2024-700677

特許第７４２０５５５号発明「セラミックス回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４２０５５５号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４２０５５５号（以下「本件特許」という。）の請求項１～３に係る特許についての出願は、２０１８年（平成３０年）６月７日（優先権主張 平成２９年６月９日）を国際出願日とする出願であって、令和６年１月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年１月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和６年７月１８日に特許異議申立人 廣瀬 妙子（以下「申立人」という。）は特許異議の申立てを行った。 前記特許異議の申立てのために申立人により提出された特許異議申立書を、以下では単に「申立書」という。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明３」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、銅板がろう材を介して接合され、少なくとも一方の主面の銅板上に銀めっきが施されたセラミックス回路基板であって、銅板側面は銀めっきが施されておらず、銀めっきの厚みが０．１μｍから１．５μｍであり、銀めっき後の回路基板の表面粗さの算術平均粗さＲａが０．１μｍから１．５μｍであり、銅板の厚みが０．８ｍｍ以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。 【請求項２】 無電解の銀めっきを行うことを含む、請求項１に記載のセラミックス回路基板の製造方法。 【請求項３】 請求項１に記載のセラミックス回路基板の銀めっき上に銀ナノ粒子を用いて半導体素子が接合されたパワーモジュール。」 なお、本件発明１について、後の参照の便宜のために、以下のとおり分説し、「発明特定事項Ａ」のようにして参照する。 【請求項１】 Ａ 窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、銅板がろう材を介して接合され、少なくとも一方の主面の銅板上に銀めっきが施されたセラミックス回路基板であって、 Ｂ 銅板側面は銀めっきが施されておらず、 Ｃ 銀めっきの厚みが０．１μｍから１．５μｍであり、 Ｄ 銀めっき後の回路基板の表面粗さの算術平均粗さＲａが０．１μｍから１．５μｍであり、 Ｅ 銅板の厚みが０．８ｍｍ以上である Ｆ ことを特徴とするセラミックス回路基板。 第３ 申立ての理由の概要 申立書に記載された申立理由及び証拠方法は、次のとおりである。 １ 申立理由 理由１ 本件発明１～３は、甲第１号証～甲第６号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（特許法第１１３条第２号） 理由２ 本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～３が発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第４号） ２ 証拠方法 甲第１号証 特開２０１５－５３４１４号公報 甲第２号証 特開２０１１－８０１４７号公報 甲第３号証 特開２００８－８８４９３号公報 甲第４号証 特開２０１０－２３８９６５号公報 甲第５号証 特開２０１７－１０３３８２号公報 甲第６号証 特開２００８－４５２１８号公報 以下、申立人が提出した「甲第１号証」～「甲第６号証」を、それぞれ「甲１」～「甲６」という。 第４ 理由１についての判断 理由１（進歩性）の有無を判断するために、まず、以下の１において甲１発明の認定を行い、以下の２において甲２～甲６技術の認定を行う。次いで、以下の３において本件発明１と甲１発明との対比を行い、以下の４において本件発明１と甲１発明との相違点について判断し、以下の５に小括する。 １ 甲１発明の認定 （１）甲１の記載 甲１には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲１発明の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 銅板または銅めっき板の一方の面に電子部品が搭載された電子部品搭載基板の製造方法において、銅板または銅めっき板の一方の面の表面粗さを０．４μｍ以上にする表面加工を行い、その面に銀ペーストを塗布して電子部品を配置した後、銀ペースト中の銀を焼結させて銀接合層を形成し、この銀接合層によって電子部品を銅板または銅めっき板の一方の面に接合することを特徴とする、電子部品搭載基板の製造方法。」 「【請求項１０】 前記銅板または銅めっき板の一方の面の表面粗さが０．５～２．０μｍであることを特徴とする、請求項９に記載の電子部品搭載基板。」 「【０００１】 本発明は、電子部品搭載基板およびその製造方法に関し、特に、銅板また銅めっき板の一方の面がセラミックス基板に接合した金属－セラミックス接合基板の金属板の他方の面に半導体チップなどの電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板およびその製造方法に関する。」 「【０００２】 従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電流を制御するために、パワーモジュールが使用されている。従来のパワーモジュールでは、ベース板と呼ばれている金属板または複合材の一方の面に金属－セラミックス絶縁基板が固定され、この金属－セラミックス絶縁基板の金属板上に半導体チップが半田付けにより固定されている。」 「【０００４】 このように電子部品を基板上に固定する方法として、半導体素子の端子と基板の電極との間に低温で焼結するＡｇナノ粒子を介在させ、Ａｇナノ粒子を焼結させて、半導体素子の端子と基板の電極とを接合する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。」 「【０００７】 しかし、特許文献１～３の方法では、（電子部品搭載用）金属板として銅板または（アルミニウム板に銅めっきを施した）銅めっき板を使用して、銀ペーストからなる接合材によって、金属板上に半導体チップなどの電子部品を接合した場合、接合欠陥が少ない状態で接合することができず、接合後にヒートサイクルを付与すると、良好な接合状態を保持することができなかった。 【０００８】 したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、銅板または銅めっき板上に電子部品を接合欠陥が少ない状態で接合して、ヒートサイクルを付与した後にも良好な接合状態を保持することができる、耐熱衝撃性に優れた電子部品搭載基板およ製造方法を提供することを目的とする。」 「【００１７】 図１および図２に示すように、本発明による電子部品搭載基板の実施の形態では、平面形状が略矩形の（電子部品搭載用）金属板１０の一方の主面に、（銀の焼結体を含む）銀接合層１２により電子部品１４が接合されている。また、金属板１０の他方の主面に、平面形状が略矩形のセラミックス基板１６の一方の主面を接合し、このセラミックス基板１６の他方の主面に、平面形状が略矩形の放熱用金属板（金属ベース板）１８を接合してもよい。また、金属板１０の一方の主面に銅めっき皮膜２０を形成し、その銅めっき皮膜２０上に、銀接合層１２により電子部品１４を接合してもよい。 【００１８】 なお、金属板１０は、銅あるいは（銅めっき皮膜２０を形成する場合には）アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）（電子部品１４が接合される面）の表面粗さが０．４μｍ以上、好ましくは０．５～２．０μｍになっている。また、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）（電子部品１４が接合される面）のビッカース硬さＨｖが１００以下であるのが好ましく、４０以下であるのがさらに好ましい。 【００１９】 また、電子部品１４の金属板１０の一方の主面（電子部品１４が接合される面）（銅めっき皮膜２０を形成する場合には銅めっき皮膜２０の表面）に接合される面が、金、銀、銅およびパラジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属またはこれらの合金のように、銀接合層１２で接合可能な金属で覆われているのが好ましく、金、銀およびパラジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属またはこれらの合金でめっきされているのが好ましい。」 「【００２３】 また、金属板１０の他方の主面に、平面形状が略矩形のセラミックス基板１６の一方の主面を接合し、このセラミックス基板１６の他方の主面に、平面形状が略矩形の放熱用金属板（金属ベース板）１８を接合してもよい。この場合、これらの金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間の接合の後に、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）（電子部品１４が接合される面）の表面加工を行い、その主面（または銅めっき皮膜２０の表面）に銀ペーストを塗布して電子部品１４を配置した後、銀ペースト中の銀を焼結させて銀接合層１２を形成し、この銀接合層１２によって電子部品１４を金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）に接合すればよい。 【００２４】 なお、金属板１０が銅板からなる場合には、金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を直接接合してもよいし、ろう材を介して接合してもよい。これらの場合、金属板１０とセラミックス基板１６の間（およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間）の接合の前に、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）の表面加工を行ってもよい。この場合、表面加工後に加熱処理による焼鈍をしなくても、接合の際に金属板１０（または銅めっき皮膜２０）が加熱されることにより、金属板１０（または銅めっき皮膜２０）のビッカース硬さＨｖを（小さくして）４０以下に（軟らかく）することができる。 【００２５】 また、金属板１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合には、金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間の接合では、（図示しない）鋳型内にセラミックス基板１６を配置した後、セラミックス基板１６の両主面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板１６の各々の主面に金属板１０および金属ベース板１８を形成して直接接合させるのが好ましい。」 「【００２９】 なお、本明細書中において、「表面粗さ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年）に基づいて算出した算術平均粗さＲａをいう。また、「銀粒子の平均一次粒径（Ｄ５０径）」とは、レーザー回折法により測定した銀粒子の５０％粒径（Ｄ５０径）（累積５０質量％粒径）をいい、「銀微粒子の平均一次粒子径」とは、透過型電子顕微鏡写真（ＴＥＭ像）による銀微粒子の一次粒子径の平均値をいう。」 「【００３１】 ［実施例１］ まず、４８ｍｍ×５７ｍｍ×０．２５ｍｍの無酸素銅からなる（電子部品搭載用）金属板と（放熱用）金属ベース板を用意した。 【００３２】 次に、活性金属としてＴｉを含有するＡｇ－Ｃｕ系ろう材を介して、（電子部品搭載用）金属板の一方の面を４９ｍｍ×５８ｍｍ×０．６４ｍｍのＡｌＮからなるセラミックス基板の一方の主面に接合するとともに、（放熱用）金属ベース板をそのセラミックス基板の他方の面に接合して、金属－セラミックス接合基板を作製した。 【００３３】 次に、ウエットブラスト装置（マコー株式会社製の型番ＮＦＲ－７３７）により、金属－セラミックス接合基板の（電子部品搭載用）金属板の他方の面の表面処理を行った。なお、ウエットブラスト装置の処理条件として、エアー圧０．２０ＭＰａ、処理速度０．３ｍ／分、投射距離２０ｍｍ、投射角度９０°とし、水中に砥粒として平均粒径４０μｍのアルミナ＃３２０を１５体積％含む研磨材スラリーを使用した。このウエットブラスト処理後の（電子部品搭載用）金属板について、超深度表面形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製のＶＫ－８５００）の線粗さ測定機能を使用して、金属板の表面の任意の１００μｍ×１００μｍの正方形の領域の１辺に平行な長さ１００μｍの任意の直線に沿った線粗さを測定した結果から、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年）に基づいて表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を算出したところ、０．８１μｍであった。なお、この金属板の他方の面のビッカース硬さＨｖを微小硬さ試験機（ヘルモートフィッシャー社製のフィッシャースコープＨＭ２０００）により３００ｍＮ／１０ｓの条件で測定したところ、９７．８であった。 【００３４】 次に、銀微粒子と銀粒子が分散媒に分散した銀ペーストとして、ソルビン酸で被覆された平均一次粒子径１００ｎｍの銀微粒子（銀ナノ粒子）の凝集体の乾燥粉末と平均一次粒径（Ｄ５０径）１．０μｍの球状銀粒子の粉末（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製の２－１Ｃ球状銀粉末）とを分散剤とともに分散媒に混合した銀ペースト（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製のＰＡ－ＨＴ－１００１Ｌ）を用意した。この銀ペーストを上記の金属－セラミックス接合基板の（電子部品搭載用）金属板の（表面処理した）表面の電子部品搭載部分に塗布し、その上に電子部品として底面（裏面）が金めっきされた（１３ｍｍ×１３ｍｍの大きさの）Ｓｉチップを配置し、大気中において、１００℃で１０分間予備加熱した後、Ｓｉゴムシートを介して７ＭＰａで加圧しながら２６０℃で２分間加熱して、（電子部品搭載用）金属板にＳｉチップを接合した。」 「【００４３】 ［実施例３］ 鋳型内に７８ｍｍ×９５ｍｍ×０．６４ｍｍの大きさのＡｌＮからなるセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の両主面に接触するように９９．９質量％のアルミニウムの溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の各々の主面に６８ｍｍ×８５ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの（電子部品搭載用）金属板と６８ｍｍ×８５ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの（放熱用）金属ベース板を形成して、それぞれセラミックス基板の主面に直接接合させた。 【００４４】 次に、実施例１と同様のウエットブラスト装置により（電子部品搭載用）金属板の表面処理を行った。なお、ウエットブラスト装置の処理条件として、エアー圧０．２０ＭＰａ、処理速度０．３ｍ／分、投射距離３０ｍｍ、投射角度９０°とし、水中に砥粒として平均粒径４０μｍのアルミナ＃３２０を１５体積％含む研磨材スラリーを使用した。このウエットブラスト処理後の（電子部品搭載用）金属板について、実施例１と同様の方法により、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を算出したところ、１．６μｍであった。なお、この金属板のビッカース硬さＨｖは２９．１であった。 【００４５】 次に、表面処理後の（電子部品搭載用）金属板の表面の脱脂および化学研磨を行い、この脱脂および化学研磨後の（電子部品搭載用）金属板を、２５℃の亜鉛置換液（奥野製薬工業株式会社製のサブスターＺＮ－１１１）に３０秒間浸漬して亜鉛置換を行い、水洗し、硝酸に室温で３０秒間浸漬して酸洗し、水洗し、上記と同じ亜鉛置換液に３０秒間浸漬して２回目の亜鉛置換を行った後、水洗することにより、（電子部品搭載用）金属板のダブルジンケート処理（２回亜鉛置換）を行った。 【００４６】 次に、ダブルジンケート処理後の（電子部品搭載用）金属板を無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業株式会社製のトップニコロンＴＯＭ－ＬＦ）に浸漬することにより、（電子部品搭載用）金属板上に厚さ４～５μｍのＮｉめっき層を形成した。 【００４７】 次に、Ｎｉめっき層を形成した（電子部品搭載用）金属板を無電解銅めっき液（奥野製薬工業株式会社製のＡＩＳ－アドカッパーＣＴ）に浸漬することにより、電子部品搭載用）金属板上のＮｉめっき層上に厚さ０．４～０．５μｍのＣｕめっき層を形成した。 【００４８】 なお、Ｃｕめっき層を形成した後の（電子部品搭載用）金属板上のＣｕめっき層の表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は１．６μｍであり、ビッカース硬さＨｖは２９．１であった。 【００４９】 次に、接合の際の圧力を５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様の方法により、」 「【００５５】 ［実施例４］ 鋳型内に３４ｍｍ×３１ｍｍ×０．６ｍｍの大きさのＡｌＮからなるセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の各々の主面に３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（電子部品搭載用）金属板と３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（放熱用）金属ベース板を形成した以外は、実施例３と同様の方法により、セラミックス基板の各々の主面に金属板を直接接合させて金属－セラミックス接合基板を作製した後、金属板の表面処理およびダブルジンケート処理を行い、Ｎｉめっき層及びＣｕめっき層を形成した。なお、Ｃｕめっき層を形成した後の（電子部品搭載用）金属板上のＣｕめっき層の表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は１．５μｍであり、ビッカース硬さＨｖは２９．０であった。 【００５６】 次に、作製した金属－セラミックス接合基板の（電子部品搭載用）金属板上のＣｕめっき層の表面の電子部品搭載部分に、実施例１と同様の銀ペーストを塗布し、その上に電子部品としてＳｉチップ（底面（裏面）に下地層として厚さ１μｍのＴｉめっき層と（その上の）厚さ３μｍのＮｉめっき層が形成されるとともにこれらの下地層が金めっきされた（７ｍｍ×７ｍｍの大きさの）Ｓｉチップ）を配置し、窒素雰囲気中において、昇温速度１℃／ｓで昇温させた後、６ＭＰａで加圧しながら２５０℃で５分間加熱して、（電子部品搭載用）金属板上のＣｕめっき層にＳｉチップを接合した。」 「【図１】 ［図：0001415341000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001415341000002.jpg］ 」 ・図１及び２より、（電子部品搭載用）金属板１０の側面は銅めっき皮膜２０が形成されていないことが見てとれる。 （２）甲１に記載された発明 ア 甲１には、銅板または銅めっき板上の一方の面に、銀接合層により電子部品を接合することが記載されており（請求項１、【０００７】、【０００８】、【００１７】等）、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とが記載されている。 イ 甲１の実施例４（【００５５】、【００５６】）は、セラミックス基板、金属板、金属ベース板の大きさ以外は、実施例３（【００４３】～【００４９】と同様の方法により、金属－セラミックス接合基板を作製した後、Ｃｕめっき層を形成することが記載されており、実施例４のＣｕめっき層の厚さは、実施例３と同様に、「０．４～０．５μｍ」（【００４７】）であると認められる。 ウ 甲１において、「銅めっき皮膜２０」と「Ｃｕめっき層」とは同じものを意味することは自明であるところ、以下、両者を「銅めっき」と称する。 エ 前記ア～ウを踏まえ、銅めっき板を使用する場合に着目すると、前記（１）によれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、甲１発明を以下のａ～ｍに分説し、「構成ａ」のようにして参照する。 「ａ 電子部品搭載基板は、（電子部品搭載用）金属板１０の一方の主面に銅めっき（銅めっき皮膜２０）を形成し、その銅めっき上に、銀接合層１２により電子部品１４が接合されており、金属板１０の他方の主面に、セラミックス基板１６の一方の主面を接合し、このセラミックス基板１６の他方の主面に、放熱用金属板（金属ベース板）１８を接合しており、（【００１７】） ｂ 金属板１０は、銅めっき（銅めっき皮膜２０）を形成する場合には、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、銅めっきの表面（電子部品１４が接合される面）の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が好ましくは０．５～２．０μｍになっており、（【００１８】、【００２９】） ｃ 金属板１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合には、金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を直接接合させるのが好ましく、（【００２５】） ｄ ３４ｍｍ×３１ｍｍ×０．６ｍｍの大きさのＡｌＮからなるセラミックス基板の両主面に接触するようにアルミニウムの溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の各々の主面に３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（電子部品搭載用）金属板と３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（放熱用）金属ベース板を直接接合させて金属－セラミックス接合基板を作製した後、厚さ０．４～０．５μｍの銅めっき（Ｃｕめっき層）を形成し、銅めっきを形成した後の（電子部品搭載用）金属板上の銅めっきの表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は１．５μｍである、（【００５５】、【００４３】、【００４７】） ｅ （電子部品搭載用）金属板１０の側面は銅めっき（銅めっき皮膜２０）が形成されていない、（図１及び２） ｆ 電子部品搭載基板。」 ２ 甲２～甲６技術の認定 （１）甲２技術の認定 ア 甲２の記載 甲２には次の事項が記載されている。なお、下線は、甲２技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 マイクロトラック粒度分布測定装置で測定される、平均一次粒径（Ｄ５０径）０．５～３．０μｍである金属サブミクロン粒子と、平均一次粒子径が１～２００ｎｍであって、炭素数６～８の有機化合物で被覆された金属ナノ粒子と、これらを分散させる分散媒を含む接合材。」 「【請求項５】 前記金属サブミクロン粒子および前記金属ナノ粒子の金属は銀である、請求項１から４のいずれか一項に記載の接合材。」 「【０００１】 本発明は、接合材およびそれを用いた接合方法、特に金属間接合に金属ナノ粒子を用いたものに関する。」 「【００６５】 しかし、本発明の接合材には金属ナノ粒子の表面に有機化合物により被覆、あるいは結合しているので、これらの有機化合物が脱離や分解する際にガスが発生する。図１には、本発明の接合材を用いた場合の接合過程を模式的に示す。図１（ａ）では、接合対象物１および２の間に接合材３が塗布されている状態を示した。なお、接合対象物の表面には本接合材との濡れ性を高めるための薄膜層が形成されていてもよい。薄膜層は例えばめっきや蒸着、若しくはスパッタ等で形成させることもできる。」 「【００９４】 銅無垢材に対して、本発明に従うペーストを適用させた、実施例１～４は接合強度３９．４３～７８．４０ＭＰａ、ばらつきを表すＣＶ値が３．４７～１７．２４％と良好な接合特性を示し、さらに銅無垢材に対して銀めっきを施した部材に対して、接合させた実施例５～７は、接合強度が７０．４０～１０５．８０ＭＰａで、ＣＶ値が６．０１～１２．１０％と極めて良好な接合体の形成が可能であることを示した。」 「【０１０３】 本願発明に従う接合材は、非絶縁型半導体装置、ベアチップ実装組み立て技術への応用、パワーデバイス（整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ゲートターンオフサイリス、トライアックの製造時の接合工程への応用も可能である。また、表面をクロム処理したガラス上への接合材としても可能であり、ＬＥＤを使った照明装置の電極やフレームの接合材としても利用可能である。」 イ 甲２に記載された技術 前記アによれば、甲２には、次の技術（以下「甲２技術」という。）が記載されていると認められる。 「金属サブミクロン粒子と、金属ナノ粒子と、これらを分散させる分散媒を含む接合材は、 前記金属サブミクロン粒子および前記金属ナノ粒子の金属は銀であり、 銅無垢材に対して銀めっきを施した部材に対して、接合させた実施例は、接合強度が極めて良好であり、 非絶縁型半導体装置、ベアチップ実装組み立て技術への応用、パワーデバイスの製造時の接合工程への応用も可能であること。」 （２）甲３技術の認定 ア 甲３の記載 甲３には次の事項が記載されている。なお、下線は、甲３技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 少なくとも０.２μｍの平均膜厚を有する銀めっき膜からなる下層と、前記銀めっき膜の表面上に形成された銀めっき層であって表面の平均結晶粒径が０.５μｍ以上、表面粗さＲmaxが１０～４０μｍである上層とで構成される銀めっき構造を最表面に持つ金属部材。」 「【０００１】 本発明は、ワイヤーボンディング性および樹脂接着性を兼備し、さらに耐食性、耐摩耗性を改善した銀めっき金属部材およびその製造法に関する。」 「【００１８】 銀めっきを施すための金属基材としては、材質に特に制限はなく、種々の金属材料が採用できる。電子部品用であれば、銅、銅合金、ニッケル合金等が好適な対象となる。上記の下層と上層からなる銀めっき構造を最表面に形成するための下地処理を、金属基材の種類に応じて適宜実施することが好ましい。例えば、下地にはニッケルめっきや銅めっきを施すことができる。また、上記銀めっき構造の直下には、置換析出防止を目的として銀ストライクめっき（例えば平均膜厚は０.０５μｍ以下）を施すことができる。」 イ 甲３に記載された技術 前記アによれば、甲３には、次の技術（以下「甲３技術」という。）が記載されていると認められる。 「銀めっきを施すための金属基材としては、銅が対象となり、下層と上層からなる銀めっき構造を最表面に形成するための下地にはニッケルめっきや銅めっきを施すことができ、上記銀めっき構造の直下には、銀ストライクめっきを施すことができること。」 （３）甲４技術の認定 ア 甲４の記載 甲４には次の事項が記載されている。なお、下線は、甲４技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層と、を備え、 前記セラミックス基板が、Ｓｉ３Ｎ４または強化Ａｌ２Ｏ３のいずれかで構成されており、 前記回路層の厚さｔｃが、０．８ｍｍ≦ｔｃ≦２．０ｍｍの範囲内に設定されるとともに、前記セラミックス基板の一方の面の面積の２５％以上６０％以下を占めるように構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」 「【００２０】 以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。図１、図２に本発明の第１の実施形態であるパワーモジュール用基板及びパワーモジュールを示す。 このパワーモジュール１は、回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の表面にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３と、を備えている。ここで、はんだ層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層１２とはんだ層２との間にＮｉメッキ層（図示なし）が設けられている。 【００２１】 パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図２において上面）に複数配設された回路層１２と、を備えている。本実施形態においては、ひとつのセラミックス基板１１の上に、３つの回路層１２が配設されている。 回路層１２とセラミックス基板１１は、例えばＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系のろう材によって接合されている。」 イ 甲４に記載された技術 前記アによれば、甲４には、次の技術（以下「甲４技術」という。）が記載されていると認められる。 「セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層と、を備え、前記回路層の厚さｔｃが、０．８ｍｍ≦ｔｃ≦２．０ｍｍの範囲内に設定されるパワーモジュール用基板であって、 回路層１２とはんだ層２との間にＮｉメッキ層が設けられており、 回路層１２とセラミックス基板１１は、ろう材によって接合されている、 パワーモジュール用基板。」 （４）甲５技術の認定 ア 甲５の記載 甲５には次の事項が記載されている。なお、下線は、甲５技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 セラミック基板に形成された金属回路に複数の金属がめっきされた電子基板であって、 前記金属回路に半導体素子を搭載及び接合する半導体素子搭載部として第１金属がめっきされた第１金属めっき部と、 前記金属回路の前記半導体素子搭載部を含まない部分に第２金属がめっきされた第２金属めっき部を備える電子基板。」 「【請求項４】 前記金属回路は、銅及び／又はアルミニウムであり、 前記第１金属は、銀であり、 前記第２金属は、Ｎｉ、Ｎｉ－Ｐ及びＮｉ－Ｂの一部又は全部である、請求項１から３のいずれかに記載の電子基板。 【請求項５】 セラミック基板に形成された金属回路に複数の金属をめっきして電子基板を生産する電子基板生産方法であって、 半導体素子を搭載及び接合する半導体素子搭載部を含めて前記金属回路に第１金属をめっきする第１めっきステップと、 前記金属回路の前記半導体素子搭載部以外の一部又は全部の前記第１金属を除去する除去ステップと、 前記金属回路の前記半導体素子搭載部とは異なる部分に第２金属をめっきする第２めっきステップを含む電子基板生産方法。」 「【０００１】 本発明は、電子基板及び電子基板生産方法に関し、特に、セラミック基板上に形成された金属回路に複数の金属がめっきされた電子基板等に関する。 【背景技術】 【０００２】 図４は、従来の電子基板の概要の一例を示す。（ａ）を参照して、セラミック基板１０１に金属回路１０３が形成されている。金属回路１０３上に、金属回路１０３とは異なる金属１０５がめっきされている。金属回路１０３は、電気特性が良好な金属（例えばＣｕやＡｌなど）が用いられる。金属１０５には、はんだ濡れ性やワイヤーボンディング（Ｗ．Ｂ．）性などはんだ素子とのはんだによる接合を考慮してＮｉめっき(Ni、Ni-P、Ni-B)が用いられる。 【０００３】 今後、作動環境の高温化が予想されている（非特許文献１参照）。半導体素子は、ＳｉチップからＳｉＣチップに変更され、接合方法も、従来のはんだ接合では対応が難しく、ＣｕやＡｇからなる金属ナノ粒子による接合が注目されている。図４の（ｂ）及び（ｃ）は、このような高温化に対応するための基盤の一例を示す。図４（ｂ）では、セラミック基板１１１に形成された金属回路１１３上に、金属ナノ粒子と同種の金属１１５がめっきされている。図４（ｃ）では、セラミック基板１２１形成された金属回路１２３上に、はんだによる接合を考慮した金属１２５を全面にめっきし、さらに金属ナノ粒子と同種の金属１２７を部分的にめっきして、めっきを重ねている。」 「【０００５】 しかしながら、図４（ａ）では、作動環境の高温化に対応することが困難である。図４（ｂ）及び（ｃ）では、作動環境の高温化に対応することはできるが、図４（ｂ）では、Ｗ．Ｂ．強度不足や、エレクトロマイグレーションの不具合がある。図４（ｃ）では、めっきを重ねてこれらの問題を解決することができるが、金属１２５と金属１２７の間の密着性が悪いという問題が生じる。」 「【００１７】 電子基板１は、セラミック基板３（本願請求項の「セラミック基板」の一例）に金属回路５（本願請求項の「金属回路」の一例）が形成されている。金属回路５上に、半導体素子を搭載及び接合するための第１金属７（本願請求項の「第１金属」の一例）が部分的にめっきされている。金属回路５上の他の部分は、エレクトロマイグレーションを防止するための第２金属９（本願請求項の「第２金属」の一例）がめっきされている。なお、以下では、金属回路５並びに第１金属７及び第２金属９は、それぞれ、銅並びに銀及びニッケルとして説明するが、複数であってもよい。 【００１８】 第１金属７は、半導体素子を搭載及び接合するためのものであり、例えば半導体素子を金属ナノ粒子により接合する場合に、この金属ナノ粒子と同種の金属である。これにより、半導体素子が高温で動作しても、接合の信頼性が損なわれない。第１金属７は、金属回路５の中央部に部分的にめっきされている。第１金属７と金属回路５の端部との間には、空間がある。また、この第１金属７は金属回路５と密着性が良好である。第１金属７を、第２金属９に重ねることなく、金属回路５に直接めっきすることにより、密着性を向上させることができる。」 イ 甲５に記載された技術 前記アによれば、甲５には、次の技術（以下「甲５技術」という。）が記載されていると認められる。 「（ア）セラミック基板に形成された金属回路に複数の金属がめっきされた電子基板は、 前記金属回路に半導体素子を搭載及び接合する半導体素子搭載部として第１金属がめっきされた第１金属めっき部と、前記金属回路の前記半導体素子搭載部を含まない部分に第２金属がめっきされた第２金属めっき部を備え、 前記金属回路は銅であり、前記第１金属は銀であり、 第１金属７は、半導体素子を搭載及び接合するためのものであり、半導体素子を金属ナノ粒子により接合する場合に、この金属ナノ粒子と同種の金属であること、 （イ）半導体素子の接合方法として、Ａｇからなる金属ナノ粒子による接合が注目されていること。」 （５）甲６技術の認定 ア 甲６の記載 甲６には次の事項が記載されている。なお、下線は、甲６技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 セラミック基板上に金属板を接合してなる金属セラミック複合部材に、所定の開口部を有するマスキング部材を密着させた後、前記開口部にの所定の部分に、メッキ液を接触させることによりメッキを施すことを特徴とする、金属セラミック複合部材に対するメッキ方法。」 「【請求項６】 前記金属板がアルミニウム、銅、アルミニウムの合金または銅の合金、よりなることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の金属セラミック複合部材のメッキ方法。 【請求項７】 前記メッキとして、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎまたはこれらの合金から選ばれる１種類以上のメッキを行うことを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の金属セラミック複合部材に対するメッキ方法。 【請求項８】 前記メッキを、電解めっきおよび／または無電解めっきで行うことを特徴とする、請求項１～７のいずれかに記載の金属セラミック複合部材に対するメッキ方法。」 「【０００１】 本発明は、主に金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにこれらによって得られたパワーモジュール用部材に関する。」 イ 甲６に記載された技術 前記アによれば、甲６には、次の技術（以下「甲６技術」という。）が記載されていると認められる。 「セラミック基板上に金属板を接合してなる金属セラミック複合部材の所定の部分に、メッキを施すことであって、 前記金属板が銅よりなり、 前記メッキとして、Ａｇのメッキを行うこと。」 ３ 本件発明１と甲１発明との対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （１）発明特定事項Ａ「窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、銅板がろう材を介して接合され、少なくとも一方の主面の銅板上に銀めっきが施されたセラミックス回路基板であって、」について ア 甲１発明は「ＡｌＮからなるセラミックス基板の両主面に接触するようにアルミニウムの溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の各々の主面に」「（電子部品搭載用）金属板と」「（放熱用）金属ベース板を直接接合させて金属－セラミックス接合基板を作製」している（構成ｄ）。 そうすると、甲１発明の「ＡｌＮからなるセラミックス基板」は、本件発明１の「窒化アルミニウム」「を用いてなるセラミックス基板」に相当する。 また、甲１発明の「（電子部品搭載用）金属板」及び「（放熱用）金属ベース板」は、ともに金属板であるところ、本件発明１と甲１発明とは、「セラミックス基板の両主面に、金属板が接合され」る点で共通する。 イ 甲１発明は「金属－セラミックス接合基板を作製した後、」「（電子部品搭載用）金属板上」に「銅めっき（Ｃｕめっき層）を形成」している（構成ｄ）。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「少なくとも一方の主面の金属板上に金属めっきが施された」点で共通する。 ウ 甲１発明の「金属－セラミックス接合基板」に「めっき」（めっき層）を形成した構成が、本件発明１の「セラミックス回路基板」に相当する。 エ 前記ア～ウによれば、本件発明１と甲１発明とは、「窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、金属板が接合され、少なくとも一方の主面の金属板上に金属めっきが施されたセラミックス回路基板」である点で共通する。 ただし、本件発明１は、金属板が「銅板」であり、セラミックス基板の両主面に「ろう材を介して」接合されるのに対し、甲１発明は、金属板が「アルミニウム」板であり、セラミックス基板の両主面に「直接」接合される点で相違する。また、金属めっきについて、本件発明１は「銀めっき」であるのに対し、甲１発明は「銅めっき」である点で相違する。 （２）発明特定事項Ｂ「銅板側面は銀めっきが施されておらず、」について 甲１発明は「（電子部品搭載用）金属板１０の側面は銅めっき（銅めっき皮膜２０）が形成されていない」（構成ｅ）。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「金属板側面は金属めっきが施されて」いない点で共通する。 （３）発明特定事項Ｃ「銀めっきの厚みが０．１μｍから１．５μｍであり、」について 甲１発明は「厚さ０．４～０．５μｍの銅めっき（Ｃｕめっき層）を形成」している（構成ｄ）。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「金属めっきの厚みが０．１μｍから１．５μｍ」である点で共通する。 （４）発明特定事項Ｄ「銀めっき後の回路基板の表面粗さの算術平均粗さＲａが０．１μｍから１．５μｍであり、」について 甲１発明は「銅めっきを形成した後の（電子部品搭載用）金属板上の銅めっきの表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は１．５μｍである」（構成ｄ）。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「金属めっき後の回路基板の表面粗さの算術平均粗さＲａが０．１μｍから１．５μｍ」である点で共通する。 （５）発明特定事項Ｅ「銅板の厚みが０．８ｍｍ以上である」について 甲１発明の「３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（電子部品搭載用）金属板」、「３０ｍｍ×２７ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの（放熱用）金属ベース板」（構成ｄ）は、その厚みが「０．４ｍｍ」であると推測されるが、「０．８ｍｍ以上」とすることは特定されていない。 （６）発明特定事項Ｆ「セラミックス回路基板」について 前記（１）ウのとおり、甲１発明の「金属－セラミックス接合基板」に「めっき」（めっき層）を形成した構成が、本件発明１の「セラミックス回路基板」に相当する。 （７）一致点及び相違点 前記（１）～（６）によれば、本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「 窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、金属板が接合され、少なくとも一方の主面の金属板上に金属めっきが施されたセラミックス回路基板であって、金属板側面は金属めっきが施されておらず、金属めっきの厚みが０．１μｍから１．５μｍであり、金属めっき後の回路基板の表面粗さの算術平均粗さＲａが０．１μｍから１．５μｍであるセラミックス回路基板。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、金属板が「銅板」であり、セラミックス基板の両主面に「ろう材を介して」接合されるのに対し、甲１発明は、金属板が「アルミニウム」板であり、セラミックス基板の両主面に「直接」接合される点。 ＜相違点２＞ 金属めっきについて、本件発明１は「銀めっき」であるのに対し、甲１発明は「銅めっき」である点。 ＜相違点３＞ 本件発明１は「銅板の厚みが０．８ｍｍ以上である」のに対し、甲１発明には、その点が特定されていない点。 ４ 本件発明１と甲１発明との相違点についての判断 前記３（７）で示した相違点について、以下、検討する。 （１）相違点１について ア 甲１には、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とが記載されている。 そして、銅めっき板を使用する場合の甲１発明には、「金属板１０は、銅めっき（銅めっき皮膜２０）を形成する場合には、アルミニウムまたはアルミニウム合金」からなることが特定されている（構成ｂ）。 一方、甲１には、銅板を使用する場合は、「金属板１０は、銅」からなることが記載されている（【００１８】）。 上記のとおり、甲１において、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とで、金属板１０に使用する材料が区別されているところ、甲１発明の「アルミニウム」からなる金属板（「（電子部品搭載用）金属板」及び「（放熱用）金属ベース板」）（構成ｂ、ｄ）を銅からなる金属板とする動機付けは見いだせない。 イ さらに、銅めっき板を使用する場合の甲１発明には、「金属板１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合には、金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を直接接合させる」ことが特定されている（構成ｃ）。 一方、甲１には、銅板を使用する場合は、「金属板１０が銅板からなる場合には、金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を直接接合してもよいし、ろう材を介して接合してもよい。」ことが記載されている（【００２４】）。 上記のとおり、甲１において、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とで、金属板１０及び金属ベース板１８とセラミックス基板１６の接合方法が区別されているところ、甲１発明の「アルミニウム」からなる金属板（「（電子部品搭載用）金属板」及び「（放熱用）金属ベース板」）をセラミックス基板に「直接接合」させる態様（構成ｂ～ｄ）をろう材を介して接合させる態様とする動機付けは見いだせない。 ウ 前記ア及びイによれば、当該相違点１は、当業者といえども、甲１発明から容易に想到し得たものとは認められない。 エ 申立人は、当該相違点１について、以下のとおり主張する。 「 甲第１号証の段落［００１７］、［００１８］、［００２３］、［００３１］等の記載から、甲第１号証に記載の「金属板１０」、「金属ベース板１８」は、本件特許発明１における「銅板」に相当します。」（申立書の１４頁） 「 さらに、甲第１号証の段落［０００１］、［００１７］、［００２４］等の記載から、甲第１号証に記載の「ろう材を介して金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を接合し、金属板１０の一方の主面に銅めっき皮膜２０を形成したもの」は、本件特許発明１における「窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、銅板がろう材を介して接合され、少なくとも一方の主面の銅板上に銀めっきが施されたセラミックス回路基板」と比較して「窒化アルミニウムまたは窒化珪素を用いてなるセラミックス基板の両主面に、銅板がろう材を介して接合され、少なくとも一方の主面の銅板上に金属めっきが施されたセラミックス回路基板」である点で一致します。」（申立書の１４～１５頁） 以下、当該主張について検討する。 甲１において、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とで、金属板１０に使用する材料が区別されているところ、甲１には、銅めっき板を使用する場合に、金属板１０が銅からなることは記載も示唆もされてないので、甲１に記載の「金属板１０」、「金属ベース板１８」は、本件発明１における「銅板」に必ずしも相当するとはいえない。 また、甲１において、銅板を使用する場合と銅めっき板を使用する場合とで、金属板１０及び金属ベース板１８とセラミックス基板１６の接合方法が区別されているところ、甲１には、銅めっき板を使用する場合に、ろう材を介してセラミックス基板と接合することは記載も示唆もされてない（甲１には「ろう材を介して金属板１０とセラミックス基板１６の間およびセラミックス基板１６と金属ベース板１８の間を接合し、金属板１０の一方の主面に銅めっき皮膜２０を形成したもの」は記載されていない）ため、本件発明１と比較して、申立人の主張する点で一致しない。 したがって、当該主張は採用できない。 （２）相違点２について ア 甲１には、銅板または銅めっき板上に、銀接合層により電子部品を接合する場合の課題を解決することが記載されており（【０００７】、【０００８】）、銅板または銅めっき板を使用し、銀ペーストによって接合する場合の課題を解決することを目的としている。 したがって、甲１において、銅板または銅めっき板以外を使用することは、全く想定されていないどころか、前記目的に反するものといえる。 イ そうすると、甲１発明の「銅めっき」（構成ｄ）を銀めっきとする動機付けはなく、さらに、「銅めっき」に代えて銀めっきとすることは、前記目的に反するものとなり、阻害要因があるから、当該相違点２は、当業者といえども、甲１発明から容易に想到し得たものとは認められない。 ウ 申立人は、当該相違点２について、以下のとおり主張する。 「 銅板上に銀めっきを施す構成は、例えば甲第５号証の段落［０００３］、［０００５］、［００１７］等に記載された周知技術であります。甲第５号証の＜・・・中略・・・＞つまり、銀ナノ粒子を接合する箇所に銀めっきを用いることが示されています。また、銅めっきの代わりに銀めっきを用いることは、例えば甲第２号証の段落［００６５］、［００９４］、［０１０３］や甲第６号証の［請求項７］等に記載された周知技術であります。＜・・・中略・・・＞銅板に銀めっきを施すことが公知であること自体は特許権者も認めています。」（申立書の１６～１７頁） 以下、当該主張について検討する。 申立人の主張のとおり、銅板上に銀めっきを施す構成が周知技術であり、銅めっきの代わりに銀めっきを用いることが周知技術であるとしても、前記イのとおり、甲１発明の「銅めっき」を変更する動機はなく、さらに、これを変更することには阻害要因があるから、甲１発明に対し、これらの周知技術を適用することはできない。 したがって、当該相違点２は、甲１と、甲１と同一の技術分野である甲２ないし甲６に基づいて容易になし得たものとは認められず、当該主張は採用できない。 （３）本件発明１と甲１発明との相違点についての小括 前記（１）及び（２）によれば、本件発明１と甲１発明との相違点１及び２は、甲１発明及び甲２～甲６技術から容易に想到し得たものではない。 また、当該相違点１及び２は、その他の証拠及び技術常識によっても容易に想到し得たものではない。 ５ 理由１についての小括 （１）本件発明１と甲１発明とは、前記３（７）で示した相違点１～３を有し、前記４のとおり、少なくとも相違点１及び２は容易に想到し得たものではないから、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２～甲６技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 （２）本件発明２及び３は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項を備えるものである。 そうすると、本件発明２及び３と甲１発明とは、少なくとも前記３（７）に示した相違点を有し、当該相違点については前記４のとおりであるから、本件発明２及び３も、甲１発明及び甲２～甲６技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 （３）以上によれば、理由１には理由がない。 第５ 理由２についての判断 理由２（サポート要件違反）の有無を判断する。 １ 本件発明１のサポート要件についての判断 以下、本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１が発明の詳細な説明に記載したものであるか否かについて検討する。 （１）本件発明１を特定する発明特定事項は、いずれも本件の発明の詳細な説明に記載されたものである。 （２）本件の発明の詳細な説明の【００１２】（「本発明者は、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、導体側面に銀めっきが施されている場合、銀のマイグレーションによる導体間ショートが発生する可能性があること、また導体側面は傾斜形状となるため、樹脂に気孔が生じやすいことを見出し、側面から銀めっきが除去された構造とすることで、耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との密着性を向上させる技術を確立した。」）、実施例１～１３及び比較例１４～２０（特に【００４０】の表１）、【００４１】（「表１に示す通り、導体表面に銀めっきが施され且つその側面は銀めっきが施されていない構造とすることで、耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との高密着性を有することを確認した。」）によれば、本件発明１の発明特定事項Ｂ（「銅板側面は銀めっきが施されておらず、」）により、本件発明が解決しようとする課題（「耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との密着性向上を具備した回路基板を提供すること」（【００１１】））を解決すると認識できる。 （３）前記（１）及び（２）によれば、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。 ２ 本件発明２及び３のサポート要件についての判断 本件発明２及び３は、本件発明１の発明特定事項を全て備えているから、前記１（２）のとおり、本件発明２及び３も本件発明が解決しようとする課題を解決すると認識できる。 また、請求項２及び３で特定される発明特定事項は、いずれも発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、本件発明２及び３は、発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。 ３ 申立人の主張についての判断 申立人は、本件発明１のサポート要件について、以下のとおり主張する。 （１）「本件特許発明１では、銅板の厚みが０．８ｍｍ以上であることが規定されております。 一方、発明の詳細な説明の実施例では、銅板の厚みに関する記載が無く、銅板の厚みが０．８ｍｍ以上である場合に上記課題を解決できると認められる具体的な記載がありません。」（申立書の２２頁） （２）「本件特許発明１では、銅板側面は銀めっきが施されていないことが規定されておりますが、銅板側面のその他の特徴については記載されておらず、例えば、甲第５号証の第２金属９のように、銅板側面に銀めっき以外の金属めっきが施される構造も包含されるものといえます。 一方、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例では、銀めっき以外の金属めっきが施される構造に関する記載が無く、銀めっき以外の金属めっきが施される場合に上記課題を解決できると認められる具体的な記載がありません。」（申立書の２２～２３頁） （３）「本件特許発明１では、少なくとも一方の主面の銅板上に銀めっきが施されることが記載されておりますが、銅板上に直接的に銀めっきを施すことについて記載されておらず、例えば、銅板と銀めっきとの間に別の層を介在させる構造も包含されるものといえます。 一方、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例では、銅板と銀めっきとの間に別の層を介在させる構造に関する記載が無く、別の層を介在させる場合に上記課題を解決できると認められる具体的な記載がありません。」（申立書の２３頁） 以下、当該主張について検討する。 前記１（２）のとおり、本件発明１の発明特定事項Ｂ（「銅板側面は銀めっきが施されておらず、」）により、本件発明が解決しようとする課題（「耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との密着性向上を具備した回路基板を提供すること」（【００１１】））を解決すると認識できる。 そうすると、前記（１）のように発明特定事項Ｅ（「銅板の厚みが０．８ｍｍ以上である」）を有しようと、前記（２）のように銅板側面に銀めっき以外の金属めっきが施される構造であろうと、前記（３）のように銅板と銀めっきとの間に別の層を介在させる構造であろうと、導体側面に銀めっきが施される場合に比べて、導体側面に銀めっきが施されない場合の方が、耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との高密着性を有するので、課題を解決できると認められる。（なお、このように認めることは、本件の発明の詳細な説明の記載（【００１９】には、「放熱性の観点から」銅板の厚みを０．８ｍｍ以上とすることが記載されているが、耐マイグレーション性およびモジュール用封止樹脂との密着性の観点からそうすることは記載されていない。）とも整合する。） したがって、前記（１）～（３）を根拠に、本件発明１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないとする主張は、採用できない。 ４ 理由２についての小括 前記１～３によれば、本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～３が発明の詳細な説明に記載したものと認められる。 以上によれば、理由２には理由がない。 第６ むすび 前記第４及び第５によれば、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。