2023-700860

特許第７２２６３３６号発明「パターン形成方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２２６３３６号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２２６３３６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、２０１９年（平成３１年）１月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１８年１月１０日、アメリカ合衆国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、令和５年２月１３日にその特許権の設定登録がされ、令和５年２月２１日に特許掲載公報が発行された。 その後、請求項１～６に係る特許に対して、令和５年８月２１日に特許異議申立人松山徳子（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明について 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」といい、これらを合わせて「本件発明」という。）は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材を準備する工程と、 上記基材における一部の領域の表面に、この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する塗膜を形成する工程と、 上記塗膜形成工程後の基材の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層を形成する工程と を備え、 上記第１重合体が主鎖中に、ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸、及び（メタ）アクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種の単量体に由来する構造単位を有するパターン形成方法。 【請求項２】 上記基材が、金属単体を含む領域と、シリコンオキサイドを含む領域とを有する請求項１に記載のパターン形成方法。 【請求項３】 上記第１重合体における第１官能基が金属原子と結合する請求項１又は請求項２に記載のパターン形成方法。 【請求項４】 上記原子層形成工程後に、 上記原子層形成工程後の基材における上記塗膜とこの塗膜の表面に形成された原子層とをエッチングにより除去する工程 をさらに備える請求項１、請求項２又は請求項３に記載のパターン形成方法。 【請求項５】 上記塗膜形成工程が、 上記基材の表面全体に、上記第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、 上記塗工工程により形成された塗工膜のうち上記一部の領域以外の領域に形成された部分をリンスにより除去する工程と を備える請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。 【請求項６】 上記リンス除去工程前又は上記リンス除去工程後に、 上記塗工工程後の基材を加熱する工程 をさらに備える請求項５に記載のパターン形成方法。」 第３ 特許異議の申立ての概要 １ 特許異議の申立ての理由（以下、「申立理由」という。）の概要は、次のとおりである。 （１）申立理由１（進歩性） 本件発明１～３、５及び６は、甲第１号証に記載された発明と甲第２号証に記載された公知技術とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明と甲第２、３号証に記載された公知技術とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。 （２）申立理由２（サポート要件） ア 本件発明１は、「第１重合体」について、「基材における一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する」こと、及び、「主鎖中にビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸、及び（メタ）アクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種の単量体に由来する構造単位を有する」ことのみしか特定されていないが、原子層の形成抑制効果の程度には重合体の分子量が影響すると考えられ、また、重合体の構造単位の割合や、他の単量体の種類や割合によっては、塗膜形成に使用できない重合体となるから、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明に開示された内容を本件特許の請求項１の範囲まで拡張ないし一般化できるとはいえない。したがって、本件特許の請求項１に係る特許、及び請求項１を引用する請求項２～６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきである。（申立理由２－１） イ 本件発明１は、第１重合体が基材の一部の領域以外の領域の表層に存在する原子と結合するかどうかは何も特定されていないが、高い領域選択性で原子層を形成するためには、第１重合体が基板の一部の領域のみと結合し、かつ他の領域とは結合しないことが必要であるから、本件発明１は、本件発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。したがって、本件特許の請求項１に係る特許、及び請求項１を引用する請求項２～６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきである。（申立理由２－２） ウ 本件発明１のパターン形成方法は、互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材を準備する工程と、基材における一部の領域の表面に、この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する塗膜を形成する工程とを含むものであるが、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例には、銅の単一素材からなる基板とシリコンオキサイドの単一素材からなる基板上に塗布した結果が示されているのみであり、「互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材」を用いた例は示されていないから、本件発明１が本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されているとはいえない。したがって、本件特許の請求項１に係る特許、及び請求項１を引用する請求項２～６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきである。（申立理由２－３） ２ 申立人が提出した証拠は次のとおりである（以下、甲第１号証～甲第３号証を「甲１」～「甲３」という。）。 甲１：Cian Cummins et.al.,“Area Selective Polymer Brush Deposition”,Macromolecular Rapid Communications, 2017年, 第38号, P.1700252(1-6) 甲２：Elina Farm et.al., “Selective-Area Atomic Layer Deposition Using Poly(methyl methacrylate) Films as Mask Layers”, The Journal of Physical Chemistry C, 2008年,第112号, p.15791-15795 甲３：特開２０１４－５３２５号公報 第４ 甲号証の記載、技術事項 １ 甲１の記載 （１）甲１には以下の記載がある。（下線は、当審で付した。以下同じ。） 「Brushes with end terminated sites composed of amine (-NH2) or thiol (-SH) were chosen due to their affinity to attach to Cu surfaces.Patterned Cu/SiO2 stripe substrates were used as the model system in our study. Using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and SEM we show that uniform films of PS-NH2 polymer brushes attach to the Cu regions selectively of patterned Cu/SiO2 wafers after 1.5 h grafting period. The process is highly reproducible. By contrast, P2VP-NH2 polymer brushes display mixed selectivity. While attachment of P2VP-NH2 to Cu is confirmed, evidence of small areas or islands of P2VP-NH2 on SiO2 is also present. We also introduce a P2VP-SH polymer brush that selectively grafts to Cu. The P2VP-SH brush was then infiltrated with a spin-coated metal nitrate ethanolic solution to fabricate a uniform cobalt oxide (Co3O4) film, as schematically shown in Scheme 1.」 （第１７００２５２（２）頁左欄第７行～第２１行、当審訳：アミン（－ＮＨ２）またはチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有するブラシは、Ｃｕ表面に付着する親和性があることから選択された。本研究では、モデルシステムとして、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ストライプ基板を用いた。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）とＳＥＭを用いて、ＰＳ－ＮＨ２ポリマーブラシの均ーな膜が、１．５時間グラフトを行った後、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着することを示す。このプロセスは再現性が高い。対照的に、Ｐ２ＶＰ－ＮＨ２ポリマーブラシは複合的な選択性を示す。ＣｕへのＰ２ＶＰ－ＮＨ２の付着が確認される一方で、ＳｉＯ２上のＰ２ＶＰ－ＮＨ２の小さな領域または島も確認されている。また、Ｃｕに選択的にグラフトするＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシも使用する。次に、スキーム１に概略的に示すように、Ｐ２ＶＰ－ＳＨブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、均ーな酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製した。） 「 ［図：0001405840000001.jpg］ Scheme 1. Schematic representation of area selective polymer brush deposition.」 （当審訳：スキーム1．領域選択的ポリマーブラシ堆積の概略図。）」 （２）上記（１）によれば、甲１には、以下の技術事項が記載されている。 ア 甲１には、「アミン（－ＮＨ２）またはチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有するブラシは、Ｃｕ表面に付着する親和性があることから選択された。」、「ＰＳ－ＮＨ２ポリマーブラシの均ーな膜が、１．５時間グラフトを行った後、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着する」及び「Ｃｕに選択的にグラフトするＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシも使用する。」と記載されている。 よって、Ｃｕ表面に付着する親和性がある、チオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有するブラシであり、Ｃｕに選択的にグラフトするＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜を、グラフトを行い、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着させることが記載されている。 イ 甲１には、「スキーム１に概略的に示すように、Ｐ２ＶＰ－ＳＨブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、均ーな酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製した。」と記載され、「スキーム１」として示された図より、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜に置き換えられていることが見て取れる。 よって、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域に酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製しているといえる。 ウ 上記ア及びイより、甲１には以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１発明＞ 「Ｃｕ表面に付着する親和性があるチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有するブラシであり、Ｃｕに選択的にグラフトするＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜を、グラフトを行い、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着させ、 パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域に酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製する方法。」 ２ 甲２の記載 （１）甲２には以下の記載がある。 「2. Experimental Methods PMMA films were prepared on silicon (100) surfaces by spincoating from 2% PMMA (Alfa Aesar, average Mw 350 000) in toluene solution. After preparation, the samples were baked at first on a hot plate at 100 ℃ for 5 min and then in an oven at 100 ℃ for 60 min to ensure removal of the solvent. The PMMA film thicknesses were 70-100 nm as measured by a Hitachi U-2000 spectrophotometer. PMMA films were patterned by UV lithography through a mechanical mask. The mask has three sizes of holes, the diameters of which are 500, 250, and 50 μm. Patterning was done by a UV lamp that produced UV light at wavelengths 254 and 190 nm. Patterning time was typically 60 min. The exposed areas were developed in 1:1 isopropyl alcohol/methyl isopropyl ketone solution for 5 s. Samples were rinsed with isopropyl alcohol and water and predried with nitrogen stream. Samples were dried in an oven at 100 ℃ for 60 min. After the ALD processes, the PMMA film was removed typically by ultrasonicating in warm acetone for 60 min. The patterned PMMA samples were tested in several ALD processes. Iridium18was deposited from Ir(acac)3 (acac ) 2,4-pentanedione) and O2 at 250 ℃ for 1000 cycles and at 300 ℃ for 500 cycles, platinum19from MeCpPtMe3 (Cp = cyclopentadienyl) and O2 at 300 ℃ for 2700 cycles, and ruthenium20 from RuCp2 (Cp = cyclopentadienyl) and air at 300 ℃ for 1000 cycles and at 350 ℃ for 500 cycles. Al2O3 was deposited by two processes: from AlCl3 and H2O at 250 and 300 ℃ for 500 cycles, and from trimethylaluminum (TMA) and H2O at 250 ℃ for 500 cycles. TiO2 was deposited from Ti(OMe)4 and H2O21 at 250 and 275 ℃ for 500 cycles. The films were grown in an F120 reactor (ASM Microchemistry, Ltd., Finland) and a SUNALE reactor (Picosun Oy, Finland). Nitrogen was used as a carrier and purging gas. The reactors were operated at pressures of about 10 mbar. The patterned films were studied with a Hitachi S-4800 field emission scanning electron microscope and INCA 350 EDX spectrometer. The film thicknesses were calculated from the EDX results using GMR electron-probe thin film microanalysis program22 using bulk densities for Ir, Pt, Ru, and anatase TiO2. The thicknesses of the Al2O3 films were calculated using a density of 2.8 g/cm3. Film thicknesses were measured from the dots which had a diameter of 500 μm.」 （第１５７９２頁左欄第８行～右欄第２０行、当審訳：「２％ＰＭＭＡ（Ａ１ｆａ Ａｅｓａｒ、平均Ｍｗ：３５００００）のトルエン溶液をスピンコーティングすることによって、ＰＭＭＡフィルムをシリコン（１００）表面上に作製した。作製後、サンプルをまずホットプレート上で１００℃で５分間焼成し、次にオーブンで１００℃で６０分間焼成し、溶媒を確実に除去した。ＰＭＭＡ膜の厚さをＨｉｔａｃｈｉ Ｕ－２０００分光光度計で測定したところ、７０～１００ｎｍであった。 ＵＶリソグラフィーによって、メカニカルマスクを介して、ＰＭＭＡフィルムにパターンを形成した。上記マスクは、直径が５００μｍ、２５０μｍ、５０μｍの３つのサイズの穴を有する。パターニングは、２５４ｎｍおよび１９０ｎｍの波長のＵＶ光を生成するＵＶランプを用いて行った。パターニング時間は通常６０分であった。露光領域をイソプロピルアルコール／メチルイソプロビルケトン（１：１）溶液中で５秒間現像した。サンプルをイソプロピルアルコールおよび水で洗浄し、窒素流で予備乾燥した。サンプルをオーブンで１００℃で６０分間乾燥させた。ＡＬＤプロセス後、通常、温アセトン中で６０分間超音波処理することによってＰＭＭＡフィルムを除去した。 パターンが形成されたＰＭＭＡサンプルについて、いくつかのＡＬＤプロセスで試験を行った。イリジウム１８は、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（ａｃａｃ＝２，４－ペンタンジオン）とＯ２を用いて、２５０℃、１０００サイクルおよび３００℃、５００サイクルで蒸着させ、プラチナ１９は、ＭｅＣｐＰｔＭｅ３（Ｃｐ＝シクロペンタジエニル）とＯ２とを用いて、３００℃、２７００サイクルで蒸着させ、ルテニウム２０は、ＲｕＣｐ２（Ｃｐ＝シクロペンタジエニル）と空気とを用いて、３００℃、１０００サイクルおよび３５０℃、５００サイクルで蒸着させた。Ａ１２Ｏ３は、ＡｌＣ１３とＨ２Ｏとを用いて２５０℃および３００℃で５００サイクル、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＨ２Ｏとを用いて２５０℃で５００サイクルの二工程で蒸着させた。ＴｉＯ２は、Ｔｉ（ＯＭｅ）４とＨ２Ｏ２１とを用いて２５０℃および２７５℃で５００サイクルで蒸着させた。これらの膜を、Ｆ１２０反応器（ＡＳＭ Ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｌｔｄ．、フィンランド）およびＳＵＮＡＬＥ反応器（Ｐｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ、フィンランド）内で成長させた。キャリアおよび置換ガスとして窒素を用いた。反応器は約１０ミリバールの圧力で操作した。上記パターンが形成された膜を、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ－４８００電界放出走査型電子顕微鏡とＩＮＣＡ ３５０ ＥＤＸ分光計を用いて分析した。膜厚を、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、およびアナターゼＴｉＯ２のかさ密度を用いたＧＭＲ電子プロープ薄膜微細分析プログラム２２ を用いて、ＥＤＸ結果から算出した。Ａ１２Ｏ３フィルムの厚さを、２．８ｇ／ｃｍ３の密度を用いて算出した。膜厚は直径５００μｍのドットから測定した。） 「Platinum film was grown at the temperature of 300 ℃ (Figure 2a). EDX measurement in Figure 2b shows that the PMMA film prevented the growth on top of the PMMA film and below it. PMMA film might have, however, affected the growth process of platinum. The thickness of platinum on the patterned areas was 71 nm, while it was expected to be 100 nm. The thickness might be smaller because patterned areas may have traces of polymer after the patterning process, which slows down the start of the growth process.」 （第１５７９３頁左欄第２５行～右欄第５行、当審訳：プラチナ膜を３００℃の温度で成長させた（図２ａ）。図２ｂのＥＤＸ測定は、ＰＭＭＡ膜がＰＭＭＡ膜の上部およびその下のプラチナ膜の成長を防止したことを示す。しかし、ＰＭＭＡ膜はプラチナ膜の成長プロセスに影響を及ぼした可能性がある。パターン化領域上のプラチナ膜の厚さは７１ｎｍであったが、１００ｎｍであると予想された。パターニングされた領域は、パターニングプロセス後にポリマーの痕跡を有することがあり、これにより成長プロセスの開始が遅くなるため、厚さはより小さくなり得る。） 「 ［図：0001405840000002.jpg］ Figure 2. (a) SEM micrograph of a patterned platinum film. Lighter areas are platinum and darker silicon. (b) EDX measured on a Pt dot, on the PMMA film after the Pt process, and on the Si surface after PMMA removal. 」 （当審訳：図２．（ａ）パターンが形成されたプラチナ膜のＳＥＭ顕微鏡写真。薄い部分はプラチナ、濃い部分はシリコンである。（ｂ）Ｐｔプロセス後のＰＭＭＡ膜の上側のＰｔドット、およびＰＭＭＡ除去後のＳｉ表面のＥＤＸ測定。） （２）上記（１）より、甲２には以下の技術事項が記載されている。 「ＰＭＭＡフィルムをシリコン（１００）表面上に作製した後、焼成して溶媒を確実に除去し、ＵＶリソグラフィーによって、ＰＭＭＡフィルムにパターンを形成し、露光領域を現像し、ＰＭＭＡフィルムを除去してパターンが形成されたＰＭＭＡサンプルについて、ＡＬＤプロセスでプラチナを蒸着させ、プラチナ膜を３００℃の温度で成長させた場合、ＰＭＭＡ膜がＰＭＭＡ膜の上部およびその下のプラチナ膜の成長を防止すること。」 ３ 甲３の記載 （１）甲３には以下の記載がある。 「【請求項１】 主鎖にケイ素原子を含まない２種以上の重合体を含有し、 上記２種以上の重合体のうちの少なくとも１種が、上記主鎖の末端に結合しかつヘテロ原子を含む基を有するパターン形成用自己組織化組成物。」 「【請求項７】 （１）請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のパターン形成用自己組織化組成物を用い、相分離構造を有する自己組織化膜を形成する工程、及び （２）上記自己組織化膜の一部の相を除去する工程 を有するパターン形成方法。」 「【０１０５】 ［（２）工程］ 本工程は、上記自己組織化膜１０５の一部の相を除去する工程である。この除去は、自己組織化により相分離した各相１０５ａ、１０５ｂのエッチングレートの差を利用することで、エッチング処理により行われる。図５は、相分離構造のうちの相１０５ａ及びプレパターン１０３を除去した後の状態を示している。」 （２）上記（１）より、甲３には以下の技術事項が記載されている。 「主鎖にケイ素原子を含まない２種以上の重合体を含有し、２種以上の重合体のうちの少なくとも１種が、主鎖の末端に結合しかつヘテロ原子を含む基を有するパターン形成用自己組織化組成物を用い、相分離構造を有する自己組織化膜を形成する工程、及び自己組織化膜の一部の相を除去する工程を有するパターン形成方法。」 第５ 当審の判断 １ 申立理由１（進歩性）について （１） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明の「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハ」は、パターン化されたＣｕ領域及びＳｉＯ２領域を有するウェーハであるから、本件発明１の「互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材」に相当し、甲１発明の「膜を」「「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハに付着させ」ることは、「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハ」を準備することを含むといえるから、本件発明１の「互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材を準備する工程」に相当する。 ｂ 甲１発明の「Ｃｕ表面に付着する親和性があるチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有する」ことは、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に存在するＣｕ原子に付着する親和性があるチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有することであるから、本件発明１の「上記基材における一部の領域」「の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する」ことに相当する。そして、甲１発明の「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマー」は重合体であるといえるから、甲１発明の「Ｃｕ表面に付着する親和性があるチオール（－ＳＨ）で構成される末端部位を有するブラシであり、Ｃｕに選択的にグラフトするＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜を、グラフトを行い、パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着させ」ることは、本件発明１の「上記基材における一部の領域の表面に、この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する」「膜を形成する工程」に相当する。 しかし、本件発明１が「塗膜を形成する工程」を備えるのに対し、甲１発明は「膜を」「付着させ」る方法が塗布であることが特定されていない点で、相違する。 ｃ 本件発明１は「上記塗膜形成工程後の基材の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層を形成する工程」を備えるのに対し、甲１発明は、「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域に酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製する」ものであり、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜」が形成された「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハ」の領域のうち、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域」に、スピンコートにより、原子層であることが特定されない酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製するものである点で、相違する。 ｄ 甲１発明の「Ｐ２ＶＰ」は、ポリ－２－ビニルピリジンポリマーであり、ビニル芳香族化合物である。よって、甲１発明の「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマー」は、本件発明１の「上記第１重合体が主鎖中に、ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸、及び（メタ）アクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種の単量体に由来する構造単位を有する」ことに相当する。 ｅ 甲１発明の「方法」は、「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシ」「が形成されていた領域に酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製する」ものであり、パターン化された酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を形成するものであるといえるから、本件発明１の「パターン形成方法」に相当する。 ｆ 上記ａ～ｅより、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材を準備する工程と、 上記基材における一部の領域の表面に、この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する膜を形成する工程と、 を備え、 上記第１重合体が主鎖中に、ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸、及び（メタ）アクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種の単量体に由来する構造単位を有する、 パターン形成方法。」 ＜相違点１＞ 本件発明１が「塗膜を形成する工程」を備えるのに対し、甲１発明は「膜を」「付着させ」る方法が塗布であることが特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は「上記塗膜形成工程後の基材の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層を形成する工程」を備えるのに対し、甲１発明は、「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハのＣｕ領域に選択的に付着されたＰ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシに、スピンコートされた金属硝酸塩のエタノール溶液を浸透させ、Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域に酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製する」ものであり、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜」が形成された「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハ」の領域のうち、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域」に、スピンコートにより、原子層であることが特定されない酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）膜を作製するものである点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点２から検討する。 甲２には、「パターンが形成されたＰＭＭＡサンプルについて、ＡＬＤプロセスでプラチナを蒸着させ、プラチナ膜を３００℃の温度で成長させた場合、ＰＭＭＡ膜がＰＭＭＡ膜の上部およびその下のプラチナ膜の成長を防止すること」、すなわち、蒸着法の一種であるＡＬＤプロセスでプラチナを蒸着した場合、パターン化されたＰＭＭＡ膜の下にはプラチナ膜が成長しないことが記載されている。 ここで、甲１発明は、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシの均一な膜」が形成された「パターン化されたＣｕ／ＳｉＯ２ウェーハ」の領域のうち、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域」に、スピンコートにより、酸化コバルト膜を作製するものであるところ、甲１発明のスピンコートを、甲２に記載のＡＬＤプロセスに変えた場合、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシ」の下、すなわち、「Ｐ２ＶＰ－ＳＨポリマーブラシが形成されていた領域」には、酸化コバルト膜が作製されないことになるから、そのようにする動機付けはなく、むしろ阻害要因があるといえる。 なお、甲３の記載事項は、上記の判断を左右するものではない。 よって、甲１発明に甲２及び３に記載された技術事項を適用して相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、甲２及び３に記載された技術事項を参照しても、甲１発明を、相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。よって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２～６について 本件特許の請求項２～６は、いずれも直接的又は間接的に請求項１を引用するものであり、本件発明２～６は本件発明１の構成を有するものであるから、本件発明２～６は、少なくとも相違点２の点で甲１発明と相違する。そして、相違点２については、上記（１）イにおいて検討したとおりであるから、本件発明２～６は、甲１発明と、甲２及び３に記載された技術事項とに基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）申立理由１についてのまとめ 上記（１）及び（２）のとおり、本件発明１～６は、甲１発明と、甲２及び３に記載された技術事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえない。 ２ 申立理由２（サポート要件）について （１）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載 ア 本件特許明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。（下線は、当審で付した。） 「【発明が解決しようとする課題】 ・・・（中略）・・・ 【０００７】 本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基材表面に簡便にかつ高い領域選択性で原子層を形成することができるパターン形成方法を提供することにある。」 「【００１２】 ＜パターン形成方法＞ 当該パターン形成方法は、基材準備工程と、塗膜形成工程と、原子層形成工程とを備える。 【００１３】 当該パターン形成方法は、上記各工程を備えることで、基材表面に簡便にかつ高い領域選択性で原子層を形成することができる。当該パターン形成方法が上記構成を備えることで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、当該パターン形成方法によれば、基材における一部の領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する［Ａ］重合体を用いることによって、図１に示すように、塗膜形成工程によって、オクタデシルホスホン酸等の低分子を用いた自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ－Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ（ＳＡＭ））によるＬａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いる場合と比較して、上記領域（Ｉ）の表面に、より短時間でより選択的に、蒸着法を用いた薄膜形成を抑制するブロッキング膜を形成することができる。その結果、原子層形成工程によって、上記領域（Ｉ）以外の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）に選択的に原子層（Ｙ）を形成することができる。このように、当該パターン形成方法によれば、基材表面に簡便にかつ高い領域選択性で原子層を形成することができる。 【００１４】 また、当該パターン形成方法は、上記原子層形成工程後に、上記原子層形成工程後の基材（Ｘ）における上記塗膜（Ｐ）とこの塗膜（Ｐ）の表面に形成された原子層（Ｙ）とをエッチングにより除去する工程（以下、「エッチング除去工程」ともいう）をさらに備えることが好ましい。 以下、各工程について説明する。 【００１５】 ＜基材準備工程＞ 本工程では、基材（Ｘ）を準備する。この基材（Ｘ）は、互いに異なる素材を含む複数の領域を表層に有する。各領域が含む素材が「互いに異なる」とは、各素材が組成、性質等において互いに区別することができ、表層における元素の存在形態が異なることなどを意味する。」 「【００２４】 基材（Ｘ）としては、表層に金属原子（ａ）が存在する領域（Ｉ）と、表層に金属原子（ａ）が存在せず実質的に非金属原子（ｂ）のみからなる領域（ＩＩ）とを有するものが好ましく、金属単体を含む領域（Ｉ）と、非金属酸化物を含む領域（ＩＩ）とを有するものがより好ましく、銅単体を含む領域（Ｉ）と、シリコンオキサイドを含む領域（ＩＩ）とを有するものがさらに好ましい。 ・・・（中略）・・・ 【００２７】 ＜塗膜形成工程＞ 本工程では、上記基材（Ｘ）における領域（Ｉ）の表面に、［Ａ］重合体を含有する塗膜（Ｐ）を形成する。この［Ａ］重合体は、主鎖又は側鎖の末端に基（Ｉ）を有する。この基（Ｉ）は、領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む。 【００２８】 本工程により、例えば表層に金属原子（ａ）を含む領域（Ｉ）の表面に、金属原子（ａ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を有する［Ａ］重合体を含有する塗膜（Ｐ）が選択的に形成される。」 「【００４９】 （構造単位（Ｉ）） ［Ａ１］重合体は主鎖中に通常、単量体（以下、「単量体（Ｉ）」ともいう）に由来する構造単位（以下、「構造単位（Ｉ）」ともいう）を有する。［Ａ１］重合体は、構造単位（Ｉ）を１種又は２種以上有していてもよい。 【００５０】 単量体（Ｉ）としては、例えばビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステル、置換又は非置換のエチレン等が挙げられる。」 「【００７１】 塗膜形成工程は、具体的には、例えば上記基材（Ｘ）の表面全体に、上記［Ａ］重合体及び溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）を含有する組成物（以下、「組成物（Ｓ）」ともいう）を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成された塗工膜（以下、「塗工膜（Ｑ）」ともいう）のうち上記領域（Ｉ）以外の領域（ＩＩ）に形成された部分をリンスにより除去する工程（以下、「リンス除去工程」ともいう）とを備える。 【００７２】 上記リンス除去工程前又は上記リンス除去工程後に、上記塗工工程後の基材（Ｘ）を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）を備えることが好ましい。 以下、各工程について説明する。」 「【００９２】 ＜原子層形成工程＞ 本工程では、上記塗膜形成工程後の基材（Ｘ）の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層（Ｙ）を形成する。」 イ 本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された課題 段落０００７には「本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基材表面に簡便にかつ高い領域選択性で原子層を形成することができるパターン形成方法を提供することにある。」と記載されており、本件発明が解決する課題は、基材表面に簡便にかつ高い領域選択性で原子層を形成することができるパターン形成方法を提供することであると認められる。 ウ 本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明 （ア）段落００１２には、「パターン形成方法は、基材準備工程と、塗膜形成工程と、原子層形成工程とを備える。」と記載され、基材準備工程と、塗膜形成工程と、原子層形成工程とを備えパターン形成方法が記載されている。 （イ）段落００１５には、「＜基材準備工程＞」について「本工程では、基材（Ｘ）を準備する。この基材（Ｘ）は、互いに異なる素材を含む複数の領域を表層に有する。」と記載され、互いに異なる素材を含む複数の領域を表層に有する基材（Ｘ）を準備する基材準備工程が記載されている。 （ウ）段落００２７には「＜塗膜形成工程＞」について「本工程では、上記基材（Ｘ）における領域（Ｉ）の表面に、［Ａ］重合体を含有する塗膜（Ｐ）を形成する。この［Ａ］重合体は、主鎖又は側鎖の末端に基（Ｉ）を有する。この基（Ｉ）は、領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む。」と記載され、基材（Ｘ）における領域（Ｉ）の表面に、領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体を含有する塗膜（Ｐ）を形成する塗膜形成工程が記載されている。 （エ）段落００４９には「重合体は主鎖中に通常、単量体（以下、「単量体（Ｉ）」ともいう）に由来する構造単位」「を有する。」と記載され、段落００５０には「単量体（Ｉ）としては」「ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステル」「が挙げられる。」と記載され、重合体は主鎖中にビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を有することが記載されている。」 （オ）段落００９２には「＜原子層形成工程＞」について、「本工程では、上記塗膜形成工程後の基材（Ｘ）の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層（Ｙ）を形成する。」と記載され、塗膜形成工程後の基材（Ｘ）の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層（Ｙ）を形成する原子層形成工程が記載されている。 （カ）よって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、以下の発明が記載されている。 「互いに異なる素材を含む複数の領域を表層に有する基材（Ｘ）を準備する基材準備工程と、 基材（Ｘ）における領域（Ｉ）の表面に、領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体を含有する塗膜（Ｐ）を形成する塗膜形成工程と、 塗膜形成工程後の基材（Ｘ）の表面に、蒸着法を用いた薄膜形成により原子層（Ｙ）を形成する原子層形成工程と、 を備え、 重合体は主鎖中にビニル芳香族化合物、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を有する、 パターン形成方法。」 （２）本件発明１について ア 上記（１）ウ（カ）に示した発明の詳細な説明に記載された発明は、本件発明１と同じ内容であるから、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明である。 イ 本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落００１３には、「当該パターン形成方法によれば、基材における一部の領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する［Ａ］重合体を用いることによって」、「塗膜形成工程によって、」「上記領域（Ｉ）の表面に、より短時間でより選択的に、蒸着法を用いた薄膜形成を抑制するブロッキング膜を形成することができる。その結果、原子層形成工程によって、上記領域（Ｉ）以外の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）に選択的に原子層（Ｙ）を形成することができる。」と記載されていること、及び、上記「基材における一部の領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する［Ａ］重合体を用いる」「塗膜形成工程」は、本件発明１の「上記基材における一部の領域の表面に、この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する塗膜を形成する工程」に対応することから、当業者は、本件発明１の構成により、「上記領域（Ｉ）の表面に、より短時間でより選択的に、蒸着法を用いた薄膜形成を抑制するブロッキング膜を形成することができ」、「原子層形成工程によって、上記領域（Ｉ）以外の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）に選択的に原子層（Ｙ）を形成することができ」、上記（１）イに示した課題を解決できることを理解できる。 ウ 上記ア及びイより、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 エ 申立人の主張について （ア）申立理由２－１について 本件発明１は、「第１重合体を含有する塗膜を形成する工程」を備える「パターン形成方法」であるから、「第１重合体」に、塗膜形成に使用できない重合体は含まれない。 また、本件発明１は「上記塗膜形成工程後の基材の表面に」「原子層を形成する工程」を備える「パターン形成方法」であり、「塗膜形成工程後の基材の表面」は、塗膜が形成された基材の表に露出する面であるから、本件発明１は、塗膜が形成された基材の表に露出する面に、原子層を形成するパターン形成方法であるといえる。そうすると、請求項１には、塗膜が形成された基材の領域に原子層は形成されないことが特定されているといえるから、請求項１に記載された「第１重合体」には、原子層の形成抑制効果がない塗膜を形成する重合体は含まれない。 そして、重合体の分子量や構造単位を必要に応じて適宜調整または変更できることは、本件特許の優先日当時における技術常識であるから、重合体を塗膜形成に使用できるものとするとともに、塗膜が形成された領域に原子層が形成されないよう、重合体の分子量や構造単位を設定することは、当業者が実施し得た範囲内のことである。 よって、申立理由２－１についての申立人の主張を採用することはできない。 （イ）申立理由２－２について 本件発明１は「この一部の領域の表層に存在する原子と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体を含有する塗膜を形成する工程」を備える「パターン形成方法」であるから、「第１官能基」は、全部の領域ではなく、「一部の領域」の表層に存在する原子と結合するものであるといえる。 よって、申立理由２－２についての主張を採用することはできない。 （ウ）申立理由２－３について 本件特許明細書の段落００１３には「基材における一部の領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する［Ａ］重合体を用いる」「塗膜形成工程によって」、「上記領域（Ｉ）の表面に、より短時間でより選択的に、蒸着法を用いた薄膜形成を抑制するブロッキング膜を形成することができる。その結果、原子層形成工程によって、上記領域（Ｉ）以外の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）に選択的に原子層（Ｙ）を形成することができる。」と記載され、薄膜形成を抑制するブロッキング層を短時間で選択的に形成できるのは、重合体が有する基の官能基の、基材における一部の領域（Ｉ）の表層に存在する原子（Ｉ）と結合するという特性によることが開示されている。そして、上記特性に鑑みれば、当業者は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された銅の単一素材からなる基板上とシリコンオキサイドの単一素材からなる基板上とに、組成物（Ｓ－１）又は組成物（Ｓ－２）を塗布した場合と同様の結果を、「互いに異なる素材を含む複数種の領域を表層に有する基材」を用いた場合にも得られることを、理解できる。 よって、申立理由２－３についての申立人の主張を採用することはできない。 オ 本件発明１についてのまとめ 上記イ～エより、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 （３）本件発明２～６について 請求項２～６は請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２については、段落００２４の「基材（Ｘ）としては・・・（中略）・・・金属単体を含む領域（Ｉ）と、非金属酸化物を含む領域（ＩＩ）とを有するものがより好ましく、銅単体を含む領域（Ｉ）と、シリコンオキサイドを含む領域（ＩＩ）とを有するものがさらに好ましい。」との記載から、本件発明３については、段落００２８の「金属原子（ａ）と結合する官能基（Ａ）を含む基（Ｉ）を有する［Ａ］重合体を含有する塗膜（Ｐ）が選択的に形成される。」との記載から、本件発明４については、段落００１４の「上記原子層形成工程後に、上記原子層形成工程後の基材（Ｘ）における上記塗膜（Ｐ）とこの塗膜（Ｐ）の表面に形成された原子層（Ｙ）とをエッチングにより除去する工程（以下、「エッチング除去工程」ともいう）をさらに備えることが好ましい。」との記載から、本件発明５については、段落００７１の「塗膜形成工程は、具体的には、例えば上記基材（Ｘ）の表面全体に、上記［Ａ］重合体及び溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）を含有する組成物（以下、「組成物（Ｓ）」ともいう）を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成された塗工膜（以下、「塗工膜（Ｑ）」ともいう）のうち上記領域（Ｉ）以外の領域（ＩＩ）に形成された部分をリンスにより除去する工程（以下、「リンス除去工程」ともいう）とを備える。」との記載から、本件発明６については、段落００７２の「上記リンス除去工程前又は上記リンス除去工程後に、上記塗工工程後の基材（Ｘ）を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）を備えることが好ましい。」との記載から、それぞれ発明の詳細な説明に記載されているといえる。 また、上記（２）イにおける本件発明１についての検討と同様に、当業者は、本件発明２～６が、上記（１）イに示した課題を解決することを理解するといえる。 （４）申立理由２についてのまとめ 上記（２）及び（３）のとおり、本件発明１～６は、発明の詳細な説明に記載した発明であり、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、申立理由２によっては取り消すことはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、本件の特許異議申立書に記載した特許異議申立理由及び証拠によっては、本件請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。