2022-700707

特許第７０２２８７４号発明「多結晶シリコンロッド、多結晶シリコンロッドの製造方法および多結晶シリコンの熱処理方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０２２８７４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 特許第７０２２８７４号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０２２８７４号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～７に係る特許についての出願は、２０２１年（令和３年）９月１日（優先権主張 ２０２０年（令和２年）１１月２７日（ＪＰ）日本国）を国際出願日とする特許出願であって、令和４年２月９日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１８日に特許掲載公報が発行された。 そして、本件特許の請求項１～３に係る特許に対して、令和４年７月２２日に特許異議申立人中川賢治（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 その後の経緯（提出書類等）は、概略、以下のとおりである。 令和 ４年１０月３１日付け 取消理由通知 同年１２月 ２日 意見書及び訂正請求書（特許権者） 令和 ５年 １月１７日 意見書（申立人） 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和４年１２月２日提出の訂正請求書による訂正の請求（以下、この訂正の請求による訂正を「本件訂正」という。）の内容は以下のとおりである（訂正箇所に下線を付した。）。 （１）訂正事項 特許請求の範囲の請求項１における外側総濃度の数値範囲「１００ｐｐｔｗ以下」を、下限値「４０ｐｐｔｗ以上」で限定する訂正を行う（請求項１の記載を引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 （２）一群の請求項 訂正前の請求項２、３は、訂正前の請求項１を直接的又は間接的に引用するから、訂正前の請求項１～３は一群の請求項を構成するところ、上記訂正事項に係る特許請求の範囲の訂正は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、この一群の請求項１～３を訂正の単位として請求されたものである。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断 訂正事項は、願書に添付された明細書の表１の「第３サンプル」に係る記載に基づき、訂正前の請求項１に記載された「１００ｐｐｔｗ以下」を「４０ｐｐｔｗ以上１００ｐｐｔｗ以下」に、外側総濃度の数値範囲に係る下限を特定し、当該数値範囲を狭くするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載（本件発明） 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～３に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、各請求項に係る発明を、項番号に合わせて、それぞれ「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」という。）。 「【請求項１】 中心軸と平行な表面から径方向に４ｍｍの深さまでの部分における、鉄、クロムおよびニッケルの各濃度を合計した外側総濃度が４０ｐｐｔｗ以上１００ｐｐｔｗ以下であり、 前記表面から径方向に４ｍｍを超えて離れた部分における前記鉄、前記クロムおよび前記ニッケルの各濃度を合計した総濃度を内側総濃度とすると、前記内側総濃度に対する前記外側総濃度の比率が１．０以上２．５以下である、多結晶シリコンロッド。 【請求項２】 前記径方向の内部歪み率が１．０×１０－４ｃｍ－１未満である、請求項１に記載の多結晶シリコンロッド。 【請求項３】 直径が１００ｍｍ以上である、請求項１または２に記載の多結晶シリコンロッド。」 第４ 特許異議の申立てについて １ 特許異議の申立ての理由の概要 特許異議の申立ての理由（以下、「申立理由」という。）の概要は次のとおりである。 （１）申立理由１（特許法第２９条第２項に係る申立理由） 訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明ないし技術的事項に基いて、同請求項２、３に係る発明は、甲第１号証～甲第３号証に記載された発明ないし技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（特許法第３６条第６項第２号に係る申立理由） 訂正前の請求項１、２に係る発明は、多結晶シリコンロッドの直径については限定されておらず、直径が小さい場合には表面から４ｍｍの深さまでの部分における各濃度の合計という構成は意味をなさなくなるから、同請求項１、２に係る発明は不明確であるため、同請求項１、２に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （３）申立理由３（特許法第３６条第６項第１号に係る申立理由） 訂正前の請求項１～３に係る発明は、熱処理をされたことに係る特定がなく、熱処理をされていないものも含むものであるところ、熱処理をされていない場合には、多結晶シリコンロッド全体の純度を向上させるという本件発明の課題が解決できるとは認識できないため、同請求項１～３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものといえないから、同請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （４）申立理由４（特許法第３６条第４項第１号に係る申立理由） 本件特許の願書に添付された明細書の発明の詳細な説明には、外側総濃度が４０ｐｐｔｗ未満の多結晶シリコンロッドは記載されておらず、実際にどのように製造すれば外側総濃度が４０ｐｐｔｗ未満である多結晶シリコンロッドを得ることができるのか不明であるから、訂正前の請求項１～３に係る発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえないため、同請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （証拠方法） 甲第１号証 国際公開第２０１９／１８８９１２号 甲第２号証 特開２０２０－４５２５７号公報 甲第３号証 国際公開第９７／４４２７７号 ２ 取消理由の概要について 訂正前の請求項１～３に係る発明に対して、令和４年１０月３１日付けで通知した取消理由の概要は、おおむね上記１（４）の申立理由４と同様のものである。 ３ 甲号証の記載内容について （１）甲第１号証 甲第１号証には、下記の事項が記載されている。 ア 「発明が解決しようとする課題 ［０００５］ しかしながら、特許文献１に開示された技術では、多結晶シリコンの純度を高めるためにはエッチング量が多くなり、コストの面で問題がある。 ［０００６］ 本発明の一態様は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、少ないエッチング量で純度の高い多結晶シリコンを得ることである。」 イ 「発明を実施するための形態 ・・・ ［００１３］ 〔１．多結晶シリコンの製造方法〕 洗浄の対象となる多結晶シリコンの製造方法は特に限定されないが、例えば、クロロシラン化合物と水素とを反応器中で反応させて多結晶シリコンを析出させるシリコン析出工程を含む製造方法が挙げられる。シリコンを析出させる方法としてシーメンス法が知られている。シーメンス法では、鐘型（ベルジャー型）反応器内でトリクロロシランと水素とを反応させる。そして、反応器内部に立設した多結晶シリコン析出用芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させ、成長した多結晶シリコンロッドを得る。 ［００１４］ 上記多結晶シリコンの製造方法は、シリコン析出工程によって得られた多結晶シリコンロッドを破砕する工程および破砕された多結晶シリコンを分級する工程を含んでいてもよい。」 ウ 「実施例 ・・・ ［００５９］ （実施例１） ＜実施例１－１＞ 図１は、本実施例に係る洗浄方法のブロック図である。本実施例では、第一水洗工程、第一洗浄工程、第二水洗工程、第二洗浄工程、第三洗浄工程、第三水洗工程および乾燥工程を実施した。水洗工程および洗浄工程では、各工程で用いる液体を湛えた洗浄槽に洗浄籠に入れられた多結晶シリコンを浸漬した。 ［００６０］ 第一水洗工程では、ベルジャーから取り出した後、ハンマーなどを用いて長軸が２０ｍｍ以上９０ｍｍ以下、且つ、短軸が１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下の塊状に整形した多結晶シリコンをポリプロピレン製の洗浄籠に入れ、純水（液温２０℃）と３分間接触させた。 ［００６１］ 第一水洗工程を経た多結晶シリコンは第一洗浄工程としてフッ硝酸（液温２０℃）と接触させた。フッ硝酸における硝酸の含有量は６９質量％、フッ化水素の含有量は０．２質量％とした。また、フッ硝酸は、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗから選ばれる金属の合計含有量が、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）による測定値で４００ｐｐｂｗであった。洗浄籠を９分間揺動させながら多結晶シリコンの表面全体をフッ硝酸と接触させた。また、この第一洗浄工程では、後述する測定方法により、当該第一洗浄工程における「多結晶シリコンのエッチング量」を求めた。 ［００６２］ 第一洗浄工程を経た多結晶シリコンは第二水洗工程として超純水（液温２０℃）により、水洗を行った。第二洗浄工程を行う前に水洗を行うことにより第一洗浄工程で用いたフッ硝酸、特に硝酸の第二洗浄工程への混入を防ぐことができる。 ［００６３］ 第二水洗工程を経た多結晶シリコンは、第二洗浄工程としてフッ酸を含む非酸化性薬液（液温２０℃）と接触させた。非酸化性薬液としてフッ化水素のみを含む水溶液を用いた。非酸化性薬液におけるフッ化水素の含有量は５質量％であった。また、非酸化性薬液は、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗから選ばれる金属の合計含有量が、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）による測定値で示して、５０ｐｐｔｗであった。 ［００６４］ 洗浄籠を６分間揺動させながら多結晶シリコンを非酸化性薬液に接触させた。 ［００６５］ 第二洗浄工程を経た多結晶シリコンは水洗せず第三洗浄工程としてフッ硝酸（液温２０℃）と接触させた。第三洗浄工程では、フッ硝酸における硝酸の含有量は６９質量％、フッ化水素の含有量は０．２質量％とした。このフッ硝酸の金属含有量も、前記第一洗浄工程で使用したフッ硝酸と同じであった。洗浄籠を６分間揺動させながら多結晶シリコンの表面全体をフッ硝酸と接触させ、多結晶シリコンの表面に酸化膜を形成させた。また、この第三洗浄工程では、後述する測定方法により、この工程での「多結晶シリコンのエッチング量」を求めた。 ［００６６］ 第三洗浄工程を経た多結晶シリコンを第三水洗工程として超純水により水洗した。そして、乾燥工程として多結晶シリコンに通気乾燥を施した後、通気冷却を施した。 ［００６７］ 冷却された多結晶シリコンについて後述する測定方法により、「金属表面清浄度」を求めた。なお、金属表面清浄度とは、多結晶シリコンの表面に付着、または押し込まれた金属元素の量を示し、Ｆｅ表面清浄度とは、多結晶シリコンの表面に付着、または押し込まれた鉄の量を示す。 ［００６８］ ＜実施例１－２～１－５＞ さらに、実施例１－１と同様の各洗浄工程からなる多結晶シリコンの洗浄について、第一洗浄工程および第三洗浄工程における各フッ硝酸の硝酸含有量およびフッ化水素含有量を、表１に示したものに変更し、夫々に実施した。これらを実施例１－２～１－５とした。 ・・・ ［００７３］ （洗浄方法の評価方法） 実施例および比較例における、洗浄方法によるエッチング量とＦｅ表面清浄度とを評価した。上述した所望の大きさに調製した多結晶シリコンを用いて評価した。Ｆｅ表面清浄度（ｐｐｔｗ）にて多結晶シリコンの表面に付着している鉄の量を評価した。 ［００７４］ （第一洗浄工程および第三洗浄工程における多結晶シリコンのエッチング量） エッチング量を測定するサンプルとして、一辺が約７ｍｍの立方体形状の多結晶シリコン小片群を用いた。第一洗浄工程、および第三洗浄工程において、各洗浄槽中に、洗浄対象の多結晶シリコンと共に、上記多結晶シリコン小片群１２０個を存在させて各洗浄工程を実施した。洗浄対象の多結晶シリコンと同じエッチング環境に、該多結晶シリコン小片群を曝した。なお、各洗浄工程を実施するに先立って、前記多結晶シリコン小片群(１２０個)合計の重量を電子天秤により測定しておき、さらに、各洗浄工程が終了した後にも、洗浄槽から取出し乾燥させた該多結晶シリコン小片群の合計の重量を測定した。洗浄前後での多結晶シリコン小片群の重量変化および洗浄工程実施前の全表面積から各洗浄工程でのエッチング厚み（μｍ）を算出し、これをエッチング量として評価した。 ［００７５］ （Ｆｅ表面清浄度） 多結晶シリコン９０ｇを、フッ硝酸（硝酸の含有量は６５質量％、フッ化水素の含有量は５質量％）５０ｍｌ（液温２０℃）に１５分間浸漬させ、その表面を分解除去し抽出液を得た。得られた抽出液中の各金属元素を誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）にて分析し、その測定値を９０ｇで除することにより、多結晶シリコンの重量あたりの含有量（ｐｐｔｗ）として示した。 ［００７６］ （結果） 各条件におけるエッチング量を表１に示す。図２は、実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の洗浄方法により洗浄した多結晶シリコンの、Ｆｅ表面清浄度と、エッチング量との関係を示した図である。また、詳細な金属表面清浄度を表２に示す。鉄以外の金属表面清浄度も鉄と同様の方法で測定した。なお、対照として洗浄を行わなかった場合の詳細な金属表面清浄度も表２に示す。 ［００７７］ ［表１］ ［図：0001398274000001.jpg］ ［００７８］ ［表２］ ［図：0001398274000002.jpg］ 」 エ 「［図２］ ［図：0001398274000003.jpg］ 」 （２）甲第２号証 甲第２号証には、概略、「チョクラルスキー法・・・により単結晶シリコンを育成する際の原料としての金属不純物の含有量が少ない高純度の多結晶シリコンロッドを高い歩留まりで製造する方法に関する」（【０００１】）発明であって、当該発明は「金属不純物の含有量が少ない高純度の多結晶シリコンロッドを高い歩留まりで製造する多結晶シリコンロッドの製造方法を提供すること」（【０００５】）を目的とするものであり、「低温部となるロッド表面付近は、Ｆｅ，Ｎｉなどの金属不純物がロッド内部よりも高濃度になる傾向がある」（【０００８】）こと、形成した「多結晶シリコンロッド」が「直径約１２０ｍｍ」（【００３４】）であることが記載されている。 （３）甲第３号証 甲第３号証には、概略、「内部歪みが小さく且つ均一な高結晶性を有する多結晶シリコンロッドおよびその製造法に関する」（明細書第１頁第４～５行）発明であって、当該発明は「高結晶であり且つ鉄を代表とする不純物の含有量が極めて少なく、しかも、残留応力が極めて少ない高純度の多結晶シリコンロッドを提供すること」（明細書第３頁下から２行～第４頁第１行）を目的とするものであり、形成した「多結晶シリコンロッド」の「直径」が「１００ｍｍ」～「１４０ｍｍ」（明細書第１３頁第２１行、同第１４頁の表１の実施例１～３、同第１６頁の表２の実施例４）であること、「ロッドの持つ内部歪率」が「１．５×１０－５ｃｍ－１」～「２．５×１０－５ｃｍ－１」（明細書第１４頁の表１の実施例１～３、同第１６頁の表２の実施例４）であることが記載されている。 なお、甲第３号証には、「多結晶シリコンロッド」の不純物の濃度分布に関する記載はない。 ４ 当審の判断 事案に鑑み、上記１の申立理由及び上記２の取消理由をまとめて検討する。 （１）特許法第２９条第２項に係る申立理由１について ア 甲第１号証に記載された発明 （ア）上記３（１）に摘記した記載内容からみて、甲第１号証には、以下の技術的事項の開示を認めることができる。 ａ 「多結晶シリコンロッド」（［００１３］）を「ベルジャーから取り出した後、ハンマーなどを用いて」「塊状に成形した多結晶シリコン」（［００６０］）を得ること。 ｂ 「実施例１－５」は、［００６８］及び［００７７］の表１によれば、「実施例１－１」と同様の洗浄工程を実施して得られたものであり、「実施例１－１」の洗浄工程は、上記ａの「塊状に成形した多結晶シリコン」を、「第一水洗工程」（［００６０］）、「第一洗浄工程」（［００６１］）、「第二水洗工程」（［００６２］）、「第二洗浄工程」（［００６３］～［００６４］）、「第三洗浄工程」（［００６５］）、「第三水洗工程」（［００６６］）を実施するものであること。 ｃ 「実施例１－５」の「金属表面清浄度」は、［００７６］及び［００７８］の表２によれば、「Ｃｒ］が「０」「ｐｐｔｗ」、「Ｆｅ］が「２」「ｐｐｔｗ」、「Ｎｉ］が「０」「ｐｐｔｗ」であること。 ｄ ［００５９］に「（実施例１）」と記載されていることから、実施例１－１～実施例１－５をまとめて実施例１としていること。 ｅ ［００７６］によれば、図２は、実施例１等の洗浄方法により洗浄した多結晶シリコンのＦｅ表面清浄度及びエッチング量の関係を示した図であるとされること、並びに、上記ｂ及びｄの技術的事項を踏まえると、実施例１は、上記ａの「塊状に成形した多結晶シリコン」を洗浄して得られたものであること、を考慮すると、図２には、多結晶シリコンロッドを、ハンマーなどを用いて塊状に成形した多結晶シリコンの、Ｆｅ表面清浄度及びエッチング量の関係が示されていること。 （イ）これらの技術的事項を「多結晶シリコンロッド」に注目して整理すると、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 甲１発明 「多結晶シリコンロッドであって、 該多結晶シリコンロッドを、ハンマーなどを用いて塊状に成形した多結晶シリコンに対して、第一洗浄工程、第二洗浄工程、第三洗浄工程を実施したときに、Ｃｒの金属表面清浄度が０ｐｐｔｗ、Ｆｅの金属表面清浄度が２ｐｐｔｗ、Ｎｉの金属表面清浄度が０ｐｐｔｗとなる、 多結晶シリコンロッド。」 イ 対比、判断 （ア）本件発明１ ａ 本件発明１と甲１発明とを対比すると、両者は、 「多結晶シリコンロッド。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点） 本件発明１では、「多結晶シリコンロッド」が「中心軸と平行な表面から径方向に４ｍｍの深さまでの部分における、鉄、クロムおよびニッケルの各濃度を合計した外側総濃度が４０ｐｐｔｗ以上１００ｐｐｔｗ以下であり、 前記表面から径方向に４ｍｍを超えて離れた部分における前記鉄、前記クロムおよび前記ニッケルの各濃度を合計した総濃度を内側総濃度とすると、前記内側総濃度に対する前記外側総濃度の比率が１．０以上２．５以下」であるのに対して、甲１発明では、「多結晶シリコンロッドを、ハンマーなどを用いて塊状に成形した多結晶シリコンに対して、第一洗浄工程、第二洗浄工程、第三洗浄工程を実施したときに、Ｃｒの金属表面清浄度が０ｐｐｔｗ、Ｆｅの金属表面清浄度が２ｐｐｔｗ、Ｎｉの金属表面清浄度が０ｐｐｔｗとなる」ものである点 ｂ 相違点について検討する。 甲第１号証の図２は、上記ア（ア）ｅの技術的事項のとおり、多結晶シリコンロッドを、ハンマーなどを用いて塊状に成形した多結晶シリコンの、Ｆｅ表面清浄度及びエッチング量の関係が示されているに過ぎず、また、甲第１号証には、塊状に成形する前の多結晶シリコンロッドの金属表面清浄度及び洗浄工程（エッチング量）との関係は記載されていないから、相違点は実質的なものである。 さらに、甲第２号証には、上記３（２）のとおり、一般的に、ロッド表面付近の金属不純物濃度がロッド内部よりも高濃度であるという傾向があることを示しているに過ぎないものであって、具体的な濃度分布については記載がなく、加えて、甲第３号証には、そもそも、上記３（３）のとおり、不純物の濃度分布については記載されていないから、本件発明１に特定されるような濃度分布を有する多結晶シリコンロッドが公知であるということもできないため、甲１発明において、相違点に係る構成を採用することが、当業者にとって容易に想到し得たことであるということもできない。 ｃ 小括 以上のとおり、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証～甲第３号証に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明することができたものであるとはいえない。 （イ）本件発明２、３ 本件発明２、３は、本件発明１を引用するものであって、本件発明１の特定事項の全てを含むものであるから、上記（ア）に示した理由と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証～甲第３号証に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明することができたものであるとはいえない。 ウ まとめ 以上の検討のとおりであるから、特許法第２９条第２項に係る申立理由１に理由はない。 （２）特許法第３６条第６項第２号に係る申立理由２について 本件発明１は、「中心軸と平行な表面から径方向に４ｍｍの深さまでの部分」及び「前記表面から径方向に４ｍｍを超えて離れた部分」を備える構成を有するものであることが特定されているから、本件発明１の多結晶シリコンロッドの直径が、これらの構成を満足するような所定の直径を有すること、すなわち、申立人が意見書で主張するような、直径が６ｍｍの多結晶シリコンロッドが、本件発明１に含まれないこと、は明らかである。 したがって、本件発明１は明確である。 また、本件発明１を引用する本件発明２も、本件発明１と同様の理由により、明確である。 よって、特許法第３６条第６項第２号に係る申立理由２に理由はない。 （３）特許法第３６条第６項第１号に係る申立理由３について ア 本件発明の課題は、本件明細書の【０００５】等の記載を踏まえ、「多結晶シリコンロッドにおける表面近傍の部分の純度を向上させることで、多結晶シリコンロッド全体の純度を向上させること」であると認められる。 イ そして、本件明細書の実施例には、第１サンプル～第３サンプルとして、外側総濃度Ｃ１が４０～１００ｐｐｔｗの範囲、内側総濃度Ｃ２が４０～６０ｐｐｔｗの範囲である多結晶シリコンロッドが具体的に記載されるとともに、当該多結晶シリコンロッドは、Ｃ１／Ｃ２が１．０～２．５の範囲となり、「Ｃ１／Ｃ２が良好な結果」（【０１０９】）であるとされていることから、上記実施例の多結晶シリコンロッドは、上記アの本件発明の課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものといえる。 ウ 他方、本件請求項１には、外側総濃度が４０ｐｐｔｗ以上１００ｐｐｔｗ以下であり、内側総濃度に対する外側総濃度の比率が１．０以上２．５以下であることが記載されている。これらの数値範囲は、上記イで検討した実施例の数値範囲にほかならない。 エ そうしてみると、本件発明１の多結晶シリコンロッドは、実施例の多結晶シリコンロッドと同様に、当業者が上記アの本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。 オ 申立人の主張について検討する。 （ア）申立人は、異議申立書及び意見書において、本件発明１は、熱処理をされたことに係る特定がなく、熱処理をされていないものも含むものであるところ、本件明細書の【０００５】～【０００８】、【００４８】、【００５７】、【０１１３】の記載を踏まえると、本件発明の目的を達成するためには、多結晶シリコンを特定の条件下で熱処理（アニール処理）が当然必要とされる省くことのできない工程であることは明らかであるから、本件発明１において、熱処理をされていない場合には、上記アの本件発明の課題が解決できるとは認識できないため、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨主張している。 （イ）申立人の当該主張について検討する。 申立人の主張する「アニール処理」は、本件発明１の多結晶シリコンを製造する方法に必要といえるものの、本件発明１は、「多結晶シリコン」に係る物の発明である。 そして、本件発明１は、上記イ～エで検討したとおり、当業者が、上記アの本件発明の課題を解決できると認識できるものであるから、申立人の当該主張は採用できない。 カ 以上のとおり、本件発明１は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるといえる。 また、本件発明２、３は、本件発明１を引用するものであることから、同様に判断することができる。 よって、特許法第３６条第６項第１号に係る申立理由３に理由はない。 （４）特許法第３６条第４項第１号に係る申立理由４及び取消理由について ア 本件発明１～３は、上記（３）ウで検討したように、実施例に記載された範囲の多結晶シリコンロッドであるから、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基いて、その物を製造し、使用することができるものである。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１～３の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 イ 申立人は、意見書において、外側総濃度を４０ｐｐｔｗとすると、内側総濃度に対する外側総濃度の比率が１．０以上２．５以下であるから、内側総濃度は１６～４０ｐｐｔｗということになるが、本件明細書には、内側総濃度を１６～４０ｐｐｔｗの範囲とする方法は何ら記載されていないため、本件発明の詳細な説明は、当業者が、本件発明１～３を実施することができる程度に記載されたものではない旨を、新たに主張している。 しかしながら、本件明細書の発明の詳細な説明の【００３６】～【００８２】、【０１０３】～【０１０８】及び表１には、外側総濃度Ｃ１が４０～６０ｐｐｔｗの範囲、内側総濃度Ｃ２が４０～６０ｐｐｔｗの範囲である多結晶シリコンロッドである第３サンプルが記載されるとともに、当該第３サンプルを得るための方法が具体的に記載されている。 そして、外側総濃度Ｃ１が４０ｐｐｔｗ、内側総濃度Ｃ２が４０ｐｐｔｗである第３サンプルは、内側総濃度に対する外側総濃度の比率が１．０となり、本件請求項１に記載された当該比率の数値範囲である１．０以上２．５以下を満たすことは明らかである。 したがって、本件発明１～３の外側総濃度が４０ｐｐｔｗである場合にも、当業者は、本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基いて、本件発明１～３を得られると認識できる。 よって、当該主張は採用できない。 ウ 以上のとおり、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明１～３を、当業者が、実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。 よって、特許法第３６条第４項第１号に係る申立理由４及び取消理由に理由はない。 第５ むすび 以上のとおり、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由及び取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。また、他に本件請求項１～３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。