2024-700045

特許第７３３２５８８号発明「セラミックス銅回路基板およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３３２５８８号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 特許第７３３２５８８号の請求項１～６、８～１５に係る特許を維持する。 特許第７３３２５８８号の請求項７についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３３２５８８号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１５に係る特許についての出願は、２０１９年（令和元年）５月１５日（優先権主張平成３０年５月１６日、平成３０年１２月１１日）を国際出願日とする出願であって、令和５年８月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年８月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１～１５に係る特許に対し、令和６年１月２２日に特許異議申立人 寺澤 佳奈美（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 その後の経緯は、次のとおりである。 令和６年 ２月１９日 ：申立人による手続補正書（方式）の提出 ５月 １日付け：取消理由通知書 ７月 １日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 ７月１８日付け：手続補正指令書(方式） ８月 ５日 ：特許権者による手続補正書（方式）の提出 ９月２０日 ：申立人による意見書の提出 以下、令和６年９月２０に提出された申立人による意見書を、単に「意見書」という。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和６年８月５日に提出された手続補正書（方式）により補正された訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の請求の趣旨は、特許第７３３２５８８号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～７について訂正することを求める、というものであり、本件訂正の内容は、次の訂正事項からなる。なお、下線は訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に、 「セラミックス基板と、 前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と、 を備え、 前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であり、 前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含み、 前記第１傾斜部の幅は、前記第１銅部の前記厚さの０．１倍以上０．５倍以下であり、 前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有し、 前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であり、 前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であるセラミックス銅回路基板。」 と記載されているのを、 「セラミックス基板と、 前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と、 を備え、 前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であり、 前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含み、 前記第１傾斜部の幅は、前記第１銅部の前記厚さの０．１倍以上０．５倍以下であり、 前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有し、 前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であり、 前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であり、 前記第１傾斜部には、隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられているセラミックス銅回路基板。」 に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２～６も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項７を削除する。 （３）一群の請求項 本件訂正前の請求項２～７は、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する関係であるから、請求項１～７は、一群の請求項である。そして、本件訂正は、請求項１～７について訂正することを求めるものであるから、特許法第１２０条の５第４項で規定する一群の請求項ごとに訂正の請求をするものである。 ２ 訂正の適否の検討 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、請求項１に記載された「第１傾斜部」について、「前記第１傾斜部には、隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことをさらに特定するものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、前記アのとおり、特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定を満たす。 ウ 新規事項追加の有無 訂正事項１について、「前記第１傾斜部には、隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことは、訂正前の特許請求の範囲の請求項７に記載されているから、新規事項を追加するものではない。 よって、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定を満たす。 エ 独立特許要件 本件においては、訂正前の全請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の適用はない。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、請求項７を削除するというものである。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項２は、請求項７を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定を満たす。 ウ 新規事項追加の有無 訂正事項２は、請求項７を削除するというものであるから、新規事項を追加するものではない。 よって、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定を満たす。 エ 独立特許要件 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の適用はない。 ３ まとめ 前記２のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 前記第２のとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～６、８～１５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」などといい、これらを総称して「本件発明」という。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～６、８～１５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 セラミックス基板と、 前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と、 を備え、 前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であり、 前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含み、 前記第１傾斜部の幅は、前記第１銅部の前記厚さの０．１倍以上０．５倍以下であり、 前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有し、 前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であり、 前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であり、 前記１傾斜部には隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられているセラミックス銅回路基板。 【請求項２】 前記接触角度は、５°以上６０°以下である請求項１記載のセラミックス銅回路基板。 【請求項３】 前記第１傾斜部の上端部の角度は、５０°以上である請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板。 【請求項４】 前記第１ろう材部は、銀、銅および活性金属を含有する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板。 【請求項５】 前記第１銅部の前記厚さは、０．８ｍｍ以上であり、 前記セラミックス基板は、窒化珪素基板であり、 前記セラミックス基板の厚さは、０．４ｍｍ以下である請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板。 【請求項６】 前記第１面に第２ろう材部を介して接合された第２銅部をさらに備え、 前記第２銅部は、前記第１面に沿う第１方向において前記第１銅部から離れ、 前記第１銅部の少なくとも一部と前記第２銅部の少なくとも一部との間の前記第１方向における距離は、２ｍｍ以下である請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板。 【請求項８】 第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意し、 前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし、 前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり、且つ前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以上となるように、前記第１銅部をエッチングするセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項９】 前記第１銅部及び前記第２銅部は、前記セラミックス基板に前記第１ろう材層を介して接合された銅板をエッチングすることで形成される請求項８記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１０】 前記第１銅部のエッチングと同時に、前記第２銅部の側面が前記第１傾斜部と対向する第２傾斜部を含み、前記第２傾斜部の端部からはみ出た前記第２ろう材部の第２はみ出し部の長さが０μｍ以上２００μｍ以下となり、前記第２傾斜部と前記第２はみ出し部との接触角度が６５°以下となり、且つ前記第２傾斜部の幅が前記第２銅部の厚さの０．５倍以上となるように、前記第２銅部をエッチングする請求項８ないし請求項９のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１１】 前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との前記接触角度が５°以上６０°以下となるように前記第１銅部をエッチングする請求項８ないし請求項１０のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１２】 前記第１傾斜部の上端部の角度が５０°以上となるように前記第１銅部をエッチングする請求項８ないし請求項１１のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１３】 前記第１ろう材層は、銀、銅および活性金属を含有する請求項８ないし請求項１２のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１４】 前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは、０．８ｍｍ以上であり、 前記セラミックス基板は、厚さ０．４ｍｍ以下の窒化珪素基板である請求項８ないし請求項１３のいずれか１項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。 【請求項１５】 前記第１傾斜部には、隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が形成される、または、 前記第１傾斜部の前記幅の４分の１以下の幅の窪み形状が形成される、請求項８～１４のいずれか１つに記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。」 第４ 異議申立の概要 申立人は、以下の証拠方法（甲第１号証～甲第４号証）を提出し、本件特許の請求項１～１５に係る特許は、以下に示す理由により、取り消すべきものである旨主張する。 １ 理由１（新規性） 本件特許の請求項１～２、４～６、８～９、１１、１３～１４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） ２ 理由２（進歩性） 本件特許の請求項１～１５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証～甲第４号証の記載事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） ３ 証拠方法 甲第１号証 国際公開第２０１７／０５６３６０号 甲第２号証 特開２０１１－２１１２１７号公報 甲第３号証 特許第４１６８１１４号公報 甲第４号証 特許第６２９５３８２号公報 以下、「甲第１号証」～「甲第４号証」を、それぞれ「甲１」～「甲４」ということがある。 第５ 取消理由通知に記載した取消理由の概要 訂正前の請求項１～７に係る特許に対して、当審において令和６年５月１日付け取消理由通知書により特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １．（新規性）訂正前の請求項１～６に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、訂正前の請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２．（進歩性）訂正前の請求項７に係る発明は、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 甲１：国際公開第２０１７／０５６３６０号 第６ 取消理由通知についての当審の判断 １ 甲１の記載及び甲１発明 （１）甲１の記載 甲１には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。 ア 「［請求項1］ 第１の面と第２の面とを有するセラミックス基板と、 第１の接合層を介して前記第１の面に接合された第１の金属板と、 第２の接合層を介して前記第２の面に接合された第２の金属板と、を具備し、 前記第１の接合層は、前記第１の面と前記第１の金属板との間からはみ出すように前記第１の面上に延在する第１のはみ出し部を有し、 前記第２の接合層は、前記第２の面と前記第２の金属板との間からはみ出すように前記第２の面上に延在する第２のはみ出し部を有し、 前記セラミックス基板の３点曲げ強度は、５００ＭＰａ以上であり、 前記第１のはみ出し部の厚さＨ１（μｍ）に対する前記第１のはみ出し部のはみ出し長さＬ１（μｍ）の比Ｌ１／Ｈ１、および前記第２のはみ出し部の厚さＨ２（μｍ）に対する前記第２のはみ出し部のはみ出し長さＬ２（μｍ）の比Ｌ２／Ｈ２の少なくとも一つは、０．５以上３．０以下であり、 前記第１のはみ出し部の１０箇所の第１のビッカース硬度の平均値、および前記第２のはみ出し部の１０箇所の第２のビッカース硬度の平均値の少なくとも一つは、２５０以下である、回路基板。」 イ 「［請求項8］ 前記第１の金属板の厚さ方向を含む断面において、前記第１の金属板の側面は、前記第１の金属板の上面の外側に向かって傾斜しており、 前記第２の金属板の厚さ方向を含む断面において、前記第２の金属板の側面は、前記第２の金属板の上面の外側に向かって傾斜している、請求項１に記載の回路基板。」 ウ 「[0010] 図１は、回路基板の構造例を示す断面模式図である。図１に示す回路基板１は、セラミックス基板２と、金属板（表金属板）３と、金属板４（裏金属板）と、接合層５と、接合層７と、を具備する。接合層５は、はみ出し部６を有する。接合層７は、はみ出し部８を有する。」 エ 「[0014] 金属板３は、半導体素子を搭載するための金属回路板である。金属板３は、接合層５を介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。金属板４は、放熱板である。金属板４は、接合層７を介してセラミックス基板２の第２の面と接合されている。」 オ 「[0018] 接合層５、７は、セラミックス基板２上にろう材ペーストを塗布することにより形成される。このとき、金属板３、４が厚いと金属板３、４の重さでろう材ペーストが広がり過ぎてしまう。ろう材ペーストが広がりすぎると、接合後にエッチング処理などで除去するろう材量が増えコストアップの要因となる。そのため、金属板３、４の厚さは５ｍｍ以下、さらには３ｍｍ以下であることが好ましい。」 カ 「[0029] セラミックス基板２の少なくとも一方の面には複数の金属板が接合されていてもよい。図２は回路基板の他の構造例を示す断面模式図である。図２に示す回路基板１は、図１に示す回路基板と比較して、複数の金属板３として、金属板３ａと、金属板３ｂと、を具備する構成が少なくとも異なる。なお、回路基板１は、複数の金属板３として３以上の金属板を具備してもよい。なお、図１に示す回路基板１と同じ構成の説明については図１に示す回路基板１の説明を適宜援用する。 [0030] 金属板３ａは、接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。金属板３ｂは、接合層５ｂを介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。接合層５ａおよび接合層５ｂの説明については、接合層５の説明を適宜援用する。[0031] 図３は、図２に示す回路基板１の一部を示す拡大図である。接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有する。接合層５ｂは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ｂとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ｂを有する。 [0032] 金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜している。金属板３の側面３１ｂは、金属板３の上面３２ｂの外側に向かって傾斜している。金属板３ａの側面３１ａと下面３３ａとのなす角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂと下面３３ｂとのなす角度θは、４０度以上８４度以下であることが好ましい。側面３１ａ、３１ｂを傾斜させることにより、熱応力を緩和させることができる。金属板３ａの側面３１ａと上面３２ａとのなす角度および金属板３ｂの側面３１ｂと上面３２ｂとのなす角度は、８５度以上９５度以下である（垂直または略垂直である）ことが好ましい。図３に示す構造は、金属板３ａ、３ｂの厚さが０．６ｍｍ以上、さらには０．８ｍｍ以上であるときに特に有効である。 [0033] 金属板３ａの側面３１ａの角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂの角度θを４０度以上８４度以下にしつつ、かつ金属板３ａの側面と上面とのなす角度および金属板３ｂの側面と上面とのなす角度を８５度以上９５度以下にすることにより、応力を緩和させつつ、金属板３ａ、３ｂの平坦面の面積を増やすことができる。金属板３ａ、３ｂの平坦面の面積を増やすことにより、半導体素子の搭載可能面積を広くすることができる。半導体素子の搭載可能面積を広くできると回路設計の自由度を向上させることができる。 [0034] はみ出し部のはみ出し長さは、金属板の側面とはみ出し部の接触部を基準として求められる。はみ出し部の厚さは、はみ出し部の最も厚い部分の厚さである。例えば、側面３１ａとはみ出し部６ａとの接触部におけるはみ出し部６ａの厚さ、および側面３１ｂとはみ出し部６ｂとの接触部におけるはみ出し部６ｂの厚さを一番厚くし、はみ出し部６ａは、側面３１ａとはみ出し部６ａとの接触部から端部に向かって徐々に薄くなる厚さ勾配を有し、はみ出し部６ｂは、側面３１ｂとはみ出し部６ｂとの接触部から端部に向かって徐々に薄くなる厚さ勾配を有することが好ましい。厚さ勾配を有することにより、熱応力によるはみ出し部の変形を抑制することができる。 [0035] はみ出し部６ａ、６ｂのはみ出し長さＬ１は、４０μｍ以下、さらには２５μｍ以下であることが好ましい。はみ出し部６ａ、６ｂのＬ１／Ｈ１およびビッカース硬度ＨＶを制御することにより、応力緩和効果を向上させることができる。すなわち、４０μｍ以下の短いはみ出し長さを有するはみ出し部であっても、十分な応力緩和効果を得ることができる。 [0036] 側面３１ａ、３１ｂを傾斜させた場合、傾斜面の裾野の部分同士の最短距離Ｐ（側面３１ａとはみ出し部６ａとの接触部から側面３１ｂとはみ出し部６ｂとの接触部までの最短距離）を１．１ｍｍ以下、さらには１．０ｍｍ以下まで狭くすることにより、半導体素子の搭載可能面積を小さくさせずに回路基板を小さくすることができる。よって、図３に示す回路基板は、セラミックス基板２の第１の面に複数の金属板を接合する場合に有効である。最短距離Ｐの最小値は０．６ｍｍ以上であることが好ましい。厚さ０．６ｍｍ以上の金属板を具備するパワーモジュールの場合、定格電圧を考慮すると最短距離Ｐが０．６ｍｍ未満であると導通不良になるおそれがある。」 キ 「 ［図：0001420311000001.jpg］ 」 ク 「 ［図：0001420311000002.jpg］ 」 ケ 「 ［図：0001420311000003.jpg］ 」 コ 「[0041] 次に、回路基板の製造方法について説明する。実施形態に係る回路基板の製造方法は特に限定されないが、効率よく得るための方法として次の方法が挙げられる。 [0042] まず、セラミックス基板２を用意する。例えば、セラミックス基板２として窒化物珪素基板を用意する場合、ろう材としてＴｉを含有するろう材を用いることによりＴｉＮ相（窒化チタン相）を形成することができる。ＴｉＮ相は接合強度の向上に寄与する。 [0043] また、金属板３、４を用意する。金属板３、４はベタ板を接合してエッチングによりパターン化してもよいし、予めパターン化された金属板を接合してもよい。 [0044] さらに、接合層５、７を形成するためにろう材を用意する。ろう材としては、接合層５、７に適用可能な元素を含むろう材を用いることができる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、およびＴｉからなるろう材の場合、Ａｇが４０～８０質量％、Ｃｕが１５～４５質量％、Ｔｉが１～１２質量％、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＝１００質量％の範囲であることが好ましい。また、Ｉｎ、Ｓｎを添加する場合は、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素が５～２０質量％の範囲であることが好ましい。Ｃを添加する場合は、０．１～２質量％の範囲であることが好ましい。」 サ 「[0054] 次に、上記ろう材の成分を均一混合したろう材ペーストを調製する。ろう材ペースト中の金属成分は６０～９５質量％以下とする。残り５～４０質量％以下は樹脂バインダーや有機溶媒などとする。金属成分を９０質量％以上とすることにより、塗布むらを小さくすることができる。 [0055] 次に、ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１、２の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し、第２の面上のろう材ペースト層上に金属板４を配置する。なお、金属板３、４上にろう材ペーストを塗布して、その上にセラミックス基板２を配置する方法であってもよい。はみ出し部６、８となる領域は、小さくてもよい。また、後述するようにエッチング工程により、はみ出し部６、８を形成してもよい。 [0056] 上記工程により、金属板３／ろう材ペースト層（接合層５）／セラミックス基板２／ろう材ペースト層（接合層７）／金属板４、の５層構造の回路基板が形成される。 [0057] 次に、加熱接合工程を行う。加熱温度は例えば７００～９００℃の範囲である。また、加熱接合後に冷却速度５℃／分以上で急冷することが好ましい。急冷工程は接合層５、７の凝固点温度以下の温度まで行うことが好ましい。急冷工程を行うと、接合層５、７を早期に固めることができる。加熱工程により溶けたろう材が早期に固まって接合層５、７となることにより、ビッカース硬度のバラツキを低減することができる。 [0058] 次に、必要に応じ、エッチング工程を行う。エッチング工程により金属板３、４のパターニングを行う。エッチング工程により金属板３、４の側面を傾斜させてもよい。さらに、エッチング工程によりはみ出し部６、８のはみ出し長さおよび厚さを調整してもよい。金属板３、４をエッチングする工程とはみ出し部６、８の形状を整えるエッチング工程は同じまたは別々の工程でもよい。 [0059] 上記製造工程であれば、回路基板を効率よく製造することができる。さらに、必要な数の半導体素子を回路基板に搭載して半導体装置を製造することができる。」 シ 「[0060]（実施例１～１３、比較例１～４） セラミックス基板として表１に示す特性を有するセラミックス基板１～４を用意し、ろう材として表２に示すろう材を用意した。表１の材質とはセラミックス基板の主成分の材料である。例えば、「窒化珪素」は、窒化珪素を主成分とするセラミックス基板を示す。「アルミナジルコニア」は、ＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）を含有する酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板を示す。「アルミナ」は、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板を示す。 ［図：0001420311000004.jpg］ [0063] セラミックス基板の第１の面上に、第１のろう材を介して表金属板を配置し、セラミックス基板の第２の面上に、第２のろう材を介して裏金属板を配置し、７００～９００℃にて加熱接合し、加熱接合後に５℃／分以上の冷却速度で冷却した。その後、エッチングしてはみ出し部のはみ出し長さＬ（μｍ）、厚さＨ（μｍ）、金属板間の最短距離Ｐを調整した。これにより、実施例１～１３および比較例１～４の回路基板を作製した。実施例１～１３の回路基板において使用された、セラミックス基板、第１のろう材、第２のろう材について表３に示す。実施例１～１３および比較例１～４の回路基板のその他の特性について表３、４に示す。なお、実施例１～３、実施例５～１３および比較例１～４の金属板として銅板を用いた。実施例４の金属板としてアルミニウム板を用いた。 ［図：0001420311000005.jpg］ [0065] 得られた回路基板の任意のはみ出し部のビッカース硬度ＨＶを測定した。ビッカース硬度の測定では、ナノインデンターとしてＨｙｓｉｔｒｏｎ社製ＴＩ９５０トライボンデンターを用い、圧子としてバーコビッチ型ダイヤモンドの三角錐圧子を用いた。図４は、荷重条件を示す図である。図４では、横軸が時間（秒）、縦軸が荷重（μＮ）である。最大荷重は１５００μＮであり、５０秒かけて徐々に荷重を増加させた。このときの押込み深さを測定してナノインデンテーション硬さＨＩＴを求めた。ナノインデンテーション硬さＨＩＴを次の変換式を用いて、ビッカース硬さＨＶに変換した。 ビッカース硬さＨＶ（ｋｇｆ／ｍｍ２）＝７６．２３×ナノインデンテーション硬さＨＩＴ（ＧＰａ）＋６．３ [0066] 任意の１０箇所のビッカース硬度ＨＶを算出してその平均値を求めた。また、１０箇所のビッカース硬度ＨＶの最大値と最小値との差（ＨＶｍａｘ－ＨＶｍｉｎ）を求めた。結果を表４に示す。 ［図：0001420311000006.jpg］ 」 ス [0060]～[0067]の記載において、実施例７は、［表３］（[0064]）より、「セラミックス基板」として「セラミックス基板２」を用い、「第１、２のろう材」として「ろう材３」を用い、「金属板」の「表金属板」の数は３であり、その厚さは０．８ｍｍであり、Ｐ（「傾斜面の裾野の部分同士の最短距離Ｐ」（[0036]））は１．０ｍｍである。また、実施例７は、金属板として銅板を用いている（[0063]）。 そして、「セラミックス基板２」は［表１］（[0061]）より、「材質」が窒化珪素で、その「厚さ」が０．２５ｍｍのセラミックス基板であり、「ろう材３」は[表２]（[0062]）より、「ろう材成分」がＡｇ（５０）、Ｃｕ（２４）、Ｓｎ（１２）、Ｉｎ（６）、Ｔｉ（７）、Ｃ（１）である。 さらに、実施例７は、［表４］（[0067]）より、「はみ出し長さ」は１５μｍであり、「金属板の側面と下面とのなす角度θ」は６０度である。 （２）甲１発明 前記（１）より、甲１には、実施例７に関連して、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、符号「１Ａ」等は分説するために当審にて付したものであり、以下、各構成を「構成１Ａ」などのように参照する。） 「１Ａ セラミックス基板２と、金属板（表金属板）３と、接合層５と、を具備し、接合層５は、はみ出し部６を有する回路基板１であって、（[0010]） １Ｂ 接合層５は、セラミックス基板２上にろう材ペーストを塗布することにより形成され、（[0018]） １Ｃ セラミックス基板２の一方の面には複数の金属板が接合されていてもよく、複数の金属板３として、金属板３ａと、金属板３ｂと、を具備し、([0029]) １Ｄ 金属板３ａは、接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、金属板３ｂは、接合層５ｂを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、（[0030]） １Ｅ 接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有し、接合層５ｂは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ｂとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ｂを有し、([0031]) １Ｆ 金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜し、金属板３の側面３１ｂは、金属板３の上面３２ｂの外側に向かって傾斜しており、（[0032]） １Ｇ 金属板３ａの側面３１ａの角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂの角度θを４０度以上８４度以下にしつつ、かつ金属板３ａの側面と上面とのなす角度および金属板３ｂの側面と上面とのなす角度を８５度以上９５度以下にすることにより、応力を緩和させつつ、半導体素子の搭載可能面積を広くすることができ、（[0033]） １Ｈ ろう材ペーストは、ろう材の成分を均一混合したものであり、（[0054]） １Ｉ 金属板として銅板を用い、金属板の表金属板の数は３であり、その厚さは０．８ｍｍであり、傾斜面の裾野の部分同士の最短距離Ｐは１．０ｍｍであり、セラミックス基板は材質が窒化珪素で、その厚さが０．２５ｍｍであり、ろう材成分がＡｇ（５０）、Ｃｕ（２４）、Ｓｎ（１２）、Ｉｎ（６）、Ｔｉ（７）、Ｃ（１）であり、はみ出し長さは１５μｍであり、金属板の側面と下面とのなす角度θは６０度である、（前記（１）ス） １Ｊ 回路基板」 ２ 本件発明１～６との対比・判断 （１）本件発明１ ア 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）「セラミックス基板と、」について 甲１発明の「セラミックス基板２」（構成１Ａ）は、本件発明１の「セラミックス基板」に相当する。 （イ）「前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と、を備え、」について 甲１発明において、「接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され」（構成１Ｄ）る「金属板３ａ」（構成１Ｃ、１Ｄ）は、「複数の金属板３」（構成１Ｃ）のうちの一つであって「表金属板」（構成１Ｉ）である。そして、表金属板として「銅板」（構成１Ｉ）を用いているから、甲１発明の「金属板３ａ」は、本件発明１の「第１銅部」に相当する。 また、甲１発明の「接合層５ａ」（構成１Ｄ）は、「セラミックス基板２上にろう材ペーストを塗布することにより形成される接合層５」（構成１Ｂ）であり、「ろう材ペースト」は、「ろう材の成分を均一混合したもの」（構成１Ｈ）であるから、本件発明１の「第１ろう材部」に相当する。 よって、本件発明１と甲１発明とは、「前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と」を備える点で一致する。 （ウ）「前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であり、」について 甲１発明において、表金属板の「厚さは０．８ｍｍ」（構成１Ｉ）であるから、０．６ｍｍ以上であり、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であ」る点で一致する。 （エ）「前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含み、」について 甲１発明は、「金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜して」（構成１Ｆ）いるから、金属板３の側面は傾斜部を有するものである。 よって、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含」む点で一致する。 （オ）「前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有し、」について 甲１発明の「接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有」（構成１Ｅ）することは、本件発明１の「前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有」することに相当する。 （カ）「前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であり、」について 甲１発明は、「はみ出し長さは１５μｍ」（構成１Ｉ）であるから、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であ」る点で一致する。 （キ）「前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であり、」について 甲１発明は、「金属板の側面と下面とのなす角度θは６０度である」（構成１Ｉ）から、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であ」る点で一致する。 （ク）「前記第１傾斜部の幅は、前記第１銅部の前記厚さの０．１倍以上０．５倍以下であり、」、及び「前記１傾斜部には隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」について 甲１発明は、当該事項を特定していない。 （ケ）「セラミックス銅回路基板」について 甲１発明は、表金属板として銅板を用いるものであるから、甲１発明の「回路基板」（構成１Ｊ）は、本件発明１の「セラミックス銅回路基板」に対応する。 （コ）一致点、相違点 前記（ア）～（ケ）によれば、本件発明１と甲１発明とは、次の一致点、相違点があるといえる。 ＜一致点＞ 「 セラミックス基板と、 前記セラミックス基板の第１面に、第１ろう材部を介して接合された第１銅部と、 を備え、 前記第１銅部の厚さは、０．６ｍｍ以上であり、 前記第１銅部の側面は、第１傾斜部を含み、 前記第１ろう材部は、前記第１傾斜部の端部からはみ出た第１はみ出し部を有し、 前記第１はみ出し部の長さは、０μｍより大きく２００μｍ以下であり、 前記第１はみ出し部と前記第１傾斜部との接触角度は、５°以上６５°以下であるセラミックス銅回路基板」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「前記第１傾斜部の幅は、前記第１銅部の前記厚さの０．１倍以上０．５倍以下であ」ることを特定しているのに対して、甲１発明は、当該事項を特定していない点 相違点２：本件発明１は、「前記１傾斜部には隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことを特定しているのに対して、甲１発明は、当該事項を特定していない点 イ 相違点について 事案に鑑み、前記相違点２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 甲１には、「側面３１ａを傾斜させた場合」（[0036]）の「傾斜面」について、その傾斜面の形状についてなんら記載されるものでなく、また、甲１発明の「傾斜面」が、「隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことを示す証拠もない。 よって、前記相違点２は、実質的な相違点であり、本件発明１は甲１発明であるとはいえない。 （２）本件発明２～６ 本件発明２～６は、本件発明１を直接又は間接的に引用する発明であるから、少なくとも、前記（１）ア（コ）の相違点２の点で甲１発明と相違する。 よって、本件発明２～６と甲１発明とは、実質的な相違点が存在するから、本件発明２～６は、甲１発明であるとはいえない。 （３）まとめ 本件訂正により、訂正前の請求項７は削除された。 そして、前記（１）、（２）のとおり、本件発明１～６は、甲１発明であるとはいえないから、取消理由通知に記載した取消理由によっては、請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 なお、申立人は意見書において、本件発明１について「甲１発明における表金属板（銅板）の側面の傾斜部に凹凸形状を設けることは当業者が容易に想到し得たことである。」と主張しているところ、当該主張については、次の第７において検討する。 第７ 取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立ての理由、及び当審の判断について １ 前記第４に記載した特許異議の申立ての理由のうち、取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立ての理由は次のとおりである。 （１）理由１（新規性） 本件特許の請求項８～９、１１、１３～１４に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （２）理由２（進歩性） 本件特許の請求項１～６、８～１５に係る発明は、甲１に記載された発明、甲２～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） ２ 甲号証について （１）甲１ ア 甲１の記載事項は、前記第６、１（１）のとおりであり、甲１発明は、前記第６、１（２）のとおりである。 イ 甲１製造方法発明 前記第６、１（１）より、甲１には、実施例７及び製造方法に関連して、次の発明（以下「甲１製造方法発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、符号「２Ａ１」等は分説するために当審にて付したものであり、以下、各構成を「構成２Ａ１」などのように参照する。） 「２Ａ１ セラミックス基板２を用意し、（[0042]） ２Ａ２ 金属板３を用意し、（[0043]） ２Ａ３ 接合層５を形成するためにろう材を用意し、（[0044]） ２Ｂ ろう材の成分を均一混合したろう材ペーストを調製し、（[0054]） ２Ｃ 次に、ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し、（[0055]） ２Ｄ 次に、加熱接合工程を行い、加熱接合後に急冷工程を行うと、加熱工程により溶けたろう材が早期に固まって接合層５となり、（[0057]） ２Ｈ 次に、エッチング工程を行い、エッチング工程により金属板３のパターニングを行い、エッチング工程により金属板３の側面を傾斜させ、さらに、エッチング工程によりはみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整し、金属板３をエッチングする工程とはみ出し部６の形状を整えるエッチング工程は別々の工程でもよい、（[0058]） ２Ｉ 回路基板を製造する方法（[0059]）であり、 ２Ｊ 回路基板は、 ２Ｊ１ セラミックス基板２の一方の面には複数の金属板が接合されていてもよく、複数の金属板３として、金属板３ａと、金属板３ｂと、を具備するものであり、([0029]) ２Ｊ２ 金属板３ａは、接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、金属板３ｂは、接合層５ｂを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、（[0030]） ２Ｊ３ 接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有し、接合層５ｂは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ｂとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ｂを有し、([0031]) ２Ｊ４ 金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜し、金属板３の側面３１ｂは、金属板３の上面３２ｂの外側に向かって傾斜しており、（[0032]） ２Ｊ５ 金属板３ａの側面３１ａの角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂの角度θを４０度以上８４度以下にしつつ、かつ金属板３ａの側面と上面とのなす角度および金属板３ｂの側面と上面とのなす角度を８５度以上９５度以下にすることにより、応力を緩和させつつ、半導体素子の搭載可能面積を広くすることができ、（[0033]） ２Ｋ 金属板として銅板を用い、金属板の表金属板の数は３であり、その厚さは０．８ｍｍであり、傾斜面の裾野の部分同士の最短距離Ｐは１．０ｍｍであり、セラミックス基板は材質が窒化珪素で、その厚さが０．２５ｍｍであり、ろう材成分がＡｇ（５０）、Ｃｕ（２４）、Ｓｎ（１２）、Ｉｎ（６）、Ｔｉ（７）、Ｃ（１）であり、はみ出し長さは１５μｍであり、金属板の側面と下面とのなす角度θは６０度である、（前記第６、１（１）ス） ２Ｌ 回路基板を製造する方法」 （２）甲２の記載 甲２には、次の事項が記載されている。 「【実施例】 【００３７】 以下、添付図面を参照して本発明による金属－セラミックス接合回路基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。 【００３８】 ［実施例１］ 金属成分が９１Ａｇ－７Ｃｕ－１．５Ｔｉ－０．５ＴｉＯ２（ｗｔ％）になるように金属粉を秤量し、この金属粉に約１０％のアクリル系のビヒクルを加え、自動乳鉢や３本ロールミルなどにより通常の方法で混錬して、ペースト状のろう材を作製した。 【００３９】 次に、図１に示すように、セラミックス基板１０を用意し（図１（ａ））、スクリーン印刷によりセラミックス基板１０の両面にろう材１２を塗布し（図１（ｂ））、その両側に０．３ｍｍの厚さのＣｕ板１４を配置し（図１（ｃ））、真空炉中において８３５℃でセラミックス基板１０とＣｕ板１４を接合した。なお、接合後にサンプルを切断してろう材１２の厚さを測定したところ、約２０μｍであった。また、セラミックス基板１０として、ＡＴＧ社製ＳグレードＡｌＮ基板を使用した。 【００４０】 その後、サンプルを真空炉から取り出し、図２に示すように、接合したＣｕ板１４の両面に、所望の回路パターンのＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６（三井化学（株）製ＭＴ－ＵＶ－５２０３）を約１０～１５μｍの厚さに塗布し（図２（ａ））、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりＣｕ板１４の不要部分を除去した（図２（ｂ））。 【００４１】 次に、この回路パターン間や基板の縁面の不要なろう材を除去するため、３０％チオ硫酸ナトリウム水溶液に室温で２分間浸漬した後、８３０ｇの純粋に対して１４ｇのＥＤＴＡおよび１７０ｍｌの過酸化水素水（３５ｗ／ｗ％）の割合で加えた溶液をｐＨ調整剤（アンモニア水（２８ｗ／ｗ％））によりｐＨ５．６に調整した混合溶液（液温４７℃）に１５０分間ディップして、ろう材１２を除去した後（図３（ａ））、レジスト１６を剥離し（図３（ｂ））、Ｎｉ－Ｐ無電解メッキ１８を施した（図３（ｃ））。Ｎｉ－Ｐメッキ液としては、上村工業社製ニムデンＳＸを使用した。この時の（Ｃｕの平均溶解速度／ろう材の平均溶解速度）の値は１．８であった。 【００４２】 この実施例で得られた金属－セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は５０μｍであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。また、得られた金属－セラミックス接合回路基板の断面写真を図４に示す。」 「図４ ［図：0001420311000007.jpg］ 」 （３）甲３の記載 甲３には、次の事項が記載されている。 「【００２３】 【実施例】 以下、添付図面を参照して本発明による金属－セラミックス接合体の実施例について詳細に説明する。 【００２４】 ［実施例１］ 金属成分が９１Ａｇ－７Ｃｕ－１．５Ｔｉ－０．５ＴｉＯ２（ｗｔ％）になるように金属粉を秤量し、この金属粉に約１０％のアクリル系のビヒクルを加え、自動乳鉢や３本ロールミルなどにより通常の方法で混錬して、ペースト状のろう材を作製した。 【００２５】 次に、図１に示すように、セラミックス基板１０を用意し（図１（ａ））、スクリーン印刷によりセラミックス基板１０の両面にろう材１２を塗布し（図１（ｂ））、その両側に０．２５ｍｍの厚さのＣｕ板１４を配置し（図１（ｃ））、真空炉中において８３５℃でセラミックス基板１０とＣｕ板１４を接合した。なお、接合後にサンプルを切断してろう材１２の厚さを測定したところ、約２０μｍであった。また、セラミックス基板１０として、ＡＴＧ社製ＳグレードＡｌＮ基板を使用した。 【００２６】 その後、サンプルを真空炉から取り出し、図２に示すように、接合したＣｕ板１４の両面に、所望の回路パターンのＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を約１０～１５μｍの厚さに塗布し（図２（ａ））、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりＣｕ板１４の不要部分を除去した（図２（ｂ））後、３．５％水酸化ナトリウム水溶液によりレジスト１６を除去した（図２（ｃ））。 【００２７】 次に、この回路パターン間や基板の縁面の不要なろう材を除去するため、１．４％ＥＤＴＡ、６％過酸化水素、３％アンモニアの液組成からなる混合溶液にディップして、ろう材１２を除去した（図３（ａ））。その後、再度Ｃｕ板１４の両面に所望の回路パターンのＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１８を塗布し（図３（ｂ））、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりＣｕ板１４を１５分間再度エッチングした（図３（ｃ））。その後、３．５％水酸化ナトリウム水溶液によりレジスト１８を除去し（図４（ａ））、Ｎｉ－Ｐ無電解メッキ２０を施した（図４（ｂ））。 【００２８】 このようにして得られた金属－セラミックス接合体の断面の顕微鏡写真を図６に示す。この実施例で得られた金属－セラミックス接合体について、ろう材はみ出し量および金属回路部のスカート量を測定したところ、それぞれ１０２μｍおよび＜０μｍであった。また、本実施例で得られた金属－セラミックス接合体について、通炉処理（還元雰囲気（窒素４＋水素１）下において３７０℃で１０分間加熱した後に冷却する処理）を行い、通炉耐量（通炉回数）により、信頼性を評価した。すなわち、通炉処理後にセラミックス部にクラックが発生するか否かを外観検査して、クラックが発生したときの通炉処理の回数の直前の通炉処理の回数を通炉耐量（通炉回数）とし、この通炉耐量によって、金属－セラミックス接合体の信頼性を評価した。その結果、この実施例において製造された金属－セラミックス接合体の通炉耐量（通炉回数）は５８回であった。」 「図６ ［図：0001420311000008.jpg］ 」 （４）甲４の記載 甲４には、次の事項が記載されている。 「【請求項１】 セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、 前記導体層は上面と、前記セラミックス基板に接合する下面と、上面及び下面を連結する側面とを有し、 導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、 前記上面の先端は前記下面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退しており、 前記側面は前記上面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退した箇所を有する内側に窪んだ湾曲線状の輪郭を有しており、 前記上面と前記側面の連結部は、前記上面の先端に内接し、且つ、前記上面及び前記側面の内側に形成することのできる円の最大半径Ｒが平均で０．１μｍ≦Ｒ≦５μｍとなるような丸み形状を有する、 絶縁放熱基板。」 「【００２１】 導体層１０４は、銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金などの金属で形成することができる。導体層１０４は、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属または銀（Ａｇ）からなるメタライズ層で形成することもできる。その他、ニッケル、鉄、チタン、モリブデンを使用することもできる。導体層１０４の平均厚みＤ（導体層１０４の上面１０４ａと下面１０４ｂの高さの差の平均）については、パワー半導体モジュールの小型化を図るという観点からは、０．３ｍｍ～２．０ｍｍであることが好ましく、０．５ｍｍ～１．５ｍｍであることがより好ましい。」 「【００２８】 図２は、本発明に係る絶縁放熱基板の一実施形態に係る導体層の連結部１０６の近傍を断面観察したときのＳＥＭ写真である。図２において、連結部１０６は最大半径Ｒが０．５μｍの内接円を形成することのできる丸み形状を有する。また、導体層の上面が先端に向かって下方に傾斜した形状を有していることが確認できる。」 「図２ ［図：0001420311000009.jpg］ 」 （５）周知技術 ア 前記（２）において、「金属－セラミックス接合回路基板」（【００４２】）の「金属」は、「不要部分を除去した」「Ｃｕ板」（【００４０】）に対応するものであるから、「金属」は本件発明の「銅部」に相当する。 そして、「金属－セラミックス接合回路基板の断面写真」である図４より、銅部は傾斜部を有しており、傾斜部は窪み形状となっていることが見てとれる。 イ 前記（３）の「金属－セラミックス接合体」（【００２８】）の「金属」は、「１５分間再度エッチングした」「Ｃｕ板」（【００２７】）に対応するものであるから、「金属」は本件発明の「銅部」に相当する。 そして、「金属－セラミックス接合体の断面の顕微鏡写真」である図６より、銅部は傾斜部を有しており、傾斜部は窪み形状となっていることが見てとれる。 ウ 前記（４）の「導体層」（【００２８】）は、「銅（Ｃｕ）」で形成することができる（【００２１】）ものであるから、本件発明の「銅部」に相当する。 そして、「導体層の連結部１０６の近傍を断面観察したときのＳＥＭ写真」である図２より、銅部は傾斜部を有しており、傾斜部は窪み形状となっていることが見てとれる。 エ 前記ア～ウより、「銅部は傾斜部を有しており、傾斜部は窪み形状である」ことは、本件特許の優先日当時に当業者に周知であったと認められる。 ３ 当審の判断 （１）本件発明１～６に対する理由２（進歩性）について ア 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１発明とを対比する。 本件発明１と甲１発明との対比は、前記第６、２（１）ア（ア）～（ケ）のとおりである。 そして、本件発明１と甲１発明とは、前記第６、２（１）ア（コ）で示す一致点及び相違点１、２があるといえる。 （イ）判断 事案に鑑み、相違点２について検討する。 相違点２に係る構成である「前記１傾斜部には隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことは、甲２～甲４に記載されておらず、本件特許の優先日当時に当業者に周知であったとはいえない。また、自明な事項であったともいえない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （ウ）意見書の主張について 申立人は意見書において、甲２の図４、及び甲３の図６より、「銅部の側面の傾斜部に凹凸形状が設けられることは普通のこと」であり、「甲１発明における表金属板（銅板）の側面の傾斜部に凹凸形状を設けることは当業者が容易に想到し得たことである。」旨主張する（意見書１頁～３頁）。 しかしながら、相違点２に係る構成である「前記１傾斜部には隣り合う凸部と凹部の高さの差が１μｍ以上２０μｍ以下である凹凸形状が設けられている」ことは、本件訂正前の請求項７で特定されていた事項であるにも関わらず、特許異議申立書においては、全く主張していなかったものである。 したがって、当該主張は、実質的に新たな理由を追加するものであり、訂正の請求の内容に付随して生じるものであるとも、適切な取消理由を構成することが一見して明らかであるともいえないから、採用しない。 イ 本件発明２～６について 本件発明２～６は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである。 そうすると、本件発明２～６と甲１発明とは、少なくとも、前記ア（ア）に示した相違点１、２において相違するものであり、相違点２は、前記ア（イ）のとおり、当業者が容易になし得たものではない。 よって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２～６は、甲１発明、甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ （１）のまとめ 前記ア、イのとおり、本件発明１～６は、甲１に記載された発明、及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本件発明８～９、１１、１３～１４に対する理由１（新規性）、及び本件発明８～１５に対する理由２（進歩性）について ア 本件発明８について （ア）本件発明８と甲１製造方法発明とを対比する。 ａ 「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意し、」について （ａ）甲１製造方法発明の「セラミックス基板２」（構成２Ａ１)は、本件発明８の「セラミックス基板」に相当する。 （ｂ）甲１製造方法発明は、「セラミックス基板２」、「金属板３」、及び「ろう材」を用意し（構成２Ａ１～２Ａ３）、「ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し」（構成２Ｃ）、「加熱接合工程を行」う（構成２Ｄ）。ここで、「加熱接合工程」により、セラミックス基板２は金属板３と接合される。 （ｃ）甲１製造方法発明は、「加熱接合工程」の次に「エッチング工程により金属板３のパターニングを行い、エッチング工程により金属板３の側面を傾斜させ、さらに、エッチング工程によりはみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整」するものであり、「金属板３をエッチングする工程とはみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」を「別々の工程」（構成２Ｈ）で行う。 金属板３をエッチングすることにより、金属板３のパターニングが行われ、金属板３の側面を傾斜させているといえるから、「金属板３をエッチングする工程」により、「金属板３のパターニング」及び「金属板３の側面を傾斜」させ、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」により、「はみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整」するものと認められる。 （ｄ）甲１製造方法発明により製造された「回路基板」は、「セラミックス基板２の一方の面には複数の金属板が接合され」、「複数の金属板３として、金属板３ａと、金属板３ｂと、を具備する」（構成２Ｊ１）回路基板である。 そして、複数の金属板は、金属板３のパターニングを行うことで形成されるから、複数の金属板である「金属板３ａ」と「金属板３ｂ」は、「金属板３をエッチングする工程」により形成されると解される。 また、甲１製造方法発明により製造された「回路基板」は、「傾斜面の裾野の部分同士の最短距離Ｐ」が「１．０ｍｍ」（構成２Ｋ）であるから、「金属板３をエッチングする工程」でパターニングされることにより形成される「金属板３ａ」と「金属板３ｂ」は、セラミックス基板２の第１の面に沿う第１方向において互いに離れているといえる。 さらに、前記（ｃ）のとおり、「金属板３の側面の傾斜」は、「金属板３をエッチングする工程」により形成されるから、「金属板３をエッチングする工程」により形成される「金属板３ａ」と「金属板３ｂ」は、側面が傾斜しているといえる。 （ｅ）甲１製造方法発明は、「ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し」（構成２Ｃ）、「加熱接合工程を行」う（構成２Ｄ）ところ、「ろう材」は加熱接合工程を行うことで「接合層５」（構成２Ｄ）となるから、加熱接合工程を行った「セラミックス基板２」は、第１の面に接合層５を介して金属板３が接合されたものとなる。 そして、「加熱接合工程」の次に「金属板３をエッチングする工程」を行うことから、「金属板３をエッチングする工程」を行った「セラミックス基板２」は、「金属板３ａ」と「金属板３ｂ」が「接合層５」を介して接合されているといえる。 そして、「接合層５」は、加熱接合工程を行った「ろう材ペースト層」に対応するから、「ろう材層」ということができ、「第１ろう材層」と称することは任意である。 （ｆ）甲１製造方法発明により製造された「回路基板」は、「金属板として銅板を用い」るものであり、「表金属板の数は３」であり、それぞれの「厚さは０．８ｍｍ」（構成２Ｋ）である。 そうすると、「金属板３ａ」、「金属板３ｂ」は、いずれも「銅部」ということができ、それぞれ「第１銅部」、「第２銅部」と称することは任意である。 また、厚さ「０．８ｍｍ」は、厚さ「０．６ｍｍ以上」に含まれる。 （ｇ）前記（ａ）～（ｆ）より、甲１製造方法発明は、「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板」に対して「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」の処理を行っているということができる。 よって、本件発明８と甲１製造方法発明とは、「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板」に対して処理する点で一致する。 そして、甲１製造方法発明においては、第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を「用意」することは、特定されていない。 ｂ 「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし、」について 甲１製造方法発明は、「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板」に対して、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」（前記ａ（ｇ））を行うものであり、本件発明８の「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチング」することについて、特定されていない。 ｃ 「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり、且つ前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以上となるように、前記第１銅部をエッチングする」について （ａ）甲１製造方法発明は、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」において「はみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整」（前記ａ（ｃ））している。 （ｂ）甲１製造方法発明で製造される「回路基板」は、「接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有」（構成２Ｊ３）するものであり、接合層５ａを介して、金属板３ａはセラミックス基板２の第１の面と接合されているから、「接合層５ａ」は、本件発明８の「ろう材部」に相当し、「第１ろう材部」と称することは任意である。 また、「金属板３ａ」の「側面の傾斜」（構成２Ｊ４）している部分を「第１傾斜部」と称することができる。 そして、「はみ出し部６ａ」は、「セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在する」から、第１傾斜部の端部からはみ出しているものであり、「第１はみ出し部」と称することは任意である。 （ｃ）甲１製造方法発明で製造される「回路基板」は、「はみ出し長さは１５μｍ」（構成２Ｋ）であり、「はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下」に含まれる。 （ｄ）前記（ａ）～（ｃ）より、本件発明８と甲１製造方法発明の「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」とは、「第１傾斜部の端部からはみ出た第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となるように、エッチングする」点で一致するといえる。 しかし、甲１製造方法発明は、当該「エッチング」が「第１銅部をエッチング」するものか否か不明であり、また、甲１製造方法発明の「はみ出し部６の形状を整えるエッチング工程」は、「はみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整」（前記ａ（ｃ））するに止まり、「金属板３をエッチングする工程」で「金属板３ａ」と「金属板３ｂ」の側面を傾斜させている（前記ａ（ｄ））から、本件発明８の、「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり、且つ前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以上となるように、前記第１銅部をエッチング」するものではない。 ｄ 「セラミックス銅回路基板の製造方法」について 甲１製造方法発明で製造される「回路基板」は、表金属板として銅板を用いる（構成２Ｋ）ものであるから、「セラミックス銅回路基板」であり、本件発明８と甲１製造方法発明とは、「セラミックス銅回路基板の製造方法」である点で一致する。 ｅ 一致点、相違点 前記ａ～ｄによれば、本件発明８と甲１製造方法発明とは、次の一致点、相違点があるといえる。 ＜一致点＞ 「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板に対して、 第１傾斜部の端部からはみ出た第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となるように、エッチングするセラミックス銅回路基板の製造方法」 ＜相違点＞ 相違点３：本件発明８は、「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板」を「用意」するのに対して、甲１製造方法発明では、セラミックス基板と金属板とろう材を用意するものであり、「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上である接合されたセラミックス基板」を用意するものではない点 相違点４：本件発明８は、「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし」ているのに対して、甲１製造方法発明は、当該エッチングについて特定されていない点 相違点５：本件発明８は、「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり、且つ前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以上となるように、前記第１銅部をエッチングする」することを特定しているのに対して、甲１製造方法発明は、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング」である点 （イ）相違点についての判断 事案に鑑み、相違点５について検討する。 ａ 相違点５に係る構成の誤記について 本件発明８は、「前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以上」と特定されているところ、当該「０．１倍以上０．５倍以上」との数値範囲に誤記があることは明らかである。そして、上限及び下限を特定することにより数値範囲を特定することが技術常識であり、また、本件特許明細書においても、「このため、傾斜部の幅は、銅部の厚さの０．５倍以下であることが好ましい。より好ましくは、傾斜部の幅は、銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以下である。傾斜部の幅が銅部の厚さの０．１倍未満であると、傾斜部の幅が狭いため、応力緩和効果が不足する可能性がある。」（【００１３】）と記載されている。 そうすると、本件発明８で特定される「０．１倍以上０．５倍以上」との事項は、「０．１倍以上０．５倍以下」の誤記であることが明らかである。 ｂ 相違点５について 前記ａのとおり、相違点５における「０．１倍以上０．５倍以上」は、「０．１倍以上０．５倍以下」の誤記であることが明らかであるから、当該誤記を踏まえて、以下判断する。 甲１製造方法発明は、「金属板３をエッチングする工程」で[金属板３の側面を傾斜させ」ているから、「加熱接合工程」を行い、「金属板３のパターニング」を行い、「金属板３ａ」及び「金属板３ｂ」が接合されたセラミックス基板２について、金属板３ａの側面には、傾斜が形成されているものであり、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング」は、「はみ出し部６のはみ出し長さおよび厚さを調整」するものである。 そうすると、甲１製造方法発明の「はみ出し部６の形状を整えるエッチング」において、金属板３ａの「第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり」、「前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以下となるように」、エッチングする必要はなく、「はみ出し部６の形状を整えるエッチング」において、「第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり」、「前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以下となるように」、エッチングする動機付けはない。 また、「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下となり、且つ前記第１傾斜部の幅が前記第１銅部の厚さの０．１倍以上０．５倍以下となるように、前記第１銅部をエッチングする」ことは、提出された甲２～甲４に記載されるものではない。 よって、相違点５に係る構成は、甲１製造方法発明に基いて当業者が容易になし得たものとはいえない。 したがって、本件発明８と甲１製造方法発明とは、少なくとも相違点５の点で相違するものであり、当該相違点５は、甲１製造方法発明に基いて当業者が容易になし得たものとはいえない。 （ウ）意見書の主張について ａ 申立人は意見書において、「甲１製法発明では、「ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１、２の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し、第２の面上のろう材ペースト層上に金属板４を配置し、金属板３／ろう材ペースト層（接合層５）／セラミックス基板２／ろう材ペースト層（接合層７）／金属板４、の５層構造の回路基板を形成し」、さらに、「金属板として銅板を用い、金属板の表金属板の数は３であり、その厚さは０．８ｍｍであ」るから、本件発明８の「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意し、」に相当する。」と主張する（意見書８頁）。 しかしながら、上記主張において、「形成」した「５層構造の回路基板」（[0056]）は、セラミックス基板２の「第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し」たもの（[0055]）で、「次に、加熱接合工程を行う」（[0057]）ことから、セラミックス基板２に金属板３が接合されたものではないし、本件発明８の「第１面に」「第１銅部」及び「第２銅部」が接合されたものでもない。 また、当該「５層構造の回路基板」は、甲１の[0041]～[0059]に記載される製造方法において、「形成」([0056]）されるものであるから、当該「５層構造の回路基板」は用意するものでなく、甲１において、当該「５層構造の回路基板」を用意することが、自明な事項であるとも認められない。 そうすると、「甲１製法発明」において「ろう材ペーストをセラミックス基板２の第１、２の面に塗布し、第１の面上のろう材ペースト層上に金属板３を配置し、第２の面上のろう材ペースト層上に金属板４を配置し、金属板３／ろう材ペースト層（接合層５）／セラミックス基板２／ろう材ペースト層（接合層７）／金属板４、の５層構造の回路基板を形成し」、さらに、「金属板として銅板を用い、金属板の表金属板の数は３であり、その厚さは０．８ｍｍであ」ることが、本件発明８の「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意」することに相当するとはいえない。 ｂ 「甲１製法発明では、「金属板３、４をエッチングする工程とはみ出し部６、８の形状を整えるエッチング工程を別々の工程として行い、金属板３、４の側面を傾斜させ、はみ出し部６、８のはみ出し長さおよび厚さを調整し」、さらに、「はみ出し長さは１５μｍであり、金属板の側面と下面とのなす角度θは６０度である」から、本件発明８の「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、・・・るように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし、前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下とな・・・るように、前記第１銅部をエッチングする」に相当する。」旨主張する（意見書８頁～９頁）。 しかしながら、甲１の[0041]～[0059]に記載される製造方法において、別々の工程でもよい「金属板３、４をエッチングする工程」と「はみ出し部６、８の形状を整えるエッチング工程」（[0058]）のいずれにおいても、本件発明８の「前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチング」することは記載されておらず、自明な事項であるとも認められない。 また、「はみ出し部６、８の形状を整えるエッチング工程」は、「はみ出し部６、８のはみ出し長さおよび厚さを調整」するものであるから、「前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下とな・・・るように」するエッチングでもない。 そうすると、「甲１製法発明」の「金属板３、４をエッチングする工程とはみ出し部６、８の形状を整えるエッチング工程を別々の工程として行い、金属板３、４の側面を傾斜させ、はみ出し部６、８のはみ出し長さおよび厚さを調整し」、さらに、「はみ出し長さは１５μｍであり、金属板の側面と下面とのなす角度θは６０度である」ことが、本件発明８の「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、・・・るように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし、前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下とな・・・るように、前記第１銅部をエッチングする」ことに相当するとはいえない。 ｃ そして、意見書の「本件発明８は、甲１製法発明に対して進歩性を有さない。」との主張（意見書１０頁）は、上記ａ及びｂの主張を前提とするものであり、上記ａ及びｂの主張が、技術常識から自明であるともいえないから、意見書の主張は採用できない。 （エ）特許異議申立書の主張について ａ 申立人は特許異議申立書において、「甲１発明Ｂでは、「第１の面と第２の面とを有する窒化ケイ素基板（厚さ：０．２５ｍｍ）に、第１のろう材を介して前記第１の面に３枚の第１の銅板（厚さ：０．８ｍｍ）を」「接合」しているから、本件発明８における「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意し」に相当する。」旨主張する（特許異議申立書２０頁）。 しかしながら、甲１に記載される製造方法（[0041]～[0059]）は、「セラミックス基板２を用意する」（[0042]）、「金属板３、４を用意する」（[0043]）、「ろう材を用意する」（[0044]）ものである。そして、実施例においても「セラミックス基板１～４を用意し、ろう材として表２に示すろう材を用意し」（[0060]）、「セラミックス基板の第１の面上に、第１のろう材を介して表金属板を配置し、・・・７００～９００℃にて加熱接合し、加熱接合後に５℃／分以上の冷却速度で冷却」（[0063]）するものであるから、「セラミックス基板の第１の面上に、第１のろう材を介して表金属板を」「接合」したものを用意しているとはいえない。 また、「セラミックス基板の第１の面上に、第１のろう材を介して表金属板を」「接合」したものを用意することが、自明な事項であるとも認められない。 そうすると、「甲１発明Ｂ」において「第１の面と第２の面とを有する窒化ケイ素基板（厚さ：０．２５ｍｍ）に、第１のろう材を介して前記第１の面に３枚の第１の銅板（厚さ：０．８ｍｍ）を」「接合」していることは、本件発明８の「第１面に第１ろう材層を介して第１銅部及び第２銅部が接合され、前記第１銅部と前記第２銅部は前記第１面に沿う第１方向において互いに離れ、前記第１銅部の厚さ及び前記第２銅部の厚さは０．６ｍｍ以上であるセラミックス基板を用意」することに相当するとはいえない。 ｂ また、「甲１発明Ｂでは、「エッチングして、前記第１の銅板が側面と下面とのなす角度θ：６０度で傾斜し、前記第１のろう材が、前記第１の面と前記第１の銅板との間からはみ出すように前記第１の面上に延在する第１のはみ出し部を有し」、「前記第１のはみ出し部の長さは１５μｍであり」、「前記３枚の第１の銅板間の距離が１．０ｍｍであるように調整」しているから、本件発明８における「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし」、かつ「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下」「となるように、前記第１銅部をエッチングする」に相当する。」旨主張する（特許異議申立書２０頁）。 しかしながら、甲１には、「エッチングしてはみ出し部のはみ出し長さＬ（μｍ）、厚さＨ（μｍ）、金属板間の最短距離Ｐを調整した」（[0063]）と記載されるものであり、「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチング」することについて記載はされておらず、自明な事項であるとも認められない。 また、甲１の[0041]～[0059]に記載される製造方法においても、「前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチング」について記載されておらず、自明な事項であるとも認められない。 そうすると、「甲１発明Ｂ」において「エッチングして、前記第１の銅板が側面と下面とのなす角度θ：６０度で傾斜し、前記第１のろう材が、前記第１の面と前記第１の銅板との間からはみ出すように前記第１の面上に延在する第１のはみ出し部を有し」、「前記第１のはみ出し部の長さは１５μｍであり」、「前記３枚の第１の銅板間の距離が１．０ｍｍであるように調整」することが、本件発明８における「前記セラミックス基板と前記第１銅部との間に位置する第１ろう材部及び前記セラミックス基板と前記第２銅部との間に位置する第２ろう材部が形成され、且つ前記第１ろう材部の端部と前記第１銅部の端部との間の距離が１００μｍ以下となるように、前記第１銅部と前記第２銅部との間に位置する前記第１ろう材層の一部をエッチングし」、かつ「前記第１銅部の側面が第１傾斜部を含み、前記第１傾斜部の端部からはみ出た前記第１ろう材部の第１はみ出し部の長さが０μｍより大きく２００μｍ以下となり、前記第１傾斜部と前記第１はみ出し部との接触角度が５°以上６５°以下」「となるように、前記第１銅部をエッチングする」に相当するとはいえない。 ｃ そして、特許異議申立書の「本件発明８は甲１発明Ｂに対して新規性を有さない。」、「本件発明８は、甲１発明Ｂに対して進歩性を有さない。」との主張（特許異議申立書２１頁）は、上記ａ及びｂの主張を前提とするものであり、上記ａ及びｂの主張が、技術常識から自明であるともいえないから、特許異議申立書の主張は採用できない。 イ 本件発明９～１５について 本件発明９～１５は、本件発明８の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである。 そうすると、本件発明９～１５と甲１製造方法発明とは、少なくとも、前記ア（ア）ｅに示した相違点５において相違するものである。 よって、本件発明９、１１、１３～１４は、甲１製造方法発明であるとはいえない。 また、当該相違点５は、前記ア（イ）で述べたとおり、当業者が容易になし得たものではない。 よって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明９～１５は、甲１製造方法発明、甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ （２）のまとめ 前記ア、イのとおり、本件発明８～１５は、甲１に記載された発明でなく、また、甲１に記載された発明、及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易になし得たものとはいえない。 ４ 意見書における新たな主張について 申立人は、意見書において、本件発明８の「「０．１倍以上０．５倍以上」の意味が不明確である」旨主張する（意見書１０頁）ので、当該主張について検討する。 当該主張は、実質的に新たな理由を提示するものである。そして、本件訂正に付随して生じたものではなく、適切な取消理由を構成することが一見して明らかであるともいえない（前記３（２）ア（イ）ａ）。 よって、申立人の当該主張は採用しない。 第８ まとめ 以上のとおり、取消理由通知で通知した取消理由及び特許異議申立書で申し立てられた特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～６、８～１６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～６、８～１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件訂正により、請求項７に係る特許についての特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により、却下する。 よって、結論のとおり決定する。