2024-700308

特許第７３５６４４６号発明「封止表面を有する静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３５６４４６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２７〕について訂正することを認める。 特許第７３５６４４６号の請求項１～９、１１、１２、１５～３３に係る特許を維持する。 特許第７３５６４４６号の請求項１０、１３、１４に係る特許についての特許異議申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３５６４４６号の請求項１～３３に係る特許（以下、「本件特許」ともいう。）についての出願は、２０１９年（平成３１年）４月４日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１８年４月４日 米国（ＵＳ）（以下、「本件特許の優先日」という。）を国際出願日として出願され、令和５年９月２６日にその特許権の設定登録がされ、同年１０月４日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和６年 ４月 ２日 ：特許異議申立人 間明田秀昭（以下、「申立人」という。）による請求項１～３３に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ５月 ８日 ：申立人による手続補正書（方式）の提出 同年 ６月１２日付け：取消理由通知 同年 ９月１２日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 同年１１月 ５日 ：申立人による意見書の提出 同年１２月２５日付け：取消理由通知（決定の予告） 令和７年 ３月３１日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 同年 ５月１３日 ：申立人による意見書の提出 なお、令和６年９月１２日に特許権者によりされた訂正の請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和７年３月３１日にされた訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）による訂正の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計は、前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和の３％以下である、ペデスタル。」と記載されているのを、「前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計は、前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和の３％以下であり、前記上側環状封止表面と、前記ＭＣＡの前記上部表面とが同一平面上にあり、前記第１の距離は前記第２の距離に等しい、ペデスタル。」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２～９、１１、１２、１５～２７も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１０を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１１に「請求項１０に記載のペデスタル」と記載されているのを、「請求項１に記載のペデスタル」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１３を削除する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１４を削除する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１０の記載を訂正前の請求項１に加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、カテゴリ－や対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 そして、訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の請求項１０の記載に基づくものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 （２）訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、請求項１０を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３による訂正は、訂正事項２による訂正により削除された本件訂正前の請求項１０の記載を引用する請求項１１の記載を、本件訂正前の請求項１０の記載が加えられた請求項１の記載を引用する記載に訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４、５について 訂正事項４による訂正は、請求項１３を削除するものであり、訂正事項５による訂正は、請求項１４を削除するものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ まとめ 以上によれば、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に規定する事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、訂正後の請求項〔１～２７〕について訂正を認める。 第３ 本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～３３の特許に係る発明（以下、「本件発明１～３３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～３３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 ペデスタルであって、 本体を備え、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し、 前記本体内の１つ以上の電極と、を含み、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源、電気的接地、および直流（ＤＣ）電力供給源からなる群から選択される１つ以上の物品に電気的に接続するように構成され、 前記下側凹部表面は、凹部表面領域を有し、 前記ＭＣＡの前記上部表面の各々は、上部表面領域を有し、 前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計は、前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和の３％以下であり、前記上側環状封止表面と、前記ＭＣＡの前記上部表面とが同一平面上にあり、前記第１の距離は前記第２の距離に等しい、ペデスタル。 【請求項２】 請求項１に記載のペデスタルであって、 前記１つ以上の電極は静電クランプ電極であり、 前記１つ以上の静電クランプ電極は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時、かつ前記１つ以上の静電クランプ電極が前記ＤＣ電力供給源によって給電されている時に、前記半導体基板に静電クランプ力を提供するように構成されている、ペデスタル。 【請求項３】 請求項２に記載のペデスタルであって、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時、かつ前記１つ以上の静電クランプ電極が前記半導体基板上に前記静電クランプ力を提供する時に、前記上側環状封止表面と前記半導体基板との間に封止が形成される、ペデスタル。 【請求項４】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記１つ以上の電極は、 前記ＲＦ電力供給源に電気的に接続し、 前記ＲＦ電力供給源からＲＦ電力を受け取るように構成されている、ペデスタル。 【請求項５】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記上側環状封止表面は、前記半導体基板の半径よりも小さい内側半径と、前記半導体基板の半径よりも大きい外側半径とを有する、ペデスタル。 【請求項６】 請求項５に記載のペデスタルであって、前記内側半径は約１４２ミリメートルである、ペデスタル。 【請求項７】 請求項６に記載のペデスタルであって、前記外側半径は約１５０ミリメートルである、ペデスタル。 【請求項８】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記半径方向厚さは約２５ミリメートル以下である、ペデスタル。 【請求項９】 請求項８に記載のペデスタルであって、前記半径方向厚さは約１５ミリメートル以下である、ペデスタル。 【請求項１０】 （削除） 【請求項１１】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記第１の距離および前記第２の距離は、０．０１２７ミリメートルおよび０．０３８１ミリメートルに等しいか、または０．０１２７ミリメートルおよび０．０３８１ミリメートルの間である、ペデスタル。 【請求項１２】 請求項１１に記載のペデスタルであって、前記第１の距離および前記第２の距離は０．０２５４ミリメートルである、ペデスタル。 【請求項１３】 （削除） 【請求項１４】 （削除） 【請求項１５】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記複数のＭＣＡは、２，０００を超えるＭＣＡを含む、ペデスタル。 【請求項１６】 請求項１５に記載のペデスタルであって、前記複数のＭＣＡは、４，０００を超えるＭＣＡを含む、ペデスタル。 【請求項１７】 請求項１５に記載のペデスタルであって、実質的に全ての前記ＭＣＡは、互いに等間隔に配置されている、ペデスタル。 【請求項１８】 請求項１７に記載のペデスタルであって、実質的に全ての前記ＭＣＡは、互いに３．９ミリメートル間隔で配置されている、ペデスタル。 【請求項１９】 請求項１５に記載のペデスタルであって、 前記複数のＭＣＡは複数のサブ配置に分割され、 前記サブ配置の各々における前記ＭＣＡは、三角形パターン、正方形パターン、対称パターン、放射状配置、および六角形パターンの１つ以上で、前記下側凹部表面上に位置合わせされている、ペデスタル。 【請求項２０】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記ＭＣＡの各々は、平面の上部表面領域を有する円柱である、ペデスタル。 【請求項２１】 請求項２０に記載のペデスタルであって、前記ＭＣＡの各々の半径は、約０．３５ミリメートルである、ペデスタル。 【請求項２２】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記上側環状封止表面は、約０．８１２８マイクロメートルから約０．２０３２マイクロメートルのラフネスを有する、ペデスタル。 【請求項２３】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記ＭＣＡの前記上部表面の各々は、約０．８１２８マイクロメートルから約０．２０３２マイクロメートルのラフネスを有する、ペデスタル。 【請求項２４】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記上側環状封止表面は、０．０２５４ミリメートルの最大範囲を有する平坦度を有する、ペデスタル。 【請求項２５】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記ＭＣＡの前記上部表面の各々は、０．０２５４ミリメートルの最大範囲の平坦度を有する、ペデスタル。 【請求項２６】 請求項１に記載のペデスタルであって、前記本体はセラミックで構成されている、ペデスタル。 【請求項２７】 請求項１に記載のペデスタルであって、 前記本体は金属または金属合金を備え、 前記本体はセラミックでコーティングされ、 前記本体はさらに、前記金属または金属合金と前記１つ以上の電極との短絡を防止するように構成されている少なくとも１つの電気的絶縁層を備えている、ペデスタル。 【請求項２８】 半導体処理システムであって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、 前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にある静電チャックと、前記静電チャックの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し、 前記本体内の１つ以上の静電クランプ電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の静電クランプ電極は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時、かつ前記１つ以上の静電クランプ電極がＤＣ電力供給源によって給電されている時に、前記半導体基板に少なくとも１つの静電クランプ力を提供するように構成されている、１つ以上の静電クランプ電極とを含み、 前記ＤＣ電力供給源は前記静電クランプ電極に電気的に接続されており、 前記半導体基板を前記静電クランプ上（当審注：「上記静電クランプ」は、「上記静電クランプ電極」の明らかな誤記であるから、以下では「上記クランプ電極」と記載する。）に配置するように構成されているエンドエフェクタと、 メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備え、 前記メモリは前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、 前記エンドエフェクタに、前記半導体基板を前記静電チャック上に配置させ、 前記エンドエフェクタが前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせしている間に、前記半導体基板上に第１の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ、 前記エンドエフェクタが前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせした後に、前記半導体基板上に前記第１の静電クランプ力とは異なる第２の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させる、命令を格納する、半導体処理システム。 【請求項２９】 請求項２８に記載の半導体処理システムであって、 前記メモリは更に、前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、 前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせする前に、前記第１の静電クランプ力を前記半導体基板上に提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、電力を前記少なくとも１つの静電クランプ電極に供給させる命令を格納する、半導体処理システム。 【請求項３０】 請求項２９に記載の半導体処理システムであって、 前記第２の静電クランプ力の大きさは、前記第１の静電クランプ力の大きさよりも大きい、半導体処理システム。 【請求項３１】 半導体処理システムであって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、 前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にあるペデスタルと、前記ペデスタルの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し、 前記本体内の１つ以上の電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源に電気的に接続するように構成された、１つ以上の電極と、を含み、 電気的接地に電気的に接続さている前記ペデスタルの上方にあるシャワーヘッドと、 前記１つ以上の電極に電気的に接続されている前記ＲＦ電力供給源と、 前記半導体基板を前記ペデスタル上に配置するように構成されているエンドエフェクタと、 前記１つ以上の電極に電気的に接続されている直流（ＤＣ）電源と、 メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備え、 前記メモリは前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、 前記エンドエフェクタに、前記半導体基板を前記ペデスタル上に配置させ、 前記半導体基板が前記ペデスタル上に位置合わせされる前に、前記半導体基板上に静電クランプ力を提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ、 前記ペデスタルと前記シャワーヘッドとの間にプラズマを発生させるために、前記ＲＦ電力供給源に、ＲＦ電圧を前記１つ以上の電極に供給させる、命令を格納する、半導体処理システム。 【請求項３２】 請求項３１に記載の半導体処理システムであって、前記プラズマが前記ペデスタルと前記シャワーヘッドとの間に生成されている間、前記静電クランプ力は前記基板に印加されない、半導体処理システム。 【請求項３３】 請求項３１に記載の半導体処理システムであって、 前記１つ以上の電極の少なくとも１つは、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時、かつ前記１つ以上の電極の少なくとも１つが前記ＤＣ電源によって給電されている時に、前記半導体基板に静電クランプ力を提供するように構成され、 前記メモリは、さらに、前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記静電クランプ力を前記半導体基板上に提供するために、前記ＤＣ電源に、電力を前記１つ以上の電極に供給させる命令を格納する、半導体処理システム。」 第４ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第１２号証（以下、「甲１」～「甲１２」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１～３３に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 なお、甲１０～甲１２は、令和６年１１月５日提出の意見書に添付されたものである。 （１）申立理由１（新規性） 本件発明１、５、１３、２０、２６は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３項に該当するから、請求項１、５、１３、２０、２６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 （２）申立理由２（進歩性） 本件発明２～４、７～９、１４、１６は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、本件発明６、２１、２２は、甲１に記載された発明に基いて、本件発明１０は、甲１に記載された発明及び甲３に記載された事項に基いて、本件発明１１、１２、１７～１９は、甲１に記載された発明及び甲２、甲３に記載された事項に基いて、本件発明１５は、甲１に記載された発明及び甲２又は甲３に記載された事項に基いて、本件発明２３は、甲１に記載された発明及び甲４に記載された事項に基いて、本件発明２４、２５は、甲１に記載された発明及び甲５に記載された事項に基いて、本件発明２７は、甲１に記載された発明及び甲６に記載された事項に基いて、本件発明２８～３１、３３は、甲６に記載された発明及び甲７、甲８に記載された事項に基いて、本件発明３２に記載された発明は、甲６に記載された発明及び甲７～甲９に記載された事項に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２～４、６～１２、１４～１９、２１～２５、２７～３３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：特開２０１２－２１６７７４号公報 甲２：特開２０００－１０６３９２号公報 甲３：特開２０１４－１１６４３３号公報 甲４：特開２０１７－２１２３７４号公報 甲５：特開２００５－１０９１６９号公報 甲６：特開平１０－４１３７８号公報 甲７：特開２００３－２５８０５７号公報 甲８：特開２００２－２７０６８０号公報 甲９：再公表特許ＷＯ２００９／１４４９３８号 甲１０：実用新案登録第３１８７５５４号公報 甲１１：特開２００９－１１１２４３号公報 甲１２：特開２００３－８６６６４号公報 第５ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 当審において、令和６年６月１２日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由１－１（新規性） 請求項１、５、１３、２０、２６に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件請求項１、５、１３、２０、２６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）取消理由１－２（進歩性） 請求項１、５～９、１３、１４、２０～２６は、甲１に記載された発明に基いて、請求項２～４に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、本件特許出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１～９、１３、１４、２０～２６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 当審において、令和６年１２月２５日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由２（明確性要件） 本件特許は、特許請求の範囲の請求項１３、１４の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第６ 甲号証の記載及び甲号証に記載された発明 １ 甲１（特開２０１２－２１６７７４号） （１）甲１には以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、基板支持部上に基板を載置すると、例えば基板支持部の上面に付着していた異物等が基板の裏面に付着してしまう場合があった。また、例えば基板と基板支持部との間に気体が挟み込まれ、基板が横滑りしてしまう場合があった。 【０００５】 本発明の目的は、基板支持部上に載置された基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプターカバーを提供することにある。」 「【発明を実施するための形態】 【００１２】 ＜本発明の第１実施形態＞ （１）基板処理装置の構成 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について、図１を用いて以下に説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置としての変形マグネトロン型プラズマ処理装置１００の断面図である。 ・・・ 【００１６】 （基板支持部） 処理室２０１の底側中央には、ウエハ２００を支持する基板支持部２１７が設けられている。基板支持部２１７は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料からそれぞれ形成されるサセプタ２１９及びサセプタカバー２１８を有しており（図２参照）、ウエハ２００上に形成される膜等への金属汚染を低減することができるように構成されている。サセプタ２１９及びサセプタカバー２１８については後述する。 ・・・ 【００１８】 基板支持部２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。基板支持部２１７内部にはインピーダンス調整電極２１７ｃが装備されている。インピーダンス調整電極２１７ｃは、インピーダンス調整部としてのインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス調整電極２１７ｃは、後述する第１の電極としての筒状電極２１５に対する第２の電極として機能する。インピーダンス可変機構２７４はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのインダクタンス及び抵抗並びに可変コンデンサの容量値を制御することにより、インピーダンス調整電極２１７ｃ及び基板支持部２１７を介して、ウエハ２００の電位（バイアス電圧）を制御できるように構成されている。 ・・・ 【００３３】 （２）基板支持部の構成 次に、本実施形態の基板支持部２１７が備えるサセプタ２１９及びサセプタカバー２１８について、主に図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理装置が備える基板支持部２１７を示す模式図であって、（ａ）は基板支持部２１７の平面図であり、（ｂ）は基板支持部２１７のＡ－Ａ断面図である。 【００３４】 図２（ｂ）に示すように、基板支持部２１７は、ヒータ２１７ｂやインピーダンス調整電極２１７ｃが埋め込まれたサセプタ２１９と、例えば厚さが０．７ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の円板状のサセプタカバー２１８とを有する。サセプタカバー２１８は、サセプタ２１９に着脱自在に設けられている。サセプタ２１９及びサセプタカバー２１８の径や各部のサイズは、支持するウエハ２００の径に応じて定められる。以下においては、２００ｍｍ～４５０ｍｍの範囲であって、例えば３００ｍｍ径のウエハ２００に対応するサセプタ２１９及びサセプタカバー２１８について説明する。 【００３５】 （凸領域および凹領域） サセプタカバー２１８は、ウエハ２００の一部を下方から支持する凸領域としての外周支持部２１８ｍを有する。外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００の縁から半径方向内側に向けて３ｍｍ未満の領域を支持するよう構成されている。このとき、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００を囲うように切れ目なく縁側を支持する。また、外周支持部２１８ｍがウエハ２００の裏面と接触する幅ｗは、３ｍｍ未満であって例えば１．５ｍｍ以下とする。 【００３６】 また、サセプタカバー２１８は、外周支持部２１８ｍの内側に凹領域としての中央凹部２１８ｄを有する。中央凹部２１８ｄは、例えばサセプタカバー２１８の表面にザグリ加工により設けられ、外周支持部２１８ｍにより支持されたウエハ２００に接触しないように構成されている。 ・・・ 【００４０】 なお、サセプタカバー２１８の外周支持部２１８ｍは、ウエハ２００の底面縁側を下方から支持されるように構成されており、ウエハ２００の側部（ウエハ２００の側面）には接触しないように構成されている。すなわち、外周支持部２１８ｍの上面は、ウエハ２００側部に嵌合するような段差状には形成されておらず、平坦状に構成されている。これにより、ウエハ２００の側部とサセプタカバー２１８との接触によるパーティクルの発生を抑制することができ、基板処理の品質を向上させることが可能となる。 ・・・ 【００４３】 （補助凸領域） 中央凹部２１８ｄは、ウエハ２００の一部を下方から補助的に支持する補助凸領域としての中央支持部２１８ｓを有する。中央支持部２１８ｓは、例えば突起状に１つ以上、好ましくは複数個、さらに好ましくは３つ以上設けられている。図２（ａ）に示す例では、３つの中央支持部２１８ｓが、サセプタカバー２１８の外周縁との同心円上に、それぞれ略同距離だけ離れて、例えば貫通孔２１８ａの開口位置とは約６０°ずれた位置に配置されている。３つの中央支持部２１８ｓは、所定のピッチ円直径（ＰＣＤ：Ｐｉｔｃｈ Ｃｉｒｃｌｅ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）ｄとなるよう配置され、例えばピッチ円直径ｄを１４５ｍｍ以上１５５ｍｍ以下とすることができる。 【００４４】 また、中央支持部２１８ｓは、例えば外周支持部２１８ｍよりも低く形成されており、外周支持部２１８ｍとの高低差ｈは例えば０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。なお、サセプタカバー２１８の表面（中央凹部２１８ｄの表面）に対してザグリ加工を行うことで中央支持部２１８ｓを形成する場合、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．０４ｍｍ～０．１ｍｍ程度とすることができる。また、サセプタカバー２１８の表面（中央凹部２１８ｄの表面）に例えば円板状の石英部材等を設置することで中央支持部２１８ｓを形成する場合、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．５ｍｍ程度とすることができる。なお、外周支持部２１８ｍの高さ（中央凹部２１８ｄの深さ）は、これら中央支持部２１８ｓの高さに０．１ｍｍ～０．２ｍｍを加えたものになる。 【００４５】 このように、ウエハ２００を縁側で支持する外周支持部２１８ｍに対し、その内側に、中央支持部２１８ｓを外周支持部２１８ｍよりも低く設けたので、ウエハ２００の撓みを補正しつつ、ウエハ２００との接触圧力を更に下げて裏面の異物を低減することができる。また、ウエハ２００とインピーダンス調整電極２１７ｃとの間に存在するキャパシタンスが減り、静電力を低減させることができる。【００４６】 なお、中央支持部２１８ｓを例えば円柱形とする場合、その上端面（支持面）の直径は例えば２．８ｍｍよりも小さくすることが好ましい。このように構成した場合、ウエハ２００をいわゆる点で支持すること、すなわち、ウエハ２００と中央支持部２１８ｓとの接触面積を小さくすることができるようになる。その結果、ウエハ２００と中央支持部２１８ｓとの接触によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるようになる。 ・・・ 【００４９】 なお、サセプタカバー２１８の表面には研磨等を施して、表面粗さＲａを小さくすることが好ましい。例えば石英等から構成されるサセプタカバー２１８は、切削したのみの仕上げでは、表面粗さＲａが例えば２．５μｍ程度となっており、ウエハ２００の表面の異物が増加する原因となる場合がある。係る異物は、例えば図３に示すモデルにより発生すると考えられる。すなわち、図３に示すように、基板支持部２１７上に載置されたウエハ２００は、基板支持部２１７が備えるヒータ２１７ｂにより加熱されて膨張する。このとき、サセプタカバー２１８の表面が粗いと、ウエハ２００とサセプタカバー２１８の外周支持部２１８ｍとが擦れて異物Ｐが発生し、舞い上がった異物Ｐが例えばウエハ２００の表面に付着する。 ・・・ 【００６４】 なお、上記プラズマ処理工程において、ウエハ２００はプラズマ中で帯電し、サセプタ２１９内部のインピーダンス調整電極２１７ｃに引きつけられる。これにより、基板支持部２１７の上面にウエハ２００が吸着した状態となる。本実施形態では、中央支持部２１８ｓを外周支持部２１８ｍよりも低く形成しているので、係る状態であっても中央支持部２１８ｓとウエハ２００との接触圧力の増大が緩和され、異物の増加を抑えることができる。ウエハ２００の吸着状態は、後述のウエハ２００の搬出時まで保たれる。 ・・・ 【００８７】 （ｋ）また、本実施形態によれば、中央支持部２１８ｓの表面粗さＲａは２．５μｍよりも小さい。これにより、ウエハ２００が基板支持部２１７上に載置されて膨張しても、ウエハ２００と外周支持部２１８ｍとが擦れて異物Ｐが発生することを抑制でき、ウエハ２００の表面の異物を低減することができる。」 「【０１０８】 ＜本発明の他の実施形態＞ 以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 【０１０９】 例えば、上述の実施形態では、基板支持部２１７は、サセプタ２１９に着脱自在なサセプタカバー２１８を有するとしたが、凸領域や凹領域、補助凸領域等が、サセプタの表面の削り出しやサセプタの表面への接合等、様々な手法によりサセプタと一体的に形成されることで基板支持部が構成されていてもよい。別体のサセプタカバー２１８を設ける構成ではハンドリング強度等を考慮に入れた所定厚さを要するが、一体型であれば全体をより薄く形成することが可能である。このため、ヒータ２１７ｂとの距離を縮めて昇温速度を向上させたり、より高温の基板処理を行ったりすることができる。また、インピーダンス調整電極２１７ｃとの距離を縮めてウエハ２００への荷電粒子の引き込み強度を高めることが容易となる。 【０１１０】 また、上述の実施形態では、基板支持部２１７は石英から形成されるとしたが、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス等の他の非金属材料から形成されていてもよい。サセプタ２１９とサセプタカバー２１８とで異なる材質とすることも可能である。」 「【実施例】 【０１１９】 （実施例１） まずは、本発明の実施例１について比較例とともに説明する。本実施例では、上述の実施形態と同様の基板支持部を備えるＭＭＴ装置にてウエハを処理し、裏面の異物の個数を測定した。このとき、中央支持部を外周支持部よりも０．２ｍｍ低く形成し、中央支持部のウエハを支持する面の直径が１．８ｍｍ及び３ｍｍのものについて実験した。つまり、それぞれ３つある中央支持部の面積の総和は、約８ｍｍ２及び約２１ｍｍ２である。また、比較例として、従来の略平坦な上面を有する基板支持部を備えるＭＭＴ装置にて処理したウエハについても、裏面の異物の個数を測定した。測定した異物のサイズは、実施例に係るもの（直径が１．８ｍｍ及び３ｍｍ）が０．１５μｍであり、比較例に係るものが０．３μｍである。 ・・・ 【０１２３】 （実施例２） 次に、本発明の実施例２について比較例とともに説明する。本実施例に係る基板支持部は、ウエハの支持位置を示す太さ１．５ｍｍ、長さ４０ｍｍ、位置精度±０．５ｍｍの印を４箇所に有し、研磨仕上げにより表面粗さＲａが０．１μｍの基板支持部とした。また、比較例に係る基板支持部は、印を有さず、かつ、研磨仕上げを施さない、表面粗さＲａが２．５μｍの上面が略平坦な基板支持部とした。それぞれの基板支持部を備えるＭＭＴ装置でウエハを処理し、ウエハ表面の異物の個数を測定した。測定した異物のサイズは０．１５μｍである。」 「【図２】 ［図：0001426809000001.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 上記（１）の記載によれば、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている（当審注：括弧内は根拠となる甲１の段落番号である。）。 「ウエハ２００を支持する基板支持部２１７であって、（【００１６】） 基板支持部２１７は、ヒータ２１７ｂやインピーダンス調整電極２１７ｃが埋め込まれたサセプタ２１９と、円板状のサセプタカバー２１８とを有し、（【００１６】、【００３４】） インピーダンス調整電極２１７ｃは、インピーダンス調整部としてのインピーダンス可変機構２７４を介して接地され、第１の電極としての筒状電極２１５に対する第２の電極として機能し、インピーダンス可変機構２７４はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのインダクタンス及び抵抗並びに可変コンデンサの容量値を制御することにより、インピーダンス調整電極２１７ｃ及び基板支持部２１７を介して、ウエハ２００の電位（バイアス電圧）を制御できるように構成されており、（【００１８】） ２００ｍｍ～４５０ｍｍの範囲であって、例えば、３００ｍｍ径のウエハ２００に対応するサセプタ２１９及びサセプタカバー２１８であって、（【００３４】） サセプタカバー２１８は、ウエハ２００の一部を下方から支持する凸領域としての外周支持部２１８ｍを有し、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００の縁から半径方向内側に向けて３ｍｍ未満の領域を支持するよう構成されており、このとき、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００を囲うように切れ目なく縁側を支持するものであり、（【００３５】） サセプタカバー２１８は、外周支持部２１８ｍの内側に凹領域としての中央凹部２１８ｄを有し、（【００３６】） サセプタカバー２１８の外周支持部２１８ｍは、ウエハ２００の底面縁側を下方から支持されるように構成されており、外周支持部２１８ｍの上面は、平坦状に構成されており、（【００４０】） 中央凹部２１８ｄは、ウエハ２００の一部を下方から補助的に支持する補助凸領域としての中央支持部２１８ｓを有し、中央支持部２１８ｓは、例えば突起状に１つ以上、好ましくは複数個、さらに好ましくは３つ以上設けられており、（【００４３】） 中央支持部２１８ｓは、例えば外周支持部２１８ｍよりも低く形成されており、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．０４ｍｍ～０．１ｍｍ程度とすることができ、外周支持部２１８ｍの高さは、中央支持部２１８ｓの高さに０．１ｍｍ～０．２ｍｍを加えたものであり、（【００４４】） 中央支持部２１８ｓを例えば円柱形とする場合、その上端面（支持面）の直径は例えば２．８ｍｍよりも小さくすることが好ましく、（【００４６】） サセプタカバー２１８の表面には研磨等を施して、表面粗さＲａを小さくすることが好ましく、（【００４９】） プラズマ処理工程において、ウエハ２００はプラズマ中で帯電し、サセプタ２１９内部のインピーダンス調整電極２１７ｃに引きつけられ、これにより、基板支持部２１７の上面にウエハ２００が吸着した状態となり、（【００６４】） 中央支持部２１８ｓの表面粗さＲａは２．５μｍよりも小さく、（【００８７】） 基板支持部２１７は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス等の他の非金属材料から形成されていてもよく、（【０１１０】） 中央支持部のウエハを支持する面の直径は１．８ｍｍ及び３ｍｍ、つまり、それぞれ３つある中央支持部の面積の総和は、約８ｍｍ２及び約２１ｍｍ２であり、（【０１１９】） 基板支持部は、研磨仕上げにより表面粗さＲａが０．１μｍである、（【０１２３】） 基板支持部２１７。」 ２ 甲３（特開２０１４－１１６４３３号公報） 甲３には以下の記載がある。 「【００２６】 図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、基板保持部材１０は、円形板状の保持部材本体１１と、保持部材本体１１の上面に形成された円環状の環状凸部１２（第１の環状凸部）と、保持部材本体１１の上面に環状凸部１２の内側に形成された２つの環状凸部１３ａ，１３ｂ（第２の環状凸部）と、保持部材本体１１の上面の環状凸部１２の内側の領域に配置された複数のピン１４とを備える。」 「【００３３】 複数のピン１４は、一定間隔でほぼ均一に保持部材本体１１上面の内殻領域１５及び外殻領域１７ａ，１７ｂに配置され、例えば近接する３本のピン１４が正三角形になるように配置されている。保持部材本体１１上面からのピン１４の高さは一定の高さ（例えば、０．０５ｍｍ～０．３ｍｍ）に、ピン径は一定の大きさ（０．１０ｍｍ～１．０ｍｍ）に形成されている。 【００３４】 また、保持部材本体１１に載置された基板を支持するピン１４の先端は、環状凸部１３ａ，１３ｂの上端と比較して高く突出し、環状凸部１２の上端と同じ高さに位置するように形成されている。また、ピン１４の先端は環状凸部１２と同様、ラウンド加工が施されている。」 「【００５８】 （実験結果） 実施例として、直径３１０ｍｍで厚さ１２ｍｍの円形板状の保持部材本体の上面に同心状に形成された、保持部材本体に半径１４８ｍｍで保持部材本体上面からの高さ０．１ｍｍ、幅０．２ｍｍの円環状の第１の環状凸部と、第１の環状凸部内側に形成された２つの第２の環状凸部（半径１００ｍｍで保持部材本体上面からの高さ０．０９ｍｍの環状凸部と、半径５０ｍｍで保持部材本体上面からの高さ０．０９ｍｍの環状凸部）とを有する基板保持部材を形成した。 【００５９】 また、実施例の基板保持部材は、ＳｉＣで形成され、保持部材本体上面の第２の環状凸部内側の領域に所定間隔（５ｍｍ）で配置された約２８００個の高さ０．１ｍｍで直径０．２５ｍｍのピンを備える。ピンの先端と第１の環状凸部の上端は、曲率半径５μｍになるようにラウンド加工を行った。」 「【図１】 ［図：0001426809000002.jpg］ 【図２】 ［図：0001426809000003.jpg］ 」 ３ 甲６（特開平１０－４１３７８号公報） （１）甲６には以下の記載がある。 「【０００４】静電チャックは、高密度プラズマ反応のような製造工程中に半導体ウェーハをクランプする装置として、半導体産業では幅広く用いられてきた。静電チャックは、ウェーハをチャックに固定するために、正負にそれぞれ帯電された表面間の静電気力を用いる。ある種の静電チャックを製作する場合、アルミニウムのようなプロセスに適した金属を適切な支持ペデスタルに機械加工し、ペデスタルの上面をグリットブラスト加工（grit blasting）する。次に、セラミックのような誘電体材料層が、ペデスタル上面にプラズマ溶射され、ウェーハを支持する滑らかな平坦面になるまで研削する。代替として、数多くの著名なサプライヤから入手できるKapton（商標）のようなポリマーフィルムを、誘電体として用いてもよい。基板の化学処理中、誘電体層の一側に正電荷を、他側に負電荷を生じさせることによって、チャンバ壁と金属ペデスタル間に、直流高電圧を印加して、チャックが機能する。この電荷が、誘電体層の両側間に実質的に均一な吸引クーロン力を発生し、誘電体層にウェーハを固定する。代替として、複数の電極をペデスタルに形成してもよい。」 「【００１５】一実施態様において、幾つかの突出部が、熱伝達ガスの流れを基板の下側で促進する空間を提供するために、基板支持体の上部から多数の突出部が延在する。従って、熱伝達は、基板及び基板支持体の表面粗さとは実質的に無関係になる。突出部は、静電チャックの上部面全体にわたって均等な間隔を空け、突出部間の間隙の非接触面積は、前記突出部の接触面積よりも大きいことが望ましい。 【００１６】突出部の高さ、即ち、基板と基板支持体の上部との間隙は、最適化されている。先ず、自由分子熱伝達を確保して、電界によるガス分解を防ぐために、十分小さい間隙を選択する。加えて、基板上の突出部の接触点での異常形成を防ぐために、間隙の大きさは、誘電体の厚さ全体と比較して小さくしなければならない。これらの接触点の誘電値は、間隙と比べると、実質的に異なる誘電値を有し、接触点毎に電界を異ならせる。第２に、ガスの圧力分布が素早く安定状態に到達するよう、間隙は十分大きくなければならず、それによって、工程立上げ時間が影響を受けることはない。その高さは伝達ガスの平均的自由行程よりも低いことが望ましい。突出部の大きさは、ガス用空間を最大化する一方で、基板を過度に反らさないで支持するのに十分な大きさである。 」 「【００１９】 【発明の実施の形態】図１は、本発明の原理による静電チャック１４を含む代表的なウェーハ処理装置２を示す。静電チャックは一例として用いられており、静電チャック１４以外の基板支持体を用いることもできる。静電チャック１４は、装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持する。 ・・・ 【００２２】静電チャック１４を採用するこのシステムは、プラズマ反応チャンバ８用に、従来の電気回路要素を包含する。電気回路要素には、直流電源２４及びＲＦ電源２７が含まれる。直流電源２４は、例えば+700ボルトや-1200ボルトの適切なクランプ電圧を、静電チャック１４と（接地された）チャンバ壁との間に供給する。電源２４は、直流電源２４をＲＦ電源２７から絶縁する低域フィルタ２６を介して、静電チャック１４に接続される。 【００２３】ＲＦ電源は、プラズマ反応電力を提供する。ＲＦソース電源及びバイアス電源はそれぞれ、インピーダンス整合回路網２８を介してチャンバと接続され、ソース電源は誘導アンテナ３０に接続され、バイアス電源は静電チャック１４に接続される。ソースＲＦ発生器は、所望の化学反応に必要な、プラズマ状態のイオンを生じる。バイアスＲＦはそれらのイオンをウェーハ基板へ向けて駆動する。バイアス電源及び直流電圧両方の接地基準は、接地された上部電極３２である。直流電源２４は、ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給する。ウェーハＷを解放したい時（つまり「チャックから外」したい時）に、ウェーハの解放を早めたい場合は、電源２４をゼロ出力電圧か、又は逆極性電圧に切り替えてもよい。 ・・・ 【００２６】熱交換器３３、真空ポンプ３７、ヘリウム供給装置５３及びヒータ４３は全て、記憶装置４５に保存されたプログラムで作動するコントローラ３９によって制御される。コントローラ３９は、直流電源２４及びＲＦ電源２７も、図１に示されていない他のウェーハ処理システムと同じように制御する。ウェーハの温度にフィードバックを与えるため、コントローラ３９に接続した温度センサ９６も示す。 ・・・ 【００２９】図３は、本発明による静電チャック６４の一実施形態の平面図である。滑らかな上面に代わって、多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されている。これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられている。シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成する。外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供している。 ・・・ 【００３５】熱伝導は、主にヘリウムガスを介して行われるので、突出部の大きさと数、及びシール領域を最小にすることが望ましい。従って、基板の全面積にわたり、接触面積は非接触面積よりも小さくなければならない。他方、シールはガス漏れを防ぐことが必要であり、突出部は、ウェーハを機械的に支持することのできる大きさと間隔でなければならない。加えて、最適化するために他の要因がある。突出部間の、基板と基板支持体との間隙を決める突出部の高さは、プロセス立ち上げ時間に悪影響を及ぼすことなく、ゾーン全体へ迅速にガスが分布するような高さでなければならない。通常、これは、およそ数秒オーダーでなければならず、好ましくは、１０秒以下で分布させるのが好ましい。 ・・・ 【００４３】図４は、誘電体８６の誘電厚に変化を持たせた静電チャック６４の一実施形態の側面図である。ウェーハ８２はチャック上に取り付けられている。チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する。誘電体は静電チャックの上部を横切り、側面９０に沿って延在する。図から分かるように、誘電体は中央部９２で厚く、周縁部９４で薄くなっている。この側面図には、多数の突出部７０を示し、また内側シール７２と外側シール７４も示している。」 「【図１】 ［図：0001426809000004.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001426809000005.jpg］ 【図４】 ［図：0001426809000006.jpg］ 」 （２）甲６に記載された発明 上記（１）の記載によれば、甲６には、以下の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されている（当審注：括弧内は根拠となる甲６の段落番号である。）。 「静電チャック１４を含むウェーハ処理装置２であって、（【００１９】） 静電チャック１４は、ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持し、（【００１９】） 静電チャック６４は、多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されており、これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられており、シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成するものであり、外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供し、（【００２９】） プラズマ反応チャンバ８用に電気回路要素を包含し、電気回路要素には、直流電源２４及びＲＦ電源２７が含まれ、直流電源２４は、クランプ電圧を、静電チャック１４とチャンバ壁との間に供給し、（【００２２】） ＲＦ電源は、プラズマ反応電力を提供し、直流電源２４は、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給し、（【００２３】） 直流電源２４及びＲＦ電源２７は、記憶装置４５に保存されたプログラムで作動するコントローラ３９により制御され、（【００２６】） チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する、（【００４３】） ウェーハ処理装置２。」 ４ 甲７（特開２００３－２５８０５７号公報） （１）甲７には、以下の記載がある。 「【００３０】搬送装置４０は、例えば昇降部４１及びアーム部４２を有した多軸自由度を有したロボットにより構成されている。また、アーム部４２の先端部には、静電チャック４３が配設されている。また、昇降部４１はアーム部４２を昇降動作させるものであり、またアーム部４２は静電チャック４３を水平方向に移動させる。これにより、搬送装置４０は静電チャック４３を任意位置に移動できる構成となっている。 ・・・ 【００３２】静電チャック４３は、チャック本体４４内に静電吸着用電極４５及び複数の溝部４８等を設けた構成とされている。静電吸着用電極４５は配線４６により電圧印加される構成とされており、そして電圧印加されることにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着する構成とされている（クーロン力がウェハＷの吸引力となる）。 ・・・ 【００３７】処理室３０は、例えば図示しないプラズマエッチング処理装置が設けられており、ウェハＷの裏面（回路のない側）をエッチングし薄型化するバックサイドエッチング処理を実施する。この処理室３０は、図示しない真空装置に接続されることにより、その内部を所定のＶＡＣ（減圧雰囲気）としうる構成とされている。また、処理室３０の内部には、ウェハＷを装着するためのステージ３３が設けられている。 【００３８】このステージ３３は、図１８及び図１９を用いて説明した搬送装置４０に設けられた静電チャック４３と同じ構造とされている（以下、図１８及び図１９に示した構成と同一構成については、同一符号を付して説明する）。即ち、静電チャック３４はチャック本体４４内に静電吸着用電極４５及び複数の溝部４８等を設けた構成とされている。静電吸着用電極４５は配線４６により電圧印加され、これにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着する。 ・・・ 【００６４】続いて、図８に示すように、搬送装置４０はウェハＷを処理室３０の静電チャック３４上に装着する。ウェハＷが静電チャック３４上に装着されると、静電チャック３４が起動（ＯＮ）してウェハＷの吸引を開始する。この状態において、搬送装置４０の静電チャック４３は依然としてウェハＷの保持を維持している。 【００６５】そして、静電チャック３４がＯＮとなりウェハＷの吸引が開始された後、静電チャック４３は静電吸着用電極４５に対する電圧印加が停止され、これによりウェハＷの吸着を停止（ＯＦＦ）する。このように、静電チャック４３から静電チャック３４にウェハＷを受け渡す際においても、静電チャック４３がウェハＷを保持している状態中に静電チャック３４を駆動（ＯＮ）してウェハＷを静電チャック３４に保持し、その後に静電チャック４３によるウェハＷの保持を解除（ＯＦＦ）する方法を採用している。 【００６６】これにより、静電チャック４３から静電チャック３４にウェハＷを受け渡す際においても、ウェハＷには静電チャック４３或いは静電チャック３４のいずれかのチャックの吸引力が常に印加された状態を維持する。このため、ウェハＷを搬送装置４０から処理室３０のステージ３３に受け渡す時に、ウェハＷに反りや曲がりが発生することを防止でき、ウェハＷの平坦性を維持することができる。 ・・・ 【００７２】ウェハＷが静電チャック４３から静電チャック３４に受け渡されると、ガス供給装置は停止され静電チャック４３からのガス噴射が停止されると共に、図１０に示すように搬送装置４０が駆動して静電チャック４３は再びロードロック室２０内に移動する。そして、シャッター３２が閉じられ、処理室３０内においてプラズマエッチング装置を用いてウェハＷに対するバックサイドエッチング処理が実施される。」 「【図７】 ［図：0001426809000007.jpg］ 【図８】 ［図：0001426809000008.jpg］ 【図９】 ［図：0001426809000009.jpg］ 【図１０】 ［図：0001426809000010.jpg］ 【図１１】 ［図：0001426809000011.jpg］ 【図１２】 ［図：0001426809000012.jpg］ 」 （２）甲７に記載された事項 上記（１）の記載によれば、甲７には、以下の事項（以下、「甲７に記載された事項」という。）が記載されている（当審注：括弧内は根拠となる甲７の段落番号である。）。 「搬送装置４０は、昇降部４１及びアーム部４２を有した多軸自由度を有したロボットにより構成され、アーム部４２の先端部には、静電チャック４３が配設され（【００３０】）、 静電チャック４３は、チャック本体４４内に静電吸着用電極４５及び複数の溝部４８等を設けた構成とされ、静電吸着用電極４５は配線４６により電圧印加される構成とされており、そして電圧印加されることにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着する構成とされ（【００３２】）、 処理室３０の内部には、ウェハＷを装着するためのステージ３３が設けられ（【００３７】）、このステージ３３は、搬送装置４０に設けられた静電チャック４３と同じ構造とされ、すなわち、静電チャック３４はチャック本体４４内に静電吸着用電極４５を設けた構成とされ、静電吸着用電極４５は配線４６により電圧印加され、これにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着するものであり（【００３８】）、 続いて、搬送装置４０はウェハＷを処理室３０の静電チャック３４上に装着し、ウェハＷが静電チャック３４上に装着されると、静電チャック３４が起動（ＯＮ）してウェハＷの吸引を開始し、この状態において、搬送装置４０の静電チャック４３は依然としてウェハＷの保持を維持しており（【００６４】）、 静電チャック４３から静電チャック３４にウェハＷを受け渡す際においても、ウェハＷには静電チャック４３或いは静電チャック３４のいずれかのチャックの吸引力が常に印加された状態を維持する（【００６６】）こと。」 ５ 甲８（特開２００２－２７０６８０号公報） （１）甲８には以下の記載がある。 「【００２８】静電チャック２０は、アルミナ等のセラミックにより形成されている。静電チャック２０は電極３０を内蔵しており、この電極３０は電気リード線３２を介して電源装置３４に接続されている。この電源装置３４により電極３０に通電すると、静電チャック２０と半導体ウェハＷとの間にクーロン力が発生し、半導体ウェハＷが静電チャック２０に吸着される。電源装置３４には、電極３０に印加する電圧を制御するための制御装置３６が接続されている。 ・・・ 【００３５】まず、半導体ウェハＷを処理チャンバ１２内に導入して静電チャック２０の所定位置に搭載する。次に、静電チャック２０の電極３０への電圧の印加を開始する。ここでは、直径が２００ｍｍで１５０μｍ以上の反りを有する半導体ウェハＷを吸着し、この半導体ウェハＷを５００℃程度に温度上昇させてスパッタリング処理を行うときに、最大で９００Ｖの電圧を印加し静電チャック２０上に半導体ウェハＷを吸着して支持するプロセスについて例示的に説明する。 【００３６】図２に示すように、まず時刻ｔ＝０ｓｅｃのときに制御装置３６から電源装置３４に向かって信号を発して、静電チャック２０の電極３０に３８０ボルト（Ｖ0）の電圧を一度に印加する。これと同時に、図示しないガス供給源からの伝熱用ガスを、ガス導入路４２、ガス導入孔１９ａ、及びガス導入孔４４を通してガス停滞用溝４６に供給する。これにより、半導体ウェハＷが効率よく温度上昇される。なお伝熱用ガスとしては、熱交換効率に優れたヘリウムガスや、アルゴンガス、窒素ガスなどを用いることができる。 【００３７】次に、２０ボルト／０．５ｓｅｃの割合で静電チャック２０の電極３０に印加する電圧をステップ状に上昇させる信号を、制御装置３６から電源装置３４に向かって発する。すると、電源装置３４により静電チャック２０に印加される電圧がステップ状に上昇され、半導体ウェハＷが静電チャック２０上に徐々に吸着される。そして、１３秒（ｔu）が経過して時刻ｔ＝１３ｓｅｃで電圧が９００ボルト（Ｖ1）に達したところで、２秒間（ｔm）だけ電圧を９００ボルトに維持する信号を、制御装置３６から電源装置３４に向かって発する。これにより、静電チャック２０に印加される電圧が９００ボルトの高電圧に維持され、強い吸着力により半導体ウェハＷの反りが矯正される。そして、時刻ｔ＝１５ｓｅｃで電圧を５００ボルト（Ｖ2）に下げ、電圧を５００ボルトに維持する信号を、制御装置３６から電源装置３４に向かって発する。このとき、９００ボルトの電圧を印加することで半導体ウェハＷの反りは矯正されているため、それより低い５００ボルトの電圧でも半導体ウェハＷを確実に吸着して支持することができる。」 「【図２】 ［図：0001426809000013.jpg］ 」 （２）甲８に記載された事項 上記（１）の記載によれば、甲８には、以下の事項（以下、「甲８に記載された事項」という。）が記載されている（当審注：括弧内は根拠となる甲８の段落番号である。）。 「静電チャック２０は電極３０を内蔵し、この電極３０は電源装置３４に接続され、この電源装置３４により電極３０に通電すると、静電チャック２０と半導体ウェハＷとの間にクーロン力が発生し、半導体ウェハＷが静電チャック２０に吸着され（【００２８】）、 半導体ウェハＷを処理チャンバ１２内に導入して静電チャック２０の所定位置に搭載し、次に、静電チャック２０の電極３０への電圧の印加を開始し（【００３５】）、 まず時刻ｔ＝０ｓｅｃのときに、静電チャック２０の電極３０に３８０ボルト（Ｖ0）の電圧を一度に印加し（【００３６】）、 次に、電源装置３４により静電チャック２０に印加される電圧がステップ状に上昇され、半導体ウェハＷが静電チャック２０上に徐々に吸着され、そして、時刻ｔ＝１３ｓｅｃで電圧が９００ボルト（Ｖ1）に達したところで、２秒間（ｔm）だけ電圧を９００ボルトに維持し、これにより、静電チャック２０に印加される電圧が９００ボルトの高電圧に維持され、強い吸着力により半導体ウェハＷの反りが矯正され、そして、時刻ｔ＝１５ｓｅｃで電圧を５００ボルト（Ｖ2）に下げ、電圧を５００ボルトに維持する信号を、制御装置３６から電源装置３４に向かって発し、このとき、９００ボルトの電圧を印加することで半導体ウェハＷの反りは矯正されているため、それより低い５００ボルトの電圧でも半導体ウェハＷを確実に吸着して支持することができる（【００３７】）こと。」 ６ 甲１０（実用新案登録第３１８７５５４号公報） 甲１０には以下の記載がある。 「【請求項１】 ウエハを載置するウエハ載置面を有し、電極が埋設されたセラミックス製の静電チャックであって、 前記ウエハ載置面には、ウエハを支持する複数の突起が形成され、 前記複数の突起は、表面粗さＲａが０．２～０．４μｍであり、前記複数の突起がウエハに接触する総面積をウエハの面積で除した割合（百分率）である面積率が２～６０％である、 静電チャック。 【請求項２】 前記複数の突起は、前記ウエハ載置面上にほぼ均等に分布されるように形成された円形状の突起と、前記ウエハ載置面の外周に沿って形成された環状突起とで構成されている、 請求項１に記載の静電チャック。」 「【００１３】 ウエハ載置面１２には、ウエハＷを支持する複数の突起１６が形成されている。複数の突起１６は、ウエハ載置面１２上にほぼ均等に分布されるように形成された複数の円形状の突起１６ａと、ウエハ載置面１２の外周に沿って形成された１つの環状突起１６ｂとで構成されている。円形状の突起１６ａ及び環状突起１６ｂの表面は、表面粗さＲａが０．２～０．４μｍである。また、円形状の突起１６ａ及び環状突起１６ｂがウエハＷに接触する総面積をウエハＷの面積で除した割合（百分率）である面積率が２～６０％である。」 「【００１９】 ＥＳＣの寸法は、直径が２９８ｍｍ、静電電極よりも下側の厚みが３ｍｍ、静電電極の上側の厚みが１．０ｍｍであった。ウエハ載置面には直径１ｍｍ、高さ８μｍの円形状の突起をウエハ載置面上にほぼ均等に分布するように形成すると共に、そのウエハ載置面の外周に沿って幅１ｍｍの環状突起を高さ８μｍとなるように形成した。円形状の突起の数は、面積率が表１に示す所定の値になるように設定した。また、円形状の突起及び環状突起の表面は、表面粗さＲａが表１に示す所定の値になるようにポリッシュした。更に、ウエハ載置面のうち突起同士の間にはガスを導入する直径１ｍｍのガス孔を貫通させた。ＥＳＣのうち静電電極よりも下側の層には、静電電極に到達する座繰り孔を開け、給電端子を静電電極にロウ付けした。」 「【図１】 ［図：0001426809000014.jpg］ 【図２】 ［図：0001426809000015.jpg］ 」 ７ 甲１１（特開２００９－１１１２４３号公報） 甲１１には以下の記載がある。 「【請求項１】 被処理基板を載置し静電気力により吸着固定する静電チャックであって、前記被処理基板を載置する面側に複数の突起と、前記複数の突起を囲むようにシールリングとを備え、 前記複数の突起の配置ピッチをａとし、 前記複数の突起の内、最も前記シールリングへ近接した突起の中心と前記シールリングの内周部との最短距離をｂとしたとき、 ｂ≧ａ×０．３ であり、 かつ前記複数の突起先端と前記シールリングの上面が同一平面上となるように前記複数の突起を配置したことを特徴とする静電チャック。」 「【０００８】 本発明者らは上記のような目的から、例えば突起径０．２ｍｍ、ドッ及びシールリングの高さ５０μｍ、シールリング幅０．５ｍｍという条件の下で、それぞれ突起の配置（粗密）が異なる静電チャックを複数種類製作し性能評価を行った。静電チャックの吸着性能に関しては全ての静電チャックにおいて設計どおりの性能が得られたが、突起の配置を疎（突起の間隔１０ｍｍ以上）にした静電チャックにおいては、基板の冷却性能にムラが発生するという現象が見られた。」 「【図１】 ［図：0001426809000016.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001426809000017.jpg］ 【図４】 ［図：0001426809000018.jpg］ 」 ８ 甲１２（特開２００３－８６６６４号公報） 甲１２には以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、吸着固定装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ライン等において好適に用いられ、シリコンウエハ等の板状試料を、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに固定、矯正、搬送等を行うことが可能な吸着固定装置及びその製造方法に関するものである。」 「【００１９】 【発明の実施の形態】本発明の吸着固定装置及びその製造方法の一実施の形態について説明する。ここでは、プラズマ発生用の高周波電極が一体化され、ヒータ電極が一体化されていない形式の静電チャックを例にとり説明する。なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。 【００２０】図１は本発明の一実施形態の静電チャックを示す平面図、図２は図１のＡ領域を拡大した要部拡大断面図であり、この図２では、静電チャックの構成に対する理解を容易にするためにプラズマ処理装置の構成を加えてある。図に示すように、静電チャック１１は、金属板１２の上に平面基板としての誘電体１３が接合され、この誘電体１３内に内部電極１４が埋設あるいは挟持されている。 【００２１】誘電体１３の上面には、Ｈｅ等の冷却ガスが漏れないように０．３ｍｍの幅で後述する凸部１５、１５…と同じ高さの周縁壁１３ａが形成され、さらに、この内側が吸着面（吸着固定面）１３ｂとされ、この吸着面１３ｂ内は凹凸面とされ、多数の凸部１５、１５…が立設されている。なお、周縁壁１３ａは、誘電体１３と一体的に形成しても、別個の部材として形成してもよい。」 「【図１】 ［図：0001426809000019.jpg］ 【図２】 ［図：0001426809000020.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001426809000021.jpg］ 」 なお、甲２は本件発明２～４、７～９、１１、１２、１４～１９に対して提出された証拠であり、甲４は本件発明２３に対して提出された証拠であり、甲５は本件発明２４、２５に対して提出された証拠であり、甲９は本件発明３２に対して提出された証拠であるから摘記を省略する。 第７ 取消理由１－１（新規性）、取消理由１－２（進歩性）、申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「基板支持部２１７」は、「ウエハ２００を支持する」ものであり、「ヒータ２１７ｂやインピーダンス調整電極２１７ｃが埋め込まれたサセプタ２１９と、円板状のサセプタカバー２１８とを有」するものである。 一方、本件発明１の「ペデスタル」は、「半導体基板」を「支持」するものであり、「本体を備え」るものである。 そうすると、甲１発明の「基板支持部２１７」、「ヒータ２１７ｂやインピーダンス調整電極２１７ｃが埋め込まれたサセプタ２１９と、円板状のサセプタカバー２１８」は、本件発明１の「ペデスタル」、「本体」にそれぞれ相当する。 イ（ア）甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」は、「ウエハ２００の一部を下方から支持する凸領域としての外周支持部２１８ｍを有し」、「外周支持部２１８ｍの上面は、平坦状に構成されて」いるものであるところ、甲１の【図２】（ｂ）を参酌すると、「外周支持部２１８ｍの上面」は、「基板支持部２１７」の垂直中心軸に直角をなしているといえる。 また、甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」は「円板状」であり、当該「サセプタカバー２１８」が有する「外周支持部２１８ｍ」は、「例えばウエハ２００の縁から半径方向内側に向けて３ｍｍ未満の領域を支持するよう構成されており、このとき、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００を囲うように切れ目なく縁側を支持するものであり」、「外周支持部２１８ｍの上面は、平坦状に構成されて」いるものであるところ、甲１の【図２】（ａ）、（ｂ）を参酌すると、「外周支持部２１８ｍの上面」は、平面視では環状であり、断面視では半径方向厚さを有し、「ウエハ２００」と「外周支持部２１８ｍの上面」との間は封止されているといえる。 したがって、甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」が有する「外周支持部２１８ｍの上面」は、本件発明１の「平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面」に相当する。 （イ）甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」は、「外周支持部２１８ｍの内側に凹領域としての中央凹部２１８ｄを有し」ているから、「中央凹部２１８ｄ」の表面は、「外周支持部２１８ｍの上面」から第１の距離だけオフセットされているといえる。 したがって、「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」の「中央凹部２１８ｄ」の表面は、本件発明１の「第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面」に相当する。 （ウ）甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」は、「外周支持部２１８ｍの内側に凹領域としての中央凹部２１８ｄを有し」ており、「中央凹部２１８ｄ」は、「ウエハ２００の一部を下方から補助的に支持する補助凸領域としての中央支持部２１８ｓを有し、中央支持部２１８ｓは、例えば突起状に１つ以上、好ましくは複数個、さらに好ましくは３つ以上設けられており」、「中央支持部２１８ｓ」は、「例えば外周支持部２１８ｍよりも低く形成されており、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．０４ｍｍ～０．１ｍｍ程度とすることができ」、「中央支持部２１８ｓを例えば円柱形とする場合、その上端面（支持面）の直径は例えば２．８ｍｍよりも小さくすることが好まし」いものであるから、「基板支持部２１７」の「中央支持部２１８ｓ」は、「中央凹部２１８ｄ」表面から突出する複数の微小接触領域であるといえ、また、「中央支持部２１８ｓ」の各々は、第１の距離以下である第２の距離だけ「中央凹部２１８ｄ」の表面からオフセットされた上部表面を有しているといえる。 したがって、甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」が有する「中央凹部２１８ｄ」の表面、当該「中央凹部２１８ｄ」が有する「中央支持部２１８ｓ」は、本件発明１の「下側凹部表面」、「前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明とは、「前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し」ている点で共通する。 （エ）甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタ２１９」には、「インピーダンス調整電極２１７ｃが埋め込まれ」ているから、「インピーダンス調整電極２１７ｃ」は、「基板支持部２１７」内の１つ以上の電極であるといえる。 そうすると、甲１発明の「インピーダンス調整電極２１７ｃ」は、本件発明１の「前記本体内の１つ以上の電極」に相当する。 （オ）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、「本体」が、「上側環状封止表面」と、「下側凹部表面」と、「複数の微小接触領域（ＭＣＡ）」と、「１つ以上の電極」と、を含んでいる点で一致する。 ウ 上記イ（ア）で検討したとおり、甲１発明における「基板支持部２１７」の「サセプタカバー２１８」が有する「外周支持部２１８ｍの上面」は、本件発明１の「平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面」に相当するものであるところ、甲１発明の「外周支持部２１８ｍ」は、「例えばウエハ２００を囲うように切れ目なく縁側を支持するものであ」るから、「外周支持部２１８ｍの上面」は、「ウエハ２００」が「基板支持部２１７」によって支持されている時に、「ウエハ２００」の「縁側」、すなわち、外側エッジを支持するように構成されているといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され」ている点で一致する。 エ 甲１発明の「外周支持部２１８ｍ」は、「ウエハ２００の一部を下方から支持する凸領域としての外周支持部２１８ｍ」であり、また、「中央支持部２１８ｓ」は、「ウエハ２００の一部を下方から補助的に支持する補助凸領域としての中央支持部２１８ｓ」であるから、「外周支持部２１８ｍの上面」及び「中央支持部２１８ｓ」表面は、「ウエハ２００」が「基板支持部２１７」によって支持されている時に、「ウエハ２００」を支持するように構成されているといえる。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「前記上側環状封止表面および前記 ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され」ている点で一致する。 オ 甲１発明の「インピーダンス調整電極２１７ｃ」は、「インピーダンス調整部としてのインピーダンス可変機構２７４を介して接地されて」いるから、電気的接地の物品に電気的に接続するよう構成されているといえる。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源、電気的接地、および直流（ＤＣ）電力供給源からなる群から選択される１つ以上の物品に電気的に接続するように構成され」ている点で一致する。 カ（ア）甲１発明において、「中央支持部２１８ｓ」は、「さらに好ましくは３つ以上設けられており」、「中央支持部のウエハを支持する面の直径は１．８ｍｍ及び３ｍｍ、つまり、それぞれ３つある中央支持部の面積の総和は、約８ｍｍ２及び約２１ｍｍ２」であるから、「中央支持部２１８ｓ」の上部表面の各々は、上部表面領域を有しているといえ、その領域の合計は、約８ｍｍ２及び約２１ｍｍ２である。 （イ）甲１発明において、「ウエハ２００」は、「例えば、３００ｍｍ径」であるところ、「サセプタカバー２１８」は、「ウエハ２００の一部を下方から支持する凸領域としての外周支持部２１８ｍを有し、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００の縁から半径方向内側に向けて３ｍｍ未満の領域を支持するよう構成されており、このとき、外周支持部２１８ｍは、例えばウエハ２００を囲うように切れ目なく縁側を支持するものであり」、かつ、「外周支持部２１８ｍの内側に凹領域としての中央凹部２１８ｄを有し」ている。 そうすると、甲１発明の「中央凹部２１８ｄ」は、平面視では円形であって、その半径は、最大で（３００ｍｍ－３ｍｍ×２）／２＝１４７ｍｍであるといえる。 また、甲１発明の「中央凹部２１８ｄ」は、凹部表面領域を有しているといえ、当該凹部表面領域、及び、上記「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計は、最大で（１４７ｍｍ）２×π≒６７８８７ｍｍ２である。 （ウ）そうすると、甲１発明において、「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計の「中央凹部２１８ｄ」の凹部表面領域、及び、「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計の総和に対する比は、約８ｍｍ２／６７８８７ｍｍ２≒０．０００１２＝０．０１２％、又は、約２１ｍｍ２／６７８８７ｍｍ２≒０．０００３１＝０．０３１％である。 （エ）以上から、甲１発明において、「中央凹部２１８ｄ」は、凹部表面領域を有し、「中央支持部２１８ｓ」の上部表面の各々は、上部表面領域を有し、「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計は、「中央凹部２１８ｄ」の凹部表面領域、及び、「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計の総和の３％以下であるといえる。 したがって、甲１発明の「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計、「中央凹部２１８ｄ」の凹部表面領域、及び、「３つ」の「中央支持部２１８ｓ」における「中央支持部２１８ｓ」の全ての上部表面領域の合計は、本件発明１の「前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計」、「前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明とは、「前記下側凹部表面は、凹部表面領域を有し、前記ＭＣＡの前記上部表面の各々は、上部表面領域を有し、前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計は、前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和の３％以下である」点で一致する。 キ 以上によれば、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「ペデスタルであって、 本体を備え、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し、 前記本体内の１つ以上の電極と、を含み、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源、電気的接地、および直流（ＤＣ）電力供給源からなる群から選択される１つ以上の物品に電気的に接続するように構成され、 前記下側凹部表面は、凹部表面領域を有し、 前記ＭＣＡの前記上部表面の各々は、上部表面領域を有し、 前記複数のＭＣＡにおける前記ＭＣＡの全ての前記上部表面領域の合計は、前記凹部表面領域および前記上部表面領域の合計の総和の３％以下である、ペデスタル。」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「前記上側環状封止表面と、前記ＭＣＡの前記上部表面とが同一平面上にあり、前記第１の距離は前記第２の距離に等しい」のに対し、甲１発明は、「中央支持部２１８ｓは、例えば外周支持部２１８ｍよりも低く形成されており、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．０４ｍｍ～０．１ｍｍ程度とすることができ、外周支持部２１８ｍの高さは、中央支持部２１８ｓの高さに０．１ｍｍ～０．２ｍｍを加えたものであ」る点。 （２）相違点１についての判断 ア 新規性について 甲１発明において、「中央支持部２１８ｓは、例えば外周支持部２１８ｍよりも低く形成されており、中央支持部２１８ｓの高さは例えば０．０４ｍｍ～０．１ｍｍ程度とすることができ、外周支持部２１８ｍの高さは、中央支持部２１８ｓの高さに０．１ｍｍ～０．２ｍｍを加えたもの」であるから、甲１発明は、「外周支持部２１８ｍ」の表面と、「中央支持部２１８ｓ」の表面とが同一平面上にあるものではない。 したがって、相違点１は実質的なものである。 よって、本件発明１は、甲１発明ではない。 イ 進歩性について 上記第６ １（１）における甲１の【０００４】～【０００５】の記載によれば、甲１発明が解決しようとする課題は、基板支持部上に載置された基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制することが可能な基板処理装置を提供することである。 そして、同【００４５】には、「このように、ウエハ２００を縁側で支持する外周支持部２１８ｍに対し、その内側に、中央支持部２１８ｓを外周支持部２１８ｍよりも低く設けたので、ウエハ２００の撓みを補正しつつ、ウエハ２００との接触圧力を更に下げて裏面の異物を低減することができる。」と記載されている。 そうすると、甲１発明において「外周支持部２１８ｍ」の表面と、「中央支持部２１８ｓ」の表面とが同一平面上にあるようにすると、ウエハ２００の裏面の異物を低減できなくなり、その結果、上記課題を解決できなくなる。 したがって、甲１発明において、「外周支持部２１８ｍ」の表面と、「中央支持部２１８ｓ」の表面とが同一平面上にあるようにすること、すなわち、相違点１に係る本件発明１の構成とすることには阻害要因があり、このことは、甲２～甲１２のいずれの記載にも左右されるものではない。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲２～甲１２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （３）申立人の主張について ａ 申立人は、令和６年１１月５日提出の意見書２ページ下から１０行～６ページ１４行において、「上側環状封止表面と、ＭＣＡの上部表面とが同一平面上にある」こと、及び「第１の距離は前記第２の距離に等しい」ことは、異議申立書において主張のとおり甲３に明確に記載されているのみならず、いずれも本件特許の優先日以前に公開された甲１０から甲１２にも明記されており、周知技術にすぎず、ウエハが載置されるペデスタルは、ウエハを処理するためにウエハを平面に保持するものであって、ウエハの吸着方式が真空吸着か静電吸着かを問わず、ウエハが平面に保持されるように支持することが基本的な当業者の認識であるため「ＭＣＡの上部表面」と「上側環状封止表面」とを同一平面上に配置するために「ＭＣＡの上部表面」と「上側環状封止表面」の高さを等しくすることは、まず最初に当業者が当然に設計上考えることであり、そこに何らの創意工夫は存在していないし、本件発明１と同じく静電吸着方式のペデスタルである甲１０から甲１２は、その当業者の認識に基づいて設計されているものであり、上側環状封止表面よりＭＣＡの上部表面の高さが低いもの（甲１の【００４４】参照）を、上側環状封止表面よりＭＣＡの上部表面の高さが等しいものに変更することに関して、特段の技術的な困難性は見いだせないから、静電吸着方式のペデスタルの周知技術を甲１発明に適用し、上側環状封止表面とＭＣＡの上部表面とを同一平面上にし、第１の距離と第２の距離を等しくすることは、当業者が容易に想到することにすぎない旨主張し、令和７年５月１３日提出の意見書の４ページ８行～５ページ最下行において、同旨の主張をしている。 ｂ しかし、上記（２）イで検討したとおり、甲１発明において、「外周支持部２１８ｍ」の表面と、「中央支持部２１８ｓ」の表面とが同一平面上にあるようにすること、すなわち、相違点１に係る本件発明１の構成とすることには阻害要因があるから、申立人が主張するとおり、「上側環状封止表面と、ＭＣＡの上部表面とが同一平面上にある」こと、及び「第１の距離は前記第２の距離に等しい」ことが、本件特許の優先日以前において周知技術であったとしても、甲１発明において、当該周知技術を採用することは、当業者であれば容易に想到し得るとはいえない。 したがって、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 （４）小括 以上によれば、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明及び甲２～甲１２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明５、２０、２６について 本件発明５、２０、２６は、本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明ではない。 ３ 本件発明２～９、１１、１２、１５～２７について 本件発明２～９、１１、１２、１５～２７は、本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明及び甲２～甲１２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 本件発明２８について （１）対比 本件発明２８と甲６発明とを対比する。 ア 甲６発明において、「ウェーハ処理装置２」は、「静電チャック１４」を含み、「静電チャック１４は、ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持」するものであるから、半導体を処理するシステム、すなわち、半導体処理システムであるといえる。 したがって、本件発明２８と甲６発明は、「半導体処理システム」である点で共通する。 イ 甲６発明の「ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８」は、「半導体ウェーハＷ」を処理するものであるといえるから、本件発明２８の「処理チャンバ」に相当し、本件発明２８と甲６発明とは、「処理チャンバ」を有している点で共通する。 ウ 本件発明２８において、「静電チャック」は、「前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーション」の「各々の中」にあるものである。 一方、甲６発明の「静電チャック１４」は、「ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持」するものであるから、「ウェーハ処理装置２」は、少なくとも１つの処理ステーションを有し、「静電チャック１４」は、「高密度プラズマ反応チャンバ８」内の少なくとも１つの処理ステーションの中にあるといえる。 したがって、甲６発明と本件発明２８とは、「前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にある静電チャック」を有している点で共通する。 エ 甲６発明の「静電チャック６４」は、「多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されており、これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられており、シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成するものであり、外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供する」ものであり、甲６の【図３】、【図４】（上記第６ ３）の記載を参酌すると、「静電チャック６４」は本体を有し、当該本体において、「外側のシール７４」の表面は、平面であり、本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面であり、「多数の溝」の下面は、第１の距離だけ上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面であり、「多数の突出部６６」は、下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）であるといえる。 したがって、甲６発明の「外側のシール７４」の表面、「多数の溝」の下面、「多数の突出部６６」は、本件発明２８の「上側環状封止表面」、「下側凹部表面」、「複数の微小接触領域（ＭＣＡ）」にそれぞれ相当し、本件発明２８と甲６発明とは、「前記静電チャックの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と」を有している点で共通する。 オ（ア）甲６発明において、「直流電源２４は、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給し」、「チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する」ものであるから、「半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるため」の「クランプ電圧」が、「電極部８４」に供給されることは明らかである。 また、上記エで検討したとおり、甲６発明の「静電チャック６４」は本体を有するものである。 そうすると、甲６発明は、「静電チャック６４」が有する本体内に、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるためのクランプ電圧が供給される「電極部８４」、すなわち静電クランプ電極を１つ以上有しているといえる。 （イ）甲６発明において、「静電チャック６４は、多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されており、これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられており、シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成するものであり、外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供し」、「直流電源２４は、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給」するものであり、甲６の【図３】、【図４】（上記第６ ３）の記載を参酌すると、「外側のシール７４」の表面は、「半導体ウェーハＷ」が「静電チャック６４」によって支持されている時に、「半導体ウェーハＷ」の外側エッジを支持するように構成され、「外側のシール７４」の表面及び「多数の突出部６６」の上部表面は、「半導体ウェーハＷ」が「静電チャック６４」によって支持されている時に、「静電チャック６４」が「半導体ウェーハＷ」を支持するように構成されているといえる。 （ウ）上記（ア）及び（イ）の検討を参酌すると、甲６発明において、「電極部８４」は、「半導体ウェーハＷ」が「静電チャック６４」によって支持されている時、かつ「電極部８４」が「直流電源２４」によって給電されている時に、「半導体ウェーハＷ」に少なくとも１つの静電クランプ力を提供するように構成され、「直流電源２４」は「電極部８４」に電気的に接続されているといえる。 （エ）以上によれば、甲６発明の「半導体ウェーハＷ」、「多数の突出部６６」の上部表面、「直流電源２４」は、本件発明２８の「半導体基板」、「前記ＭＣＡの前記上部表面」、「ＤＣ電力供給源」に相当し、本件発明２８と甲６発明とは、「前記本体内の１つ以上の静電クランプ電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の静電クランプ電極は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時、かつ前記１つ以上の静電クランプ電極がＤＣ電力供給源によって給電されている時に、前記半導体基板に少なくとも１つの静電クランプ力を提供するように構成されている、１つ以上の静電クランプ電極とを含み、 前記ＤＣ電力供給源は前記静電クランプ電極に電気的に接続されて」いる点で共通する。 カ 甲６発明において、「直流電源２４及びＲＦ電源２７は、記憶装置４５に保存されたプログラムで作動するコントローラ３９により制御され」るものであるから、「コントローラ３９」は、「記憶装置４５」すなわちメモリ、及び、１以上のプロセッサを備えているといえる。 したがって、甲６発明の「記憶装置４５」、「コントローラ３９」は、本件発明２８の「メモリ」、「コントローラ」にそれぞれ相当し、本件発明２８と甲６発明とは、「メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備え」ている点で共通する。 キ 以上によれば、本件発明２８と甲６発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「半導体処理システムであって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、 前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にある静電チャックと、前記静電チャックの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、 前記本体内の１つ以上の静電クランプ電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の静電クランプ電極は、前記半導体基板が前記静電チャックによって支持されている時、かつ前記１つ以上の静電クランプ電極がＤＣ電力供給源によって給電されている時に、前記半導体基板に少なくとも１つの静電クランプ力を提供するように構成されている、１つ以上の静電クランプ電極とを含み、 前記ＤＣ電力供給源は前記静電クランプ電極に電気的に接続されており、 メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備える、半導体処理システム。」 ＜相違点＞ 相違点２－１：本件発明２８は、「前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し」ているのに対して、甲６発明は、そのような構成を有しているか不明である点。 相違点２－２：本件発明２８は、「前記半導体基板を前記静電クランプ電極上に配置するように構成されているエンドエフェクタ」を備えているのに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているか不明である点。 相違点２－３：本件発明２８は、「前記メモリは前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、 前記エンドエフェクタに、前記半導体基板を前記静電チャック上に配置させ、 前記エンドエフェクタが前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせしている間に、前記半導体基板上に第１の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ、 前記エンドエフェクタが前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせした後に、前記半導体基板上に前記第１の静電クランプ力とは異なる第２の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させる、命令を格納する」のに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 （２）相違点についての判断 ア 事案に鑑み、相違点２－３から検討する。 （ア）甲７に記載された事項について ａ 上記第６ ４（２）で示した甲７に記載された事項においては、「処理室３０の内部には、ウェハＷを装着するためのステージ３３が設けられ（【００３７】）、このステージ３３は、搬送装置４０に設けられた静電チャック４３と同じ構造とされ、すなわち、静電チャック３４はチャック本体４４内に静電吸着用電極４５を設けた構成とされ、静電吸着用電極４５は配線４６により電圧印加され、これにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着するものであり（【００３８】）、続いて、搬送装置４０はウェハＷを処理室３０の静電チャック３４上に装着し、ウェハＷが静電チャック３４上に装着されると、静電チャック３４が起動（ＯＮ）してウェハＷの吸引を開始し、この状態において、搬送装置４０の静電チャック４３は依然としてウェハＷの保持を維持して」いるから、「ウェハＷ」を「静電チャック３４上」に配置させた後に、「ウェハＷ」に静電クランプ力を生じさせるために「静電チャック３４」の「静電吸着用電極４５」に対して電力を供給しているといえる。 ここで、「ウェハＷ」を「静電チャック３４上」に配置させたときには、「ウェハＷ」の「静電チャック３４」上への位置合わせは終了しているといえる。 そうすると、甲７に記載された事項においては、「ウェハＷ」を「静電チャック３４」上に位置合わせした後に、「ウェハＷ」に静電クランプ力を生じさせるために「静電チャック３４」の「静電吸着用電極４５」に対して電力を供給しているといえるから、甲７に記載された事項の「ウェハＷ」、「静電チャック３４」、「静電吸着用電極４５」は、本件発明２８の「半導体基板」、「静電チャック」、「静電クランプ電極」にそれぞれ相当するが、甲７に記載された事項においては、「ウェハＷ」を「静電チャック３４」上に位置合わせしている間に、「ウェハＷ」上に静電クランプ力を生じさせるために、「静電吸着用電極４５」に対して電力を供給しているものではない。 ｂ したがって、甲７に記載された事項は、相違点２－３に係る本件発明２８の構成のうち、「前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせしている間に、前記半導体基板上に第１の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」るとの構成を備えているとはいえない。 （イ）甲８に記載された事項について ａ 上記第６ ５（２）で示した甲８に記載された事項においては、「半導体ウェハＷを処理チャンバ１２内に導入して静電チャック２０の所定位置に搭載し、次に、静電チャック２０の電極３０への電圧の印加を開始」するものであるから、「半導体ウェハＷ」を「静電チャック２０」上に配置させた後に、「半導体ウェハＷ」を静電クランプ力を生じさせるために「静電チャック２０の電極３０」に対して電力を供給しているといえる。 ここで、「半導体ウェハＷ」を「静電チャック２０」上に配置させたときには、「半導体ウェハＷ」の「静電チャック２０」上への位置合わせは終了しているといえる。 そうすると、甲８に記載された事項においては、「半導体ウェハＷ」の「静電チャック２０」上への位置合わせした後に、「半導体ウェハＷ」を静電クランプ力を生じさせるために「静電チャック２０の電極３０」に対して電力を供給しているといえるから、甲８に記載された事項の「半導体ウェハＷ」、「静電チャック２０」、「静電チャック２０の電極３０」は、本件発明２８の「半導体基板」、「静電チャック」、「静電クランプ電極」にそれぞれ相当するといえるものの、甲８に記載された事項においては、「半導体ウェハＷ」を「静電チャック２０」上に位置合わせしている間に、「半導体ウェハＷ」上に静電クランプ力を生じさせるために、「静電チャック２０の電極３０」に対して電力を供給させているものではない。 ｂ したがって、甲８に記載された事項は、相違点２－３に係る本件発明２８の構成のうち、「前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせしている間に、前記半導体基板上に第１の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」るとの構成を備えているとはいえない。 （ウ）以上によれば、甲７及び甲８に記載された事項は、いずれも相違点２－３に係る本件発明２８の構成のうち、「前記半導体基板を前記静電チャック上に位置合わせしている間に、前記半導体基板上に第１の静電クランプ力を生じさせるために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」るとの構成を備えているとはいえないから、甲６発明において、甲７、甲８に記載された事項を適用したとしても、相違点２－３に係る本件発明２８の構成は得られない。 イ したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明２８は、甲６発明及び甲７、甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （３）小括 以上によれば、本件発明２８は、甲６発明及び甲７、甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 本件発明２９、３０について 本件発明２９、３０は、本件発明２８の全ての構成を有するものであるから、本件発明２８と同様の理由により、甲６発明及び甲７、甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ６ 本件発明３１について （１）対比 本件発明３１と甲６発明とを対比する。 ア 甲６発明において、「ウェーハ処理装置２」は、「静電チャック１４」を含み、「静電チャック１４は、ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持」するものであるから、半導体を処理するシステム、すなわち、半導体処理システムであるといえる。 したがって、本件発明３１と甲６発明は、「半導体処理システム」である点で共通する。 イ 甲６発明の「ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８」は、「半導体ウェーハＷ」を処理するものであるといえるから、本件発明３１の「処理チャンバ」に相当し、本件発明３１と甲６発明とは、「処理チャンバ」を有している点で共通する。 ウ 本件発明３１において、「ペデスタル」は、「前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーション」の「各々の中」にあるものである。 一方、甲６発明の「静電チャック１４」は、「ウェーハ処理装置２の高密度プラズマ反応チャンバ８内の半導体ウェーハＷを支持して電気的に保持」するものであるから、「ウェーハ処理装置２」は、少なくとも１つの処理ステーションを有し、「静電チャック１４」は、「高密度プラズマ反応チャンバ８」内の少なくとも１つの処理ステーションの中にあるといえる。 したがって、甲６発明と本件発明３１とは、「前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にあるペデスタルと」を有している点で共通する。 エ 甲６発明の「静電チャック６４」は、「多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されており、これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられており、シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成するものであり、外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供する」ものであり、甲６の【図３】、【図４】（上記第６ ３）の記載を参酌すると、「静電チャック６４」は本体を有し、当該本体において、「外側のシール７４」の表面は、平面であり、本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面であり、「多数の溝」の下面は、第１の距離だけ上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面であり、「多数の突出部６６」は、下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）であるといえる。 したがって、甲６発明の「外側のシール７４」の表面、「多数の溝」の下面、「多数の突出部６６」は、本件発明３１の「上側環状封止表面」、「下側凹部表面」、「複数の微小接触領域（ＭＣＡ）」にそれぞれ相当し、本件発明３１と甲６発明とは、「前記静電チャックの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と」を有している点で共通する。 オ（ア）甲６発明において、「チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する」ものである。 また、上記エで検討したとおり、甲６発明の「静電チャック６４」は本体を有するものである。 そうすると、甲６発明は、「静電チャック６４」が有する本体内に、「電極部８４」を１つ以上有しているといえる。 （イ）甲６発明において、「静電チャック６４は、多数の溝を表面に設けてあり、多数の突出部６６が形成されており、これら突出部の中央ゾーン６８は、シール７２によって、周縁ゾーン７０と隔てられており、シール７２は、突出部を設けるべく溝を形成するようにはしない単なる領域であり、ウェーハと本質的に均一に接触する固体表面を形成するものであり、外側のシール７４は、ヘリウムガスのチャンバ内への漏洩を最小化するためのバリアを提供し」、「直流電源２４は、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給」するものであり、甲６の【図３】、【図４】（上記第６ ３）の記載を参酌すると、「外側のシール７４」の表面は、「半導体ウェーハＷ」が「静電チャック６４」によって支持されている時に、「半導体ウェーハＷ」の外側エッジを支持するように構成され、「外側のシール７４」の表面及び「多数の突出部６６」の上部表面は、「半導体ウェーハＷ」が「静電チャック６４」によって支持されている時に、「静電チャック６４」が「半導体ウェーハＷ」を支持するように構成されているといえる。 （ウ）甲６発明において、「ＲＦ電源は、プラズマ反応電力を提供し」、「チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する」ものであるから、「電極部８４」は、「ＲＦ電源」に電気的に接続されることは明らかである。 （エ）以上によれば、甲６発明の「電極部８４」、「半導体ウェーハＷ」、「多数の突出部６６」の上部表面、「ＲＦ電源」は、本件発明３１の「１つ以上のクランプ電極」、「半導体基板」、「前記ＭＣＡの前記上部表面」、「無線周波数（ＲＦ）電力供給源」に相当し、本件発明３１と甲６発明とは、「前記本体内の１つ以上の電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源に電気的に接続するように構成され」ている点で共通する。 カ 上記オ（ウ）の検討を参酌すると、甲６発明は、「電極部８４」に電気的に接続されている「ＲＦ電源」を備えているといえるから、本件発明３１と甲６発明とは、「前記１つ以上の電極に電気的に接続されている前記ＲＦ電力供給源」を備えている点で共通する。 キ 甲６発明において、「直流電源２４は、半導体ウェーハＷを静電保持する電界を生成させるために、クランプ電圧をペデスタルに供給し」、「チャックは、誘電体８６で覆われた電極部８４を包含する」ものであるから、「直流電源２４」が、「電極部８４」に電気的に接続されることは明らかである。 したがって、本件発明３１と甲６発明とは、「前記１つ以上の電極に電気的に接続されている直流（ＤＣ）電源」を備えている点で共通する。 ク 甲６発明において、「直流電源２４及びＲＦ電源２７は、記憶装置４５に保存されたプログラムで作動するコントローラ３９により制御され」るものであるから、「コントローラ３９」は、「記憶装置４５」すなわちメモリ、及び、１以上のプロセッサを備えているといえる。 したがって、甲６発明の「記憶装置４５」、「コントローラ３９」は、本件発明３１の「メモリ」、「コントローラ」にそれぞれ相当し、本件発明３１と甲６発明とは、「メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備え」ている点で共通する。 ケ 以上によれば、本件発明３１と甲６発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「半導体処理システムであって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内の１つ以上の処理ステーションと、 前記１つ以上の処理ステーションの各々の中にあるペデスタルと、前記ペデスタルの各々は本体を有し、前記本体は、 平面であり、前記本体の垂直中心軸に直角をなし、半径方向厚さを有する、上側環状封止表面と、 第１の距離だけ前記上側環状封止表面からオフセットされた下側凹部表面と、 前記下側凹部表面から突出する複数の微小接触領域（ＭＣＡ）と、を有し、 前記本体内の１つ以上の電極であって、 前記上側環状封止表面は、半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板の外側エッジを支持するように構成され、 前記上側環状封止表面および前記ＭＣＡの前記上部表面は、前記半導体基板が前記ペデスタルによって支持されている時に、前記半導体基板を支持するように構成され、 前記１つ以上の電極は、無線周波数（ＲＦ）電力供給源に電気的に接続するように構成された、１つ以上の電極と、を含み、 前記１つ以上の電極に電気的に接続されている前記ＲＦ電力供給源と、 前記１つ以上の電極に電気的に接続されている直流（ＤＣ）電源と、 メモリおよび１以上のプロセッサを有するコントローラとを備える、半導体処理システム。」 ＜相違点＞ 相違点３－１：本件発明３１は、「前記ＭＣＡの各々は、前記第１の距離以下である第２の距離だけ前記下側凹部表面からオフセットされた上部表面を有し」ているのに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているか不明である点。 相違点３－２：本件発明３１は、「電気的接地に電気的に接続さている前記ペデスタルの上方にあるシャワーヘッド」を備えているのに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているか不明である点。 相違点３－３：本件発明３１は、「前記半導体基板を前記ペデスタル上に配置するように構成されているエンドエフェクタ」を備えているのに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているか不明である点。 相違点３－４：本件発明３１は、「前記メモリは前記１つ以上のプロセッサによる実行時に前記１つ以上のプロセッサに、 前記エンドエフェクタに、前記半導体基板を前記ペデスタル上に配置させ、 前記半導体基板が前記ペデスタル上に位置合わせされる前に、前記半導体基板上に静電クランプ力を提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ、 前記ペデスタルと前記シャワーヘッドとの間にプラズマを発生させるために、前記ＲＦ電力供給源に、ＲＦ電圧を前記１つ以上の電極に供給させる、命令を格納する」のに対し、甲６発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 （２）相違点についての判断 ア 事案に鑑み相違点３－４から検討する。 （ア）甲７に記載された事項について ａ 上記４（２）ア（ア）ａで検討したとおり、甲７に記載された事項においては、「ウェハＷ」を「静電チャック３４」上に位置合わせした後に、「ウェハＷ」に静電クランプ力を提供するために「静電チャック３４」の「静電吸着用電極４５」に対して電力を供給しているといえるから、甲７に記載された事項の「ウェハＷ」、「静電チャック３４」、「静電吸着用電極４５」は、本件発明３１の「半導体基板」、「ペデスタル」、「静電クランプ電極」にそれぞれ相当するが、甲７に記載された事項においては、「ウェハＷ」が「静電チャック３４」上に位置合わせされる前に、「ウェハＷ」上に静電クランプ力を提供するために「静電チャック３４」の「静電吸着用電極４５」に対して電力を供給しているものではない。 ｂ したがって、甲７に記載された事項は、相違点３－４に係る本件発明３１の構成である「前記半導体基板が前記ペデスタル上に位置合わせされる前に、前記半導体基板上に静電クランプ力を提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」ることを備えているとはいえない。 （イ）甲８に記載された事項について ａ 上記４（２）ア（イ）ａで検討したとおり、甲８に記載された事項においては、「半導体ウェハＷ」の「静電チャック２０」上への位置合わせした後に、「半導体ウェハＷ」を静電クランプ力を生じさせるために「静電チャック２０の電極３０」に対して電力を供給しているといえるから、甲８に記載された事項の「半導体ウェハＷ」、「静電チャック２０」、「静電チャック２０の電極３０」は、本件発明３１の「半導体基板」、「ペデスタル」、「静電クランプ電極」にそれぞれ相当するといえるものの、甲８に記載された事項においては、「半導体ウェハＷ」が「静電チャック２０」上に位置合わせされる前に、「半導体ウェハＷ」上に静電クランプ力を提供するために、「静電チャック２０の電極３０」に対して電力を供給させているものではない。 ｂ したがって、甲８に記載された事項は、相違点３－４に係る本件発明３１の構成である「前記半導体基板が前記ペデスタル上に位置合わせされる前に、前記半導体基板上に静電クランプ力を提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」ることを備えているとはいえない。 （ウ）以上によれば、甲７及び甲８に記載された事項は、いずれも相違点３－４に係る本件発明３１の構成のうち「前記半導体基板が前記ペデスタル上に位置合わせされる前に、前記半導体基板上に静電クランプ力を提供するために、前記ＤＣ電力供給源に、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に対して電力を供給させ」るとの構成を備えていとはいえないから、甲６発明において、甲７、甲８に記載された事項を適用したとしても、相違点３－４に係る本件発明３１の構成は得られない。 イ したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明３１は、甲６発明及び甲７、甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （３）小括 以上によれば、本件発明３１は、甲６発明及び甲７、甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ７ 本件発明３２、３３について 本件発明３２、３３は、本件発明３１の全ての構成を有するものであるから、本件発明３１と同様の理由により、甲６発明及び甲７～甲９に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ８ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１、５、２０、２６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではなく、請求項１～９、１１、１２、１５～３３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、取消理由１－１（新規性）、取消理由１－２（進歩性）、申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）は、理由がない。 第８ 取消理由２（明確性要件） 取消理由２（明確性要件）は、請求項１３、１４に対するものであるが、請求項１３、１４は、本件訂正により削除されたから、取消理由２（明確性要件）は解消した。 第９ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～９、１１、１２、１５～３３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～９、１１、１２、１５～３３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項１０、１３、１４は、本件訂正により削除されたため、本件特許の請求項１０、１３、１４に対して、申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。