2022-700989

特許第７０５２９３５号発明「回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０５２９３５号の特許請求の範囲を、令和６年６月１３日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。 特許第７０５２９３５号の請求項１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 １ 特許第７０５２９３５号の請求項１に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、２０２１年（令和３年）６月１日（優先権主張 令和２年６月２６日）を国際出願日とする出願であって、令和４年４月４日にその特許権の設定登録がされ、令和４年４月１２日に特許掲載公報が発行された。 ２ その後、令和４年１０月６日に特許異議申立人中和正一（以下「申立人（１）」という。）により、また、令和４年１０月１１日に特許異議申立人松本晃子（以下「申立人（２）」という。）、及び、特許異議申立人古川慎二（以下「申立人（３）」という。）により、それぞれ特許異議の申立てがされ、当審は、令和４年１２月２８日付けで取消理由を通知した。 それに対し、特許権者は、その指定期間内である令和５年２月１０日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、申立人（１）は令和５年３月２４日に、申立人（２）及び申立人（３）は令和５年３月３０日にそれぞれ意見書を提出した。 ３ その後、当審は、令和５年５月２４日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である令和５年７月１９日に意見書の差出、及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、令和５年８月２５日に申立人（３）が、令和５年８月２８日に申立人（１）が、令和５年８月３０日に申立人（２）がそれぞれ意見書を提出した。 ４ その後、当審は、令和５年１０月２０日付けで、２回目の取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である令和５年１２月２５日に意見書の提出、及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、令和６年２月１６日に申立人（１）が、令和６年２月２０日に申立人（３）が、令和６年２月２２日に申立人（２）がそれぞれ意見書を提出した。 ５ その後、当審は、令和６年４月５日付けで、３回目の取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である令和６年６月１３日に意見書の提出、及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、令和６年７月２３日に申立人（１）が、令和６年７月２５日に申立人（３）が、令和６年７月３０日に申立人（２）がそれぞれ意見書を提出した。 以下、令和４年１０月６日に申立人（１）が提出した特許異議申立書、令和４年１０月１１日に申立人（２）が提出した特許異議申立書、及び、令和４年１０月１１日に申立人（３）が提出した異議申立書を、それぞれ申立書（１）～（３）といい、また、令和６年７月２３日に申立人（１）が提出した意見書、令和６年７月３０日に申立人（２）が提出した意見書、令和６年７月２５日に申立人（３）が提出した意見書を、それぞれ意見書（１）～（３）という。 なお、特許権者が令和５年２月１０日、同年７月１９日、同年１２月２５日にした訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和６年６月１３日提出の訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の請求は、特許第７０５２９３５号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであって、本件訂正の内容は、次のとおりである。（下線は、訂正請求書の記載のとおり。） （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記絶縁基板上に直接接して設けられた金属の回路パターンと、」と記載されているのを、「前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、」に訂正する。 （２） 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、」と記載されているのを、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、」に訂正する。 （３） 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に「前記金属が圧延銅からなり、」と記載されているのを、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり、」に訂正する。 （４） 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１に「前記樹脂の弾性率をＥ、」と記載されているのを、「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、」に訂正する。 （５） 訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１に「測定時の室温をＲＴ、」と記載されているのを、「前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、」に訂正する。 （６） 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１に「前記絶縁基板が樹脂からなり、」と記載されているのを、「前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり、」に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１に係る訂正は、請求項１に係る発明を特定する事項である「金属の回路パターン」について、「厚みが５．０ｍｍ以下の」との事項を付加するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものといえる。（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号） イ 新規事項の有無 本件特許に係る出願の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）には次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【００２４】 回路パターン２０の厚さＴ３の下限値は、例えば、０．３ｍｍ以上である。このような数値以上であれば、高電流を要する用途であっても、回路パターン２０の発熱を抑えることができる。また、回路パターン２０の厚さＴ３の上限値は、例えば、５．０ｍｍ以下であり、好ましくは４．０ｍｍ以下であり、さらに好ましくは３．０ｍｍ以下である。このような数値以下であれば、回路加工性を向上させることができ、また、放熱基板１０全体としての薄型化を図ることができる。」 そうすると、訂正事項１に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）に記載した事項であり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アのとおり、訂正事項１に係る訂正は、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （２） 訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２に係る訂正は、請求項１に係る発明の、回路パターンの外郭線が有する、曲線となった角部の「円弧」の半径についての「上面視において半径０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下」との特定事項を「上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下」と、より小さい数値範囲に減縮する訂正であるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものといえる。（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号） イ 新規事項の有無 本件明細書等には次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【００２６】 角部２７は、回路パターン２０の外郭線が、上面視において半径０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となっている。すなわち、この角部２７の円弧は、図示で水平方向に延びる第１のパターン外郭線２５と図示で上下方向に伸びる第２のパターン外郭線２６とを繋ぐ円弧状の外郭線である。本実施形態では、右上の角部２７について上記半径の円弧を呈する曲線として示しているが、回路パターン２０の四隅の角部が、上記半径の円弧を呈する曲線であることが好ましい。 【００２７】 角部２７が呈する円弧の半径の下限値は、好ましくは０．５ｍｍ以上である。半径の上限値は、特に制限は無いが、実装上の現実的な値として、好ましくは４ｍｍ以下である。」 そうすると、訂正事項２に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項であり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アのとおり、訂正事項２に係る訂正は、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （３） 訂正事項３について ア 訂正の目的 訂正事項３に係る訂正は、請求項１に係る発明を特定する事項である「圧延銅」について、「圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）」との事項を付加するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものといえる。（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号） イ 新規事項の有無 本件明細書等には次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【００２３】 回路パターン２０は、例えば、絶縁層１１の絶縁層上面に積層された金属層を切削及びエッチングにより所定のパターンに加工することにより形成される。形成プロセスについては図４において後述するが、本実施形態では図４の金属層２０Ａとして圧延銅が用いられる。 【００２４】 回路パターン２０の厚さＴ３の下限値は、例えば、０．３ｍｍ以上である。」 以上の記載によれば、本件明細書等には、圧延銅からなる金属の回路パターンについて、厚さ３００μｍ以下を除いたもの、すなわち、厚さ３００μｍを超えるものが記載されているといえる。 したがって、訂正事項３に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項であり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アのとおり、訂正事項３に係る訂正は、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （４） 訂正事項４について ア 訂正の目的 訂正事項４に係る訂正は、令和５年５月２４日付け取消理由通知書（決定の予告）「第４の１」、及び、令和６年４月５日付け取消理由通知書（決定の予告）「第４」の明確性要件違反についての取消理由を解消するために、「前記樹脂の弾性率」を「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」と特定するものであるから、「明瞭でない記載の釈明」を目的としたもの（特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号）、及び、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたもの（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号）といえる。 イ 新規事項の有無 本件明細書等には次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【００２１】 絶縁層１１の２５℃の弾性率Ｅは、例えば１ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、剛性が高まり、絶縁樹脂層１０２の反りを低減でき、その結果、電子部品の回路基板に対する位置ずれを抑制でき、電子部品と回路基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる観点から、下限値は、好ましくは５ＧＰａ以上であり、より好ましくは１０ＧＰａ以上である。上限値は、特に限定はしないが、現実的な値として上述の５０ＧＰａ以下である。 なお、上記弾性率Ｅは、動的粘弾性測定装置で測定することができ、例えば、絶縁層１１に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５～１０℃／分で－５０℃から３００℃で測定した際の、２５℃の弾性率の値である。」 そうすると、訂正事項４に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項であり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項４に係る訂正は、請求項１に係る発明を特定する事項である「前記樹脂の弾性率」について、「動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値」との事項を付加するものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （５） 訂正事項５について ア 訂正の目的 訂正事項５に係る訂正は、令和５年５月２４日付け取消理由通知書（決定の予告）「第４の２」の明確性要件違反についての取消理由を解消するために、「測定時の室温」であるＲＴについて、弾性率Ｅについての測定時の温度である２５℃であることを特定するものであるから、「明瞭でない記載の釈明」を目的としたもの（特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号）、及び、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたもの（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号）といえる。 イ 新規事項の有無 弾性率Ｅの測定時の温度が２５℃である点が本件明細書等に記載した事項であることは、上記（４）イのとおりである。 また、本件明細書等には、「室温」について次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【００２９】 絶縁層１１の樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲとする。線膨張係数αＲは、例えば、１０～５０ｐｐｍ／Ｋである。熱膨張係数はＪＩＳ Ｚ２２８５：２００３に準拠した線膨張係数の測定方法を用いて測定することができる。 回路パターン２０の圧延銅の線膨張係数をαＣｕとする。αＣｕは約１７ｐｐｍ／Ｋである。 絶縁層１１の樹脂のガラス転移温度をＴｇ、弾性率をＥとする。ガラス転移温度Ｔｇは、上述のように例えば１００～３００℃である。弾性率Ｅは例えば５～５０ＧＰａである。 測定時の室温をＲＴ、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である。」 「【００３４】 ＜実施形態の効果＞ 実施形態の特徴および効果をまとめると次の通りである。 ・・・（中略）・・・ （４）放熱基板１０において、絶縁層１１が樹脂からなり、回路パターン２０の金属が圧延銅からなり、 樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、圧延銅（すなわち回路パターン２０）の線膨張係数をαＣｕ、樹脂のガラス転移温度をＴｇ、樹脂の弾性率をＥ、測定時の室温をＲＴ、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である。 Ｓ＝｜αＲ－αＣｕ｜×（Ｔｇ－ＲＴ）×Ｅ・・・・式（１） このように、応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下の場合であっても、絶縁層１１と回路パターン２０の密着性を良好に実現できる。」 ここで、「樹脂のガラス転移温度」は、温度自体が測定対象であり、測定時の室温に依存しない。 そして、上記本件明細書等の記載において、「測定時の室温をＲＴ」の直前に、段落００２１に記載された方法で測定される「樹脂の弾性率Ｅ」について記載されていることから、「測定時の室温をＲＴ」との記載における測定は、樹脂の弾性率Ｅの測定であると解され、そして、前記（４）イのとおり、本件明細書等の段落００２１には、弾性率Ｅが２５℃の弾性率であることが記載されているから、樹脂の弾性率Ｅの測定時の室温であるＲＴは２５℃であるといえる。 そうすると、訂正事項５に係る訂正は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項５に係る訂正は、請求項１に係る発明を特定する事項である「測定時の室温をＲＴ」について、測定が「弾性率Ｅ」を測定することであり、その温度が「２５℃」であるとの事項を付加するものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （６） 訂正事項６について ア 訂正の目的 訂正事項６に係る訂正は、請求項１に係る発明を特定する事項である、絶縁基板の「樹脂」について、「（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）」との事項を付加するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものといえる。（特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号） イ 新規事項の有無 本件明細書には次の記載がある。（下線は強調のために当審が付加した。） 「【０００９】 以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。 ＜放熱基板の概要＞ 図１は放熱基板１０の平面図である。図２は放熱基板１０の一部断面図である。 放熱基板１０は、発熱体の電子部品等を実装する回路基板であって、金属基板１２と、絶縁層１１（絶縁基板）と、回路パターン２０とで構成されており、図２で示すように下からこの順で積層された積層板（積層体）である。回路パターン２０の上に電子部品等が実装される。 ・・・（中略）・・・ 【００１９】 絶縁層１１を構成する樹脂材料の物性について説明する。 樹脂材料のガラス転移温度Ｔｇの下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１２５℃以上であり、より好ましく１５０℃以上である。これにより、樹脂材料（熱硬化性樹脂組成物）の硬化物の熱分解を抑制することができる。また、絶縁層１１（すなわち放熱基板１０）の反りを抑制することができる。その結果、回路パターン２０に実装される電子部品等の放熱基板１０に対する位置ずれを抑制でき、電子部品等と放熱基板１０との間の接続信頼性をより一層高めることができる。一方、上記ガラス転移温度Ｔｇの上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下としてもよい。絶縁層１１のガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づいて計測できる。」 そうすると、訂正事項６に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項であり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものとはいえないから、新規事項を追加するものではない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項） ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アのとおり、訂正事項６に係る訂正は、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであり、そのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものとはいえない。（特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項） （７）小括 以上のとおり、訂正事項１～６に係る訂正は、いずれも「特許請求の範囲の減縮」又は「明瞭でない記載の釈明」を目的としたものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。 なお、特許異議申立ての対象である請求項１についての本件訂正に、独立特許要件は課されない。 第３ 本件発明 本件訂正後の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有し、 前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、 前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり、前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり、 前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である、回路基板。 Ｓ＝｜αＲ－αＣｕ｜×（Ｔｇ－ＲＴ）×Ｅ・・・・式（１）」 第４ 取消理由、申立理由 １ 証拠 （１） 甲（１）１～９ 申立人（１）は、次の甲第１号証～甲第９号証（以下それぞれ「甲（１）１」～「甲（１）９」という。）を証拠として提出した。以下「（Ｒ）」は、登録商標を意味する丸付きＲを示す。なお、甲（１）１～甲（１）５は申立書（１）に、甲（１）６～甲（１）７は令和５年３月２４日提出の意見書に、甲（１）８～甲（１）９は令和５年８月２８日提出の意見書に、それぞれ添付されたものである。 甲（１）１： 特開２００６－２４５４３６号公報 甲（１）２： 特開２０１３－２５４９２２号公報 甲（１）３： 特開２００９－２３１２４９号公報 甲（１）４： 株式会社日本理化工業所 日本理化ＭＣＰＣＢの基本特性(https://www.mcpcb.jp/PDF/general-property.pdf)、令和４年１０月６日出力、申立人（１） 甲（１）５： 住友ベークライト株式会社のエポキシ樹脂多層プリント配線板用材料スミライト（Ｒ） ＥＬＣ仕様一覧(https://www.sumibe.co.jp/product/hpp/circuitry/sumilite-elc-pwb/spec/index.html)、令和４年１０月６日出力、申立人（１） 甲（１）６： 特開２０１７－２２２６５号公報 甲（１）７： ２０１７年９月に既に市販されていたＩＧＢＴモジュールの仕様書（１ページ目）(https://docs.rs-online.com/4b72/A700000007200311.pdf)、販売Ｗｅｂページ(https://jp.rs-online.com/web/p/igbts/2074956)、このモジュールについて、内部の回路パターンを超音波映像装置で検査した結果、令和４年１０月６日出力及び作成、申立人（１） 甲（１）８： 特開２０１２－１８２３４４号公報 甲（１）９： 国際公開第２０１９／１８１４２８号 （２） 甲（２）１～３０ 申立人（２）は、次の甲第１号証～甲第３０号証（以下それぞれ「甲（２）１」～「甲（２）３０」という。）を証拠として提出した。なお、甲（２）１～甲（２）１５は申立書（２）に、甲（２）１６～甲（２）１９－２は令和５年３月３０日提出の意見書に、甲（２）２０～甲（２）２２は令和５年８月３０日提出の意見書に、甲（２）２３～甲（２）２５は令和６年２月２２日提出の意見書に、甲（２）２６～甲（２）３０は令和６年７月３０日提出の意見書（２）に、それぞれ添付されたものである。 甲（２）１ ： 国際公開第２０１７／０１４２３７号 甲（２）２ ： 特開２００６－２４５４３６号公報 甲（２）３ ： 本当に実務に役立つプリント配線板のエッチング技術、ｐ７０～７７、２００９年５月３０日発行、日刊工業新聞社 甲（２）４ ： 株式会社協成ｗｅｂサイト（http://www.kyoseiltd.co.jp/page/products06/）、令和４年１０月５日出力、申立人（２） 甲（２）５ ： 産業用第７世代ＩＧＢＴモジュール“Ｔシリーズ”、三菱電機技報 Ｖｏｌ．９０ Ｎｏ．５ ２０１６、ｐ３１－３４、２０１６年発行、宮澤雅臣、大原考太 甲（２）６ ： 自己配列によって高次構造を制御した高熱伝導性エポキシ樹脂絶縁性と高熱伝導性を両立したコンポジット材料と放熱材料テクノロジー、日立化成テクニカルレポート Ｎｏ．５３（２００９－１０）、ｐ５－１０、２００９年１０月発行、竹澤由高 甲（２）７ ： 「第３５１回 金属ベース高放熱基板の開発が活性化」電子デバイス産業新聞（https://www.sangyo-times.jp/article.aspx?ID=3318）、２０２０年５月２２日掲載、産業タイムス社 甲（２）８ ： 特開２０１６－８２１０８号公報 甲（２）９ ： 特開２０１７－２５１８６号公報 甲（２）１０： 特開２０１７－１５７７２２号公報 甲（２）１１： 国際公開第２０１６／１５７５５２号 甲（２）１２： 利昌工業株式会社ｗｅｂサイト「リショー熱対策材料 過渡熱測定試験結果のご報告」Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ ９２（https://www.risho.co.jp/rishonews/technical_report/tr92/technicl_report.html）、２０１３年４月１０日掲載、利昌工業株式会社 甲（２）１３： 住友ベークライト株式会社ｗｅｂサイト「エポキシ樹脂多層プリント配線板用材料スミライト（Ｒ）ＥＬＣ仕様一覧(https://www.sumibe.co.jp/ww-attaches/2004.pdf)、令和４年１０月５日出力、申立人（２） 甲（２）１３－１： 住友ベークライト株式会社 プレスリリース「高熱伝導アルミベース銅張積層板「ＳＵＭＩＬＩＴＥ（Ｒ）ＡＬＣ－１３７１」７Ｗ／ｍＫ材をラインアップに追加」、平成２５年９月１２日掲載、住友ベークライト株式会社 甲（２）１３－２： ＪＰｕｂｂ ｗｅｂサイト(https://www.jpubb.com)、令和４年１０月５日出力、申立人（２） 甲（２）１４： 三菱ガス化学株式会社ｗｅｂサイト「多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４」(https://www.mgc.co.jp/products/sc/btprint/lineup/fr4.html)、令和４年１０月５日出力、申立人（２） 甲（２）１４－１： 「低損失／高耐熱のプリント基板材料、ミドルレンジの通信機器市場を狙う」ＥＥ ＴＩＭＥＳ ＪＡＰＡＮ(https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/0907/28/news098.html)、２００９年７月２８日掲載、アイティメディア株式会社 甲（２）１５： 株式会社日本理化工業所ｗｅｂサイト「基本特性表」(https://www.mcpcb.jp/PDF/general-property.pdf)、令和４年１０月５日出力、申立人（２） 甲（２）１６： ＪＩＳハンドブック２６プラスチックＩ 試験、ｐ３７７－３８５、２０１０年１月２２日発行、財団法人日本規格協会、 甲（２）１７： Ｍｅｃｈ Ｄ＆Ａ Ｎｅｗｓ ｖｏｌ．２００５－１(https://www.mech-da.co.jp/services/files/MNL/MechNewsLetter2005-1.pdf)、２００５年１２月発行、株式会社メカニカルデザイン 甲（２）１８： コトバンクにおける「複素弾性率」の検索結果(https://kotobank.jp/word/複素弾性率-2123609)、２０２３年３月２４日出力、申立人（２） 甲（２）１９－１： 三菱電機株式会社製ＣＭ１００ＴＸ－２４Ｔのデータシート(https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/content/product/powermodule/igbt/t_series/cm100tx-24t_e.pdf)、２０１７年９月発行、三菱電機株式会社 甲（２）１９－２： 三菱電機株式会社ＣＭ１００ＴＸ－２４Ｔの写真、２０２３年３月２７日作成、申立人（２） 甲（２）２０： 国際公開第２０１９／１１２０４８号 甲（２）２１： ＴＳＳ株式会社「高耐熱・高熱伝導絶縁樹脂基板（ＤＢＣ代替基板）」カタログ、２０１７年５月１７日、ＴＳＳ株式会社 甲（２）２１の１： イプロスものづくりｗｅｂページ(https://ipros.jp/product/detail/2000309779)、２０２３年８月２９日出力、申立人（２） 甲（２）２２： イプロスものづくりｗｅｂページ（ＴＳＳ株式会社「基板『大電流基板（厚銅回路基板）』」(https://www.ipros.jp/product/detail/2000309783)、２０２３年８月２９日出力、申立人（２） 甲（２）２３： ＪＩＳ Ｃ６４８１「プリント配線板用銅張積層板試験方法」、平成８年１月３１日発行、財団法人日本規格協会 甲（２）２４： 国際公開第２０１７／０５７５５３号 甲（２）２５： イプロスものづくりＴｏｐページ(https://www.ipros.jp/)の上段にある赤帯の最右側の「イプロスとは？」バナーをクリックすると表示されるｗｅｂページ、２０２４年２月１６日出力、申立人（２） 甲（２）２６： 特開２００８－２８０５０４号公報 甲（２）２７： 株式会社日本理化工業所ｗｅｂサイト「基本特性表」(https://www.mcpcb.jp/PDF/general-property.pdf)、令和６年７月２５日出力、申立人（２） 甲（２）２８： ＪＩＳ Ｚ２２８５「金属材料の線膨張係数の測定方法」、２００３年発行、財団法人日本規格協会 甲（２）２９： 株式会社カネカテクノリサーチｗｅｂページ「ＴＭＡによるフィルムの線膨張係数測定」(https://www.ktr.co.jp/analysis/case/case_142.html)、２０２４年７月２５日出力、申立人（２） 甲（２）３０： 特開２０２０－９４０９２号公報 （３） 甲（３）１～７ 申立人（３）は、次の甲第１号証～甲第７号証（以下それぞれ「甲（３）１」～「甲（３）７」という。）を証拠として、申立書（３）に添付して提出した。 甲（３）１： 特開２００９－０２８９９３号公報 甲（３）２： 国際公開第２００８／１３３１８２号 甲（３）３： 特開２０１３－２５４９２２号公報 甲（３）４： 特開平０６－０６９６１１号公報 甲（３）５： 特開２００９－０２８９９３号公報 甲（３）６： 特開２０１８－０５８２５０号公報 甲（３）７： 国際公開第２０２０／０２２１２９号 ２ 令和６年４月５日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由１（明確性要件違反）、及び、取消理由２（進歩性欠如） （１） 取消理由１（明確性要件違反） ア 令和６年４月５日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由１（明確性要件違反）は、次のとおりである。 「本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 本件発明は「ガラス転移温度Ｔｇ」を発明特定事項とし、本件明細書には「ガラス転移温度Ｔｇ」について次の記載がある。（下線は強調のために当審において付加した。） 「【００１９】 絶縁層１１を構成する樹脂材料の物性について説明する。 樹脂材料のガラス転移温度Ｔｇの下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１２５℃以上であり、より好ましく１５０℃以上である。これにより、樹脂材料（熱硬化性樹脂組成物）の硬化物の熱分解を抑制することができる。また、絶縁層１１（すなわち放熱基板１０）の反りを抑制することができる。その結果、回路パターン２０に実装される電子部品等の放熱基板１０に対する位置ずれを抑制でき、電子部品等と放熱基板１０との間の接続信頼性をより一層高めることができる。一方、上記ガラス転移温度Ｔｇの上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下としてもよい。絶縁層１１のガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づいて計測できる。」 しかしながら、プリント配線板用銅張積層板試験方法についてのＪＩＳ Ｃ ６４８１（申立人（２）が提出した甲第２３号証）には、「５．１７ ガラス転移温度Ｔｇ」について、「５．１７．１ ＴＭＡ法」、「５．１７．２ ＤＭＡ法（曲げ及び引張り法）」、「５．１７．３ ＤＭＡ法（ねじり法）」、「５．１７．４ ＤＭＡ法（無付加質量強制ねじり振動非共振法）」、「５．１７．５ ＤＳＣ法」と複数の測定方法が規定され、本件明細書の記載を考慮しても、本件発明の「ガラス転移温度Ｔｇ」が、どの測定方法により測定されるものであるか明らかでない。 また、申立人（２）が提出した甲第１３号証に示されるように、ガラス転移温度は、同じ樹脂であったとして、以下のとおり、測定方法、測定条件によって値が異なる。 申立人（２）が令和６年２年２２日提出の意見書で引用した申立人（２）提出の甲第１３号証の記載は以下のとおりである。 「 ［図：0001418183000001.jpg］ 」 そうすると、本件発明の「前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものを除く）からなり」、「下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である、回路基板。Ｓ＝｜αＲ－αＣｕ｜×（Ｔｇ－ＲＴ）×Ｅ・・・・式（１）」との発明特定事項について、同じ樹脂であっても、測定方法・測定条件によって、充足する場合と充足しない場合が生じ得、第三者に不測の不利益を及ぼすことがあり得るといえる。 したがって、本件発明は明確でない。」 イ 当審の判断 甲（２）２３の「５．１７．２ ＤＭＡ法（曲げ及び引張り法）」に記載されているとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、ガラス転移温度Ｔｇを測定することは技術常識である。 そして、特許権者が、令和６年６月１３日提出の意見書４ページ８～１０行において主張するとおり、本件発明の「ガラス転移温度Ｔｇ」は、本件発明に規定された、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものであり、同じ樹脂であっても、本件発明を充足する場合と充足しない場合が生じることはなくなったから、取消理由１（明確性要件違反）は解消した。 ウ 申立人の主張 申立人（２）は、意見書（２）（７ページ下から５行～最下行）で、「以上から、本件訂正発明は、樹脂のガラス転移温度をどのように測定するのか本件特許明細書には何ら記載されておらず、技術常識を参酌したとしても当業者には理解することができず、樹脂のガラス転移温度を特定することができない。 したがって、本件特訂正発明は、明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号（同法第１１３条第４号）に規定する要件を満たしてない。」と主張する。 しかしながら、上記イのとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、ガラス転移温度Ｔｇを測定することは技術常識であり、また、本件発明の「ガラス転移温度Ｔｇ」の測定方法・測定条件は、特許権者が、令和６年６月１３日提出の意見書（４ページ８～１０行）において主張するとおりであり、同じ樹脂であっても、本件発明を充足する場合と充足しない場合が生じることはなくなったから、申立人（２）の主張は採用できない。 （２） 取消理由２（進歩性欠如） 令和６年４月５日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由２（進歩性欠如）は、本件発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載され、又は、電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲（２）２４に記載された発明、並びに、甲（３）４及び甲（１）９に記載された事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるというものである。 ア 引用文献、引用発明等 （ア） 引用文献１０、引用発明１０について ａ 引用文献１０の記載 甲（２）２４（国際公開第２０１７／０５７５５３号、以下「引用文献１０」という。）には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「［０００１］ 本発明は、絶縁樹脂層と、金属箔又は金属板とを備える積層体に関する。 背景技術 ［０００２］ 絶縁樹脂層の片面又は両面に、金属箔又は金属板が積層されている積層体が知られている。このような積層体は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置やパワー半導体等の発熱デバイス、並びに、該発熱デバイスを含むモジュール等において、使用時の温度上昇を抑えるために用いられている。 ・・・（中略）・・・ 発明を実施するための形態 ［００２７］ 以下、本発明を詳細に説明する。 ［００２８］ 本発明に係る積層体は、絶縁樹脂層と、第１の金属材と、第２の金属材とを備える。上記第１の金属材は、金属箔又は金属板である。上記第２の金属材は、金属箔又は金属板である。 ［００２９］ 本発明に係る積層体では、上記第１の金属材が、上記絶縁樹脂層の第１の表面（一方の表面）に積層されており、かつ、上記第２の金属材が、上記絶縁樹脂層の上記第１の表面とは反対の第２の表面（他方の表面）に積層されている。 ・・・（中略）・・・ ［００３６］ 図２は、本発明の第２の実施形態に係る積層体を示す断面図である。 ［００３７］ 図１に示す積層体１では、第１の金属材１２及び第２の金属材１３は、絶縁樹脂層１１の第１の表面及び第２の表面のそれぞれにおいて、一部の領域に形成されている。図２に示す積層体１Ａでは、第１の金属材１２は、絶縁樹脂層１１の第１の表面において、一部の領域に形成されており、回路である。積層体１Ａでは、第２の金属材１３Ａは、絶縁樹脂層１１の第２の表面において、全体の領域に形成されており、回路形成されていない。このように、例えば、第２の金属材は、第２の表面において、全体の領域に形成されていてもよく、回路形成されてなくてもよく、回路形成前の金属材であってもよい。 ・・・（中略）・・・ ［００５１］ 上記弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いて、２５℃の条件で測定される。動的粘弾性測定装置としては、日立ハイテクサイエンス社製「ＤＭＳ６１００」等が挙げられる。 ・・・（中略）・・・ ［００６０］ 耐熱性をより一層高める観点、及び、冷熱サイクル後の剥離をより一層抑える観点からは、上記絶縁樹脂層のガラス転移温度は好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。上記ガラス転移温度は高いほどよく、上記ガラス転移温度の上限は特に限定されない。 ［００６１］ 上記ガラス転移温度は得られた硬化物を動的粘弾性測定装置（日立ハイテクサイエンス社製「ＤＭＳ６１００」）を用いて、５℃／分の昇温速度で測定される。 ・・・（中略）・・・ ［０１３０］ （第１の金属材及び第２の金属材（金属材）） 上記金属材の材料としては、アルミニウム、銅、金、及びグラファイトシート等が挙げられる。熱伝導性をより一層良好にする観点からは、上記金属材の材料は、金、銅又はアルミニウムであることが好ましく、銅又はアルミニウムであることがより好ましい。熱伝導性をより一層良好にする観点、並びにエッチング処理された金属材を容易に形成する観点からは、上記金属材は、銅であることがより好ましい。また、上記金属材は、金属箔であることが好ましい。 ・・・（中略）・・・ ［０１４１］ 実施例１～９、１２～１６、及び比較例１～６については得られたシート状の絶縁材料を金属板上に熱ラミネーターにて貼り合わせ、絶縁樹脂層を有する３層構成の積層体を作製した。その後に１８０℃で１時間硬化を行い、硬化された積層構造体を得た。その後、この積層構造体の金属層部分をエッチングすることにより所定の面積比率を有する積層体を作製した。 ・・・（中略）・・・ ［０１４６］ （４）弾性率の測定 シート状の絶縁材料を、１８０℃で１時間硬化させて、硬化物（絶縁樹脂層）を得た。 ［０１４７］ 動的粘弾性測定装置（日立ハイテクサイエンス社製「ＤＭＳ６１００」）を用いて、２５℃の条件で、硬化物（絶縁樹脂層）の弾性率を測定した。 ［０１４８］ （５）線膨張率の測定 シート状の絶縁材料を１８０℃で１時間硬化させて、硬化物（絶縁樹脂層）を得た。 ［０１４９］ 熱機械分析装置（島津製作所社製「ＴＭＡ－６０」）を用いて、２５℃からガラス転移温度間の条件で、硬化物（絶縁樹脂層）の線膨張率、及び、第１，第２の金属材の線膨張率を測定した。 ・・・（中略）・・・ ［０１５８］ 組成を下記の表１～３に示す。積層体の構成及び積層体の評価結果を下記の表４～６に示す。 ・・・（中略）・・・ ［０１５９］ ［表１］ ［図：0001418183000002.jpg］ ［０１６０］ ［表２］ ［図：0001418183000003.jpg］ ・・・（中略）・・・ ［０１６２］ ［表４］ ［図：0001418183000004.jpg］ ［０１６３］ ［表５］ ［図：0001418183000005.jpg］ 」 「［図２］ ［図：0001418183000006.jpg］ 」 ｂ 引用発明１０ （ａ） 引用文献１０には、絶縁樹脂層と、第１の金属材とを備える積層体（段落００２８）であって、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置やパワー半導体等の発熱デバイス、並びに、該発熱デバイスを含むモジュール等において、使用時の温度上昇を抑えるために用いられる積層体（段落０００２）が記載されているといえる。 （ｂ） 段落００３７の記載によると、第１の金属材は、絶縁樹脂層の第１の表面において、一部の領域に形成されている回路である。 （ｃ） 段落０１６２の表４に記載された物性値について、「絶縁樹脂層の弾性率」は、動的粘弾性測定装置を用いて２５℃で測定したものであり（段落００５１、０１４７）、「絶縁樹脂層のガラス転移温度」は、動的粘弾性測定装置を用いて測定したものであり（段落００６１）、また、「絶縁樹脂層の線膨張率（０）」は、２５℃からガラス転移温度間の条件で（段落０１４９）、すなわち、ガラス転移温度以下の温度で測定したものである。 そうすると、段落０１６２の表４には、実施例４、５として次の特性の絶縁樹脂層と、第１の金属材とを備える積層体が記載されている。 実施例４：第１の金属材の厚み（１）が４００μｍ、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度が１１０℃、絶縁樹脂層のガラス転移温度以下の線膨張率（０）が２５ｐｐｍ／℃、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層の２５℃での弾性率が１１ＧＰａ、第１の金属材の線膨張率（１）が１６．８ｐｐｍ／℃。 実施例５：第１の金属材の厚み（１）が４５０μｍ、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度が１１０℃、絶縁樹脂層のガラス転移温度以下の線膨張率（０）が２５ｐｐｍ／℃、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層の２５℃での弾性率が１１ＧＰａ、第１の金属材の線膨張率（１）が１６．８ｐｐｍ／℃。 （ｄ） 段落０１４１の記載によると、実施例４、５の積層体は、シート状の絶縁材料を金属板上に熱ラミネーターにて貼り合わせたものといえる。 （ｆ） 以上によれば、引用文献１０には、次の発明（以下「引用発明１０」という。）が記載されているといえる。 「絶縁樹脂層と、 厚みが４００μｍ又は４５０μｍであって、絶縁樹脂層の第１の表面において、一部の領域に形成されている回路である第１の金属材を備え、 動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度が１１０℃であり、絶縁樹脂層のガラス転移温度以下の線膨張率が２５ｐｐｍ／℃であり、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層の２５℃での弾性率が１１ＧＰａであり、 第１の金属材の線膨張率が１６．８ｐｐｍ／℃であり、 シート状の絶縁材料を金属板上に熱ラミネーターにて貼り合わせ、 発光ダイオード（ＬＥＤ）装置やパワー半導体等の発熱デバイス、並びに、該発熱デバイスを含むモジュール等において、使用時の温度上昇を抑えるために用いられる積層体。」 ｃ 絶縁樹脂層（実施例７、１６） 上記ｂと同様に、引用文献１０の段落０１６２、表４には、実施例７として、ガラス転移温度が１８０℃、弾性率が２１ＧＰａ、線膨張率が８ｐｐｍ／℃の絶縁樹脂層、及び、段落０１６３、表５には、実施例１６として、ガラス転移温度が１９０℃、弾性率が１６ＧＰａ、線膨張率が２２ｐｐｍ／℃の絶縁樹脂層が記載されている。 そうすると、引用文献１０には、次の特性の絶縁樹脂層（以下「絶縁樹脂層（実施例７、１６）」という。）が記載されているといえる。 「動的粘弾性測定装置を用いて測定したガラス転移温度が１８０℃、動的粘弾性測定装置を用いて測定した２５℃での弾性率が２１ＧＰａ、線膨張率８ｐｐｍ／℃である絶縁樹脂層（実施例７）、及び、動的粘弾性測定装置を用いて測定したガラス転移温度が１９０℃、動的粘弾性測定装置を用いて測定した弾性率が１６ＧＰａ、線膨張率が２２ｐｐｍ／℃である絶縁樹脂層（実施例１６）。」 （イ） 引用文献８、公知事項１について ａ 引用文献８の記載 甲（３）４（特開平６－６９６１１号公報、以下「引用文献８」という。）には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、それぞれの熱膨張率が大きく異なる絶縁層と導体層からなるプリント配線板において、長期の使用に際しても導体回路に剥離等の不良が発生しにくく、信頼性に優れたプリント配線板に関する。 ・・・中略・・・ 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の経緯を鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、プリント配線板上に形成された導体層の剥離や断線等の発生であり、その目的とするところは、熱膨張率の異なる絶縁層と導体層からなるプリント配線板であっても、導体層の剥離等の不良が発生しにくく、長期にわたる使用に対しても優れた信頼性を有するプリント配線板を提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するために、本発明が採った手段は実施例において使用する符号を付して説明すると、「互いに密着する絶縁層（１１）と導体層（１２）の熱膨張差が少なくとも５×１０-6／℃であるプリント配線板において、この導体層（１２）の基板外形（１１１）に面する１３５°未満の角度を有する導体回路のコーナー部（１２ａ）が面取りされていることを特徴とするプリント配線板（１０）。」であり、さらには、「この面取りが、少なくとも０．５ｍｍの線分を挟んだ複数の１３５°以上のコーナー（１２ｂ）の集合した形状、あるいは半径０．５ｍｍ以上の円弧状であるプリント配線板（１０）。」である。 【０００９】 【作用】 特性の異なる物質が密着している界面に発生する応力の大きさは、その各々の物質の熱膨張係数の差によって変化するものであり、その密着強度が弱い場合には、発生する応力によって剥離現象が起こるのである。例えば、その物質がプリント配線板における樹脂絶縁層（１１）と銅箔等による導体層（１２）である場合には、その熱膨張係数の差が５×１０-6／℃以上になると接着面での剥離が生じ易くなる。そして、その密着強度が強い場合には、一方の物質に皺が発生したり、亀裂が発生したりするのである。つまり、プリント配線板においては、銅箔に皺が発生して膨れが生じたり、亀裂が発生して導体回路が断線したりするのである。 ・・・中略・・・ 【００１５】 【実施例】 次に、本発明に係わるプリント配線板の実施例について説明する。 先ず、絶縁層に関してであるが、セラミック原料としてコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を用いて、これをシート成形して厚さ０．２５ｍｍの３００×２５０ｍｍの長方形グリーンシート成形体を得た。これを１２４０℃で焼成し、厚さ０．２２ｍｍ、２９０×２４２ｍｍ、気孔率２８％の多孔質コージェライト焼結体を得た。この焼結体にエポキシ樹脂を真空下で含浸し、上下に１８μｍ厚みの片面粗化銅箔（熱膨張率１６．７×１０-6／℃）を粗化面を内側にしてそれぞれ積層配置し、真空加圧器内で１８０℃、１０ａｔｍで加圧加熱して両面プリント配線板をとなる基板を得た。この基板（１１）は、多孔質セラミックの気孔部に樹脂が含浸されていて、熱膨張率は２．５×１０-6／℃であった。」 ｂ 公知事項１ 段落０００８及び段落０００９の記載から、引用文献８において、「熱膨張差」は「熱膨張係数の差」であり、また、段落００１５に片面粗化銅箔の熱膨張率を１６．７×１０-6／℃と、公知の銅の線膨張係数を記載していることから、引用文献８において、熱膨張率、すなわち熱膨張係数は、線膨張係数であるといえる。 以上を踏まえると、引用文献８には、次の事項（以下「公知事項１」という。）が記載されているといえる。 「線膨張係数の異なる絶縁層と導体層からなるプリント配線板であっても、導体層の剥離等の不良が発生しにくく、長期にわたる使用に対しても優れた信頼性を有するプリント配線板を提供するために、 互いに密着する絶縁層と導体層の線膨張係数の差が少なくとも５×１０-6／℃であるプリント配線板において、この導体層の基板外形に面する１３５°未満の角度を有する導体回路のコーナー部を、半径０．５ｍｍ以上の円弧状で面取りすること。」 （ウ） 引用文献１１、公知事項２について ａ 引用文献１１の記載 甲（１）９（国際公開第２０１９／１８１４２８号、以下「引用文献１１」という。）には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「［００２５］ そして、本実施形態である絶縁回路基板１０は、図２に示すように、絶縁層１１と、この絶縁層１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１５と、絶縁層１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１６と、を備えている。 ［００２６］ 回路層１５は、図４に示すように、絶縁層１１の一方の面（図４において上面）に、導電性に優れた金属からなる金属片２５が接合されることにより形成されている。金属片２５としては、銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等の圧延板を打抜いたものを用いることができる。本実施形態においては、回路層１５を構成する金属片２５として、無酸素銅の圧延板を打抜いたものが用いられている。 この回路層１５においては、上述の金属片２５がパターン状に配置されることで回路パターンが形成されており、その一方の面（図１及び図２において上面）が、半導体素子３が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層１５（金属片２５）の厚さは０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．５ｍｍに設定されている。」 ｂ 公知事項２ 上記ａによれば、引用文献１１には、次の事項（以下「公知事項２」という。）が記載されているといえる。 「絶縁回路基板において、絶縁層の一方の面に配設された金属からなる回路層として、無酸素銅の圧延板を用いること。」 イ 対比・判断 （ア） 対比 本件発明と引用発明１０とを対比する。 ａ 回路基板について 引用発明１０の「絶縁樹脂層と、・・・絶縁樹脂層の第１の表面において、一部の領域に形成されている回路である第１の金属材を備え、・・・発光ダイオード（ＬＥＤ）装置やパワー半導体等の発熱デバイス、並びに、該発熱デバイスを含むモジュール等において、使用時の温度上昇を抑えるために用いられる積層体」は、「回路基板」といえ、また、「絶縁樹脂層」は「絶縁基板」といえる。 そして、引用発明１０の「絶縁樹脂層」と「第１の金属材」とは、「厚みが４００μｍ又は４５０μｍであって、絶縁樹脂層の第１の表面において、一部の領域に形成されている回路である第１の金属材を備え、・・・シート状の絶縁材料を金属板上に熱ラミネーターにて貼り合わせ」たものであるから、直接接しているといえ、また、「第１の金属材」の厚みは５．０ｍｍ以下である。 そうすると、引用発明１０の「絶縁樹脂層」、「第１の金属材」は、本件発明の「絶縁基板」、「前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」にそれぞれ相当する。 したがって、引用発明１０は「絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有」する「回路基板」である点で本件発明と一致する。 また、引用発明１０は、「絶縁基板」といえる「絶縁樹脂層」を備えるから、「前記絶縁基板が樹脂からなる」といえる点で、本件発明と共通する。 ｂ 一致点・相違点 上記ａによれば、本件発明と引用発明１０とは、次の点で一致し、相違する。 （ａ） 一致点 「絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有し、 前記絶縁基板が樹脂からなる、 回路基板。」 （ｂ） 相違点 本件発明は、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、 前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり、前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり、 前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」であり、「Ｓ＝｜αＲ－αＣｕ｜×（Ｔｇ－ＲＴ）×Ｅ・・・・式（１）」であることを発明特定事項としているのに対し、 引用発明１０は、第１の金属材の外郭線についての特定、及び、第１の金属材が圧延銅であるとの特定がなく、また、動的粘弾性測定装置を用いて測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度及び弾性率について、「引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ」との測定条件の特定がなく、上記測定条件の特定がないことに起因して「式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」か明らかでなく、加えて、上記測定条件が特定されていないものの、絶縁樹脂層のガラス転移温度が１１０℃である点。 （イ） 相違点の判断 相違点における第１の金属材の外郭線に係る相違について、引用発明１０は、絶縁樹脂層と第１の金属材の線膨張率（線膨張係数）の差が、｜２５－１６．８｜ｐｐｍ／℃＝８．２×１０－６／℃であり、また、「絶縁樹脂層」と「第１の金属材」とは、直接接し、互いに密着しているといえから、引用発明１０に、上記ア（イ）ｂの「互いに密着する絶縁層と導体層の線膨張係数の差が少なくとも５×１０-6／℃であるプリント配線板において、この導体層の基板外形に面する１３５°未満の角度を有する導体回路のコーナー部を、半径０．５ｍｍ以上の円弧状で面取りする」との公知事項１を適用することは当業者が容易に想到し得る事項である。 しかしながら、引用発明１０に公知事項１を適用したものについて、さらに、相違点における絶縁樹脂層のガラス転移温度についての相違を解消することは、自明なことではなく、いわゆる「容易の容易」の場合に相当する。 したがって、相違点における第１の金属材の外郭線、及び、絶縁樹脂層のガラス転移温度以外の事項を検討するまでもなく、本件発明は、引用発明１０に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。 ウ 申立人の主張 申立人（１）は、意見書（１）（２ページ１２～１８行）において、甲（１）５、甲（１）６、甲（３）２（引用文献１）、甲（２）１３（引用文献５）に基づき、「すなわち「ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃以上で３００℃未満のもの」は、回路基板技術において使用される樹脂としては、以前より一般的なガラス転移温度の範囲内にある。 したがって、訂正の請求によりガラス転移温度の範囲を限定したとしても、その範囲が回路基板技術において使用される樹脂として以前より一般的な範囲であり、「当業者が容易に発明をすることができたものである。」とした取消理由通知の判断は妥当であり、維持されると考える。」（下線は意見書（１）の記載のとおり。）と主張する。 また、申立人（２）は、意見書（２）（９ページ１３行）において、引用文献１０の段落００６０の記載、実施例１６に基づき「本件訂正発明は、引用発明１０から当業者が容易に発明できたものである。」と主張し、申立人（３）は、意見書（３）（６ページ１１～１２行）において、引用文献１０の段落００６０の記載、実施例７、１６に基づき「訂正発明が進歩性を有するとする特許権者の主張は説得力がなく、訂正発明は依然として進歩性を有さず、取り消されるべきものである。」と主張する。 しかしながら、上記イ（イ）のとおり、引用発明１０に公知事項１を適用したものについて、さらに、相違点における絶縁樹脂層のガラス転移温度についての相違を解消することは、いわゆる「容易の容易」の場合に相当するから、申立人（１）～（３）の主張は採用できない。 （３） 小括 以上のとおり、本件発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たし、かつ、引用発明１０に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、令和６年４月５日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由１（明確性要件違反）、及び、取消理由２（進歩性欠如）によって、本件特許を取り消すことはできない。 ３ 令和６年４月５日付け取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由 （１） 新規性欠如、進歩性欠如 ア 申立理由（１） 申立書（１）に記載された、甲（１）１を主引用例とする進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（１）」という。）について検討する。 甲（１）１には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、窒化珪素配線基板、特にパワー半導体モジュールに使用され、窒化珪素基板の一方の面に導電性回路板となる金属回路板を接合し、他方の面に放熱用金属板を接合した窒化珪素配線基板およびこれを用いた半導体モジュールに関するものである。 ・・・（中略）・・・ 【００１０】 そこで、本発明の目的は、金属回路板パターンの実装面積を十分に保ち、かつ窒化珪素配線基板の特に金属回路板角部に発生する熱応力によるクラックを防止できる構造の信頼性の高い窒化珪素配線基板並びに半導体モジュールを提供することを目的とする。」 上記記載によると、甲（１）１には、「窒化珪素基板の一方の面に導電性回路板となる金属回路板を接合した配線基板。」の発明が記載されているといえる。 ここで、本件発明と甲（１）１に記載された発明とを対比すると、両者は、少なくとも、本件発明が、「樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）から」なる「絶縁基板」を有するのに対し、甲（１）１に記載された発明が 「窒化珪素配線基板」を有している点で相違する。 そして、甲（１）１に記載された発明の「窒化珪素基板」を、「樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）から」なる「絶縁基板」と置換した場合、甲（１）１の段落００１０に記載された「窒化珪素配線基板の特に金属回路板角部に発生する熱応力によるクラックを防止できる構造の信頼性の高い窒化珪素配線基板」を提供するという課題を解決することができなくなる。 そうすると、甲（１）１に記載された発明の「窒化珪素基板」を、「樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）から」なる「絶縁基板」と置換することには阻害要因が存在するから、本件発明は、甲（１）２～甲（１）５の記載事項を検討するまでもなく、甲（１）１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。 したがって、申立理由（１）によって本件特許を取り消すことはできない。 イ 申立理由（２）１ 申立書（２）「３（４）ウ（ア）」（１９ページ１４行～２５ページ２０行）に記載された、甲（２）１を主引用例とする進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（２）１」という。）について検討する。 （ア） 甲（２）１の記載、及び、甲（２）１発明１、甲（２）１発明７ ａ 甲（２）１には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「［００１３］［パワーモジュール用基板］ はじめに、本実施形態に係るパワーモジュール用基板１００について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュール用基板１００の断面図である。 パワーモジュール用基板１００は、金属基板１０１と、金属基板１０１上に設けられた絶縁樹脂層１０２と、絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３とを備える。 ・・・（中略）・・・ ［００６１］（凝集窒化ホウ素の作製） ホウ酸メラミンと鱗片状窒化ホウ素粉末（平均長径：１５μｍ）を混合して得られた混合物を、ポリアクリル酸アンモニウム水溶液へ添加し、２時間混合して噴霧用スラリーを調製した。次いで、このスラリーを噴霧造粒機に供給し、アトマイザーの回転数１５０００ｒｐｍ、温度２００℃、スラリー供給量５ｍｌ／ｍｉｎの条件で噴霧することにより、複合粒子を作製した。次いで、得られた複合粒子を、窒素雰囲気下、２０００℃の条件で焼成することにより、平均粒径が８０μｍの凝集窒化ホウ素を得た。 ここで、凝集窒化ホウ素の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ－５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）とした。 ［００６２］（パワーモジュール用基板の作製） 実施例１～７および比較例１～２について、以下のようにパワーモジュール用基板を作製した。 まず、表１に示す配合に従い、熱硬化性樹脂と、硬化剤とを溶媒であるメチルエチルケトンに添加し、これを撹拌して熱硬化性樹脂組成物の溶液を得た。次いで、この溶液に無機充填材を入れて予備混合した後、三本ロールにて混練し、無機充填材を均一に分散させたワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。次いで、得られた熱硬化性樹脂組成物に対し、６０℃、１５時間の条件によりエージングを行った。次いで、熱硬化性樹脂組成物を、銅箔（厚さ０．０７ｍｍ、古河電気工業株式会社製、ＧＴＳ－ＭＰ箔）上にドクターブレード法を用いて塗布した後、これを１００℃、３０分間の熱処理により乾燥して樹脂層付き銅箔を作製した。 次いで、得られた樹脂層付き銅箔と、３．０ｍｍ厚の銅板（タフピッチ銅）を張り合わせ、真空プレスで、プレス圧１００ｋｇ／ｃｍ２で１８０℃４０分の条件下でプレスし、パワーモジュール用基板（絶縁樹脂層１０２の厚さ：２００μｍ）を得た。 なお、表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。 ・・・（中略）・・・ ［００６４］（熱硬化性樹脂（Ａ）） エポキシ樹脂１：ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（ＸＤ－１０００、日本化薬社製） エポキシ樹脂２：ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ＹＸ－４０００、三菱化学社製） エポキシ樹脂３：アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｅ２０１、出光興産社製） エポキシ樹脂４：フェノールアラルキル骨格を有するエポキシ樹脂（ＮＣ－２０００－Ｌ、日本化薬社製） エポキシ樹脂５：ビフェニルアラルキル骨格を有するエポキシ樹脂（ＮＣ－３０００、日本化薬社製） エポキシ樹脂６：ナフタレンアラルキル骨格を有するエポキシ樹脂（ＮＣ－７０００、日本化薬社製） エポキシ樹脂７：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（８３０Ｓ、大日本インキ社製） エポキシ樹脂８：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（８２８、三菱化学社製） シアネート樹脂１：フェノールノボラック型シアネート樹脂（ＰＴ－３０、ロンザジャパン社製） ［００６５］（硬化触媒Ｃ－１） 硬化触媒１：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ－ＰＷ、四国化成社製） 硬化触媒２：トリフェニルホスフィン（北興化学社製） （硬化剤Ｃ－２） フェノール系硬化剤１：トリスフェニルメタン型のフェノールノボラック樹脂（ＭＥＨ－７５００、明和化成社製） ［００６６］（無機充填材（Ｂ）） 充填材１：上記作製例により作製された凝集窒化ホウ素 ・・・（中略）・・・ ［００６８］（Ｔｇ（ガラス転移温度）の測定） 絶縁樹脂層のガラス転移温度を次のように測定した。まず、得られたパワーモジュール用基板から金属板と金属層を剥離して絶縁樹脂層を得た。 次いで、得られた絶縁樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）を、ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定した。 ・・・（中略）・・・ ［００７２］［表１］ ［図：0001418183000007.jpg］ 」 ｂ 甲（２）１発明１ （ａ） 段落００１３の記載によると、甲（２）１には、「絶縁樹脂層１０２と、絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３とを備えるパワーモジュール用基板１００」の発明が記載されているといえる。 また、段落００６２の記載によると、段落００７２の表１に示される実施例において、金属層１０３となる銅箔の厚さは０．０７ｍｍである。 加えて、段落００６８の記載によると、段落００７２の表１に示される絶縁樹脂層のガラス転移温度は、ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により周波数１Ｈｚの条件で測定したものである。 （ｂ） 段落００６２の記載によると、段落００７２の表１には、絶縁樹脂層１０２となる熱硬化性樹脂組成物の配合が記載されているといえる。 （ｃ） 以上を踏まえると、甲（２）１には、実施例１として次の発明（以下「甲（２）１発明１」という。）が記載されているといえる。 「絶縁樹脂層１０２と、絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３とを備えるパワーモジュール用基板１００であって、 絶縁樹脂層１０２となる熱硬化性樹脂組成物の配合は、 エポキシ樹脂１：ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（ＸＤ－１０００、日本化薬社製）１８．９、 フェノール系硬化剤１：トリスフェニルメタン型のフェノールノボラック樹脂（ＭＥＨ－７５００、明和化成社製）７．３、 硬化触媒１：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ－ＰＷ、四国化成社製）０．１、 充填材１：凝集窒化ホウ素７３．８、であり、 ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により周波数１Ｈｚの条件で測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度が１９７℃であり、 金属層１０３となる銅箔の厚さが０．０７ｍｍである、 パワーモジュール用基板１００。」 ｃ 甲（２）１発明７ 上記ｂと同様に、甲（２）１には、実施例７として次の発明（以下「甲（２）１発明７」という。）が記載されているといえる。 「絶縁樹脂層１０２と、絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３とを備えるパワーモジュール用基板１００であって、 絶縁樹脂層１０２となる熱硬化性樹脂組成物の配合は、 エポキシ樹脂２：ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ＹＸ－４０００、三菱化学社製）１２．９、 シアネート樹脂１：フェノールノボラック型シアネート樹脂（ＰＴ－３０、ロンザジャパン社製）１２．９、 硬化触媒２：トリフェニルホスフィン（北興化学社製）０．５、 充填材１：凝集窒化ホウ素７３．８、であり、 ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により周波数１Ｈｚの条件で測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度が２８８℃であり、 金属層１０３となる銅箔の厚さが０．０７ｍｍである、 パワーモジュール用基板１００。」 （イ） 甲（２）１発明７を主引用発明とする進歩性欠如 本件発明と甲（２）１発明７とを対比する。 ａ 甲（２）１発明７の「絶縁樹脂層１０２」と、「銅箔の厚さが０．０７ｍｍである」「絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３」は、それぞれ本件発明の「絶縁基板」と、「前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」に相当する。 ｂ 甲（２）１発明７の、ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により周波数１Ｈｚの条件で測定した絶縁樹脂層のガラス転移温度は、「引張り荷重をかけて」と特定されていないものの、２８８℃であるから、「前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり」といえる点で本件発明と一応一致する。 ｃ 以上を踏まえると本件発明と甲（２）１発明７とは次の点で一致し、相違する。 （ａ） 一致点 「絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有し、 前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなる、回路基板。」 （ｂ） 相違点 本件発明が、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、 前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり、 前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」点（式（１）については省略した。以下同様。）を特定しているのに対し、甲（２）１発明７がこのような特定をしていない点。 ｄ 相違点についての判断 甲（２）１には、「樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数」、及び「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」についての記載がない。 そして、甲（２）１発明７において、「樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数」、及び「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」を用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１、及び、甲（２）２～甲（２）１０のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、相違点における他の事項を検討するまでもなく、本件発明は、甲（２）１発明７、及び、甲（２）２～甲（２）１０に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ｅ 申立人（２）の主張 申立人（２）は、申立書（２）（２２ページ下から７～４行）において、甲（２）１の実施例７に係る甲（２）１発明７と、甲（２）９の比較例２Ａについて、「上記実施例７と比較例２Ａとを対比すると、配合した各成分は化学名又は商品名などからして同じであるといえる。また、各成分の配合割合は、数％の相違があるが僅かな違いであり、上記実施例７と比較例２Ａとは物性値がほぼ同じあるといえる。」から、甲（２）１発明７の絶縁樹脂層１０２の５０℃において測定した弾性率が、甲（２）９の表１の比較例２Ａとほぼ同じ２２ＧＰａであると主張する。 そして、甲（２）９には次の記載がある。（下線は強調のために、当審において付加した。） 「【０１３５】 （貯蔵弾性率Ｅ'の測定） 熱伝導性樹脂組成物（Ｐ）の硬化物の貯蔵弾性率Ｅ'を次のように測定した。まず、前述した回路基板用積層体の作製の際に得られた熱伝導性樹脂組成物（Ｐ）を１００℃、３０分間熱処理することにより膜厚が４００μｍのＢステージ状の熱伝導性シートを作製した。次いで、上記熱伝導性シートを１８０℃、１０ＭＰａで４０分間熱処理して熱伝導性シート硬化物を得た。次いで、得られた硬化物の５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'を、ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により測定した。ここで、貯蔵弾性率Ｅ'は、熱伝導性シート硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５～１０℃／分で２５℃から３００℃で測定した際の、５０℃での貯蔵弾性率の値である。 ・・・（中略）・・・ 【０１４１】 【表１】 ［図：0001418183000008.jpg］ 」 しかしながら、弾性率が温度依存性を有する物性値であることは技術常識であるから、甲（２）９に記載された「ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により、引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した際の、５０℃での貯蔵弾性率の値」は、相違点に係る「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当しない。 そして、甲（２）１発明７において、「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」は不明であるから、上記ｄのとおり、本件発明は、甲（２）１発明７に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、申立人（２）の主張は採用できない。 （ウ） 甲（２）１発明１を主引用発明とする進歩性欠如 上記（イ）と同様に、本件発明と甲（２）１発明１とは、上記（イ）ｃ（ａ）、（ｂ）の点で一致し、相違する。 そして、上記（イ）ｅと同様に、申立人（２）は、甲（２）９の比較例１Ａに基づいて、甲（２）１発明１の絶縁樹脂層１０２の５０℃において測定した弾性率が、甲（２）９の表１の比較例１Ａとほぼ同じ２６ＧＰａであると主張する。 しかしながら、上記（イ）ｅのとおり、温度依存性である、甲（２）９に記載された「ＤＭＡ（動的粘弾性測定）により、引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した際の、５０℃での貯蔵弾性率の値」は、相違点に係る「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当しない。 そして、上記（イ）ｄと同様に、甲（２）１には、「樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数」、及び「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」についての記載がなく、甲（２）１発明１において、不明である「樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数」、及び「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１、及び、甲（２）２～甲（２）１０のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、相違点における他の事項を検討するまでもなく、本件発明は、甲（２）１発明１、及び、甲（２）２～甲（２）１０に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （エ） 小括 以上のとおり、本件発明は、甲（２）１発明１、又は甲（２）１発明７、及び、甲（２）２～１０に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものではないから、申立理由（２）１によって、本件特許を取り消すことはできない。 ウ 申立理由（２）２ 申立書（２）「３（４）ウ（イ）」（２５ページ２１行～２７ページ下から３行）に記載された、甲（２）１１を主引用例とする進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（２）２」という。）について検討する。 （ア） 甲（２）１１の記載、甲（２）１１発明 ａ 甲（２）１１には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「［００２５］ 以下、図１を参照して、実施の形態１に係るプリント基板１０について説明する。 ［００２６］ 実施の形態１に係るプリント基板１０は、基材１２を含む。基材１２の回路面には、多数の部品実装用導体層１４と配線用導体層１６と回路面レジスト層１８が形成される。基材１２の放熱面には、多数の放熱用導体層２０とソルダーレジスト層２２からなる積層体２４が適宜な高さを有する略凸形状に形成される。 ［００２７］ 基材１２は、例えば、ベース基板３０から形成される。 ベース基板３０は、厚さ０．１～１．０ｍｍからなり、絶縁性のある樹脂からなる基材１２に銅箔等の金属層３２を貼り合わせたものであり、銅箔をエッチングすることにより、基材１２、部品実装用導体層１４、配線用導体層１６、放熱用導体層２０が形成される。 実施の形態１においては、ガラス布エポキシ樹脂積層板である利昌工業株式会社製のＣＳ－３９４５（両面）、利昌工業株式会社製のＣＳ－３９４０（片面）、ニッカン工業株式会社製のニカプレックスＬ－６５０４／Ｌ－６５０４Ｃ／Ｌ－６５０４Ｃ ＵＶ／ＮＩＫＡＰＬＥＸ Ｌ－６５０４／Ｌ－６５０４Ｃ／Ｌ－６５０４Ｃ ＵＶ、日立化成（株）製のＭＣＬ－Ｅ－６７、パナソニック株式会社製のＲ－１７０５，Ｒ－１７０５ＳＸ，Ｒ－１７０５ＳＨ，Ｒ－１７０５ＵＸ Ｒ－１７０５ＵＣ、Ｓｈｅｎｇｙｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＣＯ．ＬＴＤ製のＳ１６００、南亜製のＵＶ ＢＬＯＣＫ ＦＲ－４－８６、住友ベークライト株式会社製のＥＬＣ－４７６８などを用いることもある。 なお、実施の形態１においては、ガラス布エポキシ樹脂積層板の他に、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラス・コンポジット基板、テフロン（登録商標）基板、アルミナ基板、ポリイミド基板などを用いることもある。 ［００２８］ 部品実装用導体層１４は、厚さ１８～７０μｍの銅箔からなる金属層３２をエッチングすることで形成される。 部品実装用導体層１４は、２つの主面と少なくとも１つの側面を有し、２つの主面のうちの一方の主面が基材１２の主面に面接触しており、さらに、側面が第１層目のソルダーレジスト層１８ａの側面に面接触している。 なお、部品実装用導体層１４の側面は、第１層目のソルダーレジスト層１８ａの側面と面接触していなくてもよい。 第１層目のソルダーレジスト層１８ａは、配線用導体層１６を覆っている。そして、第１層目のソルダーレジスト層１８ａの一方の主面に、第２層目のソルダーレジスト層１８ｂの主面が面接触し、略凸形状の積層体を形成している。 部品実装用導体層１４にＩＣなど発熱量が高い電子部品を実装させる場合には、部品実装用導体層１４の周囲の熱伝導性を高め、放熱効果をもたせることが必要とされる。」 ｂ 甲（２）１１発明 上記ａによると甲（２）１１には次の発明（以下「甲（２）１１発明」という。）が記載されているといえる。 「基材１２を含み、基材１２の回路面には、部品実装用導体層１４が形成された、ガラス布エポキシ樹脂積層板である利昌工業株式会社製のＣＳ－３９４５を用いたプリント基板１０であって、 部品実装用導体層１４及び配線用導体層１６は、厚さ１８～７０μｍの銅箔からなる金属層３２をエッチングすることで形成される プリント基板１０。」 （イ） 対比・判断 本件発明と甲（２）１１発明とを対比する。 「プリント基板」は、「回路基板」といえる。 そして、甲（２）１１発明の「基材１２」、及び「厚さ１８～７０μｍの銅箔からなる金属層３２をエッチングすることで形成される」「部品実装用導体層１４」は、本件発明の「絶縁基板」、及び「前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」にそれぞれ相当する。 そうすると、本件発明と甲（２）１１発明とは次の点で一致し、相違する。 ａ 一致点 「絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有る、回路基板。」 ｂ 相違点 本件発明が「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、 前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり、前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり、 前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」点を特定しているのに対し、甲（２）１１発明がこのような特定をしていない点。 ｃ 相違点の判断 甲（２）１２には、利昌工業株式会社製のＣＳ－３９４５について、次の記載がある。 「 ［図：0001418183000009.jpg］ 」 甲（２）１２には、甲（２）１１発明の利昌工業株式会社製のＣＳ－３９４５についての、ガラス転移温度Ｔｇ、熱膨張係数（ａ１）ＣＴＥ、曲げ弾性率についての記載はあるが、これらの測定方法等は不明であり、また、相違点に係る「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」についての記載はない。 また、本件発明のガラス転移温度Ｔｇは、上記２（１）イのとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものであるところ、甲（２）１２に記載されたガラス転移温度Ｔｇがそのように測定されたものであるとはいえない。 そして、甲（２）１１発明において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」、及び「動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定されるガラス転移温度Ｔｇ」を用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１１、及び、甲（２）２～甲（２）８、甲（２）１２のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 加えて、甲（２）１１発明の「部品実装用導体層１４」は、「厚さ１８～７０μｍの銅箔からなる金属層３２をエッチングすることで形成される」ものであるが、甲（２）１１発明において、「部品実装用導体層１４と配線用導体層１６」を、厚さが３００μｍより大きな圧延銅とする動機付けも存在しない。 したがって、本件発明は、甲（２）１１発明、及び、甲（２）２～甲（２）８、甲（２）１２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、申立理由（２）２によって、本件特許を取り消すことはできない。 エ 申立理由（２）３ 申立書（２）「３（４）ウ（ウ）」（２７ページ下から２行～３０ページ３行）に記載された甲（２）１３～１５を主引用例とする進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（２）３」という。）について検討する。 （ア） 甲（２）１３ ａ 甲（２）１３には次の記載がある。 「 ［図：0001418183000010.jpg］ 」 そうすると、甲（２）１３には、次のエポキシ両面プリント配線用材料の発明（以下、それぞれ「甲（２）１３発明１～３」という。）が記載されているといえる。 （ａ） 甲（２）１３発明１ 「熱膨張係数ＣＴＥ Ｘ（ａ１）が１４ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度（ＤＭＡ）が１５０℃、引っ張り弾性率 タテが１５ＧＰａであるエポキシ両面プリント配線用材料（ＥＬＣ－４７６２／４７５６）。」 （ｂ） 甲（２）１３発明２ 「熱膨張係数ＣＴＥ Ｘ（ａ１）が２０ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度（ＤＭＡ）が１５０℃、引っ張り弾性率 タテが１４ＧＰａであるエポキシ両面プリント配線用材料（ＥＬＣ－４９７０、ＥＬＣ－４９７２Ｒ＆Ｓ）。」 （ｃ） 甲（２）１３発明３ 「熱膨張係数ＣＴＥ Ｘ（ａ１）が２０ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度（ＤＭＡ）が１４０℃、引っ張り弾性率 タテが１４ＧＰａであるエポキシ両面プリント配線用材料（ＥＬＣ－４９７２ＧＳ）。」 ｂ 本件発明と甲（２）１３発明１～３とを対比すると、両者は、少なくとも、本件発明が「厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」を有する回路基板であって、絶縁基板となる樹脂について、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」ことを特定しているのに対し、甲（２）１３発明１～３が金属の回路パターンを有さない「エポキシ両面プリント配線用材料」であって、「熱膨張係数ＣＴＥ Ｘ（ａ１）」、「ガラス転移温度（ＤＭＡ）」及び「引っ張り弾性率 タテ」を特定している点で相違する。 ここで、甲（２）１３発明１～３の「引っ張り弾性率」は、どの温度における弾性率なのか不明であって、弾性率が温度依存性を有する物性値であることは技術常識であるから、甲（２）１３発明１～３の「引っ張り弾性率」は、本件発明の「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当しない。 そして、甲（２）１３発明１～３において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」を用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１３、及び、甲（２）１～甲（２）８のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 また、甲（２）１３発明１～３のエポキシ両面プリント配線用材料について、金属の回路パターンを有する回路基板とする際に、「厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」を有し、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり」とする動機付けも存在しない。 したがって、本件発明は、甲（２）１３発明１～３のエポキシ両面プリント配線用材料、及び、甲（２）１～甲（２）８の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （イ） 甲（２）１４ ａ 甲（２）１４には「多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料」についての次の記載がある。 「 ［図：0001418183000011.jpg］ 」 そうすると、甲（２）１４には、次の多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料の発明（以下、それぞれ「甲（２）１４発明１～２」という。）が記載されているといえる。 （ａ） 甲（２）１４発明１ 「熱膨張係数が１４ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度（ＤＭＡ）が２４０℃、曲げ弾性率 縦方向が２７ＧＰａである多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料（ＥＬ１９０Ｔ）。」 （ｂ） 甲（２）１４発明２ 「熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度（ＤＭＡ）が２１０℃、曲げ弾性率 縦方向が２２ＧＰａである多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料（ＥＬ２３０Ｔ）。」 ｂ 本件発明と甲（２）１４発明１～２とを対比すると、両者は、少なくとも、本件発明が「厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」を有する回路基板であって、絶縁基板となる樹脂について、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」ことを特定しているのに対し、甲（２）１４発明１～２が金属の回路パターンを有さない「多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料」であって、「熱膨張係数」、「ガラス転移温度（ＤＭＡ）」及び「曲げ弾性率 縦方向」を特定している点で相違する。 ここで、甲（２）１４には、本件発明の「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当する物性値についての記載がない。 そして、甲（２）１４発明１～２において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」を用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１４、及び、甲（２）１～甲（２）８のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、本件発明は、甲（２）１４発明１～２の「多層プリント配線板用高性能ＦＲ－４材料」、及び、甲（２）１～甲（２）８の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ） 甲（２）１５ 甲（２）１５には、放熱性に優れたプリント基板「ＭＣＰＣＢ」についての次の記載がある。 「 ［図：0001418183000012.jpg］ 」 そうすると、甲（２）１５には、次のプリント基板の発明（以下、それぞれ「甲（２）１５発明１～３」という。）が記載されているといえる。 （ａ） 甲（２）１５発明１ 「ガラス転移温度（ＴＭＡ）が１００℃、ガラス転移温度Ｔｇ以下のＸＹ方向の線膨張係数が２７ｐｐｍ／℃、貯蔵弾性率（ＤＭＡ）が１４ＧＰａである、汎用グレートＥのプリント基板。」 （ｂ） 甲（２）１５発明２ 「ガラス転移温度（ＴＭＡ）が１１０℃、ガラス転移温度Ｔｇ以下のＸＹ方向の線膨張係数が３９ｐｐｍ／℃、貯蔵弾性率（ＤＭＡ）が１２ＧＰａである、汎用グレート８のプリント基板。」 （ｃ） 甲（２）１５発明３ 「ガラス転移温度（ＴＭＡ）が９４℃、ガラス転移温度Ｔｇ以下のＸＹ方向の線膨張係数が４７ｐｐｍ／℃、貯蔵弾性率（ＤＭＡ）が８．９ＧＰａである、汎用グレート８のプリント基板。」 ｂ プリント基板が回路パターンを有していることが技術常識であるとして、本件発明と甲（２）１５発明１～３とを対比すると、両者は、「絶縁基板と、回路パターンと、を有する回路基板。」といえる点で一致し、本件発明が、「回路パターン」について、「厚みが５．０ｍｍ以下の金属」であって、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）」からなる点を特定し、「前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり」、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」のに対し、甲（２）１５発明１～３のプリント基板が有する回路パターンについての特定がなく、また、「ガラス転移温度（ＴＭＡ）」、「ガラス転移温度Ｔｇ以下のＸＹ方向の線膨張係数」、「貯蔵弾性率（ＤＭＡ）」により特定している点で相違する。 そして、甲（２）１５発明１～３の、貯蔵弾性率（ＤＭＡ）は、どの温度における貯蔵弾性率なのか不明であるから、本件発明の「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当する物性値とはいえない。 また、本件発明のガラス転移温度Ｔｇは、上記２（１）イのとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものであるところ、甲（２）１５発明１～３のガラス転移温度（ＴＭＡ）は、このように測定されたものではない。 そして、甲（２）１５発明１～３において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」、及び「動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定されるガラス転移温度Ｔｇ」を用いて「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（２）１５、及び、甲（２）１～甲（２）８のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 また、甲（２）１５発明１～３の回路パターンについて、「厚みが５．０ｍｍ以下の金属」であって、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）」からなるとする動機付けも存在しない。 したがって、本件発明は、甲（２）１５発明１～３、及び、甲（２）１～甲（２）８の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （エ） 小括 以上のとおり、本件発明は、甲（２）１３～１５に記載された発明、及び甲（２）１～甲（２）８に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、申立理由（２）３によって、本件発明を取り消すことはできない。 オ 申立理由（３）１ 申立書（３）「３．（４）ウ（ア）」（２３ページ下から１０行から２５ページ１６行）に記載された甲（３）１を主引用例とする新規性欠如、進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（３）１」という。）について検討する。 ａ 甲（３）１には、配線基板用積層体について次の記載がある。 「【００４９】 ［ガラス転移温度（Tg）の測定］ ポリイミドフィルム(10mm×22.6mm)を動的熱器械分析装置にて20℃から500℃まで5℃／分で昇温させたときの動的粘弾性を測定し、ガラス転移温度（tanδ極大値：℃）を求めた。 ・・・（中略）・・・ 【００５４】 ［引張り弾性率（E’）の測定］ テンションテスターを用い、幅12.4mm、長さ160mmのポリイミドフィルムを10kgの荷重を加えながら50mm/minで引っ張り試験を行い、25℃における引張り弾性率（E’）を求めた。 ・・・（中略）・・・ 【００６１】 【表２】 ［図：0001418183000013.jpg］ 」 そうすると、甲（３）１には、次の配線基板用のポリイミドフィルムの発明（以下、「甲（３）１発明」という。）が記載されているといえる。 「ＣＴＥ（熱膨張係数）が８～２４ｐｐｍ／Ｋ、ポリイミドフィルム（１０ｍｍ×２２．６ｍｍ）を動的熱器械分析装置にて２０℃から５００℃まで５℃／分で昇温させたときの動的粘弾性から求めたガラス転移温度Ｔｇが３２３～４００℃、テンションテスターを用い、幅１２．４ｍｍ、長さ１６０ｍｍのポリイミドフィルムを１０ｋｇの荷重を加えながら５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験を行い、２５℃における引張り弾性率が３．４～８．１ＧＰａである配線基板用のポリイミドフィルムＡ～Ｉ。」 ｂ 本件発明と甲（３）１とを対比すると、両者は本件発明が「厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」を有する回路基板であって、「前記絶縁基板が樹脂（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）からなり」、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」ことを特定しているのに対し、甲（３）１発明が金属の回路パターンを有さない「配線基板用のポリイミドフィルム」であって、その「ＣＴＥ（熱膨張係数）」、「ポリイミドフィルム（１０ｍｍ×２２．６ｍｍ）を動的熱器械分析装置にて２０℃から５００℃まで５℃／分で昇温させたときの動的粘弾性から求めたガラス転移温度Ｔｇ」、「テンションテスターを用い、幅１２．４ｍｍ、長さ１６０ｍｍのポリイミドフィルムを１０ｋｇの荷重を加えながら５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験を行い、２５℃における引張り弾性率」を特定している点で相違する。 ここで、甲（３）１発明の「テンションテスターを用い、幅１２．４ｍｍ、長さ１６０ｍｍのポリイミドフィルムを１０ｋｇの荷重を加えながら５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験を行い、２５℃における引張り弾性率」は、本件発明の「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当しない。 そして、甲（３）１発明において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」を用いて、「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（３）１、及び甲（３）２～甲（３）７のいずれにも記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 また、甲（３）１発明の、「ポリイミドフィルム（１０ｍｍ×２２．６ｍｍ）を動的熱器械分析装置にて２０℃から５００℃まで５℃／分で昇温させたときの動的粘弾性から求めたガラス転移温度Ｔｇ」は、「引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで」との測定条件が不明であるが、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものといえる点で、本件発明の「ガラス転移温度Ｔｇ」と対応する。 しかしながら、甲（３）１発明のガラス転移温度Ｔｇは、いずれも３００℃を超えるものであり、本件発明で特定された「ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く」樹脂とする動機付けは存在しない。 したがって、本件発明は、甲（３）１発明ではなく、また、甲（３）１発明、並びに、甲（３）３及び甲（４）４の記載事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものではないから、申立理由（３）１によって本件特許を取り消すことはできない。 カ 申立理由（３）２ 申立書（３）「３．（４）ウ（イ）」（２５ページ１７行から２６ページ下から３行）に記載された甲（３）２を主引用例とする新規性欠如、進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（３）２」という。）について検討する。 （ア） 甲（３）２の記載、及び甲（３）２発明 ａ 甲（３）２には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「［０００１］ 本発明は、特にフレキシブルプリント配線板用の材料として有用な、金属－樹脂積層体に関するものである。 ・・・（中略）・・・ ［００７２］ フレキシブルプリント配線板において配線とデバイスとの接続には、通常、はんだが使用される。そのため、本発明に係る熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度は、共晶はんだの融点である１８３℃以上であることが好ましく、また、さらに高融点の鉛フリーはんだを使用可能にするためには、ガラス転移温度が２００℃以上であることがより好ましい。ここで、ガラス転移温度は熱機械分析法（ＴＭＡ）で測定した値である。 ・・・（中略）・・・ ［０１１９］ 日本国株式会社オリエンテック製ＲＴＧ－１２１０型引張試験装置を用い、試験長５０ｍｍ、試験速度５０ｍｍ／分にて試料を引き伸ばし、破断した時点での試料の伸びを測定した（以下、例えば５０ｍｍの試料が１００ｍｍに伸びた時点で破断した場合に「引張破断伸度が１００％」と表記する）。引張弾性率は、フィルムの引張伸度０．４～１．０％間における応力の傾きより算出した。 ・・・（中略）・・・ ［０１７１］（実施例１４） ・・・（中略）・・・ ［０１７２］（省略） ［０１７３］ 該熱可塑性ポリイミド層と、厚さ９μｍの銅箔（商品名Ｕ－ＷＺ、日本国古河サーキットフォイル株式会社製）の表面粗さＲａが０．１１μｍかつＲｚが０．６０μｍである面とを合わせ、真空プレス機にて真空下３２５℃にて４．４ＭＰａで３０分、次いで５．９ＭＰａで２０分間プレスを行うことで、銅箔－樹脂積層体を得た。得られた銅箔－樹脂積層体のピール強度を、上記に記載した方法により測定したところ、１．４８Ｎ／ｍｍであった。 ［０１７４］ また、該熱可塑性ポリイミド層と、厚さ９μｍの銅箔（商品名ＮＡ－ＤＦＦ、日本国三井金属鉱業株式会社製）の表面粗さＲａが０．１１μｍかつＲｚが０．６０μｍである面とを合わせ、真空プレス機にて真空下３２５℃にて４．４ＭＰａで３０分、次いで５．９ＭＰａで２０分間プレスを行うことで、銅箔－樹脂積層体を得た。得られた銅箔－樹脂積層体のピール強度を、上記に記載した方法により測定したところ、１．４９Ｎ／ｍｍであった。 ［０１７５］ 濃度１５重量％のワニスを用いて作製した熱可塑性ポリイミドフィルムの３０％ＲＨ～７０％ＲＨにおける吸湿膨張係数は９．１ｐｐｍ／％ＲＨであった。ガラス転移温度は２００℃、熱膨張係数は５４ｐｐｍ／℃、１％重量減少温度（Ｔｄ１％）は４２１℃、５％重量減少温度（Ｔｄ５％）は４６２℃であった。引張弾性率は３．３ＧＰａ、引張破断伸度は１２６％であった。 ・・・（中略）・・・ ［０１８１］（実施例１６） ・・・（中略）・・・ ［０１８２］（省略） ［０１８３］ 該熱可塑性ポリイミド層と、厚さ９μｍの銅箔（商品名ＮＡ－ＤＦＦ、日本国三井金属鉱業株式会社製）の表面粗さＲａが０．１１μｍかつＲｚが０．６０μｍである面とを合わせるように、２枚の銅箔で前記ポリイミドフィルムを挟み、真空プレス機を用いて真空下２００℃にて無加圧にて３０分、次いで３２５℃にて５．９ＭＰａで２０分間プレスを行うことで、両面に銅箔を有する銅箔－樹脂積層体を得た。得られた銅箔－樹脂積層体のピール強度を、上記に記載した方法により測定したところ、１．２３Ｎ／ｍｍであった。 ［０１８４］ 濃度１５重量％のワニスを用いて作製した熱可塑性ポリイミドフィルムの３０％ＲＨ～７０％ＲＨにおける吸湿膨張係数は１１．８ｐｐｍ／％ＲＨであった。ガラス転移温度は１９２℃、熱膨張係数は６１ｐｐｍ／℃、１％重量減少温度（Ｔｄ１％）は４１３℃、５％重量減少温度（Ｔｄ５％）は４５５℃であった。引張弾性率は３．１ＧＰａ、引張破断伸度は１０８％であった。」 ｂ 甲（３）２発明 上記ａによれば、甲（３）２には次の発明（以下「甲（３）２発明」という。）が記載されているといえる。 「熱可塑性ポリイミド層と、厚さ９μｍの銅箔を合わせて得た銅箔－樹脂積層体であって、 熱可塑性ポリイミドフィルムの熱機械分析法（ＴＭＡ）で測定したガラス転移温度が２００℃、熱膨張係数が５４ｐｐｍ／℃、フィルムの引張伸度０．４～１．０％間における応力の傾きより算出した引張弾性率が３．３ＧＰａであり（実施例１４）、又は、 熱可塑性ポリイミドフィルムの熱機械分析法（ＴＭＡ）で測定したガラス転移温度が１９２℃、熱膨張係数は６１ｐｐｍ／℃、フィルムの引張伸度０．４～１．０％間における応力の傾きより算出した引張弾性率は３．１ＧＰａである（実施例１６）、 銅箔－樹脂積層体を材料とするフレキシブルプリント配線板。」 ｃ 本件発明と甲（３）２発明とを対比すると、両者は、「絶縁基板と、前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、を有する回路基板。」である点で一致し、本件発明が、金属の回路パターンについて、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）から」なる点を特定し、絶縁基板となる樹脂について、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」点を特定しているのに対し、甲（３）２発明の金属の回路パターンが「厚さ９μｍの銅箔」であり、絶縁基板と対応する熱可塑性ポリイミドフィルムを「熱機械分析法（ＴＭＡ）で測定したガラス転移温度」、「熱膨張係数」、「フィルムの引張伸度０．４～１．０％間における応力の傾きより算出した引張弾性率」で特定している点で相違する。 ここで、甲（３）２発明の、「フィルムの引張伸度０．４～１．０％間における応力の傾きより算出した引張弾性率」は、本件発明の「前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」に相当しない。 また、本件発明のガラス転移温度Ｔｇは、上記２（１）イのとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものであるところ、甲（３）２発明の「熱機械分析法（ＴＭＡ）で測定したガラス転移温度」は、このように測定されたものではない。 そして、甲（３）２発明において、不明である「樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）」、及び、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」「ガラス転移温度Ｔｇ」の値を用いて、「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（３）２、及び甲（３）１、甲（３）３～甲（３）７に記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 加えて、甲（３）２発明の「厚さ９μｍの銅箔」について、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）からなり」とし、さらに「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」とする動機付けも存在しない。 したがって、本件発明は、甲（３）２発明ではなく、また、甲（３）２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、申立理由（３）２によって、本件特許を取り消すことはできない。 キ 申立理由（３）３ 申立書（３）「３．（４）ウ（ウ）」（２６ページ下から２行～２８ページ最下行）に記載された甲（３）３を主引用例とする新規性欠如、進歩性欠如との申立理由（以下「申立理由（３）３」という。）について検討する。 （ア） 甲（３）３の記載 甲（３）３には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【０００８】 即ち、本発明によれば、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導電回路層とを有する金属ベース回路基板であって、 上記導電回路層は、銅を主成分として有し、 上記絶縁層は、エポキシ樹脂、硬化剤、及び無機フィラーを混合して得られるエポキシ樹脂組成物から形成され、 上記エポキシ樹脂組成物は、耐クラック指数Σｉｎｓ≦０．０２５を満たす、金属ベース回路基板が提供される。 （但し、前記ΣｉｎｓはＥｉｎｓ×｜αＣｕ－αｉｎｓ｜×（Ｔｇ－２５）／Ｆで定義される値であり、前記Ｅｉｎｓは２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の引張弾性率、前記αＣｕは２５℃おける前記導電回路層の線膨張係数、前記αｉｎｓは２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の線膨張係数、前記Ｔｇは前記エポキシ樹脂組成物のガラス転移点、前記Ｆは２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の引張破断強度を示す）。 この構成を有する金属ベース回路基板は、後述する実施例において、ヒートサイクルを２００回行っても、絶縁層にクラックが発生しなかったことが実証されている。 ・・・（中略）・・・ 【００２０】 Ｅｉｎｓ×｜αＣｕ－αｉｎｓ｜×（Ｔｇ－２５）は、発生応力の評価指数として設定できる。この式から導き出される値は、絶縁層と導電回路層との熱応力を低下させ、絶縁層へのクラックを抑制する観点からは、２．５０ＭＰａ以下が好ましく、２．２０ＭＰａ以下がより好ましく、２．００ＭＰａ以下がさらに好ましい。この値は、例えば2.5、2.4、2.3、2.2、2.1、2.0、1.98、1.90、1.80、1.70、1.60、1.50、1.0、又は0ＭＰａであってもよく、それらいずれかの値以下、又は範囲内であってもよい。 【００２１】 エポキシ樹脂組成物のガラス転移点Ｔｇは、絶縁層と導電回路層との熱応力を低下させ、絶縁層へのクラックを抑制する観点からは、６０℃以下が好ましく、５５℃以下がより好ましく、５３℃以下がさらに好ましい。この値は、例えば60、59、58、57、56、55、54、53、50、40、30、又は25℃であってもよく、それらいずれかの値以下、又は範囲内であってもよい。後述する実施例では、Ｔｇが６０℃以下で、且つＥｉｎｓ×｜αＣｕ－αｉｎｓ｜＜１００×１０３Ｐａ/℃を満たすエポキシ樹脂組成物を使用した金属ベース回路基板では、ヒートサイクルを２００回行った後であっても、絶縁層にクラックが発生しなかった。 ・・・（中略）・・・ 【００２９】 ３．導電回路層３ 導電回路層の素材としては、銅、アルミニウム、鉄、錫、金、銀、モリブデン、ニッケル、チタニウムの単体又はこれら金属を二種類以上含む合金であり、汎用性の高い銅を主成分として含むことが好ましい。導電回路層の形状としては、板、シート、箔、これらの積層体がある。導電回路層の厚さは、５０～３００μｍである。厚さが薄すぎると、大電流を流したときの発熱が大きくなり、厚さが厚すぎると、絶縁層２にクラックが生じやすくなるからである。導電回路層３の表面にニッケルメッキ、ニッケル－金メッキ等のメッキ処理をしても良い。本明細書において「主成分」とは、例えば、一つの層内に最も多く含まれる成分を意味する。主成分の含有量は、例えば、80、85、90、95、98、99、99.7、99.8、99.9、又は100質量％であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００４４】 １－６． 物性測定 エポキシ樹脂組成物Ａ～Ｄについて、引張弾性率、線膨張係数、Ｔｇ、引張破断強度、耐クラック性を以下の手順で測定した。 【００４５】 １－６－１． 引張弾性率の測定 上記工程で作製したエポキシ樹脂組成物ＡのシートをＰＥＴフィルムからはがし、引張弾性率を引張試験機（株式会社島津製作所製 ＡＧＳ－Ｇ）により引張速度５ｍ／分で求めた。また、エポキシ樹脂組成物Ｂ～Ｄのシートも、同様の手順で引張弾性率を測定した。 ・・・（中略）・・・ 【００４７】 １－６－３． Ｔｇの測定 ガラス転移点ＴｇはＩＳＯ－１１３５９－２に準拠して測定した。上記工程で作製したエポキシ樹脂組成物ＡのシートをＰＥＴフィルムからはがし、規定のサイズ（５ｍｍ角）に切り出し、ＴＭＡ装置（ＴＭＡ２９４０、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、昇温５℃／分、押しモードにて厚み方向の変位量を測定した。そして、温度と、サンプルの厚みの変位量とを示す曲線のガラス転移点前後の曲線の接線をとり、この接線の交点からガラス転移点を算出した。また、エポキシ樹脂組成物Ｂ～Ｄのシートも、同様の手順でＴｇを測定した。 ・・・（中略）・・・ 【００５２】 【表１】 ［図：0001418183000014.jpg］ 」 （イ） 甲（３）３発明 上記（ア）によれば、甲（３）３には次の発明（以下「甲（３）３発明」という。）が記載されているといえる。 「金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導電回路層とを有する金属ベース回路基板であって、 上記導電回路層は、銅を主成分として有し、導電回路層の厚さは、５０～３００μｍであり、 上記絶縁層は、エポキシ樹脂組成物から形成され、 エポキシ樹脂組成物Ａ～Ｄが、 引張試験機（株式会社島津製作所製 ＡＧＳ－Ｇ）により引張速度５ｍ／分で求めた２５℃での引張弾性率が１３．６～１６．３ＧＰａ、線膨張係数（ＴＭＡ）α１が８．０～１１．８ｐｐｍ／℃、ＴＭＡ装置（ＴＭＡ２９４０、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、昇温５℃／分、押しモードにて厚み方向の変位量を測定し、温度と、サンプルの厚みの変位量とを示す曲線のガラス転移点前後の曲線の接線をとり、この接線の交点から算出したガラス転移点Ｔｇが５０．８～９５．２℃であり、 Ｅｉｎｓを２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の引張弾性率、αＣｕを２５℃おける導電回路層の線膨張係数、αｉｎｓを２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の線膨張係数、Ｔｇを前記エポキシ樹脂組成物のガラス転移点とした、発生応力の評価指数Ｅｉｎｓ×｜αＣｕ－αｉｎｓ｜×（Ｔｇ－２５）が、１．９８～９．４３ＭＰａである、 金属ベース回路基板。」 （ウ） 対比 本件発明と甲（３）３発明とを対比する。 ａ 本件発明と甲（３）３発明とはいずれも「回路基板」の発明である点で共通する。 ｂ 甲（３）３発明の「絶縁層」と、銅を主成分として有し、厚さが５０～３００μｍである「上記絶縁層上に形成された導電回路層」は、それぞれ、本件発明の「絶縁基板」と、「前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」に相当する。 ｃ 甲（３）３発明の「絶縁層」は、エポキシ樹脂組成物から形成されているから、本件発明と甲（３）３発明とは、「前記絶縁基板が樹脂から」なる点で共通する。 ｄ 一致点・相違点 以上を踏まえると、本件発明と甲（３）３発明とは次の点で一致し、相違する。 （ａ） 一致点 「絶縁基板と、 前記絶縁基板上に直接接して設けられた、厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターンと、 を有し、 前記絶縁基板が樹脂からなる、回路基板。」 （ｂ） 相違点１ 本件発明の「厚みが５．０ｍｍ以下の金属の回路パターン」が、「前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し」、「前記金属が圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）から」なると特定されているのに対し、甲（３）３発明の「上記導電回路層は、銅を主成分として有し、導電回路層の厚さは、５０～３００μｍ」である点。 （ｃ） 相違点２ 本件発明が、絶縁基板となる樹脂について、「（ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く）」、「前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率（動的粘弾性測定装置を用い、前記樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値）をＥ、前記弾性率Ｅの測定時の室温をＲＴ＝２５℃、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である」と特定しているのに対し、甲（３）３発明の絶縁層を形成するエポキシ樹脂組成物Ａ～Ｄが、「引張試験機（株式会社島津製作所製 ＡＧＳ－Ｇ）により引張速度５ｍ／分で求めた２５℃での引張弾性率が１３．６～１６．３ＧＰａ、線膨張係数（ＴＭＡ）α１が８．０～１１．８ｐｐｍ／℃、ＴＭＡ装置（ＴＭＡ２９４０、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、昇温５℃／分、押しモードにて厚み方向の変位量を測定し、温度と、サンプルの厚みの変位量とを示す曲線のガラス転移点前後の曲線の接線をとり、この接線の交点から算出したガラス転移点Ｔｇが５０．８～９５．２℃であり、 Ｅｉｎｓを２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の引張弾性率、αＣｕを２５℃おける導電回路層の線膨張係数、αｉｎｓを２５℃における前記エポキシ樹脂組成物の線膨張係数、Ｔｇを前記エポキシ樹脂組成物のガラス転移点とした、発生応力の評価指数Ｅｉｎｓ×｜αＣｕ－αｉｎｓ｜×（Ｔｇ－２５）が、１．９８～９．４３である」と特定されている点。 （エ） 相違点の判断 ａ 相違点１ 甲（３）３の段落００２９の「導電回路層の厚さは、５０～３００μｍである。厚さが薄すぎると、大電流を流したときの発熱が大きくなり、厚さが厚すぎると、絶縁層２にクラックが生じやすくなるからである。」との記載によると、甲（３）３発明の導電回路層を「圧延銅（厚さ３００μｍ以下の圧延銅を除く）」で構成することには、阻害要因が存在する。 そうすると、甲（３）３発明において、相違点１に係る本件発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ｂ 相違点２ （ａ） 本件発明のガラス転移温度Ｔｇは、上記２（１）イのとおり、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」ものであるところ、甲（３）３発明の「ＴＭＡ装置（ＴＭＡ２９４０、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、昇温５℃／分、押しモードにて厚み方向の変位量を測定し、温度と、サンプルの厚みの変位量とを示す曲線のガラス転移点前後の曲線の接線をとり、この接線の交点から算出したガラス転移点Ｔｇ」は、このように測定されたものではない。 そして、甲（３）３発明において、不明である、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚで測定した２５℃における弾性率の値Ｅを測定する際に、「動的粘弾性測定によってＥの値が大きく変化する温度がＴｇとして測定される」「ガラス転移温度Ｔｇ」の値を用いて、「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」とすることは、甲（３）３、及び甲（３）１、甲（３）２、甲（３）４～甲（３）７に記載も示唆もされていない事項であるから、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ｂ） 上記エ（ア）ａの甲（２）１３の記載や上記エ（イ）ａの甲（２）１４の記載によると、本件発明の測定方法と対応するＤＭＡによるガラス転移温度の値は、ＴＭＡによる値よりも概ね１１～２０％大きな値となる。 そして、甲（３）３の段落００２１の「エポキシ樹脂組成物のガラス転移点Ｔｇは、絶縁層と導電回路層との熱応力を低下させ、絶縁層へのクラックを抑制する観点からは、６０℃以下が好ましく、５５℃以下がより好ましく、５３℃以下がさらに好ましい。」との記載を踏まえれば、５０．８～９５．２℃である甲（３）３発明の絶縁層を形成するエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度を「ガラス転移温度Ｔｇが３００℃以上のものと、ガラス転移温度Ｔｇが１２５℃未満のものとを除く」とすることは、ＤＭＡによる２０％大きな値となることを考慮しても、阻害要因が存在する。 そうすると、甲（３）３発明において、相違点２に係る本件発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、本件発明は、甲（３）３発明ではなく、また、甲（３）３発明、及び、甲（３）２、甲（３）５、甲（３）６の記載事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものではないから、申立理由（３）３によって、本件特許を取り消すことはできない。 （２） 明確性要件違反 ア 申立書（３）「３（４）エ（ア）」（２９ページ５～１８行）に記載された申立理由は、次のとおりである。 （ア） 特許請求の範囲に記載された「測定時の室温ＲＴによって応力指数Ｓの値が変動することになり、発明の範囲が一義に特定されない」。（申立書（３）（２９ページ８～９行）） （イ） 特許請求の範囲に記載された「弾性率Ｅが貯蔵弾性率であるのか損失弾性率であるのかが不明である」。（申立書（３）（２９ページ１４～１５行）） イ 本件訂正により、本件発明は「室温をＲＴ＝２５℃」と特定されたこと、及び、令和５年２月１０日に特許権者により提出された意見書５ページ８行に「弾性率Ｅとは貯蔵弾性率を意味する」と記載されたことにより、この申立理由は解消した。 ウ なお、申立書（２）「３（４）エ（ウ）」（３１ページ１４～３３行）に、明確性要件違反として記載された申立理由は、下記（３）イのとおりであり、その内容からサポート要件違反の申立理由として判断する。 （３） サポート要件違反 ア 申立書（２）「３（４）エ（ア）」（３０ページ５行～３１ページ１行）に記載された申立理由は、次のとおりである。 （ア） 「本件特許明細書の発明の詳細な説明には、特定の樹脂を用いた場合はおろか、具体的な実施例は何ら記載されていない（特に段落【００３６】～【００３７】）。 よって、本件特許発明は、発明の詳細な説明に実質的に記載されていないといえる。」（申立書（２）（３０ページ１６～２０行）） （イ） 「また、発明の詳細な説明の記載から、あらゆる樹脂において式（１）を満たす場合に、樹脂基板と金属の回路パターンの密着性を向上させるという課題を解決できることを認識することができない。 出願時の技術常識に照らしても、本件特許発明に係る範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。」（申立書（２）（３０ページ２１～２６行）） （ウ） 「本件特許明細書の発明の詳細な説明には、回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下という特定の半径の円弧を呈する曲線となった角部を有する構成は何ら記載されていない。 出願時の技術常識に照らしても、本件特許発明に係る範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。」（申立書（２）（３０ページ３０～３６行）） イ 申立書（２）「３（４）エ（ウ）」（３１ページ１４～３３行）に明確性要件違反として記載された次の申立理由は、その内容から、サポート要件違反として判断する。 「本件特許明細書の発明の詳細な説明には、特定の樹脂を用いた具体的な実施例は何ら記載されていない（特に段落【００３６】～【００３７】）。 このような記載から、樹脂の線膨張係数、圧延銅の線膨張係数、樹脂のガラス転移温度、樹脂の弾性率などの物性値が上記式（１）を満たす場合に、樹脂基板と金属の回路パターンの密着性を向上させるという課題を解決できるのか理解することができず、発明の技術的意義が不明である。」（申立書（２）（３１ページ２５～３２行）） ウ 申立書（３）「３（４）エ（イ－１）」（２９ページ下から４～２行）に実施可能要件違反として記載された次の申立理由についても、その内容から、サポート要件違反として判断する。 「本件特許発明１では応力指数Ｓが重要な因子であるにも拘らず、実施例では応力指数Ｓに関して実証されていない。そのため、発明の課題の解決手段を理解できず、発明の技術上の意義が不明である。」 エ 特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 ここで、本件明細書の発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題として、「実装される電子部品等の発熱が大きくなる」（段落０００４）場合に、「樹脂基板上に直接接して設けられる金属の回路パターンを有する場合において、樹脂基板と金属の回路パターンの密着性を向上させる技術を提供すること」（段落０００５）と記載されている。 そして、本件明細書の発明の詳細な説明には、「絶縁基板と、前記絶縁基板上に直接接して設けられた金属の回路パターンと、を有し、前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、前記絶縁基板が樹脂からなり、前記金属が圧延銅からなり、前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαＲ、前記圧延銅の線膨張 係数をαＣｕ、前記樹脂のガラス転移温度をＴｇ、前記樹脂の弾性率をＥ、測定時の室温 をＲＴ、とした場合に、下記の式（１）で算出される応力指数Ｓが１ＭＰａ以上５０ＭＰ ａ以下である、回路基板を提供できる。 Ｓ＝｜αＲ－αＣｕ｜×（Ｔｇ－ＲＴ）×Ｅ・・・・式（１）」（段落０００６）ことで、「樹脂基板上に直接接して設けられる金属の回路パターンを有する場合において、樹脂基板と金属の回路パターンの密着性を向上させる技術を提供することができる。」（段落０００７）との効果を奏すると記載されているから、当業者は、同様の事項を特定する本件発明が、上記課題を解決できると認識できる。 したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されているから、これらの申立理由によって本件特許を取り消すことはできない。 （４） 実施可能要件違反 ア 申立書（２）「３（４）エ（イ）」（３１ページ２～１３行）に記載された申立理由は、次のとおりである。 「あらゆる樹脂において、式（１）を満たすように各物性値を調整することは当業者にとって過度の試行錯誤を必要とするものであり、当業者が実施することができる程度に発明の詳細な説明が記載されているとはいえない。」（３１ページ８～１１行） イ 申立書（３）「３（４）エ（イ）」（２９ページ下から５行～３０ページ６行）に記載された申立理由は、次のとおりである。 「本件特許発明１では、応力指数Ｓを１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下に調整することが特徴の発明であるが、実施例では応力指数Ｓを上記範囲に調整したものが一切記載されておらず、具体的にどのように調整すればよいのかが理解できず、追試することができない。」（申立書（３）（２９ページ最下行から３０ページ３行）） ウ しかしながら、本件明細書には、段落００１６に「絶縁層１１を構成する樹脂材料」が例示され、段落００２９に記載された線膨張係数αＲ（１０～５０ｐｐｍ／Ｋ）、ガラス転移温度Ｔｇ（１００～３００℃）、弾性率Ｅ（５～５０ＧＰａ）の範囲に調整すれば、式（１）で算出される応力指数Ｓを１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下とすることができる。 そうすると、本件発明で規定される「式（１）で算出される応力指数Ｓ」を「１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下」との条件を満たす樹脂を得ることは、過度の試行錯誤を必要とするものとはいえない。 したがって、これらの申立理由により本件特許を取り消すことはできない。 ４ むすび 以上のとおり、令和６年４月５日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由、及び申立書（１）～（３）に記載した申立理由によっては、本件特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。