2025-700518

特許第７５８３９３３号発明「ウエハ載置台」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５８３９３３号の請求項１、２、３、６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７５８３９３３号（以下「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、２０２２年（令和４年）１１月１１日を国際出願日とする出願であって、令和６年１１月６日にその特許権の設定登録がされ、同年１１月１４日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許の請求項１、２、３、６に係る特許に対し、令和７年５月１３日に特許異議申立人 佐藤 義光（以下「申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 特許７５８３９３３号の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 上面にウエハ載置部を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの下面に接合され、冷媒流路を有する冷却プレートと、 前記冷却プレートの上面と前記冷媒流路との間に設けられたスペース層と、 前記冷却プレートのうち前記スペース層を取り囲むスペース層形成部と、 を備え、 前記スペース層形成部は、繋ぎ目を有し、 前記繋ぎ目は、シール部材を介在させることなく金属接合によって形成されている、 ウエハ載置台。 【請求項２】 前記スペース層は、平面視で前記冷媒流路の全体を覆っている、 請求項１に記載のウエハ載置台。 【請求項３】 前記スペース層には、前記スペース層形成部の天井面と底面とを繋ぐ複数の柱状部材が設けられている、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 【請求項４】 前記冷却プレートのうち前記柱状部材の直上又は直下には、前記スペース層とは別の空洞部が設けられている、 請求項３に記載のウエハ載置台。 【請求項５】 前記スペース層には、前記スペース層形成部の天井面及び底面の少なくとも一方に高さが前記スペース層の厚みよりも短い複数の凸部が設けられている、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 【請求項６】 請求項１又は２に記載のウエハ載置台であって、 前記スペース層に接続され、前記スペース層に対して流体の供給と排出を切り替え可能な流体切替機構 を備えたウエハ載置台。」 第３ 申立理由の概要 異議申立人は、証拠として以下の甲第１号証（以下「甲１」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１、２、３、６に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 すなわち、本件特許の請求項１、２、３、６に係る発明は、甲１に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲１に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、３、６に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものである。 甲１：特開２００１－１１０８８５号公報 第４ 当審の判断 １ 甲１の記載と甲１発明 （１） 甲１の記載 甲１には以下の記載がある。（強調のため、当審において下線を付した。） 「【請求項１】半導体基板を保持するための保持部材と、冷却を行うための冷却部材を備えた吸着装置において、前記保持部材と前記冷却部材との間にガスを封入、排出できる伝熱ガス室を設けたことを特徴とする吸着装置を備えた半導体処理装置。 【請求項２】前記保持部材の内部に吸着用電極を備え、前記半導体基板と前記保持部材との間にガスを導入する手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置。 【請求項３】前記冷却部材の内部に冷媒を流入することを特徴とする請求項１もしくは２に記載の半導体処理装置。 【請求項４】前記保持部材の内部に発熱体を備えたことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の半導体処理装置。」 【請求項５】前記半導体基板と前記保持部材と、前記冷却部材と前記伝熱ガス室が、上から前記処理体、前記保持部材、前記伝熱ガス室、前記冷却部材の順に配置されたことを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の半導体処理装置。」 「【００１６】図２は第１の実施例の吸着装置１の側断面図であり、半導体基板４を吸着した時の様子を拡大して示している。吸着装置１は大きく分けて保持部材２３、冷却部材２４とカバー１０から構成されている。保持部材２３の上面には絶縁材３の膜を形成し、その上に吸着用電極２を設置し、その上に再度絶縁材３の膜を形成することにより半導体基板載置面５を形成する。吸着用電極２にプラス、吸着用電極２’にマイナスの両極の電圧を印可することによって半導体基板４が半導体基板載置面５に吸着する。吸着装置１全体を上下に貫通してプッシャーピン２８を設けており、搬送アーム（ここには図示しない）を用いて処理室内に搬入した半導体基板４を吸着装置１へと受け渡す働きをする。保持部材２３は発熱体２５を内蔵し、その発熱量を制御することにより、保持部材２３を所望の温度に加熱することができる。半導体基板４と半導体基板載置面５との間にヘリウムなどの伝熱ガスを供給するため保持部材２３の内部に伝熱ガス供給管６を設けている。この伝熱ガスの圧力を制御することにより、半導体基板４と半導体基板載置面５との間の熱コンダクタンスを調節する。 【００１７】冷却部材２４の内部には冷媒流路７を形成し、外部に接続した冷却装置によって冷媒供給口８から冷媒を供給し、冷媒流路７を通り、冷媒排出口９から排出することにより冷却部材２４を冷却する。プラズマ処理中に半導体基板４が受ける熱は、この冷却部材２４を介して冷媒流路７の内部を流れる冷媒に逃がしている。 【００１８】保持部材２３と前記冷却部材２４との間には、ガスを封入する伝熱ガス室２６を設けてある。図２に示す実施例では冷却部材２４の上面に凹みを設けることにより、保持部材２３との間に伝熱ガス室２６を形成している。なお、保持部材２３と冷却部材２４とは，伝熱ガス室２６の外周部分、プッシャーピン２８貫通穴の外側が溶接により接合されており、密閉空間となっている。保持部材２３と冷却部材２４を溶接で接合するため、この両者は金属により形成する。この伝熱ガス室２６内に管２７を通してヘリウムガスなどの気体を封入したり排出することにより、伝熱ガス室２６内の圧力を制御し、これによって保持部材２３と冷却部材２４との間の熱コンダクタンスを調節する構造としてある。」 「【図２】 ［図：0001428009000001.jpg］ 」 （２） 甲１発明 上記（１）の記載によれば、甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているといえる。なお、括弧内は、上記（１）における引用箇所を示す。 ［甲１発明］ 吸着装置１は大きく分けて保持部材２３、冷却部材２４とカバー１０から構成されている吸着装置１であって、 保持部材２３の上面には絶縁材３の膜を形成し、その上に吸着用電極２を設置し、その上に再度絶縁材３の膜を形成することにより半導体基板載置面５を形成し、 保持部材２３は発熱体２５を内蔵し、（段落００１６） 冷却部材２４の内部には冷媒流路７を形成し、（段落００１７） 保持部材２３と前記冷却部材２４との間には、ガスを封入する伝熱ガス室２６を設けてあり、冷却部材２４の上面に凹みを設けることにより、保持部材２３との間に伝熱ガス室２６を形成しており、保持部材２３と冷却部材２４とは、伝熱ガス室２６の外周部分、プッシャーピン２８貫通穴の外側が溶接により接合されて密閉空間となっており、保持部材２３と冷却部材２４を溶接で接合するため、この両者は金属により形成した、（段落００１８） 吸着装置１。 ２ 本件発明１について （１） 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 ア 「セラミックプレート」について 甲１発明の「保持部材２３」は、「上面には絶縁材３の膜を形成し、その上に吸着用電極２を設置し、その上に再度絶縁材３の膜を形成することにより半導体基板載置面５を形成し」たものであるところ、「上面には」「半導体基板載置面５を形成した」ことは、本件発明１の「セラミックプレート」が「上面にウエハ載置部を有」することに相当する。また、「絶縁材３の膜を形成し、その上に吸着用電極２を設置し、その上に再度絶縁材３の膜を形成すること」について、「吸着用電極２」は本件発明１の「電極」に相当し、さらに甲１発明の「吸着用電極２」は、保持部材２３に内蔵されているといえる。また、甲１の図２を参照すれば、「保持部材２３」はプレートといえる。 そうすると、本件発明１の「セラミックプレート」と甲１発明の「保持部材２３」とは、「上面にウエハ載置部を有し、電極を内蔵する」「プレート」である点で共通する。 イ 「冷却プレート」について 甲１発明の「冷却部材２４」は、保持部材２３の半導体載置面５が形成された上面とは反対側の下面に接合されたものである。また、「冷却部材２４」の内部に形成した「冷媒流路７」は、本件発明１の「冷却プレート」が有する「冷媒流路」に相当する。さらに、甲１の図２を参照すれば、「冷却部材２４」はプレートといえる。 そうすると、本件発明１の「冷却プレート」と甲１発明の「冷却部材２４」とは、「前記」「プレートの下面に接合され、冷媒流路を有する冷却プレート」である点で共通する。 ウ 「スペース層」について 本件特許に係る明細書（段落００２３）には「流体切替機構６０は、ガス供給通路３８からスペース層３４にガスを供給したあとガス供給通路３８及びガス排出通路３９を閉じることにより、スペース層３４内にガスを封入することができる。」と記載されている。 そうすると、甲１発明の「ガスを封入する伝熱ガス室２６」は、本件発明１の「スペース層」に相当する。 エ 「スペース層形成部」について 甲１発明の「伝熱ガス室２６」は、「密閉空間」であるから、密閉空間を取り囲み、伝熱ガス室２６を形成するための構成を備えるといえるところ、甲１発明の伝熱ガス室２６を形成するための前記構成と、本件発明１の「スペース層形成部」とは、「前記スペース層を取り囲むスペース層形成部」である点で共通する。 オ 「繋ぎ目」について 甲１発明は、「保持部材２３と冷却部材２４とは、伝熱ガス室２６の外周部分、プッシャーピン２８貫通穴の外側が溶接により接合されて密閉空間となっており、保持部材２３と冷却部材２４を溶接で接合するため、この両者は金属により形成した」ものであるところ、保持部材２３と冷却部材２４が溶接で接合される、「伝熱ガス室２６の外周部分」及び「プッシャーピン２８貫通穴の外側」は、繋ぎ目といえる。さらに、「溶接」は金属接合といえ、また、シール部材を介在させない接合であることは明らかである。 そうすると、甲１発明と本件発明１とは、「前記スペース層形成部は、繋ぎ目を有し、前記繋ぎ目は、シール部材を介在させることなく金属接合によって形成されている」との構成を備える点で一致する。 カ 「ウエハ載置台」について 甲１発明の「吸着装置１」は、半導体基板載置面５を形成した保持部材２３の上面に半導体基板、すなわちウエハが載置される台といえる点で、本願発明１の「ウエハ載置台」に相当する。 キ 以上によれば、本願発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 上面にウエハ載置部を有し、電極を内蔵するプレートと、 前記プレートの下面に接合され、冷媒流路を有する冷却プレートと、 スペース層と、 前記スペース層を取り囲むスペース層形成部と、 を備え、 前記スペース層形成部は、繋ぎ目を有し、 前記繋ぎ目は、シール部材を介在させることなく金属接合によって形成されている、 ウエハ載置台。 ［相違点］ ＜相違点１＞ 「上面にウエハ載置部を有し、電極を内蔵するプレート」について、本件発明１では「セラミックプレート」であるのに対し、甲１発明では、「金属により形成した」ものである点。 ＜相違点２＞ 「スペース層」について、本件発明１では、「前記冷却プレートの上面と前記冷媒流路との間に設けられた」ものであるのに対し、甲１発明では、「保持部材２３と前記冷却部材２４との間」に設けられたものである点。 （２） 判断 ア 新規性について 甲１発明は、相違点１及び相違点２に係る本件発明１の各構成を備えておらず、また、下記イのとおり、相違点１及び相違点２は実質的な相違点であるといえるから、本件発明１は甲１発明ではない。 イ 進歩性について （ア） 相違点１について検討するに、甲１発明は、「保持部材２３と冷却部材２４を溶接で接合するため、この両者は金属により形成した」ものであって、保持部材２３を、セラミック製にした場合、冷却部材２４と溶接できないから、保持部材２３をセラミックス製にすることはできない。 したがって、相違点１に係る本件発明１の構成は、甲１発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない。 （イ） 相違点２について検討すると、本件発明１の「スペース層」は、「前記冷却プレートの上面と前記冷媒流路との間」、すなわち、冷却プレートの内部に設けられたものであるところ、甲１には、伝熱ガス室２６を冷却部材２４の内部に設けることは記載されておらず、本件特許に係る出願前にこの点が技術常識であるという証拠もない。 したがって、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない。 （ウ） よって、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書（以下「申立書」という。）において、甲１に記載された一対の「絶縁材３の膜」の全体が本件発明１の「セラミックプレート」に該当し（申立書７頁～８頁の（ア）の項）、「保持部材２３」及び「冷却部材２４」の全体が、本件発明１の「冷却プレート」に該当する（申立書８頁～９頁の（イ）の項）ことを前提とし、本件発明１は甲第１号証に記載されたものであり（申立書１２頁の（４－１－４）の項）、そのため甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものである（申立書１３頁の（４－２－３）の項）と主張している。 イ 申立人の主張について検討する。 （ア） 甲１発明は、「吸着装置１は大きく分けて保持部材２３、冷却部材２４とカバー１０から構成されている吸着装置１であって、保持部材２３の上面には絶縁材３の膜を形成し、その上に吸着用電極２を設置し、その上に再度絶縁材３の膜を形成することにより半導体基板載置面５を形成し」たものであり、「保持部材２３」は「金属により形成した」ものであり、甲１の請求項２には、「前記保持部材の内部に吸着用電極を備え」との記載もある。そして、「保持部材２３」は、半導体基板を保持するための部材と解されるから、金属で形成された部分（以下「保持部材２３本体」という。）と、保持部材２３本体上に形成された、間に半導体基板を吸着して保持するための吸着用電極２を設置した絶縁材３の膜（以下「吸着用電極２を設置した絶縁材３」という。）を含むといえる。 そうすると、申立人が主張するとおり、甲１に記載された一対の「絶縁材３の膜」の全体が本件発明１の「セラミックプレート」に該当するとしても、甲１発明の吸着用電極２を設置した絶縁材３は、保持部材２３本体に接合したものではない。 よって、甲１に記載された発明は、本件発明１の「前記セラミックプレートの下面に接合され」との構成を備えていない。 （イ） また、申立人は、「保持部材２３」及び「冷却部材２４」の全体が、本件発明１の「冷却プレート」に該当すると主張しているが、上記（ア）で説示したとおり、甲１発明の「保持部材２３」は吸着用電極２を設置した絶縁材３を備えるから、甲１発明の「保持部材２３」及び「冷却部材２４」の全体は、本件発明１の「冷却プレート」に該当しない。 仮に、保持部材２３本体と冷却部材２４を合わせたものを検討しても、保持部材２３は、発熱体２５を内蔵するから、本件発明１の「冷却プレート」とはいえない。 さらに、甲１の請求項５の「前記半導体基板と前記保持部材と、前記冷却部材と前記伝熱ガス室が、上から前記処理体、前記保持部材、前記伝熱ガス室、前記冷却部材の順に配置されたこと」との記載、及び段落００２０の第２の実施例についての「この実施例では、保持部材２３と冷却部材２４とをボルト３０によって機械的に固定している。冷却部材２４に伝熱ガス室２６の外周部分、プッシャーピン２８貫通穴の外側に円形状の溝を形成し、Oリング３１により伝熱ガス室２６内のガスが漏れないようにシールしている。」との記載に照らせば、甲１において、保持部材２３と冷却部材２４を合わせて１つの部材とすることは、想定していない事項といえる。 したがって、甲１を申立人が主張するとおりの「保持部材２３」及び「冷却部材２４」の全体が、本件発明１の「冷却プレート」に該当するということはできず、甲１に記載された発明は、本件発明１の「前記冷却プレートの上面と前記冷媒流路との間に設けられたスペース層」との構成を備えていない。 （ウ） 上記（ア）、（イ）によれば、本件発明１は甲１に記載された発明ではなく、上記（２）イのとおり、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （４） 本件発明１についての小括 以上のとおり、本件発明１は甲１発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、また、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明の請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものではない。 ３ 本件発明２、３、６について 本件特許の請求項２、３、６は、いずれも請求項１を引用するから、本件発明２、３、６は、本件発明１の発明特定事項を全て含むものである。 そうすると、本件発明２、３、６は、上記２（１）の相違点１及び相違点２に係る構成を備えているから、上記２（２）で判断した理由と同様の理由により、甲１発明ではなく、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 よって、本件特許の請求項２、３、６に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものではない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、特許７５８３９３３号の請求項１、２、３、６に係る特許を取り消すことはできない。 よって、結論のとおり決定する。