2022-700026

特許第６９０２５６９号発明「半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９０２５６９号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６９０２５６９号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 １ 手続の経緯 特許第６９０２５６９号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願は、平成３１年４月１７日に出願され、令和３年６月２３日にその特許権の設定登録がされ、令和３年７月１４日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和４年 １月１４日 ：特許異議申立人小林喜一（以下「異議申立人」という。）による請求項１～５に係る特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ４月２１日付け：取消理由通知書 令和４年 ７月 １日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和４年 ８月２５日 ：異議申立人による意見書の提出 令和４年１１月１４日付け：取消理由通知書（決定の予告） 令和５年 １月１６日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和５年 ３月 ２日 ：異議申立人による意見書の提出 令和５年 ６月１９日付け：訂正拒絶理由通知書 令和５年 ７月２１日 ：特許権者による意見書及び手続補正書の提出 ２ 訂正の適否 （１）令和５年７月２１日に提出された手続補正書による補正について 令和５年７月２１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、令和５年１月１６日に提出された訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）及び本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲を補正するものである。そこで、本件補正が上記訂正請求書の要旨を変更するものであるか否かについて検討する。 ア 本件補正の内容 本件補正の内容は、以下の事項からなるものである。 （ア）本件訂正請求書における訂正事項１のうち、以下の訂正事項１－１を削除する事項。 ・訂正事項１－１ 「基板上に設けられるｎ型不純物の濃度が５ｘ１０１７ｃｍ－３以下であるＡｌＧａＮ系半導体材料のベース層と、」とあるのを、「基板上に設けられるｎ型不純物の濃度が５ｘ１０１７ｃｍ－３以下であるＡｌＮから構成されるベース層と、」と変更する。 （イ）訂正事項１－１の削除に伴い、訂正の理由における訂正事項１－１に係る記載を削除する事項。 （ウ）訂正特許請求の範囲における訂正事項１－１に係る記載を訂正前の記載に変更する事項。 イ 本件補正の適否 上記アのとおり、本件補正は、本件補正前の訂正事項１の一部を削除するものであるから、請求の趣旨の減縮的変更に該当するものである。 したがって、本件補正は、本件訂正請求書の要旨を変更するものではないから、本件補正を認める。 （２）訂正の内容 本件補正により補正された本件訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線部が訂正箇所である）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１～５〕について請求されている。 ア 訂正事項１ 請求項１に、「前記ｎ型半導体層および前記ベース層は、前記基板に対して前記第１角度よりも大きい第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有する」とあるのを、「前記ｎ型半導体層および前記ベース層は、前記基板に対して前記第１角度よりも大きい第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、前記ベース層は、前記ベース層の傾斜面の外側に設けられる上面を有し、前記上面は、前記被複層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有する」に訂正する。 イ 訂正事項２ 請求項２に「前記被覆層は、前記ベース層の外周において前記ベース層と厚み方向に重ならないことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。」とあるのを、「前記ｐ型半導体層上に設けられ、前記第１角度で傾斜して前記被覆層に被覆される傾斜面を有し、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される保護層をさらに備え、前記被覆層は、前記ベース層の外周において前記ベース層と厚み方向に重ならないことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。」に訂正する。 ウ 訂正事項３ 請求項３に「基板上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、」とあるのを、「基板上に設けられるアンドープのＡｌＮから構成されるベース層と、前記ベース層上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、」に訂正するとともに、請求項３に「前記活性層の前記被覆層で被覆される表面の全体が前記基板に対して前記第１角度で傾斜することを特徴とする半導体発光素子。」とあるのを、「前記ベース層は、前記基板に対して前記第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面と、前記傾斜面の外側に設けられる上面とを有し、前記上面は、前記被覆層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有し、前記活性層の前記被覆層で被覆される表面の全体が前記基板に対して前記第１角度で傾斜することを特徴とする半導体発光素子。」に訂正する。 （３）訂正要件の判断 ア 訂正事項１について （ア）訂正の目的 訂正事項１は、請求項１の「ベース層」につき、「ベース層の前記傾斜面の外側に設けられる上面を有し、前記上面は、前記被覆層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有する」と限定するものである。 訂正事項１は、請求項１の構成を限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項追加の有無 ａ 本件特許の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には、以下の記載がある。 「【００２９】 ベース層２２は、第１上面２２ａと、第２上面２２ｂと、傾斜面２２ｄとを有する。第１上面２２ａおよび第２上面２２ｂは、基板２０の第１主面２０ａに実質的に平行な面であり、基板２０の厚み方向（図１の上側）に向いている。第２上面２２ｂは、第１上面２２ａの径方向外側に位置し、第１上面２２ａとは高さが異なっている。基板２０の第１主面２０ａからベース層２２の第２上面２２ｂまでの高さ（または厚み）は、基板２０の第１主面２０ａからベース層２２の第１上面２２ａまでの高さ（または厚み）よりも小さい。傾斜面２２ｄは、第１上面２２ａと第２上面２２ｂの間に設けられ、基板２０の第１主面２０ａに対して第２角度θ２で傾斜している。」 「【００４６】 被覆層４０は、ｎ型半導体層２４の第２上面２４ｂと、保護層３０の上面３０ａと、ｎ側コンタクト電極３２と、ｐ側コンタクト電極３４とをさらに被覆する。被覆層４０は、ベース層２２の第２上面２２ｂの一部である第４領域Ｗ４をさらに被覆する。なお、被覆層４０は、半導体発光素子１０の径方向の最外側の第５領域Ｗ５には設けられていない。したがって、被覆層４０は、ベース層２２の外周においてベース層２２と厚み方向に重ならないように設けられる。」 ｂ 上記ａの記載からすれば、訂正事項１で加わった事項は、本件明細書等の記載から導き出せるといえる。 よって、訂正事項１は、当業者によって、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ）特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記（ア）及び（イ）にも照らせば、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （エ）訂正事項１の小括 よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。 イ 訂正事項２について （ア）訂正の目的 訂正事項２は、請求項２に「前記ｐ型半導体層上に設けられ、前記第１角度で傾斜して前記被覆層に被覆される傾斜面を有し、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される保護層をさらに備え、」との限定を付加するものである。 訂正事項２は、請求項２の構成を限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項追加の有無 本件明細書等の【００３７】には、「保護層３０は、ｐ型半導体層２８の上に設けられる。保護層３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される。・・・保護層３０は、上面３０ａと、傾斜面３０ｃとを有する。傾斜面３０ｃは、基板２０の第１主面２０ａに対して第１角度θ１で傾斜する。・・・」と、また、【００４４】には「被覆層４０は、半導体発光素子１０の第１メサ面１２および第２メサ面１４を少なくとも被覆する。第１メサ面１２は、基板２０に対して第１角度θ１で傾斜し、ｎ型半導体層２４の第１傾斜面２４ｃ、活性層２６の傾斜面２６ｃ、ｐ型半導体層２８の傾斜面２８ｃおよび保護層３０の傾斜面３０ｃで構成される。・・・」と記載されており、この記載からすれば、訂正事項２で加わった事項は、本件明細書等の記載から導き出せるといえる。 よって、訂正事項２は、当業者によって、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ）特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記（ア）及び（イ）にも照らせば、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （エ）訂正事項２の小括 よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。 ウ 訂正事項３ （ア）訂正の目的 訂正事項３は、請求項３の「基板」と「ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層」の間に「アンドープのＡｌＮから構成されるベース層」を設けることを特定するとともに、「前記ベース層は、前記基板に対して前記第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面と、前記傾斜面の外側に設けられる上面とを有し、前記上面は、前記被覆層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有し」と限定するものである。 訂正事項３は、請求項３の構成を限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項追加の有無 ａ 本件明細書等には、以下の記載がある。 「【００２７】 ・・・ベース層２２は、例えば、アンドープのＡｌＮ層であり、・・・」 「【００２９】 ベース層２２は、第１上面２２ａと、第２上面２２ｂと、傾斜面２２ｄとを有する。第１上面２２ａおよび第２上面２２ｂは、基板２０の第１主面２０ａに実質的に平行な面であり、基板２０の厚み方向（図１の上側）に向いている。第２上面２２ｂは、第１上面２２ａの径方向外側に位置し、第１上面２２ａとは高さが異なっている。基板２０の第１主面２０ａからベース層２２の第２上面２２ｂまでの高さ（または厚み）は、基板２０の第１主面２０ａからベース層２２の第１上面２２ａまでの高さ（または厚み）よりも小さい。傾斜面２２ｄは、第１上面２２ａと第２上面２２ｂの間に設けられ、基板２０の第１主面２０ａに対して第２角度θ２で傾斜している。」 「【００４６】 被覆層４０は、ｎ型半導体層２４の第２上面２４ｂと、保護層３０の上面３０ａと、ｎ側コンタクト電極３２と、ｐ側コンタクト電極３４とをさらに被覆する。被覆層４０は、ベース層２２の第２上面２２ｂの一部である第４領域Ｗ４をさらに被覆する。なお、被覆層４０は、半導体発光素子１０の径方向の最外側の第５領域Ｗ５には設けられていない。したがって、被覆層４０は、ベース層２２の外周においてベース層２２と厚み方向に重ならないように設けられる。」 ｂ 上記ａの記載からすれば、訂正事項３で加わった事項は、本件明細書等の記載から導き出せるといえる。 よって、訂正事項３は、当業者によって、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （ウ）特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記（ア）及び（イ）にも照らせば、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （エ）訂正事項３の小括 よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。 （４）小括 上記のとおり、訂正事項１～３に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、本件補正により補正された本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 ３ 本件発明の認定 本件訂正は上記２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１～５に係る発明（以下「本件発明１」～「本件発明５」という。また、これらを総称して「本件発明」ということがある。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 ［本件発明１］ 基板上に設けられるｎ型不純物濃度が５×１０１７ｃｍ－３以下であるＡｌＧａＮ系半導体材料のベース層と、 前記ベース層上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層上に設けられるＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層と、 前記活性層上に設けられるｐ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層、前記活性層および前記ｐ型半導体層を被覆する誘電体材料の被覆層と、を備え、 前記活性層および前記ｐ型半導体層のそれぞれは、前記基板に対して第１角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、 前記ｎ型半導体層および前記ベース層は、前記基板に対して前記第１角度よりも大きい第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、 前記ベース層は、前記ベース層の傾斜面の外側に設けられる上面を有し、前記上面は、前記被複層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有することを特徴とする半導体発光素子。 ［本件発明２］ 前記ｐ型半導体層上に設けられ、前記第１角度で傾斜して前記被覆層に被覆される傾斜面を有し、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成される保護層をさらに備え、 前記被覆層は、前記ベース層の外周において前記ベース層と厚み方向に重ならないことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。 ［本件発明３］ 基板上に設けられるアンドープのＡｌＮから構成されるベース層と、 前記ベース層上に設けられるｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料のｎ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層上に設けられるＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層と、 前記活性層上に設けられるｐ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層、前記活性層および前記ｐ型半導体層を被覆する誘電体材料の被覆層と、を備え、 前記活性層および前記ｐ型半導体層のそれぞれは、前記基板に対して第１角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、 前記ｎ型半導体層は、前記基板に対して前記第１角度よりも大きい第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、 前記ベース層は、前記基板に対して前記第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面と、前記傾斜面の外側に設けられる上面とを有し、前記上面は、前記被覆層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有し、前記活性層の前記被覆層で被覆される表面の全体が前記基板に対して前記第１角度で傾斜することを特徴とする半導体発光素子。」 ［本件発明４］ 前記第１角度は、４０度以上５５度未満であり、前記第２角度は、５５度以上７０度未満であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体発光素子。 ［本件発明５］ 前記ｎ型半導体層の前記第２角度で傾斜する部分の厚さは、前記活性層および前記ｐ型半導体層のそれぞれの前記第１角度で傾斜する部分の厚さの合計よりも大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 ４ 取消理由通知（決定の予告）の概要 令和４年７月１日に提出された訂正請求書による訂正後の請求項１～５に係る特許に対して、当審が令和４年１１月１４日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 請求項１～５に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 引用文献１：K. H. Baik et.al., Light output enhancement of GAN-based flip-chip light-emitting diodes fabricated with SiO2/TiO2 distributed Bragg reflector coated on mesa sidewall, Journal of Applied Physics, （米）, ２０１０年１０月, vol. 108, 063105（甲第１号証） ５ 当審の判断 （１）引用文献の記載内容、引用発明 ア 引用文献の記載内容 引用文献１には次の記載がある。 （ア）「We report on the enhanced light output of GaN-based flip-chip light-emitting diodes(LED) fabricated with SiO2/TiO2 distributed Bragg reflector (DBR) on mesa sidewall. At the wavelength of 400 nm, five pairs of SiO2/TiO2 DBR coats on the GaN layer showed a normal-incidence reflectivity as high as 99.1%, along with an excellent angle-dependent reflectivity. As compared to the reference LED, the LED fabricated with the DBR-coated mesa sidewall showed an increased output power by a factor of 1.32 and 1.12 before and after lamp packaging, respectively. This could be attributed to an efficient reflection of the laterally guided mode at the highly reflective mesa sidewall, enhancing the subsequent extraction of light through the sapphire substrate.」（063105-1） 当審訳 メサ側壁にＳｉＯ２／ＴｉＯ２分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）を使用して製造されたＧａＮベースのフリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）の強化された光出力について報告する。４００ｎｍの波長でＧａＮ層上の５対のＳｉＯ２／ＴｉＯ２ ＤＢＲ被覆は、優れた角度依存反射率とともに、９９．１％という高い法線入射反射率を示した。参照ＬＥＤと比較して、ＤＢＲでコーティングされたメサ側壁は、ランプパッケージの前後でそれぞれ１．３２倍と１．１２倍の出力パワーの増加を示した。これは、高反射メサ側壁での横方向伝搬モードが効率よく反射されたためと考えられ、サファイア基板を介したその後の光取出が向上した。 （イ）「The epitaxial structure of the LED wafer studied here consists of a ～4.5-μm-thick undoped GaN layer, ～3.0-μm-thick n-GaN, five-period GaN/InGaN multiple quantum-well, a p-GaN/p-AlGaN electron blocking layer, and a 0.14-μm-thick p-GaN. The LED wafer was grown using the metal organic chemical vapor deposition system. The LED structures were grown on both a planar sapphire substrate and a hemispherical patterned sapphire substrate.」（063105-2） 当審訳 本研究のＬＥＤウェーハのエピタキシャル構造は、最大４．５μｍのアンドープのＧａＮ層、最大３．０μｍのｎ－ＧａＮ層、５周期のＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、０．１４μｍのｐ－ＧａＮ層からなる。ＬＥＤウェーハは有機金属気相成長法により成長された。ＬＥＤ構造は、平面サファイア基板と半球状にパターン化されたサファイア基板の両方の上に成長した。 （ウ）「Figure 1(a) shows the schematic cross-sectional diagram of the completed LEDs. Notably, the profile angles of the shallow mesa sidewall (θmesa) and the isolation-etched mesa sidewalls (θisolation) are different, i.e., θmesa=26° and θisolation=73°. This can be attributed to the use of a different etching mask, namely, a SiO2 hard mask for the isolation etching and a photoresist mask for the shallow mesa etching.」（063105-2） 当審訳 図１（ａ）は、完成したＬＥＤの概略断面図を示している。特に、浅いメサ側壁(θmesa)と分離エッチングされたメサ側壁(θisolation)の断面角度は異なる。つまり、θmesa＝２６°であり、θisolation＝７３°である。これは、異なるエッチングマスク、すなわち、分離エッチング用のＳｉＯ２ハードマスクと浅いメサエッチング用のフォトレジストマスクの使用によって可能である。 （エ）「To maximize the reflectivity of the mesa sidewall, it is important to properly design the structure of the DBR. Figure 2(a) shows the normal-incidence reflectivity of SiO2/TiO2 DBR versus the wavelength as a function of the number of DBR pairs. ・・・中略・・・ The figure shows that, first, the reflectivity increases significantly as the DBR pairs increase. For example, the normal-incidence reflectivities obtained at the Bragg wavelength were 0.565, 0.818, 0.931, 0.975, and 0.991 for one, two, three, four, and five pairs of SiO2/TiO2 DBRs, respectively. Second, the spectral width of the stop band is much wider than the emission linewidth of the LED (λFWHM=17.4nm, where FWHM is full width at half maximum). This can be attributed to a relatively large difference in the refractive indexes of the two constituent oxides. These results indicate that the coating of five pairs SiO2/TiO2 DBR onto the mesa sidewall yields an excellent normal-incidence reflectivity. Since the light emanating from the active region is emitted isotropically, the angle-dependent reflectivity should be also taken into consideration. Figure 2(b) shows the calculated reflectivity of five pairs of SiO2/TiO2 DBR as a function of the angle of incidence.」（063105-2） 当審訳 メサ側壁の反射率を最大化するために、ＤＢＲ構造の適切な設計が重要である。図２（ａ）はＳｉＯ２／ＴｉＯ２ ＤＢＲの垂直入射光の反射率と波長との関係を、ＤＢＲの対の数ごとに表したものである。・・・中略・・・。 まず、反射率は、ＤＢＲ対の増加にしたがって、大幅に増加することを、図は示している。例えば、ブラッグ波長における垂直入射光の得られた反射率は、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２ ＤＢＲ対が１、２、３、４、５の場合、それぞれ、０．５６５、０．８１８、０．９３１、０．９７５、０．９９１である。次に、阻止帯のスペクトル幅はＬＥＤの放出の線幅（半値幅は１７．４ｎｍ）よりもはるかに広い。このことは、２つの構成要素酸化物の屈折率の比較的大きな差によるものである。この結果は、５対のＳｉＯ２／ＴｉＯ２ ＤＢＲのメサ側壁への被覆は、すぐれた垂直入射反射率となることを示している。 活性領域から発散する光は、等方的に放出するので、反射率の角度依存が考慮されるべきである。図２（ｂ）は、５対のＳｉＯ２／ＴｉＯ２ ＤＢＲの計算された反射率と入射角度との関係を示す。 「FIG. 1. (a) The schematic cross-sectional diagram of the completed LEDs.」（063105-2） 当審訳 図１（ａ） 完成したＬＥＤの概略断面図。 FIG. 1. (a) ［図：0001404727000001.jpg］ FIG 2(a)、2(b) ［図：0001404727000002.jpg］ （オ）図１（ａ）と、上記（イ）の記載より、次のことが読み取れる。 ａ θmesaの角度で傾斜した傾斜面は、ｎ－ＧａＮ層、ＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、ｐ－ＧａＮ層にわたって形成され、θisolationの角度で傾斜した傾斜面は、アンドープのＧａＮ層、ｎ－ＧａＮ層にわたって形成されていること。 ｂ θmesaの角度で傾斜した傾斜面が施された部分の半導体層の厚みは０．８μｍであり、θisolationの角度で傾斜した傾斜面が施された部分の半導体層の厚みは７．２μｍであること。 イ 引用発明 上記アから、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用発明＞ 「ＧａＮベースのフリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、 サファイア基板と、 前記サファイア基板上に成長したＬＥＤ構造とからなり、 ＬＥＤ構造は、最大４．５μｍのアンドープのＧａＮ層、最大３．０μｍのｎ－ＧａＮ層、５周期のＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、０．１４μｍのｐ－ＧａＮ層からなり、 ＬＥＤ構造のメサ側壁には５対のＳｉＯ２／ＴｉＯ２分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）が形成され、浅いメサ側壁（θmesa）と分離エッチングされたメサ側壁（θisolation）の断面角度は異なり、 θmesa＝２６°、θisolation＝７３°であり、 当該異なる断面角度は、異なるエッチングマスク、すなわち、分離エッチング用のＳｉＯ２ハードマスクと浅いメサエッチング用のフォトレジストマスクの使用によって作成可能であり、 θmesaの角度で傾斜した傾斜面は、ｎ－ＧａＮ層、ＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、ｐ－ＧａＮ層にわたって形成され、θisolationの角度で傾斜した傾斜面は、アンドープのＧａＮ層、ｎ－ＧａＮ層にわたって形成され、 θmesaの角度で傾斜した傾斜面が施された部分の半導体層の厚みは０．８μｍであり、θisolationの角度で傾斜した傾斜面が施された部分の半導体層の厚みは７．２μｍである、 発光ダイオード（ＬＥＤ）。」 （２）対比・判断 ア 本件発明１について （ア）対比 本件発明１と引用発明とを対比する。 ａ 引用発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）」、「サファイア基板」は、本件発明１の「半導体発光素子」、「基板」にそれぞれ相当する。 ｂ 引用発明の「アンドープのＧａＮ層」は、本件発明１の「ベース層」と、基板上に設けられる点で共通する。 ｃ 引用発明の「ｎ－ＧａＮ層」は、ベース層上に設けられるｎ型半導体層であるといえる。 ｄ 引用発明の「多重量子井戸層」は、「ｎ型半導体層上に設けられる半導体材料の活性層」であるといえる。 ｅ 引用発明の「ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層」と「ｐ－ＧａＮ層」は、ｐ型半導体層であるといえる。 ｆ 引用発明のＬＥＤ構造のメサ側壁には、５対のＳｉＯ２／ＴｉＯ２分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）が形成されており、浅いメサ側壁(θmesa)とメサ側壁(θisolation)とが存在し、θmesaの角度で傾斜した傾斜面は、ｎ－ＧａＮ層、ＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、ｐ－ＧａＮ層にわたって形成され、θisolationの角度で傾斜した傾斜面は、アンドープのＧａＮ層、ｎ－ＧａＮ層にわたって形成されているから、「ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を被覆する誘電体材料の被覆層を備え」ており、「被覆層で被覆される傾斜面を有し」ているといえる。 また、引用発明は、「浅いメサ側壁(θmesa)と分離エッチングされたメサ側壁(θisolation)の断面角度は異なり、θmesa＝２６°、θisolation＝７３°であり」、「θmesaの角度で傾斜した傾斜面は、ｎ－ＧａＮ層、ＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸層、ｐ－ＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮの電子ブロック層、ｐ－ＧａＮ層にわたって形成され、θisolationの角度で傾斜した傾斜面は、アンドープのＧａＮ層、ｎ－ＧａＮ層にわたって形成され」ており、このことは、本件発明１の「活性層およびｐ型半導体層のそれぞれは、基板に対して第１角度で傾斜（する）」「傾斜面を有し」、「ｎ型半導体層およびベース層は、基板に対して第１角度よりも大きい第２角度で傾斜」（する）「傾斜面を有する」ことに相当するといえる。 （イ）一致点及び相違点 以上のことから、本件発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板上に設けられるベース層と、 前記ベース層上に設けられるｎ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層上に設けられる活性層と、 前記活性層上に設けられるｐ型半導体層と、 前記ｎ型半導体層、前記活性層および前記ｐ型半導体層を被覆する誘電体材料の被覆層と、を備え、 前記活性層および前記ｐ型半導体層のそれぞれは、前記基板に対して第１角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有し、 前記ｎ型半導体層および前記ベース層は、前記基板に対して前記第１角度よりも大きい第２角度で傾斜して前記被覆層で被覆される傾斜面を有する半導体発光素子。」 ＜相違点１＞ ベース層につき、本件発明１は、ｎ型不純物濃度が５×１０１７ｃｍ－３以下であるＡｌＧａＮ系半導体材料であるのに対し、引用発明は、アンドープのＧａＮである点。 ＜相違点２＞ ｎ型半導体層につき、本件発明１は、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料としたのに対し、引用発明は、ｎ－ＧａＮとした点。 ＜相違点３＞ 活性層につき、本件発明１は、ＡｌＧａＮ系半導体材料としたのに対し、引用発明は、５周期のＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸とした点。 ＜相違点４＞ ベース層につき、本件発明１は、その傾斜面の外側に設けられる上面を有し、前記上面は、被複層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域とを有することとしたのに対し、引用発明は、傾斜面の外側に上面は設けられていない点。 （ウ）判断 ａ 相違点４について 事案に鑑み、相違点４を検討する。 引用発明は、半導体層の傾斜面を、フォトマスクを用いてエッチングにより形成している（上記（１）ア（ウ））。そうすると、引用発明のサファイア基板上の半導体層は、一旦、サファイア基板の全面の上に積層された後、端部をエッチングにより取り除いて形成されたものであるといえる。 そして、引用文献１のFIG. 1. (a)によると、半導体層の端部は傾斜しており、また、サファイア基板の端部においては、半導体層は全て取り除かれている。 ここで、引用文献１のFIG. 1. (a)は模式的なものであり、劈開による素子の個片化を考慮したとしてもサファイア基板の端部においてアンドープのＧａＮ層が全て取り除かれるか否かに技術的な意義は特段ないといい得るとしても、本件発明は、「ｎ型半導体層上に形成される活性層の面積を相対的に大きくすることができ、基板の単位面積あたりの発光効率を高める」（本件明細書等の【０００７】）ことを目的とするものであり、ベース層が傾斜面を有する半導体発光素子においては、傾斜面の外側に設けられる上面を有するという構成を採用することにより、当該上面を有しない構成と比較して傾斜面のエッチング量が少なくなることにより、ｎ型半導体層上に形成される活性層の面積を一層大きくすることができるものと認められ、このことは、本件明細書等の記載から当業者が推論できるものであると認められる。そうすると、ベース層が傾斜面を有し、傾斜面の外側に設けられる上面を有することには格別の効果があるというべきである。 そして、傾斜面を有するベース層が、傾斜面の外側に向けられる上面を有することは、異議申立人が提出した甲１～甲１５のいずれにも開示されていないから、傾斜面を有するベース層を備えた引用発明において上記相違点４に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であっても、容易に想到し得たこととはいえない。 ｂ したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 本件発明２～５について （ア）本件発明２～５と引用発明とを対比すると、少なくとも、両者は、上記相違点４（ただし、「本件発明１」は、それぞれ、「本件発明２～５」に読み替える。）において相違する。 そして、相違点４については、上記ア（ウ）ａの議論が成り立つから、本件発明１と同様、本件発明２～５は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）小括 以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由によって、本件発明１～５に係る特許を取り消すことはできない。 ６ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について （１）実施可能要件、サポート要件 異議申立人は、本件特許の請求項１、３～５に係る発明がベース層の外周において被覆層と重ならない外周面を設けることを特定しないから、このような発明について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず（実施可能要件）、また、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもない（サポート要件）と主張する。 しかしながら、本件発明１～５は、本件訂正により、ベース層が、「前記傾斜面の外側に設けられる上面を有し、前記上面は、前記被覆層によって被覆される第１領域と、前記第１領域の外側に位置する前記被覆層によって被覆されない第２領域」を有することを特定するものとなったから、異議申立人の主張は、その前提において成り立たない。 （２）明確性要件 異議申立人は、本件特許の請求項２に係る発明が「前記被覆層は、前記ベース層の外周において前記ベース層と厚み方向に重ならない」と特定するが、「ベース層の外周」が何を指すのか不明確であると主張する。 しかしながら、「ベ―ス層の外周」は、字句どおりベース層の外周（本件明細書等【００４８】の外周２２ｅ）を意味し、請求項２の「前記被覆層は、前記ベース層の外周において前記ベース層と厚み方向に重ならない」との発明特定事項も、上述の外周の意味及び本件明細書等の開示に照らして不明確なところはないから、異議申立人の上記主張には理由がない。 ７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議理由によっては、本件発明１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。