａ４発明」という。）が記載されている。（各構成末尾の括弧内は、上記（２）の引用元を示す。） 「セラミックス部材１０およびベース部材２０を備え、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３とが対向するように配置される静電チャック１００であって、（ア） セラミックス部材１０は、略円板状部材であり、上面Ｓ１が、シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとからなる吸着面Ｓｃから構成される円形の上段と、吸着面Ｓｃと比べて低い位置の外側領域ＯＲから構成される環状の下段とに分かれており、（イ） 上段の外周に設けられたシールバンド領域ＳＲに、凸状のシールバンド１８０が形成され、（ウ） シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される吸着面ＳｃにウェハＷを保持し、外側領域ＯＲには、静電チャック１００を固定するための治具が係合し、（エ） セラミックス部材１０の内部には、吸着面Ｓｃの温度分布の制御性のためのヒータ電極５０として、平面視で円形の領域に設けられた線状の抵抗発熱体を有する内側ヒータ電極５１０と、内側ヒータ電極５１０を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極５３０が配置され、（オ） 内側ヒータ電極５１０と外側ヒータ電極５３０は、シールバンド１８０が形成される吸着面Ｓｃに対して平行な同一平面に設けられ、（カ） ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成され、冷媒流路２１に冷媒が流されると、ベース部材２０が冷却され、セラミックス部材１０が冷却される、（キ） 内側ヒータ電極５１０は、内側領域ＩＲに重なる部分を有し、かつ、シールバンド領域ＳＲに重なる部分を有しておらず、（ク） 静電チャック１００。」 ５ 甲Ｂ１の記載及び甲Ｂ１発明 （１） 甲Ｂ１の記載 甲Ｂ１には、以下の記載がある。 「【請求項１】 被加熱物を載置する載置面を有し、前記被加熱物を加熱するためのヒータ部が設けられた本体部と、 該本体部よりも外径が小さく、前記本体部の前記載置面とは反対側において前記本体部を支持する中空の支持部とを備え、 前記ヒータ部は、内側ヒータと該内側ヒータよりも径方向の外側に配置された外側ヒータとを有しており、 前記内側ヒータと前記外側ヒータとは、互いに独立して制御可能に構成されており、 前記支持部内には、前記内側ヒータに接続された内側ヒータ端子と前記外側ヒータに接続された外側ヒータ端子とが配設されており、 前記本体部の内部には、該本体部の厚み方向において前記内側ヒータと前記支持部との間に配置され、前記本体部よりも熱伝導率が低い断熱層が設けられていることを特徴とする加熱装置。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えば、半導体ウェハ等を加熱するための加熱装置に関する。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 しかしながら、従来の加熱装置の構造では、ヒータの発熱時にヒータの熱が支持部内の金属製のヒータ端子へと逃げてしまう、いわゆる熱引きが生じ、半導体ウェハを載置する本体部の載置面（ヒータ端子直上部分）に、周囲よりも温度が低い領域（温度特異点）が発生してしまう。 【０００７】 また、従来の加熱装置の構造では、ヒータの発熱時に支持部内の大気が加熱され、支持部内の雰囲気温度が高くなった場合に、半導体ウェハを載置する本体部の載置面のうち、支持部直上部分の温度がその外周部分よりも高くなり、載置面の温度ばらつき（温度ムラ）が生じてしまう。 【０００８】 本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、被加熱物を載置する載置面における、温度特異点発生の防止及び温度ばらつきの抑制が可能であり、被加熱物をより均一に加熱することができる加熱装置を提供しようとするものである。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 【００２６】 以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。 （実施形態１） 図１～図３に示すように、本実施形態の加熱装置１は、被加熱物８を載置する載置面２０１を有し、被加熱物８を加熱するためのヒータ部４が設けられた本体部２と、本体部２よりも外径が小さく、本体部２の載置面２０１とは反対側において本体部２を支持する中空の支持部３とを備えている。ヒータ部４は、内側ヒータ４１と内側ヒータ４１よりも径方向の外側に配置された外側ヒータ４２とを有しており、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されている。 【００２７】 同図に示すように、支持部３内には、内側ヒータ４１に接続された内側ヒータ端子４１２と外側ヒータ４２に接続された外側ヒータ端子４２２とが配設されている。本体部２の内部には、本体部２の厚み方向において内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられている。以下、これを詳説する。 【００２８】 図１に示すように、加熱装置１は、半導体製造装置に用いられ、被加熱物８である半導体ウェハを加熱するためのものである。加熱装置１は、円形板状の本体部２と、その本体部２を支持する円筒状の支持部３とを備えている。以下、説明の便宜上、本体部２側を上側、支持部３側を下側として説明する。 【００２９】 同図に示すように、本体部２は、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。本体部２の厚みは、１５ｍｍ以下である。本体部２の一方の主面（上面）は、被加熱物８を載置するための載置面２０１である。本体部２の他方の主面（下面）は、支持部３の一方の端部（上端部３１）に支持される被支持面２０２である。また、本体部２は、その厚み方向（上下方向）Ｘに積層された第１層２１及び第２層２２を有している。 【００３０】 第１層２１は、円形板状を呈している。第１層２１の上面は、前述の載置面２０１である。第２層２２は、円形板状の底部２２１と、底部２２１の外周部から立設された円筒状の立設部２２２とを有している。立設部２２２は、第１層２１に対してロウ付けにより接合されている。なお、接合方法は、これに限定されるものではなく、他の接合方法により接合されていてもよい。 ・・・ 【００３４】 図１、図２に示すように、本体部２の第１層２１の内部には、ヒータ部４が配設されている。ヒータ部４は、第１層２１の中央部分（内側領域２１１）に配設された内側ヒータ４１と、内側ヒータ４１よりも径方向外側（外側領域２１２）に配設された外側ヒータ４２とを有している。内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、略同一平面上において複数の同心円が描かれるように、発熱体を所定のパターンで配設してなる。 ・・・ 【００３６】 また、内側ヒータ端子４１２は、電源接続部材４１３を介して内側ヒータ用電源（図示略）に接続されている。また、同様に、外側ヒータ端子４２２は、電源接続部材４２３を介して外側ヒータ用電源（図示略）に接続されている。そして、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されている。すなわち、投入する電力量等によって発熱温度、発熱量、ワット密度等を制御可能に構成されている。 ・・・ 【００３８】 また、同図に示すように、内側ヒータ４１の外径Ｄ４１は、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８の外径（例えば３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。また、断熱層５の外径Ｄ５も、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８の外径よりも大きくなるように設定されている。また、外側ヒータ４２は、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８よりも外側となるように配置されている。 【００３９】 次に、本実施形態の加熱装置１における作用効果について説明する。 本実施形態の加熱装置１において、本体部２の内部には、その本体部２の厚み方向Ｘにおいて内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられている。すなわち、内側ヒータ４１と支持部３内に配設された内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２との間に、断熱層５が配置されている。 【００４０】 そのため、ヒータ部４の発熱時に、ヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２への直接的な熱引きを断熱層５によって抑制することができる。これにより、被加熱物８を載置する本体部２の載置面２０１（内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２直上部分）における温度特異点の発生を防止することができる。 【００４１】 また、ヒータ部４の発熱時に支持部３内（内部空間３０）の大気が加熱され、支持部３内（内部空間３０）の雰囲気温度が高くなった場合でも、本体部２に設けた断熱層５によって載置面２０１への影響、つまり載置面２０１における支持部３直上部分の温度がその外周部分よりも高くなることを抑制することができる。これにより、本体部２の載置面２０１における温度ばらつき（温度ムラ）を抑制することができる。 【００４２】 一方、本体部２において、内側ヒータ４１と支持部３との間に断熱層５を配置したことにより、ヒータ部４の熱が断熱層５の径方向外側、つまり本体部２の外周部分を経由して支持部３に伝わり、載置面２０１の内側と外側で温度ばらつきが生じるおそれがある。そこで、ヒータ部４は、互いに独立して制御可能に構成された内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２を有している。 【００４３】 そのため、例えば、本体部２から支持部３への熱引きが大きくなる本体部２の外周部分において、その部分に対応する外側ヒータ４２の発熱量を大きくしたり、本体部２の載置面２０１の温度分布に合わせて内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２の発熱温度、発熱量、ワット密度等を制御したりすることができる。これにより、本体部２の載置面２０１の温度を精度良く調整することができ、載置面２０１における温度ばらつきを抑制することができる。」 「【図１】 ［図：0001436209000012.jpg］ 【図２】 ［図：0001436209000013.jpg］ 」 （２） 甲Ｂ１に記載された事項 ア 上記（１）の【００２６】、【００２８】によれば、加熱装置１は、被加熱物８である半導体ウェハを載置する載置面２０１を有し、被加熱物８を加熱するためのヒータ部４が設けられた本体部２と、本体部２を支持する中空の支持部３とを備えている。また、ヒータ部４は、内側ヒータ４１と内側ヒータ４１よりも径方向の外側に配置された外側ヒータ４２とを有しており、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されている。 また、上記（１）の【００３４】によれば、ヒータ部４は本体部２の内部に配設されている。 イ 上記（１）の【００２８】、【００２９】によれば、本体部２は、円形板状であり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。 ウ 上記（１）の【００２７】によれば、支持部３内には、内側ヒータ４１に接続された内側ヒータ端子４１２と外側ヒータ４２に接続された外側ヒータ端子４２２とが配設され、本体部２の内部には、本体部２の厚み方向において内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられている。 エ 上記（１）の【００３４】によれば、内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、略同一平面上において、発熱体を所定のパターンで配設してなる。 また、上記（１）の【００３６】によれば、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２は、投入する電力量によって発熱温度、発熱量を制御可能に構成されている。 そして、上記（１）の【図１】によれば、内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、載置面２０１に平行に設けられることが見て取れる。 さらに、上記（１）の【図２】によれば、内側ヒータ４１は、平面視で円形の領域に設けられ、内側ヒータ４１を取り囲むように環状の外側ヒータ４２が設けられることが見て取れる。 オ 上記（１）の【００３８】によれば、内側ヒータ４１の外径Ｄ４１は、被加熱物８の外径よりも大きくなるよう設定され、外側ヒータ４２は、被加熱物８よりも外側となるように配置されている。 （３） 甲Ｂ１発明 上記（２）によれば、甲Ｂ１には次の発明（以下、「甲Ｂ１発明」という。）が記載されている。（各構成末尾の括弧内は、上記（２）の引用元を示す。） 「被加熱物８である半導体ウェハを載置する載置面２０１を有し、被加熱物８を加熱するためのヒータ部４が設けられた本体部２と、本体部２を支持する中空の支持部３とを備えた、加熱装置１であって、 ヒータ部４は、本体部２の内部に配設され、内側ヒータ４１と内側ヒータ４１よりも径方向の外側に配置された外側ヒータ４２とを有し、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されており、（ア） 本体部２は、円形板状であり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなり、（イ） 支持部３内には、内側ヒータ４１に接続された内側ヒータ端子４１２と外側ヒータ４２に接続された外側ヒータ端子４２２とが配設され、 本体部２の内部には、本体部２の厚み方向において内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられており、（ウ） 内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、略同一平面上において、発熱体を所定のパターンで配設してなるものであって、投入する電力量によって発熱温度、発熱量を制御可能に構成され、 内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、載置面２０１に平行に設けられ、内側ヒータ４１は円形の領域に設けられ、内側ヒータ４１を取り囲むように環状の外側ヒータ４２が設けられ、（エ） 内側ヒータ４１の外径Ｄ４１は、被加熱物８の外径よりも大きくなるよう設定され、外側ヒータ４２は、被加熱物８よりも外側となるように配置されている、（オ） 加熱装置１。」 ６ 甲Ｂ２の記載 甲Ｂ２には、以下の記載がある。 「【請求項１】 環状のセラミック基板と、該セラミック基板の周方向に沿って配置された、通電により発熱する発熱部と、を備えるとともに、 前記セラミック基板の厚み方向の一方に、プラズマ加工の際に用いられるフォーカスリングを搭載する搭載面を有する、環状の加熱部材において、 前記発熱部は、前記セラミック基板の内部及び前記搭載面と反対側の表面の少なくとも一方に配置されるとともに、前記加熱部材の内周側から外周側に沿って配置されて個別に温度調節が可能な複数の発熱体からなり、 前記セラミック基板には、平面視での前記複数の発熱体の間に、前記セラミック基板よりも断熱性の高い断熱部を備え、 前記断熱部の少なくとも一部は、前記複数の発熱体よりも前記搭載面側に設けられることを特徴とする加熱部材。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えばフォーカスリングを加熱できる加熱部材と、その加熱部材を備えた複合加熱部材に関するものである。 ・・・ 【００４２】 図１に示す様に、第１実施形態の静電チャック１は、図１の上側にて被加工物である半導体ウェハ３を吸着して加熱することができる複合加熱部材である。 この静電チャック１は、厚み方向（図２の上下方向）から見た平面視で、円盤形状の中央加熱部材５と、中央加熱部材５の外周を囲むように配置された円環形状の外周加熱部材７とを備えている。つまり、外周加熱部材７の中心側に中央加熱部材５が配置されている。 【００４３】 この中央加熱部材５と外周加熱部材７とは、平面視で円環形状の空間である分離部８を介して、分離した状態にて同軸に配置されている。なお、中央加熱部材５と外周加熱部材７とは、その底面（図２の下方）にて、取付部材（図２参照）９にそれぞれ固定されている。 【００４４】 このうち、中央加熱部材５は、半導体ウェハ３が搭載される部材であり、円盤形状の中央セラミックヒータ１１と円盤形状の中央金属ベース１３とが積層されて中央接合層１５により接合されたものである。 【００４５】 また、外周加熱部材７は、円環形状のフォーカスリング１７（図２参照）が搭載される部材であり、円環形状の外周セラミックヒータ１９と円環形状の外周金属ベース２１とが積層されて外周接合層２３により接合されたものである。 ・・・ 【００５０】 中央金属ベース１３は、中央セラミックヒータ１１と同径の円盤形状であり、中央セラミックヒータ１１と同軸に接合されている。この中央金属ベース１３には、中央セラミックヒータ１１（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体（冷媒）が流される流路（中央冷却路）３１が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。 ・・・ 【００５３】 次に、中央加熱部材５の各構成について、図２に基づいて詳細に説明する。 ＜中央セラミックヒータ＞ 図２に模式的に示すように、中央セラミックヒータ１１（従って中央セラミック基板２９）は、その第２主面Ｂ１側が、例えばインジウム等の接着剤からなる中央接合層１５により、中央金属ベース１３の第３主面Ｃ１側に接合されている。 【００５４】 この中央セラミック基板２９は、複数のセラミック層（図示せず）が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体（誘電体）である。 【００５５】 中央セラミック基板２９の内部には、図２の上方より、中央吸着電極２５、中央発熱部２７等が配置され、中央発熱部２７は複数の中央発熱体３５から構成されている。 このうち、中央吸着電極２５は、例えば平面形状が半円状の一対の電極２５ａ、２５ｂ（図１参照）から構成されている。この中央吸着電極２５とは、静電チャック１を使用する場合には、両電極２５ａ、２５ｂの間に、直流高電圧を印加し、これにより、半導体ウェハ３を吸着する静電引力（吸着力）を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ３を吸着して固定するものである。なお、中央吸着電極２５については、これ以外に、周知の各種の構成（単極性や双極性の電極など）を採用できる。 【００５６】 また、中央発熱部２７を構成する中央発熱体３５は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料（タングステン等）からなる抵抗発熱体である。 この中央発熱体３５は、中央セラミック基板２９の平面方向において区分された各加熱ゾーン（図示せず）をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、同一平面上に複数配置されている。なお、加熱ゾーンは、平面視で、同心状に複数列設けられるととともに、周方向にも複数設けられている。」 「【図２】 ［図：0001436209000014.jpg］ 」 ７ 甲Ｂ３の記載 甲Ｂ３には、以下の記載がある。 「【請求項１】 セラミックス基板の内部に、通電により発熱する抵抗発熱体が配置されたセラミックスヒータにおいて、 前記セラミックス基板には、一方の主面から前記抵抗発熱体に到る開口部を有するとともに、 前記開口部の内部には、前記セラミックス基板の熱伝導率と同じまたは前記セラミックス基板の熱伝導率より熱伝導率が大きく、かつ、セラミックスおよび樹脂の少なくとも１種からなる封止材が配置された、 セラミックスヒータ。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加熱できるセラミックスヒータ、及びそのセラミックスヒータを備えた静電チャック、並びに、そのセラミックスヒータの製造方法に関するものである。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 【００４３】 ［１．第１実施形態］ ここでは、第１実施形態として、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。 【００４４】 ［１－１．構成］ まず、第１実施形態の静電チャックの構造について説明する。 図１に示す様に、本第１実施形態の静電チャック１は、図１の上側にて被加工物である半導体ウェハ３を吸着する装置であり、セラミックスヒータ５と冷却基板７とが積層されて接着剤層９により接合されたものである。 ・・・ 【００４６】 このうち、セラミックスヒータ５は、円盤形状であり、吸着用電極１１や発熱部１３等を備えたセラミックス基板１７から構成されている。 冷却基板７は、セラミックスヒータ５より大径の円盤形状の金属ベースであり、セラミックスヒータ５と同軸に接合されている。この冷却基板７には、セラミックス基板１７（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体（冷媒）が流される流路（冷却路）１９が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。 ・・・ 【００４８】 なお、リフトピン孔２１とは別に、冷却用ガス孔（図示せず）を設けてもよい。冷却用ガスとしては、例えばヘリウムガスや窒素ガス等の不活性ガスなどを用いることができる。 次に、静電チャック１の各構成について、図２に基づいて詳細に説明する。 ＜セラミックヒータ＞ 図２に模式的に示すように、セラミックスヒータ５（従ってセラミックス基板１７）は、その第２主面Ｂ側が、例えばシリコーンからなる接着剤層９により、冷却基板７の第３主面Ｃ側に接合されている。」 ・・・ 【００５０】 セラミックス基板１７の内部には、図２の上方より、吸着用電極１１、複数の発熱体２５からなる発熱部１３等が配置されている。 また、後述するように、各発熱体２５から第２主面Ｂに到るように、それぞれ開口部２７が設けられており、各開口部２７にはそれぞれ封止材２９が配置されている。」 「【図２】 ［図：0001436209000015.jpg］ 」 ８ 甲Ｂ５の記載 甲Ｂ５には、以下の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。 ・・・ 【００１６】 静電チャック１０は、ウェハＷおよびフォーカスリングＦＲを静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内で使用される。静電チャック１０は、主としてウェハＷを保持する中央静電チャック部１００と、主としてフォーカスリングＦＲを保持する外周静電チャック部２００とを備える。なお、中央静電チャック部１００および外周静電チャック部２００は、共通の支持部材（不図示）上に設置されている。静電チャック１０、中央静電チャック部１００および／または外周静電チャック部２００は、特許請求の範囲における保持装置に相当し、ウェハＷおよび／またはフォーカスリングＦＲは、特許請求の範囲における対象物に相当する。 【００１７】 Ａ－２．中央静電チャック部１００の構成： Ａ－２－１．中央静電チャック部１００の基本構成： 中央静電チャック部１００は、Ｚ軸方向視で略円形の部材である。中央静電チャック部１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置された中央セラミックス部材１１０および中央ベース部材１２０を備える。中央セラミックス部材１１０と中央ベース部材１２０とは、中央セラミックス部材１１０の下面Ｓ１２と中央ベース部材１２０の上面Ｓ１３とが、後述する中央接合部１３０を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、中央ベース部材１２０は、中央ベース部材１２０の上面Ｓ１３が中央セラミックス部材１１０の下面Ｓ１２側に位置するように配置される。 ・・・ 【００３１】 中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１における外縁付近には、連続的な壁状凸部（不図示）が形成されている。壁状凸部は、シールバンドとも呼ばれる。Ｚ軸方向視での壁状凸部の形状は、例えば、中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１の中心点を中心とした略円環状である。また、中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１における壁状凸部より内側の領域には、複数の独立した柱状凸部（不図示）が形成されている。Ｚ軸方向視での各柱状凸部の形状は、例えば、略円形である。なお、中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１における壁状凸部より内側の領域の内、柱状凸部が形成されていない部分は、凹部となっている。壁状凸部および柱状凸部の高さは、例えば、１０μｍ～２０μｍ程度である。ウェハＷは、中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１における壁状凸部と柱状凸部とに支持される。ウェハＷが壁状凸部および柱状凸部に支持された状態では、ウェハＷの表面（下面）と、中央セラミックス部材１１０の中央吸着面Ｓ１１（柱状凸部が形成されていない凹部）との間に、空間が存在することとなる。 ・・・ 【００３５】 Ａ－３．外周静電チャック部２００の構成： Ａ－３－１．外周静電チャック部２００の基本構成： 外周静電チャック部２００は、Ｚ軸方向視で中央静電チャック部１００を取り囲むような略円環状の部材である。外周静電チャック部２００と中央静電チャック部１００との間には、わずかな隙間が存在している。外周静電チャック部２００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置された外周セラミックス部材２１０および外周ベース部材２２０を備える。外周セラミックス部材２１０と外周ベース部材２２０とは、外周セラミックス部材２１０の下面Ｓ２２と外周ベース部材２２０の上面Ｓ２３とが、後述する外周接合部２３０を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、外周ベース部材２２０は、外周ベース部材２２０の上面Ｓ２３が外周セラミックス部材２１０の下面Ｓ２２側に位置するように配置される。 ・・・ 【００３８】 図２に示すように、外周セラミックス部材２１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成された外周チャック電極２４０が配置されている。Ｚ軸方向視での外周チャック電極２４０の形状は、例えば略円環状である。外周チャック電極２４０にチャック用電源（不図示）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってフォーカスリングＦＲが外周セラミックス部材２１０の外周吸着面Ｓ２１に吸着固定される。外周チャック電極２４０は、特許請求の範囲におけるチャック電極に相当する。 ・・・ 【００４３】 外周ベース部材２２０の内部には冷媒流路２２１が形成されている。冷媒流路２２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、外周ベース部材２２０が冷却され、外周接合部２３０を介した外周ベース部材２２０と外周セラミックス部材２１０との間の伝熱（熱引き）により外周セラミックス部材２１０が冷却され、外周セラミックス部材２１０の外周吸着面Ｓ２１に保持されたフォーカスリングＦＲが冷却される。これにより、フォーカスリングＦＲの温度分布の制御が実現される。」 「【図１】 ［図：0001436209000016.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 申立理由１（甲Ａ１に基づく新規性欠如）及び申立理由２（甲Ａ１を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲Ａ１発明を対比する。 （ア） 「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレート」を備える点について ａ 甲Ａ１発明において、「セラミック基板１３」は、「円形の中心部１５」を備え、「中心部１５」は、「円形」であり、「中心部１５の上面には、中心部１５の外周の位置にある突起が設けられ」るものであるから、「セラミック基板１３」は、「外周」に沿って「突起」を備えた「円形」の「中心部１５の上面」を有しているといえる。 また、甲Ａ１発明において、「中心部１５の外周の位置にある突起」の「上面には、半導体ウェハ３が載置され」るものである。 そうすると、甲Ａ１発明の「外周」に沿って「突起」を備えた「円形」の「中心部１５の上面」は、「円形」の「半導体ウエハ３」載置面であるといえる。 一方、本件発明１の「セラミックプレート」は、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有する」ものであるところ、「シールバンド」について、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の【００１５】には、「ウエハ載置面２１には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２２が形成され、シールバンド２２の内側の全面に複数の円形小突起２３が形成されている。・・・シールバンド２２の頂面及び円形小突起２３の頂面にはウエハＷが載置される。」と記載されているから、「シールバンド」の上面にはウエハが載置されるものといえる。 以上によれば甲Ａ１発明の「中心部１５の外周の位置にある突起」、「半導体ウエハ３」は、本件発明１の「シールバンド」、「ウエハ」にそれぞれ相当し、甲Ａ１発明の「外周に沿って」「突起」を備えた「円形」の「中心部１５の上面」は、本件発明１の「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」に相当する。 ｂ 甲Ａ１発明において、「セラミック基板１３」は、「中心部１５の径方向外側にて中心部１５の周囲を囲むように配置された環状の外周部１７」を備え、「外周部１７の上面は、中心部１５の上面より低」いものであるから、「中心部１５の上面」の外側に「中心部１５の上面」と比べて低い「環状の外周部１７」の「上面」を備えているといえる。 また、甲Ａ１発明の「外周部１７の上面」は、「環状の外周リング（フォーカスリング）２５が載置され」るから、フォーカスリング載置面といえる。 そうすると、甲Ａ１発明の「環状」の「外周部１７の上面」は、本件発明１の「前記ウエハ載置面の外側」の「前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面」に相当する。 ｃ 上記第４の１（１）の【図１】によれば、甲Ａ１発明の「セラミック基板１３」は、平らな皿状の形状を有していることが見て取れるから、セラミックプレートといえる。 そうすると、上記ａ及びｂも勘案すれば、甲Ａ１発明の「セラミック基板１３」と本件発明１の「セラミックプレート」は、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレート」である点で一致し、本件発明１と甲Ａ１発明とは、「セラミックプレート」を備える点で一致する。 （イ） 「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」及び「前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」を備える点について ａ 甲Ａ１発明において、「セラミック基板１３」が備える「中心部１５の内部」には、「中心側発熱体３９」を構成する「第２層発熱体３３」及び「第１層発熱体３５」が配置されており、「第１層発熱体３５」と「第２層発熱体３３」は、「平面視で円形領域」に配置されるものであるから、「中心側発熱体３９」は、「セラミック基板１３」の「内部」に設けられ、かつ、「平面視で円形領域」に設けられるものである。 一方、本件発明１の「内側ヒータ電極」は「円形の内側ヒータ電極」であるところ、本件明細書の【００１７】には、「内側ヒータ電極３０は、平面視でウエハ載置面２１とほぼ一致する円形領域に設けられている。内側ヒータ電極３０は、ウエハ載置面２１と平行な仮想面上に抵抗発熱線を一筆書きの要領で一端から他端まで交差することなく配線したものである。」と記載されているから、「円形の内側ヒータ電極」とは、「平面視」で「円形領域」に設けられる「内側ヒータ電極」であるといえる。 そうすると、甲Ａ１発明の「セラミック基板１３」の「内部」に設けられ、かつ、「平面視で円形領域」に設けられる「中心側発熱体３９」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」に相当する。 ｂ 甲Ａ１発明において、「セラミック基板１３」が備える「外周部１７の内部」には、「中心部１５を取り囲む」ように、「円環状」に「外周側発熱体３７」が配置されており、「中心部１５の内部」には、「第２層発熱体３３」及び「第１層発熱体３５」により構成される「中心側発熱体３９」が配置されているから、「セラミック基板１３」の「内部」には、「中心側発熱体３９」「を取り囲む」ように、「円環状」に「外周側発熱体３７」が設けられているといえる。 そうすると、甲Ａ１発明の「円環状」に設けられた「外周側発熱体３７」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」に相当する。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲Ａ１発明とは、「内側ヒータ電極」と、「外側ヒータ電極」とを「備える」点で一致する。 （ウ） 「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」を備える点について 甲Ａ１発明の「セラミックヒータ９」の「第１主面５」は、「半導体ウェハ３が載置される」ものであるから、「半導体ウエハ３」載置面であるといえる。 また、甲Ａ１発明において、「セラミックヒータ９は、セラミック基板１３から構成されて」いるものであり、上記（ア）ｃで検討したように、甲Ａ１発明の「セラミック基板１３」は、本件発明１の「セラミックプレート」と、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有する」「セラミックプレート」である点で一致するものであることからすれば、甲Ａ１発明の「セラミックヒータ９」の、「半導体ウエハ３」載置面である「第１主面５」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面」に相当する。 そして、甲Ａ１発明の「金属ベース１１」は、「セラミック基板１３を冷却するために、冷却用流体が流される冷却路２３が設けられ」ているとともに、「セラミックヒータ９の第１主面と反対側の面である第２主面７に接合され」ているから、本件発明１の「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」に相当する。 また、本件発明１と甲Ａ１発明とは、「冷却プレート」を備える点で一致する。 （エ） 「前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ、前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上であり」について 甲Ａ１発明の「中心側発熱体３９を構成する第２層発熱体３３と第１層発熱体３５」は、「平面視で中心部１５の上面の外周の位置にある突起の一部と重なる」ように設けられる。また、上記（ア）ａで検討したように、甲Ａ１発明の「中心部１５の外周の位置にある突起」は、本件発明１の「シールバンド」に相当する。 そうすると、甲Ａ１発明の「中心側発熱体３９」は、本件発明１の「前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ」る点で共通する。 （オ） 「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」点について 甲Ａ１発明の「中心側発熱体３９を構成する第２層発熱体３３」は、「半導体ウェハ３が載置される中心部１５の上面と平行に配置され」たものであって、「電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料」からなるものであるから、「半導体ウェハ３が載置される中心部１５の上面」と平行な一つの仮想面上に配置されたものであって、抵抗発熱体を配線したものといえる。 そうすると、甲Ａ１発明の「第２層発熱体３３」は、本件発明１の「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したもの」に相当する。 （カ） 「半導体製造装置用部材」について 上記第４の１（１）の【０００２】によれば、甲Ａ１発明の「静電チャック１」は、半導体製造装置に用いられるものであるから、半導体製造装置用部材であるといえる。 したがって、甲Ａ１発明の「静電チャック１」は、本件発明１の「半導体製造装置用部材」に相当する。 （キ） 上記（ア）～（カ）より、本件発明１と甲Ａ１発明とは、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ、 前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものである、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点１） 本件発明１は、「内側ヒータ電極」の外径が、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」の外径の９７％以上であるのに対し、甲Ａ１発明は、「中心側発熱体３９」の外径と「中心部１５の上面」の外径との関係が特定されていない点。 （相違点２） 本件発明１は、「前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」のに対し、甲Ａ１発明は、そのように構成されていない点。 イ 判断（進歩性欠如について） （ア） 検討 相違点１について検討する。 甲Ａ１には、「中心側発熱体３９」の外径を「中心部１５」の外径の９７％以上とすることは記載も示唆もないし、甲Ａ１発明において、相違点１に係る構成とすることが、設計的事項であるともいえない。 また、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５を見ても、「内側ヒータ電極」の外径が、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」の外径の９７％以上とすることは記載されておらず、技術常識であるともいえないから、甲Ａ１発明において、相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものではない。 （イ） 申立人Ａの主張について ａ 相違点１に関して、申立人Ａは、異議申立書Ａの１６頁９行～１１行、２３頁下から５行～２４頁１行において、甲Ａ１における「ウエハ載置面の外径」とは、環状に設けられたシールバンドの外径、すなわち、図４（ａ）のうち、断熱用溝１９の左側にある突起の上面の外径のことであり、中心側発熱体３９の外径が、ウエハ載置面の外径の１００％以上であることが見て取れるから、甲Ａ１には、相違点１に係る本件発明１の構成が記載されている旨主張する。 ｂ そこで、検討するに、申立人Ａの上記主張は、本件発明１の「ウエハ載置面」が、「シールバンド」の上面であることを前提とするものであるところ、本件発明１には、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」との記載があり、「ウエハ載置面」について、「シールバンド」を備えること、及び、「円形」であることが特定されている。そうすると、本件発明１の「ウエハ載置面」は、その面上に「シールバンド」を備える「円形」の面であって、「シールバンド」の上面であるとはいえない。 そして、このような解釈は、本件明細書の【００１４】に、「セラミックプレート２０は、円形のウエハ載置面２１と、環状のフォーカスリング載置面２６とを備える。」との記載があり、【００１５】に、「ウエハ載置面２１には、外周に沿って環状のシールバンド２２が設けられている。ウエハ載置面２１には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２２が形成され、シールバンド２２の内側の全面に複数の円形小突起２３が形成されている。・・・なお、ウエハ載置面２１のうちシールバンド２２や円形小突起２３の設けられていない部分を、基準面２４と称する。」との記載があり、「ウエハ載置面２１」は、シールバンド２２や円形小突起２３の設けられた部分と、シールバンド２２や円形小突起２３の設けられていない部分（基準面２４）からなる「円形」の面であることの記載とも齟齬しない。 そうすると、甲Ａ１の図４（ａ）における、断熱用溝１９の左側にある突起と、更にその左側にある２つの突起を取り除いた中心部１５の上面が本件発明１の「ウエハ載置面」であり、甲Ａ１の図４（ａ）における、中心部１５の上面の外径、つまり、断熱用溝１９に接する位置で計測される中心部１５の直径が、本件発明１の「ウエハ載置面の外径」である。 以上を踏まえると、甲Ａ１の図４（ａ）によれば、中心側発熱体３９の外径が、ウエハ載置面の外径の１００％以上であることは見て取れない。また、図４（ａ）には、中心側発熱体３９の外径と中心部１５の上面の外径との関係について、何らの記載も示唆もないから、中心側発熱体３９の外径が、ウエハ載置面の外径の９７％以上であるかも不明である。 よって、申立人Ａの上記主張は、採用できない。 ｃ また、相違点１に関して、申立人Ａは、異議申立書Ａ ２４頁２行～１４行において、甲Ａ２の【００２４】、【００１９】には、板状セラミック体２（セラミックプレート）に内蔵された抵抗発熱体５（内側ヒータ電極）の外径を、載置面３（ウエハ載置面）の外径の例えば９７％以上とし得ることを示す記載があり、甲Ａ１発明に甲Ａ２に記載された事項を適用して相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである旨主張する。 ｄ しかしながら、甲Ａ１（上記第４の１（１））の【００１３】、【００１４】、【００８７】～【００９５】、【図１０】（ａ）に記載されているように、甲Ａ１の静電チャック１は、セラミック基板１３の中心部１５の平面方向における温度を均一化するために、中心側発熱体３９の第１層発熱体３５において、最外周の第４加熱ゾーン４１ｄの第４ゾーン発熱体４３ｄの発熱状態を、第１～第３ゾーン発熱体４３ａ～４３ｃの発熱状態より低くし、更に、第２層発熱体３３の第１～第３補助発熱体４７ａ～４７ｃの発熱状態を調節するものである。 そうすると、甲Ａ１発明の静電チャックは、上記ｂで示したように、中心部１５の上面の外径が本件発明１の「ウエハ載置面の外径」に相当するところ、中心部１５の外径に対する中心側発熱体３９の外径の比によって、中心部１５の温度を均一化する必要がないものであり、甲Ａ１発明に甲Ａ２に記載された事項を適用する動機付けはないから、申立人Ａの上記主張は採用できない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲Ａ１発明、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２） 本件発明２について ア 対比 本件発明２は、本件発明１から「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」との事項を削除し、「前記内側ヒータ電極の外径」について、「前記ウエハ載置面の外径の９７％以上」であることを「前記ウエハ載置面の外径の１００％以上」であるとする限定を付加したものである。 そうすると、上記（１）アでの検討を参酌して本件発明２と甲Ａ１発明とを対比すると、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられる、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点３） 本件発明２は、「内側ヒータ電極」の外径が、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」の外径の１００％以上であるのに対し、甲Ａ１発明は、「中心側発熱体３９」の外径と「中心部１５の上面」の外径との関係が特定されていない点。 イ 判断（新規性欠如について） 上記（１）イ（イ）ｂで検討した図４（ａ）を含め、甲Ａ１には、「中心側発熱体３９」の外径を「中心部１５の上面」の外径の１００％以上とすることは記載も示唆もないから、相違点３は実質的なものである。 したがって、本件発明２は、甲Ａ１発明ではない。 ウ 判断（進歩性欠如について） （ア） 検討 上記イのとおり、相違点３は実質的なものであり、また、甲Ａ１発明において、相違点３に係る構成とすることが、設計的事項であるともいえない。 さらに、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５を見ても、「内側ヒータ電極」の外径が、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」の外径の１００％以上とすることは記載されておらず、技術常識であるともいえないから、甲Ａ１発明において、相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものではない。 （イ） 申立人Ａの主張について 相違点３に関して、申立人Ａは、上記（１）イ（イ）ａと同様の主張をするが、上記（１）イ（イ）ｂでの検討と同様に、申立人Ａの上記主張は採用できない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明２は、甲Ａ１発明、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 本件発明３～６について 本件発明３～６は、本件発明１又は２を限定した発明であり、甲Ａ１発明と対比すると、少なくとも、上記（１）ア（キ）の相違点１又は上記（２）アの相違点３を有する。 そうすると、本件発明５と甲Ａ１発明との間には相違点１又は相違点３があるため、本件発明５は、甲Ａ１発明ではない。 また、上記（１）イ、上記（２）ウと同様に、本件発明３～６は、甲Ａ１発明、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４） 小括 以上のとおり、本件発明２、５は、甲Ａ１発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものではない。 また、本件発明１～６は、甲Ａ１発明、甲Ａ２～甲Ａ４、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本件発明１～６は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由１、２には理由がない。 ２ 申立理由３（甲Ａ４を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲Ａ４発明を対比する。 （ア） 「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレート」を備える点について ａ 甲Ａ４発明において、「セラミック部材１０」の「上面Ｓ１」は、「シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとからなる吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」を備えており、「上段の外周に設けられたシールバンド領域に、凸状のシールバンド１８０が形成され」るから、外周に沿って「シールバンド１８０」を備えた「吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」を有するといえる。 また、甲Ａ４発明において、「シールバンド領域ＳＲと内側領域ＩＲとから構成される吸着面Ｓｃ」には「ウェハＷ」が保持されることから、「吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」は「ウエハＷ」載置面といえる。 そうすると、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」の「上面Ｓ１」における外周に沿って「シールバンド１８０」を備えた「吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」は、本件発明１の「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面」に相当する。 ｂ 甲Ａ４発明において、「セラミック部材１０」の「上面Ｓ１」は、「吸着面Ｓｃと比べて低い位置の外側領域ＯＲから構成される環状の下段」を備え、「外側領域ＯＲには、静電チャック１００を固定するための治具が係合」するものである。 そして、フォーカスリングとは、ウェハに対するプラズマ処理の均一性を向上させるために用いられるものであるところ、甲Ａ４発明の「治具」は、「静電チャック１００を固定するための」ものであり、フォーカスリングではないから、甲Ａ４発明の「治具が係合」する「外側領域ＯＲ」は、フォーカスリング載置面とはいえない。 そうすると、甲Ａ４発明の「外側領域ＯＲから構成される環状の下段」は、本件発明１の「フォーカスリング載置面」と、「前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の面」である点で共通する。 ｃ 上記第４の４（１）の【図２】によれば、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」は、平らな皿状の形状を有していることが見て取れるから、セラミックプレートといえる。 そうすると、上記ａ及びｂも勘案すれば、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」と本件発明１の「セラミックプレート」は、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の面を有するセラミックプレート」である点で共通し、本件発明１と甲Ａ４発明とは、「セラミックプレート」を備える点で一致する。 （イ） 「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」及び「前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」を備えるについて ａ 甲Ａ４発明において、「セラミックス部材１０の内部」には、「円形の領域に設けられた内側ヒータ電極５１０」が配置されている。 一方、上記１（１）ア（イ）ａで示したように、本件発明１の「円形の内側ヒータ電極」とは、「平面視」で「円形領域」に設けられる「内側ヒータ電極」である。 そうすると、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０の内部」に配置された「円形の領域に設けられた内側ヒータ電極５１０」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」に相当する。 ｂ 甲Ａ４発明において、「セラミックス部材１０の内部」には、「内側ヒータ電極５１０を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極５３０」が配置されている。 そうすると、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０の内部」に配置された「内側ヒータ電極５１０を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極５３０」は、本件発明１の「前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」に相当する。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲Ａ４発明とは、「内側ヒータ電極」と、「外側ヒータ電極」とを備える点で一致する。 （ウ） 「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」を備える点について、 ａ 甲Ａ４発明の「ベース部材２０」は、「セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３とが対向するように配置され」ており、「下面Ｓ２」は「上面Ｓ１」とは反対側の面であるから、甲Ａ４発明の「ベース部材２０」は、「セラミックス部材１０」の「上面Ｓ１」とは反対側の「下面Ｓ２」に設けられているといえる。 また、上記（ア）ａで検討したように、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」の「上面Ｓ１」は、「吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」を有し、「吸着面Ｓｃから構成される円形の上段」は「ウエハＷ」載置面といえる。 そうすると、甲Ａ４発明の「ベース部材２０」は、「セラミック部材１０」の「ウエハＷ」載置面である「上面Ｓ１」とは反対の「下面Ｓ２」に設けられているといえる。 ｂ 甲Ａ４発明において、「ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成され、冷媒流路２１に冷媒が流されると、ベース部材２０が冷却され、セラミックス部材１０が冷却され」るから、「ベース部材２０」は、冷却プレートといえる。 また、上記（ア）ｃで検討したように、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」は、セラミックプレートといえる。 ｃ そうすると、甲Ａ４発明の「セラミック部材１０」の「ウエハＷ」載置面である「上面Ｓ１」とは反対の「下面Ｓ２」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面」に相当し、甲Ａ４発明の「ベース部材２０」と本件発明１の「冷却プレート」は、「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」である点で一致する。 （エ） 「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」点について ａ 甲Ａ４発明の「内側ヒータ電極５１０」は、「シールバンド１８０が形成される吸着面Ｓｃに対して平行な」「平面に設けられ」ているから、「シールバンド１８０が形成される吸着面Ｓｃ」と平行な一つの仮想面上に設けられているといえる。そして、上記（ア）ａでの検討と同様に、「シールバンド１８０が形成される吸着面Ｓｃ」は、「ウエハＷ」載置面といえる。 また、甲Ａ４発明の「内側ヒータ電極５１０」は、「線状の抵抗発熱体」を有するものであるから、抵抗発熱線を配線したものといえる。 そうすると、甲Ａ４発明の「内側ヒータ電極５１０」は、「ウエハＷ」載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであるから、本件発明１の「内側ヒータ電極」とは、「前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したもの」である点で共通する。 ｂ 甲Ａ４発明の「外側ヒータ電極５３０」は、「内側ヒータ電極５１０」と「同一平面上に設けられている」から、本件発明１の「前記外側ヒータ電極」とは、「前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」点で共通する。 （オ）「半導体製造装置用部材」について 上記第４の４（１）の【０００２】、【００２５】によれば、甲Ａ４発明の「静電チャック１００」は、半導体製造装置に用いられるものであるから、半導体製造装置用部材といえる。 したがって、甲Ａ４発明の「静電チャック１００」は、本件発明１の「半導体製造装置用部材」に相当する。 （カ） 上記（ア）～（オ）より、本件発明１と甲Ａ４発明とは、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点４） 本件発明１は、「前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の」「面」が、「フォーカスリング載置面」であるのに対し、甲Ａ４発明は、そのように構成されていない点。 （相違点５） 本件発明１は、「内側ヒータ電極」が、「平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ」るのに対し、甲Ａ４発明は、「内側ヒータ電極５１０」が、そのように構成されていない点。 （相違点６） 本件発明１は、「前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上であ」るのに対し、甲Ａ４発明は、「内側ヒータ電極５１０」の外径と「セラミックス部材１０」の「上段」の外径との関係が特定されていない点。 イ 判断（進歩性欠如について） （ア） 検討 事案に鑑み、相違点５について検討する。 甲Ａ４（上記第４の４（１））の【０００７】、【０００８】の記載によれば、静電チャックにおいて、ヒータ電極が、板状部材における第１の方向視でシールバンド領域に重なる部分に配置されている場合には、ヒータ電極の発熱がシールバンド領域に伝達されるため、シールバンド領域は、高温の温度特異点となりやすいとの課題があるといえ、【００１５】には、静電チャックにおいて、内側ヒータ電極および外側ヒータ電極を、板状部材におけるシールバンド領域重なり部分以外の部分に配置することで、内側ヒータ電極および外側ヒータ電極の発熱が、最短距離でシールバンド領域に伝達されることを抑制することができ、シールバンド領域が高温の温度特異点となることを抑制することができることが記載されている。 そうすると、甲Ａ４発明の静電チャック１００は、内側ヒータ電極５１０をシールバンド領域ＳＲと重ならない部分に配置することで課題を解決したものであるから、甲Ａ４発明において、内側ヒータ電極５１０をシールバンド１８０の少なくとも一部と重なる部分に配置することには阻害要因があり、このことは、甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５の記載に左右されるものではない。 したがって、甲Ａ４発明において、相違点５に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たことではない。 （イ） 申立人Ａの主張について 相違点５に関して、申立人Ａは、異議申立書Ａの３４頁３行～最終行において、甲Ａ４の【０００５】、【００５０】、甲Ａ１の図４（ａ）の記載によれば、甲Ａ４発明において、ウエハ載置面の直下に配置された内側ヒータ電極を、上面視において、シールバンドと重なるように設けるべきか否かは、処理中におけるウエハの温度分布等に応じて、当業者が適宜選択し得る程度の設計的事項にすぎない旨主張する。 しかしながら、上記（ア）で示したように、甲Ａ４発明の静電チャック１００において、内側ヒータ電極５１０をシールバンド１８０の少なくとも一部と重なる部分に配置することには阻害要因があり、甲Ａ４発明において、内側ヒータ電極５１０を、相違点５に係る構成を採用することは、当業者が適宜選択し得る程度の設計的事項にすぎないとはいえず、申立人Ａの上記主張は採用できない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲Ａ４発明、甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２） 本件発明２について ア 対比 本件発明２は、本件発明１から「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」との事項を削除し、「前記内側ヒータ電極の外径」について、「前記ウエハ載置面の外径の９７％以上」であることを「前記ウエハ載置面の外径の１００％以上」であるとする限定を付加したものである。 そうすると、上記（１）アでの検討を参酌して本件発明２と甲Ａ４発明とを対比すると、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレートと、 を備える、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点７） 本件発明１は、「前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状の」「面」が、「フォーカスリング載置面」であるのに対し、甲Ａ４発明は、そのように構成されていない点。 （相違点８） 本件発明２は、「内側ヒータ電極」が、「平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ」るのに対し、甲Ａ４発明は、「内側ヒータ電極５１０」が、そのように構成されていない点。 （相違点９） 本件発明２は、「前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の１００％以上であ」るのに対し、甲Ａ４発明は、「内側ヒータ電極５１０」の外径と「セラミックス部材１０」の「上段」の外径との関係が特定されていない点。 イ 判断（進歩性について） （ア） 検討 事案に鑑み、相違点８について検討する。 上記（１）イ（ア）で示したように、甲Ａ４発明において、内側ヒータ電極５１０をシールバンド１８０の少なくとも一部と重なる部分に配置することには阻害要因があり、このことは、甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５の記載に左右されるものではない。 そうすると、甲Ａ４発明において、相違点８に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たことではない。 （イ） 申立人Ａの主張について 相違点８に関して、申立人Ａは、異議申立書Ａの３６頁下から５行～３７頁２５行において、上記（１）イ（イ）と同様の主張をする。 しかしながら、上記（１）イ（イ）の検討と同様に、甲Ａ４発明において、内側ヒータ電極５１０を、相違点８に係る構成を採用することは、当業者が適宜選択し得る程度の設計的事項にすぎないとはいえず、申立人Ａの上記主張は採用できない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明２は、他の相違点について検討するまでもなく、甲Ａ４発明、甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 本件発明３～６について 本件発明３～６は、本件発明１又は２を限定した発明であり、甲Ａ４発明と対比すると、少なくとも、上記（１）ア（カ）の相違点５又は上記（２）アの相違点８を有する。 よって、上記（１）イ、上記（２）イと同様に、本件発明３～６は、甲Ａ４発明、甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４） 小括 以上のとおり、本件発明１～６は、甲Ａ４発明及び甲Ａ１～甲Ａ３、甲Ｂ１～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本件発明１～６は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない したがって、申立理由３には理由がない。 ３ 申立理由４（甲Ｂ１を主たる証拠とした場合の進歩性欠如）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲Ｂ１発明を対比する。 （ア） 「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有するセラミックプレート」を備える点について ａ 甲Ｂ１発明において、「本体部２」は、「被加熱物８である半導体ウェハを載置する載置面２０１」を有するものであって、「円形板状」であるから、「載置面２０１」は、円形といえる。 そうすると、甲Ｂ１発明の円形の「被加熱物８である半導体ウェハを載置する載置面２０１」は、本件発明１の「円形のウエハ載置面」に相当する。 ｂ 甲Ｂ１発明において、「本体部２」は、「円形板状」であるからプレートといえ、また、「アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体」からなるものであるから、セラミックといえる。 そうすると、甲Ｂ１発明の「本体部２」は、セラミックプレートといえる。 ｃ 上ａ及びｂによれば、甲Ｂ１発明の「本体部２」と本件発明１の「セラミックプレート」は、「円形のウエハ載置面を有するセラミックプレート」である点で共通し、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、「セラミックプレート」を備える点で共通する。 （イ） 「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」及び「前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」を備える点について ａ 甲Ｂ１発明において、「ヒータ部４」は、「内側ヒータ４１」を有し、「本体部２の内部に配設され」るものであるから、「内側ヒータ４１」も「本体部２の内部に配設され」るものである。また、甲Ｂ１発明の「内側ヒータ４１」は、「円形の領域に設けられ」ている。 一方、上記１（１）ア（イ）で示したように、本件発明１の「円形の内側ヒータ電極」とは、「平面視」で「円形領域」に設けられる「内側ヒータ電極」である。 そうすると、甲Ｂ１発明の「本体部２の内部」に配設され、「円形の領域に設けら」る「内側ヒータ４１」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの内部に設けられた円形の内側ヒータ電極」に相当する。 ｂ 甲Ｂ１発明において、「ヒータ部４」は、「外側ヒータ４２」を有し、「本体部２の内部に配設され」るものであるから、「外側ヒータ４２」も「本体部２の内部に配設され」るものである。また、「外側ヒータ４２」は、「内側ヒータ４１を取り囲むように環状」に設けられている。 そうすると、甲Ｂ１発明の「本体部２の内部」に配設され、「円形の領域に設けら」る「環状」の「外側ヒータ４２」は、本件発明１の「前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極」に相当する。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、「内側ヒータ電極」と、「外側ヒータ電極」とを備える点で一致する。 （ウ） 「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」点について ａ 甲Ｂ１発明の「内側ヒータ４１」は、「発熱体を所定のパターンで配設してなるもの」であって、「載置面２０１に平行に設けられ」るものであるから、「載置面２０１に平行」な一つの仮想面上に「発熱体」を配線したものといえる。 また、甲Ｂ１発明の「内側ヒータ４１」は、「投入する電力量によって発熱温度、発熱量を制御可能に構成され」るものであるから、「内側ヒータ４１」の「発熱体」は抵抗発熱線といえる。 そうすると、甲Ｂ１発明の「内側ヒータ４１」と本件発明１の「内側ヒータ電極」は、「前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したもの」である点で共通する。 ｂ 甲Ｂ１発明の「外側ヒータ４２」は、「内側ヒータ４１」と「略同一平面上」に設けられている。 そうすると、甲Ｂ１発明の「外側ヒータ４２」と本件発明１の「外側ヒータ電極」は、「前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」点で共通する。 （エ）「半導体製造装置用部材」について また、上記第４の５（１）の【０００１】、【００２８】によれば、甲Ｂ１発明の「加熱装置１」は、半導体製造装置に用いられるものであるから、半導体製造装置用部材といえる。 そうすると、甲Ｂ１発明の「加熱装置１」は、本件発明１の「半導体製造装置用部材」に相当する。 （オ） 上記（ア）～（エ）より、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 円形のウエハ載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 を備え、 前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点１０） セラミックプレートについて、本件発明１は、「ウエハ載置面」が「外周に沿ってシールバンドを備えた」ものであるのに対し、甲Ｂ１発明は、「載置面２０１」が「シールバンド」を備えるものではない点。 （相違点１１） セラミックプレートについて、本件発明１は、「前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有する」のに対し、甲Ｂ１発明は、そのように構成されていない点。 （相違点１２） 本件発明１は、「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」を備えるのに対し、甲Ｂ１発明は、そのように構成されていない点。 （相違点１３） 本件発明１は、「内側ヒータ電極」が、「平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ」るのに対し、甲Ｂ１発明は、「内側ヒータ４１」が、そのように構成されていない点。 （相違点１４） 本件発明１は、「前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上であ」るのに対し、甲Ｂ１発明は、「内側ヒータ４１」の外径と、「載置面２０１」の外径との関係が、そのように構成されていない点。 イ 判断（進歩性欠如について） （ア） 検討 ａ 本件明細書の【０００２】の記載によれば、従来知られている半導体製造装置用部材は、「外周に沿ってシールバンドを備えた円形のウエハ載置面を有すると共に、ウエハ載置面の外側にウエハ載置面と比べて低い環状段差面を有する」セラミックプレートを用いており、当該セラミックプレートは、「ウエハ載置面」が「外周に沿ってシールバンドを備えた」という相違点１０に係る構成、及び、「ウエハ載置面の外側にウエハ載置面と比べて低い環状段差面を有する」という相違点１１に係る構成を備えたものである。 また、本件明細書の【０００４】、【０００５】によれば、そのようなセラミックプレートは、「シールバンドの直下に内側ヒータ電極も外側ヒータ電極も存在しない場合、ウエハのうちシールバンドと対向する外周領域の温度が下がるおそれがあった」という課題を有しており、本件発明１は、その課題を解決するものである。 そうすると、本件発明１は、相違点１０、１１に係る両構成を有する半導体製造装置用部材のセラミックプレートにおいて生じる課題を解決するためのものであるから、相違点１０、１１に係る両構成を前提とするものである。 そして、本件明細書の【０００６】、【０００７】の記載によれば、本件発明１は、上記の前提となる構成を有する「セラミックプレート」において、相違点１３、１４に係る構成である「前記内側ヒータ電極は、平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ、前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の９７％以上」とすることで上記課題を解決したものと理解できる。 ｂ 以上によると、本件発明１は、相違点１０、１１に係る構成を前提とした半導体製造装置用部材のセラミックプレートにおいて生じる課題を解決するために、セラミックプレートの内部に設けられた内側ヒータ電極を相違点１３、１４に係る構成のように配置したものであるから、相違点１０、１１、１３、１４に係る構成は、一体不可分の構成といえる。 したがって、相違点１０、１１、１３、１４は、まとめて検討する。 ｃ 甲Ｂ１発明の「本体部２」は、相違点１０、１１、１３、１４に係る構成を備えていないところ、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５を見ても、相違点１０、１１、１３、１４に係る構成は記載されておらず、技術常識であるともいえないから、甲Ｂ１発明において、相違点１０、１１、１３、１４に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものではない。 （イ） 申立人Ｂの主張について 相違点１０、１１、１３、１４に関して、申立人Ｂは、異議申立書Ｂの３５頁下から４行～３７頁２０行において、内側ヒータ４１が被載置物８よりも大きい甲Ｂ１発明と、甲Ｂ２、甲Ｂ３に記載されたシールバンドＳＢ２、ＳＢ３とを組み合わせると、甲Ｂ１発明の本体部２が周知技術であるシールバンドを備え、かつ、甲Ｂ２、甲Ｂ３に記載されたシールバンドＳＢ２、ＳＢ３と半導体ウエハ３の大小関係に基づいて、内側ヒータが平面視で、本体部のシールバンドの少なくとも一部と重なるように設けることは、幾何学的・構造的に当然に導かれる事項であり、 加えて、甲Ｂ１には、「内側ヒータ４１の外形Ｄ４１は、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８の外径（例えば３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている」ことが記載され、すなわち、甲Ｂ１発明は、載置面の外周の部分に内側ヒータが重なるようにすることで、半導体ウエハの外周部を加熱し、半導体ウエハの温度の均一性を高めるものであるから、ウェハのうち、温度が低下しやすい外周の部分を重点的に加熱するために、ヒータをその位置に配置することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない旨主張する。 しかしながら、申立人Ｂの上記主張は、一体不可分である相違点１０、１１、１３、１４について、個々に甲Ｂ１発明に適用することを主張するものであるから、採用することができない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲Ｂ１発明、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２） 本件発明２について ア 対比 本件発明２は、本件発明１から「前記内側ヒータ電極は、前記ウエハ載置面と平行な一つの仮想面上に抵抗発熱線を配線したものであり、前記外側ヒータ電極は、前記内側ヒータ電極と同一平面上に設けられている」との事項を削除し、「前記内側ヒータ電極の外径」について、「前記ウエハ載置面の外径の９７％以上」であることを「前記ウエハ載置面の外径の１００％以上」であるとする限定を付加したものである。 そうすると、上記（１）アでの検討を参酌して本件発明２と甲Ｂ１発明とを対比すると、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 円形のウエハ載置面を有するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの内部に設けられた、円形の内側ヒータ電極と、 前記セラミックプレートの内部にて、前記内側ヒータ電極を取り囲むように設けられた環状の外側ヒータ電極と、 を備える、 半導体製造装置用部材。」 ［相違点］ （相違点１５） 本件発明１は、「ウエハ載置面」が「外周に沿ってシールバンドを備えた」ものであるのに対し、甲Ｂ１発明は、「載置面２０１」が「シールバンド」を備えるものではない点。 （相違点１６） 本件発明１は、「前記ウエハ載置面の外側に前記ウエハ載置面と比べて低い環状のフォーカスリング載置面を有する」のに対し、甲Ｂ１発明は、そのように構成されていない点。 （相違点１７） 本件発明１は、「前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられた冷却プレート」を備えるのに対し、甲Ｂ１発明は、そのように構成されていない点。 （相違点１８） 本件発明１は、「内側ヒータ電極」が、「平面視で前記シールバンドの少なくとも一部と重なるように設けられ」るのに対し、甲Ｂ１発明は、「内側ヒータ４１」が、そのように構成されていない点。 （相違点１９） 本件発明１は、「前記内側ヒータ電極の外径は、前記ウエハ載置面の外径の１００％以上であ」るのに対し、甲Ｂ１発明は、「内側ヒータ４１」の外径と、「載置面２０１」の外径との関係が、そのように構成されていない点。 イ 判断（進歩性欠如について） （ア）検討 上記（１）イ（ア）ａ、ｂと同様に検討すると、本件発明２において、相違点１５、１６、１８、１９に係る構成は一体不可分の構成といえるから、まとめて検討する。 そうすると、甲Ｂ１発明の「本体部２」は、相違点１５、１６、１８、１９に係る構成を備えていないところ、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５を見ても、相違点１５、１６、１８、１９に係る構成は記載されておらず、技術常識であるともいえないから、甲Ｂ１発明において、相違点１５、１６、１８、１９に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。 （イ） 申立人Ｂの主張について 相違点１５、１６、１８、１９に関して、申立人Ｂは、異議申立書Ｂ ３９頁下から４行～４１頁４行において、上記（１）イ（イ）と同様の主張をする。 しかしながら、申立人Ｂの上記主張は、一体不可分である相違点１５、１６、１８、１９について、個々に甲Ｂ１発明に適用することを主張するものであるから、採用することができない。 （ウ） まとめ 以上のとおりであるから、本件発明２は、甲Ｂ１発明、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 本件発明３～６について 本件発明３～６は、本件発明１又は２を限定した発明であり、甲Ｂ１発明と対比すると、少なくとも、上記（１）ア（オ）の相違点１０～相違点１４又は上記（２）アの相違点１５～相違点１９を有する。 そうすると、上記（１）イ、上記（２）イと同様に、本件発明３～６は、甲Ｂ１発明、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４） 小括 以上のとおり、本件発明１～６は、甲Ｂ１発明、甲Ａ１～甲Ａ４、甲Ｂ２～甲Ｂ５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本件発明１～６は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 したがって、申立理由４には理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び申立人の提出した証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。