2021-701023

特許第６８６７１８０号発明「半導体発光素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８６７１８０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 特許第６８６７１８０号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８６７１８０号（以下「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、平成２９年２月１日に出願され、令和３年４月１２日にその特許権の設定登録がされ、令和３年４月２８日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和３年１０月２７日 ：特許異議申立人小林喜一（以下「申立人」と いう。）による請求項１～６に係る特許に対 する特許異議の申立て 令和４年 ３月１８日付け：取消理由通知書 令和４年 ５月１７日 ：特許権者による意見書（以下「特許権者意見 書」という。）及び訂正請求書の提出 令和４年 ９月１６日 ：申立人による意見書（以下「申立人意見書」 という。）の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和４年５月１７日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。なお、本件訂正は、一群の請求項〔１～６〕に対して請求されたものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上であり、」の記載を追加するとともに、請求項１に「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上であり、」とあるのを、「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上９５０℃以下であり、」に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程と、」、「前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程と、」及び「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度よりも高く、」とあるのを、それぞれ「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を第１温度に設定して加熱する工程と、」、「前記ｐ型コンタクト層を第２の温度に設定して加熱する工程と、」及び「前記第１温度は、前記第２温度よりも高く、」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上であり、」の記載を追加するとともに、請求項３に「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上である」とあるのを、「前記第１温度は、７５０℃以上９５０℃以下である」に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に対して、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の「ｐ型コンタクト層を形成する工程」について、当該工程の温度を「９５０℃以上」に限定すること。 （ｉｉ）本件訂正前の「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」を、「７５０℃以上９５０℃以下」に限定すること。 そうすると、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）上記ア（ｉ）について 本件明細書には、「ｐ型コンタクト層３２は、例えば、９５０℃～１１００℃の成長温度で形成される」（【００３５】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア（ｉｉ）について 本件明細書の【００３３】には、「ｐ型クラッド層３０を加熱する第１温度は、ｐ型クラッド層３０の成長温度より低く設定され、例えば、７５０℃～９５０℃の温度が設定される」（【００３３】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （ウ）小括 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項１の小括 よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２に対して、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の「ｐ型クラッド層を加熱する工程」の「加熱」を、「第１温度に設定して５分以上」行うものに限定すること。 （ｉｉ）本件訂正前の「ｐ型コンタクト層を加熱する工程」の「加熱」を、「第２温度に設定して」行うものに限定すること。 （ｉｉｉ）本件訂正前の「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」及び「ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度」の記載が、上記（ｉ）及び（ｉｉ）の訂正事項により訂正された「第１温度」及び「第２温度」の記載と重複することとなり、そのことによる不明瞭さを解消するために、上記「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」及び「ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度」を「第１温度」及び「第２温度」に訂正すること。 そうすると、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）上記ア（ｉ）について 本件明細書には、「ｐ型クラッド層３０を加熱する第１温度は、ｐ型クラッド層３０の成長温度より低く設定され」（【００３３】）、「ｐ型クラッド層３０のアニール処理は、５分以上、好ましくは１０分以上行われ、例えば、３０分または１時間のアニール処理がなされる」（【００３４】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア（ｉｉ）について 本件明細書には、「ｐ型コンタクト層３２をアニールする第２温度は，例えば、７００℃～９００℃の温度が設定される。」（【００３４】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア（ｉｉｉ）について 上記ア（ｉｉｉ）の訂正事項は、重複する記載の整合をとり明瞭とするものであるから、新規事項を追加するものではない。 （エ）小括 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項２の小括 よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。 （３）訂正事項３について ア 訂正の目的 訂正事項３は、本件訂正前の請求項３に対して、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の請求項３が引用する請求項２に記載された「ｐ型コンタクト層を形成する工程」について、当該工程の温度を「９５０℃以上」に限定すること。 （ｉｉ）本件訂正前の請求項３が引用する請求項２の「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」の記載が、訂正事項２により「第１温度」に訂正され、そのことによる請求項３の記載の不明瞭さを解消するために、本件訂正前の「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」を「第１温度」に訂正すること。 （ｉｉｉ）本件訂正前の「ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度」を、「７５０℃以上９００℃以下」に限定すること。 そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）上記ア（ｉ）について 本件明細書には、「ｐ型コンタクト層３２は、例えば、９５０℃～１１００℃の成長温度で形成される」（【００３５】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア（ｉｉ）について 上記ア（ｉｉ）の訂正事項は、重複する記載の整合をとり明瞭とするものであるから、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア（ｉｉｉ）について 本件明細書には、「ｐ型クラッド層３０を加熱する第１温度は、ｐ型クラッド層３０の成長温度より低く設定され、例えば、７５０℃～９５０℃の温度が設定される。第１温度は、例えば、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃または９５０℃であってもよい」（【００３３】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （エ）小括 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項３の小括 よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。 ３ 訂正の適否の小括 以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たす。 よって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正後の請求項 本件訂正は上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項は、訂正特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次のとおりのものである。また、本件訂正後の請求項１～６に係る発明を、以下「本件発明１」～「本件発明６」といい、これらを総称して「本件発明」という。 ＜本件発明１＞ 「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と、 前記活性層上にｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型クラッド層を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程と、 前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程と、を備え、 前記活性層は、波長３６０ｎｍ以下の深紫外光を出力するよう構成され、 前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上であり、 前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上９５０℃以下であり、 前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」 ＜本件発明２＞ 「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と、 前記活性層上にｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型クラッド層を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を第１温度に設定して５分以上加熱する工程と、 前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記ｐ型コンタクト層を第２温度に設定して加熱する工程と、を備え、 前記活性層は、波長３６０ｎｍ以下の深紫外光を出力するよう構成され、 前記第１温度は、前記第２温度よりも高く、 前記ｐ型クラッド層は、前記ｐ型クラッド層を加熱する工程後の水素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」 ＜本件発明３＞ 「前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上であり、 前記第１温度は、７５０℃以上９００℃以下であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。」 ＜本件発明４＞ 「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程は、実質的に水素（Ｈ）を含まない雰囲気ガス下でなされることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。」 ＜本件発明５＞ 「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程は、窒素（Ｎ２）の雰囲気ガス下でなされることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。」 ＜本件発明６＞ 「前記ｐ型クラッド層は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のモル分率が５０％以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。」 第４ 令和４年３月１８日付け取消理由通知書で通知した取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～６に係る特許に対して、当審が令和４年３月１８日付け取消理由通知書（以下「取消理由通知書」という。）により特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 １ （進歩性欠如）本件特許の請求項１～６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証～甲第６号証）に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 甲第１号証：特開２０１６－１１１３７０号公報 甲第２号証：特開平８－３２１１３号公報 甲第３号証：特開平９－４０４９０号公報 甲第４号証：特開平５－１８３１８９号公報 甲第５号証：特開平１０－１７８２１２号公報 甲第６号証：特開２００５－２５９７６８号公報 第５ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断 １ 本件発明１について （１）甲第１号証に記載された事項 ア 甲第１号証には、次の記載がなされている（下線は当審が付与した。以下同じ。）。 「【００６３】 上述のように、本発明者らは、第１の実施形態に係るIII族半導体発光素子の製造方法において、素子の寿命を向上させているのは、電子ブロック層５１上に２層構造のｐ型コンタクト層１５０を形成したこと自体によるものではなく、電子ブロック層５１を形成した後、電子ブロック層５１の表面上に、窒素を主成分とするキャリアガスを少なくとも供給して、電子ブロック層５１の表面を窒素含有雰囲気下に置いたことによるものであることを見出した。」 「【００８６】 （発明例４） 発明例１におけるＡｌＮテンプレート基板を用いて、以下のように発明例４のIII族窒化物半導体発光素子を作製した。まず、ＭＯＣＶＤ法により、アンドープ層として、層厚１μｍのアンドープＡｌ0.55Ｇａ0.45Ｎ層を形成した。次に、アンドープ層上に、ｎ型半導体層として、Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ｎ層を形成した（図２（Ｄ））。なお、ＳＩＭＳ分析の結果、ｎ型半導体層のＳｉ濃度は１．０×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である。 【００８７】 続いて、ｎ型半導体層上に、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎからなる層厚３ｎｍの井戸層およびＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎからなる層厚７ｎｍの障壁層を交互に３．５組繰り返して積層した発光層を形成した（図２（Ｅ））。３．５組の０．５は、発光層の最初と最後を障壁層としたことを表す。この発光層の発光波長は３１０ｎｍである。 【００８８】 その後、発光層上に、水素ガスをキャリアガスとして、Ａｌ0.58Ｇａ0.42Ｎからなり、Ｍｇドープした層厚４０ｎｍの電子ブロック層を形成した。次いで、キャリアガスの水素ガスを停止して窒素ガスの供給を開始するとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、成長温度を１３００℃からｐ型コンタクト層（第２のｐ型コンタクト層）の形成温度である１０５０℃まで下げる工程を介し、その後、窒素ガスを停止して水素ガスへキャリアガスを切り替えるとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を再開して第２のｐ型コンタクト層の形成を開始した。なお、窒素キャリアガスを用いて成長させる第１のｐ型コンタクト層は、III族元素ガス供給を停止しているため、残留ガスを考慮しても、その膜厚は０ｎｍと見なせる。また、窒素ガスの供給開始から供給停止までの時間は２００秒とした。」 「【００９０】 その後、第２のｐ型コンタクト層の上にマスクを形成してドライエッチングによるメサエッチングを行い、ｎ型半導体層を露出させた。次いで、第２のｐ型コンタクト層上に、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を形成し、露出したｎ型半導体層上には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ型電極を形成した。なお、ｐ型電極のうち、Ｎｉの厚みは５０Åであり、Ａｕの厚みは１５００Åである。また、ｎ型電極のうち、Ｔｉの厚みは２００Åであり、Ａｌの厚みは１５００Åである。最後に５５０℃でコンタクトアニール（ＲＴＡ）を行って、電極を形成した。」 「【００９４】 【表２】 ［図：0001393988000001.jpg］ 」 「図１ ［図：0001393988000002.jpg］ 」 イ 甲第１号証に記載された発明 以上より、甲第１号証には、発明例４に係る次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、甲１発明の認定に用いた甲第１号証の記載等に係る箇所を括弧内に付してある。 ＜甲１発明＞ 「ＡｌＮテンプレート基板を用いて、アンドープＡｌ0.55Ｇａ0.45Ｎ層を形成し、 アンドープ層上に、ｎ型半導体層として、Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ｎ層を形成し、（【００８６】） ｎ型半導体層上に、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎからなる層厚３ｎｍの井戸層およびＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎからなる層厚７ｎｍの障壁層を交互に３．５組繰り返して積層した発光層を形成し、 この発光層の発光波長は３１０ｎｍであり、（【００８７】） 発光層上に、水素ガスをキャリアガスとして、Ａｌ0.58Ｇａ0.42Ｎからなり、Ｍｇドープした層厚４０ｎｍの電子ブロック層を形成し、 キャリアガスの水素ガスを停止して窒素ガスの供給を開始するとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、成長温度を１３００℃からｐ型コンタクト層（第２のｐ型コンタクト層）の形成温度である１０５０℃まで下げる工程を介し、 窒素ガスの供給開始から供給停止までの時間は２００秒とし、（【００８８】） その後、窒素ガスを停止して水素ガスへキャリアガスを切り替えるとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を再開して第２のｐ型コンタクト層の形成を開始し、 その後、第２のｐ型コンタクト層上に、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を形成し、 露出したｎ型半導体層上には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ型電極を形成し、 最後に５５０℃でコンタクトアニール（ＲＴＡ）を行って、電極を形成した、（【００９０】） III族窒化物半導体発光素子の作製方法。（【００８６】）」 （２）対比（一致点及び相違点） 本件発明１と甲１発明とを対比すると、以下のとおりである。 ア 本件発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と、」の特定事項について 甲１発明の「ｎ型半導体層」は、「層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ｎ層」であるところ、その膜厚とＡｌ組成比から、いわゆる「クラッド層」と呼称される層に相当するものと理解できる。そうすると、甲１発明の「ｎ型半導体層」は、本件発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層」に相当するといえる。 また、甲１発明の「発光層」は、「Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎからなる層厚３ｎｍの井戸層およびＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎからなる層厚７ｎｍの障壁層を交互に３．５組繰り返して積層した」ものであるから、本件発明１の「ＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層」に相当するといえる。そして、甲１発明は、上記「ｎ型半導体層」上に、上記「発光層」を形成する工程を有している。 したがって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を備えている。 イ 本件発明１の「前記活性層上にｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型クラッド層を形成する工程と、」の特定事項について 甲１発明は、「発光層上に、水素ガスをキャリアガスとして、Ａｌ0.58Ｇａ0.42Ｎからなり、Ｍｇドープした層厚４０ｎｍの電子ブロック層を形成」する工程を備えている。 ここで、本件発明１の「ｐ型クラッド層」について、本件特許の発明の詳細な説明を参酌すると、【００２８】には「ＡｌＮのモル分率が５０％以上」及び「ｐ型クラッド層３０は、１０ｎｍ～１００ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、２０ｎｍ～５０ｎｍ程度の厚さを有する」と記載されており、甲１発明の「電子ブロック層」のＡｌ組成比（５８％）と膜厚（４０ｎｍ）を含むものと理解できる。そして、いわゆる「電子ブロック層」と呼称される層は、Ａｌ組成比が高く（例えば、８０％以上）、膜厚が薄い（例えば、１０ｎｍ以下）層であるとの技術常識を踏まえれば、甲１発明の「電子ブロック層」は、その膜厚とＡｌ組成比からみて、いわゆる「クラッド層」と呼称される層に相当するものと解することが自然といえる。また、Ｍｇがドープされていることを踏まえると、「ｐ型」の層であることは明らかであるから、甲１発明の「電子ブロック層」は、本件発明１の「ｐ型クラッド層」に相当するといえる。 よって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を備えている。 ウ 本件発明１の「前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程、」及び「前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上であり、」の特定事項について 甲１発明の「第２のｐ型コンタクト層」は、本件発明１の「ｐ型コンタクト層」に相当し、甲１発明は、「電子ブロック層」を形成した後に「第２のｐ型コンタクト層」を形成している。また、甲１発明は、「ｐ型コンタクト層（第２のｐ型コンタクト層）の形成温度である１０５０℃まで下げる工程」を備えている。 よって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を備えている。 エ 本件発明１の「前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程と、」の特定事項について 甲１発明では、「第２のｐ型コンタクト層」を形成した後に、ｐ型電極及びｎ型電極が形成され、その後に「５５０℃でコンタクトアニール（ＲＴＡ）」が行われている。そうすると、「第２のｐ型コンタクト層」は、コンタクトアニール（ＲＴＡ）の際に、（電極と同時に）加熱されているということができる。 したがって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を備えている。 オ 本件発明１の「前記活性層は、波長３６０ｎｍ以下の深紫外光を出力するよう構成され、」の特定事項について 甲１発明の「発光層」の発光波長は、「３１０ｎｍ」であるから、本件発明１の上記特定事項を満たしている。 カ 以上より、本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と、 前記活性層上にｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型クラッド層を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程と、を備え、 前記活性層は、波長３６０ｎｍ以下の深紫外光を出力するよう構成され、 前記ｐ型コンタクト層を形成する工程の温度は、９５０℃以上である半導体発光素子の製造方法。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程」を備え、「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上９５０℃以下であり、前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度よりも５０℃以上高い」と特定されるのに対し、甲１発明は、そのような工程を備えるか否か明らかでない点。 （３）判断 ア 甲１発明において相違点１に係る本件発明１の構成に至るためには、（ｉ）甲１発明の「電子ブロック層」が、その上面を露出した状態で加熱される工程を備えるとともに、（ｉｉ）当該「加熱される工程」の温度を「７５０℃以上９５０℃以下」にするといえ、（ｉｉｉ）その温度が、ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度よりも５０℃以上高いように構成すれば足りるものと解される。 そこで、甲１発明において、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の構成を得ることに、当業者が容易に至るかについて、以下に検討する。 イ 上記（ｉ）について、甲１発明は、「電子ブロック層」を形成した後に、「キャリアガスの水素ガスを停止して窒素ガスの供給を開始するとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、成長温度を１３００℃からｐ型コンタクト層（第２のｐ型コンタクト層）の形成温度である１０５０℃まで下げる工程」（以下「窒素ガス供給工程」という。）を備え、「窒素ガスの供給開始から供給停止までの時間は２００秒」と特定されている。そして、「窒素ガス供給工程」では、「III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を停止」しており、窒化物半導体層の成膜は行われていないものと理解できるから、「窒素ガス供給工程」の間において、電子ブロック層は露出した状態であると解される。そうすると、甲１発明の「電子ブロック層」は、「窒素ガス供給工程」の間、「窒素ガス雰囲気」の中で露出した状態で、「１３００℃～１０５０℃の温度」で、「２００秒」の間保持されているものと理解できる。 他方、甲１発明の「窒素ガス供給工程」は、１３００℃から１０５０℃まで、温度を下げる工程（以下「降温工程」という。）であるところ、その時間が「２００秒」であることを踏まえると、「降温工程」は、徐冷（加熱）もしくは急冷（冷却）により制御されるものと理解できるところ、甲第１号証の「素子の寿命を向上させているのは、……、電子ブロック層５１の表面を窒素含有雰囲気下に置いたことによるものであることを見出した」（【００６３】）との記載を踏まえると、甲１発明の「窒素ガス供給工程」は、電子ブロック層の表面を窒素含有雰囲気下に置くことが目的であると理解できるから、上記制御は、当該電子ブロック層の表面を窒素含有雰囲気下に置く時間を確保するために、甲１発明の「窒素ガス供給工程」を、徐々に冷却する工程（徐冷）とすること、すなわち、「加熱」する工程を含むものと理解することが自然といえる。 そうすると、甲１発明は、相違点１の上記（ｉ）に係る「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程」を備えるといえる。 ウ 上記（ｉｉ）について、上記イのとおり、甲１発明の「窒素ガス供給工程」は、本件発明１の「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程」に相当するところ、その温度は、「降温工程」の温度であり、本件発明１の「７５０℃以上９５０℃以下」の温度とは異なっている。そこで、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の温度を「７５０℃以上９５０℃以下」とすることに当業者が容易に至るかについて検討すると、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の温度は、電子ブロック層を形成する温度からｐ型コンタクト層を形成する温度までの温度であるから、その温度を「７５０℃以上９５０℃以下」にするということは、電子ブロック層を形成する温度を「９５０℃以下」とし、ｐ型コンタクト層を形成する温度を「７５０℃以上（９５０℃以下）」にするものと解することができる。 しかしながら、甲第１号証には、「電子ブロック層５１をＡｌｚＧａ１－ｚＮ材料（ｂ＜ｚ≦１）で形成する場合、ＡｌｂＧａ１－ｂＮ材料の成長温度としては、１０００℃以上１４００℃以下が好ましく、１０５０℃以上１３５０℃以下がより好ましい」（【００４７】）と記載されており、「９５０℃以下」との温度は、甲第１号証に記載された電子ブロック層を形成する温度を外れる温度であって、甲１発明において想定された温度とはいえず、電子ブロック層を形成する温度を「９５０℃以下」とする動機もない。また、発明例４に係る甲１発明は、各層のＡｌ組成比などに応じて、それぞれの形成温度がすでに最適化されているから、ｐ型コンタクト層の形成温度が１０５０℃であるものを、７５０℃以上（９５０℃以下）とする動機もない。 したがって、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の温度を、「７５０℃以上９５０℃以下」にすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 エ 小括 以上のとおりであるから、上記（ｉｉｉ）について検討するまでもなく、甲１発明において相違点１に係る本件発明１の構成に至ることは、当業者が容易になし得たこととはいえないものである。 （４）申立人の主張 申立人は、申立人意見書において、甲１発明のｐ型コンタクト層の形成温度を９５０℃とすることは容易であり、この場合、甲１発明の電子ブロック層は、「降温によって９５０℃に達したあとの時間」及び「キャリアガスを再び水素ガスに切り替えている時間」、９５０℃に加熱されている旨主張している。 しかしながら、この場合、甲１発明の電子ブロック層は、「１３００℃から９５０℃までの降温時間」、「降温によって９５０℃に達したあとの時間」及び「キャリアガスを再び水素ガスに切り替えている時間」の間加熱されることになるから、その加熱温度は「１３００℃～９５０℃」と解することが自然といえる。 よって、申立人の主張のとおり、加熱処理が９５０℃の温度で相当の時間行われるとしても、上記のとおり、甲１発明の電子ブロック層を加熱する温度は「１３００℃～９５０℃」であるから、本件発明１の「７５０℃以上９５０℃以下」との温度範囲を満たすものとはならない。また、ｐ型クラッド層を形成した後からｐ型コンタクト層を形成するまでの間のどこかの一部分の時間のみを「ｐ型クラッド層を加熱する工程」と言い得るとしても、上記（３）ウに説示のとおり、発明例４に係る甲１発明は、各層の形成温度がすでに最適化されているのであるから、その主張の前提である、甲１発明の「ｐ型コンタクト層」の形成温度を９５０℃とすることは、容易になし得ることではない。 したがって、上記申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。 （５）本件発明１についての小括 以上より、本件発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２について （１）対比（一致点及び相違点） 上記１（２）ア～ウ及びオを踏まえ、本件発明２と甲１発明を、以下に対比する。 ア 本件発明２の「前記ｐ型コンタクト層を第２温度に設定して加熱する工程と、」の特定事項について 甲１発明では、「第２のｐ型コンタクト層」を形成した後に、ｐ型電極及びｎ型電極が形成され、その後に「５５０℃でコンタクトアニール（ＲＴＡ）」が行われている。そうすると、「第２のｐ型コンタクト層」は、コンタクトアニール（ＲＴＡ）の際に、第２温度（５５０℃）に設定して、（電極と同時に）加熱されているということができる。 よって、甲１発明は、本件発明２の上記特定事項を備えている。 イ 以上より、本件発明２と甲１発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と、 前記活性層上にｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料のｐ型クラッド層を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記ｐ型コンタクト層を第２温度に設定して加熱する工程と、を備え、 前記活性層は、波長３６０ｎｍ以下の深紫外光を出力するよう構成される半導体発光素子の製造方法。」 ＜相違点２＞ 本件発明２は、「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を第１温度に設定して５分以上加熱する工程」を備え、「前記第１温度は、前記第２温度より高く」と特定されるのに対し、甲１発明は、そのような工程を備えるか否か明らかでない点。 ＜相違点３＞ 「ｐ型クラッド層の水素濃度」について、本件発明２は、「前記ｐ型クラッド層は、前記ｐ型クラッド層を加熱する工程後の水素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下である」と特定するのに対し、甲１発明では不明である点。 （２）判断 ア 相違点２について 甲１発明において相違点２に係る本件発明２の構成に至るためには、（ｉ）甲１発明の「電子ブロック層」が、その上面を露出した状態で加熱される工程を備えるとともに、（ｉｉ）当該「加熱される工程」を「第１温度に設定して５分以上」にするといえ、（ｉｉｉ）その温度が、ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度（第２温度）よりも高くすれば足りるものと解される。 そこで、甲１発明において、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の構成を得ることに、当業者が容易に至るかについて、以下に検討する。 イ 上記（ｉ）について、上記１（３）イのとおり、甲１発明は、本件発明２の上記（ｉ）に係る「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程」を備えるといえる。 ウ 上記（ｉｉ）について、上記イのとおり、甲１発明の「窒素ガス供給工程」は、本件発明２の「前記ｐ型クラッド層上が露出した状態で前記ｐ型クラッド層を加熱する工程」に相当するといえるところ、その温度は、「降温工程」の温度であり、本件発明２の「第１温度に設定して５分以上」にするものとは異なっている。 そこで、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の温度を、（ｉｉ－１）「第１温度に設定して５分以上」とし得るか、（ｉｉ－２）「第１温度に設定して５分以上」とする工程を含むものとし得るか、又は（ｉｉ－３）甲１発明の「窒素ガス供給工程」以外に「加熱される工程」を備え得るかについて検討すると、先ず、（ｉｉ－１）について、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の温度を、「第１温度に設定して５分以上」とその温度が下がらない構成に変更するということは、電子ブロック層を形成する温度とｐ型コンタクト層を形成する温度を同じ温度に設定することと解される。しかしながら、甲１発明は、発明例４に係るものであり、各層の形成温度など、すでに最適化されたものであるから、そのように構成を変更する動機はない。 次に、（ｉｉ－２）について、当該「窒素ガス供給工程」は、「降温工程」であるから、降温工程の途中に「５分以上」「一定の温度」に保つことは、通常は行われないことであると共に、そのように構成を変更する動機もない。 そして、（ｉｉ－３）について、甲１発明では、「窒素ガスを停止して水素ガスへキャリアガスを切り替えるとともに、III族元素ガスおよびドーパントガスの供給を再開して第２のｐ型コンタクト層の形成を開始し」ており、当該「窒素ガスを停止して水素ガスへキャリアガスを切り替える」間の時間（以下「水素ガス切り替え時間」という。）は、ｐ型コンタクト層の形成温度（１０５０℃）に、所定の時間保たれていると解することが自然であるから、「水素ガス切り替え時間」が「５分以上」であるか、「５分以上」に変更し得るとすれば、当該（ｉｉ－３）は満たされ得るものである。 ここで、上記のとおり「水素ガス切り替え時間」は、窒素ガスを停止して水素ガスへキャリアガスを切り替える間の時間であるから、甲１発明の「窒素ガス供給工程」における「水素ガスを停止して窒素ガスへキャリアガスを切り替える間の時間」と同程度の時間と解すことが自然といえるところ、甲１発明の「窒素ガス供給工程」の時間は「２００秒」であり、甲１号証の記載「窒素キャリアガス供給工程における窒素ガスの供給から停止までの時間は、少なくとも炉内に滞留する水素を追い出すまでの時間を含めることが好ましく、炉内のサイズにも拠るが、例えば、３０秒以上６００秒以下とすることが好ましい」（【００６７】）を参酌すると、当該「２００秒」には、「炉内に滞留する水素を追い出すまでの時間」が含まれているものと解され、その時間は、少なくとも２００秒（３分２０秒）以下と理解することできる。そうすると、上記のとおり、「水素ガス切り替え時間」も、同程度の時間であると解することが自然であるから、甲１発明の「水素ガス切り替え時間」は、少なくとも２００秒（３分２０秒）以下と解され、「５分以上」ではなく、「５分以上」に変更する動機もない。 したがって、上記（ｉｉ－３）の事項は、甲１発明において満たされておらず、そのように変更する動機もないものである。 また、III族窒化物半導体のｐ型層に対する熱処理が、甲第２号証～甲第６号証に記載のとおり周知技術（技術常識）であるとしても、甲１発明では、「窒素ガス供給工程」の時間を制御することにより、キャリア密度向上及び結晶性の良好な界面を得ている（【００５３】・【００６７】参照）のであって、その構成に鑑みれば、すでに熱処理が行われているものと解されることから、甲１発明において、さらに「第１温度に設定して５分以上」の熱処理を行うように、その構成を変更する動機はないものである。 よって、甲１発明を、上記（ｉｉ）の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。 エ 小括 以上のとおりであるから、上記（ｉｉｉ）について検討するまでもなく、甲１発明において相違点２に係る本件発明２の構成に至ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （３）申立人の主張 申立人は、申立人意見書において、次の事項を主張している。 ア 甲１発明における降温は、「第１温度」として適宜設定しているものといえ、「第１温度に設定」すると規定することは、徐々に冷却する工程（徐冷）における温度設定を排除するとはいえず、仮に「第１温度」が一定の温度を指すとしても、第１温度に設定して５分以上加熱することは、当業者が容易になし得たことであること。 イ 甲１発明の「窒素ガス供給工程」において、甲１発明のｐ型コンタクト層の形成温度を本件発明２の「第１温度」とすれば、電子ブロック層の形成温度からｐ型コンタクト層の形成温度（第１温度）に達した後、キャリアガスを再び水素ガスに切り替えている時間は、一定の温度（第１温度）に保たれていること。 しかしながら、次のとおりであるから、上記申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。 上記アについて、「第１温度に設定する」と特定する場合は、通常「一定の温度」と解することが自然であるから、甲１発明の「窒素ガス供給工程」は、「第１温度に設定する」ものとはいえない。そして、「第１温度」を「一定の温度」と解することは、本件明細書の記載「ｐ型クラッド層３０を加熱する第１温度は、ｐ型クラッド層３０の成長温度より低く設定され、例えば、７５０℃～９５０℃の温度が設定される。第１温度は、例えば、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃または９５０℃であってもよい」（【００３３】）にも沿うものである。また、当業者が容易になし得たこととの主張については、上記（２）ウに説示のとおりである。 上記イについて、上記（２）ウで説示のとおり、キャリアガスを再び水素ガスに切り替えている時間が、一定の温度（第１温度）に保たれているとしても、甲１発明におけるその時間は、「５分以上」とはいえず、その時間を「５分以上」とする動機もない。 （４）本件発明２についての小括 以上より、相違点３について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明３～６について 本件発明３は、甲１発明との間に相違点２を含むものであるから、上記２と同様の理由により、甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、本件発明４～６は、いずれも、甲１発明との間に相違点１を含むものであるから、上記１と同様の理由により、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第６ 取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立ての理由について １ 特許法第２９条第１項第３号に規定する要件について 申立人は、特許異議申立書において、請求項１、４～６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明である旨を主張している。 しかしながら、請求項１の「ｐ型クラッド層を加熱する工程」について、甲第１号証に記載された発明は、当該構成を備えるとまでいえないから、請求項１、４～６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではない。 ２ 特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について 申立人は、特許異議申立書において、請求項１に記載の「ｐ型クラッド層を加熱する工程」及び「ｐ型コンタクト層を加熱する工程」は、一定温度の保持についての記載がなく、温度上限、処理時間及び雰囲気について限定されておらず、請求項１～６に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない旨を主張している。 しかしながら、本件発明１には「前記ｐ型クラッド層を加熱する工程の温度は、７５０℃以上９５０℃以下であり、前記ｐ型コンタクト層を加熱する工程の温度よりも５０℃以上高いこと」と記載されており、ｐ型クラッド層の水素濃度を低減するとの作用が、加熱温度によるものであることは明らかといえる。よって、請求項１に記載された「ｐ型クラッド層を加熱する温度」の特定により課題を解決し得ること、すなわち「ｐ型クラッド層の水素濃度を低減する」との事項を認識することはできるといえる。 したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものである。また、同様の記載を有する請求項２及び請求項１又は請求項２を直接的又は間接的に引用する請求項３～６についても同様である。 ３ 特許法第３６条第６項第２号に規定する要件について 申立人は、特許異議申立書において、請求項１及び請求項２には、「ｐ型クラッド層を加熱する工程」及び「ｐ型コンタクト層を加熱する工程」と記載されているところ、「加熱する工程」では、如何なる態様の熱処理を包含するか、一義的に明らかであるということはできないから、請求項１～６に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨を主張している。 しかしながら、「加熱」との文言に照らせば、熱を加えている状態を示していると解することが自然であり、そのような態様を包含するものと理解できる。 したがって、請求項１に係る発明は、明確である。また、同様の記載を有する請求項２及び請求項１又は請求項２を直接的又は間接的に引用する請求項３～６についても同様である。 ４ 特許法第３６条第４項第１号に規定する要件について 申立人は、特許異議申立書において、請求項２には、「前記ｐ型クラッド層は、前記ｐ型クラッド層を加熱する工程後の水素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下である」と記載されているところ、発明の詳細な説明に、加熱温度、処理時間及び雰囲気など操作条件の記載がなく、どのような操作条件で、上記水素濃度が得られるのか不明であるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項２～６の発明を実施することができる程度に記載されていない旨を主張している。 しかしながら、「５×１０１８／ｃｍ３」との水素濃度の値に照らせば、具体的な操作条件が記載されていないとしても、当業者であれば、過度の試行錯誤を行うことなく、「水素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下」となる工程を実施し得るものといえる。 したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項２～６の発明を実施することができる程度に記載されているといえる。 第７ むすび 以上によれば、本件発明１～６に係る特許は、取消理由通知書に係る取消理由及び特許異議申立理由のいずれによっても取り消すことはできない。そして、他に本件発明１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。