2025-700480

特許第７５７７５５８号発明「保持部材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５７７５５８号の請求項１、５及び６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５７７５５８号の請求項１、５及び６に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、令和３年（２０２１年）２月１５日の出願であって、令和６年１０月２５日にその特許権の設定登録がされ、同年１１月５日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許に対し、令和７年４月２８日に特許異議申立人 佐藤 義光（以下「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 特許第７５７７５５８号の請求項１、５及び６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明５」及び「本件発明６」といい、併せて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１、５及び６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 外周が円形状または略円形状の対象物を保持する保持面を備える保持部と、 前記保持部に対し前記保持面側とは反対側に配置され、前記対象物を冷却する冷媒を流す流路を備える冷却部と、 を有する保持部材において、 前記保持面側から前記保持部材を見たときに、 前記保持部は、 当該保持部の外周が略円形状に形成されており、 前記保持部の外周の一部に、前記保持部の外周により形成される仮想円よりも径方向の内側に形成される部分であって、前記対象物の周方向の位置合わせを行うための位置合わせ部を備え、 前記位置合わせ部と前記流路とが重なるように配置されていること、 を特徴とする保持部材。 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つの保持部材において、 前記保持面側から前記保持部材を見たときに、 前記位置合わせ部は、直線状に形成されていること、 を特徴とする保持部材。 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つの保持部材において、 前記保持面側から前記保持部材を見たときに、 前記位置合わせ部の全てが前記流路と重なるように配置されていること、 を特徴とする保持部材。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人の提出した証拠 異議申立人は、次の甲第１号証～甲第６号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲６」という。）を証拠として提出している。 甲第１号証（甲１）：特開２００６－２６１５４１号公報 甲第２号証（甲２）：特開平９－２８９２０１号公報 甲第３号証（甲３）：特開２０２０－９６１８１号公報 甲第４号証（甲４）：特開平９－１７７７０号公報 甲第５号証（甲５）：特開２００８－１７２２１４号公報 甲第６号証（甲６）：特開平７－１３０８３０号公報 ２ 特許異議の申立理由 異議申立人の主張する特許異議の申立ての理由（進歩性欠如）は、概略、本件発明は、甲１～甲６に記載された発明あるいは事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明についての特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである、というものであり、より具体的には以下のとおりである。 （１） 甲１を主引用例とする進歩性欠如 本件発明１、５及び６は、甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２） 甲６を主引用例とする進歩性欠如 本件発明１、５及び６は、甲６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ 異議申立人の提出した証拠の記載 １ 甲１について （１） 甲１の記載及び甲１から認定できる事項 甲１には、以下の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「【０００５】 一般に、ウエハを載置する基板載置台には、熱伝導性に優れたＡｌなどの金属材料が用いられる。このため、特許文献１のように２系統の冷媒流路を設け、基板載置台内で温度格差を持たせようとしても熱の移動が生じてしまい、温度の制御性や、応答性が悪く、意図するような温度格差を生じさせることは困難であった。つまり、せっかく２系統の冷媒流路を設けても、二つの領域の境界が不明確であり、また、双方からの熱の移動によって素早い温度調節も困難であることから、基板載置台の温度分布を高精度に制御することは出来ない。その結果として、ウエハ面内温度の均一化、さらには処理の均一化も十分に実現できないという課題があった。 従って、本発明の目的は、基板載置台による温度制御を高精度なものとし、ウエハ面内における処理の均一化を図ることである。」 「【００２６】 チャンバ１０の底部には、セラミックス等からなる絶縁板１２を介して下側から、円柱状の第１のサセプタ板１３、第２のサセプタ板１４、第３のサセプタ板１５が積層され、さらにその上に第４のサセプタ板１６が積層されている。これら第１～第４のサセプタ板１３，１４，１５，１６は例えばアルミニウムからなり、一体に接合されて基板載置台１７を形成しており、その上に被処理基板である半導体ウエハＷが載置される。また、基板載置台１７は下部電極としても機能する。 【００２７】 基板載置台１７の上面には、半導体ウエハＷを静電力で吸着保持する静電チャック１８が設けられている。この静電チャック１８は、導電膜からなる電極２０を一対の絶縁層または絶縁シートで挟んだ構造を有するものであり、電極２０には直流電源２２が電気的に接続されている。そして、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により半導体ウエハＷが静電チャック１８に吸着保持される。」 「【００２９】 基板載置台１７の内部には、環状をした内側の冷媒室２８と、該内側の冷媒室２８を囲むように環状をした外側の冷媒室２９と、が設けられている。これらの冷媒室２８，２９には、外部に設けられた図示しないチラーユニットより配管２８ａ，２９ａを介して所定温度の冷媒、例えば冷却水が供給され、ここでは図示しない配管２８ｂ，２９ｂを通じて排出されることにより、冷媒の循環が行なわれる。そして、循環される冷媒の温度によって基板載置台１７上の半導体ウエハＷの処理温度を制御することができる。基板載置台１７の内側の冷媒室２８と、外側の冷媒室２９との間には、空隙部３０が円筒状に設けられ、この空隙部３０は、バルブ７１を介して排気手段としての真空ポンプ７２に接続されている。この空隙部３０の詳細な構成については後述する。」 「【００５９】 ステップＳ１２では、冷媒室２８と２９に、配管２８ａと２８ｂを通じて、温度の異なる冷媒をそれぞれ導入する。例えば、プラズマエッチングの処理時に、ウエハＷの周辺部の方が加熱しやすい場合には、冷媒室２８と冷媒室２９に導入する冷媒に温度差を持たせ、基板載置台１７の周辺部に設けられた冷媒室２９に温度の低い冷媒を導入する。前記したように、真空状態の空隙部３０内は断熱層として機能するので、基板載置台１７の中央部の領域と周辺部の領域の熱の移動が抑制され、これら二つの領域の温度制御を応答性良く、独立的に行なうことができる。」 「 ［図：0001425819000001.jpg］ 」 「 ［図：0001425819000002.jpg］ 」 また、上記【００２７】及び上記図３によれば、半導体ウエハＷが静電チャック１８の上面に吸着保持されていることが見て取れる。 （２） 甲１発明 上記（１）によれば、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 ［甲１発明］ 「 基板載置台１７の上面には、半導体ウエハＷを静電力で吸着保持する静電チャック１８が設けられており、半導体ウエハＷが静電チャック１８の上面に吸着保持され、 基板載置台１７の内部には、環状をした内側の冷媒室２８と、該内側の冷媒室２８を囲むように環状をした外側の冷媒室２９と、が設けられており、これらの冷媒室２８，２９には、外部に設けられたチラーユニットより配管２８ａ，２９ａを介して所定温度の冷媒、例えば冷却水が供給され、配管２８ｂ，２９ｂを通じて排出されることにより、冷媒の循環が行なわれ、循環される冷媒の温度によって基板載置台１７上の半導体ウエハＷの処理温度を制御することができる、 基板載置台１７及び静電チャック１８。」 ２ 甲２について 甲２には、以下の記載がある。 「 ［図：0001425819000003.jpg］ 」 「 ［図：0001425819000004.jpg］ 」 ３ 甲３について 甲３には、以下の記載がある。 「【００２６】 サセプタ１は、基体部を有する。基体部は、本体部１１と突出部１２と外周突出部１４とを有する。基体部は、載置されるウェハＷと略平行な方向に延びる。突出部１２は、本体部１１から略直交する方向に突出する。図２に示すように突出部１２は、基体部の外周の領域に位置する。外周突出部１４は、突出部１２の上面から略直交する方向に突出する。外周突出部１４は、サセプタ１に載置されたウェハＷが径方向に飛び出すことを防ぐ。 本実施形態中で、サセプタ１がウェハＷを載置する方向を第１方向とし、第１方向の反対方向を第２方向とする。」 「【００３０】 図２は、第１実施形態にかかるサセプタ１の平面図である。図２に示すように、サセプタ１は、平面視が略円形であるように構成される。本体部１１の第１面１１ａは、直線部１１ＯＦを有する略円形であることが好ましい。また、突出部１２の第１面１２ａは、直線部１２ＯＦを有する略円環状であることが好ましい。直線部１１ＯＦおよび直線部１２ＯＦは、ウェハＷのオリエンテーションフラット（以下、オリフラという。）に合わせて設けられる。本体部１１の第１面１１ａは、直線部１１ＯＦを有さない構成であってもよい。また、突出部１２の第１面１２ａは、直線部１２ＯＦを有さない構成であってもよい。ウェハＷがオリフラを有さない場合は、本体部１１の第１面１１ａは略円形でもよく、突出部１２の第１面１２ａは略円環状でもよい。」 「 ［図：0001425819000005.jpg］ 」 ４ 甲４について 甲４には、以下の記載がある。 「【００１１】 しかし、ウェハＷの温度が上述のように制御されている場合、エッチング中のウェハＷはプラズマからの輻射熱ＲP を受けると共に、ウェハＷよりも高温に加熱されたプラズマ・チャンバ壁からの輻射熱ＲC も受ける。ここで、プラズマＰからの輻射熱ＲP の影響は、該プラズマＰがウェハＷと対面して全面的にこれを照射している以上、全面に均一に及ぶと考えられるが、プラズマ・チャンバ壁からの輻射熱ＲCの影響は該チャンバ壁からの距離に応じてウェハＷ上で変化する。すなわち、プラズマ・チャンバ４３の内壁面からの輻射熱ＲC は、ウェハＷの中心部よりも周縁部の方に大きな影響を与える。」 ５ 甲５について 甲５には、以下の記載がある。 「【００２９】 [0033]したがって周囲の熱負荷ΔＱは周囲部９に局在して維持され、基板テーブル１の中心部１２への影響は制限される。絶縁ピース１１に加えて、別の分離ピースが、図２に図示したような、基板テーブル１の中心から測定された異なる半径距離に存在することもある。ここでは、中心部１２から空隙４を熱的に分離する第１絶縁体縁部１１が図示されている。第２絶縁体縁部１３（例えば、環状）が、テーブルの中心部にさらに近づいた所に示され、基板支持層１４によって覆われている。この第２縁部１３は、基板テーブル１の周囲部９内に設けることができる周囲ダクト１５に従う。これは、図３～５を参照してさらに説明されることになる。縁部ヒータ１６がある場合があり、基板テーブル１の周囲部９に熱エネルギーを供給するために、例えば電気配線によって形成される。好ましくは、絶縁体１１および／または１３は、ガラス様材料、空気、真空、フォームガラスおよび／またはポリマーで形成される。一実施形態では、代替的、または追加的に、この絶縁体は、周囲部９を中心部１２から機械的に分離するために相対的に低い剛性を有する材料から形成される。これは、周囲部９の機械的な変形が基板テーブル１の中心部１２に伝達されるのを実質的に防ぎ、したがって基板３がリソグラフィプロセスで処理される場合に、よりよい結像品質を達成できるので、さらに基板テーブル１の中心部１２の機械的安定性を高める。」 ６ 甲６について 甲６には、以下の記載がある。 「【００１３】本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハを極低温から高温までの広範囲で効率良く温度制御することができ、かつウエハ全面に均一に高周波を印加することができる載置台を備えた半導体製造装置を提供することを目的としている。」 「【００１８】 【実施例】以下、本発明に係る半導体製造装置の実施例を図面に基づいて説明する。図１は第１の発明の半導体製造装置の一例の要部断面図であり、載置台を示したものである。図示したようにこの載置台１０は、温度制御槽２０と、温度制御槽２０の上部に配置された静電チャック１１とで構成されている。温度制御槽２０は例えば円板状をなし、内部に中空室２１を有している。 【００１９】また温度制御槽２０は、その上部周縁から内向きにフランジ２０ａが延設されており、フランジ２０ａを除いて温度制御槽２０の上面は開口している。なお、フランジ２０ａの上面には凹部２０ｂが設けられており、凹部２０ｂ内には後述する如く静電チャック１１との密着度を高めるためのガスケット２５が嵌め込まれている。また温度制御槽２０には、上記中空室２１に連通する状態で冷媒の導入管２２と排出管２３とが接続されており、冷媒が導入管２２、中空室２１及び排出管２３を通って循環するようになっている。」 「【００２１】図１では、例えば高周波印加用の電極１４をヒータ１３及び静電吸着用の平板電極１２より広範囲に設けた場合を示している。したがって、この実施例においてはこれら電極１４、ヒータ１３及び平板電極１２の積層体全体を被覆する絶縁体１５によって、静電チャック１１は例えば大小の円板を連設した形状に形成されている。」 「【００２５】上記の如く構成された載置台１０においては、載置台１０の上面にウエハＳを載置して直流電源１６より平板電極１２に電圧を印加すると、それにより生じる電位差によって絶縁体１５に誘電分極現象が起こる。そして、平板電極１２上と異符号の電荷が絶縁体１５の上面に励起され、ウエハＳとの間で静電気力が生じてウエハＳが吸着保持される。」 「【００２８】 また、静電チャック１１はその下面が温度制御槽２０の上面の開口２６を塞ぐ状態で配置されるので、中空室２１内を冷媒を循環させると、静電チャック１１の下面にその冷媒が直接接触する。つまり、静電チャック１１自体が直接冷却されることとなるので、静電吸着されたウエハＳと冷媒との熱交換が速やかに行われ、ウエハＳは所定の温度に極めて効率良く冷却される。さらにウエハＳの冷却効率が向上することから、高周波印加用の電極１４に高周波電圧を印加してプラズマを発生させた際のウエハＳの温度上昇も最小限にとどめられる。」 「 ［図：0001425819000006.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 甲１を主引用例とする進歩性欠如 （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア） 甲１発明の「静電チャック１８」は、その「上面」に「半導体ウエハＷを静電力で吸着保持する」ものであるから、「保持部」であるといえる。 また、甲１発明の「半導体ウエハＷ」は、「静電チャック１８」が「静電力で吸着保持する」対象物であるといえる。 そして、甲１発明の「静電チャック１８」の「上面」は、「半導体ウエハＷを静電力で吸着保持する」保持面であるといえる。 そうすると、甲１発明の「静電チャック１８」は、本件発明１の「外周が円形状または略円形状の対象物を保持する保持面を備える保持部」と、「対象物を保持する保持面を備える保持部」で共通する。 （イ） 甲１発明の「基板載置台１７」は、その「上面」に「静電チャック１８」が設けられるものであるから、「静電チャック１８」に対し「静電チャック１８」の「上面」側とは反対側に配置されているといえる。 また、甲１発明の「冷媒室２８，２９」は、「所定温度の冷媒、例えば冷却水が供給され」、「配管２８ｂ，２９ｂを通じて排出されることにより、冷媒の循環が行なわれ」るものであるから、冷媒を流す流路であるといえる。 そして、甲１発明の「基板載置台１７」は、その「内部」に、「環状をした内側の冷媒室２８と、該内側の冷媒室２８を囲むように環状をした外側の冷媒室２９と、が設けられており」、「循環される冷媒の温度によって基板載置台１７上の半導体ウエハＷの処理温度を制御することができる」ものであるから、半導体ウエハＷを冷却する冷媒を流す流路を備える冷却部であるといえる。 そうすると、甲１発明の「基板載置台１７」は、本件発明１の「前記保持部に対し前記保持面側とは反対側に配置され、前記対象物を冷却する冷媒を流す流路を備える冷却部」に相当する。 （ウ） 甲１発明の「静電チャック１８」は、その「上面」に「半導体ウエハＷを静電力で吸着保持する」ものであり、「基板載置台１７」は、その「上面」に「静電チャック１８」が設けられるものであるから、甲１発明の「静電チャック１８」及び「基板載置台１７」は、本件発明１の「保持部」と「冷却部」を有する「保持部材」に相当する。 以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ 「 対象物を保持する保持面を備える保持部と、 前記保持部に対し前記保持面側とは反対側に配置され、前記対象物を冷却する冷媒を流す流路を備える冷却部と、 を有する保持部材」 ［相違点］ ［相違点１］ 「対象物」について、本件発明１は、「外周が円形状または略円形状」であるのに対し、甲１発明は、そのような特定がない点。 ［相違点２］ 「保持部」について、本件発明１は、「前記保持面側から前記保持部材を見たときに」、「当該保持部の外周が略円形状に形成されており」、「前記保持部の外周の一部に、前記保持部の外周により形成される仮想円よりも径方向の内側に形成される部分であって、前記対象物の周方向の位置合わせを行うための位置合わせ部」を備えるものであって、「保持部材」は「前記位置合わせ部と前記流路とが重なるように配置されている」のに対し、甲１発明は、そのような特定がない点。 イ 判断 （ア） 検討 事案に鑑みて、相違点２について検討する。 甲１発明の「静電チャック１８」は、相違点２に係る構成のうち、そもそも「前記対象物の周方向の位置合わせを行うための位置合わせ部」を備えるものではない。 そうすると、「静電チャック１８」が上記「位置合わせ部」を備えないのであるから、本件発明１の「保持部材」に相当する、甲１発明の「静電チャック１８」及び「基板載置台１７」において、さらに「前記位置合わせ部と前記流路とが重なるように配置されている」ように構成しようとする動機付けはない。 また、甲２～甲６に記載された事項は、上記第４の２～６のとおりであるところ、いずれの記載事項も、相違点２の構成を開示するものではない。 したがって、甲１発明に、甲２～甲６に記載された事項を組み合わせる動機付けはないし、たとえ組み合わせることができたとしても、本件発明１の構成に至ることはなく、他に相違点２に係る構成が周知技術であったということもできないから、甲１発明において、相違点２の構成を採用することは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 そして、本件発明１は、相違点２の構成を採用することによって、本件明細書の段落【０００７】に記載されているように、位置合わせ部の直下、すなわち、位置合わせ部と重なるように冷却部の流路を配置することにより、「保持部の位置合わせ部において、冷却部の流路を流れる冷媒により対象物の抜熱が促進されるので、対象物の冷却性能を上げることができる。したがって、対象物が加熱されたときに、対象物において位置合わせ部に対応する部分が、他の部分と比べて温度が高い部分（すなわち、ホットスポット）となることを抑制できる。ゆえに、対象物が加熱されたときでも、対象物の全体の均熱性を確保できる。」という顕著な効果を奏するものである。 以上によれば、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲６に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （イ） 異議申立人の主張について これに対し、異議申立人は、甲１発明の「静電チャック18」のような部材(保持部)の外周の一部に、「所謂「オリフラ」等と称される位置合わせ部を設けること」は、本件特許の出願時における周知技術であり、甲１発明に当該周知技術を適用し、静電チャック18の外周の一部にオリフラを設けた場合には、「オリフラの直下には、当然に上記の冷媒室29が重なるように配置される」ことになる、すなわち、上記相違点２に係る構成が、甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨、主張する（特許異議申立書１３頁１１行～同頁２０行）。 しかしながら、仮に異議申立人の主張するように、「位置合わせ部」を設けることが本件特許の出願時において周知技術であったとしても、上記（ア）のとおり、甲１発明は、そもそも「前記対象物の周方向の位置合わせを行うための位置合わせ部」を備えるものではなく、備えなければならない必然性もない。 また、異議申立人は、甲１発明に周知技術を適用し、静電チャック１８の外周の一部にオリフラを設けた場合には、「オリフラの直下には、当然に上記の冷媒室２９が重なるように配置される」ことになると主張するが、甲１発明において、仮にオリフラ（位置合わせ部）を設けたとしても、必ずしも冷媒室２９（流路）と重なるように配置される構成となるかは不明であり、そのような構成とすることの動機付けがないことも上記（ア）のとおりである。 したがって、異議申立人の主張は採用できない。 （２） 本件発明５及び６について 本件発明５及び６は、本件発明１を限定した発明であるから、甲１発明と対比すると、少なくとも、上記（１）アの［相違点２］を有するところ、本件発明１が上記（１）イのとおり、甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲６に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本件発明５及び６も甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲６に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 甲６を主引用例とする進歩性欠如 （１） 本件発明１について 上記１（１）イ（ア）のとおり、甲６には、本件発明１に係る上記［相違点］の［相違点２］の構成は開示されていないし、甲１～甲５をみても、当該構成は開示されていない。 したがって、本件発明１は、甲６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲１～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２） 本件発明５及び６について 上記（１）のとおり、本件発明１が、甲６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲１～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、上記１（２）と同様、本件発明５及び６も、甲６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲１～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び異議申立人の提出した証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。