2021-701056

第２ 本件発明

本件特許の請求項１～９に係る発明は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、請求項１～９に係る発明を、それぞれ「本件発明１」～「本件発明９」といい、このうち「本件発明１」～「本件発明５」をまとめて「本件発明」ということがある）。

「【請求項１】

ＡｌとＳｃとの合金からなり、Ｓｃを２５原子％～５０原子％で含有するスパッタリングターゲットであって、酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であり、ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが２０％以下であり、前記ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが、ターゲット表面における複数の測定点で測定して得られるビッカース硬さ（Ｈｖ）の測定値の標準偏差を、前記測定値の平均値で除して百分率で表すことにより算出され、

Ａｌ－Ｓｃ相、Ａｌ２－Ｓｃ相およびＡｌ３－Ｓｃ相からなる群から選択される一又は複数の金属間化合物から構成されているスパッタリングターゲット。

【請求項２】

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酸素含有量が１０００質量ｐｐｍ以下である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。

【請求項３】

ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが５％以下である請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。

【請求項４】

炭素含有量が１０００質量ｐｐｍ以下である請求項１～３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。

【請求項５】

Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計０．１質量％以下でさらに含有する請求項１～４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。

【請求項６】

不活性ガス又は真空雰囲気下、Ａｌ原料を、酸素含有量が３０００質量ｐｐｍ以下のＳｃ原料とともに溶解させた後に、不活性ガス又は真空雰囲気下で冷却し、Ｓｃを２５原子％～５０原子％で含有するＡｌとＳｃとの合金のインゴットを鋳造により得る溶解工程と、前記インゴットに圧力を加えて塑性加工を施す鍛造工程とを含み、

前記インゴットが、Ａｌ－Ｓｃ相、Ａｌ２－Ｓｃ相およびＡｌ３－Ｓｃ相からなる群から選択される一又は複数の金属間化合物から構成されているスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項７】

溶解工程で、酸素含有量が１００質量ｐｐｍ～３０００質量ｐｐｍのＳｃ原料を用いる請求項６に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項８】

鍛造工程での塑性加工の加工率を、５０％～９５％とする請求項６又は７に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項９】

鍛造工程で、前記インゴットを５００℃～１２００℃に加熱した状態で塑性加工を行う請求項６～８のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。」

第３ 特許異議申立理由の概要

１ 特許法第２９条第１項第３号（新規性）、第２項（進歩性）について

本件発明１～５は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項、第２項の規定に違反してされたものである。

２ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について

本件発明１～５は、本件発明６～９に係る「スパッタリングターゲットの製造方法」のような溶解工程及び鍛造工程を経ていることに相当する発明特定事項を有しておらず、例えば、発明が解決しようとする課題の欄で否定しているアトマイズ法を包含しつつ、溶解法または真空溶解法を経て得られたスパッタリングターゲットを包含している。

しかし、本件特許明細書には、溶解工程及び鍛造工程を経る製法以外の製法を採用したとしても、本件発明の課題を解決できる根拠が示されていないから、アトマイズ法を包含しつつ、溶解法または真空溶解法を経て得られたスパッタリングターゲットが、本件発明の課題を解決できるとは認められない。

また、技術常識に照らしても、本件発明１は、本件発明６～９に係る「スパッタリングターゲットの製造方法」のような溶解工程及び鍛造工程を経ていることに相当する発明特定事項を有していないから、発明の詳細な説明の記載を本件発明１～５の範囲まで拡張ないし一般化することはできないので、本件発明１～５が発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえない。

したがって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号所定の規定に適合しない。

３ 証拠方法

第４ 特許異議申立理由についての当審の判断

１ 特許法第２９条第１項第３号（新規性）、第２項（進歩性）について

（２）本件発明１について

ア 本件発明１と甲１発明１とを対比すると、甲１発明１における「アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット」は、スパッタリングターゲットであって、「溶解合金インゴット（原子パーセント比でＡｌ：Ｓｃ＝６０：４０）」から製造されたものであるから、「ＡｌとＳｃとの合金からな」るものといえ、この「溶解合金インゴット」が「原子パーセント比でＡｌ：Ｓｃ＝６０：４０」であることは、本件発明１において「Ｓｃを２５原子％～５０原子％で含有する」ことと合致するので、本件発明１における「ＡｌとＳｃとの合金からなり、Ｓｃを２５原子％～５０原子％で含有するスパッタリングターゲット」に相当する。

また、甲１発明１において、「アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット」が「Ａｌ２ＳｃであるＡ相と、ＡｌＳｃであるＢ相からなる」ことは、本件発明１において、「スパッタリングターゲット」が、「Ａｌ－Ｓｃ相、Ａｌ２－Ｓｃ相およびＡｌ３－Ｓｃ相からなる群から選択される一又は複数の金属間化合物から構成されている」ことに相当する。

すると、本件発明１と甲１発明１とは、

「ＡｌとＳｃとの合金からなり、Ｓｃを２５原子％～５０原子％で含有するスパッタリングターゲットであって、Ａｌ－Ｓｃ相、Ａｌ２－Ｓｃ相およびＡｌ３－Ｓｃ相からなる群から選択される一又は複数の金属間化合物から構成されているスパッタリングターゲット。」

である点で一致し、以下の点で相違する。

・相違点２：本件発明１は、「スパッタリングターゲット」が、「ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが２０％以下であり、前記ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが、ターゲット表面における複数の測定点で測定して得られるビッカース硬さ（Ｈｖ）の測定値の標準偏差を、前記測定値の平均値で除して百分率で表すことにより算出され」る、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明１の「スパッタリングターゲット」は「ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつき」が明らかでない点。

イ まず、前記アの相違点１から検討すると、本件特許明細書には、以下（ａ）～（ｃ）の記載がある。

（ａ）「【０００１】

この発明は、ＡｌとＳｃとの合金からなり、圧電性材料等の薄膜形成に用いて好適なスパッタリングターゲット及び、その製造方法に関するものであり、特には、スパッタリングにより形成する圧電性材料の圧電特性の向上に寄与することのできる技術を提案するものである。

・・・

【先行技術文献】

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【特許文献】

【０００７】

【特許文献１】特開２０１５－９６６４７号公報

【特許文献２】特開２０１２－１２６７３号公報

・・・

【発明が解決しようとする課題】

【０００９】

ところで、上述したような圧電性薄膜で良好な圧電特性を得るには、それを形成するためのスパッタリングターゲットに含まれる酸素や炭素を減らすことが必要である。

しかるに、スカンジウム等の希土類金属は、酸素と非常に活性であるので、アルミニウムとスカンジウムからなる合金のスパッタリングターゲットは、特にアトマイズ法により製造すると、酸素含有量が１．０質量％程度と極めて多くなる。それ故に、従来のスパッタリングターゲットでは、圧電性薄膜の圧電特性を向上させることができなかった。

【００１０】

このことに対しては、スパッタリングターゲットの製造を、特許文献１で提案されているようなアトマイズ法ではなく、溶解法により行うことにより、スパッタリングターゲットの酸素含有量を低減できると考えられる。

しかしながら、溶解法では、粉末法のような出発原料（微粒子、アトマイズ等）の選定ができないことから、溶解法により製造されてスカンジウムを比較的多い量で含有するスパッタリングターゲットは、ターゲット全体で硬さにばらつきが生じ、スパッタリングの際などに割れるという問題がある。

【００１１】

特許文献２では、真空溶解法によりスカンジウムアルミニウム合金のスパッタリングターゲットを作製することが記載されているが、真空溶解法では、スカンジウムの組成を均一に制御することが困難であることから、小径ターゲットでないと所望の特性を得ることができなかった。

【００１２】

この発明は、従来のスパッタリングターゲットにおけるこのような問題を解決することを課題とするものであり、その目的は、所要のターゲット硬さを確保しつつ、スパッタリングにより形成する圧電性材料の圧電特性の向上に寄与することができるスパッタリングターゲット及び、その製造方法を提供することにある。」

（ｂ）「【発明の効果】

【００２１】

この発明によれば、硬さのばらつきが小さく、かつ酸素含有量が低いスパッタリングターゲットを得ることができる。それにより、スパッタリング時に割れる可能性が低く、有効に使用できるとともに、圧電性材料の薄膜を形成するスパッタリングを行った場合、当該圧電性材料の圧電特性の向上に寄与することができる。」

（ｃ）「【００３２】

（製造方法）

以上の述べたスパッタリングターゲットは、たとえば次のようにして製造することができる。

はじめに、Ａｌ原料とＳｃ原料を混ぜ合わせて、真空または不活性ガス中での溶解法に基いて溶解炉内で溶解させた後、これを冷却し、ターゲット素材としてのＡｌとＳｃとの合金のインゴットを得る。ここで、Ｓｃ原料は、Ｓｃ含有量が２５原子％～５０原子％（２５原子％以上かつ３３原子％未満または、３３原子％以上かつ５０原子％以下）となるように添加する。なおここでの冷却は、たとえば、不活性ガス中で常温になるまで放置する自然冷却とすることができるが、これに限定されるものではない。

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このような溶解法によれば、真空または不活性ガス雰囲気で溶解法を行うことにより、製造されるスパッタリングターゲットの酸素濃度を十分に低減でき、スカンジウムの組成を均一なものに調整することが可能になる。・・・

【００３３】

特にここで添加するＳｃ原料は、酸素含有量の少ないものとする。それにより、スパッタリングターゲットの酸素含有量をさらに低減することができる。具体的には、Ｓｃ原料の酸素含有量は、酸素含有量３０００質量ｐｐｍ以下とする。・・・

・・・

【００３９】

（実施例１）

Ｓｃ含有量が３８原子％になるようにＡｌ原料とＳｃ原料を混合し、Ａｒ雰囲気下で高周波加熱により融点１１５０℃の溶解を実施し、電源をオフにして当該不活性ガス中で２時間放置して自然冷却させ、ＡｌとＳｃの合金のインゴットを作製した。ここで、Ｓｃ原料の炭素含有量は４０質量ｐｐｍであり、酸素含有量は１４００質量ｐｐｍであった。次いで、鍛造工程を行い、インゴットをＡｒ雰囲気で１０００℃に加熱した状態で、当該インゴットに対して、加工率８５％のプレス加工を１回施した後、所要の加工を行って、スパッタリングターゲットを製造した。」

ウ そして、前記イ（ａ）（【０００９】～【００１０】）によれば、圧電性薄膜で良好な圧電特性を得るには、それを形成するための「スパッタリングターゲット」に含まれる酸素や炭素を減らすことが必要であるが、スカンジウム等の希土類金属は、酸素と非常に活性であるので、アルミニウムとスカンジウムからなる合金の「スパッタリングターゲット」は、特に、本件特許明細書に記載される特許文献１（特開２０１５－９６６４７号公報（前記イ（ａ）【０００７】））で提案されているようなアトマイズ法により製造すると、酸素含有量が１．０質量％程度と極めて多くなることから、本件発明においては、「スパッタリングターゲット」を、前記イ（ｃ）に記載されるように、Ｓｃ原料を酸素含有量が３０００質量ｐｐｍ以下の少ないものとした上で、アトマイズ法ではなく、Ａｌ原料とＳｃ原料を混ぜ合わせて、真空または不活性ガス中で溶解炉内で溶解させる溶解法により製造するものである。

エ これに対して、甲第１号証には、Ｓｃ原料の酸素含有量が記載も示唆もされていないから、甲１発明１は、「スパッタリングターゲット」のＳｃ原料の酸素含有量を３０００質量ｐｐｍ以下としたものとはいえない。

また、甲１発明１は、溶解合金インゴットをアトマイズ法による粉末製造装置に入れ、アルゴンガス雰囲気下にて、アルミニウム－スカンジウム合金粉末を作製する工程を含むものである。

そして、甲１発明１が記載される甲第１号証は、前記イ（ａ）（【０００７】）に記載される特許文献１にほかならず、このことと前記ウによれば、甲１発明１は、「スパッタリングターゲット」の製造工程に、酸素含有量が極めて多くなるとされるアトマイズ法を含むものである。

すると、甲１発明１に係る「スパッタリングターゲット」は、その製造方法が、Ｓｃ原料の酸素含有量を３０００質量ｐｐｍ以下としたものとはいえない点、及び、製造工程に酸素含有量が極めて多くなるとされるアトマイズ法を含む点で、本件発明１に係る「スパッタリングターゲット」の製造方法と合致しないから、仮に、真空アーク溶解炉により溶解合金インゴットを製造するものであり、更にアトマイズ法による合金粉末の製造をアルゴンガス雰囲気で行っているとしても、「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であ」るということはできない。

してみれば、前記相違点１は実質的な相違点であるから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲１発明１であるとはいえない。

オ また、前記（１）ア（１ｂ）の記載からみれば、甲１発明１は、アルミニウムに希土類元素を添加したアルミニウム合金ターゲットであって、スパッタ時の昇温によって組成変化を起こさず、金属間化合物が微分散された、安定したターゲットを焼結法によって効率よく製造する方法及びその製法により得られるターゲットを提供することを目的とするものである。

このように、甲１発明１は、「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量」に着目したものではないから、甲１発明１において、「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量」を「２０００質量ｐｐｍ以下」とする動機付けは存在しない。加えて、酸素と非常に活性であるとされるＡｌとＳｃとの合金からなる「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量」を「２０００質量ｐｐｍ以下」とすることを開示する証拠も提出されていないので、甲１発明１において、「スパッタリングターゲット」を、「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であ」る、との前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることは、当業者が容易になし得るものではない。

よって、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

カ なお、申立人は、甲１発明１は、真空アーク溶解炉により溶解合金インゴットを得ており、更にアトマイズ法による合金粉末の製造においては、アルゴンガス雰囲気で行っていることから、「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下」である蓋然性が高く、本件発明１と甲１発明１とでは酸素含有量の低減はいずれも溶解を経ることで実現している点で共通するから、前記相違点１は実質的に相違点とならない旨を主張している。

ところが、甲第１号証には、Ｓｃ原料の酸素含有量が記載も示唆もされていないから、仮に、甲１発明１が、真空アーク溶解炉により溶解合金インゴットを製造するものであり、更にアトマイズ法による合金粉末の製造をアルゴンガス雰囲気で行っているとしても、最終的に製造された「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量」を予測することは困難である。

更に、前記イ（ａ）によれば、甲第１号証で提案されるアトマイズ法により製造された「スパッタリングターゲット」は、酸素含有量が極めて多くなるとされているのであるから、前記アトマイズ法を含む製造方法により製造された甲１発明１に係る「スパッタリングターゲット」の「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であ」る蓋然性が高いとはいえないので、申立人の前記主張は採用できない。

キ したがって、本件発明１が甲１発明１であるとはいえないし、本件発明１は、甲１発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

更に、甲１発明２～甲１発明４について検討しても事情は同じであるから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（３）本件発明２～５について

本件発明２～５は、直接的又は間接的に本件発明１を引用するものであって、本件発明２～５と甲１発明１とを対比すると、いずれの場合であっても、少なくとも前記相違点１の点で相違するから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２～５が甲１発明１であるとはいえない。

そして、甲１発明１において、前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることが、当業者が容易になし得るものではないことは、前記（２）オに記載のとおりであるから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２～５は、甲１発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

更に、甲１発明２～甲１発明４について検討しても事情は同じであるから、本件発明２～５は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（４）小括

よって、本件発明１～５は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、前記第３の１の特許異議申立理由は理由がない。

２ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について

（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）の判断手法

特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであるから、以下、この観点に基づいて検討する。

（２）当審の判断

ア 前記１（２）イ（ａ）の本件特許明細書の記載によれば、本件発明は、スパッタリングにより形成する圧電性材料の圧電特性の向上に寄与することのできる技術を提案するものであって、圧電性薄膜で良好な圧電特性を得るには、それを形成するための「スパッタリングターゲット」に含まれる酸素や炭素を減らすことが必要なのであるが、従来の「スパッタリングターゲット」では、特にアトマイズ法により製造すると、酸素含有量が１．０質量％程度と極めて多くなり、圧電性薄膜の圧電特性を向上させることができなかった、という課題や、溶解法により製造されてスカンジウムを比較的多い量で含有する「スパッタリングターゲット」は、ターゲット全体で硬さにばらつきが生じ、スパッタリングの際などに割れるという問題がある、という課題（以下、まとめて「本件課題」という。）を解決しようとするものである。

イ そして、前記１（２）イ（ｂ）によれば、本件発明は、硬さのばらつきが小さく、かつ酸素含有量が低い「スパッタリングターゲット」を得ることにより、スパッタリング時に割れる可能性が低く、有効に使用できるとともに、圧電性材料の薄膜を形成するスパッタリングを行った場合、圧電特性の向上に寄与することができ、もって前記本件課題を解決することができたことが分かる。

ここで、本件発明１における、「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であ」る、との発明特定事項は、「スパッタリングターゲット」の酸素含有量を低減するものにほかならない。また、「ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが２０％以下であり、前記ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが、ターゲット表面における複数の測定点で測定して得られるビッカース硬さ（Ｈｖ）の測定値の標準偏差を、前記測定値の平均値で除して百分率で表すことにより算出され」る、との発明特定事項は、「スパッタリングターゲット」の硬さのばらつきを小さくするものにほかならない。

ウ そうすると、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は、「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であり、ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが２０％以下であり、前記ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが、ターゲット表面における複数の測定点で測定して得られるビッカース硬さ（Ｈｖ）の測定値の標準偏差を、前記測定値の平均値で除して百分率で表すことにより算出され」る、との発明特定事項を有する本件発明１により本件課題を解決できることを理解するのであり、このことは実施例の記載などからも看て取れる。

そうである以上、前記（１）の判断手法に照らせば、本件発明１に係る請求項１の記載は、サポート要件に適合するというべきである。

更に、本件発明１を引用する本件発明２～５について検討しても事情は同じであるから、結局、本件発明１～５に係る請求項１～５の記載は、サポート要件に適合するということができる。

エ 申立人は、本件発明１～５は、本件発明６～９に係る「スパッタリングターゲットの製造方法」のような溶解工程及び鍛造工程を経ていることに相当する発明特定事項を有しておらず、アトマイズ法を包含しつつ、溶解法または真空溶解法を経て得られたスパッタリングターゲットを包含しているが、本件特許明細書には、溶解工程及び鍛造工程を経る製法以外の製法を採用したとしても、本件発明の課題を解決できる根拠が示されていないから、アトマイズ法を包含しつつ、溶解法または真空溶解法を経て得られたスパッタリングターゲットが、本件発明の課題を解決できるとは認められない旨、及び、本件特許の優先日当時の技術常識に照らしても、本件発明６～９に係る「スパッタリングターゲットの製造方法」のような溶解工程及び鍛造工程を経ていることに相当する発明特定事項を有していない本件発明１～５の範囲まで、発明の詳細な説明の記載を拡張ないし一般化することはできない旨を主張する。

しかしながら、仮に、本件発明１～５が、本件発明６～９に係る「スパッタリングターゲットの製造方法」のような溶解工程及び鍛造工程を経ていることに相当する発明特定事項を有しておらず、アトマイズ法を包含しつつ、溶解法または真空溶解法を経て得られたスパッタリングターゲットを包含しており、本件特許明細書に、溶解工程及び鍛造工程を経る製法以外の製法を採用したとしても本件課題を解決できる根拠が示されていないとしても、本件発明１～５が、「酸素含有量が２０００質量ｐｐｍ以下であり、ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが２０％以下であり、前記ビッカース硬さ（Ｈｖ）のばらつきが、ターゲット表面における複数の測定点で測定して得られるビッカース硬さ（Ｈｖ）の測定値の標準偏差を、前記測定値の平均値で除して百分率で表すことにより算出され」る、との発明特定事項を有することに変わりはない。

そして、前記ウによれば、当業者は、当該発明特定事項を有することにより本件発明１～５は本件課題を解決できることを理解するのであるから、発明の詳細な説明の記載に基づいて本件課題が解決できると認識できる範囲を本件発明１～５の範囲まで拡張ないし一般化することに問題はなく、本件発明１～５は発明の詳細な説明に記載された発明というべきであるから、申立人の前記主張はいずれも採用できない。

オ よって、本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号所定の規定に適合するので、前記第３の２の特許異議申立理由は理由がない。

第５ むすび

以上のとおりであるので、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１～５に係る特許を取り消すことはできない。

また、他に本件発明１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する。