2026-700049

特許第７７０９６０５号発明「セラミックサセプタ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７０９６０５号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７７０９６０５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～３に係る特許についての出願は、２０２３年（令和５年）６月１９日を国際出願日とする出願であって、令和７年７月８日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１６日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許に対し、令和８年１月１５日に特許異議申立人 小澤 佳郎（以下、「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明３」といい、併せて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ウェハが載置されるための第一面と、前記第一面と対向する第二面とを有し、前記第一面寄りの深さ位置に第一電極が、前記第二面寄りの深さ位置に第二電極がそれぞれ埋設された、円板状のセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの第二面に取り付けられ、内部空間を有する円筒状のセラミックシャフトと、 前記セラミックプレートにおいて、前記第二面の前記内部空間に面する位置から、前記第一電極と前記第二電極の間の深さ位置まで形成される熱電対穴と、 を備えたセラミックサセプタであって、 前記熱電対穴が、前記熱電対穴の中心軸に垂直な方向に断面視した場合に曲率半径０．１０ｍｍ以上のＲ形状を底部外周又は底部に有し、かつ、前記熱電対穴の直径が０．２０ｍｍ以上であり、 前記熱電対穴の底部から前記第一電極までの距離Ｂが、前記第一面から前記第一電極までの距離Ａよりも長く、かつ、前記熱電対穴の底部から前記第二電極までの距離Ｃが、前記距離Ａよりも長く、 前記第一電極がＲＦ電極を含み、かつ、前記第二電極がヒータ電極を含む、セラミックサセプタ。 【請求項２】 前記熱電対穴に挿入される熱電対をさらに備えた、請求項１に記載のセラミックサセプタ。 【請求項３】 前記第一電極に接続しかつ前記内部空間内に延在する第一ロッドと、前記第二電極に接続しかつ前記内部空間内に延在する第二ロッドとをさらに備えた、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人の提出した証拠 異議申立人は、次の甲第１号証～甲第３号証（以下、「甲１」～「甲３」という。）を証拠として提出している。 甲第１号証（甲１）：特開２００５－０２６５８５号公報 甲第２号証（甲２）：特開２００２－１７０７５３号公報 甲第３号証（甲３）：特開２０１１－２２２９３１号公報 ２ 特許異議の申立理由 異議申立人は、本件発明１～３は、甲１に記載された発明及び甲２、３に記載された事項に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張する。 第４ 異議申立人の提出した証拠の記載 １ 甲１について （１） 甲１の記載 甲１には、次の記載がある（下線は当審において加筆した。）。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 その内部に導電体が設けられた円板形状のセラミック基板の底面に、保護セラミック体が接合されたセラミック接合体であって、 上記保護セラミック体の熱伝導率は、上記セラミック基板の熱伝導率の８０％以下であることを特徴とするセラミック接合体。 ・・・ 【請求項４】 上記導電体は、静電電極であり、静電チャックとして機能する請求項１または２に記載のセラミック接合体。」 「【００１０】 【発明の実施の形態】 ・・・ 【００１３】 本発明で、その最も好適な例は、その内部に導電体が設けられた円板形状のセラミック基板の底面に、円筒形状の筒状保護セラミック体が接合されたセラミック接合体であって、 上記筒状保護セラミック体の熱伝導率は、上記セラミック基板の熱伝導率の８０％以下であることを特徴とするセラミック接合体である。そこで、以下においては、このセラミック接合体について説明していくことにする。 【００１４】 図１は、本発明のセラミック接合体の一例であるホットプレート（セラミックヒータ）を模式的に示した平面図であり、図２は、その断面図であり、図３は、図２に示した筒状保護セラミック体近傍の部分拡大断面図である。 【００１５】 図２に示すように、このホットプレート１０では、円板形状のセラミック基板１１の底面１１ｂの中央付近に、直接、セラミック基板１１の８０％以下の熱伝導率を有する筒状保護セラミック体１７が接合されている。また、筒状保護セラミック体１７は、支持容器の底板（図示せず）に密着するように形成されているため、筒状保護セラミック体１７の内側と外側とは完全に隔離されている。 セラミック基板１１の内部には、図１に示すように、同心円形状の回路からなる抵抗発熱体１２が形成されており、これら抵抗発熱体１２は、互いに近い二重の同心円同士が１組の回路として、１本の線になるように接続されている。 ・・・ 【００１９】 一方、セラミック基板１１の底面１１ｂに形成された有底孔１４には、リード線２９０を有する熱電対等の測温素子１８０が挿入され、耐熱性樹脂、セラミック（シリカゲル等）等を用いて封止されている。このリード線２９０は、碍子（図示せず）の内部を挿通しており、支持容器の底板に形成された貫通孔（図示せず）を通して外部に引き出されており、碍子の内部も外部と隔離されている。 さらに、セラミック基板１１の中央に近い部分には、リフターピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１５が設けられている。 ・・・ 【００２３】 また、筒状保護セラミック体１７は図示しない支持容器の底板（容器壁）まで形成されており、筒状保護セラミック体１７の内側とその外側とは、完全に隔離された状態となっているので、底板の貫通孔から引き出された導電線２３０を管状の部材で保護することにより、ホットプレート１０の周囲が反応性ガスやハロゲンガス等を含む雰囲気となっており、これら反応性ガス等が支持容器の内部に入り込み易い状態であっても、筒状保護セラミック体１７の内部の配線等が腐食することはない。なお、測温素子１８０からの配線２９０も、碍子等により保護されているため、腐食することはない。 ・・・ 【００３９】 また、図２に示すように、セラミック基板１１には、被加熱物を載置する加熱面１１ａの反対側から加熱面１１ａに向けて有底孔１４を設けるとともに、有底孔１４の底を抵抗発熱体１２よりも相対的に加熱面１１ａに近く形成し、この有底孔１４に熱電対等の測温素子１８０を設けることが望ましい。 測温素子１８０により抵抗発熱体１２の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御することができるからである。 【００４０】 また、有底孔１４の底と加熱面１１ａとの距離は、０．１ｍｍ～セラミック基板の厚さの１／２であることが望ましい。 これにより、測温場所が抵抗発熱体１２よりも加熱面１１ａに近くなり、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能となるからである。 【００４１】 有底孔１４の底と加熱面１１ａとの距離が０．１ｍｍ未満では、放熱してしまい、加熱面１１ａに温度分布が形成され、厚さの１／２を超えると、抵抗発熱体の温度の影響を受けやすくなり、温度制御できなくなり、やはり加熱面１１ａに温度分布が形成されてしまうからである。 【００４２】 有底孔１４の直径は、０．３ｍｍ～５ｍｍであることが望ましい。これは、大きすぎると放熱性が大きくなり、また小さすぎると加工性が低下して加熱面１１ａとの距離を均等にすることができなくなるからである。 ・・・ 【００６４】 本発明のセラミック接合体を構成するセラミック基板は、半導体の製造や半導体の検査を行うためや、液晶基板の加熱等に用いられるものであり、具体的には、例えば、静電チャック、サセプタ、ホットプレート（セラミックヒータ）等が挙げられる。 ・・・ 【００６６】 本発明のセラミック接合体を構成するセラミック基板の内部に形成された導電体が静電電極および導体回路である場合には、上記セラミック接合体は、静電チャックとして機能する。 図４は、このような静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、図５は、その部分拡大断面図であり、図６は、静電チャックを構成する基板に形成された静電電極付近を模式的に示す水平断面図である。 【００６７】 この静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部には、半円形状のチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極上にセラミック誘電体膜３４が形成されている。また、セラミック基板３１の内部には、抵抗発熱体３２０が設けられ、シリコンウエハ等の被処理物を加熱することができるようになっている。なお、セラミック基板３１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。 【００６８】 上記静電電極は、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等の金属、または、タングステン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミックからなるものであることが好ましい。また、これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 この静電チャック３０は、図４、５に示した通り、セラミック基板３１中に静電電極３２ａ、３２ｂが形成され、静電電極３２ａ、３２ｂの端部の直下にスルーホール３３が形成され、静電電極３２上にセラミック誘電体膜３４が形成されている以外は、上述したホットプレート１０と同様に構成されている。 すなわち、セラミック基板３１の底面の中央付近には、熱伝導率がセラミック基板３１の８０％以下である筒状保護セラミック体３７が接合されている。 【００６９】 筒状保護セラミック体３７の内側の上方には、スルーホール３３、３３０が形成されており、これらのスルーホール３３、３３０は、静電電極３２ａ、３２ｂ、抵抗発熱体３２０に接続されるとともに、袋孔３９０に挿入された外部端子３６０に接続され、この外部端子３６０の一端には、導電線３３１を有するソケット３５０が接続されている。そして、この導電線３３１が貫通孔（図示せず）より外部に引き出されている。 【００７０】 また、筒状保護セラミック体３７の外側に端部を有する抵抗発熱体３２０の場合には、図１～３に示したホットプレート１０の場合と同様に、バイアホール３９、体回路３８０およびスルーホール３３０′を形成することより、抵抗発熱体３２０の端部を筒状保護セラミック体３７の内側に延設している（図５参照）。従って、スルーホール３３０′を露出させる袋孔３９０に外部端子３６０を挿入して接続することにより、筒状保護セラミック体３７の内側に外部端子３６０を格納することができる。 【００７１】 このような静電チャック３０を作動させる場合には、抵抗発熱体３２０および静電電極３２に、それぞれ電圧を印加する。これにより、静電チャック３０上に載置されたシリコンウエハが所定温度に加熱されるとともに、静電的にセラミック基板３１に吸着されることになる。なお、この静電チャックは、必ずしも、抵抗発熱体３２０を備えていなくてもよい。 【００７２】 この静電チャック３０では、セラミック基板３１の底面に、熱伝導率がセラミック基板３１の８０％以下である筒状保護セラミック体３７が接合されているため、筒状保護セラミック体３７を通って逃散する熱量が小さくなり、セラミック基板３１の加熱面の温度分布が小さくなる。」 「【図１】 ［図：0001435214000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001435214000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001435214000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001435214000004.jpg］ 【図５】 ［図：0001435214000005.jpg］ 【図６】 ［図：0001435214000006.jpg］ 」 （２） 甲１発明 ア 上記（１）の【００６６】には、「本発明のセラミック接合体を構成するセラミック基板の内部に形成された導電体が静電電極および導体回路である場合には、上記セラミック接合体は、静電チャックとして機能する。 図４は、このような静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、図５は、その部分拡大断面図であり、図６は、静電チャックを構成する基板に形成された静電電極付近を模式的に示す水平断面図である。」と記載されている。 また、上記（１）の【００６７】には、「この静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部には、半円形状のチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極上にセラミック誘電体膜３４が形成されている。」と記載されている。 また、上記（１）の【図４】から、符号３０で示された構成の内部に、符号３２ａ、３２ｂで示された構成が配設されていることが見て取れる。 そうすると、上記【００６６】に記載の「静電チャック」は、【００６７】に記載の「静電チャック３０」のことであり、甲１の【００６６】～【００７２】及び【図４】～【図６】には、「静電チャック３０」の発明が記載されているといえる。 イ 上記（１）の【００６７】には、「この静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部には、半円形状のチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極上にセラミック誘電体膜３４が形成されている。」と記載されている。 ここで、「チャック正負極静電層３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極」との記載や、【００６８】の「静電電極３２ａ、３２ｂ」との記載によれば、「チャック正負極静電層３２ａ、３２ｂ」と「静電電極３２ａ、３２ｂ」は同じものであるといえる。 そうすると、【００６７】の上記記載は、「この静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部には、半円形状の静電電極３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極上にセラミック誘電体膜３４が形成されている。」ということであるといえる。 ウ 上記（１）の【００６７】には、「セラミック基板３１の内部には、抵抗発熱体３２０が設けられ」ること、及び、「セラミック基板３１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい」ことが記載されている。 エ 上記（１）の【００６８】には、「この静電チャック３０は、図４、５に示した通り、セラミック基板３１中に静電電極３２ａ、３２ｂが形成され、静電電極３２ａ、３２ｂの端部の直下にスルーホール３３が形成され、静電電極３２上にセラミック誘電体膜３４が形成されている以外は、上述したホットプレート１０と同様に構成されている。」と記載されている。 ここで、甲１の【００１４】～【００４２】は「ホットプレート１０」についての記載であるから、上記（１）の【００６８】の「上述したホットプレート１０」は、上記（１）の【００１４】、【００１５】、【００１９】、【００２３】、【００３９】～【００４２】及び【図１】～【図３】に記載の構成を備えた「ホットプレート１０」のことであるといえる。 そうすると、上記アの「静電チャック３０」は、セラミック基板３１中に静電電極３２ａ、３２ｂが形成され、静電電極３２ａ、３２ｂの端部の直下にスルーホール３３が形成され、静電電極３２上にセラミック誘電体膜３４が形成されている以外は、上記（１）の【００１４】、【００１５】、【００１９】、【００２３】、【００３９】～【００４２】及び【図１】～【図３】に記載の構成を備えた「ホットプレート１０」と、同様の構成であるといえる。 オ 上記（１）の【００１５】には、「このホットプレート１０では、円板形状のセラミック基板１１の底面１１ｂの中央付近に・・・」と記載されており、ホットプレート１０のセラミック基板１１は円板形状であるとされている。 一方、上記（１）の【図６】から「セラミック基板３１」が円形であることが見て取れるが、さらに上記エの、静電チャック３０は、静電電極３２ａ、３２ｂ、スルーホール３３、セラミック誘電体膜３４が形成されている以外は、ホットプレート１０と同様の構成であること及び「セラミック基板１１」が「セラミック基板３１」に対応することを踏まえると、上記（１）の【００６７】に記載の「静電チャック３０を構成するセラミック基板３１」の形状は、円板形状であるといえる。 カ 上記（１）の【００６８】には、「セラミック基板３１の底面の中央付近には、熱伝導率がセラミック基板３１の８０％以下である筒状保護セラミック体３７が接合されている」ことが記載されている。 キ また、上記エを踏まえると、甲１に記載の「静電チャック３０」は、上記（１）の【００３９】～【００４２】に記載の有底孔及びこの有底孔に設けられる熱電対等の測温素子１８０を備えるものである。（なお、【図５】の符号「３８」は、「１８０」の誤記である。） そして、【００３９】に記載の「セラミック基板１１」は、【００６７】等に記載の「セラミック基板３１」に対応し、【００３９】に記載の「被加熱物を載置する加熱面１１ａ」及び【００４０】に記載の「加熱面１１ａ」は、【００７２】に記載の「セラミック基板３１の加熱面」に対応し、【００３９】に記載の「被加熱物を載置する加熱面１１ａの反対側」は、【００６８】、【００７２】に記載の「セラミック基板３１の底面」に対応し、【００１５】等に記載の「抵抗発熱体１２」は、【００６７】等に記載の「抵抗発熱体３２０」に対応するから、「静電チャック３０」は、【００３９】、【００４０】、【００４２】の記載を参酌すると、 （ア） セラミック基板３１の底面からセラミック基板３１の加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、有底孔の底を抵抗発熱体３２０よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に熱電対等の測温素子１８０を設けることが望ましく（【００３９】）、 （イ） 測温場所が抵抗発熱体３２０よりも加熱面に近く、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能となり（【００４０】）、 （ウ） 有底孔の直径は、０．３ｍｍ～５ｍｍであることが望ましい（【００４２】）、 との構成を備えるものといえる。 ク 上記（１）の【００６７】の「静電電極３２ａ、３２ｂ」、「抵抗発熱体３２０」との記載、【００６８】の「静電電極３２上にセラミック誘電体膜３４が形成されている」との記載、【００７１】の「静電チャック３０上に載置されたシリコンウエハ」との記載、及び、【００７２】の「セラミック基板３１の底面に、熱伝導率がセラミック基板３１の８０％以下である筒状保護セラミック体３７が接合されている」との記載を参酌すると、【図５】の符号３２ａ、３２ｂは、「静電電極３２ａ、３２ｂ」のことであり、符号３２０は、「抵抗発熱体３２０」のことであり、「セラミック基板３１の底面」とは、【図５】のセラミック基板３１の下側の面のことであり、「セラミック基板３１の加熱面」とは、セラミック誘電体膜３４の上側の面のことである。 そうすると、【図５】から、静電電極３２ａ、３２ｂがセラミック基板３１の加熱面側に位置し、抵抗発熱体３２０がセラミック基板３１の底面側に位置することが見て取れる。 ケ 上記（１）の【００７１】には、「静電チャック３０上に載置されたシリコンウエハが所定温度に加熱されるとともに、静電的にセラミック基板３１に吸着される」ことが記載されている。 コ 上記（１）及び上記ア～ケによれば、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。（なお、括弧内の記載は、上記検討箇所を示す。） 「静電チャック３０であって（ア）、 静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部に、半円形状の静電電極３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらの静電電極上にセラミック誘電体膜３４が形成されており（イ）、 セラミック基板３１の内部には、抵抗発熱体３２０が設けられており（ウ）、 セラミック基板３１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよく（ウ）、 静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の形状は、円板形状であり（オ）、 セラミック基板３１の底面の中央付近には、熱伝導率がセラミック基板３１の８０％以下である筒状保護セラミック体３７が接合されており（カ）、 セラミック基板３１の底面からセラミック基板３１の加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、有底孔の底を抵抗発熱体３２０よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に熱電対等の測温素子１８０を設けることが望ましく（キ（ア））、 測温場所が抵抗発熱体３２０よりも加熱面に近く、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能となり（キ（イ））、 有底孔の直径は、０．３ｍｍ～５ｍｍであることが望ましく（キ（ウ））、 静電電極３２ａ、３２ｂがセラミック基板３１の加熱面側に位置し、抵抗発熱体３２０がセラミック基板３１の底面側に位置し（ク）、 静電チャック３０上に載置されたシリコンウエハが所定温度に加熱されるとともに、静電的にセラミック基板３１に吸着される（ケ）、 静電チャック３０。」 ２ 甲２について 甲２には、次の記載がある。 「【請求項１】 円板形状のセラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、 前記セラミック基板の外周の少なくとも加熱面側の角部が面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。」 「【００１５】 【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０の基本的な構成を示したものであり、同図（ｂ）は、（ａ）の点線部分を拡大して示したものである。セラミックヒータ１０は、円板状のセラミック基板１２と該基板１２の加熱面の反対側面に同心円乃至渦巻き状に形成された発熱体（抵抗体）パターン１４を備え、セラミック基板１２の中央部領域には、リフトピン（図示せず）の挿通孔１６が、例えば３～２０箇所に貫通形成されている。同図では便宜的に２個所示してある。また挿通孔１６の外側に位置するように、またセラミック基板１２の加熱面の反対側面には、熱電対を収納するための凹所１８が形成されている。 ・・・ 【００４０】次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状について、図２～図５を参照して更に詳細に説明する。これらの図において、図２は、セラミック基板１２の断面を拡大して示したものであり、加熱面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ａの角部、加熱面の反対側面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ｂの角部に、面取り形状２４ａが形成された状態を示したものである。図３及び図４は、挿通孔１６（又は真空吸着孔２０）の孔壁面とセラミック基板表面で構成される角部にそれぞれ面取形状２４ａ，２４ｂが形成された状態を示したものである。このような面取形状２４ａ，２４ｂは、凹所１８（図５参照）にも施すことができる。凹所１８では、凹所１８の壁面と凹所１８の底面とで構成する角部、凹所１８の壁面とセラミック基板１２の表面で構成する角部が面取形状となっている。 ・・・ 【００４６】本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４ａ（図２、図３参照）に加え、尖鋭部を小さな丸みをもった形状とする面取２４ｂ（図４、図５参照）を含み、以下、混同を避けるために面取２４ａを「Ｃ面２４ａ」、面取２４ｂを「Ｒ面２４ｂ」という。 【００４７】本発明において、前記Ｃ面の大きさ（図２に仮想線で示すように、Ｃ面２４ａを斜辺として含む直角三角形の１辺の長さをいう）は２５～２５００μｍが望ましく、好ましくは１００～５００μｍの範囲内である。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。一方Ｒ面の曲率半径ｒは、１５～５０００μｍが望ましく、好ましくは２００～１５００μｍである。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。また、Ｃ面の大きさ、曲率半径ｒは、本体１０外周部、挿通孔１６、及び真空吸引孔２０に於いては、セラミック基板１２の厚みの１／２を超えない範囲に、また凹所１８に於いては、その深さの１／２を超えない範囲に止めることが好ましい。 ・・・ 【００４９】また、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータは、これに静電電極を設けることにより、静電チャックとしたり、あるいは表面にチャックトップ導体層を設け更に、内部にガード電極、グランド電極を設けることによりウエハプローバとすることができる。ちなみに、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０～８００℃の温度領域で使用することができる。」 「【００５８】 【実施例】（実施例１）発熱体をセラミック基板表面に有するセラミックヒータの製造（１）平均粒子径０．６μｍ窒化アルミニウム粉末１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部及びアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。 【００５９】（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。この生成形体に直径１０ｍｍ、０．１ｍｍのドリルでドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピン（リフタピン）を挿入する貫通孔となる部分（直径２５ｍｍ）を１８箇所、なお、熱電対を埋め込むための凹所となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）５箇所（図１３のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｆ，Ｇ）を形成した。 ・・・ 【００６５】（８）温度制御のための熱電対を８１．７Ａｕ－１８．３Ｎｉの金ローで接続し、（１０３０℃で加熱して融着）、セラミックヒータを得た。半導体ウエハの支持ピン（リフタピン）を挿入する貫通孔となる部分の面取構造はＣ面とし、その大きさは１５μｍ、２００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、８００μｍとして設計し、凹所底面のＲ面の大きさを、１０μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍ、１２００μｍとして設計した。 ・・・ 【００６８】 【表１】 ［図：0001435214000007.jpg］ 」 ３ 甲３について 甲３には、次の記載がある。 「【請求項１】 排気可能になされた処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、 板状の載置台本体の上に前記被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、前記載置台本体と前記熱拡散板との境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、 前記載置台に設けられた加熱手段と、 前記載置台を支持するために前記処理容器の底部より起立させて設けられて上端部が前記載置台の下面に接続されると共に前記ガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管と、 前記載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材と、 前記支柱管の周囲を囲むと共に上端部が前記載置台カバー部材に連結されて、前記ガス拡散室から前記載置台本体と前記載置台カバー部材との間の隙間に流れた前記パージガスを下方へ案内してガス出口から排出する支柱管カバー部材と、 を備えたことを特徴とする載置台構造。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の処理装置及び載置台構造に関する。」 「【発明を実施するための形態】 【００２１】 以下に、本発明に係る載置台構造及び処理装置の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。 図１は本発明に係る載置台構造を有する処理装置を示す断面構成図、図２は載置台に設けた加熱手段の一例を示す平面図、図３は図１中のＡ－Ａ線に沿った矢視断面図、図４は図１中の載置台構造の一部の支柱管の部分を代表的に取り出して示す部分拡大断面図、図５は図４中の載置台構造の組み立て状態を説明するための説明図、図６は載置台構造中におけるパージガスの流れを示す部分拡大断面図である。ここではプラズマを用いて成膜処理を行う場合を例にとって説明する。尚、以下に説明する「機能棒体」とは、１本の金属棒のみならず可撓性のある配線、複数の配線を絶縁材で被覆して１本に結合して棒状に形成された部材等も含むものとする。 ・・・ 【００２７】 そして、この処理容器２２内の上記ガス排気空間４３を区画する底部４４Ａには、これより起立させて本発明の特徴とする載置台構造５４が設けられる。具体的には、この載置台構造５４は、上面に上記被処理体を載置するための載置台５８と、上記載置台５８に接続されると共に、上記載置台５８を上記処理容器２２の底部から起立させて支持するための１又は複数の支柱管６０と、上記載置台５８を覆う載置台カバー部材６３と、上記支柱管６０の周囲を囲む支柱管カバー部材６５とを主に有している。ここでは、支柱管６０は複数本設けられており、全ての支柱管６０内に機能棒体６２が挿通されている。 ・・・ 【００３１】 また上記兼用電極６６は、上述のように不透明な熱拡散板６１内に設けられている。この兼用電極６６は例えばメッシュ状に形成された導体線よりなり、この兼用電極６６の接続端子は載置台５８の中心部に位置されている。ここでは、この兼用電極６６は、静電チャック用のチャック電極と高周波電力を印加するための下部電極となる高周波電極とを兼用するものである。 ・・・ 【００３８】 この場合、図４に示すように、上記接続端子７８Ａ及び熱電対８０、８１が通る載置台本体５９の部分にはそれぞれ貫通孔８４、８６が形成されると共に、上記載置台本体５９の上面には各貫通孔８４、８６に連通される。図４には機能棒体６２として、ヒータ給電棒７０、兼用給電棒７８及び２本の熱電対８０、８１が代表的に記載されている。」 「【図４】 ［図：0001435214000008.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 本件発明１ （１） 本件発明１と甲１発明との対比 ア 「セラミックプレート」について （ア） 甲１発明の「シリコンウエハ」は、本件発明１の「ウェハ」に相当する。 （イ） 甲１発明は、「セラミック基板３１の加熱面」に、シリコンウエハを載置して、シリコンウエハを加熱するものであるから、甲１発明の「セラミック基板３１の加熱面」は、本件発明１の「ウェハが載置されるための第一面」に相当し、甲１発明の、「セラミック基板３１の底面」は、本件発明１の「前記第一面と対向する第二面」に相当する。 （ウ） 甲１発明の「静電電極３２ａ、３２ｂ」は、「セラミック基板３１の内部」に「配設され」たものであって、「セラミック基板３１の加熱面側に位置」するものであるから、上記（イ）を考慮すると、本件発明１の「第一電極」と、「第一面寄りの深さ位置に」「埋設された」点で共通する。 （エ） 甲１発明の「抵抗発熱体３２０」は、「セラミック基板３１の内部」に「設けられ」たものであって、「セラミック基板３１の底面側に位置」するものであるから、上記（イ）を考慮すると、本件発明１の「第二面寄りの深さ位置に」「埋設され」ており、「ヒータ電極を含む」「第二電極」に相当する。 （オ） 甲１発明の「セラミック基板３１」は、円板形状であるから、本件発明１の「円板状のセラミックプレート」と「円板状のセラミックプレート」である点で共通する。 イ 「セラミックシャフト」について 甲１発明の「筒状保護セラミック体３７」は、セラミック基板３１の底面に接合されたものであるから、本件発明１の「前記セラミックプレートの第二面に取り付けられ、内部空間を有する円筒状のセラミックシャフト」に相当する。 ウ 「熱電対穴」について （ア） 本件発明１の「前記セラミックプレートにおいて、前記第二面の前記内部空間に面する位置から、前記第一電極と前記第二電極の間の深さ位置まで形成される熱電対穴」と、甲１発明の「セラミック基板３１の底面からセラミック基板３１の加熱面に向けて」設けられ、「有底孔の底を抵抗発熱体３２０よりも相対的に加熱面に近」く、「熱電対等の測温素子１８０を設ける」「有底孔」とは、「前記セラミックプレートにおいて、前記第二面の前記内部空間に面する位置から、所定の深さ位置まで形成される熱電対穴」である点で共通する。 （イ） また、甲１発明の「有底孔」は、「有底孔の直径は、０．３ｍｍ～５ｍｍであることが望まし」いものであり、本件発明１の「前記熱電対穴の直径が０．２０ｍｍ以上であり」を満たすものである。 以上によれば、本件発明１と甲１発明は、次の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 ウェハが載置されるための第一面と、前記第一面と対向する第二面とを有し、前記第一面寄りの深さ位置に第一電極が、前記第二面寄りの深さ位置に第二電極がそれぞれ埋設された、円板状のセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの第二面に取り付けられ、内部空間を有する円筒状のセラミックシャフトと、 前記セラミックプレートにおいて、前記第二面の前記内部空間に面する位置から、所定の深さ位置まで形成される熱電対穴と、 を備えたセラミックサセプタであって、 前記熱電対穴の直径が０．２０ｍｍ以上であり、 前記第二電極がヒータ電極を含む、セラミックサセプタ。」 ［相違点］ ［相違点１］ 本件発明１は、「熱電対穴」が、「前記第二面の前記内部空間に面する位置から、前記第一電極と前記第二電極の間の深さ位置まで形成される」ものであって、「前記熱電対穴の底部から前記第一電極までの距離Ｂが、前記第一面から前記第一電極までの距離Ａよりも長く、かつ、前記熱電対穴の底部から前記第二電極までの距離Ｃが、前記距離Ａよりも長」いのに対して、甲１発明は、「有底孔の底を抵抗発熱体３２０よりも相対的に加熱面に近く」に形成し、「測温場所が抵抗発熱体３２０よりも加熱面に近く、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能とな」るものである点。 ［相違点２］ 本件発明１は、「熱電対穴が、前記熱電対穴の中心軸に垂直な方向に断面視した場合に曲率半径０．１０ｍｍ以上のＲ形状を底部外周又は底部に有し」ているのに対して、甲１発明は、そのような構成となっているか明らかでない点。 ［相違点３］ 本件発明１は、「前記第一電極がＲＦ電極を含」むものであるのに対して、甲１発明は、「静電電極３２ａ、３２ｂ」が、そのような構成となっているか明らかでない点。 （２） 申立理由についての判断 相違点１について検討する。 甲１には、有底孔の底から静電電極３２ａ、３２ｂまでの距離（本件発明１の「距離Ｂ」に相当）を、セラミック誘電体膜３４の厚さ（本件発明１の「距離Ａ」に相当）よりも長くすることは、記載も示唆もなく、甲１発明において、有底孔の底からチャック静電電極３２ａ、３２ｂまでの距離（本件発明１の「距離Ｂ」に相当）を、セラミック誘電体膜３４の厚さ（本件発明１の「距離Ａ」に相当）よりも長くする動機付けはない。 したがって、甲１発明において、相違点１の構成を採用することは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～３に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 異議申立人の主張について ア 異議申立人は、異議申立書の第２５頁第８行～第１２行において、有底孔１４の底部から静電電極３２ａ、３２ｂまでの距離Ｂが、セラミック基板３１の上面から静電電極３２ａ、３２ｂまでの距離Ａよりも長いことが、甲１の図５に示されている旨主張する。 しかしながら、図面は実施例をわかりやすく説明するための補助的なものであって、具体的な寸法を記載した設計図ではない。また、甲１発明は、「有底孔の底を抵抗発熱体３２０よりも相対的に加熱面に近く形成し」、「測温場所が抵抗発熱体３２０よりも加熱面１１ａに近く、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能とな」るものであり、加熱面と有底孔の底との距離（本件発明１の「距離Ａ」と「距離Ｂ」に「第一電極」の厚さを加えたものに対応）と、有底孔の底から抵抗発熱体３２０までの距離（本件発明１の「距離Ｃ」に相当）との関係を示すのみであって、セラミック誘電体膜３４の厚さ（本件発明１の「距離Ａ」に相当）と有底孔の底から静電電極３２ａ、３２ｂまでの距離（本件発明１の「距離Ｂ」に相当）の関係を考慮するものではない。したがって、上記の主張は採用できない。 イ また、異議申立人は、異議申立書の第２５頁第１３行～第２５行において、（ア）保持対象物に対する吸着力を大きくするため、セラミック基板の上面から静電電極までの距離を可能な限り小さくすることは、静電チャックを含む半導体製造装置が属する技術分野において技術常識であり、（イ）セラミック基板の内部に挿入される熱電対と電極とを確実に絶縁するため、熱電対と電極との間において、十分な沿面距離および絶縁距離を確保する必要があることから、（ウ）熱電対が挿入される有底孔と電極との間の距離がセラミック基板の上面から静電電極までの距離よりも大きくなることは、静電チャックとして機能させるための必然的な結果に過ぎない旨主張する。 しかしながら、異議申立人は、上記の主張の根拠となる証拠を何ら提示していないから、上記の主張は採用できない。 ウ また、異議申立人は、異議申立書の第２６頁第１行～第７行において、本件特許の願書に添付した明細書には、距離Ａ、Ｂ、Ｃの関係により効果が発揮される旨の記載がない旨主張する。 しかしながら、本件特許の願書に添付した明細書の【００２４】には「熱電対穴１６の底部１６ｂから第一電極１８までの距離Ｂが、第一面１２ａから第一電極１８までの距離Ａよりも長い（すなわちＡ＜Ｂ）のが好ましい。この熱電対穴１６の底部１６ｂから第一電極１８までの距離Ｂは、図１に示されるように、底部１６ｂと第一電極１８の（セラミックプレート１２の厚さ方向における）離間距離として定義される。このような位置関係とすることで、第一電極１８と底部外周１６ａ又は底部１６ｂとの間における距離が十分に離れる。その結果、絶縁距離を十分に確保でき、アーキングを防ぐことができる。これによりアーキングに起因したクラックを抑制することができる。すなわち、第一電極１８（例えばＲＦ電極）に電圧を印加した結果、第一電極１８と第一面１２ａとの間でアーキングによる絶縁破壊が生じた場合であっても、距離Ｂとして距離Ａを超える絶縁距離が確保されていれば穴底と内部電極との間における絶縁破壊の発生をより効果的に防止できる。」と記載されているから、上記の主張は採用できない。 ２ 本件発明２、３ 上記第２のとおり、本件発明２、３は、本件発明１の全ての構成を有するものであり、いずれも上記相違点１に係る本件発明１の構成を有している。 そうすると、本件発明２、３と甲１発明を対比すると、少なくとも、上記相違点１の構成で相違するから、本件発明１について判断したことと同様の理由により、本件発明２、３も、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～３に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３ 小括 以上によれば、本件発明１～３は、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないし、甲２～３に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 したがって、異議申立人の主張する申立理由は理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び異議申立人の提出した証拠によっては、本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。