2023-700468

特許第７１６９４９２号発明「防汚層付き光学フィルム」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１６９４９２号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 特許第７１６９４９２号の請求項１～７に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１６９４９２号（以下「本件特許」という。）の請求項１～７に係る特許についての出願は、２０２１年（令和３年）７月１３日（優先権主張 令和２年７月１３日、令和２年８月３１日、令和２年１０月１日、令和２年１０月１日、令和２年１１月１６日）を国際出願日とする特許出願であって、令和４年１１月１日にその特許権の設定登録がなされ、同年１１月１０日に特許掲載公報が発行された。その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和５年 ５月 ２日 ：特許異議申立人 渡辺 陽子（以下「申立人」という。）による請求項１～７に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ７月１１日付け：取消理由通知 同年 ９月１２日 ：特許権者による訂正請求書、意見書の提出 同年１０月２４日 ：申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」といい、本件訂正の請求を「本件訂正請求」という。）の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示す。）。 ＜訂正事項＞ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２０以上である、」 と記載されているのを、 「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である、」 に訂正する。 また、請求項１の記載を引用する請求項２～７も同様に訂正をする。 ２ 一群の請求項 本件訂正前の請求項２～７は、訂正事項１に係る本件訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用しているところ、本件訂正前の請求項１～７は、一群の請求項であり、訂正事項の訂正は、当該一群の請求項〔１～７〕に対して請求されたものである。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 訂正の目的 訂正事項のうち、請求項１についての訂正は、「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」について 訂正前に「分析深さ１ｎｍでは２０以上」であったところ、訂正後には「分析深さ１ｎｍでは２２以上」とするものであって、その数値範囲をより狭い範囲に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項のうち、請求項２～７についての訂正は、訂正後の請求項１に記載された「分析深さ１ｎｍでは２２以上」の記載を引用することにより、訂正後の請求項２～７に係る発明をより狭い範囲に限定するものであることから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 なお、申立人は意見書において以下の点を主張する。 「分析深さ１ｎｍにおけるＳｉに対するＦの比率（「Ｆ／Ｓｉ比率」という。)２０～２２の範囲は、本件の出願明細書等において実体のない数値であり、特許請求の範囲の減縮に該当しない。」（意見書第４頁） しかしながら、本件訂正により、分析深さ１ｎｍにおけるＳｉに対するＦの比率の範囲が減縮されていることは明らかである。また、本件明細書の記載から、Ｆ／Ｓｉ比率が２０～２２を下回るものより、上回る方がより好ましいことが理解でき、２０～２２の範囲が実態のない数値ということはない。 よって、申立人の主張は採用できない。 （２） 新規事項の有無 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「特許明細書等」という。）には、次の記載がある。なお、「・・・」は文章の省略を表す。 「【００５３】 防汚層３０の表面３１（防汚層３０における透明基材１０とは反対側の表面）の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率（Ｆ／Ｓｉ，原子数比率）は、分析深さ１ｎｍにおいて、２０以上であり、好ましくは２２以上、より好ましくは２４以上、更に好ましくは２６以上である。・・・」 「【００７０】 光学フィルムＦでは、上述のように、防汚層３０の表面３１の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率（Ｆ／Ｓｉ，原子数比率）は、分析深さ１ｎｍにおいて、２０以上であり、好ましくは２２以上、より好ましくは２４以上、更に好ましくは２６以上である。・・・」 してみれば、防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率について、「分析深さ１ｎｍでは２２以上」とすることは、特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項を追加するものではない。 （３） 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、発明特定事項をより限定するものであり、カテゴリーや対象を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 ４ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について、訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で説示したように本件訂正請求は認められるから、本件訂正後の請求項１～７に係る発明（以下「本件発明１」等といい、また「本件発明」ということもある。）は、特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 透明基材と防汚層とを厚さ方向に順に備え、 前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である、防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項２】 前記防汚層における前記比率が、分析深さ１ｎｍから分析深さ５ｎｍにかけて単調減少する、請求項１に記載の防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項３】 前記防汚層が、パーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する、請求項１または２に記載の防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項４】 前記防汚層がドライコーティング膜である、請求項１から３のいずれか一つに記載の防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項５】 前記透明基材と前記防汚層との間に無機酸化物下地層を備え、当該無機酸化物下地層上に前記防汚層が配置されている、請求項１から４のいずれか一つに記載の防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項６】 前記無機酸化物下地層が二酸化ケイ素を含む、請求項５に記載の防汚層付き光学フィルムロール。 【請求項７】 前記無機酸化物下地層における前記防汚層側の表面が、０.５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の表面粗さＲａを有する、請求項５または６に記載の防汚層付き光学フィルムロール。」 第４ 取消理由について １ 取消理由の概要 取消理由通知で通知した取消理由の要旨は次のとおりである。 （同日出願）：下記の請求項１～７に係る発明は、同日出願された特願２０２２－１７２１６９号（特許第７２１９８４９号（申立人が提出した甲第９号証）。以下「同日出願」ともいう。）に係る発明と同一と認められ、かつ、前記同日出願に係る発明は特許されており協議を行うことができないから、下記の請求項に係る特許は、特許法第３９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 （１）請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。他の請求項についても同様とする。）について 本件発明１と、同日出願の請求項１に係る発明とを対比すると、前者は「防汚層付き光学フィルムロール」であるのに対し、後者は「防汚層付き光学フィルム」である点でのみで相違し、その余の点で一致する。 上記相違点について検討する。 光学フィルムの分野において、光学フィルムをロール状とすることは広く一般的なことであり、該相違点は、課題解決のための具体化手段における微差である。 なお、本件発明１と同日出願の請求項１に係る発明とは、光学フィルム自体の構成に異なるところはない。 そうしてみると、本件発明１と、同日出願の請求項１に係る発明とは実質的に同一である。 （２）本件発明２～７について 本件発明２～７と、同日出願の請求項２～７に係る発明とは、それぞれ上記（１）で述べた相違点でのみ相違する。 したがって、本件発明２～７と、同日出願の請求項２～７に係る発明とは、それぞれ実質的に同一である。 ２ 判断 本件訂正により、本件発明１と同日出願の請求項１に係る発明とは実質的に同一ではなくなり、また、訂正後の請求項２～７についても同様に、本件発明１と同日出願の請求項２～７に係る発明とは実質的に同一ではなくなったため、上記取消理由については、解消した。 第５ 取消理由通知で採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立理由 （１）新規性、進歩性について 本件発明１～７は、甲第１号証に記載された発明であり、本件発明１～６は、甲第２号証又は甲第３号証に記載された発明であり、また、本件発明１～７は、甲第１号証～甲第３号証のいずれかに記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 甲第１号証：国際公開第２０１４／１２９３３３号 甲第２号証：特開２０１３－１５５３９９号公報 甲第３号証：特開２００２－６１０３号公報 甲第４号証：特開平７－４０４５７号公報 甲第５号証：“ダイキン化学_オプツールシリーズ”，［online］，ダイキン工業株式会社，［２０２３年４月６日検索］，インターネット ＜URL：https://www.daikinchemicals.com/jp/solutions/products/optool-anti-smudge-coating.html＞ 甲第６号証：特開２０２０－６０６５７号公報 甲第７号証：特開２００７－２２３１０１号公報 甲第８号証：特開２０１９－１１６０９７号公報 （以下、甲第１号証を「甲１」という。以下、他の甲各号証についても同様とする。） （２）サポート要件について 本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）には、発明の課題が「本発明は、防汚層の防汚性の低下を抑制するのに適した、防汚層付き光学フィルムを提供する」ことと記載されている（【０００５】）。 しかしながら、以下（ｉ）～（ｉｉｉ）の点から、本件訂正前の請求項１～７に係る発明は、発明の課題を達成しえない態様を包含しており、サポート要件を満足していない。 （ｉ）「分析深さ１ｎｍ」における「Ｆ／Ｓｉ比率」について 請求項１では「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２０以上である」と特定しているが、発明の詳細な説明には、オプツールＵＤ５０９とＫＹ１９０３－１を用いた実施例しかなく、それ以外の無数のフッ素ケイ素化合物で、Ｆ／Ｓｉ比率が分析深さ１ｎｍで２０以上であれば発明の課題を解決しうるとは到底考えられない。 （ｉｉ）「Ｆ／Ｓｉ比率２０以上」について 請求項１では、「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２０以上である」と特定しているが、発明の詳細な説明に記載された比較例２では、Ｆ／Ｓｉ比率（１ｎｍ深さ）が１８．７と「２０」に 近いにも拘わらず水接触角が７０°と極めて低いことから、Ｆ／Ｓｉ比率（１ｎｍ深さ）＝２０の場合に水接触角が「有意に」大きいとは到底考えられない。 （ｉｉｉ）プラズマ処理について 防汚層の防汚性の低下を抑制するためには、防汚層の接着性が大きく影響するものと考えられ、発明の詳細な説明には、ハードコート層付きＴＡＣフィルム表面をプラズマ処理することで水接触角の低下の程度を小さくしたことが記載されている (【００７７】、【表１】)が、本件訂正前の請求項１は、プラズマ処理を特定していない。 （３）実施可能要件について 以下（ｉ）～（ｉｉｉ）の点から、本件訂正前の請求項１～７に係る発明について、発明の詳細な説明は、実施可能要件を満足していない。 （ｉ）「分析深さ１ｎｍ」における「Ｆ／Ｓｉ比率」について 本件訂正前の請求項１では、分析深さ１ｎｍでのＦ／Ｓｉ比率が２０以上であることを特定しているが、発明の詳細な説明には、オプツールＵＤ５０９とＫＹ１９０３－１を用いて防汚層を形成した例しかなく、他の無数の防汚剤が当該特定範囲に該当するか否か、発明の課題を解決するか否か、を検証するために当業者に過度な試行錯誤を強いることになる。 （ｉｉ）プラズマ処理について 本件明細書に記載された実施例２はプラズマ処理を行っていないにも拘わらず「Ｆ／Ｓｉ」が３７．８と最も高くなっており、また、比較例１はワークフィルムを一旦巻き取ることにより、「Ｆ／Ｓｉ」が１．３と極めて低くなっているが、それらの理由が不明である。すなわち、どのような材料を用いてどのように処理すれば水接触角の低下を抑制できるのかについての実施例及 び比較例が極めて少なく、また、技術常識と必ずしも一致せず、当業者が実施できる程度に説明されていない。 （ｉｉｉ）比較例２について 本件明細書の比較例２では、防汚層におけるＦ／Ｓｉ比率が、分析深さ１ｎｍで１８．７と、 深さ２ｎｍの２１．３より減少している。ドライ及びウェットコーティングのいずれの成膜方法でも最表面ではＦ原子が現出すると考えられるが、比較例２ではＳｉが他の例と比較して最表面に現出し、Ｆ／Ｓｉ比率が減少しており、その理由が不明であることから、Ｆ／Ｓｉ比率（１ｎｍ深さ）を調整するために過度な試行錯誤を要する。 （４）明確性について 本件訂正前の請求項１は、「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２０以上である」と特定しているが、その技術的意義が不明確であり（該発明特定事項が物として何を意味し、どのような特性・作用効果を備えるのか）、従来技術と比較できる程度に、防汚性の低下を抑制するための課題解決手段が記載されているといえない。 ２ 新規性、進歩性に係る申立理由についての判断 （１）証拠の記載事項等 ア 甲１ （ア） 甲１の記載事項 甲１には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は参考のため当審で付与した。以下同じ。）。 「[０００１] 本発明は、光学部品に関する。」 「[０００８] 本発明は上記従来技術が有する問題に鑑み、透明基体上に、低反射膜、防汚膜が積層された光学部品において、防汚膜の耐久性を高めた光学部品を提供することを目的とする。」 「[０００９] 上記課題を解決するため本発明は、透明基体と、 前記透明基体上に積層された低反射膜と、 前記低反射膜上に積層された防汚膜と、を有しており、 前記防汚膜の表面粗さＲａが３ｎｍ以下である光学部品を提供する。」 「[００１０] 本発明においては、透明基体上に、低反射膜、防汚膜が積層された光学部品において、防汚膜の耐久性を高めた光学部品を提供できる。」 「[００１５] 本実施形態の光学部品について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態の光学部品１０の断面図を模式的に示したものであり、透明基体１１上に低反射膜１２と、該低反射膜１２上に防汚膜１３が積層された構成を有している。・・・」 「[００９７] まず、防汚膜材料Ａ（ダイキン社製、商品名：オプツール（登録商標）ＤＳＸ剤）を加熱容器内に導入した。その後、加熱容器内を真空ポンプで１０時間以上脱気して溶液中の溶媒除去を行って、フッ素含有有機ケイ素化合物被膜形成用の組成物とした。」 「[０１３９] [表１] ［図：0001409116000001.jpg］ 」 「[００４９] 次に防汚膜１３について説明する。防汚膜１３はフッ素含有有機ケイ素化合物により構成できる。 [００５０] ここで、フッ素含有有機ケイ素化合物について説明する。本実施形態で用いるフッ素含有有機ケイ素化合物としては、防汚性、撥水性、撥油性を付与するものであれば特に限定されず使用できる。 [００５１] このようなフッ素含有有機ケイ素化合物としては例えば、ポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物を好ましく利用できる。なお、ポリフルオロポリエーテル基とは、ポリフルオロアルキレン基とエーテル性酸素原子とが交互に結合した構造を有する２価の基のことである。 [００５２] このポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物の具体例としては、下記一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物等が挙げられる。」 「[００５８][化２] ［図：0001409116000002.jpg］ 式（ＩＶ）中、Ｒｆ２は、－（ＯＣ３Ｆ６）ｓ－（ＯＣ２Ｆ４）ｔ－（ＯＣＦ２）ｕ－（ｓ、ｔ、ｕはそれぞれ独立に０～２００の整数）で表わされる２価の直鎖状ポリフルオロポリエーテル基であり、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立に炭素原子数１～８の一価炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基等）である。Ｘ２、Ｘ３は独立に加水分解可能な基（例えば、アミノ基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルケニルオキシ基、イソシアネート基等）またはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）であり、ｄ、ｅは独立に１～２の整数であり、ｃ、ｆは独立に１～５（好ましくは１～２）の整数であり、ａおよびｂは独立に２または３である。」 （イ） 甲１の図示事項 [図１] 「 ［図：0001409116000003.jpg］ 」 （ウ） 甲１の認定事項 甲１の[００１５]及び[図１]から、光学部品１０は、透明基体１１上に防汚膜１３が積層された構成を有しているといえる。 （エ） 甲１に記載された発明 上記（ア）～（ウ）から、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「透明基体１１上に低反射膜１２と、該低反射膜１２上に防汚膜１３が積層された、光学部品１０。」 イ 甲２ 甲２には、図面とともに以下の事項が記載されている。 （ア） 甲２の記載事項 「【０００１】 本発明は、防汚膜付き基体およびその製造方法に関する。」 「【０００７】 本発明は、撥水性等の防汚性に優れるとともに、繰り返しの拭き取り操作等に対して防汚性の低下が抑制された耐摩耗性に優れる、含フッ素有機ケイ素化合物被膜を有する防汚膜付き基体およびその製造方法の提供を目的とする。」 「【００１８】 図１は、本発明の防汚膜付き基体の一実施形態を示す断面図である。実施形態の防汚膜付き基体１は、透明基体２と、この透明基体１の主面に形成された酸化ケイ素膜３と、この酸化ケイ素膜３の表面に形成された含フッ素有機ケイ素化合物被膜４とを有する。・・・」 （イ） 甲２の図示事項 【図１】 「 ［図：0001409116000004.jpg］ 」 （ウ） 甲２の認定事項 甲２の【００１８】及び【図１】から、防汚膜付き基体１は、透明基体２の主面に形成された酸化ケイ素膜３と、この酸化ケイ素膜３の表面に形成された含フッ素有機ケイ素化合物被膜４とを有しているといえる。 （エ） 甲２に記載された発明 上記（ア）～（ウ）から、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「透明基体２の主面に形成された酸化ケイ素膜３と、この酸化ケイ素膜３の表面に形成された含フッ素有機ケイ素化合物被膜４とを有する、防汚膜付き基体１。」 ウ 甲３ 甲３には、図面とともに次の事項が記載されている。 （ア） 甲３の記載事項 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ（液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイ等）の表示画面表面に適用される反射防止フィルム、光学機能性フィルム及びこれらを有する表示装置に関するものである。」 「【００１１】本発明は、以上のような従来技術の課題を解決しようとするものであり、擦過による反射防止層の表面に傷が付きにくく、反射防止層の剥離のない反射防止フィルムを提供することを目的とする。」 「【００２２】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも片面に、ハードコート層、プライマー層、反射防止層、防汚層を形成し、反射防止層が高屈折率層と低屈折率層を交互に積層し、積層数が４層の場合を図１に示す。」 「【００８５】 【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の反射防止フィルムの一例を示す断面図である。 ・・・ 【符号の説明】 １：透明プラスチックフィルム基材 ２：ハードコート層 ３：プライマー層 ４：反射防止層 ４－ａ：高屈折率層 ４－ｂ：低屈折率層 ５：防汚層 ６：反射防止フィルム」 （イ） 甲３の図示事項 【図１】 「 ［図：0001409116000005.jpg］ 」 （ウ） 甲３の認定事項 甲３の【００２２】、【００８５】及び【図１】から、反射防止フィルム６において、透明プラスチックフィルム基材１の少なくとも片面に、ハードコート層２、プライマー層３、反射防止層４、防汚層５を厚さ方向に順に形成しているといえる。 （エ） 甲３に記載された発明 上記（ア）～（ウ）から、甲３には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「透明プラスチックフィルム基材１の少なくとも片面に、ハードコート層２、プライマー層３、反射防止層４、防汚層５を厚さ方向に順に形成した、反射防止フィルム６。」 エ 甲４ 甲４には、図面とともに次の事項が記載されている。 （ア） 甲４の記載事項 「【請求項４】コーティング物品の表面をＸ線光電子分光法で測定し、表面からの光電子脱出角度が９０度のときの分析値が、炭素数を１としたときの原子数割合で、フッ素原子が０．６５以上、２．５以下の範囲、酸素原子が０．０１以上、８．５以下の範囲、硅素原子が０以上、４．３以下の範囲になり、表面からの光電子脱出角度が６０度のときの分析値で炭素数を１としたときの原子数割合が、フッ素が０．６５以上、２．８以下の範囲、酸素原子が０．０１以上、４．３以下の範囲、硅素原子が０以上、２．２以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載のコーティング物品。」 「【００１４】被膜の塗布状態は、接触角、反射干渉色による間接的測定の他に、透過型電子顕微鏡による断面の観察や、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ，ＸＰＳ）で表面の元素分析を行うことにより確認できる。Ｘ線電子分光法では、表面近傍を構成する原子の種類、濃度および結合状態を分析することができる。Ｘ線を試料表面にあてる角度により、１０ｎｍまでの深さの化学構造を知ることができる。有機物の場合は、９０度で約１０ｎｍの深さまで、６０度で約５ｎｍの深さまで分析できる。」 「【表２】 ［図：0001409116000006.jpg］ 」 （イ） 甲４の認定事項 甲４の【請求項４】、【００１４】、【表２】から、コーティング物品の表面をＸ線光電子分光法で測定し、表面からの光電子脱出角度が９０度で約１０ｎｍの深さまで、６０度で約５ｎｍの深さまで分析できるといえる。また、表２には、検出角度９０度の場合と、検出角度６０度の場合の、「Ｆ／Ｃ」、「Ｓｉ／Ｃ」比率が示されている。 （ウ） 甲４に記載された事項 上記（ア）、（イ）から、甲４には、次の事項（以下「甲４記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「コーティング物品の表面をＸ線光電子分光法で測定し、表面からの光電子脱出角度が９０度で約１０ｎｍの深さまで、６０度で約５ｎｍの深さまで分析できること。また、検出角度９０度の場合と、検出角度６０度の場合の「Ｆ／Ｃ」、「Ｓｉ／Ｃ」比率が示されていること。」 オ 甲５ 甲５には、ダイキン工業 オプツールシリーズに関し、オプツールＤＳＸ－Ｅについて、次の事項（以下「甲４記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「 ［図：0001409116000007.jpg］ 」 カ 甲６、甲７ 甲６の【００２３】、【００４５】、【００７９】、【００８７】～【００８９】の記載、また、甲７の【００５５】、【００５９】から、甲６、甲７には、次の事項（以下「甲６記載事項」及び「甲７記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「防汚層付きの反射防止積層体がロールトゥロール形式で製造されていること。」 （２）甲１発明に基づく新規性、進歩性について ア 本件発明と甲１発明を、その機能、構造又は技術的意義を考慮して対比する。 甲１発明の「透明基体１１上に低反射膜１２と、該低反射膜１２上に防汚膜１３が積層され」ることは、本件発明１の「透明基材と防汚層とを厚さ方向に順に備え」ることに相当する。 また、甲１発明の「光学部品１０」と、本件発明１の「防汚層付き光学フィルムロール」とは、いずれも防汚層を備えた光学部品であることから、「防汚層付き光学部品」の限りにおいて一致する。 以上を総合すると、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下の点のとおりである。 ＜一致点＞ 「透明基材と防汚層とを厚さ方向に順に備えた、 防汚層付き光学部品。」 ＜相違点１＞ 本件発明１では「防汚層における透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である」のに対し、甲１発明では「分析深さ１ｎｍにおける」「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」が明らかでない点。 ＜相違点２＞ 「防汚層付き光学部品」に関して、本件発明１では、「防汚層付き光学フィルムロール」であるのに対し、甲１発明では、光学部品１０である点。 イ 事案に鑑み、相違点１について検討する。 甲１の他の記載を参照しても、甲１発明における「防汚層における透明基材とは反対の表面側」が「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である」点については、記載も示唆もされておらず、技術常識でもないから、実質的な相違点である。 ウ 上記相違点１に関し、「（１）ア（ア）」の記載から、甲１に記載された防汚膜として「ダイキン社製、商品名：オプツール（登録商標）ＤＳＸ剤」が使用され、防汚膜を形成するフッ素含有有機ケイ素化合物として、上記化合物（ＩＶ）が記載されていることが理解できるものの、「防汚層における透明基材とは反対の表面側」が「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である」点については、他の証拠（甲４記載事項～甲７記載事項）を勘案しても、そのような構成を動機付ける証拠が示されていない。 そうすると、甲１発明において、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものではない。 エ よって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明及び甲４～甲７記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、本件発明２～７は、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるところ、本件発明１が甲１発明ではなく、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２～７は甲１発明ではなく、本件発明２～７は甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 甲２発明又は甲３発明に基づく新規性、進歩性について 本件発明１と甲２発明又は甲３発明と対比すると、甲１発明と同様、本件発明１の「防汚層における透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である」との構成が特定されていないことで相違する。 そして、この構成を動機付ける証拠は示されていない。 よって、本件発明１～６は甲２発明又は甲３発明ではなく、本件発明１～７は甲２発明及び甲４～甲７記載事項に基いて、又は甲３発明及び甲４～甲７記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ サポート要件に係る申立理由についての判断 本件明細書の段落【０００５】の記載を参照すると、本発明は「防汚層の防汚性の低下を抑制するのに適した、防汚層付き光学フィルムを提供する」ことが、発明が解決しようとする課題である。 ここで、発明の詳細な説明には以下の記載がある。 「【００７０】光学フィルムＦでは、上述のように、防汚層３０の表面３１の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率（Ｆ／Ｓｉ，原子数比率）は、分析深さ１ｎｍにおいて、２０以上であり、好ましくは２２以上、より好ましくは２４以上、更に好ましくは２６以上である。また、前記比率は、分析深さ１ｎｍから分析深さ５ｎｍにかけて、好ましくは単調減少する。これら構成は、表面３１において、有機フッ素化合物の末端フッ化アルキル基に起因する高い疎水性と高い疎油性との重畳的発現により、優れた防汚性を発現させるのに適する。加えて、比率（Ｆ／Ｓｉ）に関する上記構成は、表面３１において末端フッ化アルキル基が配向性高く緻密に配置される状態を確保するのに適する。表面３１において末端フッ化アルキル基が配向性高く緻密に配置されるほど、表面３１の劣化が抑制され、従って、防汚層３０の防汚性の低下が抑制される。」 他方、本件発明１は「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２２以上である」と記載されているように、「分析深さ１ｎｍ」における「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」を特定の数値範囲に特定することにより、これを解決したものと理解でき、当該「Ｓｉに対するＦの比率」に係る数値範囲では、課題を解決できないとする証拠等もない。 そうすると、本件発明１～７は、当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものであるから、発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、申立人のサポート要件に係る主張は採用できない。 ３ 実施可能要件に係る申立理由についての判断 本件特許の請求項１で特定されている、「分析深さ１ｎｍ」における「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」の要件を満足する「防汚層」については、本件明細書の発明の詳細な説明の【００７５】～【００８５】、【００９２】【表１】に、実施例１～２及び比較例１～２が示されており、また、【００８６】～【００９１】の防汚層における分析、測定手法、及び試験方法も開示されている。 そうしてみると、本件特許の請求項１において特定されている「分析深さ１ｎｍ」における「前記防汚層における前記透明基材とは反対の表面側の、Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」の要件を満足する「防汚層」を構成するにあたり、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を要するものでもない。 よって、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであり、申立人の実施可能要件に係る主張は採用できない。 ４ 明確性に係る申立理由についての判断 請求項１の「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率が、分析深さ１ｎｍでは２０以上である」なる記載は、「防汚層における前記透明基材とは反対の表面側」の「分析深さ１ｎｍ」において「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」を特定するものであり、「Ｘ線光電子分光法での元素分析によって検出されるＳｉに対するＦの比率」について何ら不明確な点はないから、請求項１に係る発明及びこれを直接又は間接的に引用する請求項２～７に係る発明は、明確である。 よって、申立人の明確性に係る主張は採用できない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項１～７に係る特許を取り消すことはできない。また、他に本件特許の請求項１～７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり、決定する。