2021-700074

特許第６７２７１８６号発明「窒化物半導体素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７２７１８６号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１，２］について訂正することを認める。 特許第６７２７１８６号の請求項１に係る特許を維持する。 特許第６７２７１８６号の請求項２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７２７１８６号（以下「本件特許」という。）の請求項１及び２に係る特許についての出願は、平成２９年１２月２８日に出願され、令和２年７月２日にその特許権の設定登録がされ、令和２年７月２２日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ３年 １月２１日 ：特許異議申立人小林喜一（以下「申立人」という。）による請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ３年 ５月１４日付け：取消理由通知書 令和 ３年 ６月２２日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正を「本件訂正」という。）の提出 なお、当審は、特許法１２０条の５第５項の規定に基づき、申立人に対して相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人は、指定期間内に意見書を提出しなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正の内容は以下のとおりである（下線は特許権者が付したものである。）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項［１，２］に対して請求されている。また、明細書に係る訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項［１，２］について請求されたものである。 （１）訂正事項１ 請求項１に、 「前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が６０％以上７０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４６０（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する」 と記載されているのを、 「前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する」 に訂正する。 （２）訂正事項２ 請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）【０００７】に、 「本発明は、上記課題を解決することを目的として、基板上にＡｌＮ層を形成する工程と、前記ＡｌＮ層上に、前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有するｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程と、を含む備える窒化物半導体素子の製造方法であって、前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程は、結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下となるように前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成し、前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が６０％以上７０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４６０（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する、窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法を提供する。」 と記載されているのを、 「本発明は、上記課題を解決することを目的として、基板上にＡｌＮ層を形成する工程と、前記ＡｌＮ層上に、前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有するｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程と、を備える窒化物半導体素子の製造方法であって、前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程は、結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下となるように前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成し、前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する、窒化物半導体素子の製造方法を提供する。」 に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の請求項１においては、「前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が６０％以上７０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４６０（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する」の記載のとおり、「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比」について、「６０％以上７０％未満の場合」、「５０％以上６０％未満の場合」及び「４０％以上５０％未満の場合」の３類型が特定されていたのを、「６０％以上７０％未満の場合」の類型に係る「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が６０％以上７０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４６０（ａｒｃｓｅｃ）未満」となるとの記載を削除して、「５０％以上６０％未満の場合」及び「４０％以上５０％未満の場合」の２類型が特定されるように限定すること。 （ｉｉ）上記（ｉ）の訂正に伴い、本件訂正前の請求項１の「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり」との記載における「前記ＡｌＮミックス値」の「前記」が指し示す記載が削除された結果、当該「前記ＡｌＮミックス値」の記載が明瞭でなくなったのを、「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」と訂正することで明瞭にすること。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮及び同第３号の明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 上記ア（ｉ）の訂正については、選択肢の一つを削除するにすぎないものであって、このことにより新たな技術的事項が導入されることはない。 上記ア（ｉｉ）の訂正については、本件訂正前の請求項１に「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」と記載されている。 よって、訂正事項１は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 小括 よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、請求項２を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２を削除するものであるから、このことにより新たな技術的事項が導入されることはなく、よって、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 小括 よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。 （２）訂正事項３について ア 訂正の目的 訂正事項３は、次の内容からなるものである（下線は当審が付した。以下同じ。）。 （ｉ）本件明細書等【０００７】の「・・・を含む備える窒化物半導体素子の製造方法であって、・・・」の記載に明らかな誤記があったのを、「・・・を備える窒化物半導体素子の製造方法であって、・・・」としてその誤記を訂正すること。 （ｉｉ）訂正事項１に伴い、本件明細書等【０００７】の記載が、本件訂正後の請求項１の記載と不整合になったのを、整合させるように訂正して明瞭にすること。 （ｉｉｉ）本件明細書等【０００７】の「・・・窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法を提供する。」の記載が、本件訂正後の特許請求の範囲の記載と不整合であったのを、「窒化物半導体素子及び」を削除することにより整合させて明瞭にすること。 よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮、同２号の誤記の訂正及び同第３号の明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 上記ア（ｉ）の訂正については、本件訂正前の請求項１には、「・・・を備える窒化物半導体素子の製造方法であって、」と記載されている。 上記ア（ｉｉ）の訂正については、上記（１）イと同様の理由が成り立つ。 上記ア（ｉｉｉ）の訂正については、選択肢の一方を削除するにすぎないものであって、このことにより新たな技術的事項が導入されることはない。 よって、訂正事項３は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 小括 よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。 ３ 訂正の適否の小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１，２〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正発明 本件訂正は、上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１及び２に係る発明（以下「本件訂正発明１」及び「本件訂正発明２」といい、これらを総称して「本件訂正発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 ［本件訂正発明１］ 「基板上にＡｌＮ層を形成する工程と、 前記ＡｌＮ層上に、前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有するｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程と、 を備える窒化物半導体素子の製造方法であって、 前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程は、結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下となるように前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成し、 前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する、 窒化物半導体素子の製造方法。」 ［本件訂正発明２］ （削除） 第４ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断 １ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１及び２に係る特許に対して、当審が令和３年５月１４日付けで特許権者に通知した取消理由（以下、単に「取消理由」といい、この通知を「取消理由通知」という。）の要旨は、次のとおりである。 （１）明確性要件違反 本件訂正前の請求項２に係る発明についての特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）新規性欠如 本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、本件特許に係る出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該各請求項に係る発明についての特許は、同法同条同項の規定に違反してされたものである。 （３）進歩性欠如 本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、本件特許に係る出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である甲１に記載された発明に基いて、本件特許に係る出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 引 用 文 献 等 一 覧 １．特開２０１６－８８８０３号公報（甲１） ２ 明確性要件違反について 取消理由通知は、本件訂正前の請求項２に記載された「変更する」の意味が当該請求項の記載では不明である旨説示したものであるが、本件訂正により、請求項２は削除された。 ３ 新規性欠如・進歩性欠如について （１）甲１発明の認定 ア 甲１には、次の記載がある。 （ア）「【特許請求の範囲】」、 「サファイア基板と、該サファイア基板の主面上に形成されたＡｌＮ層と、該ＡｌＮ層上に形成された、少なくともＡｌを含むIII族窒化物積層体と、を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板であって、 前記III族窒化物積層体は、第１の層および第２の層をこの順に有し、 前記第１の層のＡｌ組成比ｘが、前記第２の層のＡｌ組成比ｙよりも大きく、 前記サファイア基板の主面は、Ｃ面が０．４６度以上０．５４度以下のオフ角で傾斜した面であり、 前記ＡｌＮ層の（１０－１２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が４００秒以下であり、 前記第２の層の（０００２）面の２θ－ωスキャンＸ線回折ピークにより算出されるｃ軸歪み量が引張方向に０．６６％以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャル基板。」（【請求項１】）、 「前記第１の層はＡｌxＧａ1-xＮ（０．６≦ｘ＜１）からなる、請求項１または２に記載のIII族窒化物半導体エピタキシャル基板。」（【請求項３】）、 「Ｃ面が０．４６度以上０．５４度以下のオフ角で傾斜したサファイア基板の主面上に、ＡｌＮ層をエピタキシャル成長させる第１工程と、 前記ＡｌＮ層を、前記第１工程における成長温度よりも高温で熱処理する第２工程と、 該第２工程の後、前記ＡｌＮ層上に、少なくともＡｌを含む、第１の層および第２の層をこの順に有するIII族窒化物積層体を形成する第３工程と、を含み、 前記第３工程において、前記第２の層のＡｌ組成比ｙを、前記第１の層のＡｌ組成比ｘよりも小さくし、前記第２の層の（０００２）面の２θ－ωスキャンＸ線回折ピークにより算出されるｃ軸歪み量を、引張方向に０．６６％以上とすることを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャル基板の製造方法。」（【請求項７】） （イ）「＜参考実験例＞ （参考例１） 図１に示したフローチャートに従って、参考例１に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。まず、サファイア基板（直径２インチ、厚さ：４３０μｍ、面方位：（０００１）、ｍ軸方向オフ角θ：０．１度、テラス幅：１００ｎｍ、ステップ高さ：０．２０ｎｍ）を用意した（図１（Ａ））。次いで、ＭＯＣＶＤ法により、上記サファイア基板上に中心膜厚０．６０μｍ（平均膜厚０．６１μｍ）のＡｌＮ層を成長させ、ＡｌＮテンプレート基板とした（図１（Ｂ））。その際、ＡｌＮ層の成長温度は１３００℃、チャンバ内の成長圧力は１０Ｔｏｒｒであり、V/III比が１６３となるようにアンモニアガスとＴＭＡガスの成長ガス流量を設定した。V族元素ガス（ＮＨ3）の流量は２００ｓｃｃｍ、III族元素ガス（ＴＭＡ）の流量は５３ｓｃｃｍである。なお、ＡｌＮ層の膜厚については、光干渉式膜厚測定機（ナノスペックM6100A；ナノメトリックス社製）を用いて、ウエハ面内の中心を含む、等間隔に分散させた計２５箇所の膜厚を測定した。」（【００６２】）、 「次いで、上記ＡｌＮテンプレート基板を熱処理炉に導入し、１０Ｐａまで減圧後に窒素ガスを常圧までパージすることにより炉内を窒素ガス雰囲気とした後に、炉内の温度を昇温してＡｌＮテンプレート基板に対して熱処理を施した（図１（Ｃ））。その際、加熱温度は１６５０℃、加熱時間は４時間とした。」（【００６３】）、 「次いで、ＭＯＣＶＤ法により、第１の層として、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ｎからなる層厚１μｍのアンドープＡｌ0.7Ｇａ0.3Ｎ層（以下、「アンドープ層」とする。）を形成した。次に、第１の層上に第２の層として、Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎからなり、Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層（以下、ｎ型層とする。）を上記ＡｌＮ層上に形成し、参考例１に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板を作製した（図１（Ｄ），（Ｅ））。なお、ＳＩＭＳ分析の結果、ｎ型層のＳｉ濃度は１．０×19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である。」（【００６４】）、 「さらに、上記参考例１に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板を用いて、III族窒化物半導体発光素子を作製した。具体的には、まず、ｎ型層上に、Ａｌ0.55Ｇａ0.45Ｎからなる層厚１２ｎｍの障壁層およびＡｌ0.45Ｇａ0.55Ｎからなる層厚３ｎｍの井戸層を交互に３組繰り返して積層した活性層を形成した。」（【００６５】）、 「その後、活性層上に、Ａｌ0.68Ｇａ0.32Ｎからなり、Ｍｇドープした層厚４０ｎｍのｐ型ブロック層、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎからなり、Ｍｇドープした層厚５０ｎｍのｐ型クラッド層およびＧａＮからなり、Ｍｇドープした層厚１８０ｎｍのｐ型ＧａＮ層を順に形成し、参考例１に係るIII族窒化物半導体発光素子を作製した。なお、ＳＩＭＳ分析の結果、Ｍｇのドーパント濃度は、この順にそれぞれ１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、５．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、２．０×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である。」（【００６６】）、 「（参考例２） 参考例１におけるサファイア基板のオフ角を０．３５度に変えた以外は、参考例１と同じ条件で、参考例２に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。」（【００６７】）、 「（参考例３） 参考例１におけるサファイア基板のオフ角を０．５度に変えた以外は、参考例１と同じ条件で、参考例３に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。」（【００６８】）、 「（参考例４） 参考例１におけるサファイア基板のオフ角を１度に変えた以外は、参考例１と同じ条件で、参考例４に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。」（【００６９】）、 「＜参考評価＞ （参考評価１：ＡｌＮ層の結晶性評価） 参考例１において、ＡｌＮテンプレート基板を形成し熱処理を施した直後のＸ線ロッキングカーブのＡｌＮ層の（１０－１２）面の半値幅を、Ｘ線回折装置（D8 DISCOVER AUTOWAFS；Bruker AXS社製）を用いて２θ－ωスキャンによって評価したところ、２８１秒であった。参考例２～５についても同様の測定を行った。結果を表１に示す。また、ＡｌＮテンプレート基板に対して熱処理を施していない参考例６については、ＡｌＮ層を形成した直後のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅を測定したところ、１４０４秒であった。参考例７～１０についても同様の測定を行った。結果を表１に示す。」（【００７６】）、 「（参考評価２：ｎ型層の結晶性評価） 参考例１に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅を、参考評価１と同様に評価したところ、４５０秒であった。参考例２～１０についても同様の測定を行った。結果を表１に示す。」（【００７７】）、 「【表１】 ［図：0001382365000001.jpg］ 」 イ 上記アによれば、甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（なお、参考までに、甲１発明の認定に用いた箇所の段落番号等を括弧内に付してある。）。 「サファイア基板を用意し、次いで、ＭＯＣＶＤ法により、上記サファイア基板上にＡｌＮ層を成長させ、ＡｌＮテンプレート基板とし、（【００６２】） 次いで、上記ＡｌＮテンプレート基板を熱処理炉に導入し、炉内の温度を昇温してＡｌＮテンプレート基板に対して熱処理を施し、（【００６３】） 次いで、ＭＯＣＶＤ法により、第１の層として、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ｎからなる層厚１μｍのアンドープＡｌ0.7Ｇａ0.3Ｎ層（以下、「アンドープ層」とする。）を形成し、次に、第１の層上に第２の層として、Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎからなり、Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層（以下、ｎ型層とする。）を上記ＡｌＮ層上に形成し、III族窒化物半導体エピタキシャル基板を作製し、（【００６４】） 上記III族窒化物半導体エピタキシャル基板を用いて、III族窒化物半導体発光素子を作製する、（【００６５】） III族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 サファイア基板のオフ角（°）、ＡｌＮテンプレート基板を形成し熱処理を施した直後のＸ線ロッキングカーブのＡｌＮ層の（１０－１２）面の半値幅（ｓ）、及びIII族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅（ｓ）を、それぞれ、（【００７６】【００７７】） ０．１°、２８１ｓ、４５０ｓ、（【００８０】の参考例１） ０．３５°、１７５ｓ、３６７ｓ、（【００８０】の参考例２） ０．５°、１９６ｓ、３１６ｓ、又は、（【００８０】の参考例３） １°、２１０ｓ、３１３ｓ、（【００８０】の参考例４） とした、 III族窒化物半導体発光素子の製造方法。」 （２）対比 ア 本件訂正発明１の「基板上にＡｌＮ層を形成する工程と、」との特定事項について （ア）甲１発明の「サファイア基板」は、本件訂正発明１の「基板」に相当する。 （イ）甲１発明の「ＡｌＮ層」は、本件訂正発明１の「ＡｌＮ層」に相当する。 （ウ）甲１発明の「ＡｌＮ層」は、「ＭＯＣＶＤ法により、上記サファイア基板上に」「成長させ、ＡｌＮテンプレート基板と」され、「次いで、上記ＡｌＮテンプレート基板を熱処理炉に導入し、炉内の温度を昇温してＡｌＮテンプレート基板に対して熱処理を施」すことにより得られたものであり、このようにして「ＡｌＮ層」を得る工程が、本件訂正発明１の「基板上にＡｌＮ層を形成する工程」に相当する。 （エ）よって、甲１発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える。 イ 本件訂正発明１の「前記ＡｌＮ層上に、前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有するｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程と、」との特定事項について （ア）甲１発明の「Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層（以下、ｎ型層とする。）」は、本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ」に相当する。 （イ）甲１発明は、「Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎからなり、Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層（以下、ｎ型層とする。）を上記ＡｌＮ層上に形成」するものであるから、本件訂正発明１でいう「前記ＡｌＮ層上に、」「ｎ型ＡｌＧａＮを形成する」ものといえる。 （ウ）甲１発明の「Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層」（本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ」に相当。）は、その結晶品質がその下にある「ＡｌＮ層」の結晶品質に依存するといえるから、本件訂正発明１でいう「前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有する」ものといえる。 （エ）よって、甲１発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える。 ウ 本件訂正発明１の「窒化物半導体素子の製造方法であって、」との特定事項について 甲１発明の「III族窒化物半導体発光素子の製造方法」は、本件訂正発明１の「窒化物半導体素子の製造方法」に相当する。 エ 本件訂正発明１の「前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程は、結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下となるように前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成し、」との特定事項について （ア）本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮミックス値」は、「ｎ－ＡｌＧａＮ結晶の（１０－１２）面（Ｍｉｘｅｄ面）に対するＸ線回折のωスキャンにより得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ａｒｃｓｅｃ）」であると定義されており（本件訂正明細書等【００２３】）、ここで、「ａｒｃｓｅｃ」は角度の「秒」を意味する単位である。他方、甲１発明の「III族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」については、「ｎ型層」は「Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層」（本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ」に相当。）を意味し、また、「ｓ」は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅に係るものである以上、角度の「秒」を意味する単位といえるから、上記の「ａｒｃｓｅｃ」と同じ意味である。 そうすると、甲１発明の「III族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」は、本件訂正発明１の「結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値」に相当する。 （イ）甲１発明は、当該「III族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」が、「４５０ｓ」、「３６７ｓ」、「３１６ｓ」又は「３１３ｓ」であり、上記（ア）のとおり、単位「ｓ」が「ａｒｃｓｅｃ」と同じ意味であることを踏まえると、いずれも、本件訂正発明１でいう「５００（ａｒｃｓｅｃ）以下」となっている。 （ウ）よって、甲１発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える。 オ 本件訂正発明１の「前記ＡｌＮ層を形成する工程は、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する、」との特定事項について （ア）甲１発明の「Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層」（本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮ」に相当。）は、本件訂正発明１でいう「ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比」が６２％となるから、本件訂正発明１で特定された類型である「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合」及び「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合」のいずれにも該当しない。 （イ）甲１発明は、「ＡｌＮテンプレート基板を形成し熱処理を施した直後のＸ線ロッキングカーブのＡｌＮ層の（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」及び「III族窒化物半導体エピタキシャル基板のｎ型層のＸ線ロッキングカーブの（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」（本件訂正発明１の「ｎ型ＡｌＧａＮミックス値」に相当。）を、それぞれ、「２８１ｓ、４５０ｓ」、「１７５ｓ、３６７ｓ」、「１９６ｓ、３１６ｓ」又は「２１０ｓ、３１３ｓ」としたものである。 しかるに、本件訂正発明１の「ＡｌＮミックス値」は、「ＡｌＮ結晶の（１０－１２）面（Ｍｉｘｅｄ面）に対するＸ線回折のωスキャンにより得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ａｒｃｓｅｃ）」を意味すると解されるから、上記エと同様の議論により、甲１発明の「ＡｌＮテンプレート基板を形成し熱処理を施した直後のＸ線ロッキングカーブのＡｌＮ層の（１０－１２）面の半値幅（ｓ）」は、本件訂正発明１の「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」に相当し、「ｓ」は「ａｒｃｓｅｃ」と同じ意味である。よって、甲１発明では、本件訂正発明１でいう「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」が、「２８１」（ａｒｃｓｅｃ）、「１７５」（ａｒｃｓｅｃ）、「１９６」（ａｒｃｓｅｃ）又は「２１０」（ａｒｃｓｅｃ）ということになる。 （３）一致点及び相違点の認定 上記（２）によれば、本件訂正発明１と甲１発明とは、 「基板上にＡｌＮ層を形成する工程と、 前記ＡｌＮ層上に、前記ＡｌＮ層の結晶品質に応じた結晶品質を有するｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程と、 を備える窒化物半導体素子の製造方法であって、 前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する工程は、結晶品質を表すｎ型ＡｌＧａＮミックス値が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下となるように前記ｎ型ＡｌＧａＮを形成する、 窒化物半導体素子の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 「前記ＡｌＮ層を形成する工程」が、 本件訂正発明１は、「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が５０％以上６０％未満の場合、前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値が４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ５０６（ａｒｃｓｅｃ）未満となり、前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が４０％以上５０％未満の場合、前記ＡｌＮミックス値が４１８（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きくかつ４７３（ａｒｃｓｅｃ）未満となるように前記ＡｌＮ層を形成する」のに対し、 甲１発明は、「前記ｎ型ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が」６２％であり、「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」が２８１（ａｒｃｓｅｃ）、１７５（ａｒｃｓｅｃ）、１９６（ａｒｃｓｅｃ）又は２１０（ａｒｃｓｅｃ）である点。 （４）判断 ア 甲１発明において相違点１に係る構成に至るためには、少なくとも、「第２の層」（ｎ型層）である「Ｓｉドープした層厚２μｍのｎ型Ａｌ0.62Ｇａ0.38Ｎ層」のＡｌ組成比を０．６２から０．６未満へ変更するとともに、「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」を２８１、１７５、１９６又は２１０（ａｒｃｓｅｃ）から４１０（ａｒｃｓｅｃ）よりも大きな値へ変更する必要がある。しかしながら、「前記ＡｌＮ層の結晶品質を表すＡｌＮミックス値」を大きくするということは、ＡｌＮ層の結晶品質を悪化させることを意味するが、甲１の記載及び技術常識に照らしても、あえてそのようにする動機があるとはいえない。そして、本件訂正発明１は、相違点に係る構成を備えることにより、本件訂正明細書等【０００８】に記載されたような、ｎ型ＡｌＧａＮの結晶品質を向上することができるという格別の効果を奏するものである。 よって、当業者が、甲１発明において相違点１に係る構成に至ることはない。 イ 申立人は、本件訂正前の請求項１に係る発明は、甲１の請求項１、３及び７に記載された事項に照らして認定された主引用発明及び甲１に記載された参考例１～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する（特許異議申立書１７頁１０行～１８頁末行）。 しかしながら、そのような主引用発明を認定したとしても、その発明には相違点１に係る構成が記載されているわけではないし、また、甲１に記載された参考例１～４に記載された技術的事項によっては当業者が相違点１に係る構成に至ることがないことは、上記アで説示したとおりである。 （５）小括 そして、甲１の他の記載をみても、上記の認定判断を左右しない。 したがって、本件訂正発明１は、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 よって、この取消理由によっては、本件訂正発明１に係る特許を取り消すことができない。 ３ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断の小括 以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件訂正発明１に係る特許を取り消すことはできない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 申立人は、本件訂正前の請求項２について、当該請求項に係る発明が明確でなく（特許異議申立書２２頁下から１０行～下から７行）、当該請求項に係る発明の記載が発明の詳細な説明に記載されておらず（特許異議申立書２１頁下から５行～２２頁２行）、発明の詳細な説明が当業者が当該請求項に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない（特許異議申立書１９頁１９行～２１頁下から６行）旨主張するが、本件訂正により、請求項２は削除された。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載された取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件訂正発明１に係る特許を取り消すことはできない。そして、他に、本件訂正発明１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件訂正発明２に係る特許は、本件訂正により削除され、当該特許に対する特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。