2023-700319

特許第７１４３９６０号発明「窒化珪素基板およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１４３９６０号の請求項１～４に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１４３９６０号の請求項１～５に係る特許についての出願は、令和４年２月２５日に出願した特願２０２２－２７４３６号（以下、「本件特許に係る原出願」という。）の一部を令和４年３月１１日に新たな特許出願としたものであって、同年９月２０日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２９日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１～４に係る特許に対し、令和５年３月２８日に特許異議申立人 青木 眞理（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 特許第７１４３９６０号の請求項１～４の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１～４」といい、まとめて、「本件発明」ともいう。）は、その特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板であって、 平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状であり、 熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、 前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５である、窒化珪素基板。 【請求項２】 請求項１に記載の窒化珪素基板において、 ０＜ΔＥ＊ａｂ≦０．８である、窒化珪素基板。 【請求項３】 請求項１または２に記載の窒化珪素基板において、 前記中央部と前記縁部のそれぞれの明度は、７０以上である、窒化珪素基板。 【請求項４】 請求項１または２に記載の窒化珪素基板において、 前記中央部と前記縁部のそれぞれの彩度は、１０以上である、窒化珪素基板。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第２号証を提出し、以下の理由により、請求項１～４に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（サポート要件） 本件発明１～４は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１～４に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１～４は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲第１号証： ［図：0001399421000001.jpg］ 、［online］、平成３０年９月８日、［令和５年３月２２日検索］、インターネット<URL:https://web.archive.org/web/20180907235120/https://www.sic.cas.cn/xwzx/kydt/201808/t20180831_5061676.html 甲第２号証：特許第６３９９２５２号 第４ 申立理由１（サポート要件） １ 本件特許の願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」ともいう。）には以下の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、窒化珪素基板およびその製造技術に関し、例えば、熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素基板およびその製造技術に適用して有効な技術に関する。」 「【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【００１０】 以上のように、窒化珪素基板の表面に色むらがあると、精度の高い外観検査を実施することが困難になることがわかる。したがって、外観検査を精度良く実施するためには、窒化珪素基板の表面に生じる色むらを低減することが重要である。 【００１１】 発明の目的は、窒化珪素基板の表面に生じる色むらを低減することにある。」 「【課題を解決するための手段】 【００１２】 一実施の形態における窒化珪素基板は、シート状の成形体に含まれる珪素を窒化してなる窒化珪素基板であって、第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有する。ここで、第１面と第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、ΔＥ＊ａｂ≦１．５である。」 「【発明の効果】 【００１４】 一実施の形態によれば、窒化珪素基板の表面に生じる色むらを低減できる。」 「【００３４】 ＜関連技術の説明＞ まず、窒化珪素基板を製造する関連技術について説明する。 【００３５】 本明細書でいう「関連技術」とは、公知技術ではないが、本発明者が見出した課題を有する技術であって、本願発明の前提となる技術である。 ・・・ 【００４０】 上述した関連技術で製造される窒化珪素基板の熱伝導率は、９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。」 「【００６４】 以上のようにして、窒化珪素基板を製造することができる。特に、本実施の形態における窒化珪素基板の製造方法によれば、純度の高い珪素粉末を使用していることから、例えば、熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素基板を製造することができる。ただし、本発明者が検討したところ、上述した窒化珪素基板の製造方法には、改善の余地が存在することが明らかになったので、以下では、この点について説明する。」 「【００７６】 ＜具体的態様＞ 以下では、この基本思想を具現化した具体的態様について説明する。 【００７７】 前記「＜実施の形態における窒化珪素基板の製造方法＞」に記載の方法で実施例１、実施例２及び比較例の窒化珪素基板を製造した。各窒化珪素基板は、第１面と、第２面とを有しており、平面形状は、矩形形状であった。各窒化珪素基板の各辺の長さは、長辺２００ｍｍ、短辺１４０ｍｍであった。各窒化珪素基板の厚さは、０．３２ｍｍであった。 【００７８】 各窒化珪素基板を製造するとき、珪素、希土類酸化物、マグネシウム化合物の合計に対して希土類酸化物のモル比は１．２ｍｏｌ％であり、マグネシウム化合物のモル比は９．８ｍｏｌ％であった。 【００７９】 実施例１の窒化珪素基板を製造するとき、窒化工程Ｓ２０４において、加熱時間の経過とともに順次ステップ状に加熱温度を上昇させる態様で、最高加熱温度まで加熱温度を上昇させた。最高加熱温度は１４００℃であった。１２７０℃から１３４０℃までの昇温範囲における加熱温度の傾きの平均は、２．９９℃／ｈであった。図７は、所定の温度領域における成形体の実測温度、炉の実測温度、及び、成形体と炉との温度差を示す。図７における横軸は、加熱温度となる炉の実測温度が１３００℃付近に到達した基準時からの経過時間を示す。炉の実測温度が１３００℃近傍のとき、炉の実測温度と炉内の成形体の温度との温度差は、２０℃以下となっていた。実施例１では、窒化処理における成形体の急激な昇温が生じておらず、「熱暴走」は生じていなかった。実施例１の窒化珪素基板の熱伝導率は１２９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。 【００８０】 実施例２の窒化珪素基板を製造するとき、窒化工程Ｓ２０４において、加熱時間の経過とともに順次ステップ状に加熱温度を上昇させる態様で、最高加熱温度まで加熱温度を上昇させた。最高加熱温度は１４００℃であった。１２７０℃から１３４０℃までの昇温範囲における加熱温度の傾きの平均は、３．０２℃／ｈであった。図８は、所定の温度領域における成形体の実測温度、炉の実測温度、及び、成形体と炉との温度差を示す。図８における横軸は、加熱温度となる炉の実測温度が１３００℃付近に到達した基準時からの経過時間を示す。炉の実測温度が１３００℃近傍のとき、炉の実測温度と炉内の成形体の温度との温度差は、２０℃以下となっていた。実施例２では、窒化処理における成形体の急激な昇温が生じておらず、「熱暴走」は生じていなかった。実施例２の窒化珪素基板の熱伝導率は１２６Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。 【００８１】 比較例の窒化珪素基板を製造するとき、窒化工程Ｓ２０４において、加熱時間の経過とともに順次ステップ状に加熱温度を上昇させる態様で、最高加熱温度まで加熱温度を上昇させた。最高加熱温度は１４００℃であった。１２７０℃から１３４０℃までの昇温範囲における加熱温度の傾きの平均は、４．６７℃／ｈであった。図９は、所定の温度領域における成形体の実測温度、炉の実測温度、及び、成形体と炉との温度差を示す。図９における横軸は、加熱温度となる炉の実測温度が１３００℃付近に到達した基準時からの経過時間を示す。炉の実測温度が１３００℃近傍のとき、炉の実測温度と炉内の成形体の温度との温度差が２０℃を超えて最大４４．９℃となっていた。すなわち、比較例では、窒化処理における急激な成形体の昇温が生じて、「熱暴走」が発生していた。比較例の窒化珪素基板の熱伝導率は１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。」 「【００９３】 ＜＜＜色差ΔＥ＊ａｂ＞＞＞ 「色差ΔＥ＊ａｂ」とは、基準色との色の差を示す指標であり、「明度Ｌ＊」、「クロマティクネス指数ａ＊」および「クロマティクネス指数ｂ＊」に基づいて算出される。 【００９４】 図１１は、窒化珪素基板１００を模式的に示す図であり、「位置１」は中央部に相当する領域を示している一方、「位置２」、「位置３」、「位置４」および「位置５」は４つの縁部に相当する領域を示している。本実施の形態では、「位置１」の色を基準色として、「位置２」～「位置５」における「色差ΔＥ＊ａｂ」を算出している。 【００９５】 具体的に、「位置１」～「位置５」は、以下に示す位置として定義される。 「位置１」：表面において、対角線が交差する位置 「位置２」：表面において、角部ＣＮＲ１から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置３」：表面において、角部ＣＮＲ２から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置４」：表面において、角部ＣＮＲ３から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置５」：表面において、角部ＣＮＲ４から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 【００９６】 なお、測定範囲は、「位置１」～「位置５」のそれぞれの位置を中心とした２０ｍｍ×２０ｍｍの領域である。」 「【００９７】 ＜＜色むらの検証結果＞＞ 以下では、上述した「色空間」の構成パラメータを使用して、サンプル＃１～サンプル＃４についての色むらの検証を行ったので、この検証結果について説明する。 【００９８】 「サンプル＃１」は、実施例１の加熱条件で窒化処理を行って製造された窒化珪素基板であり、「サンプル＃２」は、実施例２の加熱条件で窒化処理を行って製造された窒化珪素基板である。また、「サンプル＃３」および「サンプル＃４」は、比較例の加熱条件で窒化処理を行って製造された窒化珪素基板である。 【００９９】 【表１】 ［図：0001399421000002.jpg］ 【０１００】 表１は、「サンプル＃１」～「サンプル＃４」に関する色むらの検証結果を示す表である。表１に示すように、「サンプル＃１」～「サンプル＃４」のいずれにおいても、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を実現できている。 【０１０１】 ただし、比較例を示す「サンプル＃３」および「サンプル＃４」において、「色差ΔＥ＊ａｂ」は、１．５よりも大きくなっている位置が存在している。これは、比較例における窒化処理の加熱条件で製造された窒化珪素基板では、高い熱伝導率を得ることができる一方で、色むらが顕在化することを意味している。 【０１０２】 これに対し、実施例１を示す「サンプル＃１」において、「色差ΔＥ＊ａｂ」は、「位置２」～「位置５」のすべてで１．５以下となっている。 【０１０３】 また、実施例２を示す「サンプル＃２」において、「色差ΔＥ＊ａｂ」は、「位置２」～「位置５」のすべてで０．８以下となっている。 【０１０４】 このことは、実施例１あるいは実施例２における窒化処理の加熱条件で製造された窒化珪素基板では、高い熱伝導率を得ることができるとともに、色むらも低減できることを意味する。したがって、実施例１および実施例２によれば、放熱特性に優れた窒化珪素基板を得ることができるだけでなく、色むらに起因する外観検査の誤検出を低減できる。 【０１０５】 さらに、実施例１および実施例２において、中央部（位置１）と縁部（位置２～位置５）のそれぞれの「明度Ｌ ＊」は７０以上であるともに、「彩度Ｃ ＊」は１０以上である。これにより、異物や汚れとのコントラストが明瞭となる結果、外観検査の異物あるいは汚れの検出精度を向上できるという顕著な効果を得ることができる。 【０１０６】 ここで、本明細書でいう「縁部」とは、上述した「位置２」～「位置５」のすべてを含む概念として記載されている。すなわち、本明細書でいう「縁部」には、「位置２」～「位置５」のすべてが含まれる。また、「中央部」とは、「位置１」を含む概念として記載されている。したがって、「中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、ΔＥ＊ａｂ≦１．５である」という記載は、「位置１」と「位置２」の色差が１．５以下であり、「位置１」と「位置３」の色差が１．５以下であり、「位置１」と「位置４」との色差が１．５以下であり、「位置１」と「位置５」との色差が１．５以下であることを意味している。 」 「【０１０９】 ＜総括＞ 本実施の形態では、窒化処理における昇温工程のうち、１２７０℃から１３４０℃までの範囲において、加熱温度の傾きの平均を３．１℃／ｈ以下となるように工夫が施されている。 【０１１０】 これにより、本実施の形態によれば、「色差ΔＥ＊ａｂ」が１．５以下、さらに言えば、０．８以下となる窒化珪素基板を得ることができる。したがって、本実施の形態における技術的思想は、色むらを低減できる点で優れている。つまり、本実施の形態における技術的思想は、色むらを低減できることを通じて、外観検査の異物あるいは汚れの検出精度を向上できる点で大きな技術的意義を有しているということができる。 【０１１１】 なお、本実施の形態における技術的思想は、サイズの大きな窒化珪素基板に適用して有効である。具体的に、本実施の形態における技術的思想は、例えば、図２に示すように、３相インバータ回路を構成する６つの半導体装置を１つの窒化珪素基板に搭載する構成などに適用して有効である。なぜなら、サイズの大きな窒化珪素基板を使用する場合、色むらが発生するポテンシャルが大きくなると考えられるからである。 【０１１２】 この点に関し、色むらの発生ポテンシャルの大きなサイズの大きな窒化珪素基板の製造において、本実施の形態における技術的思想を適用すれば、色むらの発生を低減する観点から有効であると考えられる。特に、本実施の形態における技術的思想は、矩形形状のそれぞれの辺の長さが１００ｍｍ以上の窒化珪素基板の製造に適用して有効である。」 「【図１１】 ［図：0001399421000003.jpg］ 」 ２ 本件発明が解決しようとする課題 発明の詳細な説明（上記１）の【００１１】の記載によれば、本件発明が解決しようとする課題（以下、「本件課題」という。）は、「窒化珪素基板の表面に生じる色むらを低減すること」である。 ３ 本件発明１について （１）発明の詳細な説明（上記１）の【０００１】には、本発明は、窒化珪素基板に関し、例えば、熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素基板に適用して有効な技術に関するものであること、同【００１２】には、一実施の形態における窒化珪素基板は、第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有し、ここで、第１面と第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、ΔＥ＊ａｂ≦１．５であること、同【００１４】には、一実施の形態によれば、窒化珪素基板の表面に生じる色むらを低減できることが記載されている。 また、同【０１１２】には、本実施の形態における技術的思想は、矩形形状のそれぞれの辺の長さが１００ｍｍ以上の窒化珪素基板の製造に適用して有効であることが記載されている。 （２）同【００９３】～【００９５】には、色差ΔＥ＊ａｂについて、窒化珪素基板における「位置１」は中央部に相当する領域、「位置２」、「位置３」、「位置４」及び「位置５」は４つの縁部に相当する領域であり、本実施の形態では、「位置１」の色を基準色として、「位置２」～「位置５」における「色差ΔＥ＊ａｂ」を算出していること、具体的に、「位置１」～「位置５」は、以下に示す位置として定義されることが記載されている。 「位置１」は、表面において、対角線が交差する位置 「位置２」：表面において、角部ＣＮＲ１から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置３」：表面において、角部ＣＮＲ２から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置４」：表面において、角部ＣＮＲ３から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 「位置５」：表面において、角部ＣＮＲ４から「位置１」の方向に１５ｍｍ内側の位置 また、同【０１０６】には、「縁部」には、上述した「位置２」～「位置５」のすべてが含まれることが記載されている。 ここで、上記（１）によれば、ΔＥ＊ａｂは、窒化珪素基板の第１面と、第１面とは反対側の第２面のうちの少なくとも一方の面における、中央部と縁部との色差であり、当該窒化珪素基板は、ΔＥ＊ａｂ≦１．５であり、その表面に生じる色むらを低減できるものである。そして、もともと色むらの生じるものにおいて、色差は０にはなり得ない。 そうすると、窒化珪素基板は、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５であるといえる。 （３）以上によれば、発明の詳細な説明には、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板であって、平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状であり、熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５である、窒化珪素基板（以下、「本件窒化珪素基板」という。）は、その表面に生じる色むらを低減できることが記載されているといえる。 そして、本件窒化珪素基板が、その表面に生じる色むらを低減できることは、発明の詳細な説明（上記１）の【００７６】～【００８１】の具体的態様、及び、同【００９７】～【０１０４】の色むらの検証結果で裏付けられている。 そうすると、発明の詳細な説明に記載されている本件窒化珪素基板は、上記本件課題を解決し得るものであるといえる。 （４）上記（１）～（３）から、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されている本件窒化珪素基板であり、発明の詳細な説明の記載により当業者が上記本件課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。 ４ 本件発明２～４について 本件発明２は、発明の詳細な説明（上記１）の【０１０３】、【０１１０】に、本件発明３、４は、同【０１０５】にそれぞれ記載されている。 また、本件発明２～４は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様に、上記本件課題を解決できると認識できる範囲のものである。 ５ 申立人の主張について （１）申立人は、特許異議申立書５ページ１６行～６ページ９行において、本件発明１の構成Ｄである「熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）」について、本件明細書の【００８１】には、「比較例では、窒化処理における急激な成形体の昇温が生じて、「熱暴走」が発生していた。比較例の窒化珪素基板の熱伝導率は１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。」との記載があり、このように、１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）は熱暴走が発生した場合の熱伝導率を示すものであるにもかかわらず、上記構成Ｄは、熱伝導率１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を除外しておらず、出願時の技術常識を鑑みても、本件明細書の発明の詳細な説明に開示された内容を、かのような構成Ｄについてまで拡張ないし一般化することはできないから、本件発明１は発明の詳細な説明に記載されたものではない旨主張している。 （２）しかし、上記３で検討したとおり、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されている本件窒化珪素基板であり、発明の詳細な説明の記載により当業者が上記本件課題を解決できると認識できる範囲のものである。 また、発明の詳細な説明（上記１）の【００３５】の「本明細書でいう「関連技術」とは、公知技術ではないが、本発明者が見出した課題を有する技術であって、本願発明の前提となる技術である」、同【００４０】の「関連技術で製造される窒化珪素基板の熱伝導率は、９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である」、及び、同【００６４】の「本実施の形態における窒化珪素基板の製造方法によれば、純度の高い珪素粉末を使用していることから、例えば、熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素基板を製造することができる」、同【０１００】の「表１に示すように、「サンプル＃１」～「サンプル＃４」のいずれにおいても、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を実現できている」との記載、同【０１０２】の「実施例１を示す「サンプル＃１」」、同【０１０３】の「実施例２を示す「サンプル＃２」」、同【０１０４】の「実施例１あるいは実施例２における窒化処理の加熱条件で製造された窒化珪素基板では、高い熱伝導率を得ることができるとともに、色むらも低減できることを意味する」との記載によれば、窒化珪素基板の熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であれば十分に高い値であるといえる。 そして、同【０１０１】の「比較例における窒化処理の加熱条件で製造された窒化珪素基板では、高い熱伝導率を得ることができる一方で、色むらが顕在化することを意味している」との記載によれば、比較例の窒化珪素基板は、高い熱伝導率を有しているものの、色むらが顕在化するため比較例となっているものである。 そうすると、本件発明１において、窒化珪素基板の熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることは妥当であり、比較例の窒化珪素基板の熱伝導率が１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるからといって、本件発明１の窒化珪素基板の熱伝導率を１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上に拡張ないし一般化することはできないとはいえない。 したがって、申立人の上記（１）の主張は採用できない。 ６ まとめ 以上のとおりであるから、本件発明１～４は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものである。 したがって、請求項１～４に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 よって、申立理由１は、理由がない。 第５ 申立理由１（進歩性）について １ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明等 （１） 甲第１号証（ ［図：0001399421000004.jpg］ ） ア 本件特許に係る原出願の出願前に公知となった甲第１号証には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。なお、甲第１号証の記載は、当審の訳文で示す。 「中国科学院上海陶磁器研究所の研究者であるZeng Yuping氏のチームは、長い研究開発期間を経て、高性能窒化ケイ素基板材料の分野で重要な進歩を遂げました。研究チームは、材料成分の設計、微細構造の調整、成形及び焼結プロセスの精密な制御と最適化を通じて、大規模な高熱伝導率窒化ケイ素セラミック基板の開発のための重要な技術を突破し、高い安定性を備えたセラミック基板の開発に成功しました。現在、窒化ケイ素基板の平均熱伝導率は９５Ｗ／（ｍ・ｋ）であり、最適値は１２０Ｗ／（ｍ・ｋ）に達し、サイズは１２０×１２０ｍｍ２に達し、厚さは０．３２ｍｍであり、外形寸法は、実際のニーズに応じて調整できます。同時に、窒化ケイ索基板の銅被覆化も実現し、熱伝導率の高い窒化ケイ素基板の量産化への道筋が開かれました。現在、市販の窒化ケイ素セラミック基板の熱伝導率は一般的に８０～９０Ｗ／（ｍ・ｋ）です（東芝の窒化ケイ素基板（ＴＳＮ－９０）の熱伝導率は９０Ｗ／（ｍ・ｋ）など）。この製品は、製品化のニーズを十分に満たすことができます。高熱伝導窒化ケイ素セラミック基板の研究の成功は、国内の高出力半導体デバイス、特にＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の生産と開発に強力なサポートを提供し、強力な経済的及び社会的利益が期待されます。」（本文５～１２行） 「 ［図：0001399421000005.jpg］ 高熱伝導窒化ケイ素基板」 イ 甲第１号証に記載された発明 上記アの記載によれば、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「平均熱伝導率は９５Ｗ／（ｍ・ｋ）であり、最適値は１２０Ｗ／（ｍ・ｋ）に達し、サイズは１２０×１２０ｍｍ２に達する窒化ケイ素基板。」 （２）甲第２号証（特許第６３９９２５２号） ア 本件特許に係る原出願の出願前に公知となった甲第２号証には、以下の記載がある。 （ア）「【請求項１】 １辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し、前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下である、窒化ケイ素焼結基板を用いた回路基板であって、８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有する回路基板。」 （イ）「【００２４】 さらに、密度およびボイド率の面内均一性が高く、外形の大きな窒化ケイ素焼結基板を作製するためには、窒化ケイ素焼結基板の製造時にグリーンシートとともに積層される窒化ホウ素粉末層の厚さを制御すること、および、焼結時の炭素含有量を制御することが重要であることが分かった。これらの検討結果に基づき、本願発明者は、大きなサイズを有し、高耐圧および高絶縁信頼性を有し、これらの面内ばらつきが小さい窒化ケイ素焼結基板およびその製造方法を想到した。以下、本実施形態の窒化ケイ素焼結基板およびその製造方法の一例を説明する。本発明は、以下の実施形態に限られず、種々の改変または変更が行われてもよい。 ・・・ 【００７３】 （ｄ） 徐熱域 脱炭素域Ｐｃを用いた加熱の終了後、焼結炉内の雰囲気温度を徐熱域Ｐ0の温度プロファイルで制御する。徐熱域Ｐ0は、グリーンシート１に含まれる焼結助剤が窒化ケイ素粒子の表面の酸化層と反応して液相を生成する温度域である。徐熱域Ｐ0では、窒化ケイ素の粒成長が抑えられ、液相化した焼結助剤中で窒化ケイ素粒子が再配列して緻密化する。その結果、第１および第２の温度保持域Ｐ1、Ｐ2を経て、空孔径および気孔率が小さく、曲げ強度および熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結基板が得られる。徐熱域Ｐ0の温度Ｔ0を、第１の温度保持域Ｐ1の温度Ｔ1より低い１４００℃以上１６００℃以下の範囲内とし、徐熱域Ｐ0における加熱速度を３００℃／ｈｒ以下とし、加熱時間ｔ0を０．５時間以上３０時間以下とするのが好ましい。加熱速度は０℃／ｈｒを含んでも良く、すなわち徐熱域Ｐ0が一定温度に保持する温度保持域でも良い。徐熱域Ｐ0における加熱速度は１～１５０℃／ｈｒがより好ましく、１～１００℃／ｈｒが最も好ましい。加熱時間ｔ0は１～２５時間がより好ましく、５～２０時間が最も好ましい。 ・・・ 【００９３】 作製した窒化ケイ素焼結基板の密度、密度比、ボイド率、ボイド比、炭素含有率、部分放電開始電圧、部分放電消滅電圧を測定した。また、絶縁破壊耐圧を測定し、絶縁破壊耐圧のワイブル係数を求めた。結果を表１に示す。実施例３～２８、参考例１、２、５１、５２および比較例５３～５５の窒化ケイ素焼結基板における、炭素含有量およびボイド率（中央）を横軸及び縦軸にとったグラフを図１２に示す。また、実施例３、５、１０、１２、１４および参考例１、５１、５２の窒化ケイ素焼結基板について、基板の外形寸法を横軸にとり、上述した測定結果を縦軸にとったグラフを作成した。結果を図１３（ａ）、（ｂ）、および図１４（ａ）、（ｂ）に示す。 【００９４】 【表１】 ［図：0001399421000006.jpg］ 」 イ 甲第２号証に記載された発明 上記ア（ア）の記載によれば、甲第２号証には、以下の発明（以下、甲２発明）という。）が記載されていると認められる。 「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し、前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下である、窒化ケイ素焼結基板を用いた回路基板であって、８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有する回路基板。」 ２ 甲１発明を主引用発明とした場合の進歩性について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明の「窒化ケイ素基板」が、第１面と、当該第１面と反対側の第２面とを有することは自明の事項であるから、本件発明１と甲１発明とは、「第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板」である点で共通する。 （イ）甲１発明の「窒化ケイ素基板」の「サイズは１２０×１２０ｍｍ２に達する」から、その平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状であるといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状」である点で共通する。 （ウ）甲１発明の「窒化ケイ素基板」の「平均熱伝導率」の「最適値は１２０Ｗ／（ｍ・ｋ）に達」するものであるから、その熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」である点で共通する。 （エ）以上から、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板であって、 平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状であり、 熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、 窒化珪素基板。」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」であるのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 イ 相違点１についての判断 相違点１に係る本件発明１の構成、すなわち、「前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」とすることは、甲第１号証及び甲第２号証のいずれにも、記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明において、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえないし、また、甲１発明に甲２発明を適用して、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものともいえない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人は、相違点１について、特許異議申立書の７ページ下から２行～８ページ９行において、甲第１号証の写真「高熱伝導窒化ケイ素基板」には、第１面と第２面のうち一方の面において、中央部と縁部とで色むらが発生し、色差が存在する窒化珪素基板が記載されているため、当業者は、窒化珪素基板の特性として、第１面と第２面のうち一方の面において、窒化珪素基板の中央部と縁部との色差に容易に着目することができ、また、第１面と第２面のうち一方の面において、窒化珪素基板の中央部と縁部とで均一性（例えば、色、密度、及びボイド等の均一性）が求められることは周知の事実であるため、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦ｌ．５」という記載は、甲１発明において、窒化珪素基板の面内均一性を向上させるという一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎない旨主張している。 （イ）確かに、申立人が主張するように、甲第１号証の写真「高熱伝導窒化ケイ素基板」には、第１面と第２面のうち一方の面において、中央部と縁部とで色むらが発生していることが見て取れる。 しかし、甲第１号証には、窒化ケイ素基板表面の色むらの均一性について何ら記載も示唆もされていないし、仮に、窒化ケイ素基板において、表面の色むらの均一性が求められていることが周知の事実であったとしても、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦ｌ．５」とすることは、本件特許に係る原出願の出願時において公知又は周知であったとはいえない。 したがって、甲１発明において、窒化珪素基板の面内均一性を向上させるという課題を解決するために、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦ｌ．５」とすることは、数値範囲の最適化又は好適化にすぎないとはいえない。 したがって、申立人の上記（ア）の主張は採用できない。 エ 小括 以上から、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないし、また、甲１発明及び甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明２～４について 本件発明２～４は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではないし、また、甲１発明及び甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものでもない。 ３ 甲２発明を主引用発明とした場合の進歩性について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲２発明とを対比する。 （ア）甲２発明の「窒化ケイ素焼結基板を用いた回路基板」が、第１面と、当該第１面と反対側の第２面とを有することは自明の事項であるから、本件発明１と甲２発明とは、「第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板」である点で共通する。 （イ）甲２発明の「窒化ケイ素焼結基板を用いた回路基板」は、「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し」ているから、その平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状であるといえる。 したがって、本件発明１と甲２発明とは、「平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状」である点で共通する。 （ウ）以上から、本件発明１と甲２発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する窒化珪素基板であって、 平面形状は、それぞれの辺が１００ｍｍ以上の矩形形状である、窒化珪素基板。」 ＜相違点＞ 相違点２－１：本件発明１は、「熱伝導率は、１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」であるのに対し、甲２発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点２－２：本件発明１は、「前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」であるのに対し、甲２発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 イ 相違点についての判断 相違点２－１及び相違点２－２は、いずれも「窒化珪素基板」の特性に関するものであるからまとめて検討する。 相違点２－１及び相違点２－２に係る本件発明１の構成、すなわち、「熱伝導率」を「１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」とし、かつ、「前記第１面と前記第２面のうちの少なくとも一方の面において、中央部と縁部との色差をΔＥ＊ａｂとすると、各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」とすることは、甲第１号証及び甲第２号証のいずれにも、記載も示唆もされていない。 したがって、甲２発明において、相違点２－１及び相違点２－２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえないし、また、甲２発明に甲１発明を適用して、相違点２－１及び相違点２－２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものともいえない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人は、相違点２－１及び相違点２－２について、特許異議申立書の８ページ１６行～同ページ下から２行において、甲第２号証の【００７３】には、熱伝導率の高い窒化珪素基板を得ることが記載されているため、相違点２－１に係る本件発明１の構成は、甲２発明において、一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎないし、また、甲第２号証の【００９４】の【表１】の実施例には、第１面と第２面のうち一方の面において、中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９９以上１．００以下である、窒化珪素基板が記載されており、同【００２４】には、第１面と第２面のうち一方の面において、窒化珪素基板の中央部と縁部とで密度及びボイド等の均一性が求められることが記載されているため、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜△Ｅ＊ａｂ≦ｌ．５」という構成は、甲２発明において、窒化珪素基板の面内均一性を向上させるという一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎない旨主張している。 （イ）確かに、申立人が主張するように、甲第２号証（上記１（２）ア（イ））の【００７３】、【００９３】、【００９４】の【表１】の実施例、【００２４】には、熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結基板が得られること、窒化ケイ素焼結基板の密度比（中央部／端部）が０．９９～１．００であること、窒化ケイ素焼結基板の中央部と縁部とで密度及びボイド率の面内均一性が求められることが記載されている。 しかし、甲第２号証には、窒化ケイ素焼結基板の色差の面内均一性については、何ら記載も示唆もされていない。 また、窒化ケイ素焼結基板において、「熱伝導率」を「１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」とし、かつ、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」とすることは、本件特許に係る原出願の出願前において公知又は周知であったとはいえない。 したがって、甲２発明において、「熱伝導率」を「１１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」とし、かつ、「各角部から中央部の方向に１５ｍｍ内側の位置である縁部のすべてで０＜ΔＥ＊ａｂ≦１．５」とすることは、窒化珪素基板の面内均一性を向上させるという一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎないとはいえない。 よって、申立人の上記（ア）の主張は採用できない。 エ 小括 以上から、本件発明１は、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではないし、また、甲２発明及び甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明２～４について 本件発明２～４は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではないし、また、甲２発明及び甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものでもない。 ４ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由２は、理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。