2021-701215

特許第６８９２２８０号発明「低次酸化チタン及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８９２２８０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２、４～７〕、３、８、９、１０、１１について訂正することを認める。 特許第６８９２２８０号の請求項１～１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８９２２８０号（以下「本件特許」という。）に係る出願は、平成２９年２月１７日を出願日とする特許出願であって、令和３年５月３１日にその特許権の設定登録がされ、同年６月２３日に特許掲載公報が発行された。 その後、本件特許の請求項１～７に係る特許に対し、特許異議申立人である浜俊彦より、令和３年１２月２０日に特許異議の申立てがされた。 以降の手続の経緯は、次のとおりである。 令和４年 ４月 ５日付け：取消理由通知 同年 ６月 ６日 ：意見書の提出及び訂正の請求（特許権者） 同年 ８月１９日 ：意見書の提出（特許異議申立人） 同年１０月３１日付け：取消理由通知 同年１２月２１日 ：意見書の提出及び訂正の請求（特許権者） 令和５年 ２月１４日 ：意見書の提出（特許異議申立人） 第２ 訂正の適否についての判断 令和４年１２月２１日に特許権者より請求された訂正（以下「本件訂正」といい、この訂正の請求を「本件訂正請求」という。）は適法になされたものと判断する。 以下、その理由につき詳述する。 １ 訂正の内容 本件訂正請求は、本件特許請求の範囲を訂正することを求めるものであって、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、本件訂正前の一群の請求項を構成する請求項〔１～７〕を訂正の単位として訂正することを求めるものであるところ、その訂正の内容（訂正事項）は、次のとおりである（下線は訂正箇所）。なお、本件訂正請求がされたので、令和４年６月６日にされた訂正の請求（以下、「先の訂正請求」という。）は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする低次酸化チタン粉体。」と記載されているのを、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そして原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していないことを特徴とする低次酸化チタン粉体。」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、４～７も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３に「Ｔｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の低次酸化チタン粉体。」と記載されているのを、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に「カーボン量が０～１０重量％であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体。」と記載されているのを、「カーボン量が０～１０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の低次酸化チタン粉体。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１ないし４のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体を使用した電極。」と記載されているのを、「請求項１に記載の低次酸化チタン粉体を使用した電極。」に訂正する（請求項５の記載を引用する請求項６も同様に訂正する）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項７に「二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体を製造する方法。」と記載されているのを、「二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、請求項１に記載の低次酸化チタン粉体を製造する方法。」に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項８に、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、Ｔｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれており、そしてカーボン量が０～１０重量％であることを特徴とする低次酸化チタン粉体。」を追加する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項９に、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を使用した電極。」を追加する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項１０に、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を使用した電極を備えた蓄電デバイス。」を追加する。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１１に、「二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を製造する方法。」を追加する。 （１０）別の請求単位とする求め 特許権者は、訂正後の請求項３及び８～１１については、当該請求項についての訂正が認められる場合には、一群の請求項の他の請求項と別の請求単位とすることを求めている。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア 訂正事項１は、訂正前の請求項１に対して、願書に添付された明細書の実施例１における「水４５００ｇが入った容器中に無定形の二酸化チタン（ＴｉＯ２）５００ｇを撹拌しながら投入し、１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーを調整した。水２３５０ｇが入った容器の中にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）１５０ｇを撹拌させながら投入後、９０℃の温度で１時間保持後、冷却することで６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液を調整した。１０ｗｔ％二酸化チタンスラリー５００ｇに６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液２５０ｇを撹拌しながら混合し、二酸化チタン－ＰＶＡ混合スラリーを調整した。１０ｗｔ％二酸化チタンスラリー５００ｇに６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液２５０ｇを撹拌しながら混合し、二酸化チタン－ＰＶＡ混合スラリーを調整した。その混合スラリーを噴霧式乾燥機（ＭＤＬ－５０Ｂ，藤崎電機社製）で乾燥し、低次酸化チタンの前駆体を得た。得られた前駆体２０ｇをアルミナ製ルツボへ投入後、前駆体が入ったアルミナルツボをタンマン管式雰囲気焼成炉（ＮＬＴ－２０３５Ｄ－ＳＰ モトヤマ製）の中へ入れ、窒素雰囲気下、焼成条件１０００℃×３時間の条件で焼成することにより実施例１の低次酸化チタンを得た。」（【００２１】）との、低次酸化チタン粉体の原料成分及び製造工程に関する記載から、低次酸化チタン粉体が「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」との記載を追加することにより、訂正後の請求項１に係る発明における「低次酸化チタン粉体」の成分を限定するものであり、また、これにより新たな技術的事項が導入されるものとはいえない。また、訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２、４～７についても、同様のことがいえる。 そうすると、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は、低次酸化チタン粉末の製造時に使用されるルツボとして、アルミナ以外の材料で形成されたルツボを選択できるため、願書に添付された明細書の実施例１（【００２１】）の製造方法において、アルミナ製ルツボに由来するＡｌ成分は不可避不純物に該当しないことを論拠として、訂正事項１は、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものでない旨を主張している（令和５年２月１４日付け意見書の３（１）及び（３））。 そこで検討すると、アルミナは安定な化合物であるから、上記実施例１のアルミナ製ルツボ中での焼成において、当該ルツボ内の低次酸化チタンには、アルミナ製ルツボに由来するＡｌがほぼ混入しないか、もしくは混入したとしてもごく微量となることを理解できるから、アルミナ製ルツボに由来するＡｌ成分は、製造工程に由来して含まれる不可避不純物といえる。 よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項３が請求項１又は２を引用していたところ、請求項２を引用しないものに限定した上で、請求項１との引用関係を解消して請求項３を書き下し、独立形式請求項へ改めるための訂正である。 そうすると、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、訂正前の請求項４が請求項１～３のいずれか１項を引用していたところ、請求項２、３を引用しないものに限定する訂正である。 そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４は、訂正前の請求項５が請求項１～４のいずれか１項を引用していたところ、請求項２～４を引用しないものに限定する訂正である。 そうすると、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項５について 訂正事項５は、訂正前の請求項７が請求項１～４のいずれか１項を引用していたところ、請求項２～４を引用しないものに限定する訂正である。 そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項６について 訂正事項６は、訂正前の請求項４が請求項１～３のいずれか１項を引用していたところ、引用する請求項３のうち請求項１を引用するものについて、請求項４を書き下した上で、独立形式請求項へ改めて、新たな請求項８にするための訂正である。 そうすると、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものでありまた、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （７）訂正事項７について 訂正事項７は、訂正前の請求項５が請求項１～４のいずれか１項を引用していたところ、引用する請求項３のうち請求項１を引用するものについて、請求項５を書き下した上で、独立形式請求項へ改めて、新たな請求項９にするための訂正である。 そうすると、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （８）訂正事項８について 訂正事項８は、訂正前の請求項６が請求項５を引用し、当該請求項５が請求項１～４のいずれか１項を引用していたところ、引用する請求項３のうち請求項１を引用するものについて、請求項６を書き下した上で、独立形式請求項へ改めて、新たな請求項１０にするための訂正である。 そうすると、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （９）訂正事項９について 訂正事項９は、訂正前の請求項７が請求項１～４のいずれか１項を引用していたところ、引用する請求項３のうち請求項１を引用するものについて、請求項７を書き下した上で、独立形式請求項へ改めて、新たな請求項１１にするための訂正である。 そうすると、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１０）独立特許要件について 本件特許の訂正前の請求項１～７の全ての請求項について特許異議の申立てがされたものであるから、訂正事項１～９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 そして、特許権者から、上記１（１０）のとおり、訂正後の請求項３、８～１１については、一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位とする求めがあったことから、訂正後の請求項３、８、９、１０、１１についての訂正は、それぞれ、請求項〔１、２、４～７〕とは別の訂正単位として扱う。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２、４～７〕、３、８、９、１０、１１について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載（本件発明） 上記第２のとおり本件訂正請求は適法になされたものであるから、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～１１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１１」といい、纏めて「本件発明」という。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（下線は訂正箇所）。 「【請求項１】 ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そして原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していないことを特徴とする低次酸化チタン粉体。 【請求項２】 低次酸化チタンは、一般式：ＴｉｎＯ２ｎ－１（２≦ｎ≦１０）で表されることを特徴とする請求項１に記載の低次酸化チタン粉体。 【請求項３】 ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体。 【請求項４】 カーボン量が０～１０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の低次酸化チタン粉体。 【請求項５】 請求項１に記載の低次酸化チタン粉体を使用した電極。 【請求項６】 請求項５記載の電極を備えた蓄電デバイス。 【請求項７】 二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、請求項１に記載の低次酸化チタン粉体を製造する方法。 【請求項８】 ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、Ｔｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれており、そしてカーボン量が０～１０重量％であることを特徴とする低次酸化チタン粉体。 【請求項９】 ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を使用した電極。 【請求項１０】 ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を使用した電極を備えた蓄電デバイス。 【請求項１１】 二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、そしてＴｉ４Ｏ７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする低次酸化チタン粉体を製造する方法。」 第４ 取消理由通知書に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 当審が特許権者に通知した、令和４年１０月３１日付けの取消理由（決定の予告）の概要は、次のとおりである。 （１）取消理由１（明確性要件違反） 取消理由１は、要するに、先の訂正請求により訂正された請求項１に係る発明の「ＳｉおよびＡｌを含有していない」との特定事項は、原料に含まれる不可避不純物以外に微量のＳｉ及びＡｌを含有することを示しているのか、あるいは、原料に含まれる不可避不純物以外にも微量のＳｉ及びＡｌを含有することを示しているのか不明であるから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２項に規定する要件（明確性要件）を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 当審の判断 （１）取消理由１（明確性要件違反）について 本件訂正請求によって、先の訂正請求により訂正された請求項１に係る発明の「ＳｉおよびＡｌを含有していない」との特定事項は、「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」に訂正された。 そして、上記訂正により、本件発明１において、原料及び製造工程に起因する不可避不純物であるＳｉ、Ａｌを含有することは許容されることとなった。 したがって、取消理由１で指摘した点は明確となった。 （２）特許異議申立人の主張について ア 特許異議申立人の主張の概要 特許異議申立人は、（ｉ）低次酸化チタン粉末の製造時に使用されるルツボとして、アルミナ以外の材料で形成されたルツボを選択できるため、アルミナルツボに由来するＡｌ成分は不可避不純物に該当しないから、本件発明１の「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」との特定事項は、Ｓｉ及びＡｌがどの程度含有していることを示しているのかが明らかでないこと、及び、（ｉｉ）原料や製造工程は「低次酸化チタン粉末」という物を特定する事項でないため、本件発明１の「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」との特定事項の意義が明確でないことを論拠にして、本件発明１は明確性要件を満足しない旨を主張している（令和５年２月１４日付け意見書の３（１）及び（２））。 イ 特許異議申立人の主張の検討 本件特許の願書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という。）の実施例においては、アルミナ製のルツボ中で焼成を行っているところ、上記第２の２（１）イで検討したとおり、焼成工程によっては低次酸化チタンにＡｌはほぼ混入しないか、もしくは混入したとしてもごく微量となる。そして、混入した場合においては、そのＡｌは、製造工程に由来して含まれる不可避不純物であり、意図的に添加された場合のＡｌ量とは明確に区別がつくものである。 加えて、原料に由来する不可避不純物も、製造工程に由来する不可避不純物も、「低次酸化チタン粉末」という物を特定する事項であって、意図的に添加された不純物と明確に区別がつくものである。 したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。 （３）取消理由１についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由１に理由はない。 第５ 取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許異議申立理由の概要 標記の特許異議申立理由（以下、「申立理由」という）は、概略、以下のとおりである。 ここで、特許異議申立人が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証：Guoqing Chai et al.,「Preparation and characterization of λ-Ti3O5 by carbothermal reduction of TiO2」, Journal of Alloys and Compounds, Volume.621, 2015, Page 404-410 甲第２号証：Yun Chen et al.,「Sol-gel preparation and characterization of black titanium oxides Ti2O3 and Ti3O5」, Journal of Material Science, Volume 25, 2014, Page 1284-1288 甲第３号証：Ziyang Guo et al.,「Leaf-like Graphene oxide with a Carbon Nanotube Midrib and Its Application in Energy Storage Devices」, Advanced functional materials, 2013,vol.23, Page 4840-4846 甲第４号証：特開２０１５－１４２４３８号公報 甲第５号証：特開２０１２－２５６４８０号公報 （１）申立理由１（実施可能要件違反） 「低次酸化チタン」は種々の化学組成をとり得るものであるところ、本件明細書中、ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇであり、粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下である低次酸化チタン粉体として実際に製造されているのは、Ｔｉ４Ｏ７が主成分、より具体的にはＴｉ４Ｏ７純度が８２％以上のもののみである。そうすると、上記物性を有し、かつ、Ｔｉ４Ｏ７が主成分ではない、より具体的にはＴｉ４Ｏ７純度が８２％を下回る低次酸化チタンを、どのようにすれば製造しうるのか、当業者が実施可能な程度に記載されていない。 また、粉体抵抗率は「１０Ω・ｃｍ以下」とされ、下限が記載されていないが、実際に製造されているのは４．２×１０－１Ω・ｍ以上のもののみであるところ、粉体抵抗率が４．２×１０－１Ω・ｍ以下のものをどのようにすれば製造しうるのか、当業者が実施可能な程度に記載されていない。 したがって、本件特許は、特許法第３６条第４項第１号に記載する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるものである。 （２）申立理由２（甲第１号証を主たる証拠とする） 設定登録時の請求項１、２、４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、設定登録時の請求項４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、その特許は、同法第２９条第１項又は第２項の規定に違反したものあるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるものである。 （３）申立理由３（甲第２号証を主たる証拠とする） 設定登録時の請求項１、２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、設定登録時の請求項４～６に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、その特許は、同法第２９条第１項又は第２項の規定に違反したものあるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるものである。 ２ 申立理由に対する当審の判断 （１）申立理由１について 本件発明１は、文言上、低次酸化チタンとしてあらゆる低次酸化チタンを含有しうるものとなっている。 しかしながら、本件発明１は「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下」という特定もあるため、低次酸化チタンはこの物性を充足する必要がある。そうすると、本件発明１の「低次酸化チタン」が文言上あらゆる低次酸化チタンを包含することになっていたとしても、「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下」という特定によって、自ずとこの物性を充足する低次酸化チタンへの限定が行われているといえる。したがって、「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下」を充足する範囲内で低次酸化チタンを選択すればよいため、本件発明１を実施するに際して、当業者の過度の試行錯誤を要するとはいえない。 また、抵抗率の下限が記載されていない場合は、限りなく小さな抵抗率の実施例の開示が求められるものでもない。加えて、実施例において、粉体抵抗率が４．２×１０－１Ω・ｍ～１．２×１００Ω・ｃｍの粉体抵抗率の低次酸化チタンが得られているところ、焼成温度によって、粉末抵抗率を調整することができることも見て取れ得るから、粉体抵抗率が４．２×１０－１Ω・ｍ以下のものについても、当業者の過度の試行錯誤を要することなく、実施できるといえる。本件発明２～１１についても同様である。 以上のとおりであるから、申立理由１に理由はない。 （２） 申立理由２について（新規性、進歩性について） 申立理由２は、設定登録時の請求項１、２、４に係る特許を対象とするものであるところ、本件発明１～１１のうち、本件発明３、５～７に係る特許は、申立理由２の対象でないし、さらに、本件発明８～１１は、上記第２で検討したとおり、設定登録時の請求項３又は請求項３を引用する請求項５を書き下して独立項に改めたものであるため、本件発明８～１１に係る特許も申立理由２の対象にならない。 したがって、本件発明１、２、４に係る特許について、以下検討する。 ア 甲第１号証に記載された発明 甲第１号証には、「SiO2,Al2O3等の無機物でコーティングされたナノTiO2を炭素熱還元して調製されたλ-Ti3O5粉末であって、比表面積（BET）が12.82m2g-1であり、且つ試料の導電率が0.68Ωcm-1であるλ-Ti3O5粉末。」が記載されている（ABSTRACT）。また、得られた粉末のラマンスペクトル分析で、Si-O-Si、Si-O-Ti、Al-O-Al、Al-Oのピークが観測されるが、水酸化ナトリウムエッチングによってこのピークが消滅する、即ち、無機コーティング層が水酸化ナトリウムによってエッチングされていることが記載されているところ（p.408 左欄12-27行）、得られたλ-Ti3O5粉末は、SiO2、Al2O3等の無機物コーティングを有していることが理解される。そうすると、甲第１号証には、「SiO2,Al2O3等の無機物でコーティングされたナノTiO2を炭素熱還元して調製された、SiO2,Al2O3等の無機物でコーティングされたλ-Ti3O5粉末であって、比表面積（BET）が12.82m2g-1であり、且つ試料の導電率が0.68Ωcm-1であるλ-Ti3O5粉末。」（以下、「甲１発明」という）の発明が記載されていると認められる。 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１発明との対比 甲１発明における「λ-Ti3O5粉末」、「比表面積（BET）が12.82m2g-1」は、それぞれ、本件発明１の「低次酸化チタン粉体」、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇ」に相当する。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、 「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇである低次酸化チタン粉体。」である点で一致し、 本件発明１が「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」のに対し、甲１発明では「SiO2,Al2O3等の無機物でコーティングされたλ-Ti3O5粉末」である点で相違し（以下、「相違点１」という）、 また、本件発明１が「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下」であるのに対し、甲１発明では「導電率が0.68Ωcm-1」である点で相違する（以下、「相違点２」という）。 （イ）相違点の検討 相違点１について検討する。 甲第１号証には、「前駆体粒子（TiO2）表面上の二重コーティングの無機シェルは、λ-Ti3O5の形成に重要な役割を果たす」ことが記載されている（ 5.Conclusionの第１２～１５行 )。そうすると、甲１発明においては、積極的にSiO2,Al2O3等の無機物でコーティングされた原料を用いているといえるため、甲１発明において、SiO2、Al2O3等の無機コーティングのない原料を用いること、即ちSiO2、Al2O3等の無機コーティングのないλ-Ti3O5粉末を得ることに動機付けはなく、SiO2、Al2O3等の無機コーティングのないλ-Ti3O5粉末を得て、「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」ものとすることは、当業者が容易に想到しえたものとはいえない。 なお、甲第３号証～甲第５号証は、粉末抵抗率の単位についての技術常識を示す証拠であるから、甲第３号証～甲第５号証の記載は、相違点１に係る上記判断に影響するものでない。 （ウ）小括 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではないし、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証～甲第５号証に記載された技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 本件発明２、４について 本件発明２、４は、本件発明１を引用するものであって、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記イに示した理由と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明ではないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ 小括 以上のとおりであるから、申立理由２に理由はない。 （３）申立理由３について（新規性、進歩性について） 申立理由３は、設定登録時の請求項１、２、４～６に係る特許を対象とするものであるところ、本件発明１～１１のうち、本件発明３、７に係る特許は、申立理由３の対象でないし、さらに、本件発明８～１１は、上記第２で検討したとおり、設定登録時の請求項３又は請求項３を引用する請求項５を書き下して独立項に改めたものであるため、本件発明８～１１に係る特許も申立理由３の対象にならない。 したがって、本件発明１、２、４～６に係る特許について、以下検討する。 ア 甲第２号証に記載された発明 甲第２号証には、「粒径が５０－２００ｎｍ、粉末電気抵抗率が４．７×１０-3Ωｍ、球状及び板状の混合型構造を有するTi3O5の粉末」（以下、「甲２発明」という）の発明が記載されていると認められる（Abstract）。 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲２発明との対比 甲２発明における「Ti3O5の粉末」は、本件発明１の「低次酸化チタン粉末」に相当する。また、粉末電気抵抗率が４．７×１０-3Ωｍは、単位をΩｍからΩｃｍにすれば、４．７×１０-1Ωｃｍとなる。そうすると、甲２発明の「粉末電気抵抗率が４．７×１０-3Ωｍ」は、本件発明１の「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下」に相当する。 したがって、本件発明１と甲２発明とは、「粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下の低次酸化チタン粉体」である点で一致し、 本件発明１が「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇ」であるのに対し、甲２発明ではそのような特定のない点で相違し（以下、「相違点３」という）、 本件発明１が「原料に含まれる不可避不純物および製造工程に由来して含まれる不可避不純物以外にＳｉとＡｌを含有していない」のに対し、甲１発明ではそのような特定がない点で相違する（以下、「相違点４」という）。 （イ）相違点の検討 相違点３について検討する。 甲第２号証には、比表面積についての直接的な記載や示唆はない。 また、甲２発明のTi3O5の粉末は、粒径が５０～２００ｎｍであるが、粒径のみから比表面積は算出できないから、甲２発明Ti3O5の粉末が、「ＢＥＴ法による比表面積が１０～１０００ｍ２／ｇ」であるということはできない。 また、本件明細書には、ＢＥＴ法による比表面積を１０～１０００ｍ２／ｇとすることによって、電極として用いた際に、優れた反応効率が得られることが記載されている（【０００４】）。他方、甲第２号証には、比表面積と反応効率についての記載や示唆はないし、このようなことが技術常識であるとの証拠もないため、甲２発明において、優れた反応効率を得ることを目的として、比表面積を１０～１０００ｍ２／ｇとすることは、当業者が容易に想到しうることではない。 （ウ）特許異議申立人の主張の検討 特許異議申立人は、本件明細書の実施例では、１次粒子径が１０～１３０ｎｍであれば比表面積が１１～９５２ｍ２／ｇとなっていることから、甲２発明の粒径が５０－２００ｎｍの粉末は１０～１０００ｍ２／ｇの範囲内の比表面積となる蓋然性が高い旨主張している。 しかしながら、粒子の比表面積は、粒子の形状やその表面状態などによっても変化し、１次粒径のみで決まる物性ではない。そして、本件明細書の実施例では球形に近い粒子であるところ、甲２発明の粉末は、球状及び板状の混合型構造となっており、粒子の形状も異なっている。 よって、上記主張を採用することはできない。 （エ）小括 したがって、相違点４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明ではないし、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 本件発明２、４～６について 本件発明２、４～６は、本件発明１を引用するものであって、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記（３）イに示した理由と同様の理由により、甲第２号証に記載された発明ではないし、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ 小括 以上のとおりであるから、申立理由３に理由はない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件特許の請求項１～１１に係る発明は、特許異議申立書に記載された申立理由、及び、取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由によっては、取り消すことができない。また、他に当該請求項１～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。