2024-700879

特許第７４５５７５１号発明「接合基板、金属回路基板及び回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４５５７５１号の請求項１～８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４５５７５１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～８に係る特許についての出願は、２０１９年（令和元年）９月２７日（優先権主張平成３０年９月２７日）を国際出願日とする出願であって、令和６年３月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年３月２６日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１～８に係る特許に対し、令和６年９月１２日に特許異議申立人 廣瀬 妙子（以下「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明８」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、請求項１について、当審において次のように分説し、符号Ａ～Ｈを用いて分説した発明特定事項を、それぞれ「特定事項Ａ」～「特定事項Ｈ」のように参照する。 「【請求項１】 Ａ 基板と、 Ｂ 前記基板とで積層状態を構成している金属板であって、前記基板側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有しており、積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している金属板と、 Ｃ 前記基板と前記金属板との間に配置され前記金属板を前記基板に接合させている接合部材であって、前記積層方向から見て前記金属板の全周に亘って縁からはみ出している接合部材と、 Ｄ を備え、 Ｅ１ 前記積層方向に沿って切断した複数の切断面のうちの少なくとも１つの切断面における、前記第１面の周縁に相当する部分から前記第２面の周縁に相当する部分までの前記積層方向と直交する直交方向の長さを周面長Ａ（ｍｍ）、前記接合部材のはみ出し部分の前記直交方向の長さをはみ出し長Ｂ（ｍｍ）、及び、記第１面から前記第２面までの距離を前記金属板の厚みＣ（ｍｍ）とした場合、下記の第１式及び下記の第２式を満たし、 Ｆ１ 前記金属板における前記第１面の全周縁と前記第２面の全周縁とを繋ぐ周面は、傾斜面を含む面とされており、前記積層方向に沿って切断した複数の切断面のうちの少なくとも１つの切断面における、前記傾斜面に相当する部分の前記直交方向に対する傾斜角θ（°）は、下記の第３式を満たし、 Ｇ１ 前記第１面の周縁に相当する部分から前記金属板の上面の内側に向けて、前記金属板の下面に相当する直線と４５°となるように直線を引き、前記直線と前記金属板の上面とが交わる点と、前記第１面の周縁に相当する部分とを結ぶ直線を斜辺とする直角二等辺三角形に相当する断面の面積をＳ１とし、前記直角二等辺三角形の前記斜辺より前記基板の外側方向に向けてはみ出す断面の面積をＳ２とした場合、前記面積Ｓ１と前記面積Ｓ２との関係は、下記の第４式を満たしている Ｈ 接合基板。 Ｅ２ （第１式）０．２００≦Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦０．４００ Ｅ３ （第２式）０．８（ｍｍ）≦Ｃ≦２．０（ｍｍ） Ｆ２ （第３式）８６≧θ＞６９（°） Ｇ２ （式４式）０．６≦Ｓ２／Ｓ１ 【請求項２】 前記金属板は、前記積層方向から見て角が４つ以上の多角形とされ、 前記少なくとも１つの切断面は、前記積層方向から見た前記金属板の対角線で切断した切断面とされている、 請求項１に記載の接合基板。 【請求項３】 すべての前記対角線で前記積層方向に沿って切断したすべての切断面における、前記周面長Ａ（ｍｍ）及び前記はみ出し長Ｂ（ｍｍ）は、前記第１式を満たす、 請求項２に記載の接合基板。 【請求項４】 前記積層方向から見た前記金属板のすべての対角線で前記積層方向に沿って切断したすべての切断面における、前記傾斜面に相当する部分の前記直交方向に対する傾斜角θ（°）は、前記第３式を満たす、 請求項１～３のいずれか１項に記載の接合基板。 【請求項５】 前記周面長Ａ（ｍｍ）は、０．１５（ｍｍ）以上０．３０（ｍｍ）以下のいずれかの長さとされている、 請求項１～４のいずれか１項に記載の接合基板。 【請求項６】 前記はみ出し長Ｂ（ｍｍ）は、１０μｍ以上１００μｍ以下のいずれかの長さとされている、 請求項１～５のいずれか１項に記載の接合基板。 【請求項７】 請求項１～６のいずれか１項に記載の接合基板と、 回路パターンが形成された前記金属板に実装されている電子部品と、 を備えている回路基板。 【請求項８】 前記電子部品の動作温度は、１００℃以上２５０℃以下の範囲とされている、 請求項７に記載の回路基板。」 第３ 申立ての理由の概要 令和６年９月１２日に申立人が提出した特許異議申立書（以下「異議申立書」という。）に記載した申立ての理由の概要、及び証拠方法は次のとおりである。 １ 申立ての理由 （１）申立理由１（進歩性） 請求項１～８に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る発明についての特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。（同法１１３条２号） （２）申立理由２（サポート要件） 請求項１～８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１～８に係る特許は、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法１１３条４号） ２ 証拠方法 甲第１号証 特開２００４－１７２１８２号公報 甲第２号証 国際公開第２０１７／０５６３６０号 以下、「甲第１号証」、「甲第２号証」を、それぞれ「甲１」、「甲２」という。 第４ 甲号証の記載 １ 甲１に記載された事項及び甲１発明 （１）甲１には、次の事項が記載されている。（下線は、強調のため当審で付したものである。以下同様。） 「【請求項１】 セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された回路基板であり、該接合層の金属回路からのはみ出し長さが２０～６０μｍであり、パターントップにせり出し部がなく、パターントップのコーナー部のＲサイズが１０～１００μｍで、金属回路の表面粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以下であることを特徴とする回路基板。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、高耐電圧の回路基板及びその製造方法に関する。」 「【０００８】 【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明は、本発明は、セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された回路基板であり、該接合層の金属回路からのはみ出し長さが２０～６０μｍであり、パターントップにせり出し部がなく、パターントップのコーナー部のＲサイズが１０～１００μｍで、金属回路の表面粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以下であることを特徴とする回路基板である。」 「【００１０】 【発明の実施の形態】 以下、図面を参照しながら、更に詳しく本発明について説明する。図１は、本発明の回路基板の形状を説明するための回路基板端部断面の図面代用走査型電子顕微鏡写真であり、図２は従来品のそれである。 【００１１】 本発明の回路基板は、セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された構造を基本としている。金属回路を形成させた反対面には金属放熱板を形成させた構造のものや、金属回路又は金属放熱板に更にＮｉめっきが施されているものをも本発明が対象としている。このような回路基板には、その形状、材質等において多くの市販品と先行技術文献があるが、本発明においては特に限定はなく、いずれも使用可能である。まず、これについて概説する。」 「【００１４】 金属回路の厚みは、電気的、熱的特性の面からＡｌ回路の場合は０．４～０．５ｍｍ、Ｃｕ回路の場合は０．３～０．５ｍｍであることが好ましい。金属放熱板を形成させる場合、その厚みは半田付け時の反りを生じさせないように決定される。具体的には、Ａｌ放熱板の場合は０．１～０．４ｍｍ、Ｃｕ放熱板の場合は０．１５～０．４ｍｍであることが好ましい。 【００１５】 セラミックス基板に金属回路又は金属放熱板を形成させるには、金属板とセラミックス基板とを接合した後、エッチングする方法、金属板から打ち抜かれた回路及び放熱板のパターンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うことができる。これらの接合には、活性金属ろう付け法が用いられる。 【００１６】 Ｎｉめっきが施される前の金属回路又は金属放熱板の表面は、研削、物理研磨、化学研磨等によって平滑化されていることが好ましく、表面粗さがＲａ≦０．２μｍであることが好ましい。Ｎｉめっきは無電解法によることが好ましく、これによってファインパターンに対応可能となる。Ｎｉめっき膜厚は２～８μｍであることが好ましい。 【００１７】 接合層は、セラミックス基板に金属回路又は金属放熱板を活性金属ろう付け法によって接合したときに形成される。ろう材の金属成分は銀及び／又は銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基板との濡れ性を確保するためにチタンを副成分とする。このチタンは、セラミックス基板の窒素成分と反応して窒化物（ＴｉＮ）となり接合体の結合を強固なものとする。チタンの活性金属は、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム等のチタン以外の活性金属と併用することもできる。これらのチタン以外の活性金属はろう材の融点を降下させる。」 「【００２０】 本発明の回路基板は、上記基本構造にして、接合層のはみ出し長さと、金属回路のパターントップのコーナー部の形状を適正化したことに特徴がある。 【００２１】 まず、本発明における接合層のはみ出し長さとは、金属回路の端部よりはみ出した接合層の長さを意味する（図１のａで示される長さ）。本発明においては、はみ出し長さが２０～６０μｍ、好ましくは３０～５０μｍであることが必要である。６０μｍより大きくなると、使用電圧６～９ｋＶにおいて、部分放電電荷量が１０ｐＣ以上となり部分放電特性の改善が十分でなくなる。また、はみ出し長さが２０μｍ未満であると、熱衝撃によりセラミックス基板にクラックが入り絶縁不良を起こす恐れがある。なお、接合層の厚みは、７μｍ以下であることが好ましい。接合層のはみ出し長さと厚みは、接合層のエッチング条件、ろう材の塗布条件によって調整することができる。接合層の成分は、上記ろう材の金属成分、金属成分の合金、金属成分の窒化物などで構成されている。 【００２２】 金属回路のパターントップのコーナー部（図１のＣで示される部分）の形状は、そのＲサイズが１０～１００μｍ、好ましくは４０～８０μｍであることが必要である。Ｒが大きいほど放電が起こりにくくなるが、１００μｍをこえると金属回路に実装部品を半田付けする際に、部品が傾くなどの支障を来す。また、Ｒサイズが１０μｍ未満では、高電圧を印加すると放電する。コーナー部の形状は、パターンエッチング後に更にパターン表面をエッチングすることによって調整することができる。 【００２３】 本発明においては、接合層のはみ出し長さと、パターントップのコーナー部の形状を特定することによって、使用電圧６～９ｋＶにおいても部分放電電荷量が１０ｐＣ未満となる。この理由は定かでないが、回路形状自体に鋭い部分がないので電界集中が発生しにくくなったので、部品の実装後に封入する放電防止用のゲルの密着性が向上したためであると考えている。なお、本発明において、ゲル中への放電は、回路基板に半導体チップを半田付けし、ケースに組み込み、放電防止ゲルにて樹脂封止した後、通電を行い、目視で観察した。 【００２４】 さらには、本発明の回路基板には、パターントップにせり出しがないことが必要である。ここで、「せり出し」とは、金属回路の上面が、断面より観察して外側にせり出ている（図２のｂで示される部分）ことを意味する。せり出しをなくすには、回路パターンを形成した後、エッチングレジストを全て剥離し再度エッチングすることによって行うことができる。」 「【００２６】 なお、本発明における回路基板の断面形状は、走査型電子顕微鏡によって観察される。試料の作製に際しては、必要に応じて樹脂包埋や研磨が施こされる。 【００２７】 つぎに、本発明の回路基板の製造方法について説明する。この発明においては、金属板とセラミックス基板の接合体から、金属回路をエッチングによって形成させた後、全てのエッチングレジストを除去し、さらに金属回路の表面を２０～６０μｍ、好ましくは３０～５０μｍエッチング除去される。Ｎｉめっきを施す場合にはこの後に行われる。 【００２８】 本発明において、全てのエッチングレジストを除去するまでの工程は、従来と同様にして行われる。すなわち、金属板とセラミクス基板の接合体を製造する工程、エッチングレジストを印刷する工程、エッチングを行い金属回路を形成する工程、エッチングレジストを除去する工程を経る。 【００２９】 接合体を製造するためのろう材ペーストとしては、上記したものを用い、その塗布量を乾燥基準で５～２０ｍｇ／ｃｍ２とする。塗布量が５ｍｇ／ｃｍ２未満では未反応の部分が生じ、また２０ｍｇ／ｃｍ２をこえると接合層を除去するのに手間取る。塗布には、スクリーン印刷法、ロールコーター法等が採用される。 金属放熱板を形成させる場合には、裏面にも塗布する。 【００３０】 その後、ろう材ペーストの塗布されたセラミックス基板に金属板を配置し、真空中、熱処理してから冷却する。熱処理の温度は８３０～８６０℃、時間は３０～６０分間、真空度は１×１０－６～５×１０－５ｔｏｒｒであることが好ましい。熱処理条件が上記よりも緩やかであると未反応の部分が生じ、また過激であると反応層の均一性を保つことができなくなる。また、真空度が１×１０－６ｔｏｒｒよりも高いと反応が活発となりすぎて接合層の均一性を保つことが困難となる。真空度が５×１０－５ｔｏｒｒよりも低いとＴｉ等の活性金属の活性が失われ反応不足となる。 【００３１】 接合体から金属回路を形成するには、接合体の金属板にエッチングレジストを塗布しエッチングする。エッチングレジストとしては、紫外線硬化型や熱硬化型が用いられる。また、エッチング液としては、金属が銅であるときには、塩化第２鉄溶液、塩化第２銅液、硫酸、過酸化水素水等の溶液が使用される。好ましくは、塩化第２鉄溶液、塩化第２銅溶液である。 【００３２】 エッチングによって不要な金属部分が除去された回路基板の金属回路間には、もともと塗布したろう材やその合金層・窒化物層、更には金属回路パターン外には、必要長さ以上にはみ出した不要ろう材がまだ残っている。そこで、まず第１処理としてＮＨ４ Ｆ等のハロゲン化アンモニウム水溶液、第２処理として硫酸、硝酸等の無機酸と過酸化水素水を含む溶液を用いてそれらを除去する。無機酸の濃度は２～４質量％、過酸化水素の濃度は０．５～１質量％が望ましい。 【００３３】 その後に、全てのエッチングレジストをアルカリ溶液によって除去する。 【００３４】 本発明で重要なことは、この後に金属回路を再度エッチングし、更に２０～６０μｍ除去することである。エッチング量が１０μｍ程度でも金属回路コーナー部のＲサイズが１０μｍ以上となるが、パターントップのせり出しがあるので、少なくとも２０μｍの除去が必要となる。エッチング量を６０μｍよりも大きくすると、金属回路コーナー部のＲサイズが６０μｍよりも大きくなる。」 「【図面の簡単な説明】 【図１】実施例３で得られた本発明の回路基板基板端部断面の図面代用走査型電子顕微鏡写真。」 【図１】 ［図：0001418269000001.jpg］ （２）甲１発明 前記（１）より、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、甲１発明をａ～ｋに分説し、「構成ａ」などのようにして、以下参照する。 「ａ セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された回路基板であって、該接合層の金属回路からのはみ出し長さが２０～６０μｍであり、パターントップにせり出し部がなく、パターントップのコーナー部のＲサイズが１０～１００μｍで、金属回路の表面粗さが３μｍ以下であり、（【請求項１】） ｂ 金属回路の厚みは、電気的、熱的特性の面からＣｕ回路の場合は０．３～０．５ｍｍであることが好ましく、（【００１４】） ｃ 接合層のはみ出し長さとは、金属回路の端部よりはみ出した接合層の長さを意味し、（【００２１】） ｄ 回路基板に半導体チップを半田付けするものであり、（【００２３】） ｅ 回路基板の製造方法は、金属板とセラミックス基板の接合体から、金属回路をエッチングによって形成させた後、全てのエッチングレジストを除去し、さらに金属回路の表面を２０～６０μｍエッチング除去するものであり、（【００２７】） ｆ 接合体は、ろう材ペーストの塗布されたセラミックス基板に金属板を配置し、真空中、熱処理してから冷却することで製造され、（【００２９】～【００３０】） ｇ 接合体から金属回路を形成するために、接合体の金属板にエッチングレジストを塗布しエッチングし、（【００３１】） ｈ エッチングによって不要な金属部分が除去された回路基板の金属回路間には、塗布したろう材やその合金層・窒化物層、更には金属回路パターン外には、必要長さ以上にはみ出した不要ろう材がまだ残っており、まず第１処理としてＮＨ４ Ｆ等のハロゲン化アンモニウム水溶液、第２処理として硫酸、硝酸等の無機酸と過酸化水素水を含む溶液を用いてそれらを除去し、（【００３２】） ｉ その後に、全てのエッチングレジストをアルカリ溶液によって除去し、（【００３３】） ｊ この後に金属回路を再度エッチングし、更に２０～６０μｍ除去する、（【００３４】） ｋ 回路基板」 ２ 甲２に記載された事項 （１）甲２には、次の事項が記載されている。 「[請求項１] 第１の面と第２の面とを有するセラミックス基板と、 第１の接合層を介して前記第１の面に接合された第１の金属板と、 第２の接合層を介して前記第２の面に接合された第２の金属板と、 を具備し、 前記第１の接合層は、前記第１の面と前記第１の金属板との間からはみ出すように前記第１の面上に延在する第１のはみ出し部を有し、 前記第２の接合層は、前記第２の面と前記第２の金属板との間からはみ出すように前記第２の面上に延在する第２のはみ出し部を有し、 前記セラミックス基板の３点曲げ強度は、５００ＭＰａ以上であり、 前記第１のはみ出し部の厚さＨ１（μｍ）に対する前記第１のはみ出し部のはみ出し長さＬ１（μｍ）の比Ｌ１／Ｈ１、および前記第２のはみ出し部の厚さＨ２（μｍ）に対する前記第２のはみ出し部のはみ出し長さＬ２（μｍ）の比Ｌ２／Ｈ２の少なくとも一つは、０．５以上３．０以下であり、 前記第１のはみ出し部の１０箇所の第１のビッカース硬度の平均値、および前記第２のはみ出し部の１０箇所の第２のビッカース硬度の平均値の少なくとも一つは、２５０以下である、回路基板。」 「[0001] 実施形態は、回路基板および半導体装置に関する。 背景技術 [0002] 近年、産業機器の高性能化に伴い、それに搭載されるパワーモジュールの高出力化が進んでいる。これに伴い、半導体素子の高出力化が進んでいる。半導体素子の動作保証温度は、１２５℃～１５０℃であるが、今後１７５℃以上に上昇する可能性を有する。」 「[0006] パワー密度は、例えばモジュールに搭載する半導体素子の数を増やす、モジュールの体積を小さくする、ことにより大きくすることができる。この２つのパラメータを改善するには、セラミックス金属回路板に複数の半導体素子を搭載することが求められる。複数の半導体素子が搭載でき、体積が小さいセラミックス金属回路板を実現するためには、複数の金属板の配置間隔を狭くすることが好ましい。金属板の配置間隔を狭くする場合においても、セラミックス金属回路板は、１７５℃以上の高温でのＴＣＴ特性の改善が求められる。」 「[0010] 図１は、回路基板の構造例を示す断面模式図である。図１に示す回路基板１は、セラミックス基板２と、金属板（表金属板）３と、金属板４（裏金属板）と、接合層５と、接合層７と、を具備する。接合層５は、はみ出し部６を有する。接合層７は、はみ出し部８を有する。」 「[0014] 金属板３は、半導体素子を搭載するための金属回路板である。金属板３は、接合層５を介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。金属板４は、放熱板である。金属板４は、接合層７を介してセラミックス基板２の第２の面と接合されている。」 「[0016] 上記特性を有する金属板３、４の厚さは、０．６ｍｍ以上、さらには０．８ｍｍ以上であることが好ましい。金属板を厚くすることにより、通電容量の確保と放熱性の向上とを両立させることができる。また、金属板の厚さ方向だけでなく面方向にも熱を拡散させることができ、放熱性を向上させることができる。金属板３、４の厚さは５ｍｍ以下であることが好ましい。５ｍｍを超えると金属板の重量が増え過ぎて、はみ出し部６、８のサイズの調整が難しくなるおそれがある。」 「[0030] 金属板３ａは、接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。金属板３ｂは、接合層５ｂを介してセラミックス基板２の第１の面と接合されている。接合層５ａおよび接合層５ｂの説明については、接合層５の説明を適宜援用する。 [0031] 図３は、図２に示す回路基板１の一部を示す拡大図である。接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有する。接合層５ｂは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ｂとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ｂを有する。 [0032] 金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜している。金属板３の側面３１ｂは、金属板３の上面３２ｂの外側に向かって傾斜している。金属板３ａの側面３１ａと下面３３ａとのなす角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂと下面３３ｂとのなす角度θは、４０度以上８４度以下であることが好ましい。側面３１ａ、３１ｂを傾斜させることにより、熱応力を緩和させることができる。金属板３ａの側面３１ａと上面３２ａとのなす角度および金属板３ｂの側面３１ｂと上面３２ｂとのなす角度は、８５度以上９５度以下である（垂直または略垂直である）ことが好ましい。図３に示す構造は、金属板３ａ、３ｂの厚さが０．６ｍｍ以上、さらには０．８ｍｍ以上であるときに特に有効である。 [0033] 金属板３ａの側面３１ａの角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂの角度θを４０度以上８４度以下にしつつ、かつ金属板３ａの側面と上面とのなす角度および金属板３ｂの側面と上面とのなす角度を８５度以上９５度以下にすることにより、応力を緩和させつつ、金属板３ａ、３ｂの平坦面の面積を増やすことができる。金属板３ａ、３ｂの平坦面の面積を増やすことにより、半導体素子の搭載可能面積を広くすることができる。半導体素子の搭載可能面積を広くできると回路設計の自由度を向上させることができる。 [0034] はみ出し部のはみ出し長さは、金属板の側面とはみ出し部の接触部を基準として求められる。はみ出し部の厚さは、はみ出し部の最も厚い部分の厚さである。例えば、側面３１ａとはみ出し部６ａとの接触部におけるはみ出し部６ａの厚さ、および側面３１ｂとはみ出し部６ｂとの接触部におけるはみ出し部６ｂの厚さを一番厚くし、はみ出し部６ａは、側面３１ａとはみ出し部６ａとの接触部から端部に向かって徐々に薄くなる厚さ勾配を有し、はみ出し部６ｂは、側面３１ｂとはみ出し部６ｂとの接触部から端部に向かって徐々に薄くなる厚さ勾配を有することが好ましい。厚さ勾配を有することにより、熱応力によるはみ出し部の変形を抑制することができる。 [0035] はみ出し部６ａ、６ｂのはみ出し長さＬ１は、４０μｍ以下、さらには２５μｍ以下であることが好ましい。はみ出し部６ａ、６ｂのＬ１／Ｈ１およびビッカース硬度ＨＶを制御することにより、応力緩和効果を向上させることができる。すなわち、４０μｍ以下の短いはみ出し長さを有するはみ出し部であっても、十分な応力緩和効果を得ることができる。」 「[0064][表3] ［図：0001418269000002.jpg］ 」 「[0067][表4] ［図：0001418269000003.jpg］ 」 「[図3] ［図：0001418269000004.jpg］ 」 （２）甲２発明 前記（１）より、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「 回路基板であって、（[0001]） 金属板３は、半導体素子を搭載するための金属回路板であり、（[0014]） 金属板３の厚さは、０．８ｍｍ以上であることが好ましく、（[0016]） 金属板３ａは、接合層５ａを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、金属板３ｂは、接合層５ｂを介してセラミックス基板２の第１の面と接合され、（[0030]） 接合層５ａは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ａとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ａを有し、接合層５ｂは、セラミックス基板２の第１の面と金属板３ｂとの間からはみ出すように当該第１の面上に延在するはみ出し部６ｂを有し、（[0031]） 金属板３の厚さ方向を含む断面において、金属板３の側面３１ａは、金属板３の上面３２ａの外側に向かって傾斜し、金属板３の側面３１ｂは、金属板３の上面３２ｂの外側に向かって傾斜し、金属板３ａの側面３１ａと下面３３ａとのなす角度θおよび金属板３ｂの側面３１ｂと下面３３ｂとのなす角度θは、４０度以上８４度以下であることが好ましく、（[0032]） はみ出し部６ａ、６ｂのはみ出し長さＬ１は、４０μｍ以下である、（[0035]） 回路基板（[0001]）」 第５ 申立理由についての当審の判断 １ 申立理由１（進歩性）について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）特定事項Ｈについて ａ 「接合基板」の意味について 本件特許明細書には、「接合基板」について、次の記載がある。 「【００２３】 ＜接合基板＞ 本実施形態の接合基板１０は、図１、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、セラミックス基板２０（基板の一例）と、金属板３０と、ろう材４０（接合部材の一例）とを備えている。また、セラミックス基板２０と金属板３０とは、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、ろう材４０を挟んで積層状態を構成している。 なお、本実施形態、実施例及び変形例における「接合基板」とは、回路パターン６０（図３Ａ及び図３Ｂ参照）が形成される前の基板を意味する。また、「金属回路基板」とは、接合基板１０の金属板３０に回路パターン６０が形成された状態の基板を意味する。また、「回路基板」とは、接合基板１０の金属板３０に回路パターン６０が形成された後に回路パターン６０の一部に半導体素子７０等の電子部品が実装された状態の基板を意味する。」 「【００４１】 ≪本実施形態の回路基板及び金属回路基板の製造方法≫ 次に、本実施形態の回路基板５０（図３Ａ及び図３Ｂ参照）及び金属回路基板の製造方法について説明する。 まず、セラミックス基板２０の一方の面にろう材４０を塗布する。 次いで、ろう材４０が塗布されたセラミックス基板２０の一方の面に金属板３０を張り付ける。すなわち、セラミックス基板２０に金属板３０を接合する。 次いで、金属板３０が例えば、図１のようにＴ方向の上側から見てセラミックス基板２０の内側で矩形となるように、金属板３０をエッチングする。 次いで、金属板３０の上面３４に所定の表面処理を施す。 以上により、回路基板５０を製造するために必要とされる、接合基板１０が製造される。なお、金属板３０のエッチングが終了した時点では、ろう材４０は、金属板３０の全周縁よりもはみ出した状態とされている。また、金属板３０の周面３６は、エッチングによる影響により、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、傾斜面を含む面となる。」 上記記載を踏まえると、本件発明１の「接合基板」は、回路パターンが形成される前の基板を意味するところ、基板と、金属板と、接合部材とを備え、当該金属板に回路パターンが形成されていない、と理解される。 そして、当該理解は、本件特許明細書全体及び図面から把握される事項と整合するものである。 ｂ 甲１発明の「回路基板」は、「セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された」（構成ａ）ものである。 そして、「金属回路」は、「金属板とセラミックス基板の接合体」「の金属板に」「エッチングし」て形成される（構成ｅ、ｇ）から、金属板に回路のパターンを形成したものを意味すると認められる。 そうすると、甲１発明の「セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された回路基板」（構成ａ）における「金属回路」は、金属板に回路のパターンを形成したものであり、また、「金属板とセラミックス基板の接合体」（構成ｅ）における「金属板」は、回路のパターンを形成していないものといえる。 ｃ 本件発明１の「接合基板」は、前記ａのとおり、回路パターンが形成されていない金属板が接合された基板であるから、前記ｂを踏まえれば、甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」が、本件発明１の「接合基板」に対応する。 ｄ 前記ａ～ｃより、本件発明１と甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」とは、「接合基板」である点で一致する。 （イ）特定事項Ａ、Ｄについて 前記（ア）を踏まえれば、甲１発明の「セラミックス基板」は、本件発明１の「基板」に相当する。 よって、本件発明１と甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」とは、「基板と、」「を備え、」る点で一致する。 （ウ）特定事項Ｂ、Ｄについて 甲１発明において、「金属板」は、板の形状を有しているといえ、２つの対向する面、すなわち「第１面」と「第１面と反対側の第２面」とを有していることは明らかである。 また、「接合体」は、「セラミックス基板に金属板を配置し」て製造される（構成ｆ）から、金属板は、セラミックス基板とで積層状態を構成しているということができ、セラミックス基板側の面を上記第１面と称することは任意である。 よって、本件発明１と甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」とは、「前記基板とで積層状態を構成している金属板であって、前記基板側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有している金属板と、」「を備え、」る点で一致する。 他方、甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」が備える「金属板」は、「積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している」ことを特定してない。 （エ）特定事項Ｃ、Ｄについて 甲１発明において、「金属板とセラミックス基板の接合体」は、「ろう材ペーストの塗布されたセラミックス基板に金属板を配置し、真空中、熱処理してから冷却することで製造され」（構成ｆ）る。 そして、「ろう材ペースト」は「セラミックス基板」と「金属板」とを接合させる部材であるから、本件発明１の「接合部材」に相当する。 よって、本件発明１と甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」とは、「前記基板と前記金属板との間に配置され前記金属板を前記基板に接合させている接合部材と、」「を備え、」る点で一致する。 他方、甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」は、「接合部材」が「前記積層方向から見て前記金属板の全周に亘って縁からはみ出している」ことを特定していない。 （オ）特定事項Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３について 甲１発明は、「接合層の金属回路からのはみ出し長さが２０～６０μｍ」（構成ａ）であることを特定しているが、当該はみ出し長さは、回路基板における「金属回路の端部よりはみ出した接合層の長さ」（構成ｃ）であり、「金属板とセラミックス基板の接合体」における金属板の端部よりはみ出した接合層の長さに対応するものではないから、甲１発明では、「金属板とセラミックス基板の接合体」について、「前記接合部材のはみ出し部分の前記直交方向の長さをはみ出し長Ｂ（ｍｍ）」を特定していない。 また、甲１発明では、「金属板とセラミックス基板の接合体」について、「第１面の周縁に相当する部分から前記第２面の周縁に相当する部分までの前記積層方向と直交する直交方向の長さを周面長Ａ（ｍｍ）」を特定していない。 さらに、甲１発明において、「金属回路の厚み」は、「Ｃｕ回路の場合は０．３～０．５ｍｍ」（構成ｂ）であり、「金属回路」は、「金属板とセラミックス基板の接合体から、」「エッチングによって形成」（構成ｅ）され、「金属回路の表面を２０～６０μｍエッチング除去」（構成ｅ）したものであるから、エッチングする前の「金属板とセラミックス基板の接合体」における金属板の厚み、すなわち、「前記第１面から前記第２面までの距離を前記金属板の厚みＣ（ｍｍ）」は、最大でも０．５６ｍｍであると認められる。 よって、甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」について、特定事項Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は特定されていない。 （カ）特定事項Ｆ１、Ｆ２について 甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」について、特定事項Ｆ１、Ｆ２は特定されていない。 （キ）特定事項Ｇ１、Ｇ２について 甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」について、特定事項Ｇ１、Ｇ２は特定されていない。 （ク）前記（ア）～（キ）によれば、本件発明１と甲１発明とは、 「 基板と、 前記基板とで積層状態を構成している金属板であって、前記基板側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有している金属板と、 前記基板と前記金属板との間に配置され前記金属板を前記基板に接合させている接合部材と、 を備える 接合基板」 である点で一致し、次の点で相違する。 相違点１ 「金属板」について、本件発明１は、「積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している」ことを特定しているのに対し、甲１発明は、当該事項を特定していない点 相違点２ 「接合部材」について、本件発明１は、「前記積層方向から見て前記金属板の全周に亘って縁からはみ出している」ことを特定しているのに対し、甲１発明は当該事項を特定していない点 相違点３ 本件発明１は、「前記積層方向に沿って切断した複数の切断面のうちの少なくとも１つの切断面における、前記第１面の周縁に相当する部分から前記第２面の周縁に相当する部分までの前記積層方向と直交する直交方向の長さを周面長Ａ（ｍｍ）、前記接合部材のはみ出し部分の前記直交方向の長さをはみ出し長Ｂ（ｍｍ）、及び、記第１面から前記第２面までの距離を前記金属板の厚みＣ（ｍｍ）とした場合、下記の第１式及び下記の第２式を満たし、 （第１式）０．２００≦Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦０．４００ （第２式）０．８（ｍｍ）≦Ｃ≦２．０（ｍｍ） 」ていることを特定しているのに対し、甲１発明は、当該事項を特定していない点 相違点４ 本件発明１は、「前記金属板における前記第１面の全周縁と前記第２面の全周縁とを繋ぐ周面は、傾斜面を含む面とされており、前記積層方向に沿って切断した複数の切断面のうちの少なくとも１つの切断面における、前記傾斜面に相当する部分の前記直交方向に対する傾斜角θ（°）は、下記の第３式を満たし、 （第３式）８６≧θ＞６９（°） 」ていることを特定しているのに対し、甲１発明は、当該事項を特定していない点 相違点５ 本件発明１は、「前記第１面の周縁に相当する部分から前記金属板の上面の内側に向けて、前記金属板の下面に相当する直線と４５°となるように直線を引き、前記直線と前記金属板の上面とが交わる点と、前記第１面の周縁に相当する部分とを結ぶ直線を斜辺とする直角二等辺三角形に相当する断面の面積をＳ１とし、前記直角二等辺三角形の前記斜辺より前記基板の外側方向に向けてはみ出す断面の面積をＳ２とした場合、前記面積Ｓ１と前記面積Ｓ２との関係は、下記の第４式を満たしている （式４式）０．６≦Ｓ２／Ｓ１ 」ことを特定しているのに対し、甲１発明は、当該事項を特定していない点 イ 判断 相違点１について検討する。 甲１発明において、「金属板とセラミックス基板の接合体」の「金属板」は、「ろう材ペーストの塗布されたセラミックス基板に金属板を配置し、真空中、熱処理してから冷却することで製造され」るものであり、接合することによって、金属板の第１面の縁が第２面の縁よりも外側に位置するものとはならないことは明らかである。 また、甲２発明は、「金属板３は、半導体素子を搭載するための金属回路板であ」るから、甲２発明の「金属板３」は、回路パターンが形成されているものを意味すると認められ、本件発明１の「金属板」に対応するものとはいえない。 そして、甲１発明の「金属板とセラミックス基板の接合体」において、金属板が「積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している」ことが当業者に周知であるとも、自明であるともいえないから、甲１発明において、金属板が積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置しているようにすることは、当業者が容易になし得たものではない。 ウ 小括 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２発明に基いて、当業者が容易になし得たものとはいえない。 エ 異議申立書の主張について （ア）申立人は、「ウ 本件特許発明と証拠に記載された発明との対比」において、次の事項を主張する。 ａ 特定事項Ｈ（前記第２）に関連して、「甲第１号証に記載の「回路基板」は、本件特許発明１における「接合基板」に相当します。」と主張する。（異議申立書１３頁） しかしながら、甲１発明の「回路基板」は、「セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合された」ものであり、本件発明１の「接合基板」は、前記ア（ア）ａのとおり、基板に回路パターンが形成されていない金属板が接合されたものである。 よって、甲１発明の「回路基板」が本件発明１の「接合基板」に相当するものとはいえず、申立人の当該主張は採用できない。 ｂ 特定事項Ｂ（前記第２）に関連して、「甲第１号証に記載の「セラミックス基板と接合層を介して接合された金属回路」は、本件特許発明１における「前記基板とで積層状態を構成している金属板」に相当します。」と主張する。（異議申立書１３～１４頁） 甲１発明の「金属回路」は、前記ア（ア）ｂのとおり、金属板に回路のパターンを形成したものであり、これに対して、本件発明１の「金属板」は、前記ａのとおり、回路パターンが形成されていないものである。 よって、甲１発明の「金属回路」が本件発明１の「金属板」に相当するものとはいえず、申立人の当該主張は採用できない。 ｃ 特定事項Ｃ（前記第２）に関連して、「甲第１号証に記載の「セラミックス基板と金属回路とを接合し、金属回路の端部よりはみ出した接合層」は、」「前記基板と前記金属板との間に配置され前記金属板を前記基板に接合させている接合部材であって、前記積層方向から見て前記金属板の縁からはみ出している接合部材」である点で一致します。」と主張する。（異議申立書１４～１５頁、［参考図１］） 当該主張は、甲１発明の「金属回路」が本件発明１の「金属板」に相当することを前提とするものであり、前記ｂのとおり、甲１発明の「金属回路」は、本件発明１の「金属板」に相当するものとはいえないから、これを前提とした当該主張は採用できない。 ｄ 特定事項［Ｆ１、Ｆ２］（前記第２）に関連して、甲１の図１を参照して、「金属回路における第１面の全周縁と第２面の全周縁とをつなぐ周面が傾斜面に相当する部分の一部（白色破線で示す部分）の直交方向に対する傾斜角θは、「７７°」であります。このことは、」特定事項Ｆ１、Ｆ２の「構成に相当します。」と主張する。（異議申立書１５～１６頁、［参考図２］） しかしながら、当該主張は、甲１の図１に基づく主張であるところ、図１は「回路基板基板端部断面の図面代用走査型電子顕微鏡写真」（前記第４、１（１））であり、「金属板とセラミックス基板の接合体」における断面を示したものではなく、甲１発明の「金属回路」が本件発明１の「金属板」に相当することを前提としたものであるから、採用することができない。 また、甲１発明の「金属板」は、「積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している」ことを特定してない（前記ア（ウ））ことからも、当該主張は採用できない。 ｅ 特定事項［Ｇ１、Ｇ２］（前記第２）に関連して、甲１の図１を参照して、「Ｓ１、Ｓ２を算出すると、Ｓ１＝約１１００ｍｍ２、Ｓ２＝約７６０ｍｍ２であり、Ｓ２／Ｓ１が約０．６９であることがわかります。このことは、」特定事項Ｇ１、Ｇ２の「構成に相当します。」と主張する。（異議申立書１７～１８頁、［参考図３］） しかしながら、当該主張は、甲１の図１に基づく主張であるところ、図１は「回路基板基板端部断面の図面代用走査型電子顕微鏡写真」（前記第４、１（１））であり、「金属板とセラミックス基板の接合体」の断面の写真を示したものではなく、甲１発明の「金属回路」が本件発明１の「金属板」に相当することを前提としたものであるから、採用することができない。 また、甲１発明の「金属板」は、「積層方向から見て前記第１面の縁が前記第２面の縁よりも外側に位置している」ことを特定してない（前記ア（ウ））ことからも、当該主張は採用できない。 （イ）異議申立書の申立理由１（進歩性）についての主張について 申立人の申立理由１（進歩性）についての主張は、前記（ア）の主張を前提とするものであるから、採用できない。 そして、本件発明１は、甲１発明及び甲２発明に基いて、当業者が容易になし得たものとはいえないことは、前記ア～ウで述べたとおりである。 （２）本件発明２～８について ア 本件発明２～８は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである。 そうすると、本件発明２～８と甲１発明とは、少なくとも、前記（１）ア（ク）に示した相違点において相違するものであり、当該相違点は、前記（１）イと同様の理由により、当業者が容易になし得たものではない。 イ 異議申立書の主張について 本件発明２～８に対する申立人の申立理由１（進歩性）についての主張（異議申立書２２～２９頁）は、前記（１）エ（ア）における主張を前提とするものであるから、採用できない。 （３）申立理由１のまとめ 前記（１）、（２）より、申立理由１は理由がない。 ２ 申立理由２（サポート要件）について （１）申立理由２の概要 申立理由２の概要は、「本件特許発明１では、金属板の周面における傾斜面に相当する部分の傾斜角θが第３式（８６≧θ＞６９（°））を満たすことが規定」されているが、「傾斜面のその他の特徴については記載されておらず」、「上記傾斜面の形状は、例えばヒートサイクル特性に大きく影響を及ぼすものであって、当該影響を正確に予測することが困難であることは、広く知られた事項」であるから、「本件特許発明１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは」いえない、というものである。（異議申立書２９～３０頁） （２）当審の判断 ア 本件特許明細書には、次の事項が記載されている。 「【０００６】 本発明は、金属板の厚みが大きい場合であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れた接合基板の提供を目的とする。また、本発明は、金属板の厚みが大きい場合であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れた金属回路基板の提供を目的とする。また、本発明は、金属板の厚みが大きい場合であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れた回路基板の提供を目的とする。」 「【００２８】 本実施形態では、金属板３０の厚み方向における２つの面のうち、セラミックス基板２０側の平面を下面３２（第１面の一例）、セラミックス基板２０側と反対側の平面、すなわち、下面３２と反対側の平面を上面３４（第２面の一例）とする。また、金属板３０の上面３４の全周縁３４Ａと下面３２の全周縁３２Ａとを繋ぐ面を周面３６とする。ここで、金属板３０は、積層方向から見て下面３２の縁が上面３４の縁よりも外側に位置している。別言すると、金属板３０をＴ方向の上側から見ると、下面３２は、上面３４を囲んでいる（図２Ａ及び図２Ｂ参照）。すなわち、周面３６は、上面３４側から下面３２側に亘って、上面３４の全周縁から外側に広がる傾斜状の面とされている。より具体的には、周面３６は、図２Ｂに示されるように、上面３４の縁３４ＡよりもＸ方向の外側（下面３２の縁３２Ａ側）で縁３４Ａに繋がっている曲面部分３６Ａと、曲面部分３６Ａの外側端部から下面３２の縁３２Ａまでの平面部分３６Ｂとで構成されている。平面部分３６ＢのＸ方向（下面３２）に対する傾斜角θは、４５°よりも急勾配（傾斜角θ＞４５°）とされている。すなわち、本実施形態の周面３６は、傾斜面とされる平面部分３６Ｂを含む面とされている。なお、本実施形態の傾斜角θは、一例として傾斜角θが６９°とされている。 なお、周面３６の始点となる上面３４の縁３４Ａは、図２に示すように、断面の観察視野において、厚みの減少が始まった位置を意味する。図２の観察視野から明らかな通り、ここでの厚みの減少において、表面の微細な凹凸（表面粗さ）は考慮しない。 また、ろう材４０は、例えば、ぬれ性を考慮すると、図２Ｃや図２Ｄのような断面形状を呈する。図２Ｃのようにろう材４０の厚さが外縁向かうに従って小さくなりろう材４０とセラミックス基板２０とが接する場合には、断面におけるセラミックス基板２０とろう材４０との接点４０Ｃが、下面３２の縁３２Ａから接点４０Ｃまでの距離がはみ出し長Ｂとなる。また、図２Ｄのように、ろう材４０の外縁が凸形状となる場合には、下面３２の縁３２Ａから凸形状の頂点４０Ｄまでがはみ出し長Ｂとなる。 また、平面部分３６Ｂは、例えば、断面において面の平均粗さ以下で所定距離以上直線となっている領域である。言い換えると、連続して上記傾斜角θとなっている領域である。」 「【００３０】 以上のとおりであるから、本実施形態の接合基板１０では、周面長Ａ（ｍｍ）と、はみ出し長Ｂ（ｍｍ）との関係は、後述する実施例の評価結果（図４の表を参照）を考慮すると、下記の式１を満たしている。 【００３１】 （式１）０．０３２≦Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦０．４００」 【００３２】 さらに、金属板３０の厚みＣ（ｍｍ）についても考慮すると、本実施形態の接合基板１０は、上記の式１を満たしつつ、下記の式２を満たすといえる。 【００３３】 （式２）０．５（ｍｍ）≦Ｃ≦２．０（ｍｍ）」 【００３４】 なお、前述のとおり、本実施形態の接合基板１０の周面３６は、曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されている。ここで、図２Ｂに示されるように、金属板３０の断面図において、縁３２Ａから金属板３０の上面３４の内側に向けてＸ方向に沿う直線（例えば下面３２に相当する直線）と４５°となるように直線を引き、この直線と上面３４とが交わる点を点３４Ｂとする。縁３２Ａと点３４Ｂとを結ぶ直線を斜辺とする直角二等辺三角形に相当する断面の面積をＳ１とする。また、縁３２Ａと点３４Ｂとを結ぶ直線よりセラミックス基板２０の外側方向に向けてはみ出す断面の面積、すなわち、金属板３０の端部から前述の直角二等辺三角形を除いた部分の断面の面積をＳ２とする。この場合、本実施形態では、面積Ｓ１と、面積Ｓ２との関係は、下記の式３を満たしている。 【００３５】 （式３）０．６≦Ｓ２／Ｓ１」 「【００４４】 ≪実施例及び比較例のヒートサイクル試験≫ 次に、周面長Ａ（ｍｍ）、はみ出し長Ｂ（ｍｍ）、金属板３０の厚みＣ（ｍｍ）、傾斜角θ（°）及びＳ２／Ｓ１をパラメータとして、複数の接合基板（試料１～２７）を準備して、後述するヒートサイクル試験を行った。この場合、上記のパラメータ以外は、前述の実施形態の接合基板１０と同じ設定条件とした（図１、図２Ａ及び図３Ｂ参照）。 そして、後述する定められた基準を満たす場合と満たさない場合とを調べた。その結果、図４の表に示されるように、前述の式１、式２及び式３を満たす場合が定められた基準を満たす場合となった。」 「【００４６】 以上より、ヒートサイクル試験の結果、図４の表のようになった。そして、本願の発明者は、式１、式２及び式３を満たす接合基板（試料１～２１）は、満たしてない接合基板（試料２２～２８）に比べて、ヒートサイクル特性の点で優れていることを見出した。」 「【００４８】 ≪本実施形態の効果≫ 以上のとおり、式１、式２及び式３を満たす、本実施形態及び本実施例の接合基板１０及び金属回路基板は、式１、式２及び式３の少なくともいずれか１つを満たさない接合基板に比べて、ヒートサイクル特性の点において優れていることが見出された。ここで、式１、式２及び式３の少なくともいずれか１つを満たさない接合基板には、例えば、前述の特許文献１及び特許文献２に開示されている又はその思想で変形した接合基板が含まれる。 したがって、本実施形態及び本実施形態に含まれる本実施例の接合基板１０及び金属回路基板は、金属板３０の厚みＣが大きい場合（例えば０．５（ｍｍ）以上２．０（ｍｍ）以下）であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れる。これに伴い、本実施形態の回路基板５０は、金属板３０（回路パターン６０の部分）の厚みＣが大きい場合であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れる。そのため、本実施形態の回路基板５０は、動作温度の範囲の上限が例えば２５０℃等の高温となる電子部品（例えば、パワーＩＣ）を実装している場合であっても、故障し難い。 なお、本実施形態の効果、別言すると、式１、式２及び式３を満たす、本実施形態及び本実施例の接合基板１０及び金属回路基板の技術的優位性は、本願の発明者が前述のヒートサイクル試験を行った結果に基づいて見出されたものである。そして、上記技術的優位性とは熱に対する特性であることから、定性的なものである。そのため、本願の発明者は、本ヒートサイクル試験における、第１及び第２工程での保持温度及び保持時間、並びに、繰り返し回数（２０００回）の一部又は全部と異なる条件のヒートサイクル試験によっても、本ヒートサイクル試験の場合と同様の結果が見出されたと推認する。すなわち、式１、式２及び式３を満たす接合基板１０及び金属回路基板の技術的優位性は、本ヒートサイクル試験と異なる条件（例えば、繰り返し回数が２０００回未満なる条件）のヒートサイクル試験からも導くことができるといえる。」 「【００５２】 また、本実施形態では、金属板３０の周面３６は、曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されているとして説明した。しかしながら、式１、式２及び式３を満たす接合基板であれば、周面３６が曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されていなくてもよい。例えば、図６に示される変形例の接合基板１０Ｂのように断面図における周面３６の部分が直線状の線分（側面が平面）となっていてもよい。また、断面図における周面３６が湾曲線であってもよい（図示省略）。周面３６が平面ではなく湾曲等している場合、傾斜角θは、上記断面図において、縁３２Aにおける周面３６の接線と、下面３２とが成す角を意味する。」 「【図４】 ［図：0001418269000005.jpg］ 」 イ 当審の判断 （ア）【００４６】、【００４８】、図４の記載より、本件発明は、「式１、式２及び式３を満たす」ことにより、「金属板の厚みが大きい場合であっても、電子部品の実装領域を確保しつつ、ヒートサイクル特性に優れた接合基板」を提供する（【０００６】）という本件発明の課題を解決しうることを理解できる。 ここで、「式１」は、「Ｂ／（Ａ＋Ｂ）」の範囲の特定であり（【００３１】）、「式２」は「Ｃ」の範囲の特定であり（【００３３】）であり、「式３」は「Ｓ２／Ｓ１」の範囲の特定である（【００３５】）。そして、本件発明の発明特定事項Ｅ２、Ｅ３は、上記「式１」、「式２」の範囲をより限定したものであるから、本件発明の課題を解決しうることは、当業者が当然に理解できる。 そうすると、本件発明の課題解決手段は、発明特定事項Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３（上記「式１」及び「式２」）、発明特定事項Ｇ１、Ｇ２（上記「式３」）を満たすことであると認められる。 （イ）発明特定事項Ｆ１、Ｆ２は、【００２８】、【００４４】、【００４６】、図４の「実施例１」～「実施例２０」及び「本実施形態」におけるパラメータ（傾斜角θ（°））により、サポートされるものであるところ、当該発明特定事項Ｆ１、Ｆ２は、前記（ア）より、課題解決手段とはされていない。 （ウ）前記（ア）、（イ）より、本件発明は、本件特許の発明の詳細な説明に記載された発明であって、本件特許の発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるから、サポート要件を満たす。 ウ 申立人の主張について 申立人は、本件発明は、「傾斜面に相当する部分が、異なる傾斜角を有する複数の直線状の面からなり、傾斜面に相当する部分の少なくとも一部の傾斜角θが第３式（８６≧θ＞６９（°））を満たす構造も包含されるものといえ」、「一方、発明の詳細な説明では、傾斜面に相当する部分が、異なる傾斜角θを有する複数の直線状の面からなる構造に関する記載が無く、上記構造の場合に上記課題を解決できると認められる具体的な記載がありません。」旨主張する。（異議申立書２９頁） しかしながら、本件明細書には、「金属板３０の周面３６は、曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されているとして説明した。しかしながら、式１、式２及び式３を満たす接合基板であれば、周面３６が曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されていなくてもよい。例えば、図６に示される変形例の接合基板１０Ｂのように断面図における周面３６の部分が直線状の線分（側面が平面）となっていてもよい。また、断面図における周面３６が湾曲線であってもよい（図示省略）。周面３６が平面ではなく湾曲等している場合、傾斜角θは、上記断面図において、縁３２Aにおける周面３６の接線と、下面３２とが成す角を意味する。」（【００５２】）と記載されるところ、本件発明において、周面は、曲面部分３６Ａと平面部分３６Ｂとで構成されるか、直線状の線分（側面が平面）である（すなわち、平面部分３６Ｂのみで構成される）ことを想定しているのであって、「異なる傾斜角を有する複数の直線状の面からな」ることは想定していないといえる。 仮に、本件発明において、傾斜面が「異なる傾斜角を有する複数の直線状の面からな」ることを含むとしても、傾斜面の形状は、本件発明の課題解決手段（前記イ）ではないから、ただちに課題解決できないとはいえない。 申立人は、さらに「上記傾斜面の形状は、例えばヒートサイクル特性に大きく影響を及ぼすものであって、当該影響を正確に予測することが困難であることは、広く知られた事項であります。」旨、主張する（異議申立書３０頁）が、当該事項を示す証拠はないし、また技術常識ともいえない。 よって、申立人の主張は採用できない。 （３）申立理由２のまとめ よって、申立理由２は理由がない。 第６ まとめ 前記第５によれば、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。