2021-700691

特許第６８１４９０２号発明「半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８１４９０２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕、〔７，８〕について訂正することを認める。 特許第６８１４９０２号の請求項１～８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８１４９０２号（以下「本件特許」という。）の請求項１～８に係る出願は、令和２年４月２４日に出願され、令和２年１２月２３日にその特許権の設定登録がされ、令和３年１月２０日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和３年 ７月１９日 ：特許異議申立人小林喜一（以下「申立人」 という。）による請求項１～８に係る特許 に対する特許異議の申立て 令和４年 ２月２１日付け：取消理由通知書（以下「第１次取消理由通 知書」といい、この通知書に係る取消理由 を「第１次取消理由」という。） 令和４年 ４月１９日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以 下、この訂正請求書による訂正を「第１次 訂正」という。）の提出 令和４年 ６月 ７日 ：申立人による意見書の提出 令和４年 ９月２６日付け：取消理由通知書（決定の予告）（以下「第 ２次取消理由通知書」といい、この通知書 に係る取消理由を「第２次取消理由」とい う。） 令和４年１１月１５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以 下、この訂正請求書による訂正を「第２次 訂正」という。）の提出 令和４年１２月 ５日付け：第２次訂正に係る請求があった旨の通知 令和５年 ３月１３日付け：取消理由通知書（決定の予告）（以下「第 ３次取消理由通知書」といい、この通知書 に係る取消理由を「第３次取消理由」とい う。） 令和５年 ４月２７日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以 下、この訂正請求書による訂正を「本件訂 正」という。）の提出 なお、本件訂正に係る訂正の請求によって、第２次訂正に係る訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなされた。 また、本件訂正後の請求項１及び７（独立項であって、他に独立項はない。）は、後記のとおり、第２次訂正後の請求項１及び７のそれぞれをさらに減縮するものであるところ、第２次訂正に関して、申立人は、意見書を提出する機会が与えられたにもかかわらず、提出しなかったことから、当審は、特許法第１２０条の５第５項ただし書の規定に基づき、申立人に対し、本件訂正に関して、意見書を提出する機会を与えないこととした。 第２ 訂正の適否 １ 本件訂正の内容 本件訂正の内容は、次のとおりである（下線部が訂正箇所である）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１～６〕、〔７，８〕について請求されたものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層と、」とあるのを、「前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）と、前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層と、」に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項７に「前記活性層上に、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層を形成する工程と、前記ｐ型クラッド層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層を形成する工程と、」とあるのを、「前記活性層上に、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）を形成する工程と、前記ｐ型クラッド層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層を形成する工程と、」に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、「前記ｐ型クラッド層」について、「（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）」という事項を追加することにより、ｐ型クラッド層がコドープ領域層を有する場合を除外し、さらに限定するもの（以下「訂正事項１－１」という。）であり、かつ、「ｐ型コンタクト層」の「ｐ型ドーパント濃度」を、「８×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下」から「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」に限定するもの（以下「訂正事項１－２」という。）であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）訂正事項１－１について 訂正事項１－１により、「前記ｐ型クラッド層」は、「ｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合」が除外されたことになる。しかるに、「前記ｐ型クラッド層」は、「ｐ型」である以上、ｐ型不純物を含む一方で、ｎ型不純物を含まないように構成することが通常であるし、本件特許の願書に添付した特許登録時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）にも、「前記ｐ型クラッド層」がｎ型不純物をも含むように構成されることの記載はない。そうすると、訂正事項１－１によって、新たな技術的事項が導入されることはないというべきである。 したがって、訂正事項１－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 （イ）訂正事項１－２について 本件明細書等の段落【００３４】には「第１ｐ型コンタクト層３６のｐ型ドーパント濃度は、８×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下の範囲であり、好ましくは１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下の範囲である。」と記載されることから、訂正事項１－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）まとめ 上記（ア）及び（イ）から、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項１の小括 よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、請求項１に係る半導体発光素子の製造方法である請求項７において、訂正事項１と同じ訂正を行うものである。 そうすると、訂正事項１と同様に、訂正事項２は、訂正要件をみたす。 （３）小括 よって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 なお、訂正後の請求項１～８は、特許異議の申立てがなされた請求項であるから、当該各請求項についての訂正には、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 訂正の適否についての判断の小括 以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たす。 よって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～８について訂正することを認める。 第３ 本件訂正発明 本件訂正後の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ、「本件訂正発明１」～「本件訂正発明８」という。）は、次のとおりのものである。 【本件訂正発明１】 ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型クラッド層と、 前記ｎ型クラッド層上に設けられ、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層と、 前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）と、 前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層と、 前記第１ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層と、 前記第２ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、前記第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０－２Ω・ｃｍ２以下であるｐ側電極と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 【本件訂正発明２】 前記第２ｐ型コンタクト層は、１×１０２０／ｃｍ３以上２×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。 【本件訂正発明３】 前記第２ｐ型コンタクト層は、１１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。 【本件訂正発明４】 前記第１ｐ型コンタクト層の厚さは、７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 【本件訂正発明５】 前記ｐ型クラッド層は、ＡｌＮ比率が６０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 【本件訂正発明６】 前記第１ｐ型コンタクト層および前記第２ｐ型コンタクト層は、ｐ型ＧａＮから構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 【本件訂正発明７】 ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型半導体層上に、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層を形成する工程と、 前記活性層上に、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記第１ｐ型コンタクト層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記第２ｐ型コンタクト層上に接触するように、前記第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０－２Ω・ｃｍ２以下であるｐ側電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 【本件訂正発明８】 前記第２ｐ型コンタクト層の成長レートは、前記第１ｐ型コンタクト層の成長レートの２０％以上６０％以下であることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法。 第４ 取消理由の概要及び申立人が提出した証拠 １ 第３次取消理由通知書（決定の予告）により特許権者に通知した第３次取消理由の要旨は、以下のとおりである。 （１）（新規性欠如）第２次訂正後の請求項１、２、４～８に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ｅ又はＦであって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）（進歩性欠如）第２次訂正後の請求項１～８に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ｅ又はＦに基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 第２次取消理由通知書（決定の予告）により特許権者に通知した第２次取消理由の要旨は、以下のとおりである。 （進歩性欠如）第１次訂正後の請求項１～４、６～８に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ｃ又はＤに基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 第１次取消理由通知書により特許権者に通知した第１次取消理由の要旨は、以下のとおりである。 （１）（新規性欠如）本件特許の登録時の請求項１，２，４～７に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ａ又はＢであって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）（進歩性欠如）本件特許の登録時の請求項１、２，４～７に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ａ又はＢに基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、また、本件特許の登録時の請求項１～８に係る発明は、出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証に記載された後記の甲１発明Ｃ又はＤ．に基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ４ 申立人が提出した証拠は、以下のとおりである。 以下、「甲第１号証」～「甲第７号証」を「甲１」～「甲７」という。 甲１：特開２０２０－ ５７７８４号公報 甲２：特開２０１５－１６７１７７号公報 甲３：特開２００７－２２７８３２号公報 甲４：特開２００７－２５８２４８号公報 甲５：特開２００５－２０９７３３号公報 甲６：特開２０１９－１９２９０８号公報 甲７：特開２０００－１６４９２２号公報 ５ なお、第１次取消理由、第２次取消理由（決定の予告）及び第３次取消理由（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立理由はない。 第５ 第３次取消理由についての当審の判断 １ 甲１に記載された発明Ｅ及びＦ （１）甲１には、実施例３においてｐ型電子ブロック層にＳｉをドーピングしなかったものに対応する比較例５に記載された半導体発光素子に係る次の発明（以下「甲１発明Ｅ」という。） が記載されていると認められる。 なお、参考までに、各証拠に記載された発明等の認定に用いた当該証拠中の記載等に係る箇所を括弧内に付している（以下、同じ）。 （甲１発明Ｅ） 「発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子において、（請求項１、【００７１】） Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなるｎ型層と、（【００６５】） ｎ型層上の、Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層と、交互に２層ずつ形成したＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層およびＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層と、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層とからなる発光層と、（【００６６】、【００２４】） Ａｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎからなり、Ｍｇをドープした厚さ２０ｎｍのｐ型電子ブロック層と、（【００８０】、【００６８】、【００７４】、【００８７】） ｐ型コンタクト層とを、この順に備え、（【００６９】） 前記ｐ型コンタクト層は、ｐ型電子ブロック層上に直接設けられるとともに、（【００６９】、【００６８】） ｐ型電子ブロック層側の、ＧａＮからなり厚さ８７５（＝９００－２５）ｎｍでありＭｇ濃度は平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるｐ型層と、（【００７４】、【００６９】） 電極に接する、ＧａＮからなり厚さ２５ｎｍでありＭｇ濃度は平均で１．２×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３である高Ｍｇ濃度の層とからなり、（【００６９】） ｐ型コンタクト層の高Ｍｇ濃度の層の上に、直接、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を備えている、（【００７０】、【００６９】） III族窒化物半導体発光素子。」 （２）また、甲第１号証には、比較例５に記載された半導体発光素子の製造方法に係る次の発明（以下「甲１発明Ｆ」という。）が記載されていると認められる。 （甲１発明Ｆ） 「発光波長が２００ｎｍ～５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、（請求項６） Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなるｎ型層を形成する工程と、（【００６５】） Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層と、交互に２層ずつ形成したＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層およびＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層からなる発光層を形成する工程と、（【００６６】、【００２４】） Ａｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎからなり、Ｍｇをドープした厚さ２０ｎｍのｐ型電子ブロック層を形成する工程と、（【００８０】、【００６８】、【００７４】、【００８７】） ｐ型コンタクト層を形成する工程とを、この順に備え、（【００６９】） 前記ｐ型コンタクト層を形成する工程は、ｐ型コンタクト層をｐ型電子ブロック層上に直接設け、（【００６９】、【００６８】） ｐ型電子ブロック層側の、ＧａＮからなり厚さ８７５（＝９００－２５）ｎｍでありＭｇ濃度は平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるｐ型層を形成する工程と、（【００７４】、【００６９】） 電極に接する、ＧａＮからなり厚さ２５ｎｍでありＭｇ濃度は平均で１．２×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３である高Ｍｇ濃度の層を形成する工程であって、ＴＭＧガスの流量を減らしてＭｇの存在確率を上げ、かつ、成長速度を落とすことにより高Ｍｇ濃度の層を形成する工程とからなり、（【００６９】） さらに、ｐ型コンタクト層の高Ｍｇ濃度の層の上に、直接、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を形成する工程を備える（【００７０】、【００６９】） III族窒化物半導体発光素子の製造方法。（請求項６）」 ２ 本件訂正発明１～８の新規性欠如及び進歩性欠如 （１）本件訂正発明１ ア 甲１発明Ｅとの対比 本件訂正発明１と甲１発明Ｅを対比する。 （ア）「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型クラッド層と、」について 甲１発明Ｅの「Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなるｎ型層」は、井戸層がＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎであることに鑑み、そのＡｌ比率からみていわゆる「クラッド層」が備える機能を奏すると理解できる。したがって、甲１発明Ｅの「Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなるｎ型層」は本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型クラッド層」に相当する。 （イ）「前記ｎ型クラッド層上に設けられ、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層と、」について 甲１発明Ｅでは、「ｎ型層の上に、Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層と、交互に２層ずつ形成したＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層およびＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層からなる発光層」が設けられており、また、半導体発光素子の発光 について「発光波長が２００ｎｍ－３５０ｎｍ」とあり井戸層のＡｌ組成比（０．４５）からして「波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光」を発光しているといえるから、甲１発明Ｅの「ｎ型層の上の、Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層と、交互に２層ずつ形成したＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層およびＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる井戸層からなる発光層」は、本件訂正発明１の「前記ｎ型クラッド層上に設けられ、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層」に相当する。 （ウ）「前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）と、」について 甲１発明Ｅの「Ａｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎからなり、Ｍｇをドープした厚さ２０ｎｍのｐ型電子ブロック層」は、井戸層がＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎであることに鑑み、そのＡｌ比率からみていわゆる「クラッド層」が備える機能を奏すると理解できる。このことは、甲第１号証の【００３２】に「ｐ型クラッド層２８は、ＡｌＮのモル分率が５０％以上であり、好ましくは、６０％以上または７０％以上となるように形成される。ｐ型クラッド層２８は、１０ｎｍ～１００ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、１５ｎｍ～７０ｎｍ程度の厚さを有する。」とあり、甲１発明Ｅのｐ型電子ブロック層は、これらの条件を満たすことからも首肯できる。また、甲１発明Ｅは、「発光層と・・・ｐ型電子ブロック層とを、この順に備え」るものである。 そして、甲１発明Ｅでは、ｐ型電子ブロック層にＳｉをドーピングしておらずコドープ層を有していない。 とすると、甲１発明Ｅの上記「ｐ型電子ブロック層」は、本件訂正発明１の「前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）」に相当する。 （エ）「前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層と、」について ａ 甲１発明Ｅの「ｐ型コンタクト層は、ｐ型電子ブロック層上に直接設けられ」ていることは、本件訂正発明１の第１ｐ型コンタクト層が「前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ」ていることに相当する。さらに、甲１発明Ｅのｐ型電子ブロック層上に直接設けられている「ＧａＮからなり厚さ８７５（＝９００－２５）ｎｍであ」「るｐ型層」は、本件訂正発明１の「ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され」た「５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層」に相当する。 ｂ III族窒化物半導体発光素子においてＭｇは通常ｐ型ドーパントとして用いられていることを踏まえると、甲１発明Ｅにおける「Ｍｇ濃度」は本件訂正発明１の「ｐ型ドーパント濃度」といえるところ、甲１発明Ｅはｐ型層の「ｐ型ドーパント濃度」について、「所定のｐ型ドーパント濃度」を有する点で本件訂正発明１と共通するものの、当該「所定のドーパント濃度」が本件訂正発明１では「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」であるのに対して、甲１発明Ｅは「平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である」点で相違する。 （オ）「前記第１ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層と、」について 甲１発明Ｅの「ｐ型電子ブロック層側の、ＧａＮからなり厚さ８７５（＝９００－２５）ｎｍでありＭｇ濃度は平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるｐ型層と、電極に接する、ＧａＮからなり厚さ２５ｎｍでありＭｇ濃度は平均で１．２×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３である高Ｍｇ濃度の層からなり、さらに、ｐ型コンタクト層の高Ｍｇ濃度の層の上に、直接、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を備えて」いるｐ型コンタクト層の内の高Ｍｇ濃度部分は、ｐ型層部分に接していることから、本件訂正発明１の「前記第１ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層」に相当する。 （カ）「前記第２ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、前記第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０-２Ω・ｃｍ２以下であるｐ側電極と、を備える」「半導体発光素子。」について 甲１発明Ｅの「III族窒化物半導体発光素子」は、本件訂正発明１の「半導体発光素子」に相当する。 一方、甲１発明Ｅの「ｐ型コンタクト層の高Ｍｇ濃度の層の上に、直接、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を備えており」は、本件訂正発明１の「前記第２ｐ型コンタクト層上に接触して設けられたｐ側電極」に相当するものの、「第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０-２Ω・ｃｍ２以下である」点は、甲１発明Ｅには特定されていない。 （キ）一致点及び相違点の認定 上記（ア）～（カ）を総合すると、本件訂正発明１と甲１発明Ｅは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型クラッド層と、 前記ｎ型クラッド層上に設けられ、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層と、 前記活性層上に設けられ、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）と、 前記ｐ型クラッド層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、所定のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層と、 前記第１ｐ型コンタクト層上に接触して設けられ、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層と、 前記第２ｐ型コンタクト層上に接触して設けられたｐ側電極と、 を備える半導体発光素子。 ＜相違点１＞ 第１ｐ型コンタクト層の「所定のｐ型ドーパント濃度」について、本件訂正発明１では「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明Ｅでは「平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である」点。 ＜相違点２＞ 本件訂正発明１では「第１ｐ型コンタクト層」のｐ型ドーパント濃度が「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」であり、「第２ｐ型コンタクト層」のｐ型ドーパント濃度が「８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明Ｅでは「ｐ型コンタクト層７０全体の平均不純物濃度は、ｐ型として機能することのできる不純物濃度であれば特に限定されず、例えば１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることができ」るものであり、Ｍｇ高濃度領域のＭｇ濃度が「３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」である点。 ＜相違点３＞ 「ｐ側電極」が、本件訂正発明１では「第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０－２Ω・ｃｍ２以下である」のに対し、甲１発明Ｅでは不明である点。 イ 判断 （ア）相違点１について 甲１発明Ｅにおいて相違点１に係る本件訂正発明１の構成に至るためには、Ｍｇ濃度が平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるｐ型層において、前記Ｍｇ濃度を低く「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」の範囲内とすること、を少なくとも要するといえる。 しかしながら、甲１発明Ｅにおける「ｐ型層」は「ｐ型コンタクト層」の「電子ブロック層側」の層、すなわち「ｐ型コンタクト層」の一部であるところ、半導体発光素子におけるｐ型コンタクト層を高濃度の不純物を添加した層で構成することが技術常識であることを踏まえると、そのようなｐ型コンタクト層において不純物濃度をあえて低くする動機付けは見いだせない。 さらに、甲２～７に記載された技術的事項をみても、上記判断が左右されることはない。 したがって、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明Ｅ及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （イ）小括 よって、本件訂正発明１は、甲１発明Ｅではないし、また、相違点２及び３について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１発明Ｅ及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （２）本件訂正発明２～６について 本件訂正発明２～６は、本件訂正発明１をさらに減縮したものであるから、本件訂正発明１についての上記判断と同様の理由により、本件訂正発明１は、甲１発明Ｅではないし、また、甲１発明Ｅ及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （３）本件訂正発明７について ア 甲１発明７との対比 本件訂正発明７は、本件訂正発明１を製造方法的に表現したものに相当するから、甲１発明Ｅを製造方法的に表現したものに相当する甲１発明Ｆとの対比は、上記（１）と同様に行うことができ、その結果、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体材料から構成されるｎ型半導体層上に、波長２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の深紫外光を発するようにＡｌＧａＮ系半導体材料から構成される活性層を形成する工程と、 前記活性層上に、ＡｌＮ比率が５０％以上であるｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＡｌＮ系半導体材料から構成されるｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）を形成する工程と、 前記ｐ型クラッド層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、所定のｐ型ドーパント濃度を有し、５００ｎｍより大きい厚さを有する第１ｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記第１ｐ型コンタクト層上に接触するように、ＡｌＮ比率が５％以下のｐ型ＡｌＧａＮ系半導体材料またはｐ型ＧａＮ系半導体材料から構成され、８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下のｐ型ドーパント濃度を有し、８ｎｍ以上２８ｎｍ以下の厚さを有する第２ｐ型コンタクト層を形成する工程と、 前記第２ｐ型コンタクト層上に接触するように、ｐ側電極を形成する工程と、 を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」 ＜相違点４＞ 第１ｐ型コンタクト層の「所定のｐ型ドーパント濃度」について、本件訂正発明７では「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明Ｆでは「平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である」点。 ＜相違点５＞ 本件訂正発明７では「第１ｐ型コンタクト層」のｐ型ドーパント濃度が「１×１０１９／ｃｍ３以上２×１０１９／ｃｍ３以下」であり、「第２ｐ型コンタクト層」のｐ型ドーパント濃度が「８×１０１９／ｃｍ３以上４×１０２０／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明Ｆでは「ｐ型コンタクト層７０全体の平均不純物濃度は、ｐ型として機能することのできる不純物濃度であれば特に限定されず、例えば１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることができ」るものであり、Ｍｇ高濃度領域のＭｇ濃度が「３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」である点。 ＜相違点６＞ 「ｐ側電極」が、本件訂正発明７では「第２ｐ型コンタクト層に対するコンタクト抵抗が１×１０－２Ω・ｃｍ２以下である」のに対し、甲１発明Ｆでは不明である点。 イ 判断 相違点４は相違点１と実質的に同じものであるから、本件訂正発明１と同様の議論が成り立つ。 したがって、本件訂正発明７は、甲１発明Ｆではないし、また、相違点５及び６について検討するまでもなく、本件訂正発明７は、甲１発明Ｆ及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （４）本件訂正発明８について 本件訂正発明８は、本件訂正発明７をさらに減縮したものであるから、本件訂正発明７についての上記判断と同様の理由により、本件訂正発明８は、甲１発明Ｆではないし、また、甲１発明Ｆ及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 ３ まとめ 上記２によれば、本件訂正発明１～８についての特許は、第３次取消理由によって、取り消すことができないものである。 第６ 第１次取消理由及び第２次取消理由についての当審の判断 １ 第１次取消理由及び第２次取消理由で認定された甲１に記載された発明 第１次取消理由において認定された甲１に記載された発明のうち、甲１発明Ａ及びＣは、いずれも、ｐ型電子ブロック層にコドープ領域層を含む半導体発光素子に関するものであり、甲１発明Ｂ及びＤは、それぞれ、甲１発明Ａ及びＣに係る半導体発光素子の製造方法に関するものである。 そして、第２次取消理由において認定された発明は、上記のうち、甲１発明Ｃと甲１発明Ｄである。 ２ 本件訂正発明１～８の新規性欠如及び進歩性欠如 本件訂正発明１は、「ｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）」との特定事項を有するものであるところ、甲１発明Ａ及びＣは、コドープ領域層を有することによりｐ型コンタクト層からのＭｇの活性層へ拡散を抑制することで発光出力の経時変化を抑制する課題を解決するものであることに鑑みると、甲１発明Ａ及びＣから出発した当業者が、前記コドープ領域層を削除することには阻害要因がある。 本件訂正発明１に従属する本件訂正発明２～６についても同様である。また、製造方法に係る本件訂正発明７及び８についても、「ｐ型クラッド層（ただし、前記ｐ型クラッド層がｐ型不純物およびｎ型不純物の双方を含むコドープ領域層を有する場合を除く）」との特定事項を有しているから、同様である。 そして、甲１には、比較例に係る甲１発明Ｅ及びＦについての記載を除き、コドープ領域層を設けることに係る発明が記載されているから、甲１の他の記載をみても、上記判断が左右されることはない。甲２～７に記載された技術的事項をみても同様である。 よって、本件訂正発明１～８は、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明及び甲２～７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 ３ まとめ 上記２によれば、本件訂正発明１～８についての特許は、第１次取消理由及び第２次取消理由によって、取り消すことができないものである。 第７ むすび 以上によれば、本件訂正発明１～８についての特許は、第１次～第３次取消理由通知書に係る取消理由（特許異議申立理由）のいずれによっても取り消すことはできない。 そして、他に本件訂正発明１～８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。