2021-700510

特許第６７８９４３７号発明「λ／４型電波吸収体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７８９４３７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１０〕、１１について訂正することを認める。 特許第６７８９４３７号の請求項１ないし５、８、１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７８９４３７号の請求項１ないし１１に係る特許についての出願は、令和１年９月２５日（優先権主張 平成３０年９月２５日 日本国（ＪＰ））を国際出願日として出願され、令和２年１１月５日にその特許権の設定登録がなされ、同年１１月２５日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許に対して特許異議の申立てがなされたものであり、以後の本件に係る手続の概要は以下のとおりである。 令和３年 ５月２４日 特許異議申立人 松村 朋子による請求項１な いし５、８、１１に係る特許に対する特許異議 の申立て 令和３年 ８月２５日付け 取消理由通知 令和３年１０月 ５日 特許権者による訂正請求書・意見書の提出 令和３年１１月１２日 特許異議申立人による意見書の提出 令和３年１２月 ９日付け 取消理由通知（決定の予告） 令和４年 １月２４日 特許権者による訂正請求書・意見書の提出 令和４年 ５月１７日付け 取消理由通知（決定の予告） 令和４年 ７月 １日 特許権者による訂正請求書・意見書の提出 なお、令和４年７月７日付けで特許異議申立人に対して訂正請求があった旨の通知をし、意見書を提出する機会を与えたが提出されなかった。 また、先にした令和３年１０月５日の訂正請求及び令和４年１月２４日の訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否 １．訂正の内容 令和４年７月１日の訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）は、特許第６７８９４３７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１ないし１１について訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は、以下の訂正事項のとおりである（なお、下線は訂正箇所を示す。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１の 「式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９７１．６５以上である。）」との記載を、 「式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。）」と訂正する。 請求項１の記載を引用する他の請求項も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１１の 「式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９７１．６５以上である。）」との記載を、 「式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。）」と訂正する。 （３）訂正事項３ 明細書の段落【００８９】の「（実施例１）」との記載を「（参考例１）」と訂正する。 （４）訂正事項４ 明細書の段落【００９１】の「（実施例２～９、比較例１～８）」との記載を「（実施例１～２、参考例２～７、比較例１～８）」と訂正し、「実施例１と同様にして」との記載を「参考例１と同様にして」と訂正する。 （５）訂正事項５ 明細書の段落【００９２】の「（実施例１０）」との記載を「（実施例３）」と訂正し、「実施例１と同様にして」との記載を「参考例１と同様にして」と訂正し、「実施例１０においては」との記載を「実施例３においては」と訂正する。 （６）訂正事項６ 明細書の段落【００９３】の「（実施例１１～１５）」との記載を「（実施例４、参考例８～１１）」と訂正し、「実施例１０と同様にして」との記載を「実施例３と同様にして」と訂正する。 （７）訂正事項７ 明細書の段落【００９４】の「（実施例１６～２０）」との記載を「（参考例１２～１６）」と訂正し、「実施例２と同様にして」との記載を「参考例２と同様にして」と訂正する。 （８）訂正事項８ 明細書の段落【００９５】の「（実施例２１）」との記載を「（実施例５）」と訂正し、「実施例２と同様にして」との記載を「参考例２と同様にして」と訂正する。 （９）訂正事項９ 明細書の段落【０１００】の「実施例１～１０の結果を表１に示し」との記載を「実施例１～３、参考例１～７の結果を表１に示し」と訂正し、「実施例１１～１５の結果を表３に示し」との記載を「実施例４、参考例８～１１の結果を表３に示し」と訂正し、「実施例１６～２１の結果を実施例２の結果と共に表４に示す」との記載を「実施例５、参考例１２～１６の結果を参考例２の結果と共に表４に示す」と訂正する。 （１０）訂正事項１０ 明細書の段落【０１０１】の【表１】の第１行（「実施例」の行）における「実施例」、「１」、「２」、「３」、「４」、「５」、「６」、「７」、「８」、「９」および「１０」との記載を、それぞれ、「実施例／参考例」、「参考例１」、「参考例２」、「実施例１」、「参考例３」、「参考例４」、「参考例５」、「実施例２」、「参考例６」、「参考例７」および「実施例３」と訂正すると共に、第１２行（「式１を満たすか否か」の行）における、第７列（「５」の列）、第１０列（「８」の列）および第１１列（「９」の列）の「〇」との記載を「×」と訂正する。 （１１）訂正事項１１ 明細書の段落【０１０３】の【表３】の第１行（「実施例」の行）の「実施例」、「１１」、「１２」、「１３」、「１４」および「１５」との記載を、それぞれ、「実施例／参考例」、「参考例８」、「参考例９」、「参考例１０」、「実施例４」および「参考例１１」と訂正すると共に、第１２行（「式１を満たすか否か」の行）における第３列（「１１」の列）の「〇」との記載を「×」と訂正する。 （１２）訂正事項１２ 明細書の段落【０１０４】の【表４】の第１行（「実施例」の行）の「実施例」、「２」、「１６」、「１７」、「１８」、「１９」、「２０」および「２１」との記載を、それぞれ、「実施例／参考例」、「参考例２」、「参考例１２」、「参考例１３」、「参考例１４」、「参考例１５」、「参考例１６」および「実施例５」と訂正する。 ２．訂正の適否についての判断 （１）一群の請求項について 訂正前の請求項１ないし１０について、請求項２ないし１０は請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１ないし１０に対応する訂正後の請求項１ないし１０は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 （２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 ア．訂正事項１について 訂正事項１は、請求項１に係る発明において、式（１）中の「ｙ」の値〔支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５〕の範囲について、下限値を「９７１．６５」から「９９８．２０」に訂正してより狭い範囲に限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 そして、「ｙ」の値の範囲について、下限値を「９９８．２０」に訂正することに関して、本件特許明細書の段落【００８０】には「式（１）中のｙの範囲は、特に制限されないが、好ましくは８００以上１２００以下、より好ましくは９００以上１１００以下、さらに好ましくは９６４以上１０１０以下である。」と記載され、段落【０１０１】の【表１】には実施例１０としてｙの値が「９９８．２０」であるものが記載されている。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 また、訂正事項１は上述のとおり、請求項１に係る発明において、「ｙ」の値の範囲について、下限値を「９７１．６５」から「９９８．２０」に訂正してより狭い範囲に限定することによって特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 イ．訂正事項２について 訂正事項２は、請求項１１に係る発明において、訂正事項１と同様に、式（１）中の「ｙ」の値〔支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５〕の範囲について、下限値を「９７１．６５」から「９９８．２０」に訂正してより狭い範囲に限定するものであり、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 また、訂正事項２は、上記「ア．」に記載したとおり、訂正事項１と同様、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもなく、特許法１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 ウ．訂正事項３ないし１２について 訂正事項３ないし１２は、明細書中の実施例１ないし２１の名称を訂正するとともに、さらに訂正事項１０、１１において明細書中の【表１】及び【表３】の「式１を満たすか否か」の行における評価を訂正するものである。 上記訂正のうちの訂正事項３ないし１２における「実施例１ないし７、９ないし２１」の名称の訂正は、上記訂正事項１及び２に係る訂正によってｙの値の下限値が「９７１．６５」から「９９８．２０」に訂正されたことに伴い、実施例１、２、４ないし６、９、１１ないし１３、１５ないし２０におけるｙの値が「９９８．２０」未満であることから、これら「実施例」を「参考例」に訂正し、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るためのものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。 また、上記訂正のうちの訂正事項４、９、１０における「実施例８」の名称の訂正は、訂正前の実施例８のｙの値が「１００８．１６」、抵抗皮膜の抵抗値ｘの値が「２５０．０Ω／□」であり、式（１）を満たさないものであることから、「参考例６」に訂正するものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものであるとみることができる。 そして、上記訂正のうちの訂正事項１０、１１における明細書中の【表１】及び【表３】の「式１を満たすか否か」の行の評価の訂正は、訂正前の実施例５、実施例８、実施例９、実施例１１については式（１）を満たしていないことから、「〇」との記載を「×」に改めるものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものであるといえる。 そして、訂正事項３ないし１２は上述のとおり、訂正事項１及び２による訂正に伴い、明瞭でない記載の釈明を目的として特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図り、また、誤記又は誤訳の訂正を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもなく、特許法１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 そして、明細書の訂正である訂正事項３ないし１２に関係する一群の請求項の全て（請求項１ないし１０、請求項１１）が訂正請求の対象とされているから、訂正事項３ないし１２は、特許法１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合する。 （３）独立特許要件について 訂正事項１及び２は「特許請求の範囲の減縮」を目的とし、訂正事項４、９ないし１１は「誤記又は誤訳の訂正」を目的として含むものであるところ、請求項６、７、９、１０については特許異議の申立てがなされていないことから、請求項６、７、９、１０に係る訂正事項１、２、４、９ないし１１に関しては、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。 しかしながら、請求項６、７で特定する「前記抵抗被膜が、モリブデンを含有する」こと、及び請求項１０で特定する「前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である」ことについては、特許異議申立人が提出した甲第１号証ないし甲第１６号証のいずれにも記載も示唆もなく、他に証拠を発見しない。 また、請求項９で特定する「前記抵抗被膜の少なくとも一方の表面上に、さらにバリア層を有する」ことに関しては、特許異議申立人が提出した甲第１号証（国際公開第２０１８／１６３５８４号、特に段落［０１２７］～［０１２８］を参照）や甲第７号証（国際公開第２０１８／０８８４９２号、特に段落［０１０７］～［０１０８］を参照）には、「シート１０」に係る電磁波吸収シートとして、請求項９でいう「バリア層」（なお、当該「バリア層」は「支持体」以外の層である。）に相当するといえる「保護層」を、厚みや比誘電率が不明な粘着層を付与した厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートシートを張り合わせて構成してなるものが記載されている。しかし、そもそも「シート１０」は、粘着層の厚みや比誘電率が不明であることから、請求項９が引用する請求項１で特定する「式（１）」及び「ｙは９９８．２０以上」を満たすとはいえないものである。したがって、甲第１号証あるいは甲第７号証に記載された発明によって請求項９に係る発明の新規性や進歩性を否定することはできず、また、他に証拠を発見しない。 そして、請求項６、７、９、１０に係る発明について、新規性や進歩性以外の独立特許要件違反となる理由も発見しない。 よって、請求項６、７、９、１０に係る訂正事項１、２、４、９ないし１１は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するといえる。 ３．訂正の適否についてのむすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合し、さらに、同条第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定にも適合する。 よって、明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１０〕、１１について訂正することを認める。 第３ 当審の判断 １．本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１１」という。）は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（なお、下線は訂正された箇所を示す。）。 「【請求項１】 支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。） 【請求項２】 前記抵抗被膜の抵抗値が２００Ω／□以上５００Ω／□以下である、請求項１記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項３】 前記誘電体層の比誘電率が１以上１０以下である、請求項１又は２に記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項４】 前記支持体の厚みが１５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１～３いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項５】 前記支持体の比誘電率が１以上１０以下である、請求項１～４いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項６】 前記抵抗被膜が、モリブデンを含有する、請求項１～５いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項７】 前記抵抗被膜が、さらにニッケル及びクロムを含有する、請求項６に記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項８】 前記誘電体層が、粘着剤層を含む、請求項１～７いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項９】 前記抵抗被膜の少なくとも一方の表面上に、さらにバリア層を有する、請求項１～８いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項１０】 前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１～９いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 【請求項１１】 支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０（式 中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。）］」 なお、上記請求項１ないし１１の記載中、「抵抗皮膜」と「抵抗被膜」の用語が混在しているが、同じものを意味するものと解することとする。 ２．取消理由通知（決定の予告）等に記載した取消理由について （１）取消理由の概要 令和４年５月１７日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例３に係る先願による理由Ｂ（拡大先願））、令和３年１２月９日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例２に係る先願による理由Ｂ（拡大先願））、及び令和３年８月２５日付け取消理由通知に記載したその他の取消理由（理由Ａ（新規性））の概要は、次のとおりである。 （１－１）令和４年５月１７日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例３に係る先願による理由Ｂ（拡大先願）） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。 記 引用例３に係る先願：特願２０１７－１１６２９６号（特開２０１９－４ ００４号公報参照）（甲第１２号証） （１－２）令和３年１２月９日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例２に係る先願による理由Ｂ（拡大先願）） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。 記 引用例２に係る先願：特願２０１７－１１６２９４号（特開２０１９－４ ００３号公報参照）（甲第１０号証） （１－３）令和３年８月２５日付け取消理由通知に記載した上記（１－１）及び（１－２）以外の取消理由（理由Ａ（新規性）） 請求項１ないし３、５、１１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１ないし３、５、１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。 記 引用例１：国際公開第２０１８／１６３５８４号（甲第１号証） （２）引用例等の記載事項 （２－１）引用例１ 取消理由通知において引用した引用例１（国際公開第２０１８／１６３５８４号、甲第１号証）には、「電磁波吸収シート」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「［０００１］ 本開示は、可撓性と透光性とを有し、数十ギガヘルツ（ＧＨｚ）から数百ギガヘルツ（ＧＨｚ）のいわゆるミリ波帯域以上の電磁波を吸収する電磁波吸収シートに関する。 背景技術 ［０００２］ 電気回路などから外部へと放出される漏洩電磁波や、不所望に反射した電磁波の影響を回避するために、電磁波を吸収する電磁波吸収シートが用いられている。 ［０００３］ 近年は、携帯電話などの移動体通信や無線ＬＡＮ、料金自動収受システム（ＥＴＣ）などで、数ギガヘルツ（ＧＨｚ）の周波数帯域を持つセンチメートル波、さらには、３０ギガヘルツから３００ギガヘルツの周波数を有するミリ波帯、ミリ波帯域を超えた高い周波数帯域の電磁波として、１テラヘルツ（ＴＨｚ）の周波数を有する電磁波を利用する技術の研究も進んでいる。 ［０００４］ このようなより高い周波数の電磁波を利用する技術トレンドに対応して、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体やユーザの利便性を向上したシート状の電磁波吸収体である電磁波吸収シートにおいても、ミリ波帯域からそれ以上の帯域の電磁波を吸収可能とするものへの要望は、より高くなることが考えられる。 ［０００５］ このような電磁波吸収シートとして、誘電体層の一方の表面に抵抗皮膜を、他方の表面に電磁波を反射する電磁波遮蔽層とが形成され、反射波の位相を入射波に対して１／２波長分ずらすことで電磁波吸収シートへの入射波と反射波とが打ち消し合って電磁波を吸収する、いわゆる電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートが知られている。電磁波干渉型の電磁波吸収シートは、比重の大きな磁性体粒子によって磁気的に電磁波を吸収する電磁波吸収シートなどと比べて軽量であり、容易に製造することができるため低コスト化が可能という利点を有している。」 イ．「［００２７］（実施の形態） まず、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの全体構成について説明する。 ［００２８］ 図１は、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの構成を示す断面図である。 ［００２９］ なお、図１は、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの構成を理解しやすくするために記載された図であり、図中に示された部材の大きさや厚みについて現実に即して表されたものではない。 ［００３０］ 本実施形態で例示する電磁波吸収シートは、抵抗皮膜１、誘電体層２、電磁波遮蔽層３が積層されて形成されている。なお、図１に示す電磁波吸収シートでは、電磁波遮蔽層３の背面側、すなわち、電磁波遮蔽層３において誘電体層２が配置されている側とは反対側の表面には、接着層４が積層形成されている。また、抵抗皮膜１の前面側、すなわち、抵抗皮膜１において誘電体層２が配置されている側とは反対側の表面には、保護層５が積層形成されている。 ［００３１］ 本実施形態にかかる電磁波吸収シートは、誘電体層２に入射した電磁波１１が、誘電体層２の背面側に配置されている電磁波遮蔽層３と誘電体層２との界面で反射されて、反射波１２として再び外部へと放出される。このとき、誘電体層２の厚さｄを、入射した電磁波の波長の１／４とする（ｄ＝λ／４）ことで、入射波１１の位相１１ａと反射波１２の位相１２ａとが打ち消し合って電磁波吸収シートに入射した電磁波を吸収する。 ［００３２］ なお、ｄ＝λ／４となるのは、誘電体層２として空気（誘電率ε＝１）が用いられる場合であり、誘電体層２に用いられる誘電体の誘電率がε r である場合には、ｄ＝１／（４√ε r ）となって誘電体層２の厚さｄを、１／（４√ε r ）だけ薄くすることができる。誘電体層２を薄く形成することで、電磁波吸収シート全体の薄型化を実現でき、より可撓性に優れた電磁波吸収シートを実現することができる。 ［００３３］ 誘電体層２の背面側に積層して形成される電磁波遮蔽層３は、誘電体層２との境界面である誘電体層２側の表面で、入射してきた電磁波を反射する層である。 ［００３４］ 本実施形態にかかる、電磁波干渉型の電磁波吸収シートにおける電磁波吸収の原理から、電磁波遮蔽層３は電磁波を反射する反射層として機能することが必要である。また、電磁波遮蔽層として可撓性と透光性とを備えることが必要である。このような要求に対応できる電磁波遮蔽層３としては、導電性の繊維により構成された導電性メッシュや、極細線の金属などの導電性ワイヤーにより構成された導電性格子を用いることができる。 ［００３５］ 抵抗皮膜１は、誘電体層２の前面側、すなわち誘電体層２の電磁波遮蔽層３が積層されている側とは反対の側の吸収される電磁波が入射する側に形成され、電磁波吸収シートと空気との間のインピーダンス整合を行う。」 ウ．「［００６３］［誘電体層］ 本実施形態にかかる電磁波吸収シートの誘電体層２は、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル樹脂、ガラス、透明なシリコーンゴム、透明なＯＣＡ、ＯＣＲなどの誘電体で形成することができる。なお、誘電体層２は、１種の材料で１層の構成として形成することができ、また、同種、異種の材料を２層以上積層した構成とすることもできる。誘電体層２の形成には、塗布法やプレス成型法、押出成型法などを用いることができる。 ［００６４］ 上述のように、本実施形態にかかる電磁波吸収シートは、電磁波吸収シートに入射した電磁波と電磁波遮蔽層で反射された反射波との位相を１／２波長ずらすことで、入射波と反射波とが打ち消し合って電磁波を吸収する電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートである。このため、誘電体層の厚さ（図１におけるｄ）は、吸収しようとする電磁波の波長に対応して定められる。 ［００６５］ なお、ｄの値は、抵抗皮膜１と電磁波遮蔽層３との間が空間となっている場合、すなわち、誘電体層２が空気で形成されている場合は、ｄ＝λ／４が成り立つが、誘電体層２を誘電率ε r の材料で形成した場合には、ｄ＝λ／（４（√ε r ））となるため、誘電体層２を構成する材料として、材料自体が有する誘電率が大きなものを用いることで誘電体層２の厚さｄの値を、１／√ε r 小さくすることができ、電磁波吸収シート全体の厚さを低減させることができる。本実施形態にかかる電磁波吸収シートは、可撓性を有するものであることから、電磁波吸収シートを構成する誘電体層２や電磁波吸収シート自体の厚さが小さいほど容易に湾曲させることができてより好ましい。また、本実施形態にかかる電磁波吸収シートが、後述する接着層４などを介して電磁波漏洩を防ぎたい部材に貼着して使用されることが多いことを考慮すると、電磁波吸収シートの厚みが薄く容易に貼着部分の形状に沿うこと、また、シートがより軽量化されていることが好ましい。」 エ．「［００８１］［実施例］ 以下、本実施形態にかかる電磁波吸収シートを実際に作製して、各種の特性を測定した結果について説明する。 ［００８２］ ＜抵抗皮膜の耐候性＞ 抵抗皮膜を作成する抵抗皮膜液の成分を異ならせて、以下２種類の電磁波吸収シートをそれぞれ５枚ずつ作成した。 ［００８３］ （シート１） 以下の成分を添加、混合して抵抗皮膜液を調整した （１）導電性高分子分散体 ３６．７部 ヘレウス社製導電性高分子（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ） ：ＰＨ－１００（製品名） 固形分濃度 １．２質量％ （２）ＰＶＤＦ分散液 ５．６部 アルケマ社製：ＬＡＴＥＸ３２（商品名）、 固形分濃度 ２０質量％、 溶媒 水 （３）水溶性ポリエステル水溶液 ０．６部 互応化学工業社製：プラスコートＺ５６１（商品名） 固形分濃度 ２５質量％ （４）有機溶媒（ジメチルスルホキシド） ９．９部 （５）水溶性溶媒（エタノール） ３０．０部 （６）水 １７．２部。 ・・・・・（中 略）・・・・・ ［００９６］ 図２から分かるように、抵抗皮膜の表面抵抗値が３７７Ω／ｓｑと、空気中（真空）のインピーダンス値と一致して極めて良好なインピーダンス整合が取れているシート１では、７６ＧＨｚの電磁波に対する減衰量が約４２ｄＢと極めて高くなっている。 ・・・・・（中 略）・・・・・ ［００９９］［電磁波遮蔽層］ 次に、可撓性と透光性を有する電磁波遮蔽層について検討した。 ［０１００］ 上述のシート１の製法に基づいて、抵抗値が３７７Ω／ｓｑの抵抗皮膜を作製した。 ［０１０１］ いずれも、基材としての厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート上に、抵抗皮膜液をバーコート法によって塗布し、その後１５０°で５分間加熱して製膜した。その後、基材のポリエチレンテレフタレートの抵抗皮膜層を塗布した側とは反対側の面に、誘電体層を、厚さ５５０μｍの透明なシリコーンゴムを用いて形成した。 ［０１０２］ 電磁波遮蔽層を、第１の実施例であるシート７として、セーレン株式会社製の導電メッシュＳｕ－４Ｘ－２７０３５（商品名）を用いて形成した。また、第２の実施例であるシート８として、同じくセーレン株式会社製の導電性メッシュＳｕ－４Ｇ－９０２７（商品名）を用いて形成した。」 上記「ア．」ないし「エ．」から以下のことがいえる。 ・上記引用例１に記載の「電磁波吸収シート」は、上記「ア．」、「イ．」の記載よれば、誘電体層の一方の表面に抵抗皮膜を、他方の表面に電磁波を反射する電磁波遮蔽層とが積層されて形成された電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートに関するものである。 ・上記「ウ．」の記載によれば、入射する電磁波の波長をλ、電磁波遮蔽層と抵抗皮膜との間の誘電体層を誘電率εｒの材料で形成した場合、誘電体層の厚みｄはｄ＝λ／（４√εｒ）である。 ・上記「エ．」の記載によれば、第１の実施例であるシート７では、抵抗皮膜は、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートからなる基材上に製膜され、抵抗値が３７７Ω／ｓｑである。また、誘電体層は、基材の抵抗皮膜を塗布（製膜）した側とは反対側の面に、厚さ５５０μｍの透明なシリコーンゴムを用いて形成されてなるものである。 以上のことから、特に「シート７」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。 「厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートからなる基材と、 前記基材上に製膜された抵抗値が３７７Ω／ｓｑの抵抗皮膜と、 前記基材の前記抵抗皮膜を製膜した側とは反対側の面に形成した厚さ５５０μｍの透明なシリコーンゴムからなる誘電体層と、 前記誘電体層の前記基材側とは反対側の面に形成され、電磁波を反射する電磁波遮蔽層と、を有し、 入射する電磁波の波長をλ、前記電磁波遮蔽層と前記抵抗皮膜との間の誘電体層を誘電率εｒの材料で形成した場合、前記誘電体層の厚みｄはｄ＝λ／（４√εｒ）である、電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シート。」 （２－２）引用例２に係る先願明細書 令和３年１２月９日付け取消理由通知（決定の予告）において引用した、本件出願の優先日前の他の特許出願であって、本件出願の優先日後に出願公開された先願（特開２０１７－１１６２９４号（特開２０１９－４００３号公報参照）、甲第１０号証）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書２」という。）には、「電磁波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【００１６】 図１に示す通り、電磁波吸収体１ａは、第一層１０と、導電層２０とを備えている。第一層１０は、誘電体層又は磁性体層である。導電層２０は、第一層１０の少なくとも片側に設けられており、導電機能層２２を含んでいる 。・・・・・（以下、略）」 イ．「【００２７】 図１に示す通り、電磁波吸収体１ａは、例えば、抵抗層３０をさらに備えている。抵抗層３０は、第一層１０の少なくとも片側に設けられている。この場合、第一層１０は、誘電体層であり、かつ、抵抗層３０と導電層２０との間に配置されている。換言すると、電磁波吸収体１ａはλ／４型電磁波吸収体である。」 ウ．「【００３２】 抵抗層３０は、例えば、抵抗機能層を支持する支持体をさらに含んでいてもよい。この場合、抵抗層３０は、例えば、支持体上にスパッタリング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の成膜方法により抵抗機能層を形成することによって作製できる。この場合、支持体は、抵抗機能層の厚みを高精度に調節できる補助材としての役割も果たす。抵抗層３０の支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、二軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂である。抵抗層３０の支持体の材料は、導電層２０の支持体の材料と同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層３０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。必要に応じて、抵抗層３０において支持体は省略可能である。 【００３３】 抵抗層３０が支持体を含む場合、抵抗層３０において、抵抗機能層が支持体よりも第一層１０に近い位置に配置されていてもよいし、支持体が抵抗機能層よりも第一層１０に近い位置に配置されていてもよい。」 エ．「【００４６】 ＜実施例１＞ ポリエステルからなるフィルム状の支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル、厚み：３８μｍ厚）に、シート抵抗が３８０Ω／□になるように３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いてスパッタリングにより抵抗機能層を形成し、実施例１に係る抵抗層を作製した。実施例１に係る導電層として、アルミニウム蒸着フィルム（三井化学東セロ社製、製品名：CP WS20、基材：二軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）フィルム、基材の厚み：２０μｍ）を準備した。実施例１に係る導電層のアルミニウム蒸着膜に、実施例１に係る誘電体層である５６０μｍの厚みにプレス成型したアクリル樹脂（クラレ社製、クラリティLA2330）を載せた。次に、アクリル樹脂（誘電体層）の上に、抵抗層の支持体によって形成された主面をアクリル樹脂に向けた状態で実施例１に係る抵抗層を重ねた。このようにして、実施例１に係る電磁波吸収体を得た。実施例１に係る電磁波吸収体における誘電体層の比誘電率は２．５５であった。 ・・・・・（中 略）・・・・・ 【００４９】 ＜実施例４＞ 実施例４に係る導電層として、２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されているＵＡＣＪ社製のアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムを準備した。実施例１に係る導電層の代わりに、実施例４に係る導電層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係る電磁波吸収体を得た。実施例４に係る導電層の２５μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムを実施例１に係る誘電体層に向けた状態で実施例４に係る導電層と実施例１に係る誘電体層とを重ねた。 【００５０】 ＜実施例５＞ ＥＶＡ樹脂（三井デュポン社製、エバフレックスEV250、比誘電率：２．４５）を１２０℃でプレス成型して、５６０μｍの厚みを有する実施例５に係る誘電体層を得た。実施例１に係る誘電体層の代わりに実施例５に係る誘電体層を用いた以外は実施例４と同様にして、実施例５に係る電磁波吸収体を得た。 ・・・・・（中 略）・・・・・ 【００５７】 ＜実施例１２＞ アイオノマー樹脂（三井・デュポン ポリケミカル社製、製品名：ハイミラン1855）をミキシングロールで混練した後、１２０℃でプレス成型し、５６５μｍの厚みを有する実施例１２に係る誘電体層を作製した。実施例１２に係る誘電体層の比誘電率は、２.４４であった。実施例１に係る誘電体層の代わりに実施例１２に係る誘電体層を用いた以外は実施例４と同様にして、実施例１２に係る電磁波吸収体を得た。」 オ．「【００７３】 ［図：0001391994000001.jpg］ 」 カ．「 ［図：0001391994000002.jpg］ 」 上記「ア．」ないし「カ．」から以下のことがいえる。 ・上記先願明細書２に記載の「電磁波吸収体」は、上記「ア．」ないし「ウ．」の記載、及び「カ．」（図１）によれば、支持体に抵抗機能層を形成してなる抵抗層、誘電体層、及び導電層を備えるλ／４型電磁波吸収体である。 ・上記「エ．」、「オ．」（【表１】）の記載によれば、実施例５及び実施例１２では、支持体として厚み３８μｍのポリエステルからなるもの（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）が用いられ、当該支持体に抵抗機能層を形成してなる抵抗層のシート抵抗が３８０Ω／□であり、導電層として２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなるものが用いられている。 そして、誘電体層の上に、抵抗層の支持体によって形成された主面が向いた状態で抵抗層が重ねられてなり、実施例５では誘電体層として５６０μｍの厚みを有するＥＶＡ樹脂（比誘電率:２．４５）からなるものが用いられ、実施例１２では５６５μｍの厚みを有するアイオノマー樹脂（比誘電率:２．４４）からなるものが用いられている。 ここで、上記「イ．」の記載、及び「カ．」（図１）によれば、誘電体層は、抵抗層と導電層の間に配置される。よって、導電層は、誘電体層の支持体側とは反対側の面に重ねられてなるものである。 以上のことから、特に「実施例５」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書２には次の発明（以下、「先願発明２－１」という。）が記載されている。 「厚み３８μｍのポリエステルからなる支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）と、 前記支持体上に抵抗機能層を形成してなるシート抵抗が３８０Ω／□の抵抗層と、 前記抵抗層の前記支持体によって形成された主面が向いた状態で前記抵抗層が重ねられてなる５６０μｍの厚みを有するＥＶＡ樹脂（比誘電率:２．４５）からなる誘電体層と、 ２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなり、前記誘電体層の前記支持体側とは反対側の面に２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層を向けた状態で重ねられてなる導電層とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 また、特に「実施例１２」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書２には次の発明（以下、「先願発明２－２」という。）が記載されている。 「厚み３８μｍのポリエステルからなる支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）と、 前記支持体上に抵抗機能層を形成してなるシート抵抗が３８０Ω／□の抵抗層と、 前記抵抗層の前記支持体によって形成された主面が向いた状態で前記抵抗層が重ねられてなる５６５μｍの厚みを有するアイオノマー樹脂（比誘電率:２．４４）からなる誘電体層と、 ２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなり、前記誘電体層の前記支持体側とは反対側の面に２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層を向けた状態で重ねられてなる導電層とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 （２－３）引用例３に係る先願明細書 令和４年５月１７日付け取消理由通知（決定の予告）において引用した、本件出願の優先日前の他の特許出願であって、本件出願の優先日後に出願公開された先願（特開２０１７－１１６２９６号（特開２０１９－４００４号公報参照）、甲第１２号証）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書３」という。）には、「電磁波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【００１４】 図１に示す通り、電磁波吸収体１は、誘電体層１０と、抵抗層２０と、導電層３０とを備えている。抵抗層２０は、誘電体層１０の一方の主面に配置されている。抵抗層２０は、誘電体層１０の他方の主面に配置され、抵抗層２０のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。抵抗層２０は、酸化スズ若しくは酸化チタンを主成分として含む層である、又は、酸化スズを４０重量％以上含む酸化インジウムスズでできている層である。本明細書において、「主成分」とは、重量基準で最も多く含まれる成分を意味する。抵抗層２０が酸化スズ又は酸化チタンを主成分として含む場合、典型的には、抵抗層２０における酸化スズ又は酸化チタンの含有量が５０重量％以上である。抵抗層２０が上記のような材料でできた層であると、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有する。ひいては電磁波吸収体１が良好な耐薬品性を有する。 【００１５】 電磁波吸収体１は、λ／４型電磁波吸収体である。λ／４型電磁波吸収体において、吸収対象とする波長（λO）の電磁波が入射すると、抵抗層２０の表面での反射（表面反射）による電磁波と、導電層３０における反射（裏面反射）による電磁波とが干渉するように設計される。なお、λ／４型電磁波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層１０の厚み（ｔ）及び誘電体層１０の比誘電率（εr）によって吸収対象の電磁波の波長（λO）が決定される。すなわち、誘電体層１０の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率（εr）の平方根を意味する。 λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr） 式（１）」 イ．「【００２５】 図１に示す通り、抵抗層２０は、例えば、誘電体層１０に接している面と反対の面において高分子フィルム２５に積層されている。高分子フィルム２５は、抵抗層２０の支持体として機能する。高分子フィルム２５は、例えば上記の成膜法によって抵抗層２０を製造する場合に、成膜時又はその後のアニール処理時の加熱に耐えうる耐熱性を有し、平滑な表面を提供する材料でできていることが望ましい。加えて、高分子フィルム２５は、抵抗層２０を覆うように配置されているので、高分子フィルム２５が高い耐薬品性を有していれば、電磁波吸収体１も高い耐薬品性を有する。このため、高分子フィルム２５の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の芳香族ポリエーテルケトン、芳香族ポリアミド（アラミド）、又はポリイミドである。良好な耐薬品性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層２０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。 【００２６】 高分子フィルム２５の厚みは、例えば１０～１５０μｍであり、望ましくは２０～１００μｍであり、より望ましくは３０～８０μｍの厚みを有する。これにより、高分子フィルム２５の曲げ剛性が低く、かつ、高分子フィルム２５に抵抗層２０を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。」 ウ．「【００４０】 次に、導電層３０の一方の主面に、所定の厚みに成形された誘電体層１０を形成する樹脂組成物を載せる。その後、誘電体層１０を形成する樹脂組成物に、抵抗層２０の一方の主面を重ねる。必要に応じて、樹脂組成物を硬化させる。これにより、電磁波吸収体１を製造できる。この方法によれば、誘電体層１０の厚みの制御が容易であるので、吸収対象とする波長の電磁波を効果的に吸収できるように電磁波吸収体１を製造できる。また、抵抗層２０および導電層３０を別々に形成するので、電磁波吸収体１の製造に要する時間が短く、電磁波吸収体１の製造コストが低い。誘電体層１０と導電層３０又は抵抗層２０とをくっつけるために接着剤又は粘着剤を用いてもよい。」 エ．「【００４７】 ＜実施例１＞ ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、ＳｎＯ2をターゲット材として用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：室温）により、ＳｎＯ2からなる膜を形成した。この膜を３００℃で１時間加熱処理（アニール処理）して結晶化させた。このようにして、ＳｎＯ2からなる実施例１に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の厚み、シート抵抗、及び比抵抗を表１に示す。２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１に係る誘電体層を作製した。また、実施例１に係る導電層として０．００２Ω／□のシート抵抗を有するアルミニウム箔を準備した。実施例１に係る誘電体層の一方の主面に薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層が接触するように実施例１に係る抵抗層を貼り付けた。また、実施例１に係る誘電体層の他方の主面に実施例１に係る導電層を接触させて貼り付けた。このようにして、実施例１に係るサンプルＡを作製した。」 オ．「【００４９】 ＜実施例２＞ ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、ＳｎＦ2粉末とＳｎＯ2粉末との混合物をターゲット材として用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：２００℃）により、フッ素ドープ酸化スズ（フッ素含有量：５原子％）でできた実施例２に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例２に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５０】 ＜実施例３＞ ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、Ｓｎ－Ｓｂ合金をターゲット材として用い、反応性ガスとして酸素ガスを用いて、反応性ＭＦ－ＡＣマグネトロンスパッタ法（電源の周波数：２００ｋＨｚ、基板温度：２００℃）により、アンチモンドープ酸化スズ（アンチモン含有量：４原子％）でできた実施例３に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例３に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５１】 ＜実施例４＞ ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、Ｎｂ含有ＴｉＯ2をターゲット材に用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：室温）により、ニオブドープ酸化チタン（ニオブ含有量：８原子％）でできた膜を形成した。この膜を３５０℃で１時間加熱処理（アニール処理）して結晶化させた。このようにして、実施例４に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。」 カ．「【００６１】 ［図：0001391994000003.jpg］ 」 キ．「 ［図：0001391994000004.jpg］ 」 上記「ア．」ないし「キ．」から以下のことがいえる。 ・上記先願明細書３に記載の「電磁波吸収体」は、上記「ア．」、「イ．」の記載、及び「キ．」（図１）によれば、支持体として機能する高分子フィルム、抵抗層、誘電体層、及び導電層を備えるλ／４型電磁波吸収体である。 ・上記「エ．」ないし「オ．」の記載、及び上記「カ．」（【表１】）によれば、実施例２ないし実施例４では、支持体（高分子フィルム）として５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなるものが用いられ、誘電体層は一方の主面に抵抗層が接触するように貼り付けられ、５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなるものが用いられ、導電層は誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔が用いられている。 そして、抵抗層は、支持体上に形成され、実施例２ではシート抵抗が３９０Ω／□のものが用いられ、実施例３ではシート抵抗が４０５Ω／□のものが用いられ、実施例４ではシート抵抗が３７２Ω／□のものが用いられている。 以上のことから、特に「実施例２」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書３には、次の発明（以下、「先願発明３－１」という。）が記載されている。 「５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなる支持体と、 前記支持体上に形成されたシート抵抗が３９０Ω／□の抵抗層と、 一方の主面に前記抵抗層が接触するように貼り付けられてなる５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなる誘電体層と、 前記誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 また、「実施例３」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書３には、次の発明（以下、「先願発明３－２」という。）が記載されている。 「５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなる支持体と、 前記支持体上に形成されたシート抵抗が４０５Ω／□の抵抗層と、 一方の主面に前記抵抗層が接触するように貼り付けられてなる５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなる誘電体層と、 前記誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 さらに、「実施例４」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書３には、次の発明（以下、「先願発明３－３」という。）が記載されている。 「５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなる支持体と、 前記支持体上に形成されたシート抵抗が３７２Ω／□の抵抗層と、 一方の主面に前記抵抗層が接触するように貼り付けられてなる５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなる誘電体層と、 前記誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 （３）取消理由についての当審の判断 （３－１）令和４年５月１７日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例３に係る先願による理由Ｂ（拡大先願））について ア．本件発明１について 本件発明１と先願発明３－３とを対比する。 （ａ）λ／４型電波吸収体について 先願発明３－３における「支持体」、「抵抗層」、「誘電体層」、「アルミニウム箔」は、それぞれ本件発明１でいう「支持体」、「抵抗皮膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当するといえる。 そして、先願発明３－３における「λ／４型電磁波吸収体」は、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。 したがって、本件発明１と先願発明３－３とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （ｂ）式（１）について 先願発明３－３における「支持体」のポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）について、その比誘電率については先願明細書３には記載されていないが、「ユーピレックス」（「https://www.ube.com/upilex/jp/upilex_grade.html」参照）によれば３．５であると解される。 したがって、先願発明３－１における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３７２＋１１０５＝９６５．５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３７２＋１１４０＝１０００．５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝５０×３．５０．５＋５６０×２．５０．５≒９７８．９８であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって上記（ａ）及び（ｂ）によれば、本件発明１と先願発明３－３とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明３－３では９７８．９８である点。 ここで、令和３年８月２５日付け取消理由通知において認定した先願発明３－１及び先願発明３－２については、令和４年５月１７日付け取消理由通知（決定の予告）で採用していないが、以下に検討しておく。 まず、本件発明１と先願発明３－１と対比する。 先願発明３－１は、先願発明３－３の「抵抗層」について、シート抵抗が「３７２Ω／□」のものに代えて「３９０Ω／□」としたものであり、その他の構成は同じである。 そこで、先願発明３－１における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３９０＋１１０５＝９５８．７５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３９０＋１１４０＝９９３．７５ であり、ｙの値は先願発明３－３と同じｙ≒９７８．９８であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって、本件発明１と先願発明３－１とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明３－１では９７８．９８である点。 次に、本件発明１と先願発明３－２と対比する。 先願発明３－２は、先願発明３－３の「抵抗層」について、シート抵抗が「３７２Ω／□」のものに代えて「４０５Ω／□」としたものであり、その他の構成は同じである。 そこで、先願発明３－２における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×４０５＋１１０５＝９５３．１２５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×４０５＋１１４０＝９８８．１２５ であり、ｙの値は先願発明３－３と同じｙ≒９７８．９８であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって、本件発明１と先願発明３－２とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明３－２では９７８．９８である点。 以上のとおり、いずれも相違するところがあるから、本件発明１は、先願明細書３に記載された発明と同一であるとはいえない。 イ．本件発明２ないし５、８について 請求項２ないし５、８は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５、８は、先願明細書３に記載された発明と同一であるとはいえない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と先願発明３－３、さらには先願発明３－１あるいは先願発明３－２とは、 「支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）］」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明３－１ないし先願発明３－３では９７８．９８である点。 よって、いずれも相違するところがあるから、本件発明１１は、先願明細書３に記載された発明と同一であるとはいえない。 （３－２）令和３年１２月９日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由（引用例２に係る先願による理由Ｂ（拡大先願））について ア．本件発明１について 本件発明１と先願発明２－１とを対比する。 （ア）λ／４型電波吸収体について 先願発明２－１における「支持体」、「抵抗層」、「ＥＶＡ樹脂からなる誘電体層」及び「２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層」、「アルミニウム箔」が、それぞれ本件発明１でいう「支持体」、「抵抗皮膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当するといえる。 そして、先願発明２－１における「λ／４型電磁波吸収体」は、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。 したがって、本件発明１と先願発明２－１とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （イ）式（１）について 先願発明２－１における「支持体」（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）のポリエステルはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であるところ、その比誘電率の値、及び「２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層」の比誘電率については先願明細書２には記載されていないが、本件特許に関する令和２年７月１４日提出の意見書や例えば「比誘電率表」（「http://www.yei-jp.com/tech-infor/dielectric/dielectric.html」参照）によれば、２．９～３．０である。 したがって、先願発明２－１における各数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３８０＋１１０５＝９６２．５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３８０＋１１４０＝９９７．５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝３８×（２．９～３．０）０．５＋５６０×２．４５０．５＋２５×（２．９～３．０）０．５≒９８３．８２～９８５．６６であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 なお、先願発明２－１における導電層を構成する「９μｍの厚みを有するＰＥＴの層」は、反射層として機能するアルミニウム箔の外側にある層であり、電磁波を吸収するために機能している層ではないから、ｙの値を計算するに際して考慮する必要のない層である。 よって上記（ア）及び（イ）によれば、本件発明１と先願発明２－１とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明２－１では９８３．８２～９８５．６６である点。 次に、本件発明１と先願発明２－２と対比する。 先願発明２－２は、先願発明２－１の「誘電体層」について、「５６０μｍの厚みを有するＥＶＡ樹脂（比誘電率：２．４５）」に代えて「５６５μｍの厚みを有するアイオノマー樹脂（比誘電率：２．４４）」としたものであり、その他の構成は同じである。 そこで、先願発明２－２における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３８０＋１１０５＝９６２．５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３８０＋１１４０＝９９７．．５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝３８×（２．９～３．０）０．５＋５６５×２．４４０．５＋２５×（２．９～３．０）０．５≒９８９．８４～９９１．６８であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって、本件発明１と先願発明２－２とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明２－２では９８９．８４～９９１．６８である点。 以上のとおり、いずれも相違するところがあるから、本件発明１は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとはいえない。 イ．本件発明２ないし５、８について 請求項２ないし５、８は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５、８は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとはいえない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と先願発明２－１あるいは先願発明２－２とは、 「支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）］」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明２－１では９８３．８２～９８５．６６であり、先願発明２－２では９８９．８４～９９１．６８である点。 よって、いずれも相違するところがあるから、本件発明１１は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとはいえない。 （３－３）令和３年８月２５日付け取消理由通知に記載した上記（１－１）及び（１－２）以外の取消理由（理由Ａ（新規性））について ア．本件発明１について 本件発明１と引用発明１とを対比する。 （ア）λ／４型電波吸収体について 引用発明１における「基材」は、抵抗皮膜を製膜するために使用され、当該抵抗皮膜を支持しているといえるものであることから、本件発明１でいう「支持体」に相当する。 また、引用発明１における「抵抗皮膜」、「誘電体層」、電磁波を反射する「電磁波遮蔽層」は、それぞれ本件発明１でいう「抵抗皮膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当する。 そして、引用発明１における「電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シート」は、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。なお、本件発明１では、「支持体」が抵抗皮膜と誘電体層との間に配置されてなる態様も含んでいる。 したがって、本件発明１と引用発明１とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （イ）式（１）について 引用発明１における「基材」のポリエチレンテレフタレートの比誘電率について、引用例１には記載されていないが、本件特許に関する令和２年７月１４日提出の意見書や例えば「比誘電率表」（「http://www.yei-jp.com/tech-infor/dielectric/dielectric.html」参照）によれば、２．９～３．０である。 同様に、引用発明１における「誘電体層」の透明なシリコーンゴムの比誘電率についても引用例１には記載されていないが、上記「比誘電率表」によれば、３．０～３．５である。ここで、引用発明１では、入射する電磁波の波長をλとし、電磁波遮蔽層と抵抗皮膜との間の誘電体層を誘電率εｒの材料で形成した場合、その誘電体層の厚みｄはｄ＝λ／（４√εｒ）であるところ、引用例１の段落［００９６］の記載、及び図２、図３によれば、シート７は７６ＧＨｚにおいて最大の反射減衰量を示していることから、引用発明１は７６ＧＨｚの電磁波を吸収するものであるといえ、７６ＧＨｚの電磁波の波長λは３．９５ｍｍである。また、上記厚みｄは、ポリエチレンテレフタレートからなる基材の厚さ１０μｍとシリコーンゴムからなる誘電体層の厚さ５５０μｍとの和である５６０μｍということになる。よって、ポリエチレンテレフタレートからなる基材とシリコーンゴムからなる誘電体層との積層物の見掛けの比誘電率εｒは、εｒ=｛λ／（４ｄ）｝２=｛３．９５／（４×０．５６０）｝２≒３．１である。そして、基材のポリエチレンテレフタレートの厚みは１０μｍ、比誘電率は上述のように２．９～３．０であり、シリコーンゴムからなる誘電体層の厚みは５５０μｍであるから、シリコーンゴムからなる誘電体層の比誘電率をＡとおくと、 （２．９～３．０）×１０／５６０＋Ａ×５５０／５６０＝３．１の式が成り立ち、Ａ≒３．１ということになる。 したがって、引用発明１における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３７７＋１１０５＝９６３．６２５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３７７＋１１４０＝９９８．６２５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝１０×（２．９～３．０）０．５＋５５０×３．１０．５≒９８５．４０～９８５．７０であるから、式（１）は満たすものの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって上記（ア）及び（イ）によれば、本件発明１と引用発明１とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、引用発明１では９８５．４０～９８５．７０である点。 以上のとおり、相違するところがあるから、本件発明１は引用例１に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 イ．本件発明２、３、５について 請求項２、３、５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点１及び２に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２、３、５は、引用例１に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と引用発明１とは、 「支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）］」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、引用発明１では９８５．４０～９８５．７０である点。 よって、相違するところがあるから、本件発明１１は引用例１に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 ３．取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について （１）申立理由の概要 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由（理由２－１ないし２－４、理由３－２及び３－４）の概要は次のとおりである。 （１－１）理由２－１（進歩性） 請求項１ないし３、５、１１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第１号証に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３、５、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 記 甲第１号証：国際公開第２０１８／１６３５８４号 （１－２）理由２－２（進歩性） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第２号証に記載された発明、及び甲第３，４号証に記載の技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 記 甲第２号証：特開２０１８－９８３６７号公報 甲第３号証：電気学会論文誌Ｃ，「６０ＧＨｚ及び７６ＧＨｚ対応λ／４型ミリ波電波吸収体に関する検討」，１２４巻２号，p．３３５－３４０ 甲第４号証：特開２０１７－１１４９３５号公報 （１－３）理由２－３（進歩性） 請求項１ないし５、８、１１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第５号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載の技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし５、８、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 記 甲第５号証：電気学会論文誌Ａ，「９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体の実現」，１１７巻６号，p．６３２－６３７ 甲第６号証：第２１回ＥＭＣ環境フォーラム配布資料 （１－４）理由２－４（進歩性） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第７号証に記載された発明、及び甲第８，９号証に記載の技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 記 甲第７号証：国際公開第２０１８／０８８４９２号 甲第８号証：国際公開第２０１０／０１６２３８号 甲第９号証：電子情報通信学会「知識の森」，９群－１編－１章，「１－２－１ 誘電性」（URL:https://www.ieice-hbkb.org/files/09/09gun_01hen_01.pdf#page=12） （１－５）理由３－２（拡大先願） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。 記 甲第１１号証に係る先願：特願２０１７－１１６２９２号（特開２０１９－４００２号公報参照） （１－６）理由３－４（拡大先願） 請求項１ないし５、１１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１ないし５、１１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。 記 甲第１３号証に係る先願：特願２０１７－１１６２９７号（特開２０１９－４００５号公報参照） （２）甲各号証の記載事項 （２－１）甲第１号証 甲第１号証の記載事項、及び甲第１号証に記載された発明は、上記「２．（２－１）」に記載したとおりである。 （２－２）甲第２号証 甲第２号証（特開２０１８－９８３６７号公報）には、「電磁波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【００２０】 本発明の電磁波吸収体は、磁性損失を利用する磁性電磁波吸収体、誘電損失を利用する誘電性電磁波吸収体、抵抗損失を利用する導電性電磁波吸収体およびλ／４型電磁波吸収体のいずれの方式の電磁波吸収体であってもよいが、とりわけ耐久性、軽量性、薄膜化が容易である点でλ／４型電磁波吸収体が好ましく、加工性に優れる点で磁性電磁波吸収体、誘電性電磁波吸収体が好ましい。 【００２１】 上記λ／４型電磁波吸収体である本発明の電磁波吸収体としては、例えば、図１に示すように、抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃとをこの順で有し、上記抵抗層Ａの外側と、導電層Ｃの外側に、それぞれ樹脂層Ｄ1，Ｄ2が設けられているものがあげられる。なお、図１において、各部分は模式的に示したものであり、実際の厚み、大きさ等とは異なっている（以下の図においても同じ）。また、抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃの構成で充分に効果を奏することができるため、樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、任意に設けられた構成である。」 イ．「【００３０】 上記導電層Ｃは、対象とする電磁波を電磁波吸収体の裏面近傍で反射させるために配置されるものであり、そのシート抵抗は、抵抗層Ａのシート抵抗より充分に低く設定されている。・・・・・（以下、略）」 ウ．「【００３１】 上記樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、抵抗層Ａまたは導電層Ｃをスパッタ等により形成する際の基板となるものであり、電磁波吸収体に形成された後に、抵抗層Ａおよび導電層Ｃを外部からの衝撃等から保護する等の役割を果たすものである。・・・・・（以下、略）」 エ．「【００３６】 このような電磁波吸収体（図１参照）は、例えば、つぎのようにして製造することができる。 【００３７】 まず、図３（ａ）に示すように、フィルム状に成形された樹脂層Ｄ1の上（図では下）に抵抗層Ａを形成する。また、フィルム状に成形された樹脂層Ｄ2の上に導電層Ｃを形成する。上記抵抗層Ａおよび導電層Ｃは、スパッタ、蒸着等により形成することができる。なかでも、抵抗値や厚みを厳密に制御できる点から、いずれもスパッタを用いることが好ましい。 【００３８】 つぎに、図３（ｂ）に示すように、誘電体層Ｂを形成する樹脂組成物をシート状にプレス成形する。そして、上記誘電体層Ｂの一方の面に、樹脂層Ｄ1の上に形成された抵抗層Ａを重ね、もう一方の面に、樹脂層Ｄ2の上に形成された導電層Ｃを重ねる。これにより、図１に示す、樹脂層Ｄ1、抵抗層Ａ、誘電体層Ｂ、導電層Ｃ、樹脂層Ｄ2がこの順で積層された電磁波吸収体を得ることができる。 【００３９】 これによれば、誘電体層Ｂの厚みの制御が容易であるため、対象とする波長（周波）の電磁波を効果的に吸収する電磁波吸収体とすることができる。また、抵抗層Ａおよび導電層Ｃを別々に形成することができるため、電磁波吸収体の製造にかかる時間を短縮することができ、低コストで製造することができる。なお、樹脂層Ｄ1，Ｄ2を設けない場合には、例えば、誘電体層Ｂに、抵抗層Ａおよび導電層Ｃの材料を、直接、スパッタ、蒸着等することにより電磁波吸収体を製造することができる。」 オ．「【００５１】 ＜実施例１＞ 図１に示す電磁波吸収体を得る方法に準じ、三井デュポン社製ＥＶＡ樹脂（エバフレックスＥＶ２５０、比誘電率２.４５）を１２０℃でプレス成形し、５６０μｍ厚シートに成形して誘電体層Ｂを作製した。この誘電体層Ｂの一方の面に、導電層Ｃとして表面抵抗が２０Ω/□になるようにＩＴＯがスパッタ形成された３８μｍ厚のＰＥＴフィルム（樹脂層Ｄ1）を、導電層Ｃを誘電体層Ｂに対峙するように貼り合せた。そして、上記誘電体層Ｂのもう一方の面に、抵抗層Ａとして表面抵抗が３８０Ω/□になるようにＩＴＯがスパッタ形成された３８μｍ厚のＰＥＴフィルム（樹脂層Ｄ2）を抵抗層Ａが誘電体層Ｂに対峙するように貼り合せて、目的とする電磁波吸収体を得た。 【００５２】 ＜実施例２＞ 図１に示す電磁波吸収体を得る方法に準じ、誘電体層Ｂを下記のように変更した以外は、実施例１と同様にして目的とする電磁波吸収体を得た。 （誘電体層Ｂ） 三井デュポン社製ＥＶＡ樹脂（エバフレックスＥＶ２５０）１００重量部に、堺化学工業社製チタン酸バリウム（ＢＴ－０１）を５０重量部添加し、ミキシングロールで混練した後、１２０℃でプレス成形し、４５８μｍ厚シートに成形して誘電体層Ｂを作製した。この誘電体層Ｂの比誘電率は３.９０であった。」 カ．「 ［図：0001391994000005.jpg］ 」 上記「ア．」ないし「カ．」から以下のことがいえる。 ・上記甲第２号証に記載の「電磁波吸収体」は、上記「ア．」ないし「ウ．」の記載、及び上記「カ．」（図１）によれば、λ／４型電磁波吸収体であり、抵抗層と、誘電体層と、電磁波を反射するための導電層とをこの順で有し、抵抗層の外側に抵抗層を形成する際の基板となる樹脂層が設けられてなるものである。 ・上記「オ．」の記載によれば、実施例２では、樹脂層として３８μｍ厚のＰＥＴフィルムが用いられ、誘電体層としてＥＶＡ樹脂にチタン酸バリウムを添加し混錬した後にプレス成形して作製された４５８μｍ厚、比誘電率３．９０のものが用いられている。そして、導電層を誘電体層に対峙するように貼り合わせ、誘電体層のもう一方の面に、抵抗層として表面抵抗が３８０Ω／□となるように形成されたＰＥＴフィルムを抵抗層が誘電体層に対峙するように貼り合わせてなるものである。 以上のことから、特に実施例２に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、甲第２号証には、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 「３８μｍ厚のＰＥＴフィルムからなる基板と、 前記基板上に形成された表面抵抗が３８０Ω／□である抵抗層と、 ＥＶＡ樹脂にチタン酸バリウムを添加し混錬した後にプレス成形して作製された４５８μｍ厚、比誘電率３．９０の誘電体層と、 電磁波を反射するための導電層と、を有し、 前記導電層を前記誘電体層に対峙するように貼り合わせ、前記誘電体層のもう一方の面に、前記基板を前記抵抗層が前記誘電体層に対峙するように貼り合わせてなる、λ／４型電磁波吸収体。」 （２－３）甲第５号証 甲第５号証（電気学会論文誌Ａ，「９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体の実現」，１１７巻６号，p．６３２－６３７）には、「９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「２．設計法 ＜２・１＞電波吸収体の構成および製造 ＜２・１・1＞構 成 図１（ａ）に本解析に用いる電波吸収体の構成を示す。本抵抗皮膜型電波吸収体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）でできた保護膜に蒸着した導電性の抵抗皮膜（Indium Tin Oxide;ITO），およびこの抵抗皮膜と裏打ちアルミ箔との間隔を一定に保つポリカーボネート（ＰＣ）製のスペーサから構成されている。（詳細な製造は＜２・１・２＞で述べる。）また、本構成においては裏打ちアルミ箔にその使用上の簡便性から、アルミ箔と接着層が一体形成された３層（Aluminium Foil, PET, Adhesion Layer）構成として商品化されているパナック工業（株）製のアルぺット（品名）を用いた。」（６３２頁右欄） イ．「 ［図：0001391994000006.jpg］ 」 ウ．「＜２・１・２＞製 造 図２を用いて前述した構成の抵抗皮膜型電波吸収体の製造工程について説明する。この図に示すように、電波吸収体の製造は概略次のような手順でおこなった。 （１）幅４５０［ｍｍ］のベースフィルム（材質：ポリエチレンテレフタレート，厚さ：１２５［μｍ］，複素比誘電率：εｒ＝３．１６－ｊ０．０３ ａｔ ２［ＧＨｚ］）の下層に厚さ数百Åの導電性フィルムＩＴＯ（酸化インジウムすず）の抵抗皮膜を形成する。（２）一方の工程において、この抵抗皮膜と前述した裏打ちアルミ箔の間を一定間隔に保持するスペーサ（材質：ポリカーボネート，複素比誘電率：εｒ＝２．７０－ｊ０．０３ ａｔ ２［ＧＨｚ］）を製作する。（３）最後にベースフィルムとスペーサを厚さ５０［μｍ］の粘着層（複素比誘電率：εｒ＝２．８１－ｊ０．１６ ａｔ ２［ＧＨｚ］）を用いて圧着し、かつ裏面に先に述べたパナック工業（株）製のアルぺット（品名）を用いて、アルミ箔を裏打ちすることにより電波吸収体を製作する。」（６３３頁右欄、なお、複素比誘電率を表す記号「εｒ」のεの上の「・」は省略した。以下、同様。） エ．「 ［図：0001391994000007.jpg］ 」 オ．「３．測定 ＜３．１＞ 製作試料 ここでは以上の推定値をもとに電波吸収体の設計をおこなう。すなわち、９４ＧＨｚ帯においてポリカーボネートの複素比誘電率は、εｒ＝（２．６９±０．０３）－ｊ（０．１３±０．０２）であり、抵抗皮膜の面抵抗値は、１０．４±３．６［％］大きくなることが、前章で確認できた。そこで、これらの値を使用して、先に示した分布定数回路を用いて試料表面における反射係数Γが零になるスペーサの厚さｌと抵抗皮膜の面抵抗値Ｒを求めた。 この結果、設計周波数を９４ＧＨｚと選択すると、スペーサの厚さ３００［μｍ］および面抵抗値３４６［Ω□］において、最大の反射減衰量が達成できることがわかった。」（６３４頁左欄～右欄） 上記「ア．」ないし「オ．」から以下のことがいえる。 ・上記甲第５号証に記載の「９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体」は、上記「ア．」、「ウ．」の記載、及び「イ．」（図１（ａ））によれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるベースフィルム（保護膜）と、ベースフィルム（保護膜）の下層に形成された抵抗皮膜と、粘着層と、ポリカーボネートからなるスペーサと、粘着層・ＰＥＴ・アルミニウム箔の３層構成のアルミ箔とをこの順に積層してなるものである。 ・上記「ウ．」、「オ．」の記載、及び「イ．」（図１（ａ））、「エ．」（表１）によれば、９４ＧＨｚにおいて最大の反射減衰量が達成できるのは、各層の厚さが、ベースフィルム（保護膜）：１２５μｍ、抵抗皮膜とスペーサとの間の粘着層：５０μｍ、スペーサ：３００μｍ、３層構成のアルミ箔の粘着層：２５μｍ、ＰＥＴ：１２μｍである。また、各層の比誘電率は、複素比誘電率の実部をとると（なお、特許異議申立書においても、ｙの値の算出に実部の値を使用している）、ベースフィルム（保護膜）：３．１６、抵抗皮膜とスペーサとの間の粘着層：２．８１、スペーサ：２．６９（９４ＧＨｚにおける値とした）、３層構成のアルミ箔の粘着層：２．８１（抵抗皮膜とスペーサとの間の粘着層と同じ値とした）、ＰＥＴ：３．１６（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるベースフィルム（保護膜）と同じ値とした）であり、さらに、抵抗皮膜の面抵抗値：３４６Ω／□であると解することができる。 以上のことから、９４ＧＨｚにおいて最大の反射減衰量が達成できる電波吸収体に着目し、上記記載事項を総合勘案すると、甲第５号証には、次の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されているといえる。 「厚さ１２５μｍ、比誘電率３．１６のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるベースフィルム（保護膜）と、 前記ベースフィルム（保護膜）の下層に形成された面抵抗値は３４６Ω／□の抵抗皮膜と、 厚さ５０μｍ、比誘電率２．８１の粘着層と、 厚さ３００μｍ、比誘電率２．６９のポリカーボネートからなるスペーサと、 粘着層（厚さ２５μｍ、比誘電率２．８１）・ＰＥＴ（厚さ１２μｍ、比誘電率３．１６）・アルミニウム箔の３層構成のアルミ箔と、をこの順に積層してなる、９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体。」 （２－４）甲第７号証 甲第７号証（国際公開第２０１８／０８８４９２号）には、「電磁波吸収シート」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「[０００１] 本開示は、可撓性を有する電磁波吸収シートに関する。本開示にかかる電磁波吸収シートは、いわゆる電波干渉型の電磁波吸収シートであり、数十ギガヘルツ（ＧＨｚ）から数百ギガヘルツ（ＧＨｚ）のいわゆるミリ波帯域以上の電波を吸収するように設計することが可能である。 背景技術 [０００２] 電気回路などから外部へと放出される漏洩電磁波や、不所望に反射した電磁波の影響を回避するために、電磁波を吸収する電磁波吸収シートが用いられている。 [０００３] 近年は、携帯電話などの移動体通信や無線ＬＡＮ、料金自動収受システム（ＥＴＣ）などで、数ギガヘルツ（ＧＨｚ）の周波数帯域を持つセンチメートル波、さらには、３０ギガヘルツから３００ギガヘルツの周波数を有するミリ波帯、ミリ波帯域を超えた高い周波数帯域の電磁波として、１テラヘルツ（ＴＨｚ）の周波数を有する電磁波を利用する技術の研究も進んでいる。 [０００４] このようなより高い周波数の電磁波を利用する技術トレンドに対応して、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体やユーザの利便性を向上したシート状の電磁波吸収体である電磁波吸収シートにおいても、ミリ波帯域からそれ以上の帯域の電磁波を吸収可能とするものへの要望は、より高くなることが考えられる。 [０００５] このような電磁波吸収シートとして、誘電体層の一方の表面に抵抗皮膜を、他方の表面に電磁波を反射する電磁波遮蔽層とが形成され、反射波の位相を入射波に対して１／２波長分ずらすことで電磁波吸収シートへの入射波と反射波とが打ち消し合って電磁波を吸収する、いわゆる電波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートが知られている。電波干渉型の電磁波吸収シートは、比重の大きな磁性体粒子によって磁気的に電磁波を吸収する電磁波吸収シートなどと比べて軽量であり、容易に製造することができるため低コスト化が可能という利点を有している。」 イ．「[００２６] （実施の形態） まず、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの全体構成について説明する。 [００２７] 図１は、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの構成を示す断面図である。 [００２８] なお、図１は、本実施形態にかかる電磁波吸収シートの構成を理解しやすくするために記載された図であり、図中に示された部材の大きさや厚みについて現実に即して表されたものではない。 [００２９] 本実施形態で例示する電磁波吸収シートは、抵抗皮膜１、誘電体層２、電磁波遮蔽層３が積層されて形成されている。なお、図１に示す電磁波吸収シートでは、電磁波遮蔽層３の背面側、すなわち、電磁波遮蔽層３において誘電体層２が配置されている側とは反対側の表面には、接着層４が積層形成されている。また、抵抗皮膜１の前面側、すなわち、抵抗皮膜１において誘電体層２が配置されている側とは反対側の表面には、保護層５が積層形成されている。 [００３０] 本実施形態にかかる電磁波吸収シートは、誘電体層２に入射した電磁波１１が、誘電体層２の背面側に配置されている電磁波遮蔽層３との界面で反射されて、反射波１２として再び外部へと放出される。このとき、誘電体層２の厚さｄを、入射した電磁波の波長の１／４とする（ｄ＝λ／４）ことで、入射波１１の位相１１ａと反射波１２の位相１２ａとが打ち消し合って電磁波吸収シートに入射した電磁波を吸収する。 [００３１] なお、ｄ＝λ／４となるのは、誘電体層２として空気（誘電率ε＝１）が用いられる場合であり、誘電体層２に用いられる誘電体の誘電率がεrである場合には、ｄ＝λ／（４（εr）1/2）となって誘電体層２の厚さｄを（εr）-1/2だけ薄くすることができる。誘電体層２を薄く形成することで、電磁波吸収シート全体の薄型化を実現でき、より可撓性に優れた電磁波吸収シートを実現することができる。 [００３２] 誘電体層２の背面側に積層して形成される電磁波遮蔽層３は、誘電体層２との境界面である誘電体層２側の表面で、入射してきた電波を反射する層である。 [００３３] 本実施形態にかかる、電波干渉型の電磁波吸収シートにおける電磁波吸収の原理から、電磁波遮蔽層３は電磁波を反射する反射層として機能すれば良く、金属層として容易に実現可能である。しかし、本実施形態にかかる電磁波吸収シートは全体として可撓性を有するものであるため、電磁波遮蔽層３として可撓性を有しない厚さ（一例として数ｍｍ以上）の金属板を用いることは好ましくなく、金属箔や、樹脂などの非金属製材料の薄膜上に金属材料を蒸着して形成された金属薄膜を用いて電磁波遮蔽層３を実現することが好ましい。 [００３４] 抵抗皮膜１は、誘電体層２の前面側、すなわち誘電体層２の電磁波遮蔽層３が積層されている側とは反対側の、吸収される電磁波が入射する側に形成され、電磁波吸収シートと空気との間のインピーダンス整合を行う。」 ウ．「[００６３] ［誘電体層］ 本実施形態にかかる電磁波吸収シートの誘電体層２は、酸化チタン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル樹脂、ガラス、シリコーンゴムなどの誘電体で形成することができる。なお、誘電体層２は、１種の材料で１層の構成として形成することができ、また、同種、異種の材料を２層以上積層した構成とすることもできる。誘電体層２の形成には、塗布法やプレス成型法、押出成型法などを用いることができる。 [００６４] 上述のように、本実施形態にかかる電磁波吸収シートは、電磁波吸収シートに入射した電磁波と電磁波遮蔽層で反射された反射波との位相を１／２波長ずらすことで、入射波と反射波とが打ち消し合って電磁波を吸収する電波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートである。このため、誘電体層の厚さ（図１におけるｄ）は、吸収しようとする電磁波の波長に対応して定められる。 [００６５] なお、ｄの値は、抵抗皮膜１と電磁波遮蔽層３との間が空間となっている場合、すなわち、誘電体層２が空気で形成されている場合は、ｄ＝λ／４が成り立つが、誘電体層２を誘電率εrの材料で形成した場合には、ｄ＝１／４λ（εr）-1/2となるため、誘電体層２を構成する材料として、材料自体が有する誘電率が大きなものを用いることで誘電体層２の厚さｄの値を、（εr）-1/2小さくすることができ、電磁波吸収シート全体の厚さも低減することができる。誘電率は、上限値を１０程度としてより大きな値であることが好ましい。」 エ．「[００８３] ［実施例］ 以下、本実施形態にかかる電磁波吸収シートを実際に作製して、各種の特性を測定した結果について説明する。 [００８４] ＜抵抗皮膜の耐候性＞ 抵抗皮膜を作製する抵抗皮膜液の成分を異ならせて、以下２種類の電波吸収シートをそれぞれ５枚ずつ作製した。 [００８５] （シート１） 以下の成分を添加、混合して抵抗皮膜液を調整した （１）導電性高分子分散体 ３６．７部 ヘレウス社製導電性高分子（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）： ＰＨ－１０００（製品名）、固形分濃度 １．２質量％ （２）ＰＶＤＦ分散液 ５．６部 アルケマ社製：ＬＡＴＥＸ３２（商品名）、 固形分濃度 ２０質量％、 溶媒 水 （３）水溶性ポリエステル水溶液 ０．６部 互応化学工業社製：プラスコートＺ５６１（商品名） 固形分濃度 ２５質量％ （４）有機溶媒（ジメチルスルホキシド） ９．９部 （５）水溶性溶媒（エタノール） ３０．０部 （６）水 １７．２部。 [００８６] （シート２） 以下の成分を添加、混合して抵抗皮膜液を調整した （１）導電性高分子分散体 ３３．７部 ヘレウス社製導電性高分子（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）： ＰＨ－１０００（製品名）、固形分濃度 １．２質量％ （２）ＰＶＤＦ分散液 ５．１部 アルケマ社製：ＬＡＴＥＸ３２（商品名）、 固形分濃度 ２０質量％、 溶媒 水 （３）有機溶媒（ジメチルスルホキシド） ９．５部 （４）水溶性溶媒（ノルマルプロピルアルコール） ３６．０部 （５）水 １５．７部。 [００８７] 抵抗皮膜は、基材としてのポリエチレンテレフタレート製シート（２５μｍ厚）上に、上記それぞれの組成で作製した抵抗皮膜液を、バーコート法によって乾燥後の厚さが約１２０ｎｍとなる量を塗布し、その後１５０℃で５分加熱し抵抗皮膜を成膜した。この場合の抵抗皮膜の表面抵抗は、いずれも３７７Ω／ｓｑとなった。 [００８８] 誘電体層として厚さ４００μｍのウレタンゴムを、電磁波遮蔽層として厚さ１５μｍのアルミニウム箔を用い、抵抗被膜、誘電体層、電磁波吸収層をこの順序で積層密着させて接着剤にて接着した。 ・・・・・（中 略）・・・・・ [００９８] 図２から分かるように、抵抗皮膜の表面抵抗値が３７７Ω／ｓｑと、空気中（真空）のインピーダンス値と一致して極めて良好なインピーダンス整合が取れているシート１では、７６ＧＨｚの電磁波に対する減衰量が約４２ｄＢと極めて高くなっている。」 上記「ア．」ないし「エ．」から以下のことがいえる。 ・上記甲第７号証に記載の「電磁波吸収シート」は、上記「ア．」、「イ．」の記載よれば、誘電体層の一方の表面に抵抗皮膜を、他方の表面に電磁波を反射する電磁波遮蔽層とが積層されて形成された電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シートに関するものである。 ・上記「イ．」、「ウ．」の記載によれば、入射する電磁波の波長をλ、電磁波遮蔽層と抵抗皮膜との間の誘電体層を誘電率εｒの材料で形成した場合、誘電体層の厚みｄはｄ＝λ／（４（εr）1/2）である。 ・上記「エ．」の記載によれば、シート１あるいはシート２では、抵抗皮膜は、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製シートからなる基材上に製膜され、表面抵抗が３７７Ω／ｓｑである。また、誘電体層として厚さ４００μｍのウレタンゴム、電磁波遮蔽層としてアルミニウム箔を用い、抵抗皮膜、誘電体層、電磁波遮蔽層をこの順序で積層密着させて接着剤にて接着してなるものである。 以上のことから、特に「シート１」あるいは「シート２」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、甲第７号証には、次の発明（以下、「甲７発明」という。）が記載されている。 「厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製シートからなる基材上に製膜された表面抵抗が３７７Ω／ｓｑである抵抗皮膜と、 厚さ４００μｍのウレタンゴムからなる誘電体層と、 電磁波を反射する電磁波遮蔽層としてのアルミニウム箔と、を有し、 前記抵抗皮膜、前記誘電体層、前記電磁波遮蔽層をこの順序で積層密着させて接着剤にて接着してなり、 入射する電磁波の波長をλ、前記電磁波遮蔽層と前記抵抗皮膜との間の誘電体層を誘電率εｒの材料で形成した場合、その誘電体層の厚みｄはｄ＝λ／（４（εr）1/2）である、電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シート。」 （２－５）甲第１１号証 本件出願の優先日前の他の特許出願であって、本件出願の優先日後に出願公開された甲第１１号証（特願２０１７－１１６２９２号（特開２０１９－４００２号公報参照））に係る先願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１１」という。）には、「電磁波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【００１６】 図１に示す通り、電磁波吸収体１ａは、第一層１０と、導電層２０とを備えている。第一層１０は、誘電体層又は磁性体層である。導電層２０は、第一層１０の少なくとも片側に設けられている。・・・・・（以下、略）」 イ．「【００３３】 図１に示す通り、電磁波吸収体１ａは、例えば、抵抗層３０をさらに備えている。抵抗層３０は、第一層１０の少なくとも片側に設けられている。この場合、第一層１０は、誘電体層であり、かつ、抵抗層３０と導電層２０との間に配置されている。換言すると、電磁波吸収体１ａはλ／４型電磁波吸収体である。」 ウ．「【００３８】 抵抗層３０は、例えば、抵抗機能層を支持する支持体をさらに含んでいてもよい。この場合、抵抗層３０は、例えば、支持体上にスパッタリング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の成膜方法により抵抗機能層を形成することによって作製できる。この場合、支持体は、抵抗機能層の厚みを高精度に調節できる補助材としての役割も果たす。この場合、抵抗層３０の支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、二軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂である。抵抗層３０の支持体の材料は、導電層２０の支持体の材料と同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層３０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。必要に応じて、抵抗層３０において支持体は省略可能である。 【００３９】 抵抗層３０が支持体を含む場合、抵抗層３０において、抵抗機能層が支持体よりも第一層１０に近い位置に配置されていてもよいし、支持体が抵抗機能層よりも第一層１０に近い位置に配置されていてもよい。」 エ．「【００５２】 ＜実施例１＞ ポリエステルからなるフィルム状の支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル、厚み：３８μｍ厚）に、シート抵抗が３８０Ω／□になるように３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いてスパッタリングにより抵抗機能層を形成し、実施例１に係る抵抗層を作製した。また、実施例１に係る導電層として、２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されているＵＡＣＪ社製のアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムを準備した。実施例１に係る導電層の２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層に、実施例１に係る誘電体層である５６０μｍの厚みにプレス成型したアクリル樹脂（クラレ社製、クラリティLA2330）を載せた。次に、アクリル樹脂（誘電体層）の上に、抵抗層の支持体によって形成された主面をアクリル樹脂に向けた状態で実施例１に係る抵抗層を重ねた。このようにして、実施例１に係る電磁波吸収体を得た。実施例１に係る電磁波吸収体における誘電体層の比誘電率は２．５５であった。 ・・・・・（中 略）・・・・・ 【００５４】 ＜実施例３＞ ＥＶＡ樹脂（三井デュポン社製、エバフレックスEV250、比誘電率：２．４５）を１２０℃でプレス成型して、５６０μｍの厚みを有する実施例３に係る誘電体層を得た。実施例１に係る誘電体層の代わりに実施例３に係る誘電体層を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る電磁波吸収体を得た。 ・・・・・（中 略）・・・・・ 【００６２】 ＜実施例１１＞ アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、製品名：ハイミラン1855）をミキシングロールで混練した後、１２０℃でプレス成型し、５６５μｍの厚みを有する実施例１１に係る誘電体層を作製した。実施例１１に係る誘電体層の比誘電率は、２.４４であった。実施例１に係る誘電体層の代わりに実施例１１に係る誘電体層を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１に係る電磁波吸収体を得た。」 オ．「【００７８】 ［図：0001391994000008.jpg］ 」 カ．「 ［図：0001391994000009.jpg］ 」 上記「ア．」ないし「カ．」から以下のことがいえる。 ・上記先願明細書１１に記載の「電波吸収体」は、上記「ア．」ないし「ウ．」の記載、及び「カ．」（図１）によれば、支持体に抵抗機能層を形成してなる抵抗層、誘電体層、及び導電層を備えるλ／４型電磁波吸収体である。 ・上記「エ．」、「オ．」（【表１】）の記載によれば、実施例３及び実施例１１では、支持体として厚み３８μｍのポリエステルからなるもの（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）が用いられ、当該支持体に抵抗機能層を形成してなる抵抗層としてシート抵抗が３８０Ω／□のものが用いられ、導電層として２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなるものが用いられている。 そして、誘電体層の上に、抵抗層の支持体によって形成された主面が向いた状態で抵抗層が重ねられてなり、実施例３では誘電体層として５６０μｍの厚みを有するＥＶＡ樹脂（比誘電率：２．４５）からなるものが用いられ、実施例１１では５６５μｍの厚みを有するアイオノマー樹脂（比誘電率：２．４４）からなるものが用いられている。 ここで、上記「イ．」の記載、及び「カ．」（図１）によれば、誘電体層は、抵抗層と導電層の間に配置される。よって、導電層は、誘電体層の支持体側とは反対側の面に重ねられてなるものである。 以上のことから、特に「実施例３」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書１１には次の発明（以下、「先願発明１１－１」という。）が記載されている。 「厚み３８μｍのポリエステルからなる支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）と、 前記支持体上に抵抗機能層を形成してなるシート抵抗が３８０Ω／□の抵抗層と、 前記抵抗層の前記支持体によって形成された主面が向いた状態で前記抵抗層が重ねられてなる５６０μｍの厚みを有するＥＶＡ樹脂（比誘電率:２．４５）からなる誘電体層と、 ２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなり、前記誘電体層の前記支持体側とは反対側の面に２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層を向けた状態で重ねられてなる導電層とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 また、特に「実施列１１」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書１１には次の発明（以下、「先願発明１１－２」という。）が記載されている。 「厚み３８μｍのポリエステルからなる支持体（三菱化学ポリエステル社製、三菱ダイアホイル）と、 前記支持体上に抵抗機能層を形成してなるシート抵抗が３８０Ω／□の抵抗層と、 前記抵抗層の前記支持体によって形成された主面が向いた状態で前記抵抗層が重ねられてなる５６５μｍの厚みを有するアイオノマー樹脂（比誘電率:２．４４）からなる誘電体層と、 ２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されたアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムからなり、前記誘電体層の前記支持体側とは反対側の面に２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層を向けた状態で重ねられてなる導電層とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 （２－６）甲第１３号証 本件出願の優先日前の他の特許出願であって、本件出願の優先日後に出願公開された甲第１３号証（特願２０１７－１１６２９７号（特開２０１９－４００５号公報参照））に係る先願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１３」という。）には、「電磁波吸収体」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【００１４】 図１に示す通り、電磁波吸収体１は、誘電体層１０と、抵抗層２０と、導電層３０とを備えている。抵抗層２０は、誘電体層１０の一方の主面に配置されている。導電層３０は、誘電体層１０の他方の主面に配置され、抵抗層２０のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。抵抗層２０は、２００～６００Ω／□のシート抵抗を有する。電磁波吸収体１において、抵抗層２０を５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、浸漬処理前の抵抗層２０のシート抵抗と浸漬処理後の抵抗層２０のシート抵抗との差の絶対値が１００Ω／□未満である。これにより、抵抗層２０がアルカリ性の洗剤等の薬品に触れても抵抗層２０のシート抵抗が変化しにくく、電磁波吸収体１が薬品に触れた後でも所望の電磁波吸収特性を保つことができる。このように、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有し、ひいては電磁波吸収体１が良好な耐薬品性を有する。 【００１５】 電磁波吸収体１は、λ／４型電磁波吸収体である。λ／４型電磁波吸収体において、吸収対象とする波長（λO）の電磁波が入射すると、抵抗層２０の表面での反射（表面反射）による電磁波と、導電層３０における反射（裏面反射）による電磁波とが干渉するように設計される。なお、λ／４型電磁波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層１０の厚み（ｔ）及び誘電体層１０の比誘電率（εr）によって吸収対象の電磁波の波長（λO）が決定される。すなわち、誘電体層１０の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率（εr）の平方根を意味する。 λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr）式（１）」 イ．「【００２９】 図１に示す通り、抵抗層２０は、例えば、誘電体層１０に接している面と反対の面において高分子フィルム２５に積層されている。高分子フィルム２５は、抵抗層２０の支持体として機能する。高分子フィルム２５は、例えばスパッタリングによって抵抗層２０を製造する場合に、成膜時又はその後のアニール処理時の加熱に耐えうる耐熱性を有し、平滑な表面を提供する材料でできていることが望ましい。加えて、高分子フィルム２５は、抵抗層２０を覆うように配置されているので、高分子フィルム２５が高い耐薬品性を有していれば、電磁波吸収体１も高い耐薬品性を有する。このため、高分子フィルム２５の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の芳香族ポリエーテルケトン、芳香族ポリアミド（アラミド）、又はポリイミドである。良好な耐薬品性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層２０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。 【００３０】 高分子フィルム２５の厚みは、例えば１０～１５０μｍであり、望ましくは２０～１００μｍであり、より望ましくは３０～８０μｍの厚みを有する。これにより、高分子フィルム２５の曲げ剛性が低く、かつ、高分子フィルム２５に抵抗層２０を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。」 ウ．「【００４４】 次に、導電層３０の一方の主面に、所定の厚みに成形された誘電体層１０を形成する樹脂組成物を載せる。その後、誘電体層１０を形成する樹脂組成物に、抵抗層２０の一方の主面を重ねる。必要に応じて、樹脂組成物を硬化させる。これにより、電磁波吸収体１を製造できる。この方法によれば、誘電体層１０の厚みの制御が容易であるので、吸収対象とする波長の電磁波を効果的に吸収できるように電磁波吸収体１を製造できる。また、抵抗層２０および導電層３０を別々に形成するので、電磁波吸収体１の製造に要する時間が短く、電磁波吸収体１の製造コストが低い。なお、誘電体層１０と導電層３０又は抵抗層２０とをくっつけるために接着剤又は粘着剤を用いてもよい。」 エ．「【００５１】 ＜実施例１＞ ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、Ｉｎ2Ｏ3からなるターゲット材を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、非晶質のＩｎ2Ｏ3からなる膜を形成し、その膜を大気中で１５０℃の温度で３時間加熱処理してＩｎ2Ｏ3を結晶化させた。このようにして、実施例１に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の厚み、シート抵抗、及び比抵抗を表１に示す。２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１に係る誘電体層を作製した。また、実施例１に係る導電層として、０．００２Ω／□のシート抵抗を有するアルミニウム箔を準備した。実施例１に係る誘電体層の一方の主面に薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層が接触するように実施例１に係る抵抗層を貼り付けた。また、実施例１に係る誘電体層の他方の主面に実施例１に係る導電層を接触させて貼り付けた。このようにして、実施例１に係るサンプルＡを作製した。」 オ．「【００６１】 ＜実施例１１＞ ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＩＴＯをターゲット材として用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、３０重量％のＳｎＯ2を含む非晶質構造のＩＴＯでできた実施例１１に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の形成においてスパッタリング後の加熱処理は行わなかった。２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１１に係る誘電体層を作製した。実施例１に係る抵抗層及び実施例１に係る誘電体層の代わりに、実施例１１に係る抵抗層及び実施例１１に係る誘電体層をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 ・・・・・（中 略）・・・・・ 【００６７】 ＜実施例１７＞ ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ダイアホイル）の上に、Ｎｂ含有ＴｉＯ2をターゲット材に用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：室温）により、ニオブドープ酸化チタン（ニオブ含有量：８原子％）でできた実施例１７に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１７に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１７に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。」 カ．「【００７５】 ［図：0001391994000010.jpg］ 」 キ．「 ［図：0001391994000011.jpg］ 」 上記「ア．」ないし「キ．」から以下のことがいえる。 ・上記先願明細書１３に記載の「電磁波吸収体」は、上記「ア．」、「イ．」の記載、及び「キ．」（図１）によれば、支持体として機能する高分子フィルム、抵抗層、誘電体層、及び導電層を備えるλ／４型電磁波吸収体である。 ・上記「エ．」ないし「オ．」の記載、及び「カ．」（【表１】）によれば、実施例１７では、支持体（高分子フィルム）として５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなるものが用いられ、誘電体層は一方の主面に抵抗層が接触するように貼り付けられ、５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなるものが用いられ、導電層は誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔が用いられている。そして、抵抗層は支持体上に形成され、実施例１７ではシート抵抗が３７２Ω／□のものが用いられている。 以上のことから、特に「実施例１７」に係るものに着目し、上記記載事項を総合勘案すると、上記先願明細書１３には、次の発明（以下、「先願発明１３」という。）が記載されている。 「５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）からなる支持体と、 前記支持体上に形成されたシート抵抗が３７２Ω／□の抵抗層と、 一方の主面に前記抵抗層が接触するように貼り付けられてなる５６０μｍの厚み、２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂からなる誘電体層と、 前記誘電体層の他方の主面に接触して貼り付けられてなるアルミニウム箔とを備える、λ／４型電磁波吸収体。」 （３）申立理由についての当審の判断 （３－１）理由２－１（進歩性） ア．本件発明１について 甲第１号証に記載された発明（以下、「甲１発明」という。）は、上記「２．（２－１）」に記載した引用発明１と同じである。 そして、本件発明１と甲１発明（引用発明１）とを対比すると、上記「２．（３－３）」に記載したとおり、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、甲１発明では９８５．４０～９８５．７０である点。 そこで、上記相違点について検討する。 そもそも甲第１号証には、支持体（基材）の比誘電率・厚み及び誘電体層の比誘電率・厚みと、好適な抵抗被膜の抵抗値範囲との関係に着目した記載も示唆もないことを踏まえると、甲１発明において、ｙの値を式（１）を満たすようにしたまま、さらに本件発明１で特定する「９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たすようにすること（この場合、ｙの値を「９９８．２０≦ｙ＜９９８．６２５」の非常に狭い範囲に設定しなければならない。上記「２．（３－３）ア．（イ）」参照）まで当業者が容易になし得たということはできない。 よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ．本件発明２、３、５について 請求項２、３、５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２、３、５は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当し、本件発明１１と甲１発明とは、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、甲１発明では９８５．４０～９８５．７０である点。 上記相違点は、上記「ア．本件発明１について」で検討した相違点と同じであるから、本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明１1は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３－２）理由２－２（進歩性） ア．本件発明１について 本件発明１と甲２発明とを対比する。 （ア）λ／４型電波吸収体について 甲２発明における「基板」は、抵抗層を形成するために使用され、当該抵抗層を支持しているといえるものであることから、本件発明１でいう「支持体」に相当する。 また、甲２発明における「抵抗層」、「誘電体層」、電磁波を反射するための「導電層」は、それぞれ本件発明１でいう「抵抗皮膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当する。 そして、甲２発明における「λ／４型電磁波吸収体」は、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。 よって、本件発明１と甲２発明とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （イ）式（１）について 甲２発明における「基板」のＰＥＴフィルムの比誘電率について、甲第２号証には記載されていないが、本件特許に関する令和２年７月１４日提出の意見書や例えば「比誘電率表」（「http://www.yei-jp.com/tech-infor/dielectric/dielectric.html」参照）によれば、２．９～３．０であるといえる。 したがって、甲２発明における数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３８０＋１１０５＝９６２．５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３８０＋１１４０＝９９７．５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝３８×（２．９～３．０）０．５＋４５８×３．９００．５≒９６９．１９～９７０．３０であるから、式（１）を満たすもののの、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）は満たさない。 よって上記（ア）及び（イ）によれば、本件発明１と甲２発明とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「ｙは９９８．２０以上」と特定するのに対し、甲２発明では９６９．１９～９７０．３０である点。 そこで、上記相違点について検討する。 そもそも甲第２号証には、支持体（基板）の比誘電率・厚み及び誘電体層の比誘電率・厚みと、好適な抵抗被膜の抵抗値範囲との関係に着目した記載も示唆もないことに加えて、甲２発明において抵抗被膜の抵抗値を変更せずにｙの値を本件発明１で特定する「９９８．２０以上」の条件（範囲）を満たすようにした場合には、式（１）を満たさなくなる。したがって、甲２発明において、ｙの値を式（１）を満たすようにしたまま、さらに本件発明１で特定する「９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たすようにすることは当業者が容易になし得たことではない。 なお、当該相違点に関して、特許異議申立人は特許異議申立書において、甲２発明において、誘電体層の厚みが僅か１μｍ大きく４５９μｍであったと仮定した場合、ｙの値は９７２．２７となり、本件発明１で特定する「ｙは９７１．６５以上」の条件（範囲）を満たすことになるところ、甲第３号証及び甲第４号証の記載から、誘電体層の厚みが１μｍ以上２０μｍ以下の範囲でばらつく可能性があることは当業者が容易に理解できることであることを踏まえると、本件発明１は、甲２発明から当業者が容易に発明できたものであると主張している。 しかしながら、本件発明１において、ｙの値は「９９８．２０以上」に訂正されており、そして上述したとおり、甲２発明において、ｙの値を式（１）を満たすようにしたまま、さらに本件発明１で特定する「９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たすようにすることは当業者が容易になし得たことではない。 したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できず、甲２発明において上記相違点に係る構成を導き出すことはできない。 よって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明、及び甲第３，４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ．本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５は、甲第２号証に記載された発明、及び甲第３，４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と甲２発明とは、 「支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。[式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）]」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「ｙは９９８．２０以上」と特定するのに対し、甲２発明では、ｙは９６９．１９～９７０．３０である点。 上記相違点は、上記「ア．本件発明１について」で検討した相違点と同じであるから、本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明１1は、甲２発明、及び甲第３，４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３－３）理由２－３（進歩性） ア．本件発明１について 本件発明１と甲５発明とを対比する。 （ア）λ／４型電波吸収体について 甲５発明における「ベースフィルム（保護膜）」は、抵抗皮膜を形成するために使用され、当該抵抗皮膜を支持しているといえるものであることから、本件発明１でいう「支持体」に相当する。 甲５発明における「抵抗皮膜」は、本件発明１でいう「抵抗皮膜」に相当する。 また、甲５発明における３層構成のアルミ箔のうちの「アルミニウム箔」は、電磁波を反射するものであることは明らかであり、本件発明１でいう「反射層」に相当する。 さらに、甲５発明における厚さ５０μｍの「粘着層」、「スペーサ」、３層構成のアルミ箔のうちの厚さ２５μｍの「粘着層」、及び「ＰＥＴ」の４層からなる積層体が、本件発明１でいう「誘電体層」に相当するとみることができる。 そして、甲５発明における「９４ＧＨｚ帯における抵抗皮膜型ミリ波電波吸収体」は、その構成からして、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。 よって、本件発明１と甲５発明とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （イ）式（１）について 甲５発明における各数値を式（１）に代入してみると、 －０．３７５ｘ＋１１０５＝－０．３７５×３４６＋１１０５＝９７５．２５ －０．３７５ｘ＋１１４０＝－０．３７５×３４６＋１１４０＝１０１０．２５ ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５＝１２５×３．１６０．５＋５０×２．８１０．５＋３００×２．６９０．５＋２５×２．８１０．５＋１２×３．１６０．５≒８６１．３０であるから、式（１）は満たさず、さらに、本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たさない。 よって上記（ア）及び（イ）によれば、本件発明１と甲５発明とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有する、λ／４型電波吸収体。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 本件発明１では「下記式（１）を満たす」ことを特定するのに対し、甲５発明では式（１）を満たさない点。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。） そこで、上記相違点について検討する。 当該相違点に関して、特許異議申立人は特許異議申立書において、甲第６号証には、平面波と伝送線路上の信号波の伝搬の類似性から伝送線理論を用いて平面波の解析が行え、固有インピーダンスが異なった媒質を積層して構成された電波吸収体の伝送線路を４端子回路網として扱って反射係数の計算ができることが記載されており、かかる電波吸収体の伝送線路を４端子回路網として扱う方法に従って、甲５発明を基礎に、抵抗皮膜の抵抗値、保護膜（ベースフィルム）の厚み、ＰＣ（ポリカーボネートからなるスペーサ）の厚みを変化させたときの電波吸収量を容易に計算でき、甲５発明において、２０ｄＢ以上の電波吸収量を狙って本件発明１の式（１）を満たすようにｙ値を調整することは、単なる数値範囲の最適化又は好適化に過ぎない旨主張している。 しかしながら、甲第５号証には保護膜（ベースフィルム）、ＰＣ（ポリカーボネートからなるスペーサ）、及び粘着層の虚数部を含む比誘電率が記載されており、甲第６号証に記載の方法に従って、抵抗皮膜の抵抗値、保護膜（ベースフィルム）の厚み、ＰＣ（ポリカーボネートからなるスペーサ）の厚みを変化させたときの電波吸収量を計算できるとしても、そもそも甲第５号証にも甲第６号証にも、支持体（ベースフィルム（保護膜））の比誘電率・厚み及び誘電体層の比誘電率・厚みと、好適な抵抗被膜の抵抗値範囲との関係に着目した記載も示唆もなく、甲５発明において、抵抗皮膜の抵抗値、保護膜（ベースフィルム）の厚み、ＰＣ（ポリカーボネートからなるスペーサ）の厚みを式（１）を満たすように変化させ、かつ本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たすようにすべき動機を見出すことはできない。 したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できず、甲５発明において上記相違点に係る構成を導き出すことはできない。 よって、本件発明１は、甲第５号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ．本件発明２ないし５、８について 請求項２ないし５、８は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５、８は、甲第５号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と甲５発明とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層を有する、λ／４型電波吸収体用部材。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 本件発明１１では「下記式（１）を満たす」ことを特定するのに対し、甲５発明では式（１）を満たさない点。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。） 上記相違点は、上記「ア．本件発明１について」で検討した相違点と同じであるから、本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明１1は、甲第５号証に記載された発明、及び甲第６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３－４）理由２－４（進歩性） ア．本件発明１について 本件発明１と甲７発明とを対比する。 （ア）λ／４型電波吸収体について 甲７発明における「基材」は、抵抗皮膜を製膜するために使用され、当該抵抗皮膜を支持しているといえるものであることから、本件発明１でいう「支持体」に相当する。 また、甲７発明における「抵抗皮膜」、「誘電体層」、電磁波を反射する「電磁波遮蔽層としてのアルミニウム箔」は、それぞれ本件発明１でいう「抵抗皮膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当する。 そして、甲７発明における「電磁波干渉型（λ／４型）の電磁波吸収シート」は、本件発明１でいう「λ／４型電波吸収体」に相当するものである。 したがって、本件発明１と甲７発明とは、「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有」する「λ／４型電波吸収体」である点で一致する。 （イ）式（１）について 甲７発明における「基材」のポリエチレンテレフタレートの比誘電率について、甲第７号証には記載されていないが、本件特許に関する令和２年７月１４日提出の意見書や例えば「比誘電率表」（「http://www.yei-jp.com/tech-infor/dielectric/dielectric.html」参照）によれば、２．９～３．０であるといえるものの、甲７発明における「誘電体層」であるウレタンゴムの比誘電率についても甲第７号証には記載されていない。さらに、甲７発明においては、抵抗皮膜、誘電体層及び電磁波遮蔽層をこの順序で積層密着させて接着剤にて接着してなるものであることから、抵抗皮膜と誘電体層との間や、誘電体層と電磁波遮蔽層との間には接着剤の層が存在するものと解されるが、甲第７号証にはその厚さや比誘電率について記載がなく不明である。してみると、ｙの値を算出することはできず、式（１）を満たすか否かは不明であり、「ｙは９９８．２０以上」であるか否かも不明である。 したがって、本件発明１では「式（１）を満たす」とともに、「ｙは９９８．２０以上」と特定するのに対し、甲７発明ではそのような特定がない点で相違する。 よって上記（ア）及び（イ）によれば、本件発明１と甲７発明とは、 「支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有する、λ／４型電波吸収体。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 本件発明１では「下記式（１）を満たす」ことを特定するのに対し、甲７発明ではそのような特定がない点。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。） そこで、上記相違点について検討すると、上述したように、甲第７号証には、甲７発明における「誘電体層」であるウレタンゴムの比誘電率については記載がなく、さらに、抵抗皮膜と誘電体層との間や、誘電体層と電磁波遮蔽層との間に存在すると解される接着剤の層の厚さや比誘電率についても記載がなく、ｙの値を算出することはできない。そして、そもそも甲第７号証には、支持体（基材）の比誘電率・厚み及び誘電体層の比誘電率・厚みと、好適な抵抗被膜の抵抗値範囲との関係に着目した記載も示唆もないことを踏まえると、甲７発明において、式（１）を満たし、さらに本件発明１で特定する「ｙは９９８．２０以上」の条件（範囲）も満たすようにすることを当業者が容易になし得たということはできない。 なお、特許異議申立人は特許異議申立書において、甲第８号証には「１ｋＨｚにおける比誘電率が５．９であるポリウレタンゴムＢ」が記載され（図３を参照）、甲第９号証には「誘電体の誘電率には周波数依存性が観察され、高周波では誘電率が低下する可能性があること」が記載ないし示唆されている（図１・７を参照）ことを踏まえると、甲７発明において、誘電体層であるウレタンゴムとして甲第８号証に記載の「ポリウレタンゴムＢ」を選択することにより、式（１）が満たされる旨主張している。 しかしながら、そもそも甲７発明において、誘電体層であるウレタンゴムとして甲第８号証に記載の「ポリウレタンゴムＢ」をあえて選択すべき動機がないし、たとえ「ポリウレタンゴムＢ」を選択できたとしても、ＧＨｚ帯域における正確な比誘電率が明らかでないことに加えて、上述したように抵抗皮膜と誘電体層との間や、誘電体層と電磁波遮蔽層との間に存在すると解される接着剤の層の厚さや比誘電率が不明である以上、ｙの値を算出することはできないことに変わりがなく、特許異議申立人の上記主張は採用できない。 よって、本件発明１は、甲第７号証に記載された発明、及び甲第８，９号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ．本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点２に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５は、甲第７号証に記載された発明、及び甲第８，９号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と甲7発明とは、 「支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有する、λ／４型電波吸収体用部材。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 本件発明１１では「下記式（１）を満たす」ことを特定するのに対し、甲７発明ではそのような特定がない点。 式（１）：－０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜－０．３７５ｘ＋１１４０ （式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値（Ω／□）、ｙは、ｙ＝支持体の厚み（μｍ）×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み（μｍ）×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。ｙは９９８．２０以上である。） 上記相違点は、上記「ア．本件発明１について」で検討した相違点と同じであるから、本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明１1は、甲７発明、及び甲第８，９号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３－５）理由３－２（拡大先願） ア．本件発明１について 先願発明１１－１、先願発明１１－２は、それぞれ上記「２．（２－２）」に記載した先願明細書２（甲第１０号証に係る先願明細書）に記載された「先願発明２－１」、「先願発明２－２」と同じである。 そして、本件発明１と先願発明１１－１あるいは先願発明１１－２とは、上記「２．（３－２）」に記載したのと同様に、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明１１－１では９８３．８２～９８５．６６であり、先願発明１１－２では９８９．８４～９９１．６８である点。 以上のとおり、いずれも相違するところがあるから、本件発明１は、先願明細書１１に記載された発明と同一であるとはいえない。 イ．本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５は、先願明細書１１に記載された発明と同一であるとはいえない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と先願発明１１－１あるいは先願発明１１－２とは、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明１１－１では９８３．８２～９８５．６６であり、先願発明１１－２では９８９．８４～９９１．６８である点。 よって、いずれも相違するところがあるから、本件発明１１は、先願明細書１１に記載された発明と同一であるとはいえない。 （３－６）理由３－４（拡大先願） ア．本件発明１について 先願発明１３は、上記「２．（２－３）」に記載した先願明細書３（甲第１２号証に係る先願明細書）に記載された「先願発明３－３」と同じである。 そして、本件発明１と先願発明１３とは、上記「２．（３－１）」の「理由Ｂ（拡大先願）について」に記載したのと同様に、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明１３では９７８．９８である点。 以上のとおり、相違するところがあるから、本件発明１は、先願明細書１３に記載された発明と同一であるとはいえない。 イ．本件発明２ないし５について 請求項２ないし５は請求項１を引用するものであり、少なくとも上記相違点に係る発明特定事項を備えるものであるから、本件発明１についての判断と同様に、本件発明２ないし５は、先願明細書１３に記載された発明と同一であるとはいえない。 ウ．本件発明１１について 本件発明１１における「λ／４型電波吸収体用部材」は、本件発明１の「λ／４型電波吸収体」から反射層を有することの特定を省いたものに相当するといえる。 したがって、本件発明１１と先願発明１３とは、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点］ ｙの値の範囲について、本件発明１１では「９９８．２０以上」であることを特定するのに対し、先願発明１３では９７８．９８である点。 よって、相違するところがあるから、本件発明１１は、先願明細書１３に記載された発明と同一であるとはいえない。 第４ むすび 以上のとおりであるから、本件発明１ないし５、８、１１に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に本件発明１ないし５、８、１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。