2022-016370

特願２０２０－１６１６４１号「薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム」拒絶査定不服審判事件〔令和３年２月１８日出願公開、特開２０２１－２１９４８号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１７年（平成２９年）７月８日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１４年（平成２６年）７月１１日、２０１５年（平成２７年）２月１１日 米国）を国際出願日とする特願２０１７－５００３４５号の一部を令和２年９月２８日に新たな特許出願としたものであって、その手続の概要は、以下のとおりである。 令和２年１０月２３日 ：翻訳文、手続補正書の提出 令和３年 ８月 ２日付け：拒絶理由通知書 令和３年１０月２２日 ：意見書、手続補正書の提出 令和３年１２月 ６日付け：拒絶理由(最後の拒絶理由）通知書 令和４年 ３月 １日 ：意見書、手続補正書の提出 令和４年 ６月 ８日付け：令和４年３月１日にされた手続補正について の補正の却下の決定、拒絶査定 令和４年１０月１３日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和５年 ２月１７日 ：上申書の提出 第２ 令和４年１０月１３日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年１０月１３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により請求項３の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。） 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、 超低膨張基板と、 前記超低膨張基板の上の多層スタックと、 前記多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層と、 前記多層スタック上に形成され、窒化チタン、炭化ホウ素、及び炭化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１つの材料を含む、キャッピング層と、 前記吸収層上の、オキシ窒化タンタル、及び酸化ホウ素タンタルから選択される、反射防止コーティングとを備え、 前記キャッピング層を露出するように、パターンが前記反射防止コーティングと前記吸収層にエッチングされ、 前記吸収層が、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層である、システム。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の請求項３の記載は次のとおりである。 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、 超低膨張基板と、 前記超低膨張基板の上の多層スタックと、 前記多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層とを備え、 前記多層スタック上に形成され、窒化チタン、炭化ホウ素、及び炭化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１つの材料を含む、キャッピング層、又は前記吸収層上の、オキシ窒化タンタル、及び酸化ホウ素タンタルから選択される、反射防止コーティングをさらに備え、 前記吸収層が、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む、システム。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「吸収層」が、「錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む」ものであったものを、「鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層である」ものに限定するとともに、「キャッピング層」又は「反射防止コーティングをさらに備え」るものであったものを、「キャッピング層と」「反射防止コーティングとを備え」るものとした上で、「前記キャッピング層を露出するように、パターンが前記反射防止コーティングと前記吸収層にエッチングされ」るとの構成を付加して限定するものであって、補正前の請求項３に記載された発明と補正後の請求項３に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項３に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の最先の優先権主張の日（以下、この日を「本願の優先日」という。）前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７－１１４３３６号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は当審が付した。以下同じ。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において好ましく用いられる反射型マスクブランク用基板の製造方法、該基板を用いた反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィー法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされている。このような微細パターンの転写を可能とするため、より波長の短い極端紫外光（Extreme Ultra Violet；以下、ＥＵＶ光と呼ぶ。）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーが有望視されている。なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィーにおいて用いられる露光用マスクとしては、例えば特許文献１に記載されたような反射型マスクが提案されている。 このような反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有し、更に、多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に設けられた構造をしている。このような反射型マスクを搭載した露光機（パターン転写装置）を用いてパターン転写を行なうと、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射された光が反射光学系を通して半導体基板（レジスト付きシリコンウエハ）上に転写される。」 「【００２４】 次に、本発明の反射型マスクブランク用基板を用いた反射型マスクブランクの製造方法について説明する。 図１（ａ）は、本発明により得られる反射型マスクブランクの一実施の形態の断面図である。これによると、反射型マスクブランク１０は、前述の基板（本発明による反射型マスクブランク用基板１）上に、多層反射膜２、バッファ膜３、吸収体膜４を順に有する構成である。（・・・省略・・・） 【００２５】 本発明では、基板１の材料としては、ガラスを主成分とするガラス基板である。ガラス基板は良好な平滑性と平坦度が得られ、特に反射型マスク用基板として好適である。ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等）、石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。（・・・省略・・・） 【００２６】 上記基板１上に形成する多層反射膜２は、屈折率の異なる材料を交互に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射することが出来る。例えば１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が高い、ＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。（・・・省略・・・） 【００２９】 吸収体膜４の材料としては、露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置する膜（本実施の形態ではバッファ膜であるが、バッファ膜を設けない構成では多層反射膜である。）とのエッチング選択比が十分大きいものが選択される。（・・・省略・・・） 【００３０】 他の吸収体膜の材料としては、Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等を用いることができる。 これらの吸収体膜は、通常のスパッタ法（ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ）、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することが出来る。吸収体膜の膜厚は、露光光である例えばＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよいが、通常は３０～１００ｎｍ程度である。 また、上記バッファ膜３は、吸収体膜４に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、本実施の形態では多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。なお、バッファ膜は必要に応じて設ければよい。 バッファ膜の材料としては、吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ膜と吸収体膜のエッチング選択比は５以上、好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。（・・・省略・・・） 【００３２】 以上のようにして得られる反射型マスクブランクの吸収体膜に所定の転写パターンを形成することにより、露光用反射型マスクが得られる。 吸収体膜へのパターン形成は、リソグラフィーの手法を用いて形成することができる。図１の（ｂ）乃至（ｄ）を参照して説明すると、まず、この反射型マスクブランク１０（図１（ａ）参照）の吸収体膜４上にレジスト層を設け、このレジスト層に所定のパターン描画、現像を行ってレジストパターン５ａを形成する（図１（ｂ）参照）。次に、このレジストパターン５ａをマスクとして、吸収体膜４にエッチングなどの手法でパターン４ａを形成する。例えばＴａを主成分とする吸収体膜の場合には、塩素ガスやトリフロロメタンを含むガスを用いるドライエッチングを適用することが出来る。 【００３３】 残存するレジストパターン５ａを除去して、図１（ｃ）に示すように所定の吸収体膜パターン４ａが形成されたマスク１１が得られる。 吸収体膜４にパターン４ａを形成した後、バッファ膜３を吸収体膜パターン４ａにしたがって除去し、吸収体膜パターン４ａのない領域では多層反射膜２を露出させた反射型マスク２０が得られる（図１（ｄ）参照）。ここで、例えばＣｒ系材料からなるバッファ膜の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることが出来る。尚、バッファ膜３を除去しなくても必要な反射率が得られる場合は、図１（ｃ）のように、バッファ膜３を吸収体膜と同様のパターン状に加工せず、多層反射膜２上に残すこともできる。（・・・省略・・・）」 「【実施例】 【００３４】 次に、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。 （実施例１）（・・・省略・・・） 【００３６】 次に、上記基板上に、多層反射膜として、露光波長１３～１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉからなる交互積層膜を形成した。成膜はイオンビームスパッタリング装置を用いて行ない、まずＳｉターゲットを用いて、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜した。合計膜厚は、２８４ｎｍである。 また、得られた多層反射膜表面の表面粗さを測定したところ、０．１３ｎｍＲｍｓとなり、得られた多層反射膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０°で反射率を測定したところ、６７．１％と高い反射率であった。（・・・省略・・・）」 （イ）図１（ａ）は次のとおりである。 ［図：0001406339000001.jpg］ 上記図１（ａ）から、「吸収体膜」は単層であることが見て取れる。 （ウ）上記（ア）及び（イ）から、引用文献１には、図１（ａ）に係る反射型マスクブランク用基板を用いた反射型マスクブランクについて、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。（以下、引用発明１の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付した。） 「極端紫外光を使用するリソグラフィー法に用いられる反射型マスクブランク用基板を用いた反射型マスクブランクであって（【０００１】）、 前記反射型マスクブランクは、反射型マスクブランク用基板上に、多層反射膜、バッファ膜、吸収体膜を順に有する構成であり（【００２４】）、 前記反射型マスクブランク用基板の材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等）が挙げられ（【００２５】）、 前記反射型マスクブランク用基板上に形成する多層反射膜は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられ（【００２６】）、 前記吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置するバッファ膜とのエッチング選択比が十分大きいものが選択され（【００２９】）、 前記吸収体膜は、通常のスパッタ法（ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ）、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することが出来、前記吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであって、３０～１００ｎｍ程度であり（【００３０】）、 前記バッファ膜は、前記吸収体膜に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、多層反射膜と吸収体膜との間に形成され、バッファ膜の材料としては、前記吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択されており（【００３０】）、 前記吸収体膜は、単層であり（上記（イ））、 反射型マスクブランクの吸収体膜に所定の転写パターンを形成することにより、露光用反射型マスクが得られ（【００３２】）、 吸収体膜４にパターン４ａを形成した後、バッファ膜３を吸収体膜と同様のパターン上に加工せず、多層反射膜２上に残すことができる（【００３３】）、 反射型マスクブランク。」 イ 引用文献２及び３ （ア）引用文献２ 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００４－６７９８号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。 「【００２１】 また、図２に示すように、本発明の反射型マスク２は、このようなマスクブランクス１における少なくとも前記吸収体層１６、すなわち低反射層１５及び露光光吸収体層１４がパターン状に形成されたものである。 本発明の反射型マスクは、マスク表面の吸収体層を露光光を吸収する層とマスクパターン検査波長に対する反射率の小さい層とにそれぞれ機能を分離して積層構成することにより、マスクパターン検査時のコントラストが十分得られるようにしている。」 「【００２５】 吸収体層１６は、すでに述べたように、下層をＥＵＶ領域を含む短波長域の露光光の吸収体層１４とし、上層をマスクパターンの検査に使用する検査光の低反射層１５とした二層構造で構成されている。本発明は、このように吸収体層１６を露光光の吸収層と検査光の低反射層とに機能を分離した積層構成としている。下層の露光光吸収体層１４は、ＥＵＶなどの短波長域の光を吸収する材質で構成される。このような露光光吸収体としては、たとえばクロム、マンガン、コバルト、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、モリブデン、パラジウム、銀、カドミウム、錫、アンチモン、テルル、沃素、ハフニウム、タンタル、タングステン、チタン、金及びこれらの元素を含む合金、並びに、これらの元素又はこれらの元素を含む合金と窒素及び／又は酸素を含む物質から選ばれる少なくとも１種の物質で構成することが好ましい。（・・・省略・・・）」 「【００４２】 次に、ＥＵＶ光の吸収体である露光光吸収体層１４及び検査光の低反射層１５からなる吸収体層１６を加工して所定のパターンを有する吸収体パターンを形成する（パターニング工程、同図（ｂ）参照）。通常は、吸収体層１６の表面に電子線描画プロセスにより所定のパターンを有するレジストパターンを形成し、次いで吸収体層のエッチング処理を行う。エッチング処理はドライエッチングあるいはウェットエッチングでもよく、材質によって適当な方法とその条件を選択する。（・・・省略・・・）」 （イ）引用文献３ 本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特許第３０７８１６３号公報（以下「引用文献３」という。）には、次の記載がある。 「【請求項１】 原版としてのパターンが形成され光源からの軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射して露光対象に前記パターンを投影するために使用されるリソグラフィ用反射型マスクにおいて、前記パターンが、前記軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射する反射部の上に設けられた吸収体パターンで構成され、前記軟Ｘ線あるいは真空紫外線の波長をλとし、前記吸収体パターンをなす物質の光学定数を１－δ－ｉｋ（δ，ｋは実数、ｉは虚数単位）と表わす時、０．２９＜ｋ／｜δ｜＜１．１２が成立し、前記吸収体パターンの厚さｄが３λ／（１６｜δ｜）＜ｄ＜５λ／（１６｜δ｜）を満たすことを特徴とするリソグラフィ用反射型マスク。（・・・省略・・・）」 「【請求項３】 軟Ｘ線あるいは真空紫外線の波長が１３ｎｍ近傍であり、前記吸収体パターンが、Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，ランタノイド元素，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉの中から選ばれた１種の単体、あるいはこれらの中の少なくとも１つの元素を含む物質からなる、請求項１に記載のリソグラフィ用反射型マスク。」 「【００４０】次に上記説明したマスクや露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図２０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程を示すフローチャートである。ステップ７１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ７２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。このマスクは反射型マスクであって、上記説明した特徴を有している。一方、ステップ７３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ７４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。（・・・省略・・・）」 (ウ)周知技術Ａの認定 前記（イ）に摘記した引用文献３の「ステップ７２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。」（【００４０】）が、吸収体をエッチング等によってパターン化して回路パターン製作することを意味することは、本願の優先日当時の技術常識であり、また、「波長が１３ｎｍ近傍」の「軟Ｘ線あるいは真空紫外線」（【請求項３】）は、ＥＵＶの一般的な波長である１３．５ｎｍを含むことを踏まえると、前記（ア）及び（イ）に摘記した引用文献２及び３の記載事項から、次の技術的事項は本願の優先日前に周知技術（以下「周知技術Ａ」という。）であると認められる 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクにおいて、エッチングされる吸収層に用いるＥＵＶ光の吸収係数が高い材料として、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）またはテルル（Ｔｅ）が存在したこと。」 ウ 引用文献４及び５ （ア）引用文献４ 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である米国特許出願公開第２００７／００９００８４号明細書（以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。（日本語訳は当審が作成して付した。） 「[0003] EUVL masks may be patterned from multilayer (ML) mask blanks. （・・・省略・・・）」 （日本語訳：［０００３］ ＥＵＶＬマスクは多層(ＭＬ)マスクブランクから形成されてもよい。） [0023] The buffer layer 230 may facilitate the etching and repair of the absorber layer 240. Buffer layer 230 may be a buried silicon oxide and may have a thickness of approximately 20 nm to 100 nm. A buffer layer 230 may not be necessary in some applications. The absorber layer 240 may allow a pattern to be formed through lithography. （日本語訳：［００２３］ バッファ層２３０は、吸収体層２４０のエッチング及び修理を容易にする。バッファ層２３０は、シリコン酸化物でもよく、約２０ｎｍ～１００ｎｍの厚さを有することができる。バッファ層２３０は、いくつかの用途では必要ではないかもしれない。吸収体層２４０により、リソグラフィーによってパターンを形成することができる。） 「[0026] The inner capping layer (ICL) 320 may provide protection for the ML reflector 310. In an embodiment, the ICL 320 may be made of a relatively chemically inert material. The difference between the refractive indices of the material for the inner capping layer 320 and the adjacent layer is typically high. In one embodiment, the material is one of gold (Au), baron nitride (BN), carbon (C), palladium (Pd), platinum (Pt), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), silicon (Si), silicon carbide (SiC), boron carbide (B4C), silicon oxide (SiO2), and titanium nitride (TiN). Other potential materials may include transition-metal borides, carbides and nitrides, boron carbide and alumina. The thickness hi of the inner capping layer 320 may be selected to enable the constructive interference between the ML stack 330 and the ML reflector 310. The ICL 320 may also include more than one inner layer to provide more protection to the ML reflector during blank reclaiming and mask patterning.」 （日本語訳：［００２６］ 内側キャッピング層（ＩＣＬ）３２０は、ＭＬ反射器３１０のための保護を提供することができる。一実施形態では、ＩＣＬ３２０は、比較的化学的に不活性な材料で作られてもよい。内側キャッピング層３２０と隣接する層の材料の屈折率の間の差は、一般的に高い。一実施形態では、材料は、金（Ａｕ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭素（Ｃ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、及び窒化チタン（ＴｉＮ）の１つである。他の潜在的な材料は、遷移金属の硼化物、炭化物、窒化物、炭化ホウ素及びアルミナを含むことができる。内側キャッピング層３２０の膜厚ｈ１は、ＭＬ積層体３３０と反射体３１０との間に建設的干渉を可能にするために選択することができる。ＩＣＬ３２０は、また、ブランクの再生・マスクのパターニング中に、ＭＬ反射器により薄い保護を提供する１層以上の内層を含むことができる。） （イ）引用文献５ 本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である特開２００４－３４２８６７号公報（以下「引用文献５」という。）には、次の記載がある。 「【０００６】 【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するため、第１の発明は、基板と、該基板上に設けられた露光光を反射する反射多層膜と、該反射多層膜上に設けられた露光光を吸収する吸収体層とを有する反射型マスクブランクスであって、前記反射多層膜と吸収体層の間に、吸収体層に所定のパターンを形成する際のエッチング環境に耐性を有するバッファー層を有しており、該バッファー層を構成する材料は、その膜厚方向で、露光光の波長における複素屈折率の虚数部の値が異なっており、該バッファー層の反射多層膜に隣接する領域近傍は、バッファー層の他の部分と比較して、複素屈折率の虚数部の絶対値が小さくなっていることを特徴とする反射型マスクブランクスである。（・・・省略・・・） 【００１０】 【発明の実施の形態】 以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。 図１は反射型マスクブランクス及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。 反射型マスクブランクスの一実施形態としては、図１（ａ）に示すように、基板１上に反射多層膜２が形成され、更にその上に、バッファー層３及び吸収体層４の各層が形成された構造をしている。（・・・省略・・・） 【００１５】（・・・省略・・・） 本発明では、バッファー層の材料として、以下の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）から選ばれる化合物を選択することが出来る。 （ａ）Ｚｒ，Ｎｂ，Ｙ，Ｍｏ，Ｌａから選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む化合物 （ｂ）Ｓｉと、Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む化合物 （ｃ）Ｂと、Ｃ又はＮから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む化合物 【００１６】（・・・省略・・・）上記のバッファー層材料は、その組成比を変えることで、例えば波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光領域での複素屈折率の虚数部の絶対値を小さくできる材料である。 （・・・省略・・・）上記（ｂ）の化合物としては、例えばＳｉＣ、ＳｉＢ６、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＮ、ＳｉＣＢ，ＳｉＢＮ等の化合物が挙げられる。 また、上記（ｃ）の化合物としては、例えばＢ４Ｃ、ＢＮ等の化合物が挙げられる。 【００１７】（・・・省略・・・）本発明では、バッファー層の複素屈折率の虚数部の絶対値は、反射多層膜に接する側近傍において、例えば０．０１１２（波長１３．４ｎｍにおけるＳｉＯ２の場合の値に相当）以下であるのが好ましい。このようにすれば、反射多層膜近傍のバッファー層におけるＥＵＶ光吸収が極めて少なくなるので、エッチング残渣があっても、反射率の低下はほとんど起こらないため好ましい。 【００１８】（・・・省略・・・） 本発明によれば、例えば吸収体層とのエッチング選択比、マスク検査に使用する検査光に対するコントラストなどを最適化できるようなバッファー層材料の選択の自由度が広がる。つまり、従来の露光光吸収能が小さい材料という基準に拘らず、バッファー層の膜厚方向での組成分布を持たせることにより露光光吸収能が変えられるような材料も選択できるため、他層との関係を最適化できる材料を選択でき、しかもエッチング残渣による反射率低下を抑制できる。（・・・省略・・・） 【００１９】 また、バッファー層へのパターン形成時、すなわち反射領域のバッファー層の除去時に、バッファー層の一部が反射多層膜上を覆うように例えば数ｎｍの厚みで残存していてもよい。 このように、バッファー層を僅かに残すことにより、バッファー層のエッチング時の反射多層膜へのダメージを防止することが出来るとともに、バッファー層の除去により反射多層膜表面が大気中に露出して酸化され、その結果、反射率が低下するのを防止することが出来る。（・・・省略・・・）」 (ウ)周知技術Ｂの認定 前記（ア）及び（イ）に摘記した引用文献４及び５の記載事項から、次の技術的事項は本願の優先日前に周知技術（以下「周知技術Ｂ」という。）であると認められる 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクの吸収体層をエッチングする際に反射層を保護するエッチングストップ層の材料として、窒化チタン、炭化ホウ素、または炭化ケイ素が存在したこと。」 エ 引用文献６及び７ （ア）引用文献６ 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である特開２０１２－２０９４８１号公報（以下「引用文献６」という。）には、次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法に関する。特に、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体装置などに利用される、反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法に関する。」 「【００２３】（・・・省略・・・）図１（ｃ）の反射型マスクブランク２００は基板１１の表面に多層反射層２２、緩衝層４１、吸収層５１、低反射層６１が順次形成されている。（・・・省略・・・）」 「【００２６】図１（ｃ）及び図１（ｄ）の低反射層６１は、１９０ｎｍ～２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有し、Ｔａの酸化窒化物（ＴａＯＮ）で構成される。他の材料としてタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）やタンタルシリコン酸化物（ＴａＳｉＯ）でも良い。図１（ｂ）及び図１（ｄ）の導電膜７１は、ＣｒＮで構成されている。（・・・省略・・・）」 （イ）引用文献７ 本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である国際公開第２０１１／１１５１３１号（以下「引用文献７」という。）には、次の記載がある。 「［０００１］ 本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ光学部材用基材およびその製造方法に関する。」 「［０００４］ まず第１手順として、光学部材の基材（ＥＵＶＬ光学部材用基材）として、表面粗さが非常に小さく、なだらかな凹凸のない平坦な表面を有するガラス基板を準備する。このガラス基板としては、ＥＵＶ光照射下においても温度変化による伸縮が極力生じないように低い熱膨張性を有することが求められ、低熱膨張係数を有するガラス（シリカガラス（ＳｉＯ2ガラス）やＴｉＯ2を含有するシリカガラス（以下、本明細書では、ＴｉＯ2－ＳｉＯ2ガラスと記す））製の基板が通常用いられる。 ［０００５］ 第２手順として、ガラス基板の最終的にマスクパターンが形成される面（成膜面）上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を形成したＭＬブランクを作製する。反射層としては、ＥＵＶ光における高屈折層（例えばＳｉなど）と低屈折層（例えばＭｏなど）とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を反射層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜（ＭＬ膜）が通常使用される。また多層反射膜の劣化を防ぐために、ＭＬ膜の上に保護膜（例えばＲｕなど）が通常形成される。 ［０００６］ 次いで第３手順として、ＭＬブランクのＭＬ膜（保護膜が形成されている場合は保護膜）上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層（例えばＴａやＴａＮなど）を形成する。必要に応じて、マスクパターン検査光の波長にて低反射率を有する反射防止層（例えばＴａＯＮやＴａＯなど）を吸収層の上に形成してもよい。 このようにＭＬブランク上に吸収層、さらに必要に応じて反射防止層が形成されたものがマスクブランクである。」 (ウ)周知技術Ｃの認定 前記（ア）及び（イ）に摘記した引用文献６及び７の記載事項から、次の技術的事項は本願の優先日前に周知技術（以下「周知技術Ｃ」という。）であると認められる 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの吸収層上に、オキシ窒化タンタルまたは酸化ホウ素タンタルからなる反射防止層を備えること。」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明の「極端紫外光を使用するリソグラフィー法に用いられる反射型マスクブランク用基板を用いた反射型マスクブランク」は、本件補正発明の「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステム」に相当する。 （イ）引用発明の「反射型マスクブランク用基板」は、「低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等）」からなるところ、当該「反射型マスクブランク用基板」は、本件補正発明の「超低膨張基板」に相当するといえるのであり、このことは、本願の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）の「ＥＵＶマスクブランク２００は、ガラス、シリコン、又は他の超低熱膨張材料の超低熱膨張基板２０２を有しうる。超低熱膨張材料は、・・・酸化ケイ素－酸化チタン、又はこれらの材料の範囲内の熱膨張係数を有する他の材料を含む。」（【００２３】）との記載に照らして明らかである。 （ウ）引用発明の「多層反射膜」は、本件補正発明の「多層スタック」に相当する。そして、当該「多層反射膜」は、「反射型マスクブランク用基板上に形成する」ものであるから、本件補正発明でいう「前記超低膨張基板の上の」ものといえる。 （エ）引用発明の「吸収体膜」は、本件補正発明の「吸収層」に相当する。また、当該「吸収体膜」は、「多層反射膜」の上にあるといえるから、本件補正発明の「前記多層スタックの上の」ものといえる。 そして、引用発明の「反射型マスクブランク」が「極端紫外光を使用するリソグラフィー法に用いられる」ことにも照らせば、本件補正発明と引用発明とは、「多層スタックの上の吸収層であって、所定の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の所定の反射率を有する吸収層」を備える点で共通するといえる。 （オ）引用発明の「バッファ層」は、「多層反射膜」の上に存在するとともに、「前記吸収体膜に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有」することから、本件補正発明の「キャッピング層」に相当するといえるとともに、本件補正発明でいう「前記多層スタック上に形成され」るものといえる。 そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「多層スタック上に形成され、所定の材料を含むキャッピング層」を備える点で共通するといえる。 （カ）引用発明は、「反射型マスクブランクの吸収体膜に所定の転写パターンを形成することにより、露光用反射型マスクが得られ、吸収体膜４にパターン４ａを形成した後、バッファ膜３を吸収体膜と同様のパターン上に加工せず、多層反射膜２上に残すことができる」ものであるから、本件補正発明と引用発明とは、「前記キャッピング層を露出するように、パターンが」「前記吸収層にエッチングされ」る点で共通する。 （キ）引用発明の「吸収体膜」は「単層」であることから、本件補正発明と引用発明とは、「前記吸収層が、単層である」点で共通する。 イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、 超低膨張基板と、 前記超低膨張基板の上の多層スタックと、 前記多層スタックの上の吸収層であって、所定の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の所定の反射率を有する吸収層と、 前記多層スタック上に形成され、所定の材料を含む、キャッピング層と、 前記キャッピング層を露出するように、パターンが前記吸収層にエッチングされ、 前記吸収層が、単層である、システム。」 【相違点１】 所定の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の所定の反射率を有する「吸収層」が、本件補正発明は、「８０ｎｍ未満の厚さと」、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の「２％未満の反射率を有する」、「鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）」の単層であるのに対し、引用発明は、「膜厚は、露光光である例えばＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであって、３０～１００ｎｍ程度」の単層であり、「露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置するバッファ膜とのエッチング選択比が十分大きいものが選択され」るものである点。 【相違点２】 「キャッピング層」が、本件補正発明は、「窒化チタン、炭化ホウ素、及び炭化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１つの材料を含む」のに対して、引用発明は、「前記吸収体膜に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し」、「前記吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択され」るものである点。 【相違点３】 本件補正発明は、「吸収層上のオキシ窒化タンタル、及び酸化ホウ素タンタルから選択される、反射防止コーティング」を備えており、キャッピング層を露出するようにパターンが吸収層にエッチングされる際に、吸収層のみならず反射防止コーティングもパターンがエッチングされるのに対して、引用発明は、このような「反射防止コーティング」を備えない点。 （４）判断 以下、相違点について検討する。 ア 相違点１について （ア）引用発明から出発した当業者は、実施に当たり、「吸収体膜」に係る条件を検討する必要があるところ、まずは「吸収体膜」の材料を「露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置するバッファ膜とのエッチング選択比が十分大きい」ものから選択し、その上で、「吸収体膜」の膜厚を「露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであって、３０～１００ｎｍ程度」となるように設定するような検討順序とすることは、材料が定まると他の要素がおおむね定まることが多いことからみて、当業者にとって通常採用し得ることであるといえる。 （イ）そこで、まず、当業者が引用発明の「吸収体膜」の材料としてどのようなものを選択できるかを検討する。 本願の優先日前に「極紫外線（ＥＵＶ）マスクにおいて、エッチングされる吸収層に用いるＥＵＶ光の吸収係数が高い材料として、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）またはテルル（Ｔｅ）が存在した」ことは周知である（周知技術Ａ）。そして、このような材料が（エッチング停止層たる）バッファ膜とのエッチング選択比が十分に大きいものであることも、吸収層がエッチングされる以上、当然のことである。よって、引用発明の「吸収体膜」の材料として、相違点１に係る本件補正発明で特定されたもののうち、「ビスマス（Ｂｉ）」、「アンチモン（Ｓｂ）」又は「テルル（Ｔｅ）」のいずれかを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。 （ウ）その上で、上記当業者が、これらの材料からなる「吸収体膜」の膜厚をどの程度に設定できるかを検討する。 引用発明の「吸収体膜」の「ＥＵＶ光を十分に吸収できる厚みであって、３０～１００ｎｍ程度」の大きさとして、「８０ｎｍ未満」とすることは、引用文献１の【００３７】に、露光光を十分に吸収できる厚さとして「７０ｎｍ」という値が記載されていることからみても、当業者が適宜設定できたことといえる。そして、上記（イ）のとおりの材料を選択しつつ、そのような厚さにした場合のＥＵＶ光の反射率は、客観的に定まり、その結果、２％未満となるはずであるところ、そのことは、本願明細書等の【００５１】の記載からみて明らかである。 また、引用発明の「吸収体膜」において、ＥＵＶ光の反射率を２％未満程度にすることは、吸収体膜である以上、当業者が適宜設定し得たことといえるところ、上記の材料を選択した場合に、そのような反射率にすると、結果的に、当該「吸収体膜」の膜厚が「８０ｎｍ未満」となるともいえる。 （エ）以上の次第で、引用発明から出発した当業者は、相違点１に係る本件補正発明の構成に容易に至る。 イ 相違点２について 引用発明から出発した当業者は、実施に当たり、「バッファ層」の材料を具体化する必要がある。そして、本願の優先日前に、「極紫外線（ＥＵＶ）マスクの吸収体層をエッチングする際に反射層を保護するエッチングストップ層の材料として、窒化チタン、炭化ホウ素、または炭化ケイ素が存在した」ことは周知である（周知技術Ｂ）。 そうすると、「バッファ層」の具体的な材料として、「窒化チタン、炭化ホウ素、または炭化ケイ素」のいずれかを採用して、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことであるといえる。 ウ 相違点３について 「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの吸収層上に、オキシ窒化タンタルまたは酸化ホウ素タンタルからなる反射防止層を備えること」が、本願の優先日前に周知技術（周知技術Ｃ）である。そうすると、当業者であれば、引用発明の「吸収体膜」の上にオキシ窒化タンタルまたは酸化ホウ素タンタルからなる反射防止層を設けて、相違点３に係る本件補正発明の構成のうち「吸収層上のオキシ窒化タンタル、及び酸化ホウ素タンタルから選択される、反射防止コーティング」を備えるようにすることは、適宜なし得たことである。 そして、引用発明において上記のとおり構成すれば、相違点３に係るその余の構成である「キャッピング層を露出するようにパターンが吸収層にエッチングされる際に、吸収層のみならず反射防止コーティングもパターンがエッチングされる」ことを満たすのは、明らかである。 エ 本件補正発明の効果について 本件補正発明の奏する作用効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて当業者が予測することができなかった顕著なものということはできない。 （５）請求人の主張 請求人は、引用文献２（特開２００４－６７９８号公報）に記載された吸収体層は二層構造（【００２５】）であるから、これを引用発明に適用すると、吸収層が「単層」であるという本件補正発明の構成に至らない旨主張する。 しかしながら、上記（３）イのとおり、「極紫外線（ＥＵＶ）マスクにおいて、エッチングされる吸収層に用いるＥＵＶ光の収係数が高い材料として、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）またはテルル（Ｔｅ）が存在した」ことが周知（周知技術Ａ）であることが認定できるのであり、引用文献２もそれを開示することに変わりないから、請求人が主張する事情は、周知技術Ａの認定を左右するものではなく、よって、その認定を前提とする上記（４）アの判断も左右しない。 さらにいえば、請求人が主張する引用文献２の上記【００２５】に記載された「吸収体層１６」は、確かに、下層と上層の二層構造となっているものの、同段落には、下層が「ＥＵＶ領域を含む短波長域の露光光の吸収体層」である一方で、上層が「マスクパターンの検査に使用する検査光の低反射層」であることが記載されている。つまり、このような二層の吸収体層１６のうち、上層は、ＥＵＶ用の反射型マスクに通常備わっている吸収体層とは異なるものであることが明らかである。そうすると、当該上層は、上記（４）アで説示したとおり、引用発明から出発して、「吸収体膜」の材料を「露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置するバッファ膜とのエッチング選択比が十分大きい」ものから選択しようとしている当業者が参照するものとはいえず、むしろ、当該当業者は、下層のみを参照するのが自然である。よって、この点からも、請求人が主張する事情は、上記（４）アの判断を左右しない。 （６）小括 したがって、本件補正発明は、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年１０月２２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項３に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項３に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記キャッピング層を露出するように、パターンが前記反射防止コーティングと前記吸収層にエッチングされ」るとの限定事項を削除し、「吸収層」について、選択肢として錫（Ｓｎ）及びハフニウム（Ｈｆ）を付加し、「キャッピング層と」、「反射防止コーティングとを備え」るものと「キャッピング層」又は「反射防止コーティングをさらに備え」るものとしたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）及び（４）で説示したとおり、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。