2024-700816

特許第７４４２０９９号発明「電解コンデンサ用電極箔、電解コンデンサおよびそれらの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４４２０９９号の請求項９、１０、２３に係る特許を取り消す。 同請求項１ないし８、１１ないし２２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４４２０９９号の請求項１ないし２３に係る発明についての出願は、２０１９年（令和元年）１０月３０日（優先権主張 平成３１年２月２８日）を国際出願日とする出願であって、令和６年２月２２日にその特許権が設定登録され令和６年３月４日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立での経緯は、次の通りである。 令和 ６年 ８月２９日 ：特許異議申立人 大澤豊により請求項１ないし２３に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ６年１１月２１日付け：取消理由通知書 令和 ７年 １月２４日 ：特許権者による意見書の提出 令和 ７年 ２月１９日付け：取消理由通知書（決定の予告） 第２ 本件発明 本件特許の請求項１ないし２３に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明２３」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし２３に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 「【請求項１】 金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を備え、 前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３およびＰ２／Ｐ１＜Ｐ３／Ｐ２を満たす、電解コンデンサ用電極箔。 【請求項２】 Ｐ１が６０%以下である、請求項１に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項３】 Ｐ２が７０%以下である、請求項１または２に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項４】 Ｐ３が８０％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項５】 さらに、前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面の少なくとも一部を覆う誘電体層を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項６】 請求項５に記載の電解コンデンサ用電極箔と、 前記誘電体層の少なくとも一部を覆う陰極部と、を備える、電解コンデンサ。 【請求項７】 前記陰極部は、導電性高分子を含み、 前記導電性高分子は、前記第１領域にまで含浸している、請求項６に記載の電解コンデンサ。 【請求項８】 前記陰極部は、電解液を含み、 前記電解液は、前記第１領域にまで含浸している、請求項６または７に記載の電解コンデンサ。 【請求項９】 金属箔を準備する工程と、 前記金属箔を粗面化することにより金属多孔質部を形成する粗面化工程と、を有し、 前記粗面化工程は、前記金属箔に電流を印加するエッチング工程を含み、 前記エッチング工程は、 第１処理液中で、前記金属箔に第１電流密度の電流を印加して第１エッチング箔を得る第１電解ステップと、 前記第１電解ステップ後、第２処理液中で前記第１エッチング箔に第２電流密度の電流を印加して第２エッチング箔を得る第２電解ステップと、 前記第２電解ステップ後、第３処理液中で前記第２エッチング箔に第３電流密度の電流を印加して第３エッチング箔を得る第３電解ステップと、 前記第１電解ステップ後、前記第２電解ステップ前に、前記第１エッチング箔を洗浄する第１洗浄ステップと、 前記第２電解ステップ後、前記第３電解ステップ前に、前記第２エッチング箔を洗浄する第２洗浄ステップと、を有し、 第１電流密度＞第２電流密度＞第３電流密度の関係を満たす、電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 【請求項１０】 前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３を満たす、請求項９に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 【請求項１１】 金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を有する陽極体と、 前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面の少なくとも一部を覆う誘電体層と、を備え、 前記誘電体層は、前記金属部分に含まれる第１金属とは異なる第２金属の酸化物を含む厚さＴ１の第１層を有し、 前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３およびＰ２／Ｐ１＜Ｐ３／Ｐ２を満たす、電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１２】 Ｐ１が６０％以下である、請求項１１に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１３】 Ｐ２が７０％以下である、請求項１１または１２に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１４】 Ｐ３が８０％以下である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１５】 前記第１金属はＡｌを含み、前記第２金属はＴａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１６】 前記金属部分と前記第１層との間に、前記第１金属の酸化物を含む厚さＴ２の第２層を有する、請求項１１～１５のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１７】 前記第１領域において、Ｔ１＞Ｔ２である、請求項１６に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１８】 前記誘電体層を有する前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｑ１、前記第２領域の空隙率Ｑ２および前記第３領域の空隙率Ｑ３が、Ｑ１＜Ｑ２＜Ｑ３を満たす、請求項１１～１７のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔。 【請求項１９】 金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を有する陽極体と、 前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面の少なくとも一部を覆う誘電体層と、を備え、 前記金属多孔質部の厚み方向において、前記誘電体層を有する前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｑ１、前記第２領域の空隙率Ｑ２および前記第３領域の空隙率Ｑ３が、Ｑ１＜Ｑ２＜Ｑ３およびＱ２／Ｑ１＜Ｑ３／Ｑ２を満たす、電解コンデンサ用電極箔。 【請求項２０】 請求項１１～１９のいずれか１項に記載の電解コンデンサ用電極箔と、 前記誘電体層の少なくとも一部を覆う陰極部と、を備える、電解コンデンサ。 【請求項２１】 金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を有する陽極体を準備する工程と、 前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面を覆う誘電体層を形成する工程と、を備え、 前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３およびＰ２／Ｐ１＜Ｐ３／Ｐ２を満たし、 前記誘電体層を形成する工程は、気相法により、前記金属多孔質部の表面に、前記金属部分に含まれる第１金属とは異なる第２金属の酸化物を堆積させて厚さＴ１の第１層を形成することを含む、電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 【請求項２２】 前記誘電体層を形成する工程は、更に、前記第１層を有する陽極体を化成して、前記金属部分と前記第２金属の酸化物との間に、前記第１金属の酸化物を含む厚さＴ２の第２層を形成する工程、を有する、請求項２１に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 【請求項２３】 請求項９、１０、２１または２２に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法が具備する工程と、 前記誘電体層の少なくとも一部を覆う陰極部を形成する工程と、を具備する、電解コンデンサの製造方法。」 第３ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 請求項９、１０及び２３に係る特許に対して、当審が令和７年２月１９日付けの取消理由通知（決定の予告）において特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １．（新規性）下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じ公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２．（進歩性）下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 （１）甲第３号証を主引例とした場合の新規性、進歩性 ●理由１（新規性）、理由２（進歩性）について ・請求項９ ・引用文献等 甲第３号証 ●理由２（進歩性）について ・請求項１０ ・引用文献等 甲第３号証、甲第７号証 ・請求項２３ ・引用文献等 甲第３号証 （２）甲第４号証を主引例とした場合の新規性、進歩性 ●理由１（新規性）、理由２（進歩性）について ・請求項９ ・引用文献等 甲第４号証 ●理由２（進歩性）について ・請求項１０ ・引用文献等 甲第４号証、甲第７号証 ・請求項２３ ・引用文献等 甲第４号証 （３）甲第５号証を主引例とした場合の進歩性 ●理由２（進歩性）について ・請求項９ ・引用文献等 甲第５号証、甲第３号証 ・請求項１０ ・引用文献等 甲第５号証、甲第３号証、甲第７号証 ・請求項２３ ・引用文献等 甲第５号証、甲第３号証 ＜引用文献等一覧＞ 甲第３号証：特開平３－２７０１１７号公報 甲第４号証：中国特許出願公開第１０２０１３３３４号明細書及び抄訳文 甲第５号証：特開平２－１８９９１２号公報 甲第７号証：特開２０１５－１１５４７５号公報 ２ 当審の判断 ２－１ 甲第３号証を主引例とした場合の新規性、進歩性 （１）本件発明９について ア 甲第３号証に記載された発明 実施例１に着目すると、甲第３号証（第１頁左下欄第４－１４行、第２頁右上欄第９－左下欄第８行等）には次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されている。 「アルミ箔のＡＣエッチングを行う電解コンデンサ用アルミ箔の製造方法であって、 エッチング液中で、電流密度４００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う１段目エッチングと、 エッチング液中で、電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う２段目エッチングと、 エッチング液中で、電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う３段目エッチングと、 各エッチングの中間で、アルミ箔を超音波を印加した水に浸漬して洗浄する、 電解コンデンサ用アルミ箔の製造方法。」 イ 対比、判断 本件発明９と甲３発明を対比すると、次のことがいえる。 （ア）甲３発明は「アルミ箔のＡＣエッチングを行う」のであるから、アルミ箔を準備する工程を有している。そして、当該工程は、本件発明９の「金属箔を準備する工程」に相当する。 （イ）甲３発明の「アルミ箔のＡＣエッチング」は、本件発明９の「前記金属箔に電流を印加するエッチング工程」に相当する。 そして、甲第３号証には、エッチング処理により実効面積を拡大すること（即ち、粗面化）が記載されている（第１頁左下欄第１７－１９行）。また、エッチング処理により孔が形成されることは明らかであるから、甲３発明の「アルミ箔のＡＣエッチング」は、本件発明９の「前記金属箔を粗面化することにより金属 多孔質部を形成する粗面化工程」に相当する。 （ウ）甲３発明の「エッチング液中で、電流密度４００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う１段目エッチングと、エッチング液中で、電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う２段目エッチングと、エッチング液中で、電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２の条件でエッチングを行う３段目エッチング」は、本件発明９の「第１処理液中で、前記金属箔に第１電流密度の電流を印加して第１エッチング箔を得る第１電解ステップと、前記第１電解ステップ後、第２処理液中で前記第１エッチング箔に第２電流密度の電流を印加して第２エッチング箔を得る第２電解ステップと、前記第２電解ステップ後、第３処理液中で前記第２エッチング箔に第３電流密度の電流を印加して第３エッチング箔を得る第３電解ステップと、」「を有し、第１電流密度＞第２電流密度＞第３電流密度の関係を満たす」といえる。。 （エ）甲３発明の「各エッチングの中間で、アルミ箔を超音波を印加した水に浸漬して洗浄する」ことは、本件発明９の「前記第１電解ステップ後、前記第２電解ステップ前に、前記第１エッチング箔を洗浄する第１洗浄ステップと、前記第２電解ステップ後、前記第３電解ステップ前に、前記第２エッチング箔を洗浄する第２洗浄ステップと、を有」することに相当する。 （オ）甲３発明の「電解コンデンサ用アルミ箔の製造方法」は、本件発明９の「電解コンデンサ用電極箔の製造方法」に相当する。 したがって、本件発明９と甲３発明は相違するところがない。 よって、本件発明９は甲第３号証に記載された発明である。また、本件発明９は、甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）本件発明１０について 甲第７号証には、エッチングすることにより、箔の深さ方向において、下部よりも上部の方の空隙率を高めることによって、次に行うメッキ工程において、金属層１２を形成しやすくすることができると記載されている（【００５３】）。 そうすると、甲３発明においても、金属多孔質部の下部よりも上部の方の空隙率を高めることにして、第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３を満たす関係を得ることは、当業者が容易になし得たことである。 したがって、本件発明１０は、甲第３号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件発明２３について 電解コンデンサの製造方法において、誘電体層を覆う陰極部を形成することは周知である。 したがって、本件発明２３は、甲第３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ２－２ 甲第４号証を主引例とした場合の新規性、進歩性 （１）本件発明９について ア 甲第４号証に記載された発明 実施例６に着目すると、甲第４号証（［０００６］～［００１０］、［００２１］、［００２２］、［００３３］、［００３４］等）には次の発明（以下、「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。 「前処理→液体供給→一次腐食→二次腐食Ａ→二次腐食Ｂ→後処理の工程を含む、コンデンサ陽極用アルミニウム箔の腐食のための電力供給方法であって（［０００６］）、 液体供給は、前処理したアルミニウム箔を、１６ｗｔ％の硝酸溶液と２ｗｔ％の塩酸を含む温度６５℃の液体供給層に入れて、電流密度６５０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を１５０秒通電し、その後洗浄してから後工程に進む工程であり（［０００８］、［００２１］、［００３４］）、 一次腐食は、液体供給処理したアルミニウム箔を、１～１５ｗｔ％の塩酸と１０～４０ｗｔ％の硫酸を含む温度６５～７５℃の混合液に入れて、電流密度４４０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を１８０秒間流して電解腐食を行う工程であり（［０００９］、［００２２］）、 二次腐食Ａは、一次腐食後のアルミニウム箔を純水で洗浄した後、１～１０ｗｔ％の塩酸又は５～１５ｗｔ％の硝酸を含む温度６５～８５℃の溶液に入れて、電流密度９０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を６００秒間流して電解腐食を行う工程である（［００１０］、［００２２］）、 コンデンサ陽極用アルミニウム箔の腐食のための電力供給方法。」 イ 対比、判断 本件発明９と甲４発明を対比すると、次のことがいえる。 （ア）甲４発明は「アルミニウム箔の腐食」を行うのであるから、アルミニウム箔を準備する工程を有している。そして、当該工程は、本件発明９の「金属箔を準備する工程」に相当する。 （イ）甲４発明の「液体供給」は、アルミニウム箔を、１６ｗｔ％の硝酸溶液と２ｗｔ％の塩酸を含む温度６５℃の液体供給層に入れて、電流密度６５０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を１５０秒通電しているので、アルミニウム箔がエッチングされていることが明らかであり、本件発明９の「前記金属箔に電流を印加するエッチング工程」に相当する。 同様に、甲４発明の「一次腐食」及び「二次腐食Ａ」は、アルミニウム箔に電流を流して電解腐食を行うので、本件発明９の「前記金属箔に電流を印加するエッチング工程」に相当する。 また、甲４発明「一次腐食」及び「二次腐食Ａ」は、コンデンサ陽極用アルミニウム箔の腐食であるから、アルミニウム箔を粗面化することにより金属多孔質部を形成していることは明らかであり、本件発明９の「前記金属箔を粗面化することにより金属多孔質部を形成する粗面化工程」に相当する。 （ウ）甲４発明の「液体供給」、「一次腐食」、「二次腐食Ａ」は、それぞれ、本件発明９の「第１電解ステップ」、「第２電解ステップ」、「第３電解ステップ」に相当する。 そして、甲４発明において、液体供給の「電流密度６５０ｍＡ／ｃｍ２」、一次腐食の「電流密度４４０ｍＡ／ｃｍ２」、二次腐食Ａの「電流密度９０ｍＡ／ｃｍ２」であることは、本件発明９の「第１電流密度＞第２電流密度＞第３電流密度の関係を満たす」といえる。 （エ）甲４発明の「液体供給は、」「その後洗浄してから後工程に進む工程であり」、「二次腐食Ａは、一次腐食後のアルミニウム箔を純水で洗浄した後」であることは、本件発明９の「前記第１電解ステップ後、前記第２電解ステップ前に、前記第１エッチング箔を洗浄する第１洗浄ステップと、前記第２電解ステップ後、前記第３電解ステップ前に、前記第２エッチング箔を洗浄する第２洗浄ステップと、を有」することに相当する。 （オ）甲４発明の「コンデンサ陽極用アルミニウム箔の腐食のための電力供給方法」は、アルミニウム箔を腐食してコンデンサ陽極用アルミニウム箔を製造するものなので、本件発明９の「電解コンデンサ用電極箔の製造方法」に相当する。 したがって、本件発明９と甲４発明は相違するところがない。 よって、本件発明９は甲第４号証に記載された発明である。また、本件発明９は、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）本件発明１０について 甲第７号証には、エッチングすることにより、箔の深さ方向において、下部よりも上部の方の空隙率を高めることによって、次に行うメッキ工程において、金属層１２を形成しやすくすることができると記載されている（【００５３】）。 そうすると、甲４発明においても、金属多孔質部の下部よりも上部の方の空隙率を高めることにして、第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３を満たす関係を得ることは、当業者が容易になし得たことである。 したがって、本件発明１０は、甲第４号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件発明２３について 電解コンデンサの製造方法において、誘電体層を覆う陰極部を形成することは周知である。 したがって、本件発明２３は、甲第４号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ２－３ 甲第５号証を主引例とした場合の進歩性 （１）本件発明９について ア 甲第５号証に記載された発明 実施例５に着目すると、甲第５号証（第２頁左上欄第１６行－右上欄第４行、第４頁右上欄第１－８行、第８表等）には次の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されている。 「電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法において、エツチング工程を複数の交流エツチング工程に分け、後段のエツチング工程におけるエツチング電流密度について前段のエツチング工程におけるそれらよりも低い値とした条件でエツチングするようにしたものであって、 アルミニウム箔とエツチング液を使用して、３段階のエツチングを行い、 １段目の電流密度が、４００ｍＡ／ｃｍ２、 ２段目の電流密度が、３００ｍＡ／ｃｍ２、 ３段目の電流密度が、２００ｍＡ／ｃｍ２である、 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。」 イ 対比 本件発明９と甲５発明を対比すると、次のことがいえる。 （ア）甲５発明は「アルミニウム箔」「のエツチングを行」うのであるから、アルミニウム箔を準備する工程を有している。そして、当該工程は、本件発明９の「金属箔を準備する工程」に相当する。 （イ）甲５発明の「交流エツチング工程」は、本件発明９の「前記金属箔に電流を印加するエッチング工程」に相当する。 そして、甲第５号証には、交流エッチングにより、箔のエツチング形状として均一に微細な凹凸形状を得ることができることが記載されている（第１頁左下欄第４、５行）。また、エッチングにより孔が形成されることは明らかであるから、甲５発明の「交流エツチング工程」は、本件発明９の「前記金属箔を粗面化することにより金属多孔質部を形成する粗面化工程」に相当する。 （ウ）甲５発明の「アルミニウム箔とエツチング液を使用して、３段階のエツチングを行い、１段目の電流密度が、４００ｍＡ／ｃｍ２、２段目の電流密度が、３００ｍＡ／ｃｍ２、３段目の電流密度が、２００ｍＡ／ｃｍ２である」ことは、本件発明９の「第１処理液中で、前記金属箔に第１電流密度の電流を印加して第１エッチング箔を得る第１電解ステップと、前記第１電解ステップ後、第２処理液中で前記第１エッチング箔に第２電流密度の電流を印加して第２エッチング箔を得る第２電解ステップと、前記第２電解ステップ後、第３処理液中で前記第２エッチング箔に第３電流密度の電流を印加して第３エッチング箔を得る第３電解ステップと、」「を有し、第１電流密度＞第２電流密度＞第３電流密度の関係を満たす」といえる。 但し、本件発明９は「前記第１電解ステップ後、前記第２電解ステップ前に、前記第１エッチング箔を洗浄する第１洗浄ステップと、前記第２電解ステップ後、前記第３電解ステップ前に、前記第２エッチング箔を洗浄する第２洗浄ステップと、を有」するのに対して、甲５発明にそのような特定がない点で相違する。 （エ）甲５発明の「電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法」は、本件発明９の「電解コンデンサ用電極箔の製造方法」に相当する。 すると、本件発明９と甲５発明との相違点は次のとおりであり、その余の点で一致する。 （相違点） 本件発明９は「前記第１電解ステップ後、前記第２電解ステップ前に、前記第１エッチング箔を洗浄する第１洗浄ステップと、前記第２電解ステップ後、前記第３電解ステップ前に、前記第２エッチング箔を洗浄する第２洗浄ステップと、を有」するのに対して、甲５発明にそのような特定がない点。 ウ 判断 上記相違点について検討する。 電解コンデンサ用アルミニウム箔を複数のエツチング工程に分けて行う方法において、エッチング工程とエッチング工程の間で洗浄を行う技術は周知である（例えば、甲第３号証）。 甲５発明においても、上記周知技術を適用して相違点に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。 したがって、本件発明９は、甲第５号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）本件発明１０について 甲第７号証には、エッチングすることにより、箔の深さ方向において、下部よりも上部の方の空隙率を高めることによって、次に行うメッキ工程において、金属層１２を形成しやすくすることができると記載されている（【００５３】）。 そうすると、甲５発明においても、金属多孔質部の下部よりも上部の方の空隙率を高めることにして、第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３を満たす関係を得ることは、当業者が容易になし得たことである。 したがって、本件発明１０は、甲第５号証に記載された発明、甲第７号証に記載された技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件発明２３について 電解コンデンサの製造方法において、誘電体層を覆う陰極部を形成することは周知である。 したがって、本件発明２３は、甲第５号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由等について １ 請求項１－８、１１－２２に係る特許に対する特許異議申立理由の概要は、以下のとおりである。 （１）申立理由１ 請求項１－４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１－４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１－４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２ 請求項１－４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて、 請求項５－８、１９、２０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１－８、１９、２０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由３ 請求項１－４に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であるから、請求項１－４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１－４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （４）申立理由４ 請求項１－４に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基いて、 請求項５－８、１９、２０に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１－８、１９、２０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （５）申立理由１０ 請求項１－８、１１－２２に係る発明は明確でないため、請求項項１－８、１１－２２に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ＜証拠方法＞ 甲第１号証：アルミニウム電解箔カタログ（アルミニウム電解コンデンサ電極用 カタログ番号／Ｆ－１５４ １９９９年度版）、ＫＤＫ販売株式会社、１９９９年、第６版、表紙、１－３頁、８５頁 甲第２号証：かさばるＡｌ電解コンデンサ蒸着技術で体積を１／２に、日経エレクトロニクス、日経ＢＰ社、２００５年６月２０日、第９０２号、３８－３９頁 甲第３号証：特開平３－２７０１１７号公報 甲第４号証：中国特許出願公開第１０２０１３３３４号明細書 甲第５号証：特開平２－１８９９１２号公報 甲第６号証：山ノ井智明、アルミニウム電解コンデンサ用箔、軽金属、２０１４年、第６４巻、第９号、４１９－４３２頁 甲第７号証：特開２０１５－１１５４７５号公報 甲第８号証：特開２００５－２２３１８０号公報 甲第９号証：特開２００６－１９６７４０号公報 甲第１０号証：特開２００５－１９４６１０号公報 甲第１１号証：特開２０１２－７９７５８号公報 甲第１２号証：特開２００５－１０１６４６号公報 甲第１３号証：特開昭６１－１０７７１５号公報 ２ 甲各号証の記載事項、引用発明 （１）甲第１号証 ア 甲第１号証より次の事項が読み取れる。 ・甲第１号証は、アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム電解箔に関するものである（表紙）。 ・８５頁の＜写真－４＞より、箔の表面のエッチング処理されたエッチング層と、箔の中央部の残存アルミニウム芯を備える低圧用エッチド箔が見て取れる。 ・８５頁の＜写真－５＞より、低圧用エッチド箔のエッチング層は、金属多孔質であることが見て取れる。 イ 甲第１号証に記載された発明 以上のことより、甲第１号証には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 「箔の表面の金属多孔質であるエッチング層と、箔の中央部の残存アルミニウム芯を備える低圧用エッチド箔である、アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム電解箔。」 （２）甲第２号証 ア 甲第２号証より次の事項が読み取れる。 ・甲第２号証は、Ａｌ電解コンデンサに関する記事であるから（３８頁、タイトル）、３８頁の図２に示された陽極箔はＡｌ電解コンデンサ用であることが明らかである。 ・３８頁の図２の左側の写真（エッチング（陽極箔））には、Ａｌ箔表面がエッチング加工された陽極箔断面が示されている。 ・３８頁の図２の左側下の拡大した写真より、エッチング加工された部分は金属多孔質であることが見て取れる。 イ 甲第２号証に記載された発明 以上のことより、甲第２号証には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 「エッチング加工された部分が金属多孔質である、Ａｌ箔の表面がエッチング加工されたＡｌ電解コンデンサ用陽極箔。」 ３ 当審の判断 （１）申立理由１（第２９条第１項第３号）、申立理由２（第２９条第２項）について（甲第１号証を主引例とした場合の新規性、進歩性） ア 本件発明１ （ア）対比 本件発明１と甲１発明を対比すると、次のことがいえる。 ａ 甲１発明の「箔の表面の金属多孔質であるエッチング層」は、本件発明１の「金属多孔質部」に相当する。 ｂ 甲１発明はエッチド箔に関するものであるから、「エッチング層」と「残存アルミニウム芯」は連続である。 したがって、甲１発明の「箔の中央部の残存アルミニウム芯」は、本件発明１の「前記金属多孔質部に連続する金属芯部」に相当する。 ｃ 甲１発明の「アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム電解箔」は、本件発明１の「電解コンデンサ用電極箔」に相当する。 したがって、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 （一致点） 「金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を備える、電解コンデンサ用電極箔。」 （相違点１ａ） 本件発明１は「前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３およびＰ２／Ｐ１＜Ｐ３／Ｐ２を満たす」のに対して、甲１発明はそのような特定がない点。 （イ）判断 ａ 第２９条第１項第３号について 本件発明１と甲１発明とは相違点１ａを有しているので、本件発明１は甲第１号証に記載された発明でない。 ｂ 第２９条第２項について 上記相違点１ａについて検討する。 （ａ）甲第１号証の８５頁には、＜写真－４＞として「低圧用エッチド箔断面の電子顕微鏡写真」が掲載され、「Ｕ１３５などの低圧用エッチド箔の断面（製品厚み１０５μｍ）を４００倍に拡大した写真です。箔の中央部に残存アルミニウム芯が均一に形成されています。」と説明が記載され、＜写真－５＞として「低圧用エッチド箔ピット構造の電子顕微鏡写真」が掲載され、「＜写真－４＞で示されている低圧用エッチド箔のエッチング層の先端を５０,０００倍に拡大した写真です。＜ぶどうのふさ＞のように見えるのがエッチングピットです。」と説明が記載されているが、エッチング層の空隙率について何ら説明されていない。 また、特許異議申立の証拠として提出された、甲第２号証～甲第１３号証には、何れも上記相違点１ａに係る構成について記載されていない。 そうすると、甲１発明に基づいて、上記相違点１ａに係る構成を導き出すことはできない。 （ｂ）ここで、特許異議申立人は、甲第１号証の低圧用エッチド箔断面の電子顕微鏡写真（８５頁、写真－４）から、エッチング処理された部分（エッチド部分）の空隙率を以下の方法で求めている。 １．画像解析ソフト「ＩｍａｇｅＪ」にて低圧用エッチド箔断面の電子顕微鏡写真の画像を開き、箔の下側に位置するエッチド部分を切り出す。 ２．切り出されたエッチド部分の画像を８ｂｉｔに変換し、二値化する。 ３．二値化画像を白黒に変換する。 ４．エッチド箔の表面側から残存アルミニウム芯側に向かって、画像を０．２６μｍ間隔に１４１に分割し、各分割位置での空隙率を測定する。ここで、表面から４７番目の分割位置までを第３領域とし、４８～９４番目までの分割位置を第２領域とし、９５～１４１番目までの分割位置を第１領域と区分した。 ５．第３領域、第２領域及び第１領域のそれぞれの領域の空隙率の平均値を算出し、これを第３領域、第２領域及び第１領域のそれぞれの空隙率とした。 以上の方法で算出した、各領域の空隙率は以下の通りである。 ・すべての分割位置での空隙率を平均したもの 第１領域：２４．１％ 第２領域：４１．５％ 第３領域：７７．４％ ・奇数番号の分割位置での空隙率を平均したもの 第１領域：２３．８％ 第２領域：４１．５％ 第３領域：７７．４％ ・偶数番号の分割位置での空隙率を平均したもの 第１領域：２４．４％ 第２領域：４１．５％ 第３領域：７７．４％ （特許異議申立書３５－４０頁） 特許異議申立人が算出した空隙率について検討する。 まず、甲第１号証の＜写真－４＞は不鮮明な印刷画像である。そして、特許異議申立人は、不鮮明な印刷画像をそのまま８ｂｉｔの数値データに変換した後、二値化して空隙率を算出している。その際に、８ｂｉｔに変換し二値化した画像（特許異議申立書３７頁参照）は、空隙とも空隙以外の部分とも明確には云えない領域が多く見て取れる不明瞭なものである。そうすると、算出された上記の空隙率は、写真－４の撮影に使用されたエッチド箔そのものの空隙率を正確に反映しているとは到底いえない。 よって、特許異議申立人が甲第１号証から算出した空隙率を採用することができない。 （ｃ）したがって、上記相違点１ａに係る構成は、甲１発明に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明２－４ 本件発明１を引用する本件発明２－４は、本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明でない。また、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 本件発明５－８ 本件発明１を引用する本件発明５－８は、本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものである。そして、甲第６号証には、上記相違点１ａに係る構成は記載されていない。したがって、本件発明１と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 本件発明１９ （ア）対比 本件発明１と甲１発明との対比を踏まえると（上記「ア（ア）」）、本件発明１９と甲１発明との相違点は以下のとおりである。 （相違点２ａ） 本件発明１９は「前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面の少なくとも一部を覆う誘電体層と、を備え」るのに対して、甲１発明はそのような特定がない点。 （相違点３ａ） 本件発明１９は「前記金属多孔質部の厚み方向において、前記誘電体層を有する前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｑ１、前記第２領域の空隙率Ｑ２および前記第３領域の空隙率Ｑ３が、Ｑ１＜Ｑ２＜Ｑ３およびＱ２／Ｑ１＜Ｑ３／Ｑ２を満たす」のに対して、甲１発明はそのような特定がない点。 （イ）判断 まず、上記相違点３ａについて検討する。 甲１発明は「アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム電解箔」に関するものであり、金属部分を覆う誘電体層は形成されていない。また、甲第１号証にも、誘電体層を形成したものは記載されておらず、ましてや、誘電体層を設けた「アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム電解箔」の空隙率について何ら記載されていない。 また、特許異議申立の証拠として提出された、甲第２号証～甲第１３号証には、何れも上記相違点３ａに係る構成について記載されていない。 そうすると、甲１発明及び甲第６号証に記載された技術に基づいて、上記相違点３ａに係る構成を導き出すことはできない。 ここで、特許異議申立人は「本件特許明細書には、「Ｐｌ＜Ｐ２＜Ｐ３が満たされる場合、第２電極箔の空隙率もＱｌ＜Ｑ２＜Ｑ３を満たす。」との記載がある（段落【００２５】）。そうすると、甲１発明に空隙率を反映した甲１－１発明、甲１－２発明及び甲１－３発明は、いずれもＰｌ＜Ｐ２＜Ｐ３及びＰ２／Ｐｌ＜Ｐ３／Ｐ２を満たす発明であるから、本件特許発明１９に記載された「Ｑｌ＜Ｑ２＜Ｑ３」及び「Ｑ２／Ｑｌ＜Ｑ３／Ｑ２」を満たす蓋然性が高い。」と主張している。（特許異議申立書４６頁） しかしながら、上記本件発明１で検討したとおりであるから、特許異議申立人の主張を採用することができない。 したがって、上記相違点３ａに係る構成は、甲１発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１９は、甲第１号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 オ 本件発明２０ 本件発明１９を引用する本件発明２０は、本件発明１９の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものである。したがって、本件発明１９と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）申立理由３（第２９条第１項第３号）、申立理由４（第２９条第２項）について（甲第２号証を主引例とした場合の新規性、進歩性） ア 本件発明１ （ア）対比 本件発明１と甲２発明を対比すると、次のことがいえる。 ａ 甲２発明の「金属多孔質である」「エッチング加工された部分」は、本件発明１の「金属多孔質部」に相当する。 ｂ 甲２発明は「Ａｌ箔の表面がエッチング加工された」ものであるから、「エッチング加工された部分」と「Ａｌ箔」は連続である。 したがって、甲２－１発明の「Ａｌ箔」は、本件発明１の「前記金属多孔質部に連続する金属芯部」に相当する。 ｃ 甲２発明の「Ａｌ電解コンデンサ用陽極箔」は、本件発明１の「電解コンデンサ用電極箔」に相当する。 したがって、本件発明１と甲２発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 （一致点） 「金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を備える、電解コンデンサ用電極箔。」 （相違点１ｂ） 本件発明１は「前記金属多孔質部の厚み方向において、前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｐ１、前記第２領域の空隙率Ｐ２および前記第３領域の空隙率Ｐ３が、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３およびＰ２／Ｐ１＜Ｐ３／Ｐ２を満たす」のに対して、甲２発明はそのような特定がない点。 （イ）判断 ａ 第２９条第１項第３号について 本件発明１と甲２発明とは相違点１ｂを有しているので、本件発明１は甲第２号証に記載された発明でない。 ｂ 第２９条第２項について 上記相違点１ｂについて検討する。 甲第２号証の３８頁の図２には、エッチング（陽極箔）の写真が掲載され、「図２ より小さな構造が可能に Ａｌ箔表面にＡｌを蒸着させることで大きさが２０ｎｍ程度の細かな穴を形成する。電極箔の厚みは従来より薄い。従来のエッチングによる加工では、１辺が２００ｎｍ～３００ｎｍの立方体が積み重なった構造の穴しか作れなかった。表面に穴を細かく形成することで．より小さなＡｌ箔で同じ表面積を得る。蒸着加工したＡｌ箔が黒く見えるのは塗装ではなく，入射した光が表面に形成された凹凸の谷間で乱反射し外に出てこないためである。」と説明が記載されているが、エッチング層の空隙率について何ら説明されていない。 また、特許異議申立の証拠として提出された、甲第１号証、甲第３号証～甲第１３号証には上記相違点１ｂに係る構成について記載されていない。 そうすると、甲２発明に基づいて、上記相違点１ｂに係る構成を導き出すことはできない。 ここで、特許異議申立人は、甲第２号証のＡｌ箔表面がエッチング加工された陽極箔断面の写真（３８頁、図２）から、空隙率を求めている。（特許異議申立書４８－５３頁） しかしながら、甲第２号証の図２は不鮮明な印刷画像であり、特許異議申立人が算出した空隙率は、写真（エッチング（陽極箔））の撮影に使用された陽極箔そのものの空隙率を正確に反映しているとは到底いえない。 よって、特許異議申立人が甲第２号証から算出した空隙率を採用することができない。 したがって、上記相違点１ｂに係る構成は、甲２発明に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明２－４ 本件発明１を引用する本件発明２－４は、本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１と同様の理由により、甲第２号証に記載された発明でない。また、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 本件発明５－８ 本件発明１を引用する本件発明５－８は、本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものである。そして、甲第６号証には、上記相違点１ｂに係る構成は記載されていない。したがって、本件発明１と同様の理由により、甲第２号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 本件発明１９ （ア）対比 本件発明１と甲２発明との対比を踏まえると（上記「ア（ア）」）、本件発明１９と甲２発明との相違点は以下のとおりである。 （相違点２ｂ） 本件発明１９は「前記金属多孔質部を構成する金属部分の表面の少なくとも一部を覆う誘電体層と、を備え」るのに対して、甲２発明はそのような特定がない点。 （相違点３ｂ） 本件発明１９は「前記金属多孔質部の厚み方向において、前記誘電体層を有する前記金属多孔質部を、前記金属芯部側から順に、第１領域、第２領域および第３領域に３等分割するとき、前記第１領域の空隙率Ｑ１、前記第２領域の空隙率Ｑ２および前記第３領域の空隙率Ｑ３が、Ｑ１＜Ｑ２＜Ｑ３およびＱ２／Ｑ１＜Ｑ３／Ｑ２を満たす」のに対して、甲２発明はそのような特定がない点。 （イ）判断 まず、上記相違点３ｂについて検討する。 甲２発明は「Ａｌ電解コンデンサ用陽極箔」に関するものであり、金属部分を覆う誘電体層は形成されていない。また、甲第２号証にも、誘電体層を形成したものは記載されておらず、ましてや、誘電体層を設けた「Ａｌ電解コンデンサ用陽極箔」の空隙率について何ら記載されていない。 また、特許異議申立の証拠として提出された、甲第１号証、甲第３号証～甲第１３号証には、何れも上記相違点３ｂに係る構成について記載されていない。 そうすると、甲２発明及び甲第６号証に記載された技術に基づいて、上記相違点３ｂに係る構成を導き出すことはできない。 ここで、特許異議申立人は「本件特許明細書には、「Ｐｌ＜Ｐ２＜Ｐ３が満たされる場合、第２電極箔の空隙率もＱｌ＜Ｑ２＜Ｑ３を満たす。」との記載がある（段落【００２５】）。そうすると、甲２発明に空隙率を反映した甲２－１発明及び甲２－２発明は、いずれもＰｌ＜Ｐ２＜Ｐ３及びＰ２／Ｐｌ＜Ｐ３／Ｐ２を満たす発明であるから、本件特許発明１９に記載された「Ｑｌ＜Ｑ２＜Ｑ３」及び「Ｑ２／Ｑｌ＜Ｑ３／Ｑ２」を満たす蓋然性が高い。」と主張している。（特許異議申立書６０頁） しかしながら、上記本件発明１で検討したとおりであるから、特許異議申立人の主張を採用することができない。 したがって、上記相違点３ｂに係る構成は、甲２発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１９は、甲第２号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 オ 本件発明２０ 本件発明１９を引用する本件発明２０は、本件発明１９の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものである。したがって、本件発明１９と同様の理由により、甲第２号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）申立理由１０（第３６条第６項第２号）について ア 特許異議申立人の主張 （ア）空隙率の平均値について 本件特許の発明の詳細な説明には「第１領域、第２領域および第３領域において、等間隔に任意の位置での空隙率を複数抽出し、複数の空隙率の平均値を計算して、空隙率Ｐ１、空隙率Ｐ２および空隙率Ｐ３とすればよい。」（【００３８】）との記載があり、本件発明１における第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３は、各領域において等間隔の任意の位置で抽出された複数の空隙率の平均値を意味するものと理解される。 しかしながら、本件特許の図７及び図８に示されるように、金属多孔質部の空隙率は、全体的な傾向として、陽極体の表面から金属芯部に向かって低くなっているものの、この傾向は連続的なものではなく、大きく変動していることが分かる。そうすると、第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率を求めるために抽出される位置によって各領域の空隙率は変動するものと認められる。 そうすると、金属多孔質部を構成する各領域の空隙率の測定方法は、発明の詳細な説明の記載、及び本件特許の出願当時の技術常識によって、明らかであるといえず、本件発明１における第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率が一義的に定まることはない。（特許異議申立書８９－９１頁） （イ）金属多孔質部と金属芯部との境界について 金属多孔質部の空隙率を測定するためには、電子顕微鏡写真において金属多孔質部の厚さ方向の断面を特定する必要があり、金属多孔質部と金属芯部の境界を一義的に定めることが必須である。 金属多孔質部と金属芯部の境界は、図２に示されるように蛇行した曲線となる場合がある。また、本件特許の発明の詳細な説明には「エッチングは、例えば、直流電流による直流エッチングまたは交流電流による交流エッチングにより行われ得る。」（【００６０】）と記載されているとおり、金属多孔質部のビットには、直流エッチングによるトンネル状のエッチピット、交流エッチングよるスポンジ状のエッチピット等があり、このようなエッチピット形状の違いによっても、金属多孔質部と金属芯部の境界の形状は変わるものと解される。 しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明には金属多孔質部と金属芯部の境界をどのように定めるのか具体的な説明はない。 そうすると、金属多孔質部を構成する各領域の空隙率の測定方法は、発明の詳細な説明の記載、及び本件特許の出願当時の技術常識によって、明らかであるといえず、本件発明１における第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率が一義的に定まることはない。（特許異議申立書９１、９２頁） （ウ）金属多孔質部の範囲について 本件発明１に特定はないものの、電解コンデンサ用電極箔は、一般的には、電極箔の両方の表面に金属多孔質部が形成されている。しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明では、本件発明１の金属多孔質部が、電解コンデンサ用電極箔に形成される金属多孔質部のいずれを指すのか（電解コンデンサ用電極箔に形成される金属多孔質部のうちいずれか一方を指すのか、少なくとも一方を指すのか、両方をさすのか）を定めていない。このため、電解コンデンサ用電極箔に形成される２つの金属多孔質部の空隙率が異なる場合に、いずれの金属多孔質部の空隙率を本件発明１の金属多孔質部の空隙率とすべきかを判断することができない。（特許異議申立書９２頁） 上記（ア）－（ウ）により、本件発明１における第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率が一義的に定める方法が明確でない。 イ 当審の判断 （ア）の主張について 本件特許の発明の詳細な説明には「陽極体の表面側から金属芯部側に向かって、陽極体の厚さ方向と平行な経路に沿って、画像を複数（例えば０．１μｍ間隔）に分割し、分割後の各部の空隙率の平均値を空隙率として算出する。」（【００３８】）と記載されている。上記のように、画像を複数に分割するときの幅（例えば０．１μｍ間隔）が非常に小さくなれば、複数抽出される空隙率の具体的な数は膨大になり得るため、技術常識に鑑みれば「等間隔に任意の位置での空隙率を複数抽出」して空隙率の平均値を計算すれば、空隙率に多少の変動があるとしても、空隙率Ｐ１、空隙率Ｐ２および空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率が、一義的に定まることはないといえるほどの誤差は生じないと認められる。 したがって、上記（ア）の主張は採用できない。 （イ）の主張について 発明の詳細な説明には「金属多孔質部の厚さＴは、金属芯部と金属多孔質部の厚さ方向の断面が得られるように第１電極箔または第２電極箔を切断し、断面の電子顕微鏡写真を撮影し、金属多孔質部の任意の１０点の厚さの平均値として求めればよい。」（【００４６】）と記載されている。 この記載を参酌すれば、金属多孔質部と金属芯部との境界は、金属多孔質部の表面からＴの距離に引かれる金属多孔質部の表面と平行な直線に決まるため、「金属多孔質部と金属芯部との境界」は明確である。 したがって、上記（イ）の主張は採用できない。 （ウ）の主張について 本件発明１は、「金属多孔質部と、前記金属多孔質部に連続する金属芯部と、を備え、」「電解コンデンサ用電極箔。」と特定され、かつ「金属多孔質部」が空隙率の関係を満たすのであるから、電解コンデンサ用電極箔に形成される金属多孔質部が空隙率を満たしていればよく、２つの金属多孔質部の空隙率が異なる場合には、少なくとも一方の金属多孔質部が空隙率を満たしていれば、請求項１に記載されている要件を満たすことは明らかである。 したがって、上記（ウ）の主張は採用できない。 以上のように、（ア）～（ウ）の主張は採用できないので、本件発明１における第１領域の空隙率Ｐ１、第２領域の空隙率Ｐ２および第３領域の空隙率Ｐ３のそれぞれの空隙率を定める方法が明確である。 （４）小括 以上のとおりであるから、申立理由１－４、１０によって、本件発明１－８、１１－２２に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおり、請求項９に係る発明は、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明であるから、請求項９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 請求項９に係る発明は、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明に基いて、甲第５号証に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 請求項１０に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された技術に基いて、甲第４号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された技術に基いて、甲第５号証に記載された発明、甲第７号証に記載された技術及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 請求項２３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び周知技術に基いて、甲第４号証に記載された発明及び周知技術に基いて、甲第５号証に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 したがって、請求項９、１０、２３に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである。 また、本件請求項１－８、１１－２２に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由又は特許異議申立人が特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことができない。 さらに、他に本件請求項１－８、１１－２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。