2022-700736

特許第７０１５３３９号発明「紫外線発光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０１５３３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１３〕について訂正することを認める。 特許第７０１５３３９号の請求項１～１３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０１５３３９号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１３に係る特許についての出願は、令和２年３月２４日に出願した特願２０２０－５３０３０号に出願され、令和４年１月２５日にその特許権の設定登録がされ、令和４年２月２日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和４年 ７月２９日 ：特許異議申立人中野圭二（以下「申立人」 という。）による請求項１～１３に係る 特許に対する特許異議の申立て 令和４年１１月２８日付け：取消理由通知書 令和５年 １月３０日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の 提出 なお、当審は、申立人に対して本件訂正に係る請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）をするとともに期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人は意見書を提出しなかった。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和５年 １月３０日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線部が訂正箇所である）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１～１３〕について請求されている。 （１）訂正事項１ 請求項１において、「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含む第１電極要素を有し、前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、」と記載されているのを、「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、当該間の外部から独立して存在し前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、」に訂正する。 請求項１の記載を直接的にまたは間接的に引用する請求項２～１３においても同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 請求項３において、「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第２領域の平面に対する前記膜厚変化部の上面の傾斜角度が１度以上４５度以下ある」と記載されているのを、「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第２領域の平面に対する前記膜厚変化部の上面の傾斜角度が１度以上３０度以下である」に訂正する。 請求項３の記載を直接的にまたは間接的に引用する請求項６，１１～１３においても同様に訂正する。 （３）訂正事項３ 請求項１２において、「前記第１導電型窒化物半導体層が、ＡｌＧａＮである」と記載されているのを、「前記メサ構造を覆う第１絶縁層を更に備え、前記第１絶縁層の組成と前記第１の界面部の組成が異なっており、前記第１導電型窒化物半導体層が、ＡｌＧａＮである」に訂正する。 請求項１２の記載を直接的に引用する請求項１３おいても同様に訂正する。 （４）訂正事項４ 請求項１３において、「前記第２導電型窒化物半導体層が、ＧａＮである」と記載されているのを、「前記酸化物が前記第１導電型窒化物層と接しており、前記第２導電型窒化物半導体層が、ＧａＮである」に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、「第１電極要素」について「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」こと、及び、「第１の界面部」について、「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む」膜厚変化部の一部と第１の窒化物半導体層の第１領域との間に存在すること、並びに、「当該間の外部から独立して存在」すること、をそれぞれ限定するものである。 上記訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 新規事項追加の有無 本件特許の願書に添付した特許登録時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の図２から「第１電極要素５１」が「第１窒化物半導体層２０」と接すること、及び、「第１の界面部５４」が「膜厚変化部５１ａ」の「第２領域２２」側の端部を含む「膜厚変化部５１ａ」と「第１導電型窒化物半導体層２０」の間の一部のみに形成されていること、が見て取れる。 よって、訂正事項１による訂正は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 訂正事項１による訂正は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第２領域の平面に対する前記膜厚変化部の上面の傾斜角度」について、その上限を「４５度」から「３０度」と限定し、且つ、「以下ある」との明らかな誤記を「以下である」に訂正するものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第２号に規定する誤記又は誤訳の訂正を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 本件明細書等の【００１７】には「第１導電型窒化物半導体層の第２領域の平面に対する膜厚変化部の上面の傾斜角度は特に制限されないが、電流集中の観点から１度以上４５度以下であることが好ましく、２度以上３０度以下であることがより好ましく、３度以上１０度以下であることがさらに好ましい。」と記載されている。 よって、訂正事項２による訂正は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 訂正事項２による訂正は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （３）訂正事項３について ア 訂正の目的 訂正事項３は、「前記メサ構造を覆う第１絶縁層を更に備え、前記第１絶縁層の組成と前記第１の界面部の組成が異なっており、」との特定を加えるものである。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 本件明細書等の図１及び２から第１絶縁層７１がメサ構造の側面を覆うことが見て取れる。さらに、【００１９】には「第１の界面部の構成成分として、酸化アルミニウム等が挙げられる。」と記載され、【００２１】には「絶縁層の材料としては特に制限されないが、酸化ケイ素や窒化ケイ素などが挙げられる。」と、すなわち、第１の界面部の組成と、第１絶縁層７１を含む絶縁層の組成が異なることが記載されている。 よって、訂正事項３による訂正は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 訂正事項３による訂正は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）訂正事項４について ア 訂正の目的 訂正事項４は、「前記酸化物が前記第１導電型窒化物層と接しており、」との特定を加えるものである。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 本件明細書等の図２から、「第１の界面部５４」が「第１導電型窒化物半導体層２０」の接していることが見て取れる。「酸化物」が「第１の界面部５４」に含まれるものであることを踏まえると、前記「酸化物」が「第１導電型窒化物半導体層２０」が接しているといえる。よって、訂正事項４による訂正は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 訂正事項４による訂正は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （５）小括 よって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は同第２号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 なお、訂正後の請求項１～１３は、特許異議の申立てがなされた請求項であるから、当該各請求項についての訂正には、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 訂正の適否についての判断の小括 以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たす。 よって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１～１３〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正発明 本件訂正後の請求項１～１３に係る発明（以下、それぞれ、「本件訂正発明１」～「本件訂正発明１３」という。）は、次のとおりのものである。 【本件訂正発明１】 基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え、 前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり、 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し、 前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し、 前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、当該間の外部から独立して存在し前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、紫外線発光素子。 【本件訂正発明２】 前記第１電極が、前記第１電極要素上に、第２電極要素と、第３電極要素とをこの順で更に有し、 前記第１電極要素の前記膜厚変化部の一部と前記第２電極要素との界面に、チタンで構成される第２の界面部を有する、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明３】 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第２領域の平面に対する前記膜厚変化部の上面の傾斜角度が１度以上３０度以下である請求項１又は２に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明４】 前記第１の界面部の膜厚が、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明５】 前記第２の界面部の膜厚が、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項２に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明６】 前記第１電極要素の構成成分がアルミニウムである請求項１から５のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明７】 前記第１の界面部の構成成分が、酸化アルミニウムである請求項１に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明８】 前記第３電極要素の構成成分が、金とチタンの合金である請求項２に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明９】 前記第２電極要素の構成成分が、ニッケルである請求項２又は８に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明１０】 前記第２の界面部が、前記第３電極要素の構成成分の少なくとも１つを含む請求項２、８及び９のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明１１】 前記基板が窒化アルミニウムである請求項１から１０のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明１２】 前記メサ構造を覆う第１絶縁層を更に備え、 前記第１絶縁層の組成と前記第１の界面部の組成が異なっており、 前記第１導電型窒化物半導体層が、ＡｌＧａＮである請求項１から１１のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 【本件訂正発明１３】 前記酸化物が前記第１導電型窒化物層と接しており、 前記第２導電型窒化物半導体層が、ＧａＮである請求項１から１２のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 第４ 取消理由の概要 令和４年１１月２８日付け取消理由通知書（以下「取消理由通知書」という。）により特許権者に通知した取消しの理由の要旨は、以下のとおりである。 １ 本件訂正前の請求項１～１３に係る特許は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１～３号証（以下「甲１」～「甲３」という。）のそれぞれに記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（新規性欠如） ２ 本件訂正前の求項１～１３に係る特許は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲１～３のそれぞれに機作入れた発明に基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（進歩性欠如） 甲１：特開２０１９－ ４１１０９号公報 甲２：特開２０１２－１６４９３０号公報 甲３：特開２０１９－２０７９４４号公報 第５ 当審の判断 １ 甲１～３及び甲第４号証の記載事項 （１）甲１ ア 取消理由で引用された甲１には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当合議体が付したものである。以下同じ。） （ア）「【請求項１】 第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層間に配置される活性層を含む半導体構造物、 前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極、 前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極、 前記第１電極上に配置される第１カバー電極、および 前記第２電極上に配置される第２カバー電極を含み、 前記第２カバー電極は複数個のパッド部、および前記複数個のパッド部を連結する連結部を含み、 前記連結部は隣り合うパッド部の中間地点で幅が最も小さく、 前記第２カバー電極と前記第１カバー電極の面積比は１：１．１～１：１．５である、半導体素子。 【請求項２】 前記半導体構造物上に配置される第１絶縁層、および 前記第１カバー電極および第２カバー電極上に配置される第２絶縁層を含み、 前記第１絶縁層は前記第１電極が配置される第１ホールおよび前記第２電極が配置される第２ホールを含み、 前記第２絶縁層は前記第１カバー電極を一部露出させる第３ホール、および前記第２カバー電極の一部を露出させる第４ホールを含む、請求項１に記載の半導体素子。 ・・・（略）・・・ 【請求項１１】 前記第１電極は上面に配置される第１溝、および前記第１溝を囲む突起部を含み、 前記第１カバー電極は前記第１溝および前記突起部上に配置される、請求項１に記載の半導体素子。 【請求項１２】 前記突起部と前記第１カバー電極の間に配置される酸化膜を含む、請求項１１に記載の半導体素子。 【請求項１３】 前記第１カバー電極は前記第１溝に配置される第１凹凸部、および 前記第１絶縁層と前記第１電極の間の離隔領域に配置される第２凹凸部を含み、 前記第２凹凸部は前記第１導電型半導体層と接触する、請求項１１に記載の半導体素子。 【請求項１４】 前記第１カバー電極は前記第１絶縁層の上部に延びる、請求項１１に記載の半導体素子。 【請求項１５】 第１項において、 前記活性層は紫外線波長帯の光を生成する、請求項１に記載の半導体素子。」 「【００２２】 図１は本発明の一実施例に係る半導体素子の断面図であり、図２は図１のＡ部分の拡大図である。 【００２３】 図１および図２を参照すると、本発明の一実施例に係る半導体素子は、半導体構造物１２０、半導体構造物１２０上に配置される第１絶縁層１７１、第１絶縁層１７１の第１ホール１７１ａを介して第１導電型半導体層１２１上に配置される第１電極１５１、第１絶縁層１７１の第２ホール１７１ｂを介して第２導電型半導体層１２３上に配置される第２電極１６１、第１電極１５１上に配置される第１カバー電極１５２、第２電極１６１上に配置される第２カバー電極１６２、および第１カバー電極１５２および第２カバー電極１６２上に配置される第２絶縁層１７２を含む。 【００２４】 本発明の実施例に係る半導体構造物１２０は紫外線波長帯の光を出力することができる。例示的に、半導体構造物１２０は近紫外線波長帯の光（ＵＶ－Ａ）を出力することもでき、遠紫外線波長帯の光（ＵＶ－Ｂ）を出力することもでき、深紫外線波長帯の光（ＵＶ－Ｃ）を出力することができる。」 「【００２８】 基板１１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰおよびＧｅのうち選択された物質で形成され得るが、これに限定されはしない。基板１１０は紫外線波長帯の光が透過できる投光基板であり得る。」 「【００３０】 第１導電型半導体層１２１はＩＩＩ－Ｖ族、ＩＩ－ＶＩ族などの化合物半導体で具現され得、第１ドーパントがドーピングされ得る。第１導電型半導体層１２１は、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１－ｘ１－ｙ１Ｎ（０≦ｘ１≦１、０＜ｙ１≦１、０≦ｘ１＋ｙ１≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどで選択され得る。そして、第１ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅのようなｎ型ドーパントであり得る。第１ドーパントがｎ型ドーパントである場合、第１ドーパントがドーピングされた第１導電型半導体層１２１はｎ型半導体層であり得る。」 「【００３５】 第２導電型半導体層１２３は、Ｉｎｘ５Ａｌｙ２Ｇａ１－ｘ５－ｙ２Ｎ（０≦ｘ５≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｘ５＋ｙ２≦１）の組成式を有する半導体物質またはＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのうち選択された物質で形成され得る。」 「【００３７】 半導体構造物１２０は第１導電型半導体層１２１上に活性層１２２と第２導電型半導体層１２３が配置される第１領域Ｍ１、および第１導電型半導体層１２１が露出する第２領域Ｍ２を含むことができる。第１領域Ｍ１は発光領域であり、第２領域Ｍ２は非発光領域であり得る。 【００３８】 第１絶縁層１７１は第１電極１５１と第２電極１６１の間に配置され得る。具体的には、第１絶縁層１７１は第１電極１５１が配置される第１ホール１７１ａおよび第２電極１６１が配置される第２ホール１７１ｂを含むことができる。 【００３９】 第１電極１５１は第１導電型半導体層１２１上に配置され、第２電極１６１は第２導電型半導体層１２３上に配置され得る。 【００４０】 第１電極１５１と第２電極１６１はオーミック電極であり得る。第１電極１５１と第２電極１６１は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ－Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、 Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成され得るが、このような材料に限定されはしない。例示的に、第１電極１５１は複数の金属層（例：Ｃｒ／Ａｌ／Ｎｉ）を有し、第２電極１６１はＩＴＯであり得る。 【００４１】 第１電極１５１は第１ホール１７１ａを介して第１導電型半導体層１２１と電気的に連結され得る。第１電極１５１は一面に形成された第１溝１５１ａを含むことができる。一般の可視光発光素子とは異なって紫外線発光素子の場合、オーミックのために電極を高温で熱処理する必要がある。例示的に、第１電極１５１および／または第２電極１６１は約６００℃～９００℃で熱処理することができ、この過程で第１電極１５１の表面には酸化膜ＯＸ１が形成され得る。酸化膜ＯＸ１は抵抗層として作用し得るため、動作電圧が上昇し得る。」 「【００４５】 しかし、実施例によると、第１絶縁層１７１は第２導電型半導体層１２３の上面の一部の領域に延びて活性層１２２の側面および第１導電型半導体層１２１の一部の領域まで配置され得る。また、第１絶縁層１７１は、第１電極１５１と第２電極１６１の間で第１導電型半導体層１２１の側面、活性層１２２の側面、第２導電型半導体層１２３の側面に配置され得る。」 「【００４９】 第１カバー電極１５２は第１電極１５１上に配置され得る。この時、第１カバー電極１５２は第１溝１５１ａに配置される第１凹凸部１５２ａを含むことができる。このような構成によると、第１カバー電極１５２と第１電極１５１の電気的連結が改善されて動作電圧が低くなり得る。万一、第１電極１５１に第１溝１５１ａがない場合、酸化膜が除去されないため第１カバー電極１５２と第１電極１５１の間の抵抗が上昇し得る。 【００５０】 第１カバー電極１５２は第１電極１５１の側面を覆うことができる。したがって、第１カバー電極１５２と第１電極１５１の接触面積が広くなるため、動作電圧がさらに低くなり得る。また、第１カバー電極１５２が第１電極１５１の側面を覆うため、外部から浸透する水分やその他の汚染物質から第１電極１５１を保護することができる。したがって、半導体素子の信頼性が改善し得る。 【００５１】 第１カバー電極１５２は、第１絶縁層１７１と第１電極１５１の間の離隔領域ｄ２に配置される第２凹凸部１５２ｂを含むことができる。第２凹凸部１５２ｂは第１導電型半導体層１２１と直接接触することができる。したがって、第１導電型半導体層１２１に注入される電流をより均一に分散させる効果を有することができる。この時、第１カバー電極１５２が第１導電型半導体層１２１と直接接する場合、第１カバー電極１５２と第１導電型半導体層１２１の間の抵抗が第１電極１５１と第１導電型半導体層１２１の間の抵抗より大きくてもよい。離隔領域ｄ２の幅は約１μｍ～１０μｍであり得る。 【００５２】 第１カバー電極１５２は第１絶縁層１７１の上部に延びた第１領域ｄ１を有することができる。したがって、第１カバー電極１５２の全体面積が増加して動作電圧が低くなり得る。」 「【００５８】 第１カバー電極１５２と第２カバー電極１６２は、Ｎｉ／Ａｌ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成され得るが特に限定されない。ただし、第１カバー電極１５２と第２カバー電極１６２は外部に露出する最外郭層がＡｕを含むことができる。」 「【００６３】 第１絶縁層１７１と第２絶縁層１７２は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも一つが選択されて形成され得る。第２絶縁層１７２が形成される過程で、部分的に第１絶縁層１７１と第２絶縁層１７２は境界が消滅して一つの絶縁層１７０を形成してもよい。」 「【００９３】 図４を参照すると、基板１１０上に、第１導電型半導体層１２１、活性層１２２、および第２導電型半導体層１２３を順に形成することができる。その後、半導体構造物をメサ食刻して第１導電型半導体層１２１が露出する非発光領域Ｍ２と非発光領域Ｍ２に比べて突出した発光領域Ｍ１を形成することができる。その後、第１絶縁層１７１を形成し、第１ホール１７１ａと第２ホール１７１ｂを形成することができる。したがって、第１絶縁層１７１は主に発光領域Ｍ１の側面に配置され得る。」 （イ） 図１及び図２は、次のとおりである。 「 ［図：0001401642000001.jpg］ 」 （ウ） 上記（イ）の図１及び図２から、第１カバー電極１５２は、非発光領域Ｍ２において第１導電型半導体層１２１上に形成され、発光領域Ｍ１に近づくにつれて膜厚が連続的に減少していること、及び、第１カバー電極１５２の前記膜厚が連続的に減少しているところと第１導電型半導体層１２１の間に第１絶縁膜１７１が形成されていること、が見て取れる。 イ 上記アから、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、参考までに、引用発明の認定に用いた甲１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。以下同じ。） 「第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層間に配置される活性層を含む半導体構造物、 前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極、 前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極、 前記第１電極上に配置される第１カバー電極、および 前記第２電極上に配置される第２カバー電極を含み、 前記第２カバー電極は複数個のパッド部、および前記複数個のパッド部を連結する連結部を含み、 前記連結部は隣り合うパッド部の中間地点で幅が最も小さく、 前記第２カバー電極と前記第１カバー電極の面積比は１：１．１～１：１．５であり、（【請求項１】） 前記半導体構造物上に配置される第１絶縁層、および 前記第１カバー電極および第２カバー電極上に配置される第２絶縁層を含み、 前記第１絶縁層は前記第１電極が配置される第１ホールおよび前記第２電極が配置される第２ホールを含み、 前記第２絶縁層は前記第１カバー電極を一部露出させる第３ホール、および前記第２カバー電極の一部を露出させる第４ホールを含み、（【請求項２】） 前記第１電極は上面に配置される第１溝、および前記第１溝を囲む突起部を含み、前記第１カバー電極は前記第１溝および前記突起部上に配置され、（【請求項１１】） 前記突起部と前記第１カバー電極の間に配置される酸化膜を含み、（【請求項１２】） 前記第１カバー電極は前記第１溝に配置される第１凹凸部、および前記第１絶縁層と前記第１電極の間の離隔領域に配置される第２凹凸部を含み、前記第２凹凸部は前記第１導電型半導体層と接触し、（【請求項１３】、【００５１】） 前記第１カバー電極は前記第１絶縁層の上部に延び、（【請求項１４】、【００５２】） 前記活性層は紫外線波長帯の光を生成するものであって、（【請求項１５】、【００２４】） 半導体構造物１２０は第１導電型半導体層１２１上に活性層１２２と第２導電型半導体層１２が配置される第１領域Ｍ１、および第１導電型半導体層１２１が露出する第２領域Ｍ２を含むことができ、第１領域Ｍ１は発光領域であり、第２領域Ｍ２は非発光領域であり、（【００３７】） 基板１１０上に、第１導電型半導体層１２１、活性層１２２、および第２導電型半導体層１２３を順に形成し、その後、半導体構造物をメサ食刻して第１導電型半導体層１２１が露出する非発光領域Ｍ２と非発光領域Ｍ２に比べて突出した発光領域Ｍ１を形成されたものであり、（【００９３】） 基板１１０は、紫外線波長帯の光が透過できる透光基板であり、（【００２８】） 第１導電型半導体層１２１は、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１－ｘ１－ｙ１Ｎ（０≦ｘ１≦１、０＜ｙ１≦１、０≦ｘ１＋ｙ１≦１）の組成式を有する半導体材料から選択されるＡｌＧａＮであり、（【００３０】） 第２導電型半導体層１２３は、Ｉｎｘ５Ａｌｙ２Ｇａ１－ｘ５－ｙ２Ｎ（０≦ｘ５≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｘ５＋ｙ２≦１）の組成式を有する半導体物質であり、（【００３５】） 第１電極１５１は、Ａｌで形成され、（【００４０】） 第１電極１５１の表面には酸化膜ＯＸ１が形成され、（【００４０】） 第１カバー電極１５２は、Ａｌで形成され、（【００５８】） 第１カバー電極１５２は、Ｎｉ／Ａｌ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成され得るが特に限定されず、（【００５８】） 第１絶縁層１７１はＡｌ２Ｏ３で形成され、（【００６３】） 第１絶縁層１７１は第２導電型半導体層１２３の上面の一部の領域に延びて活性層１２２の側面および第１導電型半導体層１２１の一部の領域まで配置され、また、第１絶縁層１７１は、第１電極１５１と第２電極１６１の間で第１導電型半導体層１２１の側面、活性層１２２の側面、第２導電型半導体層１２３の側面に配置され、（【００４５】） 第１電極１５１及び第１カバー電極１５２は、非発光領域Ｍ２において第１導電型半導体層上に１２１上に形成され、発光領域Ｍ１に近づくにつれて膜厚が連続的に減少し、（上記ア（ウ）） 第１カバー電極１５２の前記膜厚が連続的に減少しているところと第１導電型半導体層１２１の間に第１絶縁膜１７１が形成されている、（上記ア（ウ）） 半導体素子。」 （２）甲２ ア 甲２には次の記載がある。 （ア） 「【００１０】 以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 図１は、本実施の形態が適用される半導体発光素子（発光ダイオード）１の一例を上方からみた上面図を示している。また、図２は、図１に示す半導体発光素子１のＩＩ－ＩＩ断面図を示している。なお、図１においては、後述する保護層４００を取り除いた半導体発光素子１を例示している。 【００１１】 この半導体発光素子１は、基板１１０と、基板１１０の上に積層される中間層１２０と、中間層１２０の上に積層される下地層１３０とを備える。また、半導体発光素子１は、下地層１３０の上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０の上に積層される発光層１５０と、発光層１５０の上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備える。なお、以下の説明においては、必要に応じて、これらｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０を、まとめて積層半導体層１００と呼ぶ。 また、この半導体発光素子１においては、上方に向けてｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃが露出するように、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が、一部の領域において厚さ方向に切り欠かれている。 【００１２】 さらに、この半導体発光素子１は、発光層１５０から出力される光に対する透過性および導電性を有し、ｐ型半導体層１６０の上に積層される透明導電層１７０を備えている。 さらにまた、この半導体発光素子１は、発光層１５０から出力される光に対する透過性および絶縁性を有し、透明導電層１７０の上面から、ｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０の側面を介して、ｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃに至るように、一体的に積層される透明絶縁層１８０を備えている。この透明絶縁層１８０は、保護膜としての機能もあり、化学的に安定で、耐湿性の優れた材質が適する。 ここで、発光層１５０の発光波長λ（ｎｍ）における、透明導電層１７０の屈折率を第１屈折率ｎ１とし、透明絶縁層１８０の屈折率を第２屈折率ｎ２としたとき、両者はｎ１＞ｎ２の関係を有している。そして、両者の屈折率の大きさの差（ｎ１－ｎ２）により、透明導電層１７０と透明絶縁層１８０との界面での反射が増大し、半導体発光素子１からの光取り出し効率が向上する。この屈折率の大きさの差は、０．４以上であることが望ましい。」 「【００１７】 このように、本実施の形態の半導体発光素子１は、基板１１０とは反対側となる一方の面側に、ｐ電極２００およびｎ電極３００が形成された構造を有している。そして、この半導体発光素子１においては、ｐ電極２００を正電極、ｎ電極３００を負電極とし、両者を介して積層半導体層１００（より具体的にはｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０）に電流を流すことで、発光層１５０が発光するようになっている。 【００１８】 以下、本実施の形態における半導体発光素子１の各構成を説明する。 ＜基板＞ 基板１１０としては、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板であれば、特に限定されず、各種の基板を選択して用いることができる。 本実施の形態の半導体発光素子１は、後述するように、基板１１０側から光を取り出すようにフリップチップ実装される。したがって、発光層１５０から出射される光に対して光透過性を有していることが、光取出し効率を高めるために好ましく、特に、Ｃ面を主面とするサファイアを基板１１０として用いることが好ましい。サファイアを基板１１０として用いる場合は、サファイアのＣ面上に中間層１２０（バッファ層）を形成するとよい。 ・・・（略）・・・ 【００２１】 ＜積層半導体層＞ ＩＩＩ族窒化物半導体を含んで構成される積層半導体層１００は、図２に示すように、基板１１０上に、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０の各層が、この順で積層されて構成されている。また、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０の各層は、それぞれ、複数の半導体層から構成してもよい。 ここで、ｎ型半導体層１４０は、電子をキャリアとして電気伝導を行うものであり、ｐ型半導体層１６０は、正孔をキャリアとして電気伝導を行うものである。この例においては、電子をキャリアとするｎ型が第１導電型に対応しており、正孔をキャリアとするｐ型が第２導電型に対応している。 【００２２】 ＜ｎ型半導体層＞ 第１導電型を有する第１半導体層の一例としてのｎ型半導体層１４０は、基板１１０側（この例では下地層１３０）に積層されるｎコンタクト層と、ｎコンタクト層に積層されるｎクラッド層とで構成することが好ましい。なお、ｎコンタクト層はｎクラッド層を兼ねることも可能である。また、前述の下地層１３０をｎ型半導体層１４０に含めてもよい。 【００２３】 ｎコンタクト層は、ｎ電極３００を設けるための層である。したがって、ｎ型半導体層１４０における上面１４０ｃには、ｎコンタクト層を露出させておくとよい。ｎコンタクト層としては、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ＜１、好ましくは０≦ｘ≦０．５、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．１）を用いるとよい。 ・・・（略）・・・ 【００２７】 ＜ｐ型半導体層＞ 第２導電型を有する第２半導体層の一例としてのｐ型半導体層１６０は、発光層１５０に積層されるｐクラッド層と、ｐクラッド層に積層されるｐコンタクト層とで構成することが好ましい。ただし、ｐコンタクト層がｐクラッド層を兼ねることも可能である。 ・・・（略）・・・ 【００２９】 ｐコンタクト層は、透明導電層１７０を介してｐ電極２００を設けるための層である。ｐコンタクト層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦０．４）とすることが好ましい。ｐコンタクト層におけるＡｌ組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持および透明導電層１７０との良好なオーミック接触の維持が可能となる点で好ましい。 ｐコンタクト層の膜厚は、特に限定されないが、１０～５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０～２００ｎｍである。ｐコンタクト層の膜厚をこの範囲とすると、順方向電圧Ｖｆを低減できる点で好ましい。 ・・・（略）・・・ 【００３４】 ＜透明絶縁層＞ 透明絶縁層１８０は、例えば図２に示すように、透明導電層１７０、透明導電層１７０が積層されていないｐ型半導体層１６０、および発光層１５０が積層されていないｎ型半導体層１４０をそれぞれ覆うように積層されている。また、透明絶縁層１８０は、各層の表面を覆うだけでなく、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０の側面、すなわちｐ型半導体層１６０とｎ型半導体層１４０とで形成される段差の壁部にあたる部分を覆い、さらに透明導電層１７０の側面も覆う。 【００３５】 そして、透明絶縁層１８０は、上述のように、発光層１５０から出力される光に対する透過性、透明導電層１７０の屈折率（第１屈折率ｎ１）よりも低い屈折率（第２屈折率ｎ２）、および絶縁性を有する材質から構成される。透明絶縁層１８０を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２（酸化珪素）やＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）、ＣａＦ２（フッ化カルシウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）を使用することができる。なお、この例では、透明絶縁層１８０として、絶縁性が高く、屈折率が小さく（１．４～１．５）、耐湿性に優れた、最適な材料であるＳｉＯ２（二酸化珪素）を用いた。 【００３６】 また、本実施の形態において、透明絶縁層１８０の膜厚をＨとし、発光層１５０の発光波長λ（ｎｍ）を、透明絶縁層１８０の屈折率である第２屈折率ｎ２の４倍で除したものをＱとしたとき、膜厚Ｈは、以下に示す式（１）の関係で設定される。但しＡは整数である。 【００３７】 Ｈ＝ＡＱ … （１） 【００３８】 そして、透明絶縁層１８０の膜厚Ｈは、以下の式（２）に基づいて設定されていること、すなわち、膜厚Ｈが３λ／４ｎ２以上となる範囲にあること（膜厚Ｈが３Ｑ以上であること）がより好ましい。更に、発光出力の向上には望ましくは５Ｑ以上である。ただし、生産コストの制約および、膜厚の増加に伴い本発明の課題であるクラック発生がしやすくなる点から、膜厚Ｈは２０Ｑ以下、望ましくは、１０Ｑ以下が好適である。透明絶縁層１８０の膜厚Ｈをこの範囲から選択した場合、発光層１５０から出力される光に対する光学的な反射率が増大し、結果として高い発光出力が得られる。この例において、透明絶縁層１８０の膜厚Ｈは、例えばＡ＝５、λ＝４６０ｎｍ、ｎ２＝１．５とした場合、Ｈ＝３７５ｎｍである。なお、透明絶縁層１８０に設けられる複数の貫通孔の形状や大きさ等の詳細については後述する。 【００３９】 ３λ／４ｎ２≧Ｈ … （２）」 「【００６４】 ＜ｎ電極＞ 図４は、本実施の形態の半導体発光素子１におけるｎ電極３００周辺の断面構成の一例を示す図である。ここで、図４は、図２におけるｎ電極３００周辺の断面を拡大したものとなっている。 【００６５】 第１電極の一例としてのｎ電極３００は、最もｎ型半導体層１４０および透明絶縁層１８０に近い側において、これらｎ型半導体層１４０および透明絶縁層１８０と接するように積層されるｎ密着層３０１と、ｎ密着層３０１に積層されるｎ金属反射層３０２と、ｎ金属反射層３０２に積層されるｎ拡散防止層３０３と、ｎ拡散防止層３０３に積層されるｎボンディング層３０４と、ｎボンディング層３０４に積層され、さらにその上に保護層４００が積層されるｎ保護密着層３０５とを有する。そして、本実施の形態では、ｎ密着層３０１、ｎ金属反射層３０２、ｎ拡散防止層３０３、ｎボンディング層３０４およびｎ保護密着層３０５によって、複数のｎ接続導体３１１を含むｎ導体部３１０とｎパッド部３２０とが一体化した、ｎ電極３００を構成している。」 「【００７０】 ［ｎ金属反射層］ ｎ金属反射層３０２は、図４に示したように、ｎ密着層３０１の上に積層され、且つ、その上にはｎ拡散防止層３０３が積層される。ｎ金属反射層３０２は、発光層１５０から出射され、内部反射等に伴ってｎ型半導体層１４０および透明絶縁層１８０を通過してきた光を、基板１１０側に向けて反射させるために設けられている。ここで、本実施の形態では、ｎ密着層３０１を介して透明絶縁層１８０とｎ金属反射層３０２とを配置することにより、これら透明絶縁層１８０およびｎ金属反射層３０２が直接には接触しない構造となっている。また、ｎ金属反射層３０２は、ｎ電極３００の構成要素の１つとなっていることから、自身の抵抗が低く且つｎ密着層３０１との接触抵抗が低く抑えられるものを用いることが好ましい。 【００７１】 本実施の形態のｎ金属反射層３０２は、アルミニウム、パラジウム、銅、ニッケル、銀、金、白金などの金属および少なくともこれらのうちの１つを含む合金で構成されている。特に、ｎ金属反射層３０２としてアルミニウム合金を用いることは、ｎ密着層３０１を介したｎ型半導体層１４０との接触抵抗を低く抑えられる点で好ましい。 【００７２】 ｎ金属反射層３０２としてアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた場合、ｎ密着層３０１の材質としては、ｎ型半導体層１４０との接触抵抗が低い、チタン等の透光性金属薄膜材料を用いることが好ましい。ここで、ｎ密着層３０１を設けずに透明絶縁層１８０の上にｎ金属反射層３０２を直接に積層した場合、ｎ密着層３０１を設けた場合と比較して、密着性が低下する。 【００７３】 このｎ金属反射層３０２の膜厚は、好ましくは８０ｎｍ～２００ｎｍの範囲から選ばれる。ｎ金属反射層３０２の膜厚が８０ｎｍ未満の場合には、ｎ金属反射層３０２による光反射率が低下する。また、ｎ金属反射層３０２の膜厚が２００ｎｍを超える場合には、半導体発光素子１の製造にかかるコストが上昇してしまう。なお、この例において、ｎ金属反射層３０２の膜厚は１００ｎｍである。 【００７４】 ［ｎ拡散防止層］ ｎ拡散防止層３０３は、図４に示したように、ｎ金属反射層３０２の上に積層され、且つ、その上にはｎボンディング層３０４が積層される。ｎ拡散防止層３０３は、接触状態にあるｎ金属反射層３０２を構成する金属（この例ではアルミニウム合金）、および、接触状態にあるｎボンディング層３０４を構成する金属（この例では金（詳細は後述））の拡散を、それぞれ抑制するために設けられている。ここで、本実施の形態では、ｎ拡散防止層３０３を介してｎ金属反射層３０２とｎボンディング層３０４とを配置することにより、これらｎ金属反射層３０２およびｎボンディング層３０４が直接には接触しない構造となっている。また、ｎ拡散防止層３０３は、ｎ電極３００の構成要素の１つとなっていることから、自身の抵抗が低く且つｎ金属反射層３０２およびｎボンディング層３０４との接触抵抗がそれぞれ低く抑えられるものを用いることが好ましい。なお、ｎ拡散防止層３０３は、発光層１５０からの光を透過させる機能を基本的に必要とし ないので、上述したｎ密着層３０１とは異なり、光透過性を有している必要はない。ｎ拡散防止層３０３には、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、白金、パラジウム、ニッケル等の、高温で安定な高融点金属をもちいることが望ましい。また、ｎ拡散防止層３０３は単層構成としてもよいが、ｎ金属反射層３０２およびｎボンディング層３０４の両者に対して、良好な密着性が得られるとともにこれらと合金化しない適切な材料がない場合には、以下に説明するように多層構造を用いるのが望ましい。 【００７５】 本実施の形態におけるｎ拡散防止層３０３は、ｎ金属反射層３０２に積層されるｎ第１拡散防止層３０３ａと、ｎ第１拡散防止層３０３ａに積層されるｎ第２拡散防止層３０３ｂと、ｎ第２拡散防止層３０３ｂに積層され、さらにその上にｎボンディング層３０４が積層されるｎ第３拡散防止層３０３ｃとを備える。 【００７６】 そして、本実施の形態では、ｎ第１拡散防止層３０３ａおよびｐ第１拡散防止層２０３ａ、ｎ第２拡散防止層３０３ｂおよびｐ第２拡散防止層２０３ｂ、そしてｎ第３拡散防止層３０３ｃおよびｐ第３拡散防止層２０３ｃが、それぞれ、同一材料且つ同一厚さで構成されている。 【００７７】 ここで、ｎ第１拡散防止層３０３ａおよびｎ第２拡散防止層３０３ｂは、上述したｎ金属反射層３０２を構成する金属（この例ではアルミニウム合金）の拡散を抑制するだけでなく、ｎ第３拡散防止層３０３ｃを構成する金属（この例では白金）の拡散を抑制する機能も有している。また、ｎ第３拡散防止層３０３ｃは、上述したｎボンディング層３０４を構成する金属（この例では金）の拡散を抑制するだけでなく、ｎ第２拡散防止層３０３ｂを構成する金属（この例ではチタン）の拡散を抑制する機能も有している。 【００７８】 ［ｎボンディング層］ ｎボンディング層３０４は、図４に示したように、ｎ拡散防止層３０３の上に積層され、且つ、その上には最終的に外部に露出させる一部の領域を除いてｎ保護密着層３０５が積層される。ｎボンディング層３０４は、外部と電気的に接続されることによりｎ電極３００に給電を行うために設けられている。ここで、本実施の形態では、ｎ拡散防止層３０３を介してｎ金属反射層３０２とｎボンディング層３０４とを配置することにより、これらｎ金属反射層３０２とｎボンディング層３０４が直接には接触しない構造となっている。また、ｎボンディング層３０４は、ｎ電極３００の構成要素の１つとなっていることから、自身の抵抗が低く且つｎ拡散防止層３０３との接触抵抗がそれぞれ低く抑えられるものを用いることが好ましい。なお、ｎボンディング層３０４は、ｎ拡散防止層３０３と同様、発光層１５０からの光を透過させる機能を基本的に必要としないので、光透過性を有している必要はない。」 「【０１３１】 【表３】 ［図：0001401642000002.jpg］ 」 （イ） 図２及び図４は、次のとおりである。 「【図２】 ［図：0001401642000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001401642000004.jpg］ 」 （ウ） ａ 【００３６】～【００３８】には、透明絶縁層１８０の膜厚Ｈについて、発光層１５０の発光波長λ（ｎｍ）を、透明絶縁層１８０の屈折率である第２屈折率ｎ２の４倍で除したものをＱ、Ａは整数としたとき、当該膜厚Ｈは、以下に示す式（１）の関係で設定され、 Ｈ＝ＡＱ … （１） 例えばＡ＝５、λ＝４６０ｎｍ、ｎ２＝１．５とした場合、Ｈ＝３７５ｎｍであることが記載されているところ、 上記式（１）において、Ａ＝１、λ＝４６０ｎｍ、ｎ２＝１．５とした場合、Ｈ＝７５ｎｍとなる。そうすると、甲１は、透明絶縁膜の厚さを７５ｎｍとする技術的事項を開示していると認められる。 ｂ 図２及び図４から、ｎ電極３００に含まれるｎ密着層３０１とｎ金属反射層３０２は、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域を有すこと、及び、当該減少する領域とｎ型半導体層１４０の間に透明絶縁層１８０を有すること、が見て取れる。 イ 上記アから、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板１１０と、基板１１０の上に積層される中間層１２０と、中間層１２０の上に積層される下地層１３０とを備え、半導体発光素子１は、下地層１３０の上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０の上に積層される発光層１５０と、発光層１５０の上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備え、（【００１１】） 上方に向けてｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃが露出するように、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が、一部の領域において厚さ方向に切り欠かれ、（【００１１】） 基板１１０とは反対側となる一方の面側に、ｐ電極２００およびｎ電極３００が形成され、（【００１７】） 基板１１０としては、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板で、発光層１５０から出射される光に対して光透過性を有するものであり、（【００１８】） ｎ型半導体層１４０は、基板１１０側に積層されるｎコンタクト層を有し、（【００２２】） ｎコンタクト層は、ｎ電極３００を設けるための層であり、ｎ型半導体層１４０における上面１４０ｃには、ｎコンタクト層を露出させ、コンタクト層としては、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ≦０．１）であり、（【００２３】） ｐ型半導体層１６０は、ｐコンタクト層を有し、（【００２７】） ｐコンタクト層は、透明導電層１７０を介してｐ電極２００を設けるための層であり、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦０．４）」からなり、（【００２９】） 透明絶縁層１８０は、発光層１５０から出力される光に対する透過性および絶縁性を有し、透明導電層１７０の上面から、ｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０の側面を介して、ｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃに至るように、一体的に積層され、保護膜としての機能もあり、化学的に安定で、耐湿性の優れた材質が適するものであり、（【００１２】） 透明絶縁層１８０は、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなり、（【００３５】） 透明絶縁層１８０の膜厚Ｈは、７５ｎｍであり、（上記ア（ウ）ａ） ｎ電極３００は、最もｎ型半導体層１４０および透明絶縁層１８０に近い側において、これらｎ型半導体層１４０および透明絶縁層１８０と接するように積層されるｎ密着層３０１と、ｎ密着層３０１に積層されるｎ金属反射層３０２と、ｎ金属反射層３０２に積層されるｎ拡散防止層３０３と、ｎ拡散防止層３０３に積層されるｎボンディング層３０４と、ｎボンディング層３０４に積層され、さらにその上に保護層４００が積層されるｎ保護密着層３０５と、を含み、（【００６５】） ｎ密着層３０１とｎ金属反射層３０２は、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域を有し、（上記ア（ウ）ｂ） 当該減少する領域とｎ型半導体層１４０の間に透明絶縁層１８０を有し、（上記ア（ウ）ｂ） ｎ金属反射層３０２はＡｌ合金を、ｎ第１拡散防止層３０３ａは厚さ５０ｎｍのＴａを、ｎ第２拡散防止層３０３ｂは厚さ４０ｎｍのＴｉを、ｎ第３拡散防止層３０３ｃは厚さ２００ｎｍのＰｔを、ｎボンディング層３０４はＡｕを、それぞれ用いて構成された、（【０１３１】の【表３】） 半導体発光素子。（【００１１】）」 （３）甲３ ア 甲３には次の記載がある。 （ア） 「【請求項１】 基板上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層上の第１領域に設けられるＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層と、 前記活性層上に設けられるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型半導体層と、 前記ｐ型半導体層上に設けられ、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される第１保護層と、 前記第１保護層上と、前記ｎ型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域と、前記活性層の側面とを被覆するように設けられ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成される第２保護層と、前記ｐ型半導体層上の前記第１保護層および前記第２保護層を貫通するｐ側開口にて前記ｐ型半導体層上に接して設けられるｐ側電極と、 前記ｎ型半導体層上の前記第２領域の前記第２保護層を貫通するｎ側開口にて前記ｎ型半導体層上に接して設けられるｎ側電極と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 ・・・（略）・・・ 【請求項３】 前記第２保護層の厚みは、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。 【請求項４】 前記ｎ側電極および前記ｐ側電極のそれぞれの一部は、前記第２保護層上に設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。」 「【０００７】 この態様によると、ｐ型半導体層上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される低屈折率の第１保護層を設けることで、ｐ型半導体層と第１保護層の界面にてより多くの紫外光を全反射させることができる。これにより、より多くの紫外光を全反射させて光取出面を有する基板に向かわせることができ、外部量子効率を高めることができる。また、活性層の側面を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成される第２保護層で被覆することで、耐湿性を向上させることができる。」 「【００１８】 図１は、実施の形態に係る半導体発光素子１０の構成を概略的に示す断面図である。半導体発光素子１０は、中心波長λが約３６０ｎｍ以下となる「深紫外光」を発するように構成されるＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップである。このような波長の深紫外光を出力するため、半導体発光素子１０は、バンドギャップが約３．４ｅＶ以上となる窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料で構成される。本実施の形態では、特に、中心波長λが約２４０ｎｍ～３５０ｎｍの深紫外光を発する場合について示す。 【００１９】 本明細書において、「ＡｌＧａＮ系半導体材料」とは、主に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む半導体材料のことをいい、窒化インジウム（ＩｎＮ）などの他の材料を含有する半導体材料を含むものとする。したがって、本明細書にいう「ＡｌＧａＮ系半導体材料」は、例えば、Ｉｎ１－ｘ－ｙＡｌｘＧａｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成で表すことができ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、窒化インジウムアルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化インジウムアルミニウムガリウム（ＩｎＡｌＧａＮ）を含むものとする。 【００２０】 また「ＡｌＧａＮ系半導体材料」のうち、ＡｌＮを実質的に含まない材料を区別するために「ＧａＮ系半導体材料」ということがある。「ＧａＮ系半導体材料」には、主にＧａＮやＩｎＧａＮが含まれ、これらに微量のＡｌＮを含有する材料も含まれる。同様に、「ＡｌＧａＮ系半導体材料」のうち、ＧａＮを実質的に含まない材料を区別するために「ＡｌＮ系半導体材料」ということがある。「ＡｌＮ系半導体材料」には、主にＡｌＮやＩｎＡｌＮが含まれ、これらに微量のＧａＮが含有される材料も含まれる。」 「【００２２】 基板２０は、半導体発光素子１０が発する深紫外光に対して透光性を有する基板であり、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板である。基板２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａの反対側の第２主面２０ｂを有する。第１主面２０ａは、バッファ層２２より上の各層を成長させるための結晶成長面となる一主面である。第２主面２０ｂは、活性層２６が発する深紫外光を外部に取り出すための光取出面となる一主面である。変形例において、基板２０は、窒化アルミニウ ム（ＡｌＮ）基板であってもよいし、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板であってもよい。」 「【００２４】 ｎ型クラッド層２４は、バッファ層２２の上に形成されるｎ型半導体層である。ｎ型クラッド層２４は、ｎ型のＡｌＧａＮ系半導体材料層であり、例えば、ｎ型の不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドープされるＡｌＧａＮ層である。ｎ型クラッド層２４は、活性層２６が発する深紫外光を透過するように組成比が選択され、例えば、ＡｌＮのモル分率が２５％以上、好ましくは、４０％以上または５０％以上となるように形成される。ｎ型クラッド層２４は、活性層２６が発する深紫外光の波長よりも大きいバンドギャップを有し、例えば、バンドギャップが４．３ｅＶ以上となるように形成される。ｎ型クラッド層２４は、ＡｌＮのモル分率が８０％以下、つまり、バンドギャップが５．５ｅＶ以下となるように形成されることが好ましく、ＡｌＮのモル分率が７０％以下（つまり、バンドギャップが５．２ｅＶ以下）となるように形成されることがより望ましい。ｎ型クラッド層２４は、１μｍ～３μｍ程度の厚さを有し、例えば、２μｍ程度の厚さを有する。」 「【００２６】 活性層２６は、ＡｌＧａＮ系半導体材料で構成され、ｎ型クラッド層２４と電子ブロック層２８の間に挟まれてダブルへテロ接合構造を形成する。活性層２６は、単層または多層の量子井戸構造を有してもよく、例えば、アンドープのＡｌＧａＮ系半導体材料で形成されるバリア層と、アンドープのＡｌＧａＮ系半導体材料で形成される井戸層の積層体で構成されてもよい。活性層２６は、波長３５５ｎｍ以下の深紫外光を出力するためにバンドギャップが３．４ｅＶ以上となるように構成され、例えば、波長３１０ｎｍ以下の深紫外光を出力できるようにＡｌＮ組成比が選択される。活性層２６は、ｎ型クラッド層２４の第１上面２４ａに形成され、第１上面２４ａの隣の第２上面２４ｂには形成されない。活性層２６は、ｎ型クラッド層２４の全面に形成されず、ｎ型クラッド層２４の一部領域（第１領域Ｗ１）にのみ形成される。」 「【００２８】 ｐ型クラッド層３０は、電子ブロック層２８の上に形成されるｐ型半導体層である。ｐ型クラッド層３０は、ｐ型のＡｌＧａＮ系半導体材料層であり、例えば、ｐ型の不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）がドープされるＡｌＧａＮ層である。ｐ型クラッド層３０は、３００ｎｍ～７００ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、４００ｎｍ～６００ｎｍ程度の厚さを有する。ｐ型クラッド層３０は、実質的にＡｌＮを含まないｐ型ＧａＮ系半導体材料で形成されてもよい。」 「【００３１】 第２保護層３８は、第１保護層３６の上と、ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂの上と、ｎ型クラッド層２４、活性層２６および電子ブロック層２８の側面とを被覆するように設けられる。第２保護層３８は、図示されるように、バッファ層２２の側面や基板２０の側面の一部を被覆してもよい。第２保護層３８は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成される。第２保護層３８を構成する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、第１保護層３６を構成する酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）に比べて耐湿性に優れる。そのため、素子構造の上面および側面の全体を第２保護層３８で被覆することで、耐湿性に優れた保護機能を提供できる。第２保護層３８の厚みは、５０ｎｍ以下とすることができ、例えば、１０ｎｍ～３０ｎｍ程度とすることができる。 【００３２】 第２保護層３８には、ｎ側電極３２を形成するためのｎ側開口４０が設けられる。ｎ側開口４０は、ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂ上に設けられ、第２保護層３８を貫通してｎ型クラッド層２４を露出させるように形成される。第２保護層３８には、ｐ側電極３４を形成するための第２ｐ側開口４２が設けられる。第２ｐ側開口４２は、ｐ型クラッド層３０上または第１保護層３６上に設けられ、第２保護層３８を貫通して第１保護層３６またはｐ型クラッド層３０を露出させるように形成される。 【００３３】 ｎ側電極３２は、ｎ側開口４０に設けられ、ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂに接するように形成される。ｎ側電極３２は、Ｔｉ／Ａｌ系の電極であり、ｎ型クラッド層２４上に接して設けられるＴｉ層と、Ｔｉ層上に接して設けられるＡｌ層とを少なくとも有する。Ｔｉ層の厚みは１ｎｍ～１０ｎｍ程度であり、Ａｌ層の厚みは２０ｎｍ～１０００ｎｍ程度である。ｎ側電極３２は、ｎ型クラッド層２４からの紫外光を反射させて基板２０の第２主面２０ｂに向かわせる反射電極としても機能する。 【００３４】 ｎ側電極３２の一部は、第２領域Ｗ２の第２保護層３８上にも形成される。ｎ側電極３２をｎ側開口４０内のみならず、第２保護層３８の上にも形成することで、反射電極の形成領域を広くし、より多くの紫外光を光取出面である基板２０の第２主面２０ｂに向けて反射させることができる。また、ｎ側開口４０の全体を被覆するようにｎ側電極３２を形成することで、第２保護層３８との組み合わせによる封止機能を高めることができる。」 （イ） 図１は、次のとおりである。 「 ［図：0001401642000005.jpg］ 」 （ウ） 図１から、ｎ電極３２は、第１領域Ｗ１側の第２保護層上における厚さは、第２保護層のｎ型開口４０における厚さから段階的に変化していることが見て取れる。 イ 上記アから、甲３には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層上の第１領域に設けられるＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層と、前記活性層上に設けられるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型半導体層と、 前記ｐ型半導体層上に設けられ、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される第１保護層と、 前記第１保護層上と、前記ｎ型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域と、前記活性層の側面とを被覆するように設けられ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成される第２保護層と、 前記ｐ型半導体層上の前記第１保護層および前記第２保護層を貫通するｐ側開口にて前記ｐ型半導体層上に接して設けられるｐ側電極と、 前記ｎ型半導体層上の前記第２領域の前記第２保護層を貫通するｎ側開口にて前記ｎ型半導体層上に接して設けられるｎ側電極と、を備え、（【請求項１】） 前記第２保護層の厚みは、５０ｎｍ以下であり、（【請求項３】） 前記ｎ側電極および前記ｐ側電極のそれぞれの一部は、前記第２保護層上に設けられ、（【請求項４】） 中心波長λが約３６０ｎｍ以下となる「深紫外光」を発するように構成されるＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップであって、（【００１８】） 基板２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板であり、（【００２２】） ｎ型クラッド層２４は、ｎ型のＡｌＧａＮ系半導体材料層であり、（【００２４】） ｐ型クラッド層３０は、実質的にＡｌＮを含まないｐ型ＧａＮ系半導体材料で形成され、（【００２８】） 第２保護層３８は、第１保護層３６の上と、ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂの上に設けられ、（【００３１】） 第２保護層３８の厚みは、５０ｎｍ以下とすることができ、例えば、１０ｎｍ～３０ｎｍ程度であり、（【００３１】） 第２保護層３８には、ｎ側電極３２を形成するためのｎ側開口４０が設けられ、（【００３２】） 第２保護層３８は、活性層の側面を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成される第２保護層で被覆することで、耐湿性を向上させることができ、（【０００７】） ｎ側電極３２は、ｎ側開口４０に設けられ、ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂに接するように形成されるＴｉ／Ａｌ系の電極であり、ｎ型クラッド層２４上に接して設けられるＴｉ層と、Ｔｉ層上に接して設けられるＡｌ層とを少なくとも有し、Ｔｉ層の厚みは１ｎｍ～１０ｎｍ程度であり、Ａｌ層の厚みは２０ｎｍ～１０００ｎｍ程度であり、（【００３３】） ｎ側電極３２の一部は、第２領域Ｗ２の第２保護層３８上にも形成され、（【００３４】） ｎ電極３２は、第１領域Ｗ１側の第２保護層上における厚さは、第２保護層のｎ型開口４０における厚さから段階的に変化している、（上記イ（ウ）） 半導体発光素子。（【請求項１】）」 （４）甲第４号証 申立人により提出され取消理由において使用されていない甲第４号証（特開２０１４－２４１４０１号公報。以下「甲４」という。）には、次の事項が記載されている。 「【０００１】 本発明は、金属からなる全面電極を有する半導体発光素子およびその製造技術に関する。」 「【００２６】 （金属酸化膜） 金属酸化膜４３は、カバー電極４２の表面を被覆する絶縁性の膜であり、ｐ側電極４ｐの側面と接するように設けられている。金属酸化膜４３は、絶縁膜６とともに、カバー電極４２の製造工程における損傷を防止する保護膜として機能する。また、金属酸化膜４３は、ｐ側電極４ｐと接するように設けられることにより、絶縁膜６とｐ側電極４ｐとの隙間から侵入する酸素や水分などが、カバー電極４２と接触することを防止し、その結果として、絶縁膜６のカバー電極４２からの剥離を効果的に防止する。 【００２７】 また、金属酸化膜４３は、カバー電極４２を構成する金属材料の酸化物を少なくとも含有する被膜である。金属酸化膜４３は、カバー電極４２の表面を酸化することによって形成される膜であり、主としてＡｌの酸化物によって構成されることが好ましい。これによって、カバー電極４２と金属酸化膜４３とを良好に密着させることができる。また、絶縁膜６として、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等の酸化物を用いる場合は、金属からなるカバー電極４２との密着性は、必ずしも高くないが、本実施形態のように、カバー電極４２を酸化して形成した金属酸化膜４３を介して被覆することにより、絶縁膜６とカバー電極４２との密着性が向上すると推測される。 この金属酸化膜４３の膜厚は、例えば、５０Å（５ｎｍ）程度とすることができる。」 ２ 甲１発明を主引用発明とした対比・判断 （１）本件訂正発明１について ア 対比 本件訂正発明１と甲１発明を対比する。 （ア）本件訂正発明１の「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」との特定事項について ａ 甲１発明の「基板」は、本件訂正発明１の「基板」に相当する。 ｂ 甲１発明の「活性層１２２」は「紫外線波長帯の光を生成するもの」であるから、本件訂正発明１の「発光層」に相当する。 ｃ 甲１発明の「第１導電型半導体層」は、「半導体材料」が「ＡｌＧａＮ」であるから、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体」に相当する。 ｄ 甲１発明の「第２導電型半導体層」は、「Ｉｎｘ５Ａｌｙ２Ｇａ１－ｘ５－ｙ２Ｎ（０≦ｘ５≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｘ５＋ｙ２≦１）の組成式を有する半導体物質」からなるものであるから、本件訂正発明１の「第２窒化物半導体層」に相当する。 ｅ 上記ａ～ｄを踏まえると、甲１発明の「基板１１０上に、第１導電型半導体層１２１、活性層１２２、および第２導電型半導体層１２３を順に形成」することは、本件訂正発明１の「基板と、」第１導電型窒化物半導体層と、「発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」ることに相当する。 ｆ 甲１発明は「基板１１０上に、第１導電型半導体層１２１、活性層１２２、および第２導電型半導体層１２３を順に形成し、」「半導体構造体をメサ食刻して第１導電型半導体層１２１が露出する非発光領域Ｍ２と非発光領域Ｍ２に比べて突出した発光領域Ｍ１」を形成されたものであるところ、甲１発明の「第１導電型半導体」において「発光領域Ｍ１」の「突出」した構造に含まれる領域は、本件訂正発明１の「第２領域」に相当する。 さらに、甲１発明の「第１導電型半導体」において「発光領域Ｍ１」の「突出」した構造に含まれる領域以外の領域は、本件訂正発明１の「第１領域」に相当する。 また、甲１発明の「第１導電型半導体」において「発光領域Ｍ１」の「突出」した構造に含まれる領域（本件訂正発明１の「第２領域」に相当。）は「メサ食刻」により形成されることを踏まえると、それ以外の領域（本件訂正発明１の「第１領域」に相当。）と「活性層１２２」との間にあるといえる。 ｇ 上記ａ～ｆから、甲１発明は本件訂正発明１の上記特定事項を満たす。 （イ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり」との特定事項について ａ 甲１発明の当該「メサ食刻」により「突出」した構造は、本件訂正発明１の「メサ構造」に相当する。 ｂ さらに、甲１発明の前記「突出」した構造は、「第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層間に配置される活性層を含む」「半導体構造物」を「メサ食刻」して形成されることから、本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層」に相当する構成を有する。 ｃ 上記ａ及びｂから、甲１発明は、上記特定事項を満たす。 （ウ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し」との特定事項について ａ 甲１発明の「第１電極１５１」と「第１電極上に配置される第１カバー電極１５２」の２つの電極からなる構造（以下「第１導電型電極」という。）は、本件訂正発明１の「第１電極」に相当する。さらに、甲１発明の「非発光領域Ｍ２」の「第１導電型半導体層」は、本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域」に相当する。 ｂ 甲１発明の第１導電型電極が「非発光領域Ｍ２において第１導電型半導体層１２１上に形成」に形成されることは、本件訂正発明１の「第１電極」が「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部」にあることに相当する。 ｃ 上記ａ及びｂから、甲１発明は上記特定事項を満たす。 （エ）本件訂正発明１の「前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し」との特定事項について 甲１発明の「第２電極」は「前記第２導電型半導体層上に配置される」ものであることから、甲１発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を満たす。 （オ）本件訂正発明１の「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、」との特定事項について ａ 甲１発明の「第１カバー電極１５２」は、本件訂正発明１の「第１電極要素」に相当する。 ｂ 甲１発明の第１導電型電極に含まれる「第１カバー電極１５２」が「発光領域Ｍ１に近づくにつれて膜厚が連続的に減少」することは、本件訂正発明１の「前記第１電極」の「第１電極要素」が「前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的」「に小さくなる」ことに相当し、さらに、甲１発明の前記「第１カバー電極部」は、本件訂正発明１の「膜厚変化部」を有するといえる。 ｃ 甲１発明の「第１カバー電極１５２」は「第２凹凸部を含み、前記第２凹凸部は前記第１導電型半導体層と接触」することは、本件訂正発明１の「第１電極要素」が「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」ことに相当する。 ｄ ａ～ｃから、甲１発明は上記特定事項を満たす。 （カ）本件訂正発明１の「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、当該間の外部から独立して存在し前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、」との特定事項について ａ 甲１発明の「第１絶縁膜１７１」は、本件訂正発明１の「第１界面部」に相当する。 ｂ 甲１発明の「第１絶縁膜１７１」が「第１カバー電極１５２の前記膜厚が連続的に減少しているところと第１導電型半導体層１２１の間に」「形成されている」ことは、本件訂正発明１の「第１の界面部」が「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に」「更に備え」られることに相当する。 ｃ 甲１発明の「第１カバー電極１５２」が「Ａｌで形成」され、「第１絶縁膜１７１」が「Ａｌ２Ｏ３で形成」されることは、本件訂正発明１の「第１の界面部」が「前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む」ことに相当する。 ｄ また、甲１発明の「第１電極１５１の表面」に形成された「酸化膜ＯＸ１」は、「Ａｌ」で形成された「第１電極１５１」の表面の酸化膜であるから酸化アルミニウムであり、かつ、「第１カバー電極１５２」と「第１導電型半導体層１２１」との間に「第１電極１５１」を介して形成されたものであるから、甲１発明の当該「酸化膜ＯＸ１」は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える「第１の界面部」に相当する。 ｅ 上記ａ～ｄから、本件訂正発明１の「第１の界面部」に係る上記特定事項は、当該「第１の界面部」を甲１発明の「第１絶縁膜１７１」に相当する認定と、甲１発明の「酸化膜ＯＸ１」に相当する認定と、の２つの異なる認定のそれぞれにおいて、甲１発明から満たされる。 ｆ 一方で、甲１発明の「第１絶縁膜１７１（本件訂正発明１の「第１の界面部」に相当。）は、「第２導電型半導体層１２３の上面の一部の領域に延びて活性層１２２の側面および第１導電型半導体層１２１の一部の領域まで配置され、また、」「第１電極１５１と第２電極１６１の間で第１導電型半導体層１２１の側面、活性層１２２の側面、第２導電型半導体層１２３の側面に配置され」るものであることから、第１電極の外部にも形成されたものといえる。 そうすると、甲１発明は、本件訂正発明１の「第１の界面部」が「当該間の外部から独立して存在」するとの特定事項を満たさない。 （キ）本件訂正発明１の「紫外線発光素子」との特定事項について 甲１発明において、「半導体素子」の「活性層」は、「紫外線波長帯の光を生成する」ことから、甲１発明の「半導体素子」は、本件訂正発明１の「紫外線発光素子」に相当する。 よって、甲１発明は、上記特定事項を満たす。 （ク）以上のことから、本件訂正発明１と甲１発明とは、次の一致点で一致、また、相違する。 ＜一致点＞ 「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え、 前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり、 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し、 前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し、 前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含む第１電極要素を有し、 前記膜厚変化部の一部と前記第１基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え、 前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり、 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し、 前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し、 前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、 前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、紫外線発光素子。」 ＜相違点１＞ 「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間」にある「第１の界面部」について、本件訂正発明１は「当該間の外部から独立して存在し」ているのに対して、甲１発明は、そのようになっていない点。 イ 判断 （ア）相違点１について ａ 相違点１について検討するにあたり、甲１発明をどのように変更すれば、当該相違点１に係る構成に至るかについて検討する。 甲１発明において相違点１に係る本件訂正発明１の構成に至るためには、「第１絶縁層１７１」を「第１カバー電極１５２の前記膜厚が連続的に減少しているところ」のみに形成されることを要するといえる。 ｂ そこで検討すると、甲１発明において、「第１絶縁層１７１」は、「第２導電型半導体層１２３の上面の一部の領域に延びて活性層１２２の側面および第１導電型半導体層１２１の一部の領域まで配置され」、また、「第１絶縁層１７１は、第１電極１５１と第２電極１６１の間で第１導電型半導体層１２１の側面、活性層１２２の側面、第２導電型半導体層１２３の側面に配置され」るものであるところ、半導体素子において、半導体層上に絶縁層からなる保護膜を形成することは技術常識であることを踏まえると、甲１発明における「第１絶縁層１７１」は保護膜として機能するものであると認められる。 そうすると、甲１発明において、前記「第１絶縁膜１７１」からなる保護膜を「第１カバー電極１５２の前記膜厚が連続的に減少しているところ」のみに形成される構成へ変更することは、前記保護膜としての機能が失われることとなり、そのような変更を行う動機付けは存在しない。 ｃ さらに、甲２～４に記載された技術的事項を見ても、上記判断が左右されることはない。 ｄ したがって、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明及び甲２～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 そうすると、本件訂正発明１は、甲１発明及び甲２～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２） 本件訂正発明２～１３について 本件訂正発明２～１３は、本件訂正発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件訂正発明１についての判断と同様の理由により、甲１発明及び甲２～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 甲２発明を主引用発明とした対比・判断 （１）本件訂正発明１について ア 対比 本件訂正発明１と甲２発明を対比する。 （ア）本件訂正発明１の「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」との特定事項について ａ 甲２発明の「基板１１０」は、本件訂正発明１の「基板」に相当する。 ｂ 甲２発明の「ｎ型半導体層１４０」は、「ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ≦０．１）」からなる「ｎコンタクト層」を含むものであるから、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層」に相当する。 ｃ 甲２発明の「発光層１５０」は、本件訂正発明１の「発光層」に相当する。 ｄ 甲２発明の「ｐ型半導体層１６０」は「ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦０．４）」からなる「ｐコンタクト層」を含むものであるから、本件訂正発明１の「第２導電型窒化物半導体層」に相当する。 ｅ 上記ａ～ｄを踏まえると、甲２発明の「基板１１０と、基板１１０の上に積層される中間層１２０と、中間層１２０の上に積層される下地層１３０とを備え、」「下地層１３０の上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０の上に積層される発光層１５０と、発光層１５０の上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備え」ることは、本件訂正発明１の「基板と、」第１導電型窒化物半導体層と、「発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」ることに相当する。 ｆ 甲２発明の「ｎコンタクト層」を含む「ｎ型半導体層１４０」は、「上方に向けて」「上面１４０ｃが露出するように、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が、一部の領域において厚さ方向に切り欠かれ」たものである。甲２発明において「ｎ型半導体層１４０」の「上面１４０ｃ」よりも上方であって、前記「切り欠かれ」た「一部の領域」以外の「ｎ型半導体層１４０」の領域は、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層の第２領域」に相当する。 さらに、甲２発明の「ｎ型半導体層１４０」において、上記ｂの「第１導電型窒化物半導体層の第２領域」に相当する領域以外の領域は、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層の第１領域」に相当する。 また、甲２発明の「ｎ型半導体層１４０」において「切り欠かれ」た「一部の領域」（本件訂正発明１の「第２領域」に相当。）は「積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が、一部の領域において厚さ方向に切り欠かれ」ることにより形成されることを踏まえると、それ以外の領域（本件発明の「第１領域」に相当。）と「発光層１５０」との間にあるといえる。 ｇ 上記ａ～ｆより、甲２発明は、上記特定事項を満たす。 （イ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり」との特定事項について 甲２発明の「積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が、一部の領域において厚さ方向に切り欠かれ」ているところ、当該「一部の領域」以外の「積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０」からなる構造は、本件訂正発明１の上記特定事項に相当する。 （ウ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し」との特定事項について ａ 甲２発明の「ｎ電極３００」は、本件訂正発明１の「第１電極」に相当する。 ｂ 甲２発明は「ｎ型半導体層１４０における上面１４０ｃには、ｎコンタクト層を露出」するものであって、「ｎコンタクト層」に「ｎ電極３００」が設けられている。甲２発明の「ｎコンタクト層」の「露出」した「上面１４０ｃ」は、「ｎ型半導体層」の上面でもあり、本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の」「表面」に相当する。 さらに、甲２発明の上記「上面１４０ｃ」は、上記（ア）ｆのとおり「切り欠」きにより形成された領域（本件訂正発明１の「第１の領域」に相当）にあるから、甲２発明は、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層の」「表面」が「第１領域」であることを満たす。 ｃ ａ及びｂから、甲２発明には、上記特定事項を満たす。 （エ）本件訂正発明１の「前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し」との特定事項について 甲２発明の「ｐ型半導体層」に含まれる「ｐコンタクト層」に「ｐ電極２００」を設けることは、本件訂正発明１の上記特定事項に相当する。 （オ）本件訂正発明１の「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、」との特定事項について ａ 甲２発明の「ｎ密着層３０１とｎ金属反射層３０２は、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域を有」することは、本件訂正発明１の「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的」「に小さくなる膜厚変化部を含む第１電極要素を有し」に相当する。 ｂ 一方で、「第１電極要素」について、甲２発明が、本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」との特定事項を備えることは明らかではない。 （カ）本件訂正発明１の「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、当該間の外部から独立して存在し前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、」との特定事項について ａ 甲２発明の「ｎ密着層３０１とｎ金属反射層３０２は、積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域を有し、当該減少する領域とｎ型半導体層１４０の間に透明絶縁層１８０を有」することは、本件訂正発明１の「前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、」「第１の界面部、を更に備える」ことに相当する。 ｂ 甲２発明の「ｎ金属反射層３０２はＡｌ合金」であり、「透明絶縁層１８０は、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）」であることから、「透明絶縁層１８０」は「ｎ型金属反射層３０２」の構成成分の酸化物を含むということができる。 そうすると。甲２発明は、本件訂正発明１の「第１の界面部」が「前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む」ことを備える。 ｃ 一方で、甲２発明の「透明絶縁層１８０（本件訂正発明１の「第１の界面部」に相当。）は、「透明導電層１７０の上面から、ｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０の側面を介して、ｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃに至るように、一体的に積層」されるものであることから、ｎ電極の外部にも形成されたものといえる。 そうすると、甲２発明は、本件訂正発明１の「第１の界面部」が「当該間の外部から独立して存在」するとの特定事項を満たさない。 （キ）本件訂正発明１の「紫外線発光素子」との特定事項について 甲２発明は「半導体発光素子」であり、本件訂正発明１とは「発光素子」であることで一致するもの、発光層の発光波長が紫外線であることが特定されていないことで、一応相違する。 （ク）以上のことから、本件訂正発明１と甲２発明とは、次の一致点で一致する。 ＜一致点＞ 「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え、 前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり、 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し、 前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し、 前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含む第１電極要素を有し、 前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、 発光素子」 そして、次の点で相違する。 ＜相違点２＞ 「第１電極要素」について、本件訂正発明１が「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」のに対して、甲２発明が、そのようになっているのか明らかではない点。 ＜相違点３＞ 「第１の界面部」について、本件訂正発明１が「当該間の外部から独立して存在」するのに対して、甲２発明は、そのようになっていない点。 ＜相違点４＞ 本件訂正発明１が「紫外線発光素子」であるのに対して、甲２発明の発光層の発光波長が紫外線であることが特定されておらず、「紫外線発光素子」といえない点。 イ 判断 （ア）相違点３について ａ 事案に鑑み、まず相違点３について検討する。 相違点３について検討するにあたり、甲２発明をどのように変更すれば、当該相違点３に係る構成に至るかについて検討する。 甲２発明において相違点３に係る本件訂正発明１の構成に至るためには、「透明導電層１７０の上面から、ｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０の側面を介して、ｎ型半導体層１４０の上面１４０ｃに至るように、一体的に積層」された「透明絶縁膜１８０」を「積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域」のみに形成されることを要するといえる。 ｂ そこで検討すると、甲２発明において、「透明絶縁膜１８０」は、「保護膜としての機能」するものである。 そうすると、甲２発明において、「保護膜として機能」する前記「透明絶縁膜１８０」を「積層されたｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０が厚さ方向に切り欠かれた領域に形成され、切り欠かれていない領域に向けて厚さが減少する領域」のみに形成される構成へ変更することは、前記保護膜としての機能が失われることとなり、そのような変更を行う動機付けは存在しない。 ｃ さらに、甲１、３及び４に記載された技術的事項を見ても、上記判断が左右されることはない。 ｄ したがって、相違点３に係る本件訂正発明１の構成は、甲２発明並びに甲１、３及び４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 そうすると、本件訂正発明１は、相違点２及び４について検討するまでもなく、甲２発明及び甲１、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２） 本件訂正発明２～１３について 本件訂正発明２～１３は、本件訂正発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件訂正発明１についての判断と同様の理由により、甲２発明並びに甲１、３及び４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ４ 甲３発明を主引用発明とした対比・判断 （１）本件訂正発明１について ア 対比 本件訂正発明１と甲３発明を対比する。 （ア）本件訂正発明１の「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」との特定事項について ａ 甲３発明の「基板」、「ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層」、「活性層」及び」「ｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型半導体層」は、それぞれ本件訂正発明１の「基板」、「第１導電型窒化物半導体層」、「発光層」及び「第２導電型窒化物半導体層」に相当する。 ｂ 上記ａを踏まえると甲３発明と本件訂正発明１は「基板と、」第１導電型窒化物半導体層と、「発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え」ることで共通する。 ｃ 甲３発明の「第１領域」において、「ｎ型半導体層」の「第２上面２４ｂ」よりも上側にある領域は、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層の第２領域」に相当する。さらに、甲３発明の「ｎ型半導体層」において、前記本件発明１の「第１導電型窒化物半導体層の第２領域」に相当する領域以外のものは、本件訂正発明１の「第１導電型窒化物半導体層の第１領域」に相当する。 また、甲３発明においてｍ「ｎ型半導体層」の「第２上面２４ｂ」よりも上側にある領域は、それ以外の領域の「基板」と反対側にあるといえる。 ｄ 上記ａ～ｃから、甲３発明は、上記特定事項を満たす。 （イ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり」との特定事項について 甲３発明の「第１領域」における「ｐ型半導体層」、「活性層」、及び、「ｎ型半導体層」の「第２上面２４ｂ」よりも上にある領域、からなる構造は、本件発明１の「メサ構造」に相当する。 よって、甲３発明は、上記特定事項を満たす。 （ウ）本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し」との特定事項について 甲３発明は、「前記ｎ型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域」において「ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂに接するように形成される」「ｎ側電極３２」を有し、当該「ｎ側電極３２」は、本件訂正発明１の「第１電極」に相当する。 さらに、当該甲３の「ｎ型クラッド層２４の第２上面２４ｂ」は本件発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面」に相当する。 よって、甲３発明は、上記特定事項を満たす。 （エ）本件訂正発明１の「前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し」との特定事項について 甲３発明の「前記ｐ型半導体層上に接して設けられるｐ側電極」を有することは、本件訂正発明１の「前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し」に相当する。 よって、甲３発明は、上記特定事項を満たす。 （オ）本件訂正発明１の「前記第１電極は、前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含み、前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する第１電極要素を有し、」との特定事項について ａ 甲３発明は「ｎ側電極３２」は「Ｔｉ／Ａｌ系の電極」で「Ａｌ層」を有しており、当該「Ａｌ層」は、本件訂正発明１の「第１電極要素」に対して、「電極要素」であることで一致する。 ｂ 甲３発明において、「ｎ側電極３２」（本件訂正発明１の「第１電極」に相当）は「第１領域Ｗ１側の第２保護層上における厚さは、第２保護層のｎ型開口４０における厚さから段階的に変化している」ものの、「Ａｌ層」の膜厚の変化は不明である。そうすると、甲３発明が本件訂正発明１の「前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含む第１電極要素」を備えるか不明である。 ｃ 「第１電極」について、甲３発明が、本件訂正発明１の「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」との特定事項を備えることは明らかではない。 （カ）本件訂正発明１の「前記第１電極要素の前記第２領域側の端部を含む前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に、当該間の外部から独立して存在し前記第１電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、」との特定事項について ａ 甲３発明の「第２保護層３８」は、本件訂正発明１の「第１の界面部」に相当する。 ｂ 甲３発明の「第２保護層３８」は「酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）」を含むことは、本件訂正発明１の電極要素の「構成成分の酸化物を含む」ことに相当する。 ｃ 上記ａ及びｂから、甲３発明と本件訂正発明１とは「電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える」ことで共通している。 一方で、甲３発明で「電極要素」の「膜厚変化部」が不明であることから、「前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間に」との本件訂正発明１の特定事項を満たすことが不明である。 ｄ 甲３発明の「第２保護層３８」は、「ｐ側電極の」「一部」と重なるように形成され、且つ、 型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域と、前記活性層の側面とを被覆する」ものであることを踏まえると、甲３発明は、本件訂正発明１の「当該間の外部から独立して存在し」との特定事項を満たさない。 （キ）本件訂正発明１の「紫外線発光素子」との特定事項について 甲３発明の「半導体発光素子」は「中心波長λが約３６０ｎｍ以下となる「深紫外光」を発するように構成されるＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップ」であることから、本件訂正発明１の上記特定事項を満たす。 （ク）以上のことから、本件訂正発明１と甲３発明とは、次の一致点で一致し、また、相違する。 ＜一致点＞ 「基板と、第１導電型窒化物半導体層の第１領域と、第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を一方向に向けてこの順で備え、 前記第１導電型窒化物半導体層の第２領域と、前記発光層と、前記第２導電型窒化物半導体層はメサ構造であり、 前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域の表面の一部に、第１電極を有し、 前記第２導電型窒化物半導体層の表面の一部に第２電極を有し、 前記第１電極は、電極要素を有し、 前記電極要素の構成成分の酸化物を含む第１の界面部、を更に備える、紫外線発光素子。」 ＜相違点５＞ 「第１電極要素」について、本件訂正発明１が「前記第１導電型窒化物半導体層と少なくとも一部が接する」のに対して、甲３発明が、そのようになっているのか明らかではない点。 ＜相違点６＞ 「第１の界面部」について、本件訂正発明１が「当該間の外部から独立して存在」するのに対して、甲３発明は、そのようになっていない点。 ＜相違点７＞ 本件訂正発明１の「第１電極要素」は「前記メサ構造に近づくにつれて膜厚が連続的又は段階的、若しくは連続的及び段階的に小さくなる膜厚変化部を含む」ものであって、「第１の界面部」が「前記膜厚変化部の一部と前記第１導電型窒化物半導体層の前記第１領域との間」であるのに対して、甲３発明は、そのようになっているのか不明である点。 イ 判断 （ア）相違点６について ａ 事案に鑑み、まず相違点６について検討する。 相違点６について検討するにあたり、甲３発明をどのように変更すれば、当該相違点６に係る構成に至るかについて検討する。 甲３発明において相違点６に係る本件訂正発明１の構成に至るためには、「前記ｎ側電極および前記ｐ側電極のそれぞれの一部」が「前記第２保護層上」に形成され、且つ、「前記ｎ型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域と、活性層の側面」を「被覆」する「第２保護膜３８」を、「ｎ側電極」と重なる領域のみに形成されることを要するといえる。 ｂ そこで検討すると、甲３発明において、「第２保護層３８」は、「前記ｎ型半導体層上の前記第１領域とは異なる第２領域と、活性層の側面を」被覆することで、耐湿性を向上させる」ものである。 そうすると、甲３発明において、前記「第２保護層３８」を「ｎ側電極」と重なる領域のみに形成される構成へ変更することは、「耐湿性を向上」する効果が失われることとなり、そのような変更を行う動機付けは存在しない。 ｃ さらに、甲１，２及び４に記載された技術的事項を見ても、上記判断が左右されることはない。 ｄ したがって、相違点６に係る本件訂正発明１の構成は、甲３発明並びに甲１，２及び４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 そうすると、本件訂正発明１は、相違点５及び７について検討するまでもなく、甲３発明及び甲１、２及び４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本件訂正発明２～１３について 本件訂正発明２～１３は、本件訂正発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件訂正発明１についての判断と同様の理由により、甲３発明並びに甲１、２及び４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第６ 取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件違反）について （１）申立人は、請求項１～１３の記載において「第１の界面部」の厚みについて何ら特定されていないことから、「電極集中を緩和する」課題を解決するために必要な手段が反映されていないため、サポート要件を満たしていない旨主張する。 しかしながら、請求項１の記載には、当該「第１の界面部」が「第１電極要素の酸化物を含む」ことが特定されている。そして、第１電極要素の酸化物が存在する領域は、存在しない領域に比べて、抵抗が高くなり電流が流れにくくなり、「電流集中を緩和する」課題を解決しうることは自明なことである。 そうすると、請求項１及び従属請求項２～１３は、課題を解決するために必要な手段が反映されていないものとはいえない。 （２）申立人は、請求項３に記載された「膜厚変化部の傾斜角度」について、本願明細書等には、前記傾斜角度の範囲について臨界的意義が記載されていないため、当業者が前記傾斜角度の範囲であれば「電流集中を緩和する」課題を解決しうると認識できないため、請求項３及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていない旨主張する。 しかしながら、本願明細書等には、膜厚変化部内の電気抵抗が高くなることから電流集中が緩和しうること（【００２２】）が記載されており、当該電気抵抗は、前記傾斜角度に依存することは当業者には自明であることを踏まえると、請求項３に記載された角度範囲において「電流集中を緩和する」課題を解決しうることは、当業者が認識しうるものである。 そうすると、請求項３及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていないとはいえない。 （３）申立人は、請求項４に記載された「第１界面部の膜厚」について、本願明細書等には、前記膜厚の範囲について臨界的意義が記載されていないため、当業者が前記膜厚の範囲であれば「電流集中を緩和する」課題を解決しうると認識できないため、請求項４及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていない旨主張する。 しかし、上記（１）で説示したとおり、当業者は「第１電極要素の酸化物を含む第１の界面部」が形成されたことによって、「電流集中を緩和する」課題を解決しうると認識できるものであるから、請求項４及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていないとはいえない。 （４）申立人は、請求項５に記載された「第２の界面部の膜厚」について、本願明細書等には、前記膜厚の範囲について臨界的意義が記載されていないため、当業者が前記膜厚の範囲であれば「電流集中を緩和する」課題を解決しうると認識できないため、請求項５及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていない旨主張する。 しかし、「第２の界面部」は請求項２に「チタンで構成される」ものであって、本願明細書等の【００２４】には当該「第２の界面部」を設けたことにより電流集中が緩和されることが記載されており、「第２の界面部の膜厚」に応じて、その抵抗が変化することは当業者には自明であることを踏まえると、請求項５に記載された膜厚の範囲において「電流集中を緩和する」課題を解決しうることは、当業者が認識しうるものである。 そうすると、請求項５及び従属請求項６、１１～１３は、サポート要件を満たしていないとはいえない。 ２ 小括 よって、取消理由において採用しなかった特許異議申立理由は、理由がない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件訂正発明１～１３に係る特許を取り消すことはできない。また、他に本件訂正発明１～１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。