2025-700410

特許第７５７２３５１号発明「多結晶シリコン原料」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５７２３５１号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５７２３５１号の請求項１～６に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年） ４月 ２日（優先権主張 平成３１年 ４月 ５日（以下、「本件特許出願の優先日」という。））を国際出願日とする出願であって、令和６年１０月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和７年 ４月１１日に特許異議申立人 中川 賢治（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 特許第７５７２３５１号の請求項１～６の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１～６」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 複数の多結晶シリコン塊を含む、ｎ型単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料であって、 前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、 前記Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足することを特徴とする多結晶シリコン原料。 【請求項２】 前記多結晶シリコン原料に含まれる多結晶シリコン塊の総重量を１００％とすると、多結晶シリコン塊の最大辺長が１０ｍｍ以上４５ｍｍ以下である多結晶シリコン塊の重量が９０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン原料。 【請求項３】 前記多結晶シリコン原料に含まれる多結晶シリコン塊の総重量を１００％とすると、多結晶シリコン塊の最大辺長が２０ｍｍ以上７０ｍｍ以下である多結晶シリコン塊の重量が９０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン原料。 【請求項４】 前記多結晶シリコン原料に含まれる多結晶シリコン塊の総重量を１００％とすると、多結晶シリコン塊の最大辺長が６０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である多結晶シリコン塊の重量が９０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン原料。 【請求項５】 複数の多結晶シリコン塊を含む多結晶シリコン原料を溶融して、ｎ型単結晶シリコンを製造する方法であって、 前記多結晶シリコン原料溶融時にドーパントを添加せずに、抵抗率が１００００Ωｃｍ以上であるｎ型単結晶シリコンを製造する工程を有し、 前記多結晶シリコン原料として、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、前記Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足する多結晶シリコン原料を用いるｎ型単結晶シリコンの製造方法。 【請求項６】 ｎ型単結晶シリコンを製造する工程において、ｎ型単結晶シリコンの抵抗率が５００００Ωｃｍ以下である請求項５に記載のｎ型単結晶シリコンの製造方法。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第５号証を提出し、以下の理由により、請求項１～６に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由（進歩性） 本件発明１～６は、甲第１号証～甲第５号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲第１号証：特開２０１３－１５１４１３号公報 甲第２号証：特開２０１５－１０７９１６号公報 甲第３号証：内富直隆,「しくみ図解半導体が一番わかる」,初版,日本,株式会社技術評論社, 2014年6月5日,p.30-31 甲第４号証：特開２０１４－１９６００号公報 甲第５号証：特表２０１７－５１２１５９号公報 第４ 申立理由（進歩性）について １ 甲号証の記載事項、甲号証に記載された発明等 （１） 甲第１号証（特開２０１３－１５１４１３号公報） ア 本件特許出願の優先日前に頒布された甲第１号証には、以下の記載がある。（下線は、当審が付与した。以下、同様である。） 「【請求項１】 表面におけるホウ素濃度が1～50ppta及びリン濃度が1～50pptaである、多結晶質シリコン塊。 【請求項２】 前記表面におけるホウ素濃度が1～30pptaである、請求項１に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項３】 前記表面におけるリン濃度が1～25pptaである、請求項２に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項４】 前記表面におけるヒ素濃度が0.01～10pptaである、請求項１～３のいずれか一項に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項５】 前記表面におけるアルミニウム濃度が0.01～10pptaである、請求項１～４のいずれか一項に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項６】 前記表面における金属濃度が10～200pptwである、請求項１～５のいずれか一項に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項７】 前記表面におけるＦｅ濃度が1～40pptw、Ｃｒ濃度が0.1～5pptw、Ｃｕ濃度が0.1～5pptw、Ｎａ濃度が1～30pptw、Ｎｉ濃度が0.1～5pptw、Ｃａ濃度が0.1～10pptw、Ｔｉ濃度が0.1～10pptw、Ｗ濃度が0．1～10pptw及びＺｎ濃度が0.1～10pptwである、請求項１～６のいずれか一項に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項８】 前記表面における前記Ｆｅ濃度が1～20pptwである、請求項７に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項９】 ドーパントが、バルク中に下記の濃度、すなわちリン1～20ppta、ホウ素1～10ppta及びヒ素1～10pptaで存在する、請求項１～８のいずれか一項に記載の多結晶質シリコン塊。 【請求項１０】 ドーパントが、バルク中に下記の濃度、すなわちリン1～10ppta、ホウ素1～5ppta及びヒ素1～5pptaで存在する、請求項９に記載の多結晶質シリコン塊。」 「【００１２】 多結晶質シリコンは、るつぼ引き上げによる(チョクラルスキー又はＣＺ製法)、又はゾーンメルトによる(フロートゾーン(floatzone)又はＦＺ製法)単結晶質シリコンの製造における出発材料として使用される。」 「【００２６】 先行技術では、単一処理工程の、ドーパントによるポリシリコンの表面汚染に対する影響を試験するための努力がなされている。 【００２７】 しかし、ドーパントが材料の物理的特性に影響を及ぼすことが分かっていても、現在まで、ポリシリコン表面におけるドーパントを明らかに減少させることは不可能である。 【発明の概要】 【００２８】 本発明の目的は、上記の問題を解決することである。 【００２９】 本発明の目的は、表面におけるホウ素濃度1～50ppta及びリン濃度1～50pptaを有する多結晶質シリコン塊により達成される。 【００３０】 表面におけるホウ素濃度は、好ましくは1～30ppta、より好ましくは1～20pptaである。 【００３１】 表面におけるリン濃度は、好ましくは1～25ppta、より好ましくは1～20pptaである。 【００３２】 表面におけるヒ素濃度は、好ましくは0.01～10ppta、より好ましくは0.01～5ppta、最も好ましくは0.01～2pptaである。 【００３３】 表面におけるアルミニウム濃度は、好ましくは0.01～10ppta、より好ましくは0.01～5ppta、最も好ましくは0.01～2pptaである。」 「【００３７】 ウェーハを、多結晶質シリコンロッドから又は多結晶質シリコン断片からFZにより得た単結晶質ロッドから分離し、ＨＦ/ＨＮＯ3でエッチングし、18 MOHm水ですすぎ、乾燥させる。ホトルミネセンス測定は、このウェーハに対して行う。 【００３８】 バルクにおけるドーパント濃度は、好ましくは ・リン1～20ppta、より好ましくは1～10ppta、 ・ホウ素1～10ppta、より好ましくは1～5ppta、 ・ヒ素1～10ppta、より好ましくは1～5pptaである。」 イ 甲第１号証に記載された発明 （ア）上記アにおける【請求項１】、【請求項４】、【請求項５】、【請求項９】の記載によれば、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明１」という。）が記載されていると認められる。 〔甲１発明１〕 「表面におけるホウ素濃度が1～50ppta、リン濃度が1～50ppta、ヒ素濃度が0.01～10ppta及びアルミニウム濃度が0.01～10pptaであり、ドーパントが、バルク中にリン1～20ppta、ホウ素1～10ppta、ヒ素１～10pptaで存在する、多結晶質シリコン塊。」 （イ）上記アにおける【００１２】の記載を踏まえると、上記（ア）における多結晶質シリコン塊は、るつぼ引き上げによる単結晶質シリコンの製造における出発材料に使用されるものといえるから、甲第１号証には、多結晶質シリコン塊をるつぼ引き上げによる出発材料として使用して、単結晶質シリコンを製造する方法が記載されているといえる。 よって、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明２」という。）が記載されていると認められる。 〔甲１発明２〕 「表面におけるホウ素濃度が1～50ppta、リン濃度が1～50ppta、ヒ素濃度が0.01～10ppta及びアルミニウム濃度が0.01～10pptaであり、ドーパントが、バルク中にリン1～20ppta、ホウ素1～10ppta、ヒ素１～10pptaで存在する、多結晶質シリコン塊をるつぼ引き上げによる出発材料として使用して、単結晶質シリコンを製造する方法。」 （２）甲第２号証（特開２０１５－１０７９１６号公報） 本件特許出願の優先日前に頒布された甲第２号証には、以下の記載がある。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 ドーパント濃度が、 ホウ素１～１０ｐｐｔａ、 リン１～２０ｐｐｔａ、 ヒ素１～１０ｐｐｔａ、および アルミニウム０．０１～１ｐｐｔａであり、 電荷キャリア寿命が少なくとも２０００最大４５００μｓである、多結晶シリコン。 【請求項２】 リン濃度が１～１０ｐｐｔａである、請求項１に記載の多結晶シリコン。 【請求項３】 ホウ素濃度が１～５ｐｐｔａである、請求項１または２に記載の多結晶シリコン。 【請求項４】 ヒ素濃度が１～５ｐｐｔａである、請求項１～３のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項５】 Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮａのバルク濃度が、合計で１４００ｐｐｔｗ未満、好ましくは３５～８５０ｐｐｔｗ、より好ましくは３５～５５０ｐｐｔｗである、請求項１～４のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項６】 Ｆｅのバルク濃度が１０～１００ｐｐｔｗである、請求項１～５のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項７】 Ｃｕのバルク濃度が１０～２５０ｐｐｔｗである、請求項１～６のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項８】 Ｎｉのバルク濃度が１～２０ｐｐｔｗである、請求項１～７のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項９】 Ｃｒのバルク濃度が０．１～１０ｐｐｔｗである、請求項１～８のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項１０】 Ｚｎのバルク濃度が１～２０ｐｐｔｗである、請求項１～９のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項１１】 Ｎａのバルク濃度が１０～１０００ｐｐｔｗである、請求項１～１０のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。」 「【課題を解決するための手段】 【００２８】 本発明の目的は、ドーパント濃度が、 ホウ素１～１０ｐｐｔａ、 リン１～２０ｐｐｔａ、 ヒ素１～１０ｐｐｔａ、および アルミニウム０．０１～１ｐｐｔａであり、 電荷キャリア寿命が少なくとも２０００最大４５００μｓである、多結晶シリコンにより達成される。 【発明の効果】 【００２９】 本発明の多結晶シリコンは、ドーパント濃度が著しく低く、特にアルミニウム濃度が低く、同時に電荷キャリア寿命が比較的長い。 【発明を実施するための形態】 【００３０】 リン濃度は、好ましくは１～１０ｐｐｔａである。 【００３１】 ホウ素濃度は、好ましくは１～５ｐｐｔａである。 【００３２】 ヒ素濃度は、好ましくは１～５ｐｐｔａである。 【００３３】 ドーパント濃度は、下記のようにして測定した。 【００３４】 多結晶シリコンのコア試料からＦＺにより単結晶を成長させ、ロッド片を取り出し、ＨＦ／ＨＮＯ３でエッチングし、フォトルミネセンスを行う。」 「【００６６】 ＴＣＳは、最大２０ｐｐｔａのホウ素、最大９０ｐｐｔａのリン、２０ｐｐｔａ未満のヒ素および１ｐｐｔａのアルミニウムを含む。 【００６７】 ＴＣＳは、好ましくは１～２０ｐｐｔａのホウ素を含む。 【００６８】 ＴＣＳは、好ましくは１～９０ｐｐｔａのリンを含む。 【００６９】 ＴＣＳは、好ましくは１～２０ｐｐｔａのヒ素を含む。 【００７０】 ＴＣＳは、好ましくは０．０１～１ｐｐｔａのアルミニウムを含む。 【００７１】 ＴＣＳ中のドーパント濃度は、該ＴＣＳをシリコン成分として使用し、小型のシーメンス試験反応器中で試験堆積により間接的に測定する。堆積したポリシリコンはさらに処理し、多結晶シリコンからＦＺにより単結晶を成長させ、ロッド片を取り出す。ＨＦ／ＨＮＯ３によるエッチング工程に続いて、フォトルミネセンスによるドーパント濃度の測定を行う。ＴＣＳが上記の条件に適合していることを確認するために、蒸留プロセスにより精製したＴＣＳを、試験堆積による分析の際にタンクに導入することができ、タンクは、測定結果が得られた後にのみ、多結晶シリコンの堆積を認められる。」 （３）甲第３号証（内富直隆,「しくみ図解半導体が一番わかる」,初版,日本,株式会社技術評論社, 2014年6月5日,p.30-31） 本件特許出願の優先日前に頒布された甲第３号証には、以下の記載がある。 「 シリコン（４価）にリン（５価）を添加した場合のように、伝導電子が発生しやすい不純物半導体をｎ形半導体といいます。ｎはnegativeのｎで、マイナスの電荷を持つ電子を生み出す不純物が添加されていることから、こう呼ばれます。 一方、シリコン（４価）にボロン（３価）を添加した場合のように、正孔が発生しやすい不純物半導体をｐ形半導体といいます。ｐはpositiveのｐで、プラスの電荷を持つ正孔を生み出す不純物が添加されていることから、こう呼ばれます。 キャリア（伝導電子および正孔）の数に着目すれば、伝導電子が正孔に比べて多い半導体をｎ型半導体、正孔が伝導電子に比べて多い半導体をｐ型半導体、と定義することもできます。」（p.30の１行～１１行） 「 ［図：0001425807000001.jpg］ 」（p.31） 「 ［図：0001425807000002.jpg］ 」（p.31） （４）甲第４号証（特開２０１４－１９６００号公報） 本件特許出願の優先日前に頒布された甲第４号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 内壁が合成石英からなる石英ルツボ内に多結晶シリコン原料を投入し、該多結晶シリコン原料を溶融し、該融液からＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、 前記石英ルツボ内に、前記多結晶シリコン原料とともに、ドーパント元素を含むシリコン単結晶から切り出して作製したドープ原料を１ｇ以上で、かつ、前記石英ルツボに投入される原料の総重量の１０％未満で投入し、前記融液から、抵抗率５００Ωｃｍ以上で所望の導電型を有するシリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶育成方法。 【請求項２】 前記多結晶シリコン原料の導電型及びドーパント濃度を予め測定し、該測定結果に基づいて、前記石英ルツボに投入するドープ原料の重量及びドーパント濃度を決定することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶育成方法。 【請求項３】 前記多結晶シリコン原料由来のドーパント量を、狙うべき、前記育成するシリコン単結晶のドーパント量の１０分の１以下とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン単結晶育成方法。 【請求項４】 前記育成するシリコン単結晶の格子間酸素濃度を、６．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成方法。 【請求項５】 前記ドープ原料に含まれるドーパント元素を、Ｐ型の前記シリコン単結晶を育成する場合にはボロン又はアルミニウムを選択し、Ｎ型の前記シリコン単結晶を育成する場合にはリン、砒素、アンチモンのいずれか一つを選択することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成方法。」 「【０００１】 本発明は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によって育成される、抵抗率が５００Ωｃｍ以上の高抵抗率デバイスに用いられるシリコン単結晶の育成方法に関する。」 「【図５】実験１のノンドープ結晶を育成した際のシリコンベンダーＡ～Ｃの多結晶シリコン原料の抵抗率のバラツキを表した図である。」 「【実施例】 【００５４】 以下、実験、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実験１） まず、多結晶シリコン原料中のドーパント不純物がどのレベルにあり、どの程度のバラツキを持っているのかについて、ベンダー毎の特性を把握した。各ベンダーの多結晶シリコン原料を石英ルツボに入れ、ドープ剤を投入することなく、ＭＣＺ法を用いてシリコン単結晶を育成した。 【００５５】 次に、ＭＣＺ法を用いて育成されたシリコン単結晶サンプルから、ウェーハ状のサンプルを切り出し、導電型及び抵抗率を測定した。尚、抵抗率を測定する前にドナーキラー熱処理を施したが、ここでは特にその温度と時間を規定するものではなく、酸素ドナーを消去できる方法であれば良いので、６５０℃、２０ｍｉｎの条件で熱処理を行った。 【００５６】 その後、ドナーキラー熱処理を施したシリコン単結晶のＰＮ判定を行った上で、その抵抗率を測定した。ここで、抵抗率は４探針法によって測定した。それらの抵抗率の分布を図５に示す。」 「【図５】 ［図：0001425807000003.jpg］ 」 （５）甲第５号証（特表２０１７－５１２１５９号公報） 本件特許出願の優先日前に頒布された甲第５号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 多結晶シリコンロッドの提供、多結晶シリコンチャンクへの多結晶シリコンロッドの粉砕、ならびに底部、壁および開口部を備える段ボール箱内に多結晶シリコンチャンクを導入することによる多結晶シリコンチャンクの梱包を含む多結晶シリコンを製造する方法であって、少なくとも多結晶シリコンチャンクと接触する底部および壁の内面がプラスチックで被覆された、多結晶シリコンを製造する方法。 【請求項２】 プラスチックが、１００ｐｐｂｗ未満のホウ素、１００ｐｐｂｗ未満のリンおよび１０ｐｐｂｗ未満のヒ素を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項３】 プラスチックが、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデンおよびポリシロキサンからなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載の方法。 【請求項４】 底部および壁の内面が、厚さ５０μｍから５００μｍのプラスチックで被覆されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。 【請求項５】 多結晶シリコンチャンクが、ＰＥまたはＰＵ製の、１００ｐｐｂｗ未満のホウ素、１００ｐｐｂｗ未満のリンおよび１０ｐｐｂｗ未満のヒ素を含む手袋を装着することにより、段ボール箱内に手動で導入される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。 【請求項６】 多結晶シリコンチャンクを特定のサイズ等級に選別および分級することをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。」 「【０００２】 多結晶シリコン（ポリシリコン）は、多結晶シリコンロッド（その後、多結晶シリコンチャンクに粉砕される）を与えるシーメンス法によってトリクロロシランのようなハロシランから細いロッド上に主に堆積される。チャンクに粉砕した後、特定のサイズ等級にそれらを分級することが通例である。選別および分級した後、チャンクは特定の重量に量られ、プラスチック袋に梱包される。チャンクの選別、分級、計量および梱包のための対応する方法は、ＵＳ２０１３３０９５２４Ａ１号から知られている。」 「【００１９】 多結晶シリコンは、好ましくは、反応ガスとしてのシリコン含有成分および水素を用いて、加熱された細いシリコンロッド上に堆積される（シーメンス法）。好ましくは、シリコン含有成分はクロロシランであり、より好ましくはトリクロロシランである。堆積は従来技術に従って行われ、例えば、ＷＯ２００９／０４７１０７Ａ２号が参照される。 【００２０】 堆積後、多結晶シリコンロッドは粉砕される。好ましくは、まず、ポリシリコンロッドの予備粉砕がある。この目的のために、低摩耗材料、例えば、超硬合金製のハンマーが用いられる。予備粉砕は、好ましくは耐摩耗性プラスチックまたはシリコンからなる表面を有する作業台上で行われる。 【００２１】 この後、チャンクサイズ０、１、２、３、４または５の所望の目標サイズへの予備粉砕されたポリシリコンの粉砕が続く。チャンクサイズは、シリコンチャンクの表面上の２点間の最長距離（＝最大長）として以下のように定義される。 チャンクサイズ（ＣＳ）０［ｍｍ］０．１から５ チャンクサイズ１［ｍｍ］３から１５ チャンクサイズ２［ｍｍ］１０から４０ チャンクサイズ３［ｍｍ］２０から６０ チャンクサイズ４［ｍｍ］４５から１２０ チャンクサイズ５［ｍｍ］１００から２５０ 【００２２】 この文脈では、それぞれの場合におけるチャンク画分の少なくとも９０重量％が挙げられたサイズの範囲内である。 【００２３】 粉砕は粉砕機、例えば、ジョークラッシャーによって行われる。このような粉砕機は、例えば、ＥＰ３３８６８２Ａ２号に記載されている。 【００２４】 その後、粉砕したシリコンは、場合により機械的なスクリーンにより上記チャンクサイズに分級される。その前に、それは好ましくは段ボール箱に梱包され、粉砕装置からそれを選別し、分類する装置へ搬送される。」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明１とを対比する。 ア 上記１（１）イ（イ）で検討したとおり、甲第１号証には、多結晶質シリコン塊をるつぼ引き上げによる出発材料として使用して、単結晶質シリコンを製造する方法が記載されているといえるから、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」は、単結晶質シリコン製造用多結晶シリコン原料であるといえ、その原料には複数の多結晶シリコン塊が含まれることは明らかである。 そして、上記単結晶質シリコンは、るつぼ引き上げにより製造されるものであるから、単結晶シリコンであるといえる。 そうすると、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」は、本件発明１の「複数の多結晶シリコン塊を含む」、「単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料」に相当する。 イ 多結晶シリコンにおいて、ホウ素、アルミニウムがアクセプター元素となり、リン、ヒ素がドナー元素となることは技術常識であるから、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」の「表面におけるホウ素」及び「アルミニウム」は、本件発明１の「前記多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素」に相当し、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」の「表面における」「リン」及び「ヒ素」は、本件発明１の「前記多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素」に相当し、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」の「バルク中の」「リン」及び「ヒ素」は、本件発明１の「前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素」に相当し、甲１発明１の「多結晶質シリコン塊」の「バルク中の」「ホウ素」は、本件発明１の「前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素」に相当する。 ウ 以上から、本件発明１と甲１発明１との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「複数の多結晶シリコン塊を含む、単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料であって、 前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素、前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素を含む多結晶シリコン原料」。 ＜相違点＞ 相違点１：「多結晶シリコン原料」について、本件発明１は、「ｎ型単結晶シリコン製造用」であるのに対し、甲１発明１は、「単結晶質シリコン」製造用である点。 相違点２：本件発明１は、「前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、前記Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足する」であるのに対し、甲１発明１は、表面におけるホウ素濃度、リン濃度、ヒ素濃度、アルミニウム濃度、バルク中のリン濃度、ホウ素濃度、ヒ素濃度については特定されているものの、それぞれの合計濃度、及び合計濃度の関係式について特定されていない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み相違点２から検討する。 ア 相違点２に係る本件発明１の構成について、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）には、以下の記載がある。 「【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【００２１】 本発明は、このような実状に鑑みてなされ、ドーパントを添加することなく、導電型がｎ型であり、かつ狙いの高い抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン原料を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００２２】 本発明者らは、多結晶シリコン原料において、抵抗率に影響を与える全てのドナーおよびアクセプターを考慮して、これらのバランスを所定の範囲内とすることにより、狙いの抵抗率が高くても、狙いの導電型を有し、狙いの抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンが得られることを見出した。 【００２３】 上記目的を達成するため、本発明の態様は、 ［１］複数の多結晶シリコン塊を含む、単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料であって、 多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、 Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足することを特徴とする多結晶シリコン原料である。 ・・・ 【００３９】 具体的には、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］とした場合に、Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２は以下の関係を満足する。 ２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］ ・・・ 【００４２】 上記の関係における上限値である８［ｐｐｔａ］は、抵抗率がほぼ１００００［Ωｃｍ］を示す単結晶シリコン内の理論上のドナー元素濃度に相当する。すなわち、上記の関係において、多結晶シリコン原料における実効ドナー元素濃度の上限を８［ｐｐｔａ］とすることにより、導電型がｎ型であり、抵抗率が１００００［Ωｃｍ］近傍である単結晶シリコンを得ることができる。 【００４３】 一方、上記の関係における下限値である２［ｐｐｔａ］は、抵抗率がほぼ５００００［Ωｃｍ］を示す単結晶シリコン内の理論上のドナー元素濃度に相当する。抵抗率が５００００［Ωｃｍ］を超える単結晶シリコンは、真性半導体に近いレベルのドーパント濃度を示すので、ドナー元素濃度またはアクセプター元素濃度のごく僅かな変化により、ドナー元素濃度とアクセプター元素濃度との大小関係が逆転してしまい、所望の導電型とは逆の導電型、すなわち、ｐ型の単結晶シリコンが得られる場合がある。」 イ 上記アの【００２１】の記載によれば、本件発明１が解決しようとする課題は、「ドーパントを添加することなく、導電型がｎ型であり、かつ狙いの高い抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン原料を提供すること」である。 そして、上記アの【００２３】、【００３９】、【００４２】、【００４３】の記載によれば、「複数の多結晶シリコン塊を含む、単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料」は、「多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、 Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足する」ものであり、「上記の関係において、多結晶シリコン原料における実効ドナー元素濃度の上限を８［ｐｐｔａ］とすることにより、導電型がｎ型であり、抵抗率が１００００［Ωｃｍ］近傍である単結晶シリコンを得ることができる」ものであり、「一方、上記の関係における下限値である２［ｐｐｔａ］は、抵抗率がほぼ５００００［Ωｃｍ］を示す単結晶シリコン内の理論上のドナー元素濃度に相当する」ものである（当審注：上記の関係を、以下「２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係」という。）」。 そうすると、本件発明１は、「ドーパントを添加することなく、導電型がｎ型であり、かつ狙いの高い抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン原料を提供すること」との課題を解決するために、「複数の多結晶シリコン塊を含む、ｎ型単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料」において、「２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係」を満足するという構成を備えるものであるといえる。 ウ 甲第１号証～甲第５号証には、上記第４の１（１）～（５）で摘記した内容が記載されているが、いずれも「ドーパントを添加することなく、導電型がｎ型であり、かつ狙いの高い抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン原料を提供すること」との課題を解決するために、「複数の多結晶シリコン塊を含む、ｎ型単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料」において、「２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係」を満足するという構成を備えるという本件発明１の技術思想は記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明１において、相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 よって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明１及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、相違点２について、特許異議申立書９ページ４行～２２行、１９ページ１５行～２０ページ７行において、以下の主張をしている。 （ア）「 甲第１号証に記載の多結晶シリコン原料のバルク内に存在するリン及びヒ素濃度はリンが１～１０ｐｐｔａであり、ヒ素は１～５ｐｐｔａである(【００３８】)。そして、リン及びヒ素はドナー元素であるから、２≦Ｃｄ１≦１５となる。 甲第１号証に記載の多結晶シリコン原料のバルク内に存在するホウ素濃度は１～５ｐｐｔａである(【００３８】)。そして、ホウ素はアクセプター元素であるから、１≦Ｃａ１≦５となる。 甲第１号証に記載の多結晶シリコン原料の表面に存在するリン及びヒ素濃度はリンが１～２０ｐｐｔａであり、ヒ素は０．０１～５ｐｐｔａである(【００３１】、【００３２】)。リン及びヒ素はドナー元素であるから、 １．０１≦Ｃｄ２≦２２となる。 甲第１号証に記載の多結晶シリコン原料の表面に存在するホウ素及びアルミニウム濃度はホウ素が１～２０ｐｐｔａであり、アルミニウムが０．０１～２ｐｐｔａである(【００３０】、【００３３】)。ホウ素及びアルミニウムはアクセプター元素であるから、１．０１≦Ｃａ２≦２２となる。 以上の記載事項から（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）計算すると以下のようになる。 －２３．９９［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦ ３４．９９［ｐｐｔａ］」 （イ）「［相違点２について］ 本件特許発明１は、 ２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］であるが、これはドナー元素がアクセプター元素よりも多いことを示しており、これはｎ型不純物が多いということである。 一方、甲１発明では－２３．９９［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦ ３４．９９［ｐｐｔａ］であり、ｎ型の場合とｐ型の場合の両方を含んでいるものである。 そして、本件特許発明１はｎ型単結晶シリコン製造するためのものであるから、 ドナー元素がアクセプター元素よりも多いことが必要であり、（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）が０を超えるものでなければならない。 そうすると、甲１発明においてｎ型単結晶シリコン製造する場合は、 ０［ｐｐｔａ］<（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦ ３４．９９［ｐｐｔａ］ということになるから、Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２の関係に関し、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］であることは実質的に甲１発明の数値範囲内に含まれるものであるから、同一の構成である。 また、下限を２とすることはｎ型とするためにはドナー元素量をある程度大きくする必要があるし、上限を８とすることも必要とされる抵抗量に応じて当業者が適宜定め得るものである。しかも、抵抗率が１００００Ωｃｍから５００００Ωｃｍである単結晶シリコン原料は甲第４号証の図５に記載されているように通常の抵抗率であるからその抵抗率に相当するようにドーパント元素量を調整することは当業者が容易になし得るものである。 なお、甲第１号証にはバルク内のアルミニウム濃度が記載されてはいないが、甲１発明中のアルミニウムは無視できるほど小さいものであると言えるし、仮に含有されているとしても甲第２号証（甲第１号証と同一出願人）の請求項１にはドーパント濃度が「アルミニウム０．０１～１ｐｐｔａ」と記載されているように少量であるから上記の議論の結論に影響を与えるものではない。 よって、本件特許発明１は甲第１から４号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。」 イ 検討 甲１発明１は、「表面におけるホウ素濃度が1～50ppta、リン濃度が1～50ppta、ヒ素濃度が0.01～10ppta及びアルミニウム濃度が0.01～10pptaであり、ドーパントが、バルク中にリン1～20ppta、ホウ素1～10ppta、ヒ素１～10pptaで存在する」から、多結晶質シリコン塊の表面のドナーであるリン及びヒ素の合計の濃度Ｃｄ２［ｐｐｔａ］、表面のアクセプターであるホウ素及びアルミニウムの合計の濃度Ｃａ２［ｐｐｔａ］、バルク中のドナーであるリン及びヒ素の合計の濃度Ｃｄ１［ｐｐｔａ］、バルク中のアクセプターであるホウ素及びアルミニウムの合計の濃度Ｃｄ２［ｐｐｔａ］は、それぞれ、１．０１≦Ｃｄ２≦２２、１．０１≦Ｃａ２≦２２、２≦Ｃｄ１≦１５、１≦Ｃａ１≦５と一応算出でき、さらに、（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）は、－２３．９９［ｐｐｔａ］以上、３４．９９［ｐｐｔａ］以下と一応算出できる。 一方、本件発明１においては、「２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］」であるから、（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）は、２以上、８以下である。 そうすると、（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）について、甲１発明１の数値範囲は、本件発明１の数値範囲より広いため、両者が同一の構成であるといえない。 また、甲第１号証には、多結晶質シリコン塊の表面におけるホウ素濃度、リン濃度、ヒ素濃度、アルミニウム濃度、バルク中のリン濃度、ホウ素濃度、ヒ素濃度のそれぞれの数値範囲は記載されているものの、表面及びバルク中におけるドナー濃度及びアクセプター濃度の関係を所定の値の範囲にすることについては、何ら記載も示唆もされていない。 そして、上記（２）ウの検討のとおり、甲第１号証～第４号証には、いずれも「ドーパントを添加することなく、導電型がｎ型であり、かつ狙いの高い抵抗率を精度よく示すことができる単結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン原料を提供すること」との課題を解決するために、「複数の多結晶シリコン塊を含む、ｎ型単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料」において、「２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係」を満足するという構成を備えるという本件発明１の技術思想は記載も示唆もされていない。 したがって、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明１及び甲第２号証～甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得たものであるとはいえない。 よって、申立人の上記アの主張は採用できない。 （４）小括 以上から、本件発明１は、甲１発明１及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明２～４について 本件発明２～４は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明１及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ４ 本件発明５について （１）対比 本件発明５と甲１発明２とを対比する。 ア 甲１発明２は、「多結晶質シリコン塊をるつぼ引き上げによる出発材料として使用して、単結晶質シリコンを製造する方法」であるから、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊」は、単結晶質シリコン製造用多結晶シリコン原料であるといえ、その原料には複数の多結晶シリコン塊が含まれることは明らかであり、るつぼ引き上げ法により、多結晶シリコン塊が溶融していることは技術常識である。 そうすると、甲１発明２の、「単結晶質シリコン」は、本件発明５の「単結晶シリコン」に相当し、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊をるつぼ引き上げによる出発材料として使用して、単結晶質シリコンを製造する方法」は、本件発明５の「複数の多結晶シリコン塊を含む多結晶シリコン原料を溶融して、」「単結晶シリコンを製造する方法」に相当する。 イ 多結晶シリコンにおいて、ホウ素、アルミニウムがアクセプター元素となり、リン、ヒ素がドナー元素となることは技術常識であるから、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊」の「表面におけるホウ素」及び「アルミニウム」は、本件発明５の「多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素」に相当し、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊」の「表面における」「リン」及び「ヒ素」は、本件発明５の「多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素」に相当し、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊」の「バルク中の」「リン」及び「ヒ素」は、本件発明５の「多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素」に相当し、甲１発明２の「多結晶質シリコン塊」の「バルク中の」「ホウ素」は、本件発明５の「多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素」に相当する。 ウ 以上から、本件発明５と甲１発明２との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「複数の多結晶シリコン塊を含む多結晶シリコン原料を溶融して、単結晶シリコンを製造する方法であって、 前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素、前記多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素、前記多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素を含む多結晶シリコン原料を用いる単結晶シリコンの製造方法。」 ＜相違点＞ 相違点３：本件発明５は、「ｎ型単結晶シリコンを製造する方法」であるのに対し、甲１発明２は、「単結晶シリコンを製造する方法」である点。 相違点４：本件発明５は、「前記多結晶シリコン原料溶融時にドーパントを添加せずに、抵抗率が１００００Ωｃｍ以上であるｎ型単結晶シリコンを製造する工程を有し」ているのに対し、甲１発明２は、それを特定していない点。 相違点５：本件発明５は、「前記多結晶シリコン原料として、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、前記Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、２［ｐｐｔａ］≦（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）－（Ｃａ１＋Ｃａ２）≦８［ｐｐｔａ］である関係を満足する」のに対し、甲１発明２は、表面におけるホウ素濃度、リン濃度、ヒ素濃度、アルミニウム濃度、バルク中のリン濃度、ホウ素濃度、ヒ素濃度については特定されているものの、それぞれの合計濃度、及び合計濃度の関係式について特定されていない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み相違点５から検討する。 相違点５に係る本件発明５の構成と相違点２に係る本件発明１の構成とは同じ内容であるから、上記２（２）で検討したのと同様の理由により、甲１発明２において、相違点５に係る本件発明５の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 よって、相違点３、４について検討するまでもなく、本件発明５は、甲１発明２及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書２２ページ１行～２２ページ１２行において、以下の主張をしている。 「請求項５に記載された発明で製造するｎ型単結晶シリコンは請求項１に記載された発明と同一であるから、請求項５に記載された発明のうち製造方法に係る部分について検討する」と、「本件特許発明５は、甲第１から４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。」 イ 検討 申立人が主張する「請求項５に記載された発明で製造するｎ型単結晶シリコンは請求項１に記載された発明と同一である」は、「請求項５に記載された発明の多結晶シリコン原料は請求項１に記載された発明と同一である」の誤記であるといえるところ、上記２で検討したとおり、本件発明１は、甲１発明１及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、上記（２）で検討したとおり、相違点５に係る本件発明５の構成と、相違点２に係る本件発明１の構成とは同じ内容であるから、上記２（２）で検討したのと同様の理由により甲１発明２において、相違点５に係る本件発明５に係る構成とすることは、容易に想到し得たものとはいえず、本件発明５は、甲１発明２及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 よって、申立人の上記アの主張は採用できない。 （４）小括 以上から、本件発明５は、甲１発明２及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 本件発明６について 本件発明６は、本件発明５の全ての構成を有するものであるから、本件発明５と同様の理由により、甲１発明２及び甲第２号証～甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ６ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由１は、理由がない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。