2024-700221

特許第７３４０９７９号発明「保護素子および保護回路」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３４０９７９号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯の概略 特許第７３４０９７９号の請求項１～５に係る特許（以下「本件特許」という。）についての手続の経緯は、概ね、次のとおりである。 令和 元年 ７月２２日 出願 令和 ５年 ８月３１日 特許権の設定登録 令和 ５年 ９月 ８日 特許掲載公報の発行 令和 ６年 ３月 ８日 特許異議申立人株式会社クレス（以下「特許異議申立人」という。）による特許異議の申立て 第２ 本件発明 特許第７３４０９７９号の請求項１～５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」などとし、まとめて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 【請求項１】 並列接続された複数の保護素子を備える保護回路であって、 複数の保護素子を構成する各保護素子は、 直列接続された第１ヒューズエレメントおよび第２ヒューズエレメントと、 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントとの間に接続されたヒーターと、 前記第１ヒューズエレメントの前記第２ヒューズエレメントとは反対側に接続された第１電極部と、 前記第２ヒューズエレメントの第１ヒューズエレメントとは反対側に接続された第２電極部と、 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントとの間に接続され、且つ前記ヒーターと直列接続された第３電極部と、 前記第３電極部に接続され、且つ前記ヒーターよりも低い抵抗値を有する導通部と、 前記導通部に接続され、且つ外部の保護回路と接続可能に設けられた第４電極部と、 を有し、 前記複数の保護素子が並列接続され、 前記複数の保護素子に設けられた複数の前記第４電極部同士を接続するバイパス回路を有し、 前記導通部が、前記基板に設けられた複数のスルーホールで構成される、保護回路。 【請求項２】 前記導通部の融点が、前記第１ヒューズエレメント及び前記第２ヒューズエレメントのいずれの融点よりも高い、請求項１に記載の保護回路。 【請求項３】 前記導通部が、銀（Ａｇ）で構成される、請求項１又は２に記載の保護回路。 【請求項４】 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントが、基板の一方の主面側に配置され、 前記ヒーターが、前記基板の他方の主面側に配置される、請求項１に記載の保護回路。 【請求項５】 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントが、基板の一方の主面側に配置され、 前記ヒーターが、前記基板の一方の主面側であって、且つ前記第１ヒューズエレメント及び前記第２ヒューズエレメントの下方に配置される、請求項１に記載の保護回路。 第３ 申立理由の概要 １ 特許異議申立人が主張する申立理由 特許異議申立人は、証拠として甲第１号証～甲第７号証を提出し、請求項１～５に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１～５に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。 ２ 証拠方法 特許異議申立人提出の証拠方法は以下のとおりである。証拠番号に従い、「甲１」などという。 甲１：特許第４０９５４２６号公報 甲２：特許第６７０７３７７号公報 甲３：特許第６７９７５６５号公報 甲４：特許第６８１１５９０号公報 甲５：特開２０１７－２２８３７９号公報 甲６：特開２０１８－１８６２３号公報 甲７：特開２０１９－２９２４４号公報 第４ 証拠の記載 １ 甲１ （１）甲１の記載事項 ア 甲１には、図面とともに以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、繰り返し充放電が可能な二次電池の技術分野にかかり、特に、保護回路を内蔵する二次電池に関する。」 「【０００９】 ヒータｈは、２個の抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂの並列接続回路によって構成されており、二個のフューズｆａ、ｆｂが互いに接続された接続点を符号Ｐで表すと、ヒータｈの一端は、接続点Ｐに接続されており、他端は、スイッチ素子１０４を介して第２の出力端子１１２(及び蓄電装置１０５の負電圧側の端子)に接続されている。 【００１０】 図１０の符号ｔａ、ｔｂ、ｔｃは保護回路Ｕの端子であり、それらのうち、符号ｔａ、ｔｂは、フューズｆａ、ｆｂの直列接続回路の両端であって、それぞれ蓄電装置１０５の正電圧側の端子に接続された端子と、第２の出力端子１１１に接続された端子である。」 「【００３０】 【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、保護回路の動作後の残存電流が小さい二次電池装置を提供することにある。」 「【００３６】 【発明の実施の形態】 図１の符号１は、本発明の第一例の二次電池装置を示している。第一例の二次電池装置１は、上記従来技術の二次電池装置１０１が有する部品を全て有しており、再述すると、上記二次電池装置１０１と同様に、スイッチ素子４と、蓄電装置５と、制御回路６と、第１、第２の出力端子１１、１２と、複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３とを有しており、更に、整流素子Ｄ１～Ｄ３を有している。 【００３７】 各保護回路Ｕ１～Ｕ３の内部構成は同じであり、図１０に示されている。各保護回路Ｕ１～Ｕ３は直列接続された二個のフューズｆａ、ｆｂを有しており、蓄電装置５の正電圧側の端子と第１の出力端子１１とは、複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３内のフューズｆａ、ｆｂの直列接続回路によって接続されている。即ち、フューズｆａ、ｆｂの直列接続回路は並列接続されている。」 「【００４０】 各保護回路Ｕ１～Ｕ３内には、一端が、フューズｆａ、ｆｂ同士の接続点Ｐに接続されたヒータｈが設けられている。」 「【００５５】 図５は本発明の第三例の二次電池装置３を示している。この二次電池装置３は、各保護回路Ｕ１～Ｕ３内の接続点Ｐ同士が接続されている他は、従来技術の二次電池回路１０１の構成と同じである。 【００５６】 この二次電池装置３では、制御回路６が過電圧を検出し、スイッチ素子４を導通させた場合の動作は、上記従来技術の二次電池装置１０１や、第一例の二次電池装置１と同じである。 【００５７】 他方、第１、第２の出力端子１１、１２間が短絡され、各保護回路Ｕ１～Ｕ３内のフューズｆａ、ｆｂに流れた大きな短絡電流が流れた場合、先ず、各保護回路Ｕ１～Ｕ３内のフューズｆａ、ｆｂのいずれか一方が切断される。この状態を図６に示す。 【００５８】 この第三例の二次電池装置１０１でも、全ての保護回路Ｕ１～Ｕ３内で蓄電装置５側のフューズｆａが溶断するか、又は全ての保護回路Ｕ１～Ｕ３内で出力端子１１側のフューズｆｂが溶断すると電流は流れなくなるが、出力端子１１側のフューズｆｂが溶断した保護回路Ｕ１と、蓄電装置５側のフューズｆａが溶断した保護回路Ｕ２とが混在すると、短絡電流と同じ大きさの過渡電流が流れ続ける。 【００５９】 即ち、フューズｆａ、ｆｂが混在して残存すると、蓄電装置５の正電圧側の端子が、残存する蓄電装置５側のフューズｆａと、残存する第１の出力端子１１側のフューズｆｂとによって第１の出力端子１１に接続されるため、異なる保護回路Ｕ１、Ｕ２内で残存するフューズｆａ、ｆｂを通って過渡電流が流れる。図６の符号Ｉ３はその過渡電流を示している。 【００６０】 この過渡電流Ｉ３はヒータｈを通らないため、短絡電流と同程度の大電流であり、過渡電流が流れるフューズｆａ、ｆｂの少なくともいずれか一方は自己発熱によって溶断する。図７は蓄電装置５側のフューズｆａが溶断した場合である。 【００６１】 出力端子１１側のフューズｆｂが残存する保護回路と、蓄電装置５側のフューズｆａが残存する保護回路とが混在する限り過渡電流Ｉ３は流れ、結局、この過渡電流Ｉ３によって、各保護回路Ｕ１～Ｕ３内の蓄電装置５側のフューズｆａの全部か、又は、出力端子１１側のフューズｆｂが全部溶断し、過渡電流Ｉ３は流れなくなる。 【００６２】 この状態では、二個のフューズｆａ、ｆｂの少なくとも一方の側が全部溶断した状態であるため、蓄電装置５の正電圧側の端子と第１の出力端子１１との間を接続する経路は存在せず、残存電流も流れなくなる。 【００６３】 なお、保護回路Ｕ１～Ｕ３の構造を説明すると、図８(ａ)、(ｂ)はその概略構成を説明するための図面であり、図８(ａ)は平面図、同図(ｂ)はそのＡ－Ａ線切断面図である。 【００６４】 符号３１～３５は、Ａｇ－Ｐｄペーストを印刷し、８５０℃、３０分の焼成により形成した電極であり、それぞれ、端子ｔａ、ｔｂ、ｔｃ、及び接続点Ｐが構成されている。 【００６５】 符号４１は、低融点金属箔(Ｓｎ：Ｓｂ＝９５：５、液相点２４０℃)であり、フューズ電極３４よりも右方と左方がそれぞれフューズｆａ、ｆｂになっている。」 【００６６】 符号４２は、抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂを構成する抵抗体であり、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを上記電極３１～３４上から印刷し、焼成して形成している。抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂの抵抗値は５Ωである。 【００６７】 図８(ｂ)の符号４０はアルミナセラミックス製のベース基板であり、厚さ０．５ｍｍ、平面形状は５ｍｍ×３ｍｍである。」 「 図６ 図８ 図１０ ［図：0001412312000001.jpg］ 」 イ 【００１０】及び【００６４】の記載から、電極３１，３２は端子ｔａ、ｔｂを構成していることが理解され、図１０から、フューズｆａのフューズｆｂとは反対側に接続された端子ｔａと、フューズｆｂのフューズｆａとは反対側に接続された端子ｔｂと、が看取される。 ウ 【００４０】における「フューズｆａ、ｆｂ同士の接続点Ｐに接続されたヒータｈが設けられている。」との記載、【００６５】における「フューズ電極３４よりも右方と左方がそれぞれフューズｆａ、ｆｂになっている。」との記載を踏まえれば、図１０から、フューズｆａとフューズｆｂとの間に接続され、且つ抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂを構成する抵抗体４２と直列接続された、接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４が看取される。 エ 図１０から、接続点Ｐと、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点とを接続する導通路が看取される。【００４０】及び【００６５】の記載を踏まえて図８と図１０を併せ見ると、図１０における接続点Ｐが図８におけるフューズ電極３４に対応し、図１０における抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点が図８における電極３５に対応していると理解されるところ、図１０から看取される、接続点Ｐと、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点とを接続する導通路は、フューズ電極３４と電極と電極３５とを接続する導通路といえる。そして、図８からは、フューズ電極３４、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点である電極３５、、フューズｆａ及びフューズｆｂになっている低融点金属箔４１、抵抗体４２及び電極３１～３３はベース基板４０の上側の面に設けられていることが看取され、フューズ電極３４と電極３５の双方がベース基板４０の上側の面に設けられていることにかんがみれば、フューズ電極３４と電極３５を接続する導通路もベース基板４０の上側の面に設けられているものと認められる。 （２）甲１発明 上記（１）を総合すると、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「並列接続された複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３を備える二次電池装置３であって、 複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３を構成する各保護回路は、 直列接続された二個のフューズｆａ及びフューズｆｂと、 前記フューズｆａと前記フューズｆｂとの間に接続された抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂを構成する抵抗体４２と、 前記フューズｆａのフューズｆｂとは反対側に接続された端子ｔａを構成している電極３１と、 前記フューズｆｂのフューズｆａとは反対側に接続された端子ｔｂを構成している電極３２と、 前記フューズｆａと前記フューズｆｂとの間に接続され、且つ前記抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂを構成する抵抗体４２と直列接続された、接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４と、 前記フューズ電極３４に接続された導通路と、 前記導通路に接続され、且つ各保護回路を接続している接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４と、 を有し、 前記複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３が並列接続され、 前記複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３に設けられた複数の接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４同士を接続するバイパス回路を有し、 前記フューズ電極３４、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点である電極３５、前記フューズ電極３４と前記電極３５とを接続する前記導通路、フューズｆａ及びフューズｆｂになっている低融点金属箔４１、抵抗体４２及び電極３１～３３はベース基板４０の上側の面に設けられている、 二次電池装置３。」 ２ 甲２の記載事項 甲２には、以下の事項が記載又は示されている。 「（４５）発行日 令和２年６月１０日（２０２０．６．１０）」（１頁左側２行目） ３ 甲３の記載事項 甲３には、以下の事項が記載又は示されている。 「（４５）発行日 令和２年１２月９日（２０２０．１２．９）」（１頁左側２行目） ４ 甲４の記載事項 甲４には、以下の事項が記載又は示されている。 「（４５）発行日 令和３年１月１３日（２０２１．１．１３）」（１頁左側２行目） ５ 甲５の記載事項 甲５には、以下の事項が記載又は示されている。 「【０００１】 本発明は電気・電子機器の回路保護素子に関する。」 「 図２ 図３ ［図：0001412312000002.jpg］ 」 ６ 甲６の記載事項 甲６には、以下の事項が記載又は示されている。 「【０００１】 本発明は電気・電子機器の保護素子に関する。」 「 図２ 図３ ［図：0001412312000003.jpg］ 」 ７ 甲７の記載事項 甲７には、以下の事項が記載又は示されている。 「【０００１】 本発明は、電気・電子機器の保護素子に関する。」 「 図２ ［図：0001412312000004.jpg］ 」 ８ 当審で追加する文献８（特開２０１７－１７４５９２号公報）の記載事項 文献８は、甲２の公開公報である。文献８には、以下の事項が記載又は示されている。 「【００４７】 図３（Ｂ）に示す第１の側面導電部３ｃは、図３（Ａ）に示す第１の側面導電部３ｂと比較して、絶縁基板２の第１の側面２ｃにおいて、凹部の面積を広くとることができ、結果として電流経路の幅を広げて電気抵抗値を低減することが可能となり、大電流に対応するために好適である。」 「【００７０】 ヒューズ素子４０では、第１の側面導電部３ｂ及び第２の側面導電部４ｂを、それぞれ第１の側面導電部３ｂ2，第１の側面導電部３ｂ3及び第２の側面導電部４ｂ2，第２の側面導電部４ｂの複数構成としたため、電流経路が複数個所となり、電流経路全体として電気抵抗値を低減することが可能となる。従ってヒューズ素子４０は、電流経路の電気抵抗値の低減によって大電流に対応することが可能となる。」 「【００８５】 ヒューズ素子６０は、絶縁基板２の第１の側面２ｃ及び第２の側面２ｄに加え、絶縁基板２を貫通する電流経路を有しており、電流経路全体として電気抵抗値を低減させるため大電流に対応することが容易となる。」 「【００９２】 ここで、第１の貫通導電部１５及び第２の貫通導電部１６は、スルーホールであり、特に孔内部を導電材料で充填した穴埋めスルーホールとすることで、電流経路全体での電気抵抗値の低減効果を高めることが可能である。」 「 図３ 図９ 図１２ ［図：0001412312000005.jpg］ 」 ９ 当審で追加する文献９（特開２０１７－１１７７７４号公報）の記載事項 文献９は、甲３の公開公報である。文献９には、以下の事項が記載又は示されている。 「【００２２】 なお、第１、第２の実装電極１８，１９は、スルーホール２０に代えて、又はスルーホール２０ともに絶縁基板１０の第１、第２の側縁１０ｃ，１０ｄにキャスタレーションを設け、当該キャスタレーションを介しても第１、第２の電極１１，１２と導通させてもよい。また、第１、第２の実装電極１８，１９は、スルーホール２０やキャスタレーションを介して導通を取るスペースを確保するとともに回路基板への接続面積を広げて接続強度や所定の定格を確保するために、十分な面積を備え、また、素子全体のヒューズ抵抗の低抵抗化（例えば７ｍΩ）が図られている。」 「【００８１】 ［変形例］ ここで、大電流に対応させるためにヒューズ素子の定格向上を図るためには、可溶導体１３自体の低抵抗化のみならず、絶縁基板１０の表面１０ａに形成された第１、第２の電極１１，１２から絶縁基板１０の裏面１０ｂに形成された第１、第２の実装電極１８，１９に至る電流経路の低抵抗化が求められている。」 「【００９７】 ［キャスタレーション］ なお、ヒューズ素子７０は、図２８に示すように、小型化の要請や製造コスト等の条件次第で、第１、第２の電極１１，１２にさらにキャスタレーション７４を形成してもよい。この場合、キャスタレーション７４と導電スルーホール２０とは強度確保のため所定の間隔（例えば導電スルーホール２０の開口径の半分以上）を空けて設けることが好ましい。ヒューズ素子７０は、第１、第２の電極１１，１２に、導電スルーホール２０に加えてキャスタレーション７４を設けることにより、さらに導通抵抗を低下させるとともにフィレットの形成により実装強度を向上させることができ、またフィレットを確認することで外部回路基板７２への実装確認を容易に行うことができる。」 「 図２８ ［図：0001412312000006.jpg］ 」 １０ 当審で追加する文献１０（特開２０１８－７８０４６号公報）の記載事項 文献１０は、甲４の公開公報である。文献１０には、以下の事項が記載又は示されている。 「【００３０】 また、第１の発熱体電極１８は、孔部２５を介して絶縁基板１０の裏面１０ｆに形成された外部接続電極１８ｂと接続されている。孔部２５は、図３に示すように第３の側面１０ｃに形成されたキャスタレーションとして形成してもよく、第３の側面１０ｃからやや内側に形成されたスルーホールとして形成してもよく、あるいはキャスタレーション及びスルーホールを併用してもよい。また、孔部２５は、１又は複数形成してもよい。」 「【００５０】 ここで、Ｂについて補足すると、孔部２５が複数ある場合は、発熱体１４の第３の側縁１０ｃ側の端部と最も発熱体１４側に位置する孔部２５の外縁との最短距離をいう。図８は、第１の発熱体電極１８に設ける孔部２５として、第３の側縁１０ｃからやや内側に形成したスルーホールを有する保護素子１を示す平面図である。図８に示す保護素子１では、孔部２５の外縁は、このスルーホールの外縁となる。」 「 図８ ［図：0001412312000007.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「保護回路Ｕ１～Ｕ３」は本件発明１の「保護素子」に相当し、以下同様に、「二次電池装置３」は「保護回路」に、「フューズｆａ」は「第１ヒューズエレメント」に、「フューズｆｂ」は「第２ヒューズエレメント」に、「抵抗発熱素子ｒａ、ｒｂを構成する抵抗体４２」は「ヒーター」に、「端子ｔａを構成している電極３１」は「第１電極部」に、「端子ｔｂを構成している電極３２」は「第２電極部」に、「接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４」は「第３電極部」に、「導通路」は「導通部」に、「各保護回路を接続している」という事項は「外部の保護回路と接続可能に設けられた」という事項に、それぞれ相当する。 甲１発明の「前記導通路に接続され、且つ各保護回路を接続している接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４」と本件発明１の「前記導通部に接続され、且つ外部の保護回路と接続可能に設けられた第４電極部」とは、「前記導通部に接続され、且つ外部の保護回路と接続可能に設けられた所定の電極部」という点で共通する。 甲１発明の「前記複数の保護回路Ｕ１～Ｕ３に設けられた複数の接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４同士を接続するバイパス回路」と本件発明１の「前記複数の保護素子に設けられた複数の前記第４電極部同士を接続するバイパス回路」とは、「前記複数の保護素子に設けられた複数の前記所定の電極部同士を接続するバイパス回路」という点で共通する。 したがって、両者は、 「並列接続された複数の保護素子を備える保護回路であって、 複数の保護素子を構成する各保護素子は、 直列接続された第１ヒューズエレメントおよび第２ヒューズエレメントと、 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントとの間に接続されたヒーターと、 前記第１ヒューズエレメントの前記第２ヒューズエレメントとは反対側に接続された第１電極部と、 前記第２ヒューズエレメントの第１ヒューズエレメントとは反対側に接続された第２電極部と、 前記第１ヒューズエレメントと前記第２ヒューズエレメントとの間に接続され、且つ前記ヒーターと直列接続された第３電極部と、 前記第３電極部に接続された導通部と、 前記導通部に接続され、且つ外部の保護回路と接続可能に設けられた所定の電極部と、 を有し、 前記複数の保護素子が並列接続され、 前記複数の保護素子に設けられた複数の前記所定の電極部同士を接続するバイパス回路を有する、 保護回路。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１の導通部は「前記ヒーターよりも低い抵抗値を有する」とともに「前記基板に設けられた複数のスルーホールで構成される」ものであるのに対し、甲１発明の導通路の抵抗値は明らかではなく、フューズ電極３４と電極３５とを接続する導通路を含めてフューズ電極３４、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点である電極３５、フューズｆａ及びフューズｆｂになっている低融点金属箔４１、抵抗体４２及び電極３１～３３はベース基板４０の上側の面に設けられている点。 ＜相違点２＞ 所定の電極部に関し、本件発明１は「第４電極部」であるのに対し、甲１発明は「接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４」である点。 （２）甲１～甲７に基づく判断 甲２～甲４の特許公報の発行日は、上記第４の２～４に摘記したとおり、それぞれ令和２年６月１０日、令和２年１２月９日、令和３年１月１３日であって、甲２～甲４は本件特許の出願日である令和元年７月２２日よりも後に発行された刊行物であるから、本件特許の特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物ではない。 したがって、甲２～甲４に記載されている事項は、本件特許の特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明とは認められないから、甲２～甲４を証拠として、本件発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないということはできない。 （３）甲１、甲５～７及び当審で追加する文献８～１０に基づく判断 相違点１について検討する。 一般的にスルーホールは基板の異なる面にそれぞれ設けられている電極同士を電気的に接続するためのものであるところ、甲１発明では、フューズ電極３４、抵抗発熱素子ｒａと抵抗発熱素子ｒｂとの接続点である電極３５、前記フューズ電極３４と前記電極３５とを接続する導通路、フューズｆａ及びフューズｆｂになっている低融点金属箔４１、抵抗体４２及び電極３１～３３は全てベース基板４０の上側の面に設けられているから、フューズ電極３４と電極３５とを接続している導通路を、ベース基板４０に設けられたスルーホールとして構成することは、技術的に合理性を欠くことになる。また、甲１には、導通路をスルーホールで構成することについて記載も示唆もされていない。 したがって、上記第４の８～１０（文献８～文献１０の摘記事項）から、基板を挟んで設けられる２つの電極の導通部が基板に設けられた複数のスルーホールで構成されることが周知技術（以下「周知技術１」という。）であったとしても、甲１発明の導通路に直接、周知技術１を適用する動機付けはない。 次に、上記第４の５～７（甲５～甲７の摘記事項）から、ヒータを、ヒューズエレメントとともに基板の上面に設けたり、ヒューズエレメントとは別に基板の下面に設けたりすることは周知技術（以下「周知技術２」という。）といえるから、周知技術２も含めて検討する。基板にスルーホールを設ける必要性が生じるのは、基板の異なる面にそれぞれ設けられている電極同士を電気的に接続しなければならない状況が前提となるから、甲１発明に周知技術１を適用するとしたら、まず、甲１発明に周知技術２を適用して抵抗体４２をベース基板４０の下側の面へ移設し、当該移設によって生じる、ベース基板４０の下側の面に設けられた電極３５と、ベース基板４０の上側の面に設けられたフューズ電極３４とを電気的に接続しなければならない状況となった後である。そして、周知技術２の適用によって生じた、基板の異なる面に設けられることとなったフューズ電極３４と電極３５とをどのように接続するかという新たな課題を解決するために、さらに、周知技術１を直列的に適用することは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、甲１発明、周知技術１及び周知技術２に基いて、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、たとえ当業者であっても容易に想到し得たこととはいえない。 次に、相違点２について検討する。 本件発明１の第４電極部は、スルーホールで形成される導通部によって第３電極部と接続されていることから、第４電極部は基板に対して第３電極部とは異なる面に設けられていることが理解される。一方、甲１発明の、接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４はベース基板４０に対して他の電極等と同じ面に設けられている。 ここで、周知技術２はヒータをヒューズエレメントとは別に基板の下面に設けたりする技術であって、パイパス回路の接続箇所を基板の下面へ設けたりすることを示す技術ではないから、仮に周知技術２を甲１発明に適用できたとしても、ただちに、パイパス回路の接続箇所も、接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４から他の位置（周知技術２の適用よってヒータと一緒にベース基板４０の下側の面へ移動する電極３５の位置等）へ変更することにはならない。また、甲１発明におけるバイパス回路はフューズｆａ及びフューズｆｂになっている低融点金属４１に流れる電流を他の保護回路へ導くための回路であるから、バイパス回路の接続箇所を、甲１発明における二個のフューズｆａ、ｆｂが互いに接続された接続点Ｐを構成しているフューズ電極３４から離れた位置にある、導通路の先の電極３５に敢えて変更するべき動機付けもない。したがって、周知技術２が存在しても、甲１発明に基いて相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、たとえ当業者であっても容易に想到し得たこととはいえない。 そして、本件発明１は、相違点１及び相違点２に係る発明特定事項を備えることにより、「過電流を確実に防止して安全性を向上することができ、且つ従来よりも簡単な装置構成でコスト低減を実現することができ、更には装置の故障率を低減することができる。」（【００２２】参照）という格別の効果を奏するものである。 したがって、本件発明１は、甲１発明、周知技術１及び周知技術２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２～５について 本件発明２～５は、本件発明１を引用するものであるから、上記１に示した理由と同様の理由により、甲１発明、周知技術１及び周知技術２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。