2024-701033

特許第７４７２７４２号発明「導電パターン付き基板の製造方法およびＬＥＤ実装回路基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４７２７４２号の請求項１～８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４７２７４２号（以下「本件特許」という。）の手続の経緯の概略は、次のとおりである。 １ 本件特許の出願から特許掲載公報発行までの経緯 令和 ２年 ９月２９日 出願 令和 ５年 ４月 ５日 上申書、手続補正書の提出 令和 ６年 ３月 ６日付け 特許査定 令和 ６年 ４月１５日 設定登録 令和 ６年 ４月２３日 特許掲載公報の発行 ２ 本件特許異議申立の手続の経緯 令和 ６年１０月２１日 特許異議申立人 横沢 聡（以下「申立人 Ａという。）による特許異議申立書の提出 令和 ６年１０月２２日 特許異議申立人 林 誠一（以下「申立人 Ｂという。）による特許異議申立書の提出 令和 ６年１１月１２日付け 手続補正指令 令和 ６年１１月２８日 申立人Ｂによる手続補正書の提出 以下では、申立人Ａにより提出された特許異議申立書を「申立書Ａ」といい、申立人Ｂにより令和 ６年１１月２８日に提出された手続補正書により補正された特許異議申立書を「申立書Ｂ」という。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明８」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程と、前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法であって、前記被転写基板が複数の電子部品が実装された基板であり、前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項２】 前記有機成分と導電性粒子とを有する組成物中の導電性粒子の含有量が５～５５重量％である請求項１に記載の導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項３】 前記有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンが、感光性導電ペーストを露光、現像することによって得られる、請求項１または２に記載の導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項４】 前記有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターン一つ当たりの前記転写基板との接触面積の平均が５～１０００μｍ２である請求項１～３のいずれかに記載の導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項５】 前記有機成分と導電性粒子とを有する組成物のガラス転移点が６０℃以下である請求項１～４のいずれかに記載の導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項６】 被転写基板が複数の電子部品が実装されたプリント配線板またはＴＦＴ基板である請求項１～５のいずれかに記載の導電パターン付き基板の製造方法。 【請求項７】 請求項６に記載の導電パターン付き基板の製造方法によって得られた導電パターン付き基板上の導電パターンとＬＥＤの電極部とを熱圧着させる工程とを含むＬＥＤ実装回路基板の製造方法。 【請求項８】 前記欠損部が、前記複数の電子部品が実装された基板から不良の電子部品を除去することによって生じたものである請求項１～６のいずれかに記載の導電パターン付き基板の製造方法。」 なお、本件発明１について、後の参照の便宜のために、以下のとおり分説し、「発明特定事項Ａ」のようにして参照する。 【請求項１】 Ａ 転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程と、 Ｂ 前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法であって、 Ｃ 前記被転写基板が複数の電子部品が実装された基板であり、 Ｄ 前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する Ｅ 導電パターン付き基板の製造方法。 第３ 申立ての理由の概要 申立書Ａ、Ｂに記載された申立ての理由及び証拠方法は、次のとおりである。 １ 申立書Ａについて （１）申立理由 理由Ａ１ 本件発明１～８は、甲第１号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（特許法第１１３条第２号） 理由Ａ２ 本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～８が明確ではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第４号） （２）証拠方法 甲第１号証 特開２０１９－１０７７６号公報 甲第２号証 特開２０２０－４３１８８号公報 甲第３号証 特表２０２０－５１３４６３号公報 甲第４号証 国際公開第２０１３／１４６２３９号 甲第５号証 国際公開第２０１１／１１４８４６号 以下、申立人Ａが提出した「甲第１号証」～「甲第５号証」を、それぞれ「甲Ａ１」～「甲Ａ５」という。 ２ 申立書Ｂについて （１）申立理由 理由Ｂ１ 本件発明１～８は、甲第１号証～甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（特許法第１１３条第２号） 理由Ｂ２ 令和５年 ４月 ５日提出の手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、本件特許は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第１号） 理由Ｂ３ 本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～８が明確ではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第４号） （２）証拠方法 甲第１号証 特表２０２０－５１３４６３号公報 甲第２号証 国際公開第２０１１／１１４８４６号 甲第３号証 国際公開第００／３４８３０号 甲第４号証 特開２０２０－６４１１８号公報 甲第５号証 特開２０２０－４３１８８号公報 甲第６号証 特開２０１５－１３５９４９号公報 甲第７号証 特表２０１８－５０４７７１号公報 甲第８号証 令和５年 ４月 ５日提出の手続補正書 甲第９号証 令和５年 ４月 ５日提出の上申書 以下、申立人Ｂが提出した「甲第１号証」～「甲第９号証」を、それぞれ「甲Ｂ１」～「甲Ｂ９」という。 第４ 理由Ｂ２についての判断 最初に、理由Ｂ２（補正が不適法）の有無を判断する。 １ 本件補正について（補正の内容） 本件補正により、以下（１）～（４）に示すとおり補正された。（下線は、補正箇所を示す。） （１）明細書の【００６２】 補正前の「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－２）にＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト２を得た。」との記載を、 「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－２）にＡｇ粒子８．５６ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト２を得た。」と補正する。 （２）明細書の【００６４】 補正前の「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－３）にＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト３を得た。」との記載を、 「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－３）にＡｇ粒子９．２８ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト３を得た。」と補正する。 （３）明細書の【００６６】 補正前の「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－４）にＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト４を得た。」との記載を、 「次に、１００ｍＬクリーンボトルに、２０．０ｇの有機成分（Ａ－４）にＡｇ粒子９．２８ｇを混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混錬し、固形分中の導電性粒子の割合が５０重量％の導電ペースト４を得た。」と補正する。 （４）明細書の【００８９】 補正前の 「 ［図：0001420359000001.jpg］ 」 を 「 ［図：0001420359000002.jpg］ 」 と補正する。 ２ 補正の適否 （１）前記１（４）（明細書の【００８９】）について ア 表１の実施例１及び２の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することについて （ア）明細書の【００５９】及び【００６０】には、合成例１として、導電ペースト１を得る方法が詳細かつ具体的に記載されており、導電ペースト１の固形分中の導電性粒子の割合である「５０」重量％という数値は、固形分４２．０％の有機成分（Ａ－１）２０．０ｇにＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせたこと（このときのＡｇ粒子の割合は、８．４／（２０．０×０．４２＋８．４）＝０．５０であるから５０重量％）と整合しており、その導出に根拠がある数値である。 （イ）導電ペースト１を用いた実施例１（【００６７】～【００６９】）及び実施例２（【００７０】～【００７２】）は、前記（ア）によれば、導電ペーストの導電性粒子の含有量は「５０」重量％であるが、補正前の表１には、実施例１及び２の導電ペーストの導電性粒子の含有量は「４０」重量％とあり、実施例と表１の記載とが矛盾している。 （ウ）ここで、補正前の表１の「４０」重量％という数値は、明細書等の全体を参酌しても、その導出根拠が示されていない。 （エ）したがって、導出根拠が示されていない表１の記載（「４０」重量％）よりも、導出根拠が示されている明細書の【００５９】及び【００６０】における記載（「５０」重量％）が正しいと解するのが妥当である。 （オ）そうすると、表１の実施例１及び２の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することは、正しい記載に整合させるものといえる。 イ 表１の実施例９、比較例３及び４の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することについて （ア）実施例９（【００７９】）、比較例３（【００８６】）、比較例４（【００８７】）は、導電ペーストの導電性粒子の含有量は、実施例２と同様であるから、「５０」重量％であるが、補正前の表１には、実施例９、比較例２及び３の導電ペーストの導電性粒子の含有量は「４０」重量％とあり、両者は矛盾している。 （イ）前記ア（エ）のとおり、導電ペースト１の導電性粒子の割合が「５０」重量％である旨の記載が正しいと解されるところ、表１の実施例９、比較例３及び４の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することは、正しい記載に整合させるものといえる。 ウ 表１の実施例３～８、１３、比較例２の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することについて （ア）明細書の【００５９】及び【００６０】には、合成例１として、導電ペースト１の導電性粒子の割合が「５０」重量％であることが記載されている。さらに、明細書の【００６１】及び【００６２】には、合成例２として、導電ペースト２の導電性粒子の割合が５０重量％であることが記載され、明細書の【００６３】及び【００６４】には、合成例３として、導電ペースト３の導電性粒子の割合が５０重量％であることが記載され、明細書の【００６５】及び【００６６】には、合成例４として、導電ペースト４の導電性粒子の割合が５０重量％であることが記載されている。 （イ）実施例３～８（【００７３】～【００７８】）、実施例１３（【００８１】～【００８３】）、比較例２（【００８５】）は、導電ペースト１の代わりに導電ペースト２～４を用いており、前記（ア）によれば、導電ペーストの導電性粒子の含有量は５０重量％であるが、補正前の表１には、実施例３～８、１３、比較例２の導電ペーストの導電性粒子の含有量は「５０」重量％と記載されておらず、両者は矛盾している。 （ウ）ここで、明細書の【００８０】には、実施例１０～１２について、「導電ペースト中の導電性粒子の含有量を表１記載の値に変更した」との記載があるところ、実施例１０～１２以外は、導電ペースト中の導電性粒子の含有量を変更していない、すなわち、実施例１～８、１３、比較例２の導電ペースト中の導電性粒子の含有量は同じであり、５０重量％であると解される。このことは、実施例１～８、１３、比較例２に用いられる導電ペースト１～４のいずれも導電性粒子の割合が５０重量％であること（前記（ア））と整合する。 （エ）前記ア（エ）のとおり、導電ペースト１の導電性粒子の割合が「５０」重量％である旨の記載が正しいと解され、前記（ウ）のとおり、導電ペースト１を用いた実施例１及び２と、導電ペースト２～４を用いた実施例３～８、１３、比較例２とは、導電性粒子の含有量は同じであり、「５０」重量％であると解されるところ、表１の実施例３～８、１３、比較例２の導電ペーストの導電性粒子の含有量を「５０」重量％と補正することは、正しい記載に整合させるものといえる。 エ 前記ア～ウによれば、明細書の【００８９】でした補正は、正しい記載に整合させる補正であり、新たな技術的事項を導入するものではないので、新規事項を追加する補正に該当しない。 （２）前記１（１）（明細書の【００６２】）について ア 補正前の明細書の【００６１】及び【００６２】には、合成例２として、導電ペースト２を得る方法が記載されているが、導電性粒子の割合（５０重量％）と、その導出根拠（固形分４２．８ｗｔ％の有機成分（Ａ－２）２０．０ｇにＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせること（このときのＡｇ粒子の割合は４９．５重量％））とが矛盾している。 イ 前記（１）ウ（エ）のとおり、導電ペースト２の導電性粒子の割合は「「５０」重量％であることが正しいと解されるところ、導出根拠を補正する（固形分４２．８ｗｔ％の有機成分（Ａ－２）２０．０ｇにＡｇ粒子「８．５６」ｇを混ぜ合わせることに補正する）ことは、正しい記載に整合させるものといえる。 ウ 前記ア及びイによれば、明細書の【００６２】でした補正は、正しい記載に整合させる補正であり、新たな技術的事項を導入するものではないので、新規事項を追加する補正に該当しない。 （３）前記１（２）（明細書の【００６４】）について ア 補正前の明細書の【００６３】及び【００６４】には、合成例３として、導電ペースト３を得る方法が記載されているが、導電性粒子の割合（５０重量％）と、その導出根拠（固形分４６．４ｗｔ％の有機成分（Ａ－３）２０．０ｇにＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせること（このときのＡｇ粒子の割合は４７．５重量％））とが矛盾している。 イ 前記（１）ウ（エ）のとおり、導電ペースト３の導電性粒子の割合は「「５０」重量％であることが正しいと解されるところ、導出根拠を補正する（固形分４６．４ｗｔ％の有機成分（Ａ－３）２０．０ｇにＡｇ粒子「９．２８」ｇを混ぜ合わせることに補正する）ことは、正しい記載に整合させるものといえる。 ウ 前記ア及びイによれば、明細書の【００６４】でした補正は、正しい記載に整合させる補正であり、新たな技術的事項を導入するものではないので、新規事項を追加する補正に該当しない。 （４）前記１（３）（明細書の【００６６】）について ア 補正前の明細書の【００６５】及び【００６６】には、合成例４として、導電ペースト４を得る方法が記載されているが、導電性粒子の割合（５０重量％）と、その導出根拠（固形分４６．４ｗｔ％の有機成分（Ａ－４）２０．０ｇにＡｇ粒子８．４ｇを混ぜ合わせること（このときのＡｇ粒子の割合は４７．５重量％））とが矛盾している。 イ 前記（１）ウ（エ）のとおり、導電ペースト４の導電性粒子の割合は「「５０」重量％であることが正しいと解されるところ、導出根拠を補正する（固形分４６．４ｗｔ％の有機成分（Ａ－４）２０．０ｇにＡｇ粒子「９．２８」ｇを混ぜ合わせることに補正する）ことは、正しい記載に整合させるものといえる。 ウ 前記ア及びイによれば、明細書の【００６６】でした補正は、正しい記載に整合させる補正であり、新たな技術的事項を導入するものではないので、新規事項を追加する補正に該当しない。 ３ 申立人Ｂの主張についての判断 申立人Ｂは、本件補正の適否について、以下のとおり主張する。 ・「令和５年４月５日提出の上申書（甲第９号証）において、例えば、（合成例２）におけるＡｇ粒子の添加量の誤記は、（合成例２）における有機成分（Ａ－２）の固形分が４２．８ｗｔ％であることを根拠としているが、当初明細書の【００８９】の【表１】の導電粒子含有量４０重量％を根拠として誤記補正することも、当初明細書の【００６２】のＡｇ粒子８．４ｇを根拠として誤記補正することも可能であり、そのうちのいずれが正しいかが、当初明細書等の記載から、当業者にとって明らかではない。」（申立書Ｂの３２頁） ・「令和５年４月５日提出の手続補正書による補正は、【実施例】において、導電粒子含有量４０重量％を導電粒子含有量５０重量％に拡張するものある。」（申立書Ｂの３２頁） ・「審査基準（第ＩＶ部 第２章 新規事項を追加する補正 ３．３．２ 明細書の補正）には、以下の通り記載されている。 ＜（３）不整合記載を解消する補正の場合 明細書等の中に矛盾する二以上の記載がある場合であって、そのうちのいずれが正しいかが、当初明細書等の記載から、当業者にとって明らかな場合は、その正しい記載に整合させる補正は、新たな技術的事項を導入するものではないので許される。＞ 審査基準によれば、令和５年４月５日提出の手続補正書による補正は、明細書等の中に矛盾する二以上の記載がある場合であって、そのうちのいずれが正しいかが、当初明細書等の記載から、当業者にとって明らかでない場合に該当する。 よって、令和５年４月５日提出の手続補正書による補正は、新たな技術的事項を導入するものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさない。」（申立書Ｂの３２～３３頁） 以下、当該主張について検討する。 前記２のとおり、本件補正は、明細書の中に矛盾する記載があるものの、そのうちのいずれが正しいか（導電ペーストの導電性粒子の割合は「５０」重量％であることが正しい）が、当初明細書等の記載から、当業者にとって明らかであり、その正しい記載に整合させる補正に該当するから、審査基準によれば、新たな技術的事項を導入するものではないので許されるとされたものである。 また、当初明細書等には、導電性粒子の含有量は「５０」重量％である実施例が記載されている（前記２（１）ア（イ））から、本件補正は「【実施例】において、導電粒子含有量４０重量％を導電粒子含有量５０重量％に拡張するもの」とは認められない。 したがって、当該主張は採用できない。 ４ 理由Ｂ２についての小括 前記２のとおり、本件補正は、新たな技術的事項を導入するものではなく、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものと認められる。 以上によれば、理由Ｂ２には理由がない。 第５ 理由Ａ２及びＢ３についての判断 次に、理由Ａ１及び理由Ｂ１（進歩性の欠如）の有無を判断する前に、理由Ａ２及びＢ３（明確性要件違反）の有無を判断する。 １ 本件発明１の明確性要件についての判断 （１）本件発明１を特定する発明特定事項の記載は、いずれも明確であり、本件発明１はその範囲が明確である。 （２）本件発明の「パターン」について、申立人Ａ及びＢが明確性要件違反を主張しているので、これについて判断すると、本件発明１の発明特定事項である「有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターン」との記載は、一般に、「パターン」とは、「型。類型。様式。」（広辞苑第五版）を意味するから、「有機成分と導電性粒子とを有する組成物」からなる「型」であることが、明確である。 さらに、本件発明１の発明特定事項である「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」との記載から、「パターン」が「電子部品の欠損部」に転写されるものであることが、明確に把握できると認められる。 （３）したがって、本件発明１は明確であると認められる。 ２ 本件発明２～８の明確性要件についての判断 請求項２～８が直接又は間接的に引用する本件発明１は、前記１のとおり明確である。 また、請求項２～８で特定される発明特定事項の記載は、いずれも明確である。 よって、請求項１を直接又は間接的に引用する本件発明２～８は明確であると認められる。 ３ 申立人Ａの主張についての判断 申立人Ａは、本件発明の明確性要件について、以下のとおり主張する。 ・「本件特許発明は、複数の電子部品が実装された基板の電子部品の欠損部にパターンを転写するものであるが、請求項においては、「パターン」について何ら規定されておらず、明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、「パターン」の技術的意味を理解することができない。 …（略）… そして、基板の製造方法の発明については、「パターン」は、電子部品同士を接続するための配線であることが出願時の技術常識であり、このような技術常識を考慮すると、請求項において、「パターン」の技術的意味を理解するための事項が不足していることは明らかである。したがって、請求項の記載から発明を明確に把握することができない。」（申立書Ａの２１頁） 以下、当該主張について検討する。 本件発明の「パターン」について、「有機成分と導電性粒子とを有する組成物」からなること、「電子部品の欠損部」に「転写する」ことが本件発明１で特定されており、「パターン」とは、一般的に「型」を意味するところ、前記１のとおり、本件発明を明確に把握できると認められる。 したがって、当該主張は採用できない。 ４ 申立人Ｂの主張についての判断 申立人Ｂは、本件発明の明確性要件について、以下のとおり主張する。 ・「基板の製造方法の発明において、「パターン」は、配線であることが出願時の技術常識であるが、特許発明１の「パターン」の用語がどのような意味内容を有しているのか理解できない。 …（略）… 一方、特許発明１の「組成物のパターンを形成する」との記載において、「パターン」の用語は、繰り返し現れる複数の特定の形や構造を意味するものと考えられる。 そうすると、明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、特許発明１－８の「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」との記載では、電子部品の欠損部に対して、どのような形状の組成物を転写するものなのかが理解できず、また、所定形状の転写も単数なのか複数なのかが理解できないから、発明が不明確である。」（申立書Ｂの３３～３４頁） 以下、当該主張について検討する。 本件発明１の「パターン」の用語は、一般的な意味である「型」を意味し、「型」の具体的な（「繰り返し現れる複数の特定の」）形や構造をも意味するとは認められない。このことは、本件明細書の「パターンの形状としては、特に制限はない」（【００１９】）との記載とも整合する。 そうすると、「「パターン」の用語は、繰り返し現れる複数の特定の形や構造を意味するものと考えられる」という申立人Ｂ独自の解釈を前提として、本件発明が不明確であるとする当該主張は採用できない。 ５ 理由Ａ２及びＢ３についての小括 前記１～４によれば、本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～８が明確であると認められる。 以上によれば、理由Ａ２及びＢ３には理由がない。 第６ 理由Ａ１についての判断 次に、理由Ａ１（進歩性の欠如）の有無を判断する。 理由Ａ１の有無を判断するために、まず、以下の１において甲Ａ１に記載された発明（以下「甲Ａ１発明」という。）の認定を行い、以下の２において甲Ａ２に記載された技術（以下「甲Ａ２技術」という。）の認定を行う。次いで、以下の３において本件発明１と甲Ａ１発明との対比を行い、以下の４において本件発明１と甲Ａ１発明との相違点について判断し、以下の５に小括する。 １ 甲Ａ１発明の認定 （１）甲Ａ１の記載 甲Ａ１には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲Ａ１発明の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１２】 パターン構造体の製造方法であって、 パターンの原料となる原料膜を成膜した第１の基材と、透明樹脂層を備える透明基材とを、用意し、 前記第１の基材と前記透明基材とを、前記原料膜と前記透明樹脂層とが対向するように接触させた状態で、前記第１の基材又は前記透明樹脂層側から、レーザー光を前記原料膜に照射して、前記原料膜の内レーザー光が照射されている部分のみを透明樹脂層側に転写堆積させるレーザー転写を行い、スタンパを製造する工程と、 前記スタンパを用いて、前記スタンパとパターン構造体用基材とを、前記スタンパの凸部パターンを前記パターン構造体用基材を対向するよう接触させた状態で、レーザー光を一様に照射することにより、前記凸パターンをパターン構造体用基材に転写させる工程とを、備えることを特徴とするパターン構造体の製造方法。」 「【００２４】 パターン構造体形成用スタンパの凸部パターンは、スタンパを使用するレーザー転写工程において、転写先基材に転写される膜であるので、最終物であるパターン構造体のパターンの膜を構成する無機物を含む。パターン構造体形成用スタンパの凸部パターンの例として、スタンパを用いた、一様なレーザー照射によるレーザー転写において、レーザー転写可能な膜からなるものであれば、特に制限はない。即ち、詳しくは後述するように、透明樹脂層とスタンパ表面凸部の界面近傍で、レーザーパルスを吸収した光吸収層の一部でレーザーアブレーションを起こし、レーザーアブレーションに伴い、スタンパ表面凸部を転写的基材に転写堆積させられることが可能な膜であればよい。たとえば、固体の膜であればよい。無機物からなる固体膜や、主成分が無機物であって有機物を含む固体膜でもよい。ここで主成分とは５０容量％以上の場合をいう。さらに、８０容量％以上であればより好ましい。薄膜や塗布膜でもよい。ここで、スタンパにインクを付与して単に転写印刷するような従来技術は含まない。また、塗布膜として、最終物のパターンの無機物に加えてその他の溶剤を５％以下含んでいてもよい。塗布膜の具体例として、Ａｇナノペースト膜やカーボンナノチューブ膜等が挙げられる。無機物として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等のいずれか１以上からなる金属又は合金、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３等のいずれか１以上からなる金属酸化物等が挙げられる。パターン構造体形成用スタンパの凸部パターンは、溶媒を実質的に有しないことがより好ましい。」 「【００２７】 ［パターン構造体形成用スタンパの製造方法］ パターン構造体形成用スタンパの製造は、主として次の工程からなる。 （工程Ａ１） パターンの原料となる原料膜を成膜した第１の基材と、透明樹脂層を備える透明基材とを、用意する工程。 （工程Ａ２） 前記第１の基材と前記透明基材とを、前記原料膜と前記透明樹脂層とが対向するように接触させた状態で、前記第１の基材又は前記透明樹脂層側から、レーザー光を前記原料膜に照射して、前記原料膜の内レーザー光が照射されている部分のみを透明樹脂層側に転写堆積させるレーザー転写を行う工程。 （工程Ａ３） 前記第１の基材と前記透明基材を分離して、凸部パターンを有するスタンパを得る工程。」 「【００３３】 （工程Ａ２）を図示する図２Ａ（ｂ）は、第１の基材１０１とスタンパ用の透明基材とを、原料膜と透明樹脂層とが対向するように接触させた状態で、第１の基材１０１から、レーザーパルス１０７を前記原料膜１０２に照射して、前記原料膜１０２の内レーザー光が照射されている部分のみを透明樹脂層側に転写堆積させるレーザー転写を行う工程を示している。ここで、レーザー光を前記原料膜に照射する際には、レーザー光をパターン構造体のパターンと同形状のパターン状（光強度パターンなど）で、原料膜に照射する。よって、レーザー転写により、レーザー光が照射されている部分のみが転写堆積されて（工程Ａ３）の凸部パターンとなる。」 「【００４４】 ［スタンパを用いたレーザー転写によるパターン構造体の製造方法］ パターン構造体の製造は、主として次の工程からなる。 （工程Ｂ１） 本発明の実施の形態のスタンパとパターン構造体用基材とを、前記スタンパの凸部パターンと前記パターン構造体用基材とが対向するよう接触させた状態で、レーザー光を照射することにより、前記凸パターンをパターン構造体用基材に転写させる工程。 （工程Ｂ２） 前記パターン構造体用基材と前記スタンパを分離して、パターンを有するパターン構造体を得る工程。 【００４５】 図２Ｂ（ｄ）（ｅ）は、図２Ａ（ｃ）で作製したスタンパ１１０を用いて、転写先基材１１３に微細パターン構造体を転写作製する様子を示す。スタンパ表面凸部１０９と転写先基材１１３を対向配置させる。この状態で、スタンパの裏面即ちスタンパ用の透明基材１０６側から、レーザーパルス１１１をシングルショット照射し、透明樹脂層１０５とスタンパ表面凸部１０９の界面近傍の、光吸収層１１２の位置で、レーザーパルス吸収を誘起する。その結果として光吸収層１１２の一部でレーザーアブレーションを起こし、レーザーアブレーションに伴う固体から気体・プラズマへの相変化による急激な体積増加により生じる圧力を推進力として、スタンパ表面凸部１０９を転写的基材１１３に転写堆積させ、図２Ｂ（ｅ）の転写先基材に、転写された無機物物質からなる、パターン構造体のパターン１１４を得る。スタンパ表面凸部が多層膜である場合も、同様に、転写先基材に多層膜のパターンが転写される。」 「【００４８】 転写先基材としては、従来のパターン構造体の基材として使用されている部材であれば、特に制限はない。例えば、電子デバイス用の基板、フレキシブル基板、医用部材コーティング用基材等が挙げられる。材質としては、無機材、有機材、いずれでもよい。例えば、シリコン等の半導体ウェハ、アルミナ等のセラミックス、石英ガラス、ポリマーフィルム、高分子基板等が好ましい。」 「【図２Ａ】 ［図：0001420359000003.jpg］ 」 「【図２Ｂ】 ［図：0001420359000004.jpg］ 」 （２）甲Ａ１発明 前記（１）によれば、甲Ａ１には、次の甲Ａ１発明が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、甲Ａ１発明を以下のａ～ｄに分説し、「構成ａ」のようにして参照する。 「ａ パターンの原料となる原料膜を成膜した第１の基材と、透明樹脂層を備える透明基材とを、用意し、前記第１の基材と前記透明基材とを、前記原料膜と前記透明樹脂層とが対向するように接触させた状態で、レーザー光を前記原料膜に照射して、前記原料膜の内レーザー光が照射されている部分のみを透明樹脂層側に転写堆積させるレーザー転写を行い、凸部パターンを有するスタンパを製造する工程と、（【請求項１２】、【００２７】） ｂ 前記スタンパを用いて、前記スタンパとパターン構造体用基材とを、前記スタンパの凸部パターンを前記パターン構造体用基材を対向するよう接触させた状態で、スタンパの裏面即ちスタンパ用の透明基材側からレーザー光を照射することにより、前記凸部パターンをパターン構造体用基材に転写させる工程とを、備えるパターン構造体の製造方法であって、（【請求項１２】、【００４５】） ｃ スタンパの凸部パターンは、最終物であるパターン構造体のパターンを構成する無機物を含み、主成分が無機物であって有機物を含むものでもよく、具体例として、Ａｇナノペーストが挙げられる、（【００２４】） ｄ パターン構造体の製造方法。」 ２ 甲Ａ２技術の認定 （１）甲Ａ２の記載 甲Ａ２には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲Ａ２技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【００３３】 続いて 連結剤挿入工程（Ｓ１２）で、被転写領域１６にＬＥＤチップ５と被転写基板１０とを結合する導電性物質を含む連結剤３を挿入する。ここで連結剤３は、たとえば積水化学工業社のはんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペースト等である。本実施例ではガイド層１５は連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されているので、たとえば図３（Ｄ）で示すようにスキージ１９を用いて容易に多くの被転写領域１６に一度で挿入することができる。連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されていないガイド層１５の場合は、たとえばディスペンサのようなもので連結剤３を被転写領域１６に挿入すればよい。このようにして、図４（Ａ）に示すような被転写基板１０を製造する。ここで被転写基板１０において、連結剤３が挿入された部分を連結部１３という。」 「【００５０】 本実施例に用いられる被転写基板３０は、図７（Ａ）に示すように検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８の近傍に新たに予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９を設けるスペースを有している。ここで予備被転写領域３９を設けるスペースは、図７（Ａ）に示すように転写されたそれぞれのＬＥＤチップ５の近傍のＬＥＤチップ５が転写されていない場所で、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように対象のＬＥＤチップ５が連結している配線部３２が設けられている場所にあらかじめ予定されている。 【００５１】 続いてガイド層除去工程（Ｓ１６）で、予備被転写領域３９上のガイド層３５を、図８（Ｂ）に示すようにたとえばレーザーアブレーション法等を用いて除去し、新たに予備被転写領域３９を設ける。 【００５２】 続いて予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で、図８（Ｃ）で示すようにガイド層除去工程（Ｓ１６）でガイド層３５を除去した予備被転写領域３９とガイド層３５に囲まれた窪みに連結剤３を、たとえばディスペンサー３８を用いて挿入し連結部３３を形成する。 【００５３】 続いて予備ＬＥＤ転写工程（Ｓ１８）で、図８（Ｄ）に示すように予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で連結剤３を挿入された予備被転写領域３９上に予備ＬＥＤチップ９をレーザーリフト法により転写する。」 「【００５６】 また、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去して同じ場所に予備ＬＥＤチップを実装するリペア方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を完全に除去しきれない場合、同じ箇所に新たに予備ＬＥＤチップを実装しても不良となる可能性がある。上述のように実施例３の実装基板の製造方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装するため、同じ箇所に新たな予備ＬＥＤチップ９を実装するよりもリペアした箇所が再び不良となる可能性が低減され確実なリペアができる。」 （２）甲Ａ２技術 前記（１）によれば、甲Ａ２には、次の甲Ａ２技術が記載されていると認められる。 「被転写基板３０は、検査工程で不良と判断されたＬＥＤチップ８の近傍に新たに予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９を設けるスペースを有しており、（【００５０】） ガイド層３５を除去した予備被転写領域３９とガイド層３５に囲まれた窪みに連結剤３を、ディスペンサー３８を用いて挿入し連結部３３を形成し、（【００５２】） 連結剤３は、はんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペーストであり、（【００３３】） 連結剤３を挿入された予備被転写領域３９上に予備ＬＥＤチップ９をレーザーリフト法により転写し、（【００５３】） 検査工程で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装すること。（【００５６】）」 ３ 本件発明１と甲Ａ１発明との対比 本件発明１と甲Ａ１発明とを対比する。 （１）発明特定事項Ａ「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程と、」について ア 甲Ａ１発明の「パターンの原料となる原料膜を成膜した第１の基材と、透明樹脂層を備える透明基材とを、用意し、」「前記原料膜の内レーザー光が照射されている部分のみを透明樹脂層側に転写堆積させるレーザー転写を行い、凸部パターンを有するスタンパを製造する工程」（構成ａ）は、「透明樹脂層を備える透明基材」の「透明樹脂層側に」「凸部パターン」を形成するものであり、「透明樹脂層を備える透明基材」、「凸部パターン」が、それぞれ、本件発明１の「転写基板」、「パターン」に相当する。 イ 甲Ａ１発明の「スタンパの凸部パターンは、」「主成分が無機物であって有機物を含むものでもよく、具体例として、Ａｇナノペーストが挙げられる」（構成ｃ）から、「凸部パターン」は、「無機物」と「有機物」とを有する組成物であり、「無機物」として「Ａｇナノ」粒子が用いられるものである。ここで、「Ａｇナノ」粒子が導電性粒子であることは、技術常識である。 ウ 前記ア及びイによれば、本件発明１と甲Ａ１発明とは、「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程」（以下、「形成工程」ともいう。）を含む点で一致する。 （２）発明特定事項Ｂ「前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法であって、」、発明特定事項Ｅ「導電パターン付き基板の製造方法。」について ア 甲Ａ１発明の「スタンパの裏面即ちスタンパ用の透明基材側からレーザー光を照射することにより、前記凸部パターンをパターン構造体用基材に転写させる工程」（構成ｂ）は、「凸部パターン」が転写される「パターン構造体用基材」が本件発明１の「被転写基板」に相当するところ、前記（１）アによれば、本件発明１の「転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程」（以下、「転写工程」ともいう。）に相当する。 イ 前記形成工程（前記（１）ウ）と前記転写工程（前記ア）とを備える、甲Ａ１発明の「パターン構造体の製造方法」（構成ｂ、ｄ）は、本件発発明１の「導電パターン付き基板の製造方法」に相当する。 ウ 前記ア及びイによれば、本件発明１と甲Ａ１発明とは、「前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法」、「導電パターン付き基板の製造方法」である点で一致する。 （３）発明特定事項Ｃ「前記被転写基板が複数の電子部品が実装された基板であり、」、発明特定事項Ｄ「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」について 甲Ａ１発明には、「パターン構造体用基材」が複数の電子部品が実装された基板であることは特定されていない。それに伴って、電子部品の欠損部に「凸部パターン」を転写することは特定されていない。 （４）前記（１）～（３）によれば、本件発明１と甲Ａ１発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程と、 前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法。」 ＜相違点＞ 本件発明１は「被転写基板が複数の電子部品が実装された基板」であり、「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」のに対し、甲Ａ１発明には、それが特定されていない点。 ４ 本件発明１と甲Ａ１発明との相違点についての判断 前記３（４）で示した相違点について、以下、検討する。 （１）甲Ａ１には、「パターン構造体用基材」が複数の電子部品が実装された基板であり、電子部品の欠損部に「凸部パターン」を転写することは記載も示唆もない。 加えて、電子部品の欠損部にパターンを転写することは、甲Ａ２やその他の証拠に開示も示唆もされていないし、技術常識でもない。 したがって、当該相違点は、当業者といえども、甲Ａ１発明及び甲Ａ２技術から容易に想到し得たとは認められない。 （２）申立人Ａは、当該相違点について、以下のとおり主張する。 ・「相違点１について、検討する。 甲第２号証には、被転写基板３０が複数のＬＥＤチップ８が実装された実装基板であり（【００５０】）、ＬＥＤチップ８の欠損部に金属ペーストの連結剤３を挿入する（【００３３】、【００５１】、【００５２】）実装基板の製造方法が記載されている。 そして、甲第２号証には、レーザーを照射して転写する事項が記載され、甲１発明と甲第２号証記載事項とは技術分野が共通するから、甲第２号証記載の実装基板の製造方法において、連結材３の挿入に変えて、甲１発明の組成物のパターン転写を採用することは当業者であれば容易に想到し得たことである。」（申立書Ａ１の１７～１８頁） 以下、当該主張について検討する。 甲Ａ２技術は、「検査工程で不良と判断されたＬＥＤチップ８の近傍に新たに予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９を設け」、「予備被転写領域３９」に「はんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペースト」である「連結剤３」を「挿入し連結部３３を形成し」、「連結剤３を挿入された予備被転写領域３９上に予備ＬＥＤチップ９をレーザーリフト法により転写し、検査工程で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装する」ものである。 そうすると、「検査工程で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装する」（下線は、強調のため、当審で付した。）から、ＬＥＤチップ８の欠損部を有しないと認められる。 そして、「はんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペースト」である「連結剤３」を「予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９」に挿入するのであって、ＬＥＤチップ８用の被転写領域（ＬＥＤチップ８の欠損部）に挿入することは記載されていない。 さらに、レーザーリフト法により「予備ＬＥＤチップ９」を転写するが、レーザーを照射して「連結剤３」を転写するものではない。一方、甲Ａ１発明は、レーザーを照射して「凸部パターン」を転写するものであり、甲Ａ２技術とは転写する対象が相違している。 したがって、甲Ａ２には、ＬＥＤチップ８の欠損部に金属ペーストの連結剤３を挿入する実装基板の製造方法が記載されているとは認められず、甲Ａ１発明と甲Ａ２技術とは、レーザーを照射して転写する対象が相違しているから技術分野が共通するとも認められないので、当該主張は採用できない。 （３）本件発明１と甲Ａ１発明との相違点についての小括 前記（１）及び（２）によれば、本件発明１と甲Ａ１発明との相違点は、甲Ａ１発明及び甲Ａ２技術から容易に想到し得たものではない。 また、当該相違点は、その他の証拠及び技術常識によっても容易に想到し得たものではない。 ５ 理由Ａ１についての小括 前記４（３）によれば、本件発明１は、当業者が甲Ａ１発明及び甲Ａ２～甲Ａ５に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められない。 そして、本件発明２～８は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項を備えるものである。 そうすると、本件発明２～８と甲Ａ１発明とは、少なくとも前記３（４）に示した相違点を有し、当該相違点については前記４のとおりであるから、本件発明２～８も、当業者が甲Ａ１発明及び甲Ａ２～甲Ａ５に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められない。 以上によれば、理由Ａ１には理由がない。 第７ 理由Ｂ１についての判断 最後に、理由Ｂ１（進歩性の欠如）の有無を判断する。 理由Ｂ１の有無を判断するために、まず、以下の１において甲Ｂ１に記載された発明（以下「甲Ｂ１発明」という。）の認定を行い、以下の２において甲Ｂ２に記載された技術（以下「甲Ｂ２技術」という。）及び甲Ｂ３に記載された技術（以下「甲Ｂ３技術」という。）の認定を行う。次いで、以下の３において本件発明１と甲Ｂ１発明との対比を行い、以下の４において本件発明１と甲Ｂ１発明との相違点について判断し、以下の５に小括する。 １ 甲Ｂ１発明の認定 （１）甲Ｂ１の記載 甲Ｂ１には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲Ｂ１発明の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【０００１】 本発明は、レーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）用途に適した組成物に関する。」 「【０００３】 この分野における最近の進歩は、レーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）プロセスである。ＬＩＦＴでは、パルスレーザービームが、レーザ透過性のターゲット基板を通過して、ターゲット基板（ドナー層）の反対側に塗布された材料のフィルムに衝突するように向けられる。前記レーザは、レーザ放射を吸収するにつれて、フィルム材料を気化させ、運動量の移動により、前記材料をターゲット基板から除去し、ターゲット基板に近接して配置されているレシーブ基板に除去された材料を再堆積する。ＬＩＦＴでは、通常、ガラス、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３などのプレコートされた透明な支持基板から、通常、金属の不透明な薄膜をレシービング基板に転写する。 ＬＩＦＴ技術は、ジェッティング技術およびディスペンシング技術の間のベストなものを組み合わせており、ＬＩＦＴ技術により、高速で非常に複写性が高く、高解像度の非常に小さなドットサイズを得ることができる。ＬＩＦＴ技術では、毎秒１０００ドットを超える処理速度で、８０μｍ未満のドットを適用できることが証明されている。さらに、ＬＩＦＴに必要なロボットシステムは、同様の精度を必要としない。ＬＩＦＴ技術は、部品やデバイスのさらなる小型化を可能にする。」 「【０００６】 驚くべきことに、本出願人は、組成物のレオロジー挙動を変えることによって、組成物をＬＩＦＴプロセスに適用可能なように調整できることを見出した。 本発明は、ａ）１以上の樹脂；ｂ）導電性粒子、および／または非導電性粒子、および／または熱伝導性粒子；およびｃ）組成物の総重量の５～４０重量％の溶媒および／または反応性希釈剤を含み、前記溶媒および／または反応性希釈剤は１３０℃よりも高い沸点を有し、前記組成物は、貯蔵弾性率（Ｇ’）と損失弾性率（Ｇ”）とが交差せず、前記貯蔵弾性率（Ｇ’）は、損失弾性率（Ｇ”）よりも低い組成物に関する。」 「【００３４】 本発明の組成物は、導電性粒子および／または非導電性粒子および／または熱伝導性粒子を含む。粒子の種類は、使用目的に応じて選択される。 【００３５】 本発明での使用に適した導電性粒子としては、銀、ニッケル、カーボン、カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、銅、金、白金、アルミニウム、鉄、亜鉛、コバルト、鉛、すず合金；銀コート銅、銀コートグラファイト、銀コートポリマーなどの銀コートフィラー、およびこれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは、導電性粒子は、銀、カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、銅；銀コート銅、銀コートグラファイト、銀コートポリマーなどの銀コートフィラー、およびこれらの混合物からなる群から選択される。」 「【００３９】 本発明の組成物は、組成物の総重量の２０～９５重量％、好ましくは５０～８５重量％、さらに好ましくは７５～８５重量％およびさらにいっそう好ましくは７３～８０重量％の粒子を含む。 【００４０】 前記導電性粒子および／または前記熱導電性粒子の量が２０％未満であると、前記組成物の導電性が失われる。一方、前記粒子の量が９５％を超えると、前記組成物が乾燥しすぎるため、もはや適用できない。」 （２）甲Ｂ１発明 前記（１）によれば、甲Ｂ１には、次の甲Ｂ１発明が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、甲Ｂ１発明を以下のａ～ｆに分説し、「構成ａ」のようにして参照する。 「ａ レーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）プロセスであって、（【０００３】） ｂ パルスレーザービームが、レーザ透過性のターゲット基板を通過して、ターゲット基板の反対側に塗布された材料のフィルムに衝突するように向けられ、（【０００３】） ｃ 前記レーザは、フィルム材料を気化させ、前記材料をターゲット基板から除去し、ターゲット基板に近接して配置されているレシーブ基板に除去された材料を再堆積し、（【０００３】） ｄ 高速で非常に複写性が高く、高解像度の非常に小さなドットサイズを得ることができ、（【０００３】） ｅ 前記フィルム材料は、ａ）１以上の樹脂；ｂ）導電性粒子；およびｃ）組成物の総重量の５～４０重量％の溶媒および／または反応性希釈剤を含み、前記溶媒および／または反応性希釈剤は１３０℃よりも高い沸点を有し、前記組成物は、貯蔵弾性率（Ｇ’）と損失弾性率（Ｇ”）とが交差せず、前記貯蔵弾性率（Ｇ’）は、損失弾性率（Ｇ”）よりも低い組成物である、（【０００６】） ｆ レーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）プロセス。」 ２ 甲Ｂ２及び甲Ｂ３技術の認定 （１）甲Ｂ２技術の認定 ア 甲Ｂ２の記載 甲Ｂ２には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲Ｂ２技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「［請求項１２］ 請求項１～１１のいずれかに記載の感光性導電ペーストを基板上に塗布し、乾燥し、露光し、現像した後に１３０℃以上４００℃以下の温度でキュアすることを特徴とする導電パターンの製造方法。」 「［００１９］ 本発明で使用する不飽和二重結合を有し、Ｔｇが５～４０℃の範囲内である感光性成分（Ｂ）のガラス転移温度は５～４０℃であることが必要であり、１０～３０であることが好ましい。Ｔｇが５℃以上であると乾燥膜のタック性を抑制することができ、さらに１０℃以上であると特に温度変化に対する形状安定性が高くなる。また、Ｔｇが４０℃以下であると室温において屈曲性を発現し、さらに３０℃以下であると屈曲時の内部応力を緩和することができ、特にクラックの発生を抑制することができる。」 「［００５０］ ＜パターニング性の評価方法＞ ガラス基板上に感光性導電ペーストを乾燥厚みが１２μmになるように塗布、１００℃のホットプレートで３分間乾燥し、一定のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で配列する直線群を１つのユニットとし、Ｌ／Ｓの値が異なる９種類のユニットを有する透光パターンを有するフォトマスクを介して露光、現像、そして１８０℃で１時間キュアすることによって導電パターンを得た。各ユニットのＬ／Ｓの値は５００／５００、２５０／２５０、１００／１００、５０／５０、４０／４０、３０／３０、２５／２５、２０／２０、１５／１５とした（それぞれライン幅（μｍ）／間隔（μｍ）を表す）。パターンを光学顕微鏡により観察し、パターン間に残渣がなく、かつパターン剥がれのない最小のＬ／Ｓの値を持つパターンを確認し、この最小のＬ／Ｓの値を現像可能なＬ／Ｓとした。」 イ 甲Ｂ２技術 前記アによれば、甲Ｂ２には、次の甲Ｂ２技術が記載されていると認められる。 「ガラス基板上に感光性導電ペーストを塗布、乾燥し、露光、現像、そしてキュアすることによって導電パターンを得たこと。（［００５０］）」 （２）甲Ｂ３技術の認定 ア 甲Ｂ３の記載 甲Ｂ３には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲Ｂ３技術の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「請求の範囲 １． （Ａ）重量平均分子量１，０００～１００，０００及び酸価２０～５０ｍｇＫＯＨ／ｇを有するカルボキシル基含有樹脂、（Ｂ）光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）導電性粒子を含み、互いに接続すべき配線間又は端子間に介在してこれらを電気的に接続する異方性導電皮膜を形成可能であり、かつアル力リ水溶液により現像可能な光硬化型導電組成物。 ２． さらに（Ｅ）一分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物を熱硬化性成分として含む請求項１に記載の組成物。 …（略）… ９． 互いに接続すべき相対する配線又は端子を配設した基板のいずれか一方の、接続される配線又は端子部分のみに、前記請求項１又は２に記載の光硬化型導電組成物の皮膜パターンが露光、現像にて形成されてなる異方性導電パターン。」 イ 甲Ｂ３技術 前記アによれば、甲Ｂ３には、次の甲Ｂ３技術が記載されていると認められる。 「互いに接続すべき相対する配線又は端子を配設した基板のいずれか一方の、接続される配線又は端子部分のみに、導電性粒子を含む光硬化型導電組成物の皮膜パターンが露光、現像にて形成されてなる異方性導電パターン。（請求項１、９））」 ３ 本件発明１と甲Ｂ１発明との対比 本件発明１と甲Ｂ１発明とを対比する。 （１）発明特定事項Ａ「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物のパターンを形成する工程と、」について ア 甲Ｂ１発明は、「レーザ透過性のターゲット基板の反対側に塗布された材料のフィルム」（構成ｂ）を有し、「前記フィルム材料は、ａ）１以上の樹脂；ｂ）導電性粒子；およびｃ）組成物の総重量の５～４０重量％の溶媒および／または反応性希釈剤を含」む「組成物である」（構成ｅ）から、「レーザ透過性のターゲット基板」上に「ａ）１以上の樹脂；ｂ）導電性粒子；およびｃ）組成物の総重量の５～４０重量％の溶媒および／または反応性希釈剤を含」む「組成物である」「フィルム」を「塗布」している。 イ 甲Ｂ１発明の「レーザ透過性のターゲット基板」が、本件発明１の「転写基板」に相当するところ、前記アによれば、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物を形成する工程」を含む点で共通する。 ただし、本件発明１は組成物の「パターン」を形成するのに対し、甲Ｂ１発明は組成物の「フィルム」を形成する点で相違する。 （２）発明特定事項Ｂ「前記転写基板の裏面側からレーザーを照射して前記パターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法であって、」、発明特定事項Ｅ「導電パターン付き基板の製造方法。」について ア 甲Ｂ１発明は、「パルスレーザービームが、レーザ透過性のターゲット基板を通過して、ターゲット基板の反対側に塗布された材料のフィルムに衝突するように向けられ」（構成ｂ）、「前記レーザは、フィルム材料を気化させ、前記材料をターゲット基板から除去し、ターゲット基板に近接して配置されているレシーブ基板に除去された材料を再堆積」する（構成ｃ）ところ、「レーザ透過性のターゲット基板」のフィルム材料が塗布されていない側からパルスレーザを照射して、「フィルム材料」を「レシーブ基板」に「再堆積」している。 イ そして、パルスレーザを照射して、「フィルム材料」を「レシーブ基板」に「再堆積」することで、「非常に小さなドットサイズを得る」（構成ｄ）ところ、「レシーブ基板」には、パルスに対応する「ドット」（ドットパターン）が形成（転写）されているといえる。 ウ 甲Ｂ１発明の「レシーブ基板」が、本件発明１の「被転写基板」に相当するところ、前記ア及びイによれば、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、「転写基板の裏面側からレーザーを照射してパターンを被転写基板へ転写する工程」を含む点で共通する。 ただし、前記（１）イのとおり、本件発明１の「パターン」は転写基板上に形成されているのに対し、甲Ｂ１発明の「ドット」はターゲット基板上に形成されていない点で相違する。 エ 前記イによれば、「ドット」が形成された「レシーブ基板」を得ることが記載されているところ、本件発明１と甲Ｂ１発明とは、「導電パターン付き基板の製造方法」である点で一致する。 （３）発明特定事項Ｃ「前記被転写基板が複数の電子部品が実装された基板であり、」、発明特定事項Ｄ「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」について 甲Ｂ１発明には、「レシーブ基板」が複数の電子部品が実装された基板であることは特定されていない。それに伴って、電子部品の欠損部に「ドット」を転写することは特定されていない。 （４）前記（１）～（３）によれば、本件発明１と甲Ｂ１発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「転写基板上に有機成分と導電性粒子とを有する組成物を形成する工程と、 前記転写基板の裏面側からレーザーを照射してパターンを被転写基板へ転写する工程とを含む導電パターン付き基板の製造方法。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は組成物の「パターン」を転写基板上に形成するのに対し、甲Ｂ１発明は組成物の「フィルム」をレーザ透過性のターゲット基板上に形成する点で相違する。 ＜相違点２＞ 本件発明１は「被転写基板が複数の電子部品が実装された基板」であり、「前記電子部品の欠損部に前記パターンを転写する」のに対し、甲Ｂ１発明には、それが特定されていない点。 ４ 本件発明１と甲Ｂ１発明との相違点についての判断 前記３（４）で示した相違点１について、以下、検討する。 （１）甲Ｂ１には、レーザ透過性のターゲット基板上に、組成物の「パターン」を形成することは記載も示唆もない。 加えて、レーザーを照射して転写する部材を「パターン」とすることは、甲Ｂ２やその他の証拠に開示も示唆もされていないし、周知技術でも技術常識でもない。 したがって、当該相違点１は、当業者といえども、甲Ｂ１発明並びに甲Ｂ２技術若しくは周知技術から容易に想到し得たとは認められない。 （２）申立人Ｂは、当該相違点１について、以下のとおり主張する。 ・「相違点１に関し、甲第２号証（【請求項１２】、【００５０】）には、ガラス基材上に感光性導電ペーストのパターンを形成する技術事項が記載されている。また、甲第３号証（【請求項９】）には、基板上に有機成分と導電性粒子とを有する異方性導電パターンを形成する周知技術が記載されている。」（申立書Ｂの２７頁） ・「甲１発明と甲２技術事項とは、導電性組成物のパターンを形成する点で技術分野が共通するから、甲１発明の導電パターン付き基板の製造方法において、パターンを被転写基板へ転写する前に、甲２技術事項のパターン形成を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。また、導電性組成物のパターンを形成することは、例えば甲３周知技術のように、導電性組成物の技術分野において一般的に知られている技術である。」（申立書Ｂの２８頁） 以下、当該主張について検討する。 甲Ｂ２技術は、「ガラス基板上に感光性導電ペースト」「によって導電パターンを得」るものである。 しかしながら、甲Ｂ２において、「導電パターン」は「高い導電性を有し、屈曲性に優れた」（［０００９］）ものであり、「回路パターン」（［００２６］）や「バンプ、導電性パッド、配線」（［０００３］）であることが記載されているものの、当該「導電パターン」にレーザーを照射して、当該パターンを被転写基板に転写することは記載も示唆もない。 そうすると、甲Ｂ１発明におけるレーザ透過性のターゲット基板上の「フィルム材料」に対し、甲Ｂ２技術を適用する動機付けは見いだせない。 また、甲Ｂ３技術は、「互いに接続すべき相対する配線又は端子を配設した基板のいずれか一方の、接続される配線又は端子部分のみに」「異方性導電パターン」を「形成」するものであり、「異方性導電パターン」は、「配線又は端子部分のみに」「形成」されるものであって、当該「異方性導電パターン」にレーザーを照射して、当該パターンを被転写基板に転写するものではない。 そうすると、甲Ｂ３技術が周知技術であったとしても、これを甲Ｂ１発明におけるレーザ透過性のターゲット基板上の「フィルム材料」に対して適用する動機付けは見いだせない。 したがって、当該主張は採用できない。 （３）本件発明１と甲Ｂ１発明との相違点についての小括 前記（１）及び（２）によれば、本件発明１と甲Ｂ１発明との相違点１は、甲Ｂ１発明並びに甲Ｂ２技術若しくは周知技術から容易に想到し得たものではない。 また、当該相違点１は、その他の証拠及び技術常識によっても容易に想到し得たものではない。 ５ 理由Ｂ１についての小括 （１）本件発明１と甲Ｂ１発明とは、前記３（４）で示した相違点１および２を有し、前記４のとおり、少なくとも相違点１は容易に想到し得たものではないから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲Ｂ１発明、甲Ｂ２技術、及び甲Ｂ３～Ｂ７に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 （２）本件発明２～８は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項を備えるものである。 そうすると、本件発明２～８と甲Ｂ１発明とは、少なくとも前記３（４）に示した相違点を有し、当該相違点については前記４のとおりであるから、本件発明２～８も、甲Ｂ１発明、甲Ｂ２技術、及び甲Ｂ３～Ｂ７に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 （３）以上によれば、理由Ｂ１には理由がない。 第８ むすび 前記第４～第７によれば、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。