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特許第７０９１５６２号発明「希土類磁石、希土類スパッタリング磁石、希土類拡散磁石及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０９１５６２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項５について訂正することを認める。 特許第７０９１５６２号の請求項５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０９１５６２号の請求項１～９に係る特許についての出願は、２０１８年（平成３０年）１２月２９日を国際出願日として出願され、令和４年６月１７日にその特許権の設定登録（特許掲載公報発行日 令和４年６月２７日）がされた。 その後、令和４年１２月２６日に特許異議申立人齊藤恵美子（以下、「特許異議申立人」という。）により本件の請求項５に係る特許に対する特許異議の申立てがなされ、甲第１号証ないし甲第１３号証が提出された。 当審は、令和５年４月２０日付けで取消理由を通知した。 特許権者は、その指定期間内である令和５年５月２２日に訂正請求書及び意見書の提出を行った。 当審は、令和５年６月１２日付けで特許異議申立人に対して訂正請求があった旨の通知をし、意見書を提出する機会を与えたが提出されなかった。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和５年５月２２日の訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）は、特許第７０９１５６２号（以下、「本件特許」という。）の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項５について訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は、以下の訂正事項のとおりである（なお、下線は訂正部分を示す。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項５において、 「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ） ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅであり、前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つである、ことを特徴とする、希土類拡散磁石。」と記載されているのを、 「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ） ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅであり、前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素である、ことを特徴とする、希土類拡散磁石。」に訂正する。 ２ 訂正の適否についての判断 （１）訂正の目的 訂正事項１は、請求項５に係る発明における希土類拡散磁石の成分について、 「前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素である、」 という限定を付加する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （２）新規事項の有無 上記（１）の限定に関して、本件特許明細書の【００２４】に「本発明はまた、上記の希土類磁石の作製方法によって作製された希土類磁石を提供し、その成分は、質量パーセントで、Ｒの含有量は２８～３２重量％であり、Ｒは、ＤｙおよびＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中には、Ｐｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎの少なくとも１つであり、Ｇａ含有量は０．３～０．８ｗｔ％、Ｂ含有量は０．９６～１．０ｗｔ％、残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏおよび不可避の不純物元素である。」と、【００４２】に「本発明の実施形態は、希土類磁石を提供し、希土類磁石の組成は、Ｒ、Ｍ、Ｔ、Ｇａ、およびＢを含む。各成分の質量百分率は次のとおりです。Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙおよびＴｂを含まない希土類元素であり、Ｐｒおよび／またはＮｄはＲの９８～１００ｗｔ％を占め、Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり； Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎの少なくとも１つであり； Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、好ましくはＧａの含有量は０．５～０．８ ｗｔ％であり； Ｂの含有量は０．９６～１．０ｗｔ％であり；残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏおよび不可避の不純物元素である。上記の希土類磁石において、ＭはＡｌおよびＣｕであり、希土類磁石中のＡｌの含有量は０．０５～１ｗｔ％であり、Ｃｕの含有量は０．０５～０．３ｗｔ％である。」と記載されている。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （３）特許請求の範囲の拡張・変更 訂正事項１は上述のとおり、請求項５に係る発明において、 「前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素である、」という限定を付加することによって特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものでもなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）独立特許要件 訂正事項１については「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであるが、本件においては、訂正前の請求項５について特許異議の申立てがなされているので、訂正前の請求項５に係る訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 訂正の適否についてのむすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項５について訂正することを認める。 第３ 訂正後の請求項５に係る発明 本件訂正請求により訂正された請求項５に係る発明（以下、「本件発明５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項５に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（なお、説明のために、各構成に５Ａ～５Ｌの符号を当審で付した。以下、「構成５Ａ」～「構成５Ｌ」という。）。 「【請求項５】 ５Ａ 希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、 ５Ｂ 灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、 ５Ｃ 前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、 ５Ｄ 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、 ５Ｅ 前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅであり、 ５Ｆ 前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、 ５Ｇ 前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、 ５Ｈ Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、 ５Ｉ ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、 ５Ｊ ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 ５Ｋ 前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素である、ことを特徴とする、 ５Ｌ 希土類拡散磁石。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 令和５年４月２０日付け取消理由通知に記載した取消理由（理由１）の概要は、次のとおりである。 １．（サポート要件）本件特許は、明細書又は特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 ●理由１（サポート要件）について 請求項５に係る発明は、希土類拡散磁石に関する発明であって、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超え、かつ、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占めていることを特徴とするものである。 ここで、【発明を実施するための形態】における各実施例のうち、希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超え、かつ、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占めている実施例は、実施例７のみである。 （中略） そうすると、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超え、かつ、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占めている希土類拡散磁石は、実施例７のような各元素の質量比である主合金原料と補助合金原料から得られた希土類磁石から得られることが発明の詳細な説明に記載されているものである。 更に、希土類磁石の各成分の質量百分率に関して、【００２４】及び【００４２】には以下のように記載されている。 （中略） しかし、請求項５に係る発明の希土類拡散磁石は、 白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占めていること、 灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であること、 白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであること は限定されているものの、希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の組成が限定されているものではない。 したがって、出願時の技術常識に照らしても、希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の組成の限定がない請求項５に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 よって、請求項５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 ２ 取消理由についての当審の判断 上記１に記載したとおりの記載不備の指摘に対して、本件訂正請求により、請求項５において、 「前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素である、」 という限定が付加された。その結果、請求項５に係る発明は、希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の組成が限定されているものに特定されたといえ、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。 したがって、取消理由で指摘した不備な点は解消され、請求項５に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものではない。 ３ 特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は、特許異議申立書において、サポート要件違反に関して以下のような主張をしている。 「カ サポート要件違反について 本件特許請求項５においては、「希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超え」ること、「希土類磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め」ること、「灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め」ること、「前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であ」ることが規定されている一方で、希土類拡散磁石がＢ及びＧａを含むことやその含有量が規定されていない。 （中略） そうすると、本件特許の出願時の技術常識に照らしても、Ｇａ及びＢの含有量が規定されていない本件特許請求項５の範囲まで、本件特許明細書に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 したがって、本件特許発明５は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものである。」（４４頁２２行～４６頁２６行） 上記主張について検討するに、訂正により、請求項５に係る発明は、希土類拡散磁石を得るための希土類磁石のＧａ及びＢの含有量が限定されているものに特定された。 したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要は次のとおりである。 （１）進歩性 請求項５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された甲第１号証、周知技術（甲第２号証～甲第９号証）、甲第１０号証に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）新規性 ア 請求項５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された甲第１０号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 イ 請求項５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された甲第１１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 甲第１号証：特開２０１５－１１９１３２号公報 甲第２号証：特開２００５－１７５１３８号公報 甲第３号証：特開２００５－２１０８７６号公報 甲第４号証：特開２００５－１１９７３号公報 甲第５号証：特開２０１３－２３６０７１号公報 甲第６号証：国際公開第２００８／１２３２５１号 甲第７号証：特開２０１６－１２２８６２号公報 甲第８号証：国際公開第２００８／０７５７１０号 甲第９号証：特開２０１２－１８８７６１号公報 甲第１０号証：特開２０１８－８２１４５号公報 甲第１１号証：特開２０１８－９３２０２号公報 甲第１２号証：「解説 最近の高性能永久磁石とその応用」山元洋、電気学会誌、１９９７年、１１７巻３号１５９～１６２頁 甲第１３号証：Springer Materials,「Nd6Fe13Ga(Nd6Fe12Ga2) Crystal Structure」、[online]、<URL:https://materials.springer.com/isp/crystallographic/docs/sd_1810034> ２ 各甲号証について （１）甲第１号証 ア 甲第１号証の記載事項 上記甲第１号証には、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。） 「【００２２】 図１は、本発明に係る実施形態の希土類磁石の断面構造を示す電子顕微鏡写真である。本実施形態に係る希土類磁石は、Ｒ２Ｔ１４Ｂを主として含む主相結晶粒子１と、隣接する二つの主相結晶粒子１間に形成される二粒子粒界相２と、三個以上の主相結晶粒子に取り囲まれて構成されている粒界相３を含み、 Ｒ：２０～４０原子％、 Ｔ：６０～７５原子％、 Ｍ：１～１０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第一粒界相とし、 Ｒ：５０～７０原子％、 Ｔ：１０～３０原子％、 Ｍ：１～２０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第二粒界相とした場合、少なくともこれら２種の粒界相を含むことを特徴とする。」 「【００２６】 本実施形態に係る希土類磁石においては、全質量に対する上記各元素の含有量は、それぞれ以下の通りである。 Ｒ：２９．５～３３質量％ Ｂ：０．７～０．９５質量％ Ｍ：０．０３～１．５質量％ Ｃｕ：０．０１～１．５質量％、及び、 Ｆｅ：実質的に残部、及び、 残部を占める元素のうちのＦｅ以外の元素の合計含有量：５質量％以下。 【００２７】 本実施形態に係る希土類磁石に含まれるＲについて、さらに詳細に説明する。Ｒとしては、Ｎｄ及びＰｒのいずれか一方を必ず含むが、Ｒ中のＮｄ及びＰｒの割合は、Ｎｄ及びＰｒの合計で８０～１００原子％であってもよく、９５～１００原子％であってもよい。このような範囲であると、さらに良好な残留磁束密度及び保磁力が得られる。また、本実施形態に係る希土類磁石においては、ＲとしてＤｙ、Ｔｂ等の重希土類元素を含んでいてもよいが、その場合、希土類磁石の全質量中の重希土類元素の含有量は、重希土類元素の合計で１．０質量％以下であり、０．５質量％以下であると好ましく、０．１質量％以下であるとさらに好ましい。本実施形態に係る希土類磁石では、このように重希土類元素の含有量を少なくしても、他の元素の含有量及び原子比が特定の条件を満たすことによって、良好な高い保磁力を得ることができ、高温減磁率を抑制することができる。」 「【００２９】 本実施形態に係る希土類磁石は、さらに微量の添加元素を含む。添加元素としては周知のものを用いることができる。添加元素は、Ｒ２Ｔ１４Ｂ主相結晶粒子の構成要素であるＲ元素と状態図上に共晶点を有するものが好ましい。この点から、添加元素としてはＣｕ等が好ましいが、他の元素であってもよい。Ｃｕ元素の添加量としては、全体の０．０１～１．５質量％である。添加量をこの範囲とすることで、Ｃｕをほぼ二粒子粒界相および粒界相即ち粒界三重点にのみ偏在させることができる。一方、主相結晶粒子の構成要素であるＴ元素とＣｕについては、例えばＦｅとＣｕとは状態図が偏晶型のようになると考えられ、この組み合わせは共晶点を形成し難いものと思われる。そこで、Ｒ－Ｔ－Ｍ三元系が共晶点を形成するようなＭ元素を添加することが好ましい。このようなＭ元素としては、例えばＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられる。Ｍ元素の含有量としては、０．０３～１．５質量％である。Ｍ元素の添加量をこの範囲とすることで、粉末冶金工程中において主相結晶粒子表面の反応を促進し、二粒子粒界相中のＴ元素との反応により、Ｒ－Ｔ－Ｍ元素を含む粒界相の生成が促進され、二粒子粒界相中のＴ元素濃度を低下させることができる。 【００３０】 本実施形態に係る希土類磁石には、Ｒ２Ｔ１４Ｂの基本組成におけるＴで表される元素として、Ｆｅを必須としてＦｅに加えてさらに他の鉄族元素を含むことができる。この鉄族元素としてはＣｏであることが好ましい。この場合、Ｃｏの含有量は０質量％を超え３．０質量％以下であることが好ましい。希土類磁石にＣｏを含有させることにより、キュリー温度が向上する（高くなる）ほか、耐食性も向上する。Ｃｏの含有量は０．３～２．５質量％であってもよい。」 「【００４６】 次に、本発明を具体的な実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。 【実施例】 【００４７】 先ず、焼結磁石の原料金属を準備し、これらを用いてストリップキャスティング法により、下記表１及び表２で表される実施例１～３１、及び比較例１～３の焼結磁石の組成が得られるように、それぞれ原料合金を作製した。なお、表１に示した各元素の含有量は、Ｔ、Ｒ、Ｃｕ及びＭについては蛍光Ｘ線分析により、ＢについてはＩＣＰ発光分析により測定した。また、Ｏについては不活性ガス融解－非分散型赤外線吸収法により、Ｃについては酸素気流中燃焼－赤外吸収法により、Ｎについては不活性ガス融解－熱伝導度法により測定することができる。また、［Ｏ］／（［Ｃ］＋［Ｎ］）、［Ｂ］／（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］）及び（［Ｍ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］については、これらの方法により得た含有量から各元素の原子数を求めることにより算出した。 【００４８】 次に、得られた原料合金に水素を吸蔵させた後、Ａｒ雰囲気で６００℃、１時間の脱水素を行う水素粉砕処理を行った。その後、得られた粉砕物をＡｒ雰囲気下で室温まで冷却した。 【００４９】 得られた粉砕物に粉砕助剤としてオレイン酸アミドを添加、混合した後、ジェットミルを用いて微粉砕を行い、平均粒径が３～４μｍである原料粉末を得た。 【００５０】 得られた原料粉末を、低酸素雰囲気下において、配向磁場１２００ｋＡ／ｍ、成形圧力１２０ＭＰａの条件で成形を行って、成形体を得た。 【００５１】 その後、成形体を、真空中で１０３０～１０５０℃、２～４時間焼成した後、急冷して焼結体を得た。得られた焼結体に対し、２段階の熱処理を行った。一段目の９００℃での熱処理（時効１）については一時間と一定としたが、二段目の熱処理（時効２）については熱処理の温度、時間及び冷却速度を変え、粒界相の生成状況の異なる複数の試料を準備した。尚、上記したように粒界相の生成状況は、原料合金組成、焼結条件によっても変化させることができる。 【００５２】 以上のようにして得られた試料につき、Ｂ－Ｈトレーサーを用いて、残留磁束密度及び保磁力をそれぞれ測定した。その後に高温減磁率を測定し、次に磁気特性を測定したそれぞれの実施例および比較例の試料につき、研磨断面をＥＰＭＡにより観察し、粒界相の同定を行うとともに、研磨断面における各粒界相の組成とその面積比率を評価した。先ず、各種試料の磁気特性と第一及び第二粒界相の生成の有無と組成の代表値をまとめて表１に示す。組成と面積比率（表２に示す）から判断し、第一粒界相および第二粒界相が観察されたものは○で、観察されなかったものは×で表１に示した。この際、面積比率が０．１％を下回るものは実質上観察されないとし、×に分類した。次に、表２には、磁気特性に併せ、第一粒界相の面積比率の代表値と、第二粒界相の面積率の代表値を示した。」 「【００５４】 【表１】 ［図：0001404790000001.jpg］ 」 「【００５５】 表１より、実施例１～１８の試料では、高温減磁率の絶対値が４％を下回っており、低く抑えられ、高温環境下での使用にも適した希土類磁石となっていることがわかる。比較例１～３では、高温減磁率の絶対値が４％以上となっており、高温減磁率の抑制効果が出ていない。実施例１～実施例３１の任意の断面において観測されたＲ－Ｔ－Ｍ系化合物に対し、電子線ホログラフィーによる磁束分布の解析を行ったところ、このＲ－Ｔ－Ｍ系化合物の飽和磁化の値はＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ化合物の５％以下であり、強磁性を示さない相であることを確認した。これより、実施例１～実施例３１での高温減磁率の抑制効果は、第一粒界相と第二粒界相が同時に含まれることによって達成されていることがわかった。」 「【００５７】 【表２】 ［図：0001404790000002.jpg］ 」 イ 甲第１号証に記載された発明 上記アより、以下のことがいえる。 （ア）【００２２】より、甲第１号証の「希土類磁石」は、Ｒ２Ｔ１４Ｂを主として含む主相結晶粒子１と、隣接する二つの主相結晶粒子１間に形成される二粒子粒界相２と、三個以上の主相結晶粒子に取り囲まれて構成されている粒界相３を含み、 Ｒ：２０～４０原子％、 Ｔ：６０～７５原子％、 Ｍ：１～１０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第一粒界相とし、 Ｒ：５０～７０原子％、 Ｔ：１０～３０原子％、 Ｍ：１～２０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第二粒界相とした場合、少なくともこれら２種の粒界相を含むものである。 （イ）【００２７】、【００２９】、【００３０】より、甲第１号証の希土類磁石は、Ｒとしては、Ｎｄ及びＰｒのいずれか一方を必ず含み、Ｍ元素としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられ、Ｔで表される元素として、Ｆｅを必須としてＦｅに加えてさらに他の鉄族元素を含むことができるものである。 （ウ）【００５２】、【表２】より、甲第１号証の実施例２４の試料は、 Ｎｄ、Ｐｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ、Ｃ、Ｏの組成が、２５．０、７．０、０．８７、０．１、０．２、０．６、０．０４、０．１２、０．０８質量％であり、Ｆｅはｂａｌ．すなわち残部であり、 研磨断面における第一粒界相の面積比率が３．４％、第二粒界相の面積比率が２．８％であり、 磁気特性として、Ｂｒが１３．４ｋＧ、Ｈｃｊが１９．３ｋＯｅである。 （エ）【００４７】～【００５１】、【表２】より、甲第１号証の試料は、 焼結磁石の原料金属を準備し、原料合金を作製し、 得られた原料合金から原料粉末を得て、 得られた原料粉末から成形体を得て、 成形体を、焼成した後、急冷して焼結体を得て、 得られた焼結体に対し、一段目の９００℃での熱処理（時効１）については一時間とし、二段目の熱処理（時効２）については６５０℃、０．５時間として得られるものである。 （オ）上記（ア）～（エ）より、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 （甲１発明） 「Ｒ２Ｔ１４Ｂを主として含む主相結晶粒子１と、隣接する二つの主相結晶粒子１間に形成される二粒子粒界相２と、三個以上の主相結晶粒子に取り囲まれて構成されている粒界相３を含み、 Ｒ：２０～４０原子％、 Ｔ：６０～７５原子％、 Ｍ：１～１０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第一粒界相とし、 Ｒ：５０～７０原子％、 Ｔ：１０～３０原子％、 Ｍ：１～２０原子％、 の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相を第二粒界相とした場合、少なくともこれら２種の粒界相を含み、 Ｒとしては、Ｎｄ及びＰｒのいずれか一方を必ず含み、Ｍ元素としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられ、Ｔで表される元素として、Ｆｅを必須としてＦｅに加えてさらに他の鉄族元素を含むことができるものであり、 Ｎｄ、Ｐｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ、Ｃ、Ｏの組成が、２５．０、７．０、０．８７、０．１、０．２、０．６、０．０４、０．１２、０．０８質量％であり、Ｆｅはｂａｌ．すなわち残部であり、 研磨断面における第一粒界相の面積比率が３．４％、第二粒界相の面積比率が２．８％であり、 磁気特性として、Ｂｒが１３．４ｋＧ、Ｈｃｊが１９．３ｋＯｅであり、 焼結磁石の原料金属を準備し、原料合金を作製し、 得られた原料合金から原料粉末を得て、 得られた原料粉末から成形体を得て、 成形体を、焼成した後、急冷して焼結体を得て、 得られた焼結体に対し、一段目の９００℃での熱処理（時効１）については一時間とし、二段目の熱処理（時効２）については６５０℃、０．５時間として得られる 希土類磁石。」 （２）甲第２号証 上記甲第２号証には、以下の記載がある。 「【００１２】 本発明者らは、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系希土類磁石の比抵抗を高めるため上記発明の方法を元に、詳細に調査実験を重ねた結果、磁石内に酸素を導入して比抵抗の高い結晶組織をつくり出すことによって、高い磁気特性を維持した耐熱性希土類磁石の開発に成功した。」 「【００１９】 本発明では、Ｍ（但し、ＭはＴｂ及び／又はＤｙ）元素を磁石表面に成膜して拡散することによって、磁石全体においてはＭ元素を内部に薄く表面部に濃く分布させ、磁石内部組織においては主結晶内よりも結晶粒界部にＭ元素を富化させることができる。」 「【００４１】 各種形状寸法を有する磁石表面の全部又は一部に上記のＭ元素の均一な膜を形成するには、減圧槽内において複数のターゲットを用いて原子化、分子化させて磁石表面に３次元的にＭ元素源を成膜させるスパッタリング法、又はＭ元素をイオン化させて、静電気的な吸引による強被着特性を利用して成膜させるイオンプレーティング法が特に有効である。」 （３）甲第３号証 上記甲第３号証には、以下の記載がある。 「【００１４】 本発明は、変質損傷した表面を有する穴のあいた内表面を有する円筒形状のNd－Fe－Ｂ系又はPr－Fe－Ｂ系の磁石であって、該磁石は、比表面積（表面積／体積）の値が４mm-1以上で、かつ体積が10mm3以下であり、該磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に該磁石内部にＲ金属（但し、Ｒは、Ｙ及びNd、Dy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）を、磁石表面から拡散浸透させることによって前記変質損傷部を改質して（BH）maxが280kJ/m3の以上の磁気特性を有することを特徴とする。 本発明は、小型モータ用磁石の製造方法において、変質損傷した表面を有する穴のあいた内表面を有する円筒形状のNd－Fe－Ｂ系又はPr－Fe－Ｂ系の磁石を、減圧槽内に支持し、該減圧槽内で物理的手法によって蒸気又は微粒子化したＲ金属又はＲ金属を含む合金（但し、Ｒは、Ｙ及びNd、Dy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）を、該磁石の表面の全部又は一部に３次元的に飛来させて成膜しかつ該磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に該磁石内部にＲ金属を磁石表面から拡散浸透させることによって前記加工による変質損傷部を改質することを特徴とする。 本発明は,小型モータ用磁石の製造方法において、変質損傷した表面を有する穴のあいた内表面を有する円筒形状のNd－Fe－Ｂ系又はPr－Fe－Ｂ系の磁石を、減圧槽内に支持し、該減圧槽内で物理的手法によって蒸気又は微粒子化したＲ金属又はＲ金属を含む合金（但し、Ｒは、Ｙ及びNd、Dy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）を、該磁石の表面の全部又は一部に３次元的に飛来させて成膜し、かつ該磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に該磁石内部にＲ金属を磁石表面から、９００乃至１０００℃で、拡散浸透させることによって前記加工による変質損傷部を改質することを特徴とする。 本発明は、小型モータ用磁石の製造方法において、該磁石内部にＲ金属を磁石表面から、９００℃で、拡散浸透させることによって前記加工による変質損傷部を改質することを特徴とする。 本発明は、小型モータ用磁石の製造方法において、前記物理的手法が、該磁石周辺に配置したＲ金属又はＲ金属を含む合金（但し、Ｒは、Ｙ及びNd、Dy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）から成る複数のターゲットを、イオン衝撃によって微粒子化させて、該磁石表面に膜を形成するスパックリング法であることを特徴とする。 本発明は、小型モータの製造方法において、前記物理的手法が、該希土類磁石周辺に配置したＲ金属又はＲ金属を含む合金（但し、Ｒは、Ｙ及びNd、Dy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）から成る複数のターゲットを、溶融蒸発させて発生した粒子をイオン化させて、該磁石表面に膜を形成するイオンプレーティング法であることを特徴とする。」 「【００２４】 変質損傷した表面を有する磁石表面に成膜する金属は、磁石を構成するNd等の希土類金属リッチ相の修復強化を目的とするために、Y及びNdを始めとしてDy、Pr、Ho、Tbから選ばれる希土類金属の一種以上の単独又はY、Nd、Dy、Pr、Ho、Tbなどの希土類金属を相当量含有する合金、例えば、Nd－Fe合金やDy－Co合金等を用いる。 【００２５】 磁石表面への成膜法については特に限定されるものではなく、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザーデポジション等の物理的成膜法や、CVDやMO－CVD等の化学的気相蒸着法、及びメッキ法などの適用が可能である。但し、成膜ならびに加熱拡散の各処理においては、10-7Torr以外ならびに酸素、水蒸気等の大気由来ガスが数十ppm以下の清浄雰囲気内で行うことが好適である。」 （４）甲第４号証 上記甲第４号証には、以下の記載がある。 「【００３５】 【発明の実施の形態】 以下、本発明の希土類－鉄－ホウ素系磁石及びその製造方法を更に詳しく説明する。本発明磁石における磁気特性の値は、磁石の成分組成や製法、磁石の体積、Ｍ元素の種類等によって影響を受けるが、適正な条件で製作することにより高い保磁力と高い残留磁束密度とが両立したバランスの良い磁石が得られる。」 「【００３８】 磁石表面に供給して堆積又は成膜する金属は、Ｎｄよりも磁気異方性が大きく、且つ磁石を構成するＮｄリッチ粒界相等に容易に拡散浸透することを目的とするため、希土類金属のＰｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏから選ばれるＭ元素の一種以上の単独又は上記のＭ元素を相当量含有する合金や化合物、例えば、Ｔｂ－Ｆｅ合金やＤｙ－Ｃｏ合金、又はＴｂＨ２等を用いることができる。」 「【００４８】 各種形状寸法を有する磁石表面の全部又は一部に上記のＭ元素の均一な膜を形成するには、複数のターゲットを用いて磁石表面に３次元的に金属成分Ｍを成膜させるスパッタリング法、又はＭ元素をイオン化させて、静電気的な吸引による強被着特性を利用して成膜させるイオンプレーティング法が特に有効である。」 （５）甲第５号証 上記甲第５号証には、以下の記載がある。 「【００１８】 本発明の希土類焼結磁石の製造方法は、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型結晶相を主相とし、Ｒ1aＴbＭcＳｉdＢe組成（Ｒ1はＳｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種以上で、ＴはＦｅ及びＣｏから選ばれる１種又は２種、ＭはＡｌ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｐ，Ｓ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの中から選ばれる１種又は２種以上、Ｓｉはケイ素、Ｂはホウ素、ａ～ｅは合金の原子％で、１２≦ａ≦１７、０≦ｃ≦１０、０．３≦ｄ≦７、５≦ｅ≦１０、残部がｂ）からなる異方性焼結体の表面にＲ2（Ｒ2はＤｙ及びＴｂから選ばれる１種又は２種）又はＲ2を含む物質を拡散させるようにしたものである。」 「【００２５】 得られた焼結ブロックは必要に応じて所定形状に研削された後、粒界拡散工程に供される。その大きさに特に限定はないが、粒界拡散工程において、磁石体に吸収されるＤｙ／Ｔｂは磁石体の比表面積が大きい、即ち寸法が小さいほど多くなるので、上記形状の最大部の寸法は１００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ以下でかつ磁気異方性化した方向の寸法が３０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、上記最大部の寸法及び磁気異方性化した方向の寸法の下限は特に制限されず、適宜選定されるが、上記形状の最大部の寸法は１ｍｍ以上、磁気異方性化した方向の寸法は０．５ｍｍ以上である。 【００２６】 粒界拡散の工程としては、磁石表面にＤｙ及び／又はＴｂ、あるいはこれらを含む物質を存在させ、拡散のための熱処理を施すもので、かかる方法としては公知の方法を採用し得る。 この場合、磁石体表面にＤｙ及び／又はＴｂ、あるいはこれらを含む物質（拡散材料）を存在させる方法としては、拡散材料を磁石体表面にコーティングしたり、拡散材料を蒸気化してこれを磁石体表面に接触させる等の方法が採用される。より具体的には、Ｄｙ及び／又はＴｂの酸化物、フッ化物、酸フッ化物、水素化物等の化合物の粉末、Ｄｙ及び／又はＴｂの粉末、Ｄｙ及び／又はＴｂを含む合金粉末、あるいはＤｙ及び／又はＴｂのスパッタ膜や蒸着膜、Ｄｙ及び／又はＴｂを含む合金のスパッタ膜や蒸着膜を磁石体表面にコーティングしたり、Ｄｙ及び／又はＤｙのフッ化物と水素化カルシウム等の還元剤を混合して付着させる方法が挙げられ、いずれの手法でも適用可能である。また、ＤｙやＤｙ合金を減圧下で熱処理することでＤｙを蒸気として磁石体に付着させるなどの方法も好適に採用できる。 この場合、上記表層部に濃化して結晶磁気異方性を高める効果はＤｙ，Ｔｂが大きく寄与することから、上記拡散材料中のＤｙ及び／又はＴｂの含有量は、３０原子％以上が好ましく、より好ましくは５０原子％以上、更に好ましくは８０原子％以上である。」 （６）甲第６号証 上記甲第６号証には、以下の記載がある。 「[0023] 本実施形態の永久磁石１２は、軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石である。特徴的な点は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）が他の部分よりも相対的に高い濃度で拡散された高保磁力部１２ａを備えていることにある。本明細書では、永久磁石１２のうち、高保磁力部１２ａ以外の部分を低保磁力部１２ｂと称する場合がある。」 「[0076] ＤｙおよびＴｂの拡散は、前述した方法によって行ってもよいが、Ｔｂについては、スパッタ法やスプレイ法などの薄膜堆積技術を用いて永久磁石の表面にＴｂ膜を堆積した後、Ｔｂ膜から永久磁石の内部に拡散することが好ましい。」 （７）甲第７号証 上記甲第７号証には、以下の記載がある。 「【００３１】 ＜希土類永久磁石材料の製造方法＞ 本発明に記載の永久磁石材料の製造方法はマルチアークイオンプレーティング工程S2）と浸透工程S3）を含む。好ましくは、本発明に係る製造方法は磁石製造工程S1）と時効処理工程S4）をさらに含む。」 「【００４５】 ＜マルチアークイオンプレーティング工程S2＞ 本発明に記載の製造方法は、マルチアークイオンプレーティングプロセスにより、重希土類元素を含有する金属を、少なくとも１つの方向における厚さが10mm以下である焼結ネオジム－鉄－ボロン磁石の表面に堆積させるマルチアークイオンプレーティング工程S2）を含む。好ましくは、前記厚さが10mm以下となる方向は焼結ネオジム－鉄－ボロン磁石の配向方向ではない。 【００４６】 本発明の重希土類元素を含有する金属は、重希土類元素の金属単体又は重希土類元素を含有する合金から選択される。本発明の重希土類元素を含有する合金は、重希土類元素以外にもその他の金属元素をさらに含有する。前記その他の金属元素は好ましくは、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、スズ、銀、銅及び亜鉛のうちから選択される少なくとも１種である。本発明の重希土類元素を含有する金属において、前記重希土類元素はイットリウム族元素から選択され、例えばイットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムから選択される少なくとも１種が挙げられる。本発明の好ましい実施形態によれば、前記重希土類元素はガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム及びホルミウムのうちの少なくとも１種である。」 （８）甲第８号証 上記甲第８号証には、以下の記載がある。 「[0024] 図１及び図２を参照して説明すれば、本発明の永久磁石Ｍは、所定形状に加工されたＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系の焼結磁石Ｓの表面に、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含有する蒸発材料Ｖを蒸発させて付着させ、この付着した蒸発材料のＤｙやＴｂの金属原子を、焼結磁石Ｓの結晶粒界相に拡散させて均一に行き渡らせる一連の処理 (真空蒸気処理)を同時に行って作製される。」 （９）甲第９号証 上記甲第９号証には、以下の記載がある。 「【０００１】 本発明は、成膜装置に関し、特に、鉄－ホウ素－希土類系の焼結磁石の表面に、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を成膜し、所定温度下で熱処理を施してＤｙ、Ｔｂの少なくとも一方を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させてなる永久磁石表面にＤｙ、Ｔｂの少なくとも一方を高速で成膜するのに適した成膜装置に関する。」 「【００１３】 図１及び図２を参照して説明すれば、１は、例えば鉄－ホウ素－希土類系の焼結磁石である被処理物Ｓの表面に選択的にＤｙやＴｂなどの金属蒸発材料を高速で成膜させるのに適した成膜装置である。成膜装置１は、処理室２と準備室３とを上下方向で連結して構成される。上側に位置する処理室２は、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、拡散ポンプなどの真空排気手段１１ａを介して所定の真空度に保持できる円筒形状の真空チャンバ１１内に配置されている。」 （１０）甲第１０号証 ア 甲第１０号証の記載事項 上記甲第１０号証には、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。） 「【０００１】 本発明は、Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の製造方法に関し、希土類永久磁石材料の分野に属するものである。」 「【００４１】 実施例１～７ ネオジム、プラセオジム、ジスプロシウム、テルビウム、電解鉄、コバルト、銅、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ホウ素を重量比でＮｄ－２３．８％、Ｐｒ－５％、Ｄｙ－０．６％、Ｔｂ－０．４％、Ｆｅ－６８．２９％、Ｃｏ－０．５％、Ｃｕ－０．１３％、Ｇａ－０．１％、Ａｌ－０．１％、Ｚｒ－０．１２％、Ｂ－１％の割合にして、不活性ガス環境下の真空溶解炉に鋳込みを完了して、鋳込温度を１４５０℃とし、急冷ローラの回転速度を６０ｒ／ｍｉｎとすると、得られる鱗片の厚さは約０．３ｍｍとなる。鱗片をＨＤ製粉、ジェットミルにより平均粒度が３．５μｍの粉末にする。１５ＫＯｅの磁場で配向し、プレス成形をして、コンパクトにする。コンパクトにしたものをＡｒガス雰囲気下の焼結炉に入れて、１１００℃で５ｈ焼結して圧粉体を得、圧粉体を５００℃の温度で５ｈ時効して、焼結する半製品を得る。機械で加工することで、焼結する半製品を寸法が４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍの５０Ｍ磁石に加工して、Ｍｏとする。 【００４２】 ５０Ｍ焼結磁石（４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍ）に対して、脱脂、酸洗い、活性化及び脱イオン水洗浄をしてから乾燥処理する。磁石を掛具に掛けて平均粉末粒度が０．８μｍ、１．２μｍ、１．６μｍ、２μｍ、２．４μｍ、３μｍ、５μｍのテルビウム粉末を使用して、それぞれエチルアルコール、１，３，５‐トリクロロトルエンと重量比１２：７：１でスラリーＪ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４、Ｊ５、Ｊ６及びＪ７にする。その後、スラリーＪ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４、Ｊ５、Ｊ６及びＪ７をそれぞれ使用して磁石の表面にスプレーした後で熱風を用いて磁石を乾燥させ、磁石の表面に厚さが２５±３μｍのテルビウム粉末のコーティング層を形成し、これらの５種類の磁石をそれぞれＭｌ、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６及びＭ７とする。これらの磁石を真空焼結炉内に置いて、９７０℃の温度の真空条件下（単位面積当たりの圧力は１０－３～１０－４Ｐａの範囲）で２４ｈ処理し、その後、５００℃で５ｈ時効処理をして、Ａｒガスを通して室温まで冷却する。測定・分析をしたところ、その性能は、表１に示す通りとなる。 【００４３】 【表１】 ［図：0001404790000003.jpg］ 」 イ 甲第１０号証に記載された発明 上記アより、以下のことがいえる。 （ア）【０００１】、【００４１】、【００４２】より、甲第１０号証の「Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石」のうちの磁石Ｍ２は、 ネオジム、プラセオジム、ジスプロシウム、テルビウム、電解鉄、コバルト、銅、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ホウ素を重量比でＮｄ－２３．８％、Ｐｒ－５％、Ｄｙ－０．６％、Ｔｂ－０．４％、Ｆｅ－６８．２９％、Ｃｏ－０．５％、Ｃｕ－０．１３％、Ｇａ－０．１％、Ａｌ－０．１％、Ｚｒ－０．１２％、Ｂ－１％の割合にして、焼結して得られた圧粉体を５００℃の温度で５ｈ時効して得られた焼結する半製品を寸法が４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍの５０Ｍ磁石に加工し、 ５０Ｍ焼結磁石（４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍ）に対して、脱脂、酸洗い、活性化及び脱イオン水洗浄をしてから乾燥処理し、 平均粉末粒度が１．２μｍのテルビウム粉末を使用したスラリーＪ２を使用して磁石の表面にスプレーした後で熱風を用いて磁石を乾燥させ、磁石の表面にテルビウム粉末のコーティング層を形成し、 磁石を真空焼結炉内に置いて、９７０℃の温度の真空条件下で２４ｈ処理し、その後、５００℃で５ｈ時効処理をして、室温まで冷却することにより得られるものである。 （イ）【００４３】の【表１】より、Ｈｃｊの単位はｋＯｅで、（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅとしたとき、磁石Ｍ２は、Ｈｃｊと（ＢＨ）ｍａｘの合計値が７６．３３（２６．７０＋４９．６３）である。 （ウ）上記（ア）、（イ）より、甲第１０号証には、以下の発明（以下、「甲１０発明」という。）が記載されている。 （甲１０発明） 「ネオジム、プラセオジム、ジスプロシウム、テルビウム、電解鉄、コバルト、銅、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ホウ素を重量比でＮｄ－２３．８％、Ｐｒ－５％、Ｄｙ－０．６％、Ｔｂ－０．４％、Ｆｅ－６８．２９％、Ｃｏ－０．５％、Ｃｕ－０．１３％、Ｇａ－０．１％、Ａｌ－０．１％、Ｚｒ－０．１２％、Ｂ－１％の割合にして、焼結して得られた圧粉体を５００℃の温度で５ｈ時効して得られた焼結する半製品を寸法が４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍの５０Ｍ磁石に加工し、 ５０Ｍ焼結磁石（４０ｍｍ＊２０ｍｍ＊４ｍｍ）に対して、脱脂、酸洗い、活性化及び脱イオン水洗浄をしてから乾燥処理し、 平均粉末粒度が１．２μｍのテルビウム粉末を使用したスラリーＪ２を使用して磁石の表面にスプレーした後で熱風を用いて磁石を乾燥させ、磁石の表面にテルビウム粉末のコーティング層を形成し、 磁石を真空焼結炉内に置いて、９７０℃の温度の真空条件下で２４ｈ処理し、その後、５００℃で５ｈ時効処理をして、室温まで冷却することにより得られ、 Ｈｃｊの単位はｋＯｅで、（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅとしたとき、Ｈｃｊと（ＢＨ）ｍａｘの合計値が７６．３３（２６．７０＋４９．６３）である Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石。」 （１１）甲第１１号証 ア 甲第１１号証の記載事項 上記甲第１１号証には、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。） 「【００９６】 （実験例１） （Ｒ―Ｔ－Ｂ系焼結磁石の作製） 原料として、Ｎｄ、Ｐｒ、電解鉄、低炭素フェロボロン合金を準備した。さらに、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒを、純金属またはＦｅとの合金の形で準備した。 【００９７】 前記原料を用い、ストリップキャスト法により、後述する粒界拡散を経て最終的に得られる磁石組成が表１および表２に示す各試料の組成となるように原料合金を作製した。表１および表２に示したＣ、Ｎ、Ｏの含有量（ｐｐｍ）はそれぞれ磁石の総質量に対する含有量を表す。表２にはＦｅを表示していないが、表１および表２に示したＣ、Ｎ、Ｏ以外の各元素の含有量（質量％）はＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、ＺｒおよびＦｅの合計含有量を１００質量％としたときの値である。なお、前記原料合金の合金厚みは０．２ｍｍ～０．４ｍｍとした。 【００９８】 次いで、原料合金に対して室温で１時間、水素ガスをフローさせて水素を吸蔵させた。次いで雰囲気をＡｒガスに切り替え、６００℃で１時間、脱水素処理を行い、原料合金を水素吸蔵粉砕した。試料番号８１～８３については窒素含有量が所定の量となるように脱水素処理時の雰囲気中窒素ガス濃度を調整した。さらに、冷却後にふるいを用いて４２５μｍ以下の粒度の粉末とした。なお、水素吸蔵粉砕から後述する焼結工程までは、常に酸素濃度２００ｐｐｍ未満の低酸素雰囲気とした。なお、試料番号７４～７８については酸素含有量が所定の量となるように酸素濃度を調整した。 【００９９】 次いで、水素吸蔵粉砕およびふるいを用いた後の原料合金の粉末に対し、質量比で０．１％のオレイン酸アミドを粉砕助剤として添加し、混合した。試料番号６３～６８については、炭素含有量が所定の量となるように粉砕助剤の添加量を調整した。 【０１００】 次いで、衝突板式のジェットミル装置を用いて窒素気流中で微粉砕し、平均粒径が３．９μｍ～４．２μｍである微粉を得た。試料番号７９、８０についてはＡｒと窒素との混合ガス気流中で微粉砕し、窒素含有量が所定の量となるように窒素ガス濃度を調整した。なお、前記平均粒径は、レーザ回折式の粒度分布計で測定した平均粒径Ｄ５０である。 【０１０１】 得られた微粉を磁界中で成形して成形体を作製した。このときの印加磁場は１２００ｋＡ／ｍの静磁界である。また、成形時の加圧力は９８ＭＰａとした。なお、磁界印加方向と加圧方向とを直交させるようにした。この時点での成形体の密度を測定したところ、全ての成形体の密度が４．１０Ｍｇ／ｍ３～４．２５Ｍｇ／ｍ３の範囲内であった。 【０１０２】 次に、前記成形体を焼結し、焼結体を得た。焼結条件は、組成等により最適条件が異なるが、１０４０℃～１１００℃の範囲内で４時間保持とした。焼結雰囲気は真空中とした。このとき焼結密度は７．４５Ｍｇ／ｍ３～７．５５Ｍｇ／ｍ３の範囲にあった。その後、Ａｒ雰囲気、大気圧中で、第一時効温度Ｔ１＝８５０℃で１時間の第一時効処理を行い、さらに、第二時効温度Ｔ２＝５２０℃で１時間の第二時効処理を行った。 【０１０３】 その後、時効処理後の焼結体をバーチカルにより１４ｍｍ×１０ｍｍ×４．２ｍｍ（磁化容易軸方向厚み４．２ｍｍ）に加工して後述するＴｂの粒界拡散前の焼結体を作製した。 【０１０４】 さらに、前記した工程で得られた焼結体を、エタノール１００質量％に対し硝酸３質量％とした硝酸とエタノールとの混合溶液に３分間浸漬させた後にエタノールに１分間浸漬するエッチング処理を行った。前記混合溶液に３分間浸漬させた後にエタノールに１分間浸漬させるエッチング処理は２回行った。次いで、エッチング処理後の焼結体の全面に対し、ＴｂＨ２粒子平均粒径Ｄ５０＝１０．０μｍをエタノールに分散させたスラリーを、磁石の質量に対するＴｂの質量比で０．２質量％～１．２質量％塗布した。表１および表２に記載のＴｂの含有量になるように塗布量を変化させた。 【０１０５】 前記スラリーを塗布、乾燥させた後に大気圧でＡｒをフローしながら９３０℃、１８時間の拡散処理を実施し、続いて５２０℃、４時間の熱処理を施した。次いで、１４×１０×４．２ｍｍ試料の表面を各面あたり０．１ｍｍ削り落とし、表１および表２に示す各試料のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得た。 【０１０６】 得られた各Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の平均組成を測定した。各試料をスタンプミルにより粉砕し、分析に供した。各種元素量については、蛍光Ｘ線分析により測定した。ホウ素（Ｂ）の含有量はＩＣＰ分析により測定した。酸素の含有量は不活性ガス融解－非分散型赤外線吸収法により、炭素の含有量は酸素気流中燃焼－赤外線吸収法により、窒素の含有量は不活性ガス融解－熱伝導度法により測定した。結果を表１、表２に記す。なお、本実施例では、Ｒの含有量の合計ＴＲＥは２８．２０質量％以上、３０．５０質量％以下である。 【０１０７】 得られた各Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石について、ＢＨトレーサーで磁気特性の評価を行った。４０００ｋＡ／ｍのパルス磁場により着磁を行ってから磁気特性を評価した。前記焼結磁石の厚みが薄いため、前記焼結磁石を３枚重ねて評価した。結果を表１、表２に記す。」 「【０１１０】 【表１】 ［図：0001404790000004.jpg］ 」 「【０１１１】 【表２】 ［図：0001404790000005.jpg］ 」 イ 甲第１１号証に記載された発明 上記アより、以下のことがいえる。 （ア）【００９６】、【００９８】～【０１０５】より、甲第１１号証のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、 原料合金から得られた微粉を磁界中で成形して成形体を作製し、 成形体を焼結し、焼結体を得て、 その後、第一時効温度Ｔ１＝８５０℃で１時間の第一時効処理を行い、さらに、第二時効温度Ｔ２＝５２０℃で１時間の第二時効処理を行い、ＴｂＨ２粒子をエタノールに分散させたスラリーを、磁石の質量に対するＴｂの質量比で０．２質量％～１．２質量％塗布し、乾燥させ、 ９３０℃１８時間の拡散処理を実施し、続いて５２０℃、４時間の熱処理を施して得られるものである。 （イ）【００９７】には、「表１および表２に示したＣ、Ｎ、Ｏ以外の各元素の含有量（質量％）はＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、ＺｒおよびＦｅの合計含有量を１００質量％としたときの値である。」と記載されていること、「ｍａｓｓ」は質量を意味するものであることから、【表２】の「ｍａｓｓ％」との記載は「質量％」のことである。 また、【００９７】の「後述する粒界拡散を経て最終的に得られる磁石組成が表１および表２に示す各試料の組成となるように」との記載、【表２】には、「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石組成（Ｔｂ拡散後）」との記載より、【表２】に示されたＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒの組成は、Ｔｂ拡散後のものである。 そうすると、【００９６】、【０１１１】の【表２】より、甲第１１号証の「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」のうちの試料番号５８は、 Ｂｒが１４６１ｍＴであり、 Ｈｃｊが１９７３ｋＪ／ｍであり、 Ｔｂ拡散後のＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒが、それぞれ、２２．２、７．４、０．３５、０．９３、０．２０、０．３０、０．２０、２．０、０．０３、０．１５質量％である。 （ウ）上記（ア）、（イ）より、甲第１１号証には、以下の発明（以下、「甲１１発明」という。）が記載されている。 （甲１１発明） 「原料合金から得られた微粉を磁界中で成形して成形体を作製し、 成形体を焼結し、焼結体を得て、 その後、第一時効温度Ｔ１＝８５０℃で１時間の第一時効処理を行い、さらに、第二時効温度Ｔ２＝５２０℃で１時間の第二時効処理を行い、ＴｂＨ２粒子をエタノールに分散させたスラリーを、磁石の質量に対するＴｂの質量比で０．２質量％～１．２質量％塗布し、乾燥させ、 ９３０℃１８時間の拡散処理を実施し、続いて５２０℃、４時間の熱処理を施して得られるものであり、 Ｂｒが１４６１ｍＴであり、 Ｈｃｊが１９７３ｋＪ／ｍであり、 Ｔｂ拡散後のＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒが、それぞれ、２２．２、７．４、０．３５、０．９３、０．２０、０．３０、０．２０、２．０、０．０３、０．１５質量％である Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。」 （１２）甲第１２号証 上記甲第１２号証には、以下の記載がある。 「２．磁石材料の特性と評価 （中略）μ０は磁気定数（真空の透磁率）であり、（中略） 高性能な磁石は残留磁束密度Ｂｒ（＝Ｊｒ）、Ｊ保持力Ｈｃｊ、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘがそれぞれ大きく、さらに磁気的な安定性が優れていることである。（中略）特に、磁石の理論値として計算される（ＢＨ）ｍａｘ＝Ｊｓ２／４μ０の式より飽和磁化の高い材料の開発が高性能磁石を生む要因になる。」（１５９頁左欄１７行～１６０頁左欄９行） （１３）甲第１３号証 上記甲第１３号証には、以下の記載がある。 「Density:ρ＝７．４０Ｍｇ・ｍ－３」 ３ 当審の判断 （１）進歩性について ア 本件発明５と甲１発明との対比 （ア）構成５Ｌについて 甲１発明と本件発明５は、「希土類の磁石」である点で共通するが、本件発明５は、「希土類拡散磁石」であるのに対し、甲１発明は「希土類磁石」であり拡散がなされていない点で相違する。 （イ）構成５Ａ、５Ｂ、５Ｆ～５Ｊについて 甲１発明の「第二粒界相」は、「Ｒ：５０～７０原子％」「の範囲でＲ－Ｔ－Ｍ元素を少なくとも含有する粒界相」であり、「研磨断面における」「面積比率が２．８％であり、」「Ｒとしては、Ｎｄ及びＰｒのいずれか一方を必ず含み、Ｍ元素としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられ、Ｔで表される元素として、Ｆｅを必須としてＦｅに加えてさらに他の鉄族元素を含むことができるものであり、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ、Ｃ、Ｏの組成」である。 そうすると、甲１発明の「第二粒界相」と本件発明５の「白色結晶粒界相」とは、「希土類の磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、」「前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及びＰｒを含み、ＴはＦｅならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕのうちの少なくとも１つ」である点で共通する。 また、甲１発明の「第一粒界相」は、「研磨断面における」「面積比率が３．４％」である。 そうすると、甲１発明の「第一粒界相」と本件発明５の「灰色結晶粒界相」とは、「灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％」を占める点で共通する。 しかし、希土類の磁石の結晶粒界相における希土類の磁石に関して、上記（ア）と同様に、本件発明５は「希土類拡散磁石」であるのに対し、甲１発明は「希土類磁石」であり拡散がなされていない点で相違する。 また、本件発明５の「灰色結晶粒界相」は、「Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相」であるのに対し、甲１発明は、その旨特定されていない点で相違する。 （ウ）構成５Ｃ～５Ｅについて 本件発明５と甲１発明は、「固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅ」である点で一致する。 また、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであることは周知である。 しかし、本件発明５は、「前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５」を超えるのに対し、甲１発明の希土類磁石は、「Ｂｒが１３．４ｋＧ、Ｈｃｊが１９．３ｋＯｅ」であるが、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値は特定されていない点で相違する。 （エ）構成５Ｋについて 甲１発明の希土類磁石の成分は、「Ｎｄ、Ｐｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ、Ｃ、Ｏの組成が、２５．０、７．０、０．８７、０．１、０．２、０．６、０．０４、０．１２、０．０８質量％であり、Ｆｅはｂａｌ．すなわち残部」である。 そうすると、甲１発明の希土類磁石の成分は、 ＮｄとＰｒの含有量は、３２．０質量％であり、 Ｂの含有量は、０．８７質量％であり、 ＣｕとＡｌの含有量は、０．３質量％であり、 Ｇａの含有量は、０．６質量％であり、 残りは、ＦｅとＮ、Ｃ、Ｏである。 それに対して、本件発明５の希土類磁石は、「質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素」である。 甲１発明と本件発明５の構成５Ｋとを対比すると、 「希土類の磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよびＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂを含有し、 残りはＴであり、ＴはＦｅならびに不可避の不純物元素」である点で共通する。 しかし、希土類の磁石に関して、上記（ア）と同様に、本件発明５は「希土類拡散磁石を得るための希土類磁石」であるのに対し、甲１発明は「希土類磁石」である点で相違する。 また、本件発明５のＢの含有量は「０．９６～１．０ｗｔ％」であるのに対し、甲１発明は「０．８７質量％」である点で相違する。 イ 一致点・相違点 以上より、本件発明５と甲１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） 希土類の磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、 灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、 固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅであり、 前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、 Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及びＰｒを含み、 ＴはＦｅならびに不可避の不純物元素であり、 ＭはＡｌ、Ｃｕのうちの少なくとも１つであり、 前記希土類の磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよびＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂを含有し、 残りはＴであり、ＴはＦｅならびに不可避の不純物元素である、ことを特徴とする、 希土類の磁石。」 （相違点） （相違点１） 「希土類の磁石」に関して、本件発明５は、「希土類拡散磁石」であるのに対し、甲１発明は「希土類磁石」であり拡散がなされていない点。 （相違点２） 本件発明５の「灰色結晶粒界相」は、「Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相」であるのに対し、甲１発明は、その旨特定されていない点。 （相違点３） 本件発明５は、「前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５」を超えるのに対し、甲１発明の希土類磁石は、「Ｂｒが１３．４ｋＧ、Ｈｃｊが１９．３ｋＯｅ」であるが、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値は特定されていない点。 （相違点４） 本件発明５のＢの含有量は「０．９６～１．０ｗｔ％」であるのに対し、甲１発明は「０．８７質量％」である点。 ウ 判断 事案に鑑みて、上記相違点３、４について先に判断する。 （ア）相違点３について 甲第１２号証には、磁石の理論値として、（ＢＨ）ｍａｘ＝Ｊｓ２／４μ０の式が記載されている。 しかし、甲１発明におけるＪｓとμ０が不明であるから、甲１発明の（ＢＨ）ｍａｘの値は不明である。また、甲１発明におけるＪｓとμ０が求められたとしても、甲第１２号証の式は理論式であるから、甲１発明の（ＢＨ）ｍａｘの値が当該理論式どおりの値になるか不明である。 そして、甲第２号証～甲第９号証には、希土類磁石にＴｂを拡散させることが周知技術であることが記載され、甲第１０号証には、Ｔｂを拡散することにより、ＨｃｊやＢｒの値が変化することが記載されているにすぎず、当該周知技術（甲第２号証～甲第９号証）、甲第１０号証をみても、甲１発明において、希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えるようにすることが、当業者が容易に想到しうると認めることができない。 特許異議申立人は、特許異議申立書において、以下の主張をしている。 「要件５Ｃ～５Ｅについて、甲第１０号証の段落【００４３】の【表１】では、磁石にＴｂを堆積してＴｂを拡散することでＨｃｊが１１．５ｋＯｅ高くなり、Ｂｒが０．１０低下することがＭ０とＭ２との比較により示されている。 そうすると、甲１発明においてＴｂを堆積してＴｂを拡散した場合には、磁石の残留磁束密度Ｂｒが１３．３ｋＧ（１３３０ｍＴ）となり、保磁力Ｈｃｊが、３０．８ｋＯｅとなると推認される。 ここで、「（シ）甲第１２号証・・・について」の「ｃ 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（単位：ＭＧＯｅ）の算出について」で示したとおり、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（単位：ＭＧＯｅ）は下記式（２）により算出される。 Ｊｒ２／４（１＋α）μ０・・・式（２） ここで、α＝０．０３とすると、μ０＝１より、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘは、式（２）より４２．９ＭＧＯｅと算出される。 なお、α＝０．０３は、ネオジム磁石として一般的な値である。この点は、例えば、甲第１０号証の段落【００４３】の【表１】の実施例２の磁石Ｍ２（甲１０発明）の残留磁束密度の測定値１４．３０ｋＧと上記式（２）から算出される最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘが４９．６３となり、測定値と一致することからも明らかである。 つまり、甲１発明においてＴｂを堆積してＴｂを拡散した場合には、磁石の保磁力Ｈｃｊ（単位：ｋＯｅ）と最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（単位：ＭＧＯｅ）の合計値が７３．７となる。 （中略） したがって、本件特許発明５は、甲第１号証に基づいて容易に想到できるものであり、進歩性を有しない。」（３９頁４行～４０頁１２行） 上記主張について検討するに、甲第１０号証において、磁石Ｍ０にＴｂを堆積及び拡散することで得られる磁石Ｍ２のＨｃｊが１１．５ｋＯｅ高くなり、Ｂｒが０．１０低下することが記載されているとしても、甲１発明の希土類磁石の組成と甲第１０号証に示された磁石Ｍ０の組成とは、異なるものであるから、甲１発明の希土類磁石において、Ｔｂを堆積及び拡散することで、甲第１０号証に示された数値と同じだけ変化するかは不明である。 また、特許異議申立書の「（シ）甲第１２号証・・・について」の「ｃ 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（単位：ＭＧＯｅ）の算出について」（３６頁１～１４行）において、（ＢＨ）ｍａｘ＝Ｊｒ２／４（１＋α）μ０としているが、当該式はＨ＝０～Ｈｃｊまでは磁気分極Ｊと磁界Ｈとの関係式がαμ０という傾きを持つ直線（Ｊ＝αμ０Ｈ＋Ｊｒ）と仮定した場合の式であり、さらに、α＝０．０３、μ０＝１と仮定して、当該式から４２．９ＭＧＯｅと算出したものであり、甲１発明において、そのような仮定が成立するか否かは不明であるし、異議申立人が主張するような仮定が全て成立するとしても、甲１発明においてＴｂを堆積してＴｂを拡散した場合には、磁石の保磁力Ｈｃｊ（単位：ｋＯｅ）と最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（単位：ＭＧＯｅ）の合計値が７３．７にしかならず、合計値が７５を超えるものではない。 したがって、特許異議申立人の上記主張を認めることはできない。 （イ）相違点４について 甲１発明は、実施例２４の試料に係る発明であるが、甲第１号証の【表１】、【表２】の実施例１～３１をみても、Ｂは、０．７０（実施例１、２、１８）～０．９２（実施例１４）質量％であり、【００２６】には、「Ｂ：０．７～０．９５質量％」と記載されている。 そして、Ｂが１．００質量％である比較例１、２は、【００５５】に「比較例１～３では、高温減磁率の絶対値が４％以上となっており、高温減磁率の抑制効果が出ていない。」と記載しているように、実施例と比較して適切でない例であり、甲１発明において、Ｂを０．９５質量％以上とすることには、阻害要因がある。また、周知技術（甲第２号証～甲第９号証）、甲第１０号証をみても、Ｂの含有量を「０．９６～１．０ｗｔ％」にする動機がない。 そうすると、甲１発明において、Ｂの含有量を「０．９６～１．０ｗｔ％」とすることは、当業者が容易に想到しうると認めることができない。 以上より、相違点１、２について判断するまでもなく、本件請求項５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、周知技術（甲第２号証～甲第９号証）、甲第１０号証に記載された技術から、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （２）新規性について ア 甲１０発明に基づく本件発明５の新規性について （ア）本件発明５と甲１０発明との対比 ａ 構成５Ｌについて 甲１０発明のＲ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石は、焼結磁石の表面にテルビウム粉末のコーティング層を形成し、９７０℃の温度の真空条件下で２４ｈ処理し、その後、５００℃で５ｈ時効処理をして得られたものであって、希土類であるテルビウムを拡散処理した磁石といえるので、本件発明５の「希土類拡散磁石」に相当する。 ｂ 構成５Ａ、５Ｂ、５Ｆ～５Ｊについて 本件発明５は、「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、」「前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つ」であるのに対し、甲１０発明は、そのような特定がない点で相違する。 ｃ 構成５Ｃ～５Ｅについて 甲１０発明の希土類拡散磁石は、「Ｈｃｊと（ＢＨ）ｍａｘの合計値が、７６．３３であり、Ｈｃｊの単位はｋＯｅであり、（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅである」から、本件発明５の「前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅ」であることに相当する。 ｄ 構成５Ｋについて 甲１０発明の磁石の成分（拡散前の磁石の成分であるから希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分といえる。）は、「ネオジム、プラセオジム、ジスプロシウム、テルビウム、電解鉄、コバルト、銅、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ホウ素を重量比でＮｄ－２３．８％、Ｐｒ－５％、Ｄｙ－０．６％、Ｔｂ－０．４％、Ｆｅ－６８．２９％、Ｃｏ－０．５％、Ｃｕ－０．１３％、Ｇａ－０．１％、Ａｌ－０．１％、Ｚｒ－０．１２％、Ｂ－１％の割合」である。 そうすると、甲１０発明の希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、 ＮｄとＰｒの含有量は２８．８％であり、 ＤｙとＴｂの含有量は１％であり、 ＣｕとＡｌとＺｒの含有量は０．３５％であり、 Ｇａの含有量は０．１％であり、 Ｂの含有量は１％であり、 残りはＦｅとＣｏである。 それに対して、本件発明５の希土類磁石は、「質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素」である。 甲１０発明と本件発明５の構成５Ｋとを対比すると、 「希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよびＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 ＤｙおよびＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｚｒのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａを含有し、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよびＣｏならびに不可避の不純物元素」である点で共通する。 ただし、Ｇａの含有量が本件発明５は「０．３～０．８ｗｔ％」であるのに対し、甲１０発明は「０．１％」である点で相違する。 （イ）一致点・相違点 以上より、本件発明５と甲１０発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） 希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、 前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅであり、 前記希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよびＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 ＤｙおよびＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｚｒのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａを含有し、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよびＣｏならびに不可避の不純物元素である、ことを特徴とする、 希土類拡散磁石。 （相違点） （相違点５） 本件発明５は、「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、」「前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つ」であるのに対し、甲１０発明は、そのような特定がない点。 （相違点６） Ｇａの含有量が本件発明５は「０．３～０．８ｗｔ％」であるのに対し、甲１０発明は「０．１％」である点。 （ウ）判断 本件発明５と甲１０発明とを対比すると、少なくとも、Ｇａの含有量が異なるという相違点６を有する。 したがって、相違点５について判断するまでもなく、請求項５に係る発明は、甲第１０号証に記載された発明でない。 イ 甲１１発明に基づく本件発明５の新規性について （ア）本件発明５と甲１１発明との対比 ａ 構成５Ｌについて 甲１１発明のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、焼結体に、ＴｂＨ２粒子をエタノールに分散させたスラリーを塗布し、乾燥させ、９３０℃１８時間の拡散処理を実施し、続いて５２０℃、４時間の熱処理を施して得られるものであって、希土類であるＴｂを拡散処理した磁石といえるので、本件発明５の「希土類拡散磁石」に相当する。 ｂ 構成５Ａ、５Ｂ、５Ｆ～５Ｊについて 本件発明５は、「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、」「前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つ」であるのに対し、甲１１発明は、そのような特定がない点で相違する。 ｃ 構成５Ｃ～５Ｅについて 本件発明５は「希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅ」であるのに対し、甲１１発明は、「Ｂｒが１４６１ｍＴであり、Ｈｃｊが１９７３ｋＪ／ｍ」であるが、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えるとは特定されていない点で相違する。 ｄ 構成５Ｋについて 本件発明５は、「希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素」であるのに対し、甲１１発明は、「Ｔｂ拡散後のＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒが、それぞれ、２２．２、７．４、０．３５、０．９３、０．２０、０．３０、０．２０、２．０、０．０３、０．１５質量％」であるが、Ｔｂ拡散前の希土類磁石の成分が明らかでない点で相違する。 （イ）一致点・相違点 以上より、本件発明５と甲１１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） 希土類拡散磁石。 （相違点） （相違点７） 本件発明５は、「希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の１～３％を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の２～４％を占め、」「前記灰色結晶粒界相は、Ｎｄ６Ｆｅ１３Ｇａ相、すなわち、６：１３：１相であり、前記白色結晶粒界相は、Ｒ１～Ｔ～Ｍ相であり、Ｒ１の原子百分率は３０ａｔ％を超え、Ｒ１は、希土類元素であり、Ｎｄ及び／又はＰｒを含み、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つ」であるのに対し、甲１１発明は、そのような特定がない点。 （相違点８） 本件発明５は「希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えて、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘの単位はＭＧＯｅであり、前記固有保磁力Ｈｃｊの単位がｋＯｅ」であるのに対し、甲１１発明は、「Ｂｒが１４６１ｍＴであり、Ｈｃｊが１９７３ｋＪ／ｍ」であるが、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと固有保磁力Ｈｃｊの合計値が７５を超えるとは特定されていない点。 （相違点９） 本件発明５は、「希土類拡散磁石を得るための希土類磁石の成分は、質量百分率で、 Ｒの含有量は２８～３２ｗｔ％であり、ＲはＤｙとＴｂを含まない希土類元素であり、Ｒ中のＰｒおよび／またはＮｄの割合は９８～１００ｗｔ％であり、 Ｄｙおよび／またはＴｂの含有量は０～２ｗｔ％であり、 Ｍの含有量は０．１～１．４ｗｔ％であり、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎのうちの少なくとも１つであり、 Ｇａの含有量は０．３～０．８ｗｔ％であり、 Ｂの含有量は０．９６ｗｔ％～１．０ｗｔ％であり、 残りはＴであり、ＴはＦｅおよび／またはＣｏならびに不可避の不純物元素」であるのに対し、甲１１発明は、「Ｔｂ拡散後のＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒが、それぞれ、２２．２、７．４、０．３５、０．９３、０．２０、０．３０、０．２０、２．０、０．０３、０．１５質量％」であるが、Ｔｂ拡散前の希土類磁石の成分が明らかでない点。 （ウ）判断 事案に鑑みて、上記相違点９について先に判断する。 甲１１発明のＴｂ拡散後の成分は、 ＮｄとＰｒの含有量は２９．６質量％（２２．２＋７．４）であり、 Ｔｂの含有量は０．３５質量％であり、 ＣｕとＡｌとＺｒの含有量は０．５５質量％（０．２０＋０．２０＋０．１５）であり、 Ｇａの含有量は０．３０質量％であり、 Ｂの含有量は０．９３質量％であり、 残りはＦｅとＣｏとＭｎである。 ここで、甲第１１号証の【００９６】によれば、「原料として、Ｎｄ、Ｐｒ、電解鉄、低炭素フェロボロン合金を準備した。さらに、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒを、純金属またはＦｅとの合金の形で準備した。」と記載されていることから、原料すなわち甲１１発明のＴｂ拡散前の希土類磁石にＴｂは含まれない。 そうすると、甲１１発明において、Ｔｂ拡散前とＴｂ拡散後とのＴｂの含有量は、それぞれ０質量％と０．３５質量％である。 ここで、Ｔｂ拡散前の各成分の質量百分率を考えると、Ｂの含有量は、Ｔｂ拡散後である０．９３質量％よりは大きくなるものの、０．９６質量％より少ないことは明らかである。 すなわち、本件発明５と甲１１発明とを対比すると、少なくとも、Ｂの含有量が異なるという相違点を有する。 したがって、相違点７、８について判断するまでもなく、請求項５に係る発明は、甲第１１号証に記載された発明でない。 なお、甲第１１号証の【表１】において、試料番号１＊、８＊、１４＊、２１＊、２８＊、３５＊については、Ｔｂ拡散後のＢの含有量が０．９６質量％であるから、Ｔｂ拡散前のＢの含有量は本件発明５のＢの含有量の範囲内となるが、Ｔｂ拡散後のＧａの含有量がいずれの試料番号も０．２０質量％であり、Ｔｂ拡散前のＧａの含有量は本件発明５と異なる値となるから、甲第１１号証の他の試料番号を見ても、本件発明５と同一のものはない。 第６ むすび したがって、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、請求項５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。